JP2018182499A - 弾性波デバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】弾性波デバイスの耐電力性を向上させること。【解決手段】本発明は、圧電基板10と、前記圧電基板10上に設けられたCuを主成分とする第1金属膜12bと、前記第1金属膜12b上に設けられ、Crより融点が高い元素を主成分とする第2金属膜12dと、を有し、弾性波を励振する複数の電極指14を、各々が有する一対の櫛歯電極と、を具備する弾性波デバイスである。【選択図】図7
Description
本発明は、弾性波デバイスに関し、例えばくしがた櫛歯電極を有する弾性波デバイスに関する。
携帯電話を代表とする高周波通信用システムにおいて、通信に使用する周波数帯以外の不要な信号を除去するために高周波フィルタ等が用いられている。高周波フィルタ等には、弾性表面波(SAW:Surface Acoustic Wave)共振器等の弾性波共振器が用いられている。弾性表面波共振器においては、ニオブ酸リチウム基板またはタンタル酸リチウム基板等の圧電基板上に複数の電極指を有するIDT(Interdigital Transducer)が設けられている。
耐久性および耐電圧性が高く、抵抗の小さいCu(銅)を電極指の材料として用いることが知られている(例えば特許文献1)。タンタル酸リチウム基板上に複数の電極指をエッチング法を用い形成するときに、タンタル酸リチウム基板がエッチングされないように、Ru(ルテニウム)またはRuO(酸化ルテニウム)膜を用いることが知られている(例えば特許文献2)。
電極指にCuを用いることで電極指の抵抗が低く損失等を低減できる。また、耐電力性を向上できる。しかしながら、耐電力性の向上は十分でない。
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、耐電力性を向上させることを目的とする。
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられたCuを主成分とする第1金属膜と、前記第1金属膜上に設けられ、Crより融点が高い元素を主成分とする第2金属膜と、を有し、弾性波を励振する複数の電極指を、各々が有する一対の櫛歯電極と、を具備する弾性波デバイスである。
上記構成において、前記第2金属膜は、Ru、Rh、ReおよびIrの少なくとも1つを主成分とする構成とすることができる。
上記構成において、前記第2金属膜は前記第1金属膜より薄い構成とすることができる。
上記構成において、前記複数の電極指は、前記圧電基板と前記第1金属膜との間に設けられ、Crより融点が高い元素を主成分とする第3金属膜を有する構成とすることができる。
上記構成において、前記第1金属膜と前記第3金属膜との界面における前記複数の電極指の側面は平面である構成とすることができる。
上記構成において、前記圧電基板は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である構成とすることができる。
上記構成において、前記圧電基板上に前記櫛歯電極を覆い前記櫛歯電極より厚い絶縁膜を具備する構成とすることができる。
上記構成において、前記圧電基板はニオブ酸リチウム基板であり、前記絶縁膜は酸化シリコン膜である構成とすることができる。
上記構成において、前記第1金属膜は、Ag、Al、Mg、Mn、Sn、Zr、In、Ta、Ti、Moの少なくとも1つを含有する構成とすることができる。
上記構成において、前記複数の電極指を含むフィルタを具備する構成とすることができる。
上記構成において、前記フィルタを含むマルチプレクサを具備する構成とすることができる。
本発明によれば、耐電力性を向上させることができる。
[比較例]
図1(a)は弾性表面波共振器の平面図、図1(b)は図1(a)のA−A断面図である。図1(a)および図1(b)に示すように、弾性表面波共振器24は、IDT20と反射器22を有する。IDT20および反射器22は、圧電基板10上に形成された金属膜12により形成される。IDT20は、対向する一対の櫛型電極18を備える。櫛型電極18は、複数の電極指14と、複数の電極指14が接続されたバスバー16と、を備える。一対の櫛型電極18は、電極指14がほぼ互い違いとなるように、対向して設けられている。圧電基板10上に電極指14を覆うように誘電体膜15が設けられている。
図1(a)は弾性表面波共振器の平面図、図1(b)は図1(a)のA−A断面図である。図1(a)および図1(b)に示すように、弾性表面波共振器24は、IDT20と反射器22を有する。IDT20および反射器22は、圧電基板10上に形成された金属膜12により形成される。IDT20は、対向する一対の櫛型電極18を備える。櫛型電極18は、複数の電極指14と、複数の電極指14が接続されたバスバー16と、を備える。一対の櫛型電極18は、電極指14がほぼ互い違いとなるように、対向して設けられている。圧電基板10上に電極指14を覆うように誘電体膜15が設けられている。
IDT20が励振する弾性波は、主に電極指14の配列方向に伝搬する。電極指14のピッチがほぼ弾性波の波長λとなる。弾性波の伝搬方向をX方向、伝搬方向に直交する方向をY方向とする。X方向およびY方向は、圧電基板10の結晶方位のX軸方向およびY軸方向とは必ずしも対応しない。圧電基板10は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である。誘電体膜15は、弾性表面波共振器の周波数温度特性を抑制するための温度補償膜であり、例えば酸化シリコン膜または弗素等の元素が添加された酸化シリコン膜である。
誘電体膜15を設けない弾性表面波共振器では、金属膜12としてAl(アルミニウム)膜が用いられている。Alは音響インピーダンスが小さい。このため、誘電体膜15を設けると、誘電体膜15と電極指14との音響インピーダンスの差が小さくなる。これにより、電極指14における弾性波の反射係数が小さくなってしまう。一方、Cuは音響インピーダンスがAlより大きい。このため、誘電体膜15と電極指14との音響インピーダンスの差が大きくなり、電極指における弾性波の反射係数が大きくなる。これにより広帯域な弾性波デバイスを実現できる。
また、CuはAlに比べ低抵抗であることから電極指14が低抵抗化できる。さらに、CuはAlに比べマイクレーション耐性が高い。さらに、CuはAlより密度が高いため、電極指14を薄くでき電極指14の弾性的な損失を低減できる。
低抵抗のCu膜を圧電基板10上に直接設けると、大電力の高周波信号が入力する動作時にCu膜に応力が加わるおよび/またはCu膜が発熱する。このため、Cuのマイグレーションが生じる。これにより、弾性波デバイスの耐電力性能が低下する。耐電力性能を向上させるため、Cu膜と圧電基板10との間にCuより耐熱性のある金属膜を設ける。これにより、弾性波デバイスの耐電力性能を向上できる。比較例1および2では、Cu膜と圧電基板10との間の膜としてそれぞれTi(チタン)膜およびRu膜を用いた。
図2は、比較例1および2における電極指付近の断面図である。図2に示すように、圧電基板10上に金属膜12が設けられている。金属膜12を覆うように誘電体膜15が設けられている。金属膜12は、積層された金属膜12a、12bおよび12dを含む。金属膜12aは、圧電基板10上に設けられている。金属膜12bは金属膜12a上に設けられている。金属膜12dは、金属膜12b上に設けられている。金属膜12aは、耐電力性能を向上させるための膜である。金属膜12bはCu膜である。金属膜12dは、電極指14以外において誘電体膜15にウェットエッチングで開口を設けるときのエッチングストッパである。誘電体膜15の上面は平坦である。
図2のA−A線における反共振周波数の歪エネルギーを比較例1および2についてシミュレーションした。シミュレーション条件は以下である。
比較例1および2の共通の条件
圧電基板10:127.86°回転YカットX伝搬ニオブ酸リチウム基板
電極指14のピッチ:2.00μm
比較例1
金属膜12a:膜厚が10nmのTi膜
金属膜12b:膜厚が136nmのCu膜
金属膜12d:膜厚が9nmのCr膜
誘電体膜15:電極指14間における膜厚が610nmの酸化シリコン膜
比較例2
金属膜12a:膜厚が20nmのRu膜
金属膜12b:膜厚が125nmのCu膜
金属膜12d:膜厚が9nmのCr膜
誘電体膜15:電極指14間における膜厚が593nmの酸化シリコン膜
RuおよびTiのバルクでのヤング率はそれぞれ約420GPaおよび120GPaである。Ruのヤング率はTiより大きい。比較例1と2とで音速を合わせるため、比較例2のRu膜を比較例1のTi膜より厚くした。
比較例1および2の共通の条件
圧電基板10:127.86°回転YカットX伝搬ニオブ酸リチウム基板
電極指14のピッチ:2.00μm
比較例1
金属膜12a:膜厚が10nmのTi膜
金属膜12b:膜厚が136nmのCu膜
金属膜12d:膜厚が9nmのCr膜
誘電体膜15:電極指14間における膜厚が610nmの酸化シリコン膜
比較例2
金属膜12a:膜厚が20nmのRu膜
金属膜12b:膜厚が125nmのCu膜
金属膜12d:膜厚が9nmのCr膜
誘電体膜15:電極指14間における膜厚が593nmの酸化シリコン膜
RuおよびTiのバルクでのヤング率はそれぞれ約420GPaおよび120GPaである。Ruのヤング率はTiより大きい。比較例1と2とで音速を合わせるため、比較例2のRu膜を比較例1のTi膜より厚くした。
図3は、比較例1および2における深さに対する歪エネルギーを示す図である。歪エネルギーの単位はJ(ジュール)である。深さが0μmは、圧電基板10と金属膜12との界面を示している。深さが負は圧電基板10内を示し、正は電極指14内を示す。図の上のTi、Cu、Cr(クロム)およびSiO2は、比較例1におけるTi膜、Cu膜、Cr膜および誘電体膜15を示す。図の下のRu、Cu、CrおよびSiO2は、比較例2におけるRu膜、Cu膜、Cr膜および誘電体膜15を示す。
図3に示すように、比較例2では比較例1より電極指14内(特に圧電基板10との界面付近)の歪エネルギーが小さい。これは、RuがTiよりヤング率が大きいためと考えられる。歪エネルギーが大きいと弾性波のエネルギーが歪みエネルギーとなり弾性波の損失が大きくなる。比較例2では、電極指14内の歪エネルギーが小さく、弾性波の損失を小さくできる。電極指14内の歪エネルギーを小さくするためには、金属膜12aのヤング率は300GPa以上が好ましい。
次に比較例1および2の弾性表面波共振器を作製した。作製条件は以下である。
電極指14の対数:100対
開口長:20λ
反射器22の対数:10対
共振器:正規型
その他の条件はシミュレーションと同じであり説明を省略する。
電極指14の対数:100対
開口長:20λ
反射器22の対数:10対
共振器:正規型
その他の条件はシミュレーションと同じであり説明を省略する。
比較例1および2についてQ値を測定した。図4は、比較例1および2における周波数に対するQ値を示す図である。図4に示すように、比較例2は比較例1に比べQ値が高い。共振周波数frと反共振周波数faとの間のQ値を平均すると以下となった。
比較例1のQ値の平均:1027
比較例2のQ値の平均:1271
以上のように、比較例2では比較例1に比べ、約20%Q値を向上できる。これは、図3のシミュレーションのように、比較例2は比較例1に比べ歪エネルギーが小さいためと考えられる。
比較例1のQ値の平均:1027
比較例2のQ値の平均:1271
以上のように、比較例2では比較例1に比べ、約20%Q値を向上できる。これは、図3のシミュレーションのように、比較例2は比較例1に比べ歪エネルギーが小さいためと考えられる。
電極指14は、誘電体膜15の成膜工程およびパッケージへ実装するときのリフロー工程において数100℃の高温となる。また、弾性表面波共振器の動作時の発熱に曝される。このような高温により、金属膜12aと圧電基板10との間の拡散が問題となる。
図5(a)および図5(b)は、それぞれ比較例1および比較例2における電極指と圧電基板との界面の模式図である。図5(a)に示すように、比較例1では、金属膜12a内に圧電基板10の原子が熱拡散した領域50と圧電基板10内にTi原子が熱拡散した領域52が形成される。領域50および52の全体の厚さは例えば数nmである。領域50および52が形成されると、電極指14が実質的に圧電基板10に埋め込まれることなる。領域50および52により、圧電基板10の表面における絶縁抵抗が実質的に低下する。これにより、弾性波デバイスが動作するときに、電極指14間で絶縁破壊が生じ動作不良の原因となる場合がある。
図5(b)に示すように、比較例2では膜厚が1nm以上の拡散領域はほとんど観察されない。電極指14と圧電基板10との界面と、電極指14間の誘電体膜15と圧電基板10との界面は実質的に(例えば1nm程度の範囲では)同一平面である。よって、比較例1のような絶縁不良による動作不良は抑制される。なお、図5(a)および図5(b)のような界面はTEM(Transmission Electron Microscope)を用い観察できる。
絶縁不良の影響を調査するため、比較例1および2の弾性表面波共振器に周波数が1780MHzの高周波信号を印加し、瞬時に破壊される瞬時破壊電力を測定した。図6は、比較例1および2における瞬時破壊電力を示す図である。図6に示すように、比較例1では瞬時破壊電力は約0.44Wであるのに対し、比較例2では約1.10Wである。比較例2では比較例1に比べ瞬時破壊電力が約2.5倍に向上している。このように、比較例2では、比較例1に比べ耐電力性能を向上できる。比較例2において耐電力性能を向上できる一因は図5(b)のように、Ru原子の圧電基板10への拡散がほとんどないためと考えられる。
このように、比較例2では、比較例1に比べ瞬時破壊電力等の耐電力性が向上している。しかしながら、比較例2の耐電力性は十分ではない。以下に比較例2より耐電力性を向上させるため、金属膜12bと12dとの間に金属膜12cを設けた実施例について説明する。
図7は、実施例1における電極指付近の断面図である。図7に示すように、金属膜12bと12dとの間に金属膜12cが設けられている。金属膜12cは、耐電力性を向上させるための膜であり例えばRu膜である。その他の構成は比較例2と同じであり説明を省略する。
図7のA−A線における反共振周波数の歪エネルギーをシミュレーションした。シミュレーション条件は以下である。
実施例1
金属膜12a:膜厚が10nmのRu膜
金属膜12b:膜厚が125nmのCu膜
金属膜12c:膜厚が10nmのRu膜
金属膜12d:膜厚が9nmのCr膜
誘電体膜15:電極指14間における膜厚が593nmの酸化シリコン膜
その他の条件は比較例2と同じである。
実施例1
金属膜12a:膜厚が10nmのRu膜
金属膜12b:膜厚が125nmのCu膜
金属膜12c:膜厚が10nmのRu膜
金属膜12d:膜厚が9nmのCr膜
誘電体膜15:電極指14間における膜厚が593nmの酸化シリコン膜
その他の条件は比較例2と同じである。
図8は、実施例1および比較例2における深さに対する歪エネルギーを示す図である。図8に示すように、実施例1および比較例2ともRu膜において歪エネルギーが下がっている。電極指14における歪エネルギーの平均は以下である。
実施例1:2.49×10−9J
比較例2:2.48×10−9J
実施例1と比較例2とでは電極指14内の歪エネルギーはほぼ同じである。電極指14内の歪エネルギーを小さくするためには、金属膜12aおよび12cのヤング率は300GPa以上が好ましい。
実施例1:2.49×10−9J
比較例2:2.48×10−9J
実施例1と比較例2とでは電極指14内の歪エネルギーはほぼ同じである。電極指14内の歪エネルギーを小さくするためには、金属膜12aおよび12cのヤング率は300GPa以上が好ましい。
次に実施例1の弾性表面波共振器を作製した。作製条件は比較例2および上記シミュレーション条件と同じである。実施例1についてQ値を測定した。図9は、実施例1および比較例2における周波数に対するQ値を示す図である。図9に示すように、実施例1は比較例2と同程度のQ値である。共振周波数frと反共振周波数faとの間のQ値を平均すると以下となった。
実施例1のQ値の平均:1255
比較例2のQ値の平均:1271
以上のように、実施例1は比較例2と同程度のQ値である。これは、図8のシミュレーションのように、実施例1は比較例2と歪エネルギーが同程度のためと考えられる。
実施例1のQ値の平均:1255
比較例2のQ値の平均:1271
以上のように、実施例1は比較例2と同程度のQ値である。これは、図8のシミュレーションのように、実施例1は比較例2と歪エネルギーが同程度のためと考えられる。
耐電力性を調査するため、実施例1および比較例2の耐電力寿命を測定した。弾性表面波共振器に周波数が1780MHzの高周波信号を印加し、破壊される時間を耐電力寿命とした。印加する高周波信号のパワー(入力パワー)に対する耐電力寿命を測定した。なお、耐電力寿命を測定した弾性表面波共振器の開口長は30λである。
図10は、実施例1および比較例2における入力パワーに対する耐電力寿命を示す図である。ドットは測定点、直線はドットをつなぐ直線である。図10に示すように、実施例1は比較例2に比べ耐電力寿命が長い。入力パワーが32dBmにおける耐電力寿命は、実施例2では6.2時間であり、比較例2では2.8時間である。また、入力パワーに対する耐電力寿命の傾きは実施例1が比較例2より急峻である。例えば入力パワーが31.0dBmにおける実施例1の耐電力寿命は、比較例2の約10倍となっている。
比較例3として金属膜12cがTi膜以外は実施例1と同じである弾性表面波共振器を作製した。実施例1、比較例2および3について、入力パワーが29dBmのときの耐電力寿命を測定した。
図11は、実施例1、比較例2および3における耐電力寿命を示す図である。金属膜12cとしてTi膜を用いた比較例3は耐電力寿命が比較例2より小さい。
以上のように、Cu膜である金属膜12b上にRu膜である金属膜12cを設けることで耐電力性が向上する理由は明確ではないが、例えば以下のように考えられる。
耐電力性が低い原因は、例えばストレスマイグレーション等により金属膜12b内のCu原子が移動し隣接する電極指同士が短絡するためと考えられる。表1は、Ti、Cr、Ru、Rh(ロジウム)、Re(レニウム)、Ir(イリジウム)における融点、Cuとの格子不整合、標準電極電位およびヤング率を示す表である。格子不整合は、Cuの格子定数と対象となる金属の格子定数との差をCuの格子定数で除したものである。
表1のように、Ti、CrおよびRuで比較すると、融点は、Tiが最も低く、CrおよびRuの順である。これは図11の耐電力性の比較例3、比較例2および実施例1の順と同じである。融点が高いほど原子同士の結合エネルギーが高く原子の拡散が抑制され熱力学的に安定になると考えられる。これにより、異種元素間の相互拡散を抑制する拡散防性(バリア性)が高い。このため、金属膜12b上に高融点金属を主成分とする金属膜12cを設けると、Cuのマイグレーションが抑制され耐電力性が向上すると考えられる。これにより、図11のように、実施例1の耐電力性が向上したと考えられる。
また、イオン化傾向を示す標準電極電位が高いと金属膜12cを成膜するときに金属膜12c内に酸素等の不純物を取り込みにくい。これにより、金属膜12c内に欠陥が生じにくい。さらに、格子不整合が小さいと、金属膜12bと12cとの界面の密着性が向上する。これにより、金属膜12bと12cとの界面における原子の拡散が抑制される。これらにより、Cuのマイグレーションが抑制される。
表1のように、格子不整合はTiが最も大きく、CrおよびRuの順である。また、標準電極電位はTiが最も小さく、CrおよびRuの順である。これにより、金属膜12cをRu膜とすると、Cuのマイグレーションが抑制され、耐電力性が向上すると考えられる。
Crより融点が高く、格子不整合が小さくかつ標準電極電位が高い金属として、表1のようにRu以外にRh、ReおよびIrがある。これらの金属はヤング率が300GPa以上であり、歪エネルギーが小さく、Q値も高くなると考えられる。
[実施例1の製造方法]
図12(a)から図13(c)は、実施例1に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図12(a)に示すように、圧電基板10上にフォトレジスト40を塗布する。その後ベークする。フォトレジスト40は例えばポジ型である。図12(b)に示すように、フォトマスク42を介しフォトレジスト40に露光光43を照射する。フォトレジスト40内の領域40aが感光する。図12(c)に示すように、フォトレジスト40を現像することで領域40aが除去され開口41が形成される。図12(d)に示すように、真空蒸着法またはスパッタリング法を用い、開口41内の圧電基板10上およびフォトレジスト40上に金属膜12を形成する。金属膜12は、圧電基板10側からRu膜、Cu膜、Ru膜およびCr膜の積層膜である。
図12(a)から図13(c)は、実施例1に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図12(a)に示すように、圧電基板10上にフォトレジスト40を塗布する。その後ベークする。フォトレジスト40は例えばポジ型である。図12(b)に示すように、フォトマスク42を介しフォトレジスト40に露光光43を照射する。フォトレジスト40内の領域40aが感光する。図12(c)に示すように、フォトレジスト40を現像することで領域40aが除去され開口41が形成される。図12(d)に示すように、真空蒸着法またはスパッタリング法を用い、開口41内の圧電基板10上およびフォトレジスト40上に金属膜12を形成する。金属膜12は、圧電基板10側からRu膜、Cu膜、Ru膜およびCr膜の積層膜である。
図13(a)に示すように、フォトレジスト40を除去することでフォトレジスト40上の金属膜12をリフトオフする。これにより、圧電基板10上に金属膜12が形成される。リフトオフを容易に行うためには、図12(d)において開口41内のフォトレジスト40の側面に金属膜12が形成されないことが好ましい。このため、図12(d)の工程には、原子の直進性の高い成膜方法として真空蒸着法を用いることが好ましい。
図13(b)に示すように、圧電基板10上に金属膜12を覆うように誘電体膜15を形成する。誘電体膜15は例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)法またはスパッタリング法を用いる。図13(c)に示すように、誘電体膜15の上面を平坦化する。平坦化には例えばCMP(Chemical Mechanical Polishing)法を用いる。
図14(a)から図14(c)は、実施例1における電極指の断面図である。図14(a)に示すように、金属膜12をリフトオフ法を用い形成すると、金属膜12の側面は平面(断面視において直線)となる。例えば金属膜12aと12bとの界面が電極指14の側面に露出する領域54において、側面の傾きは連続している。これは、図12(d)において、フォトレジスト40に入射する様々な入射角の金属原子のうち、圧電基板10に対し垂直に近い入射角を有する金属原子のみが開口41内の圧電基板10の表面に達するためである。例えば、図12(d)において矢印44の範囲の入射角を有する金属原子のみが圧電基板10の上面に達する。それ以外の入射角の金属原子はフォトレジスト40の上に付着する。金属膜12の側面と圧電基板10の上面とのなす角度θ1は、ほぼ矢印44の入射角度となる。このため、金属膜12aから12dによらず、金属膜12の側面はほぼ平面となる。よって、金属膜12aと12bの界面における電極指14の側面の傾きはほぼ一定となる。角度θ1は、図12(d)におけるフォトレジスト40の膜厚と開口41の幅に依存するが、例えば70°から80°である。
図14(b)に示すように、電極指14の側面近くでは、金属膜12aが薄くなり、金属膜12aと12bとの界面が領域56のように傾斜することもある。この場合においても、領域54における電極指14の側面の傾きはほぼ一定となる。図14(c)に示すように、金属膜12aと12bとの界面が領域56のようにより傾斜することもある。この場合、金属膜12aと12bとの界面は電極指14の側面に露出しなくてもよい。
金属膜12dは、電極指14以外の領域において、誘電体膜15をエッチングするときのエッチングストッパである。金属膜12dはバッファード弗酸等の酸性のエッチング液に対し不溶であればよい。金属膜12cは、例えばRu膜、Pt(白金)膜、Rh膜、Au(金)膜、Ag(銀)膜およびMo(モリブデン)膜等でもよい。また、抵抗値が低ければ、これらの膜の一部が酸化していてもよい。金属膜12dは設けられてなくてもよい。
金属膜12bはCuを主成分とし、Ag、Al、Mg(マグネシウム)、Mn(マンガン)、Sn(錫)、Zr(ジルコニウム)、In(インジウム)、Ta(タンタル)、Ti、Moの少なくとも1つを含有してもよい。これにより、Cu原子のマイグレーションを抑制し、耐電力性をより向上できる。
金属膜12aと圧電基板10との密着性を向上させるため、金属膜12aと圧電基板10との間に、Cr膜、NiCr膜またはTi膜等の密着膜が設けられていてもよい。図5(a)のような拡散を抑制するため、密着膜は金属膜12aより薄いことが好ましい。金属膜12aは設けられていなくてもよい。
弾性波デバイスの損失を抑制するため、電極指14の抵抗は低い方が好ましい。この観点から、抵抗率の高い金属膜12a、12cおよび12dはいずれも抵抗率の低い金属膜12bより薄いことが好ましい。
[比較例4]
比較例4における弾性波デバイスの製造方法について説明する。特許文献2を参考に、IDTの形成方法を考えると以下のようになる。図15(a)および図15(b)は、比較例4に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。
比較例4における弾性波デバイスの製造方法について説明する。特許文献2を参考に、IDTの形成方法を考えると以下のようになる。図15(a)および図15(b)は、比較例4に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。
図15(a)に示すように、圧電基板10上に、Ru膜の金属膜12a、Al、Ta、TiまたはCu等の金属膜12b、Ru膜等の金属膜12cを形成する。金属膜12cを酸素を含むプラズマでドライエッチングする。その後、金属膜12bをハロゲンを含むプラズマでドライエッチングする。その後、金属膜12aを酸素を含むプラズマでドライエッチングする。金属膜12aを設けることで、ハロゲンを含むドライエッチングより圧電基板10がエッチングされることを抑制できる。
しかしながら、金属膜12aおよび12cのエッチングレートは金属膜12bのエッチングレートより小さく、例えば1/10となる。このため、金属膜12aの側面の圧電基板10の上面に対する角度θaおよび金属膜12cの側面の金属膜12bの上面に対する角度θcは、金属膜12bの側面の圧電基板10の上面に対する角度θbより小さくなる。よって、金属膜12aと12bとの界面および金属膜12bと12cとの界面が電極指14の側面に露出する領域54および55において、側面の傾きが不連続に変化する。
図15(b)に示すように、電極指14を覆うように誘電体膜15を成膜する。このとき、金属膜12aと12bの側面の傾きが異なるため、金属膜12aと12bとの側面における誘電体膜15の成長速度が異なる。このため、誘電体膜15内にノッチ状のひび割れまたは空隙46が生じる。これにより、弾性波デバイスの温度特性の劣化および/または損失増大等の特性の劣化が生じる。このようなひび割れまたは空隙46は、誘電体膜15の成膜方法がCVD法およびスパッタリング法のいずれの場合にも生じる。
[実施例1の効果]
実施例1では、図14(a)から図14(c)のように、電極指14の側面に傾きの不連続が形成されないため、誘電体膜15にひび割れまたは空隙46が形成されることを抑制できる。
実施例1では、図14(a)から図14(c)のように、電極指14の側面に傾きの不連続が形成されないため、誘電体膜15にひび割れまたは空隙46が形成されることを抑制できる。
実施例1によれば、一対の櫛型電極18(櫛歯電極)は弾性波を励振する複数の電極指14と、複数の電極指14が接続されたバスバー16とを有する。一対の櫛型電極18は、電極指14がほぼ互い違いとなるように、対向して設けられている。対向して設けられた電極指14は、少なくとも一部において等周期で配列される。電極指14は、圧電基板10上に設けられたCuを主成分とする金属膜12b(第1金属膜)と、金属膜12b上に設けられ、Crより融点が高い元素を主成分とする金属膜12c(第2金属膜)を有する。これにより、実施例1と比較例2および3との比較のように、耐電力性が向上する。なお、ある元素を主成分とするとは、実施例1の効果が得られる程度にある元素を含む意味である。例えばある元素が50原子%以上(または例えば90原子%以上)含まれることである。
金属膜12bは、Ru、Rh、ReおよびIrの少なくとも1つを主成分とすることが好ましい。これらの金属は、表1のように融点が高く、Cuとの格子不整合が小さく、かつ標準電極電位が高い。よって、耐電力性がより向上する。また、ヤング率が大きいため、Q値等を向上できる。
金属膜12cは金属膜12bより薄い。抵抗の低い金属膜12cが厚くなるため、電極指14を低抵抗化できる。
複数の電極指14は、圧電基板10と金属膜12bとの間に設けられ、Crより融点が高い元素を主成分とする金属膜12a(第3金属膜)を有する。このように、融点の高い元素を主成分とする金属膜12aが金属膜12bと圧電基板10との間に設けられる。よって、比較例1と比較例2との比較のように、耐電力性およびQ値を向上できる。
金属膜12bと金属膜12aとの界面における複数の電極指14の側面は平面である。これにより、比較例4との比較のように、誘電体膜15にひび割れまたは空隙46が形成されることを抑制できる。
圧電基板10上に櫛型電極18を覆い櫛型電極18より厚い誘電体膜15(絶縁膜)を備えている場合、誘電体膜15と電極指14との密度差を大きくするため、金属膜12bとしてCuを主成分とする金属膜を用いることができる。
金属膜12bは、Cuを主成分とし、Ag、Al、Mg、Mn、Sn、Zr、In、Ta、Ti、Moの少なくとも1つを含有することが好ましい。これにより、Cuのマイグレーションを抑制し、耐電力性をより向上できる。
圧電基板10がニオブ酸リチウム基板またはタンタル酸リチウム基板のときに、誘電体膜15を酸化シリコン膜または弗素を添加した酸化シリコン膜とする。これにより、弾性波デバイスの周波数温度係数を0に近づけることができる。
圧電基板10をニオブ酸リチウム基板とした場合、例えば回転YカットX伝搬ニオブ酸リチウム基板を用いる。回転Yカット角が127.86°のときレイリー波の電気機械結合係数が最大となる。Campbell&Jones法を用いシミュレーションすると、回転Yカット角が120°から140°の範囲では、レイリー波の電気機械結合係数がリーキー波の電気機械結合係数より大きくなる。よって、レイリー波を主モードとし、リーキー波を不要波とする場合、回転Yカット角は120°以上かつ140°以下が好ましい。電気機械結合係数が最大となる回転Yカット角127.86°に対し製造上のばらつきを考慮し、回転Yカット角は126°以上かつ130°以下がより好ましい。
また、回転YカットX伝搬ニオブ酸リチウム基板を用いる。回転Yカット角が0°のときリーキー波の電気機械結合係数が最大となる。回転Yカット角が−10°から10°の範囲では、リーキー波の電気機械結合係数がレイリー波の電気機械結合係数より大きくなる。よって、リーキー波を主モードとし、レイリー波を不要波とする場合、回転Yカット角は−10°以上かつ10°以下が好ましい。製造上のばらつきを考慮し、回転Yカット角は−3°以上かつ3°以下がより好ましい。
圧電基板10をタンタル酸リチウム基板とした場合、例えば回転YカットX伝搬タンタル酸リチウム基板を用いる。回転Yカット角が20°より小さいと電気機械結合係数が小さくなる。回転Yカット角が48°より大きいと、周波数の温度係数が大きくなる。よって、回転Yカット角は20°以上かつ48°以下が好ましい。
圧電基板10はニオブ酸リチウム基板であり、誘電体膜15は酸化シリコン膜であることが好ましい。これにより、電極指14内の歪エネルギーを小さくでき、損失を抑制できる。
実施例2は、実施例1に係る弾性表面波共振器を有するフィルタの例である。図16(a)は、実施例2に係るフィルタの平面図、図16(b)は、図16(a)のA−A断面図である。図16(a)および図16(b)に示すように、圧電基板10上に弾性表面波共振器24、配線26、パッド27が設けられている。弾性表面波共振器24および配線26を覆うように誘電体膜15が設けられている。パッド27上の誘電体膜15に開口(不図示)が形成され、開口内にバンプ28が設けられている。弾性表面波共振器24は、IDT20および反射器22を備えている。
複数の弾性表面波共振器24は、直列共振器S1からS3および並列共振器P1およびP2を含む。バンプ28は、端子T1、T2およびTgを含む。端子T1は、高周波信号が入力する入力端子に対応する。端子T2は、高周波信号が出力する出力端子に対応する。端子Tgはグランド電位が供給されるグランド端子に対応する。端子T1とT2との間に、直列共振器S1からS3が直列に接続され、並列共振器P1およびP2が並列に接続されている。
実施例2のように、実施例1の弾性表面波共振器をフィルタの少なくとも1つの共振器に用いる。これにより、フィルタの特性を向上できる。ラダー型フィルタの直列共振器および並列共振器の個数は任意に設定できる。実施例1の弾性表面波共振器は多重モードフィルタに用いてもよい。
図17は、実施例2の変形例に係るデュプレクサの回路図である。図17に示すように、共通端子Antと送信端子Txとの間に送信フィルタ60が接続されている。共通端子Antと受信端子Rxとの間に受信フィルタ62が接続されている。送信フィルタ60は送信端子Txから入力した高周波信号のうち送信帯域の信号を共通端子Antに通過させ、他の信号を抑圧する。受信フィルタ62は、共通端子Antに入力した高周波信号のうち受信帯域の信号を通過させ、他の信号を抑圧する。
送信フィルタ60および受信フィルタ62の少なくとも一方に実施例2のフィルタを用いることができる。マルチプレクサとしてデュプレクサの例を説明したが、トリプレクサまたはクワッドプレクサでもよい。
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
10 圧電基板
12、12a−12d 金属膜
14 電極指
15 誘電体膜
20 IDT
22 反射器
24 弾性表面波共振器
60 送信フィルタ
62 受信フィルタ
12、12a−12d 金属膜
14 電極指
15 誘電体膜
20 IDT
22 反射器
24 弾性表面波共振器
60 送信フィルタ
62 受信フィルタ
Claims (11)
- 圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられたCuを主成分とする第1金属膜と、前記第1金属膜上に設けられ、Crより融点が高い元素を主成分とする第2金属膜と、を有し、弾性波を励振する複数の電極指を、各々が有する一対の櫛歯電極と、
を具備する弾性波デバイス。 - 前記第2金属膜は、Ru、Rh、ReおよびIrの少なくとも1つを主成分とする請求項1記載の弾性波デバイス。
- 前記第2金属膜は前記第1金属膜より薄い請求項1または2記載の弾性波デバイス。
- 前記複数の電極指は、前記圧電基板と前記第1金属膜との間に設けられ、Crより融点が高い元素を主成分とする第3金属膜を有する請求項1から3のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記第1金属膜と前記第3金属膜との界面における前記複数の電極指の側面は平面である請求項4記載の弾性波デバイス。
- 前記圧電基板は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である請求項1から5のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記圧電基板上に前記櫛歯電極を覆い前記櫛歯電極より厚い絶縁膜を具備する請求項1から6のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記圧電基板はニオブ酸リチウム基板であり、前記絶縁膜は酸化シリコン膜である請求項7記載の弾性波デバイス。
- 前記第1金属膜は、Ag、Al、Mg、Mn、Sn、Zr、In、Ta、Ti、Moの少なくとも1つを含有する請求項1から8のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記複数の電極指を含むフィルタを具備する請求項1から9のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記フィルタを含むマルチプレクサを具備する請求項10記載の弾性波デバイス。
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JP2017078244A JP2018182499A (ja) | 2017-04-11 | 2017-04-11 | 弾性波デバイス |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2023286605A1 (ja) * | 2021-07-13 | 2023-01-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
-
2017
- 2017-04-11 JP JP2017078244A patent/JP2018182499A/ja active Pending
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