WO2023058579A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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潤平 安田
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株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves

Definitions

  • the present invention relates to an acoustic wave device in which reflectors are provided on both sides of at least one IDT electrode.
  • reflectors are provided on both sides of the IDT electrodes. Further, in the longitudinally coupled resonator-type elastic wave filter, reflectors are provided on both sides of the region where the plurality of IDT electrodes are provided.
  • first and second reflectors are provided on both sides of the IDT electrode.
  • a signal terminal and a ground terminal are provided on the piezoelectric substrate outside the elastic wave propagation direction of the first and second reflectors.
  • the space for providing reflectors and IDT electrodes becomes smaller when miniaturization is attempted.
  • the space required for the IDT electrodes is reduced, there is a risk that the characteristics of the resonator and filter will be degraded.
  • bumps are provided on both sides of the IDT electrodes as connection terminals with the outside. Therefore, in particular, the IDT electrodes in the resonator sandwiched between the bumps are restricted in dimension along the elastic wave propagation direction. Therefore, securing a space for arranging the IDT electrodes becomes more of a problem.
  • the reflector and the wiring located outside the reflector in the elastic wave propagation direction are at different potentials. Therefore, there is a problem that deterioration due to parasitic capacitance occurs.
  • An object of the present invention is to provide an acoustic wave device whose characteristics are less likely to deteriorate even if the space for providing the IDT electrodes is reduced.
  • An elastic wave device includes a piezoelectric substrate, a first terminal provided on the piezoelectric substrate, and a second terminal provided on the piezoelectric substrate and connected to a potential different from that of the first terminal. 2 terminals, and a resonator configured on the piezoelectric substrate, wherein the resonator includes at least one IDT electrode and a second resonator provided on one side of the at least one IDT electrode in the acoustic wave propagation direction.
  • the at least One IDT electrode has a first bus bar and a second bus bar connected to a potential different from that of the first bus bar, and the first bus bar is connected to the first reflector and the first bus bar. 1 terminal, and the second bus bar is connected to the second reflector and the second terminal.
  • FIG. 1 is a plan view of an elastic wave device according to a first embodiment of the invention.
  • FIG. 2 is a circuit diagram of the elastic wave device according to the first embodiment of the invention.
  • FIG. 3 is a front cross-sectional view showing a chip component of CSP structure having an acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a plan view for explaining the electrode structure of an elastic wave device prepared for comparison.
  • FIG. 5(a) is a plan view showing an electrode structure of an elastic wave device according to a second embodiment of the present invention, and
  • FIG. 5(b) is a partial cross-sectional view showing a lamination structure of a first terminal.
  • FIG. 1 is a plan view of an elastic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a circuit diagram of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a front cross-sectional view showing a chip component of CSP structure having an elastic wave device according to the first embodiment.
  • the illustrated electrode structure is provided on the first main surface 12a of the piezoelectric substrate 12. As shown in FIG. 1, the illustrated electrode structure is provided on the first main surface 12a of the piezoelectric substrate 12. As shown in FIG. 1, the illustrated electrode structure is provided on the first main surface 12a of the piezoelectric substrate 12. As shown in FIG. 1, the illustrated electrode structure is provided on the first main surface 12a of the piezoelectric substrate 12. As shown in FIG. 1, the illustrated electrode structure is provided on the first main surface 12a of the piezoelectric substrate 12. As shown in FIG. 1, the illustrated electrode structure is provided on the first main surface 12a of the piezoelectric substrate 12. As shown in FIG.
  • An IDT electrode 13 and first and second reflectors 14 and 15 are provided on the piezoelectric substrate 12 .
  • This portion constitutes a one-port elastic wave resonator.
  • a first terminal 21 as an input terminal as a signal terminal connected to a signal potential and a second terminal 22 as a ground terminal connected to a ground potential are provided on the piezoelectric substrate 12.
  • a resonator is configured between the first terminal 21 and the second terminal 22 .
  • the ground potential is usually 0V, it may be a reference potential other than 0V. Also, the ground terminal may be connected to the ground potential via another element such as an inductor.
