JP5179920B2

JP5179920B2 - 多層配線基板

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Publication number: JP5179920B2
Application number: JP2008086886A
Authority: JP
Inventors: 俊哉浅野
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date: 2008-03-28
Filing date: 2008-03-28
Publication date: 2013-04-10
Anticipated expiration: 2028-03-28
Also published as: JP2009239224A

Description

本発明は、コア基板を有さず、導体層及び絶縁層を交互に積層して多層化した構造を有する多層配線基板に関するものである。

コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。ただし、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップをＩＣチップ搭載用配線基板上に搭載してなるパッケージを作製し、そのパッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される。

この種のパッケージを構成するＩＣチップ搭載用配線基板としては、コア基板の表面及び裏面にビルドアップ層を形成した多層配線基板が実用化されている。この多層配線基板において、コア基板は、例えば、補強繊維に樹脂を含浸させた樹脂基板（ガラスエポキシ基板など）が用いられている。そして、そのコア基板の剛性を利用して、コア基板の表面及び裏面に層間絶縁層と導体層とを交互に積層することにより、ビルドアップ層が形成されている。つまり、この多層配線基板において、コア基板は、補強の役割を果たしており、ビルドアップ層と比べて非常に厚く形成されている。また、コア基板には、表面及び裏面に形成されたビルドアップ層間の導通を図るための配線（具体的には、スルーホール導体など）が貫通形成されている。

ところで、近年では、半導体集積回路素子の高速化に伴い、使用される信号周波数が高周波帯域となってきている。この場合、コア基板を貫通する配線が大きなインダクタンスとして寄与し、高周波信号の伝送ロスや回路誤動作の発生につながり、高速化の妨げとなってしまう。この問題を解決するため、ＩＣチップ搭載用配線基板として、コア基板を有さないコアレス配線基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。このコアレス配線基板は、比較的に厚いコア基板を省略することにより全体の配線長が短くなるため、高周波信号の伝送ロスが低減され、半導体集積回路素子を高速で動作させることが可能となる。

上記コアレス配線基板は、コア基板を省略して製造されているため、その強度を十分に確保することができない。このため、ＩＣチップを搭載する素子搭載面に枠体を接合して補強することにより、コアレス配線基板の強度が確保されている。この枠体は、ＩＣチップを囲むように基板の外縁部に設けられている。また、特許文献１では、素子搭載面の反対側となる裏面側に、絶縁処理を施した金属板を接着固定し、前記枠体と金属板とでコアレス配線基板を挟み込むことにより、配線基板の強度を確保して配線基板の反りを防止するための技術が開示されている。このコアレス配線基板において、裏面側に設けられる補強用の金属板には、外部接続端子用パッドを露出させるための貫通孔が複数形成されている。
特許第３６６４７２０号公報

上記コアレス配線基板のパッケージ形態が、例えば、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）である場合、図１６に示されるように、コアレス配線基板８０の裏面にＢＧＡ用パッド８１が設けられ、そのＢＧＡ用パッド８１上にはんだバンプ８２が設けられる。そして、コアレス配線基板８０の裏面には、接着剤層８４を介して面接触状態で金属製の補強板８５が固定される。この場合、補強板８５には、はんだバンプ８２よりも大きな直径を有する貫通孔８６を形成する必要がある。このコアレス配線基板８０において、補強板８５には径が大きな貫通孔８７が複数形成されるため、補強板８５の接着面積を十分に確保することができず、配線基板８０の剛性が不足してしまう。また、コアレス配線基板８０の裏面において、補強板８５の貫通孔８７が形成される箇所は、熱膨張係数（ＣＴＥ）のミスマッチが生じるため、その配線基板８０の信頼性が低下するといった問題が生じてしまう。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、補強板の接着面積を増加させることができ、熱膨張係数のミスマッチが生じる領域を減少させることができるコアレス配線基板を提供することにある。

そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、コア基板を有さず、導体層及び層間絶縁層を交互に積層して多層化した積層構造体であり、その主面上に半導体集積回路素子を搭載するための複数の表面側接続端子が設けられるとともに、前記主面の反対側にある裏面上に外部基板との電気的接続を図るための複数の裏面側接続端子が設けられた多層配線基板であって、前記複数の裏面側接続端子に対応する位置に複数の補強板開口部を有し、前記裏面に対して接着剤層を介して面接触状態で接着固定された補強板を備え、前記補強板における非接着面側から接着面側に行くほど前記補強板開口部の径が小さくなっており、前記接着剤層は、前記複数の補強板開口部に対応する位置に複数の接着剤層開口部を有するとともに、前記接着剤層開口部の径は前記補強板開口部の最小径よりも大きくなるように設定されている
ことを特徴とする多層配線基板がある。

従って、手段１の多層配線基板によると、その裏面には、外部基板との電気的接続を図るための複数の裏面側接続端子が設けられており、各裏面側接続端子に対応する位置に補強板開口部が形成された補強板が面接触状態で固定されている。補強板における補強板開口部は、非接着面側から接着面側に行くほど径が小さくなっている。このようにすれば、基板裏面に対する補強板の接着面積を十分に確保することができ、多層配線基板の剛性が向上する。また、多層配線基板の裏面において、補強板による補強面積を増やすことにより、熱膨張係数（ＣＴＥ）のミスマッチが生じる領域を減少させることができ、多層配線基板の信頼性を高めることができる。

前記補強板開口部の最小径が前記裏面側接続端子の径よりも小さくなるように設定されていることが好ましい。この場合、例えば、外部基板側の接続ピンと裏面側接続端子を接続させる際に、補強板開口部の側壁がガイドとなって接続ピンを裏面側接続端子に確実に案内することができる。また例えば、裏面側接続端子上にはんだボールを接合させる際には、補強板開口部の側壁がガイドとなってはんだボールを裏面側接続端子に確実に搭載することができる。

前記裏面側接続端子上にははんだボールが接合されるとともに、前記補強板開口部の最大径が前記はんだボールの直径よりも大きく、かつ、前記補強板開口部の最小径が前記はんだボールの直径よりも小さくなるように設定されていることが好ましい。このようにすると、補強板の補強板開口部を介して裏面側接続端子上にははんだボールを確実に接合できるとともに、補強板の接着面積を十分に確保することができる。

前記補強板の材質は限定されないが、例えば非金属材料からなることが好ましい。非金属材料製の補強板は、金属材料製のものに比べて加工性に優れるため、補強板開口部を容易に形成することができ、さらに材料コストも低減することができる。

前記非金属材料製の補強板としては、合成樹脂を主体材料とするものであることが好ましい。具体的には、前記多層配線基板の裏面において、裏面側接続端子にはんだバンプが設けられる場合、その裏面を覆うようにソルダーレジストが形成される。また、このソルダーレジストは耐熱性に優れた樹脂材料で形成される。従って、合成樹脂製の補強板を使用すれば、樹脂材料であるソルダーレジストに対して確実に接着固定することができる。

なお、本発明のコアを有さない多層配線基板とは、「主に同一の層間絶縁層を主体として構成されている多層配線基板」や「同一方向に拡径したビアのみにより各導体層を接続している多層配線基板」を挙げることができる。

前記層間絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。前記層間絶縁層の形成材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等を使用してもよい。

前記導体層は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法によって、層間絶縁層上にパターン形成される。前記導体層の形成に用いられる金属材料の例としては、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、スズ、スズ合金などが挙げられる。

前記はんだボールをなす金属としては、搭載される電子部品の接続端子等の材質等に応じて適宜選択すればよいが、９０Ｐｂ−１０Ｓｎ、９５Ｐｂ−５Ｓｎ、４０Ｐｂ−６０ＳｎなどのＰｂ−Ｓｎ系ハンダ、Ｓｎ−Ｓｂ系ハンダ、Ｓｎ−Ａｇ系ハンダ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系ハンダ、Ａｕ−Ｇｅ系ハンダ、Ａｕ−Ｓｎ系ハンダなどのハンダが挙げられる。

以下、本発明を具体化した一実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。図１は、本実施の形態のコアレス配線基板（多層配線基板）の概略構成を示す断面図である。

図１に示されるように、本実施の形態のコアレス配線基板１０は、コア基板を有さず、エポキシ樹脂からなる４層の樹脂絶縁層（層間絶縁層）２１，２２，２３，２４と銅からなる導体層２６とを交互に積層して多層化した積層構造体である。樹脂絶縁層２１〜２４は、同一の厚さ及び材料からなる層間絶縁層であり、エポキシ樹脂からなるシート状のビルドアップ材を用いて形成されている。

コアレス配線基板１０の主面１２上（第４層の樹脂絶縁層２４の表面上）には、端子パッド２７（表面側接続端子）がアレイ状に配置されている。さらに、樹脂絶縁層２４の表面はソルダーレジスト２８によってほぼ全体的に覆われている。このソルダーレジスト２８には、各端子パッド２７を露出させる開口部２９が形成されている。端子パッド２７の表面上には、複数のはんだバンプ３０が配設されている。各はんだバンプ３０は、矩形平板状をなすＩＣチップ３１（半導体集積回路素子）の面接続端子３２に電気的に接続されている。なお、各端子パッド２７及び各はんだバンプ３０が形成されている領域は、ＩＣチップ３１を搭載可能なＩＣチップ搭載領域３３である。

コアレス配線基板１０の裏面１３上（第１層の樹脂絶縁層２１の下面上）には、裏面側接続端子としてのＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）用パッド４１がアレイ状に配設されている。また、樹脂絶縁層２１の下面は、ソルダーレジスト４２によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト４２において、ＢＧＡ用パッド４１に対応する位置には、ＢＧＡ用パッド４１を露出させる開口部４５（ソルダーレジスト開口部）が形成されている。さらに、樹脂絶縁層２１，２２，２３，２４には、それぞれビア穴４６及びビア導体４７が設けられている。各ビア穴４６は、逆円錐台形状をなし、各樹脂絶縁層２１〜２４に対してＹＡＧレーザまたは炭酸ガスレーザを用いた穴あけ加工を施すことで形成される。各ビア導体４７は、同一方向（図では上方向）に拡径した導体であって、各導体層２６、端子パッド２７、及びＢＧＡ用パッド４１を相互に電気的に接続している。

本実施の形態のコアレス配線基板１０において、ソルダーレジスト４２には、補強板５０が接着剤層５１を介して面接触状態で接着固定されている。接着剤層５１は、耐熱性に優れた熱硬化性樹脂の硬化物であり、例えば、エポキシ樹脂からなるフィルム状の接着シートを硬化させることで形成される。接着剤層５１において、複数のＢＧＡ用パッド４１に対応する位置に複数の開口部５３が形成されている。

補強板５０としては、厚さが０．５ｍｍ程度の非金属材料製の板材、例えば、エポキシ樹脂とガラス繊維とからなるガラスエポキシ基板が用いられる。この補強板５０において、複数のＢＧＡ用パッド４１に対応する位置に複数の開口部５２（補強板開口部）が形成されている。

本実施の形態において、複数のＢＧＡ用パッド４１は、平面視形状が円形となるよう形成され、ソルダーレジスト４２、補強板５０、及び接着剤層５１に形成される開口部４５，５２，５３も平面視形状が円形となるよう形成されている。また、各ＢＧＡ用パッド４１上には、各開口部４５，５２，５３を介してはんだバンプ５５（はんだボール）が接合されている。各ＢＧＡ用パッド４１は、はんだバンプ５５を介して図示しないマザーボード（外部基板）と電気的に接続される。

図２に示されるように、本実施の形態のコアレス配線基板１０において、補強板５０の開口部５２は、円錐台形状をなし、補強板５０における非接着面側（図２では下面側）から接着面側（図２では上面側）に行くほど開口部５２の径が小さくなっている。この開口部５２の最小径Ｄ１（上側の直径）は、ＢＧＡ用パッド４１の径Ｄ２よりも小さくなるよう設定されている。さらに、開口部５２の最大径Ｄ３がはんだバンプ５５の直径Ｄ４よりも大きく、かつ、開口部５２の最小径Ｄ１がはんだバンプ５５の直径Ｄ４よりも小さくなるよう設定されている。また、接着剤層５１の開口部５３の径Ｄ５は、開口部５２の最小径Ｄ１やソルダーレジスト４２の開口部４５の径よりも大きくなっており、接着剤層５１が補強板５０やソルダーレジスト４２の開口部４５，５２の内側にはみ出さないようになっている。

上記構成のコアレス配線基板１０は例えば以下の手順で作製される。

本実施の形態では、十分な強度を有する支持基板（ガラスエポキシ基板など）を準備し、その支持基板上に、コアレス配線基板１０の樹脂絶縁層２１〜２４及び導体層２６をビルドアップしていく方法を採用している。図３〜図１３は、その製造方法を示す説明図であり、支持基板の上面側に形成される樹脂絶縁層２１〜２４及び導体層２６等を示している。なお、図示を省略しているが支持基板の下面側にも樹脂絶縁層２１〜２４及び導体層２６が同様に形成される。

詳述すると、図３に示されるように、支持基板６０上に、エポキシ樹脂からなるシート状の絶縁樹脂基材を半硬化の状態で貼り付けることにより下地樹脂絶縁層６１を形成する。そして、図４に示されるように、その下地樹脂絶縁層６１の上面に、積層金属シート体６２を配置する。ここで、半硬化の状態の下地樹脂絶縁層６１上に積層金属シート体６２を配置することにより、以降の製造工程で積層金属シート体６２が下地樹脂絶縁層６１から剥がれない程度の密着性が確保される。積層金属シート体６２は、２枚の銅箔６２ａ，６２ｂを剥離可能な状態で密着させてなる。具体的には、金属めっき（例えば、クロムめっき）を介して各銅箔６２ａ，６２ｂを積層することで積層金属シート体６２が形成されている。

その後、図５に示されるように、積層金属シート体６２を包むようにシート状の絶縁樹脂基材６３を配置し、真空圧着熱プレス機（図示しない）を用いて真空下にて加圧加熱することにより、絶縁樹脂基材６３を硬化させて第１層の樹脂絶縁層２１を形成する。ここで、樹脂絶縁層２１は、積層金属シート体６２と密着するとともに、その積層金属シート体６２の周囲領域において下地樹脂絶縁層６１と密着することで、積層金属シート体６２を封止する。

そして、図６に示されるように、レーザ加工を施すことによって樹脂絶縁層２１の所定の位置にビア穴４６を形成し、次いで各ビア穴４６内のスミアを除去するデスミア処理を行う。その後、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことで、各ビア穴４６内にビア導体４７を形成するとともに、樹脂絶縁層２１上に導体層２６を形成する。さらに、従来公知の手法（例えばセミアディティブ法）によってエッチングを行うことで、樹脂絶縁層２１上に導体層２６をパターン形成する（図７参照）。

第２層〜第４層の樹脂絶縁層２２〜２３及び導体層２６についても、上述した第１層の樹脂絶縁層２１及び導体層２６と同様の手法によって形成し、樹脂絶縁層２１上にビルドアップしていく。そして、端子パッド２７が形成された樹脂絶縁層２４上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト２８を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト２８に開口部２９をパターニングする。以上の製造工程によって、支持基板６０上に積層金属シート体６２、樹脂絶縁層２１〜２４、及び導体層２６を積層した積層体７０を形成する（図８参照）。この積層体７０において、積層金属シート体６２上に位置する領域がコアレス配線基板１０となるべき配線積層部２０（積層構造体）である。

この積層体７０をダイシング装置（図示略）により切断し、積層体７０における配線積層部２０の周囲領域を除去する。この際、図８に示すように、配線積層部２０とその周囲部７１との境界において、配線積層部２０の下方にある下地樹脂絶縁層６１及び支持基板６０ごと切断する。この切断によって、樹脂絶縁層２１にて封止されていた積層金属シート体６２の外縁部が露出した状態となる。つまり、周囲部７１の除去によって、下地樹脂絶縁層６１と樹脂絶縁層２１との密着部分が失われる。この結果、配線積層部２０と支持基板６０とは積層金属シート体６２のみを介して連結した状態となる。

ここで、図９に示されるように、積層金属シート体６２における２枚の銅箔６２ａ，６２ｂの界面にて剥離して、配線積層部２０を支持基板６０から分離する。そして、図１０に示されるように、配線積層部２０（樹脂絶縁層２１）の裏面１３（下面）上にある銅箔６２ａをエッチングによりパターンニングして、ＢＧＡ用パッド４１を形成する。その後、図１１に示されるように、ＢＧＡ用パッド４１が形成された樹脂絶縁層２１上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、配線積層部２０の裏面１３を覆うようにソルダーレジスト４２を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト４２に開口部４５をパターニングする。

このようにして、導体層２６及び樹脂絶縁層２１〜２４を交互に積層した配線積層部２０を準備した後、図１２に示されるように、複数の開口部５２を有し、片面側に未硬化状態の接着剤層５１を有する補強板５０を準備する。ここで、補強板５０の開口部５２は、例えば、従来周知のドリル加工装置を用いたドリル加工により形成される。また、接着剤層５１の開口部５３は、例えば、フィルム状の接着シートに対して従来周知の打ち抜き金型を用いた打ち抜き加工により形成される。なお、接着剤層５１の開口部５３は補強板５０の開口部５２の径よりも大きくなるよう形成されている。

そして、図１３に示されるように、接着剤層５１を介して補強板５０をソルダーレジスト４２に対して面接着状態で固定し、所定の温度（例えば、１５０℃）で加熱して未硬化状態の接着剤層５１を硬化させる。

そして、配線積層部２０の主面１２側に形成されている複数の端子パッド２７上にはんだバンプ３０を形成する。具体的には、図示しないはんだボール搭載装置を用いて各端子パッド２７上にはんだボールを配置した後、はんだボールを所定の温度に加熱してリフローすることにより、各端子パッド２７上にはんだバンプ３０を形成する。同様に、配線積層部２０の裏面１３側に形成されている複数のＢＧＡ用パッド４１上にもはんだバンプ５５を形成する。これにより、図１に示すコアレス配線基板１０が得られる。

従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。

（１）本実施の形態のコアレス配線基板１０では、複数のＢＧＡ用パッド４１に対応する位置に開口部５２を有する補強板５０が面接触状態で固定されている。この補強板５０における開口部５２は、非接着面側から接着面側に行くほど径が小さくなっている。このようにすれば、基板裏面に対する補強板５０の接着面積を増加させることができ、コアレス配線基板１０の剛性が向上する。また、コアレス配線基板１０の裏面１３において、補強板５０の接着面積を増やすことにより、熱膨張係数（ＣＴＥ）のミスマッチが生じる領域を減少させることができ、コアレス配線基板１０の信頼性を高めることができる。

（２）本実施の形態のコアレス配線基板１０の場合、補強板５０の開口部５２の最小径Ｄ１がＢＧＡ用パッド４１の径Ｄ２よりも小さくなるように設定されている。このようにすると、ＢＧＡ用パッド４１にはんだバンプ５５を設ける工程において、開口部５２の側壁がガイドとなることにより、ＢＧＡ用パッド４１上にはんだボールを確実に搭載することができ、はんだバンプ５５を迅速に設けることができる。

（３）本実施の形態のコアレス配線基板１０では、補強板５０における開口部５２の最大径Ｄ３がはんだバンプ５５の直径Ｄ４よりも大きく、かつ、開口部５２の最小径Ｄ１がはんだバンプ５５の直径Ｄ４よりも小さくなるように設定されている。このようにすると、補強板５０の開口部５２を介してＢＧＡ用パッド４１上にははんだバンプ５５をより確実に接合できるとともに、補強板５０の接着面積を十分に確保することができる。

（４）本実施の形態のコアレス配線基板１０の場合、ガラスエポキシ基板からなる樹脂製の補強板５０がソルダーレジスト４２に対して面接触状態で接着固定されるので、従来技術のように金属製の補強板８５を固定する場合と比較して、十分な接着強度を得ることができる。また、補強板５０は、樹脂材料からなり加工性に優れるため、ＢＧＡ用パッド４１に対応する位置に円錐台形状の開口部５２を容易に形成することができ、材料コストも低減することができる。

（５）本実施の形態のコアレス配線基板１０では、接着剤層５１の開口部５３の径Ｄ５は、開口部５２の最小径Ｄ１やソルダーレジスト４２の開口部４５の径よりも大きくなっており、接着剤層５１が補強板５０やソルダーレジスト４２の開口部４５，５２の内側にはみ出さないようになっている。このようにすれば、ＢＧＡ用パッド４１上にはんだバンプ５５を形成する際、はんだバンプ５５が接着剤層５１に接触することがなく、溶融したはんだバンプ５５に接着剤成分が混入するといった問題を回避することができる。

なお、本発明の実施の形態は以下のように変更してもよい。

・上記実施の形態では、コアレス配線基板１０のパッケージ形態はＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）であるが、ＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）のパッケージ形態を採用してもよい。図１４には、そのコアレス配線基板１０Ａを示している。コアレス配線基板１０Ａにおいては、裏面１３上（第１層の樹脂絶縁層２１の下面上）には、裏面側接続端子としてのＬＧＡ用パッド４１Ａがアレイ状に配設されており、接着剤層５１を介して補強板５０Ａが固定されている。つまり、このコアレス配線基板１０Ａの裏面１３には、ソルダーレジストは形成されておらず、樹脂絶縁層２１上に補強板５０Ａが直接固定されている。

図１４及び図１５に示されるように、補強板５０Ａにおいて、樹脂絶縁層２１に対向して配置された面側（図では上面側）に、ＬＧＡ用パッド４１Ａの大きさ及び形状に合致した凹部５７が形成されており、この凹部５７内にＬＧＡ用パッド４１Ａが配置されている。また、凹部５７の底面５８には、ＬＧＡ用パッド４１Ａを露出させる開口部５２Ａ（補強板開口部）が開口形成されている。補強板５０Ａにおいて、開口部５２Ａは、非接着面側（図１５では下面側）から接着面側（図１５では上面側）に行くほど径が小さくなっている。さらに、開口部５２Ａの最小径Ｄ１（上側の直径）は、ＬＧＡ用パッド４１Ａの径Ｄ２よりも小さくなるよう設定されている。

このようにコアレス配線基板１０Ａを構成しても、基板裏面に対する補強板５０Ａの接着面積を十分に確保することができ、コアレス配線基板１０Ａの剛性が向上する。また、コアレス配線基板１０Ａの裏面１３において、補強板５０Ａの接着面積を増やすことにより、熱膨張係数のミスマッチが生じる領域を減少させることができ、コアレス配線基板１０Ａの信頼性を高めることができる。また、コアレス配線基板１０Ａにおいて、例えば、図示しないマザーボード側に設けられたソケットの端子ピンをＬＧＡ用パッド４１Ａに接続する場合、補強板５０Ａの開口部５２Ａの側壁がガイドとなって端子ピンをＬＧＡ用パッド４１Ａに確実に案内することができる。

・上記実施の形態のコアレス配線基板１０，１０Ａにおいて、補強板５０，５０Ａは、ガラスエポキシ基板を用いて形成されていたが、これに限定されるものではない。具体的には、例えば、絶縁性を維持できる程度の少量の金属粉（例えば、銅フィラー）を合成樹脂材料に混入して補強板５０，５０Ａを形成することで、補強板５０，５０Ａの放熱性を高めるように構成してもよい。

次に、前述した実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。

（１）コア基板を有さず、導体層及び層間絶縁層を交互に積層して多層化した積層構造体であり、その主面上に半導体集積回路素子を搭載するための複数の表面側接続端子が設けられるとともに、前記主面の反対側にある裏面上に外部基板との電気的接続を図るための複数の裏面側接続端子が設けられた多層配線基板であって、前記複数の裏面側接続端子に対応する位置に複数のソルダーレジスト開口部を有し、前記裏面を覆うように形成されたソルダーレジストと、前記複数の裏面側接続端子に対応する位置に複数の補強板開口部を有する補強板と、前記複数の裏面側接続端子に対応する位置に複数の接着剤層開口部を有し、前記補強板を前記ソルダーレジストに対して面接触状態で固定させている接着剤層とを備え、前記補強板における非接着面側から接着面側に行くほど前記補強板開口部の径が小さくなっていることを特徴とする多層配線基板。

（２）上記１において、前記ソルダーレジスト開口部の径及び前記補強板開口部の径が、前記接着剤層開口部の径よりも小さくなるように設定されていることを特徴とする多層配線基板。

（３）コア基板を有さず、導体層及び層間絶縁層を交互に積層して多層化した積層構造体であり、その主面上に半導体集積回路素子を搭載するための複数の表面側接続端子が設けられるとともに、前記主面の反対側にある裏面上に外部基板との電気的接続を図るための複数の裏面側接続端子が設けられた多層配線基板であって、前記裏面に対向して配置された面側に、前記複数の裏面側接続端子の大きさ及び形状に合致した凹部が形成されるとともに、前記裏面側接続端子の一部を露出させるために前記凹部の底面に補強板開口部が開口形成される補強板と、前記補強板を前記裏面に対して面接触状態で固定させている接着剤層とを備え、前記補強板における非接着面側から接着面側に行くほど前記補強板開口部の径が小さくなっていることを特徴とする多層配線基板。

本実施の形態のコアレス配線基板の概略構成を示す断面図。コアレス配線基板の要部を示す拡大断面図。コア配線基板の製造方法の説明図。コア配線基板の製造方法の説明図。コア配線基板の製造方法の説明図。コア配線基板の製造方法の説明図。コア配線基板の製造方法の説明図。コア配線基板の製造方法の説明図。コア配線基板の製造方法の説明図。コア配線基板の製造方法の説明図。コア配線基板の製造方法の説明図。コア配線基板の製造方法の説明図。コア配線基板の製造方法の説明図。別の実施の形態のコアレス配線基板の概略構成を示す断面図。別の実施の形態のコア配線基板の要部を示す拡大断面図。従来のコア配線基板の要部を示す拡大断面図。

符号の説明

１０，１０Ａ…多層配線基板としてのコアレス配線基板
１２…主面
１３…裏面
２０…積層構造体としての配線積層部
２１〜２４…層間絶縁層としての樹脂絶縁層
２６…導体層
２７…表面側接続端子としての端子パッド
３１…半導体集積回路素子としてのＩＣチップ
４１…裏面側接続端子としてのＢＧＡ用パッド
４１Ａ…裏面側接続端子としてのＬＧＡ用パッド
４２…ソルダーレジスト
４５…ソルダーレジスト開口部
５０，５０Ａ…補強板
５２，５２Ａ…補強板開口部
５５…はんだボールとしてのはんだバンプ
Ｄ１…補強板開口部の最小径
Ｄ２…裏面側接続端子の径
Ｄ３…補強板開口部の最大径
Ｄ４…はんだバンプの直径

Claims

コア基板を有さず、導体層及び層間絶縁層を交互に積層して多層化した積層構造体であり、その主面上に半導体集積回路素子を搭載するための複数の表面側接続端子が設けられるとともに、前記主面の反対側にある裏面上に外部基板との電気的接続を図るための複数の裏面側接続端子が設けられた多層配線基板であって、
前記複数の裏面側接続端子に対応する位置に複数の補強板開口部を有し、前記裏面に対して接着剤層を介して面接触状態で接着固定された補強板を備え、
前記補強板における非接着面側から接着面側に行くほど前記補強板開口部の径が小さくなっており、
前記接着剤層は、前記複数の補強板開口部に対応する位置に複数の接着剤層開口部を有するとともに、前記接着剤層開口部の径は前記補強板開口部の最小径よりも大きくなるように設定されている
ことを特徴とする多層配線基板。
前記補強板開口部の最小径が前記裏面側接続端子の径よりも小さくなるように設定されていることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
前記裏面側接続端子上にははんだボールが接合されるとともに、前記補強板開口部の最大径が前記はんだボールの直径よりも大きく、かつ、前記補強板開口部の最小径が前記はんだボールの直径よりも小さくなるように設定されていることを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線基板。
前記補強板は、非金属材料からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多層配線基板。
前記補強板は、合成樹脂を主体材料とするものであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の多層配線基板。