JP7072394B2

JP7072394B2 - 弾性波装置、分波器および通信装置

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Publication number: JP7072394B2
Application number: JP2018011760A
Authority: JP
Inventors: 俊哉木村; 和幸浜谷
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2018-01-26
Filing date: 2018-01-26
Publication date: 2022-05-20
Anticipated expiration: 2038-01-26
Also published as: JP2019129497A

Description

本開示は、弾性波を利用する弾性波装置、分波器および通信装置に関する。弾性波は、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）である。

実装基体（例えば回路基板）と、実装基体に実装されている弾性波チップと、弾性波チップを封止している封止部（封止樹脂）とを有している弾性波装置が知られている（例えば特許文献１～３）。

具体的には、例えば、弾性波チップは、チップ基板と、チップ基板の主面（通常、最も広い面。表裏の何れかの面）上に位置している励振電極とを有している。チップ基板の、励振電極が設けられている主面（以下、機能面）は、励振電極によって電圧（電界）が印加されることによって振動する。これにより、機能面においては弾性波が励振される。

弾性波チップは、例えば、機能面を実装基体の実装面に対向させて配置され、実装面と機能面との間に介在するバンプによって実装基体に実装される。実装面と機能面との間には、バンプ等の高さ（厚さ）に応じた大きさの空間が構成される。そして、実装面が弾性波チップの上から封止樹脂によって覆われることによって、空間が密閉される。なお、本開示においては、便宜上、このように機能面上の空間が封止部によって密閉される態様をＣＳＰ（Chip Size Package）型というものとする。

ＣＳＰ型とは異なる態様としては、励振電極上に空間を構成するように機能面を覆うカバーを有する弾性波チップを用いたものが挙げられる。この弾性波チップは、例えば、カバーの天面（機能面とは反対側の面）を実装基体の実装面に対向させて配置され、実装面とカバーの天面との間に介在するバンプによって実装基体に実装される。そして、実装面が弾性波チップの上から封止樹脂によって覆われることによって、弾性波チップは封止される。なお、本開示においては、便宜上、このように機能面上の空間が直接的にはカバーによって密閉される態様をＷＬＰ（Wafer Level Package）型というものとする。

特許文献１は、ＷＬＰ型の弾性波装置について、弾性波チップの側面と、封止部との間に隙間が形成された構成を開示している。特許文献２は、ＣＳＰ型の弾性波装置について、機能面と実装面との間の空間が機能面よりも外側に広がって、機能面と弾性波チップの側面との角部が封止部から離れている構成を開示している。特許文献３は、ＣＳＰ型の弾性波装置について、互いに隣り合う弾性波チップと電子部品との隙間に対して、その上部のみに封止部が充填されている構成を開示している。

特開２００７－１４２１４９号公報特許第５７８２１２９号明細書特開２０１３－０９３７９１号公報

特性を向上させることができる弾性波装置、分波器および通信装置が提供されることが望まれる。

本開示の一態様に係る弾性波装置は、弾性波チップと、弾性波チップが実装されている実装面を有している実装基体と、前記弾性波チップの上から前記実装面を覆っている封止部と、を有しており、前記弾性波チップは、圧電性を有している第１主面、その背面の第２主面、および前記第１主面の外縁および前記第２主面の外縁をこれらの全周に亘ってつないでいる外周面を有しているチップ基板と、前記第１主面上の励振電極と、を有しており、前記第１主面と前記実装面とが空間を介して対向している状態で、前記実装基体に実装されており、前記チップ基板は、前記第１主面を有する圧電基板と、前記圧電基板の前記第１主面とは反対側に貼り合わされており、前記圧電基板よりも線膨張係数が小さい支持基板と、を有し、前記封止部は、前記チップ基板よりも線膨張係数が大きく、かつ前記第２主面に接合されているとともに、前記外周面の半分以上の面積について、前記外周面に対して非接合である、または前記外周面に対する接合強度が前記第２主面に対する接合強度よりも低く、前記第２主面に接合されている第１部分と、前記外周面を囲んでいる第２部分と、を有しており、前記第２部分は、樹脂を含む。

本開示の一態様に係る弾性波装置は、弾性波チップと、弾性波チップが実装されている実装面を有している実装基体と、前記弾性波チップの上から前記実装面を覆っている封止部と、を有しており、前記弾性波チップは、圧電性を有している第１主面、その背面の第２主面、および前記第１主面の外縁および前記第２主面の外縁をこれらの全周に亘ってつないでいる外周面を有しているチップ基板と、前記第１主面上の励振電極と、前記励振電極上に空間を構成しつつ前記励振電極を封止しているカバーと、を有しており、前記カバーの天面と前記実装面とが隙間を介して対向している状態で、前記実装基体に実装されており、前記封止部は、前記チップ基板よりも線膨張係数が大きく、かつ前記第２主面に接合されているとともに、前記カバーの天面の半分以上の面積について、前記カバーの天面に対して非接合である、または前記カバーの天面に対する接合強度が前記第２主面に対する接合強度よりも低い。

一例において、前記チップ基板は、前記第１主面を有している圧電基板と、前記圧電基板の前記第１主面とは反対側に直接的または間接的に貼り合わされており、前記圧電基板よりも線膨張係数が小さい支持基板と、を有している。

一例において、前記封止部は、前記第２主面に接合されている第１部分と、前記外周面を囲んでおり、前記第１部分の材料とは異なる材料からなる第２部分と、を有しており、前記第２部分の材料は、前記第１部分の材料に比較して、ヤング率と線膨張係数との積が小さい、および前記外周面に対する接合強度が低い、の少なくとも一方を満たす。

一例において、前記弾性波装置は、第１～第３端子と、前記第１主面上にて弾性波の伝搬方向に配列されている複数のＩＤＴ電極と、前記複数のＩＤＴ電極に対して前記伝搬方向の両側に位置している１対の反射器と、を有しており、前記複数のＩＤＴ電極は、前記第１端子および前記第３端子に接続されている第１ＩＤＴ電極と、前記第１ＩＤＴ電極と隣り合っており、前記第２端子に接続されている第２ＩＤＴ電極と、を有しており、前記第１ＩＤＴ電極は、前記伝搬方向に互いに隣り合っている第１分割ＩＤＴ電極および第２分割ＩＤＴ電極を有しており、前記第１分割ＩＤＴ電極は、前記第１端子に接続されている第１櫛歯電極と、前記第１櫛歯電極と噛み合っており、前記第１～第３端子のいずれにも電気的に接続されておらず、電気的に浮遊状態となっている第２櫛歯電極と、を有しており、前記第２分割ＩＤＴ電極は、前記第２櫛歯電極に接続されている、電気的に浮遊状態の第３櫛歯電極と、前記第３櫛歯電極と噛み合っており、前記第３端子に接続されている第４櫛歯電極と、を有している。

一例において、前記複数のＩＤＴ電極は、前記第１ＩＤＴ電極に対して前記第２ＩＤＴ電極とは反対側に位置している第３ＩＤＴ電極をさらに含んでおり、前記第２ＩＤＴ電極および前記第３ＩＤＴ電極は、それぞれ、前記第２端子に接続されている第５櫛歯電極と、前記第５櫛歯電極に噛み合っている第６櫛歯電極と、を有しており、前記第２櫛歯電極、前記３櫛歯電極および前記第５櫛歯電極は、前記第１櫛歯電極、前記４櫛歯電極および前記第６櫛歯電極に対して、前記伝搬方向に直交する方向の同一側に位置している。

一例において、前記弾性波装置は、第１～第３端子と、前記第１主面上にて弾性波の伝搬方向に配列されている複数のＩＤＴ電極と、前記複数のＩＤＴ電極に対して前記伝搬方向の両側に位置している１対の反射器と、を有しており、前記複数のＩＤＴ電極は、前記第１端子および前記第３端子に接続されている第４ＩＤＴ電極と、前記４ＩＤＴ電極と隣り合っており、前記第２端子に接続されている第５ＩＤＴ電極と、を有しており、前記第５ＩＤＴ電極は、第７櫛歯電極と、前記第７櫛歯電極と噛み合っている第８櫛歯電極と、を有しており、前記第４ＩＤＴ電極は、前記第７櫛歯電極および前記第８櫛歯電極の、前記伝搬方向に直交する方向の一方側部分に対して、前記伝搬方向に位置している第３分割ＩＤＴ電極と、前記第７櫛歯電極および前記第８櫛歯電極の、前記伝搬方向に直交する方向の他方側部分に対して、前記伝搬方向に位置している第４分割ＩＤＴ電極と、を有しており、前記第３分割ＩＤＴ電極は、前記第１端子に接続されている第９櫛歯電極と、前記第９櫛歯電極と噛み合っており、前記第１～第３端子のいずれにも電気的に接続されておらず、電気的に浮遊状態となっている第１０櫛歯電極と、を有しており、前記第４分割ＩＤＴ電極は、前記第１０櫛歯電極に接続されている、電気的に浮遊状態の第１１櫛歯電極と、前記第１１櫛歯電極と噛み合っており、前記第３端子に接続されている第１２櫛歯電極と、を有している。

一例において、前記弾性波装置は、前記励振電極に接続されている、前記第１主面上の配線と、前記配線に接続されている、前記第１主面上のパッドと、前記第１主面上に位置している配線導体層と、前記配線導体層上に位置しているパッド導体層と、を有しており、前記配線は、上面を含む少なくとも一部が前記配線導体層によって構成されており、前記パッドは、上面を含む少なくとも一部が前記配線導体層および前記パッド導体層によって構成されており、前記パッドの断面視において、前記パッド導体層の前記配線導体層側の一部は、前記配線導体層の前記パッド導体層側の一部にめり込んでいる。

一例において、前記弾性波装置は、前記励振電極に接続されている、前記第１主面上の配線と、前記配線に接続されている、前記第１主面上のパッドと、前記第１主面上に位置している配線導体層と、前記配線導体層上に位置しているパッド導体層と、を有しており、前記配線は、その上面を含む少なくとも一部が前記配線導体層によって構成されており、前記パッドは、その上面を含む少なくとも一部が前記配線導体層および前記パッド導体層によって構成されており、前記配線導体層は、主導体層と、前記主導体層よりも薄く、かつ前記主導体層よりも電気抵抗率が大きい、前記主導体層上の被覆層と、を有しており、前記パッドの位置において、前記被覆層の非配置領域が設けられており、これにより前記パッド導体層が前記主導体層に直接に接合されている。

一例において、前記主導体層の材料は、ＡｌもしくはＣｕまたはこれらを主成分とする合金であり、前記被覆層の材料は、ＴｉもしくはＣｒである。

一例において、前記弾性波装置は、前記第１主面上に位置しており、その一部の上に前記配線導体層の少なくとも一部が重なる、前記配線導体層よりも薄い電極導体層をさらに有しており、前記励振電極は、その上面を含む少なくとも一部が前記電極導体層によって構成されており、前記配線は、少なくとも一部が前記電極導体層および前記配線導体層によって構成されており、前記パッドは、前記電極導体層、前記配線導体層および前記パッド導体層によって構成されている。

本開示の一態様に係る分波器は、アンテナ端子と、前記アンテナ端子に接続されている送信フィルタと、前記アンテナ端子に接続されている受信フィルタと、を有しており、前記アンテナ端子および前記受信フィルタは、前記第１端子を前記アンテナ端子としている上記の弾性波装置によって構成されている。

本開示の一態様に係る通信装置は、アンテナと、前記アンテナに接続されているフィルタと、前記フィルタに接続されているＩＣと、を有しており、前記フィルタが上記弾性波装置によって構成されている。

上記の構成によれば、フィルタ特性を向上させることができる。

第１実施形態に係るＳＡＷ装置が有しているＳＡＷチップの斜視図である。図１のＳＡＷチップを含むＳＡＷ装置の構成を示す断面図であり、図１のII－II線に対応している。第２実施形態に係るＳＡＷ装置が有しているＳＡＷチップの斜視図である。図３のＳＡＷチップを含むＳＡＷ装置の構成を示す断面図であり、図３のIV－IV線に対応している。図５（ａ）、図５（ｂ）および図５（ｃ）は封止部の種々の変形例を示す断面図である。図６（ａ）、図６（ｂ）および図６（ｃ）は封止部の他の種々の変形例を示す断面図である。図７（ａ）および図７（ｂ）は封止部のさらに他の種々の変形例を示す断面図である。ＳＡＷ素子の他の例を示す平面図である。図９（ａ）はＳＡＷ素子のさらに他の例を示す平面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＳＡＷ素子の励振電極の変形例を示す平面図である。図１０（ａ）は導体層の構造の一例を示す模式的な断面図であり、図１のＸａ－Ｘａ線に対応している。図１０（ｂ）は導体層の他の例を示す図であり、図１０（ａ）の領域Ｘｂに相当している。実施形態に係るＳＡＷ装置の一例または利用例としての分波器を模式的に示す図である。図１１の分波器の利用例としての通信装置の要部の構成を示すブロック図である。

以下、本開示の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。

図面には、便宜上、Ｄ１軸、Ｄ２軸およびＤ３軸からなる直交座標系を付すことがある。本開示に係る弾性波デバイスは、いずれの方向が上方または下方とされてもよい。ただし、便宜上、Ｄ３軸方向を上下方向として上面または下面の語を用いることがある。なお、Ｄ１軸は、後述する圧電基板１９の上面に沿って伝搬するＳＡＷの伝搬方向に平行になるように定義され、Ｄ２軸は、圧電基板１９の上面に平行かつＤ１軸に直交するように定義され、Ｄ３軸は、圧電基板１９の上面に直交するように定義されている。

第２実施形態以降において、既に説明された実施形態の構成と共通または類似する構成について、既に説明された実施形態の構成に付した符号を用い、また、図示や説明を省略することがある。なお、既に説明された実施形態の構成と対応（類似）する構成については、既に説明された実施形態の構成と異なる符号を付した場合においても、特に断りがない点は、既に説明された実施形態の構成と同様とされてよい。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係るＳＡＷ装置１が有しているＳＡＷチップ３の斜視図である。図２は、ＳＡＷ装置１の断面図であり、図１のII－II線に対応している。

ＳＡＷ装置１は、例えば、ＳＡＷを利用するＳＡＷチップ３と、ＳＡＷチップ３が実装されている実装基体５と、ＳＡＷチップ３を封止している封止部７とを有している。なお、ＳＡＷチップ３に関しては、＋Ｄ３側を上方として上面等の語を用いることがあり、実装基体５および封止部７については、－Ｄ３側を上方として上面等の語を用いることがある。

ＳＡＷ装置１は、例えば、実装基体５にＳＡＷチップ３以外の他の電子素子（不図示）も実装されて構成されたモジュールであってよい。また、例えば、ＳＡＷ装置１は、ＳＡＷチップ３以外の電子素子を基本的に有さないものであってもよい。換言すれば、実装基体５および封止部７は、ＳＡＷチップ３を単にパッケージングするだけの部材であってもよい。ＳＡＷ装置１が、モジュールでもあっても、パッケージされた電子部品であってもよいことから理解されるように、ＳＡＷ装置１の大きさは適宜に設定されてよい。

（ＳＡＷチップ）
ＳＡＷチップ３は、例えば、概略、薄型の直方体状のチップ型電子部品として構成されている。ＳＡＷチップ３は、例えば、チップ基板９と、チップ基板９の＋Ｄ３側の主面（第１主面９ａ）上に位置している導体層（符号省略）とを有している。

導体層は、例えば、電気信号とＳＡＷとの変換を直接的に担うＳＡＷ素子１１と、ＳＡＷ素子１１と接続されている複数の配線１３と、少なくとも一部は複数の配線１３と接続されている複数の端子１５Ａ～１５Ｄ（以下、Ａ～Ｄを省略することがある。）とを構成している。

導体層は、例えば、金属からなり、また、１つの金属層から構成されていてもよいし、複数の金属層から構成されていてもよい。導電層は、例えば、ＳＡＷ素子１１、配線１３および端子１５それぞれにおいて（部位毎に）、同一の材料および一定の厚さで構成されている。また、上記の部位間において、材料および／または厚さは互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。所定の部位の導体層が複数の金属層から構成されている場合において、その複数の金属層の一部のみが他の部位の金属層と共通していてもよい。

なお、特に図示しないが、ＳＡＷチップ３は、上記の他、例えば、導体層（端子１５を除く）を覆う絶縁性の保護膜（例えばＳｉＯ_２膜）を有していてもよい。保護膜は、比較的薄い、単に導体層を腐食等から保護する目的のものであってもよいし、比較的厚い、ＳＡＷ素子１１の温度補償に寄与するものであってもよい。また、例えば、チップ基板９の－Ｄ３側の主面を覆う導電層および／または絶縁層（ただし、これはチップ基板９の一部と捉えられてもよい。）が設けられていてもよい。

（チップ基板）
チップ基板９は、例えば、概略、薄型の直方体状に形成されている。すなわち、チップ基板９は、第１主面９ａと、その背面の第２主面９ｂと、第１主面９ａの外縁および第２主面９ｂの外縁をこれらの全周に亘ってつないでいる外周面９ｃとを有している。外周面９ｃは、例えば、４つの側面９ｄを含んでいる。なお、本実施形態では、ＳＡＷチップ３の外形は、概略、チップ基板９の外形と同一である。

チップ基板９は、例えば、いわゆる貼り合わせ基板によって構成されている。すなわち、チップ基板９は、圧電基板１９と、圧電基板１９の一主面に貼り合わされた支持基板２１とを有している。

圧電基板１９は、チップ基板９の第１主面９ａを構成している。従って、第１主面９ａは、圧電性を有している。支持基板２１は、圧電基板１９の第１主面９ａとは反対側に貼り合わされている。なお、第２主面９ｂは、支持基板２１によって構成されていてもよいし、既述のように支持基板２１の圧電基板１９とは反対側に導電層および／または絶縁層が設けられ、これらが第２主面９ｂを構成していてもよい。

圧電基板１９は、例えば、圧電性を有する単結晶基板によって構成されている。単結晶基板は、例えば、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）または水晶（ＳｉＯ_２）からなる。カット角は適宜に設定されてよい。例えば、圧電基板１９は、回転ＹカットＸ伝搬のものである。すなわち、Ｘ軸は圧電基板１９の上面（Ｄ１軸）に平行であり、Ｙ軸は、圧電基板１９の上面の法線に対して所定の角度で傾斜している。

圧電基板１９の形状は、例えば、概略、薄型の直方体状である。その寸法は適宜に設定されてよい。圧電基板１９の厚さは、例えば、一定である。当該厚さの具体的な値は、ＳＡＷ装置１が適用される技術分野および／またはＳＡＷ装置１に要求される仕様等に応じて適宜に設定されてよい。一例として、圧電基板１９の厚さは、０．５μｍ以上３０μｍ以下である

支持基板２１は、例えば、圧電基板１９の材料よりも線膨張係数（いずれかに異方性がある場合は、例えば、Ｄ１軸方向における線膨張係数）が小さい材料によって形成されている。このような材料としては、例えば、シリコン等の半導体、サファイア等の単結晶および酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックを挙げることができる。なお、支持基板２１は、互いに異なる材料からなる複数の層が積層されて構成されていてもよい。

支持基板２１の形状は、例えば、概略、薄型の直方体状であり、また、平面視において圧電基板１９に一致する形状および寸法である。支持基板２１の厚みは、例えば、一定であり、また、圧電基板１９の厚みよりも厚い。支持基板２１の厚さの具体的な値は、圧電基板１９の厚みと同様に適宜に設定されてよい。一例として、圧電基板１９の厚さが０．５μｍ以上３０μｍ以下であるのに対して、支持基板２１の厚さは１００μｍ以上３００μｍ以下である。

圧電基板１９および支持基板２１は、例えば、不図示の接着層を介して互いに貼り合わされている。接着層の材料は、有機材料であってもよいし、無機材料であってもよい。有機材料としては、例えば、熱硬化性樹脂等の樹脂が挙げられる。無機材料としては、例えば、ＳｉＯ_２が挙げられる。接着層は複数の層が積層されていてもよい。また、圧電基板１９および支持基板２１は、接着面をプラズマなどで活性化処理した後に接着層無しに貼り合わせる、いわゆる直接接合によって貼り合わされていても良い。

（ＳＡＷ共振子（ＳＡＷ素子））
ＳＡＷ素子１１は、第１主面９ａ上に電圧を印加することによってＳＡＷを励振する励振電極を有する種々の構成のものとされてよい。図１および図２では、ＳＡＷ素子１１の一例として、ＳＡＷ共振子１７が模式的に示されている。ＳＡＷ共振子１７は、いわゆる１ポートＳＡＷ共振子を構成しており、例えば、２つの端子１５Ａおよび１５Ｂの一方から所定の周波数の電気信号が入力されると共振を生じ、その共振を生じた信号を２つの端子１５Ａおよび１５Ｂの他方から出力する。

このようなＳＡＷ共振子１７は、例えば、第１主面９ａ上に位置している励振電極としてのＩＤＴ（interdigitated transducer）電極２３と、第１主面９ａ上にてＩＤＴ電極２３の両側に位置している１対の反射器２５とを有している。

なお、厳密には、ＳＡＷ共振子１７（ＳＡＷ素子１１）は、圧電基板１９を含んで構成される。ただし、一の圧電基板１９上に、ＩＤＴ電極２３および１対の反射器２５の組み合わせが複数設けられ、複数のＳＡＷ共振子１７が構成されることがある。そこで、本開示の説明では、便宜上、ＩＤＴ電極２３および１つの反射器２５の組み合わせ（ＳＡＷ共振子１７の電極部）をＳＡＷ共振子１７という。

ＩＤＴ電極２３および反射器２５は、例えば、互いに同一の材料および厚さで構成されている。既述のように、ＳＡＷ共振子１７を構成する導体層は、１層の金属層から構成されていてもよいし、複数の金属層から構成されていてもよい。また、当該導体層の厚さは、ＳＡＷ共振子１７に要求される電気特性等に応じて適宜に設定される。なお、特に図示しないが、ＩＤＴ電極２３および／または反射器２５の上面または下面には、ＳＡＷの反射係数を向上させるために、絶縁体または金属からなる付加膜が設けられていてもよい。

ＩＤＴ電極２３は、１対の櫛歯電極２７を有している。各櫛歯電極２７は、バスバー２９と、バスバー２９から互いに並列に延びる複数の電極指３１とを有している。なお、特に図示しないが、各櫛歯電極２７は、この他、複数の電極指３１の間においてバスバー２９から突出し、他方の櫛歯電極２７の複数の電極指３１の先端と対向する複数のダミー電極を有していてもよい。

１対の櫛歯電極２７は、複数の電極指３１が互いに噛み合うように（交差するように）配置されている。すなわち、１対の櫛歯電極２７の２本のバスバー２９は互いに対向して配置され、一方の櫛歯電極２７の電極指３１と他方の櫛歯電極２７の電極指３１とは、基本的には、その幅方向（Ｄ１軸方向）に交互に配列されている。

バスバー２９は、例えば、概略、一定の幅でＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。そして、１対のバスバー２９は、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）において互いに対向している。なお、バスバー２９は、幅が変化していたり、ＳＡＷの伝搬方向に対して傾斜していたりしてもよい。

各電極指３１は、例えば、概略、一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。複数の電極指３１は、例えば、ＳＡＷの伝搬方向に配列されており、また、互いに同等の長さである。なお、ＩＤＴ電極２３は、複数の電極指３１の長さ（別の観点では交差幅：一方の櫛歯電極２７の電極指３１の先端と、当該電極指３１と隣り合う他方の櫛歯電極２７の電極指３１の先端とのＤ２軸方向における距離）が伝搬方向の位置に応じて変化する、いわゆるアポダイズが施されていてもよい。

電極指３１の本数、長さおよび幅は、ＳＡＷ共振子１７に要求される電気特性等に応じて適宜に設定されてよい。なお、図１等は模式図であることから、電極指３１の本数は少なく示されている。実際には、図示よりも多く（例えば１００本以上）の電極指３１が配列されてよい。後述する反射器２５のストリップ電極３５およびＳＡＷ素子１１の他の例（図８および図９（ａ））についても同様である。

複数の電極指３１のピッチは、例えば、ＩＤＴ電極２３全体に亘って概ね一定とされている。なお、ピッチは、例えば、互いに隣り合う２本の電極指３１（または後述するストリップ電極３５）の中心間距離である。ピッチは、基本的には、圧電基板１９上を伝搬するＳＡＷのうち共振させたい周波数と同等の周波数を有するＳＡＷの波長の半分とされている。

反射器２５は、例えば、格子状に形成されている。すなわち、反射器２５は、互いに対向する１対のバスバー３３と、１対のバスバー３３間において延びる複数のストリップ電極３５とを有している。

バスバー３３およびストリップ電極３５の形状は、ストリップ電極３５の両端が１対のバスバー３３に接続されていることを除いては、ＩＤＴ電極２３のバスバー２９および電極指３１と同様とされてよい。

１対の反射器２５は、例えば、ＳＡＷの伝搬方向においてＩＤＴ電極２３の両側に隣接している。従って、複数のストリップ電極３５は、複数の電極指３１の配列に続いて配列されている。反射器２５とＩＤＴ電極２３との間で互いに隣接するストリップ電極３５と電極指３１とのピッチは、例えば、複数の電極指３１（および複数のストリップ電極３５）のピッチと同等である。

なお、図示の例では、反射器２５は、いずれの端子１５にも接続されておらず、電気的に浮遊状態とされている。ただし、反射器２５は、例えば、いずれかの端子１５に接続されて、基準電位が付与されてもよい。

１対の櫛歯電極２７に電圧が印加されると、電極指３１によって圧電基板１９に電圧が印加され、圧電基板１９の上面付近において当該上面に沿ってＤ１軸方向に伝搬する所定のモードのＳＡＷが励起される。励起されたＳＡＷは、電極指３１によって機械的に反射される。その結果、電極指３１のピッチを半波長とする定在波が形成される。定在波は、当該定在波と同一周波数の電気信号に変換され、電極指３１によって取り出される。このようにしてＳＡＷ共振子１７は共振子として機能する。その共振周波数は、電極指ピッチを半波長として圧電基板１９上を伝搬するＳＡＷの周波数と概ね同一の周波数である。

ＩＤＴ電極２３において励起されたＳＡＷは、反射器２５のストリップ電極３５によって機械的に反射される。また、互いに隣接するストリップ電極３５がバスバー３３によって互いに接続されていることから、ＩＤＴ電極２３からのＳＡＷは、電気的にもストリップ電極３５によって反射される。これにより、ＳＡＷの発散が抑制され、ＩＤＴ電極２３における定在波が強く立ち、ＳＡＷ共振子１７の共振子としての機能が向上する。

（ＳＡＷチップの配線および端子）
配線１３の経路（形状および位置）および各種の寸法、ならびに端子１５の数、形状および各種の寸法は、ＳＡＷ素子１１の構成に応じて適宜に設定されてよい。

図示の例では、ＳＡＷ素子１１が１ポート型のＳＡＷ共振子１７であることに対応して、１対のバスバー２９に接続されている２本の配線１３が設けられている。また、複数の端子１５のうち２つ（１５Ａおよび１５Ｂ）は、２本の配線１３に接続されている。複数の端子１５のうち他の２つ（１５Ｃおよび１５Ｄ）は、ＳＡＷ共振子１７に非接続であり、ＳＡＷチップ３の実装基体５に対する実装（接合）に利用されるダミーの端子となっている。

また、図示の例では、配線１３は、一定の幅で延びている。なお、特に図示しないが、配線１３は、幅が変化してもよいし、バスバー２９の長さ（Ｄ１方向）と同等の幅を少なくとも一部に有していてもよい。また、複数の配線１３は、絶縁層を介して互いに立体的に交差する部分を有していてもよい。

図示の例では、複数の端子１５は、第１主面９ａの外縁に沿って配列されている。より具体的には、複数の端子１５は、第１主面９ａの４隅に位置している。また、端子１５は、配線１３の幅と同等の径を有する円形とされている。なお、端子１５は、配線１３の幅よりも小さい、または大きい径を有していてもよいし、矩形等の円形以外の形状を有していてもよい。

なお、端子１５は、必ずしもそれ自体の構成（形状または材料等）によって配線１３と区別可能である必要はなく、配線１３の一部のようになっていてもよい。例えば、端子１５の位置または範囲は、配線１３を覆い、端子１５を覆わない絶縁層によって特定されたり、パッケージングまたは実装によって、端子１５に当接する部材（例えばバンプ）によって特定されたりしてもよい。

（実装基体）
実装基体５は、例えば、概略、薄型の直方体状に形成されており、一方の主面は、ＳＡＷチップ３が実装される実装面５ａを構成している。実装基体５は、例えば、リジッド式のプリント配線板によって構成されており、絶縁基体３７と、絶縁基体３７の表面上または内部に設けられた各種の導体とを有している。

なお、特に図示しないが、実装基体５は、上記の他、例えば、絶縁基体３７の主面上の導体層の一部を覆うソルダーレジストを有していてもよい（ただし、これは絶縁基体３７の一部と捉えてもよい。）。ただし、以下の説明では、便宜上、絶縁基体３７の表面によって実装面５ａが構成されているものとして説明することがある。

絶縁基体３７は、例えば、概略、薄型の直方体状に形成されている。絶縁基体３７は、例えば、樹脂、セラミックおよび／またはアモルファス状態の無機材料を含んで形成されている。絶縁基体３７は、単一の材料からなるものであってもよいし、基材に樹脂を含浸させた基板のように複合材料からなるものであってもよい。絶縁基体３７は、チップ基板９、圧電基板１９および支持基板２１のそれぞれに比較して、線膨張係数（いずれかに異方性がある場合は、Ｄ１軸方向の線膨張係数）が大きくてもよいし、同等でもよいし、小さくてもよい。

実装基体５の各種の導体は、例えば、ＳＡＷチップ３を実装するための複数のランド３９を含んでいる。複数のランド３９は、例えば、絶縁基体３７の主面上に位置する導体層によって構成されている。当該導体層は、ＳＡＷチップ３の導体層と同様に、適宜な金属によって構成されてよく、また、１層から構成されても、複数層から構成されてもよい。複数のランド３９の位置は、複数の端子１５の位置に対応する位置とされている。ランド３９の平面形状および各種の寸法は適宜に設定されてよい。

実装基体５におけるその他の導体は、実装基体５の用途に応じて適宜に設けられてよい。

例えば、ＳＡＷ装置１がＳＡＷチップ３および不図示の他の電子部品（例えばＩＣ：Integrated Circuit）を含むモジュールである場合においては、絶縁基体３７の主面上に、前記電子部品を実装するための不図示のランド、および当該不図示のランドとランド３９とを接続する不図示の配線が設けられてよい。

また、例えば、ＳＡＷ装置１が基本的にＳＡＷチップ３のみを含む電子部品である場合（実装基体５が単にＳＡＷチップ３をパッケージングするパッケージの一部である場合）、絶縁基体３７の実装面５ａとは反対側の主面に設けられた不図示の外部端子、および絶縁基体３７を貫通して前記の外部端子とランド３９とを接続する不図示の貫通導体とが設けられてよい。

また、例えば、ＳＡＷ装置１がモジュールまたは基本的にＳＡＷチップ３のみを含む電子部品である場合において、抵抗素子、キャパシタまたはインダクタを構成する配線パターンが絶縁基体３７の表面または内部に設けられてもよい。

（ＳＡＷチップの実装基体への実装）
ＳＡＷチップ３は、例えば、第１主面９ａを実装基体５の実装面５ａに対向させて配置されている。また、複数の端子１５と複数のランド３９とは対向している。そして、端子１５と、ランド３９とは、その間に介在するバンプ４１によって接合されている。これにより、ＳＡＷチップ３は、実装基体５に対して固定されるとともに、実装基体５と電気的に接続されている。

なお、図２では、ダミーの端子１５（１５Ｃおよび１５Ｄ）とランド３９との接続を図示しているが、ＳＡＷ素子１１と接続されている端子１５（１５Ａおよび１５Ｂ）とランド３９との接続も図２と同様である。

実装基体５の実装面５ａとＳＡＷチップ３の第１主面９ａとは、例えば、ランド３９、バンプ４１および端子１５の厚さの合計の厚さで互いに離間しており、両者の間には隙間が形成されている。この隙間は、後述するように封止部７が配置されずに、振動空間４３を構成している。振動空間４３は、例えば、第１主面９ａの振動（ＳＡＷの伝搬）を容易化することに寄与している。

バンプ４１は、例えば、はんだにより構成されている。はんだは、鉛を用いたはんだであってもよいし、鉛フリーはんだであってもよい。なお、バンプ４１は、導電性接着剤によって形成されていてもよい。バンプ４１の高さ等は適宜に設定されてよい。

（封止部）
封止部７は、例えば、樹脂によって構成されている（樹脂を少なくとも母材としている。）。樹脂は、例えば、熱硬化性樹脂であり、熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ樹脂もしくはフェノール樹脂である。樹脂には、当該樹脂よりも線膨張係数が低い材料により形成された絶縁性粒子からなるフィラーが混入されていてもよい。絶縁性粒子の材料は、例えば、シリカ、アルミナ、フェノール、ポリエチレン、グラスファイバー、グラファイトフィラーである。

封止部７は、例えば、チップ基板９、圧電基板１９および支持基板２１のそれぞれに比較して、線膨張係数（いずれかに異方性がある場合は、Ｄ１軸方向の線膨張係数）が大きい材料によって構成されている。なお、チップ基板９の線膨張係数は、圧電基板１９および支持基板２１の全体としての線膨張係数である。封止部７および実装基体５（絶縁基体３７）は、いずれの線膨張係数が大きくてもよい。

封止部７は、例えば、ＳＡＷチップ３の上から実装基体５の実装面５ａを覆っており、ＳＡＷチップ３の周囲において実装面５ａに接合されている。これにより、ＳＡＷチップ３は封止されている。

また、封止部７は、実装基体５の実装面５ａとＳＡＷチップ３の第１主面９ａとの隙間には充填されていない。すなわち、当該隙間は、空間（振動空間４３）とされており（中実ではなく）、また、密閉されている。振動空間４３内は、真空とされていてもよいし、適宜な気体が封入されていてもよい。

封止部７は、例えば、ＳＡＷチップ３の第２主面９ｂの大部分（例えば８割以上。図示の例では全面）に接合されている。一方で、封止部７は、ＳＡＷチップ３の外周面９ｃに対して、外周面９ｃの半分以上または２／３以上の面積について非接合とされている。図示の例では、非接合の一態様として、封止部７が外周面９ｃから離れている状態（封止部７と外周面９ｃとの間に空間が形成されている状態）が示されている。また、非接合とされる領域は、例えば、少なくとも外周面９ｃのうちの第１主面９ａ側の領域を含み、図示の例では、外周面９ｃ（４つの側面９ｄ）の全面とされている。

封止部７の外形は、適宜に設定されてよい。例えば、封止部７の上面（－Ｄ３）側の面は、少なくともＳＡＷチップ３上において、または少なくともＳＡＷチップ３およびその周囲に亘って（例えば封止部７の上面全面に亘って）、平面であってもよいし（図示の例）、ＳＡＷチップ３上で凸状または凹状となる曲面であってもよい。封止部７の側面は、実装面５ａに対して直交していてもよいし、封止部７の裾野を構成するように実装面５ａに対して傾斜していてもよい。封止部７の、ＳＡＷチップ３上およびＳＡＷチップ３の外周面９ｃにおける厚さも適宜に設定されてよい。一例を挙げると、例えば、封止部７のＳＡＷチップ３上（第２主面９ｂに接合されている部分）の厚さは、ＳＡＷチップ３またはチップ基板９の厚さの１／２以上または１倍以上とされてよい。

（ＳＡＷ装置の製造方法）
ＳＡＷ装置１の製造方法は、例えば、封止部７の形成方法を除いては、公知の種々の方法と同様とされてよい。概要を述べると、ＳＡＷ装置１は、ＳＡＷチップ３および実装基体５がそれぞれ並行して準備され、ＳＡＷチップ３が実装基体５にバンプ４１によって実装される。その後、例えば、封止部７となる未硬化状態の材料（例えば封止樹脂）がＳＡＷチップ３の上から実装基体５の実装面５ａ上に供給され、封止樹脂が加熱硬化されることによって、ＳＡＷ装置１が作製される。なお、上記の工程は、実装基体５の個片化前に行われてもよいし、個片化後に行われてもよい。

ここで、封止部７の形成は、ＳＡＷチップ３の外周面９ｃと封止部７との間に隙間（空間）が形成されるように、従来とは異なる方法によって行われる。

例えば、未硬化状態の封止樹脂は、従来よりも粘度が高い状態でＳＡＷチップ３の上から実装面５ａ上に供給される。これにより、未硬化状態の封止樹脂が外周面９ｃに密着することを抑制し、ひいては、外周面９ｃと硬化後の樹脂（封止部７）との間に隙間を形成することができる。なお、粘度の調整は、例えば、添加剤の調整により行うことができる。未硬化状態の封止樹脂の供給は、例えば、ディスペンサまたはスクリーン印刷によってなされてもよいし、シート状の樹脂をＳＡＷチップ３の上から実装面５ａに被せることによってなされてもよい。

また、例えば、未硬化状態の封止樹脂を供給する前に、ＳＡＷチップ３の外周面９ｃを覆うとともに、第１主面９ａと実装面５ａとの間に充填される犠牲層を形成してもよい。そして、犠牲層の上から未硬化状態の封止樹脂を供給して硬化させて封止部７を形成する。この際、またはその後、封止部７に孔部を形成する。そして、孔部を介して犠牲層を溶解、流出させた後、孔部を塞ぐ。このようにして、外周面９ｃから離れており、かつ振動空間４３を密閉している封止部７を形成してもよい。

以上のとおり、本実施形態では、ＳＡＷ装置１は、ＳＡＷチップ３と、実装基体５と、封止部７とを有している。実装基体５は、ＳＡＷチップ３が実装されている実装面５ａを有している。封止部７は、ＳＡＷチップ３の上から実装面５ａを覆っている。ＳＡＷチップ３は、チップ基板９と、励振電極（ＩＤＴ電極２３）とを有している。チップ基板９は、圧電性を有している第１主面９ａ、その背面の第２主面９ｂ、および第１主面９ａの外縁および第２主面９ｂの外縁をこれらの全周に亘ってつないでいる外周面９ｃを有している。ＩＤＴ電極２３は、第１主面９ａ上に位置している。ＳＡＷチップ３は、第１主面９ａと実装面５ａとが振動空間４３を介して対向している状態で、実装基体５に実装されている。封止部７は、チップ基板９よりも線膨張係数が大きく、かつ第２主面９ｂに接合されているとともに、外周面９ｃの半分以上の面積について、外周面９ｃに対して非接合である。

ここで、ＳＡＷ装置１の温度が上昇すると、チップ基板９（第１主面９ａ）が膨張することなどに起因して、ＳＡＷチップ３の周波数特性が変化する。また、この際、チップ基板９が第２主面９ｂ側を凹側とする撓み変形を生じると、第１主面９ａの膨張が助長され、ひいては、上記の周波数特性の変化が助長される。しかし、チップ基板９よりも線膨張係数が大きい封止部７が第２主面９ｂに接合されていると、封止部７の熱膨張によって第２主面９ｂに引張力が加えられる。この引張力は、第２主面９ｂ側を凹側とするチップ基板９の撓み変形を抑制する作用を生じる。これにより、周波数特性の変化が低減される。一方で、封止部７は外周面９ｃの半分以上の面積について、外周面９ｃに対して非接合とされている。従って、例えば、封止部７の熱膨張によって引張力が外周面９ｃに加えられるおそれが低減され、ひいては、第１主面９ａの膨張が助長されるおそれが低減される。その結果、周波数特性の変化が低減される。

また、本実施形態では、チップ基板９は、第１主面９ａを有している圧電基板１９と、圧電基板１９の第１主面９ａとは反対側に貼り合わされており、圧電基板１９よりも線膨張係数が小さい支持基板２１と、を有している。

このような構成のチップ基板９においては、圧電基板１９の熱膨張が支持基板２１によって規制されるから、支持基板２１（第２主面９ｂ側）を凹とするチップ基板９の撓み変形が生じやすい。従って、例えば、上述した封止部７による撓み変形抑制の効果が増大する。すなわち、周波数特性の変化の抑制の効果が増大する。

（第２実施形態）
図３は、第２実施形態に係るＳＡＷ装置２０１が有しているＳＡＷチップ２０３の斜視図である。図４は、ＳＡＷ装置２０１の断面図であり、図３のIV－IV線に対応している。

第１実施形態のＳＡＷ装置１がＣＳＰ型であったのに対して、第２実施形態のＳＡＷ装置２０１はＷＬＰ型とされている。それ以外は、例えば、第２実施形態は、第１実施形態と同様とされてよい。

具体的には、例えば、ＳＡＷチップ２０３は、概略、第１実施形態のＳＡＷチップ３に対して、第１主面９ａを覆うカバー４５と、カバー４５を貫通する端子２１５Ａ～２１５Ｄ（以下、Ａ～Ｄを省略することがある。）とを加えた構成である。

なお、以下の説明では、第１実施形態の端子１５に相当する部材を、端子２１５との区別等のために、パッド１５ということがある。また、第１実施形態の図１は、第２実施形態のＳＡＷチップ２０３において、カバー４５および端子２１５を省略した斜視図として参照されてよい。

特に図示しないが、ＳＡＷチップ２０３は、上記の他、例えば、カバー４５の天面４５ａ上に重ねられている導体層（補強層）および当該導体層を覆う絶縁層を有していてもよい。ただし、これらは、カバーの一部と捉えられてもよい。

（カバー）
カバー４５は、第１主面９ａ上に振動空間２４３を構成している。具体的には、例えば、カバー４５は、平面視において枠状の枠部４７と、枠部４７の開口を塞ぐ蓋部４９とを有している。枠部４７の開口が蓋部４９によって塞がれることにより、密閉された振動空間２４３が構成されている。

枠部４７は、例えば、概ね一定の厚さの層に振動空間２４３となる開口が１以上形成されることにより構成されている。枠部４７の厚さ（振動空間２４３の高さ）は、例えば、５μｍ以上３０μｍ以下である。蓋部４９は、例えば、枠部４７上に積層される、概ね一定の厚さの層により構成されている。蓋部４９の厚さは、例えば、５μｍ以上３０μｍ以下である。

枠部４７および蓋部４９は、同一の材料により形成されていてもよいし、互いに異なる材料により形成されていてもよい。図４では、説明の便宜上、枠部４７と蓋部４９との境界線を明示しているが、現実の製品においては、枠部４７と蓋部４９とは、同一材料により一体的に形成されていてもよい。また、枠部４７および蓋部４９それぞれは、複数層から構成されていてもよい。

カバー４５（枠部４７および蓋部４９）は、基本的に絶縁材料によって構成されている。絶縁材料は、例えば、感光性の樹脂である。感光性の樹脂は、例えば、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合により硬化する、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。なお、カバー４５の線膨張係数は、適宜な大きさであってよく、例えば、（異方性がある場合は例えばＤ１軸方向において）圧電基板１９の線膨張係数よりも大きい。また、カバー４５の線膨張係数は、封止部７の線膨張係数に対して、小さくてもよいし、同等でもよいし、大きくてもよい。

（端子）
端子２１５は、例えば、特に符号を付さないが、パッド１５上に立っている柱状部と、柱状部の外周面から突出しているフランジ部とを有している。柱状部は、枠部４７および蓋部４９を貫通しており、上端面がカバー４５の天面４５ａ（＋Ｄ３側の面）から露出している。フランジ部は、天面４５ａ上に位置している。柱状部の上端面およびフランジ部によって、端子２１５の上面が構成されている。

柱状部およびフランジ部の具体的な形状および寸法は適宜に設定されてよい。フランジ部は設けられていなくてもよい。端子２１５の材料は、Ｃｕ等の適宜な金属とされてよい。部位（例えば、柱状部の内部、柱状部の外周面および端子２１５の上面）毎に材料が異なっていてもよい。パッド１５は、第１実施形態ではバンプ４１が接合される端子であり、第２実施形態では、端子２１５と接合されるものであるから、この相違に伴って、具体的な形状および材料が第１実施形態と異なっていてもよい。

（ＳＡＷチップの実装および封止）
ＳＡＷチップ２０３は、例えば、カバー４５の天面４５ａを実装基体５の実装面５ａに対向させて配置されている。また、複数の端子２１５と複数のランド３９とは対向している。そして、端子２１５と、ランド３９とは、その間に介在するバンプ４１によって接合されている。これにより、ＳＡＷチップ２０３は、実装基体５に対して固定されるとともに、実装基体５と電気的に接続されている。

なお、図４では、ダミーの端子２１５（２１５Ｃおよび２１５Ｄ）とランド３９との接続を図示しているが、ＳＡＷ素子１１と接続されている端子２１５（２１５Ａおよび２１５Ｂ）とランド３９との接続も図４と同様である。

実装基体５の実装面５ａとカバー４５の天面４５ａとは、例えば、ランド３９、バンプ４１、および端子２１５の天面４５ａからの突出量の合計の厚さで互いに離間しており、両者の間には隙間２５１が形成されている。

封止部７は、第１実施形態と同様に、ＳＡＷチップ２０３の上から実装面５ａを覆っており、少なくともＳＡＷチップ２０３の周囲において実装面５ａに接合されている。これにより、ＳＡＷチップ３は封止されている。

また、封止部７は、隙間２５１には充填されていない（隙間２５１は、空間とされている。）。別の観点では、封止部７は、天面４５ａの半分以上または２／３以上の面積（図示の例では全面積）について天面４５ａに対して非接合とされている。隙間２５１内は、真空とされていてもよいし、適宜な気体が封入されていてもよい。

封止部７は、第１実施形態と同様に、第２主面９ｂの大部分（図示の例では全面）に接合されている。一方で、封止部７は、例えば、チップ基板９の外周面９ｃとカバー４５の外周面（符号省略）とを合わせたＳＡＷチップ２０３全体としての外周面に対して、その半分以上または２／３以上の面積（図示の例では全面積）について非接合（例えば離間している状態）とされている。また、非接合とされる領域は、例えば、少なくともＳＡＷチップ２０３全体としての外周面のうちのカバー４５側の領域を含む。なお、封止部７は、第１実施形態と同様に、チップ基板９の外周面９ｃの半分以上または２／３以上の面積について、外周面９ｃに対して非接合とされていてもよい。

（ＳＡＷ装置の製造方法）
ＳＡＷ装置２０１の製造方法は、カバー４５および端子２１５を設ける工程以外は、第１実施形態と同様とされてよい。封止部７をＳＡＷチップ２０３の一部に対して非接合とする方法も、第１実施形態と同様に、例えば、粘度を高くする方法または犠牲層を設ける方法とされてよい。カバー４５および端子２１５の形成方法は、公知の種々の方法と同様とされてよい。

以上のとおり、本実施形態では、ＳＡＷ装置２０１は、ＳＡＷチップ２０３と、実装基体５と、封止部７と、を有している。実装基体５は、ＳＡＷチップ２０３が実装されている実装面５ａを有している。封止部７は、ＳＡＷチップ２０３の上から実装面５ａを覆っている。ＳＡＷチップ２０３は、チップ基板９と、励振電極（ＩＤＴ電極２３）と、カバー４５とを有している。カバー４５は、ＩＤＴ電極２３上に振動空間２４３を構成しつつＩＤＴ電極２３を封止している。ＳＡＷチップ２０３は、カバー４５の天面４５ａと実装面５ａとが隙間を介して対向している状態で、実装基体５に実装されている。封止部７は、チップ基板９よりも線膨張係数が大きく、かつ第２主面９ｂに接合されているとともに、天面４５ａの半分以上の面積について、天面４５ａに対して非接合である。

ここで、通常、ＷＬＰ型のＳＡＷ装置においては、実装面５ａとカバー４５の天面４５ａとの隙間２５１にも封止樹脂が充填される。この場合、封止樹脂は、チップ基板９よりも線膨張係数が大きいから、ＳＡＷ装置が熱膨張するときには、隙間２５１内の封止樹脂からカバー４５を介して第１主面９ａへ、第１主面９ａの膨張を助長する引張力が加えられることになる。しかし、本実施形態では、封止部７がカバー４５の天面４５ａに対して非接合とされていることから、そのような引張力がチップ基板９に加えられるおそれが低減される。ひいては、ＳＡＷチップ２０３の周波数特性の変化が低減される。

（封止部の変形例）
図５（ａ）～図７（ｂ）を参照して、封止部の種々の変形例について説明する。なお、これらの図は、基本的に、ＳＡＷチップの１つの側面を示す断面図であるが、ＳＡＷチップの全周（例えば４つの側面）について、図示と同様の構成が採用されてよい。

図５（ａ）の変形例では、２つのＳＡＷチップ３が互いに隣り合って実装基体５の実装面５ａに実装されている。２つのＳＡＷチップ３の外周面９ｃ（側面９ｄ）は、隙間５３を介して互いに対向している。その隙間５３には、封止部７が充填されていない。換言すれば、封止部７は、各ＳＡＷチップ３の外周面９ｃの半分以上の面積について外周面９ｃに対して非接合とされている。

このような構成では、封止部７となる封止樹脂をＳＡＷチップ３の上から実装面５ａ上に供給したときに、隙間５３に封止樹脂が入り込みにくいことを利用して、封止部７を外周面９ｃに対して非接合とすることができる。すなわち、封止部７と外周面９ｃとの非接合の実現が容易化される。封止樹脂を入り込みにくくさせるために必要な２つのＳＡＷチップ３の間隔（隙間５３の大きさ）は、封止部７の材料の粘度等にもよるが、例えば、実装基体５の外周とＳＡＷチップ３との距離よりも小さくすればよい。またＳＡＷチップの厚みよりも小さくしてもよい。

なお、図示の例では、ＳＡＷチップ３同士を隣り合わせているが、一方のＳＡＷチップ３に代えて、他の電子部品が実装されてもよい。他の電子部品は、例えば、ＩＣ、または隙間５３を構成することなどを目的として設けられたダミーの電子部品である。

図５（ｂ）および図５（ｃ）それぞれの変形例では、チップ基板９の外周面９ｃ（側面９ｄ）の形状が実施形態と相違する。すなわち、これらの変形例では、外周面９ｃは、第２主面９ｂ側部分が第１主面９ａ側よりも外側に位置する形状とされている。

具体的には、図５（ｂ）の例では、外周面９ｃは、第２主面９ｂ側ほど外側に位置するように傾斜面とされている。このような形状は、例えば、チップ基板９が多数個取りされる母基板を第２主面９ｂに対して斜めにダイシングすることによって実現される。

また、図５（ｃ）の例では、外周面９ｃは、第２主面９ｂ側の端部に、外側に突出する突部（符号省略）を有している。このような形状は、例えば、チップ基板９が多数個取りされる母基板のダイシングを２回に分けて行うことによって実現される。具体的には、例えば、第１主面９ａ側から途中までダイシングを行い、次に、ブレード厚を薄くして残りのダイシングを行ってよい。

図５（ｂ）および図５（ｃ）に示す構成では、封止部７となる封止樹脂をＳＡＷチップ３の上から実装面５ａ上に供給したときに、外周面９ｃの第２主面９ｂ側の部分の下（第１主面９ａ側）に封止樹脂が入り込みにくいことを利用して、封止部７を外周面９ｃの第１主面９ａ側の部分に対して非接合とすることができる。すなわち、封止部７と外周面９ｃとの非接合の実現が容易化される。

なお、図５（ａ）～図５（ｃ）では、ＣＳＰ型のＳＡＷ装置を例に取っているが、これらの変形例の構成は、ＷＬＰ型のＳＡＷ装置に適用されてもよい。

図６（ａ）の変形例では、封止部７とＳＡＷチップ２０３の外周面（符号省略）および天面４５ａとの間に粉体５５が介在している。これにより、封止部７とＳＡＷチップ２０３の外周面および天面４５ａとは、非接合とされている。

図示の例では、粉体５５は、封止部７とＳＡＷチップ２０３との間に介在する層を構成している。ただし、粉体５５は、これよりも少量で配置されてもよい。例えば、粉体５５は、図示のような断面視において視認が困難であってもよく、ひいては、封止部７とＳＡＷチップ２０３（外周面および／または天面４５ａ）とは接触しているように見えてもよい。

粉体５５としては、例えば、モールド樹脂の離型に利用される粉状の離型剤を用いてよい。また、粉体５５は、例えば、封止部７となる封止樹脂が供給される前に、スプレイ装置等によってＳＡＷチップ２０３に塗布されてよい。

このような構成においても、例えば、第１主面９ａの熱膨張を助長する引張力がチップ基板９の外周面９ｃおよび／またはカバー４５の天面４５ａに加えられるおそれが低減される。

なお、粉体５５が上記よりも少量で配置されることなどにより、封止部７とＳＡＷチップ２０３の外周面および／または天面４５ａとは、粉体５５によって接合強度が低くされているものの、互いに接合されていてもよい。すなわち、封止部７は、ＳＡＷチップ２０３の外周面および／または天面４５ａに対する接合強度が、第２主面９ｂに対する接合強度よりも低くされている状態であってもよい。

この場合、例えば、比較的大きな熱応力が生じたときに、封止部７とＳＡＷチップ２０３の外周面および／または天面４５ａとが剥離して、両者が非接合の状態となることが期待される。ひいては、製造直後から非接合とされた場合と同様の効果が期待される。なお、離型剤は紛体５５に限定されることはなく、封止部７との接着強度の弱い層で覆うように膜を形成してもよいし、封止部７との接着強度の弱い官能基を修飾させてもよい。

図６（ｂ）の変形例では、封止部３０１は、第２主面９ｂに接合されている第１部分３０３と、ＳＡＷチップ２０３（チップ基板９）を囲んでいる第２部分３０５とが互いに異なる材料によって構成されている。第２部分３０５の材料は、第１部分３０３の材料に比較して、例えば、ヤング率と線膨張係数との積が小さい。第１部分３０３の材料および第２部分３０５の材料は、例えば、互いに組成および／または成分が異なる樹脂である。

従って、例えば、第２部分３０５は、第１部分３０３と同じ材料によって構成された場合に比較して、チップ基板９に及ぼす熱応力が小さい。その結果、実施形態と同様に、第１主面９ａの熱膨張を助長するチップ基板９の撓み変形を第１部分３０３の熱膨張によって抑制する一方で、第１主面９ａの熱膨張を助長する引張力が第２部分３０５からチップ基板９に付与されるおそれを低減できる。

図６（ｃ）は、封止部３０１の材料の一例を示す模式図であり、図６（ｂ）の領域VIｃの拡大図に相当している。

この図に示すように、第２部分３０５の材料として、発泡性の樹脂が用いられてもよい。第２部分３０５に気孔３０７が存在することによって、第２部分３０５の、気孔３０７を含めた全体としてのヤング率は小さくなりやすい。なお、このように第２部分３０５の材料として発泡性のものを用いる場合、樹脂自体（気孔３０７以外の部分）の材料は、第１部分３０３の材料と同じであってもよい。

第１部分３０３および第２部分３０５の材料を互いに異ならせる場合において、ヤング率と線膨張係数との積の相違に加えて、または代えて、第２部分３０５の材料は、第１部分３０３の材料よりも外周面９ｃおよび／または天面４５ａに対する接合強度が低い材料とされてもよい。

この場合、例えば、比較的大きな熱応力が生じたときに、封止部７とＳＡＷチップ２０３の外周面および／または天面４５ａとが剥離して、両者が非接合の状態となることが期待される。ひいては、製造直後から非接合とされた場合と同様の効果が期待される。

図６（ｃ）の例では、気孔３０７によって、第２部分３０５の接着面積が減じられ、ひいては、接合強度が低くなる。従って、発泡性の樹脂は、第１部分３０３の材料よりも外周面９ｃおよび／または天面４５ａに対する接合強度が低い材料の例として捉えられてもよい。もちろん、樹脂自体の組成および／または成分によって、第２部分３０５の材料は、接合強度が低くされていてもよい。

なお、図６（ａ）～図６（ｃ）では、ＷＬＰ型のＳＡＷ装置を例に取っているが、これらの変形例の構成は、ＣＳＰ型のＳＡＷ装置に適用されてもよい。

ＷＬＰ型のＳＡＷ装置においては、封止部７（または封止部３０１）が、カバー４５の天面４５ａに対して非接合であるか、天面４５ａに対する接合強度が第２主面９ｂに対する接合強度に対して低ければよい。

従って、例えば、図７（ａ）および図７（ｂ）それぞれに示すように、封止部７は、チップ基板９の外周面９ｃ（またはＳＡＷチップ２０３の全体としての外周面）に対して、その半分以上の面積に亘って接合されていてもよい。なお、図示の例では、封止部７は、カバー４５の側面に対して非接合とされているが、カバー４５の側面に対しても接合されていてもよい。

また、図７（ｂ）の変形例では、封止部７は、カバー４５の天面４５ａと実装基体５の実装面５ａとの間に配置されつつも、天面４５ａとの間に空間を構成して天面４５ａと非接合とされている。なお、ＣＳＰ型のＳＡＷ装置においても、封止部７は、第１主面９ａと実装面５ａとの間に配置されつつも、第１主面９ａとの間に空間を構成してもよい。

また、上述の例では、支持基板２１と圧電基板１９との平面視における外形が略一致する場合を例に説明しているが、その限りではない。例えば、平面視で支持基板２１の外周よりも内側に圧電基板１９が位置するようにしてもよい。この場合には、例えば、ＷＬＰ型のカバー４５を設ける場合には、その枠部４７は、圧電基板１９から露出する支持基板２１上に配置されていてもよい。

チップ基板９のうち、支持基板２１の主面（第２主面９ｂ）において封止部７とリジッドに接合され、側面において、封止部７からの引張強度を弱めることができれば、温度補償効果を奏することができる。このため、上述の構成とした場合にも、同様に温度補償効果を奏するものとなる。

（ＳＡＷ素子の他の例１）
図８は、圧電基板１９上に構成されるＳＡＷ素子１１の他の例を示す平面図である。なお、符号は付さないが、紙面の何も描かれていない領域は、圧電基板１９の第１主面９ａに相当する。

この例では、ＳＡＷ素子１１は、多重モード（本開示ではダブルモードを含むものとする。）型のＳＡＷフィルタ３１７によって構成されている。圧電基板１９上には、端子１５Ｅ～１５Ｇおよび１５ＧＮＤ（以下、Ｅ～ＧおよびＧＮＤを省略することがある。）が設けられており、ＳＡＷフィルタ３１７は、これらに接続されている。

ＳＡＷフィルタ３１７は、例えば、端子１５Ｅから入力された信号をフィルタリングして、端子１５Ｆおよび１５Ｇから出力するように構成されている。端子１５Ｅから入力される信号は、例えば、基準電位に対する電位差を信号強度とする不平衡信号である。端子１５Ｆおよび１５Ｇから出力される信号は、例えば、両者の電位差を信号強度とする平衡信号である。なお、入力側と出力側とは上記と逆であってもよいし、入力信号または出力信号を不平衡信号および平衡信号のいずれとするかも任意である。

端子１５ＧＮＤは、基準電位が付与される端子である。なお、図８では、基準電位点を示す記号で端子１５ＧＮＤを示している。端子１５Ｅ～１５Ｇおよび１５ＧＮＤは、例えば、図１の端子１５と同様の構成である。

ＳＡＷフィルタ３１７は、例えば、Ｄ１軸方向に配列された複数（図示の例では５つ）のＩＤＴ電極３２３Ａ～３２３Ｅと、その両側に位置している１対の反射器２５とを有している。

通常の多重モード型ＳＡＷフィルタにおいては、図１を参照して説明した構成のＩＤＴ電極２３が１対の反射器２５の間に配列される。そして、各ＩＤＴ電極２３においては、１対の櫛歯電極２７の一方が入力用の端子１５Ｅまたは出力用の端子１５Ｆもしくは１５Ｇに接続され、１対の櫛歯電極２７の他方が基準電位用の端子１５ＧＮＤに接続される。

ＳＡＷフィルタ３１７においても、ＩＤＴ電極３２３Ａおよび３２３Ｅは、例えば、基本的に（例えば電極指のピッチ、本数および長さ等の具体的な設計値を除いて。以下、同様。）、上記の通常の多重モード型ＳＡＷフィルタのＩＤＴ電極と同様である。具体的には、例えば、ＩＤＴ電極３２３Ａは、一方の櫛歯電極２７が端子１５Ｆと接続されており、他方の櫛歯電極２７が端子１５ＧＮＤと接続されている。ＩＤＴ電極３２３Ｅは、例えば、一方の櫛歯電極２７が端子１５Ｇと接続されており、他方の櫛歯電極２７が端子１５ＧＮＤと接続されている。なお、１対の反射器２５も、図１を参照して説明した反射器２５と同様である。ここでは、反射器２５は、模式的に矩形で示されている。

一方、ＳＡＷフィルタ３１７においては、ＩＤＴ電極３２３Ｂ～３２３Ｄは、Ｄ１軸方向において２つに分割されており、端子１５に対する接続も上記の通常のＳＡＷフィルタとは異なる。具体的には、例えば、以下のとおりである。

ＩＤＴ電極３２３Ｂは、Ｄ１軸方向において互いに隣り合っている分割ＩＤＴ電極３２４Ａおよび３２４Ｂ（以下、ＡおよびＢを省略することがある。）を有している。各分割ＩＤＴ電極３２４の構成は、基本的に、図１を参照して説明したＩＤＴ電極２３の構成と同様である。すなわち、各分割ＩＤＴ電極３２４は、互いに噛み合っている１対の櫛歯電極２７を有している。

分割ＩＤＴ電極３２４Ａの＋Ｄ２側の櫛歯電極２７は、入力用の端子１５Ｅに接続されている。分割ＩＤＴ電極３２４Ａの－Ｄ２側の櫛歯電極２７および分割ＩＤＴ電極３２４Ｂの－Ｄ２側の櫛歯電極２７は、いずれの端子１５にも接続されておらず、電気的に浮遊状態とされており、また、互いに接続されている。両者の接続は、例えば、両者のバスバー２９が互いに直線状につながって、１本のバスバーのようになっていることによって実現されている。分割ＩＤＴ電極３２４Ｂの＋Ｄ２側の櫛歯電極２７は、基準電位用の端子１５ＧＮＤに接続されている。

従って、ＩＤＴ電極３２３Ｂは、全体としては、通常のＩＤＴ電極２３と同様に、入力用（出力用でもよい）の端子１５Ｅと、基準電位用の端子１５ＧＮＤとに接続されている。一方で、ＩＤＴ電極３２３Ｂは、２つに分割されることにより、端子１５Ｅと１５ＧＮＤとの間に、電気的に浮遊状態の２つの櫛歯電極２７を含んでいる。

ＩＤＴ電極３２３Ｄは、基本的に、ＩＤＴ電極３２３Ｂと同様の構成である。すなわち、ＩＤＴ電極３２３Ｄは、Ｄ１軸方向において互いに隣り合っている分割ＩＤＴ電極３２４Ｃおよび３２４Ｄ（以下、ＣおよびＤを省略することがある。）を有している。分割ＩＤＴ電極３２４Ｃの＋Ｄ２側の櫛歯電極２７は、入力用の端子１５Ｅに接続されている。分割ＩＤＴ電極３２４Ｃの－Ｄ２側の櫛歯電極２７および分割ＩＤＴ電極３２４Ｄの－Ｄ２側の櫛歯電極２７は、いずれの端子１５にも接続されておらず、電気的に浮遊状態とされており、また、互いに接続されている。分割ＩＤＴ電極３２４Ｄの＋Ｄ２側の櫛歯電極２７は、基準電位用の端子１５ＧＮＤに接続されている。

ＩＤＴ電極３２３Ｃは、ＩＤＴ電極３２３Ｂと同様に、Ｄ１軸方向において互いに隣り合っている分割ＩＤＴ電極３２４Ｅおよび３２４Ｆ（以下、ＥおよびＦを省略することがある。）を有している。ただし、ＩＤＴ電極３２３Ｃは、端子１５に対する接続態様がＩＤＴ電極３２３Ｂと相違する。

具体的には、分割ＩＤＴ電極３２４Ｅの－Ｄ２側の櫛歯電極２７は、出力用（入力用であってもよい）の端子１５Ｆに接続されている。分割ＩＤＴ電極３２４Ｅの＋Ｄ２側の櫛歯電極２７および分割ＩＤＴ電極３２４Ｆの＋Ｄ２側の櫛歯電極２７は、いずれの端子１５にも接続されておらず、電気的に浮遊状態とされており、また、互いに接続されている。分割ＩＤＴ電極３２４Ｆの－Ｄ２側の櫛歯電極２７は、出力用（入力用であってもよい）の端子１５Ｇに接続されている。

従って、ＩＤＴ電極３２３Ｃは、全体としては、不平衡信号用の２つの端子１５Ｆおよび１５Ｇに接続されている。一方で、ＩＤＴ電極３２３Ｃは、２つに分割されることにより、端子１５Ｆと１５Ｇとの間に、電気的に浮遊状態の櫛歯電極２７を含んでいる。

ＩＤＴ電極３２３Ｂ～３２３Ｄそれぞれにおいて、２つの分割ＩＤＴ電極３２４の交差幅は、例えば、互いに同一である。複数のＩＤＴ電極３２３の交差幅は、例えば、互いに同一である。ただし、いわゆるアポダイズが施されていてもよい。

互いに隣り合う２つのＩＤＴ電極３２３において、端部の電極指３１同士のピッチは、例えば、各ＩＤＴ電極３２３内における電極指３１のピッチと概ね同等である。互いに接続される浮遊状態の２つの櫛歯電極２７（例えば分割ＩＤＴ電極３２４Ａの＋Ｄ２側の櫛歯電極２７および分割ＩＤＴ電極３２４Ｂの＋Ｄ２側の櫛歯電極２７）は、例えば、端部の電極指３１同士がＳＡＷの半波長の奇数倍の大きさのピッチで隣接している。ただし、両者のピッチは、ＳＡＷの半波長の偶数倍であってもよいし、適宜に調整された大きさ（半波長の奇数倍でも偶数倍でもない大きさ）であってもよい。

ＩＤＴ電極３２３Ｂ～３２３Ｄそれぞれにおいて、４つの櫛歯電極２７のうち、電気的に浮遊状態とされる２つの櫛歯電極２７は、Ｄ２軸方向の互いに同一側に位置している。例えば、ＩＤＴ電極３２３Ｂにおいては、電気的に浮遊状態とされる櫛歯電極２７は、いずれも－Ｄ２側に位置しており、端子１５Ｅまたは１５ＧＮＤに接続される櫛歯電極２７は＋Ｄ２側に位置している。

このような構成では、例えば、端子１５とＳＡＷフィルタ３１７とを接続する配線の立体交差の必要性を低減する効果が奏される。例えば、図示の例では、ＩＤＴ電極３２３Ｂを挟んでＩＤＴ電極３２３ＡとＩＤＴ電極３２３Ｃとが設けられている。ＩＤＴ電極３２３Ａの－Ｄ２側の櫛歯電極２７およびＩＤＴ電極３２３Ｃの－Ｄ２側の櫛歯電極２７は、共に端子１５Ｆに接続されている。従って、ＩＤＴ電極３２３Ｂの－Ｄ２側には、ＩＤＴ電極３２３ＡからＩＤＴ電極３２３Ｃまで延びる配線１３Ｆが形成されることになる。ここで、仮に、ＩＤＴ電極３２３Ｂにおいて、端子１５Ｅまたは１５ＧＮＤに接続される櫛歯電極２７が－Ｄ２側に位置しているとすれば、当該接続のための配線と、配線１３Ｆとを立体交差させなければならない。しかし、ＩＤＴ電極３２３Ｂにおいて、端子１５に接続されずに浮遊状態とされる２つの櫛歯電極２７のいずれも－Ｄ２側に位置していることから、そのような必要性は低減される。ＩＤＴ電極３２３Ｂを例に挙げたが、ＩＤＴ電極３２３Ｃおよび３２３Ｄについても同様の効果が奏される。

以上のとおり、ＳＡＷ素子１１としてＳＡＷフィルタ３１７を有するＳＡＷ装置またはＳＡＷチップは、第１～第３端子（例えば端子１５Ｅ、１５Ｆ、１５ＧＮＤ）と、第１主面９ａ上にてＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）に配列されている複数のＩＤＴ電極３２３と、複数のＩＤＴ電極３２３に対してＤ１軸方向の両側に位置している１対の反射器２５と、を有している。複数のＩＤＴ電極３２３は、第１端子（例えば端子１５Ｅ）および第３端子（例えば端子１５ＧＮＤ）に接続されている第１ＩＤＴ電極（例えばＩＤＴ電極３２３Ｂ）と、ＩＤＴ電極３２３Ｂと隣り合っており、第２端子（例えば端子１５Ｆ）に接続されている第２ＩＤＴ電極（例えばＩＤＴ電極３２３Ｃ）と、を有している。ＩＤＴ電極３２３Ｂは、Ｄ１軸方向に互いに隣り合っている第１分割ＩＤＴ電極（例えば分割ＩＤＴ電極３２４Ａ）および第２分割ＩＤＴ電極（例えば分割ＩＤＴ電極３２４Ｂ）を有している。分割ＩＤＴ電極３２４Ａは、端子１５Ｅに接続されている第１櫛歯電極（分割ＩＤＴ電極３２４Ａの＋Ｄ２側の櫛歯電極２７）と、これと噛み合っており、いずれの端子にも電気的に接続されておらず、電気的に浮遊状態となっている第２櫛歯電極（分割ＩＤＴ電極３２４Ａの－Ｄ２側の櫛歯電極２７）と、を有している。分割ＩＤＴ電極３２４Ｂは、第２櫛歯電極（分割ＩＤＴ電極３２４Ａの－Ｄ２側の櫛歯電極２７）に接続されている、電気的に浮遊状態の第３櫛歯電極（分割ＩＤＴ電極３２４Ｂの－Ｄ２側の櫛歯電極２７）と、これと噛み合っており、端子１５ＧＮＤに接続されている第４櫛歯電極（分割ＩＤＴ電極３２４Ｂの＋Ｄ２側の櫛歯電極２７）と、を有している。

従って、例えば、端子１５Ｅに高い電圧が印加されたとしても、この電圧に起因する振動強度を２つの分割ＩＤＴ電極３２４に分散し、振動強度を半分程度にすることができる。その結果、例えば、ＩＤＴ電極３２３の耐電圧性が向上する。当該効果は、例えば、後述するマルチプレクサにおいて、端子１５Ｅがアンテナに接続される受信フィルタをＳＡＷフィルタ３１７が構成している場合に有用性が増大する。送信フィルタからの相対的に高い電圧が端子１５Ｅに印加されるからである。また、当該効果は、送信フィルタの通過帯域と受信フィルタの通過帯域との周波数間隔が狭い場合に有用性が増大する。送信フィルタから受信フィルタへ流れる信号の周波数と、受信フィルタの共振周波数とが近くなりやすく、ひいては、振動強度が大きくなりやすいからである。

なお、特に図示しないが、分割されるＩＤＴ電極３２３（またはアンテナに接続されるＩＤＴ電極３２３）は、ＳＡＷフィルタ３１７に直列に接続されるＳＡＷ共振子１７（ここでは不図示）のＩＤＴ電極２３に比較して、容量が大きくされてもよい。この場合、例えば、ＳＡＷフィルタ３１７に印加される分圧を相対的に小さくして、耐電圧性を向上させることができる。

また、送信フィルタの通過帯域が受信フィルタの通過帯域よりも低周波側に位置する場合に、分割されるＩＤＴ電極３２３（またはアンテナに接続されるＩＤＴ電極３２３）は、他のＩＤＴ電極３２３に比較して、電極指３１のピッチ（各ＩＤＴ電極３２３においてピッチが一定でない場合は最大値）が小さくされてもよい。この場合、例えば、アンテナに接続されるＩＤＴ電極３２３の共振周波数を送信フィルタの通過帯域から離して、アンテナに接続されるＩＤＴ電極３２３における、送信フィルタからの信号に起因する振動強度を低くすることができる。

また、本例では、複数のＩＤＴ電極３２３は、第１ＩＤＴ電極（例えばＩＤＴ電極３２３Ｂ）に対して第２ＩＤＴ電極（例えばＩＤＴ電極３２３Ｃ）とは反対側に位置している第３ＩＤＴ電極（例えばＩＤＴ電極３２３Ａ）をさらに含んでいる。ＩＤＴ電極３２３ＣおよびＩＤＴ電極３２３Ａは、それぞれ、第２端子（例えば端子１５Ｆ）に接続されている第５櫛歯電極（－Ｄ２側の櫛歯電極２７）と、第５櫛歯電極に噛み合っている第６櫛歯電極（＋Ｄ２側の櫛歯電極２７）と、を有している。浮遊状態の第２櫛歯電極（分割ＩＤＴ電極３２４Ａの－Ｄ２側の櫛歯電極２７）および浮遊状態の第３櫛歯電極（分割ＩＤＴ電極３２４Ｂの－Ｄ２側の櫛歯電極２７）ならびに第５櫛歯電極は、これらと噛み合う第１櫛歯電極（分割ＩＤＴ電極３２４Ａの＋Ｄ２側の櫛歯電極２７）、第４櫛歯電極（分割ＩＤＴ電極３２４Ｂの＋Ｄ２側の櫛歯電極２７）および第６櫛歯電極に対して、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）の同一側（－Ｄ２側）に位置している。

すなわち、同一の端子１５Ｆに接続される２つの櫛歯電極２７（ＩＤＴ電極３２３Ａおよび３２３Ｃの－Ｄ２側の櫛歯電極２７）の間に位置する櫛歯電極２７（分割ＩＤＴ電極３２４Ａおよび３２４Ｂの－Ｄ２側の櫛歯電極２７）は、いずれの端子１５にも接続される必要がない浮遊状態の櫛歯電極２７である。従って、例えば、既に述べたように、立体配線の必要性を低減することができる。

（ＳＡＷ素子の他の例２）
図９（ａ）は、圧電基板１９上に構成されるＳＡＷ素子１１のさらに他の例を示す平面図である。

この例では、ＳＡＷ素子１１は、図８の例と同様に、多重モード型のＳＡＷフィルタ４１７によって構成されている。ＳＡＷフィルタ４１７は、図８のＳＡＷフィルタ３１７と同様に、１対の反射器２５の間に、複数（図示の例では５つ）のＩＤＴ電極４２３Ａ～４２３Ｅ（以下、Ａ～Ｅを省略することがある。）を有している。

ＩＤＴ電極４２３Ａ、４２３Ｃおよび４２３Ｅは、基本的に、ＳＡＷフィルタ３１７のＩＤＴ電極３２３Ａ、３２３Ｃおよび３２３Ｅと同様の構成である。これらのＩＤＴ電極４２３の端子１５に対する接続関係も、ＳＡＷフィルタ３１７における接続関係と同様である。

また、ＩＤＴ電極４２３Ｂおよび４２３Ｄは、ＳＡＷフィルタ３１７のＩＤＴ電極３２３Ｂおよび３２３Ｄと同様に、それぞれ分割されている。また、これらのＩＤＴ電極４２３は、全体としては、入力用の端子１５Ｅと基準電位用の端子１５ＧＮＤとに接続されており、また、その間に電気的に浮遊状態の部分を有している。

ただし、ＩＤＴ電極３２３Ｂおよび３２３ＤがＤ１軸方向に分割されていたのに対して、ＩＤＴ電極４２３Ｂおよび４２３Ｄは、Ｄ２軸方向に分割されている。具体的には、例えば、以下のとおりである。

ＩＤＴ電極４２３Ｂは、Ｄ２軸方向において互いに隣り合っている分割ＩＤＴ電極４２４Ａおよび４２４Ｂ（以下、ＡおよびＢを省略することがある。）を有している。各分割ＩＤＴ電極４２４の構成は、基本的には、図１を参照して説明したＩＤＴ電極２３の構成と同様である。すなわち、各分割ＩＤＴ電極４２４は、互いに噛み合っている１対の櫛歯電極２７を有している。

分割ＩＤＴ電極４２４Ａの＋Ｄ２側の櫛歯電極２７は、入力用の端子１５Ｅに接続されている。分割ＩＤＴ電極４２４Ａの－Ｄ２側の櫛歯電極２７および分割ＩＤＴ電極４２４Ｂの＋Ｄ２側の櫛歯電極２７は、いずれの端子１５にも接続されておらず、電気的に浮遊状態とされており、また、互いに接続されている。両者の接続は、例えば、両者のバスバー２９が共通化されていることによって実現されている。分割ＩＤＴ電極４２４Ｂの－Ｄ２側の櫛歯電極２７は、基準電位用の端子１５ＧＮＤに接続されている。

ＩＤＴ電極４２３Ｄは、基本的に、ＩＤＴ電極４２３Ｂと同様の構成である。すなわち、ＩＤＴ電極４２３Ｄは、Ｄ１軸方向において互いに隣り合っている分割ＩＤＴ電極４２４Ｃおよび４２４Ｄ（以下、ＣおよびＤを省略することがある。）を有している。分割ＩＤＴ電極４２４Ｃの＋Ｄ２側の櫛歯電極２７は、入力用の端子１５Ｅに接続されている。分割ＩＤＴ電極４２４Ｃの－Ｄ２側の櫛歯電極２７および分割ＩＤＴ電極４２４Ｄの＋Ｄ２側の櫛歯電極２７は、いずれの端子１５にも接続されておらず、電気的に浮遊状態とされており、また、互いに接続されている。分割ＩＤＴ電極４２４Ｄの－Ｄ２側の櫛歯電極２７は、基準電位用の端子１５ＧＮＤに接続されている。

ＩＤＴ電極４２３Ｂおよび４２３Ｄそれぞれにおいて、電気的に浮遊状態とされる２つの櫛歯電極２７は、例えば、電極指３１のＤ１軸方向の位置がＳＡＷの半波長で互いにＤ１軸方向にずらされている。ただし、図９（ｂ）に示す変形例のように、両者の電極指３１のＤ１軸方向の位置は、互いに同一の位置とされてもよい。また、ＩＤＴ電極４２３Ｂおよび４２３Ｄそれぞれにおいて、２つの分割ＩＤＴ電極４２４の交差幅は、互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。

ＩＤＴ電極４２３Ｂまたは４２３Ｄに対して隣り合っているＩＤＴ電極４２３Ａ、４２３Ｃまたは４２３Ｅは、Ｄ２軸方向において分割されていない。従って、ＳＡＷフィルタ４１７においては、Ｄ２軸方向に分割されているＩＤＴ電極４２３と、分割されていないＩＤＴ電極４２３とが混在している。

以上のとおり、ＳＡＷ素子１１としてＳＡＷフィルタ４１７を有するＳＡＷ装置またはＳＡＷチップは、第１～第３端子（例えば端子１５Ｅ、１５Ｆ、１５ＧＮＤ）と、第１主面９ａ上にてＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）に配列されている複数のＩＤＴ電極４２３と、複数のＩＤＴ電極４２３に対してＤ１軸方向の両側に位置している１対の反射器２５と、を有している。複数のＩＤＴ電極４２３は、第１端子（例えば端子１５Ｅ）および第３端子（例えば端子１５ＧＮＤ）に接続されている第４ＩＤＴ電極（例えばＩＤＴ電極４２３Ｂ）と、ＩＤＴ電極４２３Ｂと隣り合っており、第２端子（例えば端子１５Ｆ）に接続されている第５ＩＤＴ電極（例えばＩＤＴ電極４２３Ａ）と、を有している。ＩＤＴ電極４２３Ａは、第７櫛歯電極（例えば＋Ｄ２側の櫛歯電極２７）と、これと噛み合っている第８櫛歯電極（例えば－Ｄ２側の櫛歯電極２７）と、を有している。ＩＤＴ電極４２３Ｂは、第７櫛歯電極および第８櫛歯電極の、伝搬方向に直交する方向の一方側（＋Ｄ２側）部分に対して、伝搬方向（Ｄ１軸方向）に位置している第３分割ＩＤＴ電極（例えば分割ＩＤＴ電極４２４Ａ）と、第７櫛歯電極および第８櫛歯電極の、伝搬方向に直交する方向の他方側（－Ｄ２側）部分に対して、Ｄ１軸方向に位置している第４分割ＩＤＴ電極（例えば分割ＩＤＴ電極４２４Ｂ）と、を有している。分割ＩＤＴ電極４２４Ａは、端子１５Ｅに接続されている第９櫛歯電極（＋Ｄ２側の櫛歯電極２７）と、これと噛み合っており、いずれの端子１５にも電気的に接続されておらず、電気的に浮遊状態となっている第１０櫛歯電極（－Ｄ２側の櫛歯電極２７）と、を有している。分割ＩＤＴ電極４２４Ｂは、第１０櫛歯電極に接続されている、電気的に浮遊状態の第１１櫛歯電極（＋Ｄ２側の櫛歯電極２７）と、これと噛み合っており、端子１５ＧＮＤに接続されている第１２櫛歯電極（－Ｄ２側の櫛歯電極２７）と、を有している。

このような構成においても、例えば、ＳＡＷフィルタ３１７と同様に、端子１５Ｅに高い電圧が印加されたとしても、この電圧に起因する振動強度を２つの分割ＩＤＴ電極４２４に分散し、振動強度を半分程度にすることができる。その結果、例えば、ＩＤＴ電極４２３の耐電圧性が向上する。

（導体層の構造の例）
図１０（ａ）は、圧電基板１９上の導体層の構造の一例を示す模式的な断面図であり、図１のＸａ－Ｘａ線に対応している。

この例では、ＩＤＴ電極２３、配線１３および端子１５（パッド）は、互いに異なる厚さにされている。また、別の観点では、圧電基板１９上には、複数の導体層が積層されており、部位毎に積層数が異なっている。具体的には、例えば、以下のとおりである。

ＳＡＷ装置１は、例えば、圧電基板１９側から順に、互いに積層された第１導体層５７、第２導体層５９および第３導体層６１を有している。ＩＤＴ電極２３（および反射器２５）は、例えば、第１導体層５７によって構成されている。配線１３は、例えば、第１導体層５７および第２導体層５９によって構成されている。端子１５は、例えば、第１導体層５７、第２導体層５９および第３導体層６１によって構成されている。

（第１導体層）
第１導体層５７は、上記のようにＩＤＴ電極２３および反射器２５を構成している。既に述べたように、ＩＤＴ電極２３および反射器２５の厚さは、例えば、ＳＡＷに係る特性に応じて適宜に設定される。一例を挙げると、第１導体層５７の厚さは、概略、５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下である。

第１導体層５７は、例えば、複数の導体層が積層されて構成されている。例えば、第１導体層５７は、圧電基板１９側から順に、第１下地層５７ａおよび第１主導体層５７ｂを有している。

第１主導体層５７ｂの厚さは、例えば、第１導体層５７の厚さの大部分（例えば８割以上）を占めている。厚さの一例を挙げると、第１主導体層５７ｂの厚さは、５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下であり、第１下地層５７ａの厚さは、３ｎｍ以上１５ｎｍ以下である。

第１主導体層５７ｂは、例えば、比較的電気抵抗率が低い（例えば第１下地層５７ａの材料よりも電気抵抗率が低い）金属によって構成されてよい。例えば、当該金属は、Ａｌ、Ｃｕまたはこれらの少なくとも１つを主成分とする合金とされてよい。合金は、例えば、Ａｌ－Ｃｕ合金である。なお、主成分は、５０質量％以上または８０質量％以上の成分である（以下、同様。）。

第１下地層５７ａを構成する材料としては、例えば、第１主導体層５７ｂを直接に圧電基板１９に重ねた場合に比較して、第１下地層５７ａの介在によって第１主導体層５７ｂの圧電基板１９からの剥離に対する強度が向上する金属が選択されてよい。例えば、第１主導体層５７ｂの材料が上記に例示したものである場合において、第１下地層５７ａを構成する材料は、ＴｉまたはＴｉを主成分とする合金とされてよい。

（第２導体層）
第２導体層５９は、例えば、第１導体層５７よりも厚く形成されている。これにより、例えば、断線のおそれを低減したり、電気抵抗を低減したりできる。厚さの一例を挙げると、第２導体層５９の厚さは、概略、５００ｎｍ以上６μｍ以下、または１μｍ以上３μｍ以下である。別の観点では、第２導体層５９の厚さは、例えば、第１導体層５７の厚さの２倍以上３０倍以下である。

第２導体層５９は、例えば、複数の導体層が積層されて構成されている。例えば、第２導体層５９は、圧電基板１９側から順に、第２下地層５９ａ、第２主導体層５９ｂおよび第２被覆層５９ｃを有している。

第２主導体層５９ｂの厚さは、例えば、第２導体層５９の厚さの大部分（例えば８割以上）を占めている。厚さの一例を挙げると、例えば、第２主導体層５９ｂの厚さは、５００ｎｍ以上６μｍ以下、または１μｍ以上３μｍ以下である。第２下地層５９ａの厚さは、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。第２被覆層５９ｃの厚さは、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。

第２主導体層５９ｂは、例えば、比較的電気抵抗率が低い（例えば第２下地層５９ａおよび／または第２被覆層５９ｃの材料よりも電気抵抗率が低い）金属によって構成されてよい。例えば、当該金属は、Ａｌ、Ｃｕまたはこれらの少なくとも１つを主成分とする合金である。合金は、例えば、Ａｌ－Ｃｕ合金とされてよい。

第２下地層５９ａを構成する材料としては、例えば、第２主導体層５９ｂを直接に第１導体層５７（第１主導体層５７ｂ）に重ねた場合に比較して、第２下地層５９ａの介在によって両者の剥離に対する強度が向上する金属が選択されてよい。例えば、第２主導体層５９ｂの材料が上記に例示したものである場合において、第２下地層５９ａを構成する材料は、ＴｉまたはＴｉを主成分とする合金とされてよい。

第２被覆層５９ｃを構成する材料としては、例えば、第２主導体層５９ｂよりも耐食性が高い金属が選択されてよい。例えば、第２主導体層５９ｂの材料が上記に例示したものである場合において、第２被覆層５９ｃを構成する金属は、ＴｉまたはＴｉを主成分とする合金やＣｒまたはＣｒを主成分とする合金とされてよい。

（第３層体層）
第３導体層６１は、例えば、第１導体層５７よりも厚く形成されている。また、第３導体層６１は、第２導体層５９に対して、薄くてもよいし、同等の厚さでもよいし、厚くてもよい。第３導体層６１の厚さは、第３導体層６１上に設けられるバンプ４１（はんだ）または柱状の端子２１５との接合強度等の観点から適宜に設定されてよい。厚さの一例を挙げると、第３導体層６１の厚さは、概略、５００ｎｍ以上２μｍ以下である。

第３導体層６１は、例えば、複数の導体層が積層されて構成されている。例えば、第３導体層６１は、圧電基板１９側から順に、第３下地層６１ａ、第３主導体層６１ｂおよび第３被覆層６１ｃを有している。

第３主導体層６１ｂの厚さは、例えば、第３導体層６１の厚さの大部分（例えば８割以上）を占めている。厚さの一例を挙げると、例えば、第３主導体層６１ｂの厚さは、５００ｎｍ以上２μｍ以下である。第３下地層６１ａの厚さは、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。第３被覆層６１ｃの厚さは、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。

第３主導体層６１ｂは、例えば、比較的電気抵抗率が低い（例えば第３下地層６１ａおよび／または第３被覆層６１ｃの材料よりも電気抵抗率が低い）、および／またはバンプ４１となるはんだとの接合強度が相対的に高い金属によって構成されてよい。例えば、当該金属は、Ｎｉ、Ｃｕまたはこれらの少なくとも１つを主成分とする合金とされてよい。

第３下地層６１ａを構成する材料としては、例えば、第３主導体層６１ｂを直接に第２導体層５９（第２主導体層５９ｂ）に重ねた場合に比較して、第３下地層６１ａの介在によって両者の剥離に対する強度が向上する金属が選択されてよい。例えば、第３主導体層６１ｂの材料が上記に例示したものである場合において、第３下地層６１ａを構成する材料は、ＴｉまたはＴｉを主成分とする合金や、ＣｒまたはＣｒを主成分とする合金とされてよい。

第３被覆層６１ｃを構成する材料としては、例えば、第３主導体層６１ｂよりも耐食性が高い、および／またはバンプ４１となるはんだの濡れ性が第３主導体層６１ｂよりも高い材料が選択されてよい。例えば、第３主導体層６１ｂの材料が上記に例示したものである場合において、第３被覆層６１ｃを構成する金属は、Ａｕ、Ａｇまたはこれらの少なくとも１つを主成分とする合金とされてよい。

なお、平面視において、第３下地層６１ａ、第３主導体層６１ｂおよび第３被覆層６１ｃは、互いに同一の形状および大きさであってもよいし、若干異なっていてもよい。図示の例では、第３下地層６１ａは、第３主導体層６１ｂおよび第３被覆層６１ｃよりも小さくされており、第３主導体層６１ｂは、外縁側の一部が第２導体層５９（第２被覆層５９ｃ）に直接に重なっている。特に図示しないが、第３被覆層６１ｃが第３主導体層６１ｂよりも広くされ（第３主導体層６１ｂの全体を覆い）、その外縁側の一部が第２導体層５９（第２被覆層５９ｃ）に直接に重なっていてもよい。

（パッドにおけるめり込み）
断面視において、第３導体層６１の下面側（第２導体層５９側）の一部は、第２導体層５９の上面側（第３導体層６１側）の一部にめり込んでいる。別の観点では、第２導体層５９は、端子１５の位置に、第２被覆層５９ｃの非配置領域が設けられており、第３導体層６１（第３下地層６１ａ）は、第２主導体層５９ｂに直接に重なっている。

第３導体層６１が第２導体層５９にめり込む広さ（平面視における広さ）は、端子１５と同等の広さであってもよいし、端子１５よりも狭くてもよく（図示の例）、また、後者の場合の広さおよび平面形状は適宜に設定されてよい。例えば、めり込む広さは、端子１５の広さ（第３導体層６１を構成する複数の導体層（６１ａ～６１ｃ）の広さが互いに異なる場合は、例えば第３主導体層６１ｂの広さ）の５割以上または８割以上である。

第３導体層６１が第２導体層５９にめり込む深さは、第２被覆層５９ｃおよび／または第３下地層６１ａの厚さよりも深くてもよいし、同等でもよい。また、当該深さは、第２主導体層５９ｂの厚さよりも浅く、例えば、第２主導体層５９ｂの厚さの２割以下または１割以下である。

図示の例では、第３導体層６１は、第２被覆層５９ｃを貫通して第２主導体層５９ｂにめり込んでいる。ただし、例えば、第３導体層６１は、第２被覆層５９ｃを貫通するだけで、第２主導体層５９ｂにめり込んでいなくてもよい。

図１０（ｂ）は、第２導体層５９および第３導体層６１の形状の他の例を示す図であり、図１０（ａ）の領域Ｘｂに相当する領域の拡大図である。

この図に示すように、第３主導体層６１ｂは、外縁側ほど徐々に薄くなる形状とされていてもよい。また、この場合に、第３被覆層６１ｃは、第３主導体層６１ｂの全体を覆っていてもよいし、図示の例とは異なり、第３主導体層６１ｂの外縁を覆っていなくてもよいし、第３主導体層６１ｂの外縁よりもさらに外側まで広がって第２導体層５９に接合されていてもよい。

第３導体層６１が第２導体層５９にめり込む構造は、例えば、第２導体層５９の形成後、かつ第３導体層６１の形成前に、第２導体層５９に対してエッチングを行って、第３導体層６１がめり込む凹部を形成することによって実現されてよい。別の観点では、上記エッチングによって第２被覆層５９ｃの一部（必要に応じて第２主導体層５９ｂの上面の一部）を除去することによって実現されてよい。なお、各層の形成方法は、公知の種々の方法と同様でよい。

以上のとおり、図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示す導体層の構造例では、ＳＡＷ装置またはＳＡＷチップは、励振電極（ＩＤＴ電極２３）に接続されている、第１主面９ａ上の配線１３と、配線１３に接続されている、第１主面９ａ上のパッド１５と、第１主面９ａ上に位置している配線導体層（例えば第２導体層５９）と、第２導体層５９上に位置しているパッド導体層（例えば第３導体層６１）と、を有している。配線１３は、その上面を含む少なくとも一部が第２導体層５９によって構成されている（本例では、配線１３の全部は第１導体層５７および第２導体層５９によって構成されている）。パッド１５は、その上面を含む少なくとも一部が第２導体層５９および第３導体層６１によって構成されている（本例では、パッド１５の全部は第１導体層５７、第２導体層５９および第３導体層６１によって構成されている）。断面視において、第３導体層６１の第２導体層５９側の一部は、第２導体層５９の第３導体層６１側の一部にめり込んでいる。

従って、めり込みが生じていない場合に比較して、接合面積が大きくなる。ひいては、第３導体層６１と第２導体層５９との接合強度が向上し、ＳＡＷチップの機械的強度が向上する。また、本例では、電極導体層（第１導体層５７）上に第３導体層６１を重ねて第３導体層６１を第１導体層５７にめり込ませるのではなく、第１導体層５７に比較して厚い第２導体層５９を設け、この第２導体層５９に第３導体層６１をめり込ませている。従って、めり込みの深さを確保しやすい。

また、別の観点では、配線導体層（第２導体層５９）は、第２主導体層５９ｂと、第２主導体層５９ｂよりも薄く、第２主導体層５９ｂよりも電気抵抗率が大きい、第２主導体層５９ｂ上の第２被覆層５９ｃと、を有している。パッド１５の位置において、第２被覆層５９ｃの非配置領域が設けられており、第３導体層６１が第２主導体層５９ｂに直接に接合されている。

従って、第３導体層６１と第２主導体層５９ｂとを直接に接続して、パッド１５における電気抵抗を低減することができる。一方で、第２主導体層５９ｂが露出する領域（例えば第３導体層６１の非配置領域）においては、第２被覆層５９ｃによって、第２主導体層５９ｂの酸化を抑制することができる。

（分波器）
図１１は、ＳＡＷ装置の一例またはＳＡＷ装置の利用例としての分波器１０１（例えばデュプレクサ）の構成を模式的に示す回路図である。この図の紙面左上に示された符号から理解されるように、この図では、櫛歯電極２７が二叉のフォーク形状によって模式的に示され、反射器２５は両端が屈曲した１本の線で表わされている。

分波器１０１は、例えば、送信端子１０５からの送信信号をフィルタリングしてアンテナ端子１０３へ出力する送信フィルタ１０９と、アンテナ端子１０３からの受信信号をフィルタリングして１対の受信端子１０７に出力する受信フィルタ１１１とを有している。

送信フィルタ１０９は、例えば、いわゆるラダー型のＳＡＷフィルタによって構成されている。すなわち、送信フィルタ１０９は、送信端子１０５とアンテナ端子１０３との間で、互いに直列に接続されている複数の直列共振子１７Ｓ（１つとすることも可能である）と、その直列のラインと基準電位部（例えば端子１５ＧＮＤ）とを接続している１以上の並列共振子１７Ｐとを含んでいる。直列共振子１７Ｓおよび並列共振子１７Ｐそれぞれは、例えば、図１を参照して説明したＳＡＷ共振子１７と同様の構成である。なお、直列共振子１７Ｓおよび並列共振子１７Ｐは、例えば、同一の圧電基板１９（チップ基板９）に設けられている。

受信フィルタ１１１は、例えば、ＳＡＷ共振子１７と、このＳＡＷ共振子１７に直列に接続されている多重モード型のＳＡＷフィルタ１１３とを含んで構成されている。ＳＡＷフィルタ１１３は、弾性波の伝搬方向に配列された複数（図示の例では３つ）のＩＤＴ電極２３と、その両側に配置された１対の反射器２５とを有している。なお、受信フィルタ１１１を構成するＳＡＷ共振子１７およびＳＡＷフィルタ１１３は、例えば、同一の圧電基板１９（チップ基板９）に設けられている。

分波器１０１、送信フィルタ１０９または受信フィルタ１１１は、例えば、図１のＳＡＷ装置１または図２のＳＡＷ装置２０１の一例である。分波器１０１、送信フィルタ１０９または受信フィルタ１１１は、ＳＡＷチップ３（もしくは２０３）またはＳＡＷ素子１１の一例と捉えられてもよい。送信フィルタ１０９および受信フィルタ１１１は、同一の圧電基板１９に設けられていてもよいし、互いに異なる圧電基板１９に設けられていてもよい。アンテナ端子１０３、送信端子１０５および受信端子１０７は、圧電基板１９上の端子１５（または端子２１５）によって構成されていてもよいし、これとは別の端子であってもよい。

図示の例では、受信フィルタ１１１のＳＡＷフィルタ１１３は、図１に示したＩＤＴ電極２３が配列された構成とされている。ただし、ＳＡＷフィルタ１１３に代えて、図８のＳＡＷフィルタ３１７または図９（ａ）のＳＡＷフィルタ４１７が設けられてもよい。

図１１は、あくまで分波器１０１の構成の一例であり、例えば、受信フィルタ１１１が送信フィルタ１０９と同様にラダー型フィルタによって構成されるなどしてもよい。分波器１０１（マルチプレクサ）は、デュプレクサに限定されず、３以上のフィルタを含んだもの（例えば、トリプレクサまたはクワッドプレクサ）であってもよい。

（弾性波装置の利用例：通信装置）
図１２は、ＳＡＷチップ、ＳＡＷ装置または分波器１０１の利用例としての通信装置１５１の要部を示すブロック図である。通信装置１５１は、電波を利用した無線通信を行うものであり、分波器１０１を含んでいる。

通信装置１５１において、送信すべき情報を含む送信情報信号ＴＩＳは、ＲＦ－ＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）１５３によって変調および周波数の引き上げ（搬送波周波数を有する高周波信号への変換）がなされて送信信号ＴＳとされる。送信信号ＴＳは、バンドパスフィルタ１５５によって送信用の通過帯以外の不要成分が除去され、増幅器１５７によって増幅されて分波器１０１（送信端子１０５）に入力される。そして、分波器１０１（送信フィルタ１０９）は、入力された送信信号ＴＳから送信用の通過帯以外の不要成分を除去し、その除去後の送信信号ＴＳをアンテナ端子１０３からアンテナ１５９に出力する。アンテナ１５９は、入力された電気信号（送信信号ＴＳ）を無線信号（電波）に変換して送信する。

また、通信装置１５１において、アンテナ１５９によって受信された無線信号（電波）は、アンテナ１５９によって電気信号（受信信号ＲＳ）に変換されて分波器１０１（アンテナ端子１０３）に入力される。分波器１０１（受信フィルタ１１１）は、入力された受信信号ＲＳから受信用の通過帯以外の不要成分を除去して受信端子１０７から増幅器１６１へ出力する。出力された受信信号ＲＳは、増幅器１６１によって増幅され、バンドパスフィルタ１６３によって受信用の通過帯以外の不要成分が除去される。そして、受信信号ＲＳは、ＲＦ－ＩＣ１５３によって周波数の引き下げおよび復調がなされて受信情報信号ＲＩＳとされる。

なお、送信情報信号ＴＩＳおよび受信情報信号ＲＩＳは、適宜な情報を含む低周波信号（ベースバンド信号）でよく、例えば、アナログの音声信号もしくはデジタル化された音声信号である。無線信号の通過帯は、適宜に設定されてよく、公知の各種の規格に従ってよい。変調方式は、位相変調、振幅変調、周波数変調もしくはこれらのいずれか２つ以上の組み合わせのいずれであってもよい。回路方式は、ダイレクトコンバージョン方式を例示したが、それ以外の適宜なものとされてよく、例えば、ダブルスーパーヘテロダイン方式であってもよい。また、図１２は、要部のみを模式的に示すものであり、適宜な位置にローパスフィルタやアイソレータ等が追加されてもよいし、また、増幅器等の位置が変更されてもよい。

なお、以上の実施形態および変形例において、ＳＡＷ装置１および２０１はそれぞれ弾性波装置の一例である。ＳＡＷチップ３および２０３はそれぞれ弾性波チップの一例である。ＩＤＴ電極２３、３２３および４２３はそれぞれ励振電極の一例である。

ＩＤＴ電極３２３Ｂは第１ＩＤＴ電極の一例である。この場合に、端子１５Ｅは第１端子の一例であり、端子１５Ｆは第２端子の一例であり、端子１５ＧＮＤは第３端子の一例である。ＩＤＴ電極３２３ＡおよびＩＤＴ電極３２３Ｃ（または分割ＩＤＴ電極３２４Ｅ）はそれぞれ第２ＩＤＴ電極または第３ＩＤＴ電極の一例である。分割ＩＤＴ電極３２４Ａは第１分割ＩＤＴ電極の一例である。分割ＩＤＴ電極３２４Ｂは第２分割ＩＤＴ電極の一例である。分割ＩＤＴ電極３２４Ａの＋Ｄ２側の櫛歯電極２７は第１櫛歯電極の一例である。分割ＩＤＴ電極３２４Ｂの－Ｄ２側の櫛歯電極２７は第２櫛歯電極の一例である。分割ＩＤＴ電極３２４Ｂの－Ｄ２側の櫛歯電極２７は第３櫛歯電極の一例である。分割ＩＤＴ電極３２４Ｂの＋Ｄ２側の櫛歯電極２７は第４櫛歯電極の一例である。ＩＤＴ電極３２３ＡおよびＩＤＴ電極３２３Ｃの－Ｄ２側の櫛歯電極２７はそれぞれ第５櫛歯電極の一例である。ＩＤＴ電極３２３ＡおよびＩＤＴ電極３２３Ｃの＋Ｄ２側の櫛歯電極２７はそれぞれ第６櫛歯電極の一例である。

なお、上記とは異なり、ＩＤＴ電極３２３Ｂと対称の関係にあるＩＤＴ電極３２３Ｄを第１ＩＤＴ電極の一例と捉えることもできる。また、ＩＤＴ電極３２３Ｃが第１ＩＤＴ電極の一例であり、端子１５Ｆおよび１５Ｇが第１および第３端子の一例であり、端子１５Ｅが第２端子の一例であると捉えることもできる。

ＩＤＴ電極４２３Ｂは第４ＩＤＴ電極の一例である。この場合に、端子１５Ｅは第１端子の一例であり、端子１５Ｆは第２端子の一例であり、端子１５ＧＮＤは第３端子の一例である。ＩＤＴ電極４２３ＡおよびＩＤＴ電極４２３Ｃはそれぞれ第５ＩＤＴ電極の一例である。ＩＤＴ電極４２３ＡまたはＩＤＴ電極４２３Ｃの１対の櫛歯電極２７は第７および第８櫛歯電極の一例である。分割ＩＤＴ電極４２４Ａは第３分割ＩＤＴ電極の一例である。分割ＩＤＴ電極４２４Ｂは第４分割ＩＤＴ電極の一例である。分割ＩＤＴ電極４２４Ａの＋Ｄ２側の櫛歯電極２７は第９櫛歯電極の一例である。分割ＩＤＴ電極４２４Ａの－Ｄ２側の櫛歯電極２７は第１０櫛歯電極の一例である。分割ＩＤＴ電極４２４Ｂの＋Ｄ２側の櫛歯電極２７は第１１櫛歯電極の一例である。分割ＩＤＴ電極４２４Ｂの－Ｄ２側の櫛歯電極２７は第１２櫛歯電極の一例である。

なお、上記とは異なり、ＩＤＴ電極４２３Ｂと対称の関係にあるＩＤＴ電極４２３Ｄを第４ＩＤＴ電極の一例と捉えることもできる。

第２導体層５９は配線導体層の一例である。第３導体層６１はパッド導体層の一例である。第２主導体層５９ｂは主導体層の一例である。第２被覆層５９ｃは被覆層の一例である。第１導体層５７は電極導体層の一例である。

本開示に係る技術は、以上の実施形態および変形例に限定されず、種々の態様で実施されてよい。

例えば、弾性波装置は、ＳＡＷ装置に限定されず、バルク波装置であってもよいし、弾性境界波装置（ＳＡＷ装置の一種と捉えられてもよい）であってもよいし、圧電薄膜共振器であってもよい。また、チップ基板は、圧電基板と支持基板とが貼り合わされたものに限定されず、基本的に圧電基板のみから構成されるものであってもよい。図１０（ａ）に示した導体の構成はあくまで一例であって、弾性波装置に必ず適用される必要は無い。

図８および図９（ａ）のＳＡＷフィルタの例において、ＩＤＴ電極の数は、２以上であればよく、５つに限定されない。また、複数のＩＤＴ電極のうち分割されるＩＤＴ電極は適宜な位置のものとされてよい。

図１０（ａ）の導体層の例において、第１導体層、第２導体層および第３導体層それぞれは、図示された導体層の数よりも多い、または少ない数の導体層によって構成されていてもよい。配線１３の一部または全部は、第２導体層のみによって構成されていてもよい（第２導体層の一部または全部は第１導体層に重ならなくてもよい。）。

なお、本開示からは、以下の概念を抽出可能である。
（第１概念）
第１主面を有している圧電基板と、
前記第１主面上の第１～第３端子と、
前記第１主面上にて弾性波の伝搬方向に配列されている複数のＩＤＴ電極と、
前記複数のＩＤＴ電極に対して前記伝搬方向の両側に位置している１対の反射器と、
を有しており、
前記複数のＩＤＴ電極は、
前記第１端子および前記第３端子に接続されている第１ＩＤＴ電極と、
前記第１ＩＤＴ電極と隣り合っており、前記第２端子に接続されている第２ＩＤＴ電極と、を有しており、
前記第１ＩＤＴ電極は、前記伝搬方向に互いに隣り合っている第１分割ＩＤＴ電極および第２分割ＩＤＴ電極を有しており、
前記第１分割ＩＤＴ電極は、
前記第１端子に接続されている第１櫛歯電極と、
前記第１櫛歯電極と噛み合っており、前記第１～第３端子のいずれにも電気的に接続されておらず、電気的に浮遊状態となっている第２櫛歯電極と、を有しており、
前記第２分割ＩＤＴ電極は、
前記第２櫛歯電極に接続されている、電気的に浮遊状態の第３櫛歯電極と、
前記第３櫛歯電極と噛み合っており、前記第３端子に接続されている第４櫛歯電極と、を有している
弾性波装置。

（第２概念）
第１主面を有している圧電基板と、
前記第１主面上の第１～第３端子と、
前記第１主面上にて弾性波の伝搬方向に配列されている複数のＩＤＴ電極と、
前記複数のＩＤＴ電極に対して前記伝搬方向の両側に位置している１対の反射器と、
を有しており、
前記複数のＩＤＴ電極は、
前記第１端子および前記第３端子に接続されている第４ＩＤＴ電極と、
前記４ＩＤＴ電極と隣り合っており、前記第２端子に接続されている第５ＩＤＴ電極と、を有しており、
前記第５ＩＤＴ電極は、
第７櫛歯電極と、
前記第７櫛歯電極と噛み合っている第８櫛歯電極と、を有しており、
前記第４ＩＤＴ電極は、
前記第７櫛歯電極および前記第８櫛歯電極の、前記伝搬方向に直交する方向の一方側部分に対して、前記伝搬方向に位置している第３分割ＩＤＴ電極と、
前記第７櫛歯電極および前記第８櫛歯電極の、前記伝搬方向に直交する方向の他方側部分に対して、前記伝搬方向に位置している第４分割ＩＤＴ電極と、を有しており、
前記第３分割ＩＤＴ電極は、
前記第１端子に接続されている第９櫛歯電極と、
前記第９櫛歯電極と噛み合っており、前記第１～第３端子のいずれにも電気的に接続されておらず、電気的に浮遊状態となっている第１０櫛歯電極と、を有しており、
前記第４分割ＩＤＴ電極は、
前記第１０櫛歯電極に接続されている、電気的に浮遊状態の第１１櫛歯電極と、
前記第１１櫛歯電極と噛み合っており、前記第３端子に接続されている第１２櫛歯電極と、を有している
弾性波装置。

（第３概念）
第１主面を有している圧電基板と、
前記第１主面上の励振電極と、
前記励振電極に接続されている、前記第１主面上の配線と、
前記配線に接続されている、前記第１主面上のパッドと、
前記第１主面上に位置している配線導体層と、
前記配線導体層上に位置しているパッド導体層と、
を有しており、
前記配線は、上面を含む少なくとも一部が前記配線導体層によって構成されており、
前記パッドは、上面を含む少なくとも一部が前記配線導体層および前記パッド導体層によって構成されており、
断面視において、前記パッド導体層の前記配線導体層側の一部は、前記配線導体層の前記パッド導体層側の一部にめり込んでいる
弾性波装置。

（第４概念）
第１主面を有している圧電基板と、
前記第１主面上の励振電極と、
前記励振電極に接続されている、前記第１主面上の配線と、
前記配線に接続されている、前記第１主面上のパッドと、
前記第１主面上に位置している配線導体層と、
前記配線導体層上に位置しているパッド導体層と、
を有しており、
前記配線は、その上面を含む少なくとも一部が前記配線導体層によって構成されており、
前記パッドは、その上面を含む少なくとも一部が前記配線導体層および前記パッド導体層によって構成されており、
前記配線導体層は、
主導体層と、
前記主導体層よりも薄く、かつ前記主導体層よりも電気抵抗率が大きい、前記主導体層上の被覆層と、を有しており、
前記パッドの位置において、前記被覆層の非配置領域が設けられており、これにより前記パッド導体層が前記主導体層に直接に接合されている
弾性波装置。

上記の第１～第４概念において、封止部は、図１～図６を参照して説明した構成とされている必要は無い。また、上記の第１～第４概念において、弾性波装置は、弾性波チップのみから構成されていてもよい（実装基体および封止部は第１～第４概念の弾性波装置の必須要件ではない。）。

１…ＳＡＷ装置（弾性波装置）、３…ＳＡＷチップ（弾性波チップ）、５…実装基体、５ａ…実装面、７…封止部、９…チップ基板、９ａ…第１主面、９ｂ…第２主面、９ｃ…外周面、２３…ＩＤＴ電極（励振電極）、４３…振動空間（空間）。

Claims

弾性波チップと、
弾性波チップが実装されている実装面を有している実装基体と、
前記弾性波チップの上から前記実装面を覆っている封止部と、
を有しており、
前記弾性波チップは、
圧電性を有している第１主面、その背面の第２主面、および前記第１主面の外縁および前記第２主面の外縁をこれらの全周に亘ってつないでいる外周面を有しているチップ基板と、
前記第１主面上の励振電極と、を有しており、
前記第１主面と前記実装面とが空間を介して対向している状態で、前記実装基体に実装されており、
前記チップ基板は、
前記第１主面を有する圧電基板と、
前記圧電基板の前記第１主面とは反対側に貼り合わされており、前記圧電基板よりも線膨張係数が小さい支持基板と、を有し、
前記封止部は、
前記チップ基板よりも線膨張係数が大きく、かつ
前記第２主面に接合されているとともに、前記外周面の半分以上の面積について、前記外周面に対して非接合である、または前記外周面に対する接合強度が前記第２主面に対する接合強度よりも低く、
前記第２主面に接合されている第１部分と、前記外周面を囲んでいる第２部分と、を有しており、
前記第２部分は、樹脂を含む、弾性波装置。
前記励振電極上に空間を構成しつつ前記励振電極を封止しているカバーを有しており、
前記カバーの天面と前記実装面とが隙間を介して対向している状態で、前記実装基体に実装されており、
前記封止部は、
前記チップ基板よりも線膨張係数が大きく、かつ
前記第２主面に接合されているとともに、前記カバーの天面の半分以上の面積について、前記カバーの天面に対して非接合である、または前記カバーの天面に対する接合強度が前記第２主面に対する接合強度よりも低い
請求項１に記載の弾性波装置。
前記第２部分の材料は、前記第１部分の材料に比較して、ヤング率と線膨張係数との積が小さい、および前記外周面に対する接合強度が低い、の少なくとも一方を満たす
請求項１または２に記載の弾性波装置。
第１～第３端子と、
前記第１主面上にて弾性波の伝搬方向に配列されている複数のＩＤＴ電極と、
前記複数のＩＤＴ電極に対して前記伝搬方向の両側に位置している１対の反射器と、
を有しており、
前記複数のＩＤＴ電極は、
前記第１端子および前記第３端子に接続されている第１ＩＤＴ電極と、
前記第１ＩＤＴ電極と隣り合っており、前記第２端子に接続されている第２ＩＤＴ電極と、を有しており、
前記第１ＩＤＴ電極は、前記伝搬方向に互いに隣り合っている第１分割ＩＤＴ電極および第２分割ＩＤＴ電極を有しており、
前記第１分割ＩＤＴ電極は、
前記第１端子に接続されている第１櫛歯電極と、
前記第１櫛歯電極と噛み合っており、前記第１～第３端子のいずれにも電気的に接続されておらず、電気的に浮遊状態となっている第２櫛歯電極と、を有しており、
前記第２分割ＩＤＴ電極は、
前記第２櫛歯電極に接続されている、電気的に浮遊状態の第３櫛歯電極と、
前記第３櫛歯電極と噛み合っており、前記第３端子に接続されている第４櫛歯電極と、を有している
請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
前記複数のＩＤＴ電極は、前記第１ＩＤＴ電極に対して前記第２ＩＤＴ電極とは反対側に位置している第３ＩＤＴ電極をさらに含んでおり、
前記第２ＩＤＴ電極および前記第３ＩＤＴ電極は、それぞれ、
前記第２端子に接続されている第５櫛歯電極と、
前記第５櫛歯電極に噛み合っている第６櫛歯電極と、を有しており、
前記第２櫛歯電極、前記第３櫛歯電極および前記第５櫛歯電極は、前記第１櫛歯電極、前記第４櫛歯電極および前記第６櫛歯電極に対して、前記伝搬方向に直交する方向の同一側に位置している
請求項４に記載の弾性波装置。
第１～第３端子と、
前記第１主面上にて弾性波の伝搬方向に配列されている複数のＩＤＴ電極と、
前記複数のＩＤＴ電極に対して前記伝搬方向の両側に位置している１対の反射器と、
を有しており、
前記複数のＩＤＴ電極は、
前記第１端子および前記第３端子に接続されている第４ＩＤＴ電極と、
前記第４ＩＤＴ電極と隣り合っており、前記第２端子に接続されている第５ＩＤＴ電極と、を有しており、
前記第５ＩＤＴ電極は、
第７櫛歯電極と、
前記第７櫛歯電極と噛み合っている第８櫛歯電極と、を有しており、
前記第４ＩＤＴ電極は、
前記第７櫛歯電極および前記第８櫛歯電極の、前記伝搬方向に直交する方向の一方側部分に対して、前記伝搬方向に位置している第３分割ＩＤＴ電極と、
前記第７櫛歯電極および前記第８櫛歯電極の、前記伝搬方向に直交する方向の他方側部分に対して、前記伝搬方向に位置している第４分割ＩＤＴ電極と、を有しており、
前記第３分割ＩＤＴ電極は、
前記第１端子に接続されている第９櫛歯電極と、
前記第９櫛歯電極と噛み合っており、前記第１～第３端子のいずれにも電気的に接続されておらず、電気的に浮遊状態となっている第１０櫛歯電極と、を有しており、
前記第４分割ＩＤＴ電極は、
前記第１０櫛歯電極に接続されている、電気的に浮遊状態の第１１櫛歯電極と、
前記第１１櫛歯電極と噛み合っており、前記第３端子に接続されている第１２櫛歯電極と、を有している
請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
前記励振電極に接続されている、前記第１主面上の配線と、
前記配線に接続されている、前記第１主面上のパッドと、
前記第１主面上に位置している配線導体層と、
前記配線導体層上に位置しているパッド導体層と、
を有しており、
前記配線は、上面を含む少なくとも一部が前記配線導体層によって構成されており、
前記パッドは、上面を含む少なくとも一部が前記配線導体層および前記パッド導体層によって構成されており、
前記パッドの断面視において、前記パッド導体層の前記配線導体層側の一部は、前記配線導体層の前記パッド導体層側の一部にめり込んでいる
請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
前記励振電極に接続されている、前記第１主面上の配線と、
前記配線に接続されている、前記第１主面上のパッドと、
前記第１主面上に位置している配線導体層と、
前記配線導体層上に位置しているパッド導体層と、
を有しており、
前記配線は、その上面を含む少なくとも一部が前記配線導体層によって構成されており、
前記パッドは、その上面を含む少なくとも一部が前記配線導体層および前記パッド導体層によって構成されており、
前記配線導体層は、
主導体層と、
前記主導体層よりも薄く、かつ前記主導体層よりも電気抵抗率が大きい、前記主導体層上の被覆層と、を有しており、
前記パッドの位置において、前記被覆層の非配置領域が設けられており、これにより前記パッド導体層が前記主導体層に直接に接合されている
請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
前記主導体層の材料は、ＡｌもしくはＣｕまたはこれらを主成分とする合金であり、
前記被覆層の材料は、ＴｉもしくはＣｒである
請求項８に記載の弾性波装置。
前記第１主面上に位置しており、その一部の上に前記配線導体層の少なくとも一部が重なる、前記配線導体層よりも薄い電極導体層をさらに有しており、
前記励振電極は、その上面を含む少なくとも一部が前記電極導体層によって構成されており、
前記配線は、少なくとも一部が前記電極導体層および前記配線導体層によって構成されており、
前記パッドは、前記電極導体層、前記配線導体層および前記パッド導体層によって構成されている
請求項７～９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
アンテナ端子と、
前記アンテナ端子に接続されている送信フィルタと、
前記アンテナ端子に接続されている受信フィルタと、
を有しており、
前記アンテナ端子および前記受信フィルタは、前記第１端子を前記アンテナ端子としている請求項４～６のいずれか１項に記載の弾性波装置によって構成されている
分波器。
アンテナと、
前記アンテナに接続されているフィルタと、
前記フィルタに接続されているＩＣと、
を有しており、
前記フィルタが請求項１～１１のいずれか１項に記載の弾性波装置によって構成されている
通信装置。