WO2018181932A1 - 弾性波装置、分波器および通信装置 - Google Patents

弾性波装置、分波器および通信装置 Download PDF

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雅樹 南部
田中　宏行
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    • H03H9/725—Duplexers

Definitions

  • the wiring 27E is a wiring for applying a reference potential to the SAW filter 23. However, unlike the wiring 27D, the wiring 27E is not connected on the piezoelectric substrate 11 to the pad 25 to which the reference potential is applied, and the second through conductor 51 (FIG. 5A) described later, etc. To the reference potential terminal 3. On the piezoelectric substrate 11, the wiring 27 ⁇ / b> E extends from the SAW filter 23 and is disconnected without being connected to another pattern. More specifically, for example, six wirings 27E are provided, the bus bar 35 on the -D1 side of the IDT electrode 29B, the bus bar 35 on the + D1 side of the IDT electrode 29C, and the bus bar 35 on the -D1 side of the IDT electrode 29D. The bus bar 35 on the + D1 side of the IDT electrode 29G, the bus bar 35 on the -D1 side of the IDT electrode 29H, or the bus bar 35 on the + D1 side of the IDT electrode 29I.
  • the substrate 5, the cover 7 and the reinforcing layer 9 (conductive layer 10) are laminated in this order, and the IDT electrode 29 (see FIG. In a), a space 19 is formed which is located above the electrode fingers 37).
  • the protective film may or may not be interposed between the piezoelectric substrate 11 and the frame portion 15. That is, the cover 7 may be placed directly on the upper surface 11a of the piezoelectric substrate 11 or may be placed indirectly.
  • the second through conductor 51 located on the wiring 27E extending from the SAW filter 23A is connected to the divided region 21A of the reinforcing layer 9 facing the SAW filter 23A.
  • the second through conductor 51 located on the wiring 27E extending from the SAW filter 23B is connected to the divided region 21B of the reinforcing layer 9 facing the SAW filter 23B.
  • the wirings are crossed in a three-dimensional manner so that the wirings to which different potentials (input signal, output signal, or reference potential) are not short-circuited.
  • Three-dimensional wiring is realized. In other words, the three-dimensional intersection in this example is realized through the cover 7 with a space in between.
  • the position of the second through conductor 51 in the first row L1 and the position of the second through conductor 51 in the second row L2 are different from each other in the extending direction of each row (D2 axis direction).
  • the position here is, for example, the figure gravity center. Accordingly, the distance d2 between the second through conductor 51 in the first row L1 and the second through conductor 51 in the second row L2 is longer than the distance d3 between the first row L1 and the second row L2.
  • the IDT electrode 29, the reflector 31, and the wiring 27 include, for example, a layered conductor (common conductor layer) formed of the same material with a substantially equal thickness.
  • This common layered conductor is made of, for example, Al or an alloy containing Al as a main component (Al alloy).
  • the Al alloy is, for example, an Al—Cu alloy.
  • the common layered conductor may be composed of a plurality of metal layers.
  • the common layered conductor has a thickness of, for example, 50 nm to 600 nm.
  • the IDT electrode 29 and the reflector 31 may have an additional film superimposed on the common layered conductor.
  • FIGS. 6A to 6C are views for explaining an example of a method for manufacturing the SAW device 1, and are cross-sectional views corresponding to FIG. 5A.
  • the manufacturing process proceeds from FIG. 6 (a) to FIG. 6 (c).
  • FIG. 6 (a) In these drawings, even if the shape or the like changes with the progress of the process, common reference numerals are given before and after the change.
  • the steps described below are realized, for example, in a so-called wafer process. That is, thin film formation, photolithography, or the like is performed on the mother substrate that becomes the substrate 5 by being divided, and then a plurality of SAW devices 1 are manufactured in parallel by dicing.
  • Formation of the conductor pattern on the piezoelectric substrate 11 may be the same as a known method.
  • the frame portion 15 is formed, for example, by forming a thin film made of a photosensitive resin and removing a part of the thin film by photolithography. By removing a part of the thin film, the space 19 and the lower portions of the through holes 7 h and 7 k are formed in the frame portion 15.
  • Photolithography may be either a positive type or a negative type.
  • the through hole 7h is generally cylindrical, but as can be understood from the above description, the through hole 7h may be tapered so that the diameter is increased toward the lower side. Moreover, although the aspect which forms the through-holes 7h and 7k simultaneously is demonstrated here, these may be formed separately. In this case, since the degree of light scattering or the like can be made different between the through hole 7h and the through hole 7k, it is easy to make the shapes of the side surfaces of the two different.
  • the base layer 73 is formed not only on the entire upper surface 7a of the cover 7 but also inside the through holes 7h and 7k, and overlaps the pad 25 and the wiring 27E.
  • the resist mask 75 is disposed on the upper surface 7a of the cover 7 at a position where the conductive layer 10 (the reinforcing layer 9 and the land 49) should not be disposed.
  • the metal 77 is deposited at the non-arrangement position of the resist mask 75 on the upper surface 7a and inside the through holes 7h and 7k. Thereby, the reinforcement layer 9, the terminal 3, and the 2nd penetration conductor 51 are formed integrally.
  • the flatness of the conductive layer 10 is improved as compared with an aspect in which the diameter of the second through conductor 51 is equal to the diameter of the first through conductor 47 (an aspect in which the diameter of the second through conductor 51 is relatively large). It becomes easy to secure.
  • 7 (a) to 7 (d) are cross-sectional views for explaining the above effects.
  • the second through conductor 51 having a smaller diameter than the first through conductor 47 is located on the inner side, the flatness of the configuration located above the second through conductor 51 in the region where the second through conductor 51 is located. Is secured. Thereby, the stress concentration by a level
  • the thermal stress generated in the piezoelectric substrate 11 by appropriately adjusting the diameter and number of the second through conductors 51.
  • the members or materials laminated on the piezoelectric substrate 11 are listed in order from the one having the smallest thermal expansion coefficient, for example, the support substrate 13, the piezoelectric substrate 11, Cu (the first through conductor 47, the second through conductor 51, and the conductive layer 10).
  • This is a photosensitive resin (cover 7).
  • a tensile force is applied to the piezoelectric substrate 11 by the expansion of the cover 7, and this tensile force is provided by arranging the second through conductors 51 with an appropriate diameter and number inside the piezoelectric substrate 11. Is alleviated somewhat. As a result, for example, the possibility that the characteristics of the SAW device 1 deteriorate due to a temperature change is reduced.
  • the cover 7 includes a lid portion 17 that is integrally formed from a single material.
  • the second penetrating conductor 51 has a first tapered portion 51ba having a diameter reduced toward the upper surface side of the cover 7 and a second tapered portion 51bb having a diameter increased toward the upper surface side of the cover 7 in the lid portion 17. .
  • the plurality of second through conductors 51 are aligned with the two or more second through conductors 51 constituting the first row L1 side by side in the D2 axis direction in plan view and in the D2 axis direction in plan view. And two or more second through conductors 51 constituting the second row L2 adjacent in parallel to the first row L1.
  • the position of the second through conductor 51 in the first row L1 and the position of the second through conductor 51 in the second row L2 are different from each other in the D2 axis direction.
  • the plurality of second through conductors 51 are distributed in a relatively unbalanced manner.
  • the effect of suppressing peeling of the reinforcing layer 9 is likely to occur evenly in the planar direction of the reinforcing layer 9.
  • the distance d2 between the second through conductors 51 is longer than the distance d3 between the first row L1 and the second row L2, and the probability that unevenness is generated on the reinforcing layer 9 is reduced.
  • the multi-mode SAW filter 23 is configured by arranging three or more IDT electrodes 29 in the SAW propagation direction.
  • wirings 27E, 27B, and 27E extending from the IDT electrodes 29B, 29C, and 29D to the same side ( ⁇ D1 side) in the direction intersecting the SAW propagation direction are located.
  • the plurality of second through conductors 51 include two second through conductors 51 located on the two wirings 27E.
  • the reinforcing layer 9 connects the two second through conductors 51 to each other.
  • the three-dimensional wiring connected to the multimode SAW filter 23 is realized by the second through conductor 51 and the reinforcing layer 9. Therefore, for example, the design related to the number and orientation of the plurality of IDT electrodes 29 of the multi-mode SAW filter 23 is facilitated. Further, for example, the manufacturing process is simplified as compared with an embodiment in which a wiring that overlaps the wiring 27B extending from the IDT electrode 29C via an insulating layer is provided between the piezoelectric substrate 11 and the cover 7 to form a three-dimensional wiring. .
  • the reinforcing layer 9 includes a divided region 21A that faces only the SAW filter 23A among the SAW filters 23A and 23B, and a divided region 21B that faces only the SAW filter 23B among the SAW filters 23A and 23B. Yes.
  • the second through conductors 51 at the positions P2 and P3 are connected only to the divided region 21A among the divided regions 21A and 21B.
  • the second through conductors 51 at the positions P5 and P6 are connected only to the divided region 21B among the divided regions 21A and 21B.
  • the possibility that the wiring 27 ⁇ / b> E peels off from the piezoelectric substrate 11 due to the force received from the second through conductor 51 or is disconnected is reduced. Further, from another viewpoint, the second through conductor 51 is more firmly fixed to the piezoelectric substrate 11. As a result, the possibility of peeling of the reinforcing layer 9 is reduced.
  • the insulating layer 43 is affected by the unevenness of the surface of the reinforcing layer 9 to generate unevenness on the upper surface thereof. Therefore, even when the insulating layer 43 is provided, the flatness effect described with reference to FIGS. 7A to 7D is exhibited with respect to the upper surface of the insulating layer 43.
  • the 1st penetration conductor 47 which constitutes terminal 3 the necessity for ensuring flatness is low. Accordingly, by increasing the diameter of the first through conductor 47 and relatively decreasing the diameter of the second through conductor 51, the bonding area of the bump 45 is increased while ensuring the flatness of the reinforcing layer 9. be able to.
  • the IDT electrode 29 is an example of an excitation electrode.
  • the conductive layer 10 or the reinforcing layer 9 is an example of a conductive layer.
  • the lid portion 17 is an example of a resin layer.
  • the D2 axis direction is an example of a predetermined direction.
  • the IDT electrodes 29B to 29D are examples of first to third IDT electrodes.
  • the wiring 27E (including the position P2), the wiring 27B (between the positions P2 and P3), and the wiring 27E (including the position P3) connected to these are examples of the first to third wirings.
  • SAW filters 23A and 23B are examples of first and second filters.
  • the second through conductor 51 at the position P2 is an example of a third through conductor
  • the second through conductor 51 at the position P5 is an example of a fourth through conductor.
  • the method for manufacturing the SAW device 201 is substantially the same as the method for manufacturing the SAW device 1. However, for example, after the formation of the frame portion 15 and before the formation of the photosensitive resin layer to be the lid portion 17, the lower portion 47 a of the first through conductor 47 and the second through conductor 203 are formed and the intermediate layer 205 is formed.
  • the formation method may be, for example, by formation of the base layer 73 and precipitation of the metal 77 as in the embodiment.
  • the intermediate layer 205 may be composed of only the base layer 73.
  • various effects are achieved by the fact that the diameter of the second through conductor 203 is smaller than the diameter of the first through conductor 47. For example, since the probability that the intermediate layer 205 is recessed decreases, it is expected that the adhesion between the intermediate layer 205 and the lid portion 17 is improved. Further, for example, the thermal stress generated in the piezoelectric substrate 11 can be adjusted by adjusting the diameter and number of the second through conductors 203.
  • FIG. 8B is a cross-sectional view showing a configuration of the SAW device 211 according to the modification, and corresponds to FIG.
  • FIG. 8C is a cross-sectional view showing the second through conductor 221 according to the modification, and corresponds to FIG.
  • the duplexer 101 filters the transmission signal from the transmission terminal 105 and outputs it to the antenna terminal 103, and the reception filter 111 that filters the reception signal from the antenna terminal 103 and outputs it to the reception terminal 107. And have.
  • the transmission filter 109 is constituted by, for example, a ladder-type SAW resonator filter in which a plurality of SAW resonators 113 are connected in a ladder shape.
  • the SAW resonator 113 is, for example, a 1-port SAW resonator, and includes one IDT electrode 29 and a pair of reflectors 31 positioned on both sides of the IDT electrode 29 in the SAW propagation direction.
  • the transmission filter 109 and the reception filter 111 may be provided on the same piezoelectric substrate 11 or may be provided on different piezoelectric substrates 11 and mounted and connected to a common circuit board.
  • FIG. 10 is a block diagram illustrating a configuration of a main part of a communication device 151 as an example of use of the SAW device 1 (demultiplexer 101).
  • the communication device 151 performs wireless communication using radio waves, and includes the above-described duplexer 101.
  • the elastic wave device is not limited to a SAW device.
  • the elastic wave device may be a BAW (Bulk Acoustic Wave) device, may include a piezoelectric thin film resonator, or may be regarded as a boundary acoustic wave (however, a kind of SAW). .) Device may be used.
  • the filter is not limited to the multimode type.
  • the ladder type filter mentioned in the description of FIG. 9 may be used.
  • the first through conductor is not limited to one that penetrates the entire cover, and may be one that penetrates only the frame portion or only the lid portion, for example.
  • the second through conductor is not limited to the one that penetrates the entire cover or only the frame portion, and may, for example, penetrate only the lid portion.
  • the conductive layer connected to the upper end of the second through conductor may not be intended to reinforce the lid. This is the same when the conductive layer is provided on the upper surface of the cover. Further, the arrangement of the second through conductors is not limited to a place that requires three-dimensional wiring.
  • the first through conductor constituting the terminal 3 may be located on the support substrate and the second through conductor may be located on the piezoelectric substrate.
  • the first through conductor having a large area may be disposed on the thick support substrate in order to firmly bond the substrate.
  • the peeling of the piezoelectric substrate can suppress the occurrence of cracks and the like.
  • stress application to the thin piezoelectric substrate can be suppressed by reducing the area of the second through conductor in contact with the piezoelectric substrate.
  • SAW device elastic wave device
  • 7 ... Cover 9 ... Reinforcing layer (conductive layer), 11 ... Piezoelectric substrate, 29 ... IDT electrode (excitation electrode), 47 ... First through conductor, 51 ... Second through conductor .

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Abstract

ＳＡＷ装置は、圧電基板と、圧電基板の上面に位置しているＩＤＴ電極と、ＩＤＴ電極の上から圧電基板の上面を覆っているカバーと、圧電基板の上面側からカバーの上面側へカバーの少なくとも一部を貫通している、少なくとも１つの第１貫通導体と、平面視において第１貫通導体よりも圧電基板の内側に位置しており、圧電基板の上面側からカバーの上面側へカバーの少なくとも一部を貫通しており、第１貫通導体よりも径が小さい、少なくとも１つの第２貫通導体と、カバーの上面に位置しており、第２貫通導体の上端に重なっている導電層と、を有している。

Description

弾性波装置、分波器および通信装置
　本開示は、弾性波を利用する電子部品である弾性波装置、当該弾性波装置を含む分波器および通信装置に関する。弾性波は、例えば、弾性表面波（ＳＡＷ：surface acoustic wave）である。
　弾性波装置として、いわゆるＷＬＰ（ウェハレベルパッケージ）形のものが知られている（例えば特許文献１）。ＷＬＰ形の弾性波装置は、例えば、圧電基板と、圧電基板の上面に位置する励振電極と、励振電極の上から圧電基板の上面を覆って励振電極を封止するカバーと、カバーを貫通する端子（貫通導体）と、カバーの上面に設けられ、カバーを補強する導電層とを有している。端子の下端は、圧電基板の上面に設けられた配線パターンを介して励振電極と接続される。端子の上端は、カバー上の導電層と接続されることがある。
特開２０１０－５６６７１号公報
　本開示の一態様に係る弾性波装置は、圧電基板を含む基板と、前記圧電基板の上面に位置している励振電極と、前記励振電極の上から前記基板の上面を覆っているカバーと、前記基板の上面側から前記カバーの上面側へ前記カバーの少なくとも一部を貫通している、少なくとも１つの第１貫通導体と、平面視において前記第１貫通導体よりも前記基板の内側に位置しており、前記基板の上面側から前記カバーの上面側へ前記カバーの少なくとも一部を貫通しており、前記第１貫通導体よりも径が小さい、少なくとも１つの第２貫通導体と、前記カバーの上面または内部に位置しており、前記第２貫通導体の上端に重なっている導電層と、を有している。
　本開示の一態様に係る弾性波装置は、圧電基板を含む基板と、前記圧電基板の上面に位置している励振電極と、前記励振電極の上から前記基板の上面を覆っているカバーと、前記基板の上面側から前記カバーの上面側へ前記カバーを貫通している、少なくとも１つの貫通孔と、平面視において前記貫通孔よりも前記基板の内側に位置しており、前記基板の上面側から前記カバーの上面側へ前記カバーの少なくとも一部を貫通しており、前記貫通孔よりも径が小さい、少なくとも１つの貫通導体と、前記カバーの上面または内部に位置しており、前記貫通導体の上端に重なっている導電層と、を有している。
　本開示の一態様に係る分波器は、端子に接続されている送信フィルタと、前記端子に接続されている受信フィルタと、を有しており、前記送信フィルタおよび前記受信フィルタの少なくとも一方は、上記の弾性波装置を含んでいる。
　本開示の一態様に係る通信装置は、アンテナと、前記アンテナと接続されている、上記の弾性波装置と、前記弾性波装置に接続されているＩＣと、を有している。
実施形態に係るＳＡＷ装置を示す外観斜視図である。 図１のＳＡＷ装置の一部を破断して示す斜視図である。 図１のＳＡＷ装置の上面図である。 図１のＳＡＷ装置の圧電基板の上面図である。 図５（ａ）は図４のＶａ－Ｖａ線に対応する断面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）の領域Ｖｂの拡大図であり、図５（ｃ）は図５（ａ）の領域Ｖｃの拡大図である。 図６（ａ）、図６（ｂ）および図６（ｃ）は図１のＳＡＷ装置の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。 図７（ａ）、図７（ｂ）、図７（ｃ）および図７（ｄ）は図１のＳＡＷ装置の作用の一例を説明するための断面図である。 図８（ａ）、図８（ｂ）および図８（ｃ）は変形例に係るＳＡＷ装置の構成を示す断面図である。 図１のＳＡＷ装置の応用例としての分波器の構成を示す回路図である。 図１のＳＡＷ装置の利用例としての通信装置の構成を示すブロック図である。
　以下、本開示に係る実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。また、便宜上、導体層の表面（すなわち断面でない面）にハッチングを付すことがある。
　同一または類似する構成については、「端子３Ａ」、「端子３Ｂ」のように、同一名称および同一の数字の符号に対して互いに異なるアルファベットの符号を付すことがあり、また、この場合において、単に「端子３」のように、アルファベットを省略することがある。
　本開示に係るＳＡＷ装置は、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下では、便宜的に、Ｄ１軸、Ｄ２軸およびＤ３軸からなる直交座標系を定義するとともに、Ｄ３軸の正側を上方として、上面、下面等の用語を用いることがある。また、平面視または平面透視という場合、特に断りがない限りは、Ｄ３軸方向に見ることをいう。なお、Ｄ１軸は、後述する圧電基板の上面に沿って伝搬するＳＡＷの伝搬方向に平行になるように定義され、Ｄ２軸は、圧電基板の上面に平行かつＤ１軸に直交するように定義され、Ｄ３軸は、圧電基板の上面に直交するように定義されている。
（ＳＡＷ装置の全体構成）
　図１は、実施形態に係るＳＡＷ装置１の構成を示す外観斜視図である。図２は、ＳＡＷ装置１の一部を破断して示す斜視図である。図３は、ＳＡＷ装置１の上面図である。
　ＳＡＷ装置１は、ＷＬＰ形の電子部品であり、その外形は、例えば、概略薄型の直方体状とされている。ＳＡＷ装置１の寸法は適宜に設定されてよい。一例を挙げると、平面視における１辺の長さ（Ｄ１軸方向またはＤ２軸方向）は、０．３ｍｍ以上２ｍｍ以下であり、厚さ（Ｄ３軸方向）は、０．２ｍｍ以上０．６ｍｍ以下である。
　ＳＡＷ装置１の上面には、複数（図示の例では６個）の端子３Ａ～３Ｆが露出している。ＳＡＷ装置１は、複数の端子３のいずれかを介して信号の入力がなされる。入力された信号は、例えば、ＳＡＷ装置１によりフィルタリングされる。そして、ＳＡＷ装置１は、フィルタリングした信号を複数の端子３のいずれかを介して出力する。
　ＳＡＷ装置１は、例えば、上面を不図示の回路基板に対向させて配置され、回路基板のパッドと端子３とが半田等のバンプ４５（図５（ａ）参照）によって接合されることによって回路基板に実装される。その後、トランスファモールド等によって不図示のモールド樹脂がＳＡＷ装置１の周囲に配置されてＳＡＷ装置１は樹脂封止される。モールド樹脂は、回路基板とＳＡＷ装置１との間に構成される隙間にも充填されてよい。
　ＳＡＷ装置１は、例えば、基板５と、基板５の上面を覆うカバー７と、カバー７の上面７ａにおいて露出する上述の複数の端子３と、カバー７の上面７ａに重なる補強層９とを有している。なお、補強層９と、複数の端子３のうちのカバー７上に位置する部分とは、導電層１０を構成している。
（基板）
　基板５は、例えば、圧電基板１１と、圧電基板１１の下面に直接または間接的に貼り合わされた支持基板１３とを有している。
　圧電基板１１は、例えば、圧電性を有する単結晶によって構成されている。単結晶は、例えば、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）または水晶（ＳｉＯ２）からなる。カット角は適宜なものとされてよい。例えば、圧電基板１１は、回転ＹカットＸ伝搬のものである。すなわち、Ｘ軸は圧電基板１１の上面（Ｄ２軸）に平行であり、Ｙ軸は、圧電基板１１の上面の法線に対して所定の角度で傾斜している。
　圧電基板１１の平面形状は、例えば、矩形である。圧電基板１１の大きさは適宜に設定されてよい。一例を挙げると、平面視における１辺の長さ（Ｄ１軸方向またはＤ２軸方向）は、０．３ｍｍ以上２ｍｍ以下であり、厚さ（Ｄ３軸方向）は、０．１μｍ以上３０μｍ以下である。
　支持基板１３は、例えば、圧電基板１１の材料よりも熱膨張係数が小さい材料によって形成されている。これにより、例えば、圧電基板１１の熱膨張を助長することがないので、ＳＡＷ装置１の電気特性の温度変化を低減することができる。このような材料としては、例えば、シリコン等の半導体、サファイア等の単結晶および酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックを挙げることができる。なお、支持基板１３は、互いに異なる材料からなる複数の層が積層されて構成されていてもよい。
　支持基板１３の平面形状および平面視における寸法は、圧電基板１１と同等であってもよいし異なっていてもよい。この例では支持基板１３は、圧電基板１１と同等である。支持基板１３の厚みは適宜に設定されてよい。例えば、支持基板１３の厚みは、圧電基板１１の厚みよりも厚くされる。一例として、支持基板１３の厚みは、圧電基板１１の厚みの１０倍以上であり、また、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下である。
　圧電基板１１および支持基板１３は、例えば、不図示の介在層を介して互いに貼り合わされている。介在層の材料は、有機材料であってもよいし、無機材料であってもよい。有機材料としては、例えば、熱硬化性樹脂等の樹脂が挙げられる。無機材料としては、例えば、ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ等が挙げられる。また、複数の異なる材料からなる薄層を積層させた積層体を介在層としてもよい。このような積層体は、例えば、音響反射膜を構成していてもよい。また、圧電基板１１および支持基板１３は、接着面をプラズマや中性子線照射などで活性化処理した後に介在層無しに貼り合わせる、いわゆる直接接合によって貼り合わされていても良い。
（カバー）
　カバー７は、例えば、平面視において１つ以上の開口を有する枠部１５と、枠部１５の開口を塞ぐ蓋部１７とを有している。これにより、圧電基板１１の上面１１ａ上には、上面１１ａの振動を容易化するための空間１９Ａ（図２）および１９Ｂ（図２及び図３）が構成される。なお、空間１９の数は適宜に設定されてよいが、本実施形態の説明では、図３に示すように、空間１９が２つ設けられる態様を例に取る。
　枠部１５は、例えば、圧電基板１１の上面１１ａに（直接または間接に）重ねられる、概ね一定の厚さの層により構成されている。枠部１５の厚さ（空間１９の高さ）は、例えば、５μｍ以上３０μｍ以下である。蓋部１７は、例えば、枠部１５上に重ねられる、概ね一定の厚さの層により構成されている。蓋部１７の厚さは、例えば、５μｍ以上３０μｍ以下である。
　枠部１５および蓋部１７は、同一の材料により形成されていてもよいし、互いに異なる材料により形成されていてもよい。図１および図２では、説明の便宜上、枠部１５と蓋部１７との境界線を明示しているが、現実の製品においては、枠部１５と蓋部１７とは、同一材料により一体的に形成されていてもよい。
　カバー７（枠部１５および蓋部１７）は、基本的に絶縁材料によって構成されている。絶縁材料は、例えば、感光性の樹脂である。感光性の樹脂は、例えば、アクリル系、エポキシ系、イミド系の樹脂である。なお、カバー７の熱膨張係数は、適宜な大きさであってよく、例えば、圧電基板１１を構成する圧電体の材料の熱膨張係数よりも大きい。
（端子の配置位置）
　端子３は、例えば、圧電基板１１の上面１１ａ側からカバー７の上面７ａ側へカバー７を貫通しており、カバー７の上面７ａにおいて露出している。複数の端子３の数および配置は、圧電基板１１の上面１１ａに形成される回路構成に応じて適宜に設定されてよい。図示の例では、複数の端子３は、平面視で矩形のカバー７（圧電基板１１）の外周縁に沿って配置されている。
　端子３Ａ～３Ｆの役割は適宜に設定されてよい。本実施形態の説明では、端子３Ｆが信号の入力に利用される端子であり、端子３Ｃが信号の出力に利用される端子であり、その他の端子３（３Ａ、３Ｂ、３Ｄおよび３Ｅ）が基準電位にされる端子である態様を例に取る。なお、図３では、信号が入力される端子に「ＩＮ」を、信号が入力される端子に「ＯＵＴ」を、基準電位が付与される端子に「Ｇ」の記号を付している（後述する図４におけるパッド２５も同様。）。
（補強層）
　補強層９は、例えば、カバー７の上面７ａに重なる、概ね一定の厚さの導体層からなる。導体は、例えば、金属である。金属は、例えば、Ｃｕである。また、別の観点では、補強層９は、例えば、カバー７の材料よりもヤング率が高い材料からなる。補強層９は、複数の導体層（複数の材料）から構成されていてもよい。なお、補強層９の材料およびカバー７の材料は、いずれが他方よりも熱膨張係数が大きくてもよい。例えば、補強層９の材料の熱膨張係数は、カバー７の材料の熱膨張係数よりも小さい。補強層９の厚さは適宜に設定されてよく、例えば、２０μｍ以上３０μｍ以下である。
　補強層９は、空間１９Ａを覆う分割領域２１Ａと、空間１９Ｂを覆う分割領域２１Ｂとを有している。分割領域２１Ａと分割領域２１Ｂとは互いに離れている。分割領域２１は、例えば、当該分割領域２１が重なる空間１９よりも広い面積を有しており、平面透視において空間１９は分割領域２１内に収まっている。ただし、分割領域２１は、一部又は全部の外縁が空間１９内に位置していてもよい。
（圧電基板上の導体パターン）
　図４は、圧電基板１１の導体パターンの構成を示す模式的な上面図である。
　圧電基板１１においては、パターニングされた導体層が上面１１ａに重なっている。これにより、例えば、２つのＳＡＷフィルタ２３（２３Ａおよび２３Ｂ）と、複数のパッド２５（２５Ａ～２５Ｆ）と、これらを接続する複数の配線２７（２７Ａ～２７Ｅ）とが構成されている。
（ＳＡＷフィルタ）
　ＳＡＷフィルタ２３は、例えば、多重モード（２重モードを含むものとする。）型ＳＡＷ共振子フィルタによって構成されている。例えば、ＳＡＷフィルタ２３は、弾性波の伝搬方向に配列された複数（図示の例では５つ）のＩＤＴ（interdigital transducer）電極２９（２９Ａ～２９Ｊ）と、その両側に位置する１対の反射器３１（３１Ａ～３１Ｄ）とを有している。
　ＩＤＴ電極２９は、ＩＤＴ電極２９Ｆにおいて符号を付しているように、１対の櫛歯電極３３を含んでいる。各櫛歯電極３３は、バスバー３５と、バスバー３５から互いに並列に延びる複数の電極指３７とを含んでいる。１対の櫛歯電極３３は、複数の電極指３７が互いに噛み合うように（交差するように）配置されている。
　バスバー３５は、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。そして、一対のバスバー３５は、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）において互いに対向している。なお、バスバー３５は、幅が変化したり、ＳＡＷの伝搬方向に対して傾斜したりしていてもよい。
　各電極指３７は、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。各櫛歯電極３３において、複数の電極指３７は、ＳＡＷの伝搬方向に配列されている。また、一方の櫛歯電極３３の複数の電極指３７と他方の櫛歯電極３３の複数の電極指３７とは、基本的には交互に配列されている。
　複数の電極指３７のピッチ（例えば互いに隣り合う２本の電極指３７の中心間距離）は、ＩＤＴ電極２９内において基本的に一定である。なお、ＩＤＴ電極２９の一部に、他の大部分よりもピッチが狭くなる狭ピッチ部、または他の大部分よりもピッチが広くなる広ピッチ部が設けられてもよい。また、ＩＤＴ電極２９間で互いに隣接する電極指３７間のピッチは、基本的には、ＩＤＴ電極２９内におけるピッチと同等である。
　電極指３７の本数は、要求される電気特性等に応じて適宜に設定されてよい。なお、図４は模式図であることから、電極指３７の本数は少なく示されている。実際には、図示よりも多くの電極指３７が配列されてよい。後述する反射器３１のストリップ電極４１についても同様である。
　複数の電極指３７の長さは、例えば、互いに同等である。ただし、ＩＤＴ電極２９は、複数の電極指３７の長さ（別の観点では交差幅）が伝搬方向の位置に応じて変化する、いわゆるアポダイズが施されたものであってもよい。また、ＩＤＴ電極２９は、複数の電極指３７間においてバスバー３５から突出するダミー電極を有するものであってもよい。
　反射器３１は、例えば、格子状に形成されている。すなわち、反射器３１は、互いに対向する１対のバスバー３９と、１対のバスバー３９間において延びる複数のストリップ電極４１とを含んでいる。複数のストリップ電極４１のピッチ、および互いに隣接する電極指３７とストリップ電極４１とのピッチは、基本的には複数の電極指３７のピッチと同等である。
　上記のような多重モード型のＳＡＷフィルタ２３においては、ＩＤＴ電極２９の１対の櫛歯電極３３のうち一方は、信号の入力または出力に利用され（信号用とされ）、他方は、基準電位が付与される（基準電位用とされる）。各ＩＤＴ電極２９において、信号用または基準電位用とされる櫛歯電極３３は、Ｄ１軸方向の正側および負側のいずれの櫛歯電極３３であってもよい。また、Ｄ１軸方向の正側および負側のいずれの櫛歯電極３３が信号用または基準電位用とされるかは、Ｄ２軸方向において互いに隣接するＩＤＴ電極２９同士で同一であってもよいし、異なっていてもよい。本実施形態の説明では、隣接するＩＤＴ電極２９同士で互いに異なっている態様を例に取る。
　また、多重モード型のＳＡＷフィルタ２３は、入力信号または出力信号として、不平衡信号および平衡信号のいずれを用いることもできる。不平衡信号は、１つの信号からなり、例えば、基準電位に対する電位を信号レベルとする。平衡信号は、互いに位相が逆の２つの信号からなり、例えば、両者の電位差を信号レベルとする。多重モード型のＳＡＷフィルタ２３は、平衡信号から不平衡信号への変換、またはその逆の変換を行う機能を有することも可能である。本実施形態の説明では、入力信号および出力信号のいずれも不平衡信号である態様を例に取る。
　反射器３１は、電気的に浮遊状態とされてもよいし、基準電位が付与されてもよい。本実施形態の説明では、後者を例に取る。
（パッドおよび配線）
　パッド２５は、端子３の下端と接続される部分である。パッド２５Ａ～２５Ｆと、端子３Ａ～３Ｆとは、互いに接続されるもの同士で同一のアルファベットの付加符号が付されている。すなわち、パッド２５Ｆは信号が入力され、パッド２５Ｃは信号を出力し、その他のパッド（２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｄおよび２５Ｅ）は、基準電位が付与される。上述した平面視における端子３の数及び配置の説明は、パッド２５に適用されてよい。パッド２５の平面形状は適宜に設定されてよく、例えば、端子３の下端と概ね同等の大きさを有する円形である。
　配線２７Ａは、信号をＳＡＷフィルタ２３Ａに入力するための配線であり、例えば、パッド２５Ｆと、ＳＡＷフィルタ２３Ａとを接続している。より具体的には、例えば、配線２７Ａは、パッド２５Ｆから１本で延びてから２本に分岐して、ＩＤＴ電極２９Ｂおよび２９Ｄの＋Ｄ１側のバスバー３５に接続されている。
　配線２７Ｂは、２つのＳＡＷフィルタ２３間において信号を伝達する配線であり、２つのＳＡＷフィルタ２３を接続している。なお、別の観点では、配線２７Ｂは、ＳＡＷフィルタ２３Ａから信号を出力するための配線であり、また、ＳＡＷフィルタ２３Ｂに信号を入力するための配線である。より具体的には、例えば、配線２７Ｂは、３本設けられている。１本は、ＩＤＴ電極２９Ａの－Ｄ１側のバスバー３５とＩＤＴ電極２９Ｆの＋Ｄ１側のバスバー３５とを接続している。他の１本は、ＩＤＴ電極２９Ｃの－Ｄ１側のバスバー３５とＩＤＴ電極２９Ｈの＋Ｄ１側のバスバー３５とを接続している。残りの１本は、ＩＤＴ電極２９Ｅの－Ｄ１側のバスバー３５とＩＤＴ電極２９Ｊの＋Ｄ１側のバスバー３５とを接続している。
　配線２７Ｃは、ＳＡＷフィルタ２３Ｂから信号を出力するための配線であり、例えば、ＳＡＷフィルタ２３Ｂとパッド２５Ｃとを接続している。より具体的には、例えば、配線２７Ｃは、ＩＤＴ電極２９Ｇおよび２９Ｉの－Ｄ１側のバスバー３５それぞれから延び、途中で合流してパッド２５Ｃに至っている。
　配線２７Ｄは、ＳＡＷフィルタ２３に基準電位を付与するための配線であり、例えば、パッド２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｄまたは２５Ｅと、ＳＡＷフィルタ２３Ａまたは２３Ｂとを接続している。また、配線２７Ｄは、例えば、パッド２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｄまたは２５Ｅと、反射器３１Ａ、３１Ｂ、３１Ｃまたは３１Ｄとを接続している。より具体的には、例えば、パッド２５Ａから延びる配線２７Ｄは、反射器３１Ｂの＋Ｄ１側のバスバー３９およびＩＤＴ電極２９Ｅの＋Ｄ１側のバスバー３５に接続されている。また、例えば、パッド２５Ｄから延びる配線２７Ｄは、反射器３１Ｃの－Ｄ１側のバスバー３９およびＩＤＴ電極２９Ｆの－Ｄ１側のバスバー３５に接続されている。また、例えば、パッド２５Ｅから延びる配線２７Ｄは、反射器３１Ａの－Ｄ１側のバスバー３９に接続されている。また、例えば、ＩＤＴ電極２９Ａの＋Ｄ１側のバスバー３５は、反射器３１Ａの＋Ｄ１側のバスバー３９に直接および／または配線２７Ｄによって接続され、反射器３１Ａを介してパッド２５Ｅに接続されている。また、例えば、パッド２５Ｂから延びる配線２７Ｄは、反射器３１Ｄの＋Ｄ１側のバスバー３９に接続されている。また、例えば、ＩＤＴ電極２９Ｊの－Ｄ１側のバスバー３５は、反射器３１Ｄの－Ｄ１側のバスバー３９に直接および／または配線２７Ｄによって接続され、反射器３１Ｄを介してパッド２５Ｂに接続されている。
　配線２７Ｅは、ＳＡＷフィルタ２３に基準電位を付与するための配線である。ただし、配線２７Ｅは、配線２７Ｄとは異なり、基準電位が付与されるパッド２５に対して圧電基板１１上においては接続されておらず、後述する第２貫通導体５１（図５（ａ））等を介して、基準電位用の端子３に接続される。配線２７Ｅは、圧電基板１１上においては、ＳＡＷフィルタ２３から延びた後、他のパターンに接続されずに途切れた状態となっている。より具体的には、例えば、配線２７Ｅは、６本設けられており、ＩＤＴ電極２９Ｂの－Ｄ１側のバスバー３５、ＩＤＴ電極２９Ｃの＋Ｄ１側のバスバー３５、ＩＤＴ電極２９Ｄの－Ｄ１側のバスバー３５、ＩＤＴ電極２９Ｇの＋Ｄ１側のバスバー３５、ＩＤＴ電極２９Ｈの－Ｄ１側のバスバー３５またはＩＤＴ電極２９Ｉの＋Ｄ１側のバスバー３５から延び出ている。
　ＳＡＷフィルタ２３Ａに基準電位を付与するためのパッド２５（２５Ａおよび２５Ｅ）と、ＳＡＷフィルタ２３Ｂに基準電位を付与するためのパッド２５（２５Ｂおよび２５Ｄ）とは、例えば、短絡されていない。具体的には、両者は、ＳＡＷフィルタ２３等を介した電気的接続はなされているが、配線２７によっては接続されていない。
　以上のような圧電基板１１上の回路においては、パッド２５Ｆに入力された信号は、配線２７Ａを介してＩＤＴ電極２９Ｂおよび２９Ｄに入力され、ＳＡＷフィルタ２３Ａによってフィルタリングされる。フィルタリングされた信号は、ＩＤＴ電極２９Ａ、２９Ｃおよび２９Ｅから３本の配線２７Ｂを介してＩＤＴ電極２９Ｆ、２９Ｈおよび２９Ｊに入力され、ＳＡＷフィルタ２３Ｂによってフィルタリングされる。フィルタリングされた信号は、ＩＤＴ電極２９Ｇおよび２９Ｉから配線２７Ｃを介してパッド２５Ｃへ出力される。
（絶縁層およびバンプ）
　図５（ａ）は、図４のＶａ－Ｖａ線に対応する模式的な断面図である。
　既に述べたように、ＳＡＷ装置１においては、基板５、カバー７および補強層９（導電層１０）が順に積層されており、基板５とカバー７との間にはＩＤＴ電極２９（図５（ａ）では電極指３７が模式的に図示されている）の上に位置する空間１９が構成される。
　さらに、ＳＡＷ装置１は、補強層９を覆う絶縁層４３および／または端子３上に位置するバンプ４５を有していてもよい。
　絶縁層４３は、例えば、端子３を露出させつつ、補強層９の上からカバー７の上面全体を覆っている。そして、絶縁層４３は、例えば、補強層９全体の上面および側面を覆っている。なお、絶縁層４３は、端子３の上面全体を露出させていてもよいし、端子３の上面の縁部を覆っていてもよい。絶縁層４３が設けられることにより、例えば、補強層９と非接続とされるべき端子３上から溢れたバンプ４５によって、当該端子と補強層９とが短絡されてしまうおそれが低減される。
　絶縁層４３は、例えば、少なくとも補強層９上においては概ね一定の厚さに形成されており、その厚さは、例えば、５００ｎｍ以上２０μｍ以下である。絶縁層４３は、例えば、樹脂によって構成されている。樹脂は、例えば、一般にソルダーレジストとして使われているエポキシ系樹脂などにより構成されてよい。ただし、絶縁層４３は、無機材料により構成されてもよい。無機材料としては、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ２など）、窒化珪素、シリコンが挙げられる。
　バンプ４５は、端子３上に概ね球形で形成されており、その直径は端子３の上面の直径と概ね同等である。バンプ４５の材料は、例えば、はんだである。はんだは、Ｐｂ－Ｓｎ合金はんだ等の鉛を用いたはんだであってもよいし、Ａｕ－Ｓｎ合金はんだ、Ａｕ－Ｇｅ合金はんだ、Ｓｎ－Ａｇ合金はんだ、Ｓｎ－Ｃｕ合金はんだ等の鉛フリーはんだであってもよい。
　特に図示しないが、圧電基板１１の上面１１ａは、導体パターン（配線２７、ＩＤＴ電極２９および反射器３１等。パッド２５は除く。）の上から、ＳｉＯ２やＳｉ３Ｎ４等からなる保護膜によって覆われていてもよい。保護膜はこれらの材料からなる複数層の積層体としてもよい。保護膜は、単にＩＤＴ電極２９等の腐食を抑制するためのものであってもよいし、温度補償に寄与するものであってもよい。また、保護膜が設けられる場合等において、ＩＤＴ電極２９および反射器３１の上面または下面には、ＳＡＷの反射係数を向上させるために、絶縁体または金属からなる付加膜が設けられてもよい。
　保護膜が設けられる場合において、保護膜は、圧電基板１１と枠部１５との間に介在してもよいし、介在しなくてもよい。すなわち、カバー７は、圧電基板１１の上面１１ａ上に直接に載置されてもよいし、間接的に載置されてもよい。
（端子の構造）
　端子３は、例えば、カバー７を貫通する第１貫通導体４７と、第１貫通導体４７上に位置するランド４９とを有している。なお、図５（ａ）において図示されているのは端子３Ｆであるが、他の端子３も端子３Ｆと同様である。また、ランド４９および補強層９により導電層１０が構成されている。
　第１貫通導体４７は、基板５の上面側、すなわち圧電基板１１の上面１１ａ側からカバー７の上面７ａ側へカバー７全体を貫通している。第１貫通導体４７は、パッド２５上に位置しており、下端がパッド２５に接続されている。別の観点では、カバー７には、パッド２５上に貫通孔７ｈが形成されている。
　第１貫通導体４７は、枠部１５を貫通する下部４７ａと、蓋部１７を貫通する上部４７ｂとを有している。下部４７ａおよび上部４７ｂそれぞれは、例えば、概ね円柱状に形成されている。下部４７ａおよび上部４７ｂの直径は、例えば、５０μｍ以上１２０μｍ以下である。上部４７ｂは、例えば、下部４７ａよりも径が大きい。下部４７ａと上部４７ｂとの直径の差は、例えば、５μｍ以上２０μｍ以下である。
　なお、下部４７ａの上面と上部４７ｂの下面とで径が一致していてもよい。さらに、下部４７ａや上部４７ｂの側面は傾斜面となっていてもよい。すなわち、厚み方向における形状はテーパー状であってもよい。
　ランド４９は、例えば、概ね一定の厚さの層状導体からなる。その厚さは、例えば、補強層９と概ね同等である。ランド４９の平面形状は適宜な形状とされてよいが、例えば、円形である。ランド４９の直径は、例えば、第１貫通導体４７の上端面の直径よりも大きい。従って、ランド４９の外周部は、カバー７上に位置するフランジ部となっている。なお、ランド４９と第１貫通導体４７の上端面との直径の差は、例えば、５μｍ以上１００μｍ以下である。なお、ランド４９の直径は、第１貫通導体４７の直径と同等であってもよい。
　第１貫通導体４７およびランド４９は、例えば、同一の材料によって一体的に形成されている。端子３の材料は、金属である。金属は、例えば、Ｃｕである。端子３は、複数の材料から構成されていてもよい。例えば、第１貫通導体４７の外周面およびランド４９のフランジ部分の下面と、端子３の内部とは互いに異なる材料から構成されていてもよいし、ランド４９の上面には、端子３の他の部分とは異なる金属からなる層が設けられてもよい。例えば、端子３の大部分がＣｕにより構成されつつ、ランド４９の上面がＡｕまたはＡｇにより構成されてもよい。
（端子と補強層との接続）
　図１及び図３に示すように、基準電位が付与される端子３（３Ａ、３Ｂ、３Ｄおよび３Ｅ）のランド４９は、例えば、補強層９に連続している。従って、補強層９には、基準電位が付与されることになる。なお、信号の入力または出力に供される端子３Ｃおよび３Ｆのランド４９は、補強層９から分離されている。
　より具体的には、補強層９のうち、ＳＡＷフィルタ２３Ａ（空間１９Ａ）に対向する分割領域２１Ａは、基準電位が付与される端子３のうち、ＳＡＷフィルタ２３Ａに基準電位を付与するための端子３（３Ａおよび３Ｅ）のみと接続されている。また、補強層９のうち、ＳＡＷフィルタ２３Ｂ（空間１９Ｂ）に対向する分割領域２１Ｂは、基準電位が付与される端子３のうち、ＳＡＷフィルタ２３Ｂに基準電位を付与するための端子３（３Ｂおよび３Ｄ）のみと接続されている。
　なお、ランド４９は、補強層９と同一材料かつ同一厚さの導体層（複数層でもよい）で構成されていてもよいし、そのような同一材料かつ同一厚さの導体層のうち、ランド４９となる領域のみ、上面に他の金属層が形成されていてもよい。例えば、ランド４９および補強層９（導電層１０）の大部分がＣｕにより構成され、ランド４９の上面がＡｕまたはＡｇにより構成されてもよい。上記の同一材料かつ同一厚さの導体層は、補強層９と、補強層９に接続されるランド４９とに亘って一体的に形成されていてよい。
（第２貫通導体の配置位置および接続）
　図５（ａ）に示すように、ＳＡＷ装置１は、ＩＤＴ電極２９に基準電位を付与するための配線２７Ｅ上において、カバー７を貫通する第２貫通導体５１（別の観点では貫通孔７ｋ）を有している。なお、図５（ａ）において図示されているのは、２本の配線２７Ｅであるが、他の配線２７Ｅにおいても、第２貫通導体５１が設けられる。図１～図４では、第２貫通導体５１の配置位置Ｐ１～Ｐ６を円で示している。
　第２貫通導体５１の上端は、補強層９に接続されている。上述のように、補強層９は、基準電位が付与される端子３と接続されている。従って、配線２７Ｅは、第２貫通導体５１および補強層９を介して、基準電位用の端子３と接続される。
　より具体的には、例えば、ＳＡＷフィルタ２３Ａから延びる配線２７Ｅ上に位置する第２貫通導体５１（位置Ｐ１～Ｐ３）は、補強層９のうち、ＳＡＷフィルタ２３Ａに対向する分割領域２１Ａと接続されている。また、例えば、ＳＡＷフィルタ２３Ｂから延びる配線２７Ｅ上に位置する第２貫通導体５１（位置Ｐ４～Ｐ６）は、補強層９のうち、ＳＡＷフィルタ２３Ｂに対向する分割領域２１Ｂと接続されている。
　別の観点では、複数の第２貫通導体５１は、補強層９を介して互いに接続されている。より具体的には、例えば、位置Ｐ１～Ｐ３の第２貫通導体５１は、分割領域２１Ａによって互いに接続されており、位置Ｐ４～Ｐ６の第２貫通導体５１は、分割領域２１Ｂによって互いに接続されている。
　このような補強層９を介した第２貫通導体５１同士の接続によって、互いに異なる電位（入力信号、出力信号または基準電位）が付与される配線同士が短絡しないように配線を立体的に交差させる立体配線が実現されている。言い換えると、本例の立体交差が、間に空間を挟み、カバー７を介して実現されている。
　例えば、ＩＤＴ電極２９Ｂから位置Ｐ２に至る配線２７Ｅ、位置Ｐ２の第２貫通導体５１、分割領域２１Ａ、位置Ｐ３の第２貫通導体５１、および位置Ｐ３からＩＤＴ電極２９Ｄに至る配線２７Ｅは、ＩＤＴ電極２９ＣとＩＤＴ電極２９Ｈとを接続する配線２７Ｂに対して立体的に交差する配線を構成している。すなわち、信号を伝達するための配線と、基準電位が付与される配線との立体交差が実現されている。
　また、具体的な言及は省略するが、信号を入力するための配線２７Ａに対して立体的に交差する配線、および信号を出力するための配線２７Ｃに対して立体的に交差する配線が構成されていることも図から明らかである。また、位置Ｐ１および位置Ｐ２との接続等に着目すると、ＩＤＴ電極２９に対して立体的に交差する配線も構成されている。
　また、端子３と第２貫通導体５１との補強層９を介した接続によっても、互いに異なる電位が付与される配線同士が短絡しないように配線を立体的に交差させる立体配線が実現されている。
　例えば、ＩＤＴ電極２９Ｂから位置Ｐ２に至る配線２７Ｅ、位置Ｐ２の第２貫通導体５１、分割領域２１Ａ、端子３Ｅ、端子３Ｅから反射器３１Ａに至る配線２７Ｄは、ＩＤＴ電極２９ＡとＩＤＴ電極２９Ｆとを接続する配線２７Ｂに対して立体的に交差する配線を構成している。すなわち、信号を伝達するための配線と、基準電位が付与される配線との立体交差が実現されている。
　図３および図４の位置Ｐ１～Ｐ６によって示されているように、平面視において、複数の第２貫通導体５１は、複数の第１貫通導体４７（端子３）よりも基板５（圧電基板１１）の内側（および／またはカバー７の内側。以下同様。）に位置している。
　なお、例えば、第２貫通導体５１の平面視における図形重心と、基板５（この例では圧電基板１１）の外縁との距離（最短距離。以下同様。）が、第１貫通導体４７の平面視における図形重心と、基板５（この例では圧電基板１１）の外縁との距離よりも長ければ、第２貫通導体５１は、第１貫通導体４７よりも内側に位置していると捉えられてよい。図形重心は、図形内における1次のモーメントの総和が０になる点であり、円形においては中心である。この観点では、図示の例では、全ての第２貫通導体５１は、全ての第１貫通導体４７よりも内側に位置している。
　平面視において、第２貫通導体５１の全体が、第１貫通導体４７の全体よりも内側に位置しているときに、第２貫通導体５１は第１貫通導体４７よりも内側に位置していると捉えてもよい。すなわち、第２貫通導体５１の外縁上の各点と圧電基板１１の外縁との距離のうち最も短いものが、第１貫通導体４７の外縁上の各点と圧電基板１１の外縁との距離のうち最も長いものよりも長いときに、第２貫通導体５１が第１貫通導体４７よりも内側に位置していると捉えてもよい。この観点では、図示の例では、位置Ｐ２、Ｐ３、Ｐ５およびＰ６の第２貫通導体５１は、全ての第１貫通導体４７よりも内側に位置している。
　図３に示すように、複数の第２貫通導体５１間の最も短い距離ｄ２は、複数の第１貫通導体４７（端子３）間の最も短い距離ｄ１よりも短い。なお、距離ｄ１およびｄ２は、例えば、平面視における貫通導体の図形重心間の距離である。ただし、距離ｄ１およびｄ２は、外縁同士の最短距離（貫通導体間の隙間の大きさ）とされてもよい。
　図３に示すように、位置Ｐ２およびＰ３の第２貫通導体５１は、Ｄ２軸方向に並んで第１列Ｌ１を構成している。同様に、位置Ｐ５およびＰ６の第２貫通導体５１は、Ｄ２軸方向に並んで第２列Ｌ２を構成している。第１列Ｌ１と第２列Ｌ２とは並列に隣接している。
　なお、ここでいう隣接は、例えば、第１列Ｌ１と第２列Ｌ２との間に、これらを構成する貫通導体以外の貫通導体（４７または５１）が位置していないことをいう。また、図示の例では、第１列Ｌ１と第２列Ｌ２との距離ｄ３は、複数の貫通導体間の距離（ｄ１およびｄ２等）のいずれよりも短い。距離ｄ３は、例えば、各列を構成する複数の第２貫通導体５１の図形重心を連ねた線同士の距離である。
　また、第１列Ｌ１の第２貫通導体５１の位置と、第２列Ｌ２の第２貫通導体５１の位置とは各列の延びる方向（Ｄ２軸方向）において互いに異なっている。ここでの位置は、例えば、図形重心である。従って、第１列Ｌ１の第２貫通導体５１と、第２列Ｌ２の第２貫通導体５１との距離ｄ２は、第１列Ｌ１と第２列Ｌ２との距離ｄ３よりも長くなっている。
（第２貫通導体の構造）
　図５（ｂ）は、図５（ａ）の領域Ｖｂの拡大図である。なお、この図では、カバー７よりも上については図示が省略されている。
　第２貫通導体５１は、圧電基板１１の上面１１ａ側からカバー７の上面７ａ側へカバー７全体を貫通している。第２貫通導体５１は、例えば、枠部１５を貫通する下部５１ａと、蓋部１７を貫通する上部５１ｂとを有している。下部５１ａおよび上部５１ｂの、貫通方向に直交する断面の形状は、例えば、貫通方向のいずれの位置においても円形である。下部５１ａおよび上部５１ｂの直径は、例えば、１０μｍ以上５０μｍ未満である。
　下部５１ａにおいて、貫通方向に直交する断面形状（面積含む）は、例えば、貫通方向において概ね一定である。一方、上部５１ｂにおいては、貫通方向に直交する断面形状は、例えば、貫通方向において変化する。具体的には、上部５１ｂは、カバー７の上面７ａ側ほど縮径する第１テーパ部５１ｂａと、第１テーパ部５１ｂａ上に位置し、カバー７の上面７ａ側ほど拡径する第２テーパ部５１ｂｂとを有している。
　第１テーパ部５１ｂａおよび第２テーパ部５１ｂｂの貫通方向における長さ（蓋部１７内における両者の比率）は適宜に設定されてよい。また、テーパ面（外周面）は、貫通方向に平行な断面において直線状であってよいし、外側に膨らむ曲線状であってもよいし、内側に凹む曲線状であってもよい。貫通方向に対するテーパ面の傾斜角は適宜に設定されてよい。図示の例では、第１テーパ部５１ｂａおよび第２テーパ部５１ｂｂは、互いに概ね同等の大きさおよび形状である。
　下部５１ａの直径と上部５１ｂの直径との大小関係は適宜に設定されてよい。例えば、上部５１ｂの最大径（第１テーパ部５１ｂａの下端における直径および／または第２テーパ部５１ｂｂの上端における直径）は、下部５１ａの直径よりも大きい。その差は、例えば、５μｍ以上２０μｍ以下である。また、例えば、下部５１ａの直径は、上部５１ｂの最小径（第１テーパ部５１ｂａと第２テーパ部５１ｂｂとの間）に比較して、概ね同等か、若干小さい。
　既述のように、第１貫通導体４７（上部４７ｂ）の形状は、基本的に円柱形状である。従って、蓋部１７内の、圧電基板１１の上面１１ａに直交する断面において、第１貫通導体４７（上部４７ｂ）の側面の形状と、第２貫通導体５１（上部５１ｂ）の側面の形状とは異なる。具体的には、前者は概ね直線であるのに対して、後者は中央側が内側に凹む形状である。
　第２貫通導体５１の直径は、第１貫通導体４７の直径よりも小さい。別の観点では、配線２７Ｅ上の貫通孔７ｋの直径は、パッド２５上の貫通孔７ｈの直径よりも小さい。なお、この比較において、第２貫通導体５１の直径が、貫通方向において一定でない、および／または貫通方向に直交する断面形状が円形でない場合は、第２貫通導体５１の直径として最大径（図示の例では上部５１ｂの下端または上端における直径）を用いてよい。また、第１貫通導体４７の直径が、貫通方向において一定でない、および／または貫通方向に直交する断面形状が円形でない場合は、第１貫通導体４７の直径として最小径（図示の例では下部４７ａにおける直径）を用いてよい。第２貫通導体５１の直径と第１貫通導体４７の直径との差は、例えば、１０μｍ以上、４０μｍ以上または第１貫通導体４７の直径の５０％以上である。
　第２貫通導体５１の材料は、金属である。金属は、例えば、Ｃｕである。第２貫通導体５１は、複数の材料から構成されていてもよい。例えば、第２貫通導体５１の外周面と、第２貫通導体５１の内部とは互いに異なる材料から構成されていてもよい。また、第２貫通導体５１の材料は、例えば、第１貫通導体４７と同一の材料によって構成されている。また、第２貫通導体５１は、例えば、補強層９の材料と同一の材料によって補強層９と一体的に形成されている。もちろん、第２貫通導体５１は、第１貫通導体４７および／または補強層９とは異なる材料によって形成されていてもよい。
（圧電基板上の導体パターンの材料および厚み）
　図５（ｃ）は、図５（ａ）の領域Ｖｃの拡大図である。
　この図に示すように、第２貫通導体５１が配置される配線２７Ｅの厚みは、例えば、他の配線２７（２７Ａ～２７Ｄ）の厚みよりも厚くされている。例えば、他の配線２７の厚さが５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下であるのに対して、配線２７Ｅの厚さは、１μｍ以上２μｍ以下とされており、または他の配線２７の厚さよりも１μｍ以上２μｍ以下の差で厚くされている。なお、配線２７Ｅは、その全体が上記のように厚くされてもよいし、第２貫通導体５１と接合される領域または当該領域およびその周辺のみ、上記のように厚くされてもよい。
　ＩＤＴ電極２９、反射器３１および配線２７（２７Ｅを除く）は、例えば、同一の材料によって概ね同等の厚さで形成された層状導体（共通の導体層）を含む。この共通の層状導体は、例えば、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金（Ａｌ合金）によって構成されている。Ａｌ合金は、例えば、Ａｌ－Ｃｕ合金である。共通の層状導体は、複数の金属層から構成されてもよい。共通の層状導体の厚さは、例えば、上記の５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下である。なお、ＩＤＴ電極２９および反射器３１は、既に言及したように、上記の共通の層状導体に対して付加膜が重ねられてもよい。
　配線２７Ｅは、例えば、上記の共通の層状導体上に他の金属層が重ねられることによって形成されている。これにより、配線２７Ｅは、他の配線２７よりも厚くされている。他の金属層は、例えば、Ａｕ、Ｎｉおよび／またはＣｒである。ＴｉとＡｌとの積層配線としてもよい。ただし、配線２７Ｅは、上記の共通の層状導体を含まずに構成され、他の配線２７よりも厚くされていてもよい。
　パッド２５は、例えば、上記の共通の層状導体のみから構成されてもよいし、その上に他の金属層が重ねられて構成されてもよい。他の金属層は、例えば、Ａｕ、Ｎｉおよび／またはＣｒである。パッド２５において共通の層状導体上に配置される他の金属層は、配線２７Ｅにおいて共通の層状導体上に配置される他の金属層と同一の材料および厚さからなるものであってもよい。
（２つの分割領域の電気的分離）
　ここまでの説明から理解されるように、補強層９の２つの分割領域２１は、カバー７上だけでなく、ＳＡＷ装置１の内部においても短絡されていない（電気的に分離されている）。より具体的には、例えば、ＳＡＷフィルタ２３Ａに対向する分割領域２１Ａは、ＳＡＷフィルタ２３Ａに接続される端子３（３Ａおよび３Ｅ）および第２貫通導体５１（Ｐ１～Ｐ３）とのみ接続されており、これら端子３および第２貫通導体５１は、ＳＡＷフィルタ２３Ｂとは短絡されていない。また、例えば、ＳＡＷフィルタ２３Ｂに対向する分割領域２１Ｂは、ＳＡＷフィルタ２３Ｂに接続される端子３（３Ｂおよび３Ｄ）および第２貫通導体５１（Ｐ４～Ｐ６）とのみ接続されており、これら端子３および第２貫通導体５１は、ＳＡＷフィルタ２３Ａとは短絡されていない。
　なお、短絡（意図しないものは除く）は、例えば、基本的に接続を目的とした導体（端子３、配線２７および第２貫通導体５１等）によって接続されることを言い、別の観点では、電子素子（抵抗体、キャパシタ、インダクタまたはＩＤＴ電極２９等）を介さない接続をいう。配線等の接続を目的とした導体も、厳密には、抵抗値、キャパシタンスおよびインダクタンスを有するが、ここでは考慮しない。
（ＳＡＷ装置の製造方法）
　図６（ａ）～図６（ｃ）は、ＳＡＷ装置１の製造方法の一例を説明するための図であり、図５（ａ）に対応する断面図である。製造工程は、図６（ａ）から図６（ｃ）へ進んでいく。これらの図では、プロセスの進行に伴って形状等が変化しても、その変化の前後で共通の符号を付している。
　以下に説明する工程は、例えば、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって基板５となる母基板を対象に、薄膜形成やフォトリソグラフィー法などが行われ、その後、ダイシングされることにより、複数個のＳＡＷ装置１が並行して作製される。
　図６（ａ）に示すように、まず、圧電基板１１上の導体パターン（ＩＤＴ電極２９、反射器３１、配線２７およびパッド２５）が形成され、次に、枠部１５が形成され、その上に、蓋部１７となる樹脂層が形成される。そして、当該樹脂層は、フォトリソグラフィーによってパターニングされる。
　圧電基板１１上の導体パターンの形成は、公知の方法と同様でよい。枠部１５は、例えば、感光性樹脂からなる薄膜が形成され、当該薄膜の一部がフォトリソグラフィーによって除去されることによって形成される。薄膜の一部の除去によって、空間１９、貫通孔７ｈおよび７ｋの下部が枠部１５に形成される。フォトリソグラフィーは、ポジ型及びネガ型のいずれでもよい。
　蓋部１７となる樹脂層は、例えば、感光性樹脂により形成されたフィルムが枠部１５上に貼り付けられることによって形成される。感光性樹脂は、例えば、ネガ型である。フォトリソグラフィーでは、例えば、矢印で示すように、マスク７１を介して蓋部１７となる樹脂層に光が照射される。ネガ型のフォトリソグラフィーでは、光は、樹脂層のうち、蓋部１７として残る領域（貫通孔７ｈおよび７ｋ以外の領域）に照射される。
　図６（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィーの結果、蓋部１７には、貫通孔７ｈおよび７ｋのうち、蓋部１７における部分が形成される。貫通孔７ｋのうち蓋部１７における部分は、第１テーパ部５１ｂａおよび第２テーパ部５１ｂｂの形状に対応した形状となっている。すなわち、貫通孔７ｋは、蓋部１７内において、枠部１５側からカバー７の上面７ａ側へ、徐々に縮径した後、徐々に拡径する形状となっている。一方、貫通孔７ｈは、蓋部１７内において、貫通方向に直交する断面の形状が貫通方向において概ね一定となっている。
　貫通孔７ｋの径が貫通孔７ｈの径よりも小さいことから、このように両者を同時に形成しつつ、互いに異なる形状にすることができる。具体的には、光は、理想的にはマスク７１と蓋部１７との対向方向に平行に直線状に進むが、実際には散乱および／または回折する。一方、マスク７１において、貫通孔７ｋに対応する遮光部分の外縁の曲率は相対的に大きく、前記遮光部分の外縁から内側へ侵入する光が重畳されやすい。その結果、蓋部１７の上面側においては、外縁から内側へ斜めに入射した光によって、貫通孔７ｋは、下方側ほど縮径する。一方、蓋部１７の下面側においては、光の散乱等によって下方側ほど光が到達しにくいことから、貫通孔７ｋは下方側ほど拡径する。そして、カバー７、マスク７１およびレンズ系の相対位置および／またはレンズ系の構成等を適宜に調整することによって、貫通孔７ｋにおいてのみ、そのような２つのテーパが形成されるようにすることができる。
　なお、図示の例では、貫通孔７ｈは概ね円柱状であるが、上記の説明から理解されるように、貫通孔７ｈは、下方側ほど拡径するテーパ状とすることもできる。また、ここでは、貫通孔７ｈおよび７ｋを同時に形成する態様について説明しているが、これらは別個に形成されてもよい。この場合、貫通孔７ｈと貫通孔７ｋとで光の散乱等の程度を互いに異ならせることができるから、両者の側面の形状を互いに異ならせることが容易化される。
　蓋部１７が形成されると、図６（ｃ）に示すように、カバー７上に金属からなる下地層７３を形成し、その上にレジストマスク７５を形成し、電気めっき法により下地層７３の露出部分に金属７７を析出させる。
　具体的には、例えば、下地層７３は、カバー７の上面７ａの全面に加えて、貫通孔７ｈおよび７ｋの内部にも形成され、パッド２５および配線２７Ｅにも重ねられる。レジストマスク７５は、カバー７の上面７ａのうち導電層１０（補強層９およびランド４９）が非配置とされるべき位置に配置される。そして、金属７７は、上面７ａ上のレジストマスク７５の非配置位置、ならびに貫通孔７ｈおよび７ｋの内部において析出される。これにより、補強層９、端子３および第２貫通導体５１が一体的に形成される。
　その後、特に図示しないが、レジストマスク７５、および下地層７３のうちレジストマスク７５の直下の部分が除去される。なお、図示の例とは異なり、レジストマスク７５を形成した後に、下地層７３を形成し、金属７７を析出させてもよい。
　以上のとおり、本実施形態では、ＳＡＷ装置１は、圧電基板１１と、圧電基板１１の上面１１ａに位置しているＩＤＴ電極２９と、ＩＤＴ電極２９の上から圧電基板１１の上面１１ａを覆っているカバー７と、圧電基板１１の上面１１ａ側からカバー７の上面７ａ側へカバー７の少なくとも一部を貫通している、少なくとも１つの第１貫通導体４７と、平面視において第１貫通導体４７よりも圧電基板１１の内側に位置しており、圧電基板１１の上面１１ａ側からカバー７の上面７ａ側へカバー７の少なくとも一部を貫通しており、第１貫通導体４７よりも径が小さい、少なくとも１つの第２貫通導体５１と、カバー７の上面７ａに位置しており、第２貫通導体５１の上端に重なっている導電層１０（補強層９）と、を有している。
　従って、例えば、第２貫通導体５１の径が第１貫通導体４７の径と同等である態様（第２貫通導体５１の径が比較的大きい態様）に比較して、導電層１０の平坦性を確保しやすくなる。
　図７（ａ）～図７（ｄ）は、上記の効果を説明するための断面図である。
　図７（ａ）に示すように、比較的径が大きい貫通孔７ｈに金属を充填して第１貫通導体４７を形成すると、その上面が凹む蓋然性が相対的に高い。一方、図７（ｂ）に示すように、比較的径が小さい貫通孔７ｋに金属を充填して第２貫通導体５１を形成すると、その上面が凹む蓋然性は相対的に低い（平坦になる蓋然性が相対的に高い）。
　その結果、図７（ｃ）に示すように、導電層１０は、第１貫通導体４７上において凹む蓋然性が相対的に高い。一方、図７（ｄ）に示すように、導電層１０は、第２貫通導体５１上において凹む蓋然性が相対的に低い（平坦になる蓋然性が相対的に高い）。
　このような差が生じる理由としては、例えば、図６（ｃ）を参照して説明したように、貫通孔の内面に成膜された下地層上に金属を析出させるときに、貫通孔の径が相対的に大きいと、貫通孔に金属が充填されるまでの時間が相対的に長くなることが挙げられる。
　このような第２貫通導体５１を設けることでＳＡＷ装置１の信頼性を高めることができる。
　具体的には、例えば、第２貫通導体５１は、平面視において第１貫通導体４７よりも内側に位置していることから、導電層１０（補強層９）は、内側の領域において平坦性が確保される。その結果、例えば、補強層９の上面側からの真空吸着によってＳＡＷ装置１をピックアップすることが容易化される。すなわち、ＳＡＷ装置１の取り扱いが容易となる。
　また、補強層９の平坦性が損なわれにくいことから、例えば、第２貫通導体５１の数を比較的多くすることができる。その結果、例えば、補強層９は、カバー７の上面から剥がれにくくなる。
　すなわち、第１貫通導体４７に比べ径の小さい第２貫通導体５１が内側に位置することで、第２貫通導体５１が位置する領域において、第２貫通導体５１より上側に位置する構成の平坦性が確保される。これにより、段差による応力集中や段差周辺における剥離・断線等を抑制し、信頼性の高いＳＡＷ装置１を提供することができる。
　第２貫通導体５１の径および数を適宜に調整することによって、圧電基板１１に生じる熱応力を調整することも可能である。圧電基板１１に積層される部材または材料を熱膨張係数が小さいものから順に挙げると、例えば、支持基板１３、圧電基板１１、Ｃｕ（第１貫通導体４７、第２貫通導体５１および導電層１０）、感光性樹脂（カバー７）となる。温度が上昇したとき、カバー７の膨張によって圧電基板１１に引張力が加えられるが、第２貫通導体５１が圧電基板１１の内側に適宜な径および数で配置されていることによって、この引張力が多少なりとも緩和される。その結果、例えば、温度変化によってＳＡＷ装置１の特性が低下するおそれが低減される。
　一方、圧電基板の外側に位置する第１貫通導体４７の径が比較的大きいことによって、例えば、ＳＡＷ装置１の強度が向上する。例えば、外力が加えられたり、熱応力が生じたりしたときに、第１貫通導体４７自体の圧電基板１１からの脱離の蓋然性が低減され、また、第１貫通導体４７によって係止されているカバー７および補強層９に剥がれおよび／または変形が生じるおそれも低減される。
　本実施形態では、複数の第２貫通導体５１間の最も短い距離ｄ２が、複数の第１貫通導体４７間の最も短い距離ｄ１よりも短い。
　従って、例えば、第２貫通導体５１が比較的密に配置されることになり、補強層９の剥がれを抑制する効果が増大する。また、例えば、互いの距離が短い貫通導体を第１貫通導体４７ではなく第２貫通導体５１とすることによって、補強層９に凹凸が生じる蓋然性を効果的に下げることができる。
　本実施形態では、カバー７は、単一の材料から一体的に形成されている蓋部１７を含む。蓋部１７内の、圧電基板１１の上面１１ａに直交する断面において、第１貫通導体４７の側面の形状と、第２貫通導体５１の側面の形状とは互いに異なる。
　従って、例えば、第１貫通導体４７および第２貫通導体５１とで互いに異なる作用を生じさせることができる。例えば、第２貫通導体５１の側面に、第１貫通導体４７の側面よりも多くの凹凸を形成することによって、第２貫通導体５１のカバー７からの引き抜きに対する強度を向上させ、ひいては、補強層９の剥がれを抑制する効果を向上させることができる。その一方で、第１貫通導体４７の側面の凹凸を少なくすることによって、比較的大きな外力または熱応力が生じる蓋然性の高いカバー７の外周部において、応力集中が生じるおそれを低減できる。
　本実施形態では、カバー７は、単一の材料から一体的に形成されている蓋部１７を含む。第２貫通導体５１は、蓋部１７内に、カバー７の上面側ほど縮径する第１テーパ部５１ｂａと、カバー７の上面側ほど拡径する第２テーパ部５１ｂｂと、を有している。
　従って、例えば、第２貫通導体５１の蓋部１７からの引き抜きに対する強度を向上させ、ひいては、補強層９の剥がれを抑制する効果を向上させることができる。一方で、枠部１５内の形状は厚み方向における変化がないため、狭い領域に密に第２貫通導体５１を配置することができる。すなわち、ＳＡＷ装置１の大型化を招かない。第２貫通導体５１の径が比較的小さいことから、例えば、図６（ｂ）を参照して説明したように、そのような２つのテーパ部を有する形状を簡便に実現することができる。
　本実施形態では、複数の第２貫通導体５１は、平面視においてＤ２軸方向に並んで第１列Ｌ１を構成している２以上の第２貫通導体５１と、平面視においてＤ２軸方向に並んで、第１列Ｌ１に並列に隣接する第２列Ｌ２を構成している２以上の第２貫通導体５１と、を含んでいる。第１列Ｌ１の第２貫通導体５１の位置と、第２列Ｌ２の第２貫通導体５１の位置とはＤ２軸方向において互いに異なっている。
　従って、例えば、複数の第２貫通導体５１は、比較的アンバランスに分散配置されることになる。その結果、例えば、補強層９の剥がれを抑制する効果が補強層９の平面方向において均等に生じやすくなる。また、例えば、第１列Ｌ１と第２列Ｌ２との距離ｄ３よりも第２貫通導体５１同士の距離ｄ２が長くなり、補強層９上に凹凸が生じる蓋然性が低下する。
　本実施形態では、３以上のＩＤＴ電極２９がＳＡＷの伝搬方向に並べられることにより、多重モード型のＳＡＷフィルタ２３が構成されている。圧電基板１１上には、ＩＤＴ電極２９Ｂ、２９Ｃおよび２９ＤからＳＡＷの伝搬方向に交差する方向の同一側（－Ｄ１側）に延びる配線２７Ｅ、２７Ｂおよび２７Ｅが位置している。複数の第２貫通導体５１は、上記の２本の配線２７Ｅ上に位置している２つの第２貫通導体５１を含んでいる。補強層９は、上記の２つの第２貫通導体５１同士を接続している。
　すなわち、第２貫通導体５１および補強層９によって、多重モード型のＳＡＷフィルタ２３に接続されている立体配線が実現されている。従って、例えば、多重モード型のＳＡＷフィルタ２３の複数のＩＤＴ電極２９の数および向きに関する設計が容易化される。また、例えば、ＩＤＴ電極２９Ｃから延びる配線２７Ｂに絶縁層を介して重なる配線を圧電基板１１とカバー７との間に設けて立体配線を構成する態様に比較して、製造プロセスが簡略化される。また、例えば、配線２７Ｂの幅、厚さおよび材料の設定に際して、絶縁層を介した立体配線の影響を考慮する必要がなくなるから、配線２７Ｂの抵抗が小さくなるように、幅を大きくしたり、厚くしたり、材料を適宜なものとしたりすることができる。また、配線２７Ｂに絶縁層を介して重なる配線は、配線２７Ｂの縁部上に段差が生じ、この段差において、絶縁層の膨張によってクラックが生じるおそれがあるが、そのようなおそれが低減される。
　本実施形態では、複数のＩＤＴ電極２９が圧電基板１１上に位置していることにより多重モード型のＳＡＷフィルタ２３Ａおよび２３Ｂが構成されている。複数の第２貫通導体５１は、平面視においてＳＡＷフィルタ２３Ａと２３Ｂとの間に位置しており、ＳＡＷフィルタ２３Ａおよび２３ＢのうちＳＡＷフィルタ２３Ａのみに接続されている１以上の第２貫通導体５１（位置Ｐ２およびＰ３の第２貫通導体５１）を含んでいる。また、複数の第２貫通導体５１は、平面視においてＳＡＷフィルタ２３Ａと２３Ｂとの間に位置しており、ＳＡＷフィルタ２３Ａおよび２３ＢのうちＳＡＷフィルタ２３Ｂのみに接続されている１以上の第２貫通導体５１（位置Ｐ５およびＰ６の第２貫通導体５１）を含んでいる。補強層９は、ＳＡＷフィルタ２３Ａおよび２３ＢのうちＳＡＷフィルタ２３Ａのみに対向している分割領域２１Ａと、ＳＡＷフィルタ２３Ａおよび２３ＢのうちＳＡＷフィルタ２３Ｂのみに対向している分割領域２１Ｂと、を含んでいる。位置Ｐ２およびＰ３の第２貫通導体５１は、分割領域２１Ａおよび２１Ｂのうち分割領域２１Ａのみに接続されている。位置Ｐ５およびＰ６の第２貫通導体５１は、分割領域２１Ａおよび２１Ｂのうち分割領域２１Ｂのみに接続されている。
　すなわち、位置Ｐ２、Ｐ３、Ｐ５およびＰ６の第２貫通導体５１は、いずれもＳＡＷフィルタ２３Ａと２３Ｂとの間に位置しつつも、互いに別の分割領域２１Ａおよび２１Ｂに接続されており、ひいては、ＳＡＷフィルタ２３Ａおよび２３Ｂに対向する分割領域２１Ａおよび２１Ｂは互いに電気的に分離されている（短絡されていない。）。従って、例えば、ＳＡＷフィルタ２３Ａおよび２３Ｂのアイソレーションが向上し、ひいては、ＳＡＷ装置１全体としてのフィルタ特性が向上する。また、例えば、位置Ｐ２、Ｐ３、Ｐ５およびＰ６の第２貫通導体５１は、ＳＡＷフィルタ２３Ａと２３Ｂとを立体的に遮るシールドとしても機能する。
　本実施形態では、第２貫通導体５１がその上に設けられる配線２７Ｅは、第２貫通導体５１がその上に設けられない配線２７Ｂよりも厚い。
　従って、例えば、配線２７Ｅは、第２貫通導体５１から受ける力によって圧電基板１１から剥離したり、断線したりするおそれが低減される。また、別の観点では、第２貫通導体５１は、より強固に圧電基板１１に固定される。ひいては、補強層９の剥離のおそれが低減される。
　図５（ａ）に示したように、ＳＡＷ装置１は、補強層９を覆う絶縁層４３をさらに有していてもよい。絶縁層４３は、第１貫通導体４７の直上に位置せず、かつ第２貫通導体５１の直上に位置している。すなわち、第１貫通導体４７は、端子３を構成しているのに対して、第２貫通導体５１は、端子を構成していない。
　ここで、絶縁層４３は、例えば、補強層９の表面の凹凸の影響を受けてその上面に凹凸を生じさせる。従って、絶縁層４３が設けられる場合においても、図７（ａ）～図７（ｄ）を参照して説明した平坦性の効果が絶縁層４３の上面に関して奏される。一方、端子３を構成する第１貫通導体４７上においては、平坦性が確保される必要性は低い。従って、第１貫通導体４７の径を相対的に大きく、第２貫通導体５１の径を相対的に小さくすることによって、補強層９の平坦性を確保しつつ、バンプ４５の接合面積を大きくすることができる。
　なお、以上の実施形態において、ＩＤＴ電極２９は励振電極の一例である。導電層１０または補強層９は導電層の一例である。蓋部１７は樹脂層の一例である。Ｄ２軸方向は所定方向の一例である。ＩＤＴ電極２９Ｂ～２９Ｄは第１～第３ＩＤＴ電極の一例である。これらに接続されている配線２７Ｅ（位置Ｐ２を含む）、配線２７Ｂ（位置Ｐ２とＰ３との間）および配線２７Ｅ（位置Ｐ３を含む）は、第１～第３配線の一例である。ＳＡＷフィルタ２３Ａおよび２３Ｂは第１および第２フィルタの一例である。位置Ｐ２の第２貫通導体５１は第３貫通導体の一例であり、位置Ｐ５の第２貫通導体５１は第４貫通導体の一例である。
（変形例）
　図８（ａ）～図８（ｃ）を参照して変形例に係るＳＡＷ装置について説明する。変形例の説明では、基本的に、実施形態との相違部分について述べる。特に言及がない点は、実施形態と同様とされてよい。また、以下では、実施形態の構成と同様または類似する構成については、実施形態の符号を用いる。
　図８（ａ）は、変形例に係るＳＡＷ装置２０１の構成を示す断面図であり、図５（ａ）に対応している。
　ＳＡＷ装置２０１において、実施形態の第２貫通導体５１に対応する第２貫通導体２０３は、カバー７のうち枠部１５のみを貫通している（別の観点では実施形態の下部５１ａのみからなる。）。そして、第２貫通導体２０３同士は、枠部１５と蓋部１７との間に位置している導電層である中間層２０５によって互いに接続されている。なお、特に図示しないが、中間層２０５は、基準電位が付与される端子３と接続されている。このように、第２貫通導体２０３の上端に重なる導電層は、カバー７上に位置するものではなく、カバー７の内部に位置するものであってもよい。
　ＳＡＷ装置２０１の製造方法は、ＳＡＷ装置１の製造方法と概略同等である。ただし、例えば、枠部１５の形成後、蓋部１７となる感光性樹脂層の形成前に、第１貫通導体４７の下部４７ａおよび第２貫通導体２０３を形成するとともに中間層２０５を形成する。その形成方法は、例えば、実施形態と同様に、下地層７３の形成および金属７７の析出によるものであってよい。中間層２０５は、下地層７３のみから構成されてもよい。
　なお、図示の例では、ＳＡＷ装置２０１は、補強層９を有していないが、実施形態と同様に、補強層９を有していてもよい。
　この変形例においても、第２貫通導体２０３の径が第１貫通導体４７の径に比較して小さいことによって、種々の効果が奏される。例えば、中間層２０５が凹む蓋然性が低下するから、中間層２０５と蓋部１７との間の密着性が向上することが期待される。また、例えば、第２貫通導体２０３の径および数の調整によって、圧電基板１１に生じる熱応力を調整することができる。
　図８（ｂ）は、変形例に係るＳＡＷ装置２１１の構成を示す断面図であり、図５（ａ）に対応している。
　ＳＡＷ装置２１１では、貫通孔７ｈ内に第１貫通導体４７（端子３）が設けられていない。貫通孔７ｈ内には、バンプ４５が配置される。そして、パッド２５と、ＳＡＷ装置２１１が実装される回路基板２１３のパッド２１５とがバンプ４５によって接合される。バンプ４５は、パッド２５上に設けられていたものがパッド２１５に接合されてもよいし、パッド２１５上に設けられていたものがパッド２５に接合されてもよい。
　この変形例においても、第２貫通導体５１の径が貫通孔７ｈの径に比較して小さいことによって、種々の効果が奏される。例えば、補強層９の平坦性が確保されつつ、補強層９の剥がれを抑制することができる。
　図８（ｃ）は、変形例に係る第２貫通導体２２１を示す断面図であり、図５（ｃ）に対応している。
　第２貫通導体２２１は、枠部１５を貫通する下部２２１ａと、蓋部１７を貫通する上部２２１ｂとを有している。下部２２１ａの形状は、実施形態の下部５１ａの形状と同様である。一方、上部２２１ｂの形状は、実施形態の上部５１ｂの形状に対して、テーパの向きが逆になっている。すなわち、上部２２１ｂは、上方ほど拡径する第２テーパ部２２１ｂｂと、第２テーパ部２２１ｂｂの上に位置し、上方ほど縮径する第１テーパ部２２１ｂａとを有している。このような形状の第２貫通導体２２１は、例えば、蓋部１７となる感光性樹脂として、ネガ型のものを用いるのではなく、ポジ型のものを用いることによって実現される。
＜応用例＞
（分波器）
　図９は、ＳＡＷ装置１の応用例としての分波器１０１の構成を模式的に示す回路図である。この図の紙面左上に示された符号から理解されるように、この図では、櫛歯電極３３が二叉のフォーク形状によって模式的に示されている。
　分波器１０１は、例えば、送信端子１０５からの送信信号をフィルタリングしてアンテナ端子１０３へ出力する送信フィルタ１０９と、アンテナ端子１０３からの受信信号をフィルタリングして受信端子１０７へ出力する受信フィルタ１１１とを有している。
　送信フィルタ１０９は、例えば、複数のＳＡＷ共振子１１３がラダー型に接続されたラダー型ＳＡＷ共振子フィルタによって構成されている。ＳＡＷ共振子１１３は、例えば、１ポートＳＡＷ共振子であり、１つのＩＤＴ電極２９と、ＳＡＷの伝搬方向においてＩＤＴ電極２９の両側に位置する１対の反射器３１とを有している。
　受信フィルタ１１１は、例えば、ＳＡＷ装置１によって構成されている。アンテナ端子１０３は、端子３Ｆまたは端子３Ｆに接続された端子であり、受信端子１０７は、端子３Ｃまたは端子３Ｃに接続された端子である。
　なお、ＳＡＷ装置１によって受信フィルタ１１１が構成されている場合を例示したが、受信フィルタ１１１に代えて、または加えて、ＳＡＷ装置１によって送信フィルタ１０９が構成されてもよい。
　送信フィルタ１０９および受信フィルタ１１１は、互いに同一の圧電基板１１上に設けられていてもよいし、互いに異なる圧電基板１１に設けられ、共通の回路基板に実装されて接続されていてもよい。
（通信装置）
　図１０は、ＳＡＷ装置１（分波器１０１）の利用例としての通信装置１５１の要部の構成を示すブロック図である。通信装置１５１は、電波を利用した無線通信を行うものであり、上述の分波器１０１を含んでいる。
　通信装置１５１において、送信すべき情報を含む送信情報信号ＴＩＳは、ＲＦ－ＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）１５３によって変調および周波数の引き上げ（搬送波周波数の高周波信号への変換）がなされて送信信号ＴＳとされる。送信信号ＴＳは、バンドパスフィルタ１５５によって送信用の通過帯以外の不要成分が除去され、増幅器１５７によって増幅されて分波器１０１（送信端子１０５）に入力される。そして、分波器１０１は、入力された送信信号ＴＳから送信用の通過帯以外の不要成分を除去し、その除去後の送信信号ＴＳをアンテナ端子１０３からアンテナ１５９に出力する。アンテナ１５９は、入力された電気信号（送信信号ＴＳ）を無線信号（電波）に変換して送信する。
　また、通信装置１５１において、アンテナ１５９によって受信された無線信号（電波）は、アンテナ１５９によって電気信号（受信信号ＲＳ）に変換されて分波器１０１（アンテナ端子１０３）に入力される。分波器１０１は、入力された受信信号ＲＳから受信用の通過帯以外の不要成分を除去して増幅器１６１に出力する。出力された受信信号ＲＳは、増幅器１６１によって増幅され、バンドパスフィルタ１６３によって受信用の通過帯以外の不要成分が除去される。そして、受信信号ＲＳは、ＲＦ－ＩＣ１５３によって周波数の引き下げおよび復調がなされて受信情報信号ＲＩＳとされる。
　なお、送信情報信号ＴＩＳおよび受信情報信号ＲＩＳは、適宜な情報を含む低周波信号（ベースバンド信号）でよく、例えば、アナログの音声信号もしくはデジタル化された音声信号である。無線信号の通過帯は、各種の規格に従ったものでよい。変調方式は、位相変調、振幅変調、周波数変調もしくはこれらのいずれか２つ以上の組み合わせのいずれであってもよい。回路方式は、図１０では、ダイレクトコンバージョン方式を例示したが、それ以外の適宜なものとされてよく、例えば、ダブルスーパーヘテロダイン方式であってもよい。また、図１０は、要部のみを模式的に示すものであり、適宜な位置にローパスフィルタやアイソレータ等が追加されてもよいし、また、増幅器等の位置が変更されてもよい。
　本発明は、以上の実施形態および変形例に限定されず、種々の態様で実施されてよい。実施形態および変形例は、適宜に組み合わされてよい。
　弾性波装置は、ＳＡＷ装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）装置であってもよいし、圧電薄膜共振器を含むものであってもよいし、弾性境界波（ただし、ＳＡＷの一種と捉えられてもよい。）装置であってもよい。弾性波装置がフィルタを有している場合において、フィルタは、多重モード型のものに限定されない。例えば、図９の説明において言及したラダー型フィルタであってもよい。
　第１貫通導体の上部、下部および／または第２貫通導体の下部は、断面が貫通方向において一定の形状（円柱状等）に限らず、カバーの上面側ほど縮径するテーパ状であってもよいし、カバーの上面側ほど拡径するテーパ状であってもよいし、第２貫通導体の上部と同様に、２つのテーパ部を有していてもよい。逆に、第２貫通導体の上部は、断面が貫通方向において一定の形状（円柱状等）であってもよいし、テーパ部を１つのみ有するものであってもよい。
　第１貫通導体は、カバーの全体を貫通するものに限定されず、例えば、枠部のみまたは蓋部のみを貫通するものであってもよい。また、第２貫通導体は、カバーの全体または枠部のみを貫通するものに限定されず、例えば、蓋部のみを貫通するものであってもよい。
　実施形態では、第２貫通導体および導電層（補強層）は、基準電位が付与された。ただし、これらは、入力信号または出力信号が付与されるものであってもよい。
　カバーは、２層からなるものに限定されない。例えば、カバーは、３層以上から構成されてもよい。また、カバーは、空間となる犠牲層を覆うように樹脂層が形成され、その後、犠牲層が除去されることによって全体が一体的に形成されてもよい。また、上述した弾性境界波装置においては、励振電極上に空間が形成される必要はなく、カバーは、１層のみから構成されてよい。
　図８（ａ）の変形例から理解されるように、第２貫通導体の上端に接続される導電層は、蓋部の補強を目的としないものであってもよい。このことは、導電層がカバーの上面に設けられる場合も同様である。また第２貫通導体の配置は、立体配線を要するところに限定されない。
　カバー７は、基板５の上面を覆うものである。このため、カバーの枠部は、上述の実施形態のように必ずしも圧電基板１１の上面のみに接合される必要はない。例えば、支持基板１３の平面形状が圧電基板１１の平面形状よりも大きい場合には、基板５の上面は、圧電基板から露出する支持基板の上面を含む場合がある。この場合には、枠部１５は支持基板１３上に重なる領域があってもよい。
　同様に、この場合には、圧電基板から露出する支持基板１３の上面に位置する端子３があってもよい。より具体的には、端子３を構成する第１貫通導体が支持基板上に位置し、第２貫通導体が圧電基板上に位置する構成であってもよい。特に圧電基板が薄い場合には、基板と強固に接合させるために、面積の大きい第１貫通導体を厚い支持基板上に配置させてもよい。圧電基板の剥離はクラック等の発生を抑制することができる。また、圧電基板と接する第２貫通導体の面積を小さくすることで薄い圧電基板への応力印加を抑制することができる。
　１…ＳＡＷ装置（弾性波装置）、７…カバー、９…補強層（導電層）、１１…圧電基板、２９…ＩＤＴ電極（励振電極）、４７…第１貫通導体、５１…第２貫通導体。

Claims (13)

  1. 　圧電基板を含む基板と、
    　前記圧電基板の上面に位置している励振電極と、
    　前記励振電極の上から前記基板の上面を覆っているカバーと、
    　前記基板の上面側から前記カバーの上面側へ前記カバーの少なくとも一部を貫通している、少なくとも１つの第１貫通導体と、
    　平面視において前記第１貫通導体よりも前記基板の内側に位置しており、前記基板の上面側から前記カバーの上面側へ前記カバーの少なくとも一部を貫通しており、前記第１貫通導体よりも径が小さい、少なくとも１つの第２貫通導体と、
    　前記カバーの上面または内部に位置しており、前記第２貫通導体の上端に重なっている導電層と、
    　を有している弾性波装置。
  2. 　前記導電層は前記カバーの上面に位置している
    　請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　複数の前記第２貫通導体間の最も短い距離が、複数の前記第１貫通導体間の最も短い距離よりも短い
    　請求項２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記カバーは、単一の材料から一体的に形成されている樹脂層を含み、
    　前記樹脂層内の、前記圧電基板の上面に直交する断面において、前記第１貫通導体の側面の形状と、前記第２貫通導体の側面の形状とが互いに異なる
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  5. 　前記カバーは、単一の材料から一体的に形成されている樹脂層を含み、
    　前記第２貫通導体は、前記樹脂層内に、
    　　前記カバーの上面側ほど縮径する第１テーパ部と、
    　　前記カバーの上面側ほど拡径する第２テーパ部と、を有している
    　請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　複数の前記第２貫通導体は、
    　　平面視において所定方向に並んで第１列を構成している２以上の前記第２貫通導体と、
    　　平面視において前記所定方向に並んで、前記第１列に並列に隣接する第２列を構成している２以上の前記第２貫通導体と、を含んでおり、
    　前記第１列の第２貫通導体の位置と、前記第２列の第２貫通導体の位置とは前記所定方向において互いに異なっている
    　請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  7. 　複数の前記励振電極としての第１ＩＤＴ電極、第２ＩＤＴ電極および第３ＩＤＴ電極が前記圧電基板上に位置していることにより多重モード型のフィルタが構成されており、
    　前記第１ＩＤＴ電極、前記第２ＩＤＴ電極および前記第３ＩＤＴ電極は、この順で弾性波の伝搬方向に並べられており、
    　前記基板上には、前記第１ＩＤＴ電極、前記第２ＩＤＴ電極および前記第３ＩＤＴ電極から前記伝搬方向に交差する方向の同一側に延びる第１配線、第２配線および第３配線が位置しており、
    　複数の前記第２貫通導体は、
    　　前記第１配線上に位置している前記第２貫通導体と、
    　　前記第３配線上に位置している前記第２貫通導体と、を有しており、
    　前記導電層は、前記第１配線上に位置している前記第２貫通導体と、前記第３配線上に位置している前記第２貫通導体とを接続している
    　請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  8. 　複数の前記励振電極としての複数のＩＤＴ電極が前記圧電基板上に位置していることにより多重モード型の第１フィルタおよび第２フィルタが構成されており、
    　前記複数の第２貫通導体は、
    　　平面視において前記第１フィルタと前記第２フィルタとの間に位置しており、前記第１フィルタおよび前記第２フィルタのうち前記第１フィルタのみに接続されている１以上の第３貫通導体と、
    　　平面視において前記第１フィルタと前記第２フィルタとの間に位置しており、前記第１フィルタおよび前記第２フィルタのうち前記第２フィルタのみに接続されている１以上の第４貫通導体と、を含んでおり、
    　前記導電層は、
    　　前記第１フィルタおよび前記第２フィルタのうち第１フィルタのみに対向している第１分割領域と、
    　　前記第１フィルタおよび前記第２フィルタのうち第２フィルタのみに対向している第１分割領域と、を含んでおり、
    　前記第３貫通導体は、前記第１分割領域および前記第２分割領域のうち前記第１分割領域のみに接続されており、
    　前記第４貫通導体は、前記第１分割領域および前記第２分割領域のうち前記第２分割領域のみに接続されている
    　請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 　前記第１配線および前記第３配線は前記第２配線よりも厚い
    　請求項７、または請求項７を引用する請求項８に記載の弾性波装置。
  10. 　前記導電層は前記カバーの上面に位置しており、
    　前記導電層を覆う絶縁層が設けられており、
    　前記絶縁層は、前記第１貫通導体の直上に位置せず、かつ前記第２貫通導体の直上に位置している
    　請求項１～９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  11. 　圧電基板を含む基板と、
    　前記圧電基板の上面に位置している励振電極と、
    　前記励振電極の上から前記基板の上面を覆っているカバーと、
    　前記基板の上面側から前記カバーの上面側へ前記カバーを貫通している、少なくとも１つの貫通孔と、
    　平面視において前記貫通孔よりも前記基板の内側に位置しており、前記基板の上面側から前記カバーの上面側へ前記カバーの少なくとも一部を貫通しており、前記貫通孔よりも径が小さい、少なくとも１つの貫通導体と、
    　前記カバーの上面または内部に位置しており、前記貫通導体の上端に重なっている導電層と、
    　を有している弾性波装置。
  12. 　端子に接続されている送信フィルタと、
    　前記端子に接続されている受信フィルタと、
    　を有しており、
    　前記送信フィルタおよび前記受信フィルタの少なくとも一方は、請求項１～１１のいずれか１項に記載の弾性波装置を含んでいる
    　分波器。
  13. 　アンテナと、
    　前記アンテナと接続されている、請求項１～１１のいずれか１項に記載の弾性波装置と、
    　前記弾性波装置に接続されているＩＣと、
    　を有している通信装置。
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