  • This acoustic wave resonator has an IDT electrode 13 and first and second reflectors 14 and 15 in the acoustic wave propagation direction.
  • a first terminal 21 is positioned outside the first reflector 14 and a second terminal 22 is provided outside the second reflector 15 in the elastic wave propagation direction.
  • the IDT electrode 13 has a first busbar 13a and a second busbar 13b. One ends of a plurality of first electrode fingers are connected to the first bus bar 13a. One ends of a plurality of second electrode fingers are connected to the second bus bar 13b. A plurality of first electrode fingers and a plurality of second electrode fingers are interposed. When the directions in which the electrode fingers extend are parallel, the elastic wave propagation direction is a direction orthogonal to the direction in which the electrode fingers extend. In this embodiment, the IDT electrode 13 is a regular type IDT electrode. Therefore, the width of each of the first and second electrode fingers is constant, and the lengths of the plurality of first and second electrode fingers are the same.
  • the direction in which the imaginary line connecting the tips of the first electrode fingers extends is parallel to the elastic wave propagation direction.
  • the direction in which the imaginary line connecting the tips of the plurality of second electrode fingers extends is also parallel to the elastic wave propagation direction.
  • the IDT electrode 13 is not limited to the normal type.
  • the first reflector 14 is connected to the first busbar 13a.
  • a second reflector 15 is also connected to the second bus bar 13b.
  • the first terminal 21 is connected to the first bus bar 13a.
  • a second terminal 22 is connected to the second bus bar 13b. Therefore, the first terminal 21 and the adjacent first reflector 14 are at the same potential. Therefore, parasitic capacitance is less likely to occur between the first reflector 14 and the first terminal 21 .
  • the second reflector 15 and the adjacent second terminal 22 are at the same potential. Therefore, parasitic capacitance is less likely to occur between the second reflector 15 and the second terminal 22 as well. Therefore, deterioration of characteristics due to parasitic capacitance is less likely to occur in the elastic wave resonator. That is, it is difficult for the fractional bandwidth to become small.
  • the circuit shown in FIG. 2 is configured in the elastic wave device 11 shown in FIG. That is, a parallel arm resonator P1, a series arm resonator S1, a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 31, and a parallel arm resonator P2 are connected between a first terminal 21, which is an input terminal, and an output terminal 23. It is The parallel arm resonator P1 is connected to the second terminal 22 . The parallel arm resonator P2 is connected to the ground terminal 24 .
  • bumps 17, 18, 17A and 18A are bonded onto the first terminal 21, the second terminal 22, the output terminal 23 and the ground terminal 24, respectively.
  • the series arm resonator S1 has an IDT electrode 32, a first reflector 33, and a second reflector .
  • One bus bar of the IDT electrode 32 is shared with the above-described first bus bar 13a.
  • a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 31 is connected to the other bus bar 35 of the IDT electrode 32 .
  • the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 31 has first to fifth IDT electrodes 31a to 31e, a first reflector 31f and a second reflector 31g.
  • a parallel arm resonator P2 is connected to the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 31.
  • the parallel arm resonator P2 has an IDT electrode 36 and first and second reflectors 37 and 38 .
  • the IDT electrode 36 has a first busbar 36a and a second busbar 36b.
  • the output terminal 23 as a first terminal is connected to the first reflector 37 and the first bus bar 36a.
  • a second reflector 38 and a second bus bar 36b are connected to the ground terminal 24 as a second terminal.
  • the IDT electrode 36 is sandwiched between the output terminal 23 as the first terminal and the ground terminal 24 as the second terminal in the acoustic wave propagation direction. is Since it is connected to the first bus bar 36a, the first reflector 37 and the output terminal 23 are at the same potential.
  • the second reflector 38 and the ground terminal 24 are connected to the second bus bar 36b and have the same potential. Therefore, in the parallel arm resonator P2, as in the parallel arm resonator P1, deterioration of characteristics due to parasitic capacitance is less likely to occur.
