KR100905875B1 - 표면탄성파 소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
소형화 및 경박화된 표면탄성파 소자 및 그 제조방법이 제안된다. 이를 위하여 표면탄성파 소자는 압전기판, 압전기판 일면에 형성된 복수의 IDT전극, 복수의 IDT전극을 연결시키는 신호배선, 신호배선을 접지시키는 복수의 접지전극 및 일면에 복수의 접지전극 중 적어도 한쌍을 연결하는 접지전극연결배선이 형성된 캡층을 포함한다.
표면탄성파 소자, 접지전극, 캡층
Description
본 발명은 표면탄성파 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 소형화 및 경박화된 표면탄성파 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
표면탄성파(Surface Acoustic Wave, SAW) 소자는 절연성이 높은 압전기판 위에 금속전극을 만들고 전압이 인가되면, 일시적으로 기판의 표면이 일그러지는 현상(압전효과)을 이용하여 물리적인 파를 일으키는 소자이다. 소자의 표면으로 전해지는 파의 속도는 통상 1초에 2,000 ~ 6,000m로 전자파에 비해 느리기 때문에 표면탄성파 소자는 주로 일시적으로 전기신호를 지연시키거나 일정한 주파수의 신호를 통과시키는 필터(여파기)로서 이용되고 있다.
이러한 SAW 소자는 전기적 신호를 기계적 신호로 변환하거나 기계적 신호를 전기적 신호로 변환하는 금속전극인 인터디지털 트랜스듀서(InterDigital Transducer, IDT) 전극을 구비한다. IDT 전극은 압전기판 상에 빗살형태로 다수의 전극지를 교대로 교차시켜 형성된다.
SAW 소자의 가장 간단한 유형은 표면탄성파를 발생시키는 하나의 IDT와 이 표면탄성파를 입력받는 다른 IDT로 구성된다. 표면탄성파를 전파하는 공간인 기판은 압전효과를 갖는 압전기판이 사용된다. 입력 IDT전극에 인가된 전기적 신호는 상응하는 표면파로 변환되고, 출력 IDT 전극에서 입력 IDT 전극의 간격과 표면파의 속도에 의해 결정되는 전압으로 출력된다. IDT전극에 유효한 주파수 대역에서 입력 신호가 제한되면 표면탄성파는 분산되지 않기 때문에 입력 신호의 왜곡이 거의 없다는 특징을 갖는다.
표면탄성파 (SAW) 소자 또는 이것과 유사한 용도로 사용되는 벌크탄성파(Bulk Acoustic Wave, BAW) 여파기 또는 경계파 여파기(Boundary Wave Filter)는 통신용 휴대폰 부품으로 사용된다. 이들은 압전기판에 적절한 패턴의 IDT전극이 형성되어있는 칩과 입출력단자 및 배선이 형성되어 있는 패키지용 기판을 포함하며, 칩 및 패키지 기판은 도전성 본딩 재료를 이용하여 결합되어 있다.
칩과 패키지기판은 보통 금속범프로 연결되고, 이를 통해 서로 전기적으로 연결된다. 추가적으로 에폭시재료나 금속재료를 이용하여 외부 보호용 막을 본딩된 칩 주변에 형성할 수 있다. 소자의 특성상 IDT전극 위에는 캐비티가 형성되어야 한다. 또한, 신뢰성을 확보하기 위하여, 칩은 추가적으로 IDT전극 패턴 및 전극 패드 부의 주위를 둘러싸도록 금속막을 형성함으로써, 칩과 패키지 내부를 밀봉하여 SAW소자를 제작한다.
이 때, 접지전극이 형성되면, 접지전극간의 연결배선이 신호배선과 겹치게 되는 경우가 있다. 접지전극의 연결을 위하여는 신호배선의 상면에 접지전극과의 전기적 절연을 위하여 절연층을 형성하고 그 위에 접지전극간의 연결선을 형성하게 된다. 2이상의 신호배선이 교차되는 경우에도 동일한 문제점이 발생한다. 따라서, 공정은 복잡해지고, 결과적으로 제조된 SAW 소자는 크기와 두께가 커지게 된다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 소형화 및 경박화된 표면탄성파 소자를 제공하는데 있다.
또한, 보다 간단한 공정으로 소형화 및 경박화된 표면탄성파 소자를 제조할 수 있는 제조방법을 제공하는데 있다.
이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 표면탄성파 소자는 압전기판; 압전기판 일면에 형성된 복수의 IDT전극; 복수의 IDT전극을 연결시키는 신호배선; 신호배선을 접지시키는 복수의 접지전극; 및 일면에 복수의 접지전극 중 적어도 한쌍을 연결하는 접지전극연결배선이 형성된 캡층;을 포함한다.
본 발명에 따른 표면탄성파 소자의 압전기판은 내부에 비아전극이 형성될 수 있고, 비아전극이 노출된 압전기판상에 형성된 외부전극을 더 포함할 수 있다.
압전기판 일면에 형성된 복수의 IDT전극 및 캡층은 소정간격 이격될 수 있다. 캡층은 웨이퍼로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 압전기판상에 복수의 IDT전극을 형성하는 단계; 복수의 IDT전극을 서로 연결하도록 신호배선을 형성하는 단계; 신호배선을 접지시키는 복수의 접지전극을 형성하는 단계; 일면에 복수의 접지전극을 연결시키도록 형성된 접지전극 연결배선을 캡층에 형성하는 단계; 및 복수의 접지전극 및 접지전극연결배선이 서로 접촉하도록 압전기판 및 캡층을 본딩하는 단계;를 포함하는 표면탄성파 소자 제조방법이 제공된다.
본 발명에 따른 탄성 표면파 소자 제조방법은 압전기판내부에 IDT전극과 연결되는 비아전극을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있고, 아울러, 비아전극이 노출된 압전기판상에 외부전극을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
압전기판 및 캡층을 본딩하는 단계는, 복수의 IDT전극 및 캡층이 소정간격 이격되도록 수행되는 것이 바람직하다.
접지전극 연결배선 형성단계는, 마스크를 이용하여 수행될 수 있다.
압전기판 및 캡층 본딩단계는, 웨이퍼 레벨 패키지(WLP) 본딩방법을 이용하여 수행될 수 있다.
비아전극을 형성하는 단계는, 압전기판을 에칭하여 관통홀을 형성하는 단계; 관통홀의 내부에 금속층을 증착하는 단계; 및 금속층이 증착된 관통홀의 내부를 비아금속으로 채우는 단계;를 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 중첩되는 2이상의 배선을 동일평면상에 형성하지 않고, 서로 다른 평면상에 형성한 보다 소형화된 SAW 소자를 얻을 수 있는 효과가 있다.
또한, 보다 효율적이고 간단한 공정을 통하여 저비용으로 소형화 및 경박화된 표면탄성파 소자를 제조할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 또한, 본 명세서에 첨부된 도면의 구성요소들은 설명의 편의를 위하여 확대 또는 축소되어 도시되어 있을 수 있음이 고려되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 표면탄성파 소자의 단면도이고, 도 2a 내지 2c는 각각 도 1의 압전기판의 상면, 캡층의 저면, 및 압전기판의 저면을 도시한 도면이다. 이하, 도 1 내지 도2c를 참조하여 설명하기로 한다.
본 발명의 일실시예에 따른 표면탄성파 소자(100)는 압전기판(110); 압전기판(110) 일면에 형성된 복수의 IDT전극(120); 복수의 IDT전극(120)을 연결시키는 신호배선(130); 압전기판 일면에 형성된 복수의 IDT전극(120); 복수의 IDT전극을 연결시키는 신호배선(130); 신호배선(130)을 접지시키는 복수의 접지전극(140); 및 일면에 복수의 접지전극 중 적어도 한쌍을 연결하는 접지전극연결배선(150)이 형성된 캡층(160);을 포함한다. 신호배선(130)은 입력신호배선(131), 출력신호배선(132) 및 연결신호배선(133)을 포함한다.
본 발명의 SAW 소자(100)에서 압전기판(110)으로는, SAW 필터용 압전 기판으로는 LiTaO3, LiNbO3, Li2B4O7, 또는 SiO2 등의 단결정이 사용될 수 있다. 이와 함께, PZT(Pb(Zr,Ti)O3계의 다결정이나 ZnO 박막이 사용될 수 있다.
압전기판(110) 일면에는 복수의 IDT전극(120)이 형성된다. IDT전극(120)은 전기적 신호를 기계적 신호로 변환하거나 기계적 신호를 전기적 신호로 변환하는 인터디지털 트랜스듀서(InterDigital Transducer: IDT)로 이루어진 금속전극이다. 예를 들면, IDT전극(120)은 알루미늄 또는 구리로 구성될 수 있다. IDT전극(120)은 압전기판(110)상에 금속층을 형성하고, 이를 포토리소그래피에 의해 소정형태의 전 극으로 형성한 것이다. IDT전극(120)은 빗살형태로 다수의 전극지를 교대로 교차시킨 구조를 갖는다.
전기적 신호가 입력되는 입력신호배선(131)으로부터 IDT전극(120)에 전기적 신호가 입력되면, 전기적 신호는 상응하는 표면파로 변환되고, 전기적 신호가 출력되는 출력신호배선(132)을 통하여 IDT전극(120)에서 IDT전극(120)의 간격과 표면파의 속도에 의해 결정되는 전압으로 출력된다. SAW 소자(100)의 전기적 특성은, 압전기판(110) 상에 형성된 IDT전극(120)의 두께 및 간격에 의해 결정된다. 이외에, IDT전극(120)의 양측면에는 리플렉서(미도시)를 구비할 수 있다.
신호배선(130)은 입력신호배선(131), 출력신호배선(132) 및 연결신호배선(133)을 포함한다. 입력신호배선(131)은 외부로부터 인가되는 전기적 신호를 IDT전극(120)에 전달하고, 출력신호배선(132)은 IDT전극(120)으로부터의 전기적 신호를 외부로 출력한다. 연결신호배선(133)은 복수의 IDT전극(120)를 서로 연결하거나 접지전극(140)과 연결한다. 접지전극(140)은 신호배선(130)을 접지시킨다.
캡층(160)은 IDT전극(120)을 보호하기 위한 층으로서, 예를 들어 실리콘 또는 실리콘 산화물과 같은 반도전성 또는 절연성의 보호막으로 이루어진다. 캡층(160)은 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 캡층(160)의 일면에는 접지전극연결배선(150)이 형성된다. 접지전극연결배선(150)은 복수의 접지전극(140) 중 적어도 한쌍을 연 결하도록 배선되어 있다.
SAW 소자(100)의 특성상, 압전기판(110)상에 형성된 복수의 IDT전극(120)과 캡층(160)은 소정간격(d) 이격되는 것이 바람직하다. 도 1에서 IDT전극(120)과 캡층(160)은 접지전극(140)의 두께(d)만큼 이격되어 있도록 도시되었으나, 반드시 이에 한정하는 두께로 이격될 필요는 없다.
도 2a를 참조하면, 압전기판(110)의 상면에는 접지전극(140), 입력신호배선(131), 출력신호배선(132), 연결신호배선(133), 및 IDT전극(120)이 도시되어 있음을 알 수 있다. 편의상 접지전극(140)은 제1내지 제5 접지전극(141, 142, 143, 144, 145)으로 구분하여 설명하기로 하고, IDT전극(120)은 입력신호배선(131) 측 IDT전극(121) 및 출력신호배선(132) 측의 IDT전극(122)으로 구분하여 설명하기로 하며, 접지전극연결배선(150)은 제1내지 제6접지전극연결배선(151, 152, 153, 154, 155, 156)으로 구분하여 설명하기로 한다. 도 2a에서는 IDT전극(120)의 빗살형태가 상세히 도시되지 않았으나, 그 형태나 작용 또는 기능은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 자명할 것이다. 도 1의 단면도는 도 2a에서 A-A'선을 따라 SAW 소자(100)를 절단한 단면을 도시한 도면이다.
입력신호배선(131)을 통하여 전기적 신호가 입력되면, 입력신호배선(131) 측의 IDT전극(120)으로 전달되고, 연결신호배선(133)으로 통하여 출력신호배선(132) 측 IDT전극(120)으로 전달되어 출력신호배선(132)을 통하여 전기적 신호가 출력된다.
캡층(160)에는 제1내지 제5 접지전극(141, 142, 143, 144, 145)과 동일한 위치에 형성된 제1내지 제5접지전극연결배선(151, 152, 153, 154, 155)이 형성되어 있다. 제1접지전극연결배선(151) 및 제2접지전극연결배선(152)은 제6접지전극연결배선(156)으로 연결되어 있다. 그에 따라, 제1접지전극(141) 및 제2접지전극(142)는 절연층 형성없이 연결신호배선(133) 상에서 연결될 수 있다.
압전기판(110) 내부에는 IDT전극(120) 및 접지전극(140)을 외부전원 등과 연결하기 위한 비아전극(170)이 형성될 수 있다. 비아전극(170)의 도체로는 Cu, Ag, Au, Ni, Pt, Pd 또는 이들의 합금을 사용할 수 있다. 캡층(160)은 접지전극(140)을 연결하기 위한 접지전극연결배선(150)이 형성되어 있으므로 캡층(160)에 비아전극 을 형성하는 것이 아니라, 압전기판(110)내부에 형성한다. 따라서, SAW 소자(100)는 메인기판(미도시) 등에 압전기판(110) 부분이 실장된다.
압전기판(110)에 형성된 비아전극(170)이 외부로 노출된 영역에는 외부전극(180)을 예를 들어 패드형태로 형성할 수 있다. 도 2a에서, SAW 소자(100)의 저면에는 외부전극(180)이 형성되어 있다.
도 3a 내지 도 3j는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표면탄성파 소자 제조방법의 설명에 제공되는 도면들이다. 이하, 도 3a 내지 도 3j를 참조하여 설명하기로 한다. 도 1내지 2c를 참조하여 설명한 부분과 중복되는 것은 생략하기로 한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 압전기판상에 복수의 IDT전극을 형성하는 단계; 복수의 IDT전극을 서로 연결하도록 신호배선을 형성하는 단계; 신호배선을 접지시키는 복수의 접지전극을 형성하는 단계; 일면에 복수의 접지전극을 연결시키도록 형성된 접지전극 연결배선을 캡층에 형성하는 단계; 및 복수의 접지전극 및 접지전극연결배선이 서로 접촉하도록 압전기판 및 캡층을 본딩하는 단계;를 포함하는 표면탄성파 소자 제조방법이 제공된다.
도 3a를 참조하면, 먼저 SAW 소자를 제조하기 위하여, 압전기판(210)상에 복수의 IDT전극(220)을 형성한다. 전술한 바와 같이, 압전기판(210) 상에 알루미늄 또는 구리 등의 금속층을 형성하고 포토리소그래피에 의해 빗살형 전극을 형성한다. IDT전극(220)과 함께 입력신호배선(231), 출력신호배선(232), 및 연결신호배선(233)도 형성하여 복수의 IDT전극(220)을 서로 연결한다.
입력신호배선(231), 출력신호배선(232), 및 연결신호배선(233)을 접지시키는 복수의 접지전극을 형성하기 위하여, 도 3b에서와 같이 접지전극형성용 마스크(291)를 압전기판(210)상에 위치시킨다. 접지전극형성용 마스크(291) 패턴을 이 용하여 솔더 페이스트를 도포하여 접지전극(240)을 형성하고 접지전극형성용 마스크(291)를 제거한다(도 3c).
이와 별개의 공정으로, SAW 소자 보호용 실리콘 웨이퍼 또는 실리콘 산화물을 준비하고, 캡층(260)의 일면에 복수의 접지전극(240)을 연결시키도록 형성된 접지전극 연결배선(250)을 마스크를 이용하여 형성한다(도 3d). 그 후, 도 3e에서와 같이, 서로 별도로 준비된 압전기판(210) 및 캡층(260)을 본딩하여 복수의 접지전극(240) 및 접지전극연결배선(250)이 서로 접촉하여 내부가 밀봉되도록 한다. 이 때 압전기판(210) 및 캡층(260)을 본딩하는 단계는, 복수의 IDT전극(220) 및 캡층(260)이 소정간격 이격되도록 수행되는 것이 바람직하다. 즉, 압전기판(210) 및 캡층(260) 본딩단계는, 웨이퍼 레벨 패키지(WLP) 본딩방법을 이용하여 수행된다.
본 발명에 따른 탄성 표면파 소자 제조방법은 압전기판(210)내부에 IDT전극(220)과 연결되는 비아전극(170)을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다. 비아전극(270)을 형성하는 단계는, 압전기판(210)을 에칭하여 도 3g 내지 도 3i에서와 같이 관통홀을 형성하고, 관통홀의 내부에 금속층(271)을 증착한 후, 금속층(271)이 증착된 관통홀의 내부를 비아금속(272)으로 채워 수행될 수 있다.
비아전극(270)이 형성되면, 비아전극(270)이 노출된 압전기판(210)상에 외부전극(28을 패드형태로 형성할 수 있다(도 3j).
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 하며, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 표면탄성파 소자의 단면도이다.
도 2a 내지 2c는 각각 도 1의 압전기판의 상면, 캡층의 저면, 및 압전기판의 저면을 도시한 도면이다.
도 3a 내지 도 3j는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표면탄성파 소자 제조방법의 설명에 제공되는 도면들이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 표면탄성파 소자 110 압전기판
120 IDT전극 130 신호배선
131 입력신호배선 132 출력신호배선
140 접지전극 150 접지전극연결배선
160 캡층 170 비아전극
180 외부전극
Claims (12)
- 압전기판;상기 압전기판 내부에 형성된 비아전극;상기 압전기판 일면에 형성된 복수의 IDT전극;상기 복수의 IDT전극을 연결시키는 신호배선;상기 신호배선을 접지시키는 복수의 접지전극; 및일면에 상기 복수의 접지전극 중 적어도 한쌍을 연결하는 접지전극연결배선이 형성된 캡층;을 포함하는 표면탄성파 소자.
- 삭제
- 제 1항에 있어서,상기 비아전극이 노출된 압전기판상에 형성된 외부전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 압전기판 일면에 형성된 복수의 IDT전극 및 상기 캡층은 소정간격 이격된 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 캡층은 웨이퍼로 이루어진 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자.
- 압전기판상에 복수의 IDT전극을 형성하는 단계;상기 복수의 IDT전극을 서로 연결하도록 신호배선을 형성하는 단계;상기 압전기판내부에 상기 IDT전극과 연결되는 비아전극을 형성하는 단계;상기 신호배선을 접지시키는 복수의 접지전극을 형성하는 단계;일면에 상기 복수의 접지전극을 연결시키도록 형성된 접지전극 연결배선을 캡층에 형성하는 단계; 및상기 복수의 접지전극 및 상기 접지전극연결배선이 서로 접촉하도록 상기 압전기판 및 상기 캡층을 본딩하는 단계;를 포함하는 표면탄성파 소자 제조방법.
- 삭제
- 제 6항에 있어서,상기 비아전극을 형성하는 단계는, 상기 압전기판을 에칭하여 관통홀을 형성하는 단계;상기 관통홀의 내부에 금속층을 증착하는 단계; 및상기 금속층이 증착된 관통홀의 내부를 비아금속으로 채우는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 제조방법.
- 제 6항에 있어서,상기 비아전극이 노출된 압전기판상에 외부전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 제조방법.
- 제 6항에 있어서,상기 압전기판 및 상기 캡층을 본딩하는 단계는, 상기 복수의 IDT전극 및 상기 캡층이 소정간격 이격되도록 수행되는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 제조방법.
- 압전기판상에 복수의 IDT전극을 형성하는 단계;상기 복수의 IDT전극을 서로 연결하도록 신호배선을 형성하는 단계;상기 신호배선을 접지시키는 복수의 접지전극을 형성하는 단계;일면에 상기 복수의 접지전극을 연결시키도록 형성된 접지전극 연결배선을 캡층에 형성하는 단계; 및상기 복수의 접지전극 및 상기 접지전극연결배선이 서로 접촉하도록 상기 압전기판 및 상기 캡층을 본딩하는 단계;를 포함하며,상기 접지전극 연결배선 형성단계는, 마스크를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 제조방법.
- 제 6항에 있어서,상기 압전기판 및 상기 캡층 본딩단계는, 웨이퍼 레벨 패키지(WLP) 본딩방법을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 제조방법.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080036118A KR100905875B1 (ko) | 2008-04-18 | 2008-04-18 | 표면탄성파 소자 및 그 제조방법 |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR100905875B1 true KR100905875B1 (ko) | 2009-07-03 |
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ID=41337200
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| Country | Link |
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| KR (1) | KR100905875B1 (ko) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03173216A (ja) * | 1989-12-01 | 1991-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波装置 |
| KR20040061694A (ko) * | 2002-12-31 | 2004-07-07 | 주식회사 멤스웨어 | 표면탄성파필터 웨이퍼레벨 패키지방법 |
-
2008
- 2008-04-18 KR KR1020080036118A patent/KR100905875B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPH03173216A (ja) * | 1989-12-01 | 1991-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波装置 |
| KR20040061694A (ko) * | 2002-12-31 | 2004-07-07 | 주식회사 멤스웨어 | 표면탄성파필터 웨이퍼레벨 패키지방법 |
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