JP6284811B2 - 電子デバイス及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子デバイス及びその製造方法に関し、例えば実装基板の上面にフリップチップ実装されたデバイスチップを封止部で封止した電子デバイス及びその製造方法に関する。

近年、電子デバイスの小型化、低背化が要求されている。このような要求に対して、実装基板の上面にフリップチップ実装された複数のデバイスチップを半田又は樹脂を含む封止部で封止した電子デバイスが提案されている（例えば、特許文献１から３参照）。

特開２０１２−１６０８４７号公報 特開２０１０−１７７５５９号公報 特開２００８−２８８４２号公報

実装基板の上面に互いに隣り合ってフリップチップ実装された第１デバイスチップ及び第２デバイスチップを、半田を含む封止部で封止した電子デバイスでは、第１デバイスチップ及び第２デバイスチップの互いに対向する側面に半田が形成され難い。このため、動作時における放熱性が悪く、その結果、特性の劣化や耐電力寿命の低下等が生じてしまう。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、放熱性を改善させることが可能な電子デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、実装基板と、前記実装基板の上面に互いに隣り合ってフリップチップ実装された第１デバイスチップ及び第２デバイスチップと、前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップのうちの一方のデバイスチップの側面のうち他方のデバイスチップに対向する側面に少なくとも設けられた金属膜と、前記実装基板の上面に前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップそれぞれを囲んで設けられた金属パターンと、前記金属膜の表面と前記金属パターンの上面とに接して前記一方のデバイスチップの前記対向する側面に少なくとも設けられて前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップを囲む半田を含み、前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップを封止する封止部と、を備えることを特徴とする電子デバイスである。本発明によれば、放熱性を改善させることができる。

上記構成において、前記金属膜は、前記一方のデバイスチップの全ての側面に設けられ、前記封止部に含まれる前記半田は、前記一方のデバイスチップの全ての側面に設けられた前記金属膜の表面に接して前記一方のデバイスチップの全ての側面に設けられている構成とすることができる。

上記構成において、前記金属膜は、前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップそれぞれの互いに対向する側面に設けられ、前記封止部に含まれる前記半田は、前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップそれぞれの互いに対向する側面に設けられた前記金属膜の表面に接して前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップそれぞれの互いに対向する側面に設けられている構成とすることができる。

上記構成において、前記金属膜は、前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップそれぞれの全ての側面に設けられ、前記封止部に含まれる前記半田は、前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップそれぞれの全ての側面に設けられた前記金属膜の表面に接して前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップそれぞれの全ての側面に設けられている構成とすることができる。

上記構成において、前記金属膜は、前記一方のデバイスチップの前記実装基板に対向する面とは反対側の面に延在して設けられ、前記封止部に含まれる前記半田は、前記一方のデバイスチップの前記反対側の面に設けられた前記金属膜の表面に接して前記一方のデバイスチップの前記反対側の面に延在して設けられている構成とすることができる。

上記構成において、前記金属膜は、前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップそれぞれの前記実装基板に対向する面とは反対側の面に延在して設けられ、前記封止部に含まれる前記半田は、前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップそれぞれの前記反対側の面に設けられた前記金属膜の表面に接して前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップそれぞれの前記反対側の面に延在して設けられている構成とすることができる。

上記構成において、前記金属膜は、金を含む構成とすることができる。

上記構成において、前記一方のデバイスチップは弾性波デバイスチップからなる送信フィルタチップで、前記他方のデバイスチップは弾性波デバイスチップからなる受信フィルタチップである構成とすることができる。

本発明は、第１デバイスチップ及び第２デバイスチップのうちの少なくとも一方のデバイスチップの側面に金属膜を形成する工程と、前記金属膜を形成した後、前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップを、それぞれが実装基板の上面に形成された金属パターンで囲まれ且つ前記一方のデバイスチップの前記金属膜が形成された側面が他方のデバイスチップの側面と隣り合うように、前記実装基板の上面にフリップチップ実装する工程と、フリップチップ実装された前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップ上に半田を配置した後、前記半田を溶融状態で前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップ側に押圧して、前記半田を含む封止部で前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップを封止する工程と、を備えることを特徴とする電子デバイスの製造方法である。本発明によれば、放熱性を改善させることができる。

上記構成において、前記金属膜の形成は、前記一方のデバイスチップの機能部が形成された面とは反対側の面側からスパッタ法を用いて前記金属膜を堆積することで行う構成とすることができる。

本発明によれば、放熱性を改善させることができる。

図１は、実施例１に係る分波器を示す断面図である。 図２は、実施例１に係る分波器における実装基板の上面図である。 図３（ａ）から図３（ｅ）は、実施例１に係る分波器の製造方法を示す断面図（その１）である。 図４（ａ）から図４（ｄ）は、実施例１に係る分波器の製造方法を示す断面図（その２）である。 図５は、比較例１に係る分波器を示す断面図である。 図６は、比較例１に係る分波器における実装基板の上面図である。 図７（ａ）から図７（ｄ）は、比較例１に係る分波器の製造方法を示す断面図である。 図８は、実施例２に係る分波器を示す断面図である。 図９は、実施例３に係る分波器を示す断面図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。

図１は、実施例１に係る分波器を示す断面図である。図１のように、実施例１の分波器１００は、セラミック等の絶縁体からなる実装基板１０の平坦上面に、送信フィルタチップ１２と受信フィルタチップ１４とがバンプ１６によってフリップチップ実装されている。送信フィルタチップ１２と受信フィルタチップ１４とは、互いに隣り合ってフリップチップ実装され、その間隔Ｌは例えば５０μｍ程度である。

送信フィルタチップ１２と受信フィルタチップ１４とは、例えば弾性表面波デバイスチップからなり、圧電基板１８と、圧電基板１８の実装基板１０に対向する面に設けられたＩＤＴ（Interdigital Transducer）２０と、を含む。なお、以下において、送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４それぞれの複数の面のうち機能部であるＩＤＴ２０が形成された面、即ち実装基板１０に対向する面を機能面と称すこととする。また、機能面とは反対側の面、即ち実装基板１０に対向する面とは反対側の面を裏面と称し、機能面及び裏面と交差する面を側面と称すこととする。

送信フィルタチップ１２にはＩＤＴ２０によって送信フィルタが形成され、受信フィルタチップ１４にはＩＤＴ２０によって受信フィルタが形成されている。圧電基板１８は、例えばタンタル酸リチウム（ＬＴ）又はニオブ酸リチウム（ＬＮ）等の圧電材からなる。ＩＤＴ２０は、例えば銅（Ｃｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）等の金属からなる。バンプ１６は、例えば金（Ａｕ）等の金属からなる。

実装基板１０の上面と送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４との間に空隙２２が形成されている。ＩＤＴ２０は、振動が抑制されないように空隙２２に露出している。バンプ１６も空隙２２に露出している。送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４それぞれの高さＨ１は例えば１５０μｍ程度である。空隙２２の高さＨ２（即ち、実装基板１０の上面と送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４の機能面との間隔）は例えば１０μｍ程度である。

実装基板１０は、内部に内部配線２４が設けられた多層配線基板である。内部配線２４によって、実装基板１０の上面に形成された接続パッド２６と下面に形成されたフットパッド２８とが電気的に接続されている。内部配線２４、接続パッド２６、及びフットパッド２８は、例えば金（Ａｕ）等の金属からなる。

図２は、実施例１に係る分波器における実装基板の上面図である。なお、送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４の外形を破線で示している。図２のように、実装基板１０の上面には、接続パッド２６として、アンテナパッド２６ａ、送信パッド２６ｂ、受信パッド２６ｃ、及びグランドパッド２６ｄが設けられている。

送信フィルタチップ１２は、アンテナパッド２６ａ、送信パッド２６ｂ、及びグランドパッド２６ｄの上面にバンプ１６が接合することで、実装基板１０の上面にフリップチップ実装されている。送信フィルタチップ１２の機能面に形成された入力用電極は送信パッド２６ｂに接続され、出力用電極はアンテナパッド２６ａに接続され、グランド電極はグランドパッド２６ｄに接続されている。

受信フィルタチップ１４は、アンテナパッド２６ａ、受信パッド２６ｃ、及びグランドパッド２６ｄの上面にバンプ１６が接合することで、実装基板１０の上面にフリップチップ実装されている。受信フィルタチップ１４の機能面に形成された入力用電極はアンテナパッド２６ａに接続され、出力用電極は受信パッド２６ｃに接続され、グランド電極はグランドパッド２６ｄに接続されている。

また、図示は省略するが、実装基板１０の下面には、フットパッド２８として、アンテナ端子、送信端子、受信端子、及びグランド端子が設けられている。アンテナ端子、送信端子、受信端子、及びグランド端子はそれぞれ、内部配線２４を介して、アンテナパッド２６ａ、送信パッド２６ｂ、受信パッド２６ｃ、及びグランドパッド２６ｄにそれぞれ電気的に接続されている。したがって、送信フィルタチップ１２に形成された送信フィルタは、送信端子とアンテナ端子との間に接続されている。受信フィルタチップ１４に形成された受信フィルタは、受信端子とアンテナ端子との間に接続されている。送信フィルタは、送信端子から入力された信号のうち送信帯域の信号を送信信号としてアンテナ端子に通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタは、アンテナ端子から入力された信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子に通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信帯域の周波数と受信帯域の周波数とは異なっている。

図１及び図２のように、実装基板１０の上面に、送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４それぞれを囲んで金属パターン３０が設けられている。即ち、金属パターン３０は、送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４の両方を囲んで設けられた外郭部分３２と、送信フィルタチップ１２と受信フィルタチップ１４との間に位置して外郭部分３２に接続して設けられた中継部分３４と、を有する。金属パターン３０の幅は、例えば５０μｍ程度である。外郭部分３２は、送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４の両方を囲む矩形形状をしていて、中継部分３４は、１本の金属線が直線状に延在している場合が好ましい。

送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４それぞれの全ての側面と裏面とに金属膜３６が設けられている。金属膜３６の厚さは例えば０．３μｍ程度である。金属パターン３０及び金属膜３６は、半田に対して濡れ性の良好な金属からなる場合が好ましい。例えば、金属パターン３０はニッケル（Ｎｉ）層上に金（Ａｕ）層が設けられた積層からなる場合が好ましく、金属膜３６はチタン（Ｔｉ）層上に金（Ａｕ）層が設けられた積層からなる場合が好ましい。このように、金属パターン３０及び金属膜３６は、半田に対して良好な濡れ性を得る点から、金（Ａｕ）を含む場合が好ましい。

金属膜３６の表面と金属パターン３０の上面とに接合して半田３８が設けられている。即ち、半田３８は、送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４それぞれの全ての側面と裏面とに設けられて、送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４を囲んでいる。送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４上に、例えばコバール等の金属からなるリッド４０が半田３８に接合して設けられている。送信フィルタチップ１２と受信フィルタチップ１４とは、半田３８とリッド４０とからなる封止部４２によって封止されている。封止部４２を覆って、例えばニッケル（Ｎｉ）めっき等の金属膜からなる保護膜４４が設けられている。

金属パターン３０は、内部配線２４を介して、フットパッド２８のグランド端子に接続されることが好ましい。これにより、封止部４２をグランド電位とすることができ、電気特性の向上を図ることができる。

次に、実施例１に係る分波器の製造方法について説明する。図３（ａ）から図４（ｄ）は、実施例１に係る分波器の製造方法を示す断面図である。図３（ａ）から図４（ｄ）では、多面取りプロセスによる製造方法を示している。図３（ａ）のように、ウエハ状の圧電基板１８の主面に、ＩＤＴ２０とこれに電気的に接続されるバンプ１６との集合体を複数形成する。これにより、圧電基板１８の主面に複数のフィルタが形成される。その後、圧電基板１８の主面に、ＩＤＴ２０及びバンプ１６を覆って、ダイシングテープ４６を貼り付ける。

図３（ｂ）のように、圧電基板１８を例えばレーザダイシング等によって切断して、複数のデバイスチップ４８ａ〜４８ｄとする。圧電基板１８の主面に形成されたフィルタの種類によって、複数のデバイスチップ４８ａ〜４８ｄは、例えば送信フィルタチップ又は受信フィルタチップとなる。

図３（ｃ）のように、ダイシングテープ４６をエキスパンドして、複数のデバイスチップ４８ａ〜４８ｄの互いの間隔を広げる。その後、複数のデバイスチップ４８ａ〜４８ｄに対して、ＩＤＴ２０が形成された機能面とは反対側の裏面側から、例えばスパッタ法を用いて、金属膜３６を堆積する。これにより、金属膜３６は、複数のデバイスチップ４８ａ〜４８ｄそれぞれに対して、全ての側面と裏面とに形成される。

図３（ｄ）のように、複数のデバイスチップ４８ａ〜４８ｄの裏面にテープ５０を貼り付ける。テープ５０を貼り付けた後、ダイシングテープ４６を引き剥がす。その後、複数のデバイスチップ４８ａ〜４８ｄそれぞれに対してテープ５０側から針を突き上げて、複数のデバイスチップ４８ａ〜４８ｄをテープ５０からピックアップして個片化する。このように、複数のデバイスチップ４８ａ〜４８ｄをテープ５０に貼り直すのは以下のためである。即ち、複数のデバイスチップ４８ａ〜４８ｄがダイシングテープ４６に貼り付けられた図３（ｃ）の状態で、ダイシングテープ４６側から針を突き上げると、ＩＤＴ２０やそれに接続する配線等を傷つけてしまう恐れがある。これに対し、図３（ｄ）の状態でテープ５０側から針を突き上げて複数のデバイスチップ４８ａ〜４８ｄを個片化することで、ＩＤＴ２０や配線等が傷つくことを抑えることができる。

図３（ｅ）のように、図３（ａ）から図３（ｄ）の工程を行うことによって、全ての側面及び裏面に金属膜３６が形成された送信フィルタチップ１２が複数形成される。また、圧電基板１８の主面に形成するフィルタの種類を変更することで、全ての側面及び裏面に金属膜３６が形成された受信フィルタチップ１４が複数形成される。

図４（ａ）のように、内部配線２４、接続パッド２６、フットパッド２８、及び金属パターン３０が形成された実装基板１０を準備する。実装基板１０の平坦上面に、複数の送信フィルタチップ１２と複数の受信フィルタチップ１４とをバンプ１６によってフリップチップ実装する。この際、複数の送信フィルタチップ１２及び複数の受信フィルタチップ１４それぞれが金属パターン３０で囲まれるようにフリップチップ実装する。また、１つの分波器を構成する送信フィルタチップ１２と受信フィルタチップ１４とが互いに隣り合うようにフリップチップ実装する。

図４（ｂ）のように、複数の送信フィルタチップ１２及び複数の受信フィルタチップ１４上に、半田３８とリッド４０との積層体を、半田３８がデバイスチップ側となるように配置する。

図４（ｃ）のように、積層体を加熱して半田３８が溶融した状態とし、この状態でリッド４０を複数の送信フィルタチップ１２及び複数の受信フィルタチップ１４側に押圧する。複数の送信フィルタチップ１２及び複数の受信フィルタチップ１４それぞれの全ての側面及び裏面に金属膜３６が形成されている。また、実装基板１０の上面に複数の送信フィルタチップ１２及び複数の受信フィルタチップ１４それぞれを囲む金属パターン３０が形成されている。金属膜３６及び金属パターン３０は、上述したように、半田に対して濡れ性が良好である。このため、半田３８は、金属膜３６及び金属パターン３０を濡れ広がり、その後に固化して、金属膜３６の表面と金属パターン３０の上面とに接合する。これにより、半田３８は、複数の送信フィルタチップ１２及び複数の受信フィルタチップ１４それぞれの全ての側面と裏面とに形成されて、送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４を囲む。また、リッド４０は、複数の送信フィルタチップ１２及び複数の受信フィルタチップ１４上を延在して配置される。これにより、複数の送信フィルタチップ１２及び複数の受信フィルタチップ１４は、半田３８とリッド４０とからなる封止部４２によって封止される。

図４（ｄ）のように、送信フィルタチップ１２と受信フィルタチップ１４とで構成される複数の分波器のそれぞれの間で、封止部４２及び実装基板１０を、ダイシングブレードを用いたダイシングによって切断する。これにより、送信フィルタチップ１２と受信フィルタチップ１４とで構成される複数の分波器が個片化される。その後、例えば電解めっき法を用いて、封止部４２を覆う保護膜４４を形成する。このような製造工程を含んで、実施例１の分波器１００を形成することができる。

ここで、実施例１の分波器の効果を説明するにあたり、比較例１の分波器について説明する。図５は、比較例１に係る分波器を示す断面図である。図６は、比較例１に係る分波器における実装基板の上面図である。図５及び図６のように、比較例１の分波器においては、実装基板１０の平坦上面にフリップチップ実装された送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４の側面及び裏面に金属膜３６は形成されていない。また、実装基板１０の上面に形成された金属パターン３０ａは、送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４の両方を囲んで設けられた外郭部分３２だけからなり、中継部分３４は設けられていない。

送信フィルタチップ１２と受信フィルタチップ１４とを封止する封止部４２ａに含まれる半田３８ａは、送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４の互いに対向する側面には設けられてない。また、送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４の互いに対向する側面以外の側面においては、半田３８ａは、機能面側に位置する部分には少なくとも設けられていない。その他の構成は、実施例１の図１及び図２と同じであるため説明を省略する。

図７（ａ）から図７（ｄ）は、比較例１に係る分波器の製造方法を示す断面図である。図７（ａ）のように、実装基板１０の平坦上面に、複数の送信フィルタチップ１２と複数の受信フィルタチップ１４とをフリップチップ実装する。複数の送信フィルタチップ１２と複数の受信フィルタチップ１４とには、金属膜３６が形成されていない。

図７（ｂ）のように、複数の送信フィルタチップ１２及び複数の受信フィルタチップ１４上に、半田３８ａとリッド４０ａとの積層体を、半田３８ａがデバイスチップ側となるように配置する。

図７（ｃ）のように、積層体を加熱して半田３８ａが溶融した状態とし、この状態でリッド４０ａを複数の送信フィルタチップ１２及び複数の受信フィルタチップ１４側に押圧する。送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４の側面等に金属膜３６は形成されていない。圧電基板は半田に対して濡れ性がよくないことから、半田３８ａは、送信フィルタチップ１２と受信フィルタチップ１４との間に入り込まず、送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４の互いに対向する側面には形成されない。また、送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４の互いに対向する側面以外の側面においては、半田３８ａは、機能面側に位置する部分には少なくとも形成されない。半田３８ａとチップの側面との接触面積は半田３８ａの量に依存し、例えば半田３８ａの量が少ない場合には、半田３８ａが側面の大部分に形成されない場合も生じる。半田３８ａと半田３８ａ上に位置するリッド４０ａとからなる封止部４２ａによって、複数の送信フィルタチップ１２と複数の受信フィルタチップ１４とは封止される。

図７（ｄ）のように、送信フィルタチップ１２と受信フィルタチップ１４とで構成される複数の分波器を個片化した後、封止部４２ａを覆う保護膜４４を形成する。このような製造工程を含んで、比較例１の分波器を形成することができる。

比較例１では、図５のように、送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４の側面に金属膜３６が設けられていないため、半田３８ａは送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４の互いに対向する側面に形成されない。このため、送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４の動作時における放熱経路が限られてしまい、放熱性が悪くなる。特に、送信フィルタチップ１２は動作時における発熱量が大きいことから良好な放熱性が望まれるが、比較例１では放熱性が悪くなってしまう。

一方、実施例１では、図１のように、送信フィルタチップ１２の側面のうち受信フィルタチップ１４に対向する側面に少なくとも金属膜３６が設けられている。また、実装基板１０の上面に送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４それぞれを囲む金属パターン３０が設けられている。これにより、半田３８は、金属膜３６の表面と金属パターン３０の上面とに接して送信フィルタチップ１２の受信フィルタチップ１４に対向する側面に少なくとも設けられて送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４を囲む。これにより、送信フィルタチップ１２の動作時における放熱経路が広がり、放熱性を改善させることができる。その結果、特性の劣化や耐電力寿命の低下等を抑制することができる。

実施例１の分波器１００は、図３（ａ）から図４（ｄ）で説明したように、以下の製造工程を含んで形成することができる。送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４のうちの少なくとも送信フィルタチップ１２の側面に金属膜３６を形成する（図３（ｃ）から図３（ｅ））。その後、送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４を、それぞれが実装基板１０の上面に形成された金属パターン３０で囲まれ且つ送信フィルタチップ１２の金属膜３６が形成された側面が受信フィルタチップ１４の側面と隣り合うように、実装基板１０の上面にフリップチップ実装する（図４（ａ））。フリップチップ実装された送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４上に半田３８を配置した後、半田３８を溶融状態で送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４側に押圧して、半田３８を含む封止部４２で送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４を封止する（図４（ｂ）及び図４（ｃ））。この製造方法によれば、送信フィルタチップ１２の受信フィルタチップ１４に対向する側面に半田３８を形成することができ、放熱性を改善させることができる。

比較例１では、図５のように、圧電基板は半田に対して濡れ性がよくないため、半田３８ａの量によって、半田３８ａが送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４の互いに対向する側面以外の側面にも形成されないことが生じる。したがって、図１のように、金属膜３６は送信フィルタチップ１２の全ての側面に設けられ、半田３８は金属膜３６の表面に接して送信フィルタチップ１２の全ての側面に設けられている場合が好ましい。これにより、送信フィルタチップ１２の動作時における放熱経路がより広がり、放熱性をより改善することができる。

受信フィルタチップ１４は送信フィルタチップ１２に比べて動作時の発熱量は小さいが、受信フィルタチップ１４の放熱性も改善されることが好ましい。したがって、図１のように、金属膜３６は送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４それぞれの互いに対向する側面に設けられ、半田３８は金属膜３６の表面に接して送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４それぞれの互いに対向する側面に設けられている場合が好ましい。これにより、送信フィルタチップ１２だけでなく、受信フィルタチップ１４の放熱性も改善させることができる。

また、送信フィルタチップ１２と受信フィルタチップ１４の放熱性をより改善させるために、金属膜３６は送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４それぞれの全ての側面に設けられ、半田３８は金属膜３６の表面に接して送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４それぞれの全ての側面に設けられている場合がより好ましい。また、比較例１では、半田３８ａと送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４の側面との接触面積は半田３８ａの量に依存することになる。よって、複数の分波器の間で半田３８ａと圧電基板１８との接触によって生じる容量成分に個体差が生じ、その結果、特性のバラツキが生じてしまう。これに対し、図１のように、金属膜３６が送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４それぞれの全ての側面に設けられている場合は、金属膜３６によって半田３８が規定されるため、容量成分の個体差を小さくでき、特性のバラツキを抑えることができる。

金属膜３６は、送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４それぞれの互いに対向する側面において全面に設けられている場合が好ましく、対向する側面以外の側面においても全面に設けられている場合が好ましいが、側面の一部分に設けられていない場合であってもよい。例えば、金属膜３６は、側面の裏面側における端部から機能面側の端部に向かって延在しているが、機能面側の端部に到達していない場合でもよい。

比較例１では、図５のように、送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４の裏面に直接接して半田３８ａが形成されている。圧電基板は半田に対して濡れ性がよくないため、圧電基板１８に接する部分における半田３８ａにボイドが生じてしまう。半田３８ａにボイドが生じることで、分波器を基板搭載する際の衝撃が半田３８ａの一部分に集中してチップに割れ等が発生してしまう。したがって、図１のように、金属膜３６は送信フィルタチップ１２の裏面に延在し、半田３８は金属膜３６の表面に接して送信フィルタチップ１２の裏面に延在している場合が好ましい。また、金属膜３６は送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４それぞれの裏面に延在し、半田３８は金属膜３６の表面に接して送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４それぞれの裏面に延在している場合がより好ましい。半田３８は金属膜３６を濡れ広がることから、半田３８にボイドによる凹凸が生じることを抑制できる。よって、分波器を基板搭載する際の衝撃が半田３８の一部分に集中することを抑制でき、分波器の機械的強度を向上させることができる。金属膜３６は、送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４の裏面において全面に設けられている場合が好ましいが、裏面の一部分に設けられていない場合であってもよい。

実施例１の図３（ｃ）では、送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４のＩＤＴ２０（機能部）が形成された機能面とは反対側の裏面側からスパッタ法を用いて金属膜３６を堆積している。この場合、送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４それぞれの全ての側面及び裏面に金属膜３６を容易に形成することができる。なお、金属膜３６は、スパッタ法を用いて形成する場合に限らず、送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４の側面に形成することができれば、その他の方法を用いてもよい。

図８は、実施例２に係る分波器を示す断面図である。図８のように、実施例２の分波器２００では、金属膜３６ａは、送信フィルタチップ１２の受信フィルタチップ１４に対向する側面にのみ設けられている。即ち、金属膜３６は、送信フィルタチップ１２のその他の側面及び裏面並びに受信フィルタチップ１４の全ての側面及び裏面には設けられていない。送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４を封止する封止部４２ｂに含まれる半田３８ｂは、送信フィルタチップ１２の受信フィルタチップ１２に対向する側面に設けられて送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４を囲んでいる。その他の構成は、実施例１の図１と同じであるため説明を省略する。

実施例２のように、金属膜３６ａが送信フィルタチップ１２の受信フィルタチップ１４に対向する側面にのみ設けられている場合でもよい。この場合でも、半田３８ｂは送信フィルタチップ１２の受信フィルタチップ１４に対向する側面に設けられるため、送信フィルタチップ１２の放熱性を改善させることができる。

図９は、実施例３に係る分波器を示す断面図である。図９のように、実施例３の分波器３００では、金属膜３６ｂは、送信フィルタチップ１２の全ての側面と裏面とにのみ設けられている。即ち、金属膜３６ｂは、受信フィルタチップ１４の全ての側面と裏面とには設けられていない。送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４を封止する封止部４２ｃに含まれる半田３８ｃは、送信フィルタチップ１２の全ての側面及び裏面に設けられて送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４を囲んでいる。その他の構成は、実施例１の図１と同じであるため説明を省略する。

実施例３のように、金属膜３６ｂが送信フィルタチップ１２の全ての側面と裏面とにのみ設けられている場合でもよい。この場合、半田３８ｃは送信フィルタチップ１２の全ての側面と裏面とに設けられるため、送信フィルタチップ１２の放熱性を改善させることができる。

実施例１から実施例３において、送信フィルタチップ１２と受信フィルタチップ１４とは、図２のように、互いの対向する側面全体が隣り合っている場合を例に示したが、この場合に限らず、互いに対向する側面の少なくとも一部が隣り合っている場合あればよい。

実施例１から実施例３では、電子デバイスとして、分波器の場合を例に示したが、その他の電子デバイスの場合でもよい。即ち、実装基板１０の上面にフリップチップ実装された第１デバイスチップ及び第２デバイスチップは、一方が送信フィルタチップで、他方が受信フィルタチップである場合に限らず、その他のデバイスチップの場合でもよい。勿論、弾性波デバイスチップ以外のデバイスチップの場合でもよい。しかしながら、分波器を構成する送信フィルタチップは動作時における発熱量が大きいため、第１デバイスチップ及び第２デバイスチップの一方が送信フィルタチップで、他方が受信フィルタチップである場合に、本発明を適用することが好ましい。この場合、金属膜は、送信フィルタチップの受信フィルタチップに対向する側面に少なくとも設けられることが好ましい。なお、送信フィルタチップ及び受信フィルタチップは、弾性表面波デバイスチップの場合に限らず、例えば圧電薄膜共振器チップ等、その他の弾性波デバイスチップの場合でもよい。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ 実装基板
１２ 送信フィルタチップ
１４ 受信フィルタチップ
１８ 圧電基板
２０ ＩＤＴ
３０、３０ａ 金属パターン
３２ 外郭部分
３４ 中継部分
３６〜３６ｂ 金属膜
３８〜３８ｃ 半田
４０〜４０ｃ リッド
４２〜４２ｃ 封止部
１００〜３００ 分波器

Claims (10)

1. 実装基板と、
   前記実装基板の上面に互いに隣り合ってフリップチップ実装された第１デバイスチップ及び第２デバイスチップと、
   前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップのうちの一方のデバイスチップの側面のうち他方のデバイスチップに対向する側面に少なくとも設けられた金属膜と、
   前記実装基板の上面に前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップそれぞれを囲んで設けられた金属パターンと、
   前記金属膜の表面と前記金属パターンの上面とに接して前記一方のデバイスチップの前記対向する側面に少なくとも設けられて前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップを囲む半田を含み、前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップを封止する封止部と、を備えることを特徴とする電子デバイス。
2. 前記金属膜は、前記一方のデバイスチップの全ての側面に設けられ、
   前記封止部に含まれる前記半田は、前記一方のデバイスチップの全ての側面に設けられた前記金属膜の表面に接して前記一方のデバイスチップの全ての側面に設けられていることを特徴とする請求項１記載の電子デバイス。
3. 前記金属膜は、前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップそれぞれの互いに対向する側面に設けられ、
   前記封止部に含まれる前記半田は、前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップそれぞれの互いに対向する側面に設けられた前記金属膜の表面に接して前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップそれぞれの互いに対向する側面に設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載の電子デバイス。
4. 前記金属膜は、前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップそれぞれの全ての側面に設けられ、
   前記封止部に含まれる前記半田は、前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップそれぞれの全ての側面に設けられた前記金属膜の表面に接して前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップそれぞれの全ての側面に設けられていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の電子デバイス。
5. 前記金属膜は、前記一方のデバイスチップの前記実装基板に対向する面とは反対側の面に延在して設けられ、
   前記封止部に含まれる前記半田は、前記一方のデバイスチップの前記反対側の面に設けられた前記金属膜の表面に接して前記一方のデバイスチップの前記反対側の面に延在して設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載の電子デバイス。
6. 前記金属膜は、前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップそれぞれの前記実装基板に対向する面とは反対側の面に延在して設けられ、
   前記封止部に含まれる前記半田は、前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップそれぞれの前記反対側の面に設けられた前記金属膜の表面に接して前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップそれぞれの前記反対側の面に延在して設けられていることを特徴とする請求項３又は４記載の電子デバイス。
7. 前記金属膜は、金を含むことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載の電子デバイス。
8. 前記一方のデバイスチップは弾性波デバイスチップからなる送信フィルタチップで、前記他方のデバイスチップは弾性波デバイスチップからなる受信フィルタチップであることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項記載の電子デバイス。
9. 第１デバイスチップ及び第２デバイスチップのうちの少なくとも一方のデバイスチップの側面に金属膜を形成する工程と、
   前記金属膜を形成した後、前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップを、それぞれが実装基板の上面に形成された金属パターンで囲まれ且つ前記一方のデバイスチップの前記金属膜が形成された側面が他方のデバイスチップの側面と隣り合うように、前記実装基板の上面にフリップチップ実装する工程と、
   フリップチップ実装された前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップ上に半田を配置した後、前記半田を溶融状態で前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップ側に押圧して、前記半田を含む封止部で前記第１デバイスチップ及び前記第２デバイスチップを封止する工程と、を備えることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
10. 前記金属膜の形成は、前記一方のデバイスチップの機能部が形成された面とは反対側の面側からスパッタ法を用いて前記金属膜を堆積することで行うことを特徴とする請求項９記載の電子デバイスの製造方法。

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