JP4567775B2 - 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
弾性表面波デバイスおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4567775B2 JP4567775B2 JP2008217062A JP2008217062A JP4567775B2 JP 4567775 B2 JP4567775 B2 JP 4567775B2 JP 2008217062 A JP2008217062 A JP 2008217062A JP 2008217062 A JP2008217062 A JP 2008217062A JP 4567775 B2 JP4567775 B2 JP 4567775B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- opening
- acoustic wave
- resin portion
- diameter
- electrode pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 95
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 95
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 41
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007637 SnAg Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
- H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
12 弾性波素子
14 電極パッド
20 第1樹脂部
22 第1開口部
24 第2開口部
30 第2樹脂部
32 第3開口部
40 金属層
42 半田ボール
Claims (10)
- 弾性波素子および前記弾性波素子に接続された電極パッドが形成された圧電基板と、
前記弾性波素子の弾性波が励振する機能領域上に形成された第1開口部および前記電極パッド上に形成された第2開口部を有する第1樹脂部と、
前記第1樹脂部上に、前記第1開口部上を覆い前記第2開口部上に第3開口部を有するように形成された第2樹脂部と、
前記第2開口部内の前記電極パッド上に形成された金属層と、
を具備し、
前記第1樹脂部の前記第1開口部に接する面が前記第1開口部の上面の径が前記第1開口部の下面の径より小さくなるように傾斜し、かつ前記第1樹脂部の前記第2開口部に接する面が前記第2開口部の上面の径が前記第2開口部の下面の径より小さくなるように傾斜していることを特徴とする弾性波デバイス。 - 前記第3開口部の下面の面積は前記第2開口部の上面の面積より大きいことを特徴とする請求項1記載の弾性はデバイス。
- 前記第3開口部の下面の面積は前記第2開口部の下面の面積より大きいことを特徴とする請求項1記載の弾性波デバイス。
- 前記第2樹脂部の前記第3開口部に接する面が前記第3開口部の上面の径が前記第3開口部の下面の径より小さくなるように傾斜していることを特徴とする請求項2記載の弾性波デバイス。
- 前記金属層の上面は、前記第1樹脂部の上面より高いことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記金属層の上面は、前記第2樹脂部の上面より低いことを特徴とする請求項5記載の弾性波デバイス。
- 前記第1樹脂部および前記第2樹脂部はネガ型レジストであることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 弾性波素子および前記弾性波素子に接続された電極パッド上が形成された圧電基板上に、前記弾性波素子の弾性波が励振する機能領域上に形成された第1開口部および前記電極パッド上に形成された第2開口部を有する第1樹脂部を形成する工程と、
前記第1樹脂部上に、前記第1開口部上を覆い前記第2開口部上に第3開口部を有するように第2樹脂部を形成する工程と、
前記第2開口部内の前記電極パッド上に金属層を形成する工程と、
を有し、
前記第1樹脂部の前記第1開口部に接する面が前記第1開口部の上面の径が前記第1開口部の下面の径より小さくなるように傾斜し、かつ前記第1樹脂部の前記第2開口部に接する面が前記第2開口部の上面の径が前記第2開口部の下面の径より小さくなるように傾斜していることを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。 - 前記第2樹脂部を形成する工程は、フィルム状の樹脂シートを前記第1樹脂部上に形成する工程を含むことを特徴とする請求項8記載の弾性波デバイスの製造方法。
- 前記第1樹脂部を形成する工程は、前記圧電基板上にネガ型レジストを形成する工程と、ネガ型レジストを露光することにより、前記第1開口部および前記第2開口部を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項8または9記載の弾性波デバイスの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008217062A JP4567775B2 (ja) | 2008-08-26 | 2008-08-26 | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 |
US12/546,188 US8154170B2 (en) | 2008-08-26 | 2009-08-24 | Acoustic wave device and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008217062A JP4567775B2 (ja) | 2008-08-26 | 2008-08-26 | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010056671A JP2010056671A (ja) | 2010-03-11 |
JP4567775B2 true JP4567775B2 (ja) | 2010-10-20 |
Family
ID=41724265
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008217062A Expired - Fee Related JP4567775B2 (ja) | 2008-08-26 | 2008-08-26 | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8154170B2 (ja) |
JP (1) | JP4567775B2 (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4468456B2 (ja) * | 2008-01-07 | 2010-05-26 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性波デバイス及びその製造方法 |
US8410868B2 (en) | 2009-06-04 | 2013-04-02 | Sand 9, Inc. | Methods and apparatus for temperature control of devices and mechanical resonating structures |
US8476809B2 (en) * | 2008-04-29 | 2013-07-02 | Sand 9, Inc. | Microelectromechanical systems (MEMS) resonators and related apparatus and methods |
