KR20080048432A - 탄성파 디바이스 - Google Patents

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KR20080048432A
KR20080048432A KR1020070122113A KR20070122113A KR20080048432A KR 20080048432 A KR20080048432 A KR 20080048432A KR 1020070122113 A KR1020070122113 A KR 1020070122113A KR 20070122113 A KR20070122113 A KR 20070122113A KR 20080048432 A KR20080048432 A KR 20080048432A
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surface acoustic
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다까시 야마시따
게이지 쯔다
šœ이찌 아이까와
가즈노리 이노우에
다까시 마쯔다
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후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤
후지쯔 가부시끼가이샤
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Abstract

본원 발명은, 밀봉부와 기판 및 배선과의 밀착성을 향상시켜, 높은 신뢰성을 갖는 탄성파 디바이스를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 따른 탄성파 디바이스는, 압전성 기판(10) 상에 형성된 빗형 전극, 반사기 등으로 이루어지는 탄성 표면파 소자(12)와, 압전성 기판(10) 상에 형성되며, 탄성 표면파 소자(12)와 전기적으로 접속하는 배선(14)과, 탄성 표면파 소자(12)의 기능 부분 상에 공동부(20)를 갖고, 탄성 표면파 소자(12)와 배선(14)을 덮도록 형성된 밀봉부(24)와, 압전성 기판(10) 및 배선(14)과 밀봉부(24) 사이에 형성된 절연막층(30)을 구비하는 탄성파 디바이스이다.
밀봉부, 압전성 기판, 탄성 표면파 소자, 공동부, 절연막층

Description

탄성파 디바이스{ACOUSTIC WAVE DEVICE}
본 발명은, 탄성파 디바이스에 관한 것으로, 보다 상세하게는 절연막층을 갖는 탄성파 디바이스에 관한 것이다.
탄성파를 이용한 탄성파 디바이스의 하나로서, 압전성 기판의 표면에 형성한 IDT(Interdigital Transducer)로 이루어지는 빗형 전극을 구비하고，이 빗형 전극에 전력을 인가함으로써 여진한 탄성파를 이용하는 탄성 표면파 디바이스는 잘 알려져 있다. 이 탄성 표면파 디바이스는, 예를 들면 45㎒∼2㎓의 주파수 대역에서의 무선 신호를 처리하는 각종 회로, 예를 들면 송신용 밴드 패스 필터, 수신용 밴드 패스 필터나 안테나 공용기 등에 널리 이용되고 있다.
또한, 탄성 표면파 디바이스 외에, 서로 다른 2개의 매질의 경계를 탄성파가 전파하는 탄성 경계파 디바이스도 개발되어 있다. 이에 의하면, 2개의 매질의 외표면에 이물 등이 부착되어도 주파수 변동이나 전기적 손실 특성에 영향을 주지 않는 이점이 있다.
또한, 최근에는 압전 박막의 표리에 한 쌍의 전극을 형성하고 그 두께 진동을 이용하는 압전 박막 공진기(FBAR : Film Bulk Acoustic Resonator)를 이용한 탄 성파 디바이스도 개발되어 있다. 압전 박막 공진기를 이용한 탄성파 디바이스는 특히 고주파수 대역에서의 특성이 양호하기 때문에, 예를 들면 1㎓∼10㎓의 주파수 대역에서 이용되고 있다.
근년, 특히 이동체 통신 분야의 진보는 눈부신 것이 있고, 이들에 이용되는 신호 처리 기기는 소형화가 진행되고, 아울러 탄성파 디바이스의 전자 부품도 소형화가 요구되어 있다. 또한, 탄성파 디바이스에서는 특성을 유지하기 위해서 가장 중요하게 되는 기능 부분(탄성 표면파 소자 : IDT로 이루어지는 빗형 전극, 압전 박막 공진 기 소자 : 압전 박막을 사이에 둔 상하 전극이 겹치는 영역) 상에 공동부를 형성할 필요가 있다.
도 1은 종래예1에 따른 탄성 표면파 디바이스의 단면도이다. 도 1을 참조로, 종래예1에 따른 탄성 표면파 디바이스는, 압전성 기판(10) 표면에 금속막으로 형성된 빗형 전극, 반사기 등으로 이루어지는 탄성 표면파 소자(12)와 배선(14)이 형성되고, 땜납 볼(16)에 의해 플립 칩으로 세라믹 패키지(18)에 형성된 단자(33)에 접속하고 있다. 탄성 표면파 소자(12)의 기능 부분과 세라믹 패키지(18) 사이에는 공동부(20)가 형성되어 있다. 세라믹 패키지(18) 상에는 금속 리드(22)가 형성되어 있다. 이에 의해, 탄성 표면파 소자(12)는 밀봉되어 있다.
종래예1에 따른 탄성 표면파 디바이스는, 탄성 표면파 소자(12)의 기능 부분 상에 공동부(20)를 형성하기 위해서, 세라믹 패키지(18)로 탄성 표면파 소자(12)가 형성되어 있는 압전성 기판(10)을 덮는 구조를 하고 있다. 그러나，이 구조에서는, 세라믹 패키지(18)가 탄성 표면파 디바이스의 대부분을 차지하게 되기 때문에, 탄성 표면파 디바이스의 소형화를 도모하는 것이 곤란하다. 또한，세라믹 패키지(18)는 매우 고가이기 때문에, 탄성 표면파 디바이스의 저코스트화를 도모하는 것도 곤란하다.
따라서, 탄성 표면파 디바이스의 소형화 및 저코스트화를 도모하기 위해서, 압전성 기판(10) 상에 형성된 탄성 표면파 소자(12)의 기능 부분 상에 공동부(20)를 갖는 수지로 이루어지는 밀봉부(24)로, 탄성 표면파 소자(12) 및 배선(14)을 덮는 탄성 표면파 디바이스(종래예2)가 개발되어 있다. 종래예2에 따른 탄성 표면파 디바이스에서는, 탄성 표면파 소자(12)를 외부에 전기적으로 접속하는 관통 전극(32)은 밀봉부(24)를 관통하여, 압전성 기판(10) 상에 형성되어 있으며, 관통 전극(32) 상에 땜납 볼(16)이 형성되어 있다.
종래예2에 따른 탄성 표면파 디바이스는, 압전성 기판(10) 상에 공동부(20)를 갖는 밀봉부(24)를 형성함으로써 탄성 표면파 소자(12)를 보호하고, 밀봉부(24)를 패키지 대신으로서 이용하는 웨이퍼 레벨 패키지(WLP)의 구조를 하고 있다. 종래예2에 따른 탄성 표면파 디바이스는, 압전성 기판(10) 상에 관통 전극(32) 및 땜납 볼(16)이 형성되어 있기 때문에, 플립 칩으로 실장하는 것이 가능하다. 따라서, 압전성 기판(10) 상에 형성된 관통 전극(32)에 의해 탄성 표면파 소자(12)와 외부와의 전기 신호의 주고받음을 행할 수 있기 때문에, 탄성 표면파 디바이스의 소형화를 도모할 수 있다.
특허 문헌1에는, 탄성 표면파 소자(12)의 기능 부분 상에 공동부(20)를 갖는 밀봉부(24)가 적층막으로 형성되어 있는 탄성 표면파 디바이스의 기술이 개시되어 있다.
[특허 문헌1] 일본 특개 2006-108993호 공보
그러나, 예를 들면 종래예2에 따른 탄성 표면파 디바이스는, 밀봉부(24)가 압전성 기판(10) 상에 형성되어 있다. 보다 상세하게는, 밀봉부(24)는 압전성 기판(10) 및 금속막으로 이루어지는 배선(14)에 접하여 형성되어 있다. 밀봉부(24)는 수지로 형성되어 있고, 수지와 압전성 기판(10) 및 배선(14)은 밀착성이 나쁘다고 하는 과제가 있다. 이 때문에, 탄성 표면파 디바이스의 제조 공정에서 발생하는 밀봉부(24)에 걸리는 응력의 영향으로, 밀봉부(24)와 압전성 기판(10) 및 배선(14)과의 계면에서 막 벗겨짐이 발생한다고 하는 과제가 생긴다.
특히, 종래예2에 따른 탄성 표면파 디바이스는, 디바이스 사이즈의 소형화를 도모하기 위해서, 압전성 기판(10) 상에 관통 전극(32)이 형성되어 있다. 이 때문에, 밀봉부(24)와 압전성 기판(10) 및 배선(14)과의 접지 면적이 작아져, 밀착성이 나빠져 있다. 따라서, 밀봉부(24)와 압전성 기판(10) 및 배선(14)과의 계면에서 막 벗겨짐이 보다 발생하기 쉽다고 하는 과제가 있다.
또한, 수지는 강도가 약하기 때문에, 수지로 이루어지는 밀봉부(24)가 충분한 강도를 얻기 위해서는, 밀봉부(24)의 두께를 두껍게 할 필요가 있다. 그러나, 밀봉부(24)의 두께가 두꺼워질수록, 탄성 표면파 디바이스의 제조 공정에서 발생하는 밀봉부(24)에 걸리는 응력은 커지게 되어, 밀봉부(24)와 압전성 기판(10) 및 배 선(14)과의 계면에서의 막 벗겨짐의 발생이 증장되게 된다.
또한, 탄성 표면파 디바이스에서는, 탄성 표면파 소자(12)의 기능 부분 상에 공동부(20)를 형성할 필요가 있다. 이 때문에, 충분한 밀봉부(24)의 강도를 얻기 위해서는, 보다 밀봉부(24)의 두께를 두껍게 해야만 한다. 또한, 공동부(20)가 있기 때문에, 밀봉부(24)와 압전성 기판(10) 및 배선(14)과의 접지 면적은 더욱 작아지게 된다. 이들 때문에, 탄성 표면파 디바이스에서는, 밀봉부(24)와 압전성 기판(10) 및 배선(14)과의 계면에서의 막 벗겨짐이 더욱 심해진다고 하는 과제가 있다.
본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 밀봉부와 기판 및 배선과의 밀착성을 향상시켜, 높은 신뢰성을 갖는 탄성파 디바이스를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 기판 상에 형성된 탄성파 소자와, 상기 기판 상에 형성되며, 상기 탄성파 소자와 전기적으로 접속하는 배선과, 상기 탄성파 소자 및 상기 배선을 덮도록 상기 기판 상에 형성된 밀봉부와, 상기 기판 및 상기 배선과 상기 밀봉부 사이의 전체 면에 형성된 절연막층을 구비하는 것을 특징으로 하는 탄성파 디바이스이다. 본 발명에 따르면, 밀봉부와 기판 및 배선과의 밀착성을 향상시켜, 높은 신뢰성을 갖는 탄성파 디바이스를 제공할 수 있다.
상기 구성에서, 상기 밀봉부는 상기 탄성파 소자의 기능 부분 상에 공동부를 갖는 구성으로 할 수 있다.
상기 구성에서, 상기 기판 상에 상기 탄성파 소자를 외부에 전기적으로 접속하는 관통 전극을 구비하는 구성으로 할 수 있다. 이 구성에 의하면, 탄성파 디바이스를 소형화할 수 있다.
상기 구성에서, 상기 관통 전극 상에 땜납 볼을 구비하는 구성으로 할 수 있다.
상기 구성에서, 상기 밀봉부는 상기 탄성파 소자의 기능 부분을 둘러싸는 제1 밀봉부와, 상기 기능 부분 상에 덮개를 덮어서 상기 기능 부분 상에 공동부를 형성하는 제2 밀봉부를 갖는 구성으로 할 수 있다. 이 구성에 의하면, 탄성파 소자의 기능 부분 상에 공동부를 용이하게 형성할 수 있다.
상기 구성에서, 상기 밀봉부는 감광성 수지로 이루어지는 구성으로 할 수 있다. 이 구성에 의하면, 탄성파 디바이스를 용이하게 제조할 수 있다.
상기 구성에서, 상기 절연막층은 실리콘 화합물인 구성으로 할 수 있다. 이 구성에 의하면, 기판 및 배선과 밀봉부와의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
상기 구성에서, 상기 탄성파 디바이스는 탄성 표면파 디바이스인 구성으로 할 수 있다.
본 발명에 따르면, 밀봉부와 기판 및 배선과의 밀착성을 향상시켜, 높은 신뢰성을 갖는 탄성파 디바이스를 제공할 수 있다.
이하, 도면을 참조로 본 발명의 실시예에 대해서 설명한다.
우선 발명자가 종래예2에 따른 탄성 표면파 디바이스의 과제를 명확화하기 위해서 행하였던 실험에 대해서 설명한다. 도 2는 실험에 이용한 비교예1에 따른 탄성 표면파 디바이스의 단면도이다. 도 2를 참조로, 비교예1에 따른 탄성 표면파 디바이스는, LiTaO3(탄탈산리튬)로 이루어지는 압전성 기판(10) 상에 Al(알루미늄)로 형성된 빗형 전극, 반사기 등으로 이루어지는 탄성 표면파 소자(12) 및 배선(14)이 형성되어 있다. 배선(14)은 탄성 표면파 소자(12)에 전기적으로 접속하고 있다. 탄성 표면파 소자(12)의 기능 부분 상에 공동부(20)를 갖고, 탄성 표면파 소자(12) 및 배선(14)을 덮도록 압전성 기판(10) 상에 두께 60㎛의 감광성 에폭시 수지로 이루어지는 밀봉부(24)가 형성되어 있다. 배선(14) 상의 밀봉부(24)에는 구멍부(26)가 형성되어 있다. 구멍부(26)의 배선(14) 상에는 Ti(티탄) 및 Au(금)로 이루어지는 패드 전극(28)이 형성되어 있고, 패드 전극(28) 상의 구멍부(26)에는 Cu로 이루어지는 관통 전극(32)이 형성되어 있다. 관통 전극(32) 상에는 SnAg로 이루어지는 땜납 볼(16)이 형성되어 있다. 또한, 관통 전극(32)은 밀봉부(24)를 관통하고, 배선(14)을 통하여, 압전성 기판(10)의 표면으로부터 탄성 표면파 소자(12)와 외부와의 전기 신호의 입출력을 행하기 위해서 형성되어 있다.
도 3의 (a) 내지 도 4의 (c)를 이용하여, 비교예1에 따른 탄성 표면파 디바이스의 제조 방법을 설명한다.
도 3의 (a)를 참조로, 탄성 표면파 소자(12), 배선(14) 및 패드 전극(28)이 형성된 압전성 기판(10) 상에 두께 30㎛의 감광성 에폭시 수지로 이루어지는 제1 밀봉부(24a)를 스핀 코드한다. 도 3의 (b)를 참조로, 마스크를 이용하여 제1 밀봉부(24a)에 자외선(UV광)을 조사하여 노광을 행한다. 도 3의 (c)를 참조로, 제1 밀봉부(24a)를 현상함으로써 자외선(UV광)이 조사되어 있지 않은 영역의 제1 밀봉부(24a)를 제거한다. 이에 의해, 탄성 표면파 소자(12)의 기능 부분 상 및 패드 전극(28) 상의 제1 밀봉부(24a)가 제거된다. 따라서, 제1 밀봉부(24a)는 탄성 표면파 소자(12)의 기능 부분을 둘러싸도록 형성된다. 그 후, 250℃에서 베이크를 행하여 제1 밀봉부(24a)를 경화시킨다. 도 3의 (d)를 참조로, 제1 밀봉부(24a) 상에 다시 두께 30㎛의 감광성 에폭시 수지로 이루어지는 제2 밀봉부(24b)를 라미네이트한다. 이에 의해, 탄성 표면파 소자(12)의 기능 부분 상에 덮개가 덮어져, 탄성 표면파 소자(12)의 기능 부분 상에 공동부(20)가 형성된다.
도 4의 (a)를 참조로, 마스크를 이용하여 제2 밀봉부(24b)에 자외선(UV광)을 조사하여 노광을 행한다. 도 4의 (b)를 참조로, 제2 밀봉부(24b)를 현상함으로써 자외선(UV광)이 조사되어 있지 않은 영역의 제2 밀봉부(24b)를 제거하고, 그 후, 250℃에서 제2 밀봉부(24b)를 베이크하여 경화시킨다. 이에 의해, 제1 밀봉부(24a)와 제2 밀봉부(24b)로 이루어지는 밀봉부(24)가 형성된다. 도 4의 (c)를 참조로, 패드 전극(28) 상의 구멍부(26)에, 전기 도금법에 의해 Cu를 형성하고，Au 플래시 도금을 실시하여 관통 전극(32)을 형성한다 ·그 후, 관통 전극(32) 상에 SnAg 땜납 볼의 탑재 혹은 SnAg 땜납 페이스트를 마스크 인쇄, 리플로우함으로써 땜납 볼(16)을 형성한다. 이에 의해, 비교예1에 따른 탄성 표면파 디바이스가 완성된다.
도 5는 비교예1에 따른 탄성 표면파 디바이스의 제조 공정에서의 도 3의 (c)에 도시한 A의 영역을 비스듬히 상방으로부터 본 경우의, 압전성 기판(10) 및 배선(14)과 제1 밀봉부(24a)와의 계면의 SEM상의 모식도이다. 도 5를 참조로, 압전성 기판(10)과 제1 밀봉부(24a)는 밀착되어 있지만, 배선(14)과 제1 밀봉부(24a)는, 배선(14)과 제1 밀봉부(24a)와의 계면에서 막 벗겨짐이 일어나고 있는 것을 알 수 있다.
비교예1에 따른 탄성 표면파 디바이스의 제조 공정에서, 도 3의 (c)에서 설명하는 바와 같이, 제1 밀봉부(24a)를 경화시키기 위해서 250℃에서 베이크를 행하고 있다. 이에 의해, 제1 밀봉부(24a)에 오그라드는 힘이 작용한다. 압전성 기판(10) 및 배선(14)과 제1 밀봉부(24a)는 밀착성이 나쁘기 때문에, 이 제1 밀봉부(24a)에 걸리는 응력에 의해, 배선(14)과 제1 밀봉부(24a)와의 계면에서 제1 밀봉부(24a)의 막 벗겨짐이 발생하고 있다. 따라서, 상기 과제를 해결하기 위한 실시예를 이하에 기재한다.
[실시예 1]
도 6은 실시예1에 따른 탄성 표면파 디바이스의 단면도이다. 도 6을 참조로, 실시예1에 따른 탄성 표면파 디바이스는, 압전성 기판(10), 탄성 표면파 소자(12) 및 배선(14)과 밀봉부(24) 사이에 두께 20㎚의 SiO2(산화실리콘)로 이루어지는 절연막층(30)이 형성되어 있다. 그 밖의 구조에 대해서는, 비교예1과 동일하며, 도 2에 도시하고 있으므로 설명을 생략한다.
도 7의 (a) 내지 도 9의 (c)를 이용하여, 실시예1에 따른 탄성 표면파 디바이스의 제조 방법을 설명한다.
도 7의 (a)를 참조로, 탄성 표면파 소자(12), 배선(14) 및 패드 전극(28)이 형성된 압전성 기판(10) 상에 두께 20㎚의 SiO2로 이루어지는 절연막층(30)을 스퍼터법에 의해 성막한다. 도 7의 (b)를 참조로, 절연막층(30) 상에 두께 30㎛의 감광성 에폭시 수지로 이루어지는 제1 밀봉부(24a)를 스핀 코트한다. 도 7의 (c)를 참조로, 마스크를 이용하여 제1 밀봉부(24a)에 자외선(UV광)을 조사하여 노광을 행한다.
도 8의 (a)를 참조로, 제1 밀봉부(24a)를 현상함으로써 자외선(UV광)이 조사되어 있지 않은 영역의 제1 밀봉부(24a)를 제거한다. 이에 의해, 탄성 표면파 소자(12)의 기능 부분 상 및 패드 전극(28) 상의 제1 밀봉부(24a)가 제거된다. 따라서, 제1 밀봉부(24a)는 탄성 표면파 소자(12)의 기능 부분을 둘러싸도록 형성된다. 그 후, 250℃에서 베이크를 행하여 제1 밀봉부(24a)를 경화시킨다. 도 8의 (b)를 참조로, 제1 밀봉부(24a) 상에 다시, 감광성 에폭시 수지로 이루어지는 제2 밀봉부(24b)를 라미네이트한다. 이에 의해, 탄성 표면파 소자(12)의 기능 부분 상에 덮개가 덮어져, 탄성 표면파 소자(12)의 기능 부분 상에 공동부(20)가 형성된다. 도 8의 (c)를 참조로, 마스크를 이용하여 제2 밀봉부(24b)에 자외선(UV광)을 조사하여 노광을 행한다.
도 9의 (a)를 참조로, 제2 밀봉부(24b)를 현상함으로써 자외선(UV광)이 조사 되어 있지 않은 영역의 제2 밀봉부(24b)를 제거하고, 그 후, 250℃에서 제2 밀봉부(24b)를 베이크한다. 이에 의해, 제1 밀봉부(24a)와 제2 밀봉부(24b)로 이루어지는 밀봉부(24)가 형성된다. 도 9의 (b)를 참조로, 포토레지스트로 패터닝을 행하고, RIE(Reactive Ion Etching)법에 의해 절연막층(30)을 에칭한다. 도 9의 (c)를 참조로, 패드 전극(28) 상의 구멍부(26)에, 전기 도금법에 의해 Cu를 형성하고，Au 플래시 도금을 실시하여 관통 전극(32)을 형성한다. 그 후, 관통 전극(32) 상에 SnAg 땜납 볼의 탑재 혹은 SnAg 땜납 페이스트를 마스크 인쇄, 리플로함으로써 땜납 볼(16)을 형성한다. 이에 의해, 실시예1에 따른 탄성 표면파 디바이스가 완성된다.
도 10은 실시예1에 따른 탄성 표면파 디바이스의 제조 공정에서의 도 8의 (a)에 도시한 A의 영역을 비스듬히 상방으로부터 본 경우의, 압전성 기판(10) 및 배선(14)과 제1 밀봉부(24a)와의 계면의 SEM상의 모식도이다. 도 10을 참조로, 압전성 기판(10)과 제1 밀봉부(24a)와의 계면 및 배선(14)과 제1 밀봉부(24a)와의 계면에는 절연막층(30)이 형성되어 있기 때문에, 압전성 기판(10)과 제1 밀봉부(24a)와의 계면 및 배선(14)과 제1 밀봉부(24a)와의 계면에서 제1 밀봉부(24a)는 막 벗겨짐을 일으키지 않고 확실히 밀착되어 있는 것을 알 수 있다.
실시예1에 따르면, 압전성 기판(10) 및 배선(14)과 제1 밀봉부(24a) 사이의 전체 면에 SiO2로 이루어지는 절연막층(30)이 형성되어 있다. 이에 의해, 압전성 기판(10) 및 배선(14)과 제1 밀봉부(24a)와의 밀착성이 향상되어 있다. 따라서, 실시예1에 따른 탄성 표면파 디바이스의 제조 공정에서, 제1 밀봉부(24a)를 경화시키기 위한 베이크를 행하여, 제1 밀봉부(24a)에 응력이 걸려도, 압전성 기판(10) 및 배선(14)과 제1 밀봉부(24a)와의 밀착성이 향상되어 있기 때문에, 제1 밀봉부(24a)의 막 벗겨짐이 발생하지 않는다.
또한, 실시예1에 따르면, 절연막층(30)은 탄성 표면파 소자(12) 상에도 형성되어 있다. 탄성 표면파 소자(12)의 기능 부분 상에 이물 등이 놓이면 탄성 표면파 디바이스의 특성이 악화되게 되지만, 절연막층(30)의 두께는 20㎚로 충분히 얇기 때문에, 탄성 표면파 디바이스의 특성이 악화되는 일은 거의 없다.
또한, 실시예1에 따르면, 밀봉부(24)는 탄성 표면파 소자(12)의 기능 부분을 둘러싸는 제1 밀봉부(24a)와 탄성 표면파 소자(12)의 기능 부분 상에 덮개를 덮어서 탄성 표면파 소자(12)의 기능 부분 상에 공동부(20)를 형성하는 제2 밀봉부(24b)로 구성된다. 이에 의해, 탄성 표면파 소자(12)의 기능 부분 상에 공동부(20)를 갖는 밀봉부(24)를 용이하게 제조할 수 있다.
실시예1에서, 압전성 기판(10) 및 배선(14)과 밀봉부(24) 사이의 전체 면에 절연막층(30)이 형성되어 있는 경우를 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 압전성 기판(10) 및 배선(14)과 밀봉부(24) 사이의 일부에 절연막층(30)이 형성되어 있는 경우라도, 압전성 기판(10) 및 배선(14)과 밀봉부(24)와의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 그러나, 압전성 기판(10) 및 배선(14)과 밀봉부(24) 사이의 전체 면에 절연막층(30)이 형성되어 있는 경우가, 가장 밀착성이 높아 밀봉부(24)의 막 벗겨짐이 발생하기 어렵게 되므로, 바람직하다.
또한, 실시예1에서, 제1 밀봉부(24a)는 스핀 코트로 형성하는 경우를 예로 설명하였지만, 이에 한하지 않고, 라미네이트 등 그 밖의 방법으로 형성해도 된다.
또한, 실시예1에서, 제1 밀봉부(24a) 및 제2 밀봉부(24b)를 경화시키기 위해서, 250℃에서 베이크를 행하는 경우를 예로 설명하였지만, 이에 한하지 않고, 제1 밀봉부(24a) 및 제2 밀봉부(24b)가 경화되면, 200∼250℃ 등 그 밖의 온도이어도 된다.
또한, 실시예1에서, 절연막층(30)의 막 두께는 20㎚인 경우를 예로 설명하였지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 그러나, 절연막층(30)의 막 두께가 너무 얇으면, 탄성 표면파 소자(12) 및 배선(14)에 의해 생기는 단차에 의해, 절연막층(30)의 피복성이 나빠지게 된다. 또한, 절연막층(30)의 막 두께가 너무 두꺼우면, 절연막층(30)은 탄성 표면파 소자(12) 상에도 형성되어 있기 때문에, 탄성 표면파 디바이스의 특성이 나빠지게 된다. 이들로부터, 절연막층(30)의 막 두께는 10∼30㎚인 경우가 바람직하다.
또한, 실시예1에서, 밀봉부(24)는 감광성 에폭시 수지인 경우를 예로 설명하였지만, 이에 한하지 않고, 감광성 폴리이미드 수지 등 그 밖의 재료이어도 된다. 그러나, 탄성 표면파 디바이스의 제조를 용이하게 행할 수 있기 때문에, 감광성 수지인 경우가 바람직하다.
또한, 실시예1에서, 절연막층(30)은 SiO2인 경우를 예로 설명하였지만, 이에 한하지 않고, Si3N4(질화실리콘)나 SiO2와 Si3N4와의 복합 재료 등 실리콘 화합물이 면, 밀봉부(24)의 밀착성을 향상시킬 수 있기 때문에, 그 밖의 재료이어도 된다.
또한, 실시예1에서, 탄성 표면파 디바이스의 압전성 기판(10) 및 배선(14)과 밀봉부(24) 사이에 절연막층(30)이 형성되어 있는 경우를 예로 설명하였지만, 탄성 경계파 디바이스나 압전막 공진기(FBAR)를 이용한 탄성파 디바이스 등, 그 밖의 탄성파 디바이스의 기판 및 배선(14)과 밀봉부(24) 사이에 절연막층(30)이 형성되어 있는 경우라도 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 또한，FBAR을 이용한 탄성파 디바이스의 경우에는, 기판은 압전성 기판이 아니라, 예를 들면 실리콘 기판, 글래스 기판, 사파이어 기판 등을 이용하고, FBAR은 기판 상에 압전막을 이용하여 형성된다.
이상, 본 발명의 실시예에 대해서 상술하였지만, 본 발명은 이러한 특정한 실시예에 한정되는 것이 아니라, 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에서, 다양한 변형·변경이 가능하다.
도 1은 종래예1에 따른 탄성 표면파 디바이스의 단면도.
도 2는 비교예1에 따른 탄성 표면파 디바이스의 단면도.
도 3의 (a) 내지 도 3의 (d)은 비교예(1)에 따른 탄성 표면파 디바이스의 제조 방법을 도시하는 단면도(그 1).
도 4의 (a) 내지 도 4의 (c)는 비교예1에 따른 탄성 표면파 디바이스의 제조 방법을 도시하는 단면도(그 2).
도 5는 비교예1에 따른 탄성 표면파 디바이스의 과제를 나타내는 SEM상의 모식도.
도 6은 실시예1에 따른 탄성 표면파 디바이스의 단면도.
도 7의 (a) 내지 도 7의 (c)는 실시예1에 따른 탄성 표면파 디바이스의 제조 방법을 도시하는 단면도(그 1).
도 8의 (a) 내지 도 8의 (c)는 실시예1에 따른 탄성 표면파 디바이스의 제조 방법을 도시하는 단면도(그 2).
도 9의 (a) 내지 도 9의 (c)는 실시예1에 따른 탄성 표면파 디바이스의 제조 방법을 도시하는 단면도(그 3).
도 10은 실시예1에 따른 탄성 표면파 디바이스의 효과를 도시하는 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 압전성 기판
12 : 탄성 표면파 소자
14 : 배선
16 : 땜납 볼
18 : 세라믹 패키지
20 : 공동부
22 : 금속 리드
24 : 밀봉부
24a : 제1 밀봉부
24b : 제2 밀봉부
26 : 구멍부
28 : 패드 전극
30 : 절연막층
32 : 관통 전극
33 : 단자

Claims (8)

  1. 기판 상에 형성된 탄성파 소자와,
    상기 기판 상에 형성되며, 상기 탄성파 소자와 전기적으로 접속하는 배선과,
    상기 탄성파 소자 및 상기 배선을 피복하도록 상기 기판 상에 형성된 밀봉부와,
    상기 기판 및 상기 배선과 상기 밀봉부 사이의 전체 면에 형성된 절연막층
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 탄성파 디바이스.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 밀봉부는 상기 탄성파 소자의 기능 부분 상에 공동부(空洞部)를 갖는 것을 특징으로 하는 탄성파 디바이스.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기판 상에 상기 탄성파 소자를 외부에 전기적으로 접속하는 관통 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 탄성파 디바이스.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 관통 전극 상에 땜납 볼을 구비하는 것을 특징으로 하는 탄성파 디바이스.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 밀봉부는 상기 탄성파 소자의 기능 부분을 둘러싸는 제1 밀봉부와, 상기 기능 부분 상에 덮개를 덮어서 상기 기능 부분 상에 공동부를 형성하는 제2 밀봉부를 갖는 것을 특징으로 하는 탄성파 디바이스.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 밀봉부는 감광성 수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성파 디바이스.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 절연막층은 실리콘 화합물인 것을 특징으로 하는 탄성파 디바이스.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 탄성파 디바이스는 탄성 표면파 디바이스인 것을 특징으로 하는 탄성파 디바이스.
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