JP7002782B1 - 弾性表面波デバイス - Google Patents
弾性表面波デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP7002782B1 JP7002782B1 JP2020158015A JP2020158015A JP7002782B1 JP 7002782 B1 JP7002782 B1 JP 7002782B1 JP 2020158015 A JP2020158015 A JP 2020158015A JP 2020158015 A JP2020158015 A JP 2020158015A JP 7002782 B1 JP7002782 B1 JP 7002782B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- internal wiring
- surface acoustic
- acoustic wave
- cover layer
- external connection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 24
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 32
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 5
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N dilithium;[oxido(oxoboranyloxy)boranyl]oxy-oxoboranyloxyborinate Chemical compound [Li+].[Li+].O=BOB([O-])OB([O-])OB=O PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003334 KNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910020816 Sn Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020836 Sn-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020830 Sn-Bi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020888 Sn-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020922 Sn-Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020935 Sn-Sb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020988 Sn—Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018728 Sn—Bi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019204 Sn—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018956 Sn—In Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008783 Sn—Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008757 Sn—Sb Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N aluminum copper Chemical compound [Al].[Cu] WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
【課題】配線層数を多くすることができ、配線設計の自由度が向上した、また、グランド配線の低抵抗化により、特性が安定した、ＷＬＰタイプの弾性表面波デバイスを提供する。【解決手段】弾性表面波デバイス１の支持層１１は、圧電基板３上であって、ＩＤＴ電極５が形成された領域以外の領域に形成されている。カバー層１３は、ＩＤＴ電極を気密封止するように形成されている。外部接続端子１５は、外部接続用パッド９ａと電気的に接続され、支持層とカバー層に形成された外部接続用貫通孔内及びカバー層上に、内部配線よりもカバー層の表面からみて高く形成されている。内部配線１６は、内部配線用パッド９ｂと電気的に接続され、支持層とカバー層に形成された内部配線用貫通孔内に内部配線用パッドからＵＢＭ層を介して同一金属により一体的に、外部接続端子の幅よりも大きい幅で形成されている。【選択図】図２
Description
本発明は、 弾性表面波デバイスに関し、特に、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）構造の弾性表面波デバイスに関する。
弾性表面波デバイスは、スマートフォンなどの移動体通信端末のフロントエンドモジュールにおける帯域通過フィルタとして用いられる。近年、携帯電話、スマートフォン等の携帯情報端末における無線部のモジュール化が進んでおり、小形化と低背化が求められている。
そのために、弾性表面波装置のパッケージング技術も改良され、弾性表面波デバイスのチップそのものをパッケージに利用するＷＬＰが提案されている。弾性表面波デバイスでは、圧電基板上にＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極を形成し、ＩＤＴ電極の上方に中空空間を確保した状態でパッケージングされる。
ＷＬＰタイプの弾性表面波デバイスでは、 圧電基板そのものが中空空間を形成するためのパッケージングに利用される。
特許文献１には、ＷＬＰタイプの弾性表面波デバイスに関する技術の一例が開示されている。
本発明が解決しようとする主たる課題について説明する。
従来のＷＬＰタイプの弾性表面波デバイスの構造は、特許文献１に開示されているように、圧電基板そのものをパッケージングに利用し、配線基板を利用しないことから、配線層数の制約が大きい。
また、弾性表面波デバイスの特性を安定させるために、グランドパターンは配線が幅広かつ大面積を確保することが望ましいが、従来のＷＬＰタイプの弾性表面波デバイスの構造では、圧電基板自体を大きくするなどしない限り、困難である。
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、ＷＬＰタイプの弾性表面波デバイスであって、配線層数を従来よりも多くすることができ、配線設計の自由度が向上した、また、グランド配線の低抵抗化により、特性が安定した、ＷＬＰタイプの弾性表面波デバイスを提供することを目的とする。
前記課題を達成するために、本発明にあっては、
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された弾性表面波を励振するＩＤＴ電極と、
前記圧電基板上に形成された外部接続用パッドと、
前記圧電基板上に形成された内部配線用パッドと、
前記圧電基板上であって、前記ＩＤＴ電極が形成された領域以外の領域に形成された支持層と、
前記支持層上に形成され、前記ＩＤＴ電極を気密封止するように形成されたカバー層と、
前記外部接続用パッドと電気的に接続され、前記支持層と前記カバー層に形成された外部接続用貫通孔内及び前記カバー層上に、前記外部接続用パッドからＵＢＭ層を介して同一金属により一体的に形成された外部接続端子と、
前記内部配線用パッドと電気的に接続され、前記支持層と前記カバー層に形成された内部配線用貫通孔内に、前記内部配線用パッドからＵＢＭ層を介して同一金属により一体的に形成された内部配線と
を有する弾性表面波デバイスであって、
前記外部接続端子は、前記内部配線よりも、前記カバー層の表面からみて高く形成されており、
前記圧電基板の上面透視において、前記内部配線の最大の幅は、前記外部接続端子の最大の幅よりも大きく、
前記内部配線は、複数の内部配線用パッドと電気的に接続されており、
前記複数の内部配線用パッドの間には、前記内部配線と立体的に交差する配線パターンが前記圧電基板上に形成されている弾性表面波デバイス
とした。
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された弾性表面波を励振するＩＤＴ電極と、
前記圧電基板上に形成された外部接続用パッドと、
前記圧電基板上に形成された内部配線用パッドと、
前記圧電基板上であって、前記ＩＤＴ電極が形成された領域以外の領域に形成された支持層と、
前記支持層上に形成され、前記ＩＤＴ電極を気密封止するように形成されたカバー層と、
前記外部接続用パッドと電気的に接続され、前記支持層と前記カバー層に形成された外部接続用貫通孔内及び前記カバー層上に、前記外部接続用パッドからＵＢＭ層を介して同一金属により一体的に形成された外部接続端子と、
前記内部配線用パッドと電気的に接続され、前記支持層と前記カバー層に形成された内部配線用貫通孔内に、前記内部配線用パッドからＵＢＭ層を介して同一金属により一体的に形成された内部配線と
を有する弾性表面波デバイスであって、
前記外部接続端子は、前記内部配線よりも、前記カバー層の表面からみて高く形成されており、
前記圧電基板の上面透視において、前記内部配線の最大の幅は、前記外部接続端子の最大の幅よりも大きく、
前記内部配線は、複数の内部配線用パッドと電気的に接続されており、
前記複数の内部配線用パッドの間には、前記内部配線と立体的に交差する配線パターンが前記圧電基板上に形成されている弾性表面波デバイス
とした。
前記内部配線は、前記カバー層の表面よりも低い位置に形成されていることが、本発明の一形態とされる。
前記圧電基板は、高抵抗シリコン、ガリウム砒素、サファイア、多結晶アルミナ又はガラスからなる支持基板と接合されていることが、本発明の一形態とされる。
前記内部配線は、グランド電位であることが、本発明の一形態とされる。
前記内部配線は、前記カバー層から露出し、かつ、カバー層の表面よりも高く形成されており、
前記内部配線のカバー層の表面からの高さは、前記外部接続端子のカバー層の表面からの高さの３分の１以下であることが、本発明の一形態とされる。
前記内部配線のカバー層の表面からの高さは、前記外部接続端子のカバー層の表面からの高さの３分の１以下であることが、本発明の一形態とされる。
本発明にかかる弾性表面波デバイスによれば、ＷＬＰタイプの弾性表面波デバイスであって、配線層数を従来よりも多くすることができ、配線設計の自由度が向上した、また、グランド配線の低抵抗化により、特性が安定した、ＷＬＰタイプの弾性表面波デバイスを提供することができる。
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施の形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
図１は、本発明にかかる弾性表面波デバイス１の平面図である。
図１は、弾性表面波デバイス１を実装面側から見た図である。図１に示すように、本実施例に係る弾性表面波デバイス１は、実装面側に外部接続用端子１５と内部配線１６を備える。また、外部接続用端子１５と内部配線１６を除いて、カバー層１３で覆われている。内部配線１６は、カバー層から露出している。点線で示したエリアは、キャビティエリア１０であり、弾性表面波の機能素子が機械的に動作し、励振するための密閉された空間が形成されている。
図２は、本発明にかかる弾性表面波デバイス１の断面図１である。
図２は、図１におけるＡ－Ａ断面図における弾性表面波デバイス１の構成を示す。弾性表面波デバイス１は、圧電基板３、並びに、圧電基板３の一の主面たる上面に形成されたＩＤＴ電極５、配線パターン７、外部接続用パッド９ａ及び内部配線用パッド９ｂを備える。また、外部接続用パッド９ａ上に形成された外部接続用端子１５および内部配線用パッド９ｂ上に形成された内部配線１６を備える。
圧電基板３は、圧電材料の基板である。圧電材料としては、例えば、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、水晶（ＳｉＯ２）、四ホウ酸リチウム（Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ３）、ランガサイト（Ｌａ３Ｇａ３ＳｉＯ１４）等の単結晶を用いることができる。
また、弾性表面波デバイス１は、ＩＤＴ電極５が形成された領域、外部接続用端子１５及び内部配線１６が形成された領域以外の領域に形成された支持層１１を備える。また、支持層１１とともにＩＤＴ電極５が形成されたキャビティエリア１０を密閉空間となるように封止するカバー層１３を備える。
弾性表面波デバイス１は、さらに、圧電基板３の他の主面たる面に形成された支持基板１７を備えてもよい。支持基板１７としては、高抵抗シリコン、ガリウム砒素、サファイア、多結晶アルミナ又はガラス等を用いることができる。但し、支持基板１７の材質として、これらの材質に限定するものではない。支持基板１７の厚みは、例えば、２００μｍとすることができる。
弾性表面波デバイス１は、フィルタ、共振子、遅延線、トラップ等のいずれであってもよい。また、ＩＤＴ電極５が励振する弾性波は、レイリー波、ＳＨ波等のいずれであってもよい。さらに、弾性表面波デバイス１がフィルタである場合は、弾性波表面波デバイス１は、共振器型フィルタ、トランスバーサル型フィルタのいずれであってもよい。
図３は、本発明の実施例１にかかる弾性表面波デバイス１の断面図２である。図３は、図１のＢ－Ｂ断面図である。
図３に示すように、内部配線１６は、一つの内部配線用パッド９ｂ上に形成されている。図３に示す内部配線１６は、例えば、グランド電位である。図３に示すように、内部配線１６は、通常の配線パターンに比べて、厚みが大きいため、配線抵抗が低く、損失が小さい配線である。また、圧電基板の熱を放熱することにより、弾性表面波デバイス１のＩＤＴ電極５の耐電力を高める効果がある。また、図３に示す内部配線１６は、カバー層１３の表面よりも高い位置に形成されているが、カバー層１３の表面よりも低く形成されてもよい。
図４は、本発明の実施例１にかかる弾性表面波デバイス１の断面図３である。図４は、図１のＢ－Ｂ断面図であり、図３に示した弾性表面波デバイス１とは別の実施形態を示す図である。
図４に示すように、内部配線１６は、複数の内部配線用パッド９ｂと電気的に接続されている。また、内部配線１６と立体的に交差する配線パターン７０が圧電基板３上に形成されている。また、図４に示す内部配線１６は、カバー層１３の表面と同程度の位置に形成されているが、カバー層１３の表面よりも高く形成されてもよく、低く形成されてもよい。
図５は、本発明の実施例１にかかる弾性表面波デバイス１の製造方法を説明するための図である。
弾性表面波デバイス１の製造にあたっては、まず、図５（ａ）に示すように、圧電基板３の上面に、ＩＤＴ電極５、配線パターン７、外部接続用パッド９ａ及び内部配線用パッド９ｂを形成する。
ＩＤＴ電極５、配線パターン７、外部接続用パッド９ａ及び内部配線用パッド９ｂは、導電材料の膜である。導電材料としては、例えば、アルミニウム－銅（Ａｌ－Ｃｕ）合金に代表されるアルミニウム（Ａｌ）合金、アルミニウム（Ａｌ）単体金属等を用いることができる。なお、ＩＤＴ電極５、配線パターン７、外部接続用パッド９ａ及び内部配線用パッド９ｂは、異種の導電材料からなる複数の層を積層した膜であってもよい。
ＩＤＴ電極５の平面形状は、後述するように、少なくとも一対の櫛歯状電極を電極指が交互に配列されるように互いに噛み合わせた平面形状となっている。ＩＤＴ電極５は、一対の櫛歯状電極に印加された励振信号に応じた弾性表面波を圧電基板３の上面に励振する励振電極として機能する。
単数個のＩＤＴ電極５で弾性表面波デバイス１を構成することは必須ではなく、複数個のＩＤＴ電極５を直列接続や並列接続等の接続方式で接続して弾性表面波デバイス１を構成してもよい。このように複数個のＩＤＴ電極５を接続すれば、ラダー型弾性表面波フィルタ、ラティス型弾性表面波フィルタ、２重モード弾性表面波フィルタ等を構成することができる。
配線パターン７はＩＤＴ電極５と電気的に接続されている。配線パターン７は、外部接続用パッド９ａ及び内部配線用パッド９ｂと電気的に接続されている。
ＩＤＴ電極５、配線パターン７、外部接続用パッド９ａ及び内部配線用パッド９ｂは、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の薄膜形成法により形成した膜を、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）デバイスとを用いたフォトリソグラフィ法等によりパターニングして所望の形状に加工することにより得ることができる。
この方法によりＩＤＴ電極５、配線パターン７、外部接続用パッド９ａ及び内部配線用パッド９ｂを形成する場合、ＩＤＴ電極５、配線パターン７、外部接続用パッド９ａ及び内部配線用パッド９ｂを同一材料で構成して同一工程において形成することが望ましい。
弾性表面波を閉じ込めるために、圧電基板３の上面に反射器電極を形成してもよい。このような反射器電極は、ＩＤＴ電極５から見て弾性表面波の２つの伝播方向に形成される。反射器電極を形成する場合、反射器電極及びＩＤＴ電極５を同一材料で構成して同一工程において形成することが望ましい。
次に、図５（ｂ）に示すように、ＩＤＴ電極５が形成された領域以外の領域に支持層１１を形成する。支持層１１は、少なくともＩＤＴ電極５が形成された領域以外の領域に形成すればよいが、外部接続用端子１５及び内部配線１６が形成される領域にあらかじめ形成しないこととしてもよい。
支持層１１は、通常の膜形成方法により圧電基板３の上に形成した膜をパターニングすることにより形成してもよいし、別途用意した膜を圧電基板３の上に貼り合わせることにより形成してもよい。
前者の方法により支持層１１を形成する場合、例えば、レジスト膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングした後に硬化させることにより支持層１１を形成することができる。この場合、レジストとしては、例えば、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）系樹脂、アクリル系樹脂等の感光性樹脂を用いることができる。
レジストからなる膜の形成方法は、感光性ドライフィルムを用いる方法と、感光性液体レジストを用いる方法に代表される。感光性ドライフィルムを用いる場合、真空ラミネータ装置などを用いて、弾性表面波デバイスウエハまたは基板表面に感光性ドライフィルムを密着性良く貼付けることができる。
感光性ドライフィルムを用いる場合、１０μｍを超える比較的厚めの、密着性に優れた支持層１１を形成することができる。
感光性液体レジストを用いる場合、例えば、スピンコート法、印刷法等によりレジスト液を塗布することにより形成することができる。中でも、スピンコート法によりレジストからなる膜を形成することが望ましい。
スピンコート法によりレジストからなる膜を形成した場合、下地となる構造に多少の段差があっても、下地となる構造との間に隙間を作ることなくレジスト膜を形成することができ、密着性に優れた支持層１１を形成することができるからである。
このようにして形成されたレジスト膜は、露光工程及び現像工程を経て、ＩＤＴ電極５が形成された領域以外の領域に形成された支持層１１へと加工される。支持層１１の厚みは、例えば、２０μｍとすることができる。
次に、支持層１１の上面にフィルム状のカバー層１３を載置して、支持層１１とカバー層１３とを接合する。これにより、ＩＤＴ電極５が形成された領域に密閉された振動空間（キャビティエリア１０）を設けるカバー層１３を形成することができる。
支持層１１の上面に載置するためには、温度管理をしながらローラーでフィルムを加圧して貼り付けることのできる貼り付け機を用いて、温度及び圧力を適宜設定し、カバー層１３を支持層１１の上面に貼り付ければよい。
支持層１１とカバー層１３とを接合するためには、材料に応じて、支持層１１及びカバー層１３を加熱したり、支持層１１及びカバー層１３に光を照射したりすればよい。例えば、支持層１１及びカバー層１３の材料としてエポキシ樹脂を用いた場合であれば、支持層１１及びカバー層１３を１００℃程度に加熱すればよい。このように形成されたカバー層１３により、振動空間（キャビティエリア１０）を設けることができるとともに、ＩＤＴ電極５を封止することができるので、ＩＤＴ電極５等の酸化等を低減することができる。カバー層１３の厚みは、例えば、２０μｍ～４５μｍとすることができる。
支持層１１及びカバー層１３を同一材料とすれば、支持層１１及びカバー層１３とを接合した場合に両者を一体化することができる。両者の接合界面が同一材料同士の界面となるので、両者の密着強度やカバー層１３の気密性を向上することができる。特に、両者の材料としてエポキシ系樹脂を用いて、１００℃から２００℃までの範囲で加熱した場合には、より重合が促進されるため、両者の密着強度やカバー層１３の気密性を向上することができる。
次に、外部接続用パッド９ａ及び内部配線用パッド９ｂを露出させる工程について説明する。図５（ｃ）に示すように、支持層１１及びカバー層１３を貫通するように、例えば、レーザー光の照射や切削加工などにより、外部接続用パッド９ａ及び内部配線用パッド９ｂを露出させる。
次に、図示はしないが、レーザー光の照射や切削加工などによりカバー層１３及び／又は支持層１１を切削し、内部配線が形成される立体的空間を形成する。後述するように、内部配線と立体的に交差する配線パターン７０があるときは、カバー層１３及び／又は支持層１１を、内部配線と立体的に交差する配線パターン７０が露出しないように切削加工等する。
また、内部配線と立体的に交差する配線パターン７０がないときは、圧電基板３が露出するまで切削加工等してもよい。内部配線１６と圧電基板３が接合すると、放熱性が向上し、ＩＤＴ電極５の耐電力性が向上するなどの効果が得られる。また、内部配線１６の断面積が大きくなり、配線抵抗による損失を小さくすることができる。
外部接続用パッド９ａ及び内部配線用パッド９ｂを露出させる工程では、外部接続用パッド９ａ及び内部配線用パッド９ｂ表面に物理的ダメージが残ることが多く、外部接続用端子１５及び内部配線１６との濡れ性、接続強度及び接続信頼性確保のため、Ｕｎｄｅｒ Ｂｕｍｐ Ｍｅｔａｌ（ＵＢＭ）と呼ばれる金属層を形成することが多い。
代表的なＵＢＭ層の形成方法としては、無電解めっき法と電解めっき法がある。無電解めっき法では、外部接続用パッド９ａ及び内部配線用パッド９ｂが露出したウエハまたは基板を温度、濃度管理された無電解めっき液槽に適切な時間浸漬し、洗浄することにより外部接続用パッド９ａ及び内部配線用パッド９ｂ上にＵＢＭ層を形成することができる。
電解めっき法では、次のような工程でＵＢＭを形成する。外部接続用パッド９ａ及び内部配線用パッド９ｂが露出したウエハまたは基板表面全面にＴｉ（チタン）などのめっきシード層とフォトレジスト層を形成し、立体配線用パッド９とめっき通電用電極が露出するよう、露光現像工程を経てフォトレジストをパターニングする。
フォトレジストがパターニングされたウエハまたは基板を温度、濃度管理された電解めっき液槽に浸漬し、適切な電流設定で適切な時間通電することでＵＢＭ層を形成する。
その後、フォトレジストを除去し、ＵＢＭ層形成部以外のめっきシード層をエッチング、洗浄することにより立体配線用パッド９上にＵＢＭ層を形成することができる。なお、電解めっき法でＵＢＭ層を形成する場合、外部接続用パッド９ａ及び内部配線用パッド９ｂの開口部側壁にもＵＢＭ層を形成することが可能であり、外部接続用端子１５及び内部配線１６との接合面積が増えることにより接続強度が増し、接続信頼性が向上する。
ＵＢＭ層に用いられる金属は、主に、無電解めっき法では、表面から金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）及びニッケル（Ｎｉ） の層構成、または、金（Ａｕ）及びニッケル（Ｎｉ）の層構成である。
電解めっき法では、主に、同じく表面から金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）及びチタン（Ｔｉ（シード層））の層構成、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）及びチタン（Ｔｉ（シード層））の層構成、または、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）及びチタン（Ｔｉ（シード層））の層構成である。
次に、図５（ｄ）に示すように、外部接続用端子１５及び内部配線１６を、メタルマスクＭＭを用いてハンダペーストＨＰを充填することにより形成する。ハンダペーストに含まれる金属の組成としては、限定はなく、有鉛であってもよいし、無鉛であってもよい。
例えば、Ｓｎ－Ｐｂ系合金、Ｓｎ－Ｃｕ系合金、Ｓｎ－Ａｇ系合金、Ｓｎ－Ｂｉ系合金、Ｓｎ－Ｉｎ系合金、Ｓｎ－Ｓｂ系合金などを採用し得る。ペースト中のはんだ粉末及びフラックスの含有量は、例えば、はんだ粉末を５～９５質量％、フラックスを５～９５質量％とすることができる。本実施例では、ハンダ粉末を約９０質量％含むハンダペーストを用いた。
メタルマスクＭＭは、例えば、ステンレスなどの金属により形成された金属板である。外部接続用端子１５を形成する箇所には、例えば、直径１００μｍ～１２０μｍの開口が形成されている。また、内部配線１６を形成する箇所には、例えば、直径２５μｍ～５０μｍの開口が形成されている。また、メタルマスクＭＭの厚みは、例えば、５０μｍとすることができる。
外部接続用端子１５の幅は、例えば、５０μｍ～１００μｍとすることができる。また、内部配線１６は、所望の配線パターンにより、適宜に設計することができる。本実施例では、内部配線１６は、幅６０μｍ、長さ２００μｍの内部配線を形成した。内部配線１６は、２つの内部配線用パッド９ｂを電気的に接続している。
次に、メタルマスクＭＭを除去して、リフロー及びフラックス洗浄を行い、個片化し、図１及び図２に示す弾性表面波デバイス１を得た。その結果、外部接続用端子１５は、カバー層１３の表面からの高さが、５０μｍ～６５μｍであった。また、内部配線１６は、カバー層１３の表面からの高さが、１４μｍであった。
すなわち、外部接続用端子１５は、内部配線１６よりも、高く形成されている。このため、内部配線１６は、実装面側に露出しているものの、弾性表面波デバイス１が実装された後においても、内部配線１６が実装基板上の配線に短絡することがない。よって、弾性表面波デバイス１の内部配線１６は、実用的な配線として用いることができる。
圧電基板が基板にボンディングされてパッケージングされるチップサイズパッケージに比べて、配線層数の制約が大きいＷＬＰタイプの弾性表面波デバイスにおいては、圧電基板の大型化、パッケージングの層数の増加を伴わずに配線の選択肢が増えることは、殊更に技術的な意義が大きい。
このように、圧電基板の大型化、パッケージング層数の増加を伴わずに配線の選択肢が増やせるのは、上述の本実施形態の弾性表面波デバイス１にかかる説明から明らかなとおり、カバー層１３及び／又は支持層１１の立体的領域を利用した内部配線１６を形成することができるからである。さらに、本発明にかかる内部配線１６は、通常の配線パターンに比べて、厚みも大きいため、低抵抗な配線として用いることができる。
次に、弾性表面波デバイス１の機能素子部分にかかる説明をする。図６は、弾性表面波共振器を示す平面図である。
図６に示すように、圧電基板３０上に、弾性表面波を励振するＩＤＴ５０と反射器５２が形成されている。ＩＤＴ５０は、互いに対向する一対の櫛形電極５０ａを有する。櫛形電極５０ａは、複数の電極指５０ｂと複数の電極指５０ｂを接続するバスバー５０ｃを有する。反射器５２は、ＩＤＴ５０の両側に設けられている。
ＩＤＴ５０および反射器５２は、その厚みが、例えば、１５０ｎｍから４００ｎｍの薄膜である。ＩＤＴ５０および反射器５２は、他の金属、例えば、チタン、パラジウム、銀などの適宜の金属もしくはこれらの合金を含んでもよく、これらの合金により形成されてもよい。また、ＩＤＴ５０および反射器５２は、複数の金属層を積層してなる積層金属膜により形成されてもよい。
図７は、弾性表面波デバイス１に採用され得るフィルタの構成例を示す図である。
図７に示すように、圧電基板３０上に、ＩＤＴ及び反射器からなる弾性表面波共振器５３および配線パターン５４が形成されている。
配線パターン５４は、入力パッドＩｎ、出力パッドＯｕｔおよびグランドパッドＧＮＤを構成する配線を含んでいる。また、配線パターン５４は、弾性表面波共振器５３と電気的に接続されている。
配線パターン５４上に、絶縁体５６が形成されている。絶縁体５６は、例えば、ポリイミドを用いることができる。絶縁体５６は、例えば、１０００ｎｍの膜厚で形成する。
絶縁体５６上に、第２配線パターン５８が形成されている。第２配線パターン５８は、絶縁体５６を介して配線パターン５４と立体的に交差するように形成されている。
弾性表面波共振器５３、配線パターン５４および第２配線パターン５８は、銀、アルミニウム、銅、チタン、パラジウムなどの適宜の金属もしくは合金からなる。また、これらの金属パターンは、複数の金属層を積層してなる積層金属膜により形成されてもよい。弾性表面波共振器５３、配線パターン５４および第２配線パターン５８は、その厚みが、例えば、１５０ｎｍから４００ｎｍとすることができる。
以上説明した本発明の弾性表面波デバイスによれば、ＷＬＰタイプの弾性表面波デバイスであって、配線層が従来よりも多くすることができ、配線設計の自由度が向上した、また、グランド配線の低抵抗化により、特性が安定した、ＷＬＰタイプの弾性表面波デバイスを提供することができる。
なお、当然のことながら、本発明は以上に説明した実施態様に限定されるものではなく、本発明の目的を達成し得るすべての実施態様を含むものである。
また、少なくとも一つの実施形態のいくつかの側面を上述したが、様々な改変、修正および改善が当業者にとって容易に想起されることを理解されたい。かかる改変、修正および改善は、本開示の一部となることが意図され、かつ、本発明の範囲内にあることが意図される。理解するべきことだが、ここで述べられた方法および装置の実施形態は、上記説明に記載され又は添付図面に例示された構成要素の構造および配列の詳細への適用に限られない。方法および装置は、他の実施形態で実装し、様々な態様で実施又は実行することができる。特定の実装例は、例示のみを目的としてここに与えられ、限定されることを意図しない。また、ここで使用される表現および用語は、説明目的であって、限定としてみなすべきではない。ここでの「含む」、「備える」、「有する」、「包含する」およびこれらの変形の使用は、以降に列挙される項目およびその均等物並びに付加項目の包括を意味する。「又は（若しくは）」の言及は、「又は（若しくは）」を使用して記載される任意の用語が、当該記載の用語の一つの、一つを超える、およびすべてのものを示すように解釈され得る。前後左右、頂底上下、および横縦への言及はいずれも、記載の便宜を意図しており、本発明の構成要素がいずれか一つの位置的又は空間的配向に限られるものではない。したがって、上記説明および図面は例示にすぎない。
１ 弾性表面波デバイス
３ ３０ 圧電基板
５ ＩＤＴ電極
５０ ＩＤＴ
５２ 反射器
５３ 弾性表面波共振器
５６ 絶縁体
５８ 第２配線パターン
７ ５４ 配線パターン
７０ 内部配線と立体的に交差する配線パターン
９ａ 外部接続用パッド
９ｂ 内部配線用パッド
１１ 支持層
１３ カバー層
１５ 外部接続用端子
１６ 内部配線
１７ 支持基板
ＭＭ メタルマスク
ＨＰ ハンダペースト
３ ３０ 圧電基板
５ ＩＤＴ電極
５０ ＩＤＴ
５２ 反射器
５３ 弾性表面波共振器
５６ 絶縁体
５８ 第２配線パターン
７ ５４ 配線パターン
７０ 内部配線と立体的に交差する配線パターン
９ａ 外部接続用パッド
９ｂ 内部配線用パッド
１１ 支持層
１３ カバー層
１５ 外部接続用端子
１６ 内部配線
１７ 支持基板
ＭＭ メタルマスク
ＨＰ ハンダペースト
Claims (5)
- 圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された弾性表面波を励振するＩＤＴ電極と、
前記圧電基板上に形成された外部接続用パッドと、
前記圧電基板上に形成された内部配線用パッドと、
前記圧電基板上であって、前記ＩＤＴ電極が形成された領域以外の領域に形成された支持層と、
前記支持層上に形成され、前記ＩＤＴ電極を気密封止するように形成されたカバー層と、
前記外部接続用パッドと電気的に接続され、前記支持層と前記カバー層に形成された外部接続用貫通孔内及び前記カバー層上に、前記外部接続用パッドからＵＢＭ層を介して同一金属により一体的に形成された外部接続端子と、
前記内部配線用パッドと電気的に接続され、前記支持層と前記カバー層に形成された内部配線用貫通孔内に、前記内部配線用パッドからＵＢＭ層を介して同一金属により一体的に形成された内部配線と
を有する弾性表面波デバイスであって、
前記外部接続端子は、前記内部配線よりも、前記カバー層の表面からみて高く形成されており、
前記圧電基板の上面透視において、前記内部配線の最大の幅は、前記外部接続端子の最大の幅よりも大きく、
前記内部配線は、複数の内部配線用パッドと電気的に接続されており、
前記複数の内部配線用パッドの間には、前記内部配線と立体的に交差する配線パターンが前記圧電基板上に形成されている弾性表面波デバイス。 - 前記内部配線は、前記カバー層の表面よりも低い位置に形成されている請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
- 前記圧電基板は、高抵抗シリコン、ガリウム砒素、サファイア、多結晶アルミナ又はガラスからなる支持基板と接合されている請求項１または２に記載の弾性表面波デバイス。
- 前記内部配線は、グランド電位である請求項１～３に記載の弾性表面波デバイス。
- 前記内部配線は、前記カバー層から露出し、かつ、カバー層の表面よりも高く形成されており、
前記内部配線のカバー層の表面からの高さは、前記外部接続端子のカバー層の表面からの高さの３分の１以下である請求項１～４に記載の弾性表面波デバイス。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020158015A JP7002782B1 (ja) | 2020-09-21 | 2020-09-21 | 弾性表面波デバイス |
| CN202110779440.1A CN114257205A (zh) | 2020-09-21 | 2021-07-09 | 弹性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020158015A JP7002782B1 (ja) | 2020-09-21 | 2020-09-21 | 弾性表面波デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP7002782B1 true JP7002782B1 (ja) | 2022-01-20 |
| JP2022051615A JP2022051615A (ja) | 2022-04-01 |
Family
ID=80560863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020158015A Active JP7002782B1 (ja) | 2020-09-21 | 2020-09-21 | 弾性表面波デバイス |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7002782B1 (ja) |
| CN (1) | CN114257205A (ja) |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005167969A (ja) | 2003-11-14 | 2005-06-23 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波素子および弾性波素子の製造方法 |
| JP2007158989A (ja) | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品 |
| WO2007083432A1 (ja) | 2006-01-18 | 2007-07-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波装置及び弾性境界波装置 |
| JP2010232725A (ja) | 2009-03-25 | 2010-10-14 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板、それを用いた弾性波デバイス及び複合基板の製法 |
| WO2014050307A1 (ja) | 2012-09-25 | 2014-04-03 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
| JP2014222860A (ja) | 2013-05-14 | 2014-11-27 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス、及び弾性波デバイスの製造方法 |
| WO2015046402A1 (ja) | 2013-09-26 | 2015-04-02 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置および弾性波モジュール |
| JP2016010026A (ja) | 2014-06-25 | 2016-01-18 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子および通信装置 |
| JP2016123020A (ja) | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子および通信装置 |
| JP2017175618A (ja) | 2016-03-22 | 2017-09-28 | 住友電気工業株式会社 | セラミック基板、積層体およびｓａｗデバイス |
| WO2018143045A1 (ja) | 2017-02-03 | 2018-08-09 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| WO2018181932A1 (ja) | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置、分波器および通信装置 |
-
2020
- 2020-09-21 JP JP2020158015A patent/JP7002782B1/ja active Active
-
2021
- 2021-07-09 CN CN202110779440.1A patent/CN114257205A/zh active Pending
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005167969A (ja) | 2003-11-14 | 2005-06-23 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波素子および弾性波素子の製造方法 |
| JP2007158989A (ja) | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品 |
| WO2007083432A1 (ja) | 2006-01-18 | 2007-07-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波装置及び弾性境界波装置 |
| JP2010232725A (ja) | 2009-03-25 | 2010-10-14 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板、それを用いた弾性波デバイス及び複合基板の製法 |
| WO2014050307A1 (ja) | 2012-09-25 | 2014-04-03 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
| JP2014222860A (ja) | 2013-05-14 | 2014-11-27 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス、及び弾性波デバイスの製造方法 |
| WO2015046402A1 (ja) | 2013-09-26 | 2015-04-02 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置および弾性波モジュール |
| JP2016010026A (ja) | 2014-06-25 | 2016-01-18 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子および通信装置 |
| JP2016123020A (ja) | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子および通信装置 |
| JP2017175618A (ja) | 2016-03-22 | 2017-09-28 | 住友電気工業株式会社 | セラミック基板、積層体およびｓａｗデバイス |
| WO2018143045A1 (ja) | 2017-02-03 | 2018-08-09 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| WO2018181932A1 (ja) | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置、分波器および通信装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114257205A (zh) | 2022-03-29 |
| JP2022051615A (ja) | 2022-04-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5865944B2 (ja) | 弾性波装置の製造方法 | |
| JP5106633B2 (ja) | 弾性波装置 | |
| JP4689704B2 (ja) | 圧電部品及びその製造方法 | |
| JP4460612B2 (ja) | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 | |
| CN101192815B (zh) | 声波器件及其制造方法 | |
| JP2007081555A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP3764450B2 (ja) | 表面弾性波素子、表面弾性波装置、表面弾性波デュプレクサ、及び表面弾性波素子の製造方法 | |
| JP7002782B1 (ja) | 弾性表面波デバイス | |
| US11159143B2 (en) | Filter device and method for manufacturing the same | |
| JP6979726B1 (ja) | 弾性表面波デバイスの製造方法 | |
| JP4195605B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP3865712B2 (ja) | 弾性表面波デバイス | |
| JP7048128B1 (ja) | 弾性表面波デバイス | |
| JP7075148B1 (ja) | 弾性表面波デバイスの製造方法 | |
| JP2004129193A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| WO2018221172A1 (ja) | フィルタ装置 | |
| WO2018198730A1 (ja) | 電子部品およびそれを備えるモジュール | |
| JP7508104B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
| JP4349863B2 (ja) | 弾性表面波装置およびその製造方法 | |
| WO2023248751A1 (ja) | 弾性波装置、弾性波装置の製造方法、および通信装置 | |
| JP7281146B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
| JP4684343B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP4845980B2 (ja) | 弾性表面波素子および弾性表面波装置 | |
| JP2022089712A (ja) | 弾性表面波デバイス | |
| JP2018098687A (ja) | 弾性波デバイス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210730 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20210730 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210824 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210921 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211012 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211104 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211124 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211221 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7002782 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |