JP5510695B1

JP5510695B1 - 弾性波装置及びその製造方法

Info

Publication number: JP5510695B1
Application number: JP2014501769A
Authority: JP
Inventors: 謙二稲手
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2012-09-25
Filing date: 2013-08-02
Publication date: 2014-06-04
Anticipated expiration: 2033-08-02
Also published as: US9520859B2; WO2014050307A1; KR101645172B1; CN104662797A; US20150194948A1; JPWO2014050307A1; KR20150044939A; CN104662797B

Abstract

弾性波素子部分間の電磁界結合を抑制し得る弾性波装置を提供する。
圧電基板２上に、第１の電極構造３及び第２の電極構造４が形成されており、第１の電極構造３及び第２の電極構造４により、それぞれ、第１，第２の弾性波素子部分が構成されており、第１の弾性波素子部分及び第２の弾性波素子部分を囲むように圧電基板２上に支持枠１１が形成されており、該支持枠１１は、第１の弾性波素子部分と第２の弾性波素子部分とを区画する仕切り壁部１１ａを有し、該仕切り壁部１１ａに設けた溝に、導電性材料からなるシールド電極２２が設けられている、弾性波装置１。

Description

本発明は、例えばデュプレクサなどの複数の弾性波素子が構成されている弾性波装置及びその製造方法に関する。

従来、携帯電話機のデュプレクサに弾性波装置が広く用いられている。例えば、下記の特許文献１には、同一圧電基板上に送信フィルタを構成する弾性波素子部分と、受信フィルタを構成する弾性波素子部分とが備えられているデュプレクサが開示されている。特許文献１では、送信フィルタ部分と、受信フィルタ部分との間にシールド電極が設けられている。

特開２０１０−９８５５１号公報

特許文献１に記載のデュプレクサでは、送信フィルタと、受信フィルタとの間にシールド電極が形成されている。それによって、送信フィルタと受信フィルタとの間の電磁界結合が抑制されている。それによってアイソレーション特性の改善が図られるとされている。

しかしながら、特許文献１に記載のデュプレクサでは、上記シールド電極が設けられているものの、電磁界結合を充分に抑制することができず、アイソレーション特性はなお不十分であった。

本発明の目的は、弾性波素子部分間の電磁界結合をより一層効果的に抑制することが可能とされている、弾性波装置及びその製造方法を提供することにある。

本発明に係る弾性波装置は、圧電基板と、圧電基板上に設けられている第１，第２の電極構造とを有する。第１，第２の電極構造が、それぞれ、第１，第２の弾性波素子部分を構成している。また、本発明では、圧電基板上に支持枠が設けされている。支持枠は、上記第１の弾性波素子部分及び第２の弾性波素子部分が設けられている部分を囲むように設けられている。

本発明では、上記支持枠上にカバー層が設けられている。カバー層は、第１，第２の弾性波素子部分が臨む第１，第２の中空部を構成している。

上記支持枠は、第１の弾性波素子部分と第２の弾性波素子部分とを区画する仕切り壁部を有するが、この仕切り壁部に設けられた溝に導電性材料からなるシールド電極が設けられている。

本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、シールド電極が、支持枠の仕切り壁部を上下に貫通する貫通溝の内側に設けられている。好ましくは、シールド電極は、仕切り壁部の全長に至るように設けられている。

本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記支持枠の一部に前記第１の電極構造または前記第２の電極構造に電気的に接続されているアンダーバンプメタル層が、該支持枠の上面から上方に突出するように設けられており、該アンダーバンプメタル層と前記シールド電極とが同じ材料からなる。

本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、圧電基板上に、少なくとも１つの第３の弾性波素子部分が構成されている。

本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記第１の弾性波素子部分が受信フィルタ部であり、前記第２の弾性波素子部分が送信フィルタ部であり、デュプレクサが構成されている。

本発明に係る弾性波装置のまたさらに別の特定の局面では、前記シールド電極が接地電位に接続されている。

本発明の弾性波装置の製造方法は、本発明に従って構成されている弾性波装置を製造する方法である。本発明の製造方法は、圧電基板を用意する工程と、前記圧電基板上に前記第１の電極構造及び前記第２の電極構造を形成する工程と、前記圧電基板上に前記支持枠を、前記仕切り壁部を有するように形成する工程と、前記支持枠上に前記カバー層を前記第１，第２の中空部を有するように設ける工程と、前記支持枠の仕切り壁部に前記シールド電極を設ける工程とを備える。