JP4663821B2 (ja) | 2008-11-28 | 2011-04-06 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置及びその製造方法 |
US9048811B2 (en) | 2009-03-31 | 2015-06-02 | Sand 9, Inc. | Integration of piezoelectric materials with substrates |
WO2010125873A1 (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-04 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置及びその製造方法 |
JP5577671B2 (ja) * | 2009-10-23 | 2014-08-27 | 富士通株式会社 | 圧電振動子の製造方法 |
US9142533B2 (en) * | 2010-05-20 | 2015-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Substrate interconnections having different sizes |
JP5754907B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2015-07-29 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置および回路基板 |
US9660171B2 (en) | 2011-04-19 | 2017-05-23 | Kyocera Corporation | Electronic component and acoustic wave device |
JP5782823B2 (ja) * | 2011-04-27 | 2015-09-24 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2013030507A (ja) * | 2011-07-26 | 2013-02-07 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
US9425136B2 (en) | 2012-04-17 | 2016-08-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Conical-shaped or tier-shaped pillar connections |
US9299674B2 (en) | 2012-04-18 | 2016-03-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Bump-on-trace interconnect |
US9111817B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-08-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Bump structure and method of forming same |
JP6336248B2 (ja) * | 2013-04-19 | 2018-06-06 | スカイワークスフィルターソリューションズジャパン株式会社 | 弾性波装置およびその製造方法 |
JP6385648B2 (ja) * | 2013-05-14 | 2018-09-05 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス、及び弾性波デバイスの製造方法 |
CN105580273B (zh) | 2013-09-26 | 2018-06-12 | 京瓷株式会社 | 弹性波装置以及弹性波模块 |
KR101706257B1 (ko) * | 2015-01-13 | 2017-02-13 | (주)와이솔 | 압전소자 디바이스 |
JP6743830B2 (ja) * | 2015-12-11 | 2020-08-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
JP6718837B2 (ja) * | 2016-04-01 | 2020-07-08 | スカイワークスフィルターソリューションズジャパン株式会社 | 電子部品とその製造方法、及び電子装置とその製造方法 |
CN110447169B (zh) | 2017-03-31 | 2023-06-20 | 京瓷株式会社 | 弹性波装置、分波器以及通信装置 |
US11962284B2 (en) * | 2018-07-30 | 2024-04-16 | Kyocera Corporation | Composite substrate |
TWI690156B (zh) * | 2019-07-10 | 2020-04-01 | 頎邦科技股份有限公司 | 表面聲波裝置及其製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003051677A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Toshiba Corp | 多層基板への電子部品実装方法および多層基板に電子部品が実装された電子部品装置 |
JP2006324894A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 表面弾性波デバイスおよびその製造方法 |
JP2007208665A (ja) * | 2006-02-01 | 2007-08-16 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
JP2007281902A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 立体配線を有する中空構造ウェハレベルパッケージ |
JP2008153957A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 中空封止素子、その製造方法ならびに中空封止素子を用いた移動通信機器 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61127217A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | Toshiba Corp | 圧電薄膜共振子 |
JPH1022773A (ja) * | 1996-07-03 | 1998-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 振動子とその製造方法 |
EP1313217A4 (en) * | 2000-07-06 | 2008-09-24 | Toshiba Kk | SURFACE WAVE COMPONENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
JP2002365152A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-18 | Unisia Jecs Corp | 圧力センサ及びその製造方法 |
JP3846271B2 (ja) * | 2001-11-05 | 2006-11-15 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜圧電体素子およびその製造方法 |
KR100616508B1 (ko) * | 2002-04-11 | 2006-08-29 | 삼성전기주식회사 | Fbar 소자 및 그 제조방법 |
US6713314B2 (en) * | 2002-08-14 | 2004-03-30 | Intel Corporation | Hermetically packaging a microelectromechanical switch and a film bulk acoustic resonator |
JP2007019132A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Seiko Epson Corp | 圧電振動装置の製造方法 |
EP2066027B1 (en) * | 2006-08-25 | 2012-09-05 | Ube Industries, Ltd. | Thin film piezoelectric resonator and method for manufacturing the same |
JP4460612B2 (ja) * | 2008-02-08 | 2010-05-12 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
JP5189378B2 (ja) * | 2008-02-18 | 2013-04-24 | セイコーインスツル株式会社 | 圧電振動子の製造方法 |
WO2009104308A1 (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | セイコーインスツル株式会社 | 圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
CN102197588A (zh) * | 2008-08-27 | 2011-09-21 | 精工电子有限公司 | 压电振动器、振荡器、电子设备和电波钟以及压电振动器的制造方法 |
-
2008
- 2008-08-26 JP JP2008217062A patent/JP4567775B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-08-24 US US12/546,188 patent/US8154170B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003051677A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Toshiba Corp | 多層基板への電子部品実装方法および多層基板に電子部品が実装された電子部品装置 |
JP2006324894A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 表面弾性波デバイスおよびその製造方法 |
JP2007208665A (ja) * | 2006-02-01 | 2007-08-16 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
JP2007281902A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 立体配線を有する中空構造ウェハレベルパッケージ |
JP2008153957A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 中空封止素子、その製造方法ならびに中空封止素子を用いた移動通信機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010056671A (ja) | 2010-03-11 |
US8154170B2 (en) | 2012-04-10 |
US20100052473A1 (en) | 2010-03-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4567775B2 (ja) | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 | |
JP4468436B2 (ja) | 弾性波デバイスおよびその製造方法 | |
JP2006324894A (ja) | 表面弾性波デバイスおよびその製造方法 | |
JP4379413B2 (ja) | 電子部品、電子部品の製造方法、回路基板及び電子機器 | |
KR20010094758A (ko) | 탄성 표면파 장치와 그 제조 방법 | |
CN102254876A (zh) | 半导体装置及半导体装置单元 | |
JP2006352430A (ja) | 圧電デバイスとその製造方法 | |
JP2006245289A (ja) | 半導体装置及び実装構造体 | |
US7420129B2 (en) | Semiconductor package including a semiconductor device, and method of manufacturing the same | |
JP2008204968A (ja) | 半導体パッケージ基板とその製造方法 | |
JP6607771B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4722690B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2006108993A (ja) | 表面弾性波デバイスおよびその製造方法 | |
JP2008244218A (ja) | 半導体装置 | |
KR100640576B1 (ko) | 유비엠의 형성방법 및 그에 의해 형성된 반도체 소자 | |
JP4562371B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100343454B1 (ko) | 웨이퍼 레벨 패키지 | |
JP5022963B2 (ja) | 突起電極の構造、素子搭載用基板およびその製造方法、半導体モジュール、ならびに携帯機器 | |
JP2009182741A (ja) | 弾性境界波デバイス及びその製造方法 | |
JP2007096096A (ja) | 半導体装置 | |
JP6459690B2 (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
JP4900155B2 (ja) | 端子電極、半導体装置、モジュールおよび電子機器 | |
JP5226640B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2009212114A (ja) | 突起電極の構造、素子搭載用基板およびその製造方法、半導体モジュール、ならびに携帯機器 | |
JP2010010512A (ja) | 電子デバイス及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100531 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100608 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100709 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100803 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100805 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130813 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130813 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130813 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |