WO2023058767A1 - 弾性波装置 - Google Patents

Abstract

周波数特性の劣化を抑制する。弾性波装置は、第１方向に厚みを有する支持部材と、支持部材の第１方向に設けられた圧電層と、圧電層の主面に設けられ、第１方向に交差する第２方向に延びる１つ以上の第１電極指と、１つ以上の第１電極指が接続された第１のバスバー電極と、第２方向に直交する第３方向に１つ以上の第１電極指のいずれかと対向し、第２方向に延びる１つ以上の第２電極指と、１つ以上の第２電極指が接続された第２のバスバー電極と、を有する機能電極と、を備え、圧電層は、前記機能電極と接する第１圧電体と、第１圧電体とは誘電分極の状態が異なる第２圧電体を含む圧電積層構造体であり、第１圧電体の厚みは、第２圧電体の厚み以下である。

Description

弾性波装置

　本開示は、弾性波装置に関する。

　特許文献１には、弾性波装置が記載されている。

特開２０１２－２５７０１９号公報

　特許文献１に示す弾性波装置において、分極軸（配向軸）が異なる２種の圧電体同士を接合して圧電層として用いることがある。この場合、不要波が抑制されず、不要波が主モードの低周波数側に強く生じ、周波数特性が劣化する可能性があった。

　本開示は、上述した課題を解決するものであり、周波数特性の劣化を抑制することを目的とする。

　一態様に係る弾性波装置は、第１方向に厚みを有する支持部材と、前記支持部材の前記第１方向に設けられた圧電層と、前記圧電層の主面に設けられ、前記第１方向に交差する第２方向に延びる１つ以上の第１電極指と、前記１つ以上の第１電極指が接続された第１のバスバー電極と、前記第２方向に直交する第３方向に前記１つ以上の第１電極指のいずれかと対向し、前記第２方向に延びる１つ以上の第２電極指と、前記１つ以上の第２電極指が接続された第２のバスバー電極と、を有する機能電極と、を備え、前記圧電層は、前記機能電極と接する第１圧電体と、前記第１圧電体とは誘電分極の状態が異なる第２圧電体を含む圧電積層構造体であり、前記第１圧電体の厚みは、前記第２圧電体の厚み以下である。

　本開示によれば、周波数特性の劣化を抑制できる。

図１Ａは、第１実施形態の弾性波装置を示す斜視図である。 図１Ｂは、第１実施形態の電極構造を示す平面図である。 図２は、図１ＡのＩＩ－ＩＩ線に沿う部分の断面図である。 図３Ａは、比較例の圧電層を伝播するラム波を説明するための模式的な断面図である。 図３Ｂは、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。 図４は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。 図５は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。 図６は、第１実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離又は中心間距離の平均距離をｐ、圧電層の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。 図７は、第１実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す平面図である。 図８は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。 図９は、第１実施形態の弾性波装置の、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す説明図である。 図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す説明図である。 図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ_３のオイラー角（０°、θ、ψ）に対する比帯域のマップを示す説明図である。 図１２は、本開示の実施形態に係る弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。 図１３は、第１実施形態の変形例であって、図１ＡのＩＩ－ＩＩ線に沿う部分の断面図である。 図１４は、第１実施形態に係る弾性波装置の一例を示す模式的な断面図である。 図１５は、第１実施形態に係る弾性波装置のフィルタ特性を説明するための図である。 図１６は、第１実施形態に係る弾性波装置の結合係数を説明するための図である。 図１７は、第１実施形態に係る弾性波装置の結合係数を説明するための図である。 図１８は、第１実施形態に係る弾性波装置の他の例を示す模式的な断面図である。 図１９は、第２実施形態に係る弾性波装置の一例を示す模式的な断面図である。 図２０は、第２実施形態に係る弾性波装置の他の例を示す模式的な断面図である。 図２１は、第２実施形態に係る弾性波装置の結合係数を説明するための図である。 図２２は、第３実施形態に係る弾性波装置の一例を示す模式的な断面図である。

　以下に、本開示の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態により本開示が限定されるものではない。なお、本開示に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換又は組み合わせが可能である変形例や第２実施の形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

　（第１実施形態）
　図１Ａは、第１実施形態の弾性波装置を示す斜視図である。図１Ｂは、第１実施形態の電極構造を示す平面図である。

　第１実施形態の弾性波装置１は、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電層２を有する。圧電層２は、ＬｉＴａＯ_３からなるものであってもよい。ＬｉＮｂＯ_３やＬｉＴａＯ_３のカット角は、第１実施形態では、Ｚカットである。ＬｉＮｂＯ_３やＬｉＴａＯ_３のカット角は、回転ＹカットやＸカットであってもよい。好ましくは、Ｙ伝搬及びＸ伝搬±３０°の伝搬方位が好ましい。

　圧電層２の厚みは、特に限定されないが、厚み滑り１次モードを効果的に励振するには、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下が好ましい。

　圧電層２は、Ｚ方向に対向し合う第１主面２ａと、第２主面２ｂとを有する。第１主面２ａ上に、電極指３及び電極指４が設けられている。

　ここで電極指３が「第１電極指」の一例であり、電極指４が「第２電極指」の一例である。図１Ａ及び図１Ｂでは、複数の電極指３は、第１のバスバー電極５に接続されている複数の「第１電極指」である。複数の電極指４は、第２のバスバー電極６に接続されている複数の「第２電極指」である。複数の電極指３及び複数の電極指４は、互いに間挿し合っている。これにより、電極指３と、電極指４と、第１のバスバー電極５と、第２のバスバー電極６と、を備えるＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｕｄｕｃｅｒ）電極が構成される。

　電極指３及び電極指４は、矩形形状を有し、長さ方向を有する。この長さ方向と直交する方向において、電極指３と、電極指３と隣接する電極指４とが対向している。電極指３、４の長さ方向及び電極指３、４の長さ方向と直交する方向は、圧電層２の厚み方向に交差する方向である。このため、電極指３と、電極指３と隣接する電極指４とは、圧電層２の厚み方向に交差する方向において対向しているともいえる。以下の説明では、圧電層２の厚み方向をＺ方向（又は第１方向）とし、電極指３、電極指４の長さ方向をＹ方向（又は第２方向）とし、電極指３、電極指４の直交する方向をＸ方向（又は第３方向）として、説明することがある。

　また、電極指３、電極指４の長さ方向が図１Ａ及び図１Ｂに示す電極指３、電極指４の長さ方向に直交する方向と入れ替わってもよい。すなわち、図１Ａ及び図１Ｂにおいて、第１のバスバー電極５及び第２のバスバー電極６が延びている方向に電極指３、電極指４を延ばしてもよい。その場合、第１のバスバー電極５及び第２のバスバー電極６は、図１Ａ及び図１Ｂにおいて電極指３、電極指４が延びている方向に延びることとなる。そして、一方電位に接続される電極指３と、他方電位に接続される電極指４とが隣り合う１対の構造が、上記電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向に、複数対設けられている。

　ここで電極指３と電極指４とが隣り合うとは、電極指３と電極指４とが直接接触するように配置されている場合ではなく、電極指３と電極指４とが間隔を介して配置されている場合を指す。また、電極指３と電極指４とが隣り合う場合、電極指３と電極指４との間には、他の電極指３、電極指４を含む、ホット電極やグラウンド電極に接続される電極は配置されない。この対数は、整数対である必要はなく、１．５対、２．５対等であってもよい。

　電極指３と電極指４との間の中心間距離すなわちピッチは、１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲が好ましい。また、電極指３と電極指４との間の中心間距離とは、電極指３の長さ方向と直交する方向における電極指３の幅寸法の中心と、電極指４の長さ方向と直交する方向における電極指４の幅寸法の中心とを結んだ距離となる。

　さらに、電極指３、電極指４の少なくとも一方が複数本ある場合（電極指３、電極指４を一対の電極組とした場合に、１．５対以上の電極組がある場合）、電極指３、電極指４の中心間距離は、１．５対以上の電極指３、電極指４のうち隣り合う電極指３、電極指４それぞれの中心間距離の平均値を指す。

　また、電極指３、電極指４の幅、すなわち電極指３、電極指４の対向方向の寸法は、１５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲が好ましい。なお、電極指３と電極指４との間の中心間距離とは、電極指３の長さ方向と直交する方向における電極指３の寸法（幅寸法）の中心と、電極指４の長さ方向と直交する方向における電極指４の寸法（幅寸法）の中心とを結んだ距離となる。

　また、第１実施形態では、Ｚカットの圧電層を用いているため、電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向は、圧電層２の分極方向に直交する方向となる。圧電層２として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交（電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば９０°±１０°）でもよい。

　圧電層２の第２主面２ｂ側には、中間層７を介して支持基板８が積層されている。中間層７及び支持基板８は、枠状の形状を有し、図２に示すように、開口部７ａ、８ａを有する。それによって、空間部（エアギャップ）９が形成されている。

　空間部９は、圧電層２の励振領域Ｃの振動を妨げないために設けられている。従って、上記支持基板８は、少なくとも１対の電極指３、電極指４が設けられている部分と重ならない位置において、第２主面２ｂに中間層７を介して積層されている。なお、中間層７は設けられずともよい。従って、支持基板８は、圧電層２の第２主面２ｂに直接又は間接に積層され得る。

　中間層７は、酸化ケイ素で形成されている。もっとも、中間層７は、酸化ケイ素の他、窒化ケイ素、アルミナ等の適宜の絶縁性材料で形成することができる。

　支持基板８は、Ｓｉにより形成されている。Ｓｉの圧電層２側の面における面方位は（１００）や（１１０）であってもよく、（１１１）であってもよい。好ましくは、抵抗率４ｋΩ以上の高抵抗のＳｉが望ましい。もっとも、支持基板８についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。支持基板８の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶等の圧電体、アルミナ、マグネシア、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、ダイヤモンド、ガラス等の誘電体、窒化ガリウム等の半導体等を用いることができる。

　上記複数の電極指３、電極指４及び第１のバスバー電極５、第２のバスバー電極６は、Ａｌ、ＡｌＣｕ合金等の適宜の金属又は合金からなる。第１実施形態では、電極指３、電極指４及び第１のバスバー電極５、第２のバスバー電極６は、Ｔｉ膜上にＡｌ膜を積層した構造を有する。なお、Ｔｉ膜以外の密着層を用いてもよい。

　駆動に際しては、複数の電極指３と、複数の電極指４との間に交流電圧を印加する。より具体的には、第１のバスバー電極５と第２のバスバー電極６との間に交流電圧を印加する。それによって、圧電層２において励振される厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。

　また、弾性波装置１では、圧電層２の厚みをｄ、複数対の電極指３、電極指４のうちいずれかの隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐは０．５以下とされている。そのため、上記厚み滑り１次モードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、ｄ／ｐは０．２４以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。

　なお、第１実施形態のように電極指３、電極指４の少なくとも一方が複数本ある場合、すなわち、電極指３、電極指４を１対の電極組とした場合に電極指３、電極指４が１．５対以上ある場合、隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離は、各隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離の平均距離となる。

　第１実施形態の弾性波装置１では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極指３、電極指４の対数を小さくしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。これは、両側に反射器を必要としない共振器であり、伝搬ロスが少ないためである。また、上記反射器を必要としないのは、厚み滑り１次モードのバルク波を利用していることによる。

　図３Ａは、比較例の圧電層を伝播するラム波を説明するための模式的な断面図である。図３Ｂは、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。図４は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。

　図３Ａでは、特許文献１に記載のような弾性波装置であり、圧電層をラム波が伝搬する。図３Ａに示すように、圧電層２０１中を矢印で示すように波が伝搬する。ここで、圧電層２０１には、第１主面２０１ａと、第２主面２０１ｂとがあり、第１主面２０１ａと第２主面２０１ｂとを結ぶ厚み方向がＺ方向である。Ｘ方向は、ＩＤＴ電極の電極指３、４が並んでいる方向である。図３Ａに示すように、ラム波では、波が図示のように、Ｘ方向に伝搬していく。板波であるため、圧電層２０１が全体として振動するものの、波はＸ方向に伝搬するため、両側に反射器を配置して、共振特性を得ている。そのため、波の伝搬ロスが生じ、小型化を図った場合、すなわち電極指３、４の対数を少なくした場合、Ｑ値が低下する。

　これに対して、図３Ｂに示すように、第１実施形態の弾性波装置では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層２の第１主面２ａと第２主面２ｂとを結ぶ方向、すなわちＺ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のＸ方向成分がＺ方向成分に比べて著しく小さい。そして、このＺ方向の波の伝搬により共振特性が得られるため、反射器を必要としない。よって、反射器に伝搬する際の伝搬損失は生じない。従って、小型化を進めようとして、電極指３、電極指４からなる電極対の対数を減らしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。

　なお、厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向は、図４に示すように、圧電層２の励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）に含まれる第１領域２５１と、励振領域Ｃに含まれる第２領域２５２とで逆になる。図４では、電極指３と電極指４との間に、電極指４が電極指３よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示してある。第１領域２５１は、励振領域Ｃのうち、圧電層２の厚み方向に直交し圧電層２を２分する仮想平面ＶＰ１と、第１主面２ａとの間の領域である。第２領域２５２は、励振領域Ｃのうち、仮想平面ＶＰ１と、第２主面２ｂとの間の領域である。

　弾性波装置１では、電極指３と電極指４とからなる少なくとも１対の電極が配置されているが、Ｘ方向に波を伝搬させるものではないため、この電極指３、電極指４からなる電極対の対数は複数対ある必要は必ずしもない。すなわち、少なくとも１対の電極が設けられてさえおればよい。

　例えば、上記電極指３がホット電位に接続される電極であり、電極指４がグラウンド電位に接続される電極である。もっとも、電極指３がグラウンド電位に、電極指４がホット電位に接続されてもよい。第１実施形態では、少なくとも１対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極又はグラウンド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。

　図５は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。なお、図５に示す共振特性を得た弾性波装置１の設計パラメータは以下のとおりである。

　圧電層２：オイラー角（０°、０°、９０°）のＬｉＮｂＯ_３
　圧電層２の厚み：４００ｎｍ

　励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）の長さ：４０μｍ
　電極指３、電極指４からなる電極の対数：２１対
　電極指３と電極指４との間の中心間距離（ピッチ）：３μｍ
　電極指３、電極指４の幅：５００ｎｍ
　ｄ／ｐ：０．１３３

　中間層７：１μｍの厚みの酸化ケイ素膜

　支持基板８：Ｓｉ

　なお、励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）とは、電極指３と電極指４の長さ方向と直交するＸ方向に視たときに、電極指３と電極指４とが重なっている領域である。励振領域Ｃの長さとは、励振領域Ｃの電極指３、電極指４の長さ方向に沿う寸法である。ここで、励振領域Ｃとは、「交差領域」の一例である。

　第１実施形態では、電極指３、電極指４からなる電極対の中心間距離は、複数対において全て等しくした。すなわち、電極指３と電極指４とを等ピッチで配置した。

　図５から明らかなように、反射器を有しないにもかかわらず、比帯域が１２．５％である良好な共振特性が得られている。

　ところで、上記圧電層２の厚みをｄ、電極指３と電極指４との電極の中心間距離をｐとした場合、第１実施形態では、ｄ／ｐは０．５以下、より好ましくは０．２４以下である。これを、図６を参照して説明する。

　図５に示した共振特性を得た弾性波装置と同様に、但しｄ／２ｐを変化させ、複数の弾性波装置を得た。図６は、第１実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離又は中心間距離の平均距離をｐ、圧電層２の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。

　図６に示すように、ｄ／２ｐが０．２５を超えると、すなわちｄ／ｐ＞０．５では、ｄ／ｐを調整しても、比帯域は５％未満である。これに対して、ｄ／２ｐ≦０．２５、すなわちｄ／ｐ≦０．５の場合には、その範囲内でｄ／ｐを変化させれば、比帯域を５％以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、ｄ／２ｐが０．１２以下の場合、すなわちｄ／ｐが０．２４以下の場合には、比帯域を７％以上と高めることができる。加えて、ｄ／ｐをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、上記厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。

　なお、少なくとも１対の電極は、１対でもよく、上記ｐは、１対の電極の場合、隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離とする。また、１．５対以上の電極の場合には、隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離の平均距離をｐとすればよい。

　また、圧電層２の厚みｄについても、圧電層２が厚みばらつきを有する場合、その厚みを平均化した値を採用すればよい。

　図７は、第１実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す平面図である。弾性波装置１０１では、圧電層２の第１主面２ａ上において、電極指３と電極指４とを有する１対の電極が設けられている。なお、図７中のＫが交差幅となる。前述したように、本開示の弾性波装置では、電極の対数は１対であってもよい。この場合においても、上記ｄ／ｐが０．５以下であれば、厚み滑り１次モードのバルク波を効果的に励振することができる。

　弾性波装置１では、好ましくは、複数の電極指３、電極指４において、いずれかの隣り合う電極指３、電極指４が対向している方向に視たときに重なっている領域である励振領域Ｃに対する、上記隣り合う電極指３、電極指４のメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが望ましい。その場合には、スプリアスを効果的に小さくすることができる。これを、図８及び図９を参照して説明する。

　図８は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。矢印Ｂで示すスプリアスが、共振周波数と反共振周波数との間に現れている。なお、ｄ／ｐ＝０．０８として、かつＬｉＮｂＯ_３のオイラー角（０°、０°、９０°）とした。また、上記メタライゼーション比ＭＲ＝０．３５とした。

　メタライゼーション比ＭＲを、図１Ｂを参照して説明する。図１Ｂの電極構造において、１対の電極指３、電極指４に着目した場合、この１対の電極指３、電極指４のみが設けられるとする。この場合、一点鎖線で囲まれた部分が励振領域Ｃとなる。この励振領域Ｃとは、電極指３と電極指４とを、電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向すなわち対向方向に視たときに、電極指４と重なり合っている電極指３の領域、電極指３と重なり合っている電極指４の領域及び電極指３と電極指４とが重なり合っている電極指３と電極指４との間の領域である。そして、この励振領域Ｃの面積に対する、励振領域Ｃ内の電極指３及び電極指４の面積が、メタライゼーション比ＭＲとなる。すなわち、メタライゼーション比ＭＲは、メタライゼーション部分の面積の励振領域Ｃの面積に対する比である。

　なお、複数対の電極指３、電極指４が設けられている場合、励振領域Ｃの面積の合計に対する全励振領域Ｃに含まれているメタライゼーション部分の割合をＭＲとすればよい。

　図９は、第１実施形態の弾性波装置の、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す説明図である。なお、比帯域については、圧電層２の膜厚や電極指３、電極指４の寸法を種々変更し、調整した。また、図９は、ＺカットのＬｉＮｂＯ_３からなる圧電層２を用いた場合の結果であるが、他のカット角の圧電層２を用いた場合においても、同様の傾向となる。

　図９中の楕円Ｊで囲まれている領域では、スプリアスが１．０と大きくなっている。図９から明らかなように、比帯域が０．１７を超えると、すなわち１７％を超えると、スプリアスレベルが１以上の大きなスプリアスが、比帯域を構成するパラメータを変化させたとしても、通過帯域内に現れる。すなわち、図８に示す共振特性のように、矢印Ｂで示す大きなスプリアスが帯域内に現れる。よって、比帯域は１７％以下であることが好ましい。この場合には、圧電層２の膜厚や電極指３、電極指４の寸法等を調整することにより、スプリアスを小さくすることができる。

　図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す説明図である。第１実施形態の弾性波装置１において、ｄ／２ｐと、ＭＲが異なる様々な弾性波装置１を構成し、比帯域を測定した。図１０の破線Ｄの右側のハッチングを付して示した部分が、比帯域が１７％以下の領域である。このハッチングを付した領域と、付していない領域との境界は、ＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０７５で表される。すなわち、ＭＲ＝１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。従って、好ましくは、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。その場合には、比帯域を１７％以下としやすい。より好ましくは、図１０中の一点鎖線Ｄ１で示すＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０５の右側の領域である。すなわち、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０５であれば、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。

　図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ_３のオイラー角（０°、θ、ψ）に対する比帯域のマップを示す説明図である。図１１のハッチングを付して示した部分が、少なくとも５％以上の比帯域が得られる領域である。領域の範囲を近似すると、下記の式（１）、式（２）及び式（３）で表される範囲となる。

　（０°±１０°、０°～２０°、任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°、２０°～８０°、０°～６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２）又は（０°±１０°、２０°～８０°、［１８０°－６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°、［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）^２／８１００）^１／２］～１８０°、任意のψ）　　…式（３）

　従って、上記式（１）、式（２）又は式（３）のオイラー角範囲の場合、比帯域を十分に広くすることができ、好ましい。

　図１２は、本開示の実施形態に係る弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。図１２において、空間部９の外周縁を破線で示す。本開示の弾性波装置は、板波を利用するものであってもよい。この場合、図１２に示すように、弾性波装置３０１は、反射器３１０、３１１を有する。反射器３１０、３１１は、圧電層２の電極指３、４の弾性波伝搬方向両側に設けられる。弾性波装置３０１では、空間部９上の電極指３、４に、交流電界を印加することにより、板波としてのラム波が励振される。このとき、反射器３１０、３１１が両側に設けられているため、板波としてのラム波による共振特性を得ることができる。

　図１３は、第１実施形態の変形例であって、図１ＡのＩＩ－ＩＩ線に沿う部分の断面図である。弾性波装置４０１では、圧電層２の第２主面２ｂに音響反射層４０２が積層されている。音響反射層４０２は、低音響インピーダンス層４０２ａ、４０２ｃ、４０２ｅと、高音響インピーダンス層４０２ｂ、４０２ｄとの積層構造を有する。低音響インピーダンス層４０２ａ、４０２ｃ、４０２ｅは、音響インピーダンスが相対的に低い層であり、例えばＳｉＯ_２の層である。高音響インピーダンス層４０２ｂ、４０２ｄは、音響インピーダンスが相対的に高い層であり、例えばＷ、Ｐｔ等の金属層又はＡｌＮ、ＳｉＮ等の誘電体層である。音響反射層４０２を用いた場合、弾性波装置１における空間部９を設けなくても、厚み滑り１次モードのバルク波を圧電層２内に閉じ込めることができる。弾性波装置４０１においても、上記ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、厚み滑り１次モードのバルク波に基づく共振特性を得ることができる。なお、音響反射層４０２において、低音響インピーダンス層４０２ａ、４０２ｃ、４０２ｅ及び高音響インピーダンス層４０２ｂ、４０２ｄの積層数は特に限定されない。低音響インピーダンス層４０２ａ、４０２ｃ、４０２ｅよりも、高音響インピーダンス層４０２ｂ、４０２ｄのうち少なくとも１層の高音響インピーダンス層が、圧電層２から遠い側に配置されてさえすればよい。

　低音響インピーダンス層４０２ａ、４０２ｃ、４０２ｅ及び高音響インピーダンス層４０２ｂ、４０２ｄの材料は、以上に示した材料に限られず、音響インピーダンスの大小関係を満たす限り、適宜の材料で構成することができる。例えば、低音響インピーダンス層４０２ａ、４０２ｃ、４０２ｅの材料としては、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素等を挙げることができる。また、高音響インピーダンス層４０２ｂ、４０２ｄの材料としては、アルミナ、窒化ケイ素、金属等を挙げることができる。

　以上説明したように、弾性波装置１、１０１では、厚み滑り１次モードのバルク波が利用されている。また、弾性波装置１、１０１では、第１電極指３及び第２電極指４は隣り合う電極同士であり、圧電層２の厚みをｄ、第１電極指３及び第２電極指４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下とされている。これにより、弾性波装置が小型化しても、Ｑ値を高めることができる。

　弾性波装置１、１０１では、圧電層２がニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムで形成されている。圧電層２の第１主面２ａ又は第２主面２ｂには、圧電層２の厚み方向に交差する方向において対向する第１電極指３及び第２電極指４があり、第１電極指３及び第２電極指４の上を保護膜で覆うことが望ましい。

　図１４は、第１実施形態に係る弾性波装置の一例を示す模式的な断面図である。図１４に示すように、第１実施形態に係る弾性波装置１Ａは、圧電層２０と、機能電極３０と、支持部材とを備える。以下の説明においては、Ｚ方向と平行な向きのうち、圧電層２０の第２主面２０ｂから第１主面２０ａに向かう向きを上、圧電層２０の第１主面２０ａから第２主面２０ｂに向かう向きを下として説明することがある。

　機能電極３０は、電極指３，４及びバスバー電極５、６を備えるＩＤＴ電極である。機能電極３０は、後述する圧電層２０の第１主面２０ａに設けられる。

　支持部材は、支持基板８を備える部材である。図１４に係る弾性波装置１Ａでは、支持部材は、支持基板８からなるが、これに限られず、支持基板８のＺ方向に設けられた中間層７をさらに備えてもよい。

　支持部材には、Ｚ方向に平面視して、機能電極３０と少なくとも一部が重なる位置に空間部９がある。図１４に係る弾性波装置１Ａでは、空間部９は、支持部材の圧電層２０側に設けられるが、あくまで一例であり、支持基板８をＺ方向に貫通するように設けられるものであってもよい。

　圧電層２０は、支持部材のＺ方向に設けられる。圧電層２０は、第１主面２０ａと、第１主面２０ａのＺ方向の反対側の第２主面２０ｂとを有する。図１４に係る弾性波装置１Ａでは、圧電層２０は、支持基板８のＺ方向に設けられる。

　圧電層２０は、圧電積層構造体、すなわち、複数の圧電体の積層体である。圧電層２０は、第１圧電体２１と、第２圧電体２２とを備える。第１圧電体２１は、Ｚ方向の面に機能電極３０が設けられる圧電体である。すなわち、第１圧電体２１の一方の面は、圧電層２０の第１主面２０ａである。第２圧電体２２は、第１圧電体２１に積層される圧電体である。第１実施形態では、第２圧電体２２の支持基板８側の面は、圧電層２０の第２主面２０ｂである。第１圧電体２１と第２圧電体２２とは、同じ組成の材料からなり、例えば、ＹＸカットのニオブ酸リチウムである。

　圧電層２０において、第１圧電体２１と第２圧電体２２とは、誘電分極の状態が互いに異なる。ここで、誘電分極の状態が異なるとは、誘電分極の向きが同一でないことをいう。図１４に係る弾性波装置１Ａでは、第１圧電体２１の誘電分極の向きは、上向きである一方で、第２圧電体２２の誘電分極の向きは、第１圧電体２１と反対の下方向である。これにより、主モードであるＳ２モードの結合係数を大きく保つことができる。

　第１圧電体２１の厚みをｄ１、第２圧電体２２の厚みをｄ２とした場合、ｄ１は、ｄ２以下である。すなわち、第１圧電体２１の厚みｄ１と第２圧電体２２の厚みｄ２との合計（すなわち圧電層２０の厚みｄ）に対する、第１圧電体２１の厚みｄ１の割合ｄ１／ｄは、０．５以下である。これにより、不要波であるＡ１モードを抑制でき、周波数特性の劣化を抑制できる。また、第１圧電体２１の厚みの割合ｄ１／ｄを、０．２以上０．４以下とした場合、不要波であるＡ１モードをより抑制でき、好ましい。また、第１圧電体２１の厚みの割合ｄ１／ｄを、０．４より大きく０．５以下とした場合、主モードであるＳ２モードの結合係数をより大きく保つことができ、好ましい。

　圧電層２０の誘電分極の状態は、ＳＰＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｐｒｏｂｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）で観察することができる。具体的には、圧電層２０の断面についての、ＰＲＭ（Ｐｉｅｚｏ　Ｒｅｓｐｏｎｓｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）の観察像で、誘電分極の向きが異なる領域が、異なる色を示す領域として現れる。これにより、第１圧電体２１の厚みｄ１及び第２圧電体２２の厚みｄ２を測定することができる。

　図１５は、第１実施形態に係る弾性波装置のフィルタ特性を説明するための図である。より詳しくは、図１５は、第１圧電体２１の厚みの割合ｄ１／ｄが０．６である比較例及び第１圧電体２１の厚みの割合ｄ１／ｄが０．４である実施例に係る弾性波装置のアドミタンス特性を示す図である。ここで、図１５において、楕円Ｅは、不要波であるＡ１モードを示し、楕円Ｆは、主要波であるＳ２モードを示す。図１５に示すように、第１圧電体２１の厚みの割合ｄ１／ｄが０．６である比較例に係る弾性波装置は、Ａ１モードが抑圧されず、Ａ１モードがＳ２モードの低域側に強勢に生じている。一方で、第１圧電体２１の厚みの割合ｄ１／ｄが０．４である実施例に係る弾性波装置では、Ｓ２モードを抑制することなく、Ａ１モードを抑制できることが分かる。

　図１６は、第１実施形態に係る弾性波装置の結合係数を説明するための図である。より詳しくは、図１６は、第１圧電体２１の厚みの割合ｄ１／ｄに対するＡ１モード及びＳ２モードの結合係数のシミュレーション結果を示すグラフである。ここで、図１６に係るシミュレーションにおいて、圧電層２０の厚みｄは、８００ｎｍであり、電極指３、４のピッチｐは、８０００ｎｍである。図１６に示すように、第１圧電体２１の厚みの割合ｄ１／ｄが０．５以下である場合、Ａ１モードの結合係数を抑制できることが分かる。また、第１圧電体２１の厚みの割合ｄ１／ｄが０．４以下である場合、Ａ１モードの結合係数をより抑制できることが分かる。また、第１圧電体２１の厚みの割合ｄ１／ｄが０．４より大きく、０．５以下である場合、Ａ１モードの結合係数を抑制しつつ、Ｓ２モードの結合係数を大きく保つことができることが分かる。

　図１７は、第１実施形態に係る弾性波装置の結合係数を説明するための図である。より詳しくは、図１７は、第１圧電体２１の厚みの割合ｄ１／ｄ及び圧電層２０の厚みｄに対する電極指３、４のピッチｐの比ｐ／ｄに対応するＡ１モードの結合係数のシミュレーション結果を示す図である。図１７に示すように、圧電層２０の厚みｄに対する電極指３、４のピッチｐの比ｐ／ｄの値によらず、第１圧電体２１の厚みの割合ｄ１／ｄが０．５以下である場合、Ａ１モードの結合係数を抑制することができ、第１圧電体２１の厚みの割合ｄ１／ｄが０．４以下とした場合、Ａ１モードの結合係数をより抑制することができることが分かる。

　以上、第１実施形態に係る弾性波装置について説明したが、第１実施形態に係る弾性波装置は、図１４で示すものに限られない。

　図１８は、第１実施形態に係る弾性波装置の他の例を示す模式的な断面図である。図１８に示すように、機能電極３０は、空間部９の内部に設けられてもよい。図１８に示す弾性波装置１Ｂでは、支持基板８が、圧電層２の第１主面２０ａ側に支持基板８が積層される。この場合においても、不要波であるＡ１モードを抑制でき、周波数特性の劣化を抑制できる。

　以上説明したように、第１実施形態に係る弾性波装置は、第１方向に厚みを有する支持部材と、支持部材の第１方向に設けられた圧電層２０と、圧電層２０の主面に設けられ、第１方向に交差する第２方向に延びる１つ以上の第１電極指３と、１つ以上の第１電極指３が接続された第１のバスバー電極５と、第２方向に直交する第３方向に１つ以上の第１電極指３のいずれかと対向し、第２方向に延びる１つ以上の第２電極指４と、１つ以上の第２電極指４が接続された第２のバスバー電極６と、を有する機能電極３０と、を備え、圧電層２は、機能電極３０と接する第１圧電体２１と、第１圧電体２１とは誘電分極の状態が異なる第２圧電体２２を含む圧電積層構造体であり、第１圧電体２１の厚みｄ１は、第２圧電体２２の厚みｄ２以下である。これにより、主モードであるＳ２モードを大きく保ちつつ、不要波であるＡ１モードを抑制でき、周波数特性の劣化を抑制できる。

　望ましい態様として、第１圧電体２１の厚みｄ１と第２圧電体２２の厚みｄ２との合計（圧電層２０の厚みｄ）に対する、第１圧電体２１の厚みｄ１の割合が、０．２以上０．４以下である。これにより、不要波であるＡ１モードをより抑制でき、周波数特性の劣化をより抑制できる。

　望ましい態様として、第１圧電体２１の厚みｄ１と第２圧電体２２の厚みｄ２との合計（圧電層２０の厚みｄ）に対する、第１圧電体２１の厚みｄ１の割合が、０．４より大きく０．５以下である。これにより、不要波であるＡ１モードをより抑制しつつ、Ｓ２モードの結合係数をより大きく保つことができる。

　望ましい態様として、支持部材の圧電層２０側には、第１方向に平面視して、機能電極３０と少なくとも一部が重なる位置に空間部９が設けられている。これにより、厚み滑り１次モードのバルク波を圧電層２内に閉じ込めることができる。

　また、機能電極３０は、空間部９の内部にある。この場合でも、厚み滑り１次モードのバルク波を圧電層２０内に閉じ込めることができる。

　望ましい態様として、支持部材と圧電層２との間に設けられた、圧電層２よりも低い音響インピーダンスを有する１以上の低音響インピーダンス層４０２ａ、４０２ｃ、４０２ｅと、圧電層２よりも高い音響インピーダンスを有する１以上の高音響インピーダンス層４０２ｂ、４０２ｄと、を含む音響反射層４０２を有する。これにより、厚み滑り１次モードのバルク波を圧電層２内に閉じ込めることができる。

　望ましい態様として、圧電層２の厚みは、１つ以上の第１電極指３及び１つ以上の第２電極指４のうち、隣り合う第１電極指３と第２電極指４との間の中心間距離をｐとした場合に２ｐ以下である。これにより、弾性波装置１を小型化でき、かつＱ値を高めることができる。

　望ましい態様として、圧電層２が、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムを含む。これにより、良好な共振特性が得られる弾性波装置を提供することができる。

　望ましい態様として、厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている。これにより、結合係数が高まり、良好な共振特性が得られる弾性波装置を提供することができる。

　望ましい態様として、圧電層２の厚みをｄ、１つ以上の第１電極指３及び１つ以上の第２電極指４のうち、隣り合う第１電極指３と第２電極指４との中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐ≦０．５である。これにより、弾性波装置１を小型化でき、かつＱ値を高めることができる。

　より望ましい態様として、ｄ／ｐが０．２４以下である。これにより、弾性波装置１を小型化でき、かつＱ値を高めることができる。

　望ましい態様として、圧電層２は、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムであり、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）又は式（３）の範囲にある。この場合、比帯域を十分に広くすることができる。

　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２）又は（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）^２／８１００）^１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）

　望ましい態様として、１つ以上の第１電極指３及び１つ以上の第２電極指４のうち、隣り合う第１電極指３及び第２電極指４が対向している方向に視たときに重なっている領域が励振領域Ｃであり、励振領域Ｃに対する、１つ以上の第１電極指３及び１つ以上の第２電極指４のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす。この場合、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。

（第２実施形態）
　第２実施形態に係る弾性波装置は、誘電膜１９を備える点で第１実施形態と異なる。誘電膜１９は、誘電体からなる膜であり、例えば、酸化ケイ素からなる膜である。以下、図面を用いて第２実施形態に係る弾性波装置について説明する。なお、第１実施形態と共通する点については、符号を付して説明を省略する。

　図１９は、第２実施形態に係る弾性波装置の一例を示す模式的な断面図である。第２実施形態に係る弾性波装置１Ｃにおいて、誘電膜１９は、第１圧電体２１を覆うように設けられる。より詳しくは、誘電膜１９は、圧電層２０の第１主面２０ａ及び機能電極３０を覆うように設けられる。

　図２０は、第２実施形態に係る弾性波装置の他の例を示す模式的な断面図である。第２実施形態に係る弾性波装置１Ｄにおいて、誘電膜１９は、第２圧電体２２を覆うように設けられる。より詳しくは、誘電膜１９は、圧電層２０の第１主面２０ａ及び機能電極３０を覆うように設けられる。

　図２１は、第２実施形態に係る弾性波装置の結合係数を説明するための図である。より詳しくは、図２１は、誘電膜１９がない弾性波装置（第１実施形態に係る弾性波装置１Ａ）と、第１圧電体２１を覆う誘電膜１９を備える弾性波装置１Ｃと、第２圧電体２２を覆う誘電膜１９を備える弾性波装置１Ｄとにおける、第１圧電体２１の厚みの割合ｄ１／ｄに対するＡ１モードの結合係数のシミュレーション結果を示す図である。ここで、図２１に係るシミュレーションにおいて、圧電層２０の厚みｄは、８００ｎｍであり、誘電膜１９の厚みは、１００ｎｍである。図２１に示すように、誘電膜１９を備える場合であっても、第１圧電体２１の厚みの割合ｄ１／ｄが０．５以下である場合、Ａ１モードの結合係数を抑制でき、第１圧電体２１の厚みの割合ｄ１／ｄが０．４以下である場合、Ａ１モードの結合係数をより抑制できることが分かる。

　以上説明したように、第２実施形態に係る弾性波装置１Ｃは、第１圧電体２１を覆う誘電膜１９を備える。この場合でも、主モードであるＳ２モードの結合係数を大きく保ちつつ、不要波であるＡ１モードを抑制できるので、周波数特性の劣化を抑制できる。

　以上説明したように、第２実施形態に係る弾性波装置１Ｄは、第２圧電体２２を覆う誘電膜１９を備える。この場合でも、主モードであるＳ２モードの結合係数を大きく保ちつつ、不要波であるＡ１モードを抑制できるので、周波数特性の劣化を抑制できる。

（第３実施形態）
　第３実施形態に係る弾性波装置は、圧電層が３層以上の圧電体を備える点で第１実施形態と異なる。以下図面を用いて第３実施形態に係る弾性波装置について説明する。なお、第１実施形態と共通する点については、符号を付して説明を省略する。

　図２２は、第３実施形態に係る弾性波装置の一例を示す模式的な断面図である。図２２に係るように、第３実施形態では、圧電層２０Ａは、ｎ層の圧電体を有する。ここで、ｎは、３以上の整数である。以下、圧電層２０Ａにおいて、第１圧電体２１からＺ方向に数えて、ｎ番目に積層されている圧電体をｎ番目の圧電体、ｋ番目に積層されている圧電体をｋ番目の圧電体として説明する。ここで、ｋは、１以上ｎ－１以下の整数のうち、いずれか１つの整数である。すなわち、圧電層２０Ａは、１番目からｎ番目の圧電体を備える。ここで、１番目の圧電体とは、第１圧電体２１であり、２番目の圧電体とは、第２圧電体２２である。第３実施形態では、ｎ番目の圧電体の支持基板８側の面は、圧電層２０Ａの第２主面２０ｂである。第３実施形態では、１番目からｎ番目の圧電体は、全て同じ組成の材料からなり、例えば、ＹＸカットのニオブ酸リチウムである。

　図２２に係る弾性波装置１Ｅでは、圧電層２０Ａは、第１圧電体２１と、第２圧電体２２と、第３圧電体２３とを有する。第３圧電体２３は、ｎ番目の圧電体であって、３番目の圧電体である。すなわち、弾性波装置１Ｅでは、ｎ＝３である。第３圧電体２３の支持基板８側の面は、圧電層２０Ａの第２主面２０ｂである。

　圧電層２０Ａにおいて、隣接する圧電体同士は、互いに誘電分極の状態が異なる。すなわち、ｋ番目の圧電体と、ｋ＋１番目の圧電体とは、互いに誘電分極の状態が異なる。これにより、主モードの結合係数を大きく保つことができる。

　図２２に係る弾性波装置１Ｅでは、第１圧電体２１の誘電分極の向きは、上向きである。一方で、第２圧電体２２の誘電分極の向きは、第１圧電体２１と反対の下方向である。そして、第３圧電体２３の誘電分極の向きは、第２圧電体２２と反対の上方向である。これにより、主モードの結合係数を大きく保つことができる。

　第１圧電体２１の厚みｄ１は、他の圧電体の厚み以下である。すなわち、第１圧電体２１の厚みｄ１は、ｋ＋１番目の圧電体の厚み以下である。言い換えれば、第１圧電体２１は、ｎ層の圧電体のうち、最も厚みの小さい圧電体である。また、ｋ番目の圧電体の厚みをｄｋ、ｋ＋１番目の圧電体の厚みをｄ（ｋ＋１）とした場合、ｄｋは、ｄ（ｋ＋１）以下である。これにより、不要波を抑制できる。また、全てのｋについて、ｄｋは、ｄ（ｋ＋１）以下であることが好ましい。言い換えれば、ｎ番目の圧電体の厚みをｄｎとした場合、下記の式（４）が成立することが好ましい。これにより、不要波をより抑制できる。

　ｄ１≦ｄ２≦…≦ｄｋ≦ｄ（ｋ＋１）≦…≦ｄｎ　　…式（４）

　図２２に係る弾性波装置１Ｅでは、第３圧電体２３の厚みをｄ３とした場合、第１圧電体２１の厚みｄ１は、第２圧電体２２の厚みｄ２以下であり、第２圧電体２２の厚みｄ２は、第３圧電体２３の厚みｄ３以下となっている。これにより、不要波を抑制できる。

　以上説明したように、第３実施形態に係る弾性波装置は、圧電層２０Ａは、３以上の整数であるｎ層の圧電体を有し、ｋを、１以上ｎ－１以下の整数のうち、いずれか１つの整数とした場合、第１圧電体２１から数えてｋ番目の圧電体と、ｋ＋１番目の圧電体とは、互いに誘電分極の状態が異なる。これにより、主モードの結合係数を大きく保つことができ、周波数特性の劣化を抑制できる。

　望ましい態様として、第１圧電体２１の厚みｄ１は、他の圧電体の厚み以下である。これにより、不要波を抑制でき、周波数特性の劣化を抑制できる。

　望ましい態様として、ｋ番目の圧電体の厚みは、ｋ＋１番目の圧電体の厚み以下である。これにより、不要波を抑制でき、周波数特性の劣化を抑制できる。

　なお、上記した実施の形態は、本開示の理解を容易にするためのものであり、本開示を限定して解釈するためのものではない。本開示は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るとともに、本開示にはその等価物も含まれる。

１、１Ａ～１Ｅ、１０１、３０１、４０１　弾性波装置
２　圧電層
２ａ　第１主面
２ｂ　第２主面
３　電極指（第１電極指）
４　電極指（第２電極指）
５　第１のバスバー電極
６　第２のバスバー電極
７　中間層
７ａ　開口部
８　支持基板
８ａ　開口部
９　空間部
１９　誘電膜
２０、２０Ａ　圧電層
２０ａ　第１主面
２０ｂ　第２主面
２１　第１圧電体
２２　第２圧電体
２３　第３圧電体
３０　機能電極
２０１　圧電層
２０１ａ　第１主面
２０１ｂ　第２主面
２５１　第１領域
２５２　第２領域
３１０、３１１　反射器
４０２　音響反射層
４０２ａ、４０２ｃ、４０２ｅ　低音響インピーダンス層
４０２ｂ、４０２ｄ　高音響インピーダンス層
Ｃ　励振領域
ＶＰ１　仮想平面

Claims (18)

1. 　第１方向に厚みを有する支持部材と、
   　前記支持部材の前記第１方向に設けられた圧電層と、
   　前記圧電層の主面に設けられ、前記第１方向に交差する第２方向に延びる１つ以上の第１電極指と、前記１つ以上の第１電極指が接続された第１のバスバー電極と、前記第２方向に直交する第３方向に前記１つ以上の第１電極指のいずれかと対向し、前記第２方向に延びる１つ以上の第２電極指と、前記１つ以上の第２電極指が接続された第２のバスバー電極と、を有する機能電極と、
   　を備え、
   　前記圧電層は、前記機能電極と接する第１圧電体と、前記第１圧電体とは誘電分極の状態が異なる第２圧電体を含む圧電積層構造体であり、
   　前記第１圧電体の厚みは、前記第２圧電体の厚み以下である、弾性波装置。
2. 　前記第１圧電体の厚みと前記第２圧電体の厚みとの合計に対する、前記第１圧電体の厚みの割合が、０．２以上０．４以下である、請求項１に記載の弾性波装置。
3. 　前記第１圧電体を覆う誘電膜を備える、請求項１又は２に記載の弾性波装置。
4. 　前記第２圧電体を覆う誘電膜を備える、請求項１又は２に記載の弾性波装置。
5. 　前記第１圧電体の厚みと前記第２圧電体の厚みとの合計に対する、前記第１圧電体の厚みの割合が、０．４より大きく０．５以下である、請求項１に記載の弾性波装置。
6. 　前記圧電層は、３以上の整数であるｎ層の圧電体を有し、
   　ｋを、１以上ｎ－１以下の整数のうち、いずれか１つの整数とした場合、前記第１圧電体から数えてｋ番目の圧電体と、ｋ＋１番目の圧電体とは、互いに誘電分極の状態が異なる、請求項１に記載の弾性波装置。
7. 　前記第１圧電体の厚みは、他の圧電体の厚み以下である、請求項６に記載の弾性波装置。
8. 　前記ｋ番目の圧電体の厚みは、前記ｋ＋１番目の圧電体の厚み以下である、請求項６又は７に記載の弾性波装置。
9. 　前記支持部材の前記圧電層側には、前記第１方向に平面視して、前記機能電極と少なくとも一部が重なる位置に空間部が設けられている、請求項１から８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
10. 　前記機能電極は、前記空間部の内部にある、請求項９に記載の弾性波装置。
11. 　前記支持部材と前記圧電層との間に設けられた、前記圧電層よりも低い音響インピーダンスを有する１以上の低音響インピーダンス層と、前記圧電層よりも高い音響インピーダンスを有する１以上の高音響インピーダンス層と、を含む音響反射層を有する、請求項１から８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
12. 　前記圧電層の厚みは、前記１つ以上の第１電極指及び前記１つ以上の第２電極指のうち、隣り合う第１電極指と第２電極指との間の中心間距離をｐとした場合に２ｐ以下である、請求項１から１１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
13. 　前記圧電層が、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムを含む、請求項１から１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
14. 　厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている、請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
15. 　前記圧電層の厚みをｄ、前記１つ以上の第１電極指及び前記１つ以上の第２電極指のうち、隣り合う前記第１電極指と前記第２電極指との中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐ≦０．５である、請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
16. 　ｄ／ｐが０．２４以下である、請求項１５に記載の弾性波装置。
17. 　前記圧電層は、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムであり、前記ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）又は式（３）の範囲にある、請求項１から請求項１６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
    　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
    　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２）又は（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２］～１８０°）　　…式（２）
    　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）^２／８１００）^１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
18. 　前記１つ以上の第１電極指及び前記１つ以上の第２電極指のうち、隣り合う前記第１電極指及び前記第２電極指が対向している方向に視たときに重なっている領域が励振領域であり、前記励振領域に対する、前記１つ以上の第１電極指及び前記１つ以上の前記第２電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす、請求項１から請求項１７のいずれか１項に記載の弾性波装置。

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