WO2023286605A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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WO2023286605A1
WO2023286605A1 PCT/JP2022/025955 JP2022025955W WO2023286605A1 WO 2023286605 A1 WO2023286605 A1 WO 2023286605A1 JP 2022025955 W JP2022025955 W JP 2022025955W WO 2023286605 A1 WO2023286605 A1 WO 2023286605A1
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elastic wave
wave device
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哲也 木村
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present disclosure relates to elastic wave devices.
  • Patent Document 1 describes an elastic wave device.
  • the acoustic wave device shown in Patent Document 1 is required to have a wide bandwidth.
  • the present disclosure aims to solve the above-described problems and to widen the bandwidth.
  • An elastic wave device includes a support member having a thickness in a first direction and including a support substrate, a piezoelectric layer provided on the support member, a piezoelectric layer provided on a principal surface of the piezoelectric layer, and comprising: first electrode fingers extending in a second direction intersecting the first direction, first bus bar electrodes to which the first electrode fingers are connected, and the first electrode fingers extending in a third direction perpendicular to the second direction.
  • an IDT electrode having a second electrode finger facing any one of the electrodes and extending in the second direction; and a second busbar electrode to which the second electrode finger is connected, wherein the support member When viewed from above in one direction, there is a space portion at a position at least partially overlapping with the IDT electrode, and the first electrode finger or the second electrode finger is composed of a base metal layer in contact with the piezoelectric layer and the base metal layer. a first metal layer stacked in layers, wherein the base metal layer contains at least one of Ni, Cr, and Ti; and the piezoelectric layer is located at a position where the base metal layer contacts the first direction. has a diffusion layer containing at least one of Ni, Cr and Ti.
  • the bandwidth can be widened.
  • FIG. 1A is a perspective view showing an elastic wave device according to a first embodiment
  • FIG. 1B is a plan view showing the electrode structure of the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion along line II-II of FIG. 1A.
  • FIG. 3A is a schematic cross-sectional view for explaining Lamb waves propagating through the piezoelectric layer of the comparative example.
  • FIG. 3B is a schematic cross-sectional view for explaining a thickness-shear primary mode bulk wave propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the amplitude direction of a thickness-shear primary mode bulk wave propagating in the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 1A is a perspective view showing an elastic wave device according to a first embodiment
  • FIG. 1B is a plan view showing the electrode structure of the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion along line II
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram showing the relationship between , and the fractional band.
  • FIG. FIG. 7 is a plan view showing an example in which a pair of electrodes are provided in the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 8 is a reference diagram showing an example of resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 9 shows the ratio bandwidth when a large number of elastic wave resonators are configured in the elastic wave device of the first embodiment, and the phase rotation amount of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious. is an explanatory diagram showing the relationship between.
  • FIG. 9 shows the ratio bandwidth when a large number of elastic wave resonators are configured in the elastic wave device of the first embodiment, and the phase rotation amount of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional bandwidth.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram showing a map of the fractional band with respect to the Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is infinitely close to 0.
  • FIG. 12 is a partially cutaway perspective view for explaining the elastic wave device according to the embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing part of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 14 is a diagram showing the resonance frequency with respect to the depth of the diffusion layer.
  • FIG. 15 is a diagram showing the anti-resonance frequency with respect to the depth of the diffusion layer.
  • FIG. 16 is a diagram showing the fractional bandwidth with respect to the depth of the diffusion layer.
  • 17 is a diagram showing a fractional bandwidth with respect to td/tLN of the acoustic wave device according to Test Example 1.
  • FIG. 18 is a diagram illustrating a fractional bandwidth with respect to td/tLN of the elastic wave device according to Test Example 2.
  • FIG. 19 is a diagram illustrating a fractional bandwidth with respect to td/tLN of the elastic wave device according to Test Example 3.
  • FIG. 20 is a diagram showing a fractional bandwidth with respect to td/tLN of the elastic wave device according to Test Example 4.
  • FIG. 21 is a diagram showing a fractional bandwidth with respect to td/tLN of the elastic wave device according to Test Example 5.
  • FIG. FIG. 22 is a diagram showing td/tLN with respect to the thickness tLN of the piezoelectric layer.
  • FIG. 1A is a perspective view showing an elastic wave device according to a first embodiment
  • FIG. 1B is a plan view showing the electrode structure of the first embodiment.
  • the elastic wave device 1 of the first embodiment has a piezoelectric layer 2 made of LiNbO 3 .
  • the piezoelectric layer 2 may consist of LiTaO 3 .
  • the cut angle of LiNbO 3 and LiTaO 3 is Z-cut in the first embodiment.
  • the cut angles of LiNbO 3 and LiTaO 3 may be rotated Y-cut or X-cut.
  • the Y-propagation and X-propagation ⁇ 30° propagation orientations are preferred.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is not particularly limited, it is preferably 50 nm or more and 1000 nm or less in order to effectively excite the thickness shear primary mode.
  • the piezoelectric layer 2 has a first main surface 2a and a second main surface 2b facing each other in the Z direction. Electrode fingers 3 and 4 are provided on the first main surface 2a.
  • the electrode finger 3 is an example of the "first electrode finger” and the electrode finger 4 is an example of the "second electrode finger”.
  • the multiple electrode fingers 3 are multiple “first electrode fingers” connected to the first busbar electrodes 5 .
  • the multiple electrode fingers 4 are multiple “second electrode fingers” connected to the second busbar electrodes 6 .
  • the plurality of electrode fingers 3 and the plurality of electrode fingers 4 are interdigitated with each other.
  • an IDT (Interdigital Transducer) electrode including electrode fingers 3 , electrode fingers 4 , first busbar electrodes 5 , and second busbar electrodes 6 is configured.
  • the electrode fingers 3 and 4 have a rectangular shape and a length direction.
  • the electrode finger 3 and the electrode finger 4 adjacent to the electrode finger 3 face each other in a direction perpendicular to the length direction.
  • Both the length direction of the electrode fingers 3 and 4 and the direction orthogonal to the length direction of the electrode fingers 3 and 4 are directions that intersect the thickness direction of the piezoelectric layer 2 . Therefore, it can be said that the electrode finger 3 and the electrode finger 4 adjacent to the electrode finger 3 face each other in the direction intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer 2 .
  • the thickness direction of the piezoelectric layer 2 is defined as the Z direction (or first direction)
  • the length direction of the electrode fingers 3 and 4 is defined as the Y direction (or second direction)
  • the electrode fingers 3 and 4 4 may be described as the X direction (or the third direction).
  • the length direction of the electrode fingers 3 and 4 may be interchanged with the direction orthogonal to the length direction of the electrode fingers 3 and 4 shown in FIGS. 1A and 1B. That is, in FIGS. 1A and 1B, the electrode fingers 3 and 4 may extend in the direction in which the first busbar electrodes 5 and the second busbar electrodes 6 extend. In that case, the first busbar electrode 5 and the second busbar electrode 6 extend in the direction in which the electrode fingers 3 and 4 extend in FIGS. 1A and 1B.
  • a pair of structures in which the electrode fingers 3 connected to one potential and the electrode fingers 4 connected to the other potential are adjacent to each other are arranged in a direction perpendicular to the length direction of the electrode fingers 3 and 4. Multiple pairs are provided.
  • the electrode finger 3 and the electrode finger 4 are adjacent to each other, not when the electrode finger 3 and the electrode finger 4 are arranged so as to be in direct contact, but when the electrode finger 3 and the electrode finger 4 are arranged with a gap therebetween. It refers to the case where the When the electrode finger 3 and the electrode finger 4 are adjacent to each other, there are electrodes connected to the hot electrode and the ground electrode, including other electrode fingers 3 and 4, between the electrode finger 3 and the electrode finger 4. is not placed.
  • the logarithms need not be integer pairs, but may be 1.5 pairs, 2.5 pairs, or the like.
  • the center-to-center distance, that is, the pitch, between the electrode fingers 3 and 4 is preferably in the range of 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less. Further, the center-to-center distance between the electrode fingers 3 and 4 means the center of the width dimension of the electrode fingers 3 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode fingers 3 and the distance orthogonal to the length direction of the electrode fingers 4 . It is the distance connecting the center of the width dimension of the electrode finger 4 in the direction of
  • the electrode fingers 3 and 4 when at least one of the electrode fingers 3 and 4 is plural (when there are 1.5 or more pairs of electrodes when the electrode fingers 3 and 4 are paired as a pair of electrode pairs), the electrode fingers 3.
  • the center-to-center distance of the electrode fingers 4 refers to the average value of the center-to-center distances of adjacent electrode fingers 3 and electrode fingers 4 among 1.5 or more pairs of electrode fingers 3 and electrode fingers 4 .
  • the width of the electrode fingers 3 and 4 that is, the dimension in the facing direction of the electrode fingers 3 and 4 is preferably in the range of 150 nm or more and 1000 nm or less.
  • the center-to-center distance between the electrode fingers 3 and 4 is the distance between the center of the dimension (width dimension) of the electrode finger 3 in the direction perpendicular to the length direction of the electrode finger 3 and the length of the electrode finger 4. It is the distance connecting the center of the dimension (width dimension) of the electrode finger 4 in the direction orthogonal to the direction.
  • the direction orthogonal to the length direction of the electrode fingers 3 and 4 is the direction orthogonal to the polarization direction of the piezoelectric layer 2 .
  • “perpendicular” is not limited to being strictly perpendicular, but substantially perpendicular (the angle formed by the direction perpendicular to the length direction of the electrode fingers 3 and electrode fingers 4 and the polarization direction is, for example, 90° ⁇ 10°).
  • a support substrate 8 is laminated on the second main surface 2b side of the piezoelectric layer 2 with an intermediate layer 7 interposed therebetween.
  • the intermediate layer 7 and the support substrate 8 have a frame shape and, as shown in FIG. 2, openings 7a and 8a.
  • a space (air gap) 9 is thereby formed.
  • the space 9 is provided so as not to disturb the vibration of the excitation region C of the piezoelectric layer 2 . Therefore, the support substrate 8 is laminated on the second main surface 2b with the intermediate layer 7 interposed therebetween at a position not overlapping the portion where at least one pair of electrode fingers 3 and 4 are provided. Note that the intermediate layer 7 may not be provided. Therefore, the support substrate 8 can be directly or indirectly laminated to the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2 .
  • the intermediate layer 7 is made of silicon oxide.
  • the intermediate layer 7 can be formed of an appropriate material other than silicon oxide, such as silicon nitride and alumina.
  • the support substrate 8 is made of Si.
  • the plane orientation of the surface of Si on the piezoelectric layer 2 side may be (100), (110), or (111).
  • high-resistance Si having a resistivity of 4 k ⁇ or more is desirable.
  • the support substrate 8 can also be constructed using an appropriate insulating material or semiconductor material.
  • Materials for the support substrate 8 include, for example, aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric materials such as crystal, alumina, magnesia, sapphire, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, and steer.
  • Various ceramics such as tight and forsterite, dielectrics such as diamond and glass, and semiconductors such as gallium nitride can be used.
  • the plurality of electrode fingers 3, electrode fingers 4, first busbar electrodes 5, and second busbar electrodes 6 are made of appropriate metals or alloys such as Al and AlCu alloys.
  • the electrode fingers 3, the electrode fingers 4, the first busbar electrodes 5, and the second busbar electrodes 6 have a structure in which an Al film is laminated on a Ti film. Note that an adhesion layer other than the Ti film may be used.
  • an AC voltage is applied between the multiple electrode fingers 3 and the multiple electrode fingers 4 . More specifically, an AC voltage is applied between the first busbar electrode 5 and the second busbar electrode 6 . As a result, it is possible to obtain resonance characteristics using a thickness-shear primary mode bulk wave excited in the piezoelectric layer 2 .
  • d/p is set to 0.5 or less.
  • the thickness-shear primary mode bulk wave is effectively excited, and good resonance characteristics can be obtained. More preferably, d/p is 0.24 or less, in which case even better resonance characteristics can be obtained.
  • the electrode fingers 3 and the electrode fingers 4 When at least one of the electrode fingers 3 and the electrode fingers 4 is plural as in the first embodiment, that is, when the electrode fingers 3 and the electrode fingers 4 form a pair of electrodes, the electrode fingers 3 and the electrode fingers When there are 1.5 pairs or more of 4, the center-to-center distance p between the adjacent electrode fingers 3 and 4 is the average distance between the center-to-center distances between the adjacent electrode fingers 3 and 4 .
  • the acoustic wave device 1 of the first embodiment has the above configuration, even if the logarithms of the electrode fingers 3 and 4 are reduced in an attempt to reduce the size, the Q value is unlikely to decrease. This is because the resonator does not require reflectors on both sides, and the propagation loss is small. The reason why the above reflector is not required is that the bulk wave of the thickness-shlip primary mode is used.
  • FIG. 3A is a schematic cross-sectional view for explaining Lamb waves propagating through the piezoelectric layer of the comparative example.
  • FIG. 3B is a schematic cross-sectional view for explaining a thickness-shear primary mode bulk wave propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the amplitude direction of a thickness-shear primary mode bulk wave propagating in the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 3A shows an acoustic wave device as described in Patent Document 1, in which Lamb waves propagate through the piezoelectric layer.
  • waves propagate through the piezoelectric layer 201 as indicated by arrows.
  • the piezoelectric layer 201 has a first principal surface 201a and a second principal surface 201b, and the thickness direction connecting the first principal surface 201a and the second principal surface 201b is the Z direction.
  • the X direction is the direction in which the electrode fingers 3 and 4 of the IDT electrodes are aligned.
  • the wave propagates in the X direction as shown.
  • the wave is generated between the first main surface 2a and the second main surface 2a of the piezoelectric layer 2. It propagates almost in the direction connecting the surface 2b, that is, in the Z direction, and resonates. That is, the X-direction component of the wave is significantly smaller than the Z-direction component. Further, since resonance characteristics are obtained by propagating waves in the Z direction, no reflector is required. Therefore, no propagation loss occurs when propagating to the reflector. Therefore, even if the number of electrode pairs consisting of the electrode fingers 3 and 4 is reduced in an attempt to promote miniaturization, the Q value is unlikely to decrease.
  • the amplitude direction of the bulk wave of the primary thickness-shear mode is the first region 251 included in the excitation region C (see FIG. 1B) of the piezoelectric layer 2 and the first region 251 included in the excitation region C (see FIG. 1B). 2 area 252 is reversed.
  • FIG. 4 schematically shows bulk waves when a voltage is applied between the electrode fingers 3 so that the electrode fingers 4 have a higher potential than the electrode fingers 3 .
  • the first region 251 is a region of the excitation region C between the virtual plane VP1 that is perpendicular to the thickness direction of the piezoelectric layer 2 and bisects the piezoelectric layer 2 and the first main surface 2a.
  • the second region 252 is a region of the excitation region C between the virtual plane VP1 and the second main surface 2b.
  • At least one pair of electrodes consisting of the electrode fingers 3 and 4 is arranged. It is not always necessary to have a plurality of pairs of electrode pairs. That is, it is sufficient that at least one pair of electrodes is provided.
  • the electrode finger 3 is an electrode connected to a hot potential
  • the electrode finger 4 is an electrode connected to a ground potential.
  • the electrode finger 3 may be connected to the ground potential and the electrode finger 4 to the hot potential.
  • the at least one pair of electrodes are, as described above, electrodes connected to a hot potential or electrodes connected to a ground potential, and no floating electrodes are provided.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • the design parameters of the acoustic wave device 1 that obtained the resonance characteristics shown in FIG. 5 are as follows.
  • Piezoelectric layer 2 LiNbO3 with Euler angles (0°, 0°, 90°) Thickness of piezoelectric layer 2: 400 nm
  • Length of excitation region C (see FIG. 1B): 40 ⁇ m Number of electrode pairs consisting of electrode fingers 3 and 4: 21 pairs Center-to-center distance (pitch) between electrode fingers 3 and 4: 3 ⁇ m Width of electrode fingers 3 and 4: 500 nm d/p: 0.133
  • Middle layer 7 Silicon oxide film with a thickness of 1 ⁇ m
  • Support substrate 8 Si
  • the excitation region C (see FIG. 1B) is a region where the electrode fingers 3 and 4 overlap when viewed in the X direction perpendicular to the length direction of the electrode fingers 3 and 4. .
  • the length of the excitation region C is the dimension along the length direction of the electrode fingers 3 and 4 of the excitation region C. As shown in FIG.
  • the inter-electrode distances of the electrode pairs consisting of the electrode fingers 3 and 4 are all equal in a plurality of pairs. That is, the electrode fingers 3 and the electrode fingers 4 are arranged at equal pitches.
  • d/p is 0.5 or less, more preferably 0. .24 or less. This will be explained with reference to FIG.
  • FIG. It is an explanatory view showing the relationship with the fractional bandwidth as.
  • At least one pair of electrodes may be one pair, and the above p is the center-to-center distance between adjacent electrode fingers 3 and 4 in the case of one pair of electrodes. In the case of 1.5 pairs or more of electrodes, the average distance between the centers of adjacent electrode fingers 3 and 4 should be p.
  • the thickness d of the piezoelectric layer 2 if the piezoelectric layer 2 has variations in thickness, a value obtained by averaging the thickness may be adopted.
  • FIG. 7 is a plan view showing an example in which a pair of electrodes are provided in the elastic wave device of the first embodiment.
  • a pair of electrodes having electrode fingers 3 and 4 are provided on first main surface 2 a of piezoelectric layer 2 .
  • K in FIG. 7 is the intersection width.
  • the number of pairs of electrodes may be one. Even in this case, if the above d/p is 0.5 or less, it is possible to effectively excite the bulk wave in the primary mode of thickness shear.
  • the excitation region is an overlapping region of the plurality of electrode fingers 3 and 4 when viewed in the direction in which any adjacent electrode fingers 3 and 4 are facing each other. It is desirable that the metallization ratio MR of the adjacent electrode fingers 3 and 4 with respect to the region C satisfies MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075. In that case, spurious can be effectively reduced. This will be described with reference to FIGS. 8 and 9. FIG.
  • FIG. 8 is a reference diagram showing an example of resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • a spurious signal indicated by an arrow B appears between the resonance frequency and the anti-resonance frequency.
  • d/p 0.08 and the Euler angles of LiNbO 3 (0°, 0°, 90°).
  • the metallization ratio MR was set to 0.35.
  • the metallization ratio MR will be explained with reference to FIG. 1B.
  • the excitation region C is the portion surrounded by the dashed-dotted line.
  • the excitation region C is a region where the electrode fingers 3 and 4 overlap with the electrode fingers 4 when viewed in a direction perpendicular to the length direction of the electrode fingers 3 and 4, that is, in a facing direction. a region where the electrode fingers 3 overlap each other; and a region between the electrode fingers 3 and 4 where the electrode fingers 3 and 4 overlap each other.
  • the area of the electrode fingers 3 and 4 in the excitation region C with respect to the area of the excitation region C is the metallization ratio MR. That is, the metallization ratio MR is the ratio of the area of the metallization portion to the area of the excitation region C.
  • the ratio of the metallization portion included in the entire excitation region C to the total area of the excitation region C should be MR.
  • FIG. 9 shows the ratio bandwidth when a large number of elastic wave resonators are configured in the elastic wave device of the first embodiment, and the phase rotation amount of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious. is an explanatory diagram showing the relationship between. The ratio band was adjusted by changing the film thickness of the piezoelectric layer 2 and the dimensions of the electrode fingers 3 and 4 .
  • FIG. 9 shows the results when the piezoelectric layer 2 made of Z-cut LiNbO 3 is used, but the same tendency is obtained when the piezoelectric layer 2 with other cut angles is used.
  • the spurious is as large as 1.0.
  • the fractional band exceeds 0.17, that is, exceeds 17%, a large spurious with a spurious level of 1 or more changes the parameters constituting the fractional band, even if the passband appear within. That is, as in the resonance characteristics shown in FIG. 8, a large spurious component indicated by arrow B appears within the band. Therefore, the specific bandwidth is preferably 17% or less. In this case, by adjusting the film thickness of the piezoelectric layer 2 and the dimensions of the electrode fingers 3 and 4, the spurious response can be reduced.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional bandwidth.
  • various elastic wave devices 1 with different d/2p and MR were configured, and the fractional bandwidth was measured.
  • the hatched portion on the right side of the dashed line D in FIG. 10 is the area where the fractional bandwidth is 17% or less.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram showing a map of the fractional band with respect to the Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is infinitely close to 0.
  • FIG. A hatched portion in FIG. 11 is a region where a fractional bandwidth of at least 5% or more is obtained. When the range of the area is approximated, it becomes the range represented by the following formulas (2), (3) and (4).
  • Equation (2) (0° ⁇ 10°, 0° to 20°, arbitrary ⁇ ) Equation (2) (0° ⁇ 10°, 20° to 80°, 0° to 60° (1-( ⁇ -50) 2 /900) 1/2 ) or (0° ⁇ 10°, 20° to 80°, [180 °-60° (1-( ⁇ -50) 2 /900) 1/2 ] ⁇ 180°) Equation (3) (0° ⁇ 10°, [180°-30°(1-( ⁇ -90) 2 /8100) 1/2 ] ⁇ 180°, arbitrary ⁇ ) Equation (4)
  • the fractional band can be sufficiently widened, which is preferable.
  • FIG. 12 is a partially cutaway perspective view for explaining the elastic wave device according to the embodiment of the present disclosure.
  • the outer peripheral edge of the space 9 is indicated by a dashed line.
  • the elastic wave device of the present disclosure may utilize plate waves.
  • the elastic wave device 301 has reflectors 310 and 311 as shown in FIG. Reflectors 310 and 311 are provided on both sides of the electrode fingers 3 and 4 of the piezoelectric layer 2 in the acoustic wave propagation direction.
  • a Lamb wave as a plate wave is excited by applying an AC electric field to the electrode fingers 3 and 4 on the space 9.
  • the reflectors 310 and 311 are provided on both sides, it is possible to obtain resonance characteristics due to Lamb waves as Lamb waves.
  • the elastic wave devices 1 and 101 use bulk waves in the primary mode of thickness shear.
  • the first electrode finger 3 and the second electrode finger 4 are adjacent electrodes, the thickness of the piezoelectric layer 2 is d, and the center of the first electrode finger 3 and the second electrode finger 4 is d/p is set to 0.5 or less, where p is the distance between them.
  • the Q value can be increased even if the elastic wave device is miniaturized.
  • piezoelectric layer 2 is made of lithium niobate or lithium tantalate.
  • the first principal surface 2a or the second principal surface 2b of the piezoelectric layer 2 has first electrode fingers 3 and second electrode fingers 4 facing each other in a direction intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer 2. It is desirable to cover the finger 3 and the second electrode finger 4 with a protective film.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing part of the elastic wave device according to the first embodiment. More specifically, FIG. 13 is a sectional view showing only part of the piezoelectric layer 2, one first electrode finger 3 and one second electrode finger 4 of the acoustic wave device according to the first embodiment. In the following description, of the directions parallel to the Z direction, one direction may be described as upward and the other direction may be described as downward.
  • the piezoelectric layer 2 is provided on a supporting member (not shown).
  • the support member is a member provided with the support substrate 8 . Note that the support member may further include an intermediate layer 7 provided on the support substrate 8 .
  • the first electrode finger 3 or the second electrode finger 4 includes a base metal layer 10 and a first metal layer 11 .
  • the base metal layer 10 is a metal layer in contact with the piezoelectric layer 2 .
  • the base metal layer 10 is provided so as to be in contact with the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2 .
  • the base metal layer 10 contains at least one of Ni, Cr and Ti.
  • the base metal layer 10 is, for example, Ni, Cr, or Ti, but is not limited to a single metal, and may be an alloy such as nichrome.
  • the first metal layer 11 is a metal layer laminated on the underlying metal layer 10 . That is, the base metal layer 10 is provided between the piezoelectric layer 2 and the first metal layer 11 in the Z direction.
  • the material of the first metal layer 11 is not particularly limited, and is made of an appropriate metal or alloy such as Al or an AlCu alloy.
  • the piezoelectric layer 2 has a diffusion layer 12 as shown in FIG.
  • the diffusion layer 12 is a layer generated by diffusing the components of the underlying metal layer 10 into the piezoelectric layer 2 located in contact with the underlying metal layer 10 in the Z direction due to heat during manufacturing or operation. .
  • the diffusion layer 12 is in contact with the base metal layer 10 in the Z direction.
  • the diffusion layer 12 is located on the first main surface 2 a of the piezoelectric layer 2 and is in contact with the base metal layer 10 .
  • the diffusion layer 12 contains at least one of Ni, Cr, and Ti, which are components of the underlying metal layer 10 .
  • the diffusion layer 12 contains a mixture of the components of the piezoelectric layer 2 and the components of the base metal layer 10 .
  • the diffusion layer 12 is a portion of the piezoelectric layer 2 that contains at least one of Ni, Cr, and Ti. Thereby, the bandwidth can be made wider than when the piezoelectric layer 2 does not have the diffusion layer 12 .
  • the maximum length of the diffusion layer 12 in the Z direction may be described as the depth of the diffusion layer 12.
  • the depth of the diffusion layer 12 is measured by observing a cross section of the elastic wave device parallel to the Z direction, including the cross section of the electrode fingers, with a TEM (Transmission Electron Microscope).
  • the method for measuring the depth of the diffusion layer 12 is not limited to this, and may be measured by EDX (Energy Dispersive X-ray Spectrometry) or Raman spectroscopy.
  • the maximum length in the Z direction of the region of the piezoelectric layer 2 containing at least one of Ni, Cr, and Ti is It may be the depth of the diffusion layer 12 .
  • FIG. 14 is a diagram showing the resonance frequency with respect to the depth of the diffusion layer.
  • FIG. 15 is a diagram showing the anti-resonance frequency with respect to the depth of the diffusion layer.
  • FIG. 16 is a diagram showing the fractional bandwidth with respect to the depth of the diffusion layer.
  • the resonance frequency changes from a decrease to an increase.
  • the antiresonance frequency increases as the depth of the diffusion layer 12 increases. Therefore, as shown in FIG. 16, by making the depth of the diffusion layer 12 larger than 0 ⁇ m, the fractional bandwidth can be made larger than when the depth of the diffusion layer 12 is 0 ⁇ m. Accordingly, the piezoelectric layer 2 having the diffusion layer 12 can widen the bandwidth as compared with the case where the piezoelectric layer 2 does not have the diffusion layer 12 .
  • test examples of the elastic wave device according to the first embodiment simulation models of the elastic wave devices according to Test Examples 1 to 5 were created with the following design parameters and different thicknesses of the piezoelectric layer 2 .
  • the fractional bandwidth was calculated on the assumption that the material (Ti) of the base metal layer 10 was isotropically diffused into the piezoelectric layer 2 .
  • protective films are provided on the piezoelectric layer 2 and the electrode fingers 3 and 4 .
  • Piezoelectric layer 2 LiNbO3 with Euler angles (0°, 0°, 90°)
  • First metal layer 11 Al Thickness of first metal layer 11: 500 nm Center-to-center distance between electrode fingers 3 and 4: 4.16 ⁇ m
  • Base metal layer 10 Ti Thickness of underlying metal layer 10: 10 nm
  • Protective film SiO2 Protective film thickness: 133 nm
  • FIG. 17 is a diagram showing the fractional bandwidth with respect to td/tLN of the elastic wave device according to Test Example 1.
  • td/tLN is a value obtained by dividing the depth td of the diffusion layer 12 by the thickness tLN of the piezoelectric layer 2 .
  • Test Example 1 is a test example in which the thickness tLN of the piezoelectric layer 2 is 300 nm. As shown in FIG. 17, in Test Example 1, when td/tLN is 0.29 or less, the fractional bandwidth can be made wider than when td/tLN is 0.
  • FIG. Test Example 2 is a test example in which the thickness tLN of the piezoelectric layer 2 is set to 400 nm. As shown in FIG. 18, in Test Example 3, when td/tLN is 0.53 or less, the fractional bandwidth can be made wider than when td/tLN is 0.
  • FIG. Test Example 3 is a test example in which the thickness tLN of the piezoelectric layer 2 is set to 500 nm. As shown in FIG. 19, in Test Example 3, when td/tLN is 0.66 or less, the fractional bandwidth can be made wider than when td/tLN is 0.
  • FIG. Test Example 4 is a test example in which the thickness tLN of the piezoelectric layer 2 is 600 nm. As shown in FIG. 20, in Test Example 4, when td/tLN is 0.71 or less, the fractional bandwidth can be made wider than when td/tLN is 0.
  • FIG. Test Example 5 is a test example in which the thickness tLN of the piezoelectric layer 2 is 700 nm. As shown in FIG. 21, in Test Example 5, when td/tLN is 0.68 or less, the fractional bandwidth can be made wider than when td/tLN is 0.
  • FIG. 22 is a diagram showing td/tLN with respect to the thickness tLN of the piezoelectric layer.
  • FIG. 22 plots the upper limit of the range of td/tLN that can widen the fractional bandwidth in Test Examples 1 to 5.
  • the fractional bandwidth can be increased in the hatched region E in FIG. Therefore, by setting the thickness tLN of the piezoelectric layer to 100 nm or more and 1000 nm or less, the fractional bandwidth can be reliably increased, so that the bandwidth can be reliably increased.
  • the range of the region E is approximated, it becomes the range represented by the formula (1).
  • the fractional bandwidth can be reliably increased compared to the case where the diffusion layer 12 is not provided. , the bandwidth can be reliably increased.
  • the elastic wave device has a thickness in the first direction and includes a support member including the support substrate 8, the piezoelectric layer 2 provided on the support member, and the piezoelectric layer 2 (first main surface 2a) and extending in a second direction intersecting the first direction; and first busbar electrodes 5 to which the first electrode fingers 3 are connected. , a second electrode finger 4 facing any one of the first electrode fingers 3 in a third direction orthogonal to the second direction and extending in the second direction, and a second busbar electrode 6 to which the second electrode finger 4 is connected.
  • the support member has a space portion 9 at a position at least partially overlapping with the IDT electrode when viewed in plan in the first direction
  • the first electrode finger 3 or the second electrode finger 4 has a base metal layer 10 in contact with the main surface of the piezoelectric layer 2 and a first metal layer 11 laminated on the base metal layer 10, the base metal layer 10 being at least one of Ni, Cr and Ti.
  • the piezoelectric layer 2 has a diffusion layer 12 containing at least one of Ni, Cr and Ti at a position where the underlying metal layer 10 contacts in the first direction. Thereby, the bandwidth can be widened.
  • the depth td [nm] of the diffusion layer 12 by the thickness tLN [nm] of the piezoelectric layer 2 is td/tLN
  • the depth td [nm] of the diffusion layer 12 and the piezoelectric layer 2 The thickness tLN [nm] satisfies the following formula (1). Thereby, the bandwidth can be reliably widened.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is 100 nm or more and 1000 nm or less. Thereby, the bandwidth can be reliably widened.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is determined when p is the center-to-center distance between the adjacent first electrode fingers 3 and second electrode fingers 4 of the first electrode fingers 3 and the second electrode fingers 4. is less than or equal to 2p.
  • the piezoelectric layer 2 contains lithium niobate or lithium tantalate. As a result, it is possible to provide an elastic wave device capable of obtaining good resonance characteristics.
  • it is configured to be able to use bulk waves in the thickness-shlip mode. As a result, it is possible to provide an elastic wave device with a high coupling coefficient and good resonance characteristics.
  • d/p 0.5, where d is the thickness of the piezoelectric layer 2 and p is the center-to-center distance between the adjacent first electrode fingers 3 and second electrode fingers 4 .
  • a more desirable aspect is that d/p is 0.24 or less. Thereby, the acoustic wave device 1 can be miniaturized and the Q value can be increased.
  • the region where the first electrode fingers 3 and the second electrode fingers 4 overlap when viewed in the third direction is the excitation region C, and the first electrode fingers 3 and the second electrode fingers with respect to the excitation region C.
  • MR.ltoreq.1.75(d/p)+0.075 where MR is the metallization ratio of 4.
  • the fractional bandwidth can be reliably set to 17% or less.
  • the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of lithium niobate or lithium tantalate are within the range of formula (2), formula (3), or formula (4) below.
  • the fractional bandwidth can be widened sufficiently.
  • Equation (2) (0° ⁇ 10°, 0° to 20°, arbitrary ⁇ ) Equation (2) (0° ⁇ 10°, 20° to 80°, 0° to 60° (1-( ⁇ -50) 2 /900) 1/2 ) or (0° ⁇ 10°, 20° to 80°, [180 °-60° (1-( ⁇ -50) 2 /900) 1/2 ] ⁇ 180°) Equation (3) (0° ⁇ 10°, [180°-30°(1-( ⁇ -90) 2 /8100) 1/2 ] ⁇ 180°, arbitrary ⁇ ) Equation (4)

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Abstract

帯域幅を広くする。弾性波装置は、第１方向に厚みを有し、支持基板を備える支持部材と、支持部材の上に設けられた圧電層と、圧電層の主面に設けられ、第１方向に交差する第２方向に延びる第１電極指と、第１電極指が接続された第１のバスバー電極と、第２方向に直交する第３方向に第１電極指のいずれかと対向し、第２方向に延びる第２電極指と、第２電極指が接続された第２のバスバー電極と、を有するＩＤＴ電極と、を備える。支持部材には、第１方向に平面視して、ＩＤＴ電極と少なくとも一部が重なる位置に空間部があり、第１電極指又は第２電極指は、圧電層に接する下地金属層と、下地金属層に積層された第１金属層を有し、下地金属層は、Ｎｉ、Ｃｒ及びＴｉのうち、少なくとも１つを含み、圧電層は、下地金属層が第１方向に接する位置に、Ｎｉ、Ｃｒ及びＴｉのうち、少なくとも１つを含む拡散層を有する。

Description

弾性波装置
　本開示は、弾性波装置に関する。
　特許文献１には、弾性波装置が記載されている。
特開２０１２－２５７０１９号公報
　特許文献１に示す弾性波装置は、帯域幅を広くすることが求められている。
　本開示は、上述した課題を解決するものであり、帯域幅を広くすることを目的とする。
　一態様に係る弾性波装置は、第１方向に厚みを有し、支持基板を備える支持部材と、前記支持部材の上に設けられた圧電層と、前記圧電層の主面に設けられ、前記第１方向に交差する第２方向に延びる第１電極指と、前記第１電極指が接続された第１のバスバー電極と、前記第２方向に直交する第３方向に前記第１電極指のいずれかと対向し、前記第２方向に延びる第２電極指と、前記第２電極指が接続された第２のバスバー電極と、を有するＩＤＴ電極と、を備え、前記支持部材には、前記第１方向に平面視して、前記ＩＤＴ電極と少なくとも一部が重なる位置に空間部があり、前記第１電極指又は前記第２電極指は、前記圧電層に接する下地金属層と、前記下地金属層に積層された第１金属層を有し、前記下地金属層は、Ｎｉ、Ｃｒ及びＴｉのうち、少なくとも１つを含み、前記圧電層は、前記下地金属層が前記第１方向に接する位置に、Ｎｉ、Ｃｒ及びＴｉのうち、少なくとも１つを含む拡散層を有する。
　本開示によれば、帯域幅を広くすることができる。
図１Ａは、第１実施形態の弾性波装置を示す斜視図である。 図１Ｂは、第１実施形態の電極構造を示す平面図である。 図２は、図１ＡのＩＩ－ＩＩ線に沿う部分の断面図である。 図３Ａは、比較例の圧電層を伝播するラム波を説明するための模式的な断面図である。 図３Ｂは、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。 図４は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。 図５は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。 図６は、第１実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離または中心間距離の平均距離をｐ、圧電層の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。 図７は、第１実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す平面図である。 図８は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。 図９は、第１実施形態の弾性波装置の、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す説明図である。 図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す説明図である。 図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°、θ、ψ）に対する比帯域のマップを示す説明図である。 図１２は、本開示の実施形態に係る弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。 図１３は、第１実施形態に係る弾性波装置の一部を示す断面図である。 図１４は、拡散層の深さに対する共振周波数を示す図である。 図１５は、拡散層の深さに対する反共振周波数を示す図である。 図１６は、拡散層の深さに対する比帯域幅を示す図である。 図１７は、試験例１に係る弾性波装置のｔｄ／ｔＬＮに対する比帯域幅を示す図である。 図１８は、試験例２に係る弾性波装置のｔｄ／ｔＬＮに対する比帯域幅を示す図である。 図１９は、試験例３に係る弾性波装置のｔｄ／ｔＬＮに対する比帯域幅を示す図である。 図２０は、試験例４に係る弾性波装置のｔｄ／ｔＬＮに対する比帯域幅を示す図である。 図２１は、試験例５に係る弾性波装置のｔｄ／ｔＬＮに対する比帯域幅を示す図である。 図２２は、圧電層の厚みｔＬＮに対するｔｄ／ｔＬＮを示す図である。
　以下に、本開示の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態により本開示が限定されるものではない。なお、本開示に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能である変形例や第２実施の形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
　（第１実施形態）
　図１Ａは、第１実施形態の弾性波装置を示す斜視図である。図１Ｂは、第１実施形態の電極構造を示す平面図である。
　第１実施形態の弾性波装置１は、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電層２を有する。圧電層２は、ＬｉＴａＯ３からなるものであってもよい。ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３のカット角は、第１実施形態では、Ｚカットである。ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３のカット角は、回転ＹカットやＸカットであってもよい。好ましくは、Ｙ伝搬及びＸ伝搬±３０°の伝搬方位が好ましい。
　圧電層２の厚みは、特に限定されないが、厚み滑り１次モードを効果的に励振するには、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下が好ましい。
　圧電層２は、Ｚ方向に対向し合う第１の主面２ａと、第２の主面２ｂとを有する。第１の主面２ａ上に、電極指３及び電極指４が設けられている。
　ここで電極指３が「第１電極指」の一例であり、電極指４が「第２電極指」の一例である。図１Ａ及び図１Ｂでは、複数の電極指３は、第１のバスバー電極５に接続されている複数の「第１電極指」である。複数の電極指４は、第２のバスバー電極６に接続されている複数の「第２電極指」である。複数の電極指３及び複数の電極指４は、互いに間挿し合っている。これにより、電極指３と、電極指４と、第１のバスバー電極５と、第２のバスバー電極６と、を備えるＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｕｄｕｃｅｒ）電極が構成される。
　電極指３及び電極指４は、矩形形状を有し、長さ方向を有する。この長さ方向と直交する方向において、電極指３と、電極指３と隣接する電極指４とが対向している。電極指３、電極指４の長さ方向、及び、電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向はいずれも、圧電層２の厚み方向に交差する方向である。このため、電極指３と、電極指３と隣接する電極指４とは、圧電層２の厚み方向に交差する方向において対向しているともいえる。以下の説明では、圧電層２の厚み方向をＺ方向（または第１方向）とし、電極指３、電極指４の長さ方向をＹ方向（または第２方向）とし、電極指３、電極指４の直交する方向をＸ方向（または第３方向）として、説明することがある。
　また、電極指３、電極指４の長さ方向が図１Ａ及び図１Ｂに示す電極指３、電極指４の長さ方向に直交する方向と入れ替わってもよい。すなわち、図１Ａ及び図１Ｂにおいて、第１のバスバー電極５及び第２のバスバー電極６が延びている方向に電極指３、電極指４を延ばしてもよい。その場合、第１のバスバー電極５及び第２のバスバー電極６は、図１Ａ及び図１Ｂにおいて電極指３、電極指４が延びている方向に延びることとなる。そして、一方電位に接続される電極指３と、他方電位に接続される電極指４とが隣り合う１対の構造が、上記電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向に、複数対設けられている。
　ここで電極指３と電極指４とが隣り合うとは、電極指３と電極指４とが直接接触するように配置されている場合ではなく、電極指３と電極指４とが間隔を介して配置されている場合を指す。また、電極指３と電極指４とが隣り合う場合、電極指３と電極指４との間には、他の電極指３、電極指４を含む、ホット電極やグラウンド電極に接続される電極は配置されない。この対数は、整数対である必要はなく、１．５対や２．５対などであってもよい。
　電極指３と電極指４との間の中心間距離すなわちピッチは、１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲が好ましい。また、電極指３と電極指４との間の中心間距離とは、電極指３の長さ方向と直交する方向における電極指３の幅寸法の中心と、電極指４の長さ方向と直交する方向における電極指４の幅寸法の中心とを結んだ距離となる。
　さらに、電極指３、電極指４の少なくとも一方が複数本ある場合（電極指３、電極指４を一対の電極組とした場合に、１．５対以上の電極組がある場合）、電極指３、電極指４の中心間距離は、１．５対以上の電極指３、電極指４のうち隣り合う電極指３、電極指４それぞれの中心間距離の平均値を指す。
　また、電極指３、電極指４の幅、すなわち電極指３、電極指４の対向方向の寸法は、１５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲が好ましい。なお、電極指３と電極指４との間の中心間距離とは、電極指３の長さ方向と直交する方向における電極指３の寸法（幅寸法）の中心と、電極指４の長さ方向と直交する方向における電極指４の寸法（幅寸法）の中心とを結んだ距離となる。
　また、第１実施形態では、Ｚカットの圧電層を用いているため、電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向は、圧電層２の分極方向に直交する方向となる。圧電層２として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交（電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば９０°±１０°）でもよい。
　圧電層２の第２の主面２ｂ側には、中間層７を介して支持基板８が積層されている。中間層７及び支持基板８は、枠状の形状を有し、図２に示すように、開口部７ａ、８ａを有する。それによって、空間部（エアギャップ）９が形成されている。
　空間部９は、圧電層２の励振領域Ｃの振動を妨げないために設けられている。従って、上記支持基板８は、少なくとも１対の電極指３、電極指４が設けられている部分と重ならない位置において、第２の主面２ｂに中間層７を介して積層されている。なお、中間層７は設けられずともよい。従って、支持基板８は、圧電層２の第２の主面２ｂに直接または間接に積層され得る。
　中間層７は、酸化ケイ素で形成されている。もっとも、中間層７は、酸化ケイ素の他、窒化ケイ素、アルミナなどの適宜の材料で形成することができる。
　支持基板８は、Ｓｉにより形成されている。Ｓｉの圧電層２側の面における面方位は（１００）や（１１０）であってもよく、（１１１）であってもよい。好ましくは、抵抗率４ｋΩ以上の高抵抗のＳｉが望ましい。もっとも、支持基板８についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。支持基板８の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、窒化ガリウムなどの半導体などを用いることができる。
　上記複数の電極指３、電極指４及び第１のバスバー電極５、第２のバスバー電極６は、Ａｌ、ＡｌＣｕ合金などの適宜の金属もしくは合金からなる。第１実施形態では、電極指３、電極指４及び第１のバスバー電極５、第２のバスバー電極６は、Ｔｉ膜上にＡｌ膜を積層した構造を有する。なお、Ｔｉ膜以外の密着層を用いてもよい。
　駆動に際しては、複数の電極指３と、複数の電極指４との間に交流電圧を印加する。より具体的には、第１のバスバー電極５と第２のバスバー電極６との間に交流電圧を印加する。それによって、圧電層２において励振される厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。
　また、弾性波装置１では、圧電層２の厚みをｄ、複数対の電極指３、電極指４のうちいずれかの隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐは０．５以下とされている。そのため、上記厚み滑り１次モードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、ｄ／ｐは０．２４以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。
　なお、第１実施形態のように電極指３、電極指４の少なくとも一方が複数本ある場合、すなわち、電極指３、電極指４を１対の電極組とした場合に電極指３、電極指４が１．５対以上ある場合、隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離ｐは、各隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離の平均距離となる。
　第１実施形態の弾性波装置１では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極指３、電極指４の対数を小さくしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。これは、両側に反射器を必要としない共振器であり、伝搬ロスが少ないためである。また、上記反射器を必要としないのは、厚み滑り１次モードのバルク波を利用していることによる。
　図３Ａは、比較例の圧電層を伝播するラム波を説明するための模式的な断面図である。図３Ｂは、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。図４は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。
　図３Ａでは、特許文献１に記載のような弾性波装置であり、圧電層をラム波が伝搬する。図３Ａに示すように、圧電層２０１中を矢印で示すように波が伝搬する。ここで、圧電層２０１には、第１の主面２０１ａと、第２の主面２０１ｂとがあり、第１の主面２０１ａと第２の主面２０１ｂとを結ぶ厚み方向がＺ方向である。Ｘ方向は、ＩＤＴ電極の電極指３、４が並んでいる方向である。図３Ａに示すように、ラム波では、波が図示のように、Ｘ方向に伝搬していく。板波であるため、圧電層２０１が全体として振動するものの、波はＸ方向に伝搬するため、両側に反射器を配置して、共振特性を得ている。そのため、波の伝搬ロスが生じ、小型化を図った場合、すなわち電極指３、４の対数を少なくした場合、Ｑ値が低下する。
　これに対して、図３Ｂに示すように、第１実施形態の弾性波装置では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層２の第１の主面２ａと第２の主面２ｂとを結ぶ方向、すなわちＺ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のＸ方向成分がＺ方向成分に比べて著しく小さい。そして、このＺ方向の波の伝搬により共振特性が得られるため、反射器を必要としない。よって、反射器に伝搬する際の伝搬損失は生じない。従って、小型化を進めようとして、電極指３、電極指４からなる電極対の対数を減らしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。
　なお、厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向は、図４に示すように、圧電層２の励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）に含まれる第１領域２５１と、励振領域Ｃに含まれる第２領域２５２とで逆になる。図４では、電極指３と電極指４との間に、電極指４が電極指３よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示してある。第１領域２５１は、励振領域Ｃのうち、圧電層２の厚み方向に直交し圧電層２を２分する仮想平面ＶＰ１と、第１の主面２ａとの間の領域である。第２領域２５２は、励振領域Ｃのうち、仮想平面ＶＰ１と、第２の主面２ｂとの間の領域である。
　弾性波装置１では、電極指３と電極指４とからなる少なくとも１対の電極が配置されているが、Ｘ方向に波を伝搬させるものではないため、この電極指３、電極指４からなる電極対の対数は複数対ある必要は必ずしもない。すなわち、少なくとも１対の電極が設けられてさえおればよい。
　例えば、上記電極指３がホット電位に接続される電極であり、電極指４がグラウンド電位に接続される電極である。もっとも、電極指３がグラウンド電位に、電極指４がホット電位に接続されてもよい。第１実施形態では、少なくとも１対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極またはグラウンド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。
　図５は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。なお、図５に示す共振特性を得た弾性波装置１の設計パラメータは以下の通りである。
　圧電層２：オイラー角（０°、０°、９０°）のＬｉＮｂＯ３
　圧電層２の厚み：４００ｎｍ
　励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）の長さ：４０μｍ
　電極指３、電極指４からなる電極の対数：２１対
　電極指３と電極指４との間の中心間距離（ピッチ）：３μｍ
　電極指３、電極指４の幅：５００ｎｍ
　ｄ／ｐ：０．１３３
　中間層７：１μｍの厚みの酸化ケイ素膜
　支持基板８：Ｓｉ
　なお、励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）とは、電極指３と電極指４の長さ方向と直交するＸ方向に視たときに、電極指３と電極指４とが重なっている領域である。励振領域Ｃの長さとは、励振領域Ｃの電極指３、電極指４の長さ方向に沿う寸法である。
　第１実施形態では、電極指３、電極指４からなる電極対の電極間距離は、複数対において全て等しくした。すなわち、電極指３と電極指４とを等ピッチで配置した。
　図５から明らかなように、反射器を有しないにもかかわらず、比帯域が１２．５％である良好な共振特性が得られている。
　ところで、上記圧電層２の厚みをｄ、電極指３と電極指４との電極の中心間距離をｐとした場合、第１実施形態では、ｄ／ｐは０．５以下、より好ましくは０．２４以下である。これを、図６を参照して説明する。
　図５に示した共振特性を得た弾性波装置と同様に、但しｄ／２ｐを変化させ、複数の弾性波装置を得た。図６は、第１実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離または中心間距離の平均距離をｐ、圧電層２の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。
　図６に示すように、ｄ／２ｐが０．２５を超えると、すなわちｄ／ｐ＞０．５では、ｄ／ｐを調整しても、比帯域は５％未満である。これに対して、ｄ／２ｐ≦０．２５、すなわちｄ／ｐ≦０．５の場合には、その範囲内でｄ／ｐを変化させれば、比帯域を５％以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、ｄ／２ｐが０．１２以下の場合、すなわちｄ／ｐが０．２４以下の場合には、比帯域を７％以上と高めることができる。加えて、ｄ／ｐをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、上記厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。
　なお、少なくとも１対の電極は、１対でもよく、上記ｐは、１対の電極の場合、隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離とする。また、１．５対以上の電極の場合には、隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離の平均距離をｐとすればよい。
　また、圧電層２の厚みｄについても、圧電層２が厚みばらつきを有する場合、その厚みを平均化した値を採用すればよい。
　図７は、第１実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す平面図である。弾性波装置１０１では、圧電層２の第１の主面２ａ上において、電極指３と電極指４とを有する１対の電極が設けられている。なお、図７中のＫが交差幅となる。前述したように、本開示の弾性波装置では、電極の対数は１対であってもよい。この場合においても、上記ｄ／ｐが０．５以下であれば、厚み滑り１次モードのバルク波を効果的に励振することができる。
　弾性波装置１では、好ましくは、複数の電極指３、電極指４において、いずれかの隣り合う電極指３、電極指４が対向している方向に視たときに重なっている領域である励振領域Ｃに対する、上記隣り合う電極指３、電極指４のメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが望ましい。その場合には、スプリアスを効果的に小さくすることができる。これを、図８及び図９を参照して説明する。
　図８は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。矢印Ｂで示すスプリアスが、共振周波数と反共振周波数との間に現れている。なお、ｄ／ｐ＝０．０８として、かつＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°、０°、９０°）とした。また、上記メタライゼーション比ＭＲ＝０．３５とした。
　メタライゼーション比ＭＲを、図１Ｂを参照して説明する。図１Ｂの電極構造において、１対の電極指３、電極指４に着目した場合、この１対の電極指３、電極指４のみが設けられるとする。この場合、一点鎖線で囲まれた部分が励振領域Ｃとなる。この励振領域Ｃとは、電極指３と電極指４とを、電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向すなわち対向方向に視たときに電極指３における電極指４と重なり合っている領域、電極指４における電極指３と重なり合っている領域、及び、電極指３と電極指４との間の領域における電極指３と電極指４とが重なり合っている領域である。そして、この励振領域Ｃの面積に対する、励振領域Ｃ内の電極指３、電極指４の面積が、メタライゼーション比ＭＲとなる。すなわち、メタライゼーション比ＭＲは、メタライゼーション部分の面積の励振領域Ｃの面積に対する比である。
　なお、複数対の電極指３、電極指４が設けられている場合、励振領域Ｃの面積の合計に対する全励振領域Ｃに含まれているメタライゼーション部分の割合をＭＲとすればよい。
　図９は、第１実施形態の弾性波装置の、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す説明図である。なお、比帯域については、圧電層２の膜厚や電極指３、電極指４の寸法を種々変更し、調整した。また、図９は、ＺカットのＬｉＮｂＯ３からなる圧電層２を用いた場合の結果であるが、他のカット角の圧電層２を用いた場合においても、同様の傾向となる。
　図９中の楕円Ｊで囲まれている領域では、スプリアスが１．０と大きくなっている。図９から明らかなように、比帯域が０．１７を超えると、すなわち１７％を超えると、スプリアスレベルが１以上の大きなスプリアスが、比帯域を構成するパラメータを変化させたとしても、通過帯域内に現れる。すなわち、図８に示す共振特性のように、矢印Ｂで示す大きなスプリアスが帯域内に現れる。よって、比帯域は１７％以下であることが好ましい。この場合には、圧電層２の膜厚や電極指３、電極指４の寸法などを調整することにより、スプリアスを小さくすることができる。
　図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す説明図である。第１実施形態の弾性波装置１において、ｄ／２ｐと、ＭＲが異なる様々な弾性波装置１を構成し、比帯域を測定した。図１０の破線Ｄの右側のハッチングを付して示した部分が、比帯域が１７％以下の領域である。このハッチングを付した領域と、付していない領域との境界は、ＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０７５で表される。すなわち、ＭＲ＝１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。従って、好ましくは、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。その場合には、比帯域を１７％以下としやすい。より好ましくは、図１０中の一点鎖線Ｄ１で示すＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０５の右側の領域である。すなわち、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０５であれば、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。
　図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°、θ、ψ）に対する比帯域のマップを示す説明図である。図１１のハッチングを付して示した部分が、少なくとも５％以上の比帯域が得られる領域である。領域の範囲を近似すると、下記の式（２）、式（３）及び式（４）で表される範囲となる。
　（０°±１０°、０°～２０°、任意のψ）　　…式（２）
　（０°±１０°、２０°～８０°、０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）または（０°±１０°、２０°～８０°、［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（３）
　（０°±１０°、［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°、任意のψ）　　…式（４）
　従って、上記式（２）、式（３）または式（４）のオイラー角範囲の場合、比帯域を十分に広くすることができ、好ましい。
　図１２は、本開示の実施形態に係る弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。図１２において、空間部９の外周縁を破線で示す。本開示の弾性波装置は、板波を利用するものであってもよい。この場合、図１２に示すように、弾性波装置３０１は、反射器３１０、３１１を有する。反射器３１０、３１１は、圧電層２の電極指３、４の弾性波伝搬方向両側に設けられる。弾性波装置３０１では、空間部９上の電極指３、４に、交流電界を印加することにより、板波としてのラム波が励振される。このとき、反射器３１０、３１１が両側に設けられているため、板波としてのラム波による共振特性を得ることができる。
　以上説明したように、弾性波装置１、１０１では、厚み滑り１次モードのバルク波が利用されている。また、弾性波装置１、１０１では、第１電極指３及び第２電極指４は隣り合う電極同士であり、圧電層２の厚みをｄ、第１電極指３及び第２電極指４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下とされている。これにより、弾性波装置が小型化しても、Ｑ値を高めることができる。
　弾性波装置１、１０１では、圧電層２がニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムで形成されている。圧電層２の第１の主面２ａまたは第２の主面２ｂには、圧電層２の厚み方向に交差する方向において対向する第１電極指３及び第２電極指４があり、第１電極指３及び第２電極指４の上を保護膜で覆うことが望ましい。
　図１３は、第１実施形態に係る弾性波装置の一部を示す断面図である。より詳しくは、図１３は、第１実施形態に係る弾性波装置の圧電層２の一部と、１つの第１電極指３及び１つの第２電極指４のみを示す断面図である。以下の説明において、Ｚ方向に平行な向きのうち、一方の向きを上、他方の向きを下として説明することがある。第１実施形態に係る弾性波装置では、圧電層２は、図示しない支持部材の上に設けられる。ここで、支持部材とは、支持基板８を備える部材である。なお、支持部材は、支持基板８の上に設けられる中間層７をさらに備えてもよい。
　図１３に示すように、第１電極指３又は第２電極指４は、下地金属層１０と第１金属層１１とを備える。下地金属層１０は、圧電層２に接する金属層である。図１３の例では、下地金属層１０は、圧電層２の第１の主面２ａに接するように設けられる。下地金属層１０は、Ｎｉ、Ｃｒ及びＴｉのうち、少なくとも１つを含む。下地金属層１０は、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ又はＴｉであるが、単体金属であることに限られず、ニクロムなどの合金であってもよい。第１金属層１１は、下地金属層１０に積層された金属層である。すなわち、下地金属層１０は、圧電層２と第１金属層１１との、Ｚ方向の間に設けられる。第１金属層１１の材料は特に限られず、Ａｌ、ＡｌＣｕ合金などの適宜の金属または合金からなる。
　図１３に示すように、圧電層２は、拡散層１２を有する。拡散層１２は、下地金属層１０の成分が、製造時や動作時などの熱によって、下地金属層１０とＺ方向で接する位置にある圧電層２に拡散されることで生成される層である。図１３に示すように、拡散層１２は、下地金属層１０とＺ方向で接する位置にある。図１３の例では、拡散層１２は、圧電層２の第１の主面２ａであって、下地金属層１０と接する位置にある。拡散層１２は、下地金属層１０の成分である、Ｎｉ、Ｃｒ及びＴｉのうち、少なくとも１つを含む。すなわち、拡散層１２は、圧電層２の成分と、下地金属層１０の成分とが混在している。言い換えれば、拡散層１２は、圧電層２のうち、Ｎｉ、Ｃｒ及びＴｉのうち、少なくとも１つを含む部分であるといえる。これにより、圧電層２が拡散層１２を有さない場合より、帯域幅を広くすることができる。
　以下の説明においては、拡散層１２のＺ方向の最大長さを、拡散層１２の深さとして説明することがある。ここで、拡散層１２の深さは、電極指の断面を含み、Ｚ方向に平行である弾性波装置の断面を、ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観察することで測定される。なお、拡散層１２の深さの測定方法は、これに限られず、ＥＤＸ（Ｅｎｅｒｇｙ　Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ　Ｘ－ｒａｙ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）や、ラマン分光法で測定されてもよい。この場合、電極指の断面を含み、Ｚ方向に平行である弾性波装置の断面において、Ｎｉ、Ｃｒ及びＴｉのうち、少なくとも１つを含む圧電層２の領域のＺ方向の最大長さを、拡散層１２の深さとしてよい。
　図１４は、拡散層の深さに対する共振周波数を示す図である。図１５は、拡散層の深さに対する反共振周波数を示す図である。図１６は、拡散層の深さに対する比帯域幅を示す図である。図１４に示すように、拡散層１２の深さがおよそ０．０６５μｍ以上になると、共振周波数は、減少から増加に転じる。図１５に示すように、反共振周波数は、拡散層１２の深さが大きくなるに従い増加する。したがって、図１６に示すように、拡散層１２の深さを０μｍより大きくすることで、拡散層１２の深さが０μｍである場合より、比帯域幅を大きくすることができる。これにより、圧電層２が拡散層１２を有することで、圧電層２が拡散層１２を有さない場合より、帯域幅を広くすることができる。
　以下、試験例について説明する。第１実施形態に係る弾性波装置の試験例として、以下の設計パラメータであって、圧電層２の厚みが異なる試験例１から試験例５に係る弾性波装置のシミュレーションモデルを作成した。シミュレーションでは、下地金属層１０の材料（Ｔｉ）が等方的に圧電層２に拡散されるとして、比帯域幅の計算を行った。なお、試験例１から試験例５に係る弾性波装置には、圧電層２及び電極指３、４の上に保護膜が設けられている。
　圧電層２：オイラー角（０°、０°、９０°）のＬｉＮｂＯ３
　第１金属層１１：Ａｌ
　第１金属層１１の厚み：５００ｎｍ
　電極指３と電極指４との間の中心間距離：４．１６μｍ
　下地金属層１０：Ｔｉ
　下地金属層１０の厚み：１０ｎｍ
　保護膜：ＳｉＯ２
　保護膜の厚み：１３３ｎｍ
　図１７は、試験例１に係る弾性波装置のｔｄ／ｔＬＮに対する比帯域幅を示す図である。ここで、ｔｄ／ｔＬＮとは、拡散層１２の深さｔｄを圧電層２の厚みｔＬＮで除した値である。試験例１は、圧電層２の厚みｔＬＮを３００ｎｍとした試験例である。図１７に示すように、試験例１では、ｔｄ／ｔＬＮが０．２９以下である場合、ｔｄ／ｔＬＮが０である場合より、比帯域幅を広くすることができることが分かる。
　図１８は、試験例２に係る弾性波装置のｔｄ／ｔＬＮに対する比帯域幅を示す図である。試験例２は、圧電層２の厚みｔＬＮを４００ｎｍとした試験例である。図１８に示すように、試験例３では、ｔｄ／ｔＬＮが０．５３以下である場合、ｔｄ／ｔＬＮが０である場合より、比帯域幅を広くすることができることが分かる。
　図１９は、試験例３に係る弾性波装置のｔｄ／ｔＬＮに対する比帯域幅を示す図である。試験例３は、圧電層２の厚みｔＬＮを５００ｎｍとした試験例である。図１９に示すように、試験例３では、ｔｄ／ｔＬＮが０．６６以下である場合、ｔｄ／ｔＬＮが０である場合より、比帯域幅を広くすることができることが分かる。
　図２０は、試験例４に係る弾性波装置のｔｄ／ｔＬＮに対する比帯域幅を示す図である。試験例４は、圧電層２の厚みｔＬＮを６００ｎｍとした試験例である。図２０に示すように、試験例４では、ｔｄ／ｔＬＮが０．７１以下である場合、ｔｄ／ｔＬＮが０である場合より、比帯域幅を広くすることができることが分かる。
　図２１は、試験例５に係る弾性波装置のｔｄ／ｔＬＮに対する比帯域幅を示す図である。試験例５は、圧電層２の厚みｔＬＮを７００ｎｍとした試験例である。図２１に示すように、試験例５では、ｔｄ／ｔＬＮが０．６８以下である場合、ｔｄ／ｔＬＮが０である場合より、比帯域幅を広くすることができることが分かる。
　図２２は、圧電層の厚みｔＬＮに対するｔｄ／ｔＬＮを示す図である。図２２では、試験例１から試験例５における、比帯域幅を広くできる、ｔｄ／ｔＬＮの範囲の上限値をプロットしている。図２２に示すように、試験例１から試験例５の結果から、図２２のハッチングを付して示した領域Ｅにおいて、比帯域幅を大きくすることができることが分かる。したがって、圧電層の厚みｔＬＮを１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることで、比帯域幅を確実に大きくすることができるので、帯域幅を確実に広くすることができる。また、領域Ｅの範囲を近似すると、式（１）で表される範囲となる。これより、拡散層１２の深さｔｄ及び圧電層２の厚みｔＬＮが、式（１）を満たすとき、拡散層１２を設けない場合と比べて、比帯域幅を確実に大きくすることができるので、帯域幅を確実に広くすることができる。
　ｔｄ／ｔＬＮ＜－４×１０－６×（ｔＬＮ）２＋５．０２×１０－３×ｔＬＮ－０．８５　　…（１）
　以上説明したように、第１実施形態に係る弾性波装置は、第１方向に厚みを有し、支持基板８を備える支持部材と、支持部材の上に設けられた圧電層２と、圧電層２の主面（第１の主面２ａ）に設けられ、第１方向に交差する第２方向に延びる第１電極指３と、第１電極指３が接続された第１のバスバー電極５と、第２方向に直交する第３方向に第１電極指３のいずれかと対向し、第２方向に延びる第２電極指４と、第２電極指４が接続された第２のバスバー電極６と、を有するＩＤＴ電極と、を備え、支持部材には、第１方向に平面視して、ＩＤＴ電極と少なくとも一部が重なる位置に空間部９があり、第１電極指３又は第２電極指４は、圧電層２の主面に接する下地金属層１０と、下地金属層１０に積層された第１金属層１１を有し、下地金属層１０は、Ｎｉ、Ｃｒ及びＴｉのうち、少なくとも１つを含み、圧電層２は、下地金属層１０が第１方向に接する位置に、Ｎｉ、Ｃｒ及びＴｉのうち、少なくとも１つを含む拡散層１２を有する。これにより、帯域幅を広くすることができる。
　望ましい態様として、拡散層１２の深さｔｄ［ｎｍ］を圧電層２の厚みｔＬＮ［ｎｍ］で除した値をｔｄ／ｔＬＮとすると、拡散層１２の深さｔｄ［ｎｍ］と、圧電層２の厚みｔＬＮ［ｎｍ］とは、下記式（１）を満たす。これにより、帯域幅を確実に広くすることができる。
　ｔｄ／ｔＬＮ＜－４×１０－６×（ｔＬＮ）２＋５．０２×１０－３×ｔＬＮ－０．８５　　…（１）
　望ましい態様として、圧電層２の厚みは、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。これにより、帯域幅を確実に広くすることができる。
　望ましい態様として、圧電層２の厚みは、第１電極指３及び第２電極指４のうち、隣り合う第１電極指３と第２電極指４との間の中心間距離をｐとした場合に２ｐ以下である。これにより、弾性波装置１を小型化でき、かつＱ値を高めることができる。
　望ましい態様として、圧電層２が、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含む。これにより、良好な共振特性が得られる弾性波装置を提供することができる。
　望ましい態様として、厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている。これにより、結合係数が高まり、良好な共振特性が得られる弾性波装置を提供することができる。
　望ましい態様として、圧電層２の厚みをｄ、隣り合う第１電極指３と第２電極指４との中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐ≦０．５である。これにより、弾性波装置１を小型化でき、かつＱ値を高めることができる。
　さらに望ましい態様として、ｄ／ｐが０．２４以下である。これにより、弾性波装置１を小型化でき、かつＱ値を高めることができる。
　望ましい態様として、第３方向にみたときに第１電極指３と第２電極指４とが重なっている領域が励振領域Ｃであり、励振領域Ｃに対する、第１電極指３及び第２電極指４のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす。この場合、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。
　望ましい態様として、板波を利用可能に構成されている。これにより、良好な共振特性が得られる弾性波装置を提供することができる。
　望ましい態様として、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（２）、式（３）または式（４）の範囲にある。この場合、比帯域を十分に広くすることができる。
　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（２）
　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（３）
　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（４）
　なお、上記した実施の形態は、本開示の理解を容易にするためのものであり、本開示を限定して解釈するためのものではない。本開示は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るとともに、本開示にはその等価物も含まれる。
１、１０１、３０１　弾性波装置
２　圧電層
２ａ　第１の主面
２ｂ　第２の主面
３　電極指（第１電極指）
４　電極指（第２電極指）
５　バスバー電極（第１のバスバー電極）
６　バスバー電極（第２のバスバー電極）
７　中間層
８　支持基板
７ａ、８ａ　開口部
９　空間部
１０　下地金属層
１１　第１金属層
１２　拡散層
２０１　圧電層
２０１ａ　第１の主面
２０１ｂ　第２の主面
２５１　第１領域
２５２　第２領域
３１０、３１１　反射器
Ｃ　励振領域
ｔｄ　拡散層の深さ
ｔＬＮ　圧電層の厚み
ＶＰ１　仮想平面

Claims (11)

  1. 　第１方向に厚みを有し、支持基板を備える支持部材と、
    　前記支持部材の上に設けられた圧電層と、
    　前記圧電層の主面に設けられ、前記第１方向に交差する第２方向に延びる第１電極指と、前記第１電極指が接続された第１のバスバー電極と、前記第２方向に直交する第３方向に前記第１電極指のいずれかと対向し、前記第２方向に延びる第２電極指と、前記第２電極指が接続された第２のバスバー電極と、を有するＩＤＴ電極と、
    　を備え、
    　前記支持部材には、前記第１方向に平面視して、前記ＩＤＴ電極と少なくとも一部が重なる位置に空間部があり、
    　前記第１電極指又は前記第２電極指は、前記圧電層に接する下地金属層と、前記下地金属層に積層された第１金属層を有し、
    　前記下地金属層は、Ｎｉ、Ｃｒ及びＴｉのうち、少なくとも１つを含み、
    　前記圧電層は、前記下地金属層が前記第１方向に接する位置に、Ｎｉ、Ｃｒ及びＴｉのうち、少なくとも１つを含む拡散層を有する、弾性波装置。
  2. 　前記拡散層の深さｔｄ［ｎｍ］を前記圧電層の厚みｔＬＮ［ｎｍ］で除した値をｔｄ／ｔＬＮとすると、前記拡散層の深さｔｄ［ｎｍ］と、前記圧電層の厚みｔＬＮ［ｎｍ］とは、下記式（１）を満たす、請求項１に記載の弾性波装置。
    　ｔｄ／ｔＬＮ＜－４×１０－６×（ｔＬＮ）２＋５．０２×１０－３×ｔＬＮ－０．８５　　…（１）
  3. 　前記圧電層の厚みは、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である、請求項１又は２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記圧電層の厚みは、前記第１電極指及び前記第２電極指のうち、隣り合う第１電極指と第２電極指との間の中心間距離をｐとした場合に２ｐ以下である、請求項１から３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  5. 　前記圧電層が、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含む、請求項１から４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている、請求項５に記載の弾性波装置。
  7. 　前記圧電層の厚みをｄ、隣り合う第１電極指と第２電極指との中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐ≦０．５である、請求項６に記載の弾性波装置。
  8. 　前記ｄ／ｐが０．２４以下である、請求項７に記載の弾性波装置。
  9. 　前記第３方向にみたときに前記第１電極指と前記第２電極指とが重なっている領域が励振領域であり、前記励振領域に対する、前記第１電極指及び前記第２電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす、請求項１から５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  10. 　板波を利用可能に構成されている、請求項１から５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  11. 　前記ニオブ酸リチウムまたは前記タンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（２）、式（３）または式（４）の範囲にある、請求項５に記載の弾性波装置。
    　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（２）
    　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（３）
    　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（４）
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