CN109417375A - 弹性波装置 - Google Patents

弹性波装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109417375A
CN109417375A CN201780040130.XA CN201780040130A CN109417375A CN 109417375 A CN109417375 A CN 109417375A CN 201780040130 A CN201780040130 A CN 201780040130A CN 109417375 A CN109417375 A CN 109417375A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wave device
electrode
thermal conductivity
acoustic wave
functional electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201780040130.XA
Other languages
English (en)
Inventor
藤屋正晴
渡边嗣
渡边一嗣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN109417375A publication Critical patent/CN109417375A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/08—Holders with means for regulating temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02913—Measures for shielding against electromagnetic fields
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0566—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers
    • H03H9/0576—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers including surface acoustic wave [SAW] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
    • H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1078—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a foil covering the non-active sides of the SAW device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1085—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a non-uniform sealing mass covering the non-active sides of the BAW device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6489—Compensation of undesirable effects
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

提供一种弹性波装置，抑制了因发热引起的特性下降、故障的产生，且抑制了因噪声引起的特性下降。基板(1)具备弹性波元件(5)和外装树脂层(13)，在基板(1)的一个主面形成有外部电极(2)，在基板(1)的另一个主面形成有第一安装电极(3)，弹性波元件(5)具备压电基板(6)，在压电基板(6)的一个主面形成有发送用功能电极(7)、接收用功能电极(8)及接地端子(9a、9b)，接地端子(9a、9b)与第一安装电极(3)连接，在压电基板(6)的另一个主面形成有高导热率导体层(11a、11b)，贯穿压电基板(6)的两个主面间而形成导电过孔(10a、10b)，高导热率导体层(11a、11b)与接地端子(9a、9b)通过导电过孔(10a、10b)而连接。

Description

弹性波装置
技术领域
本发明涉及弹性波装置。
背景技术
以往，作为便携式终端设备等中的高频信号的收发部件，使用了弹性波装置。有时向该弹性波装置施加较大的电力，此时，在压电基板、功能电极(IDT电极)产生热。若对该发热置之不理，则有时输出电力相对于输入电力的效率会下降。另外，有时弹性波装置的电气特性会下降。进而，有时弹性波装置的功能电极会受到破坏。
对此，在以往的弹性波装置中，采取了热对策。具体而言，在弹性波装置设置用于散发热量的空间(贯通孔)，或者设置用于散发热量的路径。
在日本特开2005-217670号公报(专利文献1)公开有采取了针对发热的对策的弹性波装置。
图9示出专利文献1所公开的弹性波装置1100。
弹性波装置1100通过凸起(bump)102在基板(支承基体)安装有弹性波元件103。在弹性波元件103的下侧主面形成有功能电极(IDT电极；未图示)。而且，在安装有弹性波元件103的基板101上形成有外装树脂层(保护构件)104。
弹性波装置1100在弹性波元件103贯穿两个主面间而形成有贯通孔105。而且，在弹性波元件103的上侧主面及下侧主面分别形成有良导热体106，使得堵塞贯通孔105。
贯通孔105及良导热体106是为了使由功能电极产生的热散热而设置的。另外，利用良导热体106从两侧堵塞贯通孔105是为了防止外部空气(尤其是湿气)经由贯通孔105而进入形成有功能电极的空间，使功能电极腐蚀而产生故障。
另外，在日本特开2006-120981号公报(专利文献2)还公开有采取了针对发热的对策的另一弹性波装置。
图10示出专利文献2所公开的弹性波装置1200。
弹性波装置(电子部件)1200在基板(基部)201安装有弹性波元件(电子元件)202。在弹性波元件202的下侧主面形成有功能电极(梳齿状电极等；未图示)。
在弹性波元件202的上侧主面通过Cr等形成有多个金属层203，此外，在各金属层203上通过凸起镀覆等形成有金属突起204。
另外，弹性波装置1200在包含相邻的金属突起204与金属突起204之间在内的弹性波元件202上形成有树脂制的密封材料205，此外，在密封材料205上形成有金属膜206。需要说明的是，金属膜206与形成于基板201的下侧主面的外部电极(连接部)207电连接，且被屏蔽。
在弹性波装置1200中，设置于弹性波元件202的上侧主面的金属突起204和金属膜206用于使由弹性波元件202的功能电极产生的热(焦耳热)散热。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2005-217670号公报
专利文献2：日本特开2006-120981号公报
发明内容
发明要解决的课题
专利文献1所公开的弹性波装置1100采取了具备贯通孔105及良导热体106而使由功能电极(IDT电极)产生的热散热的措施。然而，在弹性波装置1100中，IDT形成面侧的布线电极与背面的高导热率构件只不过仅仅是通过过孔而连接，不能说获得了屏蔽性。
弹性波装置的弹性波元件有时由于来自外部的噪声而电气特性(Iso特性、衰减特性等)下降。另外，在弹性波装置包含多个弹性波元件的情况下，有时某一弹性波元件的电气特性会由于相邻的其他弹性波元件所产生的噪声而下降。或者，在弹性波装置的弹性波元件形成有多个功能电极的情况下，有时某一功能电极的电气特性会由于相邻的其他功能电极所产生的噪声而下降。
专利文献1所公开的弹性波装置1100的弹性波元件103未被屏蔽，因此，有可能会由于来自外部等的噪声而电气特性下降。另外，有可能会向外部辐射噪声。
另一方面，专利文献2所公开的弹性波装置1200采取了利用设置于弹性波元件202的上侧主面的金属突起204和金属膜206来使由形成于弹性波元件202的下侧主面的功能电极(IDT电极)产生的热散热的措施。
然而，弹性波装置1200中，产生热的功能电极设置于弹性波元件202的下侧主面，另一方面，作为散热单元的金属突起204设置于弹性波元件202的上侧主面，发热部与散热部形成在不同的主面上而分开。因此，有时无法使由功能电极产生的热良好地散热。即，弹性波装置1200中，基于金属突起204与金属膜206而实现的散热是不充分的，有时由于由功能电极产生的热而弹性波装置1200的电气特性下降。
用于解决课题的手段
本发明是为了解决上述的现有问题而完成的，作为其方案，本发明的弹性波装置具备：基板；以及至少一个弹性波元件，其安装于基板的另一个主面，在基板的一个主面形成有外部电极，在基板的另一个主面形成有第一安装电极，弹性波元件具备压电基板，在压电基板的一个主面形成有接地端子，接地端子与第一安装电极连接，在压电基板的另一个主面形成有导热率比该压电基板大的高导热率导体层，贯穿压电基板的两个主面间而形成导电过孔，高导热率导体层与接地端子通过导电过孔而连接。需要说明的是，高导热率导体层与接地端子通过导电过孔而电连接且热连接。
弹性波元件的至少一个可以是在一个压电基板构成的双工器或多工器，在该弹性波元件的一个主面形成有发送用功能电极和接收用功能电极作为功能电极。
在该情况下，优选的是，高导热率导体层在压电基板的另一个主面中包含如下区域，即，分离为与发送用功能电极对应的区域以及与接收用功能电极对应的区域的区域。通常，在双工器、多工器的弹性波元件中，向发送用功能电极施加较大的电力，因此，大多情况下，在发送用功能电极中发热变得显著。与此相对，未向接收用功能电极施加较大的电力，因此，在接收用功能电极中不怎么发热。而且，当由发送用功能电极产生的热向接收用功能电极传递时，在接收用滤波器的电气特性中产生温度偏移，接收用滤波器的电气特性可能会下降。对此，如上所述，若将高导热率导体层在与发送用功能电极对应的区域以及与接收用功能电极对应的区域进行分离，抑制由发送用功能电极产生的热经由高导热率导体层向接收用功能电极传递，则能够抑制接收用功能电极的功能下降，能够抑制接收用滤波器的电气特性下降，因此是优选的。
在该情况下，更优选的是，形成于与发送用功能电极对应的区域的高导热率导体层和形成于发送用功能电极的附近的接地端子通过导电过孔而连接。如上所述，通常，在双工器、多工器的弹性波元件中，向发送用功能电极施加较大的电力，因此，大多情况下，在发送用功能电极中发热变得显著。对此，如上所述，若通过导电过孔将形成于发送用功能电极的附近的接地端子与高导热率导体层连接，则能够将在发送用功能电极的附近产生的热经由导电过孔有效地散热，因此是优选的。