本発明に係る弾性波装置の製造方法のある特定の局面では、前記シールド電極を形成する工程が、前記支持枠の前記仕切り壁部において、前記仕切り壁部の上面の一部に開いた凹状溝または前記仕切り壁部を貫通する貫通溝を形成する工程と、前記凹状溝または前記貫通溝に前記導電性材料を埋め込み、前記シールド電極を形成する工程とを備える。

本発明に係る弾性波装置の製造方法の他の特定の局面では、前記仕切り壁部に前記凹状溝または前記貫通溝を形成する工程が、前記支持枠上に前記カバー層を設けた後に、前記カバー層から前記仕切り壁部に至る凹状溝または貫通溝を形成することにより行われる。

本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに別の特定の局面では、前記カバー層から前記仕切り壁部に至る凹状溝または貫通溝の形成に際し、前記カバー層を貫通し前記支持枠に至るアンダーバンプメタル層用貫通孔を形成する工程と、前記凹状溝または貫通溝に前記導電性材料を充填してシールド電極を形成する工程において、前記アンダーバンプメタル層用貫通孔にも同じ導電性材料を充填してアンダーバンプメタル層を形成する工程をさらに備える。

本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに他の特定の局面では、前記アンダーバンプメタル層上に外部と電気的に接続を図るためのバンプを形成する工程がさらに備えられている。

本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに他の特定の局面では、前記第１の弾性波素子部分として受信フィルタ部を、前記第２の弾性波素子部分として送信フィルタ部を構成して、それによってデュプレクサが得られる。

本発明に係る弾性波装置では、支持枠が仕切り壁部を有し、該仕切り壁部の溝に導電性材料からなるシールド電極が設けられているため、第１の弾性波素子部分と第２の弾性波素子部分との電磁界結合を効果的に抑制することが可能となる。

図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図であり、図１（ｂ）はカバー層及びバンプを取り除いた弾性波装置の模式的平面図である。図２（ａ）〜図２（ｄ）は、本発明の第１の実施形態の弾性波装置の製造方法を説明するための各模式的正面断面図である。図３は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための模式的正面断面図である。図４は、本発明の第１の実施形態の第１の変形例に係る弾性波装置の正面断面図である。図５（ａ）は、本発明の第１の実施形態の第２の変形例に係る弾性波装置の正面断面図であり、図５（ｂ）はカバー層及びバンプを取り除いた弾性波装置の模式的平面図である。図６は、コモンモードアイソレーション特性について、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置と比較例の弾性波装置とで比較した実験結果である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。また、図１（ｂ）は、本実施形態の弾性波装置１において、後述するバンプ及びカバー層を除去した構造の平面図である。なお、図１（ａ）は、図１（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う部分に相当する部分の正面断面図である。

なお、本実施形態の弾性波装置１は、携帯電話機のデュプレクサとして用いられるものである。

弾性波装置１は、圧電基板２を有する。圧電基板２は、ＬｉＴａＯ_３またはＬｉＮｂＯ_３などの圧電単結晶、あるいは圧電セラミックス、または圧電性の薄膜が主面上に設けられた基板により構成することができる。

圧電基板２上に、第１の電極構造３と、第２の電極構造４とが形成されている。第１の電極構造３は、ＩＤＴ電極や引き回し配線を含む。第１の電極構造３は、第１の弾性波素子部分としての送信フィルタを構成するように設けられている。この第１の電極構造３により形成される送信フィルタの具体的な構成については特に限定されるべきものではない。例えば、ラダー型回路構成の帯域通過フィルタなど、適宜のフィルタを構成すればよい。第１の電極構造３に電気的に接続されるように、電極ランド５，６が設けられている。

他方、第２の電極構造４は、第２の弾性波素子部分としての受信フィルタを構成している。第２の電極構造４もまた、ＩＤＴ電極や引き回し配線などを含む。本実施形態では、第２の電極構造４により受信フィルタが構成されている。従って、第２の電極構造４は、ラダー型回路構成の帯域通過フィルタや縦結合共振子型回路構成の帯域通過フィルタなどの適宜のフィルタを構成するように設けられている。第２の電極構造４に電気的に接続される電極ランド７，８が、圧電基板２上に設けられている。

本実施形態では、第１の電極構造３及び第２の電極構造４により、上記第１，第２の弾性波素子部分がそれぞれ構成されている。ここでは、第１の弾性波素子部分及び第２の弾性波素子部分は少なくとも１つの弾性表面波素子を含む。従って、弾性表面波素子の振動を妨げないための空間が必要である。そのため、上記第１の弾性波素子部分が設けられている部分及び第２の弾性波素子部分が設けられている部分を囲むように支持枠１１が設けられている。

支持枠１１は、図１（ｂ）に示すように、全体が略矩形枠状の形状を有する。そして、支持枠１１は、第１の電極構造３と第２の電極構造４とを区画する、言い換えれば第１の弾性波素子部分と第２の弾性波素子部分とを区画する仕切り壁部１１ａを有する。図１（ｂ）に示すように、仕切り壁部１１aは、第１の電極構造３と第２の電極構造４との間に設けられている。仕切り壁部１１ａは、矩形枠状の支持枠１１の対向し合う一対の辺を結ぶように、かつ残りの一対の辺と平行に延ばされている。なお、仕切り壁は、残りの一対の辺と平行に延ばされず、折れ曲がり形状、また曲線形状によって、矩形枠状の支持枠１１の対向し合う一対の辺を結ぶように延ばされてもよい。なお、仕切り壁部１１ａは、矩形枠状の支持枠１１に必ずしも接しなくてもよい。

上記支持枠１１は、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３などの絶縁性セラミックスあるいは合成樹脂により形成することができる。

なお、上記電極ランド５〜８の上に、金属膜１２〜１５が積層されている。この金属膜１２〜１５は、後で形成されるアンダーバンプメタル層１６〜１９との密着性を高めるために設けられている。金属膜１２〜１５は、アンダーバンプメタル層１６〜１９を構成する金属に応じて適宜の金属により形成することができる。なお、金属膜１２〜１５は必ずしも必要ではない。

上記仕切り壁部１１ａには、貫通溝１１ｂが形成されている。なお、仕切り壁部１１ａが設けられている部分において、図１（ａ）に示すように、金属膜２０，２１が積層されている。金属膜２０は、電極ランド５〜８と同じ材料により形成されている。また、金属膜２１は、前述した金属膜１２〜１５と同じ金属により形成すれば、金属膜を同じ工程で製造することもできるため望ましい。もっとも、異なる金属により形成されていてもよい。

上記仕切り壁部１１ａには、金属膜２１に臨むように、貫通溝１１ｂが形成されている。貫通溝１１ｂは、仕切り壁部１１ａの全長に至るように形成されている。もっとも、貫通溝１１ｂは、仕切り壁部１１ａの全長に至らないように、仕切り壁部１１ａの長さ方向において部分的に複数形成されていてもよい。

貫通溝１１ｂは、仕切り壁部１１ａの上面から下面に至るように、ただし金属膜２１を露出させるように設けられている。

もっとも、図４に示す本実施形態の第１の変形例のように、貫通溝１１ｂに代えて、上面に開いた凹状溝１１ｘを形成してもよい。凹状溝１１ｘは、仕切り壁部１１ａの下面には至らないように設けられている。

好ましくは、本実施形態のように貫通溝１１ｂを形成することが望ましい。それによって、後述する電磁シールド効果を高めることができる。特に、本実施形態では、下方に金属膜２１が設けられており、金属膜２１とシールド電極２２との密着性が高められている。従って、より一層電磁シールド効果を高め得ることができる。さらに、シールド電極２２が接地電位に接続されれば、さらに一層電磁シールド効果を高め得るため好ましい。

上記貫通溝１１ｂ内には、アンダーバンプメタル層１６〜１９と同じ金属からなるシールド電極２２が設けられている。シールド電極２２は、本実施形態では、アンダーバンプメタル層１６〜１９と同じ金属材料からなる。もっとも、他の金属材料により形成されていてもよい。

上記のように支持枠１１はある程度の厚みを有する。従って、仕切り壁部１１ａもまた、ある程度の高さ方向寸法を有する。仕切り壁部１１ａの高さ方向の寸法は、支持枠１１の高さ方向の寸法より高いことが好ましい。そして、支持枠１１上に、カバー層２３が設けられている。カバー層２３は、アルミナなどの絶縁性セラミックスあるいは合成樹脂などにより形成することができる。

カバー層２３には、前述したアンダーバンプメタル層１６〜１９及びシールド電極２２が入り込み得る貫通孔が形成されている。後述の製造方法から明らかなように、本実施形態では、カバー層２３にこれらの貫通孔を形成した後に、前述したアンダーバンプメタル層１６〜１９及びシールド電極２２が形成されている。

上記支持枠１１がある程度の厚みを有するため、上記カバー層２３を支持枠１１の上面に積層すると、中空部Ｂ，Ｃが設けられる。すなわち、第１の弾性波素子部分及び第２の弾性波素子部分の振動を妨げないための中空部Ｂ，Ｃが形成されることになる。

上記アンダーバンプメタル層１６〜１９上に、バンプ２４がそれぞれ設けられている。

従って、本実施形態の弾性波装置１は、バンプ２４側を回路基板の実装面に対向させ、フリップチップボンディング工法により表面実装され得る。

弾性波装置１では、支持枠１１が、第１の弾性波素子部分及び第２の弾性波素子部分をそれぞれ囲むように設けられており、かつ仕切り壁部１１ａに上記シールド電極２２が設けられているため、第１の弾性波素子部分と第２の弾性波素子部分との電磁界結合を効果的に抑制することが可能とされている。

なお、上記実施形態では、仕切り壁部１１ａにおいて、上記金属膜２１が形成されていた。金属膜２１の形成により、シールド電極２２の形成をアンダーバンプメタル層１６〜１９と同一工程で行うことが可能とされていた。もっとも、図５（ａ）及び（ｂ）に示す本実施形態の第２の変形例のように、上記金属膜２１は、仕切り壁部１１ａの長さ方向において、上記貫通溝１１ｂの長さ方向全長にわたり形成される必要はない。図５（ａ）及び（ｂ）は上記実施形態の図１（ａ）及び（ｂ）に相当する図である。図５（ａ）は、図５（ｂ）のＤ−Ｄ線に沿う部分に相当する弾性波装置の断面図である。図５（ａ）から明らかなように、Ｄ−Ｄ線に沿う断面では、仕切り壁部１１ａに、貫通溝１１ｂが至っていない。すなわち、図５（ｂ）に示すように、貫通溝１１ｂの長さが第１の実施形態の場合よりも短くされている。そして、図５（ｂ）のＤ−Ｄ線に沿う断面部分では、アンダーバンプメタル層１７に接続されている金属膜１３及び電極ランド６が、上記仕切り壁部１１ａが設けられている部分を超えて延ばされている。もっとも、上記貫通溝１１ｂが設けられている部分においては、第１の実施形態と同様に、シールド電極２２の下方に金属膜２１が設けられることになる。

本変形例では、上記のように金属膜１３及び電極ランド６が、仕切り壁部１１ａをアンダーバンプメタル層１７が設けられている側から、反対側にまで延ばされている。これは、仕切り壁部の一方側が送信フィルタ部、他方側が受信フィルタ部を構成しており、アンテナ端子に接続される配線パターンとして金属膜１３及び電極ランド６を用いていることによる。すなわち、金属膜１３及び電極ランド６は、アンテナ端子に接続される配線パターンを構成しており、送信フィルタ部と受信フィルタ部とで共通化されている。よって、このような金属膜１３及び電極ランド６は、シールド電極２２と電気的に絶縁される必要がある。そのため、上記貫通溝１１ｂ、すなわちシールド電極２２及び金属膜２1が、仕切り壁部１１ａの長さ方向全長には設けられていない。

本実施例の金属膜２１は、仕切り壁部１１ａの長さ方向全長に設けられる必要はなく、部分的に設けられていてもよい。また、シールド電極２２が内側に設けられる溝の一部が、アンテナ端子に接続される配線パターンに含まれる金属膜１３及び電極ランド６の上方において、図４で示したように仕切り壁部１１ａの下面には至らない上面に開いた凹状溝であってもよい。この場合、金属膜１３及び電極ランド６は、シールド電極２２と電気的に絶縁することができ、第１の電極構造３と第２の電極構造４を接続する配線電極を備えたままで電磁シールド効果を高め得るため好ましい。

次に、上記弾性波装置１の製造方法を説明する。

まず、図２（ａ）に示すように、圧電基板２上に、第１，第２の電極構造３，４及び電極ランド５〜８を形成する。この形成方法は特に限定されず、蒸着、めっきまたはスパッタリングなどの適宜の方法を用いることができる。

次に、電極ランド５〜８上に、上記金属膜１２〜１５を形成する。この金属膜１２〜１５の形成方法についても、蒸着、めっき、スパッタリングなどの適宜の方法を用いることができる。

しかる後、圧電基板２上において全面に支持枠１１を構成する材料を成膜し、所定の形状となるように形成する。このようにして、図２（ｂ）に示す支持枠１１を形成する。この所定の形状を得るためには、フォトリソグラフィー法などの適宜の方法を用いることができる。例えば、フォトリソグラフィー法では、図１（ｂ）に示した平面形状の支持枠１１が残存するように、フォトレジストを形成した後、エッチングを行えばよい。

次に、図２（ｃ）に示すように、支持枠１１上にカバー層２３を積層する。カバー層２３の積層は、合成樹脂フィルムの積層、絶縁性セラミックシートの積層等の適宜の方法により行い得る。

図２（ｄ）で示すように、上記カバー層２３を平面視する方向からレーザー等の加工方法により複数の貫通孔２３ａを形成する。この複数の貫通孔２３ａは、下方に位置している前述した金属膜１２〜１５あるいは金属膜２１を露出させるように設けられる。また、上記貫通孔のうち、金属膜２１上に設けられる貫通孔は前述した貫通溝１１ｂの平面形状を有するように設けられる。

すなわち、上記貫通孔２３ａは、カバー層２３に設けられているが、下方の支持枠１１の貫通孔２３ａと同じ位置で貫通されている。それによって、金属膜１２〜１５及び金属膜２１が露出されている。

しかる後、図３に示すように、アンダーバンプメタル層１６〜１９及びシールド電極２２を構成するための金属材料を貫通孔２３ａから充填する。この方法は特に限定されず、全面に金属膜を成膜した後、貫通孔外の金属膜をリフトオフ法により除去する方法などの適宜の方法により行い得る。

しかる後、図１（ａ）に示したバンプ２４を形成する。このようにして、弾性波装置１を得ることができる。

なお、上記弾性波装置１の製造方法は一例であり、弾性波装置１を製造する方法自体は特に限定されるものではない。もっとも、上記製造方法では、アンダーバンプメタル層１６〜１９がシールド電極２２と同じ金属材料からなるため、同じ工程で形成することができる。従って、製造工程の簡略化及びコストの低減を果すことができる。

また、本実施形態では、前述したように、金属膜２１が金属膜１２〜１５と同様に、アンダーバンプメタル層１６〜１９及びシールド電極２２を構成する金属との密着性に優れた材料からなる。従って、シールド電極２２の金属膜２１への密着性を高めることができる。従って、シールド電極２２が設けられている部分における全領域にわたって電磁シールド効果を効果的に高めることが可能となる。

図６に、本発明の第１の実施形態の弾性波装置と比較例の弾性波装置とのコモンモードアイソレーション特性を示す。本発明の第１の実施形態の弾性波装置の構成は、送信側の周波数帯域が７０４〜７１６ＭＨｚ、受信側の周波数帯域が７３４〜７４６ＭＨｚである通信規格Ｂａｎｄ１７のバランス型デュプレクサとした。比較例では、貫通孔及びシールド電極２２を省略したことを除いては本発明の第１の実施形態の弾性波装置と同様とした。なお、図６において、破線が本発明の第１の実施形態を、実線が比較例を示す。

図６から、本発明の実施形態によれば、比較例に比べ送信側及び受信側の周波数帯域での減衰量が大きく、コモンモードアイソレーション特性に優れていることが分かる。

なお、上記実施形態では、携帯電話機のデュプレクサに応用した実施形態を説明したが、本発明は、デュプレクサに限定されるものではない。すなわち、圧電基板上に複数の弾性波素子部分が設けられている弾性波装置に一般に適用することが可能である。

従って、第１の弾性波素子部分及び第２の弾性波素子部分は、帯域通過フィルタ、低域通過フィルタ、高域通過フィルタ、帯域阻止フィルタに限らず、共振子や弾性波遅延線などの様々な機能を有する素子部分であってもよい。

また、上記実施形態では、第１，第２の弾性波素子部分は弾性表面波素子部分であったが、弾性境界波素子部分やバルク弾性波素子部分であってもよい。

１…弾性波装置
２…圧電基板
３，４…第１，第２の電極構造
５〜８…電極ランド
１１…支持枠
１１ａ…仕切り壁部
１１ｂ…貫通溝
１１ｘ…凹状溝
１２〜１５…金属膜
１６〜１９…アンダーバンプメタル層
２０，２１…金属膜
２２…シールド電極
２３…カバー層
２３ａ…貫通孔
２４…バンプ

Claims

圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられており、第１の弾性波素子部分を構成している第１の電極構造と、
前記圧電基板上に設けられており、第２の弾性波素子部分を構成している第２の電極構造と、
前記圧電基板上において、前記第１の弾性波素子部分及び前記第２の弾性波素子部分が設けられている部分を囲むように設けられている支持枠と、
前記支持枠上に設けられており、第１，第２の弾性波素子部分が臨む第１，第２の中空部を構成しているカバー層とを備え、
前記支持枠が、前記第１の弾性波素子部分と前記第２の弾性波素子部分とを区画する仕切り壁部を有し、該仕切り壁部に設けた溝に導電性材料からなるシールド電極が設けられている、弾性波装置。
前記シールド電極が、前記支持枠の前記仕切り壁部を上下に貫通する貫通溝の内側に設けられている、請求項１に記載の弾性波装置。
前記シールド電極が、前記仕切り壁部の全長に至るように設けられている、請求項１または２に記載の弾性波装置。
前記支持枠の一部に前記第１の電極構造または前記第２の電極構造に電気的に接続されているアンダーバンプメタル層が、該支持枠の上面から上方に突出するように設けられており、該アンダーバンプメタル層と前記シールド電極とが同じ材料からなる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
前記圧電基板上に、少なくとも１つの第３の弾性波素子部分が構成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
前記第１の弾性波素子部分が受信フィルタ部であり、前記第２の弾性波素子部分が送信フィルタ部であり、デュプレクサが構成されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
前記シールド電極が接地電位に接続されている、請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法であって、
圧電基板を用意する工程と、
前記圧電基板上に前記第１の電極構造及び前記第２の電極構造を形成する工程と、
前記圧電基板上に前記支持枠を、前記仕切り壁部を有するように形成する工程と、
前記支持枠上に前記カバー層を前記第１，第２の中空部を有するように設ける工程と、
前記支持枠の仕切り壁部に前記シールド電極を設ける工程とを備える、弾性波装置の製造方法。
前記シールド電極を形成する工程が、前記支持枠の前記仕切り壁部において、前記仕切り壁部の上面の一部に開いた凹状溝または前記仕切り壁部を貫通する貫通溝を形成する工程と、
前記凹状溝または前記貫通溝に前記導電性材料を埋め込み、前記シールド電極を形成する工程とを備える、請求項８に記載の弾性波装置の製造方法。
前記仕切り壁部に前記凹状溝または前記貫通溝を形成する工程が、前記支持枠上に前記カバー層を設けた後に、前記カバー層から前記仕切り壁部に至る凹状溝または貫通溝を形成することにより行われる、請求項９に記載の弾性波装置の製造方法。
前記カバー層から前記仕切り壁部に至る凹状溝または貫通溝の形成に際し、前記カバー層を貫通し前記支持枠に至るアンダーバンプメタル層用貫通孔を形成する工程と、
前記凹状溝または貫通溝に前記導電性材料を充填してシールド電極を形成する工程において、前記アンダーバンプメタル層用貫通孔にも同じ導電性材料を充填してアンダーバンプメタル層を形成する工程をさらに備える、請求項９に記載の弾性波装置の製造方法。
前記アンダーバンプメタル層上に外部と電気的に接続を図るためのバンプを形成する工程をさらに備える、請求項１１に記載の弾性波装置の製造方法。
前記第１の弾性波素子部分として受信フィルタ部を、前記第２の弾性波素子部分として送信フィルタ部を構成して、それによってデュプレクサを得る、請求項８〜１２のいれか１項に記載の弾性波装置の製造方法。