WO2017187747A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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福田　大輔
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株式会社村田製作所
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    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device having a WLP (Wafer Level Package) structure.
  • WLP Wafer Level Package
  • Patent Document 1 describes an example of an acoustic wave device having a WLP structure.
  • This elastic wave device has a frame member provided on the piezoelectric substrate and a lid member provided on the frame member.
  • a via hole electrode is provided so as to penetrate the frame member and the lid member.
  • the via-hole electrode has a first pillar portion located in the frame member and a second pillar portion located in the lid member. The side surface of the second pillar portion is inclined. Thereby, when stress is applied to the acoustic wave device, the via-hole electrode is difficult to come off from the frame member and the lid member.
  • An object of the present invention is to provide an acoustic wave device in which a via-hole electrode is difficult to come off.
  • An elastic wave device includes a piezoelectric substrate, an IDT electrode provided on the piezoelectric substrate, an opening provided on the piezoelectric substrate, and the IDT electrode in the opening.
  • a support member that surrounds the cover member, a cover member that covers the opening, and that passes through the cover member and the support member, and is located on the piezoelectric substrate side.
  • a via hole electrode having one end, the other end located on the opposite side of the piezoelectric substrate side, and a side surface connecting the one end and the other end; When viewed, it has an overhanging portion that protrudes outward from the side surface portion, and the overhanging portion is located inside the cover member.
  • the projecting portion has a projecting surface extending in a direction intersecting with a direction in which the via hole electrode extends. In this case, it is possible to effectively suppress the via-hole electrode from coming off from the support member and the cover member.
  • the overhanging surface extends in a direction orthogonal to a direction in which the via-hole electrode extends.
  • the via hole electrode can be more effectively suppressed from coming off from the support member and the cover member.
  • the cover member includes an adhesive layer bonded to the support member, and a protective layer provided on the adhesive layer, The elastic modulus of the adhesive layer is lower than the elastic modulus of the protective layer.
  • the overhanging portion is located on the surface of the adhesive layer or inside the adhesive layer.
  • the projecting portion has a projecting surface extending in a direction intersecting with a direction in which the via-hole electrode extends, and the projecting surface is formed on the cover member. It is in contact with the main surface of the protective layer on the adhesive layer side. In this case, the overhanging surface is in contact with the protective layer having a higher elastic modulus than the adhesive layer. Therefore, the via-hole electrode is more difficult to come off from the support member and the cover member.
  • the projecting portion has a projecting surface extending in a direction intersecting the direction in which the via-hole electrode extends, and the direction transverse to the via-hole electrode is wide.
  • the side surface portion of the via hole electrode is inclined so that the width of the via hole electrode increases from one end portion located on the piezoelectric substrate side to the projecting surface. In this case, the via-hole electrode is more difficult to come off from the support member and the cover member.
  • the projecting portion has a projecting surface extending in a direction intersecting with a direction in which the via hole electrode extends, and the piezoelectric substrate side of the via hole electrode
  • the plane area of the other end located on the opposite side is larger than the cross-sectional area of the portion of the via hole electrode where the projecting surface is located.
  • the adhesive layer is made of an epoxy resin
  • the protective layer is made of polyimide
  • FIG. 1 is a front sectional view of an acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an enlarged front sectional view of the periphery of the via-hole electrode of the acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is an enlarged front sectional view of the periphery of the via hole electrode of the elastic wave device of the comparative example.
  • FIG. 4 is a plan view of the via-hole electrode in the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is an enlarged front cross-sectional view of the periphery of the via-hole electrode of the acoustic wave device according to the modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 (a) to 6 (d) are front sectional views for explaining a method of manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is an enlarged front sectional view of the periphery of the via-hole electrode of the acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a front sectional view of an acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • the acoustic wave device 1 has a piezoelectric substrate 2.
  • the piezoelectric substrate 2 is made of, for example, an appropriate piezoelectric single crystal or piezoelectric ceramic.
  • An IDT electrode 3 is provided on the piezoelectric substrate 2. By applying an AC voltage to the IDT electrode 3, an elastic wave is excited.
  • Electrode lands 4A and 4B are provided on the piezoelectric substrate 2. In the present embodiment, the electrode lands 4A and 4B are electrically connected to the IDT electrode 3.
  • a support member 5 having an opening 5a is provided on the piezoelectric substrate 2.
  • the support member 5 is provided so as to cover the electrode lands 4A and 4B.
  • the IDT electrode 3 is located in the opening 5 a and the IDT electrode 3 is surrounded by the support member 5.
  • the support member 5 is made of an appropriate resin or the like.
  • a cover member 6 is provided on the support member 5 so as to cover the opening 5a. Thereby, a hollow space surrounded by the piezoelectric substrate 2, the support member 5 and the cover member 6 is formed.
  • the cover member 6 has an adhesive layer 6 a bonded to the support member 5.
  • the cover member 6 has a protective layer 6b provided on the adhesive layer 6a.
  • the elastic modulus of the protective layer 6b is higher than the elastic modulus of the adhesive layer 6a.
  • the adhesive layer 6a is not specifically limited, For example, it consists of epoxy resin.
  • the protective layer 6b is not specifically limited, For example, it consists of a polyimide. Note that the cover member 6 may not have the adhesive layer 6a and the protective layer 6b.
  • Via hole electrodes 7A and 7B are provided so as to penetrate the support member 5 and the cover member 6.
  • the via-hole electrodes 7A and 7B include first ends 7A1 and 7B1 that are one end on the piezoelectric substrate 2 side and second ends 7A2 and 7B2 that are the other end opposite to the piezoelectric substrate 2 side, respectively.
  • the via-hole electrode 7A has a side surface that connects the first end 7A1 and the second end 7A2.
  • the via-hole electrode 7B has a side surface that connects the first end 7B1 and the second end 7B2.
  • the planar shape of the via-hole electrodes 7A and 7B is not particularly limited, but in the present embodiment, the planar shape is a circle.
  • the first end 7A1 of the via-hole electrode 7A is connected to the electrode land 4A.
  • the first end 7B1 of the via hole electrode 7B is connected to the electrode land 4B.
  • Bumps 8 are joined to the second end portions 7A2 and 7B2 of the via-hole electrodes 7A and 7B, respectively.
  • the via-hole electrodes 7A and 7B are made of an appropriate metal.
  • the bump 8 is made of solder or the like.
  • the elastic wave device 1 When the elastic wave device 1 is mounted, the elastic wave device 1 is bonded to a mounting substrate or the like via the bumps 8.
  • the IDT electrode 3 is electrically connected to the outside via the electrode lands 4A and 4B, the via hole electrodes 7A and 7B, and the bumps 8.
  • conductive bonding agents and terminals other than the bumps 8 may be bonded to the second end portions 7A2 and 7B2 of the via-hole electrodes 7A and 7B.
  • FIG. 2 is an enlarged front sectional view of the periphery of the via-hole electrode of the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • the via-hole electrode 7A has a protruding portion 7a1 that protrudes outward from the side surface portion when a part of the portion between the first end portion 7A1 and the second end portion 7A2 is viewed in a plan view.
  • the projecting portion 7a1 has a projecting surface 7a2 extending in a direction orthogonal to the direction in which the via hole electrode 7A extends.
  • the overhanging surface 7a2 only needs to extend in a direction intersecting with the direction in which the via hole electrode 7A extends.
  • the overhang portion 7 a 1 is located inside the cover member 6. More specifically, the protruding portion 7a1 is located on the adhesive layer 6a side of the cover member 6. The overhanging surface 7a2 is in contact with the surface of the protective layer 6b on the adhesive layer 6a side.
  • the direction crossing the via hole electrode 7A is defined as the width direction of the via hole electrode 7A.
  • the side surface portion of the via hole electrode 7A is inclined so that the width increases from the first end portion 7A1 of the via hole electrode 7A to the projecting surface 7a2.
  • the side surface portion of the via hole electrode 7A closer to the second end portion 7A2 than the protruding surface 7a2 is also inclined so as to increase in width toward the second end portion 7A2.
  • the via hole electrode 7B shown in FIG. 1 has the same configuration as the via hole electrode 7A.
  • the acoustic wave device 1 may have a plurality of via hole electrodes other than the via hole electrodes 7A and 7B. It is sufficient that at least one of the plurality of via hole electrodes in the acoustic wave device 1 has the configuration of the via hole electrode 7A.
  • the via-hole electrode 7A has an overhang portion 7a1 located inside the cover member 6.
  • the overhanging portion 7a1 and the cover member 6 are in contact with each other. Therefore, for example, when the pulling force is applied to the acoustic wave device 1 in the extending direction of the via-hole electrode 7A, the via-hole electrode 7A is difficult to come off from the support member 5 and the cover member 6.
  • the effects of the present embodiment will be described in more detail by comparing the present embodiment with a comparative example.
  • FIG. 3 is an enlarged front sectional view of the periphery of the via hole electrode of the elastic wave device of the comparative example.
  • the via-hole electrode 107 in the comparative example has a first portion 107 b that penetrates the support member 105 and a second portion 107 c that penetrates the cover member 106.
  • the end of the second portion 107 c on the piezoelectric substrate 102 side is exposed from the cover member 106 and is in contact with the support member 105.
  • the via hole electrode 107 does not have an overhanging portion located inside the cover member 106.
  • the side surface portion of the second portion 107c is inclined.
  • a terminal 108 is connected to the end of the second portion 107c opposite to the piezoelectric substrate 102 side.
  • the via hole electrode 107 can be more difficult to be removed from the support member 105 and the cover member 106 as the side surface portion of the second portion 107c is inclined more inward when viewed in plan.
  • the larger the side surface portion of the second portion 107c is inclined as described above the smaller the bonding area between the via-hole electrode 107 and the terminal 108 becomes. For this reason, the bonding force between the via-hole electrode 107 and the terminal 108 is reduced.
  • the via hole electrode 107 is made of metal, and the support member 106 is made of resin. Therefore, it is difficult to join the end portion of the via-hole electrode 107 and the support member 105. When the contact area between the end portion and the support member 105 is increased, the support member 105 and the cover member 106 tend to be easily peeled off.
  • the via-hole electrode 7 ⁇ / b> A has an overhang portion 7 a 1 positioned inside the cover member 6. Therefore, the via-hole electrode 7A can be effectively prevented from coming out of the support member 5 and the cover member 6 without reducing the bonding force between the support member 5 and the cover member 6.
  • the overhang portion 7a1 preferably has an overhang surface 7a2.
  • the projecting surface 7a2 extends in a direction orthogonal to the direction in which the via hole electrode 7A extends.
  • the projecting surface 7a2 and the cover member 6 are in contact with each other. Thereby, for example, when the pulling force is applied to the elastic wave device 1 in the extending direction of the via-hole electrode 7A, the via-hole electrode 7A can be further suppressed from coming off from the support member 5 and the cover member 6.
  • the overhang 7a1 may be located on the surface of the adhesive layer 6a or inside the adhesive layer 6a.
  • the overhanging portion 7a1 has the overhanging surface 7a2 as in the present embodiment, it is preferable that the overhanging surface 7a2 is in contact with the main surface of the protective layer 6b on the adhesive layer 6a side. Since the protruding surface 7a2 is in contact with the protective layer 6b having a higher elastic modulus than that of the adhesive layer 6a, the via-hole electrode 7A is more difficult to be removed from the support member 5 and the cover member 6.
  • the projecting surface 7a2 when the projecting surface 7a2 extends in a direction orthogonal to the direction in which the via hole electrode 7A extends, the projecting surface 7a2 can be suitably brought into contact with the main surface of the protective layer 6b.
  • the side surface portion of the via hole electrode 7A is inclined as described above.
  • the via-hole electrode 7 ⁇ / b> A is more difficult to come off from the support member 5 and the cover member 6.
  • the planar area of the second end portion 7A2 is larger than the cross-sectional area of the portion where the protruding surface 7a2 is located in the via-hole electrode 7A. Therefore, the bonding area between the via-hole electrode 7A and the bump 8 can be increased. Therefore, the bonding force between the via-hole electrode 7A and the bump 8 can be effectively increased.
  • the entire surface of the adhesive layer 6a on the protective layer 6b side and the entire surface of the protective layer 6b on the adhesive layer 6a side are bonded to each other at a portion other than the portion where the plurality of via-hole electrodes are located in the cover member 6. Thereby, the adhesive layer 6a and the protective layer 6b are difficult to peel off.
  • the side surface portion of the via-hole electrode 17A does not have to be inclined.
  • 6 (a) to 6 (d) are front sectional views for explaining a method of manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • a piezoelectric substrate 2 is prepared.
  • the IDT electrode 3 and the electrode lands 4 ⁇ / b> A and 4 ⁇ / b> B are provided on the piezoelectric substrate 2.
  • the IDT electrode 3 and the electrode lands 4A and 4B can be provided by, for example, a sputtering method or a CVD method.
  • the support member 5 is provided on the piezoelectric substrate 2 so as to have an opening 5 a surrounding the IDT electrode 3. At this time, the support member 5 is provided so as to cover at least a part of the electrode lands 4A and 4B. Thereby, the via hole electrode and the electrode lands 4A and 4B can be connected in a process described later.
  • the support member 5 can be provided by, for example, a photolithography method.
  • an adhesive layer 6a is provided on the support member 5 so as to cover the opening 5a.
  • via holes 9Aa and 9Ba are formed so as to penetrate the adhesive layer 6a and the support member 5.
  • the via holes 9Aa and 9Ba are formed so that the electrode lands 4A and 4B are exposed from the support member 5, respectively.
  • the via holes 9Aa and 9Ba can be formed by laser light irradiation. Alternatively, the via holes 9Aa and 9Ba may be formed by mechanical cutting or the like.
  • a protective layer 6b is laminated on the adhesive layer 6a.
  • the via hole 9Ab is formed so as to penetrate the protective layer 6b at a position overlapping the via hole 9Aa in plan view.
  • the via hole 9Ab is formed so that the width of the end portion of the via hole 9Ab on the piezoelectric substrate 2 side is narrower than the end portion of the via hole 9Aa on the protective layer 6b side.
  • the outer peripheral edge of the via hole 9Aa is located outside the outer peripheral edge of the via hole 9Ab in the portion where the adhesive layer 6a and the protective layer 6b are bonded.
  • the via hole 9Bb is formed so as to penetrate the protective layer 6b at a position overlapping the via hole 9Ba in plan view.
  • the via holes 9Ab and 9Bb can be formed by, for example, laser light irradiation or mechanical cutting.
  • the via holes 9Aa, 9Ab, 9Ba, and 9Bb are formed so that the side surfaces of the via holes 9Aa, 9Ab, 9Ba, and 9Bb are inclined. Note that the side surfaces of the via holes 9Aa, 9Ab, 9Ba, and 9Bb need not be inclined.
  • the method for forming the via hole is an example, and the present invention is not limited to the above method.
  • via hole electrodes 7A are provided in the via holes 9Aa and 9Ab.
  • the via hole electrode 7A includes a portion formed along the outer peripheral edge of the via hole 9Ab from the outer peripheral edge of the via hole 9Aa in the portion where the adhesive layer 6a and the protective layer 6b are bonded. This portion is the protruding surface 7a2 of the via hole electrode 7A.
  • via hole electrodes 7B are provided in the via holes 9Ba and 9Bb. Thereby, the via-hole electrodes 7A and 7B are connected to the electrode lands 4A and 4B, respectively.
  • the via-hole electrodes 7A and 7B can be provided by, for example, an electrolytic plating method.
  • the bumps 8 are joined to the second end portions 7A2 and 7B2 of the via-hole electrodes 7A and 7B, respectively.
  • each acoustic wave device 1 may be obtained by forming a plurality of acoustic wave devices 1 simultaneously on a mother piezoelectric substrate and separating them.
  • FIG. 7 is an enlarged front sectional view of the periphery of the via-hole electrode of the acoustic wave device according to the second embodiment.
  • This embodiment is different from the first embodiment in that the projecting portion 27a1 of the via-hole electrode 27A has a first projecting surface 27a2 and a second projecting surface 27a3. Except for the above points, the elastic wave device of the second embodiment has the same configuration as the elastic wave device 1 of the first embodiment.
  • the first projecting surface 27a2 and the second projecting surface 27a3 extend in a direction orthogonal to the direction in which the via hole electrode 27A extends.
  • the first projecting surface 27a2 is located on the second end 7A2 side, and the second projecting surface 27a3 is located on the first end 7A1 side.
  • the first projecting surface 27a2 and the second projecting surface 27a3 may extend in a direction intersecting with the direction in which the via hole electrode 27A extends.
  • the first projecting surface 27a2 is in contact with the surface of the protective layer 6b on the adhesive layer 6a side, like the projecting surface 7a2 in the first embodiment shown in FIG.
  • the second projecting surface 27a3 is in contact with the surface of the support member 5 on the adhesive layer 6a side. Thereby, the via-hole electrode 27A is more difficult to come off.
  • the via-hole electrode 27A has the first projecting surface 27a2 and the second projecting surface 27a3 on the surface on the adhesive layer 6a side of the protective layer 6b and on the adhesive layer 6a side of the support member 5. It touches both sides. Thereby, the creeping distance from the second end surface 7A2 to the first end surface 7A1 at the interface between the via-hole electrode 27A and the cover member 6 and the support member 5 is long. Therefore, even when moisture enters from the outside, the penetration rate of moisture can be reduced, and the wiring electrode is unlikely to corrode.

Abstract

ビアホール電極が抜け難い、弾性波装置を提供する。　弾性波装置１は、圧電基板２と、圧電基板２上に設けられているＩＤＴ電極３と、圧電基板２上に設けられており、開口部５ａを有し、かつ開口部５ａにおいてＩＤＴ電極３を囲んでいる支持部材５と、開口部５ａを覆っており、支持部材５上に設けられているカバー部材６と、カバー部材６及び支持部材５を貫通している、ビアホール電極７Ａとを備える。ビアホール電極７Ａは、平面視したときに、側面部から外側に張り出した張り出し部７ａ１を有する。張り出し部７ａ１はカバー部材６の内部に位置している。

Description

弾性波装置
　本発明は、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ　Ｌｅｖｅｌ　Ｐａｃｋａｇｅ）構造を有する弾性波装置に関する。
　従来、弾性波装置は携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。例えば、下記の特許文献１には、ＷＬＰ構造を有する弾性波装置の一例が記載されている。この弾性波装置は、圧電基板上に設けられた枠部材と、枠部材上に設けられた蓋部材とを有する。枠部材及び蓋部材を貫通するように、ビアホール電極が設けられている。ビアホール電極は、枠部材中に位置する第１柱部と、蓋部材中に位置する第２柱部とを有する。第２柱部の側面は傾斜している。これにより、弾性波装置に応力が加わった際などにおいて、ビアホール電極が枠部材及び蓋部材から抜け難いとしている。
特開２０１４－２２２８８６号公報
　特許文献１に記載の弾性波装置では、第２柱部の側面の傾斜角度が小さい場合には、ビアホール電極が抜け易くなる傾向があった。
　本発明の目的は、ビアホール電極が抜け難い、弾性波装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられているＩＤＴ電極と、前記圧電基板上に設けられており、開口部を有し、かつ前記開口部において前記ＩＤＴ電極を囲んでいる支持部材と、前記開口部を覆っており、前記支持部材上に設けられているカバー部材と、前記カバー部材及び前記支持部材を貫通しており、かつ前記圧電基板側に位置する一方端部と、前記圧電基板側とは反対側に位置する他方端部と、前記一方端部と前記他方端部とを結ぶ側面部とを有するビアホール電極とを備え、前記ビアホール電極は、平面視したときに、前記側面部から外側に張り出した張り出し部を有し、前記張り出し部が前記カバー部材の内部に位置している。
　本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記張り出し部が、前記ビアホール電極が延びる方向に交差する方向に延びている張り出し面を有する。この場合には、ビアホール電極が支持部材及びカバー部材から抜けることを効果的に抑制することができる。
　本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記張り出し面が、前記ビアホール電極が延びる方向に直交する方向に延びている。この場合には、ビアホール電極が支持部材及びカバー部材から抜けることをより一層効果的に抑制することができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記カバー部材が、前記支持部材に接着されている接着層と、前記接着層上に設けられている保護層とを有し、前記接着層の弾性率は、前記保護層の弾性率よりも低い。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記張り出し部が前記接着層の表面または前記接着層の内部に位置している。
　本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記張り出し部が、前記ビアホール電極が延びる方向に交差する方向に延びている張り出し面を有し、前記張り出し面が、前記カバー部材における前記保護層の前記接着層側の主面に接触している。この場合には、接着層よりも弾性率が高い保護層に張り出し面が接触している。よって、ビアホール電極が支持部材及びカバー部材からより一層抜け難い。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記張り出し部が、前記ビアホール電極が延びる方向に交差する方向に延びている張り出し面を有し、前記ビアホール電極を横断する方向を幅方向としたときに、前記ビアホール電極が前記圧電基板側に位置する一方端部から前記張り出し面にかけて幅が広くなるように、前記ビアホール電極の側面部が傾斜している。この場合には、ビアホール電極が支持部材及びカバー部材からより一層抜け難い。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記張り出し部が、前記ビアホール電極が延びる方向に交差する方向に延びている張り出し面を有し、前記ビアホール電極における前記圧電基板側とは反対側に位置する他方端部の平面積が、前記ビアホール電極における前記張り出し面が位置する部分の横断面積よりも大きい。この場合には、ビアホール電極の圧電基板とは反対側の端部にバンプなどを接合するときに、該端部とバンプなどとの接合力を効果的に大きくすることができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記接着層がエポキシ系樹脂からなり、前記保護層がポリイミドからなる。
　本発明によれば、ビアホール電極が抜け難い、弾性波装置を提供することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置のビアホール電極周辺を拡大した正面断面図である。 図３は、比較例の弾性波装置のビアホール電極周辺を拡大した正面断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態におけるビアホール電極の平面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態の変形例に係る弾性波装置のビアホール電極周辺を拡大した正面断面図である。 図６（ａ）～図６（ｄ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための正面断面図である。 図７は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置のビアホール電極周辺を拡大した正面断面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
　弾性波装置１は圧電基板２を有する。圧電基板２は、例えば、適宜の圧電単結晶や圧電セラミックスからなる。圧電基板２上にはＩＤＴ電極３が設けられている。ＩＤＴ電極３に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。
　圧電基板２上には、電極ランド４Ａ，４Ｂが設けられている。本実施形態では、電極ランド４Ａ，４ＢはＩＤＴ電極３に電気的に接続されている。
　圧電基板２上には、開口部５ａを有する支持部材５が設けられている。支持部材５は、電極ランド４Ａ，４Ｂを覆うように設けられている。ＩＤＴ電極３は開口部５ａ内に位置しており、ＩＤＴ電極３は支持部材５により囲まれている。支持部材５は、適宜の樹脂などからなる。
　支持部材５上には、開口部５ａを覆うように、カバー部材６が設けられている。それによって、圧電基板２、支持部材５及びカバー部材６により囲まれた中空空間が形成されている。カバー部材６は支持部材５に接着されている接着層６ａを有する。カバー部材６は、接着層６ａ上に設けられている保護層６ｂを有する。接着層６ａの弾性率よりも保護層６ｂの弾性率が高い。接着層６ａは、特に限定されないが、例えば、エポキシ系樹脂からなる。保護層６ｂは、特に限定されないが、例えば、ポリイミドからなる。なお、カバー部材６は、接着層６ａ及び保護層６ｂを有していなくともよい。
　支持部材５及びカバー部材６を貫通するように、ビアホール電極７Ａ，７Ｂが設けられている。ビアホール電極７Ａ，７Ｂは、圧電基板２側の一方端部である第１の端部７Ａ１，７Ｂ１及び圧電基板２側とは反対側の他方端部である第２の端部７Ａ２，７Ｂ２をそれぞれ有する。ビアホール電極７Ａは、第１の端部７Ａ１と第２の端部７Ａ２とを結ぶ側面部を有する。同様に、ビアホール電極７Ｂは、第１の端部７Ｂ１と第２の端部７Ｂ２とを結ぶ側面部を有する。ビアホール電極７Ａ，７Ｂの平面形状は、特に限定されないが、本実施形態では、上記平面形状は円形である。
　ビアホール電極７Ａの第１の端部７Ａ１は上記電極ランド４Ａに接続されている。ビアホール電極７Ｂの第１の端部７Ｂ１は上記電極ランド４Ｂに接続されている。ビアホール電極７Ａ，７Ｂの第２の端部７Ａ２，７Ｂ２には、バンプ８がそれぞれ接合されている。ビアホール電極７Ａ，７Ｂは、適宜の金属からなる。バンプ８は、はんだなどからなる。
　弾性波装置１の実装に際し、弾性波装置１はバンプ８を介して実装基板などに接合される。本実施形態では、ＩＤＴ電極３は、電極ランド４Ａ，４Ｂ、ビアホール電極７Ａ，７Ｂ及びバンプ８を介して外部に電気的に接続される。なお、ビアホール電極７Ａ，７Ｂの第２の端部７Ａ２，７Ｂ２には、バンプ８以外の導電性接合剤や端子が接合されていてもよい。
　図２は、第１の実施形態に係る弾性波装置のビアホール電極周辺を拡大した正面断面図である。
　図２に示すように、ビアホール電極７Ａは、第１の端部７Ａ１と第２の端部７Ａ２との間における一部が、平面視したときに、側面部から外側に張り出した張り出し部７ａ１を有する。この張り出し部７ａ１は、本実施形態では、ビアホール電極７Ａが延びる方向に直交する方向に延びている張り出し面７ａ２を有する。なお、張り出し面７ａ２は、ビアホール電極７Ａが延びる方向に交差する方向に延びていればよい。
　張り出し部７ａ１はカバー部材６の内部に位置している。より具体的には、張り出し部７ａ１は、カバー部材６における接着層６ａ側に位置している。張り出し面７ａ２は、保護層６ｂの接着層６ａ側の面に接触している。
　ここで、ビアホール電極７Ａを横断する方向を、ビアホール電極７Ａの幅方向とする。このとき、本実施形態では、ビアホール電極７Ａの第１の端部７Ａ１から張り出し面７ａ２にかけて幅が広くなるように、ビアホール電極７Ａの側面部が傾斜している。ビアホール電極７Ａの、張り出し面７ａ２よりも第２の端部７Ａ２側の部分の側面部も、第２の端部７Ａ２に向かうにつれて、幅が広くなるように傾斜している。
　図１に示すビアホール電極７Ｂも、ビアホール電極７Ａと同様の構成を有する。なお、弾性波装置１は、ビアホール電極７Ａ，７Ｂ以外の複数のビアホール電極を有していてもよい。弾性波装置１における複数のビアホール電極のうち少なくとも１つが、ビアホール電極７Ａの構成を有していればよい。
　本実施形態の特徴は、ビアホール電極７Ａが、カバー部材６の内部に位置する張り出し部７ａ１を有することにある。張り出し部７ａ１とカバー部材６とが接触している。よって、例えば、弾性波装置１に、ビアホール電極７Ａが延びる方向に引っ張る力が加わった際、ビアホール電極７Ａは支持部材５及びカバー部材６から抜け難い。以下において、本実施形態と比較例とを比較することにより、本実施形態の効果をより詳細に説明する。
　図３は、比較例の弾性波装置のビアホール電極周辺を拡大した正面断面図である。
　比較例におけるビアホール電極１０７は、支持部材１０５を貫通している第１の部分１０７ｂ及びカバー部材１０６を貫通している第２の部分１０７ｃを有する。第２の部分１０７ｃの圧電基板１０２側の端部は、カバー部材１０６から露出しており、支持部材１０５に接触している。ビアホール電極１０７は、カバー部材１０６の内部に位置する張り出し部を有しない。第２の部分１０７ｃの側面部は傾斜している。第２の部分１０７ｃの圧電基板１０２側とは反対側の端部には、端子１０８が接続されている。
　比較例においては、第２の部分１０７ｃの側面部が、平面視したときに、内側に大きく傾斜するほど、ビアホール電極１０７を支持部材１０５及びカバー部材１０６から抜け難くし得る。しかしながら、第２の部分１０７ｃの側面部を上記のように大きく傾斜させるほど、ビアホール電極１０７と端子１０８との接合面積が小さくなる。そのため、ビアホール電極１０７と端子１０８との接合力が小さくなる。
　他方、第２の部分１０７ｃの側面部を上記のように大きく傾斜させるに際し、第２の部分１０７ｃの圧電基板１０２側の端部の平面積を大きくする場合には、該端部と支持部材１０５との接触面積が大きくなる。そのため、カバー部材１０６と支持部材１０５との接合面積が小さくなり、カバー部材１０６と支持部材１０５との接合力が小さくなる。
　なお、ビアホール電極１０７は金属からなり、支持部材１０６は樹脂からなる。そのため、ビアホール電極１０７の上記端部と支持部材１０５とは接合し難い。上記端部と支持部材１０５との接触面積が大きくなると、支持部材１０５とカバー部材１０６とが剥離し易くなる傾向がある。
　これに対して、図１に示す本実施形態では、ビアホール電極７Ａは、カバー部材６の内部に位置している張り出し部７ａ１を有する。よって、支持部材５とカバー部材６との接合力を小さくすることなく、ビアホール電極７Ａを支持部材５及びカバー部材６から効果的に抜け難くすることができる。
　加えて、本実施形態においては、ビアホール電極７Ａの第２の端部７Ａ２とバンプ８との接合面積を小さくする必要はない。よって、ビアホール電極７Ａとバンプ８との接合力を小さくすることなく、上記効果を得ることができる。
　張り出し部７ａ１は、張り出し面７ａ２を有することが好ましい。それによって、ビアホール電極７Ａが支持部材５及びカバー部材６から抜けることを効果的に抑制することができる。より好ましくは、張り出し面７ａ２は、ビアホール電極７Ａが延びる方向に直交する方向に延びていることが望ましい。張り出し面７ａ２とカバー部材６とは接触している。それによって、例えば、弾性波装置１にビアホール電極７Ａが延びる方向に引っ張る力が加わった際、ビアホール電極７Ａが支持部材５及びカバー部材６から抜けることをより一層抑制することができる。
　張り出し部７ａ１は、接着層６ａの表面または接着層６ａの内部に位置していてもよい。本実施形態のように、張り出し部７ａ１が張り出し面７ａ２を有する場合、張り出し面７ａ２が、保護層６ｂの接着層６ａ側の主面に接触していることが好ましい。接着層６ａよりも弾性率が高い保護層６ｂに張り出し面７ａ２が接触しているため、ビアホール電極７Ａは支持部材５及びカバー部材６からより一層抜け難い。
　なお、張り出し面７ａ２が、ビアホール電極７Ａが延びる方向に直交する方向に延びている場合には、保護層６ｂの上記主面に好適に張り出し面７ａ２を接触させることができる。
　本実施形態では、ビアホール電極７Ａの側面部は上記のように傾斜している。これにより、ビアホール電極７Ａは支持部材５及びカバー部材６からより一層抜け難い。加えて、図４の平面図に示すように、ビアホール電極７Ａにおける張り出し面７ａ２が位置する部分の横断面積よりも、第２の端部７Ａ２の平面積は大きい。よって、ビアホール電極７Ａとバンプ８との接合面積を大きくすることができる。従って、ビアホール電極７Ａとバンプ８との接合力を効果的に大きくすることができる。
　カバー部材６における複数のビアホール電極が位置する部分以外において、接着層６ａの保護層６ｂ側の全面と、保護層６ｂの接着層６ａ側の全面とが接合していることが好ましい。それによって、接着層６ａと保護層６ｂとが剥離し難い。
　なお、図５に示す第１の実施形態の変形例のように、ビアホール電極１７Ａの側面部は傾斜していなくともよい。
　以下において、本実施形態の弾性波装置１の製造方法の一例を説明する。
　図６（ａ）～図６（ｄ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための正面断面図である。
　図６（ａ）に示すように、圧電基板２を用意する。次に圧電基板２上に、ＩＤＴ電極３及び電極ランド４Ａ，４Ｂを設ける。ＩＤＴ電極３及び電極ランド４Ａ，４Ｂは、例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法などにより設けることができる。
　次に、圧電基板２上に、ＩＤＴ電極３を囲む開口部５ａを有するように、支持部材５を設ける。このとき、支持部材５を、電極ランド４Ａ，４Ｂの少なくとも一部を覆うように設ける。それによって、後述する工程において、ビアホール電極と電極ランド４Ａ，４Ｂとを接続することができる。支持部材５は、例えば、フォトリソグラフィ法により設けることができる。
　次に、図６（ｂ）に示すように、開口部５ａを覆うように、支持部材５上に接着層６ａを設ける。次に、接着層６ａ及び支持部材５を貫通するように、ビアホール９Ａａ，９Ｂａを形成する。ビアホール９Ａａ，９Ｂａにおいて、電極ランド４Ａ，４Ｂが支持部材５からそれぞれ露出するように、ビアホール９Ａａ，９Ｂａを形成する。ビアホール９Ａａ，９Ｂａは、レーザー光の照射により形成することができる。あるいは、機械的に切削することなどにより、ビアホール９Ａａ，９Ｂａを形成してもよい。
　次に、図６（ｃ）に示すように、接着層６ａ上に保護層６ｂを積層する。次に、平面視においてビアホール９Ａａに重なる位置に、保護層６ｂを貫通するように、ビアホール９Ａｂを形成する。ビアホール９Ａｂの圧電基板２側の端部の幅が、ビアホール９Ａａの保護層６ｂ側の端部の幅よりも狭くなるように、ビアホール９Ａｂを形成する。このとき、平面視したときに、接着層６ａと保護層６ｂとが接着している部分においては、ビアホール９Ａａの外周縁は、ビアホール９Ａｂの外周縁よりも外側に位置している。
　同様に、平面視においてビアホール９Ｂａに重なる位置に、保護層６ｂを貫通するように、ビアホール９Ｂｂを形成する。ビアホール９Ａｂ，９Ｂｂは、例えば、レーザー光の照射や機械的な切削により形成することができる。
　本実施形態では、ビアホール９Ａａ，９Ａｂ，９Ｂａ，９Ｂｂの側面部が傾斜するように、ビアホール９Ａａ，９Ａｂ，９Ｂａ，９Ｂｂを形成している。なお、ビアホール９Ａａ，９Ａｂ，９Ｂａ，９Ｂｂの側面部を傾斜させなくともよい。また、上記のビアホールの形成方法は一例であり、上記の方法には限定されない。
　次に、図６（ｄ）に示すように、ビアホール９Ａａ，９Ａｂ内にビアホール電極７Ａを設ける。本実施形態では、ビアホール電極７Ａは、接着層６ａと保護層６ｂとが接着している部分における、ビアホール９Ａａの外周縁からビアホール９Ａｂの外周縁に沿って形成された部分を含む。この部分が、ビアホール電極７Ａの上記張り出し面７ａ２である。
　同様に、ビアホール９Ｂａ，９Ｂｂ内にビアホール電極７Ｂを設ける。これにより、ビアホール電極７Ａ，７Ｂと電極ランド４Ａ，４Ｂとをそれぞれ接続する。ビアホール電極７Ａ，７Ｂは、例えば、電解めっき法などにより設けることができる。次に、ビアホール電極７Ａ，７Ｂの第２の端部７Ａ２，７Ｂ２に、バンプ８をそれぞれ接合する。
　なお、圧電基板２を用意する工程において、マザーの圧電基板を用意してもよい。すなわち、マザーの圧電基板上において、複数の弾性波装置１を同時に形成し、個片化することにより各弾性波装置１を得てもよい。
　図７は、第２の実施形態に係る弾性波装置のビアホール電極周辺を拡大した正面断面図である。
　本実施形態は、ビアホール電極２７Ａの張り出し部２７ａ１が、第１の張り出し面２７ａ２と第２の張り出し面２７ａ３とを有する点において、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、第２の実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
　第１の張り出し面２７ａ２及び第２の張り出し面２７ａ３は、ビアホール電極２７Ａが延びる方向に直交する方向に延びている。第１の張り出し面２７ａ２は、第２の端部７Ａ２側に位置しており、第２の張り出し面２７ａ３は、第１の端部７Ａ１側に位置している。なお、第１の張り出し面２７ａ２及び第２の張り出し面２７ａ３は、ビアホール電極２７Ａが延びる方向に交差する方向に延びていればよい。
　第１の張り出し面２７ａ２は、図１に示す第１の実施形態における張り出し面７ａ２と同様に、保護層６ｂの接着層６ａ側の面に接触している。他方、第２の張り出し面２７ａ３は、支持部材５の接着層６ａ側の面に接触している。それによって、ビアホール電極２７Ａはより一層抜け難い。
　上記のように、本実施形態では、ビアホール電極２７Ａは、第１の張り出し面２７ａ２及び第２の張り出し面２７ａ３において、保護層６ｂの接着層６ａ側の面及び支持部材５の接着層６ａ側の面の双方に接触している。これにより、ビアホール電極２７Ａとカバー部材６及び支持部材５との界面における、第２の端面７Ａ２から第１の端面７Ａ１に至る沿面距離が長い。従って、外部から水分が浸入した場合であっても、水分の侵入速度を遅くすることができ、配線電極が腐食し難い。
１…弾性波装置
２…圧電基板
３…ＩＤＴ電極
４Ａ，４Ｂ…電極ランド
５…支持部材
５ａ…開口部
６…カバー部材
６ａ…接着層
６ｂ…保護層
７Ａ，７Ｂ…ビアホール電極
７Ａ１，７Ｂ１…第１の端部
７Ａ２，７Ｂ２…第２の端部
７ａ１…張り出し部
７ａ２…張り出し面
８…バンプ
９Ａａ，９Ａｂ，９Ｂａ，９Ｂｂ…ビアホール
１７Ａ…ビアホール電極
２７Ａ…ビアホール電極
２７ａ１…張り出し部
２７ａ２，２７ａ３…第１，第２の張り出し面
１０２…圧電基板
１０５…支持部材
１０６…カバー部材
１０７…ビアホール電極
１０７ｂ，１０７ｃ…第１，第２の部分
１０８…端子

Claims (9)

  1. 　圧電基板と、
    　前記圧電基板上に設けられているＩＤＴ電極と、
    　前記圧電基板上に設けられており、開口部を有し、かつ前記開口部において前記ＩＤＴ電極を囲んでいる支持部材と、
    　前記開口部を覆っており、前記支持部材上に設けられているカバー部材と、
    　前記カバー部材及び前記支持部材を貫通しており、かつ前記圧電基板側に位置する一方端部と、前記圧電基板側とは反対側に位置する他方端部と、前記一方端部と前記他方端部とを結ぶ側面部と、を有するビアホール電極と、
    を備え、
    　前記ビアホール電極は、平面視したときに、前記側面部から外側に張り出した張り出し部を有し、
    　前記張り出し部が前記カバー部材の内部に位置している、弾性波装置。
  2. 　前記張り出し部が、前記ビアホール電極が延びる方向に交差する方向に延びている張り出し面を有する、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記張り出し面が、前記ビアホール電極が延びる方向に直交する方向に延びている、請求項２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記カバー部材が、前記支持部材に接着されている接着層と、前記接着層上に設けられている保護層と、を有し、
    　前記接着層の弾性率は、前記保護層の弾性率よりも低い、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  5. 　前記張り出し部が前記接着層の表面または前記接着層の内部に位置している、請求項４に記載の弾性波装置。
  6. 　前記張り出し部が、前記ビアホール電極が延びる方向に交差する方向に延びている張り出し面を有し、
    　前記張り出し面が、前記カバー部材における前記保護層の前記接着層側の主面に接触している、請求項５に記載の弾性波装置。
  7. 　前記張り出し部が、前記ビアホール電極が延びる方向に交差する方向に延びている張り出し面を有し、
    　前記ビアホール電極を横断する方向を幅方向としたときに、前記ビアホール電極が前記圧電基板側に位置する一方端部から前記張り出し面にかけて幅が広くなるように、前記ビアホール電極の側面部が傾斜している、請求項３～６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  8. 　前記張り出し部が、前記ビアホール電極が延びる方向に交差する方向に延びている張り出し面を有し、
    　前記ビアホール電極における前記圧電基板側とは反対側に位置する他方端部の平面積が、前記ビアホール電極における前記張り出し面が位置する部分の横断面積よりも大きい、請求項３～７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 　前記接着層がエポキシ系樹脂からなり、前記保護層がポリイミドからなる、請求項１～８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
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