JP2014127623A - 配線基板及び配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ビア表面の平坦性を向上させることができる配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板１は、配線パターン２２Ｃと、配線パターン２２Ｃの上面全面を被覆する金属膜２２Ｂと、金属膜２２Ｂの上面全面を被覆する金属箔２２Ａとを有する配線層２２と、金属箔２２Ａの上面に設けられ、開口端Ａ３の径が開口端Ａ４の径よりも小径である貫通孔ＶＨ２を有する絶縁層３２とを有する。また、配線基板１は、絶縁層３２の上面３２Ｂに設けられ、開口端Ａ４の径よりも小径の開口部２３Ｘを有する金属箔２３Ａを有する配線層２３と、絶縁層３２の下面３２Ａに設けられた貫通孔ＶＨ１を有する絶縁層３１とを有する。さらに、配線基板１は、開口部２３Ｘと、貫通孔ＶＨ２と、金属箔２２Ａの上面に設けられ、開口端Ａ３の径よりも大径の凹部２２Ｙとを充填するビア４２を有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関するものである。

半導体チップなどの実装部品を実装するための配線基板は、様々な形状・構造のものが提案されている。近年は、半導体チップの薄型化・小型化に伴い、半導体チップが実装される配線基板も薄型化・小型化の要求が高まっている。このような配線基板を製造する際には、フィルドビアの形成や配線形成などが行われる（例えば、特許文献１参照）。それらフィルドビア及び配線の形成方法の一例を以下に説明する。

図７（ａ）に示すように、まず、両面に銅箔９１，９２が接着されたコア材９０を準備する。続いて、図７（ｂ）に示す工程では、レーザ加工法により、銅箔９２に開口部９２Ｘを形成するとともに、その開口部９２Ｘと連通しコア材９０を貫通して下側の銅箔９１を露出する貫通孔９０Ｘを形成する。ここで、開口部９２Ｘ及び貫通孔９０Ｘをレーザ加工法によって形成する場合には、銅箔９２よりもコア材９０（樹脂層）の方がレーザ加工されやすいため、コア材９０に形成された貫通孔９０Ｘが銅箔９２の開口部９２Ｘから外側に食い込むように形成される。すなわち、貫通孔９０Ｘの上部において、銅箔９２の突出部９２Ａが貫通孔９０Ｘの内側に突出する構造、いわゆるオーバーハング構造が形成される。その後、貫通孔９０Ｘ内の樹脂スミア（樹脂残渣）をデスミア処理により除去する。

次いで、図７（ｃ）に示す工程では、前工程において形成された銅箔９２の突出部９２Ａをエッチング等により除去する。次に、図７（ｄ）に示す工程では、開口部９２Ｘ及び貫通孔９０Ｘの内面を含む銅箔９２及びコア材９０の表面全面を覆うようにシード層９３を形成する。次に、シード層９３及び銅箔９１をめっき給電層に利用する電解めっき法により、図７（ｅ）に示すように、貫通孔９０Ｘ及び開口部９２Ｘを充填するフィルドビア９４を形成し、そのフィルドビア９４及び銅箔９２を被覆する導電層９５を形成するとともに、銅箔９１の下面全面を被覆する導電層９６を形成する。続いて、図７（ｅ）に示す工程では、サブトラクティブ法などにより、銅箔９２及び導電層９５をパターニングしてコア材９０の上面に配線層９７を形成し、銅箔９１及び導電層９６をパターニングしてコア材９０の下面に配線層９８を形成する。これにより、コア材９０の上下両面に、フィルドビア９４によって電気的に接続された配線層９７，９８を形成することができる。

特開２００９−８８２８２号公報

ところで、上述した製造方法でフィルドビア９４を形成した場合には、貫通孔９０Ｘ及び開口部９２Ｘの内面に形成されたシード層９３から内側にめっき膜が析出される。これにより、貫通孔９０Ｘ内に銅などからなるめっき膜が充填されて上記フィルドビア９４が形成される。しかし、貫通孔９０Ｘのアスペクト比が大きくなると、めっき膜の充填性が悪化するため、図７（ｆ）に示すように、フィルドビア９４（配線層９７）の表面に凹部９９が形成されやすくなるという問題が生じる。

本発明の一観点によれば、第１配線パターンと、前記第１配線パターンの上面全面を被覆する金属膜と、前記金属膜の上面全面を被覆する第１金属箔とを有する第１配線層と、前記第１金属箔の上面に設けられ、前記第１金属箔側の第１開口端の径が前記第１開口端と反対側の第２開口端の径よりも小径である第１貫通孔を有する第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上面に設けられ、前記第１貫通孔と連通されるとともに前記第２開口端の径よりも小径に形成された第１開口部を有し、前記第１貫通孔の上部において前記第１貫通孔の内側に突出する第１突出部を有する第２金属箔と、前記第２金属箔上に形成された第２配線パターンとを有する第２配線層と、前記第１絶縁層の下面に設けられ、前記第１配線パターン側の第３開口端の径が前記第３開口端と反対側の第４開口端の径よりも小径である第２貫通孔を有する第２絶縁層と、前記第２絶縁層の下面に設けられ、前記第２貫通孔と連通されるとともに前記第４開口端の径よりも小径に形成された第２開口部を有し、前記第２貫通孔の下部において前記第２貫通孔の内側に突出する第２突出部を有する第３金属箔と、前記第３金属箔の下面に形成された第３配線パターンとを有する第３配線層と、前記第１開口部と、前記第１貫通孔と、前記第１金属箔の上面に設けられ、前記第１貫通孔と連通されるとともに前記第１開口端の径よりも大径に形成された第１凹部とを充填し、前記第１配線層と前記第２配線層とを電気的に接続する第１ビアと、前記第２開口部と、前記第２貫通孔と、前記第１配線パターンの下面に設けられ、前記第２貫通孔と連通されるとともに前記第３開口端の径よりも大径に形成された第２凹部とを充填し、前記第１配線層と前記第３配線層とを電気的に接続する第２ビアと、を有する。

本発明の一観点によれば、ビア表面の平坦性を向上させることができるという効果を奏する。

（ａ）は、一実施形態の配線基板を示す概略断面図、（ｂ）は、（ａ）に示した配線基板の一部を拡大した拡大断面図。 一実施形態の半導体装置を示す概略断面図。 （ａ）〜（ｅ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。 （ａ）〜（ｄ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。 （ａ）〜（ｃ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。 （ａ）〜（ｃ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。 （ａ）〜（ｆ）は、従来の配線基板の製造方法を示す概略断面図。

以下、一実施形態を添付図面を参照して説明する。
なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材（絶縁層）のハッチングを省略し、一部の部材（ソルダレジスト層やレジスト層）のハッチングを梨地模様に代えて示している。

まず、配線基板１の構造について説明する。
図１に示すように、配線基板１では、配線層と絶縁層とが交互に多数積層され、絶縁層に設けられビアによって配線層同士が電気的に接続されている。本例の配線基板１では、４層の配線層２１，２２，２３，２４と３層の絶縁層３１〜３３とが交互に積層され、絶縁層３１〜３３にそれぞれ設けられたビア４１〜４３によって配線層２１〜２４が電気的に接続されている。

詳述すると、最外層（ここでは、最下層）の絶縁層３１の下面３１Ａに最下層の配線層２１が積層され、上記絶縁層３１の上面３１Ｂに積層された絶縁層３２の下面３２Ａに配線層２２が積層されている。これら配線層２１と配線層２２とは、絶縁層３１に設けられた貫通孔ＶＨ１に充填されたビア４１によって電気的に接続されている。絶縁層３２の上面３２Ｂに配線層２３が形成され、絶縁層３２に設けられた貫通孔ＶＨ２に充填されたビア４２によって配線層２２と配線層２３とが電気的に接続されている。絶縁層３２の上面３２Ｂ上に積層された最外層（ここでは、最上層）の絶縁層３３の上面３３Ｂに最上層の配線層２４が積層され、絶縁層３３に設けられた貫通孔ＶＨ３に充填されたビア４３によって配線層２３と配線層２４とが電気的に接続されている。

ここで、上記絶縁層３１〜３３としては、例えば補強材であるガラスクロス（ガラス織布）にエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させ硬化させた、いわゆるガラスエポキシ樹脂を用いることができる。熱硬化性の絶縁性樹脂としてはエポキシ樹脂に限らず、例えばポリイミド樹脂やシアネート樹脂などの樹脂材を用いることができる。各絶縁層３１〜３３は、所要数（図１では、１個）のガラスクロス３４を有している。例えば、ガラスクロス３４は、第１方向に並設されたガラス繊維束と、第１方向と平面視で直交する第２方向に並設されたガラス繊維束とが格子状に平織りされた形態を有している。各ガラス繊維束は、１本当たりの繊維径が例えば１〜２μｍ程度のガラス繊維を複数本束ねたものである。各ガラス繊維束の厚さは、例えば５〜５０μｍ程度とすることができる。なお、ガラス繊維束を用いたガラスクロス３４以外に、炭素繊維束、ポリエステル繊維束、ナイロン繊維束、アラミド繊維束、液晶ポリマ（Liquid Crystal Polymer：ＬＣＰ）繊維束等を用いた織布や不織布を補強材として用いてもよい。また、繊維束の織り方は平織りに限定されず、朱子織り、綾織り等であってもよい。

そして、絶縁層３１〜３３にそれぞれ設けられた貫通孔ＶＨ１〜ＶＨ３の側壁からは、絶縁層３１〜３３に含まれるガラスクロス３４の端部３４Ａが貫通孔ＶＨ１〜ＶＨ３内に突出している。

ここで、配線層２２を境にして、その配線層２２の上側と配線層２２の下側とでは配線層と絶縁層との積層構造及びビア（貫通孔）の構造が異なっている。そこで、まず、配線層２２及びその周辺の構造について説明する。

図１（ｂ）に示すように、配線層２２は、絶縁層３２の下面３２Ａ上に形成された金属箔２２Ａと、金属箔２２Ａの下面全面を被覆するように形成された金属膜２２Ｂ（図中の太線参照）と、金属膜２２Ｂの下面全面を被覆するように形成された配線パターン２２Ｃとを有している。この配線層２２は絶縁層３２の下面３２Ａ上に積層され、その絶縁層３２の下面３２Ａ上には配線層２２を被覆する絶縁層３１が積層されている。すなわち、配線層２２の上面（具体的には、金属箔２２Ａの上面）が絶縁層３２によって被覆され、配線層２２の下面（具体的には、配線パターン２２Ｃの下面）及び配線層２２の側面が絶縁層３１によって被覆されている。

なお、金属箔２２Ａ及び配線パターン２２Ｃの材料としては、例えば銅（Ｃｕ）や銅合金を用いることができる。これら金属箔２２Ａの材料と配線パターン２２Ｃの材料とは、同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。また、金属膜２２Ｂの材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。また、金属膜２２Ｂとしては、例えば窒化タンタル（ＴａＮ），タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）等からなる金属バリア膜と、銅や銅合金からなる金属膜とが積層された複数層の金属膜を用いることもできる。金属箔２２Ａの厚さは例えば６μｍ程度とすることができ、金属膜２２Ｂの厚さは例えば０．５〜１μｍ程度とすることができ、配線パターン２２Ｃの厚さは例えば１４〜２９μｍ程度とすることができる。配線パターン２２Ｃの下面から絶縁層３１の下面３１Ａまでの厚さは、例えば４０〜６０μｍ程度とすることができる。

上記配線層２２の下側には、所要数（ここでは、１層）の絶縁層３１と、所要数（ここでは、１層）の配線層２１とが積層されている。本例では、絶縁層３２の下面に配線層２２を下面及び側面を被覆する絶縁層３１が積層され、その絶縁層３１の下面に配線層２１が積層されている。

絶縁層３１には、所要の箇所（図１（ａ）では、３箇所）に、当該絶縁層３１を厚さ方向に貫通する貫通孔ＶＨ１が形成されている。貫通孔ＶＨ１は、図１（ｂ）において下側（配線層２１側）から上側（配線層２２側）に向かうに連れて径が小さくなるテーパ状に形成されている。具体的には、貫通孔ＶＨ１は、上側の開口端Ａ１の開口径（底部の直径）が下側の開口端Ａ２の開口径（開口部の直径）よりも小径となる円錐台形状に形成されている。すなわち、貫通孔ＶＨ１は、配線層２２側が小径となる円錐台形状に形成されている。そして、貫通孔ＶＨ１の底部（上部）には、配線層２２の配線パターン２２Ｃの下面に形成された凹部２２Ｘが露出されている。

ここで、凹部２２Ｘは、貫通孔ＶＨ１と連通するように配線パターン２２Ｃの下面に形成されている。この凹部２２Ｘは、配線パターン２２Ｃの下面から該配線パターン２２Ｃの厚さ方向の中途位置まで形成されている。すなわち、凹部２２Ｘは、その底面が配線パターン２２Ｃの厚さ方向の中途に位置するように形成されており、配線パターン２２Ｃを厚さ方向に貫通しないように形成されている。この凹部２２Ｘの開口径は、貫通孔ＶＨ１の開口端Ａ１の開口径よりも大径に形成されている。すなわち、凹部２２Ｘの側壁の最外縁部は貫通孔ＶＨ１の側壁の最内縁部よりも大きく形成されている。このため、凹部２２Ｘの外縁部は、絶縁層３１の上部に延在している。この凹部２２Ｘによって、貫通孔ＶＨ１の側壁と接する絶縁層３１の上面３１Ｂが露出されている。

なお、凹部２２Ｘの断面形状は、例えば略半楕円形状に形成されている。この凹部２２Ｘの深さは、例えば２〜３μｍ程度とすることができる。また、貫通孔ＶＨ１の開口端Ａ１の開口径は例えば５０〜８０μｍ程度とすることができ、凹部２２Ｘの開口径は例えば６０〜９０μｍ程度とすることができる。

上記配線層２１は、絶縁層３１の下面３１Ａに形成された金属箔２１Ａと、金属箔２１Ａの下面全面を被覆する金属膜２１Ｂ（図中の太線参照）と、金属膜２１Ｂの下面全面及びビア４１の下面全面を被覆するように形成された配線パターン２１Ｃとを有している。

金属箔２１Ａ及び配線パターン２１Ｃの材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。これら金属箔２１Ａの材料と配線パターン２１Ｃの材料とは、同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。また、金属膜２１Ｂの材料としては、上記金属膜２２Ｂと同様の材料を用いることができる。金属箔２１Ａの厚さは例えば６〜１２μｍ程度とすることができ、金属膜２１Ｂの厚さは例えば０．５〜１μｍ程度とすることができ、配線パターン２１Ｃの厚さは例えば１４〜２９μｍ程度とすることができる。

金属箔２１Ａには、上記貫通孔ＶＨ１と連通し、その貫通孔ＶＨ１の開口端Ａ１の開口径よりも小径である開口部２１Ｘが形成されている。すなわち、絶縁層３１に設けられた貫通孔ＶＨ１が金属箔２１Ａの開口部２１Ｘから外側に食い込むように形成されている。換言すると、金属箔２１Ａには、貫通孔ＶＨ１の下部において、その貫通孔ＶＨ１の内側にリング状に突出する突出部２１Ｄが形成されている。なお、貫通孔ＶＨ１の開口端Ａ１の開口径を例えば７５〜９０μｍ程度とすることができ、開口部２１Ｘの開口径を例えば７５〜１００μｍ程度とすることができる。

そして、配線層２２の下面側に形成されたビア４１は、凹部２２Ｘ、貫通孔ＶＨ１及び開口部２１Ｘを充填するように形成されている。このため、ビア４１の底部Ｂ１（凹部２２Ｘに充填された部分のビア４１）は、配線パターン２２Ｃの下面よりも上方で該配線パターン２２Ｃと接合されている。また、貫通孔ＶＨ１に充填された部分のビア４１は、下側（配線層２１側）から上側（配線層２２側）に向かうに連れて径が小さくなるテーパ状に形成されている。さらに、開口部２１Ｘに充填された部分のビア４１は、貫通孔ＶＨ１に充填された部分のビア４１の下部よりも小径に形成されている。そして、ビア４１は、貫通孔ＶＨ１内において、その貫通孔ＶＨ１の側壁から突出されたガラスクロス３４の端部３４Ａ全面を被覆するように形成されている。

ビア４１は、金属箔２１Ａの突出部２１Ｄの側面及び上面と、貫通孔ＶＨ１の側壁全面と、貫通孔ＶＨ１の側壁から突出したガラスクロス３４の端部３４Ａ全面と、凹部２２Ｘの内面全面と、凹部２２Ｘ内に露出された絶縁層３１の上面３１Ｂとを被覆するように形成された金属膜４１Ａ（図中の太線参照）を有している。また、ビア４１は、金属膜４１Ａよりも内側の開口部２１Ｘ、貫通孔ＶＨ１及び凹部２２Ｘの空間に充填された導電層４１Ｂを有している。本例のビア４１は、上記配線パターン２１Ｃと一体に形成されている。また、本例の金属膜４１Ａは、上記金属膜２１Ｂと一体に形成されている。すなわち、金属膜２１Ｂ，４１Ａは、金属箔２１Ａの下面と、突出部２１Ｄの側面及び上面と、貫通孔ＶＨ１の側壁全面と、貫通孔ＶＨ１の側壁から突出したガラスクロス３４の端部３４Ａ全面と、凹部２２Ｘ内に露出された絶縁層３１の上面３１Ｂと、凹部２２Ｘの内面全面とを連続的に被覆するように形成されている。なお、金属膜４１Ａの材料としては、上記金属膜２１Ｂと同様の材料を用いることができる。また、導電層４１Ｂの材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。

ここで、ビア４１が形成される凹部２２Ｘ及び貫通孔ＶＨ１を含む空間では、凹部２２Ｘの下方に貫通孔ＶＨ１の側壁の一部が突出している。このため、その貫通孔ＶＨ１の側壁と凹部２２Ｘ内で露出する絶縁層３１の上面３１Ｂと凹部２２Ｘの内面とによって段差が形成されている。このような段差を有する空間にビア４１が形成されると、ビア４１が上記凹部２２Ｘ内で露出する絶縁層３１の上面３１Ｂに延在するように形成されることになる。すなわち、ビア４１の底部Ｂ１がいわゆる釘や雄ネジの頭のような形状となり、その底部Ｂ１の周縁部の下面が絶縁層３１の上面３１Ｂと接触する。また、ビア４１が形成される貫通孔ＶＨ１及び開口部２１Ｘを含む空間では、貫通孔ＶＨ１の下方に突出部２１Ｄが配置されている。このため、貫通孔ＶＨ１の側壁と突出部２１Ｄの上面及び側面とによって段差が形成されている。このような段差を有する空間にビア４１が形成されると、ビア４１が貫通孔ＶＨ１内で露出する金属箔２１Ａ（突出部２１Ｄ）の上面に延在するように形成されることになる。このため、貫通孔ＶＨ１に充填された部分のビア４１の周縁部の下面が突出部２１Ｄの上面と接触する。

なお、本例では、配線層２２の下側に積層される配線層及び絶縁層の層数を１層としたが、配線層２２の下側に、２層以上の配線層と２層以上の絶縁層を積層するようにしてもよい。この場合には、上層の配線パターン２２Ｃの下面を被覆する絶縁層３１と、その絶縁層３１に形成された逆円錐台形状のビア４１と、絶縁層３２の下面３２Ａに形成され上記ビア４１と接続された配線層２１とそれぞれ同様の構造を有する絶縁層、ビア及び配線層を配線層２１の下側に順に積層する。

一方、上記配線層２２の上側には、所要数（ここでは、２層）の絶縁層３２，３３と、所要数（ここでは、２層）の配線層２３，２４とが積層されている。
詳述すると、絶縁層３１の上面に配線層２２の上面を被覆する絶縁層３１が積層され、その絶縁層３２の上面３２Ｂに配線層２３が積層されている。絶縁層３２の上面３２Ｂには、配線層２３が積層されている。

絶縁層３２には、所要の箇所（図１（ａ）では、３箇所）に、当該絶縁層３２を厚さ方向に貫通する貫通孔ＶＨ２が形成されている。貫通孔ＶＨ２は、図１（ｂ）において上側（金属箔２３Ａ側）から下側（配線層２２側）に向かうに連れて径が小さくなるテーパ状に形成されている。具体的には、貫通孔ＶＨ２は、下側の開口端Ａ３の開口径（底部の直径）が上側の開口端Ａ４の開口径よりも小径となる逆円錐台形状に形成されている。すなわち、貫通孔ＶＨ２は、配線層２２側が小径となる逆円錐台形状に形成されている。

このように、配線層２２の上面側では当該配線層２２に向かって径が小さくなる逆円錐台形状の貫通孔ＶＨ２が形成され、配線層２２の下面側では当該配線層２２に向かって径が小さくなる円錐台形状の貫通孔ＶＨ１が形成されている。

また、上記貫通孔ＶＨ２の底部（下部）には、配線層２２の金属箔２２Ａの上面に形成された凹部２２Ｙが露出されている。この凹部２２Ｙは、貫通孔ＶＨ２と連通するように金属箔２２Ａの上面に形成されている。凹部２２Ｙは、金属箔２２Ａの上面から該金属箔２２Ａの厚さ方向の中途位置まで形成されている。すなわち、凹部２２Ｙは、その底面が配線層２２の厚さ方向の中途に位置するように形成されており、金属箔２２Ａを厚さ方向に貫通しないように形成されている。この凹部２２Ｙの開口径は、貫通孔ＶＨ２の開口端Ａ３の開口径よりも大径に形成されている。すなわち、凹部２２Ｙの側壁の最外縁部は貫通孔ＶＨ２の側壁の最内縁部よりも大きく形成されている。このため、凹部２２Ｙの外縁部は、絶縁層３２の下部に延在している。この凹部２２Ｙによって、貫通孔ＶＨ２の側壁と接する絶縁層３２の下面３２Ａが露出されている。

なお、凹部２２Ｙの断面形状は、例えば略半楕円形状に形成されている。この凹部２２Ｙの深さは、例えば２〜３μｍ程度とすることができる。また、貫通孔ＶＨ２の開口端Ａ３の開口径は例えば５０〜８０μｍ程度とすることができ、凹部２２Ｙの開口径は例えば６０〜９０μｍ程度とすることができる。

上記配線層２３は、絶縁層３２の上面３２Ｂに形成された金属箔２３Ａと、金属箔２３Ａの上面全面を被覆する金属膜２３Ｂ（図中の太線参照）と、金属膜２３Ｂの上面及びビア４２の上面全面を被覆するように形成された配線パターン２３Ｃとを有している。

金属箔２３Ａ及び配線パターン２３Ｃの材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。これら金属箔２３Ａの材料と配線パターン２３Ｃの材料とは、同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。また、金属膜２３Ｂの材料としては、上記金属膜２２Ｂと同様の材料を用いることができる。金属箔２３Ａの厚さは例えば６〜１２μｍ程度とすることができ、金属膜２３Ｂの厚さは例えば０．５〜１μｍ程度とすることができ、配線パターン２３Ｃの厚さは例えば１４〜２９μｍ程度とすることができる。

金属箔２３Ａには、上記貫通孔ＶＨ２と連通し、その貫通孔ＶＨ２の開口端Ａ４の開口径よりも小径である開口部２３Ｘが形成されている。すなわち、絶縁層３２に設けられた貫通孔ＶＨ２が金属箔２３Ａの開口部２３Ｘから外側に食い込むように形成されている。換言すると、金属箔２３Ａには、貫通孔ＶＨ２の上部において、その貫通孔ＶＨ２の内側にリング状に突出する突出部２３Ｄが形成されている。なお、貫通孔ＶＨ２の開口端Ａ４の開口径を例えば７５〜９０μｍ程度とすることができ、開口部２３Ｘの開口径を例えば７５〜１００μｍ程度とすることができる。

そして、配線層２２の上面側に形成されたビア４２は、凹部２２Ｙ、貫通孔ＶＨ２及び開口部２３Ｘを充填するように形成されている。このため、ビア４２の底部Ｂ２（凹部２２Ｙに充填された部分のビア４２）は、金属箔２２Ａの上面よりも下方で該金属箔２２Ａと接合されている。また、貫通孔ＶＨ２に充填された部分のビア４２は、上側（配線層２３側）から下側（配線層２２側）に向かうに連れて径が小さくなるテーパ状に形成されている。さらに、ビア４２は、開口部２３Ｘに充填されたビア４２は、貫通孔ＶＨ２に充填された部分のビア４２の上部よりも小径に形成されている。そして、ビア４２は、貫通孔ＶＨ２の側壁から突出されたガラスクロス３４の端部３４Ａ全面を被覆するように形成されている。

ビア４２は、金属箔２３Ａの突出部２３Ｄの側面及び下面と、貫通孔ＶＨ２の側壁全面と、貫通孔ＶＨ２の側壁から突出したガラスクロス３４の端部３４Ａ全面と、凹部２２Ｙの内面全面と、凹部２２Ｙ内に露出された絶縁層３２の下面３２Ａとを被覆するように形成された金属膜４２Ａ（図中の太線参照）を有している。また、ビア４２は、金属膜４２Ａよりも内側の開口部２３Ｘ、貫通孔ＶＨ２及び凹部２２Ｙの空間に充填された導電層４２Ｂを有している。本例のビア４２は、上記配線パターン２３Ｃと一体に形成されている。また、本例の金属膜４２Ａは、上記金属膜２３Ｂと一体に形成されている。すなわち、金属膜２３Ｂ，４２Ａは、金属箔２３Ａの上面と、突出部２３Ｄの側面及び下面と、貫通孔ＶＨ２の側壁全面と、貫通孔ＶＨ２の側壁から突出したガラスクロス３４の端部３４Ａ全面と、凹部２２Ｘ内に露出された絶縁層３２の下面３２Ａと、凹部２２Ｙの内面全面とを連続的に被覆するように形成されている。なお、金属膜４２Ａの材料としては、上記金属膜２３Ｂと同様の材料を用いることができる。また、導電層４２Ｂの材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。

ここで、ビア４２が形成される凹部２２Ｙ及び貫通孔ＶＨ２を含む空間では、凹部２２Ｙの上方に貫通孔ＶＨ２の側壁の一部が突出している。このため、その貫通孔ＶＨ２の側壁と凹部２２Ｙ内で露出する絶縁層３２の下面３２Ａと凹部２２Ｙの内面とによって段差が形成されている。このような段差を有する空間にビア４２が形成されると、ビア４２が上記凹部２２Ｙ内で露出する絶縁層３２の下面３２Ａに延在するように形成されることになる。すなわち、ビア４２の底部Ｂ２がいわゆる釘や雄ネジの頭のような形状となり、その底部Ｂ２の周縁部の上面が絶縁層３２の下面３２Ａと接触する。また、ビア４２が形成される貫通孔ＶＨ２及び開口部２３Ｘを含む空間では、貫通孔ＶＨ２の上方に突出部２３Ｄが配置されている。このため、貫通孔ＶＨ２の側壁と突出部２３Ｄの下面及び側面とによって段差が形成されている。このような段差を有する空間にビア４２が形成されると、ビア４２が貫通孔ＶＨ２内で露出する金属箔２３Ａ（突出部２３Ｄ）の上面に延在するように形成されることになる。このため、貫通孔ＶＨ２に充填された部分のビア４２の周縁部の上面が突出部２３Ｄの下面と接触する。

以上説明したように、配線層２２の金属箔２２Ａの上面には凹部２２Ｙが形成され、金属膜２２Ｂを介して金属箔２２Ａの下面に形成された配線パターン２２Ｃの下面には凹部２２Ｘが形成されている。これら凹部２２Ｘ，２２Ｙは、配線層２２内において連通されないように形成されている。すなわち、凹部２２Ｘと凹部２２Ｙとの間には、金属膜２２Ｂが介在されている。換言すると、金属膜２２Ｂの上面に形成された金属箔２２Ａに凹部２２Ｙが形成され、金属膜２２Ｂの下面に形成された配線パターン２２Ｃに凹部２２Ｘが形成されている。このため、凹部２２Ｘと凹部２２Ｙとは互いに接触しないように形成されている。

さらに、配線層２２の上側では、下層の金属箔２２Ａの上面を被覆する絶縁層３２と、その絶縁層３２に形成された円錐台形状のビア４２と、絶縁層３２の上面３２Ｂに形成され上記ビア４２と接続された配線層２３とそれぞれ同様の構造の絶縁層３３、ビア４３及び配線層２３が配線層２３の上側に順に積層される。

詳述すると、絶縁層３３は、直下の絶縁層３２の上面３２Ｂ上に、その上面３２Ｂに形成された配線層２３の上面及び側面を被覆するように積層されている。絶縁層３３の上面３３Ｂには、上記配線層２３と同様の構造を有する配線層２４、つまり金属箔２４Ａと金属膜２４Ｂと配線パターン２４Ｃとを有する配線層２４が積層されている。

また、絶縁層３３に設けられた貫通孔ＶＨ３は、上側（配線層２４側）から下側（配線層２２側）に向かうに連れて径が小さくなるテーパ状に形成されている。具体的には、貫通孔ＶＨ３は、下側の開口端Ａ５の開口径が上側の開口端Ａ６の開口径よりも小径となる円錐台形状に形成されている。この貫通孔ＶＨ３の底部（下部）には、配線パターン２３Ｃの上面に形成された凹部２３Ｙが露出されている。凹部２３Ｙは、上記凹部２２Ｙと同様に、貫通孔ＶＨ３と連通するとともに、その貫通孔ＶＨ３の開口端Ａ５の開口径よりも大径に形成されている。

そして、配線層２２よりも上側に形成されたビア４３は、上記ビア４２と同様の構造を有している。すなわち、ビア４３は、金属膜４３Ａと導電層４３Ｂとを有し、開口部２４Ｘ、貫通孔ＶＨ３及び凹部２３Ｙを充填するように形成されている。このため、ビア４３の底部Ｂ３（凹部２３Ｙに充填された部分のビア４３）がいわゆる釘や雄ネジの頭のような形状となり、それら底部Ｂ３の周縁部の上面が絶縁層３３の下面と接触する。

一方、図１（ａ）に示すように、最下層の絶縁層３１の下面３１Ａには、ソルダレジスト層５１が積層されている。ソルダレジスト層５１の材料としては、例えばエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。このソルダレジスト層５１には、上記配線層２１の配線パターン２１Ｃの一部をパッドＰ１として露出させるための開口部５１Ｘが形成されている。このパッドＰ１には、当該配線基板１に搭載される半導体チップ１０のバンプ１１（図２参照）がフリップチップ接続されるようになっている。すなわち、パッドＰ１が形成されている下側の面がチップ搭載面となっている。

なお、必要に応じて、上記開口部５１Ｘから露出する配線パターン２１Ｃ上にＯＳＰ（Organic Solderbility Preservative）処理を施してＯＳＰ膜を形成し、そのＯＳＰ膜に上記半導体チップ１０を接続するようにしてもよい。また、開口部５１Ｘから露出する配線パターン２１Ｃ上に金属層を形成し、その金属層に上記半導体チップ１０等を接続するようにしてもよい。金属層の例としては、金（Ａｕ）層、ニッケル（Ｎｉ）／Ａｕ層（配線パターン２２上にＮｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／パラジウム（Ｐｄ）／Ａｕ層（配線パターン２２上にＮｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。

また、最上層の絶縁層３３の上面３３Ｂには、ソルダレジスト層５２が積層されている。ソルダレジスト層５２の材料としては、例えばエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。このソルダレジスト層５２には、上記配線層２４の配線パターン２４Ｃの一部を上記外部接続用パッドＰ２として露出させるための開口部５２Ｘが形成されている。この外部接続用パッドＰ２には、例えば当該配線基板１をマザーボード等の実装基板に実装する際に使用されるはんだボールやリードピン等の外部接続端子が接続されるようになっている。なお、必要に応じて、上記開口部５２Ｘから露出する配線パターン２４Ｃ上にＯＳＰ処理を施してＯＳＰ膜を形成し、そのＯＳＰ膜に外部接続端子を接続するようにしてもよい。また、開口部５２Ｘから露出する配線パターン２４Ｃ上に金属層を形成し、その金属層に上記外部接続端子を接続するようにしてもよい。金属層の例としては、Ａｕ層、Ｎｉ／Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層や、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層などを挙げることができる。また、上記開口部５２Ｘから露出する配線パターン２４Ｃ（あるいは、配線パターン２４Ｃ上にＯＳＰ膜や金属層が形成されている場合には、それらＯＳＰ膜又は金属層）自体を、外部接続端子としてもよい。

次に、半導体装置２の構造について説明する。
図２に示すように、半導体装置２は、上記配線基板１と、半導体チップ１０と、アンダーフィル樹脂１３とを有している。なお、図２において、同図に示す配線基板１は図１（ａ）とは上下反転して描かれている。

半導体チップ１０は、配線基板１にフリップチップ実装されている。すなわち、半導体チップ１０の回路形成面（図２では、下面）に配設されたバンプ１１を配線基板１のパッドＰ１に接合することにより、半導体チップ１０は配線基板１にフェイスダウンで接合される。この半導体チップ１０は、バンプ１１を介して、配線基板１のパッドＰ１と電気的に接続されている。

半導体チップ１０としては、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）チップやＧＰＵ（Graphics Processing Unit）チップなどのロジックチップを用いることができる。また、半導体チップ１０としては、例えばＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）チップ、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）チップやフラッシュメモリチップなどのメモリチップを用いることもできる。この半導体チップ１０の大きさは、例えば平面視で３ｍｍ×３ｍｍ〜１２ｍｍ×１２ｍｍ程度とすることができる。また、半導体チップ１０の厚さは、例えば５０〜１００μｍ程度とすることができる。

また、上記バンプ１１としては、例えば金バンプやはんだバンプを用いることができる。はんだバンプの材料としては、例えば鉛（Ｐｂ）を含む合金、錫（Ｓｎ）とＡｕの合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。

アンダーフィル樹脂１３は、配線基板１の上面と半導体チップ１０の下面との隙間を充填するように設けられている。このアンダーフィル樹脂１３は、バンプ１１とパッドＰ１との接続部分の接続強度を向上させると共に、配線パターン２２Ｃの腐食やエレクトロマイグレショーンの発生を抑制し、配線パターン２２Ｃの信頼性の低下を防ぐための樹脂である。なお、アンダーフィル樹脂１３の材料としては、例えばエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。

次に、上記配線基板１及び半導体装置２の作用について説明する。
金属箔２３Ａに、貫通孔ＶＨ２の上部において、その貫通孔ＶＨ２の内側に突出する突出部２３Ｄを形成するようにした。すなわち、金属箔２３Ａに、貫通孔ＶＨ２と連通し、その貫通孔ＶＨ２の開口端Ａ４の開口径よりも小径である開口部２３Ｘを形成するようにした。そして、貫通孔ＶＨ２とその貫通孔ＶＨ２の開口端Ａ４よりも小径の開口部２３Ｘとを含む空間、すなわち突出部２３Ｄの側面及び下面と貫通孔ＶＨ２の側壁とによって形成される段差を有する空間にビア４２を形成するようにした。これにより、ビア４２が突出部２３Ｄの下面に食い込むように形成される。このため、ビア４２と絶縁層３２との密着性が向上し、ビア４２と絶縁層３２との熱膨張係数の差に起因した引っ張り力に対して強くなる。したがって、ビア４２が貫通孔ＶＨ２から抜けることを抑制することができる。

また、貫通孔ＶＨ２とその貫通孔ＶＨ２の開口端Ａ３よりも大径の凹部２２Ｙとを充填するビア４２を配線層２２の上面側に接合するようにした。これにより、ビア４２の底部Ｂ２が絶縁層３２の下面３２Ａに食い込むように形成される。このため、ビア４２と絶縁層３２との密着性が向上し、ビア４２と絶縁層３２との熱膨張係数の差に起因した引っ張り力に対して強くなる。したがって、ビア４２が貫通孔ＶＨ２から抜けることを抑制することができる。

さらに、ビア４２を、貫通孔ＶＨ２の側壁から突出されたガラスクロス３４の端部３４Ａ全面を被覆するように形成した。このため、貫通孔ＶＨ２の側壁から突出されたガラスクロス３４の端部３４Ａがビア４２に食い込むに形成されることになる。これにより、ビア４２の引っ張り強度が高くなるため、ビア４２と絶縁層３２との接続信頼性を向上させることができる。

次に、上記配線基板１の製造方法について説明する。
図３（ａ）に示すように、まず、絶縁層３２の下面３２Ａに金属箔２２Ａの母材となる金属箔６１が被着され、絶縁層３２の上面３２Ｂに金属箔２３Ａの母材となる金属箔６２が被着された銅張積層板（Copper Clad Laminated：ＣＣＬ）を準備する（第１工程）。金属箔６１，６２としては、例えば銅箔を用いることができる。

次に、金属箔６２に対してレーザ加工の前処理を施す。本工程では、例えば金属箔６２に対して粗化処理や黒化処理等が施される。このような処理により、図３（ｂ）に示す次工程で、金属箔６２に対してレーザ光を照射した際に、レーザ光を吸収しやすくして穴加工を効率的に行うことができるようになる。

続いて、図３（ｂ）に示す工程では、ＣＯ_２レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等によるレーザ加工法により、金属箔６２に開口部６２Ｘを形成するとともに、その開口部６２Ｘに連通し絶縁層３２を厚さ方向に貫通して下層の金属箔６１の上面を露出する貫通孔ＶＨ２を形成する（第２工程）。このとき、貫通孔ＶＨ２は、下側（金属箔６１側）の開口端Ａ３の開口径が上側（金属箔６２側）の開口端Ａ４の開口径よりも小径となる逆円錐台形状に形成されている。また、本工程では、金属箔６２（銅箔）よりも絶縁層３２の方がレーザ加工されやすい特性やレーザの熱による影響により、図３（ｂ）に示すように、絶縁層３２に形成された貫通孔ＶＨ２が金属箔６２の開口部６２Ｘから外側に食い込むように形成される。すなわち、貫通孔ＶＨ２の上部において、金属箔６２の突出部６２Ａが貫通孔ＶＨ２の内側にリング状に突出する構造、いわゆるオーバーハング構造が形成される。換言すると、金属箔６２には、貫通孔ＶＨ２の開口端Ａ４の開口径よりも小径である開口部６２Ｘが形成される。また、レーザ光を照射して金属箔６２に開口部６２Ｘを形成すると、その開口部６２Ｘ近傍の金属箔６２（突出部６２Ａ）上に、レーザによって昇華した銅が再付着して形成されるバリ６２Ｂが残る。さらに、レーザ加工法により貫通孔ＶＨ２を形成すると、図３（ｂ）に示すように、レーザにより切断されたガラスクロス３４の端部３４Ａが貫通孔ＶＨ２の側壁から突出する。これにより、ガラスクロス３４の端部３４Ａが貫通孔ＶＨ２の側壁から露出し突出されるため、ガラスクロス３４部分の表面粗さが樹脂部分の表面粗さよりも大きくなる。

次に、図３（ｃ）に示す工程では、図３（ｂ）に示した構造体に対してレーザ加工の後処理を施す。具体的には、突出部６２Ａ上に形成されたバリ６２Ｂを除去するように、且つ、金属箔６１の上面に凹部６１Ｙを形成するように、図３（ｂ）に示した構造体に対してエッチング処理を施す。例えば、金属箔６２の上面に除去すべき領域の金属箔６２（具体的には、バリ６２Ｂ）のみを露出するようにレジスト層（図示略）を形成するとともに、金属箔６１の下面全面を被覆するレジスト層（図示略）を形成し、それらレジスト層をエッチングマスクとして金属箔６２及び金属箔６１をエッチングする。このとき、上記エッチング処理により突出部６２Ａの端部が除去され、金属箔６２の開口部６２Ｘの開口径が広がる場合もある。本工程のエッチング処理は、例えばウェットエッチングにより行うことができる。このようなウェットエッチングを金属箔６１に対して施した場合には、エッチングが金属箔６１の面内方向に進行するサイドエッチ現象により、金属箔６１の凹部６１Ｙを貫通孔ＶＨ２の底部から外側に食い込むように形成することができる。すなわち、金属箔６１の上面に、貫通孔ＶＨ２の下側の開口端Ａ３の開口径よりも大径の凹部６１Ｙを形成することができる。

続いて、図３（ｄ）に示す工程では、貫通孔ＶＨ２内の樹脂スミア（樹脂残渣）と、貫通孔ＶＨ２の側壁である絶縁層３２の一部とをデスミア処理により除去する。これにより、貫通孔ＶＨ２の開口径が広くなるため、金属箔６２の突出部６２Ａの突出量が大きくなるとともに、貫通孔ＶＨ２の側壁から突出するガラスクロス３４の突出量が大きくなる。詳述すると、貫通孔ＶＨ２の開口端Ａ３，Ａ４の開口径が上記図３（ｃ）における開口端Ａ３，Ａ４の開口径よりもそれぞれ広がるため、突出部６２Ａの突出量が大きくなるとともに、貫通孔ＶＨ２の側壁から突出するガラスクロス３４の突出量が大きくなる。換言すると、本工程では、突出部６２Ａの突出量及びガラスクロス３４の突出量を大きくするように、貫通孔ＶＨ２の側壁である絶縁層３２の一部を除去する。なお、本工程において、貫通孔ＶＨ２の開口端Ａ３，Ａ４の開口径がそれぞれ図１に示した開口端Ａ３，Ａ４の開口径と略同じ大きさになる。上記デスミア処理は、例えば過マンガン酸塩法を用いて行うことができる。

次いで、図３（ｅ）に示す工程では、金属箔６１の上面に、貫通孔ＶＨ２と連通し、その貫通孔ＶＨ２の下側の開口端Ａ３の開口径よりも大径の凹部６１Ｙを形成するように、図３（ｄ）に示した構造体に対してエッチング処理を施す（第３工程）。本例では、先の図３（ｃ）に示した工程で形成された凹部６１Ｙの開口径を広げるように、図３（ｄ）に示した構造体に対してエッチング処理を施す。本工程のエッチング処理は、例えばウェットエッチングにより行うことができる。このようなウェットエッチングを金属箔６１に対して施すと、エッチングが金属箔６１の面内方向に進行するサイドエッチ現象により、金属箔６１の凹部６１Ｙの開口径が広がる。これにより、図３（ｄ）に示した構造体に比べて、凹部６１Ｙが貫通孔ＶＨ２の底部から外側に食い込む量が大きくなる。本工程では、金属箔６１に凹部６１Ｙを形成する際には、金属箔６２の突出部６２Ａを残すようにエッチング処理が行われる。具体的には、金属箔６１の下面及び金属箔６２がエッチングにより除去されないように金属箔６１，６２を被覆するレジスト層（図示略）を形成し、そのレジスト層をエッチングマスクとしてエッチング処理が施される。但し、サイドエッチ現象により突出部６２Ａの側面の一部が除去されるため、開口部６２Ｘの開口径が広がる場合もある。なお、本工程において、凹部６１Ｙが図１に示した凹部２２Ｙとなり、開口部６２Ｘが図１に示した開口部２３Ｘとなり、突出部６２Ａが図１に示した突出部２３Ｄとなる。

続いて、図４（ａ）に示す工程（第４工程）では、金属箔６１の下面全面を覆うようにシード層６３を形成する。また、開口部２３Ｘ、貫通孔ＶＨ２及び凹部２２Ｙの内面を含む絶縁層３２及び金属箔６２の表面全面を覆うようにシード層６４を形成する。これらシード層６３，６４は、例えば無電解めっき法により形成することができる。シード層６３は金属膜４２Ａ及び金属膜２３Ｂの母材であり、シード層６４は金属膜２２Ｂの母材である。このため、シード層６３，６４の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。

次いで、シード層６３，６４をめっき給電層に利用する電解めっき法により、図４（ｂ）に示すように、金属箔６１の下面に形成されたシード層６３の下面全面を被覆する導電層６５を形成する。また、上記電解めっき法により、凹部２２Ｙと貫通孔ＶＨ２と開口部２３Ｘとを充填する導電層４２Ｂを形成するとともに、金属箔６２上に形成されたシード層６４を被覆する導電層６６を形成する。このとき、導電層４２Ｂの形成では、金属箔６２の突出部２３Ｄに優先的にめっきが析出されるため、貫通孔ＶＨ２内が導電層４２Ｂによって完全に充填される前に、開口部２３Ｘを充填する蓋めっきが形成される。そして、蓋めっきから上方に向かってめっき膜が析出成長され、上記蓋めっき及びシード層６４の上面を被覆するめっき膜からなる上記導電層６６が形成される。このため、貫通孔ＶＨ２のアスペクト比が大きくなった場合であっても、開口部２３Ｘを充填する蓋めっきが優先的に形成されることによってビア４２及び導電層６６の上面に凹部が形成されることを好適に抑制することができる。これにより、導電層６６の上面を平坦に形成することができる。すなわち、導電層６６の上面の平坦性を確保することができる。また、凹部２２Ｙ、貫通孔ＶＨ２及び開口部２３Ｘでは、凹部２２Ｙ及び貫通孔ＶＨ２の内面に形成されたシード層６４から内側にめっき膜が析出成長されるとともに、突出部２３Ｄの下面及び側面に形成されたシード層６４からも内側にめっき膜が析出成長される。このため、凹部２２Ｙ、貫通孔ＶＨ２及び開口部２３Ｘにおけるめっき膜の充填のばらつきを抑制することができる。さらに、貫通孔ＶＨ２では、その貫通孔ＶＨ２の側壁から突出したガラスクロス３４の端部３４Ａ全面に形成されたシード層６４からもめっき膜が析出成長されるため、導電層４２Ｂの中央部にボイドが発生することを好適に抑制することができる。詳述すると、ガラスクロス３４の端部３４Ａは、上述したように樹脂部分（貫通孔ＶＨ２の側壁）よりも表面粗さが粗くなっており、表面積が大きい。このため、ガラスクロス３４の端部３４Ａでは、上記電解めっき法の際に使用されるめっき促進剤の吸着量が樹脂部分よりも多くなるために、めっき析出速度が速くなる。このように、ガラスクロス３４の端部３４Ａ部分に優先的にめっき膜が析出成長されると、ボイドの発生しやすい貫通孔ＶＨ２の中央部分に優先的にめっき膜が形成される。これにより、導電層４２Ｂの中央部にボイドが発生することを好適に抑制することができる。

本工程において、突出部２３Ｄの側面及び下面と、貫通孔ＶＨ２の側壁と、ガラスクロス３４の端部３４Ａと、凹部２２Ｙに露出された絶縁層３２の下面３２Ａと、凹部２２Ｙの内面とを被覆するシード層６４（つまり、金属膜４２Ａ）と、開口部２３Ｘ、貫通孔ＶＨ２及び凹部２２Ｙを充填する導電層４２Ｂとからなるビア４２が形成される。また、そのビア４２の上面全面と、金属箔６２上に形成されたシード層６４の上面全面とを被覆する導電層６６が形成される。

次に、図４（ｃ）に示す工程では、導電層６５の下面に、所定の箇所に開口部６７Ｘを有するレジスト層６７を形成するとともに、導電層６６の上面に、所定の箇所に開口部６８Ｘを有するレジスト層６８を形成する。レジスト層６７は、図１に示した配線層２２に対応する部分の導電層６５を被覆するように形成される。また、レジスト層６８は、図１に示した配線層２３に対応する部分の導電層６６を被覆するように形成される。レジスト層６７，６８の材料としては、次工程のエッチング処理に対して耐エッチング性がある材料を用いることができる。例えば、レジスト層６７，６８の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、導電層６５の下面及び導電層６６の上面にそれぞれドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、それらラミネートしたドライフィルムを露光・現像によりパターニングして上記開口部６７Ｘ，６８Ｘを形成する。これにより、導電層６５の下面に開口部６７Ｘを有するレジスト層６７が形成され、導電層６６の上面に開口部６８Ｘを有するレジスト層６８が形成される。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層６７，６８を形成することができる。

次いで、レジスト層６７，６８をエッチングマスクとして、導電層６５，６６、シード層６３，６４及び金属箔６１，６２をエッチングする。具体的には、レジスト層６７の開口部６７Ｘから露出している導電層６５、シード層６３及び金属箔６１をエッチングして所望の形状にパターニングする。また、レジスト層６８の開口部６８Ｘから露出している導電層６６、シード層６４及び金属箔６２をエッチングして所望の形状にパターニングする。これにより、図４（ｄ）に示すように、絶縁層３２の下面３２Ａに、金属箔６１が所望の形状にパターニングされて形成された金属箔２２Ａと、シード層６３が所望の形状にパターニングされて形成された金属膜２２Ｂと、導電層６５が所望の形状にパターニングされて形成された配線パターン２２Ｃとが順に積層された配線層２２が形成される。また、絶縁層３２の上面３２Ｂに、金属箔６２が所望の形状にパターニングされて形成された金属箔２３Ａと、シード層６４が所望の形状にパターニングされて形成された金属膜２３Ｂと、導電層６６が所望の形状にパターニングされて形成された配線パターン２３Ｃとが順に積層された配線層２３が形成される。その後、図４（ｃ）に示したレジスト層６７，６８を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。このように、本例では、配線層２２，２３をサブトラクティブ法により同時に形成するようにした。なお、ビア４２及び配線層２２，２３の形成方法としては、上記サブトラクティブ法の他にセミアディティブ法などの各種の配線形成方法を採用することもできる。

本実施形態では、図４（ｂ）〜図４（ｄ）に示した工程が第５工程及び第６工程の一例である。
次に、配線層２２，２３に対して粗化処理を施す。この粗化処理は、例えば配線層２２，２３の表面の粗度が、表面粗さＲａ値で０．５〜２μｍ程度となるように行われる。ここで、表面粗さＲａ値とは、表面粗さを表わす数値の一種であり、算術平均粗さと呼ばれるものであって、具体的には測定領域内で変化する高さの絶対値を平均ラインである表面から測定して算術平均したものである。本工程の処理により、配線層２２の下面及び側面に微細な凹凸が形成され、それら下面及び側面が粗面化される。また、配線層２３の上面及び側面に微細な凹凸が形成され、それら上面及び側面が粗面化される。この粗化処理は、図５（ａ）に示す次工程で、配線層２２に対して絶縁層３１を密着させやすくするために行われるとともに、配線層２３に対して絶縁層３３を密着させやすくするために行われる。なお、上記粗化処理は、例えばエッチング処理、ＣＺ処理、黒化処理（酸化処理）やサンドブラスト処理等によって行うことができる。

続いて、図５（ａ）に示す工程では、絶縁層３２の下面３２Ａに、配線層２２を被覆する絶縁層３１を積層するとともに、その絶縁層３１の下面３１Ａに金属箔２１Ａの母材となる金属箔７１を積層する（第７工程）。また、絶縁層３２の上面３２Ｂに、配線層２３を被覆する絶縁層３３を積層するとともに、その絶縁層３３の上面３３Ｂに金属箔２４Ａの母材となる金属箔７２を積層する。金属箔７１，７２の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。例えば、ガラスクロス等の補強材にエポキシ樹脂等の熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させた半硬化状態のプリプレグを準備する。そして、図４（ｄ）に示した構造体の絶縁層３２の下面３２Ａ側に、絶縁層３２から順にプリプレグ及び金属箔７１を配置するとともに、絶縁層３２の上面３２Ｂ側に、絶縁層３２から順にプリプレグ及び金属箔７２を配置する。続いて、このように配置された上記構造体、プリプレグ及び金属箔７１，７２を、真空雰囲気において、１９０〜２００℃程度の温度で両面側から加圧する。これにより、絶縁層３２の下面３２Ａ側では、その下面３２Ａ側に配置されたプリプレグ中に配線層２２が圧入されるとともに、そのプリプレグが硬化されてガラスエポキシ樹脂等の補強材入りの絶縁性樹脂からなる絶縁層３１が得られる。また、上記プリプレグの硬化に伴って絶縁層３１に配線層２２が接着されるとともに、絶縁層３１の下面３１Ａに金属箔７１が接着される。一方、絶縁層３２の上面３２Ｂ側では、その上面３２Ｂ側に配置されたプリプレグ中に配線層２３が圧入されるとともに、そのプリプレグが硬化されてガラスエポキシ樹脂等の補強材入りの絶縁性樹脂からなる絶縁層３３が得られる。また、上記プリプレグの硬化に伴って絶縁層３３に配線層２３が接着されるとともに、絶縁層３３の上面３３Ｂに金属箔７２が接着される。

次に、金属箔７１，７２に対してレーザ加工の前処理を施す。本工程では、例えば金属箔７１，７２に対して粗化処理や黒化処理等が施される。
続いて、図５（ｂ）に示す工程では、レーザ加工法により、金属箔７１に開口部７１Ｘを形成するとともに、その開口部７１Ｘに連通し絶縁層３１を厚さ方向に貫通して上層の配線パターン２２Ｃの下面を露出する貫通孔ＶＨ１を形成する（第８工程）。このとき、貫通孔ＶＨ１が金属箔７１の開口部７１Ｘから外側に食い込むように形成される。これにより、貫通孔ＶＨ１の下部において、その貫通孔ＶＨ１の内側にリング状に突出する突出部７１Ａが金属箔７１に形成される。また、レーザ加工法により、金属箔７２に開口部７２Ｘを形成するとともに、その開口部７２Ｘに連通し絶縁層３３を厚さ方向に貫通して下層の配線パターン２３Ｃの上面を露出する貫通孔ＶＨ３を形成する。このとき、貫通孔ＶＨ３が金属箔７２の開口部７２Ｘから外側に食い込むように形成される。なお、開口部７１Ｘ近傍の金属箔７１（突出部７１Ａ）上には、レーザによって昇華した銅が再付着して形成されるバリ７１Ｂが残り、開口部７２Ｘ近傍の金属箔７２（突出部７２Ａ）上には、レーザによって昇華した銅が再付着して形成されるバリ７２Ｂが残る。

次に、図５（ｂ）に示した構造体の上下両面に対して、先の図３（ｃ）〜図３（ｅ）に示した工程と同様の製造工程を実施する。詳述すると、まず、上記バリ７１Ｂ，７２Ｂをエッチングにより除去する。続いて、貫通孔ＶＨ１，ＶＨ３の樹脂スミアと、貫通孔ＶＨ１，ＶＨ３の側壁である絶縁層３１，３３の一部とをデスミア処理により除去する。これにより、図５（ｃ）に示すように貫通孔ＶＨ１，ＶＨ３の開口径が広がるため、突出部７１Ａ，７２Ａの突出量が大きくなるとともに、貫通孔ＶＨ１，ＶＨ３の側壁から突出したガラスクロス３４の突出量が大きくなる。次いで、貫通孔ＶＨ１と連通し、その貫通孔ＶＨ１の上側の開口端Ａ１よりも大径の凹部２２Ｘを配線パターン２２Ｃの下面に形成するとともに、貫通孔ＶＨ３と連通し、その貫通孔ＶＨ３の下側の開口端Ａ５よりも大径の凹部２３Ｙを配線パターン２３Ｃの上面に形成する（第９工程）。以上の工程により、開口部７１Ｘ，７２Ｘがそれぞれ図１に示した開口部２１Ｘ，２４Ｘとなり、突出部７１Ａ，７２Ａがそれぞれ図１に示した突出部２１Ｄ，２４Ｄとなる。

次に、図５（ｃ）に示した構造体の上下両面に対して、図４（ａ）〜図４（ｄ）に示した工程と同様の製造工程を実施する（第１０工程）。これにより、図６（ａ）に示すように、開口部２１Ｘ及び貫通孔ＶＨ１及び凹部２２Ｘを充填するビア４１が形成されるとともに、開口部２４Ｘ及び貫通孔ＶＨ３及び凹部２３Ｙを充填するビア４３が形成される。また、絶縁層３１の下面３１Ａに、金属箔７１が所望の形状にパターニングされて形成された金属箔２１Ａと、その金属箔２１Ａの下面全面を被覆する金属膜２１Ｂと、その金属膜２１Ｂ及びビア４１の下面全面を被覆する配線パターン２１Ｃとが順に積層された配線層２１が形成される。さらに、絶縁層３３の上面３３Ｂに、金属箔７２が所望の形状にパターニングされて形成された金属箔２４Ａと、その金属箔２４Ａの上面全面を被覆する金属膜２４Ｂと、その金属膜２４Ｂ及びビア４３の上面全面を被覆する配線パターン２４Ｃとが順に積層された配線層２４が形成される。

次に、図６（ｂ）に示す工程では、配線層２１の所要の箇所に画定されるパッドＰ１を露出させるための開口部５１Ｘを有するソルダレジスト層５１を絶縁層３１の下面３１Ａ上に積層する。また、配線層２４の所要の箇所に画定される外部接続用パッドＰ２を露出させるための開口部５２Ｘを有するソルダレジスト層５２を絶縁層３３の上面３３Ｂ上に形成する。これらソルダレジスト層５１，５２は、例えば感光性のソルダレジストフィルムをラミネートし、又は液状のソルダレジストを塗布し、当該レジストを所要の形状にパターニングすることにより形成することができる。これにより、ソルダレジスト層５１の開口部５１Ｘから配線層２１の一部がパッドＰ１として露出され、ソルダレジスト層５２の開口部５２Ｘから配線層２４の一部が外部接続用パッドＰ２として露出される。なお、必要に応じて、パッドＰ１上及び外部接続用パッドＰ２上に、例えばＮｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層を形成するようにしてもよい。この金属層は、例えば無電解めっき法により形成することができる。

以上の製造工程により、図１に示した配線基板１を製造することができる。
次に、半導体装置２の製造方法について説明する。
図６（ｃ）に示す工程では、まず、上述のように製造された配線基板１に半導体チップ１０を実装する。具体的には、配線基板１のパッドＰ１上に、半導体チップ１０のバンプ１１をフリップチップ接合する。続いて、フリップチップ接合された配線基板１と半導体チップ１０との間に、アンダーフィル樹脂１３（図２参照）を充填し、そのアンダーフィル樹脂１３を硬化する。以上の製造工程により、図２に示した半導体装置２を製造することができる。

以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）金属箔２３Ａに、貫通孔ＶＨ２の上部において、その貫通孔ＶＨ２の内側に突出する突出部２３Ｄを形成するようにした。すなわち、金属箔２３Ａに、貫通孔ＶＨ２と連通し、その貫通孔ＶＨ２の開口端Ａ４の開口径よりも小径である開口部２３Ｘを形成するようにした。そして、貫通孔ＶＨ２とその貫通孔ＶＨ２の開口端Ａ４よりも小径の開口部２３Ｘとを含む空間、すなわち突出部２３Ｄの側面及び下面と貫通孔ＶＨ２の側壁とによって形成される段差を有する空間にビア４２を形成するようにした。これにより、ビア４２が突出部２３Ｄの下面に食い込むように形成される。このため、ビア４２と絶縁層３２との密着性が向上し、ビア４２と絶縁層３２との熱膨張係数の差に起因した引っ張り力に対して強くなる。したがって、ビア４２が貫通孔ＶＨ２から抜けることを抑制することができる。

（２）貫通孔ＶＨ２の上方で該貫通孔ＶＨ２の内側に突出する金属箔６２の突出部２３Ｄを残した状態で、電解めっき法によりビア４２及び導電層６６を形成するようにした。この方法によれば、突出部２３Ｄに優先的にめっき膜が析出され、貫通孔ＶＨ２内が導電層４２Ｂによって完全に充填される前に、開口部２３Ｘを充填する蓋めっきが形成される。これにより、貫通孔ＶＨ２のアスペクト比が大きくなった場合であっても、開口部２３Ｘを充填する蓋めっきが優先的に形成されることによってビア４２及び導電層６６の上面に凹部が形成されることを好適に抑制することができる。すなわち、ビア４２及び導電層６６の上面を平坦に形成することができる。

このようにビア４２及び導電層６６（配線パターン２３Ｃ）の上面の平坦性が確保されると、本例のようにビア４２上にビア４３をスタックする場合に、そのビア４３を形成する際のめっき膜の埋め込み性を向上させることができる。これにより、ビア４２の上面に凹部が形成される場合に比べて、そのビア４２上にスタックされるビア４３の上面を平坦に形成することができる。ひいては、ビア４２，４３間の接続信頼性を向上させることができる。

（３）ビア４２を、貫通孔ＶＨ２の側壁から突出されたガラスクロス３４の端部３４Ａ全面を被覆するように形成した。このため、貫通孔ＶＨ２の側壁から突出されたガラスクロス３４の端部３４Ａがビア４２に食い込むに形成されることになる。これにより、ビア４２の引っ張り強度が高くなるため、ビア４２と絶縁層３２との接続信頼性を向上させることができる。

（４）貫通孔ＶＨ２の側壁からガラスクロス３４の端部３４Ａが突出した状態で、貫通孔ＶＨ２内に導電層４２Ｂを充填するようにした。この方法によれば、貫通孔ＶＨ２の側壁から突出したガラスクロス３４の端部３４Ａ全面に形成されたシード層６４から優先的にめっき膜が析出成長されるため、導電層４２Ｂの中央部にボイドが発生することを好適に抑制することができる。

（５）貫通孔ＶＨ２とその貫通孔ＶＨ２の開口端Ａ３よりも大径の凹部２２Ｙとを充填するビア４２を配線層２２の上面側に接合するようにした。これにより、ビア４２の底部Ｂ２が絶縁層３２の下面３２Ａに食い込むように形成される。また、凹部２２Ｙの開口径を貫通孔ＶＨ２の開口端Ａ３よりも大径に設定すると、絶縁層３２の下面３２Ａの一部が凹部２２Ｙに形成される。このため、凹部２２Ｙ内に充填されるビア４２と絶縁層３２との接触面積を増大させることができる。以上のことにより、ビア４２と絶縁層３２との密着性が向上し、ビア４２と絶縁層３２との熱膨張係数の差に起因した引っ張り力に対して強くなる。したがって、ビア４２が貫通孔ＶＨ２から抜けることを抑制することができる。

（６）貫通孔ＶＨ１とその貫通孔ＶＨ１の開口端Ａ１よりも大径の凹部２２Ｘとを充填するビア４１を配線層２２の下面側に接合するようにした。これにより、ビア４１の底部Ｂ１が絶縁層３１の上面３１Ｂに食い込むように形成される。また、凹部２２Ｘの開口径を貫通孔ＶＨ１の開口端Ａ１よりも大径に設定すると、絶縁層３１の上面３１Ｂの一部が凹部２２Ｙに形成される。このため、凹部２２Ｘ内に充填されるビア４１と絶縁層３１との接触面積を増大させることができる。以上のことにより、ビア４１と絶縁層３１との密着性が向上し、ビア４１と絶縁層３１との熱膨張係数の差に起因した引っ張り力に対して強くなる。したがって、ビア４１が貫通孔ＶＨ１から抜けることを抑制することができる。

（７）配線層２２に対して上下２つのビア４１，４２の底部Ｂ１，Ｂ２を接合するようにした。これにより、配線基板１全体の薄型化を図ることができる。また、ビア４１の底部Ｂ１が形成される凹部２２Ｘを、金属膜２２Ｂの下面に形成された配線パターン２２Ｃの下面に形成し、ビア４２の底部Ｂ２が形成される凹部２２Ｙを、金属膜２２Ｂの上面に形成された金属箔２２Ａの上面に形成するようにした。すなわち、凹部２２Ｘと凹部２２Ｙとの間に金属膜２２Ｂが介在されるように、凹部２２Ｘ，２２Ｙを形成するようにした。これにより、凹部２２Ｘと凹部２２Ｙとが接触及び連通しないため、配線層２２内で凹部２２Ｘ，２２Ｙが連通する場合に比べて、配線層２２内に形成される界面を少なくすることができる。このように配線層２２に多数の界面が形成されないため、その界面を起点とするクラックの発生を抑制することができ、ビア４１，４２と配線層２２との接続信頼性を向上させることができる。

別の見方をすれば、凹部２２Ｘを配線パターン２２Ｃに形成し、凹部２２Ｙを金属箔２２Ａに形成するようにしたため、凹部２２Ｘ，２２Ｙが接触及び連通しない厚さを容易に確保することができる。これにより、上記界面を起点とするクラックの発生を好適に抑制することができ、ビア４１，４２と配線層２２との接続信頼性を容易に向上させることができる。

（８）貫通孔ＶＨ１，ＶＨ２を、配線層２２に向かうに連れて径が小さくなるように形成した。これにより、貫通孔ＶＨ１，ＶＨ２の位置ずれに対する許容量を増加させることができる。

（９）積層される全ての絶縁層３１〜３３を、補強材入りの絶縁性樹脂からなる絶縁層とした。すなわち、全ての絶縁層３１〜３３を機械的強度の高い絶縁層で構成するようにした。これにより、配線基板１の反りを効果的に低減することができる。

なお、上記第１実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
（他の実施形態）
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。

・上記実施形態では、全ての絶縁層３１〜３３を、補強材入りの絶縁性樹脂からなる絶縁層としたが、絶縁層３２が補強材入りの絶縁性樹脂からなる絶縁層であれば、絶縁層３１，３３の材料はこれに限定されない。例えば、絶縁層３１，３３を、補強材の入っていない絶縁層に変更するようにしてもよい。この場合の絶縁層３１，３３の材料としては、例えばエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。また、この場合の絶縁層３１，３３の厚さは、例えば２０〜３０μｍ程度とすることができる。このような構造とすることにより、絶縁層３１，３３を薄く形成することができるため、配線基板１全体の薄型化を図ることができる。

・上記実施形態では単数個取り（一個取り）の製造方法に具体化したが、多数個取りの製造方法に具体化してもよい。
・上記実施形態の配線基板１では、パッドＰ１が形成されている側の面をチップ搭載面とした。これに限らず、例えば外部接続用パッドＰ２が形成されている側の面をチップ搭載面としてもよい。

・上記実施形態では、配線基板１に半導体チップ１０を実装する場合について説明したが、実装部品としては半導体チップ１０に限定されない。例えば配線基板１の上に別の配線基板を積み重ねる構造を有するパッケージ（パッケージ・オン・パッケージ）にも、本発明を適用することが可能である。

・上記実施形態の配線基板１における配線層２１〜２４及び絶縁層３１〜３３の層数や配線の取り回し、もしくは半導体チップ１０の実装の形態（例えばフリップチップ実装、ワイヤボンディング実装又はこれらの組み合わせ）などは様々に変形・変更することが可能である。

１ 配線基板
２ 半導体装置
１０ 半導体チップ
２１ 配線層（第３配線層）
２１Ａ 金属箔（第３金属箔）
２１Ｂ 金属膜
２１Ｃ 配線パターン（第３配線パターン）
２１Ｄ 突出部（第２突出部）
２１Ｘ 開口部（第２開口部）
２２ 配線層（第１配線層）
２２Ａ 金属箔（第１金属箔）
２２Ｂ 金属膜（第１金属膜）
２２Ｃ 配線パターン（第１配線パターン）
２２Ｘ 凹部（第２凹部）
２２Ｙ 凹部（第１凹部）
２３ 配線層（第２配線層）
２３Ａ 金属箔（第２金属箔）
２３Ｂ 金属膜
２３Ｃ 配線パターン（第２配線パターン）
２３Ｄ 突出部（第１突出部）
２３Ｘ 開口部（第１開口部）
２３Ｙ 凹部（第３凹部）
２４ 配線層（第４配線層）
２４Ａ 金属箔（第４金属箔）
２４Ｂ 金属膜
２４Ｃ 配線パターン（第４配線パターン）
２４Ｄ 突出部（第３突出部）
２４Ｘ 開口部（第３開口部）
３１ 絶縁層（第２絶縁層）
３２ 絶縁層（第１絶縁層）
３３ 絶縁層（第３絶縁層）
３４ ガラスクロス（第１補強材、第２補強材、第３補強材）
３４Ａ 端部
４１ ビア（第２ビア）
４２ ビア（第１ビア）
４３ ビア（第３ビア）
６１ 金属箔（第１金属箔）
６１Ｙ 凹部（第２凹部）
６２ 金属箔（第２金属箔）
６２Ａ 突出部（第１突出部）
６２Ｘ 開口部（第１開口部）
６３ シード層（第１シード層）
６４ シード層（第２シード層）
７１ 金属箔（第３金属箔）
７１Ａ 突出部（第２突出部）
７１Ｘ 開口部（第２開口部）
７２ 金属箔（第４金属箔）
７２Ｘ 開口部（第３開口部）
Ａ１ 開口端（第３開口端）
Ａ２ 開口端（第４開口端）
Ａ３ 開口端（第１開口端）
Ａ４ 開口端（第２開口端）
Ａ５ 開口端（第５開口端）
Ａ６ 開口端（第６開口端）
ＶＨ１ 貫通孔（第２貫通孔）
ＶＨ２ 貫通孔（第１貫通孔）
ＶＨ３ 貫通孔（第３貫通孔）

Claims (8)

1. 第１配線パターンと、前記第１配線パターンの上面全面を被覆する金属膜と、前記金属膜の上面全面を被覆する第１金属箔とを有する第１配線層と、
   前記第１金属箔の上面に設けられ、前記第１金属箔側の第１開口端の径が前記第１開口端と反対側の第２開口端の径よりも小径である第１貫通孔を有する第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層の上面に設けられ、前記第１貫通孔と連通されるとともに前記第２開口端の径よりも小径に形成された第１開口部を有し、前記第１貫通孔の上部において前記第１貫通孔の内側に突出する第１突出部を有する第２金属箔と、前記第２金属箔上に形成された第２配線パターンとを有する第２配線層と、
   前記第１絶縁層の下面に設けられ、前記第１配線パターン側の第３開口端の径が前記第３開口端と反対側の第４開口端の径よりも小径である第２貫通孔を有する第２絶縁層と、
   前記第２絶縁層の下面に設けられ、前記第２貫通孔と連通されるとともに前記第４開口端の径よりも小径に形成された第２開口部を有し、前記第２貫通孔の下部において前記第２貫通孔の内側に突出する第２突出部を有する第３金属箔と、前記第３金属箔の下面に形成された第３配線パターンとを有する第３配線層と、
   前記第１開口部と、前記第１貫通孔と、前記第１金属箔の上面に設けられ、前記第１貫通孔と連通されるとともに前記第１開口端の径よりも大径に形成された第１凹部とを充填し、前記第１配線層と前記第２配線層とを電気的に接続する第１ビアと、
   前記第２開口部と、前記第２貫通孔と、前記第１配線パターンの下面に設けられ、前記第２貫通孔と連通されるとともに前記第３開口端の径よりも大径に形成された第２凹部とを充填し、前記第１配線層と前記第３配線層とを電気的に接続する第２ビアと、
   を有することを特徴とする配線基板。
2. 前記第１絶縁層の上面に設けられ、前記第２配線パターン側の第５開口端の径が前記第５開口端と反対側の第６開口端の径よりも小径である第３貫通孔を有する第３絶縁層と、
   前記第３絶縁層の上面に設けられ、前記第３貫通孔と連通されるとともに前記第６開口端の径よりも小径に形成された第３開口部を有し、前記第３貫通孔の上部において前記第３貫通孔の内側に突出する第３突出部を有する第４金属箔と、前記第４金属箔の上面に形成された第４配線パターンとを有する第４配線層と、
   前記第３開口部と、前記第３貫通孔と、前記第２配線パターンの上面に設けられ、前記第３貫通孔と連通されるとともに前記第５開口端の径よりも大径に形成された第３凹部とを充填し、前記第２配線層と前記第４配線層とを電気的に接続する第３ビアと、
   を有することを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 前記第１ビアは、前記第１突出部の側面全面及び下面全面と、前記第１貫通孔の側壁全面と、前記第１凹部の内面全面とを被覆する第２金属膜を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
4. 前記第１絶縁層は、第１補強材入りの絶縁性樹脂からなり、
   前記第２絶縁層は、第２補強材入りの絶縁性樹脂からなり、
   前記第３絶縁層は、第３補強材入りの絶縁性樹脂からなり、
   前記第１ビアは、前記第１貫通孔の側壁から突出された前記第１補強材の端部全面を被覆するように形成され、
   前記第２ビアは、前記第２貫通孔の側壁から突出された前記第２補強材の端部全面を被覆するように形成され、
   前記第３ビアは、前記第３貫通孔の側壁から突出された前記第３補強材の端部全面を被覆するように形成されていることを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
5. 第１絶縁層と、前記第１絶縁層の下面に形成された第１金属箔と、前記第１絶縁層の上面に形成された第２金属箔とを有する構造体を準備する第１工程と、
   レーザ加工法により、前記第２金属箔に第１開口部を形成するとともに、前記第１開口部に連通し前記第１絶縁層を貫通して前記第１金属箔の上面を露出する第１貫通孔を形成し、前記第１貫通孔の上部において前記第１貫通孔の内側に突出する第１突出部を前記第２金属箔に形成する第２工程と、
   前記第１貫通孔に連通し前記第１貫通孔の前記第１金属箔側の開口端の径よりも大径である第１凹部を前記第１金属箔の上面に形成する第３工程と、
   前記第１金属箔の下面を被覆する第１シード層を形成するとともに、前記第１突出部の側面及び下面と、前記第１貫通孔の側壁と、前記第１凹部の内面とを被覆する第２シード層を形成する第４工程と、
   所望の形状にパターニングされた前記第１金属箔と、前記第１シード層がパターニングされて形成され、前記第１金属箔の下面全面を被覆する第１金属膜と、前記第１シード層を給電層に利用する電解めっき法により形成され、前記第１金属膜の下面全面を被覆する第１配線パターンとを含む第１配線層を形成する第５工程と、
   前記第２シード層を給電層に利用する電解めっき法により、前記第１開口部と前記第１貫通孔と前記第１凹部とを充填する第１ビアを形成するとともに、所望の形状にパターニングされた前記第２金属箔を含み、前記第１ビアと電気的に接続された第２配線層を前記第１絶縁層上に形成する第６工程と、
   前記第１配線層を被覆する第２絶縁層を前記第１絶縁層の下面に積層するとともに、前記第２絶縁層の下面に第３金属箔を積層する第７工程と、
   レーザ加工法により、前記第３金属箔に第２開口部を形成するとともに、前記第２開口部に連通し前記第２絶縁層を貫通して前記第１配線パターンの下面を露出する第２貫通孔を形成し、前記第２貫通孔の下部において前記第２貫通孔の内側に突出する第２突出部を前記第３金属箔に形成する第８工程と、
   前記第２貫通孔に連通し前記第２貫通孔の前記第１配線パターン側の開口端の径よりも大径である第２凹部を前記第１配線パターンの下面に形成する第９工程と、
   前記第２開口部と前記第２貫通孔と前記第２凹部とを充填する第２ビアを形成するとともに、所望の形状にパターニングされた前記第３金属箔を含み、前記第２ビアと電気的に接続された第３配線層を前記第２絶縁層の下面に形成する第１０工程と、
   を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
6. 前記第７工程では、前記第２配線層を被覆する第３絶縁層を前記第１絶縁層の上面に積層するとともに、前記第３絶縁層の上面に第４金属箔を積層し、
   前記第８工程では、レーザ加工法により、前記第４金属箔に第３開口部を形成するとともに、前記第３開口部に連通し前記第３絶縁層を貫通して前記第２配線層の上面を露出する第３貫通孔を形成し、前記第３貫通孔の上部において前記第３貫通孔の内側に突出する第３突出部を前記第４金属箔に形成し、
   前記第９工程では、前記第３貫通孔に連通し前記第３貫通孔の前記第２配線層側の開口端の径よりも大径である第３凹部を前記第２配線層の上面に形成し、
   前記第１０工程では、前記第３開口部と前記第３貫通孔と前記第３凹部とを充填する第３ビアを形成するとともに、所望の形状にパターニングされた前記第４金属箔を含み、前記第３ビアと電気的に接続された第４配線層を前記第３絶縁層の上面に形成することを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
7. 前記第１絶縁層は、第１補強材入りの絶縁性樹脂からなり、
   前記第２絶縁層は、第２補強材入りの絶縁性樹脂からなり、
   前記第３絶縁層は、第３補強材入りの絶縁性樹脂からなり、
   前記第６工程では、前記第１貫通孔の側壁から突出された前記第１補強材の端部全面を被覆する前記第１ビアを形成し、
   前記第１０工程では、前記第２貫通孔の側壁から突出された前記第２補強材の端部全面を被覆する前記第２ビアを形成するとともに、前記第３貫通孔の側壁から突出された前記第３補強材の端部全面を被覆する前記第３ビアを形成することを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
8. 前記第２工程の後に、
   前記レーザ加工法により前記第１突出部上に形成されたバリを除去する工程と、
   デスミア処理により、前記第１貫通孔内の樹脂スミア及び前記第１貫通孔の側壁の一部を除去し、前記第１突出部の突出量と前記第１貫通孔の側壁から突出された前記第１補強材の突出量とを大きくする工程と、
   を有することを特徴とする請求項７に記載の配線基板の製造方法。