WO2022211056A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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WO2022211056A1
WO2022211056A1 PCT/JP2022/016668 JP2022016668W WO2022211056A1 WO 2022211056 A1 WO2022211056 A1 WO 2022211056A1 JP 2022016668 W JP2022016668 W JP 2022016668W WO 2022211056 A1 WO2022211056 A1 WO 2022211056A1
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WO
WIPO (PCT)
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resonators
resonator
wave device
elastic wave
electrode
Prior art date
Application number
PCT/JP2022/016668
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
和則 井上
勝己 鈴木
Original Assignee
株式会社村田製作所
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Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Publication of WO2022211056A1 publication Critical patent/WO2022211056A1/ja

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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves

Definitions

  • the present disclosure relates to elastic wave devices.
  • Patent Document 1 describes an elastic wave device.
  • a space shared by a plurality of resonators may be provided.
  • the characteristics of the elastic wave device are degraded, and there is a possibility that the characteristics of the elastic wave device cannot be improved while the size thereof is reduced.
  • the present disclosure is intended to solve the above-described problems, and aims to achieve both improvement in characteristics and miniaturization of elastic wave devices.
  • An elastic wave device includes a support member having a support substrate having a thickness in a first direction, a piezoelectric layer provided in the first direction on the support member, and a functional electrode provided in the first direction on the piezoelectric layer.
  • a first resonator group including a plurality of resonators arranged in a first region; and a second region different from the first region.
  • a second resonator group including a plurality of resonators arranged in parallel with each other, wherein the supporting member overlaps across the plurality of resonators included in the first resonator group when viewed in plan in the first direction. and a plurality of second spaces are provided in the support member at positions overlapping the resonators included in the second resonator group when viewed in plan in the first direction. is provided.
  • FIG. 1A is a perspective view showing an elastic wave device according to a first embodiment
  • FIG. 1B is a plan view showing the electrode structure of the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion along line II-II of FIG. 1A.
  • FIG. 3A is a schematic cross-sectional view for explaining Lamb waves propagating through the piezoelectric layer of the comparative example.
  • FIG. 3B is a schematic cross-sectional view for explaining a thickness-shear primary mode bulk wave propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the amplitude direction of a thickness-shear primary mode bulk wave propagating in the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 1A is a perspective view showing an elastic wave device according to a first embodiment
  • FIG. 1B is a plan view showing the electrode structure of the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion along line II
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram showing the relationship between , and the fractional band.
  • FIG. FIG. 7 is a plan view showing an example in which a pair of electrodes are provided in the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 8 is a reference diagram showing an example of resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 9 shows the ratio bandwidth when a large number of elastic wave resonators are configured in the elastic wave device of the first embodiment, and the phase rotation amount of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious. is an explanatory diagram showing the relationship between.
  • FIG. 9 shows the ratio bandwidth when a large number of elastic wave resonators are configured in the elastic wave device of the first embodiment, and the phase rotation amount of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional bandwidth.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram showing a map of the fractional band with respect to the Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is infinitely close to 0.
  • FIG. 12 is a partially cutaway perspective view for explaining the elastic wave device according to the embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view for explaining an elastic wave device according to an embodiment of the present disclosure; 14 is a plan view showing a part of an example of the elastic wave device according to the first embodiment;
  • FIG. 15 is a cross-sectional view taken along line XV-XV of FIG. 14.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view taken along line XVI--XVI of FIG. 14.
  • FIG. 17 is a circuit diagram of the acoustic wave device according to FIG. 14.
  • FIG. 18 is a plan view showing a part of the first modified example of the elastic wave device according to this embodiment.
  • 19 is a cross-sectional view taken along line XIX-XIX in FIG. 18.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view taken along line XX-XX of FIG. 18.
  • FIG. 21 is a plan view showing part of a second modification of the elastic wave device according to this embodiment. 22 is a cross-sectional view taken along line XXII-XXII of FIG. 21.
  • FIG. 23 is a circuit diagram of the acoustic wave device according to FIG. 21.
  • FIG. FIG. 24 is a plan view showing part of a third modified example of the elastic wave device according to this embodiment.
  • 25 is a cross-sectional view taken along line XXV--XXV of FIG. 24.
  • FIG. FIG. 26 is a plan view showing part of a fourth modification of the elastic wave device according to this embodiment.
  • 27 is a cross-sectional view taken along line XXVII-XXVII of FIG. 26.
  • FIG. 28 is a circuit diagram of the acoustic wave device according to FIG. 26.
  • FIG. 1A is a perspective view showing an elastic wave device according to a first embodiment
  • FIG. 1B is a plan view showing the electrode structure of the first embodiment.
  • the elastic wave device 1 of the first embodiment has a piezoelectric layer 2 made of LiNbO 3 .
  • the piezoelectric layer 2 may consist of LiTaO 3 .
  • the cut angle of LiNbO 3 and LiTaO 3 is Z-cut in the first embodiment.
  • the cut angles of LiNbO 3 and LiTaO 3 may be rotated Y-cut or X-cut.
  • the Y-propagation and X-propagation ⁇ 30° propagation orientations are preferred.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is not particularly limited, it is preferably 50 nm or more and 1000 nm or less in order to effectively excite the thickness shear primary mode.
  • the piezoelectric layer 2 has a first main surface 2a and a second main surface 2b facing each other in the Z direction. Electrode fingers 3 and 4 are provided on the first main surface 2a.
  • the electrode finger 3 is an example of the "first electrode finger” and the electrode finger 4 is an example of the "second electrode finger”.
  • the multiple electrode fingers 3 are multiple “first electrodes” connected to the first busbar electrodes 5 .
  • a plurality of electrode fingers 4 are a plurality of “second electrodes” connected to second busbar electrodes 6 .
  • the plurality of electrode fingers 3 and the plurality of electrode fingers 4 are interdigitated with each other.
  • an IDT (Interdigital Transducer) electrode including electrode fingers 3 , electrode fingers 4 , first busbar electrodes 5 , and second busbar electrodes 6 is configured.
  • the electrode fingers 3 and 4 have a rectangular shape and a length direction.
  • the electrode finger 3 and the electrode finger 4 adjacent to the electrode finger 3 face each other in a direction perpendicular to the length direction.
  • Both the length direction of the electrode fingers 3 and 4 and the direction orthogonal to the length direction of the electrode fingers 3 and 4 are directions that intersect the thickness direction of the piezoelectric layer 2 . Therefore, it can be said that the electrode finger 3 and the electrode finger 4 adjacent to the electrode finger 3 face each other in the direction intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer 2 .
  • the thickness direction of the piezoelectric layer 2 is defined as the Z direction (or first direction)
  • the length direction of the electrode fingers 3 and 4 is defined as the Y direction (or second direction)
  • the electrode fingers 3 and 4 4 may be described as the X direction (or the third direction).
  • the length direction of the electrode fingers 3 and 4 may be interchanged with the direction orthogonal to the length direction of the electrode fingers 3 and 4 shown in FIGS. 1A and 1B. That is, in FIGS. 1A and 1B, the electrode fingers 3 and 4 may extend in the direction in which the first busbar electrodes 5 and the second busbar electrodes 6 extend. In that case, the first busbar electrode 5 and the second busbar electrode 6 extend in the direction in which the electrode fingers 3 and 4 extend in FIGS. 1A and 1B.
  • a pair of structures in which the electrode fingers 3 connected to one potential and the electrode fingers 4 connected to the other potential are adjacent to each other are arranged in a direction perpendicular to the length direction of the electrode fingers 3 and 4. Multiple pairs are provided.
  • the electrode finger 3 and the electrode finger 4 are adjacent to each other, not when the electrode finger 3 and the electrode finger 4 are arranged so as to be in direct contact, but when the electrode finger 3 and the electrode finger 4 are arranged with a gap therebetween. It refers to the case where the When the electrode finger 3 and the electrode finger 4 are adjacent to each other, there are electrodes connected to the hot electrode and the ground electrode, including other electrode fingers 3 and 4, between the electrode finger 3 and the electrode finger 4. is not placed.
  • the logarithms need not be integer pairs, but may be 1.5 pairs, 2.5 pairs, or the like.
  • the center-to-center distance, that is, the pitch, between the electrode fingers 3 and 4 is preferably in the range of 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less. Further, the center-to-center distance between the electrode fingers 3 and 4 means the center of the width dimension of the electrode fingers 3 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode fingers 3 and the distance orthogonal to the length direction of the electrode fingers 4 . It is the distance connecting the center of the width dimension of the electrode finger 4 in the direction of
  • the electrode fingers 3 and 4 when at least one of the electrode fingers 3 and 4 is plural (when there are 1.5 or more pairs of electrodes when the electrode fingers 3 and 4 are paired as a pair of electrode pairs), the electrode fingers 3.
  • the center-to-center distance of the electrode fingers 4 refers to the average value of the center-to-center distances of adjacent electrode fingers 3 and electrode fingers 4 among 1.5 or more pairs of electrode fingers 3 and electrode fingers 4 .
  • the width of the electrode fingers 3 and 4 that is, the dimension in the facing direction of the electrode fingers 3 and 4 is preferably in the range of 150 nm or more and 1000 nm or less.
  • the center-to-center distance between the electrode fingers 3 and 4 is the distance between the center of the dimension (width dimension) of the electrode finger 3 in the direction perpendicular to the length direction of the electrode finger 3 and the length of the electrode finger 4. It is the distance connecting the center of the dimension (width dimension) of the electrode finger 4 in the direction orthogonal to the direction.
  • the direction orthogonal to the length direction of the electrode fingers 3 and 4 is the direction orthogonal to the polarization direction of the piezoelectric layer 2 .
  • “perpendicular” is not limited to being strictly perpendicular, but substantially perpendicular (the angle formed by the direction perpendicular to the length direction of the electrode fingers 3 and electrode fingers 4 and the polarization direction is, for example, 90° ⁇ 10°).
  • a supporting substrate 8 is laminated on the second main surface 2b side of the piezoelectric layer 2 with a dielectric layer 7 interposed therebetween.
  • the dielectric layer 7 and the support substrate 8 have a frame shape and, as shown in FIG. 2, openings 7a and 8a.
  • a space (air gap) 9 is thereby formed.
  • the space 9 is provided so as not to disturb the vibration of the excitation region C of the piezoelectric layer 2 . Therefore, the support substrate 8 is laminated on the second main surface 2b with the dielectric layer 7 interposed therebetween at a position not overlapping the portion where at least one pair of electrode fingers 3 and 4 are provided. Note that the dielectric layer 7 may not be provided. Therefore, the support substrate 8 can be directly or indirectly laminated to the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2 .
  • the dielectric layer 7 is made of silicon oxide.
  • the dielectric layer 7 can be formed of an appropriate insulating material such as silicon nitride, alumina, etc., in addition to silicon oxide.
  • the support substrate 8 is made of Si.
  • the plane orientation of the surface of Si on the piezoelectric layer 2 side may be (100), (110), or (111).
  • high-resistance Si having a resistivity of 4 k ⁇ or more is desirable.
  • the support substrate 8 can also be constructed using an appropriate insulating material or semiconductor material.
  • Materials for the support substrate 8 include, for example, aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric materials such as crystal, alumina, magnesia, sapphire, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, and steer.
  • Various ceramics such as tight and forsterite, dielectrics such as diamond and glass, and semiconductors such as gallium nitride can be used.
  • the plurality of electrode fingers 3, electrode fingers 4, first busbar electrodes 5, and second busbar electrodes 6 are made of appropriate metals or alloys such as Al and AlCu alloys.
  • the electrode fingers 3, the electrode fingers 4, the first busbar electrodes 5, and the second busbar electrodes 6 have a structure in which an Al film is laminated on a Ti film. Note that an adhesion layer other than the Ti film may be used.
  • an AC voltage is applied between the multiple electrode fingers 3 and the multiple electrode fingers 4 . More specifically, an AC voltage is applied between the first busbar electrode 5 and the second busbar electrode 6 . As a result, it is possible to obtain resonance characteristics using a thickness-shear primary mode bulk wave excited in the piezoelectric layer 2 .
  • d/p is set to 0.5 or less.
  • the thickness-shear primary mode bulk wave is effectively excited, and good resonance characteristics can be obtained. More preferably, d/p is 0.24 or less, in which case even better resonance characteristics can be obtained.
  • the electrode fingers 3 and the electrode fingers 4 When at least one of the electrode fingers 3 and the electrode fingers 4 is plural as in the first embodiment, that is, when the electrode fingers 3 and the electrode fingers 4 form a pair of electrodes, the electrode fingers 3 and the electrode fingers When there are 1.5 pairs or more of 4, the center-to-center distance p between the adjacent electrode fingers 3 and 4 is the average distance between the center-to-center distances between the adjacent electrode fingers 3 and 4 .
  • the acoustic wave device 1 of the first embodiment has the above configuration, even if the logarithms of the electrode fingers 3 and 4 are reduced in an attempt to reduce the size, the Q value is unlikely to decrease. This is because the resonator does not require reflectors on both sides, and the propagation loss is small. The reason why the above reflector is not required is that the bulk wave of the thickness-shlip primary mode is used.
  • FIG. 3A is a schematic cross-sectional view for explaining Lamb waves propagating through the piezoelectric layer of the comparative example.
  • FIG. 3B is a schematic cross-sectional view for explaining a thickness-shear primary mode bulk wave propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the amplitude direction of a thickness-shear primary mode bulk wave propagating in the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 3A shows an acoustic wave device as described in Patent Document 1, in which Lamb waves propagate through the piezoelectric layer.
  • waves propagate through the piezoelectric layer 201 as indicated by arrows.
  • the piezoelectric layer 201 has a first principal surface 201a and a second principal surface 201b, and the thickness direction connecting the first principal surface 201a and the second principal surface 201b is the Z direction.
  • the X direction is the direction in which the electrode fingers 3 and 4 of the IDT electrodes are aligned.
  • the wave propagates in the X direction as shown.
  • the wave is generated between the first main surface 2a and the second main surface 2a of the piezoelectric layer 2. It propagates almost in the direction connecting the surface 2b, that is, in the Z direction, and resonates. That is, the X-direction component of the wave is significantly smaller than the Z-direction component. Further, since resonance characteristics are obtained by propagating waves in the Z direction, no reflector is required. Therefore, no propagation loss occurs when propagating to the reflector. Therefore, even if the number of electrode pairs consisting of the electrode fingers 3 and 4 is reduced in an attempt to promote miniaturization, the Q value is unlikely to decrease.
  • the amplitude direction of the bulk wave of the primary thickness-shear mode is the first region 251 included in the excitation region C (see FIG. 1B) of the piezoelectric layer 2 and the first region 251 included in the excitation region C (see FIG. 1B). 2 area 252 is reversed.
  • FIG. 4 schematically shows bulk waves when a voltage is applied between the electrode fingers 3 so that the electrode fingers 4 have a higher potential than the electrode fingers 3 .
  • the first region 251 is a region of the excitation region C between the virtual plane VP1 that is perpendicular to the thickness direction of the piezoelectric layer 2 and bisects the piezoelectric layer 2 and the first main surface 2a.
  • the second region 252 is a region of the excitation region C between the virtual plane VP1 and the second main surface 2b.
  • At least one pair of electrodes consisting of the electrode fingers 3 and 4 is arranged. It is not always necessary to have a plurality of pairs of electrode pairs. That is, it is sufficient that at least one pair of electrodes is provided.
  • the electrode finger 3 is an electrode connected to a hot potential
  • the electrode finger 4 is an electrode connected to a ground potential.
  • the electrode finger 3 may be connected to the ground potential and the electrode finger 4 to the hot potential.
  • the at least one pair of electrodes are, as described above, electrodes connected to a hot potential or electrodes connected to a ground potential, and no floating electrodes are provided.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • the design parameters of the acoustic wave device 1 that obtained the resonance characteristics shown in FIG. 5 are as follows.
  • Piezoelectric layer 2 LiNbO3 with Euler angles (0°, 0°, 90°) Thickness of piezoelectric layer 2: 400 nm
  • Length of excitation region C (see FIG. 1B): 40 ⁇ m Number of electrode pairs consisting of electrode fingers 3 and 4: 21 pairs Center-to-center distance (pitch) between electrode fingers 3 and 4: 3 ⁇ m Width of electrode fingers 3 and 4: 500 nm d/p: 0.133
  • Dielectric layer 7 Silicon oxide film with a thickness of 1 ⁇ m
  • Support substrate 8 Si
  • the excitation region C (see FIG. 1B) is a region where the electrode fingers 3 and 4 overlap when viewed in the X direction perpendicular to the length direction of the electrode fingers 3 and 4. .
  • the length of the excitation region C is the dimension along the length direction of the electrode fingers 3 and 4 of the excitation region C. As shown in FIG. Here, the excitation region C is an example of the "intersection region".
  • the inter-electrode distances of the electrode pairs consisting of the electrode fingers 3 and 4 are all equal in a plurality of pairs. That is, the electrode fingers 3 and the electrode fingers 4 are arranged at equal pitches.
  • d/p is 0.5 or less, more preferably 0. .24 or less. This will be explained with reference to FIG.
  • FIG. It is an explanatory view showing the relationship with the fractional bandwidth as.
  • At least one pair of electrodes may be one pair, and the above p is the center-to-center distance between adjacent electrode fingers 3 and 4 in the case of one pair of electrodes. In the case of 1.5 pairs or more of electrodes, the average distance between the centers of adjacent electrode fingers 3 and 4 should be p.
  • the thickness d of the piezoelectric layer 2 if the piezoelectric layer 2 has variations in thickness, a value obtained by averaging the thickness may be adopted.
  • FIG. 7 is a plan view showing an example in which a pair of electrodes are provided in the elastic wave device of the first embodiment.
  • a pair of electrodes having electrode fingers 3 and 4 are provided on first main surface 2 a of piezoelectric layer 2 .
  • K in FIG. 7 is the intersection width.
  • the number of pairs of electrodes may be one. Even in this case, if the above d/p is 0.5 or less, it is possible to effectively excite the bulk wave in the primary mode of thickness shear.
  • the excitation region is an overlapping region of the plurality of electrode fingers 3 and 4 when viewed in the direction in which any adjacent electrode fingers 3 and 4 are facing each other. It is desirable that the metallization ratio MR of the adjacent electrode fingers 3 and 4 with respect to the region C satisfies MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075. In that case, spurious can be effectively reduced. This will be described with reference to FIGS. 8 and 9. FIG.
  • FIG. 8 is a reference diagram showing an example of resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • a spurious signal indicated by an arrow B appears between the resonance frequency and the anti-resonance frequency.
  • d/p 0.08 and the Euler angles of LiNbO 3 (0°, 0°, 90°).
  • the metallization ratio MR was set to 0.35.
  • the metallization ratio MR will be explained with reference to FIG. 1B.
  • the excitation region C is the portion surrounded by the dashed-dotted line.
  • the excitation region C is a region where the electrode fingers 3 and 4 overlap with the electrode fingers 4 when viewed in a direction perpendicular to the length direction of the electrode fingers 3 and 4, that is, in a facing direction. a region where the electrode fingers 3 overlap each other; and a region between the electrode fingers 3 and 4 where the electrode fingers 3 and 4 overlap each other.
  • the area of the electrode fingers 3 and 4 in the excitation region C with respect to the area of the excitation region C is the metallization ratio MR. That is, the metallization ratio MR is the ratio of the area of the metallization portion to the area of the excitation region C.
  • the ratio of the metallization portion included in the entire excitation region C to the total area of the excitation region C should be MR.
  • FIG. 9 shows the ratio bandwidth when a large number of elastic wave resonators are configured in the elastic wave device of the first embodiment, and the phase rotation amount of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious. is an explanatory diagram showing the relationship between. The ratio band was adjusted by changing the film thickness of the piezoelectric layer 2 and the dimensions of the electrode fingers 3 and 4 .
  • FIG. 9 shows the results when the piezoelectric layer 2 made of Z-cut LiNbO 3 is used, but the same tendency is obtained when the piezoelectric layer 2 with other cut angles is used.
  • the spurious is as large as 1.0.
  • the fractional band exceeds 0.17, that is, exceeds 17%, a large spurious with a spurious level of 1 or more changes the parameters constituting the fractional band, even if the passband appear within. That is, as in the resonance characteristics shown in FIG. 8, a large spurious component indicated by arrow B appears within the band. Therefore, the specific bandwidth is preferably 17% or less. In this case, by adjusting the film thickness of the piezoelectric layer 2 and the dimensions of the electrode fingers 3 and 4, the spurious response can be reduced.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional bandwidth.
  • various elastic wave devices 1 with different d/2p and MR were configured, and the fractional bandwidth was measured.
  • the hatched portion on the right side of the dashed line D in FIG. 10 is the area where the fractional bandwidth is 17% or less.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram showing a map of the fractional band with respect to the Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is infinitely close to 0.
  • FIG. A hatched portion in FIG. 11 is a region where a fractional bandwidth of at least 5% or more is obtained. When the range of the area is approximated, it becomes the range represented by the following formulas (1), (2) and (3).
  • Equation (1) (0° ⁇ 10°, 20° to 80°, 0° to 60° (1-( ⁇ -50) 2 /900) 1/2 ) or (0° ⁇ 10°, 20° to 80°, [180 °-60° (1-( ⁇ -50) 2 /900) 1/2 ] ⁇ 180°) Equation (2) (0° ⁇ 10°, [180°-30°(1-( ⁇ -90) 2 /8100) 1/2 ] ⁇ 180°, arbitrary ⁇ ) Equation (3)
  • the fractional band can be sufficiently widened, which is preferable.
  • FIG. 12 is a partially cutaway perspective view for explaining the elastic wave device according to the embodiment of the present disclosure.
  • the outer peripheral edge of the space 9 is indicated by a dashed line.
  • the elastic wave device of the present disclosure may utilize plate waves.
  • the elastic wave device 301 has reflectors 310 and 311 as shown in FIG. Reflectors 310 and 311 are provided on both sides of the electrode fingers 3 and 4 of the piezoelectric layer 2 in the acoustic wave propagation direction.
  • a Lamb wave as a plate wave is excited by applying an AC electric field to the electrode fingers 3 and 4 on the space 9.
  • the reflectors 310 and 311 are provided on both sides, it is possible to obtain resonance characteristics due to Lamb waves as Lamb waves.
  • the elastic wave devices 1 and 101 use bulk waves in the primary mode of thickness shear.
  • the first electrode finger 3 and the second electrode finger 4 are adjacent electrodes, the thickness of the piezoelectric layer 2 is d, and the center of the first electrode finger 3 and the second electrode finger 4 is d/p is set to 0.5 or less, where p is the distance between them.
  • the Q value can be increased even if the elastic wave device is miniaturized.
  • piezoelectric layer 2 is made of lithium niobate or lithium tantalate.
  • the first principal surface 2a or the second principal surface 2b of the piezoelectric layer 2 has first electrode fingers 3 and second electrode fingers 4 facing each other in a direction intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer 2. It is desirable to cover the finger 3 and the second electrode finger 4 with a protective film.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view for explaining the elastic wave device according to the embodiment of the present disclosure.
  • the acoustic wave device of the present disclosure may be a device utilizing bulk waves as shown in FIG. 13, that is, a BAW (Bulk Acoustic Wave) element.
  • the acoustic wave device 401 has functional electrodes 410 and 411 .
  • the functional electrodes 410 and 411 are electrodes provided on both sides of the piezoelectric layer 2 in the thickness direction.
  • the support substrate 8 has the space 9 on the piezoelectric layer 2 side, and the functional electrode 411 is provided in the space 9 .
  • through holes 11 are provided in the piezoelectric layer 2 .
  • the through hole 11 is a hole penetrating the piezoelectric layer 2 in the Z direction. Through hole 11 communicates with space 9 .
  • FIG. 14 is a plan view showing part of an example of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • 15 is a cross-sectional view taken along line XV-XV of FIG. 14.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view taken along line XVI--XVI of FIG. 14.
  • an elastic wave device 500 according to the first embodiment is an elastic wave device provided with a resonator group 510A and a resonator group 510B.
  • the resonator group 510A is an example of the "first resonator group”
  • the resonator group 510B is an example of the "second resonator group”.
  • the acoustic wave device 500 includes a supporting member, a piezoelectric layer 502, wiring electrodes 522A and 522B, an input terminal 521, an output terminal 524, and a ground 523.
  • the piezoelectric layer 502 is provided on the support member.
  • the piezoelectric layer 502 has a first major surface 502a and a second major surface 502b.
  • the first main surface 502a is a surface on which a resonator group 510A, a resonator group 510B, and wiring electrodes 522A and 522B are provided.
  • the second major surface 502b is the surface on which the support member is provided.
  • the material of the piezoelectric layer 502 contains lithium niobate (LiNbO3) or lithium tantalate (LiTaO3) and inevitable impurities.
  • the support member includes a support substrate 508 and a dielectric layer 507, as shown in FIG.
  • the material of the support substrate 508 is silicon, for example.
  • the dielectric layer 507 is provided on the piezoelectric layer 502 side with respect to the support substrate 508 .
  • the material of dielectric layer 507 is, for example, silicon oxide.
  • a space is provided in the support member.
  • the space portions 509A to 509C are provided so as to penetrate the dielectric layer 507 in the Z direction. It may be provided on the layer 502 side, or may be provided on the support substrate 508 as well. Further, when the support member is the support substrate 508, the space portions 509A to 509C may be provided on the piezoelectric layer 502 side of the support substrate 508. FIG.
  • the wiring electrodes 522A and 522B are wiring that electrically connects the resonator groups 510A and 510B.
  • the wiring electrodes 522A and 522B are provided on the first main surface 502a of the piezoelectric layer 502. As shown in FIG.
  • the wiring electrodes 522A, 522B are electrically connected to the busbar electrodes of the resonator groups 510A, 510B.
  • the resonator group 510A and the resonator group 510B are provided on the first main surface 502a of the piezoelectric layer 502.
  • the resonator group 510A and the resonator group 510B are provided in regions that do not overlap each other when viewed in plan in the Z direction.
  • the region where the first resonator group is arranged is the first wiring region
  • the second resonator group is provided in the second wiring region which is a region different from the first wiring region.
  • the region where the resonator group 510A is provided is the first wiring region
  • the region where the resonator group 510B is provided is the second wiring region.
  • FIG. 17 is a circuit diagram of the elastic wave device according to FIG.
  • the acoustic wave device 500 includes a series arm resonator inserted in series in a signal path (hereinafter referred to as first path) from an input terminal 521 to an output terminal 524 and a node on the first path. and a parallel-arm resonator inserted in the path between the ground and the so-called ladder filter.
  • the series arm resonators are a resonator group 510A and resonators SR2 and SR3.
  • the resonator group 510A, the resonator SR2, and the resonator SR3 are electrically connected in series.
  • the parallel arm resonators are a resonator group 510B and resonators PR2 to PR4.
  • the resonator group 510B has one terminal electrically connected to the input terminal 521 via the wiring electrode 522A and the other terminal electrically connected to the ground 523 .
  • One terminal of the resonator PR2 is electrically connected to the wiring electrode 522B that connects the resonator group 510A and the resonator SR2, and the other terminal is electrically connected to the ground.
  • One terminal of the resonator PR3 is electrically connected to a wiring electrode that connects the resonators SR2 and SR3, and the other terminal is electrically connected to the ground.
  • One terminal of the resonator PR4 is electrically connected to the output terminal 524 via the wiring electrode, and the other terminal is electrically connected to the ground.
  • the resonator group 510A is not limited to being series arm resonators, and the resonator group 510B is not limited to being parallel arm resonators.
  • the resonator group 510A may be parallel arm resonators, and the resonator group 510B may be serial arm resonators.
  • the resonator group 510A has a resonator 501A and a resonator 501B.
  • the resonator 501A and the resonator 501B are split resonators connected in series.
  • the series-connected split resonators refer to resonators that are connected in series with no parallel arm resonator interposed therebetween.
  • Each of the resonators 501A and 501B has a functional electrode provided on the first main surface 502a of the piezoelectric layer 502, and a laminated body that at least partially overlaps the functional electrode when viewed from above in the Z direction.
  • the functional electrode of the resonator group 510A refers to the functional electrode of the resonator 501A and the functional electrode of the resonator 501B. It is sometimes described as referring to the body.
  • the functional electrodes of the resonator 501A include electrode fingers 503A and busbar electrodes 505A and 505B.
  • the electrode fingers 503A are connected to the busbar electrode 505A or the busbar electrode 505B at their ends in the Y direction.
  • the functional electrodes of resonator 501B include electrode fingers 503B and busbar electrodes 505B and 505C.
  • the electrode fingers 503B are connected to the busbar electrode 505B or the busbar electrode 505C at the ends in the Y direction. That is, the resonator 501A and the resonator 501B share the busbar electrode 505B. Thereby, the resonator 501A and the resonator 501B are connected in series.
  • the resonator group 510B has a resonator 501C and a resonator 501D.
  • the resonator 501C and the resonator 501D are split resonators connected in series.
  • Each of the resonators 501A and 501B has a functional electrode provided on the first main surface 502a of the piezoelectric layer 502, and a laminated body that at least partially overlaps the functional electrode when viewed from above in the Z direction.
  • the functional electrode of the resonator group 510B refers to the functional electrode of the resonator 501C and the functional electrode of the resonator 501D. It is sometimes described as referring to the body.
  • the functional electrodes of the resonator 501C include electrode fingers 503C and busbar electrodes 505D and 505E.
  • the electrode fingers 503C are connected to the busbar electrode 505D or the busbar electrode 505E at their ends in the Y direction.
  • the functional electrodes of resonator 501D include electrode fingers 503D and busbar electrodes 505E and 505F.
  • the electrode fingers 503D are connected to the busbar electrodes 505E or 505F at their Y-direction ends. That is, the resonator 501C and the resonator 501D share the busbar electrode 505E. Thereby, the resonator 501C and the resonator 501D are connected in series.
  • the areas of the resonators 501A and 501B of the resonator group 510A are smaller than the areas of the resonators 501C and 501D of the resonator group 510B.
  • the area of the resonator means the area occupied by the intersecting region where the electrode fingers overlap when viewed in the direction in which the electrode fingers are arranged (Y direction).
  • the areas of the resonators 501A-501D are the areas of the intersection regions C1-C4, respectively. That is, it can be said that the areas of the intersection regions C1 and C2 are smaller than the areas of the intersection regions C3 and C4.
  • a space portion 509A is provided in a part of the support member of the laminated body of the resonator group 510A.
  • the space 509A is an example of the "first space".
  • the space portion 509A is provided at a position that at least partially overlaps with the first wiring region when viewed from above in the Z direction. More specifically, the space 509A is provided so as to at least partially overlap the functional electrodes of the resonators 501A and 501B when viewed in the Z direction. That is, it can be said that the space portion 509A is provided at a position overlapping the resonator 501A and the resonator 501B in a plan view in the Z direction. In the example of FIG. 14, the space portion 509A is provided so as to at least partially overlap the busbar electrode 505B when viewed from above in the Z direction.
  • a plurality of space portions 509B and 509C are provided in a part of the supporting member of the laminate of the resonator group 510B.
  • the spaces 509B and 509C are examples of the "second space".
  • the space portions 509B and 509C are provided at positions at least partially overlapping with the second wiring region when viewed from above in the Z direction. More specifically, the space portion 509B is provided so as to at least partially overlap the functional electrodes of the resonator 501C when viewed in the Z direction, and the space portion 509C is disposed so as to overlap the resonator 501D when viewed in the Z direction. is provided so as to at least partially overlap with the functional electrode of .
  • the space portions 509B and 509C are provided at positions overlapping with the resonator 501C and the resonator 501D when viewed from above in the Z direction.
  • the space 509B and the space 509C are provided so as to at least partially overlap the busbar electrode 505E when viewed in the Z direction.
  • the space portions 509C and 509D with small areas are individually provided for the resonators 501C and 501D from which heat is difficult to escape due to their large areas. This makes it easier to improve the heat dissipation of the resonator group 510B.
  • a common space portion 509A is provided for the resonators 501A and 501B from which heat easily escapes due to their small resonator areas. Thereby, the elastic wave device 500 can be made compact.
  • the elastic wave device according to this embodiment is not limited to the elastic wave device 500 shown in FIG. Modifications of the elastic wave device according to the present embodiment will be described below with reference to the drawings.
  • symbol is attached
  • FIG. 18 is a plan view showing a part of the first modified example of the elastic wave device according to this embodiment.
  • 19 is a cross-sectional view taken along line XIX-XIX in FIG. 18.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view taken along line XX-XX of FIG. 18.
  • FIG. As shown in FIGS. 18 to 20, in the elastic wave device according to the present embodiment, a plurality of spaces are provided in a resonator group including resonators with a small area, and a plurality of spaces are provided in a resonator group including a resonator with a large area. The part may be provided so as to straddle a plurality of resonators.
  • An elastic wave device 500A according to a first modified example will be described below with reference to the drawings.
  • the elastic wave device according to the first modification is an elastic wave device provided with a resonator group 510A and a resonator group 510B.
  • the resonator group 510B is an example of the "first resonator group”
  • the resonator group 510A of the resonator group 510B is an example of the "second resonator group”.
  • a plurality of space portions 509D and 509E are provided in a partial support member of the laminated body of the resonator group 510A according to the first modification.
  • the space sections 509D and 509E of the resonator group 510A are an example of the "second space section".
  • the space portions 509D and 509E are provided at positions at least partially overlapping with the first wiring region when viewed from above in the Z direction.
  • the space portion 509D is provided so as to at least partially overlap the functional electrode of the resonator 501A when viewed in the Z direction, and the space portion 509E overlaps the functional electrode of the resonator 501B when viewed in the Z direction. It is provided so that at least one part overlaps.
  • the space portions 509D and 509E are provided at positions overlapping with the resonator 501A and the resonator 501B when viewed from above in the Z direction.
  • the space portion 509D and the space portion 509E are provided so as to partially overlap the busbar electrode 505B when viewed from above in the Z direction.
  • a space portion 509F is provided in a part of the supporting member of the laminated body of the resonator group 510B according to the first modified example.
  • the space 509F is an example of the "first space”.
  • the space portion 509F is provided at a position that at least partially overlaps with the first wiring region when viewed from above in the Z direction.
  • the space portion 509F is provided so as to at least partially overlap the functional electrodes of the resonators 501C and 501D when viewed in the Z direction. That is, it can be said that the space portion 509F is provided at a position overlapping the resonator 501C and the resonator 501D in a plan view in the Z direction.
  • the space portion 509F is provided so that at least a portion thereof overlaps with the busbar electrode 505E in plan view in the Z direction.
  • the common space 509A is provided so as to overlap the common busbar electrode 505E in the Z direction in plan view for the resonators 501C and 501D that require busbar electrodes with large areas.
  • leaky waves from the busbar electrodes 505E to the support member can be reduced, so that deterioration of the characteristics of the elastic wave device due to ripples caused by the leaky waves can be suppressed.
  • spaces 509D and 509E are individually provided for the resonators 501A and 501B which have small leaky waves because the busbar electrodes are not large but have poor heat dissipation due to the small busbar electrode area. Thereby, the heat dissipation of these resonators can be improved.
  • FIG. 21 is a plan view showing part of a second modification of the elastic wave device according to this embodiment.
  • 22 is a cross-sectional view taken along line XXII-XXII of FIG. 21.
  • FIG. FIG. 23 is a circuit diagram of an elastic wave device according to the z-second modification. As shown in FIGS. 21 to 23, the resonator group of the acoustic wave device according to this embodiment may include resonators connected in parallel.
  • An elastic wave device 500B according to a second modification will be described below with reference to the drawings.
  • An elastic wave device 500B according to the second modification is an elastic wave device provided with a resonator group 510C and a resonator group 510B.
  • the space portions of the resonator group 510B according to the second modification are space portions 509B and 509C.
  • the resonator group 510C is an example of the "first resonator group”
  • the resonator group 510B is an example of the "second resonator group”
  • the space portions 509B and 509C of the resonator group 510B is an example of the "second space”.
  • the resonator group 510C is a series arm resonator.
  • One terminal of the resonator group 510C and the series arm resonators SR2 and SR3, which are series arm resonators, is electrically connected to the input terminal 521, and the other terminal is electrically connected to the output terminal 524.
  • the resonator group 510C, the resonator SR2, and the resonator SR3 are electrically connected in series.
  • the resonator group 510C is not limited to the series arm resonators, and the resonator group 510B is not limited to the parallel arm resonators.
  • the resonator group 510C may be parallel arm resonators, and the resonator group 510B may be serial arm resonators.
  • a resonator group 510C according to the second modification has a resonator 501E and a resonator 501F.
  • the resonator 501E and the resonator 501F are split resonators connected in parallel.
  • Parallel-connected split resonators refer to resonators that are connected in parallel with each other.
  • Each of the resonators 501E and 501F has a functional electrode provided on the first principal surface 502a of the piezoelectric layer 502, and a laminated body of a portion at least partially overlapping the functional electrode when viewed in plan in the Z direction. .
  • the functional electrodes of the resonator 501E include electrode fingers 503E and busbar electrodes 505E and 505F.
  • the electrode fingers 503E are connected to the busbar electrode 505G or the busbar electrode 505H at their ends in the Y direction.
  • the functional electrodes of resonator 501F include electrode fingers 503F and busbar electrodes 505G and 505H.
  • the electrode fingers 503F are connected to the busbar electrode 505G or the busbar electrode 505H at their ends in the Y direction. That is, the resonators 501E and 501F share the busbar electrodes 505G and 505H. Thereby, the resonator 501E and the resonator 501F are connected in parallel.
  • the areas of the resonators 501E and 501F of the resonator group 510C are smaller than the areas of the resonators 501C and 501D of the resonator group 510B.
  • the areas of resonators 501E and 501F are the areas of intersection regions C5 and C6, respectively. That is, it can be said that the areas of the intersection regions C5 and C6 are smaller than the areas of the intersection regions C3 and C4.
  • a space portion 509G is provided in a part of the supporting member of the laminated body of the resonator group 510C.
  • the space 509G is an example of the "first space”.
  • the space portion 509G is provided at a position that at least partially overlaps with the first wiring region when viewed from above in the Z direction. More specifically, the space 509G is provided so as to at least partially overlap the functional electrodes of the resonators 501E and 501F when viewed in the Z direction. That is, it can be said that the space portion 509G is provided at a position overlapping the resonator 501E and the resonator 501F in a plan view in the Z direction.
  • the space portions 509C and 509D with small areas are individually provided for the resonators 501C and 501D from which heat is difficult to escape due to their large areas. This makes it easier to improve the heat dissipation of the resonator group 510B.
  • a common space portion 509G is provided for the resonators 501E and 501F from which heat easily escapes due to their small resonator areas. Thereby, the elastic wave device 500B can be made small.
  • FIG. 24 is a plan view showing part of a third modified example of the elastic wave device according to this embodiment.
  • 25 is a cross-sectional view taken along line XXV--XXV of FIG. 24.
  • the resonator group of the elastic wave device according to the present embodiment includes resonators connected in parallel, and a plurality of spaces are provided in the resonator group including resonators with small areas. In a resonator group including resonators having a large area, the space may be provided so as to straddle a plurality of resonators.
  • An elastic wave device 500C according to a third modified example will be described below with reference to the drawings.
  • An elastic wave device 500C according to the third modification is an elastic wave device provided with a resonator group 510C and a resonator group 510B according to the second modification.
  • the space portion of the resonator group 510B according to the third modification is the space portion 509F according to the first modification.
  • the resonator group 510B is an example of the "first resonator group”
  • the space section 509F of the resonator group 510B is an example of the "first space section”
  • the resonator group 510C is the " This is an example of the second resonator group.
  • a plurality of space portions 509H and 509I are provided in a partial support member of the laminated body of the resonator group 510C according to the third modification.
  • the spaces 509H and 509I are an example of the "second space”.
  • the space portions 509H and 509I are provided at positions at least partially overlapping with the first wiring region when viewed from above in the Z direction.
  • the space portion 509H is provided so as to at least partially overlap the functional electrode of the resonator 501E when viewed in the Z direction, and the space portion 509I overlaps the functional electrode of the resonator 501F when viewed in the Z direction. It is provided so that at least one part overlaps.
  • the space portions 509H and 509I are provided at positions overlapping with the resonator 501E and the resonator 501F when viewed from above in the Z direction.
  • the space portion 509H and the space portion 509I are provided so as to overlap the busbar when viewed in plan in the Z direction.
  • the common space 509A is provided so as to overlap the common busbar electrode 505E in the Z direction in plan view for the resonators 501C and 501D that require busbar electrodes with large areas.
  • leaky waves from the busbar electrodes 505E to the support member can be reduced, so that deterioration of the characteristics of the elastic wave device due to ripples caused by the leaky waves can be suppressed.
  • space portions 509H and 509I are individually provided for the resonators 501E and 501F from which the area of the busbar electrodes is small and the heat is difficult to escape due to the small leaky wave. Thereby, the heat dissipation of these resonators can be improved.
  • FIG. 26 is a plan view showing part of a fourth modified example of the elastic wave device according to this embodiment.
  • 27 is a cross-sectional view taken along line XXVII-XXVII of FIG. 26.
  • FIG. 28 is a circuit diagram of the acoustic wave device according to FIG. 26.
  • An elastic wave device 500D according to a fourth modification will be described below with reference to the drawings.
  • An elastic wave device 500D according to the fourth modification is an elastic wave device provided with a resonator group 510C and a resonator group 510D according to the second modification.
  • the space portion of the resonator group 510C according to the fourth modification is the space portion 509G according to the second modification.
  • the resonator group 510C is an example of the "first resonator group”
  • the space section 509G of the resonator group 510C is an example of the "first space section”
  • the resonator group 510D is the " This is an example of the second resonator group.
  • the resonator group 510D is a parallel arm resonator.
  • One terminal of the resonator group 510D is electrically connected to the input terminal 521 via the wiring electrode 522A, and the other terminal is electrically connected to the ground 523.
  • FIG. 26 shows that the resonator group 510D is a parallel arm resonator.
  • One terminal of the resonator group 510D is electrically connected to the input terminal 521 via the wiring electrode 522A, and the other terminal is electrically connected to the ground 523.
  • the resonator group 510C is not limited to being a series arm resonator, and the resonator group 510D is not limited to being a parallel arm resonator.
  • the resonator group 510C may be parallel arm resonators, and the resonator group 510D may be series arm resonators.
  • a resonator group 510D according to the fourth modification has a resonator 501G and a resonator 501H.
  • the resonator 501G and the resonator 501H are split resonators connected in parallel.
  • Parallel-connected split resonators refer to resonators that are connected in parallel with each other.
  • Each of the resonators 501G and 501H has a functional electrode provided on the first main surface 502a of the piezoelectric layer 502, and a laminated body that at least partially overlaps the functional electrode when viewed from above in the Z direction. .
  • the functional electrodes of the resonator 501G include electrode fingers 503G and busbar electrodes 505E and 505F.
  • the electrode finger 503G is connected to the busbar electrode 505G or the busbar electrode 505H at its Y-direction end.
  • the functional electrodes of resonator 501H include electrode fingers 503H and busbar electrodes 505G and 505H.
  • the electrode fingers 503H are connected to the busbar electrode 505G or the busbar electrode 505H at the ends in the Y direction. That is, the resonators 501G and 501H share the busbar electrodes 505G and 505H. Thereby, the resonator 501G and the resonator 501H are connected in parallel.
  • the areas of the resonators 501E and 501F of the resonator group 510C are smaller than the areas of the resonators 501G and 501H of the resonator group 510D.
  • the areas of resonators 501G and 501H are the areas of intersection regions C7 and C8, respectively. That is, it can be said that the areas of the intersection regions C5 and C6 are smaller than the areas of the intersection regions C7 and C8.
  • a plurality of space portions 509J and 509K are provided in a partial support member of the laminated body of the resonator group 510D according to the fourth modification.
  • the spaces 509J and 509K are examples of the "second space”.
  • the space portions 509J and 509K are provided at positions at least partially overlapping with the first wiring region when viewed from above in the Z direction.
  • the space portion 509J is provided so as to at least partially overlap the functional electrode of the resonator 501G when viewed in the Z direction, and the space portion 509K overlaps the functional electrode of the resonator 501H when viewed in the Z direction. It is provided so that at least one part overlaps.
  • the space portions 509J and 509K are provided at positions overlapping with the resonator 501G and the resonator 501H when viewed from above in the Z direction.
  • the space portion 509J and the space portion 509K are provided so as not to overlap with the busbar when viewed from above in the Z direction.
  • the space portions 509G and 509H with small areas are individually provided for the resonators 501G and 501H from which heat is difficult to escape due to their large areas. This makes it easier to improve the heat dissipation of the resonator group 510D.
  • a common space portion 509G is provided for the resonators 501E and 501F from which heat easily escapes due to their small resonator areas. Thereby, the elastic wave device 500B can be made small.
  • the elastic wave device according to the present embodiment is not limited to the elastic wave devices 500A to 500D.
  • the space portion 509G is provided so as to extend over the plurality of resonators 501E and 501F, and a plurality of space portions 509J and 509K are provided.
  • a plurality of space portions may be provided for 501F, and the space portions may be provided for the resonators 501G and 501H so as to extend over the plurality of resonators. That is, the resonator group 510C may be the "second resonator group” and the resonator group 510D may be the "first resonator group". In this case, it is possible to achieve both suppression of characteristic deterioration due to ripples and downsizing of the elastic wave device.
  • the resonator groups 510A to 510D are series arm resonators or parallel arm resonators, but are not limited to this.
  • the resonator groups 510A to 510D may be part of either a transmitting resonator or a receiving resonator.
  • the elastic wave device includes a support member including a support substrate having a thickness in the first direction, a piezoelectric layer provided in the first direction of the support member, and a first piezoelectric layer of the piezoelectric layer. a plurality of resonators each having a functional electrode provided in a direction, the plurality of resonators being a first resonator group including a plurality of resonators arranged in a first wiring region; and a first wiring region. and a second resonator group including a plurality of resonators arranged in different second wiring regions, and the support member includes a plurality of resonators included in the first resonator group when viewed in plan in the first direction.
  • a first space is provided at a position overlapping with the resonator, and the supporting member has a second space at each position overlapping with the resonators included in the second resonator group when viewed in plan in the first direction. are provided multiple times.
  • the first resonator group it is possible to reduce leaky waves from the busbar electrodes to the supporting member, so it is possible to suppress deterioration of the characteristics of the elastic wave device due to ripples originating from the leaky waves. Further, the resonators of the first resonator group can share the first space, and the size of the first resonator group can be reduced. On the other hand, since the second space is individually provided in the second resonator group, heat dissipation can be improved. Therefore, it is possible to achieve both improvement in characteristics and miniaturization of the elastic wave device.
  • the plurality of resonators in the first resonator group are divided resonators connected in series with each other, and the plurality of resonators in the second resonator group are divided resonators connected in series with each other. good too. Also in this case, it is possible to achieve both improvement in characteristics and miniaturization of the elastic wave device.
  • the plurality of resonators in the first resonator group are divided resonators connected in parallel with each other, and the plurality of resonators in the second resonator group are divided resonators connected in parallel with each other. good too. Also in this case, it is possible to achieve both improvement in characteristics and miniaturization of the elastic wave device.
  • the plurality of resonators in the first resonator group are divided resonators connected in parallel with each other, and the plurality of resonators in the second resonator group are divided resonators connected in series with each other. good too. Also in this case, it is possible to achieve both improvement in characteristics and miniaturization of the elastic wave device.
  • the plurality of resonators in the first resonator group are divided resonators connected in series with each other, and the plurality of resonators in the second resonator group are divided resonators connected in parallel with each other. good too. Also in this case, it is possible to achieve both improvement in characteristics and miniaturization of the elastic wave device.
  • the area of each of the plurality of resonators in the first resonator group may be smaller than the area of each of the plurality of resonators in the second resonator group.
  • the heat dissipation of the second resonator which has a large area and is difficult for heat to escape, is likely to be improved.
  • the area of each of the plurality of resonators in the first resonator group may be larger than the area of each of the plurality of resonators in the second resonator group.
  • leaky waves from the busbar electrodes to the support member can be reduced in the first resonator that requires a busbar electrode with a large area, the characteristics of the acoustic wave device are degraded by ripples originating from the leaky waves. can be suppressed.
  • the functional electrode includes one or more electrode fingers and a plurality of busbar electrodes to which the one or more electrode fingers are connected, and the plurality of busbar electrodes included in at least one resonator of the first resonator group.
  • the busbar electrode includes a busbar electrode that overlaps the first space when viewed in the first direction.
  • a series arm resonator provided on a first path connecting the input terminal and the output terminal; a parallel arm resonator provided on a second path connecting a node on the first path and the ground; and the series arm resonator may be the first resonator group, and the parallel arm resonator may be the second resonator group. Also in this case, it is possible to achieve both improvement in characteristics and miniaturization of the elastic wave device.
  • the series arm resonators may be the second resonator group and the parallel arm resonators may be the first resonator group. Also in this case, it is possible to achieve both improvement in characteristics and miniaturization of the elastic wave device.
  • the plurality of resonators may constitute a filter for reception. Also, the plurality of resonators may constitute a filter for transmission. Also in this case, it is possible to achieve both improvement in characteristics and miniaturization of the elastic wave device.
  • the support member further includes a dielectric layer on the piezoelectric layer side, and the first space and the second space are provided in the dielectric layer.
  • the functional electrode has one or more first electrode fingers 3 extending in a second direction intersecting the first direction and one or more first electrode fingers 3 extending in a third direction orthogonal to the second direction. and one or more second electrode fingers facing each other and extending in the second direction.
  • the center-to-center distance between the first electrode finger 3 and the second electrode finger 4 is set to be p, it is 2p or less.
  • the acoustic wave device 1 can be miniaturized and the Q value can be increased.
  • the piezoelectric layer 2 contains lithium niobate or lithium tantalate. As a result, it is possible to provide an elastic wave device capable of obtaining good resonance characteristics.
  • the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of lithium niobate or lithium tantalate constituting the piezoelectric layer 2 are within the range of the following formula (1), formula (2), or formula (3). It is in. In this case, the fractional bandwidth can be widened sufficiently.
  • Equation (1) (0° ⁇ 10°, 20° to 80°, 0° to 60° (1-( ⁇ -50) 2 /900) 1/2 ) or (0° ⁇ 10°, 20° to 80°, [180 °-60° (1-( ⁇ -50) 2 /900) 1/2 ] ⁇ 180°) Equation (2) (0° ⁇ 10°, [180°-30°(1-( ⁇ -90) 2 /8100) 1/2 ] ⁇ 180°, arbitrary ⁇ ) Equation (3)
  • the acoustic wave device is configured to be able to use bulk waves in the thickness shear mode. As a result, it is possible to provide an elastic wave device with a high coupling coefficient and good resonance characteristics.
  • d/p is 0.5 or less, where d is the film thickness of the piezoelectric layer 2 and p is the center-to-center distance between the adjacent first electrode fingers 3 and second electrode fingers 4 .
  • d/p is 0.24 or less.
  • the fractional bandwidth can be reliably reduced to 17% or less.
  • the functional electrode includes an upper electrode and a lower electrode that sandwich the piezoelectric layer in the first direction. This allows better utilization of bulk waves.
  • the first wiring region and the second wiring region are regions of the same piezoelectric layer.

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Abstract

弾性波装置の特性向上と小型化を両立する。弾性波装置は、第１方向に厚みを有する支持基板を備える支持部材と、支持部材の第１方向に設けられた圧電層と、圧電層の第１方向に設けられる機能電極をそれぞれ有する複数の共振子と、を備える。複数の共振子は、第１領域に配置された複数の共振子を含む第１共振子群と、第１領域とは異なる第２領域に配置された複数の共振子を含む第２共振子群と、を含み、支持部材には、第１方向に平面視して、第１共振子群が含む複数の共振子に跨って重なる位置に第１空間部が設けられており、支持部材には、第１方向に平面視して、第２共振子群が含む共振子に重なる位置のそれぞれに第２空間部が複数設けられている。

Description

弾性波装置
　本開示は、弾性波装置に関する。
　特許文献１には、弾性波装置が記載されている。
特開２０１２－２５７０１９号公報
　特許文献１に示す弾性波装置において、複数の共振子が共有する空間部を設けることがある。この場合、弾性波装置の特性が劣化し、弾性波装置の特性向上と小型化を両立できない可能性があった。
　本開示は、上述した課題を解決するものであり、弾性波装置の特性向上と小型化を両立することを目的とする。
　弾性波装置は、第１方向に厚みを有する支持基板を備える支持部材と、前記支持部材の前記第１方向に設けられた圧電層と、前記圧電層の前記第１方向に設けられる機能電極をそれぞれ有する複数の共振子と、を備え、前記複数の共振子は、第１領域に配置された複数の共振子を含む第１共振子群と、前記第１領域とは異なる第２領域に配置された複数の共振子を含む第２共振子群と、を含み、前記支持部材には、前記第１方向に平面視して、前記第１共振子群が含む複数の共振子に跨って重なる位置に第１空間部が設けられており、前記支持部材には、前記第１方向に平面視して、前記第２共振子群が含む共振子に重なる位置のそれぞれに第２空間部が複数設けられている。
　本開示によれば、弾性波装置の特性向上と小型化を両立することができる。
図１Ａは、第１実施形態の弾性波装置を示す斜視図である。 図１Ｂは、第１実施形態の電極構造を示す平面図である。 図２は、図１ＡのＩＩ－ＩＩ線に沿う部分の断面図である。 図３Ａは、比較例の圧電層を伝播するラム波を説明するための模式的な断面図である。 図３Ｂは、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。 図４は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。 図５は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。 図６は、第１実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離または中心間距離の平均距離をｐ、圧電層の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。 図７は、第１実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す平面図である。 図８は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。 図９は、第１実施形態の弾性波装置の、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す説明図である。 図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す説明図である。 図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°、θ、ψ）に対する比帯域のマップを示す説明図である。 図１２は、本開示の実施形態に係る弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。 図１３は、本開示の実施形態に係る弾性波装置を説明するための断面図である。 図１４は、第１実施形態に係る弾性波装置の一例の一部を示す平面図である。 図１５は、図１４のＸＶ－ＸＶ線の断面図である。 図１６は、図１４のＸＶＩ－ＸＶＩ線の断面図である。 図１７は、図１４に係る弾性波装置の回路図である。 図１８は、本実施形態に係る弾性波装置の第１変形例の一部を示す平面図である。 図１９は、図１８のＸＩＸ－ＸＩＸ線の断面図である。 図２０は、図１８のＸＸ－ＸＸ線の断面図である。 図２１は、本実施形態に係る弾性波装置の第２変形例の一部を示す平面図である。 図２２は、図２１のＸＸＩＩ－ＸＸＩＩ線の断面図である。 図２３は、図２１に係る弾性波装置の回路図である。 図２４は、本実施形態に係る弾性波装置の第３変形例の一部を示す平面図である。 図２５は、図２４のＸＸＶ－ＸＸＶ線の断面図である。 図２６は、本実施形態に係る弾性波装置の第４変形例の一部を示す平面図である。 図２７は、図２６のＸＸＶＩＩ－ＸＸＶＩＩ線の断面図である。 図２８は、図２６に係る弾性波装置の回路図である。
　以下に、本開示の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態により本開示が限定されるものではない。なお、本開示に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能である変形例や第２実施の形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
　（第１実施形態）
　図１Ａは、第１実施形態の弾性波装置を示す斜視図である。図１Ｂは、第１実施形態の電極構造を示す平面図である。
　第１実施形態の弾性波装置１は、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電層２を有する。圧電層２は、ＬｉＴａＯ３からなるものであってもよい。ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３のカット角は、第１実施形態では、Ｚカットである。ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３のカット角は、回転ＹカットやＸカットであってもよい。好ましくは、Ｙ伝搬及びＸ伝搬±３０°の伝搬方位が好ましい。
　圧電層２の厚みは、特に限定されないが、厚み滑り１次モードを効果的に励振するには、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下が好ましい。
　圧電層２は、Ｚ方向に対向し合う第１の主面２ａと、第２の主面２ｂとを有する。第１の主面２ａ上に、電極指３及び電極指４が設けられている。
　ここで電極指３が「第１電極指」の一例であり、電極指４が「第２電極指」の一例である。図１Ａ及び図１Ｂでは、複数の電極指３は、第１のバスバー電極５に接続されている複数の「第１電極」である。複数の電極指４は、第２のバスバー電極６に接続されている複数の「第２電極」である。複数の電極指３及び複数の電極指４は、互いに間挿し合っている。これにより、電極指３と、電極指４と、第１のバスバー電極５と、第２のバスバー電極６と、を備えるＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｕｄｕｃｅｒ）電極が構成される。
　電極指３及び電極指４は、矩形形状を有し、長さ方向を有する。この長さ方向と直交する方向において、電極指３と、電極指３と隣接する電極指４とが対向している。電極指３、電極指４の長さ方向、及び、電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向はいずれも、圧電層２の厚み方向に交差する方向である。このため、電極指３と、電極指３と隣接する電極指４とは、圧電層２の厚み方向に交差する方向において対向しているともいえる。以下の説明では、圧電層２の厚み方向をＺ方向（または第１方向）とし、電極指３、電極指４の長さ方向をＹ方向（または第２方向）とし、電極指３、電極指４の直交する方向をＸ方向（または第３方向）として、説明することがある。
　また、電極指３、電極指４の長さ方向が図１Ａ及び図１Ｂに示す電極指３、電極指４の長さ方向に直交する方向と入れ替わってもよい。すなわち、図１Ａ及び図１Ｂにおいて、第１のバスバー電極５及び第２のバスバー電極６が延びている方向に電極指３、電極指４を延ばしてもよい。その場合、第１のバスバー電極５及び第２のバスバー電極６は、図１Ａ及び図１Ｂにおいて電極指３、電極指４が延びている方向に延びることとなる。そして、一方電位に接続される電極指３と、他方電位に接続される電極指４とが隣り合う１対の構造が、上記電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向に、複数対設けられている。
　ここで電極指３と電極指４とが隣り合うとは、電極指３と電極指４とが直接接触するように配置されている場合ではなく、電極指３と電極指４とが間隔を介して配置されている場合を指す。また、電極指３と電極指４とが隣り合う場合、電極指３と電極指４との間には、他の電極指３、電極指４を含む、ホット電極やグラウンド電極に接続される電極は配置されない。この対数は、整数対である必要はなく、１．５対や２．５対などであってもよい。
　電極指３と電極指４との間の中心間距離すなわちピッチは、１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲が好ましい。また、電極指３と電極指４との間の中心間距離とは、電極指３の長さ方向と直交する方向における電極指３の幅寸法の中心と、電極指４の長さ方向と直交する方向における電極指４の幅寸法の中心とを結んだ距離となる。
　さらに、電極指３、電極指４の少なくとも一方が複数本ある場合（電極指３、電極指４を一対の電極組とした場合に、１．５対以上の電極組がある場合）、電極指３、電極指４の中心間距離は、１．５対以上の電極指３、電極指４のうち隣り合う電極指３、電極指４それぞれの中心間距離の平均値を指す。
　また、電極指３、電極指４の幅、すなわち電極指３、電極指４の対向方向の寸法は、１５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲が好ましい。なお、電極指３と電極指４との間の中心間距離とは、電極指３の長さ方向と直交する方向における電極指３の寸法（幅寸法）の中心と、電極指４の長さ方向と直交する方向における電極指４の寸法（幅寸法）の中心とを結んだ距離となる。
　また、第１実施形態では、Ｚカットの圧電層を用いているため、電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向は、圧電層２の分極方向に直交する方向となる。圧電層２として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交（電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば９０°±１０°）でもよい。
　圧電層２の第２の主面２ｂ側には、誘電体層７を介して支持基板８が積層されている。誘電体層７及び支持基板８は、枠状の形状を有し、図２に示すように、開口部７ａ、８ａを有する。それによって、空間部（エアギャップ）９が形成されている。
　空間部９は、圧電層２の励振領域Ｃの振動を妨げないために設けられている。従って、上記支持基板８は、少なくとも１対の電極指３、電極指４が設けられている部分と重ならない位置において、第２の主面２ｂに誘電体層７を介して積層されている。なお、誘電体層７は設けられずともよい。従って、支持基板８は、圧電層２の第２の主面２ｂに直接または間接に積層され得る。
　誘電体層７は、酸化ケイ素で形成されている。もっとも、誘電体層７は、酸化ケイ素の他、窒化ケイ素、アルミナなどの適宜の絶縁性材料で形成することができる。
　支持基板８は、Ｓｉにより形成されている。Ｓｉの圧電層２側の面における面方位は（１００）や（１１０）であってもよく、（１１１）であってもよい。好ましくは、抵抗率４ｋΩ以上の高抵抗のＳｉが望ましい。もっとも、支持基板８についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。支持基板８の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、窒化ガリウムなどの半導体などを用いることができる。
　上記複数の電極指３、電極指４及び第１のバスバー電極５、第２のバスバー電極６は、Ａｌ、ＡｌＣｕ合金などの適宜の金属もしくは合金からなる。第１実施形態では、電極指３、電極指４及び第１のバスバー電極５、第２のバスバー電極６は、Ｔｉ膜上にＡｌ膜を積層した構造を有する。なお、Ｔｉ膜以外の密着層を用いてもよい。
　駆動に際しては、複数の電極指３と、複数の電極指４との間に交流電圧を印加する。より具体的には、第１のバスバー電極５と第２のバスバー電極６との間に交流電圧を印加する。それによって、圧電層２において励振される厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。
　また、弾性波装置１では、圧電層２の厚みをｄ、複数対の電極指３、電極指４のうちいずれかの隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐは０．５以下とされている。そのため、上記厚み滑り１次モードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、ｄ／ｐは０．２４以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。
　なお、第１実施形態のように電極指３、電極指４の少なくとも一方が複数本ある場合、すなわち、電極指３、電極指４を１対の電極組とした場合に電極指３、電極指４が１．５対以上ある場合、隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離ｐは、各隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離の平均距離となる。
　第１実施形態の弾性波装置１では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極指３、電極指４の対数を小さくしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。これは、両側に反射器を必要としない共振器であり、伝搬ロスが少ないためである。また、上記反射器を必要としないのは、厚み滑り１次モードのバルク波を利用していることによる。
　図３Ａは、比較例の圧電層を伝播するラム波を説明するための模式的な断面図である。図３Ｂは、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。図４は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。
　図３Ａでは、特許文献１に記載のような弾性波装置であり、圧電層をラム波が伝搬する。図３Ａに示すように、圧電層２０１中を矢印で示すように波が伝搬する。ここで、圧電層２０１には、第１の主面２０１ａと、第２の主面２０１ｂとがあり、第１の主面２０１ａと第２の主面２０１ｂとを結ぶ厚み方向がＺ方向である。Ｘ方向は、ＩＤＴ電極の電極指３、４が並んでいる方向である。図３Ａに示すように、ラム波では、波が図示のように、Ｘ方向に伝搬していく。板波であるため、圧電層２０１が全体として振動するものの、波はＸ方向に伝搬するため、両側に反射器を配置して、共振特性を得ている。そのため、波の伝搬ロスが生じ、小型化を図った場合、すなわち電極指３、４の対数を少なくした場合、Ｑ値が低下する。
　これに対して、図３Ｂに示すように、第１実施形態の弾性波装置では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層２の第１の主面２ａと第２の主面２ｂとを結ぶ方向、すなわちＺ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のＸ方向成分がＺ方向成分に比べて著しく小さい。そして、このＺ方向の波の伝搬により共振特性が得られるため、反射器を必要としない。よって、反射器に伝搬する際の伝搬損失は生じない。従って、小型化を進めようとして、電極指３、電極指４からなる電極対の対数を減らしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。
　なお、厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向は、図４に示すように、圧電層２の励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）に含まれる第１領域２５１と、励振領域Ｃに含まれる第２領域２５２とで逆になる。図４では、電極指３と電極指４との間に、電極指４が電極指３よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示してある。第１領域２５１は、励振領域Ｃのうち、圧電層２の厚み方向に直交し圧電層２を２分する仮想平面ＶＰ１と、第１の主面２ａとの間の領域である。第２領域２５２は、励振領域Ｃのうち、仮想平面ＶＰ１と、第２の主面２ｂとの間の領域である。
　弾性波装置１では、電極指３と電極指４とからなる少なくとも１対の電極が配置されているが、Ｘ方向に波を伝搬させるものではないため、この電極指３、電極指４からなる電極対の対数は複数対ある必要は必ずしもない。すなわち、少なくとも１対の電極が設けられてさえおればよい。
　例えば、上記電極指３がホット電位に接続される電極であり、電極指４がグラウンド電位に接続される電極である。もっとも、電極指３がグラウンド電位に、電極指４がホット電位に接続されてもよい。第１実施形態では、少なくとも１対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極またはグラウンド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。
　図５は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。なお、図５に示す共振特性を得た弾性波装置１の設計パラメータは以下の通りである。
　圧電層２：オイラー角（０°、０°、９０°）のＬｉＮｂＯ３
　圧電層２の厚み：４００ｎｍ
　励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）の長さ：４０μｍ
　電極指３、電極指４からなる電極の対数：２１対
　電極指３と電極指４との間の中心間距離（ピッチ）：３μｍ
　電極指３、電極指４の幅：５００ｎｍ
　ｄ／ｐ：０．１３３
　誘電体層７：１μｍの厚みの酸化ケイ素膜
　支持基板８：Ｓｉ
　なお、励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）とは、電極指３と電極指４の長さ方向と直交するＸ方向に視たときに、電極指３と電極指４とが重なっている領域である。励振領域Ｃの長さとは、励振領域Ｃの電極指３、電極指４の長さ方向に沿う寸法である。ここで、励振領域Ｃとは、「交差領域」の一例である。
　第１実施形態では、電極指３、電極指４からなる電極対の電極間距離は、複数対において全て等しくした。すなわち、電極指３と電極指４とを等ピッチで配置した。
　図５から明らかなように、反射器を有しないにもかかわらず、比帯域が１２．５％である良好な共振特性が得られている。
　ところで、上記圧電層２の厚みをｄ、電極指３と電極指４との電極の中心間距離をｐとした場合、第１実施形態では、ｄ／ｐは０．５以下、より好ましくは０．２４以下である。これを、図６を参照して説明する。
　図５に示した共振特性を得た弾性波装置と同様に、但しｄ／２ｐを変化させ、複数の弾性波装置を得た。図６は、第１実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離または中心間距離の平均距離をｐ、圧電層２の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。
　図６に示すように、ｄ／２ｐが０．２５を超えると、すなわちｄ／ｐ＞０．５では、ｄ／ｐを調整しても、比帯域は５％未満である。これに対して、ｄ／２ｐ≦０．２５、すなわちｄ／ｐ≦０．５の場合には、その範囲内でｄ／ｐを変化させれば、比帯域を５％以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、ｄ／２ｐが０．１２以下の場合、すなわちｄ／ｐが０．２４以下の場合には、比帯域を７％以上と高めることができる。加えて、ｄ／ｐをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、上記厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。
　なお、少なくとも１対の電極は、１対でもよく、上記ｐは、１対の電極の場合、隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離とする。また、１．５対以上の電極の場合には、隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離の平均距離をｐとすればよい。
　また、圧電層２の厚みｄについても、圧電層２が厚みばらつきを有する場合、その厚みを平均化した値を採用すればよい。
　図７は、第１実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す平面図である。弾性波装置１０１では、圧電層２の第１の主面２ａ上において、電極指３と電極指４とを有する１対の電極が設けられている。なお、図７中のＫが交差幅となる。前述したように、本開示の弾性波装置では、電極の対数は１対であってもよい。この場合においても、上記ｄ／ｐが０．５以下であれば、厚み滑り１次モードのバルク波を効果的に励振することができる。
　弾性波装置１では、好ましくは、複数の電極指３、電極指４において、いずれかの隣り合う電極指３、電極指４が対向している方向に視たときに重なっている領域である励振領域Ｃに対する、上記隣り合う電極指３、電極指４のメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが望ましい。その場合には、スプリアスを効果的に小さくすることができる。これを、図８及び図９を参照して説明する。
　図８は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。矢印Ｂで示すスプリアスが、共振周波数と反共振周波数との間に現れている。なお、ｄ／ｐ＝０．０８として、かつＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°、０°、９０°）とした。また、上記メタライゼーション比ＭＲ＝０．３５とした。
　メタライゼーション比ＭＲを、図１Ｂを参照して説明する。図１Ｂの電極構造において、１対の電極指３、電極指４に着目した場合、この１対の電極指３、電極指４のみが設けられるとする。この場合、一点鎖線で囲まれた部分が励振領域Ｃとなる。この励振領域Ｃとは、電極指３と電極指４とを、電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向すなわち対向方向に視たときに電極指３における電極指４と重なり合っている領域、電極指４における電極指３と重なり合っている領域、及び、電極指３と電極指４との間の領域における電極指３と電極指４とが重なり合っている領域である。そして、この励振領域Ｃの面積に対する、励振領域Ｃ内の電極指３、電極指４の面積が、メタライゼーション比ＭＲとなる。すなわち、メタライゼーション比ＭＲは、メタライゼーション部分の面積の励振領域Ｃの面積に対する比である。
　なお、複数対の電極指３、電極指４が設けられている場合、励振領域Ｃの面積の合計に対する全励振領域Ｃに含まれているメタライゼーション部分の割合をＭＲとすればよい。
　図９は、第１実施形態の弾性波装置の、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す説明図である。なお、比帯域については、圧電層２の膜厚や電極指３、電極指４の寸法を種々変更し、調整した。また、図９は、ＺカットのＬｉＮｂＯ３からなる圧電層２を用いた場合の結果であるが、他のカット角の圧電層２を用いた場合においても、同様の傾向となる。
　図９中の楕円Ｊで囲まれている領域では、スプリアスが１．０と大きくなっている。図９から明らかなように、比帯域が０．１７を超えると、すなわち１７％を超えると、スプリアスレベルが１以上の大きなスプリアスが、比帯域を構成するパラメータを変化させたとしても、通過帯域内に現れる。すなわち、図８に示す共振特性のように、矢印Ｂで示す大きなスプリアスが帯域内に現れる。よって、比帯域は１７％以下であることが好ましい。この場合には、圧電層２の膜厚や電極指３、電極指４の寸法などを調整することにより、スプリアスを小さくすることができる。
　図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す説明図である。第１実施形態の弾性波装置１において、ｄ／２ｐと、ＭＲが異なる様々な弾性波装置１を構成し、比帯域を測定した。図１０の破線Ｄの右側のハッチングを付して示した部分が、比帯域が１７％以下の領域である。このハッチングを付した領域と、付していない領域との境界は、ＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０７５で表される。すなわち、ＭＲ＝１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。従って、好ましくは、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。その場合には、比帯域を１７％以下としやすい。より好ましくは、図１０中の一点鎖線Ｄ１で示すＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０５の右側の領域である。すなわち、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０５であれば、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。
　図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°、θ、ψ）に対する比帯域のマップを示す説明図である。図１１のハッチングを付して示した部分が、少なくとも５％以上の比帯域が得られる領域である。領域の範囲を近似すると、下記の式（１）、式（２）及び式（３）で表される範囲となる。
　（０°±１０°、０°～２０°、任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°、２０°～８０°、０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）または（０°±１０°、２０°～８０°、［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°、［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°、任意のψ）　　…式（３）
　従って、上記式（１）、式（２）または式（３）のオイラー角範囲の場合、比帯域を十分に広くすることができ、好ましい。
　図１２は、本開示の実施形態に係る弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。図１２において、空間部９の外周縁を破線で示す。本開示の弾性波装置は、板波を利用するものであってもよい。この場合、図１２に示すように、弾性波装置３０１は、反射器３１０、３１１を有する。反射器３１０、３１１は、圧電層２の電極指３、４の弾性波伝搬方向両側に設けられる。弾性波装置３０１では、空間部９上の電極指３、４に、交流電界を印加することにより、板波としてのラム波が励振される。このとき、反射器３１０、３１１が両側に設けられているため、板波としてのラム波による共振特性を得ることができる。
　以上説明したように、弾性波装置１、１０１では、厚み滑り１次モードのバルク波が利用されている。また、弾性波装置１、１０１では、第１電極指３及び第２電極指４は隣り合う電極同士であり、圧電層２の厚みをｄ、第１電極指３及び第２電極指４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下とされている。これにより、弾性波装置が小型化しても、Ｑ値を高めることができる。
　弾性波装置１、１０１では、圧電層２がニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムで形成されている。圧電層２の第１の主面２ａまたは第２の主面２ｂには、圧電層２の厚み方向に交差する方向において対向する第１電極指３及び第２電極指４があり、第１電極指３及び第２電極指４の上を保護膜で覆うことが望ましい。
　図１３は、本開示の実施形態に係る弾性波装置を説明するための断面図である。本開示の弾性波装置は、図１３に示すようなバルク波を利用する装置、すなわちＢＡＷ（Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）素子であってもよい。この場合、弾性波装置４０１は、機能電極４１０、４１１を有する。機能電極４１０、４１１は、圧電層２の厚さ方向について両側に設けられる電極である。図１３の例では、支持基板８は、圧電層２側に空間部９を有し、機能電極４１１は、空間部９内に設けられる。
　図１３の例では、圧電層２には、貫通孔１１が設けられる。貫通孔１１は、圧電層２をＺ方向に貫通する孔である。貫通孔１１は、空間部９と連通している。貫通孔１１を圧電層２に設けることで、圧電層２を支持基板８に接合した後に、貫通孔１１からエッチング液を流し込むことで、接合前にあらかじめ空間部９に設けられた犠牲層をエッチングすることができる。
　図１４は、第１実施形態に係る弾性波装置の一例の一部を示す平面図である。図１５は、図１４のＸＶ－ＸＶ線の断面図である。図１６は、図１４のＸＶＩ－ＸＶＩ線の断面図である。図１４～図１６に示すように、第１実施形態に係る弾性波装置５００は、共振子群５１０Ａと共振子群５１０Ｂとが設けられた弾性波装置である。ここで、図１４の例において、共振子群５１０Ａは「第１共振子群」の一例であり、共振子群５１０Ｂは「第２共振子群」の一例である。弾性波装置５００は、支持部材と、圧電層５０２と、配線電極５２２Ａ、５２２Ｂと、入力端子５２１と、出力端子５２４と、グランド５２３とを備える。
　圧電層５０２は、支持部材に設けられる。圧電層５０２は、第１の主面５０２ａと、第２の主面５０２ｂを有する。本実施例において、第１の主面５０２ａは、共振子群５１０Ａと、共振子群５１０Ｂと、配線電極５２２Ａ、５２２Ｂとが設けられる面となっている。一方で、第２の主面５０２ｂは、支持部材が設けられる面となっている。圧電層５０２の材料は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）またはタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）と、不可避不純物とを含む。
　図１５に示すように、支持部材は、支持基板５０８と、誘電体層５０７とを備える。支持基板５０８の材料は、例えばシリコンである。誘電体層５０７は、支持基板５０８に対して圧電層５０２側に設けられる。誘電体層５０７の材料は、例えば酸化ケイ素である。
　支持部材には、空間部が設けられる。図１５、図１６の例では、空間部５０９Ａ～５０９Ｃは、誘電体層５０７をＺ方向に貫通するように設けられるが、これに限られず、空間部５０９Ａ～５０９Ｃは、誘電体層５０７の圧電層５０２側に設けられてもよく、支持基板５０８にも設けられるものであってもよい。また、支持部材が支持基板５０８である場合、空間部５０９Ａ～５０９Ｃは、支持基板５０８の圧電層５０２側に設けられるものであってもよい。
　配線電極５２２Ａ、５２２Ｂは、共振子群５１０Ａ、５１０Ｂを電気的に接続する配線である。配線電極５２２Ａ、５２２Ｂは、圧電層５０２の第１の主面５０２ａに設けられる。配線電極５２２Ａ、５２２Ｂは、共振子群５１０Ａ、５１０Ｂのバスバー電極と電気的に接続される。
　共振子群５１０Ａ、共振子群５１０Ｂは、圧電層５０２の第１の主面５０２ａに設けられる。共振子群５１０Ａ、共振子群５１０Ｂは、Ｚ方向に平面視して互いに重ならない領域に設けられる。言い換えれば、第１共振子群が配置される領域を第１配線領域とした場合、第２共振子群は第１配線領域と異なる領域である第２配線領域に設けられる。図１４に示す例において、共振子群５１０Ａが設けられる領域が、第１配線領域であり、共振子群５１０Ｂが設けられる領域が、第２配線領域である。
　図１７は、図１４に係る弾性波装置の回路図である。図１７に示すように、弾性波装置５００は、入力端子５２１から出力端子５２４までの信号経路（以下第１経路）に、直列に挿入された直列腕共振子と、第１経路上のノードとグランドとの間の経路に挿入された並列腕共振子と、を含む、いわゆるラダー型フィルタとなっている。図１７において、直列腕共振子は、共振子群５１０Ａ及び共振子ＳＲ２、ＳＲ３である。直列腕共振子である共振子群５１０Ａ及び直列腕共振子ＳＲ２、ＳＲ３は、一方の端子が入力端子５２１と電気的に接続され、他方の端子が出力端子５２４と電気的に接続される。ここで、共振子群５１０Ａと、共振子ＳＲ２と、共振子ＳＲ３と、は、電気的に直列に接続される。図１７において、並列腕共振子は、共振子群５１０Ｂ及び共振子ＰＲ２～ＰＲ４である。共振子群５１０Ｂは、一方の端子が、配線電極５２２Ａを介して入力端子５２１と電気的に接続され、他方の端子がグランド５２３と電気的に接続される。共振子ＰＲ２は、一方の端子が、共振子群５１０Ａと共振子ＳＲ２とを結ぶ配線電極５２２Ｂに電気的に接続され、他方の端子がグランドと電気的に接続される。共振子ＰＲ３は、一方の端子が、共振子ＳＲ２と共振子ＳＲ３とを結ぶ配線電極に電気的に接続され、他方の端子がグランドと電気的に接続される。共振子ＰＲ４は、一方の端子が、配線電極を介して出力端子５２４と電気的に接続され、他方の端子がグランドと電気的に接続される。
　なお、本実施形態に係る弾性波装置５００において、共振子群５１０Ａは直列腕共振子であることに限られず、共振子群５１０Ｂは並列腕共振子であることに限られない。例えば、共振子群５１０Ａが並列腕共振子であり、共振子群５１０Ｂが直列腕共振子であってもよい。
　共振子群５１０Ａは、共振子５０１Ａと共振子５０１Ｂとを有する。共振子５０１Ａと共振子５０１Ｂは、直列接続された分割共振子である。直列接続された分割共振子とは、並列腕共振子を挟むことなく互いに直列に接続されている共振子を指す。共振子群５１０Ａは、直列接続された分割共振子である共振子５０１Ａ、５０１Ｂを設けることで、弾性波装置５００において、圧電層５０２のクラック発生を低減でき、変形を抑制することができる。なお、共振子５０１Ａ及び共振子５０１Ｂは、間引き電極で構成してもよい。これにより、弾性波装置５００において、圧電層５０２のクラック発生を低減でき、変形を抑制することができる。共振子５０１Ａと共振子５０１Ｂとは、圧電層５０２の第１の主面５０２ａに設けられる機能電極と、Ｚ方向に平面視して、少なくとも一部が機能電極に重なる部分の積層体とを有する。以下、共振子群５１０Ａの機能電極とは、共振子５０１Ａの機能電極及び共振子５０１Ｂの機能電極を指し、共振子群５１０Ａの積層体とは、共振子５０１Ａの積層体及び共振子５０１Ｂの積層体を指すものとして説明することがある。
　共振子５０１Ａの機能電極は、電極指５０３Ａと、バスバー電極５０５Ａ、５０５Ｂを含む。電極指５０３Ａは、Ｙ方向についての端部が、バスバー電極５０５Ａまたはバスバー電極５０５Ｂに接続される。共振子５０１Ｂの機能電極は、電極指５０３Ｂと、バスバー電極５０５Ｂ、５０５Ｃを含む。電極指５０３Ｂは、Ｙ方向についての端部が、バスバー電極５０５Ｂまたはバスバー電極５０５Ｃに接続される。すなわち、共振子５０１Ａと共振子５０１Ｂとは、バスバー電極５０５Ｂを共有している。これにより、共振子５０１Ａと共振子５０１Ｂとが直列接続される。
　共振子群５１０Ｂは、共振子５０１Ｃと共振子５０１Ｄとを有する。共振子５０１Ｃと共振子５０１Ｄは、直列接続された分割共振子である。共振子５０１Ａと共振子５０１Ｂとは、圧電層５０２の第１の主面５０２ａに設けられる機能電極と、Ｚ方向に平面視して、少なくとも一部が機能電極に重なる部分の積層体とを有する。以下、共振子群５１０Ｂの機能電極とは、共振子５０１Ｃの機能電極及び共振子５０１Ｄの機能電極を指し、共振子群５１０Ｂの積層体とは、共振子５０１Ｃの積層体及び共振子５０１Ｄの積層体を指すものとして説明することがある。
　共振子５０１Ｃの機能電極は、電極指５０３Ｃと、バスバー電極５０５Ｄ、５０５Ｅを含む。電極指５０３Ｃは、Ｙ方向についての端部が、バスバー電極５０５Ｄまたはバスバー電極５０５Ｅに接続される。共振子５０１Ｄの機能電極は、電極指５０３Ｄと、バスバー電極５０５Ｅ、５０５Ｆを含む。電極指５０３Ｄは、Ｙ方向についての端部が、バスバー電極５０５Ｅまたはバスバー電極５０５Ｆに接続される。すなわち、共振子５０１Ｃと共振子５０１Ｄとは、バスバー電極５０５Ｅを共有している。これにより、共振子５０１Ｃと共振子５０１Ｄとが直列接続される。
　ここで、共振子群５１０Ａの共振子５０１Ａ、５０１Ｂの面積は、共振子群５１０Ｂの共振子５０１Ｃ、５０１Ｄの面積に比べて小さくなっている。ここで、共振子の面積とは、電極指が並ぶ方向（Ｙ方向）に見て、電極指同士が重なり合う交差領域が占める面積をいう。図１４の例では、共振子５０１Ａ～５０１Ｄの面積は、それぞれ交差領域Ｃ１～Ｃ４の面積である。すなわち、交差領域Ｃ１、Ｃ２の面積は、交差領域Ｃ３、Ｃ４の面積に比べ、小さいといえる。
　共振子群５１０Ａの積層体の一部の支持部材には、空間部５０９Ａが設けられている。図１４の例において、空間部５０９Ａは、「第１空間部」の一例である。空間部５０９Ａは、Ｚ方向に平面視して、第１配線領域と少なくとも一部が重なる位置に設けられる。より詳しくは、空間部５０９Ａは、Ｚ方向に平面視して共振子５０１Ａ及び共振子５０１Ｂの機能電極と少なくとも一部が重なるように設けられる。すなわち、空間部５０９Ａは、Ｚ方向に平面視して、共振子５０１Ａと共振子５０１Ｂとに跨って重なる位置に設けられるといえる。図１４の例では、空間部５０９Ａは、Ｚ方向に平面視して、バスバー電極５０５Ｂと少なくとも一部が重なるように設けられる。
　共振子群５１０Ｂの積層体の一部の支持部材には、複数の空間部５０９Ｂ、５０９Ｃが設けられている。図１４の例において、空間部５０９Ｂ，５０９Ｃは、「第２空間部」の一例である。空間部５０９Ｂ、５０９Ｃは、Ｚ方向に平面視して、第２配線領域と少なくとも一部が重なる位置に設けられる。より詳しくは、空間部５０９Ｂは、Ｚ方向に平面視して、共振子５０１Ｃの機能電極と少なくとも一部が重なるように設けられ、空間部５０９Ｃは、Ｚ方向に平面視して、共振子５０１Ｄの機能電極と少なくとも一部が重なるように設けられる。すなわち、空間部５０９Ｂ、５０９Ｃは、Ｚ方向に平面視して、共振子５０１Ｃと共振子５０１Ｄとに重なる位置にそれぞれ設けられるといえる。図１４の例では、空間部５０９Ｂ及び空間部５０９Ｃは、Ｚ方向に平面視して、バスバー電極５０５Ｅと少なくとも一部が重なるように設けられる。
　このように、面積が大きいために熱が逃げにくい共振子５０１Ｃ、５０１Ｄに対して、小さい面積の空間部５０９Ｃ、５０９Ｄが個別に設けられる。これにより、共振子群５１０Ｂの放熱性が向上しやすくなる。一方で、共振子面積が小さいため熱が逃げやすい共振子５０１Ａ、５０１Ｂに対しては共通の空間部５０９Ａが設けられる。これにより、弾性波装置５００を小型にすることができる。
　本実施形態に係る弾性波装置は、図１４に示す弾性波装置５００に限られない。以下、図面を参照して本実施形態に係る弾性波装置の変形例を説明する。なお、同様の構成については同じ符号を付して説明を省略する。
　図１８は、本実施形態に係る弾性波装置の第１変形例の一部を示す平面図である。図１９は、図１８のＸＩＸ－ＸＩＸ線の断面図である。図２０は、図１８のＸＸ－ＸＸ線の断面図である。図１８～図２０に示すように、本実施形態に係る弾性波装置は、面積の小さい共振子を含む共振子群に空間部が複数設けられ、面積の大きい共振子を含む共振子群に空間部が複数の共振子に跨るように設けられてもよい。以下、図面を用いて第１変形例に係る弾性波装置５００Ａについて説明する。
　第１変形例に係る弾性波装置は、共振子群５１０Ａと共振子群５１０Ｂとが設けられた弾性波装置である。ここで、第１変形例において、共振子群５１０Ｂは「第１共振子群」の一例であり、共振子群５１０Ｂの共振子群５１０Ａは「第２共振子群」の一例である。
　第１変形例に係る共振子群５１０Ａの積層体の一部の支持部材には、複数の空間部５０９Ｄ、５０９Ｅが設けられている。第１変形例において、共振子群５１０Ａの空間部５０９Ｄ，５０９Ｅは、「第２空間部」の一例である。空間部５０９Ｄ、５０９Ｅは、Ｚ方向に平面視して、第１配線領域と少なくとも一部が重なる位置に設けられる。空間部５０９Ｄは、Ｚ方向に平面視して、共振子５０１Ａの機能電極と少なくとも一部が重なるように設けられ、空間部５０９Ｅは、Ｚ方向に平面視して、共振子５０１Ｂの機能電極と少なくとも一部が重なるように設けられる。すなわち、空間部５０９Ｄ、５０９Ｅは、Ｚ方向に平面視して、共振子５０１Ａと共振子５０１Ｂとに重なる位置にそれぞれ設けられるといえる。ここで、空間部５０９Ｄ及び空間部５０９Ｅは、Ｚ方向に平面視して、バスバー電極５０５Ｂと一部重なるように設けられる。
　第１変形例に係る共振子群５１０Ｂの積層体の一部の支持部材には、空間部５０９Ｆが設けられている。第１変形例において、空間部５０９Ｆは、「第１空間部」の一例である。空間部５０９Ｆは、Ｚ方向に平面視して、第１配線領域と少なくとも一部が重なる位置に設けられる。空間部５０９Ｆは、Ｚ方向に平面視して共振子５０１Ｃ及び共振子５０１Ｄの機能電極と少なくとも一部が重なるように設けられる。すなわち、空間部５０９Ｆは、Ｚ方向に平面視して、共振子５０１Ｃと共振子５０１Ｄとに跨って重なる位置に設けられるといえる。ここで、空間部５０９Ｆは、Ｚ方向に平面視して、バスバー電極５０５Ｅと少なくとも一部が重なるように設けられる。
　このように、大きい面積のバスバー電極を必要とする共振子５０１Ｃ、５０１Ｄに対して、共有するバスバー電極５０５ＥとＺ方向に平面視して重なるように、共通の空間部５０９Ａが設けられる。これにより、バスバー電極５０５Ｅから支持部材への漏洩波を低減することができるので、漏洩波に由来するリップルにより弾性波装置の特性が劣化することを抑制できる。一方で、バスバー電極が大きくないために漏洩波は小さいが、バスバー電極面積が小さいために放熱性が悪くなる共振子５０１Ａ、５０１Ｂに対しては空間部５０９Ｄ、５０９Ｅが個別に設けられる。これにより、これらの共振子の放熱性を向上させることができる。
　図２１は、本実施形態に係る弾性波装置の第２変形例の一部を示す平面図である。図２２は、図２１のＸＸＩＩ－ＸＸＩＩ線の断面図である。図２３は、ｚ第２変形例に係る弾性波装置の回路図である。図２１～図２３に示すように、本実施形態に係る弾性波装置の共振子群は、並列に接続された共振子を含んでもよい。以下、図面を用いて第２変形例に係る弾性波装置５００Ｂについて説明する。
　第２変形例に係る弾性波装置５００Ｂは、共振子群５１０Ｃと共振子群５１０Ｂとが設けられた弾性波装置である。ここで、第２変形例に係る共振子群５１０Ｂの空間部は、空間部５０９Ｂ、５０９Ｃである。第２変形例において、共振子群５１０Ｃは「第１共振子群」の一例であり、共振子群５１０Ｂは「第２共振子群」の一例であり、共振子群５１０Ｂの空間部５０９Ｂ，５０９Ｃは、「第２空間部」の一例である。
　図２３に示すように、共振子群５１０Ｃは、直列腕共振子である。直列腕共振子である共振子群５１０Ｃ及び直列腕共振子ＳＲ２、ＳＲ３は、一方の端子が入力端子５２１と電気的に接続され、他方の端子が出力端子５２４と電気的に接続される。ここで、共振子群５１０Ｃと、共振子ＳＲ２と、共振子ＳＲ３と、は、電気的に直列に接続される。
　なお、弾性波装置５００Ｂにおいて、共振子群５１０Ｃは直列腕共振子であることに限られず、共振子群５１０Ｂは並列腕共振子であることに限られない。例えば、共振子群５１０Ｃが並列腕共振子であり、共振子群５１０Ｂが直列腕共振子であってもよい。
　第２変形例に係る共振子群５１０Ｃは、共振子５０１Ｅと共振子５０１Ｆとを有する。共振子５０１Ｅと共振子５０１Ｆは、並列接続された分割共振子である。並列接続された分割共振子とは、互いに並列に接続されている共振子を指す。共振子５０１Ｅと共振子５０１Ｆとは、圧電層５０２の第１の主面５０２ａに設けられる機能電極と、Ｚ方向に平面視して、少なくとも一部が機能電極に重なる部分の積層体とを有する。
　共振子５０１Ｅの機能電極は、電極指５０３Ｅと、バスバー電極５０５Ｅ、５０５Ｆを含む。電極指５０３Ｅは、Ｙ方向についての端部が、バスバー電極５０５Ｇまたはバスバー電極５０５Ｈに接続される。共振子５０１Ｆの機能電極は、電極指５０３Ｆと、バスバー電極５０５Ｇ、５０５Ｈを含む。電極指５０３Ｆは、Ｙ方向についての端部が、バスバー電極５０５Ｇまたはバスバー電極５０５Ｈに接続される。すなわち、共振子５０１Ｅと共振子５０１Ｆとは、バスバー電極５０５Ｇ及びバスバー電極５０５Ｈを共有している。これにより、共振子５０１Ｅと共振子５０１Ｆとが並列接続される。
　ここで、共振子群５１０Ｃの共振子５０１Ｅ、５０１Ｆの面積は、共振子群５１０Ｂの共振子５０１Ｃ、５０１Ｄの面積に比べて小さくなっている。図２１の例では、共振子５０１Ｅ、５０１Ｆの面積は、それぞれ交差領域Ｃ５、Ｃ６の面積である。すなわち、交差領域Ｃ５、Ｃ６の面積は、交差領域Ｃ３、Ｃ４の面積に比べ、小さいといえる。
　共振子群５１０Ｃの積層体の一部の支持部材には、空間部５０９Ｇが設けられている。第２変形例において、空間部５０９Ｇは、「第１空間部」の一例である。空間部５０９Ｇは、Ｚ方向に平面視して、第１配線領域と少なくとも一部が重なる位置に設けられる。より詳しくは、空間部５０９Ｇは、Ｚ方向に平面視して共振子５０１Ｅ及び共振子５０１Ｆの機能電極と少なくとも一部が重なるように設けられる。すなわち、空間部５０９Ｇは、Ｚ方向に平面視して、共振子５０１Ｅと共振子５０１Ｆとに跨って重なる位置に設けられるといえる。
　このように、面積が大きいために熱が逃げにくい共振子５０１Ｃ、５０１Ｄに対して、小さい面積の空間部５０９Ｃ、５０９Ｄが個別に設けられる。これにより、共振子群５１０Ｂの放熱性が向上しやすくなる。一方で、共振子面積が小さいために熱が逃げやすい共振子５０１Ｅ、５０１Ｆに対しては共通の空間部５０９Ｇが設けられる。これにより、弾性波装置５００Ｂを小型にすることができる。
　図２４は、本実施形態に係る弾性波装置の第３変形例の一部を示す平面図である。図２５は、図２４のＸＸＶ－ＸＸＶ線の断面図である。図２４、図２５に示すように、本実施形態に係る弾性波装置の共振子群は、並列に接続された共振子を含み、面積の小さい共振子を含む共振子群に空間部が複数設けられ、面積の大きい共振子を含む共振子群に空間部が複数の共振子に跨るように設けられてもよい。以下、図面を用いて第３変形例に係る弾性波装置５００Ｃについて説明する。
　第３変形例に係る弾性波装置５００Ｃは、第２変形例に係る共振子群５１０Ｃと共振子群５１０Ｂとが設けられた弾性波装置である。ここで、第３変形例に係る共振子群５１０Ｂの空間部は、第１変形例に係る空間部５０９Ｆである。第３変形例において、共振子群５１０Ｂは「第１共振子群」の一例であり、共振子群５１０Ｂの空間部５０９Ｆは、「第１空間部」の一例であり、共振子群５１０Ｃは「第２共振子群」の一例である。
　第３変形例に係る共振子群５１０Ｃの積層体の一部の支持部材には、複数の空間部５０９Ｈ、５０９Ｉが設けられている。第３変形例において、空間部５０９Ｈ，５０９Ｉは、「第２空間部」の一例である。空間部５０９Ｈ、５０９Ｉは、Ｚ方向に平面視して、第１配線領域と少なくとも一部が重なる位置に設けられる。空間部５０９Ｈは、Ｚ方向に平面視して、共振子５０１Ｅの機能電極と少なくとも一部が重なるように設けられ、空間部５０９Ｉは、Ｚ方向に平面視して、共振子５０１Ｆの機能電極と少なくとも一部が重なるように設けられる。すなわち、空間部５０９Ｈ、５０９Ｉは、Ｚ方向に平面視して、共振子５０１Ｅと共振子５０１Ｆとに重なる位置にそれぞれ設けられるといえる。ここで、空間部５０９Ｈ及び空間部５０９Ｉは、Ｚ方向に平面視して、バスバーと重なるように設けられる。
　このように、大きい面積のバスバー電極を必要とする共振子５０１Ｃ、５０１Ｄに対して、共有するバスバー電極５０５ＥとＺ方向に平面視して重なるように、共通の空間部５０９Ａが設けられる。これにより、バスバー電極５０５Ｅから支持部材への漏洩波を低減することができるので、漏洩波に由来するリップルにより弾性波装置の特性が劣化することを抑制できる。一方で、漏洩波が小さいためにバスバー電極の面積が小さく熱が逃げくい共振子５０１Ｅ、５０１Ｆに対しては空間部５０９Ｈ、５０９Ｉが個別に設けられる。これにより、これらの共振子の放熱性を向上させることができる。
　図２６は、本実施形態に係る弾性波装置の第４変形例の一部を示す平面図である。図２７は、図２６のＸＸＶＩＩ－ＸＸＶＩＩ線の断面図である。図２８は、図２６に係る弾性波装置の回路図である。図２６～図２８に示すように、第１共振子群及び第２共振子群は、いずれも並列に接続された共振子であってもよい。以下、図面を用いて第４変形例に係る弾性波装置５００Ｄについて説明する。
　第４変形例に係る弾性波装置５００Ｄは、第２変形例に係る共振子群５１０Ｃと共振子群５１０Ｄとが設けられた弾性波装置である。ここで、第４変形例に係る共振子群５１０Ｃの空間部は、第２変形例に係る空間部５０９Ｇである。第４変形例において、共振子群５１０Ｃは「第１共振子群」の一例であり、共振子群５１０Ｃの空間部５０９Ｇは、「第１空間部」の一例であり、共振子群５１０Ｄは「第２共振子群」の一例である。
　図２６に示すように、共振子群５１０Ｄは、並列腕共振子である。共振子群５１０Ｄは、一方の端子が、配線電極５２２Ａを介して入力端子５２１と電気的に接続され、他方の端子がグランド５２３と電気的に接続される。
　なお、弾性波装置５００Ｄにおいて、共振子群５１０Ｃは直列腕共振子であることに限られず、共振子群５１０Ｄは並列腕共振子であることに限られない。例えば、共振子群５１０Ｃが並列腕共振子であり、共振子群５１０Ｄが直列腕共振子であってもよい。
　第４変形例に係る共振子群５１０Ｄは、共振子５０１Ｇと共振子５０１Ｈとを有する。共振子５０１Ｇと共振子５０１Ｈは、並列接続された分割共振子である。並列接続された分割共振子とは、互いに並列に接続されている共振子を指す。共振子５０１Ｇと共振子５０１Ｈとは、圧電層５０２の第１の主面５０２ａに設けられる機能電極と、Ｚ方向に平面視して、少なくとも一部が機能電極に重なる部分の積層体とを有する。
　共振子５０１Ｇの機能電極は、電極指５０３Ｇと、バスバー電極５０５Ｅ、５０５Ｆを含む。電極指５０３Ｇは、Ｙ方向についての端部が、バスバー電極５０５Ｇまたはバスバー電極５０５Ｈに接続される。共振子５０１Ｈの機能電極は、電極指５０３Ｈと、バスバー電極５０５Ｇ、５０５Ｈを含む。電極指５０３Ｈは、Ｙ方向についての端部が、バスバー電極５０５Ｇまたはバスバー電極５０５Ｈに接続される。すなわち、共振子５０１Ｇと共振子５０１Ｈとは、バスバー電極５０５Ｇ及びバスバー電極５０５Ｈを共有している。これにより、共振子５０１Ｇと共振子５０１Ｈとが並列接続される。
　ここで、共振子群５１０Ｃの共振子５０１Ｅ、５０１Ｆの面積は、共振子群５１０Ｄの共振子５０１Ｇ、５０１Ｈの面積に比べて小さくなっている。図２６の例では、共振子５０１Ｇ、５０１Ｈの面積は、それぞれ交差領域Ｃ７、Ｃ８の面積である。すなわち、交差領域Ｃ５、Ｃ６の面積は、交差領域Ｃ７、Ｃ８の面積に比べ、小さいといえる。
　第４変形例に係る共振子群５１０Ｄの積層体の一部の支持部材には、複数の空間部５０９Ｊ、５０９Ｋが設けられている。第４変形例において、空間部５０９Ｊ，５０９Ｋは、「第２空間部」の一例である。空間部５０９Ｊ、５０９Ｋは、Ｚ方向に平面視して、第１配線領域と少なくとも一部が重なる位置に設けられる。空間部５０９Ｊは、Ｚ方向に平面視して、共振子５０１Ｇの機能電極と少なくとも一部が重なるように設けられ、空間部５０９Ｋは、Ｚ方向に平面視して、共振子５０１Ｈの機能電極と少なくとも一部が重なるように設けられる。すなわち、空間部５０９Ｊ、５０９Ｋは、Ｚ方向に平面視して、共振子５０１Ｇと共振子５０１Ｈとに重なる位置にそれぞれ設けられるといえる。ここで、空間部５０９Ｊ及び空間部５０９Ｋは、Ｚ方向に平面視して、バスバーと重ならないように設けられる。
　このように、面積が大きいために熱が逃げにくい共振子５０１Ｇ、５０１Ｈに対して、小さい面積の空間部５０９Ｇ、５０９Ｈが個別に設けられる。これにより、共振子群５１０Ｄの放熱性が向上しやすくなる。一方で、共振子面積が小さいために熱が逃げやすい共振子５０１Ｅ、５０１Ｆに対しては共通の空間部５０９Ｇが設けられる。これにより、弾性波装置５００Ｂを小型にすることができる。
　以上、本実施形態に係る弾性波装置の変形例を説明したが、本実施形態に係る弾性波装置は、弾性波装置５００Ａ～５００Ｄに限られない。
　例えば、第４変形例に係る弾性波装置５００Ｄでは、空間部５０９Ｇが複数の共振子５０１Ｅ、５０１Ｆにまたがるように設けられ、空間部５０９Ｊ、５０９Ｋが複数設けられるが、これに限られず、５０１Ｅ、５０１Ｆに対して空間部が複数設けられ、共振子５０１Ｇ、５０１Ｈに対して空間部が複数の共振子にまたがるように設けられてもよい。すなわち、共振子群５１０Ｃが「第２共振子群」であり、共振子群５１０Ｄが「第１共振子群」であってもよい。この場合、リップルによる特性劣化の抑制と弾性波装置の小型化とを両立することができる。
　また、弾性波装置５００及び第１から第４変形例に係る弾性波装置５００Ａ～５００Ｄでは、共振子群５１０Ａ～５１０Ｄは直列腕共振子または並列腕共振子であるが、これに限られず、共振子群５１０Ａ～５１０Ｄは、共振子群が送信用の共振子及び受信用共振子のいずれか一部であってもよい。
　以上説明したように、本実施形態に係る弾性波装置は、第１方向に厚みを有する支持基板を備える支持部材と、支持部材の第１方向に設けられた圧電層と、圧電層の第１方向に設けられる機能電極をそれぞれ有する複数の共振子と、を備え、複数の共振子は、第１配線領域に配置された複数の共振子を含む第１共振子群と、第１配線領域とは異なる第２配線領域に配置された複数の共振子を含む第２共振子群と、を含み、支持部材には、第１方向に平面視して、第１共振子群が含む複数の共振子に跨って重なる位置に第１空間部が設けられており、支持部材には、第１方向に平面視して、第２共振子群が含む共振子に重なる位置のそれぞれに第２空間部が複数設けられている。
　これにより、第１共振子群においては、バスバー電極から支持部材への漏洩波を低減することができるので、漏洩波に由来するリップルにより弾性波装置の特性が劣化することを抑制できる。また、第１共振子群の共振子は、第１空間部を共有することができ、第１共振子群を小型にすることができる。一方で、第２共振子群においては個別に第２空間部が設けられるので、放熱性を向上できる。したがって、弾性波装置の特性向上と小型化を両立することができる。
　また、第１共振子群の複数の共振子は、互いに直列接続されている分割共振子であり、第２共振子群の複数の共振子は、互いに直列接続されている分割共振子であってもよい。この場合においても、弾性波装置の特性向上と小型化を両立することができる。
　また、第１共振子群の複数の共振子は、互いに並列接続されている分割共振子であり、第２共振子群の複数の共振子は、互いに並列接続されている分割共振子であってもよい。この場合においても、弾性波装置の特性向上と小型化を両立することができる。
　また、第１共振子群の複数の共振子は、互いに並列接続されている分割共振子であり、第２共振子群の複数の共振子は、互いに直列接続されている分割共振子であってもよい。この場合においても、弾性波装置の特性向上と小型化を両立することができる。
　また、第１共振子群の複数の共振子は、互いに直列接続されている分割共振子であり、第２共振子群の複数の共振子は、互いに並列接続されている分割共振子であってもよい。この場合においても、弾性波装置の特性向上と小型化を両立することができる。
　また、第１共振子群の複数の共振子それぞれの面積は、第２共振子群の複数の共振子それぞれの面積よりも小さくてもよい。この場合、面積が大きいために熱が逃げにくい第２共振子の放熱性が向上しやすくなる。
　また、第１共振子群の複数の共振子それぞれの面積は、第２共振子群の複数の共振子それぞれの面積よりも大きくてもよい。この場合、大きい面積のバスバー電極を必要とする第１共振子において、バスバー電極から支持部材への漏洩波を低減することができるので、漏洩波に由来するリップルにより弾性波装置の特性が劣化することを抑制できる。
　望ましい態様として、機能電極は、１つ以上の電極指と、１つ以上の電極指がそれぞれ接続された複数のバスバー電極とを含み、第１共振子群の少なくとも１つの共振子が有する複数のバスバー電極は、第１方向に平面視して、第１空間部に重なるバスバー電極を含む。これにより、第１共振子群において、バスバー電極から支持部材への漏洩波を低減することができるので、漏洩波に由来するリップルにより弾性波装置の特性が劣化することをより抑制できる。
　また、入力端子と出力端子とを、結ぶ第１経路上に設けられた直列腕共振子と、第１経路上のノードとグラウンドとを結ぶ第２経路上に設けられた並列腕共振子と、を備え、直列腕共振子が第１共振子群であり、並列腕共振子が第２共振子群であってもよい。この場合においても、弾性波装置の特性向上と小型化を両立することができる。
　また、入力端子と出力端子とを結ぶ第１経路上に設けられた直列腕共振子と、第１経路上のノードとグラウンドとを結ぶ第２経路上に設けられた並列腕共振子と、を備え、直列腕共振子が第２共振子群であり、並列腕共振子が第１共振子群であってもよい。この場合においても、弾性波装置の特性向上と小型化を両立することができる。
　また、複数の共振子は、受信用のフィルタを構成していてもよい。また、複数の共振子は、送信用のフィルタを構成していてもよい。この場合においても、弾性波装置の特性向上と小型化を両立することができる。
　望ましい態様として、支持部材は、圧電層側に誘電体層を更に備え、第１空間部と第２空間部とは、誘電体層に設けられる。これにより、良好な共振特性が得られる弾性波装置を提供することができる。
　望ましい態様として、機能電極は、第１方向に交差する第２方向に延びる１つ以上の第１電極指３と、第２方向に直交する第３方向に１つ以上の第１電極指３のいずれかと対向し、第２方向に延びる１つ以上の第２電極指と、を有し、圧電層２の厚みは、複数の第１電極指３と複数の第２電極指４のうち、隣り合う第１電極指３と第２電極指４との間の中心間距離をｐとした場合に２ｐ以下である。これにより、弾性波装置１を小型化でき、かつＱ値を高めることができる。
　より望ましい態様として、圧電層２は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含む。これにより、良好な共振特性が得られる弾性波装置を提供することができる。
　さらに望ましい態様として、圧電層２を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ、θ、ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある。この場合、比帯域を十分に広くすることができる。
　（０°±１０°、０°～２０°、任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°、２０°～８０°、０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°、２０°～８０°、［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°、［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°、任意のψ）　　…式（３）
　望ましい態様として、弾性波装置は、厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている。これにより、結合係数が高まり、良好な共振特性が得られる弾性波装置を提供することができる。
　望ましい態様として、圧電層２の膜厚をｄ、隣り合う第１電極指３及び第２電極指４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である。これにより、弾性波装置１を小型化でき、かつＱ値を高めることができる。
　さらに望ましい態様として、ｄ／ｐは０．２４以下である。これにより、弾性波装置１を小型化でき、かつＱ値を高めることができる。
　望ましい態様として、隣り合う電極指３、４が対向している方向において重なっている領域が励振領域Ｃであり、励振領域Ｃに対する、複数の電極指３、４のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす。この場合、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。
　望ましい態様として、板波を利用可能に構成されている。これにより、良好な共振特性が得られる弾性波装置を提供することができる。
　望ましい態様として、機能電極は、第１方向に圧電層を挟む上部電極及び下部電極を含む。これにより、バルク波を良好に利用可能となる。
　望ましい態様として、第１配線領域及び第２配線領域は、同一の圧電層の領域である。これにより、弾性波装置を小型化できる。
　なお、上記した実施の形態は、本開示の理解を容易にするためのものであり、本開示を限定して解釈するためのものではない。本開示は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るとともに、本開示にはその等価物も含まれる。
１、１０１、３０１、４０１　弾性波装置
２　圧電層
２ａ　第１の主面
２ｂ　第２の主面
３　電極指（第１電極指）
４　電極指（第２電極指）
５　バスバー電極（第１のバスバー電極）
６　バスバー電極（第２のバスバー電極）
７　誘電体層
８　支持基板
７ａ、８ａ　開口部
９　空間部
１１　貫通孔
２０１　圧電層
２０１ａ　第１の主面
２０１ｂ　第２の主面
２５１　第１領域
２５２　第２領域
３１０、３１１　反射器
４１０、４１１　機能電極
５００、５００Ａ～５００Ｄ　弾性波装置
５０１Ａ～５０１Ｈ　共振子
５０２　圧電層
５０２ａ　第１の主面
５０２ｂ　第２の主面
５０３Ａ～５０３Ｈ　電極指
５０５Ａ～５０５Ｊ　バスバー電極
５０７　誘電体層
５０８　支持基板
５０９Ａ～５０９Ｋ　空間部
５１０Ａ～５１０Ｄ　共振子群
５２１　入力端子
５２２Ａ～５２２Ｂ　配線電極
５２３　グランド
５２４　出力端子
Ｃ　励振領域
Ｃ１～Ｃ８　交差領域
ＰＲ２～ＰＲ４　共振子（並列腕共振子）
ＳＲ２、ＳＲ３　共振子（直列腕共振子）
ＶＰ１　仮想平面

Claims (22)

  1. 　第１方向に厚みを有する支持基板を備える支持部材と、
    　前記支持部材の前記第１方向に設けられた圧電層と、
    　前記圧電層の前記第１方向に設けられる機能電極をそれぞれ有する複数の共振子と、
    　を備え、
    　前記複数の共振子は、第１配線領域に配置された複数の共振子を含む第１共振子群と、前記第１配線領域とは異なる第２配線領域に配置された複数の共振子を含む第２共振子群と、を含み、
    　前記支持部材には、前記第１方向に平面視して、前記第１共振子群が含む複数の共振子に跨って重なる位置に第１空間部が設けられており、
    　前記支持部材には、前記第１方向に平面視して、前記第２共振子群が含む共振子に重なる位置のそれぞれに第２空間部が複数設けられている、弾性波装置。
  2. 　前記第１共振子群の複数の共振子は、互いに直列接続されている分割共振子であり、前記第２共振子群の複数の共振子は、互いに直列接続されている分割共振子である、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記第１共振子群の複数の共振子は、互いに並列接続されている分割共振子であり、前記第２共振子群の複数の共振子は、互いに並列接続されている分割共振子である、請求項１に記載の弾性波装置。
  4. 　前記第１共振子群の複数の共振子は、互いに並列接続されている分割共振子であり、前記第２共振子群の複数の共振子は、互いに直列接続されている分割共振子である、請求項１に記載の弾性波装置。
  5. 　前記第１共振子群の複数の共振子は、互いに直列接続されている分割共振子であり、前記第２共振子群の複数の共振子は、互いに並列接続されている分割共振子である、請求項１に記載の弾性波装置。
  6. 　前記第１共振子群の複数の共振子それぞれの面積は、前記第２共振子群の複数の共振子それぞれの面積よりも小さい、請求項１から５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  7. 　前記第１共振子群の複数の共振子それぞれの面積は、前記第２共振子群の複数の共振子それぞれの面積よりも大きい、請求項１から５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  8. 　前記機能電極は、１つ以上の電極指と、前記１つ以上の電極指がそれぞれ接続された複数のバスバー電極とを含み、
    　前記第１共振子群の少なくとも１つの共振子が有する前記複数のバスバー電極は、前記第１方向に平面視して、前記第１空間部に重なるバスバー電極を含む、請求項１から７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 　入力端子と出力端子とを結ぶ第１経路上に設けられた直列腕共振子と、
    前記第１経路上のノードとグラウンドとを結ぶ第２経路上に設けられた並列腕共振子と、を備え、
    　前記直列腕共振子が前記第１共振子群であり、
    　前記並列腕共振子が前記第２共振子群である、請求項１から８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  10. 　入力端子と出力端子とを結ぶ第１経路上に設けられた直列腕共振子と、
    前記第１経路上のノードとグラウンドとを結ぶ第２経路上に設けられた並列腕共振子と、を備え、
    　前記直列腕共振子が前記第２共振子群であり、
    　前記並列腕共振子が前記第１共振子群である、請求項１から８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  11. 　前記複数の共振子は、受信用フィルタを構成している、請求項１に記載の弾性波装置。
  12. 　前記複数の共振子は、送信用フィルタを構成している、請求項１に記載の弾性波装置。　
  13. 　前記支持部材は、前記圧電層側に誘電体層を更に備え、
    　前記第１空間部と前記第２空間部とは、前記誘電体層に設けられる、請求項１から１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  14. 　前記機能電極は、前記第１方向に交差する第２方向に延びる１つ以上の第１電極指と、前記第２方向に直交する第３方向に前記１つ以上の第１電極指のいずれかと対向し、前記第２方向に延びる１つ以上の第２電極指と、を有し、
    　前記圧電層の厚みは、前記１つ以上の第１電極指と前記１つ以上の第２電極指のうち、隣り合う第１電極指と第２電極指との間の中心間距離をｐとした場合に２ｐ以下である、請求項１から１３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  15. 　前記圧電層が、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含む、請求項１４に記載の弾性波装置。
  16. 　前記ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある、請求項１５に記載の弾性波装置。
    　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
    　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
    　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
  17. 　主要波として厚み滑りモードのバルク波を利用可能な構成である、請求項１４から１６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  18. 　前記圧電層の厚みをｄ、前記１つ以上の第１電極指と前記１つ以上の第２電極指のうち、隣り合う第１電極指と第２電極指との中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐ≦０．５である、請求項１７に記載の弾性波装置。
  19. 　ｄ／ｐが０．２４以下である、請求項１８に記載の弾性波装置。
  20. 　前記機能電極は、前記第１方向に交差する第２方向に延びる１つ以上の第１電極指と、前記第２方向に直交する第３方向に前記１つ以上の第１電極指のいずれかと対向し、前記第２方向に延びる１つ以上の第２電極指と、を有し、隣り合う前記第１電極指と前記第２電極指とが対向している方向に視たときに重なっている領域が励振領域であり、前記励振領域に対する、前記１つ以上の第１電極指及び前記１つ以上の第２電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす、請求項１から１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  21. 　前記機能電極は、前記第１方向に前記圧電層を挟む上部電極及び下部電極を含む、請求項１から１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  22. 　前記第１配線領域及び前記第２配線領域は、同一の圧電層の領域である、請求項１から２１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
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