  • FIG. 3 is a front cross-sectional view showing a CSP structure chip component having an acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • the chip component 1 has a package substrate 2. As shown in FIG. 3, Electrode lands 3 and 4 are provided on the upper surface of the package substrate 2 . The electrode lands 3 and 4 are electrically connected to mounting electrodes 5 and 6 through via-hole electrodes and electrode layers provided in the package substrate 2 .
  • FIG. 3 shows a portion of the elastic wave device 11 where the IDT electrodes 13 are provided
  • the elastic wave device 11 has the electrode structure shown in FIG. 1 on the piezoelectric substrate 12 .
  • the first terminal 21 is connected to the electrode land 3 via the bump 17.
  • the second terminal 22 is connected to the electrode land 4 via the bump 18 .
  • the elastic wave device 11 is covered with the resin mold layer 8 .
  • An elastic wave device 101 of a comparative example shown in FIG. 4 is provided with an electrode structure similar to that of the elastic wave device 11 of the present embodiment.
  • the first reflector 14 is connected to the second busbar 13b
  • the second reflector 15 is connected to the first busbar 13a. Therefore, a parasitic capacitance is generated between the first terminal 21 as an input terminal and the adjacent first reflector 14 .
  • a parasitic capacitance also occurs between the second reflector 15 and the second terminal 22 adjacent to the second reflector 15 . Therefore, the characteristics are degraded, and the characteristics are further degraded when the installation space of the IDT electrodes is reduced.
  • the adjacent ground terminal 24 and the second reflector 38 are similarly connected to different potentials. Also, the first reflector 37 and the adjacent output terminal 23 are connected to different potentials. Therefore, deterioration of characteristics occurs due to the parasitic capacitance.
  • FIG. 5(a) is a plan view showing an electrode structure of an acoustic wave device according to a second embodiment of the present invention
  • FIG. 5(b) is a partial cross-sectional view showing a lamination structure of a first terminal.
  • the first terminal 21A, the second terminal 22A, the output terminal 23A, and the ground terminal 24A are further formed on the first electrode layer formed by being connected with the first bus bar 13a and the like, and further bumps. It has a structure in which pad layers are laminated.
  • FIG. 5B for example, in the first terminal 21A, a bump pad layer 52 as a second electrode layer is laminated on the first electrode layer 21a.
  • the first electrode layer 21a is formed as the same electrode layer as the first bus bar 13a and the like.
  • the first terminal 21A has a structure in which the bump pad layer 52 made of the same or different metal is laminated on the same first electrode layer 21a as the electrode layers such as the first bus bar 13a.
  • a stacked structure of the first electrode layer and the bump pad layer is adopted for the signal terminals and ground terminals.
  • the above-described gap between the adjacent first reflector 14 and second reflector 15 may occur.
  • the value of the parasitic capacitance may vary. Also, the higher the density, the smaller the gap between the first reflector 14 and the first terminal 21, for example. Therefore, the variation in the parasitic capacitance becomes a bigger problem.
  • the first reflector 14 and the first terminal 21A are at the same potential. Therefore, even if a positional deviation occurs between the bump pad layer 52 and the underlying first electrode layer 21a, it is less likely to be affected by the parasitic capacitance. Therefore, degradation of filter characteristics is less likely to occur.
  • the first and second reflectors are at the same potential as the signal terminal or ground terminal adjacent to the outside thereof.
  • the resonator in the present invention is not limited to such an elastic wave resonator having one IDT electrode, but may be a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter having three or more IDT electrodes.
  • the present invention is suitable for chip components with a CSP structure, it may also be used for chip components with a WLP structure.
  • the piezoelectric substrate in the present invention is not limited to a piezoelectric substrate made of a piezoelectric single crystal, and may be a piezoelectric substrate having a support substrate and a piezoelectric layer made of a piezoelectric material.
  • the support substrate can be made of an appropriate insulator or semiconductor.
  • a dielectric layer may be formed between the support substrate and the piezoelectric layer.
  • the piezoelectric substrate a structure having a support substrate and a piezoelectric layer, and a high sound velocity material layer provided between the piezoelectric layer and the support substrate may be used.
  • the high sonic material layer is made of a high sonic material.
  • a high acoustic velocity material is a material in which the acoustic velocity of a propagating bulk wave is higher than the acoustic velocity of an elastic wave propagating through a piezoelectric layer.
  • Such high sonic materials include aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, quartz, alumina, zirconia, cordierite, mullite, steatite, fort.
  • Various materials such as stellite, magnesia, a DLC (diamond-like carbon) film or diamond, a medium containing the above materials as a main component, and a medium containing a mixture of the above materials as a main component can be used.
  • the high acoustic velocity material layer and the support substrate may be integrated.
  • a low acoustic velocity film may be laminated between the high acoustic velocity material layer and the piezoelectric layer.
  • the low sound velocity membrane is made of a low sound velocity material.
  • a low sound velocity material is a material in which a propagating bulk wave has a lower acoustic velocity than a bulk wave propagating through a piezoelectric layer.
  • Such low sound velocity materials include silicon oxide, glass, silicon oxynitride, tantalum oxide, compounds obtained by adding fluorine, carbon, boron, hydrogen, or silanol groups to silicon oxide, and media containing the above materials as main components. etc. can be mentioned.
  • a low acoustic velocity film may be laminated between the supporting substrate made of the high acoustic velocity material and the piezoelectric layer.

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Abstract

特性の劣化が生じ難い、弾性波装置を提供する。　圧電基板１２と、圧電基板１２上に設けられた第１の端子２１及び第２の端子２２と、第１の端子２１と第２の端子２２との間において、弾性波伝搬方向において挟まれたＩＤＴ電極１３を有する共振子と、を備え、前記共振子が、上記ＩＤＴ電極１３と、第１，第２の反射器１４，１５と、を有し、ＩＤＴ電極１３が、第１，第２のバスバー１３ａ，１３ｂを有し、弾性波伝搬方向において、第１の反射器１４が第１の信号端子２１側に位置しており、第２の信号端子２２が第２の反射器１５側に位置しており、第１のバスバー１３ａが第１の反射器１４及び第１の端子２１に接続されており、第２のバスバー１３ｂが第２の反射器１５及び第２の端子２２に接続されている、弾性波装置１１。

Description

弾性波装置
　本発明は、少なくとも１つのＩＤＴ電極の両側に反射器が設けられている、弾性波装置に関する。
　弾性波共振子では、ＩＤＴ電極の両側に反射器が設けられている。また、縦結合共振子型弾性波フィルタでは、複数のＩＤＴ電極が設けられている領域の両側に、反射器が設けられている。
　例えば、特許文献１では、ＩＤＴ電極の両側に第１，第２の反射器が設けられている。特許文献１に記載の弾性波装置では、圧電基板上において、上記第１，第２の反射器の弾性波伝搬方向外側に信号端子及びグラウンド端子が設けられている。
特開２０００－１１４９２３号公報
　特許文献１に記載の弾性波装置では、小型化を図る際に、反射器やＩＤＴ電極を設けるスペースが小さくなる。特に、ＩＤＴ電極に必要なスペースが小さくなると、共振子やフィルタとしての特性が劣化するおそれがあった。
　また、ＣＳＰ構造の弾性波装置では、ＩＤＴ電極の両側に、外部との接続端子として、バンプが設けられている。そのため、特に、バンプ間に挟まれた共振子におけるＩＤＴ電極では、弾性波伝搬方向に沿う寸法が制約される。従って、上記ＩＤＴ電極を配置するためのスペースの確保がより問題となる。
　また、特許文献１に記載の弾性波装置では、反射器と、反射器の弾性波伝搬方向外側に位置している配線とが異電位である。そのため、寄生容量による劣化が生じるという問題があった。
　本発明の目的は、ＩＤＴ電極を設けるスペースが小さくなったとしても、特性の劣化が生じ難い、弾性波装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられた第１の端子と、前記圧電基板上に設けられており、前記第１の端子と異なる電位に接続される第２の端子と、前記圧電基板に構成されている共振子と、を備え、前記共振子が、少なくとも１つのＩＤＴ電極と、前記少なくとも１つのＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向一方側に設けられた第１の反射器と、前記少なくとも１つのＩＤＴ電極の前記弾性波伝搬方向他方側に設けられた第２の反射器と、を有し、前記共振子の少なくとも一部が、前記弾性波伝搬方向において、前記第１の反射器の外側に位置している前記第１の端子と、前記第２の反射器の外側に位置している前記第２の端子との間に挟まれており、前記少なくとも１つのＩＤＴ電極が、第１のバスバーと、前記第１のバスバーと異なる電位に接続される第２のバスバーと、を有し、前記第１のバスバーが、前記第１の反射器及び前記第１の端子に接続されており、前記第２のバスバーが、前記第２の反射器及び前記第２の端子に接続されている。
　本発明によれば、特性の劣化が生じ難い弾性波装置を提供することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の回路図である。 図３は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置を有するＣＳＰ構造のチップ部品を示す正面断面図である。 図４は、比較のために用意した弾性波装置の電極構造を説明するための平面図である。 図５（ａ）は本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の電極構造を示す平面図であり、図５（ｂ）は第１の端子の積層構造を示す部分断面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。また、図２は、第１の実施形態に係る弾性波装置の回路図である。図３は、第１の実施形態に係る弾性波装置を有するＣＳＰ構造のチップ部品を示す正面断面図である。
　図１に示すように、圧電基板１２の第１の主面１２ａ上に、図示の電極構造が設けられている。
　圧電基板１２上には、ＩＤＴ電極１３及び第１，第２の反射器１４，１５が設けられている。この部分により、１ポート型の弾性波共振子が構成されている。圧電基板１２上において、信号電位に接続される信号端子としての入力端子である第１の端子２１と、グラウンド電位に接続されるグラウンド端子である第２の端子２２とが設けられている。第１の端子２１と第２の端子２２との間に、共振子が構成されている。なお、グラウンド電位は通常０Ｖであるが、０Ｖではない基準電位であってもよい。また、グラウンド端子は、インダクタなどの他の素子を介してグラウンド電位に接続されていてもよい。この弾性波共振子は、弾性波伝搬方向において、ＩＤＴ電極１３及び第１，第２の反射器１４，１５を有する。弾性波伝搬方向において、第１の反射器１４の外側に第１の端子２１が位置しており、第２の反射器１５の外側に第２の端子２２が設けられている。
　ＩＤＴ電極１３は、第１のバスバー１３ａと第２のバスバー１３ｂとを有する。第１のバスバー１３ａには、複数本の第１の電極指の一端が接続されている。第２のバスバー１３ｂには、複数本の第２の電極指の一端が接続されている。複数本の第１の電極指と複数本の第２の電極指とが間挿し合っている。複数本の電極指の延びる方向が平行である場合、弾性波伝搬方向は、電極指の延びる方向と直交する方向である。本実施形態では、ＩＤＴ電極１３は正規型のＩＤＴ電極である。よって、各第１，第２の電極指において幅は一定であり、複数本の第１，第２の電極指の長さは同じである。複数本の第１の電極指の先端を結んだ仮想線が延びる方向は、弾性波伝搬方向と平行である。複数本の第２の電極指の先端を結んだ仮想線が延びる方向も、弾性波伝搬方向と平行である。もっとも、ＩＤＴ電極１３は正規型に限定されるものではない。
　この弾性波共振子では、第１の反射器１４が第１のバスバー１３ａに接続されている。また、第２の反射器１５が第２のバスバー１３ｂに接続されている。また、第１の端子２１が第１のバスバー１３ａに接続されている。第２の端子２２が第２のバスバー１３ｂに接続されている。従って、第１の端子２１と、隣接している第１の反射器１４は同電位である。そのため、第１の反射器１４と第１の端子２１との間に寄生容量が生じ難い。同様に、第２の反射器１５と、隣接している第２の端子２２も同電位である。そのため、第２の反射器１５と第２の端子２２との間にも寄生容量が生じ難い。よって、弾性波共振子においては、寄生容量による特性の劣化が生じ難い。すなわち、比帯域が小さくなり難い。
　図１に示す弾性波装置１１では、図２に示す回路が構成されている。すなわち、入力端子である第１の端子２１と、出力端子２３との間に、並列腕共振子Ｐ１、直列腕共振子Ｓ１、縦結合共振子型弾性波フィルタ３１及び並列腕共振子Ｐ２が接続されている。並列腕共振子Ｐ１は、第２の端子２２に接続されている。並列腕共振子Ｐ２は、グラウンド端子２４に接続されている。
　図１に示すように、上記第１の端子２１、第２の端子２２、出力端子２３及びグラウンド端子２４上には、バンプ１７，１８，１７Ａ，１８Ａがそれぞれ接合されている。
　図１に示すように、直列腕共振子Ｓ１は、ＩＤＴ電極３２と、第１の反射器３３と、第２の反射器３４とを有する。ＩＤＴ電極３２の一方のバスバーは、前述した第１のバスバー１３ａと共通化されている。ＩＤＴ電極３２の他方のバスバー３５に、縦結合共振子型弾性波フィルタ３１が接続されている。縦結合共振子型弾性波フィルタ３１は、第１～第５のＩＤＴ電極３１ａ～３１ｅと、第１の反射器３１ｆと第２の反射器３１ｇとを有する。
　縦結合共振子型弾性波フィルタ３１に、並列腕共振子Ｐ２が接続されている。
　並列腕共振子Ｐ２は、ＩＤＴ電極３６と、第１，第２の反射器３７，３８とを有する。ＩＤＴ電極３６は、第１のバスバー３６ａと、第２のバスバー３６ｂとを有する。第１の反射器３７と第１のバスバー３６ａに、第１の端子としての出力端子２３が接続されている。第２の反射器３８と第２のバスバー３６ｂとが、第２の端子としてのグラウンド端子２４に接続されている。並列腕共振子Ｐ２が構成されている部分においても、弾性波伝搬方向において、ＩＤＴ電極３６が、第１の端子としての出力端子２３と、第２の端子としてのグラウンド端子２４との間に挟まれている。第１のバスバー３６ａに接続されているため、第１の反射器３７と、出力端子２３とは同電位である。第２の反射器３８及びグラウンド端子２４は第２のバスバー３６ｂに接続されており、同電位である。従って、並列腕共振子Ｐ２においても、並列腕共振子Ｐ１と同様に、寄生容量による特性の劣化が生じ難い。
　上記並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２では、寄生容量による特性の劣化が生じ難い。よって、小型化に伴って、ＩＤＴ電極１３やＩＤＴ電極３６の設置スペースが小さくなったとしても、特性の劣化が生じ難い。
　図３は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置を有するＣＳＰ構造のチップ部品を示す正面断面図である。
　図３に示すように、チップ部品１は、パッケージ基板２を有する。パッケージ基板２の上面に電極ランド３，４が設けられている。電極ランド３，４は、パッケージ基板２内に設けられたビアホール電極及び電極層を介して、実装電極５，６に電気的に接続されている。
　図３では、弾性波装置１１において、ＩＤＴ電極１３が設けられている部分を図示しているが、弾性波装置１１では、圧電基板１２上に図１に示した電極構造が設けられている。
　第１の端子２１は、バンプ１７を介して電極ランド３に接続されている。第２の端子２２は、バンプ１８を介して、電極ランド４に接続されている。そして、弾性波装置１１が、樹脂モールド層８により覆われている。
　図４に示す比較例の弾性波装置１０１では、上記本実施形態の弾性波装置１１と同様の電極構造が設けられている。但し、並列腕共振子Ｐ１において、第１の反射器１４が第２のバスバー１３ｂに接続されており、第２の反射器１５が第１のバスバー１３ａに接続されている。そのため、入力端子である第１の端子２１と隣接する第１の反射器１４との間で寄生容量が生じる。同様に、第２の反射器１５と、第２の反射器１５に隣接している第２の端子２２との間でも寄生容量が生じる。そのため、特性が劣化するので、ＩＤＴ電極の設置スペースを小さくした場合、より一層特性が劣化する。
　弾性波装置１０１では、並列腕共振子Ｐ２においても、同様に、隣接するグラウンド端子２４と、第２の反射器３８とが異なる電位に接続される。また、第１の反射器３７と、隣接する出力端子２３とが異なる電位に接続される。従って、寄生容量による特性の劣化が生じる。
　これに対して、上記実施形態では、前述したように、隣接する反射器と、信号端子またはグラウンド端子との間に、寄生容量がほとんど生じないため、特性の劣化を抑制することができる。
　図５（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の電極構造を示す平面図であり、図５（ｂ）は、第１の端子の積層構造を示す部分断面図である。弾性波装置５１では、第１の端子２１Ａ、第２の端子２２Ａ、出力端子２３Ａ及びグラウンド端子２４Ａが、第１のバスバー１３ａなどと連ねられて形成された第１の電極層上に、さらにバンプパッド層を積層した構造を有する。図５（ｂ）に示すように、例えば、第１の端子２１Ａでは、第１の電極層２１ａ上に第２の電極層としてのバンプパッド層５２が積層されている。第１の電極層２１ａは第１のバスバー１３ａ等と同一の電極層として形成されている。このように、第１の端子２１Ａは、第１のバスバー１３ａなどの電極層と同じ第１の電極層２１ａ上に、さらに同一または異なる金属からなるバンプパッド層５２を積層した構造を有していてもよい。
　図４に示した、比較のために用意した弾性波装置において、第１の電極層とバンプパッド層との積層構造を信号端子やグラウンド端子に採用すると仮定する。その場合には、バンプパッド層と、下の第１の電極層との間に位置ずれが生じると、例えば、隣接する第１の反射器１４や第２の反射器１５との間の前述した寄生容量の値が、ばらつくおそれがある。また、高密度に配置しようとすればするほど、例えば、第１の反射器１４と、第１の端子２１との間のギャップは小さくなる。そのため、上記寄生容量のばらつきがより大きな問題となる。
　これに対して、図５（ａ），図５（ｂ）に示す第２の実施形態の弾性波装置５１では、第１の反射器１４と、第１の端子２１Ａとが同電位である。そのため、たとえバンプパッド層５２と、その下の第１の電極層２１ａとの間に位置ずれが生じたとしても、寄生容量の影響を受け難い。従って、フィルタ特性の劣化が生じ難い。また、バンプパッド層として、バンプの接合に最適な金属層を積層し、信頼性を高めることも可能となる。
　なお、第１及び第２の実施形態では、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２において、第１，第２の反射器を、その外側に隣接する信号端子またはグラウンド端子と同電位とした。本発明における共振子は、このような１つのＩＤＴ電極を有する弾性波共振子に限らず、３以上の複数のＩＤＴ電極を有する縦結合共振子型弾性波フィルタであってもよい。
　なお、本発明はＣＳＰ構造のチップ部品に好適であるが、ＷＬＰ構造のチップ部品に用いてもよい。
　なお、本発明における圧電基板は、圧電単結晶からなる圧電基板に限らず、支持基板と、圧電材料からなる圧電体層とを有する圧電基板であってもよい。このような構造において、支持基板としては、適宜の絶縁体または半導体からなるものを用いることができる。また、支持基板と、圧電体層との間に、誘電体層が形成されていてもよい。
　また、好ましくは、上記圧電基板として、支持基板と、圧電体層とを有し、圧電体層と支持基板との間に、高音速材料層が設けられている構造を用いてもよい。この高音速材料層とは、高音速材料からなる。高音速材料とは、圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が高い材料をいう。このような高音速材料としては、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、シリコン、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、アルミナ、ジルコニア、コ－ジライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜またはダイヤモンド、上記材料を主成分とする媒質、上記材料の混合物を主成分とする媒質等の様々な材料を挙げることができる。また、高音速材料層と、支持基板とが一体化されていてもよい。
　さらに好ましくは、高音速材料層と、圧電体層との間に、低音速膜が積層されていてもよい。低音速膜は、低音速材料からなる。低音速材料とは、伝搬するバルク波の音速が、圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも低い材料をいう。このような低音速材料としては、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、また、酸化ケイ素にフッ素や炭素やホウ素、水素、あるいはシラノール基を加えた化合物、上記材料を主成分とする媒質等の様々な材料を挙げることができる。
　支持基板が高音速材料からなる場合、高音速材料からなる支持基板と圧電体層との間に低音速膜が積層されていてもよい。
１…チップ部品
２…パッケージ基板
３，４…電極ランド
５，６…実装電極
８…樹脂モールド層
１１…弾性波装置
１２…圧電基板
１２ａ…第１の主面
１３…ＩＤＴ電極
１３ａ，１３ｂ…第１，第２のバスバー
１４，１５…第１，第２の反射器
１７，１８，１７Ａ，１８Ａ…バンプ
２１…第１の端子
２１Ａ…第１の端子
２１ａ…第１の電極層
２２，２２Ａ…第２の端子
２３，２３Ａ…出力端子
２４，２４Ａ…グラウンド端子
３１…縦結合共振子型弾性波フィルタ
３１ａ～３１ｅ…第１～第５のＩＤＴ電極
３１ｆ，３１ｇ…第１，第２の反射器
３２…ＩＤＴ電極
３３，３４…第１，第２の反射器
３５…バスバー
３６…ＩＤＴ電極
３６ａ，３６ｂ…第１，第２のバスバー
３７，３８…第１，第２の反射器
５１…弾性波装置
５２…バンプパッド層
１０１…弾性波装置
Ｐ１，Ｐ２…並列腕共振子
Ｓ１…直列腕共振子

Claims (6)

  1. 　圧電基板と、
    　前記圧電基板上に設けられた第１の端子と、
    　前記圧電基板上に設けられており、前記第１の端子と異なる電位に接続される第２の端子と、
    　前記圧電基板に構成されている共振子と、
    　を備え、
    　前記共振子が、少なくとも１つのＩＤＴ電極と、
    　前記少なくとも１つのＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向一方側に設けられた第１の反射器と、
    　前記少なくとも１つのＩＤＴ電極の前記弾性波伝搬方向他方側に設けられた第２の反射器と、
    　を有し、
    　前記共振子の少なくとも一部が、前記弾性波伝搬方向において、前記第１の反射器の外側に位置している前記第１の端子と、前記第２の反射器の外側に位置している前記第２の端子との間に挟まれており、
    　前記少なくとも１つのＩＤＴ電極が、第１のバスバーと、前記第１のバスバーと異なる電位に接続される第２のバスバーと、
    　を有し、
    　前記第１のバスバーが、前記第１の反射器及び前記第１の端子に接続されており、前記第２のバスバーが、前記第２の反射器及び前記第２の端子に接続されている、弾性波装置。
  2. 　前記第１の端子が、信号電位に接続される信号端子及びグラウンド電位に接続されるグラウンド端子の一方であり、前記第２の端子が、前記信号端子及び前記グラウンド端子のうちの他方である、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記第１の端子及び前記第２の端子が、前記圧電基板上において、前記ＩＤＴ電極と連なった第１の電極層と、該第１の電極層上に積層された第２の電極層を有する、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記少なくとも１つのＩＤＴ電極が、１つのＩＤＴ電極である、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  5. 　前記少なくとも１つのＩＤＴ電極が、複数のＩＤＴ電極であり、前記共振子として、縦結合共振子型の共振子が構成されている、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　前記少なくとも１つのＩＤＴ電極が、正規型のＩＤＴ電極である、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
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