CN110447169A - 弹性波装置、分波器以及通信装置 - Google Patents

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Abstract

SAW装置具有：压电基板；IDT电极，位于压电基板的上表面；外罩，从IDT电极的上方覆盖压电基板的上表面；至少一个第1贯通导体，从压电基板的上表面侧向外罩的上表面侧将外罩的至少一部分贯通；至少一个第2贯通导体，俯视情况下位于比第1贯通导体更靠压电基板的内侧的位置，从压电基板的上表面侧向外罩的上表面侧将外罩的至少一部分贯通，且直径比第1贯通导体小；和导电层，位于外罩的上表面，与第2贯通导体的上端重叠。

Description

弹性波装置、分波器以及通信装置
技术领域
本公开涉及利用弹性波的电子部件即弹性波装置、包含该弹性波装置的分波器以及通信装置。弹性波例如是声表面波(SAW：surface acoustic wave)。
背景技术
作为弹性波装置，已知所谓的WLP(晶片级封装)型的装置(例如专利文献1)。WLP型的弹性波装置例如具有：压电基板；位于压电基板的上表面的激励电极；从激励电极的上方覆盖压电基板的上表面并将激励电极密封的外罩；贯通外罩的端子(贯通导体)；和设置于外罩的上表面且加强外罩的导电层。端子的下端经由设置于压电基板的上表面的布线图案而与激励电极连接。端子的上端可能与外罩上的导电层连接。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2010-56671号公报
发明内容
本公开的一方式所涉及的弹性波装置具有：基板，包含压电基板；激励电极，位于所述压电基板的上表面；外罩，从所述激励电极的上方覆盖所述基板的上表面；至少一个第1贯通导体，从所述基板的上表面侧向所述外罩的上表面侧将所述外罩的至少一部分贯通；至少一个第2贯通导体，俯视情况下位于比所述第1贯通导体更靠所述基板的内侧的位置，从所述基板的上表面侧向所述外罩的上表面侧将所述外罩的至少一部分贯通，且直径比所述第1贯通导体小；和导电层，位于所述外罩的上表面或者内部，与所述第2贯通导体的上端重叠。
本公开的一方式所涉及的弹性波装置具有：基板，包含压电基板；激励电极，位于所述压电基板的上表面；外罩，从所述激励电极的上方覆盖所述基板的上表面；至少一个贯通孔，从所述基板的上表面侧向所述外罩的上表面侧将所述外罩贯通；至少一个贯通导体，俯视情况下位于比所述贯通孔更靠所述基板的内侧的位置，从所述基板的上表面侧向所述外罩的上表面侧将所述外罩的至少一部分贯通，且直径比所述贯通孔小；和导电层，位于所述外罩的上表面或者内部，与所述贯通导体的上端重叠。
本公开的一方式所涉及的分波器包含：与端子连接的发送滤波器；和与所述端子连接的接收滤波器，所述发送滤波器以及所述接收滤波器的至少一方包含上述的弹性波装置。
本公开的一方式所涉及的通信装置具有：天线；与所述天线连接的上述的弹性波装置；和与所述弹性波装置连接的IC。
附图说明
图1是表示实施方式所涉及的SAW装置的外观立体图。
图2是将图1的SAW装置的一部分断裂表示的立体图。
图3是图1的SAW装置的俯视图。
图4是图1的SAW装置的压电基板的俯视图。
图5的(a)是与图4的Va-Va线对应的剖视图，图5的(b)是图5的(a)的区域Vb的放大图，图5的(c)是图5的(a)的区域Vc的放大图。
图6的(a)、图6的(b)以及图6的(c)是用于对图1的SAW装置的制造方法的一个例子进行说明的示意性的剖视图。
图7的(a)、图7的(b)、图7的(c)以及图7的(d)是用于对图1的SAW装置的作用的一个例子进行说明的剖视图。
图8的(a)、图8的(b)以及图8的(c)是表示变形例所涉及的SAW装置的结构的剖视图。
图9是表示作为图1的SAW装置的应用例的分波器的结构的电路图。
图10是表示作为图1的SAW装置的利用例的通信装置的结构的框图。
具体实施方式
以下，参照附图来对本公开所涉及的实施方式进行说明。另外，以下的说明中使用的附图是示意性的，附图上的尺寸比率等不必与现实一致。此外，为了方便，可能对导体层的表面(即非剖面的面)赋予阴影。
针对相同或者类似的结构，如“端子3A”、“端子3B”那样，可能对相同名称以及相同数字的符号赋予相互不同的字母的符号，此外，在这种情况下，可能如“端子3”那样简单省略字母。
本公开所涉及的SAW装置可以将任意方向设为上方或者下方，但以下，为了方便，定义包含D1轴、D2轴以及D3轴的正交坐标系，并且将D3轴的正侧设为上方，可能使用上表面、下表面等用语。此外，在俯视或者平面透视的情况下，只要没有特别说明，则是指在D3轴方向观察。另外，D1轴被定义为与沿着后述的压电基板的上表面传播的SAW的传播方向平行，D2轴被定义为与压电基板的上表面平行并且与D1轴正交，D3轴被定义为与压电基板的上表面正交。
(SAW装置的整体结构)
图1是表示实施方式所涉及的SAW装置1的结构的外观立体图。图2是将SAW装置1的一部分断裂表示的立体图。图3是SAW装置1的俯视图。
SAW装置1是WLP型的电子部件，其外形例如被设为大致薄型的长方体状。SAW装置1的尺寸可以被适当地设定。若举出一个例子，则俯视情况下的一边长度(D1轴方向或者D2轴方向)为0.3mm以上且2mm以下，厚度(D3轴方向)为0.2mm以上且0.6mm以下。
在SAW装置1的上表面，多个(图示的例子中为6个)端子3A～3F露出。SAW装置1经由多个端子3的任意端子来进行信号的输入。被输入的信号例如通过SAW装置1而被滤波。并且，SAW装置1将进行了滤波的信号经由多个端子3的任意端子来输出。
SAW装置1例如使上表面与未图示的电路基板对置配置、电路基板的焊盘与端子3经由焊料等的凸块45(参照图5的(a))而接合，从而被安装于电路基板。然后，通过模塑等，未图示的模塑树脂被配置于SAW装置1的周围，从而SAW装置1被树脂密封。模塑树脂可以也被填充到在电路基板与SAW装置1之间构成的缝隙。
SAW装置1例如具有：基板5、覆盖基板5的上表面的外罩7、在外罩7的上表面7a露出的上述的多个端子3、与外罩7的上表面7a重叠的加强层9。另外，加强层9与多个端子3之中的位于外罩7上的部分构成导电层10。
(基板)
基板5例如具有：压电基板11、与压电基板11的下表面直接或者间接地贴合的支承基板13。
压电基板11例如包含具有压电性的单晶。单晶例如包含钽酸锂(LiTaO3)、铌酸锂(LiNbO3)或者水晶(SiO2)。切割角可以设为适当的角。例如，压电基板11是旋转Y切割X传播。即，X轴与压电基板11的上表面(D2轴)平行，Y轴相对于压电基板11的上表面的法线以规定的角度倾斜。
压电基板11的俯视形状例如是矩形。压电基板11的大小可以被适当地设定。若举出一个例子，则俯视情况下的一边的长度(D1轴方向或者D2轴方向)是0.3mm以上且2mm以下，厚度(D3轴方向)是0.1μm以上且30μm以下。
支承基板13例如由热膨胀系数比压电基板11的材料小的材料形成。由此，例如，由于不会助长压电基板11的热膨胀，因此能够减少SAW装置1的电特性的温度变化。作为这样的材料，例如能够举例硅等的半导体、蓝宝石等的单晶以及氧化铝质烧结体等的陶瓷。另外，支承基板13也可以是包含相互不同的材料的多个层层叠构成的。
支承基板13的俯视形状以及俯视情况下的尺寸可以与压电基板11同等也可以不同。在本例中，支承基板13与压电基板11同等。支承基板13的厚度可以被适当地设定。例如，支承基板13的厚度被设为比压电基板11的厚度厚。作为一个例子，支承基板13的厚度是压电基板11的厚度的10倍以上，此外，例如是100μm以上且300μm以下。
压电基板11以及支承基板13例如隔着未图示的夹层而相互贴合。夹层的材料可以是有机材料，也可以是无机材料。作为有机材料，例如举例热固化性树脂等的树脂。作为无机材料，例如举例SiO2、Si3N4、AlN等。此外，也可以将包含多种不同材料的薄层层叠而成的层叠体设为夹层。这样的层叠体例如也可以构成声音反射膜。此外，压电基板11以及支承基板13也可以通过利用等离子体、中子线照射等来对粘合面进行活性化处理后没有夹层地贴合的所谓的直接接合来进行贴合。
(外罩)
外罩7例如具有：俯视情况下具有一个以上的开口的框部15、堵塞框部15的开口的盖部17。由此，在压电基板11的上表面11a上，构成用于使上表面11a的振动容易化的空间19A(图2)以及19B(图2以及图3)。另外，空间19的数量可以被适当地设定，但在本实施方式的说明中，如图3所示，以设置两个空间19的方式为例。
框部15例如包含与压电基板11的上表面11a(直接或者间接地)重叠的大体恒定的厚度的层。框部15的厚度(空间19的高度)例如是5μm以上且30μm以下。盖部17例如包含重叠于框部15上的、大体恒定的厚度的层。盖部17的厚度例如是5μm以上且30μm以下。
框部15以及盖部17也可以由相同的材料形成，也可以由相互不同的材料形成。在图1以及图2中，为了说明的方便，明示了框部15与盖部17的分界线，但在现实的产品中，框部15与盖部17也可以由相同材料一体地形成。
外罩7(框部15以及盖部17)基本上由绝缘材料构成。绝缘材料例如是感光性的树脂。感光性的树脂例如是丙烯酸系、环氧系、酰亚胺系的树脂。另外，外罩7的热膨胀系数可以是适当的大小，例如比构成压电基板11的压电体的材料的热膨胀系数大。
(端子的配置位置)
端子3例如从压电基板11的上表面11a侧向外罩7的上表面7a侧贯通外罩7，在外罩7的上表面7a露出。多个端子3的数量以及配置可以根据形成于压电基板11的上表面11a的电路结构而被适当地设定。在图示的例子中，多个端子3在俯视情况下沿着矩形的外罩7(压电基板11)的外周边而被配置。
端子3A～3F的作用可以被适当地设定。在本实施方式的说明中，以端子3F是被利用于信号的输入的端子、端子3C是被利用于信号的输出的端子、其他的端子3(3A、3B、3D以及3E)是被设为基准电位的端子的方式为例。另外，在图3中，对信号被输入的端子赋予“IN”，对信号被输入的端子赋予“OUT”，对被赋予基准电位的端子赋予“G”的符号(后述的图4中的焊盘25也是同样的。)。
(加强层)
加强层9例如包含与外罩7的上表面7a重叠的、大体恒定的厚度的导体层。导体例如是金属。金属例如是Cu。此外，在另一观点中，加强层9例如包含杨氏模量比外罩7的材料高的材料。加强层9也可以包含多个导体层(多个材料)。另外，加强层9的材料以及外罩7的材料也可以任意的热膨胀系数都比另一方大。例如，加强层9的材料的热膨胀系数比外罩7的材料的热膨胀系数小。加强层9的厚度可以被适当地设定，例如是20μm以上且30μm以下。
加强层9具有：覆盖空间19A的分割区域21A、和覆盖空间19B的分割区域21B。分割区域21A与分割区域21B相互分离。分割区域21例如具有比该分割区域21所重叠的空间19大的面积，平面透视下，空间19收敛于分割区域21内。其中，分割区域21也可以一部分或者全部的外缘位于空间19内。
(压电基板上的导体图案)
图4是表示压电基板11的导体图案的结构的示意性的俯视图。
在压电基板11，被图案化的导体层与上表面11a重叠。由此，例如，构成2个SAW滤波器23(23A以及23B)、多个焊盘25(25A～25F)、将这些连接的多个布线27(27A～27E)。
(SAW滤波器)
SAW滤波器23例如由多模(包含2重模式。)型SAW谐振器滤波器构成。例如，SAW滤波器23具有：在弹性波的传播方向排列的多个(图示的例子中为5个)IDT(interdigitaltransducer)电极29(29A～29J)、位于其两侧的一对反射器31(31A～31D)。
IDT电极29包含一对梳齿电极33，以使得在IDT电极29F赋予符号。各梳齿电极33包含汇流条35、和从汇流条35相互并列延伸的多个电极指37。一对梳齿电极33被配置为(交叉为)多个电极指37相互咬合。
汇流条35例如形成为以大体恒定的宽度在SAW的传播方向(D1轴方向)直线状地延伸的长条状。并且，一对汇流条35在与SAW的传播方向正交的方向(D2轴方向)相互对置。另外，汇流条35也可以宽度变化，或者相对于SAW的传播方向倾斜。
各电极指37例如形成为以大体恒定的宽度在与SAW的传播方向正交的方向(D2轴方向)直线状地延伸的长条状。在各梳齿电极33，多个电极指37在SAW的传播方向排列。此外，一方梳齿电极33的多个电极指37与另一方梳齿电极33的多个电极指37基本上被交替排列。
多个电极指37的间距(例如相互相邻的2根电极指37的中心间距离)在IDT电极29内基本恒定。另外，也可以在IDT电极29的一部分，设置间距比其他大部分窄的窄间距部、或者间距比其他大部分宽的宽间距部。此外，在IDT电极29间相互相邻的电极指37间的间距基本上与IDT电极29内的间距同等。
电极指37的根数可以根据所要求的电特性等而适当地设定。另外，图4是示意图，因此电极指37的根数被较少地表示。实际上，可以排列比图示多的电极指37。针对后述的反射器31的带状电极41也相同。
多个电极指37的长度例如相互同等。其中，IDT电极29也可以被实施多个电极指37的长度(在另一观点中为交叉宽度)根据传播方向的位置而变化的所谓的变迹。此外，IDT电极29也可以在多个电极指37间具有从汇流条35突出的虚设电极。
反射器31例如形成为格子状。即，反射器31包含：相互对置的一对汇流条39、和在一对汇流条39间延伸的多个带状电极41。多个带状电极41的间距、以及相互相邻的电极指37与带状电极41的间距基本上与多个电极指37的间距同等。
在上述的多模型的SAW滤波器23中，IDT电极29的一对梳齿电极33之中的一方被利用于信号的输入或者输出(被设为信号用)，另一方被赋予基准电位(被设为基准电位用)。在各IDT电极29中，被设为信号用或者基准电位用的梳齿电极33也可以是D1轴方向的正侧以及负侧的任意的梳齿电极33。此外，D1轴方向的正侧以及负侧的任意的梳齿电极33被设为信号用或者基准电位用，可以在D2轴方向相互相邻的IDT电极29彼此相同，也可以不同。在本实施方式的说明中，以在相邻的IDT电极29彼此相互不同的方式为例。
此外，多模型的SAW滤波器23也能够作为输入信号或者输出信号，使用不平衡信号以及平衡信号的任意信号。不平衡信号包含一个信号，例如，将相对于基准电位的电位设为信号电平。平衡信号包含相位相互相反的2个信号，例如将两者的电位差设定信号电平。多模型的SAW滤波器23也能够具有进行从平衡信号向不平衡信号的转换或者其相反的转换的功能。本实施方式的说明中，以输入信号以及输出信号均为不平衡信号的方式为例。
反射器31也可以被设为电浮置状态，也可以被赋予基准电位。在本实施方式的说明中，以后者为例。
(焊盘以及布线)
焊盘25是与端子3的下端连接的部分。焊盘25A～25F和端子3A～3F在相互连接的彼此中被赋予相同的字母的附加符号。即，焊盘25F被输入信号，焊盘25C输出信号，其他的焊盘(25A、25B、25D以及25E)被赋予基准电位。上述的俯视情况下的端子3的数量以及配置的说明可以应用于焊盘25。焊盘25的俯视形状可以被适当地设定，例如是具有与端子3的下端大体同等的大小的圆形。
布线27A是用于将信号输入到SAW滤波器23A的布线，例如将焊盘25F与SAW滤波器23A连接。更具体而言，例如，布线27A从焊盘25F以一根延伸并分支为两根，连接于IDT电极29B以及29D的+D1侧的汇流条35。
布线27B是在2个SAW滤波器23间传递信号的布线，将2个SAW滤波器23连接。另外，在另一观点中，布线27B是用于从SAW滤波器23A输出信号的布线，此外，是用于向SAW滤波器23B输入信号的布线。更具体而言，例如，布线27B被设为3根。一根将IDT电极29A的-D1侧的汇流条35与IDT电极29F的+D1侧的汇流条35连接。另一根将IDT电极29C的-D1侧的汇流条35与IDT电极29H的+D1侧的汇流条35连接。剩下的一根将IDT电极29E的-D1侧的汇流条35与IDT电极29J的+D1侧的汇流条35连接。
布线27C是用于从SAW滤波器23B输出信号的布线，例如，将SAW滤波器23B与焊盘25C连接。更具体而言，例如，布线27C从IDT电极29G以及29I的-D1侧的汇流条35分别延伸，在中途合流并达到焊盘25C。
布线27D是用于向SAW滤波器23赋予基准电位的布线，例如将焊盘25A、25B、25D或者25E与SAW滤波器23A或者23B连接。此外，布线27D例如将焊盘25A、25B、25D或者25E与反射器31A、31B、31C或者31D连接。更具体而言，例如，从焊盘25A延伸的布线27D连接于反射器31B的+D1侧的汇流条39以及IDT电极29E的+D1侧的汇流条35。此外，例如，从焊盘25D延伸的布线27D连接于反射器31C的-D1侧的汇流条39以及IDT电极29F的-D1侧的汇流条35。此外，例如，从焊盘25E延伸的布线27D连接于反射器31A的-D1侧的汇流条39。此外，例如，IDT电极29A的+D1侧的汇流条35与反射器31A的+D1侧的汇流条39直接以及/或者通过布线27D而连接，经由反射器31A而与焊盘25E连接。此外，例如，从焊盘25B延伸的布线27D与反射器31D的+D1侧的汇流条39连接。此外，例如，IDT电极29J的-D1侧的汇流条35与反射器31D的-D1侧的汇流条39直接以及/或者通过布线27D而连接，经由反射器31D而与焊盘25B连接。
布线27E是用于向SAW滤波器23赋予基准电位的布线。其中，布线27E与布线27D不同，相对于被赋予基准电位的焊盘25，在压电基板11上未连接，而是经由后述的第2贯通导体51(图5的(a))等而与基准电位用的端子3连接。布线27E在压电基板11上，从SAW滤波器23延伸后，为不与其他图案连接地中途切断的状态。更具体而言，例如，布线27E被设为6根，从IDT电极29B的-D1侧的汇流条35、IDT电极29C的+D1侧的汇流条35、IDT电极29D的-D1侧的汇流条35、IDT电极29G的+D1侧的汇流条35、IDT电极29H的-D1侧的汇流条35或者IDT电极29I的+D1侧的汇流条35延伸出来。
用于向SAW滤波器23A赋予基准电位的焊盘25(25A以及25E)与用于向SAW滤波器23B赋予基准电位的焊盘25(25B以及25D)例如并不短路。具体而言，两者进行经由SAW滤波器23等的电连接，但并不经由布线27而连接。
在以上那样的压电基板11上的电路，被输入到焊盘25F的信号经由布线27A而被输入到IDT电极29B以及29D，通过SAW滤波器23A而被滤波。被滤波的信号从IDT电极29A、29C以及29E经由3根布线27B而被输入到IDT电极29F、29H以及29J，通过SAW滤波器23B而被滤波。被滤波的信号从IDT电极29G以及29I经由布线27C而被输出到焊盘25C。
(绝缘层以及凸块)
图5的(a)是图4的Va-Va线所对应的示意性的剖视图。
如已经叙述那样，在SAW装置1中，基板5、外罩7以及加强层9(导电层10)被依次层叠，在基板5与外罩7之间，构成位于IDT电极29(图5的(a)中示意性地图示了电极指37)的上方的空间19。
进一步地，SAW装置1也可以具有覆盖加强层9的绝缘层43以及/或者位于端子3上的凸块45。
绝缘层43例如使端子3露出，并且从加强层9的上方覆盖外罩7的上表面整体。并且，绝缘层43例如覆盖加强层9整体的上表面以及侧面。另外，绝缘层43也可以使端子3的上表面整体露出，也可以覆盖端子3的上表面的边缘部。通过设置绝缘层43，可减少例如由于从应与加强层9非连接的端子3上露出的凸块45，导致该端子与加强层9被短路的可能性。
绝缘层43例如至少在加强层9上形成为大体恒定的厚度，其厚度例如是500nm以上且20μm以下。绝缘层43例如包含树脂。树脂例如可以包含一般用作为阻焊剂的环氧系树脂等。其中，绝缘层43也可以包含无机材料。作为无机材料，例如举例氧化硅(SiO2等)、氮化硅、硅。
凸块45在端子3上形成为大体球形，其直径与端子3的上表面的直径大体同等。凸块45的材料例如是焊料。焊料也可以是Pb-Sn合金焊料等使用了铅的焊料，也可以是Au-Sn合金焊料、Au-Ge合金焊料、Sn-Ag合金焊料、Sn-Cu合金焊料等的无铅焊料。
虽未特别图示，但压电基板11的上表面11a也可以从导体图案(布线27、IDT电极29以及反射器31等。除去焊盘25。)的上方，被包含SiO2、Si3N4等的保护膜覆盖。保护膜也可以设为包含这些材料的多层层叠体。保护膜也可以仅仅用于抑制IDT电极29等的腐蚀，也可以有助于温度补偿。此外，在设置保护膜等情况下，为了提高SAW的反射系数，也可以在IDT电极29以及反射器31的上表面或者下表面设置包含绝缘体或者金属的附加膜。
在设置保护膜的情况下，保护膜也可以夹在压电基板11与框部15之间，也可以不夹在压电基板11与框部15之间。即，外罩7可以直接载置于压电基板11的上表面11a上，也可以间接载置于压电基板11的上表面11a上。
(端子的构造)
端子3例如具有：贯通外罩7的第1贯通导体47、和位于第1贯通导体47上的连接盘49。另外，图5的(a)中图示的是端子3F，但其他端子3也与端子3F相同。此外，由连接盘49以及加强层9构成导电层10。
第1贯通导体47从基板5的上表面侧、即压电基板11的上表面11a侧向外罩7的上表面7a侧贯通外罩7整体。第1贯通导体47位于焊盘25上，下端与焊盘25连接。在另一观点中，在外罩7，在焊盘25上形成贯通孔7h。
第1贯通导体47具有：贯通框部15的下部47a、和贯通盖部17的上部47b。下部47a以及上部47b分别例如形成为大体圆柱状。下部47a以及上部47b的直径例如是50μm以上且120μm以下。上部47b例如直径比下部47a大。下部47a与上部47b的直径的差例如是5μm以上且20μm以下。
另外，下部47a的上表面与上部47b的下表面的直径也可以一致。进一步地，下部47a、上部47b的侧面也可以为倾斜面。即，厚度方向上的形状也可以是锥形状。
连接盘49例如包含大体恒定的厚度的层状导体。其厚度例如与加强层9大体同等。连接盘49的俯视形状可以被设为适当的形状，例如是圆形。连接盘49的直径例如比第1贯通导体47的上端面的直径大。因此，连接盘49的外周部为位于外罩7上的凸缘部。另外，连接盘49与第1贯通导体47的上端面的直径的差例如为5μm以上且100μm以下。另外，连接盘49的直径也可以与第1贯通导体47的直径同等。
第1贯通导体47以及连接盘49例如由相同的材料一体地形成。端子3的材料是金属。金属例如是Cu。端子3也可以由多个材料构成。例如，第1贯通导体47的外周面以及连接盘49的凸缘部分的下表面与端子3的内部也可以由相互不同的材料构成，在连接盘49的上表面，也可以设置包含与端子3的其他部分不同的金属的层。例如，也可以端子3的大部分由Cu构成，并且连接盘49的上表面由Au或者Ag构成。
(端子与加强层的连接)
如图1以及图3所示，被赋予基准电位的端子3(3A、3B、3D以及3E)的连接盘49例如与加强层9连续。因此，向加强层9赋予基准电位。另外，用于信号的输入或者输出的端子3C以及3F的连接盘49从加强层9分离。
更具体而言，加强层9之中，与SAW滤波器23A(空间19A)对置的分割区域21A仅与被赋予基准电位的端子3之中、用于向SAW滤波器23A赋予基准电位的端子3(3A以及3E)连接。此外，加强层9之中，与SAW滤波器23B(空间19B)对置的分割区域21B仅与被赋予基准电位的端子3之中、用于向SAW滤波器23B赋予基准电位的端子3(3B以及3D)连接。
另外，连接盘49也可以由与加强层9相同材料并且相同厚度的导体层(也可以多层)构成，这种相同材料并且相同厚度的导体层之中，也可以仅作为连接盘49的区域在上表面形成其他金属层。例如，也可以连接盘49以及加强层9(导电层10)的大部分包含Cu，连接盘49的上表面包含Au或者Ag。上述的相同材料并且相同厚度的导体层可以遍及加强层9和连接于加强层9的连接盘49而一体地形成。
(第2贯通导体的配置位置以及连接)
如图5的(a)所示，SAW装置1在用于向IDT电极29赋予基准电位的布线27E上，具有贯通外罩7的第2贯通导体51(在另一观点中为贯通孔7k)。另外，图5的(a)中图示的是2根布线27E，但在其他布线27E也设置第2贯通导体51。在图1～图4中，通过圆来表示第2贯通导体51的配置位置P1～P6。
第2贯通导体51的上端与加强层9连接。如上述那样，加强层9与被赋予基准电位的端子3连接。因此，布线27E经由第2贯通导体51以及加强层9，与基准电位用的端子3连接。
更具体而言，例如，位于从SAW滤波器23A延伸的布线27E上的第2贯通导体51(位置P1～P3)与加强层9之中、对置于SAW滤波器23A的分割区域21A连接。此外，例如，位于从SAW滤波器23B延伸的布线27E上的第2贯通导体51(位置P4～P6)与加强层9之中、对置于SAW滤波器23B的分割区域21B连接。
在另一观点中，多个第2贯通导体51经由加强层9而相互连接。更具体而言，例如，位置P1～P3的第2贯通导体51通过分割区域21A而相互连接，位置P4～P6的第2贯通导体51通过分割区域21B而相互连接。
通过这样的经由加强层9的第2贯通导体51彼此的连接，可实现使布线立体地交叉的立体布线，以使得被赋予相互不同的电位(输入信号、输出信号或者基准电位)的布线彼此不短路。换言之，本例的立体交叉在之间夹着空间，经由外罩7而实现。
例如，从IDT电极29B直至位置P2的布线27E、从位置P2的第2贯通导体51、分割区域21A、位置P3的第2贯通导体51以及位置P3直至IDT电极29D的布线27E构成相对于连接IDT电极29C和IDT电极29H的布线27B立体地交叉的布线。即，可实现用于传递信号的布线与被赋予基准电位的布线的立体交叉。
此外，虽省略具体的提及，但根据附图也可知构成了相对于用来输入信号的布线27A立体地交叉的布线、以及相对于用来输出信号的布线27C立体地交叉的布线。此外，若着眼于与位置P1以及位置P2的连接等，也构成了相对于IDT电极29立体地交叉的布线。
此外，通过端子3与第2贯通导体51的经由加强层9的连接，可实现使布线立体地交叉的立体布线、以使得被赋予相互不同的电位的布线彼此不短路。
例如，从IDT电极29B直至位置P2的布线27E、从位置P2的第2贯通导体51、分割区域21A、端子3E、端子3E直至反射器31A的布线27D构成相对于连接IDT电极29A和IDT电极29F的布线27B而立体地交叉的布线。即，可实现用于传递信号的布线与被赋予基准电位的布线的立体交叉。
如图3以及图4的位置P1～P6所示，在俯视情况下，多个第2贯通导体51位于比多个第1贯通导体47(端子3)更靠基板5(压电基板11)的内侧(以及/或者外罩7的内侧。以下相同。)的位置。
另外，例如，可以理解为若第2贯通导体51的俯视情况下的图形重心与基板5(在本例中为压电基板11)的外缘的距离(最短距离。以下相同。)比第1贯通导体47的俯视情况下的图形重心与基板5(在本例中为压电基板11)的外缘的距离长，则第2贯通导体51位于比第1贯通导体47更靠内侧的位置。图形重心是图形内的一次力矩的总和为0的点，在圆形中为中心。在该观点中，在图示的例子中，全部第2贯通导体51位于比全部第1贯通导体47更靠内侧的位置。
也可以理解为：在俯视情况下，第2贯通导体51的整体位于比第1贯通导体47的整体更靠内侧的位置时，第2贯通导体51位于比第1贯通导体47更靠内侧的位置。即，也可以理解为：在第2贯通导体51的外缘上的各点与压电基板11的外缘的距离之中的最短距离比第1贯通导体47的外缘上的各点与压电基板11的外缘的距离之中的最长距离长时，第2贯通导体51位于比第1贯通导体47更靠内侧的位置。在该观点中，在图示的例子中，位置P2、P3、P5以及P6的第2贯通导体51位于比全部第1贯通导体47更靠内侧的位置。
如图3所示，多个第2贯通导体51间的最短距离d2比多个第1贯通导体47(端子3)间的最短距离d1短。另外，距离d1以及d2例如是俯视情况下的贯通导体的图形重心间的距离。其中，距离d1以及d2也可以被设为外缘彼此的最短距离(贯通导体间的缝隙的大小)。
如图3所示，位置P2以及P3的第2贯通导体51在D2轴方向排列并构成第1列L1。同样地，位置P5以及P6的第2贯通导体51在D2轴方向排列并构成第2列L2。第1列L1与第2列L2并列地相邻。
另外，这里所谓的相邻是指例如构成这些的贯通导体以外的贯通导体(47或者51)不位于第1列L1与第2列L2之间。此外，在图示的例子中，第1列L1与第2列L2的距离d3比多个贯通导体间的距离(d1以及d2等)的任意距离都短。距离d3例如是将构成各列的多个第2贯通导体51的图形重心相连的线彼此的距离。
此外，第1列L1的第2贯通导体51的位置与第2列L2的第2贯通导体51的位置在各列的延伸方向(D2轴方向)相互不同。这里的位置例如是图形重心。因此，第1列L1的第2贯通导体51与第2列L2的第2贯通导体51的距离d2比第1列L1与第2列L2的距离d3长。
(第2贯通导体的构造)
图5的(b)是图5的(a)的区域Vb的放大图。另外，在该图中，针对比外罩7更靠上的部位省略图示。
第2贯通导体51从压电基板11的上表面11a侧向外罩7的上表面7a侧贯通外罩7整体。第2贯通导体51例如具有：贯通框部15的下部51a、和贯通盖部17的上部51b。下部51a以及上部51b的与贯通方向正交的剖面的形状例如在贯通方向的任意位置都为圆形。下部51a以及上部51b的直径例如为10μm以上且小于50μm。
在下部51a，与贯通方向正交的剖面形状(包含面积)例如在贯通方向大体恒定。另一方面，在上部51b，与贯通方向正交的剖面形状例如在贯通方向变化。具体而言，上部51b具有：越朝向外罩7的上表面7a侧越缩径的第1锥部51ba、和位于第1锥部51ba上并且越朝向外罩7的上表面7a侧越扩径的第2锥部51bb。
第1锥部51ba以及第2锥部51bb的贯通方向上的长度(盖部17内的两者的比率)可以被适当地设定。此外，锥面(外周面)在与贯通方向平行的剖面可以为直线状，也可以为向外侧膨胀的曲线状，也可以为向内侧凹陷的曲线状。锥面相对于贯通方向的倾斜角可以被适当地设定。在图示的例子中，第1锥部51ba以及第2锥部51bb是相互大体同等的大小以及形状。
下部51a的直径与上部51b的直径的大小关系可以被适当地设定。例如，上部51b的最大径(第1锥部51ba的下端处的直径以及/或者第2锥部51bb的上端处的直径)比下部51a的直径大。其差例如是5μm以上且20μm以下。此外，例如，下部51a的直径相比于上部51b的最小径(第1锥部51ba与第2锥部51bb之间)，大体同等或者稍小。
如已经叙述过的那样，第1贯通导体47(上部47b)的形状基本为圆柱形状。因此，在盖部17内的、与压电基板11的上表面11a正交的剖面，第1贯通导体47(上部47b)的侧面的形状与第2贯通导体51(上部51b)的侧面的形状不同。具体而言，前者大体为直线，与此相对地，后者为中央侧向内侧凹陷的形状。
第2贯通导体51的直径比第1贯通导体47的直径小。在另一观点中中，布线27E上的贯通孔7k的直径比焊盘25上的贯通孔7h的直径小。另外，在该比较中，在第2贯通导体51的直径在贯通方向并不恒定、以及/或者与贯通方向正交的剖面形状不是圆形的情况下，作为第2贯通导体51的直径，可以使用最大径(图示的例子中为上部51b的下端或者上端处的直径)。此外，在第1贯通导体47的直径在贯通方向并不恒定、以及/或者与贯通方向正交的剖面形状不是圆形的情况下，作为第1贯通导体47的直径，可以使用最小径(图示的例子中为下部47a处的直径)。第2贯通导体51的直径与第1贯通导体47的直径的差例如是10μm以上、40μm以上或者第1贯通导体47的直径的50％以上。
第2贯通导体51的材料是金属。金属例如是Cu。第2贯通导体51也可以由多个材料构成。例如，第2贯通导体51的外周面与第2贯通导体51的内部也可以由相互不同的材料构成。此外，第2贯通导体51的材料例如由与第1贯通导体47相同的材料构成。此外，第2贯通导体51例如由与加强层9的材料相同的材料，与加强层9一体地形成。当然，第2贯通导体51也可以由与第1贯通导体47以及/或者加强层9不同的材料形成。
(压电基板上的导体图案的材料以及厚度)
图5的(c)是图5的(a)的区域Vc的放大图。
如该图所示，配置第2贯通导体51的布线27E的厚度例如比其他布线27(27A～27D)的厚度厚。例如，其他布线27的厚度是50nm以上且600nm以下，与此相对地，布线27E的厚度被设为1μm以上且2μm以下，或者以1μm以上且2μm以下的差，比其他布线27的厚度厚。另外，布线27E可以其整体如上述那样较厚，也可以仅与第2贯通导体51接合的区域或者该区域及其周边如上述那样较厚。
IDT电极29、反射器31以及布线27(除去27E)例如包含由相同的材料以大体同等的厚度形成的层状导体(共用的导体层)。该共用的层状导体例如由Al或者以Al为主分量的合金(Al合金)构成。Al合金例如是Al-Cu合金。共用的层状导体也可以由多个金属层构成。共用的层状导体的厚度例如是上述的50nm以上且600nm以下。另外，IDT电极29以及反射器31如已经提及的那样，也可以相对于上述的共用的层状导体重叠附加膜。
布线27E例如通过在上述的共用的层状导体上重叠其他金属层而形成。由此，布线27E比其他布线27厚。其他金属层例如是Au、Ni以及/或者Cr。也可以设为Ti与Al的层叠布线。其中，布线27E也可以构成为不包含上述的共用的层状导体，比其他布线27厚。
焊盘25例如也可以仅由上述的共用的层状导体构成，也可以在其上方重叠其他金属层而构成。其他金属层例如是Au、Ni以及/或者Cr。在焊盘25被配置于共用的层状导体上的其他金属层也可以包含与在布线27E被配置于共用的层状导体上的其他金属层相同的材料以及厚度。
(2个分割区域的电分离)
如根据到此为止的说明可理解的那样，加强层9的2个分割区域21不仅在外罩7上，在SAW装置1的内部也未短路(电分离)。更具体而言，例如，与SAW滤波器23A对置的分割区域21A仅连接于与SAW滤波器23A连接的端子3(3A以及3E)以及第2贯通导体51(P1～P3)，这些端子3以及第2贯通导体51不与SAW滤波器23B短路。此外，例如，与SAW滤波器23B对置的分割区域21B仅连接于与SAW滤波器23B连接的端子3(3B以及3D)以及第2贯通导体51(P4～P6)，这些端子3以及第2贯通导体51不与SAW滤波器23A短路。
另外，短路(除去不希望的)例如基本是指通过以连接为目的的导体(端子3、布线27以及第2贯通导体51等)而连接，在另一观点中，是指不经由电子元件(电阻体、电容器、电感器或者IDT电极29等)的连接。布线等以连接为目的的导体严格来说也具有电阻值、电容以及电感，但这里不考虑。
(SAW装置的制造方法)
图6的(a)～图6的(c)是用于对SAW装置1的制造方法的一个例子进行说明的图，是与图5的(a)对应的剖视图。制造工序从图6的(a)向图6的(c)进行。这些图中，即使伴随着工序的进行，形状等变化，在其变化的前后也赋予共用的符号。
以下说明的工序例如在所谓的晶片工艺中实现。即，以通过被分割而成为基板5的母基板为对象，进行薄膜形成、光刻法等，然后，通过被切割，从而多个SAW装置1被并行制作。
如图6的(a)所示，首先，形成压电基板11上的导体图案(IDT电极29、反射器31、布线27以及焊盘25)，接下来，形成框部15，在其上方形成作为盖部17的树脂层。然后，该树脂层通过光刻而被图案化。
压电基板11上的导体图案的形成可以与公知的方法相同。框部15例如通过形成包含感光性树脂的薄膜，该薄膜的一部分通过光刻而被除去而形成。通过薄膜的一部分的除去，空间19、贯通孔7h以及7k的下部形成于框部15。光刻可以是正型以及负型的任意一种。
成为盖部17的树脂层例如通过由感光性树脂形成的薄膜被贴付于框部15上而形成。感光性树脂例如是负型。在光刻中，例如，如箭头所示，经由掩模71来向成为盖部17的树脂层照射光。在负型的光刻中，向树脂层之中、剩余为盖部17的区域(贯通孔7h以及7k以外的区域)照射光。
如图6的(b)所示，光刻的结果，在盖部17，形成贯通孔7h以及7k之中、盖部17中的部分。贯通孔7k之中的盖部17中的部分为与第1锥部51ba以及第2锥部51bb的形状对应的形状。即，贯通孔7k在盖部17内，为从框部15侧向外罩7的上表面7a侧逐渐缩径后、逐渐扩径的形状。另一方面，贯通孔7h在盖部17内，与贯通方向正交的剖面的形状在贯通方向大体恒定。
由于贯通孔7k的直径比贯通孔7h的直径小，因此这样能够同时形成两者，并且设为相互不同的形状。具体而言，光理想上平行于掩模71与盖部17的对置方向地直线状地行进，但实际上进行散射以及/或者衍射。另一方面，在掩模71中，与贯通孔7k对应的遮光部分的外缘的曲率相对较大，从所述遮光部分的外缘向内侧侵入的光容易叠加。其结果，在盖部17的上表面侧，通过从外缘向内侧倾斜地入射的光，贯通孔7k越向下方侧越缩径。另一方面，在盖部17的下表面侧，由于光的散射等，越向下方侧光越难以到达，因此贯通孔7k越向下方侧越扩径。并且，通过适当地调整外罩7、掩模71以及透镜系的相对位置以及/或者透镜系的结构等，能够仅在贯通孔7k，形成这样的2个锥形。
另外，在图示的例子中，贯通孔7h大体是圆柱状，但根据上述的说明可理解那样，贯通孔7h也能够设为越向下方侧越扩径的锥状。此外，这里，对同时形成贯通孔7h以及7k的方式进行了说明，但这些也可以分别形成。在该情况下，在贯通孔7h和贯通孔7k能够使光的散射等的程度相互不同，因此使两者的侧面的形状相互不同变得容易。
若形成盖部17，则如图6的(c)所示，在外罩7上形成包含金属的基底层73，在其上形成抗蚀掩模75，通过电镀法来使金属77在基底层73的露出部分析出。
具体而言，例如，基底层73除了外罩7的上表面7a的整面，也形成于贯通孔7h以及7k的内部，也重叠于焊盘25以及布线27E。抗蚀掩模75被配置于外罩7的上表面7a之中应不配置导电层10(加强层9以及连接盘49)的位置。并且，金属77在上表面7a上的抗蚀掩模75的非配置位置、及贯通孔7h以及7k的内部析出。由此，加强层9、端子3以及第2贯通导体51一体地形成。
然后，虽未特别图示，但抗蚀掩模75、以及基底层73之中抗蚀掩模75的正下方的部分被去除。另外，也可以与图示的例子不同地，在形成抗蚀掩模75之后，形成基底层73，并使金属77析出。
如以上那样，在本实施方式中，SAW装置1具有：压电基板11；位于压电基板11的上表面11a的IDT电极29；从IDT电极29的上方覆盖压电基板11的上表面11a的外罩7；从压电基板11的上表面11a侧向外罩7的上表面7a侧贯通外罩7的至少一部分的至少一个第1贯通导体47；俯视情况下位于比第1贯通导体47更靠压电基板11的内侧，从压电基板11的上表面11a侧向外罩7的上表面7a侧贯通外罩7的至少一部分，直径比第1贯通导体47小的至少一个第2贯通导体51；和位于外罩7的上表面7a，与第2贯通导体51的上端重叠的导电层10(加强层9)。
因此，例如，相比于第2贯通导体51的直径与第1贯通导体47的直径同等的方式(第2贯通导体51的直径较大的方式)，容易确保导电层10的平坦性。
图7的(a)～图7的(d)是用于对上述的效果进行说明的剖视图。
如图7的(a)所示，若向直径较大的贯通孔7h填充金属并形成第1贯通导体47，则其上表面凹陷的可能性相对较高。另一方面，如图7的(b)所示，若向直径较小的贯通孔7k填充金属并形成第2贯通导体51，则其上表面凹陷的可能性相对较低(变得平坦的可能性相对较高)。
其结果，如图7的(c)所示，导电层10在第1贯通导体47上凹陷的可能性相对较高。另一方面，如图7的(d)所示，导电层10在第2贯通导体51上凹陷的可能性相对较低(变得平坦的可能性相对较高)。
作为产生这样的差别的理由，举例例如参照图6的(c)来说明那样，在金属在成膜于贯通孔的内表面的基底层上析出时，若贯通孔的直径相对较大，则金属被填充到贯通孔的时间相对变长。
通过设置这样的第2贯通导体51，能够提高SAW装置1的可靠性。
具体而言，例如，由于第2贯通导体51在俯视情况下位于比第1贯通导体47更靠内侧的位置，因此导电层10(加强层9)在内侧的区域可确保平坦性。其结果，例如，通过来自加强层9的上表面侧的真空吸附来选出SAW装置1变得容易。即，SAW装置1的操作变得容易。
此外，由于加强层9的平坦性难以损坏，因此例如能够使第2贯通导体51的数量较多。其结果，例如，加强层9难以从外罩7的上表面剥离。
即，通过直径比第1贯通导体47小的第2贯通导体51位于内侧，从而在第2贯通导体51所位于的区域，可确保位于比第2贯通导体51更靠上侧的结构的平坦性。由此，能够抑制阶梯差所导致的应力集中、阶梯差周边的剥离/断线等，能够提高可靠性高的SAW装置1。
通过适当地调整第2贯通导体51的直径以及数量，也能够调整在压电基板11产生的热应力。若按照热膨胀系数较小的顺序举出层叠于压电基板11的部件或者材料，则例如为支承基板13、压电基板11、Cu(第1贯通导体47、第2贯通导体51以及导电层10)、感光性树脂(外罩7)。在温度上升时，由于外罩7的膨胀导致向压电基板11施加拉伸力，但通过第2贯通导体51在压电基板11的内侧以适当的直径以及数量而被配置，因此该拉伸力可稍微缓和。其结果，例如，可减少由于温度变化导致SAW装置1的特性降低的可能性。
另一方面，位于压电基板的外侧的第1贯通导体47的直径较大，例如由此SAW装置1的强度提高。例如，在施加外力，或者产生热应力时，第1贯通导体47本身的从压电基板11的脱离的可能性减少，此外，在通过第1贯通导体47而卡止的外罩7以及加强层9产生剥离以及/或者变形的可能性也减少。
在本实施方式中，多个第2贯通导体51间的最短距离d2比多个第1贯通导体47间的最短距离d1短。
因此，例如，第2贯通导体51被比较紧密地配置，抑制加强层9的剥离的效果增大。此外，例如，通过将相互距离较短的贯通导体不设为第1贯通导体47而设为第2贯通导体51，能够有效地降低在加强层9产生凹凸的可能性。
在本实施方式中，外罩7包含由单一的材料一体地形成的盖部17。在盖部17内的、与压电基板11的上表面11a正交的剖面，第1贯通导体47的侧面的形状与第2贯通导体51的侧面的形状相互不同。
因此，例如，通过第1贯通导体47以及第2贯通导体51能够产生相互不同的作用。例如，通过在第2贯通导体51的侧面形成比第1贯通导体47的侧面多的凹凸，能够提高第2贯通导体51的针对来自外罩7的拉拔的强度，并且能够提高对加强层9的剥离进行抑制的效果。另一方面，通过减少第1贯通导体47的侧面的凹凸，能够减少在较大的外力或者热应力产生的可能性较高的外罩7的外周部产生应力集中的可能性。
在本实施方式中，外罩7包含由单一的材料一体地形成的盖部17。第2贯通导体51在盖部17内，具有越向外罩7的上表面侧越缩径的第1锥部51ba、和越向外罩7的上表面侧越扩径的第2锥部51bb。
因此，例如，能够提高第2贯通导体51的针对来自盖部17的拉拔的强度，并且能够提高对加强层9的剥离进行抑制的效果。另一方面，由于框部15内的形状没有厚度方向上的变化，因此能够在较窄的区域密集地配置第2贯通导体51。即，不会导致SAW装置1的大型化。由于第2贯通导体51的直径较小，因此例如参照图6的(b)来说明那样，能够简便地实现具有这样2个锥部的形状。
在本实施方式中，多个第2贯通导体51包含：俯视情况下在D2轴方向并排构成第1列L1的2个以上的第2贯通导体51、和俯视情况下在D2轴方向并排且构成与第1列L1并列相邻的第2列L2的2个以上的第2贯通导体51。第1列L1的第2贯通导体51的位置与第2列L2的第2贯通导体51的位置在D2轴方向相互不同。
因此，例如，多个第2贯通导体51被比较不平衡地分散配置。其结果，例如，对加强层9的剥离进行抑制的效果在加强层9的平面方向容易均衡地产生。此外，例如，第2贯通导体51彼此的距离d2比第1列L1与第2列L2的距离d3长，在加强层9上产生凹凸的可能性降低。
在本实施方式中，通过3个以上的IDT电极29在SAW的传播方向排列，构成多模型的SAW滤波器23。从IDT电极29B、29C以及29D在与SAW的传播方向交叉的方向的相同侧(-D1侧)延伸的布线27E、27B以及27E位于压电基板11上。多个第2贯通导体51包含位于上述的2根布线27E上的2个第2贯通导体51。加强层9将上述的2个第2贯通导体51彼此连接。
即，通过第2贯通导体51以及加强层9，可实现与多模型的SAW滤波器23连接的立体布线。因此，例如，与多模型的SAW滤波器23的多个IDT电极29的数量以及朝向有关的设计变得容易。此外，例如，相比于将隔着绝缘层而与从IDT电极29C延伸的布线27B重叠的布线设置到压电基板11与外罩7之间来构成立体布线的方式，制造工序被简单化。此外，例如，在布线27B的宽度、厚度以及材料的设定时，由于不需要考虑隔着绝缘层的立体布线的影响，因此能够增大宽度，或者加厚宽度，或者将材料设为适当的材料以使得布线27B的电阻变小。此外，隔着绝缘层而与布线27B重叠的布线在布线27B的边缘部上产生阶梯差，在该阶梯差，由于绝缘层的膨胀可能产生裂缝，但可减少其可能性。
在本实施方式中，通过多个IDT电极29位于压电基板11上而构成多模型的SAW滤波器23A以及23B。多个第2贯通导体51包含俯视情况下位于SAW滤波器23A与23B之间、在SAW滤波器23A以及23B之中仅连接于SAW滤波器23A的1个以上的第2贯通导体51(位置P2以及P3的第2贯通导体51)。此外，多个第2贯通导体51包含俯视情况下位于SAW滤波器23A与23B之间、在SAW滤波器23A以及23B之中仅连接于SAW滤波器23B的1个以上的第2贯通导体51(位置P5以及P6的第2贯通导体51)。加强层9包含：在SAW滤波器23A以及23B之中仅对置于SAW滤波器23A的分割区域21A、和在SAW滤波器23A以及23B之中仅对置于SAW滤波器23B的分割区域21B。位置P2以及P3的第2贯通导体51在分割区域21A以及21B之中仅连接于分割区域21A。位置P5以及P6的第2贯通导体51在分割区域21A以及21B之中仅连接于分割区域21B。
即，位置P2、P3、P5以及P6的第2贯通导体51均位于SAW滤波器23A与23B之间，并且连接于相互不同的分割区域21A以及21B，并且SAW滤波器23A以及23B所对置的分割区域21A以及21B被相互电分离(不短路。)。因此，例如，SAW滤波器23A以及23B的隔离性提高，并且作为SAW装置1整体的滤波器特性提高。此外，例如，位置P2、P3、P5以及P6的第2贯通导体51也作为立体地遮挡SAW滤波器23A和23B的屏蔽件而发挥功能。
在本实施方式中，第2贯通导体51被设置于其上的布线27E比第2贯通导体51未被设置于其上的布线27B厚。
因此，例如，可减少布线27E由于从第2贯通导体51受到的力而自压电基板11剥离或断线的可能性。此外，在另一观点中，第2贯通导体51被更加稳固地固定于压电基板11。并且，可减少加强层9的剥离的可能性。
如图5的(a)所示，SAW装置1也可以还具有覆盖加强层9的绝缘层43。绝缘层43不位于第1贯通导体47的正上，并且位于第2贯通导体51的正上。即，相对于第1贯通导体47构成端子3，第2贯通导体51不构成端子。
这里，绝缘层43例如受到加强层9的表面的凹凸的影响而在其上表面产生凹凸。因此，即使在设置有绝缘层43的情况下，也针对绝缘层43的上表面起到参照图7的(a)～图7的(d)而说明的平坦性的效果。另一方面，在构成端子3的第1贯通导体47上，确保平坦性的必要性较低。因此，通过使第1贯通导体47的直径相对较大，使第2贯通导体51的直径相对较小，能够确保加强层9的平坦性，并且增大凸块45的接合面积。
另外，在以上的实施方式中，IDT电极29是激励电极的一个例子。导电层10或者加强层9是导电层的一个例子。盖部17是树脂层的一个例子。D2轴方向是规定方向的一个例子。IDT电极29B～29D是第1～第3IDT电极的一个例子。与这些连接的布线27E(包含位置P2)、布线27B(位置P2与P3之间)以及布线27E(包含位置P3)是第1～第3布线的一个例子。SAW滤波器23A以及23B是第1以及第2滤波器的一个例子。位置P2的第2贯通导体51是第3贯通导体的一个例子，位置P5的第2贯通导体51是第4贯通导体的一个例子。
(变形例)
参照图8的(a)～图8的(c)来对变形例所涉及的SAW装置进行说明。在变形例的说明中，基本上对与实施方式的不同部分进行叙述。未特别提及的方面可以与实施方式相同。此外，以下，针对与实施方式的结构相同或者类似的结构，使用实施方式的符号。
图8的(a)是表示变形例所涉及的SAW装置201的结构的剖视图，与图5的(a)对应。
在SAW装置201中，与实施方式的第2贯通导体51对应的第2贯通导体203在外罩7之中仅贯通框部15(在另一观点中为仅包含实施方式的下部51a。)。并且，第2贯通导体203彼此通过位于框部15与盖部17之间的导电层即中间层205来相互连接。另外，虽未特别图示，但中间层205与被赋予基准电位的端子3连接。这样，与第2贯通导体203的上端重叠的导电层也可以不位于外罩7上而位于外罩7的内部。
SAW装置201的制造方法与SAW装置1的制造方法大致相同。其中，例如，在框部15的形成后、作为盖部17的感光性树脂层的形成前，形成第1贯通导体47的下部47a以及第2贯通导体203并且形成中间层205。其形成方法例如与实施方式同样地，可以基于基底层73的形成以及金属77的析出。中间层205也可以仅由基底层73构成。
另外，在图示的例子中，SAW装置201不具有加强层9，但也可以与实施方式同样地，具有加强层9。
在该变形例中，也可通过第2贯通导体203的直径比第1贯通导体47的直径小，来实现各种效果。例如，由于中间层205凹陷的可能性降低，因此可期待中间层205与盖部17之间的紧贴性提高。此外，例如，通过第2贯通导体203的直径以及数量的调整，能够调整在压电基板11产生的热应力。
图8的(b)是表示变形例所涉及的SAW装置211的结构的剖视图，与图5的(a)对应。
在SAW装置211中，在贯通孔7h内未设置第1贯通导体47(端子3)。在贯通孔7h内配置凸块45。并且，焊盘25和安装有SAW装置211的电路基板213的焊盘215通过凸块45而接合。凸块45可以将设置于焊盘25上的部件与焊盘215接合，也可以将设置于焊盘215上的部件与焊盘25接合。
在该变形例中，也通过第2贯通导体51的直径比贯通孔7h的直径小，可起到各种效果。例如，能够确保加强层9的平坦性，并且抑制加强层9的剥离。
图8的(c)是表示变形例所涉及的第2贯通导体221的剖视图，与图5的(c)对应。
第2贯通导体221具有：贯通框部15的下部221a、和贯通盖部17的上部221b。下部221a的形状与实施方式的下部51a的形状相同。另一方面，上部221b的形状相对于实施方式的上部51b的形状，锥形的朝向相反。即，上部221b具有：越向上方越扩径的第2锥部221bb、和位于第2锥部221bb的上方且越向上方越缩径的第1锥部221ba。这样的形状的第2贯通导体221例如作为盖部17即感光性树脂，通过不使用负型的物质而使用正型的物质来实现。
<应用例>
(分波器)
图9是示意性地表示作为SAW装置1的应用例的分波器101的结构的电路图。如根据该图的纸面左上所示的符号而理解的那样，在该图中，梳齿电极33通过双叉的叉子形状来示意性地表示。
分波器101例如具有：对来自发送端子105的发送信号进行滤波并向天线端子103输出的发送滤波器109、和对来自天线端子103的接收信号进行滤波并向接收端子107输出的接收滤波器111。
发送滤波器109例如由多个SAW谐振器113连接为梯子型的梯子型SAW谐振器滤波器构成。SAW谐振器113例如是1端口SAW谐振器，具有一个IDT电极29和在SAW的传播方向位于IDT电极29的两侧的一对反射器31。
接收滤波器111例如由SAW装置1构成。天线端子103是端子3F或者连接于端子3F的端子，接收端子107是端子3C或者连接于端子3C的端子。
另外，虽示例了由SAW装置1构成接收滤波器111的情况，但也可以取代接收滤波器111，或者在其基础上，由SAW装置1构成发送滤波器109。
发送滤波器109以及接收滤波器111也可以设置于相互相同的压电基板11上，也可以设置于相互不同的压电基板11并被安装、连接于共用的电路基板。
(通信装置)
图10是表示作为SAW装置1(分波器101)的利用例的通信装置151的主要部分的结构的框图。通信装置151进行利用了电波的无线通信，包含上述的分波器101。
在通信装置151中，包含要发送的信息的发送信息信号TIS通过RF-IC(RadioFrequency Integrated Circuit)153而被进行调制以及频率的提升(载波频率的向高频信号的转换)并设为发送信号TS。发送信号TS通过带通滤波器155而被去除发送用的通带以外的不要分量，通过放大器157而被放大并输入到分波器101(发送端子105)。并且，分波器101从被输入的发送信号TS去除发送用的通带以外的不要分量，将该去除后的发送信号TS从天线端子103输出到天线159。天线159将被输入的电信号(发送信号TS)转换为无线信号(电波)并发送。
此外，在通信装置151中，由天线159接收的无线信号(电波)通过天线159而被转换为电信号(接收信号RS)并输入到分波器101(天线端子103)。分波器101从被输入的接收信号RS去除接收用的通带以外的不要分量并输出到放大器161。被输出的接收信号RS通过放大器161而被放大，通过带通滤波器163而被去除接收用的通带以外的不要分量。并且，接收信号RS通过RF-IC153来进行频率的降低以及解调并设为接收信息信号RIS。
另外，发送信息信号TIS以及接收信息信号RIS可以是包含适当的信息的低频信号(基带信号)，例如是模拟的声音信号或被数字化的声音信号。无线信号的通带可以按照各种标准。调制方式也可以是相位调制、振幅调制、频率调制或这些的任意2个以上的组合的任意一种。电路方式在图10中，示例了直接变换方式，但可以设为其以外的适当方式，例如也可以是双变频超外差方式。此外，图10仅示意性地表示主要部分，也可以在适当的位置追加低通滤波器、隔离器等，此外也可以变更放大器等的位置。
本发明并不限定于以上的实施方式以及变形例，可以通过各种方式来实施。实施方式以及变形例可以适当地组合。
弹性波装置并不限定于SAW装置。例如，弹性波装置也可以是BAW(Bulk AcousticWave)装置，也可以包含压电薄膜谐振器，也可以是弹性边界波(其中，也可以说明为SAW的一种。)装置。在弹性波装置具有滤波器的情况下，滤波器并不限定于多模型。例如，也可以是图9的说明中提及的梯子型滤波器。
第1贯通导体的上部、下部以及/或者第2贯通导体的下部并不局限于剖面在贯通方向为一定的形状(圆柱状等)，也可以是越向外罩的上表面侧越缩径的锥状，也可以是越向外罩的上表面侧越扩径的锥状，也可以与第2贯通导体的上部同样地，具有2个锥部。相反地，第2贯通导体的上部的剖面也可以在贯通方向为一定的形状(圆柱状等)，也可以仅具有一个锥部。
第1贯通导体并不限定于贯通外罩的整体，例如也可以仅贯通框部或者盖部。此外，第2贯通导体并不限定于仅贯通外罩的整体或者框部，例如也可以仅贯通盖部。
在实施方式中，第2贯通导体以及导电层(加强层)被赋予基准电位。其中，这些也可以被赋予输入信号或者输出信号。
外罩并不限定于包含2层。例如，外罩也可以由3层以上构成。此外，外罩也可以形成树脂层以使得覆盖作为空间的牺牲层，然后，通过去除牺牲层来整体一体地形成。此外，在上述弹性边界波装置中，不需要在激励电极上形成空间，外罩可以仅由1层构成。
如根据图8的(a)的变形例理解那样，与第2贯通导体的上端连接的导电层也可以不以盖部的加强为目的。这在导电层被设置于外罩的上表面的情况下也相同。此外，第2贯通导体的配置并不限定于需要立体布线。
外罩7覆盖基板5的上表面。因此，外罩的框部如上述的实施方式那样不必仅接合于压电基板11的上表面。例如，在支承基板13的俯视形状大于压电基板11的俯视形状的情况下，基板5的上表面可能包含从压电基板露出的支承基板的上表面。在该情况下，框部15也可以存在与支承基板13上重叠的区域。
同样地，在该情况下，也可以存在位于从压电基板露出的支承基板13的上表面的端子3。更具体而言，也可以是构成端子3的第1贯通导体位于支承基板上、第2贯通导体位于压电基板上的结构。特别是在压电基板较薄的情况下，为了与基板稳固地接合，也可以使面积较大的第1贯通导体配置于较厚的支承基板上。压电基板的剥离能够抑制裂缝等的产生。此外，通过减小与压电基板相接的第2贯通导体的面积能够抑制向较薄的压电基板的应力施加。
-符号说明-
1…SAW装置(弹性波装置)，7…外罩，9…加强层(导电层)，11…压电基板，29…IDT电极(激励电极)，47…第1贯通导体，51…第2贯通导体。

Claims (13)

1.一种弹性波装置，具有：
基板，包含压电基板；
激励电极，位于所述压电基板的上表面；
外罩，从所述激励电极的上方覆盖所述基板的上表面；
至少一个第1贯通导体，从所述基板的上表面侧向所述外罩的上表面侧，将所述外罩的至少一部分贯通；
至少一个第2贯通导体，俯视情况下位于比所述第1贯通导体更靠所述基板的内侧的位置，从所述基板的上表面侧向所述外罩的上表面侧将所述外罩的至少一部分贯通，且直径比所述第1贯通导体小；和
导电层，位于所述外罩的上表面或者内部，与所述第2贯通导体的上端重叠。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述导电层位于所述外罩的上表面。
3.根据权利要求2所述的弹性波装置，其中，
多个所述第2贯通导体间的最短距离比多个所述第1贯通导体间的最短距离短。
4.根据权利要求1～3的任意一项所述的弹性波装置，其中，
所述外罩包含由单一的材料一体地形成的树脂层，
在所述树脂层内的与所述压电基板的上表面正交的剖面中，所述第1贯通导体的侧面的形状与所述第2贯通导体的侧面的形状相互不同。
5.根据权利要求1～4的任意一项所述的弹性波装置，其中，
所述外罩包含由单一的材料一体地形成的树脂层，
所述第2贯通导体在所述树脂层内，具有：
第1锥部，越向所述外罩的上表面侧越缩径；和
第2锥部，越向所述外罩的上表面侧越扩径。
6.根据权利要求1～5的任意一项所述的弹性波装置，其中，
多个所述第2贯通导体包含：
两个以上的所述第2贯通导体，俯视情况下在规定方向并排而构成第1列；和
2个以上的所述第2贯通导体，俯视情况下在所述规定方向并排，构成与所述第1列并列相邻的第2列，
所述第1列的第2贯通导体的位置与所述第2列的第2贯通导体的位置在所述规定方向相互不同。
7.根据权利要求1～6的任意一项所述的弹性波装置，其中，
作为多个所述激励电极的第1IDT电极、第2IDT电极以及第3IDT电极位于所述压电基板上，由此构成多模型的滤波器，
所述第1IDT电极、所述第2IDT电极以及所述第3IDT电极按照该顺序在弹性波的传播方向排列，
从所述第1IDT电极、所述第2IDT电极以及所述第3IDT电极向与所述传播方向交叉的方向的相同侧延伸的第1布线、第2布线以及第3布线位于所述基板上，
多个所述第2贯通导体具有：
位于所述第1布线上的所述第2贯通导体；和
位于所述第3布线上的所述第2贯通导体，
所述导电层将位于所述第1布线上的所述第2贯通导体和位于所述第3布线上的所述第2贯通导体连接。
8.根据权利要求1～7的任意一项所述的弹性波装置，其中，
作为多个所述激励电极的多个IDT电极位于所述压电基板上，由此构成多模型的第1滤波器以及第2滤波器，
所述多个第2贯通导体包含：
1个以上的第3贯通导体，俯视情况下位于所述第1滤波器与所述第2滤波器之间，在所述第1滤波器以及所述第2滤波器之中仅连接于所述第1滤波器；和
1个以上的第4贯通导体，俯视情况下位于所述第1滤波器与所述第2滤波器之间，在所述第1滤波器以及所述第2滤波器之中仅连接于所述第2滤波器，
所述导电层包含：
第1分割区域，在所述第1滤波器以及所述第2滤波器之中仅对置于第1滤波器；和
第1分割区域，在所述第1滤波器以及所述第2滤波器之中仅对置于第2滤波器，
所述第3贯通导体在所述第1分割区域以及所述第2分割区域之中仅连接于所述第1分割区域，
所述第4贯通导体在所述第1分割区域以及所述第2分割区域之中仅连接于所述第2分割区域。
9.根据权利要求7或者引用权利要求7的权利要求8所述的弹性波装置，其中，
所述第1布线以及所述第3布线比所述第2布线厚。
10.根据权利要求1～9的任意一项所述的弹性波装置，其中，
所述导电层位于所述外罩的上表面，
所述弹性波装置设置有覆盖所述导电层的绝缘层，
所述绝缘层不位于所述第1贯通导体的正上并且位于所述第2贯通导体的正上。
11.一种弹性波装置，具有：
基板，包含压电基板；
激励电极，位于所述压电基板的上表面；
外罩，从所述激励电极的上方覆盖所述基板的上表面；
至少一个贯通孔，从所述基板的上表面侧向所述外罩的上表面侧，将所述外罩贯通；
至少一个贯通导体，俯视情况下位于比所述贯通孔更靠所述基板的内侧的位置，从所述基板的上表面侧向所述外罩的上表面侧将所述外罩的至少一部分贯通，且直径比所述贯通孔小；和
导电层，位于所述外罩的上表面或者内部，与所述贯通导体的上端重叠。
12.一种分波器，具有：
发送滤波器，与端子连接；和
接收滤波器，与所述端子连接，
所述发送滤波器以及所述接收滤波器的至少一方包含权利要求1～11的任意一项所述的弹性波装置。
13.一种通信装置，具有：
天线；
与所述天线连接的权利要求1～11的任意一项所述的弹性波装置；和
与所述弹性波装置连接的IC。
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