JP5284146B2 - 多層配線基板、及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、コア基板を有さず、導体層及び層間絶縁層を交互に積層して多層化した積層構造体を有する多層配線基板、及びその製造方法に関するものである。

コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。ただし、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップをＩＣチップ搭載用配線基板上に搭載してなるパッケージを作製し、そのパッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される。

この種のパッケージを構成するＩＣチップ搭載用配線基板としては、コア基板の表面及び裏面にビルドアップ層を形成した多層配線基板が実用化されている。この多層配線基板において、コア基板は、例えば、補強繊維に樹脂を含浸させた樹脂基板（ガラスエポキシ基板など）が用いられている。そして、そのコア基板の剛性を利用して、コア基板の表面及び裏面に層間絶縁層と導体層とを交互に積層することにより、ビルドアップ層が形成されている。つまり、この多層配線基板において、コア基板は、補強の役割を果たしており、ビルドアップ層と比べて非常に厚く形成されている。また、コア基板には、表面及び裏面に形成されたビルドアップ層間の導通を図るための配線（具体的には、スルーホール導体など）が貫通形成されている。

ところで、近年では、半導体集積回路素子の高速化に伴い、使用される信号周波数が高周波帯域となってきている。この場合、コア基板を貫通する配線が大きなインダクタンスとして寄与し、高周波信号の伝送ロスや回路誤動作の発生につながり、高速化の妨げとなってしまう。この問題を解決するため、ＩＣチップ搭載用配線基板として、コア基板を有さないコアレス配線基板が提案されている（例えば、特許文献１，２等）。このコアレス配線基板は、比較的に厚いコア基板を省略することにより全体の配線長が短くなるため、高周波信号の伝送ロスが低減され、半導体集積回路素子を高速で動作させることが可能となる。

特許第３６３５２１９号公報 特許第３８４１０７９号公報

ところが、上記コアレス配線基板は、コア基板を省略して製造されるため、その強度を十分に確保することができない。従って、コアレス配線基板は反り易く、その反りによって配線基板に過度なストレスが加わった場合には、ビルドアップ層において導体層間を接続するビア導体の密着不良やビア抜けなどの問題が起こる可能性が高くなる。その結果、コアレス配線基板の製品歩留まりが悪化してしまう。
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ビア導体の密着強度を高めることができ、製品歩留まりを向上することができる多層配線基板、及び多層配線基板の製造方法を提供することにある。

そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、コア基板を有さず、導体層及び層間絶縁層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、その主面上に半導体集積回路素子を搭載するための素子搭載領域が設定されている多層配線基板において、前記層間絶縁層には逆円錐台形状であって同一方向に拡径した複数のビア穴が貫通形成され、前記複数のビア穴内にはフィルドビア導体がそれぞれ形成されるとともに、同一方向に拡径した前記フィルドビア導体のみにより前記各導体層間が電気的に接続され、前記フィルドビア導体は、各ビア穴の内壁面を覆う無電解めっき層と、電解めっき層とによって形成されており、複数の前記フィルドビア導体は、積層構造体の積層方向に、前記導体層を介して積み重なった状態でそれぞれ形成されており、前記層間絶縁層は高分子材料中に繊維材を含むものを有し、前記ビア穴の内壁面から突出した前記繊維材の先端は、その表面が前記無電解めっき層で覆われているとともに前記フィルドビア導体の前記電解めっき層に食い込んでいることを特徴とする多層配線基板がある。

従って、手段１の多層配線基板によると、コア基板を有さないため、配線基板を薄くすることができ、基板全体の配線長を短くすることができる。これにより、配線基板の電気特性を向上させることができる。また、層間絶縁層は高分子材料中に繊維材を含むので、配線基板の強度を高めることができる。さらに、ビア穴の内壁面から突出した繊維材の先端がフィルドビア導体の側壁に食い込んでいるので、ビア穴内におけるフィルドビア導体の密着強度が高められる。従って、配線基板が反って過度なストレスが加わった場合でも、ビアの密着不良やビア抜けなどの問題を回避することができる。
なお、本発明のコアを有さない多層配線基板とは、「主に同一の層間絶縁層を主体として構成されている多層配線基板」や「同一方向に拡径したビアのみにより各導体層を接続している多層配線基板」を挙げることができる。

前記繊維材の先端は、前記ビア穴の内壁面において直交する２方向から突出していることが好ましい。このようにすれば、フィルドビア導体の抜けをより確実に防止することができる。

前記繊維材の先端は、丸みを帯びた形状を呈していることが好ましい。この場合、繊維材の先端が鋭利な形状である場合と比較して、繊維材の先端に加わる応力を分散することができ、フィルドビア導体におけるクラックの発生を回避することができる。

前記繊維材の先端は、その表面が無電解めっき層で覆われていることが好ましい。このように、繊維材の先端の表面が無電解めっき層で覆われている場合、その後に実施される電解めっきによって、ビア穴内にフィルドビア導体を隙間なく確実に形成することができる。

前記導体層は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法によって、層間絶縁層上にパターン形成される。前記導体層の形成に用いられる金属材料の例としては、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、スズ、スズ合金などが挙げられる。

前記層間絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。前記層間絶縁層を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。また、前記高分子材料中に含まれる繊維材は特に限定されず、有機繊維であっても無機繊維であってもよい。有機繊維としては、紙、セルロース不織布、アラミド不織布、ナイロン繊維、ポリエステル繊維等が挙げられる。この場合において、有機繊維は、層間絶縁層を形成するための高分子材料とは異種の高分子材料からなることがよい。即ち、同種の高分子材料を用いるよりは異種の高分子材料を用いたほうが、ビア穴の内壁面を選択的に除去して拡径方向に後退させやすくなるからである。無機繊維としては、ガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布など）やセラミック繊維等が挙げられる。無機繊維を用いた場合の利点は、有機繊維を用いた場合に比べて層間絶縁層の高強度化、低ＣＴＥ化、ビア穴内におけるフィルドビア導体の密着強度向上が図りやすくなることである。一方、有機繊維を用いた場合の利点は、無機繊維を用いた場合に比べて層間絶縁層の加工性向上や低コスト化が図りやすくなることである。なお、前記高分子材料中に含まれる繊維材は、有機繊維及び無機繊維の両方を用いて作製されたものであってもよい。

また、上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、コア基板を有さず、導体層及び層間絶縁層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、その主面上に半導体集積回路素子を搭載するための素子搭載領域が設定されている多層配線基板の製造方法において、高分子材料中に繊維材を含むシート状のビルドアップ材を用いて層間絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記層間絶縁層にレーザを照射して、逆円錐台形状であって同一方向に拡径した複数のビア穴を形成するビア穴形成工程と、前記ビア穴の内壁面における高分子材料を選択的に除去して拡径方向に後退させることにより、前記繊維材の先端を前記ビア穴の内壁面から突出させる先端突出工程と、無電解めっきを行って前記ビア穴の内壁面及びそこから突出した前記繊維材の先端を覆う無電解めっき層を形成した後、電解めっきを行って前記ビア穴を電解めっき層で埋めるとともに前記無電解めっき層で覆われている前記繊維材の先端を前記フィルドビア導体の前記電解めっき層に食い込ませることで、前記ビア穴内にフィルドビア導体を形成するビア導体形成工程とを含み、前記工程を繰り返し実施することにより、同一方向に拡径しかつ積層構造体の積層方向に前記導体層を介して積み重なった状態の複数の前記フィルドビア導体を形成することを特徴とする多層配線基板の製造方法。

従って、手段２に記載の多層配線基板の製造方法によると、絶縁層形成工程において、高分子材料中に繊維材を含むシート状のビルドアップ材を用いて層間絶縁層が形成される。そして、ビア穴形成工程において、層間絶縁層にレーザを照射して複数のビア穴が形成される。またこのとき、高分子材料中の繊維材もレーザにより焼失して切断される。その後、先端突出工程において、ビア穴の内壁面における高分子材料が選択的に除去されて拡径方向に後退される。この結果、レーザによって切断された繊維材の先端がビア穴の内壁面から突出される。この後、ビア導体形成工程において、めっきが行われ複数のビア穴内にフィルドビア導体が形成される。このようにすれば、ビア穴の内壁面から突出した繊維材の先端がフィルドビア導体の側壁に食い込んだ状態でフィルドビア導体が形成されるので、ビア穴内におけるフィルドビア導体の密着強度が高められる。従って、配線基板が反って過度なストレスが加わった場合でも、ビアの密着不良やビア抜けなどの問題を回避することができる。

本実施の形態のコアレス配線基板の概略構成を示す拡大断面図。 本実施の形態のコアレス配線基板を示す平面図。 コアレス配線基板におけるビア穴形成部の拡大断面図。 コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。 コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。 コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。 コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。 コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。 コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。 コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。 コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。 フィルドビア導体を示す拡大断面図。 コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。 コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。 コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。 本実施の形態のビア穴のＳＥＭ写真を示す説明図。 従来のビア穴のＳＥＭ写真を示す説明図。

以下、本発明を具体化した一実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。図１は、本実施の形態のコアレス配線基板（多層配線基板）の概略構成を示す拡大断面図であり、図２は、そのコアレス配線基板の平面図である。
図１に示されるように、コアレス配線基板１０は、コア基板を有さず、エポキシ樹脂からなる４層の樹脂絶縁層（層間絶縁層）２１，２２，２３，２４と銅からなる導体層２６とを交互に積層して多層化した配線積層部２０（積層構造体）を有している。コアレス配線基板１０において、第４層の樹脂絶縁層２４の表面（上面）には端子パッド２７が設けられている。なお、図１は、コアレス配線基板１０の一部を示す断面図であり、コアレス配線基板１０の上面には、複数の端子パッド２７が例えばアレイ状に配置されている（図２参照）。

また、樹脂絶縁層２４の表面はソルダーレジスト２８によってほぼ全体的に覆われている。このソルダーレジスト２８には、各端子パッド２７を露出させる開口部２９が形成されている。そして、露出した各端子パッド２７には、図示しないはんだバンプを介してＩＣチップ（半導体集積回路素子）がフリップチップ接続されるようになっている。なお、図２に示されるように、コアレス配線基板１０の上面（主面）上において、複数の端子パッド２７が密集して形成されている領域のことを素子搭載領域２５と呼ぶことにする。

第１層の樹脂絶縁層２１の表面（下面）には、ＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）用パッド３０がアレイ状に配設されている。また、樹脂絶縁層２１，２２，２３，２４には、それぞれビア穴３２及びフィルドビア導体３３が設けられている。各ビア導体３３は、同一方向（図では上方向）に拡径した導体であって、各導体層２６、端子パッド２７、及びＬＧＡ用パッド３０を相互に電気的に接続している。各ＬＧＡ用パッド３０は、図示しないマザーボードと電気的に接続される。

図３に示されるように、本実施の形態における樹脂絶縁層２１〜２４は、同一の厚さ及び材料からなる層間絶縁層であり、例えばエポキシ樹脂３５（高分子材料）をガラスクロス３６（無機繊維）に含浸させてなるビルドアップ材を用いて形成されている。また、各ビア穴３２は、逆円錐台形状をなし、各樹脂絶縁層２１〜２４に貫通形成されている。なお、各ビア穴３２は、各樹脂絶縁層２１〜２４に対してＹＡＧレーザまたは炭酸ガスレーザを用いた穴あけ加工を施すことで形成される。各ビア穴３２における上部の直径は７０μｍ程度であり、底部の直径は５０μｍ程度である。

各樹脂絶縁層２１〜２４において、その厚さ方向の略中央部にガラスクロス３６が配置されている。ビア穴３２内におけるガラスクロス３６は、レーザ加工によって焼失されることで切断されており、その先端３６Ａがビア穴３２の内壁面３２Ａにおいて直交する２方向から突出している。このガラスクロス３６の先端３６Ａは、丸みを帯びた形状を呈しており、各ビア穴３２内に形成されたフィルドビア導体３３の側壁３３Ａに食い込んでいる。本実施の形態において、ガラスクロス３６の先端３６Ａの突出度合は、ビア穴３２の直径の１／５程度であり、より具体的には、例えば５μｍ〜１５μｍの突出量である。

上記構成のコアレス配線基板１０は例えば以下の手順で作製される。

本実施の形態では、十分な強度を有する支持基板（ガラスエポキシ基板など）を準備し、その支持基板の両面上に、コアレス配線基板１０の樹脂絶縁層２１〜２４及び導体層２６をビルドアップしていく方法を採用している。図４〜図１５は、その製造方法を示す説明図であり、支持基板の上面側に形成される樹脂絶縁層２１〜２４及び導体層２６等を示している。なお、図示を省略しているが支持基板の下面側にも樹脂絶縁層２１〜２４及び導体層２６が同様に形成される。

詳述すると、図４に示されるように、支持基板４０上に、エポキシ樹脂からなるシート状の絶縁樹脂基材を半硬化の状態で貼り付けることにより下地樹脂絶縁層４１を形成する。そして、図５に示されるように、その下地樹脂絶縁層４１の上面に、積層金属シート体４２を配置する。ここで、半硬化の状態の下地樹脂絶縁層４１上に積層金属シート体４２を配置することにより、以降の製造工程で積層金属シート体４２が下地樹脂絶縁層４１から剥がれない程度の密着性が確保される。積層金属シート体４２は、２枚の銅箔４２ａ，４２ｂを剥離可能な状態で密着させてなる。具体的には、金属めっき（例えば、クロムめっき）を介して各銅箔４２ａ，４２ｂを積層することで積層金属シート体４２が形成されている。

その後、図６に示されるように、積層金属シート体４２を包むようにシート状の絶縁樹脂基材４３を配置し、真空圧着熱プレス機（図示しない）を用いて真空下にて加圧加熱することにより、絶縁樹脂基材４３を硬化させて第１層の樹脂絶縁層２１を形成する（絶縁層形成工程）。ここで、樹脂絶縁層２１は、積層金属シート体４２と密着するとともに、その積層金属シート体４２の周囲領域において下地樹脂絶縁層４１と密着することで、積層金属シート体４２を封止する。なお、絶縁樹脂基材４３として、エポキシ樹脂３５をガラスクロス３６に含浸させてなるビルドアップ材を用いている。従って、樹脂絶縁層２１は、ガラスクロス３６を含んだ状態で形成される（図７参照）。

そして、図８に示されるように、レーザ加工を施すことによって樹脂絶縁層２１に複数のビア穴３２を形成する（ビア穴形成工程）。このとき、樹脂絶縁層２１中のガラスクロス３６もレーザ加工により焼失されることで切断される。またこのとき、切断されたガラスクロス３６の先端３６Ａは、レーザ加工時の熱エネルギーによって溶け、その後固まることで丸みを帯びた形状となる。

次いで各ビア穴３２内のスミアを除去するデスミア処理を行う。このデスミア処理によって、ビア穴３２内の内壁面３２Ａにおけるエポキシ樹脂を選択的に除去して拡径方向に後退させる。これにより、図９に示されるように、ガラスクロス３６の先端３６Ａをビア穴３２の内壁面３２Ａから突出させる（先端突出工程）。なお、この先端突出工程では、デスミア処理以外に、例えば、エポキシ樹脂の表面を溶融させるための化学処理等を施すことにより、エポキシ樹脂を選択的に除去して拡径方向に後退させてもよい。

この後、めっきを行って各ビア穴３２内にフィルドビア導体３３を形成する（ビア導体形成工程）。より詳しくは、無電解銅めっきを施すことで、各ビア穴３２の表面及びガラスクロス３６の表面に所定の厚さ（具体的には、例えば０．１μｍ〜１μｍ程度の厚さ）の無電解めっき層４５を形成する（図１０参照）。この後、電解銅めっきを施すことでビア穴３２内にフィルドビア導体３３を形成する（図１１参照）。なお、本実施の形態では、フィルドビア導体３３は、各ビア穴３２の表面及びガラスクロス３６の表面を覆う無電解めっき層４５と電解めっき層４６とによって形成されている（図１２参照）。さらに、従来公知の手法（例えばセミアディティブ法）によってエッチングを行うことで、樹脂絶縁層２１上に導体層２６をパターン形成する（図１３参照）。

第２層〜第４層の樹脂絶縁層２２〜２３及び導体層２６についても、上述した第１層の樹脂絶縁層２１及び導体層２６と同様の手法によって形成し、樹脂絶縁層２１上にビルドアップしていく。そして、端子パッド２７が形成された樹脂絶縁層２４上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト２８を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト２８に開口部２９をパターニングする。以上の製造工程によって、支持基板４０上に積層金属シート体４２、樹脂絶縁層２１〜２４、及び導体層２６を積層した積層体５０を形成する（図１４参照）。この積層体５０において、積層金属シート体４２上に位置する領域がコアレス配線基板１０となるべき配線積層部２０（積層構造体）である。

この積層体５０をダイシング装置（図示略）により切断し、積層体５０における配線積層部２０の周囲領域を除去する。この際、図１４に示すように、配線積層部２０とその周囲部５１との境界において、配線積層部２０の下方にある下地樹脂絶縁層４１及び支持基板４０ごと切断する。この切断によって、樹脂絶縁層２１にて封止されていた積層金属シート体４２の外縁部が露出した状態となる。つまり、周囲部５１の除去によって、下地樹脂絶縁層４１と樹脂絶縁層２１との密着部分が失われる。この結果、配線積層部２０と支持基板４０とは積層金属シート体４２のみを介して連結した状態となる。

そして、図１５に示されるように、積層金属シート体４２における２枚の銅箔４２ａ，４２ｂの界面にて剥離して、配線積層部２０を支持基板４０から分離する。その後、配線積層部２０（樹脂絶縁層２１）の下面上にある銅箔４２ａをエッチングによりパターンニングして、ＬＧＡ用パッド３０を形成する。これにより、図１に示すコアレス配線基板１０が得られる。

本発明者は、上記の方法で製造したコアレス配線基板１０について、フィルドビア導体３３の軸線上でその厚さ方向に切断し、フィルドビア導体３３の切断面を電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。図１６には、ビア導体３３における切断面のＳＥＭ写真６０を示している。また、図１７には、ガラスクロス３６を含まない一般的なビルドアップ材を用いて形成した従来の配線基板におけるビア導体３３のＳＥＭ写真６１を比較例として示している。図１６に示されるように、ビア穴３２内において、ガラスクロス３６の先端３６Ａが突出した状態で隙間なくフィルドビア導体３３が形成されており、ビア導体３３の密着性が十分に確保されている。また、ビア穴３２の表面は、ガラスクロス３６の突出部で段差が形成され、その段差を境界として傾斜角度が若干変化していることが確認された。これは、ビア穴３２のレーザ加工時におけるレーザ光の一部がガラスクロス３６で散乱して光の進行方向が変化するために起こるものと考えられる。

さらに、本発明者は、複数個（具体的には９個）のビア穴３２のＳＥＭ写真６０に基づいて、ビア穴３２のサイズを確認した。その結果、ビア穴３２における頂部の直径（Ｔｏｐ径）は平均７２μｍであり、底部の直径（Ｂｏｔｔｏｍ径）は平均５０μｍであった。また、ビア穴３２内に突出しているガラスクロス３６の先端部の間隔は、平均３５μｍであった。因みに、従来の配線基板におけるビア穴のサイズは、Ｔｏｐ径が平均７０μｍであり、Ｂｏｔｔｏｍ径は平均５５μｍであった。

従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。

（１）本実施の形態のコアレス配線基板１０では、樹脂絶縁層２１〜２４はエポキシ樹脂３５中にガラスクロス３６を含んで形成されているので、配線基板１０の強度を十分に高めることができる。さらに、ビア穴３２の内壁面３２Ａから突出したガラスクロス３６の先端３６Ａがフィルドビア導体３３の側壁３３Ａに食い込んでいるので、ビア穴３２内におけるフィルドビア導体３３の密着強度が高められる。従って、コアレス配線基板１０が反って過度なストレスが加わった場合でも、フィルドビア導体３３の密着不良やビア抜けなどの問題を回避することができる。

（２）本実施の形態におけるコアレス配線基板１０では、ビア穴３２の内壁面３２Ａにおいて直交する２方向からガラスクロス３６の先端３６Ａが突出しているので、フィルドビア導体３３の抜けをより確実に防止することができる。また、ビア穴３２の内壁面３２Ａから突出しているガラスクロス３６の先端３６Ａが丸みを帯びた形状を呈しているので、ガラスクロス３６の先端３６Ａに加わる応力を分散することができ、フィルドビア導体３３におけるクラックの発生を回避することができる。

（３）本実施の形態の場合、ビア穴３２の内壁面３２Ａから突出しているガラスクロス３６の先端３６Ａが無電解めっき層４５で覆われているので、その後に実施される電解めっきによって、ビア穴３２内にフィルドビア導体３３を隙間なく確実に形成することができる。

なお、本発明の実施の形態は以下のように変更してもよい。

・上記実施の形態では、コアレス配線基板１０のパッケージ形態はＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）であるが、ＬＧＡのみに限定されず、例えばＰＧＡ（ピングリッドアレイ）やＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）等であってもよい。

次に、前述した実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
（１）コア基板を有さず、導体層及び層間絶縁層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、その主面上に半導体集積回路素子を搭載するための素子搭載領域が設定された多層配線基板において、前記層間絶縁層は高分子材料中に無機繊維を含むものであり、前記層間絶縁層には複数のビア穴が貫通形成され、前記複数のビア穴内には前記導体層間を電気的に接続するフィルドビア導体がそれぞれ形成され、前記ビア穴の内壁面から突出した前記無機繊維の先端が、前記フィルドビア導体の側壁に食い込んでいることを特徴とする多層配線基板。
（２）コア基板を有さず、導体層及び層間絶縁層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、その主面上に半導体集積回路素子を搭載するための素子搭載領域が設定された多層配線基板において、前記層間絶縁層は高分子材料中に有機繊維を含むものであり、前記層間絶縁層には複数のビア穴が貫通形成され、前記複数のビア穴内には前記導体層間を電気的に接続するフィルドビア導体がそれぞれ形成され、前記ビア穴の内壁面から突出した前記有機繊維の先端が、前記フィルドビア導体の側壁に食い込んでいることを特徴とする多層配線基板。

１０…多層配線基板としてのコアレス配線基板
２０…積層構造体としての配線積層部
２１〜２４…層間絶縁層としての樹脂絶縁層
２６…導体層
２５…素子搭載領域
３２…ビア穴
３２Ａ…ビア穴の内壁面
３３…フィルドビア導体
３３Ａ…フィルドビア導体の側壁
３５…高分子材料としてのエポキシ樹脂
３６…繊維材（無機繊維）としてのガラスクロス
３６Ａ…ガラスクロスの先端
４３…ビルドアップ材としての絶縁樹脂基材
４５…無電解めっき層

Claims (6)

1. コア基板を有さず、導体層及び層間絶縁層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、その主面上に半導体集積回路素子を搭載するための素子搭載領域が設定されている多層配線基板において、
   前記層間絶縁層には逆円錐台形状であって同一方向に拡径した複数のビア穴が貫通形成され、前記複数のビア穴内にはフィルドビア導体がそれぞれ形成されるとともに、同一方向に拡径した前記フィルドビア導体のみにより前記各導体層間が電気的に接続され、
   前記フィルドビア導体は、各ビア穴の内壁面を覆う無電解めっき層と、電解めっき層とによって形成されており、
   複数の前記フィルドビア導体は、積層構造体の積層方向に、前記導体層を介して積み重なった状態でそれぞれ形成されており、
   前記層間絶縁層は高分子材料中に繊維材を含むものを有し、前記ビア穴の内壁面から突出した前記繊維材の先端は、その表面が前記無電解めっき層で覆われているとともに前記フィルドビア導体の前記電解めっき層に食い込んでいる
   ことを特徴とする多層配線基板。
2. 前記繊維材の先端は、前記ビア穴の内壁面において直交する２方向から突出していることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
3. 前記繊維材の先端は、丸みを帯びた形状を呈していることを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線基板。
4. 最外層の絶縁層は前記繊維材を含まず、それよりも内層に位置する層間絶縁層は前記繊維材を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多層配線基板。
5. 前記繊維材は無機繊維であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の多層配線基板。
6. コア基板を有さず、導体層及び層間絶縁層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、その主面上に半導体集積回路素子を搭載するための素子搭載領域が設定されている多層配線基板の製造方法において、
   高分子材料中に繊維材を含むシート状のビルドアップ材を用いて層間絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
   前記層間絶縁層にレーザを照射して、逆円錐台形状であって同一方向に拡径した複数のビア穴を形成するビア穴形成工程と、
   前記ビア穴の内壁面における高分子材料を選択的に除去して拡径方向に後退させることにより、前記繊維材の先端を前記ビア穴の内壁面から突出させる先端突出工程と、
   無電解めっきを行って前記ビア穴の内壁面及びそこから突出した前記繊維材の先端を覆う無電解めっき層を形成した後、電解めっきを行って前記ビア穴を電解めっき層で埋めるとともに前記無電解めっき層で覆われている前記繊維材の先端を前記フィルドビア導体の前記電解めっき層に食い込ませることで、前記ビア穴内にフィルドビア導体を形成するビア導体形成工程と
   を含み、
   前記工程を繰り返し実施することにより、同一方向に拡径しかつ積層構造体の積層方向に前記導体層を介して積み重なった状態の複数の前記フィルドビア導体を形成する
   ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。