另外，还优选的是，形成于与接收用功能电极对应的区域的高导热率导体层与形成于接收用功能电极的附近的接地端子通过导电过孔而连接。通常，在双工器、多工器的弹性波元件中，接收信号的SN比小于发送信号的SN比，因此，接收用功能电极(接收用滤波器)受到噪声的情况与发送用功能电极(发送用滤波器)受到噪声的情况相比，电气特性进一步大幅下降，成为深刻的问题。对此，如上所述，若通过导电过孔将形成于与接收用功能电极对应的区域的高导热率导体层和形成于接收用功能电极的附近的接地端子连接，则能够将形成于与接收用功能电极对应的区域的高导热率导体层连接到接地并屏蔽，能够有效地保护接收用功能电极(接收用滤波器)免受噪声的影响，能够抑制因噪声引起的电气特性的下降，因此是优选的。
另外，在弹性波元件是双工器或多工器的情况下，还能够将高导热率导体层形成为一个连续的导体层，该连续的导体层覆盖压电基板的另一个主面的与发送用功能电极对应的区域以及与发送用功能电极对应的区域。在该情况下，有时优选高导热率导体层与形成于接收用功能电极的附近的接地端子通过导电过孔而连接。即，在发送用滤波器中，在滤波器的设计上，有时不将滤波器的接地端子直接与接地连接，而是在其间经由电感器的基础上与接地连接。在该情况下，当通过导电过孔将高导热率导体层与形成于发送用功能电极的附近的接地端子连接时，由于在与接地之间插入电感器而无法提高特性。对此，在该情况下，如上所述，优选通过导电过孔，将高导热率导体层与形成于接收用功能电极的附近的接地端子连接，来屏蔽高导热率导体层。
发明效果
本发明的弹性波装置贯穿弹性波元件的两个主面间而形成导电过孔，且高导热率导体层与接地端子通过导电过孔而电连接，因此，抑制了因发热引起的特性下降、故障的产生，并且，抑制了因噪声引起的特性下降。
附图说明
图1是示出第一实施方式的弹性波装置100的剖视图。
图2的(A)～(D)分别是示出在弹性波装置100的制造方法的一例中实施的工序的剖视图。
图3的(E)～(H)是图2的(D)的后续，分别是示出在弹性波装置100的制造方法的一例中实施的工序的剖视图。
图4的(I)～(K)是图3的(H)的后续，分别是示出在弹性波装置100的制造方法的一例中实施的工序的剖视图。
图5是示出第二实施方式的弹性波装置200的剖视图。
图6是示出第三实施方式的弹性波装置300的剖视图。
图7是示出第四实施方式的弹性波装置400的剖视图。
图8是示出第五实施方式的弹性波装置500的剖视图。
图9是示出专利文献1所公开的弹性波装置1100的剖视图。
图10是示出专利文献2所公开的弹性波装置1200的剖视图。
具体实施方式
以下，基于附图对用于实施本发明的方式进行说明。
需要说明的是，各实施方式例示性地示出了本发明的实施方式，本发明不局限于实施方式的内容。另外，也能够将不同的实施方式所记载的内容组合来实施，该情况下的实施内容也包含在本发明内。另外，附图用于帮助说明书的理解，所描绘的构成要素或构成要素间的尺寸的比率有时与说明书所记载的这些尺寸的比率不一致。另外，说明书所记载的构成要素具有在附图中省略的情况、省略个数而描绘的情况等。
[第一实施方式]
图1示出第一实施方式的弹性波装置100。
弹性波装置100具备基板1。基板1例如使用陶瓷材料。但是，基板1的材质是任意的，也可以代替陶瓷，而利用玻璃陶瓷、树脂等来制作基板。
在基板1的一个主面(图中的下侧主面)形成有外部电极2。另外，在基板1的另一个主面(图中的上侧主面)形成有第一安装电极3和第二安装电极(未图示)。在本实施方式中，第一安装电极是用作接地的接地用安装电极，第二安装电极是用于信号的传输的功能用安装电极。需要说明的是，图1是示出了基板1的未形成第二安装电极的部分的剖视图。
外部电极2、第一安装电极3、第二安装电极的构造、材质、形成方法是任意的，但例如能够分别形成为由Cu层、Ni层、Pd层、Au层构成的多层构造，Cu层作为第一层通过烧附导电浆料而形成，Ni层作为第二层通过镀覆而形成，Pd层作为第三层通过镀覆而形成，Au层作为第四层通过镀覆而形成。
另外，贯穿基板1的两个主面间而形成有过孔导体4。过孔导体4连接第一安装电极3与外部电极2。另外，过孔导体4连接第二安装电极(未图示)与外部电极2。过孔导体4的材质是任意的，但例如能够采用Cu。需要说明的是，在本实施方式中，在基板1使用单层基板，但也可以取而代之而使用多层基板。而且，也可以在该多层基板的层间形成有层间电极。
弹性波装置100具备弹性波元件5。在本实施方式中，弹性波元件构成双工器。但是，弹性波元件5不局限于双工器，也可以是三工器、或者具备比它们更多的功能的多工器。
弹性波元件5具备压电基板6。压电基板6的材质是任意的，但例如能够使用LiNbO3基板、LiTaO3基板、水晶基板等。
弹性波元件5在压电基板6的一个主面(图中的下侧主面)形成有IDT(InterDigital Transducer，叉指换能器)构造的发送用功能电极7和同样为IDT构造的接收用功能电极8。需要说明的是，发送用功能电极7、接收用功能电极8的详细结构是任意的，也可以分别例如形成多个谐振器，将这些谐振器连接而构成滤波器(梯型滤波器等)。
另外，弹性波元件5在压电基板6的一个主面(图中的下侧主面)形成有功能端子(未图示)和接地端子9a、9b。需要说明的是，图1是示出了弹性波元件5的未形成功能端子的部分的剖视图。
功能端子是发送用功能电极7、接收用功能电极8的输入端子、输出端子等。
接地端子9a、9b是发送用功能电极7、接收用功能电极8的接地端子。但是，除此之外，也可以设置不与发送用功能电极7、接收用功能电极8连接的专用的接地端子。
接地端子9a、9b分类为压电基板6的一个主面的形成于发送用功能电极7的附近的接地端子9a以及形成于接收用功能电极8的附近的接地端子9b。需要说明的是，接地端子9a形成于发送用功能电极7的附近，是指与接收用功能电极8相比，接地端子9a更靠近发送用功能电极7而形成。另外，接地端子9b形成于接收用功能电极8的附近，是指与发送用功能电极7相比，接地端子9b更靠近接收用功能电极8而形成。
发送用功能电极7、接收用功能电极8、功能端子、接地端子9a、9b例如由选自Pt、Au、Ag、Cu、Ni、W、Ta、Fe、Cr、Al及Pd的金属、或者包含一种以上的这些金属在内的合金形成。发送用功能电极7、接收用功能电极8、功能端子、接地端子9a、9b也可以使用多种上述的金属、合金来形成为多层构造。
弹性波元件5贯穿压电基板6的两个主面间而形成有过孔导体10a、10b。过孔导体10a的一端与形成于发送用功能电极7的附近的接地端子9a连接。过孔导体10b的一端与形成于接收用功能电极8的附近的接地端子9b连接。
弹性波元件5在压电基板6的另一个主面(图中的上侧主面)形成有高导热率导体层11a、11b。高导热率导体层11a与高导热率导体层11b相互分离地形成。高导热率导体层11a形成在与发送用功能电极7对应的区域，并且经由过孔导体10a而与形成于发送用功能电极7的附近的接地端子9a连接。另外，高导热率导体层11b形成在与接收用功能电极8对应的区域，并且经由过孔导体10b而与形成于接收用功能电极8的附近的接地端子9b连接。需要说明的是，高导热率导体层11a形成在与发送用功能电极7对应的区域，是指俯视观察压电基板6的主面时，高导热率导体层11a与发送用功能电极7重叠地形成。但是，高导热率导体层11a与发送用功能电极7至少局部地重叠即可。另外，高导热率导体层11b形成在与接收用功能电极8对应的区域，是指俯视观察压电基板6的主面时，高导热率导体层11b与接收用功能电极8重叠地形成。但是，高导热率导体层11b与接收用功能电极8至少局部地重叠即可。
高导热率导体层11a、11b例如由铝形成。但是，高导热率导体层11a、11b也可以取代铝而采用金、铜等。另外，除了所述单层的金属层之外也可以为钛及铜的层叠构造等。需要说明的是，高导热率导体层11a、11b中的“高导热率”，是指与构成压电基板6的材质相比为高导热率。
在基板1上倒装芯片安装有弹性波元件5。更具体而言，第一安装电极3与接地端子9a、9b通过凸起12而连接，并且，第二安装电极(未图示)与功能端子(未图示)通过凸起12而连接。凸起12例如由Au形成。
在安装有弹性波元件5的基板1上形成有外装树脂层13。外装树脂层13的材质是任意的，但例如能够使用环氧树脂。但是，对于外装树脂层13，也可以取代热固化型树脂、例如环氧树脂，而使用热塑性树脂、例如丙烯酸树脂等。
外装树脂层13未设置于压电基板6的形成有发送用功能电极7、接收用功能电极8的空间。即，在基板1的另一个主面(图中的上侧主面)与压电基板6的一个主面(图中的下侧主面)之间，因为间隔小所以树脂未进入，未设置外装树脂层13。需要说明的是，为了在该部分可靠地形成空间，也可以在基板1的另一个主面及压电基板6的一个主面的至少一方形成用于防止树脂流入的环状突起(堤坝)。
图2的(A)～图4的(K)示出弹性波装置100的制造方法的一例。
首先，如图2的(A)所示，准备压电基板6。需要说明的是，图2的(A)中示出了为了统一制造弹性波装置100而将多个压电基板6配置为矩阵状的母基板。
接下来，如图2的(B)所示，利用光刻技术，在压电基板6的一个主面(图中的下侧主面)形成发送用功能电极7、接收用功能电极8、功能端子(未图示)、接地端子9a、9b。
接下来，如图2的(C)所示，例如通过激光加工、喷射(blast)加工、超声波加工等方法，形成贯穿压电基板6的两个主面间的孔50a、50b。孔50a形成为到达形成于发送用功能电极7的附近的接地端子9a。孔50b形成为到达形成于接收用功能电极8的附近的接地端子9b。
接下来，如图2的(D)所示，在孔50a、50b，通过溅射法、蒸镀法而在贯通孔内部形成电极。另外，根据情况，通过电镀并使用Cu、Ni向贯通孔内填充电极，形成贯穿压电基板6的两个主面间的过孔导体10a、10b。
接下来，如图3的(E)所示，利用光刻技术，在压电基板6的另一个主面(图中的上侧主面)形成高导热率导体层11a、11b。
接下来，如图3的(F)所示，例如通过柱状凸起法(stud bump method)，在功能端子(未图示)的表面与接地端子9a、9b的表面形成凸起12。
接下来，如图3的(G)所示，将压电基板6分割为个个，完成弹性波元件5。
接下来，如图3的(H)所示，准备预先在一个主面(图中的下侧主面)形成了外部电极2、在另一个主面(图中的上侧主面)形成了第一安装电极3和第二安装电极(未图示)、且贯穿两个主面间形成了过孔导体4的基板1。由这种构造构成的基板1能够通过通常广泛使用的基板的制造方法来制作。需要说明的是，图3的(H)中示出了为了统一制造弹性波装置100而将多个基板1配置为矩阵状的母基板。
接下来，如图4的(I)所示，在基板1通过凸起12而倒装芯片安装弹性波元件5。更具体而言，将弹性波元件5配置于基板1的安装区域，在此基础上，一边对凸起12、第一安装电极3、第二安装电极进行加热，一边向基板1方向对弹性波元件5进行加压，并且施加超声波，从而使凸起12与第一安装电极3接合，并且使凸起12与第二安装电极接合。
接下来，如图4的(J)所示，在安装有弹性波元件5的基板1上例如用树脂进行模制而形成外装树脂层13。
最后，如图4的(K)所示，将弹性波装置100分割为个个，完成弹性波装置100。
本实施方式的弹性波装置100能够使由发送用功能电极7、接收用功能电极8产生的热经由接地端子9a、9b、过孔导体10a、10b、高导热率导体层11a、11b等而有效地散热。因此，抑制了弹性波装置100的因发热引起的特性下降、故障的产生。
需要说明的是，如上所述，通常，在双工器等弹性波元件5中，与接收用功能电极8相比，大多情况下发送用功能电极7产生大量的热。在本实施方式的弹性波装置100中，通过使高导热率导体层11a与高导热率导体层11b分离地形成，从而在发送用功能电极7中产生的热不会经由高导热率导体层11a、11b而向接收用功能电极8传递。即，在弹性波装置100中，采用了对策，使得不会由于在发送用功能电极7中产生的热而接收用功能电极8的功能(接收用滤波器的电气特性)下降。
另外，在本实施方式的弹性波装置100中，高导热率导体层11a经由过孔导体10a、接地端子9a、凸起12、第一安装电极3而与接地连接且被屏蔽，并且同样地，高导热率导体层11b经由过孔导体10b、接地端子9b、凸起12、第一安装电极3而与接地连接且被屏蔽。因此，在弹性波装置100中，利用高导热率导体层11a、11b，切断了来自外部的噪声、相邻的功能电极所产生的噪声，抑制了由于噪声而使发送用功能电极7的功能(发送用滤波器的电气特性)、接收用功能电极8的功能(接收用滤波器的电气特性)下降的情况。另外，在弹性波装置100中，利用高导热率导体层11a、11b，还抑制了发送用功能电极7、接收用功能电极8所产生的噪声向外部辐射的情况。
[第二实施方式]
图5示出第二实施方式的弹性波装置200。其中，图5是弹性波装置200的剖视图。
弹性波装置200针对第一实施方式的弹性波装置100的一部分结构施加了变更。具体而言，在弹性波装置100中，高导热率导体层11a、11b埋设在外装树脂层13的内部。在弹性波装置200中，取而代之，通过减小外装树脂层23的厚度，使高导热率导体层21a、21b从外装树脂层23的上侧主面露出到外部。弹性波装置200的其他结构与弹性波装置100相同。
弹性波装置200的高导热率导体层21a、21b与弹性波装置100的高导热率导体层11a、11b相比，散热效果优异，进一步可靠地抑制了因发热引起的特性下降、故障的产生。
[第三实施方式]
图6示出第三实施方式的弹性波装置300。其中，图6是弹性波装置300的剖视图。
弹性波装置300针对第二实施方式的弹性波装置200的一部分结构施加了变更。具体而言，在弹性波装置300中，将弹性波装置200的高导热率导体层21a、21b的面积分别增大而形成了高导热率导体层31a、31b。高导热率导体层31a向图中的左方向延长，形成至外装树脂层23的图中的左上的缘部。同样地，高导热率导体层31b向图中的右方向延长，形成至外装树脂层23的图中的右上的缘部。
弹性波装置300通过分别增大了高导热率导体层31a、31b的面积，从而进一步提高了由高导热率导体层31a、31b带来的散热效果及屏蔽效果。需要说明的是，在弹性波装置300中，也需要对上述的制造方法施加变更，需要在安装有弹性波元件5的基板1上形成外装树脂层23之后，再形成高导热率导体层31a、31b。
[第四实施方式]
图7示出第四实施方式的弹性波装置400。其中，图7是弹性波装置400的剖视图。
弹性波装置400针对第一实施方式的弹性波装置100的一部分结构施加了变更。具体而言，在弹性波装置400中，省略了弹性波装置100中的贯穿压电基板6的两个主面间而形成的、将高导热率导体层11a与接地端子9a连接的过孔导体10a。因此，在弹性波装置400中，高导热率导体层11a未与接地端子9a连接且未被屏蔽。弹性波装置400的其他结构与弹性波装置100相同。即，另一方的高导热率导体层11b通过过孔导体10b而与接地端子9b连接且被屏蔽。
如上所述，在发送用滤波器中，在滤波器的设计上，有时不将滤波器的接地端子直接与接地连接，而是在其间插入电感器的基础上与接地连接。在该情况下，当如弹性波装置100那样利用过孔导体10a连接高导热率导体层11a与接地端子9a时，有时滤波器的特性发生变动。对此，在弹性波装置400中，省略了弹性波装置100中的将高导热率导体层11a与接地端子9a连接的过孔导体10a，使得滤波器的特性不发生变动。
如上所述，通常，在双工器等弹性波元件中，接收用功能电极与发送用功能电极相比，较大地受到噪声的影响而成为深刻的问题。在弹性波装置400中，接收用功能电极8通过屏蔽后的高导热率导体层11b而从噪声切断从而受到保护，因此，该问题得以消除。
[第五实施方式]
图8示出第五实施方式的弹性波装置500。其中，图8是弹性波装置500的剖视图。
弹性波装置500针对第四实施方式的弹性波装置400的一部分结构施加了变更。具体而言，将高导热率导体层11a与高导热率导体层11b相连，形成为一个连续的高导热率导体层41。即，高导热率导体层41覆盖压电基板6的上侧主面的与发送用功能电极7对应的区域以及与接收用功能电极8对应的区域。高导热率导体层41经由形成于接收用功能电极8的附近的过孔导体10b、接地端子9b、凸起12、进而经由第一安装电极3而与接地连接，且被屏蔽。即，发送用的高导热率导体层与接收用的高导热率导体层也可以为一体。
需要说明的是，高导热率导体层41覆盖压电基板6的上侧主面的与发送用功能电极7对应的区域以及与接收用功能电极8对应的区域，是指俯视观察压电基板6的主面时，高导热率导体层41与发送用功能电极7及接收用功能电极8重叠地形成。但是，高导热率导体层41与发送用功能电极7至少局部地重叠即可，另外，高导热率导体层41与接收用功能电极8至少局部地重叠即可。
在弹性波装置500中，利用屏蔽后的高导热率导体层41，不仅保护接收用功能电极8免受噪声的影响，还保护发送用功能电极7免受噪声的影响。
以上，针对第一实施方式～第五实施方式的弹性波装置100、200、300、400、500进行了说明。然而，本发明不局限于上述内容，能够根据发明的主旨进行各种变更。
例如，在弹性波装置100、200、300、400、500中，弹性波元件5是具备发送用功能电极7和接收用功能电极8的双工器，但弹性波元件5不局限于双工器。
弹性波元件5也可以具备单一的功能电极来代替发送用功能电极7和接收用功能电极8。
另外，弹性波元件5也可以不是双工器，而是三工器、或者具备比它们更多的功能的多工器。
另外，弹性波元件5也可以具备多个发送用功能电极或多个接收用功能电极来代替发送用功能电极7和接收用功能电极8。
附图标记说明：
1…基板；
2…外部电极；
3…第一安装电极(接地用安装电极)；
4…导电过孔(形成于基板1的导电过孔)；
5…弹性波元件；
6…压电基板；
7…发送用功能电极；
8…接收用功能电极；
9a、9b…接地端子；
10a、10b…导电过孔(形成于压电基板6的导电过孔)；
11a、11b、21a、21b、31a、31b、41…高导热率导体层；
12…凸起；
13、23…外装树脂层；
100、200、300、400、500…弹性波装置。

Claims (7)

1.一种弹性波装置，具备基板和至少一个弹性波元件，
所述基板在一个主面形成有外部电极，在另一个主面形成有第一安装电极，
所述至少一个弹性波元件安装于所述基板的另一个主面，
所述弹性波元件具备压电基板，在所述压电基板的一个主面形成有接地端子，
所述接地端子与所述第一安装电极连接，其中，
在所述压电基板的另一个主面形成有导热率比该压电基板大的高导热率导体层，
贯穿所述压电基板的两个主面间而形成导电过孔，
所述高导热率导体层与所述接地端子通过所述导电过孔而连接。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述弹性波元件的至少一个是在一个所述压电基板构成的双工器或多工器，
在该弹性波元件的一个主面形成有发送用功能电极和接收用功能电极作为功能电极。
3.根据权利要求2所述的弹性波装置，其中，
所述高导热率导体层在所述压电基板的另一个主面中包含如下区域，即，分离为与所述发送用功能电极对应的区域以及与所述接收用功能电极对应的区域的区域。
4.根据权利要求3所述的弹性波装置，其中，
在与所述发送用功能电极对应的区域形成的所述高导热率导体层和在所述发送用功能电极的附近形成的所述接地端子通过所述导电过孔而连接。
5.根据权利要求3所述的弹性波装置，其中，
在与所述接收用功能电极对应的区域形成的所述高导热率导体层和在所述接收用功能电极的附近形成的所述接地端子通过所述导电过孔而连接。
6.根据权利要求2所述的弹性波装置，其中，
所述高导热率导体层形成为一个连续的导体层，该连续的导体层覆盖所述压电基板的另一个主面的与所述发送用功能电极对应的区域以及与所述发送用功能电极对应的区域。
7.根据权利要求6所述的弹性波装置，其中，
所述高导热率导体层与形成于所述接收用功能电极的附近的所述接地端子通过所述导电过孔而电连接。
CN201780040130.XA 2016-06-29 2017-06-27 弹性波装置 Pending CN109417375A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-129077 2016-06-29
JP2016129077 2016-06-29
PCT/JP2017/023651 WO2018003819A1 (ja) 2016-06-29 2017-06-27 弾性波装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109417375A true CN109417375A (zh) 2019-03-01

Family

ID=60785994

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780040130.XA Pending CN109417375A (zh) 2016-06-29 2017-06-27 弹性波装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10862450B2 (zh)
JP (1) JPWO2018003819A1 (zh)
CN (1) CN109417375A (zh)
WO (1) WO2018003819A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112016002825T5 (de) * 2015-06-24 2018-03-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filtervorrichtung für elastische Wellen
WO2019049830A1 (ja) * 2017-09-05 2019-03-14 株式会社村田製作所 フィルタ装置およびフィルタ装置の製造方法
DE102018108605A1 (de) * 2018-04-11 2019-10-17 RF360 Europe GmbH SAW-Resonator mit verbesserter Leistungsbeständigkeit und Wärmeresistenz und SAW-Resonator umfassendes HF-Filter
CN113016065A (zh) 2018-11-14 2021-06-22 株式会社村田制作所 电子部件以及具备该电子部件的电子部件模块
US11581870B2 (en) * 2019-09-27 2023-02-14 Skyworks Solutions, Inc. Stacked acoustic wave resonator package with laser-drilled VIAS
WO2023085362A1 (ja) * 2021-11-11 2023-05-19 株式会社村田製作所 弾性波装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001281478A (ja) * 2000-03-28 2001-10-10 Fujitsu Ltd 光集積回路
US6310422B1 (en) * 1998-03-12 2001-10-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave filter
JP2003087093A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP2005094405A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Tdk Corp 弾性表面波フィルタを備えた高周波モジュール
CN1652333A (zh) * 2004-02-05 2005-08-10 株式会社瑞萨科技 高频电路模块
JP2005217670A (ja) * 2004-01-28 2005-08-11 Kyocera Corp 弾性表面波装置および通信装置
JP2006120981A (ja) * 2004-10-25 2006-05-11 Alps Electric Co Ltd 電子部品及びその製造方法
US20160142041A1 (en) * 2014-11-13 2016-05-19 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave device, transceiver device, and mobile communication device
CN105609904A (zh) * 2015-12-29 2016-05-25 中国电子科技集团公司第二十六研究所 一种芯片级声表面波器件气密性封装及方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3915649B2 (ja) 2002-10-04 2007-05-16 エプソントヨコム株式会社 表面実装型ｓａｗデバイスの製造方法
US7332986B2 (en) * 2004-06-28 2008-02-19 Kyocera Corporation Surface acoustic wave apparatus and communications equipment
CN101401206B (zh) * 2006-03-29 2011-04-13 京瓷株式会社 电路组件和无线通信设备、以及电路组件的制造方法
US8004370B2 (en) * 2006-03-31 2011-08-23 Kyocera Corporation Surface acoustic wave element, surface acoustic wave apparatus, and communication apparatus
JP4858985B2 (ja) 2007-06-07 2012-01-18 ラピスセミコンダクタ株式会社 弾性表面波フィルタパッケージ
JP5686943B2 (ja) * 2008-09-17 2015-03-18 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス及びその製造方法
JP6284811B2 (ja) 2014-04-14 2018-02-28 太陽誘電株式会社 電子デバイス及びその製造方法
WO2016088681A1 (ja) * 2014-12-04 2016-06-09 株式会社村田製作所 電子部品及びその製造方法
DE112016002825T5 (de) * 2015-06-24 2018-03-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filtervorrichtung für elastische Wellen

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6310422B1 (en) * 1998-03-12 2001-10-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave filter
JP2001281478A (ja) * 2000-03-28 2001-10-10 Fujitsu Ltd 光集積回路
JP2003087093A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP2005094405A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Tdk Corp 弾性表面波フィルタを備えた高周波モジュール
JP2005217670A (ja) * 2004-01-28 2005-08-11 Kyocera Corp 弾性表面波装置および通信装置
CN1652333A (zh) * 2004-02-05 2005-08-10 株式会社瑞萨科技 高频电路模块
JP2006120981A (ja) * 2004-10-25 2006-05-11 Alps Electric Co Ltd 電子部品及びその製造方法
US20160142041A1 (en) * 2014-11-13 2016-05-19 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave device, transceiver device, and mobile communication device
CN105609904A (zh) * 2015-12-29 2016-05-25 中国电子科技集团公司第二十六研究所 一种芯片级声表面波器件气密性封装及方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2018003819A1 (ja) 2019-03-14
WO2018003819A1 (ja) 2018-01-04
US20190140615A1 (en) 2019-05-09
US10862450B2 (en) 2020-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109417375A (zh) 弹性波装置
JP6934324B2 (ja) 弾性波デバイス
TWI378765B (en) Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding and forming method thereof
JP2007311754A (ja) 半導体チップ、半導体チップの製造方法及び半導体チップパッケージ
CN103021972A (zh) 芯片封装结构及方法
CN106537773B (zh) 弹性波装置
KR101804496B1 (ko) 전자부품 및 그 제조방법
CN107005228A (zh) 电子部件及其制造方法
CN106471620A (zh) 电子元件安装用基板及电子装置
US20180277490A1 (en) Semiconductor package and manufacturing method thereof
JP2013251323A (ja) 電子部品
JP5636497B2 (ja) 電磁シールド及び放熱部を有する電子デバイス集合体の製造方法，並びに電磁シールド及び放熱部を有する電子デバイス
JP6495740B2 (ja) 電子素子実装用基板および電子装置
JP5286150B2 (ja) 電力変換用半導体装置
WO2018216693A1 (ja) 多数個取り配線基板、電子部品収納用パッケージ、および電子装置
JP2001127588A (ja) 弾性表面波分波器
JPWO2003079495A1 (ja) 柔軟性良導電層及びそれを用いた異方導電シート
JP4858985B2 (ja) 弾性表面波フィルタパッケージ
EP3323200B1 (de) Bauelement mit verbesserter wärmeableitung
JP7131626B2 (ja) 電子部品モジュール及び電子部品モジュールの製造方法
JP2015103888A (ja) 弾性波モジュールおよび通信装置
CN102714187A (zh) 电子部件用封装的基座和电子部件用封装
JP7320923B2 (ja) モジュール
US9935610B2 (en) Acoustic wave device
JP6737634B2 (ja) 放熱チップ及び放熱構造

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination