JP2022051616A - 弾性表面波デバイスの製造方法 - Google Patents
弾性表面波デバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022051616A JP2022051616A JP2020158016A JP2020158016A JP2022051616A JP 2022051616 A JP2022051616 A JP 2022051616A JP 2020158016 A JP2020158016 A JP 2020158016A JP 2020158016 A JP2020158016 A JP 2020158016A JP 2022051616 A JP2022051616 A JP 2022051616A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surface acoustic
- wiring
- acoustic wave
- metal
- wave device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 94
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 92
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 92
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 63
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 18
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 13
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N dilithium;[oxido(oxoboranyloxy)boranyl]oxy-oxoboranyloxyborinate Chemical compound [Li+].[Li+].O=BOB([O-])OB([O-])OB=O PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003334 KNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910020816 Sn Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020836 Sn-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020830 Sn-Bi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020888 Sn-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020922 Sn-Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020935 Sn-Sb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020988 Sn—Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018728 Sn—Bi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019204 Sn—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018956 Sn—In Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008783 Sn—Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008757 Sn—Sb Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N aluminum copper Chemical compound [Al].[Cu] WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
Description
圧電基板上に、弾性表面波を励振するIDT電極と複数の立体配線用パッド電極を含む金属パターンを形成する工程と、
前記IDT電極が形成された領域を除く領域に支持層を形成する工程と、
前記支持層上に、空隙を介して前記IDT電極を覆うカバー層を形成する工程と、
前記複数の立体配線用パッドを露出させる工程と、
前記複数の立体配線用パッドのうち、弾性表面波デバイスの外部接続に用いるパッド上の開口が、弾性表面波デバイスの内部配線に用いるパッド上の開口よりも大きいマスクを用いて前記露出させる工程で形成された空間に立体配線用金属を充填する工程とからなる弾性表面波デバイスの製造方法とした。
圧電基板上に、弾性表面波を励振するIDT電極と複数の立体配線用パッドを含む金属パターンを形成する工程と、
前記IDT電極が形成された領域及び前記複数の立体配線用パッドが形成された領域の少なくとも一部を除く領域に支持層を形成する工程と、
前記支持層上であって、前記複数の立体配線用パッドが形成された領域の少なくとも一部を除く領域に、カバー層を形成する工程と、
前記複数の立体配線用パッドのうち、弾性表面波デバイスの外部接続に用いるパッド上の開口が、弾性表面波デバイスの内部配線に用いるパッド上の開口よりも大きいマスクを用いて、前記複数の立体配線用パッド、前記支持層及び前記カバー層によって部分的に囲まれた空間に立体配線用金属を充填する工程とからなる弾性表面波デバイスの製造方法とした。
図1は、本発明にかかる製造方法により製造された弾性表面波デバイス1の平面図である。
3 23 30 圧電基板
5 25 IDT電極
50 IDT
52 反射器
53 弾性表面波共振器
56 絶縁体
58 第2配線パターン
7 27 54 配線パターン
9 29 立体配線用パッド
9a 外部接続用立体配線用パッド
9b 内部配線用立体配線用パッド
11 211 支持層
13 213 カバー層
15 立体配線用金属
15a 外部接続用立体配線用金属
15b 内部配線用立体配線用金属
17 支持基板
MM メタルマスク
HP ハンダペースト
圧電基板上に、弾性表面波を励振するIDT電極と複数の立体配線用パッドを含む金属パターンを形成する工程と、
前記IDT電極が形成された領域を除く領域に支持層を形成する工程と、
前記支持層上に、空隙を介して前記IDT電極を覆うカバー層を形成する工程と、
前記複数の立体配線用パッドを露出させる工程と、
前記複数の立体配線用パッドのうち、弾性表面波デバイスの外部接続に用いるパッド上の金属充填用マスクの開口である第1開口の面積が、弾性表面波デバイスの内部配線に用いるパッド上の金属充填用マスクの開口である第2開口の面積よりも大きい金属充填用マスクを用いて、前記露出させる工程で形成された空間に立体配線用金属を充填する工程を含み、
前記第2開口の面積は、前記露出させる工程で形成された前記内部配線に用いるパッド上のカバー層の開口である第3開口の面積よりも小さく、
前記立体配線用金属を充填する工程は、前記立体配線用パッドからUBM層を介して又は介さずに同一金属により一体的に外部接続端子を構成する金属を含めて形成する工程である弾性表面波デバイスの製造方法とした。
圧電基板上に、弾性表面波を励振するIDT電極と複数の立体配線用パッドを含む金属パターンを形成する工程と、
前記IDT電極が形成された領域及び前記複数の立体配線用パッドが形成された領域の少なくとも一部を除く領域に支持層を形成する工程と、
前記支持層上であって、前記複数の立体配線用パッドが形成された領域の少なくとも一部を除く領域に、カバー層を形成する工程と、
前記複数の立体配線用パッドのうち、弾性表面波デバイスの外部接続に用いるパッド上の金属充填用マスクの開口である第1開口の面積が、弾性表面波デバイスの内部配線に用いるパッド上の金属充填用マスクの開口である第2開口の面積よりも大きい金属充填用マスクを用いて、前記複数の立体配線用パッド、前記支持層及び前記カバー層によって部分的に囲まれた空間に立体配線用金属を充填する工程とからなり、
前記第2開口の面積は、前記内部配線に用いるパッド上のカバー層の開口である第3開口の面積よりも小さく、
前記立体配線用金属を充填する工程は、前記立体配線用パッドからUBM層を介して又は介さずに同一金属により一体的に外部接続端子を構成する金属を含めて形成する工程である弾性表面波デバイスの製造方法とした。
Claims (8)
- 圧電基板上に、弾性表面波を励振するIDT電極と複数の立体配線用パッドを含む金属パターンを形成する工程と、
前記IDT電極が形成された領域を除く領域に支持層を形成する工程と、
前記支持層上に、空隙を介して前記IDT電極を覆うカバー層を形成する工程と、
前記複数の立体配線用パッドを露出させる工程と、
前記複数の立体配線用パッドのうち、弾性表面波デバイスの外部接続に用いるパッド上の開口が、弾性表面波デバイスの内部配線に用いるパッド上の開口よりも大きいマスクを用いて前記露出させる工程で形成された空間に立体配線用金属を充填する工程とからなる弾性表面波デバイスの製造方法。 - 圧電基板上に、弾性表面波を励振するIDT電極と複数の立体配線用パッドを含む金属パターンを形成する工程と、
前記IDT電極が形成された領域及び前記複数の立体配線用パッドが形成された領域の少なくとも一部を除く領域に支持層を形成する工程と、
前記支持層上であって、前記複数の立体配線用パッドが形成された領域の少なくとも一部を除く領域に、カバー層を形成する工程と、
前記複数の立体配線用パッドのうち、弾性表面波デバイスの外部接続に用いるパッド上の開口が、弾性表面波デバイスの内部配線に用いるパッド上の開口よりも大きいマスクを用いて、前記複数の立体配線用パッド、前記支持層及び前記カバー層によって部分的に囲まれた空間に立体配線用金属を充填する工程とからなる弾性表面波デバイスの製造方法。 - 前記支持層を形成する工程において、前記支持層は、前記IDT電極を囲うように形成される請求項1又は2に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
- 前記カバー層を形成する工程において、前記IDT電極は、前記支持層および前記カバー層により封止される請求項1又は2に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
- 前記立体配線用金属は、ハンダ又はハンダを含む合金である、請求項1又は2に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
- 前記複数の立体配線用パッドを露出させる工程において、少なくとも2つの前記内部配線に用いるパッドが同一空間において露出される請求項1に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
- 前記立体配線用金属を充填する工程において、前記少なくとも2つの内部配線に用いるパッドが、前記立体配線用金属によって電気的に接続される請求項1又は2に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
- 前記立体配線用金属を充填する工程において、前記外部接続に用いるパッド上に形成された立体配線用金属は、前記内部配線に用いるパッド上に形成された立体配線用金属よりも、高く形成されている請求項1又は2に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020158016A JP6979726B1 (ja) | 2020-09-21 | 2020-09-21 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
CN202110774081.0A CN114257200A (zh) | 2020-09-21 | 2021-07-08 | 弹性表面波装置的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020158016A JP6979726B1 (ja) | 2020-09-21 | 2020-09-21 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6979726B1 JP6979726B1 (ja) | 2021-12-15 |
JP2022051616A true JP2022051616A (ja) | 2022-04-01 |
Family
ID=78870797
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020158016A Active JP6979726B1 (ja) | 2020-09-21 | 2020-09-21 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6979726B1 (ja) |
CN (1) | CN114257200A (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008245026A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置の製造方法 |
WO2010125873A1 (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-04 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置及びその製造方法 |
JP2012119928A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Kyocera Corp | 弾性波装置およびその製造方法 |
WO2015098679A1 (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
JP2016010026A (ja) * | 2014-06-25 | 2016-01-18 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子および通信装置 |
JP2016123020A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子および通信装置 |
WO2018181932A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置、分波器および通信装置 |
-
2020
- 2020-09-21 JP JP2020158016A patent/JP6979726B1/ja active Active
-
2021
- 2021-07-08 CN CN202110774081.0A patent/CN114257200A/zh active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008245026A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置の製造方法 |
WO2010125873A1 (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-04 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置及びその製造方法 |
JP2012119928A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Kyocera Corp | 弾性波装置およびその製造方法 |
WO2015098679A1 (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
JP2016010026A (ja) * | 2014-06-25 | 2016-01-18 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子および通信装置 |
JP2016123020A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子および通信装置 |
WO2018181932A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置、分波器および通信装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114257200A (zh) | 2022-03-29 |
JP6979726B1 (ja) | 2021-12-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5865944B2 (ja) | 弾性波装置の製造方法 | |
JP5106633B2 (ja) | 弾性波装置 | |
JP4460612B2 (ja) | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 | |
JP4689704B2 (ja) | 圧電部品及びその製造方法 | |
US20110214265A1 (en) | Piezoelectric component and manufacturing method thereof | |
US7841064B2 (en) | Method of manufacturing an acoustic wave device | |
WO2004012332A1 (ja) | 圧電部品およびその製造方法 | |
JP2007081555A (ja) | 弾性表面波装置 | |
US11159143B2 (en) | Filter device and method for manufacturing the same | |
JP6979726B1 (ja) | 弾性表面波デバイスの製造方法 | |
JP7002782B1 (ja) | 弾性表面波デバイス | |
JP4195605B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
JP7048128B1 (ja) | 弾性表面波デバイス | |
JP7075148B1 (ja) | 弾性表面波デバイスの製造方法 | |
JP2004356671A (ja) | 弾性表面波素子及びそれを有する弾性表面波デバイス | |
JP7508104B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
WO2018198730A1 (ja) | 電子部品およびそれを備えるモジュール | |
WO2018221172A1 (ja) | フィルタ装置 | |
JP4349863B2 (ja) | 弾性表面波装置およびその製造方法 | |
WO2023248751A1 (ja) | 弾性波装置、弾性波装置の製造方法、および通信装置 | |
JP4684343B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
JP2022079390A (ja) | 弾性波デバイス | |
CN114070240A (zh) | 弹性波装置及其制造方法 | |
JP2022089712A (ja) | 弾性表面波デバイス | |
JP2022089711A (ja) | 弾性表面波デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210730 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20210730 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210824 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210921 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211012 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211109 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6979726 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |