KR102077583B1 - 탄성파 장치 - Google Patents

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Abstract

비아홀 전극이 빠져나오기 어려운 탄성파 장치를 제공한다. 탄성파 장치(1)는 압전기판(2)과, 압전기판(2) 상에 마련되어 있는 IDT 전극(3)과, 압전기판(2) 상에 마련되어 있고, 개구부(5a)를 가지면서 개구부(5a)에서 IDT 전극(3)을 둘러싸고 있는 지지부재(5)와, 개구부(5a)를 덮고 있으며, 지지부재(5) 상에 마련되어 있는 커버부재(6)와, 커버부재(6) 및 지지부재(5)를 관통하고 있는 비아홀 전극(7A)을 포함한다. 비아홀 전극(7A)은 평면에서 봤을 때에 측면부로부터 외측으로 돌출된 돌출부(7a1)를 가진다. 돌출부(7a1)는 커버부재(6)의 내부에 위치하고 있다.

Description

탄성파 장치
본 발명은 WLP(Wafer Level Package) 구조를 가지는 탄성파 장치에 관한 것이다.
종래, 탄성파 장치는 휴대전화기 필터 등에 널리 이용되고 있다. 예를 들면 하기의 특허문헌 1에는, WLP 구조를 가지는 탄성파 장치의 일례가 기재되어 있다. 이 탄성파 장치는 압전기판 상에 마련된 프레임부재와, 프레임부재 상에 마련된 커버부재를 가진다. 프레임부재 및 커버부재를 관통하도록, 비아홀 전극이 마련되어 있다. 비아홀 전극은 프레임부재 중에 위치하는 제1 기둥부와, 커버부재 중에 위치하는 제2 기둥부를 가진다. 제2 기둥부의 측면은 경사져 있다. 이로써, 탄성파 장치에 응력이 가해졌을 때 등에, 비아홀 전극이 프레임부재 및 커버부재로부터 빠져나오기 어렵다고 되어 있다.
일본 공개특허공보 특개2014-222886호
특허문헌 1에 기재된 탄성파 장치에서는, 제2 기둥부의 측면의 경사각도가 작은 경우에는, 비아홀 전극이 빠져나오기 쉬워지는 경향이 있었다.
본 발명의 목적은 비아홀 전극이 빠져나오기 어려운, 탄성파 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치는, 압전기판과, 상기 압전기판 상에 마련되어 있는 IDT 전극과, 상기 압전기판 상에 마련되어 있고, 개구부를 가지면서 상기 개구부에서 상기 IDT 전극을 둘러싸고 있는 지지부재와, 상기 개구부를 덮고 있으며, 상기 지지부재 상에 마련되어 있는 커버부재와, 상기 커버부재 및 상기 지지부재를 관통하고 있으면서 상기 압전기판 측에 위치하는 한쪽 단부(端部)와, 상기 압전기판 측과는 반대측에 위치하는 다른쪽 단부와, 상기 한쪽 단부와 상기 다른쪽 단부를 연결하는 측면부를 가지는 비아홀 전극을 포함하고, 상기 비아홀 전극은 평면에서 봤을 때에 상기 측면부로부터 외측으로 돌출된 돌출부를 가지며, 상기 돌출부는 상기 커버부재의 내부에 위치하고 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 어느 특정한 국면에서는, 상기 돌출부는 상기 비아홀 전극이 연장되는 방향과 교차되는 방향으로 연장되어 있는 돌출면을 가진다. 이 경우에는, 비아홀 전극이 지지부재 및 커버부재로부터 빠져나오는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 다른 특정한 국면에서는, 상기 돌출면은 상기 비아홀 전극이 연장되는 방향과 직교되는 방향으로 연장되어 있다. 이 경우에는, 비아홀 전극이 지지부재 및 커버부재로부터 빠져나오는 것을 보다 한층 효과적으로 억제할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 커버부재는 상기 지지부재에 접착되어 있는 접착층과 상기 접착층 상에 마련되어 있는 보호층을 가지며, 상기 접착층의 탄성률은 상기 보호층의 탄성률보다도 낮다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 돌출부가 상기 접착층의 표면 또는 상기 접착층의 내부에 위치하고 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 다른 특정한 국면에서는, 상기 돌출부는 상기 비아홀 전극이 연장되는 방향과 교차되는 방향으로 연장되어 있는 돌출면을 가지며, 상기 돌출면은 상기 커버부재에서의 상기 보호층의 상기 접착층 측의 주면(主面)에 접촉되어 있다. 이 경우에는, 접착층보다도 탄성률이 높은 보호층에 돌출면이 접촉되어 있다. 따라서, 비아홀 전극이 지지부재 및 커버부재로부터 보다 한층 빠져나오기 어렵다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 돌출부는 상기 비아홀 전극이 연장되는 방향과 교차되는 방향으로 연장되어 있는 돌출면을 가지며, 상기 비아홀 전극을 횡단하는 방향을 폭 방향으로 했을 때에, 상기 비아홀 전극이 상기 압전기판 측에 위치하는 한쪽 단부로부터 상기 돌출면에 걸쳐 폭이 넓어지도록, 상기 비아홀 전극의 측면부가 경사져 있다. 이 경우에는, 비아홀 전극이 지지부재 및 커버부재로부터 보다 한층 빠져나오기 어렵다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 돌출부는 상기 비아홀 전극이 연장되는 방향과 교차되는 방향으로 연장되어 있는 돌출면을 가지며, 상기 비아홀 전극에서의 상기 압전기판 측과는 반대측에 위치하는 다른쪽 단부의 평면적은 상기 비아홀 전극에서의 상기 돌출면이 위치하는 부분의 횡단 면적보다도 크다. 이 경우에는, 비아홀 전극의 압전기판과는 반대측의 단부에 범프 등을 접합할 때에, 상기 단부와 범프 등의 접합력을 효과적으로 크게 할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 접착층이 에폭시계 수지로 이루어지고, 상기 보호층이 폴리이미드로 이루어진다.
본 발명에 따르면 비아홀 전극이 빠져나오기 어려운 탄성파 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 정면단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 비아홀 전극 주변을 확대한 정면단면도이다.
도 3은 비교예의 탄성파 장치의 비아홀 전극 주변을 확대한 정면단면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시형태에서의 비아홀 전극의 평면도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시형태의 변형예에 따른 탄성파 장치의 비아홀 전극 주변을 확대한 정면단면도이다.
도 6(a)~도 6(d)는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 정면단면도이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 탄성파 장치의 비아홀 전극 주변을 확대한 정면단면도이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명함으로써 본 발명을 분명히 한다.
또한, 본 명세서에 기재된 각 실시형태는 예시적인 것이며, 다른 실시형태 사이에서 구성의 부분적인 치환 또는 조합이 가능한 것을 지적해 둔다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 정면단면도이다.
탄성파 장치(1)는 압전기판(2)을 가진다. 압전기판(2)은, 예를 들면 적당한 압전 단결정이나 압전 세라믹스로 이루어진다. 압전기판(2) 상에는 IDT 전극(3)이 마련되어 있다. IDT 전극(3)에 교류 전압을 인가함으로써 탄성파가 여진(勵振)된다.
압전기판(2) 상에는 전극랜드(4A, 4B)가 마련되어 있다. 본 실시형태에서는, 전극랜드(4A, 4B)는 IDT 전극(3)에 전기적으로 접속되어 있다.
압전기판(2) 상에는 개구부(5a)를 가지는 지지부재(5)가 마련되어 있다. 지지부재(5)는 전극랜드(4A, 4B)를 덮도록 마련되어 있다. IDT 전극(3)은 개구부(5a) 내에 위치하고 있고, IDT 전극(3)은 지지부재(5)에 의해 둘러싸여 있다. 지지부재(5)는 적당한 수지 등으로 이루어진다.
지지부재(5) 상에는 개구부(5a)를 덮도록 커버부재(6)가 마련되어 있다. 그로써, 압전기판(2), 지지부재(5) 및 커버부재(6)에 의해 둘러싸인 중공 공간이 형성되어 있다. 커버부재(6)는 지지부재(5)에 접착되어 있는 접착층(6a)을 가진다. 커버부재(6)는 접착층(6a) 상에 마련되어 있는 보호층(6b)을 가진다. 접착층(6a)의 탄성률보다도 보호층(6b)의 탄성률이 높다. 접착층(6a)은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 에폭시계 수지로 이루어진다. 보호층(6b)은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 폴리이미드로 이루어진다. 또한, 커버부재(6)는 접착층(6a) 및 보호층(6b)을 가지고 있지 않아도 된다.
지지부재(5) 및 커버부재(6)를 관통하도록, 비아홀 전극(7A, 7B)이 마련되어 있다. 비아홀 전극(7A, 7B)은, 압전기판(2) 측의 한쪽 단부인 제1 단부(7A1, 7B1) 및 압전기판(2) 측과는 반대측의 다른쪽 단부인 제2 단부(7A2, 7B2)를 각각 가진다. 비아홀 전극(7A)은 제1 단부(7A1)와 제2 단부(7A2)를 연결하는 측면부를 가진다. 마찬가지로, 비아홀 전극(7B)은 제1 단부(7B1)와 제2 단부(7B2)를 연결하는 측면부를 가진다. 비아홀 전극(7A, 7B)의 평면 형상은 특별히 한정되지 않지만, 본 실시형태에서는 상기 평면 형상은 원형이다.
비아홀 전극(7A)의 제1 단부(7A1)는 상기 전극랜드(4A)에 접속되어 있다. 비아홀 전극(7B)의 제1 단부(7B1)는 상기 전극랜드(4B)에 접속되어 있다. 비아홀 전극(7A, 7B)의 제2 단부(7A2, 7B2)에는, 범프(8)가 각각 접합되어 있다. 비아홀 전극(7A, 7B)은 적당한 금속으로 이루어진다. 범프(8)는 솔더 등으로 이루어진다.
탄성파 장치(1)의 실장 시에, 탄성파 장치(1)는 범프(8)를 개재하여 실장기판 등에 접합된다. 본 실시형태에서는, IDT 전극(3)은 전극랜드(4A, 4B), 비아홀 전극(7A, 7B) 및 범프(8)를 개재하여 외부에 전기적으로 접속된다. 또한, 비아홀 전극(7A, 7B)의 제2 단부(7A2, 7B2)에는, 범프(8) 이외의 도전성 접합제나 단자가 접합되어 있어도 된다.
도 2는 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 비아홀 전극 주변을 확대한 정면단면도이다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 비아홀 전극(7A)은 제1 단부(7A1)와 제2 단부(7A2) 사이에서의 일부가, 평면에서 봤을 때에 측면부로부터 외측으로 돌출된 돌출부(7a1)를 가진다. 이 돌출부(7a1)는, 본 실시형태에서는 비아홀 전극(7A)이 연장되는 방향과 직교되는 방향으로 연장되어 있는 돌출면(7a2)을 가진다. 또한, 돌출면(7a2)은 비아홀 전극(7A)이 연장되는 방향과 교차되는 방향으로 연장되어 있으면 된다.
돌출부(7a1)는 커버부재(6)의 내부에 위치하고 있다. 보다 구체적으로는, 돌출부(7a1)는 커버부재(6)에서의 접착층(6a) 측에 위치하고 있다. 돌출면(7a2)은 보호층(6b)의 접착층(6a)측의 면에 접촉되어 있다.
여기서, 비아홀 전극(7A)을 횡단하는 방향을, 비아홀 전극(7A)의 폭 방향으로 한다. 이 때 본 실시형태에서는, 비아홀 전극(7A)의 제1 단부(7A1)로부터 돌출면(7a2)에 걸쳐 폭이 넓어지도록, 비아홀 전극(7A)의 측면부가 경사져 있다. 비아홀 전극(7A)의, 돌출면(7a2)보다도 제2 단부(7A2) 측 부분의 측면부도, 제2 단부(7A2)를 향함에 따라 폭이 넓어지도록 경사져 있다.
도 1에 나타내는 비아홀 전극(7B)도, 비아홀 전극(7A)과 동일한 구성을 가진다. 또한, 탄성파 장치(1)는, 비아홀 전극(7A, 7B) 이외의 복수의 비아홀 전극을 가지고 있어도 된다. 탄성파 장치(1)에서의 복수의 비아홀 전극 중 적어도 1개가, 비아홀 전극(7A)의 구성을 가지고 있으면 된다.
본 실시형태의 특징은, 비아홀 전극(7A)이 커버부재(6)의 내부에 위치하는 돌출부(7a1)를 가지는 것에 있다. 돌출부(7a1)와 커버부재(6)가 접촉되어 있다. 따라서, 예를 들면 탄성파 장치(1)에, 비아홀 전극(7A)이 연장되는 방향으로 끌어 당기는 힘이 가해졌을 때, 비아홀 전극(7A)은 지지부재(5) 및 커버부재(6)로부터 빠져나오기 어렵다. 이하에서 본 실시형태와 비교예를 비교함으로써, 본 실시형태의 효과를 보다 상세하게 설명한다.
도 3은 비교예의 탄성파 장치의 비아홀 전극 주변을 확대한 정면단면도이다.
비교예에서의 비아홀 전극(107)은, 지지부재(105)를 관통하고 있는 제1 부분(107b) 및 커버부재(106)를 관통하고 있는 제2 부분(107c)을 가진다. 제2 부분(107c)의 압전기판(102) 측의 단부는 커버부재(106)로부터 노출되어 있고, 지지부재(105)에 접촉되어 있다. 비아홀 전극(107)은 커버부재(106)의 내부에 위치하는 돌출부를 가지지 않는다. 제2 부분(107c)의 측면부는 경사져 있다. 제2 부분(107c)의 압전기판(102) 측과는 반대측의 단부에는, 단자(108)가 접속되어 있다.
비교예에서는, 제2 부분(107c)의 측면부가 평면에서 봤을 때에 안쪽으로 크게 경사질수록, 비아홀 전극(107)을 지지부재(105) 및 커버부재(106)로부터 빠져나오기 어렵게 할 수 있다. 그러나, 제2 부분(107c)의 측면부를 상기한 바와 같이 크게 경사지게 할 수록, 비아홀 전극(107)과 단자(108)의 접합 면적이 작아진다. 그 때문에, 비아홀 전극(107)과 단자(108)의 접합력이 작아진다.
한편, 제2 부분(107c)의 측면부를 상기한 바와 같이 크게 경사지게 할 때에, 제2 부분(107c)의 압전기판(102) 측의 단부의 평면적을 크게 하는 경우에는, 상기 단부와 지지부재(105)의 접촉 면적이 커진다. 그 때문에, 커버부재(106)와 지지부재(105)의 접합 면적이 작아져, 커버부재(106)와 지지부재(105)의 접합력이 작아진다.
또한, 비아홀 전극(107)은 금속으로 이루어지고, 지지부재(106)는 수지로 이루어진다. 그 때문에, 비아홀 전극(107)의 상기 단부와 지지부재(105)는 접합되기 어렵다. 상기 단부와 지지부재(105)의 접촉 면적이 커지면, 지지부재(105)와 커버부재(106)가 박리되기 쉬워지는 경향이 있다.
이에 대하여, 도 1에 나타내는 본 실시형태에서는, 비아홀 전극(7A)은 커버부재(6)의 내부에 위치하고 있는 돌출부(7a1)를 가진다. 따라서, 지지부재(5)와 커버부재(6)의 접합력을 작게 하지 않고, 비아홀 전극(7A)을 지지부재(5) 및 커버부재(6)로부터 효과적으로 빠져나오기 어렵게 할 수 있다.
덧붙여, 본 실시형태에서는, 비아홀 전극(7A)의 제2 단부(7A2)와 범프(8)의 접합 면적을 작게 할 필요는 없다. 따라서, 비아홀 전극(7A)과 범프(8)의 접합력을 작게 하지 않고, 상기 효과를 얻을 수 있다.
돌출부(7a1)는 돌출면(7a2)을 가지는 것이 바람직하다. 그로써, 비아홀 전극(7A)이 지지부재(5) 및 커버부재(6)로부터 빠져나오는 것을 효과적으로 억제할 수 있다. 보다 바람직하게는, 돌출면(7a2)은 비아홀 전극(7A)이 연장되는 방향과 직교되는 방향으로 연장되어 있는 것이 바람직하다. 돌출면(7a2)과 커버부재(6)는 접촉되어 있다. 그로써, 예를 들면 탄성파 장치(1)에 비아홀 전극(7A)이 연장되는 방향으로 끌어 당기는 힘이 가해졌을 때, 비아홀 전극(7A)이 지지부재(5) 및 커버부재(6)로부터 빠져나오는 것을 보다 한층 억제할 수 있다.
돌출부(7a1)는 접착층(6a)의 표면 또는 접착층(6a)의 내부에 위치하고 있어도 된다. 본 실시형태와 같이 돌출부(7a1)가 돌출면(7a2)을 가지는 경우, 돌출면(7a2)은 보호층(6b)의 접착층(6a) 측의 주면에 접촉되어 있는 것이 바람직하다. 접착층(6a)보다도 탄성률이 높은 보호층(6b)에 돌출면(7a2)이 접촉되어 있기 때문에, 비아홀 전극(7A)은 지지부재(5) 및 커버부재(6)로부터 보다 한층 빠져나오기 어렵다.
또한, 돌출면(7a2)은, 비아홀 전극(7A)이 연장되는 방향과 직교되는 방향으로 연장되어 있는 경우에는, 보호층(6b)의 상기 주면에 바람직하게 돌출면(7a2)을 접촉시킬 수 있다.
본 실시형태에서는, 비아홀 전극(7A)의 측면부는 상기한 바와 같이 경사져 있다. 이로써, 비아홀 전극(7A)은 지지부재(5) 및 커버부재(6)로부터 보다 한층 빠져나오기 어렵다. 덧붙여, 도 4의 평면도에 나타내는 바와 같이, 비아홀 전극(7A)에서의 돌출면(7a2)이 위치하는 부분의 횡단면적보다도, 제2 단부(7A2)의 평면적은 크다. 따라서, 비아홀 전극(7A)과 범프(8)의 접합면적을 크게 할 수 있다. 따라서, 비아홀 전극(7A)과 범프(8)의 접합력을 효과적으로 크게 할 수 있다.
커버부재(6)에서의 복수의 비아홀 전극이 위치하는 부분 이외에, 접착층(6a)의 보호층(6b) 측의 전체면과, 보호층(6b)의 접착층(6a) 측의 전체면이 접합하고 있는 것이 바람직하다. 그로써, 접착층(6a)과 보호층(6b)이 박리되기 어렵다.
또한, 도 5에 나타내는 제1 실시형태의 변형예와 같이, 비아홀 전극(17A)의 측면부는 경사져 있지 않아도 된다.
이하에서, 본 실시형태의 탄성파 장치(1)의 제조 방법의 일례를 설명한다.
도 6(a)~도 6(d)는, 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 정면단면도이다.
도 6(a)에 나타내는 바와 같이, 압전기판(2)을 준비한다. 다음으로 압전기판(2) 상에, IDT 전극(3) 및 전극랜드(4A, 4B)를 마련한다. IDT 전극(3) 및 전극랜드(4A, 4B)는, 예를 들면 스퍼터링법이나 CVD법 등에 의해 마련할 수 있다.
다음으로, 압전기판(2) 상에 IDT 전극(3)을 둘러싸는 개구부(5a)를 가지도록, 지지부재(5)를 마련한다. 이 때, 지지부재(5)를, 전극랜드(4A, 4B)의 적어도 일부를 덮도록 마련한다. 그로써, 후술하는 공정에서, 비아홀 전극과 전극랜드(4A, 4B)를 접속할 수 있다. 지지부재(5)는, 예를 들면 포토리소그래피법에 의해 마련할 수 있다.
다음으로, 도 6(b)에 나타내는 바와 같이, 개구부(5a)를 덮도록, 지지부재(5) 상에 접착층(6a)을 마련한다. 다음으로, 접착층(6a) 및 지지부재(5)을 관통하도록, 비아홀(9Aa, 9Ba)을 형성한다. 비아홀(9Aa, 9Ba)에서 전극랜드(4A, 4B)가 지지부재(5)로부터 각각 노출되도록, 비아홀(9Aa, 9Ba)을 형성한다. 비아홀(9Aa, 9Ba)은 레이저광의 조사(照射)에 의해 형성할 수 있다. 혹은, 기계적으로 절삭하는 것 등에 의해 비아홀(9Aa, 9Ba)을 형성해도 된다.
다음으로, 도 6(c)에 나타내는 바와 같이, 접착층(6a) 상에 보호층(6b)을 적층한다. 다음으로, 평면에서 보아 비아홀(9Aa)과 겹치는 위치에 보호층(6b)을 관통하도록, 비아홀(9Ab)을 형성한다. 비아홀(9Ab)의 압전기판(2) 측의 단부의 폭이 비아홀(9Aa)의 보호층(6b) 측의 단부의 폭보다도 좁아지도록, 비아홀(9Ab)을 형성한다. 이 때, 평면에서 봤을 때에 접착층(6a)과 보호층(6b)이 접착되어 있는 부분에서는, 비아홀(9Aa)의 바깥가장자리는 비아홀(9Ab)의 바깥가장자리보다도 외측에 위치하고 있다.
마찬가지로, 평면에서 보아 비아홀(9Ba)과 겹치는 위치에 보호층(6b)을 관통하도록, 비아홀(9Bb)을 형성한다. 비아홀(9Ab, 9Bb)은, 예를 들면 레이저광의 조사나 기계적인 절삭에 의해 형성할 수 있다.
본 실시형태에서는, 비아홀(9Aa, 9Ab, 9Ba, 9Bb)의 측면부가 경사지도록, 비아홀(9Aa, 9Ab, 9Ba, 9Bb)을 형성하고 있다. 또한, 비아홀(9Aa, 9Ab, 9Ba, 9Bb)의 측면부를 경사지게 하지 않아도 된다. 또한, 상기의 비아홀의 형성 방법은 일례이며, 상기의 방법에는 한정되지 않는다.
다음으로, 도 6(d)에 나타내는 바와 같이, 비아홀(9Aa, 9Ab) 내에 비아홀 전극(7A)을 마련한다. 본 실시형태에서는, 비아홀 전극(7A)은 접착층(6a)과 보호층(6b)이 접착되어 있는 부분에서의, 비아홀(9Aa)의 바깥가장자리로부터 비아홀(9Ab)의 바깥가장자리를 따라 형성된 부분을 포함한다. 이 부분이, 비아홀 전극(7A)의 상기 돌출면(7a2)이다.
마찬가지로, 비아홀(9Ba, 9Bb)내에 비아홀 전극(7B)을 마련한다. 이로써, 비아홀 전극(7A, 7B)과 전극랜드(4A, 4B)를 각각 접속한다. 비아홀 전극(7A, 7B)은, 예를 들면 전해 도금법 등에 의해 마련할 수 있다. 다음으로, 비아홀 전극(7A, 7B)의 제2 단부(7A2, 7B2)에, 범프(8)를 각각 접합한다.
또한, 압전기판(2)을 준비하는 공정에서 머더의 압전기판을 준비해도 된다. 즉, 머더의 압전기판 상에서 복수의 탄성파 장치(1)를 동시에 형성하고, 개편화(個片化)함으로써 각 탄성파 장치(1)를 얻어도 된다.
도 7은 제2 실시형태에 따른 탄성파 장치의 비아홀 전극 주변을 확대한 정면단면도이다.
본 실시형태는, 비아홀 전극(27A)의 돌출부(27a1)가, 제1 돌출면(27a2)과 제2 돌출면(27a3)을 가지는 점에서 제1 실시형태와 다르다. 상기의 점 이외에서는, 제2 실시형태의 탄성파 장치는 제1 실시형태의 탄성파 장치(1)와 동일한 구성을 가진다.
제1 돌출면(27a2) 및 제2 돌출면(27a3)은, 비아홀 전극(27A)이 연장되는 방향과 직교되는 방향으로 연장되어 있다. 제1 돌출면(27a2)은 제2 단부(7A2) 측에 위치하고 있고, 제2 돌출면(27a3)은 제1 단부(7A1) 측에 위치하고 있다. 또한, 제1 돌출면(27a2) 및 제2 돌출면(27a3)은, 비아홀 전극(27A)이 연장되는 방향과 교차되는 방향으로 연장되어 있으면 된다.
제1 돌출면(27a2)은, 도 1에 나타내는 제1 실시형태에서의 돌출면(7a2)과 마찬가지로 보호층(6b)의 접착층(6a)측의 면에 접촉되어 있다. 한편, 제2 돌출면(27a3)은 지지부재(5)의 접착층(6a)측의 면에 접촉되어 있다. 그로써, 비아홀 전극(27A)은 보다 한층 빠져나오기 어렵다.
상기한 바와 같이 본 실시형태에서는, 비아홀 전극(27A)은 제1 돌출면(27a2) 및 제2 돌출면(27a3)에서 보호층(6b)의 접착층(6a)측의 면 및 지지부재(5)의 접착층(6a)측의 면의 쌍방에 접촉되어 있다. 이로써, 비아홀 전극(27A)과 커버부재(6) 및 지지부재(5)의 계면에서의, 제2 단면(7A2)으로부터 제1 단면(7A1)에 이르는 연면(沿面)거리가 길다. 따라서, 외부로부터 수분이 침입한 경우라도, 수분의 침입 속도를 늦게 할 수 있어, 배선전극이 부식되기 어렵다.
1: 탄성파 장치 2: 압전기판
3: IDT 전극 4A, 4B: 전극랜드
5: 지지부재 5a: 개구부
6: 커버부재 6a: 접착층
6b: 보호층 7A, 7B: 비아홀 전극
7A1, 7B1: 제1 단부 7A2, 7B2: 제2 단부
7a1: 돌출부 7a2: 돌출면
8: 범프 9Aa, 9Ab, 9Ba, 9Bb: 비아홀
17A: 비아홀 전극 27A: 비아홀 전극
27a1: 돌출부 27a2, 27a3: 제1, 제2 돌출면
102: 압전기판 105: 지지부재
106: 커버부재 107: 비아홀 전극
107b, 107c: 제1, 제2 부분 108: 단자

Claims (9)

  1. 압전기판과,
    상기 압전기판 상에 마련되어 있는 IDT 전극과,
    상기 압전기판 상에 마련되어 있고, 개구부를 가지면서 상기 개구부에서 상기 IDT 전극을 둘러싸고 있는 지지부재와,
    상기 개구부를 덮고 있으며, 상기 지지부재 상에 마련되어 있는 커버부재와,
    상기 커버부재 및 상기 지지부재를 관통하고 있으면서 상기 압전기판 측에 위치하는 한쪽 단부(端部)와, 상기 압전기판 측과는 반대측에 위치하는 다른쪽 단부와, 상기 한쪽 단부의 바깥가장자리와 상기 다른쪽 단부의 바깥가장자리를 연결하는 측면부를 가지는 비아홀 전극을 포함하고,
    상기 비아홀 전극은 평면에서 봤을 때에 상기 측면부로부터 외측으로 돌출된 돌출부를 가지며,
    상기 돌출부는 상기 커버부재의 내부에 위치하고 있고,
    상기 돌출부는 제1 돌출면과 상기 제1 돌출면보다도 상기 한쪽 단부 측에 위치하는 상기 제2 돌출면을 가지며,
    상기 제1 돌출면 및 상기 제2 돌출면은 상기 비아홀 전극이 연장되는 방향과 교차되는 방향으로 연장되어 있고,
    상기 커버 부재는 상기 지지 부재에 접착되어 있는 접착층과 상기 접착층 상에 마련되어 있는 보호층을 가지며,
    상기 제1 돌출면은 상기 보호층에서의 상기 접착층측의 면에 접촉되어 있고,
    상기 제2 돌출면은 상기 지지부재에서의 상기 접착층측의 면에 접촉되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 돌출면 및 제2 돌출면은 상기 비아홀 전극이 연장되는 방향과 직교되는 방향으로 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 접착층의 탄성률은 상기 보호층의 탄성률보다도 낮은 것을 특징으로 하는 탄성파 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 비아홀 전극을 횡단하는 방향을 폭 방향으로 했을 때에, 상기 비아홀 전극이 상기 제2 돌출면으로부터 상기 제1 돌출면에 걸쳐 폭이 넓어지도록, 상기 비아홀 전극의 측면부가 경사져 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 비아홀 전극에서의 상기 압전기판 측과는 반대측에 위치하는 다른쪽 단부의 평면적은 상기 비아홀 전극에서의 상기 제2 돌출면이 위치하는 부분의 횡단 면적보다도 큰 것을 특징으로 하는 탄성파 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 접착층이 에폭시계 수지로 이루어지고, 상기 보호층이 폴리이미드로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210124707A (ko) 2020-04-07 2021-10-15 삼성전기주식회사 체적 음향 공진기
KR102556612B1 (ko) * 2020-08-24 2023-07-19 (주)와이솔 개선된 내전력 성능을 갖는 fbar 칩 구조 및 패키지
WO2022065047A1 (ja) * 2020-09-24 2022-03-31 株式会社村田製作所 フィルタ装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014146906A (ja) * 2013-01-28 2014-08-14 Murata Mfg Co Ltd 圧電デバイス
JP2016010026A (ja) * 2014-06-25 2016-01-18 京セラ株式会社 弾性波素子および通信装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050067681A1 (en) * 2003-09-26 2005-03-31 Tessera, Inc. Package having integral lens and wafer-scale fabrication method therefor
JP4302045B2 (ja) 2004-12-07 2009-07-22 日本メクトロン株式会社 多層フレキシブル回路配線基板及びその製造方法
US8093506B2 (en) * 2006-12-21 2012-01-10 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Multilayer wiring board and power supply structure to be embedded in multilayer wiring board
JP4881211B2 (ja) * 2007-04-13 2012-02-22 新光電気工業株式会社 配線基板の製造方法及び半導体装置の製造方法及び配線基板
WO2010061821A1 (ja) * 2008-11-28 2010-06-03 京セラ株式会社 弾性波装置及びその製造方法
JP5147779B2 (ja) * 2009-04-16 2013-02-20 新光電気工業株式会社 配線基板の製造方法及び半導体パッケージの製造方法
US9270252B2 (en) * 2009-04-28 2016-02-23 Kyocera Corporation Acoustic wave device and method for manufacturing same
JP5532685B2 (ja) 2009-06-01 2014-06-25 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP5404452B2 (ja) * 2010-01-28 2014-01-29 京セラ株式会社 配線基板の製造方法及び配線基板
JP2013090273A (ja) * 2011-10-21 2013-05-13 Murata Mfg Co Ltd 電子部品およびその製造方法
JP5800674B2 (ja) * 2011-10-25 2015-10-28 日本特殊陶業株式会社 配線基板及びその製造方法
WO2014017110A1 (ja) * 2012-07-27 2014-01-30 京セラ株式会社 配線基板およびパッケージ、ならびに電子装置
JP2014127623A (ja) * 2012-12-27 2014-07-07 Shinko Electric Ind Co Ltd 配線基板及び配線基板の製造方法
JP5813177B2 (ja) 2014-06-12 2015-11-17 京セラ株式会社 弾性波装置および回路基板
JP6580039B2 (ja) 2014-06-27 2019-09-25 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
US9693445B2 (en) * 2015-01-30 2017-06-27 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Printed circuit board with thermal via
WO2017212742A1 (ja) * 2016-06-09 2017-12-14 株式会社村田製作所 弾性波装置
US10636730B2 (en) * 2016-11-10 2020-04-28 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package and semiconductor manufacturing process
CN110447169B (zh) * 2017-03-31 2023-06-20 京瓷株式会社 弹性波装置、分波器以及通信装置
US11437563B2 (en) * 2017-07-17 2022-09-06 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Acoustic wave device and method of manufacturing the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014146906A (ja) * 2013-01-28 2014-08-14 Murata Mfg Co Ltd 圧電デバイス
JP2016010026A (ja) * 2014-06-25 2016-01-18 京セラ株式会社 弾性波素子および通信装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN109075769B (zh) 2022-05-27
US20190044497A1 (en) 2019-02-07
US11817847B2 (en) 2023-11-14
WO2017187747A1 (ja) 2017-11-02
KR20180116407A (ko) 2018-10-24
CN109075769A (zh) 2018-12-21

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