WO2022210953A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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WO2022210953A1
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elastic wave
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electrode fingers
electrode
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和則 井上
勝己 鈴木
哲也 木村
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株式会社村田製作所
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    • H03H9/568—Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration

Definitions

  • Patent Document 1 describes an elastic wave device.
  • etching holes for providing spaces with different areas through holes communicating with the spaces may be provided in the piezoelectric layer.
  • the etchant cannot be dried at a speed suitable for the size of the space, and sticking may occur in the large space, and drying may be slow in the small space.
  • the present disclosure is intended to solve the above-described problems, and aims to achieve both suppression of sticking in the space and shortening of the drying time.
  • An elastic wave device includes a support member having a support substrate having a thickness in a first direction, a piezoelectric layer provided in the first direction on the support member, and a functional electrode provided in the first direction on the piezoelectric layer.
  • a plurality of resonators each having a plurality of resonators, wherein the support member is provided with a plurality of space portions at positions where at least a part of each of the resonators overlaps when viewed in plan in the first direction;
  • the space portion includes a first space portion and a second space portion having a larger area than the first space portion when viewed in plan in the first direction.
  • a first through-hole and a second through-hole communicating with the second space are provided, and the first through-hole has a larger area than the second through-hole when viewed in plan in the first direction.
  • FIG. 1A is a perspective view showing an elastic wave device according to a first embodiment
  • FIG. 1B is a plan view showing the electrode structure of the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion along line II-II of FIG. 1A.
  • FIG. 3A is a schematic cross-sectional view for explaining Lamb waves propagating through the piezoelectric layer of the comparative example.
  • FIG. 3B is a schematic cross-sectional view for explaining a thickness-shear primary mode bulk wave propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the amplitude direction of a thickness-shear primary mode bulk wave propagating in the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 1A is a perspective view showing an elastic wave device according to a first embodiment
  • FIG. 1B is a plan view showing the electrode structure of the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion along line II
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram showing the relationship between , and the fractional band.
  • FIG. FIG. 7 is a plan view showing an example in which a pair of electrodes are provided in the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 8 is a reference diagram showing an example of resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 9 shows the ratio bandwidth when a large number of elastic wave resonators are configured in the elastic wave device of the first embodiment, and the phase rotation amount of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious. is an explanatory diagram showing the relationship between.
  • FIG. 9 shows the ratio bandwidth when a large number of elastic wave resonators are configured in the elastic wave device of the first embodiment, and the phase rotation amount of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional bandwidth.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram showing a map of the fractional band with respect to the Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is infinitely close to 0.
  • FIG. 12 is a partially cutaway perspective view for explaining the elastic wave device according to the embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view for explaining an elastic wave device according to an embodiment of the present disclosure; 14 is a plan view showing an example of the elastic wave device according to the first embodiment;
  • FIG. 15 is a cross-sectional view taken along line XV-XV of FIG. 14.
  • FIG. 16 is a circuit diagram of the acoustic wave device according to the first embodiment shown in FIG. 14.
  • FIG. FIG. 17 is a plan view showing part of the first modification of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 18 is a plan view showing part of a second modification of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • 19 is a cross-sectional view showing a third modification of the elastic wave device according to the first embodiment;
  • FIG. FIG. 20 is a cross-sectional view showing a fourth modification of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view showing a fifth modification of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is not particularly limited, it is preferably 50 nm or more and 1000 nm or less in order to effectively excite the thickness shear primary mode.
  • the piezoelectric layer 2 has a first main surface 2a and a second main surface 2b facing each other in the Z direction. Electrode fingers 3 and 4 are provided on the first main surface 2a.
  • the thickness direction of the piezoelectric layer 2 is defined as the Z direction (or first direction)
  • the length direction of the electrode fingers 3 and 4 is defined as the Y direction (or second direction)
  • the electrode fingers 3 and 4 4 may be described as the X direction (or the third direction).
  • the electrode fingers 3 and 4 when at least one of the electrode fingers 3 and 4 is plural (when there are 1.5 or more pairs of electrodes when the electrode fingers 3 and 4 are paired as a pair of electrode pairs), the electrode fingers 3.
  • the center-to-center distance of the electrode fingers 4 refers to the average value of the center-to-center distances of adjacent electrode fingers 3 and electrode fingers 4 among 1.5 or more pairs of electrode fingers 3 and electrode fingers 4 .
  • the space 9 is provided so as not to disturb the vibration of the excitation region C of the piezoelectric layer 2 . Therefore, the support substrate 8 is laminated on the second main surface 2b with the dielectric layer 7 interposed therebetween at a position not overlapping the portion where at least one pair of electrode fingers 3 and 4 are provided. Note that the dielectric layer 7 may not be provided. Therefore, the support substrate 8 can be directly or indirectly laminated to the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2 .
  • the support substrate 8 is made of Si.
  • the plane orientation of the surface of Si on the piezoelectric layer 2 side may be (100), (110), or (111).
  • high-resistance Si having a resistivity of 4 k ⁇ or more is desirable.
  • the support substrate 8 can also be constructed using an appropriate insulating material or semiconductor material.
  • Materials for the support substrate 8 include, for example, aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric materials such as crystal, alumina, magnesia, sapphire, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, and steer.
  • Various ceramics such as tight and forsterite, dielectrics such as diamond and glass, and semiconductors such as gallium nitride can be used.
  • the plurality of electrode fingers 3, electrode fingers 4, first busbar electrodes 5, and second busbar electrodes 6 are made of appropriate metals or alloys such as Al and AlCu alloys.
  • the electrode fingers 3, the electrode fingers 4, the first busbar electrodes 5, and the second busbar electrodes 6 have a structure in which an Al film is laminated on a Ti film. Note that an adhesion layer other than the Ti film may be used.
  • an AC voltage is applied between the multiple electrode fingers 3 and the multiple electrode fingers 4 . More specifically, an AC voltage is applied between the first busbar electrode 5 and the second busbar electrode 6 . As a result, it is possible to obtain resonance characteristics using a thickness-shear primary mode bulk wave excited in the piezoelectric layer 2 .
  • the acoustic wave device 1 of the first embodiment has the above configuration, even if the logarithms of the electrode fingers 3 and 4 are reduced in an attempt to reduce the size, the Q value is unlikely to decrease. This is because the resonator does not require reflectors on both sides, and the propagation loss is small. The reason why the above reflector is not required is that the bulk wave of the thickness-shlip primary mode is used.
  • Support substrate 8 Si
  • FIG. It is an explanatory view showing the relationship with the fractional bandwidth as.
  • the thickness d of the piezoelectric layer 2 if the piezoelectric layer 2 has variations in thickness, a value obtained by averaging the thickness may be adopted.
  • the excitation region is an overlapping region of the plurality of electrode fingers 3 and 4 when viewed in the direction in which any adjacent electrode fingers 3 and 4 are facing each other. It is desirable that the metallization ratio MR of the adjacent electrode fingers 3 and 4 with respect to the region C satisfies MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075. In that case, spurious can be effectively reduced. This will be described with reference to FIGS. 8 and 9. FIG.
  • FIG. 9 shows the ratio bandwidth when a large number of elastic wave resonators are configured in the elastic wave device of the first embodiment, and the phase rotation amount of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious. is an explanatory diagram showing the relationship between. The ratio band was adjusted by changing the film thickness of the piezoelectric layer 2 and the dimensions of the electrode fingers 3 and 4 .
  • FIG. 9 shows the results when the piezoelectric layer 2 made of Z-cut LiNbO 3 is used, but the same tendency is obtained when the piezoelectric layer 2 with other cut angles is used.
  • the spurious is as large as 1.0.
  • the fractional band exceeds 0.17, that is, exceeds 17%, a large spurious with a spurious level of 1 or more changes the parameters constituting the fractional band, even if the passband appear within. That is, as in the resonance characteristics shown in FIG. 8, a large spurious component indicated by arrow B appears within the band. Therefore, the specific bandwidth is preferably 17% or less. In this case, by adjusting the film thickness of the piezoelectric layer 2 and the dimensions of the electrode fingers 3 and 4, the spurious response can be reduced.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram showing a map of the fractional band with respect to the Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is infinitely close to 0.
  • FIG. A hatched portion in FIG. 11 is a region where a fractional bandwidth of at least 5% or more is obtained. When the range of the area is approximated, it becomes the range represented by the following formulas (1), (2) and (3).
  • the elastic wave devices 1 and 101 use bulk waves in the primary mode of thickness shear.
  • the first electrode finger 3 and the second electrode finger 4 are adjacent electrodes, the thickness of the piezoelectric layer 2 is d, and the center of the first electrode finger 3 and the second electrode finger 4 is d/p is set to 0.5 or less, where p is the distance between them.
  • the Q value can be increased even if the elastic wave device is miniaturized.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view for explaining the elastic wave device according to the embodiment of the present disclosure.
  • the acoustic wave device of the present disclosure may be a device utilizing bulk waves as shown in FIG. 13, that is, a BAW (Bulk Acoustic Wave) element.
  • the acoustic wave device 401 has functional electrodes 410 and 411 .
  • the functional electrodes 410 and 411 are electrodes provided on both sides of the piezoelectric layer 2 in the thickness direction.
  • the support substrate 8 has the space 9 on the piezoelectric layer 2 side, and the functional electrode 411 is provided in the space 9 .
  • through holes 11 are provided in the piezoelectric layer 2 .
  • the through hole 11 is a hole penetrating the piezoelectric layer 2 in the Z direction. Through hole 11 communicates with space 9 .
  • FIG. 14 is a plan view showing an example of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • 15 is a cross-sectional view taken along line XV-XV of FIG. 14.
  • FIG. 14 and 15 an elastic wave device 500 according to the first embodiment is an elastic wave device provided with a plurality of resonators 501A to 501G.
  • the elastic wave device 500 includes a support member 520, a piezoelectric layer 502, wiring electrodes 512A to 512C, an input terminal 513, an output terminal 514, and grounds 515A and 515B.
  • the piezoelectric layer 502 is provided on the support member 520 .
  • the piezoelectric layer 502 has a first major surface 502a and a second major surface 502b.
  • the first main surface 502a is a surface on which resonators 501A to 501F and wiring electrodes 512A to 512C are provided.
  • the second main surface 502b is a surface on which the support member 520 is provided.
  • the material of piezoelectric layer 502 may include lithium niobate (LiNbO3) or lithium tantalate (LiTaO3) and impurities.
  • the support member 520 includes a support substrate 521 and a dielectric layer 522.
  • the material of the support substrate 521 is, for example, silicon.
  • the dielectric layer 522 is provided on the piezoelectric layer 502 side with respect to the support substrate 521 .
  • the material of dielectric layer 522 is, for example, silicon oxide.
  • Each of the resonators 501A to 501F has a functional electrode and a laminated body that at least partially overlaps the functional electrode when viewed from above in the Z direction.
  • the functional electrode refers to an IDT electrode that includes a first electrode finger, a second electrode finger, a first busbar electrode, and a second busbar electrode.
  • the laminate includes a portion of the piezoelectric layer 502 and a portion of the support member 520 .
  • the resonators 501A and 501C may be described as first resonators, and the resonators 501B and 501D as second resonators.
  • the resonators 501A and 501B are provided with electrode fingers 503A and 503B as the first and second electrode fingers of the functional electrodes. That is, it can be said that the electrode fingers 503A and 503B correspond to the first electrode fingers and the second electrode fingers of the resonators 501A and 501B, respectively.
  • the electrode fingers 503A and 503B have their longitudinal direction in the Y direction. The ends in the Y direction are connected to the first busbar electrodes and the second busbar electrodes.
  • the electrode area of the resonator 501A is larger than that of the resonator 501B, and the electrode area of the resonator 501C is relatively smaller than that of the resonator 501D.
  • the electrode areas of the resonators 501A to 501D refer to the areas of the intersection regions C1 to C4, which are regions where the plurality of first and second electrode fingers of the resonators overlap each other when viewed in the direction in which the electrode fingers are arranged. Point.
  • the area of intersection region C1 of resonator 501A is larger than the area of intersection region C2 of resonator 501B, and the area of intersection region C3 of resonator 501C is smaller than the area of intersection region C4 of resonator 501D.
  • the wiring electrodes 512A to 512C are wirings that electrically connect the resonators 501A to 501F.
  • the wiring electrodes 512 A to 512 D are provided on the piezoelectric layer 502 .
  • the wiring electrodes 512A-512D are electrically connected to the busbar electrodes of the resonators 501A-501F.
  • the resonator 501A and the resonators 501E and 501C are electrically connected in series.
  • the parallel arm resonators are resonators 501B, 501F, 501D and 501G.
  • One terminal of the resonator 501B is electrically connected to the input terminal 513 via the wiring electrode 512A, and the other terminal is electrically connected to the ground 515A.
  • One terminal of the resonator 501F is electrically connected to the wiring electrode 512B connecting the resonators 501A and 501E, and the other terminal is electrically connected to the ground 515A.
  • the first resonators 501A and 501C are not limited to series arm resonators, and the second resonators 501B and 501D are not limited to parallel arm resonators. do not have.
  • the first resonators 501A and 501C may be parallel arm resonators, and the second resonators 501B and 501D may be series arm resonators.
  • the elastic wave device 500 may include a transmitting resonator and a receiving resonator.
  • the first resonators 501A and 501C may be transmitting resonators, and the second resonators 501B and 501D may be receiving resonators.
  • the first resonators 501A and 501C may be transmitting resonators
  • the second resonators 501B and 501D may be receiving resonators.
  • the area of the space portion 509A when viewed in plan in the Z direction is smaller than the area of the space portion 509B when viewed in plan in the Z direction.
  • the length Cw1 of the space portion 509A in the X direction is smaller than the length Cw2 of the space portion 509B in the X direction.
  • the resonator 501A which has a larger electrode area than the resonator 501B, has a space portion 509A with a smaller area than the space portion 509B, so that heat dissipation can be improved.
  • the area of the space 509C viewed in plan in the Z direction is smaller than the area of the space 509D viewed in plan in the Z direction.
  • the resonator 501D having a larger electrode area than the resonator 501C has a space portion 509D having a larger area than the space portion 509C, making it easier to secure an excitation space.
  • the lead-out portions 510A to 510D are cavities provided on the piezoelectric layer 502 side of the support member 520 .
  • the drawer portions 510A to 510D are provided at positions that do not overlap with the space portions 509A to 509D when viewed from above in the Z direction.
  • Drawer portions 510A to 510D communicate with space portions 509A to 509D, respectively.
  • the lead portions 510A to 510D are provided so as to communicate with both sides of the space portions 509A to 509D in the X direction.
  • the drawer portions 510A and 510C may be referred to as the first drawer portion
  • the drawer portions 510B and 510D may be referred to as the second drawer portion 510B.
  • the piezoelectric layer 502 is attached to the inner walls of the spaces due to surface tension. A phenomenon of bending as if sticking, that is, so-called sticking tends to occur.
  • the second spaces 509B and 509D according to this embodiment communicate with the second through holes 511B and 511D having small areas. As a result, the liquid in the second spaces 509B and 509D can be slowly evaporated from the second through holes 511B and 511D, and the insides of the second spaces 509B and 509D can be slowly dried. Therefore, the occurrence of sticking can be suppressed.
  • FIG. 17 is a plan view showing a part of the first modified example of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 18 is a plan view showing part of a second modification of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • the first through hole 511A and the second through hole 511B may have openings with the same area when viewed in the Z direction, and the width of the first through hole Ew1 may be equal to the width Ew2 of the second through hole. In this case, more first through holes 511A are provided than second through holes 511B.
  • three first through holes 511AA are provided so as to communicate with the first space 509A, and three second through holes 511BA are provided so as to communicate with the second space 509B. are provided in two.
  • two first through holes 511AA are provided on one side of the first space portion 509A in the X direction. Accordingly, since the area of the first through-hole 511AA is larger than the area of the second through-hole 511BA, sticking of the second space 509B is suppressed in manufacturing the elastic wave device 500A. drying time can be shortened.
  • the first space 509AC, the second space 509BC, the first lead-out portion 510AC, and the second lead-out portion 510BC extend in the Z direction. is provided on the piezoelectric layer 502 side of the dielectric layer 522C. Also in this case, sticking of the first space portion 509BC can be suppressed and the drying time of the second space portion 509AC can be shortened in manufacturing the elastic wave device 500C.
  • the elastic wave device 500 includes the support member 520 including the support substrate 521 having a thickness in the first direction, and the piezoelectric layer 502 provided in the first direction on the support member 520. , and a plurality of resonators 501A to 501F each having a functional electrode provided in the first direction of the piezoelectric layer 502, and the support member 520, when viewed in plan in the first direction, is at least part of each of the resonators.
  • a plurality of space portions 509A to 509D are provided at positions where the two overlap, and the plurality of space portions 509A to 509D are the first space portions 509A and 509C, and the first space portions 509A and 509C when viewed in plan in the first direction.
  • the piezoelectric layer 502 includes first through holes 511A and 511C communicating with the first space portions 509A and 509C, and second through holes communicating with the second space portions 509B and 509D. Holes 511B and 511D are provided, and the area of the first through holes 511A and 511C is larger than that of the second through holes 511B and 511D when viewed in the first direction.
  • the large-area second space portions 509B and 509D communicate with the small-area second through holes 511B and 511D, so that the inside of the second space portions 509B and 509D is slowly dried during the manufacture of the elastic wave device 500. and prevent sticking.
  • the first space portions 509A and 509C with small areas communicate with the first through holes 511A and 511C with large areas, the insides of the first space portions 509A and 509C can be dried quickly in manufacturing the elastic wave device 500. can be applied and the drying time can be shortened. Therefore, it is possible to achieve both suppression of sticking in the space and shortening of the drying time.
  • the resonators 501A and 501C overlapping the first space portions 509A and 509C and the resonators 501B and 501D overlapping the second space portions 509B and 509D in plan view in the first direction are series arm resonators or parallel arm resonators. can be either one of the children. Also in this case, it is possible to achieve both suppression of sticking in the space and shortening of the drying time.
  • the functional electrode has one or more first electrode fingers extending in a second direction intersecting the first direction, or one or more first electrode fingers extending in a third direction orthogonal to the second direction. and one or more second electrode fingers facing each other and extending in the second direction.
  • an acoustic wave device capable of obtaining good resonance characteristics.

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Abstract

空間部のスティッキングの抑制と乾燥時間の短縮を両立する。弾性波装置は、第１方向に厚みを有する支持基板を備える支持部材と、支持部材の第１方向に設けられた圧電層と、圧電層の第１方向に設けられる機能電極をそれぞれ有する複数の共振子と、を備える。支持部材は、第１方向に平面視して、共振子のそれぞれの少なくとも一部が重なる位置に複数の空間部が設けられ、複数の空間部は、第１空間部と、第１方向に平面視して第１空間部よりも面積の大きな第２空間部を含み、圧電層に、第１空間部に連通する第１貫通孔と、第２空間部に連通する第２貫通孔とが設けられ、第１方向に平面視して第１貫通孔は、第２貫通孔より面積が大きい。

Description

弾性波装置
　本開示は、弾性波装置に関する。
　特許文献１には、弾性波装置が記載されている。
特開２０１２－２５７０１９号公報
　特許文献１に示す弾性波装置において、異なる面積の空間部を設けるためのエッチングホールとして、圧電層に空間部と連通する貫通孔を設けることがある。この場合、空間部の大きさに適した速度で、エッチング液を乾燥させることができず、大きい空間部でスティッキングが発生し、小さい空間部で乾燥が遅くなる可能性があった。
　本開示は、上述した課題を解決するものであり、空間部のスティッキングの抑制と乾燥時間の短縮を両立することを目的とする。
　弾性波装置は、第１方向に厚みを有する支持基板を備える支持部材と、前記支持部材の前記第１方向に設けられた圧電層と、前記圧電層の前記第１方向に設けられる機能電極をそれぞれ有する複数の共振子と、を備え、前記支持部材は、前記第１方向に平面視して、前記共振子のそれぞれの少なくとも一部が重なる位置に複数の空間部が設けられ、前記複数の空間部は、第１空間部と、前記第１方向に平面視して前記第１空間部よりも面積の大きな第２空間部を含み、前記圧電層に、前記第１空間部に連通する第１貫通孔と、前記第２空間部に連通する第２貫通孔とが設けられ、前記第１方向に平面視して前記第１貫通孔は、第２貫通孔より面積が大きい。
　本開示によれば、空間部のスティッキングの抑制と乾燥時間の短縮を両立することができる。
図１Ａは、第１実施形態の弾性波装置を示す斜視図である。 図１Ｂは、第１実施形態の電極構造を示す平面図である。 図２は、図１ＡのＩＩ－ＩＩ線に沿う部分の断面図である。 図３Ａは、比較例の圧電層を伝播するラム波を説明するための模式的な断面図である。 図３Ｂは、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。 図４は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。 図５は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。 図６は、第１実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離または中心間距離の平均距離をｐ、圧電層の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。 図７は、第１実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す平面図である。 図８は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。 図９は、第１実施形態の弾性波装置の、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す説明図である。 図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す説明図である。 図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°、θ、ψ）に対する比帯域のマップを示す説明図である。 図１２は、本開示の実施形態に係る弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。 図１３は、本開示の実施形態に係る弾性波装置を説明するための断面図である。 図１４は、第１実施形態に係る弾性波装置の一例を示す平面図である。 図１５は、図１４のＸＶ－ＸＶ線の断面図である。 図１６は、図１４に示す第１実施形態に係る弾性波装置の回路図である。 図１７は、第１実施形態に係る弾性波装置の第１変形例の一部を示す平面図である。 図１８は、第１実施形態に係る弾性波装置の第２変形例の一部を示す平面図である。 図１９は、第１実施形態に係る弾性波装置の第３変形例を示す断面図である。 図２０は、第１実施形態に係る弾性波装置の第４変形例を示す断面図である。 図２１は、第１実施形態に係る弾性波装置の第５変形例を示す断面図である。
　以下に、本開示の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態により本開示が限定されるものではない。なお、本開示に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能である変形例や第２実施の形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
　（第１実施形態）
　図１Ａは、第１実施形態の弾性波装置を示す斜視図である。図１Ｂは、第１実施形態の電極構造を示す平面図である。
　第１実施形態の弾性波装置１は、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電層２を有する。圧電層２は、ＬｉＴａＯ３からなるものであってもよい。ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３のカット角は、第１実施形態では、Ｚカットである。ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３のカット角は、回転ＹカットやＸカットであってもよい。好ましくは、Ｙ伝搬及びＸ伝搬±３０°の伝搬方位が好ましい。
　圧電層２の厚みは、特に限定されないが、厚み滑り１次モードを効果的に励振するには、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下が好ましい。
　圧電層２は、Ｚ方向に対向し合う第１の主面２ａと、第２の主面２ｂとを有する。第１の主面２ａ上に、電極指３及び電極指４が設けられている。
　ここで電極指３が「第１電極指」の一例であり、電極指４が「第２電極指」の一例である。図１Ａ及び図１Ｂでは、複数の電極指３は、第１のバスバー電極５に接続されている複数の「第１電極指」である。複数の電極指４は、第２のバスバー電極６に接続されている複数の「第２電極指」である。複数の電極指３及び複数の電極指４は、互いに間挿し合っている。これにより、電極指３と、電極指４と、第１のバスバー電極５と、第２のバスバー電極６と、を備えるＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｕｄｕｃｅｒ）電極が構成される。
　電極指３及び電極指４は、矩形形状を有し、長さ方向を有する。この長さ方向と直交する方向において、電極指３と、電極指３と隣接する電極指４とが対向している。電極指３、電極指４の長さ方向、及び、電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向はいずれも、圧電層２の厚み方向に交差する方向である。このため、電極指３と、電極指３と隣接する電極指４とは、圧電層２の厚み方向に交差する方向において対向しているともいえる。以下の説明では、圧電層２の厚み方向をＺ方向（または第１方向）とし、電極指３、電極指４の長さ方向をＹ方向（または第２方向）とし、電極指３、電極指４の直交する方向をＸ方向（または第３方向）として、説明することがある。
　また、電極指３、電極指４の長さ方向が図１Ａ及び図１Ｂに示す電極指３、電極指４の長さ方向に直交する方向と入れ替わってもよい。すなわち、図１Ａ及び図１Ｂにおいて、第１のバスバー電極５及び第２のバスバー電極６が延びている方向に電極指３、電極指４を延ばしてもよい。その場合、第１のバスバー電極５及び第２のバスバー電極６は、図１Ａ及び図１Ｂにおいて電極指３、電極指４が延びている方向に延びることとなる。そして、一方電位に接続される電極指３と、他方電位に接続される電極指４とが隣り合う１対の構造が、上記電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向に、複数対設けられている。
　ここで電極指３と電極指４とが隣り合うとは、電極指３と電極指４とが直接接触するように配置されている場合ではなく、電極指３と電極指４とが間隔を介して配置されている場合を指す。また、電極指３と電極指４とが隣り合う場合、電極指３と電極指４との間には、他の電極指３、電極指４を含む、ホット電極やグラウンド電極に接続される電極は配置されない。この対数は、整数対である必要はなく、１．５対や２．５対などであってもよい。
　電極指３と電極指４との間の中心間距離すなわちピッチは、１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲が好ましい。また、電極指３と電極指４との間の中心間距離とは、電極指３の長さ方向と直交する方向における電極指３の幅寸法の中心と、電極指４の長さ方向と直交する方向における電極指４の幅寸法の中心とを結んだ距離となる。
　さらに、電極指３、電極指４の少なくとも一方が複数本ある場合（電極指３、電極指４を一対の電極組とした場合に、１．５対以上の電極組がある場合）、電極指３、電極指４の中心間距離は、１．５対以上の電極指３、電極指４のうち隣り合う電極指３、電極指４それぞれの中心間距離の平均値を指す。
　また、電極指３、電極指４の幅、すなわち電極指３、電極指４の対向方向の寸法は、１５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲が好ましい。なお、電極指３と電極指４との間の中心間距離とは、電極指３の長さ方向と直交する方向における電極指３の寸法（幅寸法）の中心と、電極指４の長さ方向と直交する方向における電極指４の寸法（幅寸法）の中心とを結んだ距離となる。
　また、第１実施形態では、Ｚカットの圧電層を用いているため、電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向は、圧電層２の分極方向に直交する方向となる。圧電層２として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交（電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば９０°±１０°）でもよい。
　圧電層２の第２の主面２ｂ側には、誘電体層７を介して支持基板８が積層されている。誘電体層７及び支持基板８は、枠状の形状を有し、図２に示すように、開口部７ａ、８ａを有する。それによって、空間部（エアギャップ）９が形成されている。
　空間部９は、圧電層２の励振領域Ｃの振動を妨げないために設けられている。従って、上記支持基板８は、少なくとも１対の電極指３、電極指４が設けられている部分と重ならない位置において、第２の主面２ｂに誘電体層７を介して積層されている。なお、誘電体層７は設けられずともよい。従って、支持基板８は、圧電層２の第２の主面２ｂに直接または間接に積層され得る。
　誘電体層７は、酸化ケイ素で形成されている。もっとも、誘電体層７は、酸化ケイ素の他、窒化ケイ素、アルミナなどの適宜の絶縁性材料で形成することができる。
　支持基板８は、Ｓｉにより形成されている。Ｓｉの圧電層２側の面における面方位は（１００）や（１１０）であってもよく、（１１１）であってもよい。好ましくは、抵抗率４ｋΩ以上の高抵抗のＳｉが望ましい。もっとも、支持基板８についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。支持基板８の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、窒化ガリウムなどの半導体などを用いることができる。
　上記複数の電極指３、電極指４及び第１のバスバー電極５、第２のバスバー電極６は、Ａｌ、ＡｌＣｕ合金などの適宜の金属もしくは合金からなる。第１実施形態では、電極指３、電極指４及び第１のバスバー電極５、第２のバスバー電極６は、Ｔｉ膜上にＡｌ膜を積層した構造を有する。なお、Ｔｉ膜以外の密着層を用いてもよい。
　駆動に際しては、複数の電極指３と、複数の電極指４との間に交流電圧を印加する。より具体的には、第１のバスバー電極５と第２のバスバー電極６との間に交流電圧を印加する。それによって、圧電層２において励振される厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。
　また、弾性波装置１では、圧電層２の厚みをｄ、複数対の電極指３、電極指４のうちいずれかの隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐは０．５以下とされている。そのため、上記厚み滑り１次モードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、ｄ／ｐは０．２４以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。
　なお、第１実施形態のように電極指３、電極指４の少なくとも一方が複数本ある場合、すなわち、電極指３、電極指４を１対の電極組とした場合に電極指３、電極指４が１．５対以上ある場合、隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離ｐは、各隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離の平均距離となる。
　第１実施形態の弾性波装置１では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極指３、電極指４の対数を小さくしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。これは、両側に反射器を必要としない共振器であり、伝搬ロスが少ないためである。また、上記反射器を必要としないのは、厚み滑り１次モードのバルク波を利用していることによる。
　図３Ａは、比較例の圧電層を伝播するラム波を説明するための模式的な断面図である。図３Ｂは、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。図４は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。
　図３Ａでは、特許文献１に記載のような弾性波装置であり、圧電層をラム波が伝搬する。図３Ａに示すように、圧電層２０１中を矢印で示すように波が伝搬する。ここで、圧電層２０１には、第１の主面２０１ａと、第２の主面２０１ｂとがあり、第１の主面２０１ａと第２の主面２０１ｂとを結ぶ厚み方向がＺ方向である。Ｘ方向は、ＩＤＴ電極の電極指３、４が並んでいる方向である。図３Ａに示すように、ラム波では、波が図示のように、Ｘ方向に伝搬していく。板波であるため、圧電層２０１が全体として振動するものの、波はＸ方向に伝搬するため、両側に反射器を配置して、共振特性を得ている。そのため、波の伝搬ロスが生じ、小型化を図った場合、すなわち電極指３、４の対数を少なくした場合、Ｑ値が低下する。
　これに対して、図３Ｂに示すように、第１実施形態の弾性波装置では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層２の第１の主面２ａと第２の主面２ｂとを結ぶ方向、すなわちＺ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のＸ方向成分がＺ方向成分に比べて著しく小さい。そして、このＺ方向の波の伝搬により共振特性が得られるため、反射器を必要としない。よって、反射器に伝搬する際の伝搬損失は生じない。従って、小型化を進めようとして、電極指３、電極指４からなる電極対の対数を減らしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。
　なお、厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向は、図４に示すように、圧電層２の励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）に含まれる第１領域２５１と、励振領域Ｃに含まれる第２領域２５２とで逆になる。図４では、電極指３と電極指４との間に、電極指４が電極指３よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示してある。第１領域２５１は、励振領域Ｃのうち、圧電層２の厚み方向に直交し圧電層２を２分する仮想平面ＶＰ１と、第１の主面２ａとの間の領域である。第２領域２５２は、励振領域Ｃのうち、仮想平面ＶＰ１と、第２の主面２ｂとの間の領域である。
　弾性波装置１では、電極指３と電極指４とからなる少なくとも１対の電極が配置されているが、Ｘ方向に波を伝搬させるものではないため、この電極指３、電極指４からなる電極対の対数は複数対ある必要は必ずしもない。すなわち、少なくとも１対の電極が設けられてさえおればよい。
　例えば、上記電極指３がホット電位に接続される電極であり、電極指４がグラウンド電位に接続される電極である。もっとも、電極指３がグラウンド電位に、電極指４がホット電位に接続されてもよい。第１実施形態では、少なくとも１対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極またはグラウンド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。
　図５は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。なお、図５に示す共振特性を得た弾性波装置１の設計パラメータは以下の通りである。
　圧電層２：オイラー角（０°、０°、９０°）のＬｉＮｂＯ３
　圧電層２の厚み：４００ｎｍ
　励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）の長さ：４０μｍ
　電極指３、電極指４からなる電極の対数：２１対
　電極指３と電極指４との間の中心間距離（ピッチ）：３μｍ
　電極指３、電極指４の幅：５００ｎｍ
　ｄ／ｐ：０．１３３
　誘電体層７：１μｍの厚みの酸化ケイ素膜
　支持基板８：Ｓｉ
　なお、励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）とは、電極指３と電極指４の長さ方向と直交するＸ方向に視たときに、電極指３と電極指４とが重なっている領域である。励振領域Ｃの長さとは、励振領域Ｃの電極指３、電極指４の長さ方向に沿う寸法である。ここで、励振領域Ｃとは、「交差領域」の一例である。
　第１実施形態では、電極指３、電極指４からなる電極対の電極間距離は、複数対において全て等しくした。すなわち、電極指３と電極指４とを等ピッチで配置した。
　図５から明らかなように、反射器を有しないにもかかわらず、比帯域が１２．５％である良好な共振特性が得られている。
　ところで、上記圧電層２の厚みをｄ、電極指３と電極指４との電極の中心間距離をｐとした場合、第１実施形態では、ｄ／ｐは０．５以下、より好ましくは０．２４以下である。これを、図６を参照して説明する。
　図５に示した共振特性を得た弾性波装置と同様に、但しｄ／２ｐを変化させ、複数の弾性波装置を得た。図６は、第１実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離または中心間距離の平均距離をｐ、圧電層２の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。
　図６に示すように、ｄ／２ｐが０．２５を超えると、すなわちｄ／ｐ＞０．５では、ｄ／ｐを調整しても、比帯域は５％未満である。これに対して、ｄ／２ｐ≦０．２５、すなわちｄ／ｐ≦０．５の場合には、その範囲内でｄ／ｐを変化させれば、比帯域を５％以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、ｄ／２ｐが０．１２以下の場合、すなわちｄ／ｐが０．２４以下の場合には、比帯域を７％以上と高めることができる。加えて、ｄ／ｐをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、上記厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。
　なお、少なくとも１対の電極は、１対でもよく、上記ｐは、１対の電極の場合、隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離とする。また、１．５対以上の電極の場合には、隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離の平均距離をｐとすればよい。
　また、圧電層２の厚みｄについても、圧電層２が厚みばらつきを有する場合、その厚みを平均化した値を採用すればよい。
　図７は、第１実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す平面図である。弾性波装置１０１では、圧電層２の第１の主面２ａ上において、電極指３と電極指４とを有する１対の電極が設けられている。なお、図７中のＫが交差幅となる。前述したように、本開示の弾性波装置では、電極の対数は１対であってもよい。この場合においても、上記ｄ／ｐが０．５以下であれば、厚み滑り１次モードのバルク波を効果的に励振することができる。
　弾性波装置１では、好ましくは、複数の電極指３、電極指４において、いずれかの隣り合う電極指３、電極指４が対向している方向に視たときに重なっている領域である励振領域Ｃに対する、上記隣り合う電極指３、電極指４のメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが望ましい。その場合には、スプリアスを効果的に小さくすることができる。これを、図８及び図９を参照して説明する。
　図８は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。矢印Ｂで示すスプリアスが、共振周波数と反共振周波数との間に現れている。なお、ｄ／ｐ＝０．０８として、かつＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°、０°、９０°）とした。また、上記メタライゼーション比ＭＲ＝０．３５とした。
　メタライゼーション比ＭＲを、図１Ｂを参照して説明する。図１Ｂの電極構造において、１対の電極指３、電極指４に着目した場合、この１対の電極指３、電極指４のみが設けられるとする。この場合、一点鎖線で囲まれた部分が励振領域Ｃとなる。この励振領域Ｃとは、電極指３と電極指４とを、電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向すなわち対向方向に視たときに電極指３における電極指４と重なり合っている領域、電極指４における電極指３と重なり合っている領域、及び、電極指３と電極指４との間の領域における電極指３と電極指４とが重なり合っている領域である。そして、この励振領域Ｃの面積に対する、励振領域Ｃ内の電極指３、電極指４の面積が、メタライゼーション比ＭＲとなる。すなわち、メタライゼーション比ＭＲは、メタライゼーション部分の面積の励振領域Ｃの面積に対する比である。
　なお、複数対の電極指３、電極指４が設けられている場合、励振領域Ｃの面積の合計に対する全励振領域Ｃに含まれているメタライゼーション部分の割合をＭＲとすればよい。
　図９は、第１実施形態の弾性波装置の、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す説明図である。なお、比帯域については、圧電層２の膜厚や電極指３、電極指４の寸法を種々変更し、調整した。また、図９は、ＺカットのＬｉＮｂＯ３からなる圧電層２を用いた場合の結果であるが、他のカット角の圧電層２を用いた場合においても、同様の傾向となる。
　図９中の楕円Ｊで囲まれている領域では、スプリアスが１．０と大きくなっている。図９から明らかなように、比帯域が０．１７を超えると、すなわち１７％を超えると、スプリアスレベルが１以上の大きなスプリアスが、比帯域を構成するパラメータを変化させたとしても、通過帯域内に現れる。すなわち、図８に示す共振特性のように、矢印Ｂで示す大きなスプリアスが帯域内に現れる。よって、比帯域は１７％以下であることが好ましい。この場合には、圧電層２の膜厚や電極指３、電極指４の寸法などを調整することにより、スプリアスを小さくすることができる。
　図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す説明図である。第１実施形態の弾性波装置１において、ｄ／２ｐと、ＭＲが異なる様々な弾性波装置１を構成し、比帯域を測定した。図１０の破線Ｄの右側のハッチングを付して示した部分が、比帯域が１７％以下の領域である。このハッチングを付した領域と、付していない領域との境界は、ＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０７５で表される。すなわち、ＭＲ＝１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。従って、好ましくは、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。その場合には、比帯域を１７％以下としやすい。より好ましくは、図１０中の一点鎖線Ｄ１で示すＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０５の右側の領域である。すなわち、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０５であれば、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。
　図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°、θ、ψ）に対する比帯域のマップを示す説明図である。図１１のハッチングを付して示した部分が、少なくとも５％以上の比帯域が得られる領域である。領域の範囲を近似すると、下記の式（１）、式（２）及び式（３）で表される範囲となる。
　（０°±１０°、０°～２０°、任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°、２０°～８０°、０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）または（０°±１０°、２０°～８０°、［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°、［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°、任意のψ）　　…式（３）
　従って、上記式（１）、式（２）または式（３）のオイラー角範囲の場合、比帯域を十分に広くすることができ、好ましい。
　図１２は、本開示の実施形態に係る弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。図１２において、空間部９の外周縁を破線で示す。本開示の弾性波装置は、板波を利用するものであってもよい。この場合、図１２に示すように、弾性波装置３０１は、反射器３１０、３１１を有する。反射器３１０、３１１は、圧電層２の電極指３、４の弾性波伝搬方向両側に設けられる。弾性波装置３０１では、空間部９上の電極指３、４に、交流電界を印加することにより、板波としてのラム波が励振される。このとき、反射器３１０、３１１が両側に設けられているため、板波としてのラム波による共振特性を得ることができる。
　以上説明したように、弾性波装置１、１０１では、厚み滑り１次モードのバルク波が利用されている。また、弾性波装置１、１０１では、第１電極指３及び第２電極指４は隣り合う電極同士であり、圧電層２の厚みをｄ、第１電極指３及び第２電極指４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下とされている。これにより、弾性波装置が小型化しても、Ｑ値を高めることができる。
　弾性波装置１、１０１では、圧電層２がニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムで形成されている。圧電層２の第１の主面２ａまたは第２の主面２ｂには、圧電層２の厚み方向に交差する方向において対向する第１電極指３及び第２電極指４があり、第１電極指３及び第２電極指４の上を保護膜で覆うことが望ましい。
　図１３は、本開示の実施形態に係る弾性波装置を説明するための断面図である。本開示の弾性波装置は、図１３に示すようなバルク波を利用する装置、すなわちＢＡＷ（Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）素子であってもよい。この場合、弾性波装置４０１は、機能電極４１０、４１１を有する。機能電極４１０、４１１は、圧電層２の厚さ方向について両側に設けられる電極である。図１３の例では、支持基板８は、圧電層２側に空間部９を有し、機能電極４１１は、空間部９内に設けられる。
　図１３の例では、圧電層２には、貫通孔１１が設けられる。貫通孔１１は、圧電層２をＺ方向に貫通する孔である。貫通孔１１は、空間部９と連通している。貫通孔１１を圧電層２に設けることで、圧電層２を支持基板８に接合した後に、貫通孔１１からエッチング液を流し込むことで、接合前にあらかじめ空間部９に設けられた犠牲層をエッチングすることができる。
　図１４は、第１実施形態に係る弾性波装置の一例を示す平面図である。図１５は、図１４のＸＶ－ＸＶ線の断面図である。図１４及び図１５に示すように、第１実施形態に係る弾性波装置５００は、複数の共振子５０１Ａ～５０１Ｇが設けられた弾性波装置である。弾性波装置５００は、支持部材５２０と、圧電層５０２と、配線電極５１２Ａ～５１２Ｃと、入力端子５１３と、出力端子５１４と、グランド５１５Ａ、５１５Ｂとを備える。
　圧電層５０２は、支持部材５２０に設けられる。圧電層５０２は、第１の主面５０２ａと、第２の主面５０２ｂを有する。本実施例において、第１の主面５０２ａは、共振子５０１Ａ～５０１Ｆと、配線電極５１２Ａ～５１２Ｃとが設けられる面となっている。一方で、第２の主面５０２ｂは、支持部材５２０が設けられる面となっている。圧電層５０２の材料は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）またはタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）と、不純物とを含むことがある。
　図１５に示すように、支持部材５２０は、支持基板５２１と、誘電体層５２２とを備える。支持基板５２１の材料は、例えばシリコンである。誘電体層５２２は、支持基板５２１に対して圧電層５０２側に設けられる。誘電体層５２２の材料は、例えば酸化ケイ素である。
　共振子５０１Ａ～５０１Ｆは、機能電極と、Ｚ方向に平面視して、少なくとも一部が機能電極に重なる部分の積層体とを有する。ここで、機能電極とは、第１電極指と、第２電極指と、第１のバスバー電極と、第２のバスバー電極とを備えるＩＤＴ電極を指す。また、積層体とは、一部の圧電層５０２と、一部の支持部材５２０を含む。以下、共振子５０１Ａ、５０１Ｃを第１共振子、共振子５０１Ｂ、５０１Ｄを第２共振子として説明することがある。
　本実施形態において、共振子５０１Ａ、５０１Ｂは、機能電極の第１電極指及び第２電極指として、電極指５０３Ａ、５０３Ｂが設けられている。すなわち、電極指５０３Ａ、５０３Ｂは、それぞれ共振子５０１Ａ、５０１Ｂの第１電極指及び第２電極指に相当するといえる。電極指５０３Ａ、５０３Ｂは、Ｙ方向に長さ方向を有する。Ｙ方向についての端部は、第１のバスバー電極及び第２のバスバー電極に接続されている。
　共振子５０１Ａの電極面積は共振子５０１Ｂの電極面積に比べて大きく、共振子５０１Ｃの電極面積は、共振子５０１Ｄの電極面積より相対的に小さい。ここで、共振子５０１Ａ～５０１Ｄの電極面積とは、共振子の有する複数の第１、第２電極指が、電極指の並ぶ方向に見て互いに重なる領域である交差領域Ｃ１～Ｃ４の面積を指す。すなわち、共振子５０１Ａの交差領域Ｃ１の面積は、共振子５０１Ｂの交差領域Ｃ２の面積より大きく、共振子５０１Ｃの交差領域Ｃ３の面積は、共振子５０１Ｄの交差領域Ｃ４の面積より小さい。
　配線電極５１２Ａ～５１２Ｃは、共振子５０１Ａ～５０１Ｆを電気的に接続する配線である。配線電極５１２Ａ～５１２Ｄは、圧電層５０２に設けられる。配線電極５１２Ａ～５１２Ｄは、共振子５０１Ａ～５０１Ｆのバスバー電極と電気的に接続される。
　図１６は、図１４に示す第１実施形態に係る弾性波装置の回路図である。図１６に示すように、弾性波装置５００は、入力端子５１３から出力端子５１４までの信号経路に、直列に挿入された直列腕共振子と、信号経路とグランドとの間の経路に挿入された並列腕共振子と、を含む、いわゆるラダー型フィルタとなっている。図１６において、直列腕共振子は、共振子５０１Ａ、５０１Ｅ、５０１Ｃである。直列腕共振子である共振子５０１Ａ、５０１Ｅ、５０１Ｃは、一方の端子が、入力端子５１３と電気的に接続され、他方の端子が、出力端子５１４と電気的に接続される。ここで、共振子５０１Ａと共振子５０１Ｅと５０１Ｃとは、電気的に直列に接続される。一方で、図１６において、並列腕共振子は、共振子５０１Ｂ、５０１Ｆ、５０１Ｄ、５０１Ｇである。共振子５０１Ｂは、一方の端子が、配線電極５１２Ａを介して入力端子５１３と電気的に接続され、他方の端子がグランド５１５Ａと電気的に接続される。共振子５０１Ｆは、一方の端子が、共振子５０１Ａと共振子５０１Ｅとを結ぶ配線電極５１２Ｂに電気的に接続され、他方の端子がグランド５１５Ａと電気的に接続される。共振子５０１Ｄは、一方の端子が、共振子５０１Ｅと共振子５０１Ｃとを結ぶ配線電極５１２Ｃに電気的に接続され、他方の端子がグランド５１５Ｂと電気的に接続される。共振子５０１Ｇは、一方の端子が、配線電極５１２Ｄを介して出力端子５１４と電気的に接続され、他方の端子がグランド５１５Ｂと電気的に接続される。
　なお、本実施形態に係る弾性波装置５００において、第１共振子５０１Ａ、５０１Ｃは直列腕共振子であることに限られず、第２共振子５０１Ｂ、５０１Ｄは並列腕共振子であることに限られない。例えば、第１共振子５０１Ａ、５０１Ｃが並列腕共振子であり、第２共振子５０１Ｂ、５０１Ｄが直列腕共振子であってもよい。また、弾性波装置５００は、送信用共振子と受信用共振子とを含むものであってもよい。この場合、第１共振子５０１Ａ、５０１Ｃが送信用共振子であり、第２共振子５０１Ｂ、５０１Ｄが受信用共振子であってもよい。また、第１共振子５０１Ａ、５０１Ｃが送信用共振子であり、第２共振子５０１Ｂ、５０１Ｄが受信用共振子であってもよい。
　ここで、共振子５０１Ａ～５０１Ｄの積層体の一部の支持部材５２０には、圧電層５０２側に、それぞれ空間部５０９Ａ～５０９Ｄと、引き出し部５１０Ａ～５１０Ｄとが設けられている。例えば、共振子５０１Ａの積層体には、の一部の誘電体層５２２には、圧電層５０２側に、空間部５０９Ａと引き出し部５１０Ａが設けられている。
　空間部５０９Ａ～５０９Ｄは、支持部材５２０の圧電層５０２側に設けられる空洞である。空間部５０９Ａ～５０９Ｄは、Ｚ方向に平面視して、それぞれの共振子５０１Ａ～５０１Ｄの機能電極と、少なくとも一部が重なる位置に設けられる。すなわち、共振子５０１Ａ～５０１Ｄは、積層体の支持部材５２０に、空間部５０９Ａ～５０９Ｄがそれぞれ設けられている。ここで、空間部５０９Ａ、５０９Ｃが「第１空間部」の一例であり、空間部５０９Ｂ、５０９Ｄが「第２空間部」の一例である。
　Ｚ方向に平面視した空間部５０９Ａの面積は、Ｚ方向に平面視した空間部５０９Ｂの面積より小さい。図１５の例では、空間部５０９ＡのＸ方向についての長さＣｗ１が、空間部５０９ＢのＸ方向についての長さＣｗ２より小さくなっている。これにより、共振子５０１Ｂより電極面積の大きい共振子５０１Ａは、空間部５０９Ｂより面積の小さな空間部５０９Ａを有するので、放熱性を向上させることができる。
　図１４の例では、Ｚ方向に平面視した空間部５０９Ｃの面積は、Ｚ方向に平面視した空間部５０９Ｄの面積より小さい。これにより、共振子５０１Ｃより電極面積の大きい共振子５０１Ｄは、空間部５０９Ｃより面積の大きい空間部５０９Ｄを有するため、励振空間を確保しやすくなる。
　なお、空間部５０９Ａと空間部５０９Ｂ、または、空間部５０９Ｃと空間部５０９Ｄとは深さ、すなわちＺ方向の長さが異なっていてもよい。例えば、Ｚ方向に平面視して面積の大きい第２空間部５０９Ｂ、５０９Ｄの深さが、Ｚ方向に平面視して面積の小さい第１空間部５０９Ａ、５０９Ｃの深さより深くてもよい。
　引き出し部５１０Ａ～５１０Ｄは、支持部材５２０の圧電層５０２側に設けられる空洞である。引き出し部５１０Ａ～５１０Ｄは、Ｚ方向に平面視して、空間部５０９Ａ～５０９Ｄと、重ならない位置に設けられる。引き出し部５１０Ａ～５１０Ｄは、それぞれ空間部５０９Ａ～５０９Ｄと連通している。図１４の例では、引き出し部５１０Ａ～５１０Ｄは、それぞれ空間部５０９Ａ～５０９ＤのＸ方向について両側に連通するように設けられる。以下、引き出し部５１０Ａ、５１０Ｃを第１引き出し部、引き出し部５１０Ｂ、５１０Ｄを第２引き出し部５１０Ｂとして説明することがある。
　圧電層５０２には、Ｚ方向に貫通する孔である貫通孔５１１Ａ～５１１Ｄが設けられる。貫通孔５１１Ａ～５１１Ｄは、Ｚ方向に平面視して、それぞれ引き出し部５１０Ａ～５１０Ｄに重なるように設けられる。すなわち、貫通孔５１１Ａ～５１１ＤはＺ方向に、引き出し部５１０Ａ～５１０Ｄと連通している。ここで、貫通孔５１１Ａ、５１１Ｃは、「第１貫通孔」の一例であり、貫通孔５１１Ｂ、５１１Ｄは、「第２貫通孔」の一例である。
　第１貫通孔５１１Ａ、５１１Ｃの面積は、第２貫通孔５１１Ｂ、５１１Ｄの面積より大きい。ここで、貫通孔の面積とは、Ｚ方向に平面視して、圧電層５０２に設けられた貫通孔の開口部が占める面積の総和を指す。例えば、貫通孔５１１Ａは、図１４の例では圧電層５０２に２つ設けられるので、貫通孔５１１Ａの面積とは、Ｚ方向に平面視して、２つの貫通孔の開口部が占める面積の和となる。図１５に示す例では、第１貫通孔５１１ＡのＸ方向についての幅Ｅｗ１は、第２貫通孔５１１Ｂの幅Ｅｗ２より大きくなっている。ここで、貫通孔の幅とは、１つの貫通孔の開口部のＸ方向についての長さを指す。
　ここで、弾性波装置５００の製造工程において、第２空間部５０９Ｂ、５０９Ｄは、面積が大きいため、エッチングにおいて空間部内の液体を乾燥させるときに、圧電層５０２が表面張力によって空間部の内壁に張り付くように撓む現象、いわゆるスティッキングが発生しやすい。本実施形態に係る第２空間部５０９Ｂ、５０９Ｄは、面積の小さな第２貫通孔５１１Ｂ、５１１Ｄと連通している。これにより、第２貫通孔５１１Ｂ、５１１Ｄからの第２空間部５０９Ｂ、５０９Ｄ内の液体の蒸発を緩やかにすることができ、第２空間部５０９Ｂ、５０９Ｄ内をゆっくり乾燥させることができる。そのため、スティッキングの発生を抑制できる。
　一方で、弾性波装置５００の製造工程において、第１空間部５０９Ａ、５０９Ｃは、面積が小さいため、エッチングにおいて空間部内の液体を乾燥させるときに、スティッキングが発生しにくい。本実施形態に係る第１空間部５０９Ａ、５０９Ｃは、面積の大きな第１貫通孔５１１Ａ、５１１Ｃと連通している。これにより、第１貫通孔５１１Ａ、５１１Ｃからの第１空間部５０９Ａ、５０９Ｃ内の液体の蒸発を促進することができ、第１空間部５０９Ａ、５０９Ｃ内を急速に乾燥させることができる。そのため、製造効率を向上できる。
　本実施形態に係る弾性波装置は、図１４に示す弾性波装置５００に限られない。以下、図面を参照して本実施形態に係る弾性波装置の変形例を説明する。なお、同様の構成については同じ符号を付して説明を省略する。
　図１７は第１実施形態に係る弾性波装置の第１変形例の一部を示す平面図である。図１８は第１実施形態に係る弾性波装置の第２変形例の一部を示す平面図である。図１７及び図１８に示すように、第１貫通孔５１１Ａと第２貫通孔５１１Ｂとは、Ｚ方向に平面視して同じ面積の開口部を有していてもよく、第１貫通孔の幅Ｅｗ１と第２貫通孔の幅Ｅｗ２とが等しくてもよい。この場合、第１貫通孔５１１Ａは、第２貫通孔５１１Ｂより多く設けられる。
　第１変形例に係る弾性波装置５００Ａにおいて、第１貫通孔５１１ＡＡは、第１空間部５０９Ａに連通するように３つ設けられ、第２貫通孔５１１ＢＡは、第２空間部５０９Ｂに連通するように２つ設けられる。ここで、第１貫通孔５１１ＡＡは、Ｘ方向について第１空間部５０９Ａの一方の側に２つ設けられる。これにより、第１貫通孔５１１ＡＡの面積は、第２貫通孔５１１ＢＡの面積より大きくなっているので、弾性波装置５００Ａの製造において、第２空間部５０９Ｂのスティッキングを抑制し、第１空間部５０９Ａの乾燥時間を短縮できる。
　第２変形例に係る弾性波装置５００Ｂにおいて、第１貫通孔５１１ＡＢは、第１空間部５０９Ａに連通するように２つ設けられ、第２貫通孔５１１ＢＢは、第２空間部５０９Ｂに連通するように１つ設けられる。ここで、第２貫通孔５１１ＢＢは、Ｘ方向について第２空間部５０９Ｂの一方の側にのみ設けられる。これにより、第１貫通孔５１１ＡＢの面積は、第２貫通孔５１１ＢＢの面積より大きくなっているので、弾性波装置５００Ｂの製造において、第２空間部５０９Ｂのスティッキングを抑制し、第１空間部５０９Ａの乾燥時間を短縮できる。
　図１９は第１実施形態に係る弾性波装置の第３変形例を示す断面図である。図２０は第１実施形態に係る弾性波装置の第４変形例を示す断面図である。図２１は第１実施形態に係る弾性波装置の第５変形例を示す断面図である。ここで、図１９～図２１は、各変形例に係る弾性波装置の図１５に相当する断面図となっている。図１９～図２１に示すように、支持部材５２０の構成は、図１５で示すものに限られない。
　第３変形例に係る弾性波装置５００Ｃにおいて、図１９に示すように、第１空間部５０９ＡＣと、第２空間部５０９ＢＣと、第１引き出し部５１０ＡＣと、第２引き出し部５１０ＢＣとは、Ｚ方向について誘電体層５２２Ｃの圧電層５０２側に設けられる。この場合においても、弾性波装置５００Ｃの製造において、第１空間部５０９ＢＣのスティッキングを抑制し、第２空間部５０９ＡＣの乾燥時間を短縮できる。
　第４変形例に係る弾性波装置５００Ｄにおいて、図２０に示すように、第１空間部５０９ＡＤと、第２空間部５０９ＢＤとは、Ｚ方向について支持基板５２１Ｄの圧電層５０２側に設けられる。また、第１引き出し部５１０ＡＤ及び第２引き出し部５１０ＢＤは、誘電体層５２２ＤをＺ方向に貫通するように、支持部材５２０Ｄに設けられる。この場合においても、弾性波装置５００Ｄの製造において、第２空間部５０９ＢＤのスティッキングを抑制し、第１空間部５０９ＡＤの乾燥時間を短縮できる。
　第５変形例に係る弾性波装置５００Ｅにおいて、図２１に示すように、支持部材は、支持基板５２１Ｅのみとなっている。この場合において、第１空間部５０９ＡＥと、第２空間部５０９ＢＥと、第１引き出し部５１０ＡＥと、第２引き出し部５１０ＢＥとは、Ｚ方向について支持基板５２１ＤＥの圧電層５０２側に設けられる。この場合においても、弾性波装置５００Ｅの製造において、第２空間部５０９ＢＥのスティッキングを抑制し、第１空間部５０９ＡＥの乾燥時間を短縮できる。
　以上説明したように、第１実施形態に係る弾性波装置５００は、第１方向に厚みを有する支持基板５２１を備える支持部材５２０と、支持部材５２０の第１方向に設けられた圧電層５０２と、圧電層５０２の第１方向に設けられる機能電極をそれぞれ有する複数の共振子５０１Ａ～５０１Ｆと、を備え、支持部材５２０は、第１方向に平面視して、共振子のそれぞれの少なくとも一部が重なる位置に複数の空間部５０９Ａ～５０９Ｄが設けられ、複数の空間部５０９Ａ～５０９Ｄは、第１空間部５０９Ａ、５０９Ｃと、第１方向に平面視して第１空間部５０９Ａ、５０９Ｃよりも面積の大きな第２空間部５０９Ｂ、５０９Ｄを含み、圧電層５０２に、第１空間部５０９Ａ、５０９Ｃに連通する第１貫通孔５１１Ａ、５１１Ｃと、第２空間部５０９Ｂ、５０９Ｄに連通する第２貫通孔５１１Ｂ、５１１Ｄとが設けられ、第１方向に平面視して第１貫通孔５１１Ａ、５１１Ｃは、第２貫通孔５１１Ｂ、５１１Ｄより面積が大きい。
　これにより、面積の大きい第２空間部５０９Ｂ、５０９Ｄは、面積の小さい第２貫通孔５１１Ｂ、５１１Ｄと連通しているため、弾性波装置５００の製造において第２空間部５０９Ｂ、５０９Ｄ内をゆっくり乾燥させることができ、スティッキングを防止できる。一方で、面積の小さい第１空間部５０９Ａ、５０９Ｃは、面積の大きい第１貫通孔５１１Ａ、５１１Ｃと連通しているため、弾性波装置５００の製造において第１空間部５０９Ａ、５０９Ｃ内を速く乾燥させることができ、乾燥時間を短縮できる。したがって、空間部のスティッキングの抑制と乾燥時間の短縮を両立できる。
　また、第１方向に平面視して第２空間部５０９Ｂに重なる共振子５０１Ｂの面積は、第１空間部５０９Ａに重なる共振子５０１Ａの面積より大きくてもよい。この場合、共振子５０１Ａは、第２空間部５０９Ｂより面積の小さな第１空間部５０９Ａを有するので、共振子５０１Ａは、放熱性を向上することができる。
　また、第１方向に平面視して第１空間部５０９Ｃに重なる共振子５０１Ｃの面積は、第２空間部５０９Ｄに重なる共振子５０１Ｃの面積より大きくてもよい。この場合、共振子５０１Ｄは、第１空間部５０９Ｃより面積の大きい第２空間部５０９Ｄを有するため、共振子５０１Ｄは、励振空間を確保しやすくなる。
　また、第１方向に平面視して第１空間部５０９Ａ、５０９Ｃに重なる共振子５０１Ａ、５０１Ｃと第２空間部５０９Ｂ、５０９Ｄに重なる共振子５０１Ｂ、５０１Ｄとは、直列腕共振子または並列腕共振子のいずれか一方であってよい。この場合においても、空間部のスティッキングの抑制と乾燥時間の短縮を両立できる。
　また、第１方向に平面視して第１空間部５０９Ａ、５０９Ｃに重なる共振子５０１Ａ、５０１Ｃと第２空間部５０９Ｂ、５０９Ｄに重なる共振子５０１Ｂ、５０１Ｄとは、受信用共振子または送信用共振子のいずれか一方であってもよい。この場合においても、空間部のスティッキングの抑制と乾燥時間の短縮を両立できる。
　望ましい態様として、支持部材５２０は、複数の空間部５０９Ａ、５０９Ｂのうち少なくとも１つの空間部５０９Ａに連通する引き出し部５１０Ａが、第１方向に平面視して少なくとも１つの空間部５０９Ａに重ならない位置に設けられ、圧電層５０２に、第１方向に平面視して引き出し部５１０Ａと重なる位置の圧電層５０２を貫通する貫通孔５１１Ａが設けられる。この場合においても、空間部のスティッキングの抑制と乾燥時間の短縮を両立できる。
　望ましい態様として、支持部材５２０は、誘電体層５２２を備え、誘電体層５２２は、少なくとも１つの空間部５０９Ａ～５０９Ｄが設けられる。これにより、良好な共振特性が得られる弾性波装置を提供することができる。
　望ましい態様として、機能電極は、第１方向に交差する第２方向に延びる１つ以上の第１電極指と、第２方向に直交する第３方向に１つ以上の第１電極指のいずれかと対向し、第２方向に延びる１つ以上の第２電極指と、を有する。これにより、良好な共振特性が得られる弾性波装置を提供することができる。
　望ましい態様として、圧電層２の厚みは、複数の第１電極指３と複数の第２電極指４のうち、隣り合う第１電極指３と第２電極指４との間の中心間距離をｐとした場合に２ｐ以下である。これにより、弾性波装置１を小型化でき、かつＱ値を高めることができる。
　より望ましい態様として、圧電層２は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含む。これにより、良好な共振特性が得られる弾性波装置を提供することができる。
　さらに望ましい態様として、圧電層２を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ、θ、ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある。この場合、比帯域を十分に広くすることができる。
　（０°±１０°、０°～２０°、任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°、２０°～８０°、０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°、２０°～８０°、［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°、［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°、任意のψ）　　…式（３）
　望ましい態様として、弾性波装置は、厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている。これにより、結合係数が高まり、良好な共振特性が得られる弾性波装置を提供することができる。
　望ましい態様として、圧電層２の膜厚をｄ、隣り合う第１電極指３及び第２電極指４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である。これにより、弾性波装置１を小型化でき、かつＱ値を高めることができる。
　さらに望ましい態様として、ｄ／ｐは０．２４以下である。これにより、弾性波装置１を小型化でき、かつＱ値を高めることができる。
　望ましい態様として、隣り合う電極指３、４が対向している方向において重なっている領域が励振領域Ｃであり、励振領域Ｃに対する、複数の電極指３、４のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす。この場合、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。
　望ましい態様として、板波を利用可能に構成されている。これにより、良好な共振特性が得られる弾性波装置を提供することができる。
　なお、上記した実施の形態は、本開示の理解を容易にするためのものであり、本開示を限定して解釈するためのものではない。本開示は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るとともに、本開示にはその等価物も含まれる。
１、１０１、３０１、４０１　弾性波装置
２　圧電層
２ａ　第１の主面
２ｂ　第２の主面
３　電極指（第１電極指）
４　電極指（第２電極指）
５　バスバー電極（第１のバスバー電極）
６　バスバー電極（第２のバスバー電極）
７　誘電体層
８　支持基板
７ａ、８ａ　開口部
９　空間部
１１　貫通孔
２０１　圧電層
２０１ａ　第１の主面
２０１ｂ　第２の主面
２５１　第１領域
２５２　第２領域
３１０、３１１　反射器
４１０、４１１　機能電極
５００、５００Ａ～５００Ｅ　弾性波装置
５０１Ａ、５０１Ｃ　共振子（第１共振子）
５０１Ｂ、５０１Ｄ　共振子（第２共振子）
５０１Ｅ～５０１Ｇ　共振子
５０２　圧電層
５０２ａ　第１の主面
５０２ｂ　第２の主面
５０３Ａ、５０３Ｂ　電極指
５０９Ａ、５０９Ｃ、５０９ＡＣ～５０９ＡＥ　空間部（第１空間部）
５０９Ｂ、５０９Ｄ、５０９ＢＣ～５０９ＢＥ　空間部（第２空間部）
５１０Ａ、５１０Ｃ、５１０ＡＡ～５１０ＡＥ　引き出し部（第１引き出し部）
５１０Ｂ、５１０Ｄ、５１０ＢＡ～５１０ＢＥ　引き出し部（第２引き出し部）
５１１Ａ、５１１Ｃ、５１１ＡＡ、５１１ＡＢ　貫通孔（第１貫通孔）
５１１Ｂ、５１１Ｄ、５１１ＢＡ、５１１ＢＢ　貫通孔（第２貫通孔）
５１２Ａ～５１２Ｄ　配線電極
５１３　入力端子
５１４　出力端子
５１５Ａ、５１５Ｂ　グランド
５２０、５２０Ｃ、５２０Ｄ　支持部材
５２１、５２１Ｃ～５２１Ｅ　支持基板
５２２、５２２Ｃ、５２２Ｄ　誘電体層
Ｃ　励振領域
Ｃｗ１、Ｃｗ２　長さ
Ｅｗ１、Ｅｗ２　幅
ＶＰ１　仮想平面

Claims (17)

  1. 　第１方向に厚みを有する支持基板を備える支持部材と、
    　前記支持部材の前記第１方向に設けられた圧電層と、
    　前記圧電層の前記第１方向に設けられる機能電極をそれぞれ有する複数の共振子と、
    　を備え、
    　前記支持部材は、前記第１方向に平面視して、前記共振子のそれぞれの少なくとも一部が重なる位置に複数の空間部が設けられ、
    　前記複数の空間部は、第１空間部と、前記第１方向に平面視して前記第１空間部よりも面積の大きな第２空間部を含み、
    　前記圧電層に、前記第１空間部に連通する第１貫通孔と、前記第２空間部に連通する第２貫通孔とが設けられ、
    　前記第１方向に平面視して前記第１貫通孔は、第２貫通孔より面積が大きい、弾性波装置。
  2. 　前記第１方向に平面視して前記第２空間部に重なる共振子の面積は、前記第１空間部に重なる共振子の面積より大きい、
    　請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記第１方向に平面視して前記第１空間部に重なる共振子の面積は、前記第２空間部に重なる共振子の面積より大きい、
    　請求項１に記載の弾性波装置。
  4. 　前記第１方向に平面視して前記第１空間部に重なる共振子と前記第２空間部に重なる共振子とは、直列腕共振子または並列腕共振子のいずれか一方である、請求項１から３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  5. 　前記第１方向に平面視して前記第１空間部に重なる共振子と前記第２空間部に重なる共振子とは、受信用共振子または送信用共振子のいずれか一方である、請求項１から３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　前記支持部材は、前記複数の空間部のうち少なくとも１つの空間部に連通する引き出し部が、前記第１方向に平面視して前記少なくとも１つの空間部に重ならない位置に設けられ、
    　前記圧電層に、前記第１方向に平面視して前記引き出し部と重なる位置の前記圧電層を貫通する貫通孔が設けられる、請求項１から５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  7. 　前記支持部材は、誘電体層を備え、
    　前記誘電体層は、少なくとも１つの前記空間部が設けられる、請求項１から５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  8. 　前記機能電極は、前記第１方向に交差する第２方向に延びる１つ以上の第１電極指と、前記第２方向に直交する第３方向に前記１つ以上の第１電極指のいずれかと対向し、前記第２方向に延びる１つ以上の第２電極指と、を有する、請求項１から７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 前記圧電層の厚みは、前記１つ以上の第１電極指と前記１つ以上の第２電極指のうち、隣り合う第１電極指と第２電極指との間の中心間距離をｐとした場合に２ｐ以下である、請求項８に記載の弾性波装置。
  10. 　前記圧電層が、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含む、請求項８または９に記載の弾性波装置。
  11. 　前記ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある、請求項１０に記載の弾性波装置。
    　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
    　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
    　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
  12. 　厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている、請求項８から１１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  13. 　前記圧電層の厚みをｄ、前記１つ以上の第１電極指と前記１つ以上の第２電極指のうち、隣り合う第１電極指と第２電極指との中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐ≦０．５である、請求項１２に記載の弾性波装置。
  14. 　ｄ／ｐが０．２４以下である、請求項１３に記載の弾性波装置。
  15. 　前記機能電極は、前記第１方向に交差する第２方向に延びる１つ以上の第１電極指と、前記第２方向に直交する第３方向に前記１つ以上の第１電極指のいずれかと対向し、前記第２方向に延びる１つ以上の第２電極指と、を有し、隣り合う前記第１電極指と前記第２電極指とが対向している方向に視たときに重なっている領域が励振領域であり、前記励振領域に対する、前記１つ以上の第１電極指及び前記１つ以上の第２電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす、請求項１から７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  16. 　板波を利用可能に構成されている、請求項１から７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  17. 　前記機能電極は、前記第１方向に前記圧電層を挟む上部電極及び下部電極を有する、請求項１から７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
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