JP2001127588A - 弾性表面波分波器 - Google Patents
弾性表面波分波器Info
- Publication number
- JP2001127588A JP2001127588A JP30618199A JP30618199A JP2001127588A JP 2001127588 A JP2001127588 A JP 2001127588A JP 30618199 A JP30618199 A JP 30618199A JP 30618199 A JP30618199 A JP 30618199A JP 2001127588 A JP2001127588 A JP 2001127588A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- substrate
- wave filter
- base substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造が容易で、量産性に優れ、さらに弾性表
面波素子をフェースダウン接続することで低背化にも配
慮し、かつ特性劣化の少ない弾性表面波分波器を提供す
る。 【解決手段】 送信周波数を通過帯域とし受信周波数を
阻止帯域とする第１の弾性表面波フィルタ素子１と、前
記受信周波数を通過帯域とし前記送信周波数を阻止帯域
とする第２の弾性表面波フィルタ素子２とを有し、前記
第１、第２の弾性表面波フィルタ素子１，２が金属バン
プ３を介してベース基板１０にフェースダウン接続され
ており、前記ベース基板とは異なる上部基板２０の少な
くとも一方の面に集中定数回路素子１５が搭載されてお
り、前記ベース基板１０と前記上部基板２０とが枠形状
の中間基板１２を介して接合されている。
面波素子をフェースダウン接続することで低背化にも配
慮し、かつ特性劣化の少ない弾性表面波分波器を提供す
る。 【解決手段】 送信周波数を通過帯域とし受信周波数を
阻止帯域とする第１の弾性表面波フィルタ素子１と、前
記受信周波数を通過帯域とし前記送信周波数を阻止帯域
とする第２の弾性表面波フィルタ素子２とを有し、前記
第１、第２の弾性表面波フィルタ素子１，２が金属バン
プ３を介してベース基板１０にフェースダウン接続され
ており、前記ベース基板とは異なる上部基板２０の少な
くとも一方の面に集中定数回路素子１５が搭載されてお
り、前記ベース基板１０と前記上部基板２０とが枠形状
の中間基板１２を介して接合されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波フィル
タ素子を用いた弾性表面波分波器に係り、更に詳しく
は、製造が容易でかつ大幅な小型、低背化を実現させた
弾性表面波分波器の構成に関する。
タ素子を用いた弾性表面波分波器に係り、更に詳しく
は、製造が容易でかつ大幅な小型、低背化を実現させた
弾性表面波分波器の構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、弾性表面波分波器は、誘電体型
分波器に比べて小型軽量であることや、通過帯域の周波
数特性が優れていることを特徴として、携帯電話機を始
めとする移動体通信機器等に用途が広がっている。従来
これらの目的には、誘電体共振器型分波器等が用いられ
てきたが、小型軽量化に有利な点から弾性表面波分波器
が用いられようとしている。例えば、携帯電話機のアン
テナ直後の分波装置としては、数Ｗの電力での使用に耐
え得るための弾性表面波パターンの工夫や同電極材料の
開発により、様々な通信システムの要求にも応えられつ
つある。
分波器に比べて小型軽量であることや、通過帯域の周波
数特性が優れていることを特徴として、携帯電話機を始
めとする移動体通信機器等に用途が広がっている。従来
これらの目的には、誘電体共振器型分波器等が用いられ
てきたが、小型軽量化に有利な点から弾性表面波分波器
が用いられようとしている。例えば、携帯電話機のアン
テナ直後の分波装置としては、数Ｗの電力での使用に耐
え得るための弾性表面波パターンの工夫や同電極材料の
開発により、様々な通信システムの要求にも応えられつ
つある。
【０００３】ところで、これらの弾性表面波分波器は、
アンテナ側、送信側、受信側の３つの信号ポートを持
ち、送信側からの送信信号をアンテナへ、アンテナから
の受信信号を受信側へ分波するのが役割である。図８は
一般的な弾性表面波分波器のブロック図であり、第１の
弾性表面波フィルタ素子（送信フィルタ）１と、第２の
弾性表面波フィルタ素子（受信フィルタ）２と、アンテ
ナ側信号ポート５と、送信側信号ポート６と、受信側信
号ポート７の３つの信号ポートとを有している。さら
に、送信フィルタ１及び受信フィルタ２のアンテナ側に
は、フィルタ、整合、サージ電流抑圧の少なくともいず
れかの機能を有する周辺回路８，９がそれぞれ挿入され
ている。
アンテナ側、送信側、受信側の３つの信号ポートを持
ち、送信側からの送信信号をアンテナへ、アンテナから
の受信信号を受信側へ分波するのが役割である。図８は
一般的な弾性表面波分波器のブロック図であり、第１の
弾性表面波フィルタ素子（送信フィルタ）１と、第２の
弾性表面波フィルタ素子（受信フィルタ）２と、アンテ
ナ側信号ポート５と、送信側信号ポート６と、受信側信
号ポート７の３つの信号ポートとを有している。さら
に、送信フィルタ１及び受信フィルタ２のアンテナ側に
は、フィルタ、整合、サージ電流抑圧の少なくともいず
れかの機能を有する周辺回路８，９がそれぞれ挿入され
ている。
【０００４】図９は弾性表面波分波器の従来技術の１例
であり、ベース基板１０上に弾性表面波フィルタ素子
１，２を弾性表面波活性部や接続用パッドを上にして搭
載し、ワイヤボンド接続としたものである。また、同一
基板１０上に集中定数回路素子１５をハンダ付け等で搭
載している。なお、４１はパッケージのケース蓋、４２
は外部端子である。
であり、ベース基板１０上に弾性表面波フィルタ素子
１，２を弾性表面波活性部や接続用パッドを上にして搭
載し、ワイヤボンド接続としたものである。また、同一
基板１０上に集中定数回路素子１５をハンダ付け等で搭
載している。なお、４１はパッケージのケース蓋、４２
は外部端子である。
【０００５】移動体通信機器において、８００ＭＨｚか
ら２ＧＨｚを越える周波数帯に、送信周波数と受信周波
数の通過帯域が近接して配置されているのが一般的であ
る。一例としてＧＳＭシステムにおいては、送信周波数
帯域は８９０〜９１５ＭＨｚ、受信周波数帯域は９３５
〜９６０ＭＨｚである。
ら２ＧＨｚを越える周波数帯に、送信周波数と受信周波
数の通過帯域が近接して配置されているのが一般的であ
る。一例としてＧＳＭシステムにおいては、送信周波数
帯域は８９０〜９１５ＭＨｚ、受信周波数帯域は９３５
〜９６０ＭＨｚである。
【０００６】分波器においては送信フィルタ及びその周
辺回路は、送信周波数において低損失でアンテナ側へ信
号を伝送し、同時に受信側への信号の流入を阻止する必
要がある。また受信側フィルタ及びその周辺回路は、受
信周波数において低損失でアンテナ側から信号を受信側
へ伝送し、同時に送信側回路への信号の流入を阻止する
必要がある。
辺回路は、送信周波数において低損失でアンテナ側へ信
号を伝送し、同時に受信側への信号の流入を阻止する必
要がある。また受信側フィルタ及びその周辺回路は、受
信周波数において低損失でアンテナ側から信号を受信側
へ伝送し、同時に送信側回路への信号の流入を阻止する
必要がある。
【０００７】このため、送信フィルタ及びその周辺回路
をアンテナ側から見た場合、そのインピーダンスは送信
周波数では伝送インピーダンス（一般には５０Ω）に近
く、受信周波数では無限大（位相は０度近辺）に近いの
が望ましい。同様に受信フィルタ及びその周辺回路をア
ンテナ側から見た場合、そのインピーダンスは受信周波
数では伝送インピーダンス（一般には５０Ω）に近く、
送信周波数では無限大（位相は０度近辺）に近いのが望
ましい。
をアンテナ側から見た場合、そのインピーダンスは送信
周波数では伝送インピーダンス（一般には５０Ω）に近
く、受信周波数では無限大（位相は０度近辺）に近いの
が望ましい。同様に受信フィルタ及びその周辺回路をア
ンテナ側から見た場合、そのインピーダンスは受信周波
数では伝送インピーダンス（一般には５０Ω）に近く、
送信周波数では無限大（位相は０度近辺）に近いのが望
ましい。
【０００８】受信周波数と送信周波数が近接している場
合、相互の周波数帯域を通過、阻止するためには急峻な
周波数特性を持った弾性表面波フィルタ素子を用いる
が、更に上記インピーダンス条件等、各種要求を弾性表
面波フィルタ素子のみで実現するのが困難な場合、それ
らフィルタ素子の周辺に周辺回路を設ける必要がある。
合、相互の周波数帯域を通過、阻止するためには急峻な
周波数特性を持った弾性表面波フィルタ素子を用いる
が、更に上記インピーダンス条件等、各種要求を弾性表
面波フィルタ素子のみで実現するのが困難な場合、それ
らフィルタ素子の周辺に周辺回路を設ける必要がある。
【０００９】従来、これら周辺回路と弾性表面波フィル
タとを一体に作製する試みがなされているが、製造が容
易でかつ更なる小型低背の要求に応え得る構造を実現す
るのは容易ではなかった。
タとを一体に作製する試みがなされているが、製造が容
易でかつ更なる小型低背の要求に応え得る構造を実現す
るのは容易ではなかった。
【００１０】更に、上記周辺回路としては、前述のイン
ピーダンス条件を実現するための整合回路のほかに、ア
ンテナから飛び込むサージ電流による弾性表面波フィル
タ素子の破壊を防止するためのサージ電流抑圧回路、さ
らには広帯域で見た場合の高周波側あるいは低周波側の
伝送特性を抑圧するためのフィルタ回路が考えられる
が、いずれも集中定数回路素子を用いることで実現でき
る。サージ電流抑圧回路には、チップバリスタ等も使用
可能であり、また広帯域のフィルタ回路も同様であっ
て、これらは本発明出願時点ですでに１．６×０．８mm
形状のチップ部品にて市販されており、充分適用可能で
ある。
ピーダンス条件を実現するための整合回路のほかに、ア
ンテナから飛び込むサージ電流による弾性表面波フィル
タ素子の破壊を防止するためのサージ電流抑圧回路、さ
らには広帯域で見た場合の高周波側あるいは低周波側の
伝送特性を抑圧するためのフィルタ回路が考えられる
が、いずれも集中定数回路素子を用いることで実現でき
る。サージ電流抑圧回路には、チップバリスタ等も使用
可能であり、また広帯域のフィルタ回路も同様であっ
て、これらは本発明出願時点ですでに１．６×０．８mm
形状のチップ部品にて市販されており、充分適用可能で
ある。
【００１１】また、分波器はアンテナに直結して送信信
号電力の通過又は阻止をさせるため、分波器内部の損失
が熱として発生し分波器内部の温度上昇を招くこともよ
く知られており、分波器自体の寿命に影響を与える。
号電力の通過又は阻止をさせるため、分波器内部の損失
が熱として発生し分波器内部の温度上昇を招くこともよ
く知られており、分波器自体の寿命に影響を与える。
【００１２】更に詳しくは、弾性表面波素子は、圧電基
板上に、微細なすだれ状電極（ＩＤＴ）とよばれる電極
指を形成し、これに電気信号を印加することにより、電
極指の形状によって決まる通過帯域特性及び帯域外抑圧
特性を実現しようとするものである。
板上に、微細なすだれ状電極（ＩＤＴ）とよばれる電極
指を形成し、これに電気信号を印加することにより、電
極指の形状によって決まる通過帯域特性及び帯域外抑圧
特性を実現しようとするものである。
【００１３】しかしながら、この弾性表面波素子に、数
Ｗの電力を通過させる場合、その信号電力が大きくなる
とＩＤＴ電極指が次第に破壊されて行き、特性が劣化
し、遂には、断線や短絡を引き起こして故障に至る現象
はよく知られているところである。この現象は、ストレ
スマイグレーションと呼ばれ、弾性表面波の機械的振動
が電極指に繰り返しストレスを与えることと発熱が劣化
の主原因と言われている。
Ｗの電力を通過させる場合、その信号電力が大きくなる
とＩＤＴ電極指が次第に破壊されて行き、特性が劣化
し、遂には、断線や短絡を引き起こして故障に至る現象
はよく知られているところである。この現象は、ストレ
スマイグレーションと呼ばれ、弾性表面波の機械的振動
が電極指に繰り返しストレスを与えることと発熱が劣化
の主原因と言われている。
【００１４】したがって、弾性表面波分波器内部で発生
した熱をいかに効率よく外部へ伝搬させるかも重要とな
る。
した熱をいかに効率よく外部へ伝搬させるかも重要とな
る。
【００１５】弾性表面波分波器を小型に実現する手段と
しては、特開平８−１９１２３０号公報においてパッケ
ージのキャップを多層基板とし、その中に２つの位相回
路と２つのローパスフィルタを形成することが示されて
いる。これは、技術的には可能であるものの各回路をす
べてこのキャップに作り込むには量産的困難さが伴うば
かりでなく、実際に必要な回路数値（例えば５ｎＨを１
０mm角以内に作製）を得るには、通常のスクリーン印刷
での精度では不足なことが当該業者には明白であり、結
果的に大形になり、かつ汎用性のない部材となってしま
う。更に、低背化に有効な弾性表面波フィルタ素子のフ
ェースダウン接続及びそれに付随した発明はその実施例
からも意図されておらず、小型化には不利である。
しては、特開平８−１９１２３０号公報においてパッケ
ージのキャップを多層基板とし、その中に２つの位相回
路と２つのローパスフィルタを形成することが示されて
いる。これは、技術的には可能であるものの各回路をす
べてこのキャップに作り込むには量産的困難さが伴うば
かりでなく、実際に必要な回路数値（例えば５ｎＨを１
０mm角以内に作製）を得るには、通常のスクリーン印刷
での精度では不足なことが当該業者には明白であり、結
果的に大形になり、かつ汎用性のない部材となってしま
う。更に、低背化に有効な弾性表面波フィルタ素子のフ
ェースダウン接続及びそれに付随した発明はその実施例
からも意図されておらず、小型化には不利である。
【００１６】また、特開平１０−１２６２１３号公報も
同様であり、位相整合回路を、本発明で示すところの中
間基板の内部に形成することが示されている。これは更
に回路を形成するエリアが限定され、実現に困難さが伴
う。
同様であり、位相整合回路を、本発明で示すところの中
間基板の内部に形成することが示されている。これは更
に回路を形成するエリアが限定され、実現に困難さが伴
う。
【００１７】更に、特開平９−５１２０６号公報は、多
層パッケージの層間及びパッケージ表面に位相整合回路
を形成しており、回路構成によっては作製が可能である
が、やはり低背化に困難さが伴うという問題が残ってい
る。
層パッケージの層間及びパッケージ表面に位相整合回路
を形成しており、回路構成によっては作製が可能である
が、やはり低背化に困難さが伴うという問題が残ってい
る。
【００１８】特開平５−９５２５３号公報においては、
ベース基板上に整合回路と弾性表面波フィルタ素子を平
面的に搭載しており、低背化には一定の効果が認められ
るが、整合回路の各回路定数を実現するためにはかなり
の面積が必要とされ、小型化には限界がある。
ベース基板上に整合回路と弾性表面波フィルタ素子を平
面的に搭載しており、低背化には一定の効果が認められ
るが、整合回路の各回路定数を実現するためにはかなり
の面積が必要とされ、小型化には限界がある。
【００１９】弾性表面波分波器の回路（低域ろ波器）に
集中定数回路を用いるものとしては、特開平９−９８０
４６号公報に集中定数回路を用いて弾性表面波分波器を
作製することが可能なことが示されているが、小型化へ
の記述がなく、上記特開平５−９５２５３号公報と同様
の構成（当該公報の図１０）が示されているのみであ
る。これらは、弾性表面波フィルタ素子を搭載して後、
集中定数回路素子をリフローハンダ付けするか、又はそ
の逆の手順で作製されると考えられる。しかし、ハンダ
付けを後に行うとフラックスが弾性表面波素子の表面に
付着して電気的特性が発現しなくなり、またハンダ付け
を先に行うとベース基板の反りなどで弾性表面波フィル
タ素子の搭載及びワイヤ接続の安定性が劣化し量産性に
問題が残る。更にこれらの配置をとったうえで低背化の
ために弾性表面波素子をフェースダウン接続した場合
は、ハンダリフロー後のベース基板表面の状態が変化し
てフェースダウン接続条件が厳しくなるという問題も起
こる。
集中定数回路を用いるものとしては、特開平９−９８０
４６号公報に集中定数回路を用いて弾性表面波分波器を
作製することが可能なことが示されているが、小型化へ
の記述がなく、上記特開平５−９５２５３号公報と同様
の構成（当該公報の図１０）が示されているのみであ
る。これらは、弾性表面波フィルタ素子を搭載して後、
集中定数回路素子をリフローハンダ付けするか、又はそ
の逆の手順で作製されると考えられる。しかし、ハンダ
付けを後に行うとフラックスが弾性表面波素子の表面に
付着して電気的特性が発現しなくなり、またハンダ付け
を先に行うとベース基板の反りなどで弾性表面波フィル
タ素子の搭載及びワイヤ接続の安定性が劣化し量産性に
問題が残る。更にこれらの配置をとったうえで低背化の
ために弾性表面波素子をフェースダウン接続した場合
は、ハンダリフロー後のベース基板表面の状態が変化し
てフェースダウン接続条件が厳しくなるという問題も起
こる。
【００２０】耐電力性の向上を意図した構成法として
は、特開平９−２３２９１０号公報の請求項４におい
て、平板多層分波器パッケージにおいて分波回路及び整
合回路に耐電力性能向上回路を設ける旨の記載が見られ
るが、具体的構成手段が示されておらず、実現は困難で
ある。
は、特開平９−２３２９１０号公報の請求項４におい
て、平板多層分波器パッケージにおいて分波回路及び整
合回路に耐電力性能向上回路を設ける旨の記載が見られ
るが、具体的構成手段が示されておらず、実現は困難で
ある。
【００２１】また、耐電力性を必要とする弾性表面波分
波器の発明として、特開平９−３０７３９９号公報に
は、送受信用弾性表面波フィルタを同一素子上に構成し
た上で、相互のフィルタの干渉を防ぐ目的で、送受信フ
ィルタ間にシールドパターンを設けたり（同公報請求項
２）、送受信フィルタ間に吸音材を配置したり（同公報
請求項９）することが記載されているが、発生した熱の
放散に関しては、知見が示されていない。特性劣化防止
のために、電極指パターン形状の工夫や、電極材の検討
は多く見られるところであるが、発生した熱の放散に対
する発明は十分なされていないのが現状である。
波器の発明として、特開平９−３０７３９９号公報に
は、送受信用弾性表面波フィルタを同一素子上に構成し
た上で、相互のフィルタの干渉を防ぐ目的で、送受信フ
ィルタ間にシールドパターンを設けたり（同公報請求項
２）、送受信フィルタ間に吸音材を配置したり（同公報
請求項９）することが記載されているが、発生した熱の
放散に関しては、知見が示されていない。特性劣化防止
のために、電極指パターン形状の工夫や、電極材の検討
は多く見られるところであるが、発生した熱の放散に対
する発明は十分なされていないのが現状である。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の点に
鑑み、製造が容易で、量産性に優れ、さらに弾性表面波
素子をフェースダウン接続することで低背化にも配慮
し、かつ特性劣化の少ない弾性表面波分波器を提供する
ことを目的とする。
鑑み、製造が容易で、量産性に優れ、さらに弾性表面波
素子をフェースダウン接続することで低背化にも配慮
し、かつ特性劣化の少ない弾性表面波分波器を提供する
ことを目的とする。
【００２３】本発明のその他の目的や新規な特徴は後述
の実施の形態において明らかにする。
の実施の形態において明らかにする。
【００２４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願請求項１の発明に係る弾性表面波分波器は、送
信周波数を通過帯域とし受信周波数を阻止帯域とする第
１の弾性表面波フィルタ素子と、前記受信周波数を通過
帯域とし前記送信周波数を阻止帯域とする第２の弾性表
面波フィルタ素子とを有し、前記第１、第２の弾性表面
波フィルタ素子の少なくとも一方が金属バンプを介して
ベース基板にフェースダウン接続されており、前記ベー
ス基板とは異なる付加基板の少なくとも一方の面に集中
定数回路素子が搭載されており、前記ベース基板と前記
付加基板とが中間基板を介して接合されていることを特
徴としている。
に、本願請求項１の発明に係る弾性表面波分波器は、送
信周波数を通過帯域とし受信周波数を阻止帯域とする第
１の弾性表面波フィルタ素子と、前記受信周波数を通過
帯域とし前記送信周波数を阻止帯域とする第２の弾性表
面波フィルタ素子とを有し、前記第１、第２の弾性表面
波フィルタ素子の少なくとも一方が金属バンプを介して
ベース基板にフェースダウン接続されており、前記ベー
ス基板とは異なる付加基板の少なくとも一方の面に集中
定数回路素子が搭載されており、前記ベース基板と前記
付加基板とが中間基板を介して接合されていることを特
徴としている。
【００２５】かかる請求項１の発明によれば、ベース基
板及び付加基板を別々に作製し、前記ベース基板には、
予め金属バンプをその表面に形成した弾性表面波フィル
タ素子をフェースダウン接続し、また前記付加基板には
集中定数回路素子をリフローハンダ付け等で搭載するこ
とができる。従って、前記ベース基板での工程と、前記
付加基板での工程が互いに影響を及ぼすことはなく、従
来技術において問題となるような、同一基板に弾性表面
波フィルタ素子と集中定数回路素子を搭載することによ
る問題点を解決できる。
板及び付加基板を別々に作製し、前記ベース基板には、
予め金属バンプをその表面に形成した弾性表面波フィル
タ素子をフェースダウン接続し、また前記付加基板には
集中定数回路素子をリフローハンダ付け等で搭載するこ
とができる。従って、前記ベース基板での工程と、前記
付加基板での工程が互いに影響を及ぼすことはなく、従
来技術において問題となるような、同一基板に弾性表面
波フィルタ素子と集中定数回路素子を搭載することによ
る問題点を解決できる。
【００２６】また、ベース基板に弾性表面波フィルタ素
子をフェースダウン接続した構成であり、小型低背化が
可能である。つまり、前記弾性表面波フィルタ素子をフ
ェースダウン接続したことで、弾性表面波フィルタ素子
の上端までの高さは、弾性表面波フィルタ素子の素子厚
と接合後の金属バンプの高さしかなく、かつワイヤボン
ドを使わないので上部にワイヤループを形成するための
空間も必要ない。弾性表面波フィルタ素子の電極パター
ンは素子下面にあるのみであるから、付加基板及びそこ
に搭載された集中定数回路素子が弾性表面波フィルタ素
子にぎりぎりまで近づいても問題はなく、前記ベース基
板に付加基板を中間基板を介して重ねた多段構造であっ
ても最大限の低背化が可能となる。
子をフェースダウン接続した構成であり、小型低背化が
可能である。つまり、前記弾性表面波フィルタ素子をフ
ェースダウン接続したことで、弾性表面波フィルタ素子
の上端までの高さは、弾性表面波フィルタ素子の素子厚
と接合後の金属バンプの高さしかなく、かつワイヤボン
ドを使わないので上部にワイヤループを形成するための
空間も必要ない。弾性表面波フィルタ素子の電極パター
ンは素子下面にあるのみであるから、付加基板及びそこ
に搭載された集中定数回路素子が弾性表面波フィルタ素
子にぎりぎりまで近づいても問題はなく、前記ベース基
板に付加基板を中間基板を介して重ねた多段構造であっ
ても最大限の低背化が可能となる。
【００２７】本願請求項２の発明に係る弾性表面波分波
器は、請求項１において、前記付加基板と前記ベース基
板はそれぞれ周縁部に電気接続用又は熱伝導用の外部端
子を有し、前記電気接続用の外部端子を介して、前記付
加基板に設けられた回路配線と前記ベース基板に設けら
れた回路配線とが接続されていることを特徴としてい
る。
器は、請求項１において、前記付加基板と前記ベース基
板はそれぞれ周縁部に電気接続用又は熱伝導用の外部端
子を有し、前記電気接続用の外部端子を介して、前記付
加基板に設けられた回路配線と前記ベース基板に設けら
れた回路配線とが接続されていることを特徴としてい
る。
【００２８】かかる請求項２の発明によれば、前記付加
基板とベース基板とを電気的接続する構成として、前記
付加基板及びベース基板の周囲に設けた外部端子を介し
て接続することが可能である。外部端子は各基板の外周
部上に中心を持つスルーホールを形成した後、その内面
に電極を形成し、切断により半円状に形成すること等で
作製できる。ベース基板の外部端子を外部回路との接続
端子として用いるのは一般的であるが、さらに前記付加
基板、中間基板、ベース基板の共通の位置に外部端子を
設けて、これらを電気的に接続することにより、回路接
続が最小限の面積で可能となる。外部回路との接続には
用いない外部端子を利用することにより、前記付加基板
とベース基板相互の中間的接続に用いることもできる。
基板とベース基板とを電気的接続する構成として、前記
付加基板及びベース基板の周囲に設けた外部端子を介し
て接続することが可能である。外部端子は各基板の外周
部上に中心を持つスルーホールを形成した後、その内面
に電極を形成し、切断により半円状に形成すること等で
作製できる。ベース基板の外部端子を外部回路との接続
端子として用いるのは一般的であるが、さらに前記付加
基板、中間基板、ベース基板の共通の位置に外部端子を
設けて、これらを電気的に接続することにより、回路接
続が最小限の面積で可能となる。外部回路との接続には
用いない外部端子を利用することにより、前記付加基板
とベース基板相互の中間的接続に用いることもできる。
【００２９】本願請求項３の発明に係る弾性表面波分波
器は、請求項１又は２において、前記付加基板の前記ベ
ース基板への対向面側に設けられた前記集中定数回路素
子は、前記ベース基板の厚み方向において前記第１及び
第２の弾性表面波フィルタ素子とは重ならず、前記第１
及び第２の弾性表面波フィルタ素子と前記集中定数回路
素子とは互いに間挿されていることを特徴としている。
器は、請求項１又は２において、前記付加基板の前記ベ
ース基板への対向面側に設けられた前記集中定数回路素
子は、前記ベース基板の厚み方向において前記第１及び
第２の弾性表面波フィルタ素子とは重ならず、前記第１
及び第２の弾性表面波フィルタ素子と前記集中定数回路
素子とは互いに間挿されていることを特徴としている。
【００３０】かかる請求項３の発明によれば、前記付加
基板のベース基板への対向面に集中定数回路素子を搭載
する場合、ベース基板の厚み方向において弾性表面波フ
ィルタ素子と集中定数回路素子とがお互いに重ならない
ようにすることにより、上部基板とベース基板との間の
距離を最小にできる。すなわち、本構成をとった場合、
弾性表面波フィルタ素子と集中定数回路素子のうち最も
高さの高いものより僅かに大きく前記中間基板の厚みを
決めればよい。
基板のベース基板への対向面に集中定数回路素子を搭載
する場合、ベース基板の厚み方向において弾性表面波フ
ィルタ素子と集中定数回路素子とがお互いに重ならない
ようにすることにより、上部基板とベース基板との間の
距離を最小にできる。すなわち、本構成をとった場合、
弾性表面波フィルタ素子と集中定数回路素子のうち最も
高さの高いものより僅かに大きく前記中間基板の厚みを
決めればよい。
【００３１】本願請求項４の発明に係る弾性表面波分波
器は、請求項１，２又は３において、前記付加基板の前
記ベース基板への対向面側に設けられた回路配線又は前
記集中定数回路素子の少なくとも一部と、前記第１又は
第２の弾性表面波フィルタ素子の少なくとも一部とが、
熱伝導部材により接合されていることを特徴としてい
る。
器は、請求項１，２又は３において、前記付加基板の前
記ベース基板への対向面側に設けられた回路配線又は前
記集中定数回路素子の少なくとも一部と、前記第１又は
第２の弾性表面波フィルタ素子の少なくとも一部とが、
熱伝導部材により接合されていることを特徴としてい
る。
【００３２】かかる請求項４の発明によれば、前記付加
基板の前記ベース基板への対向面側に設けられた回路配
線又は前記集中定数回路素子の少なくとも一部と、前記
第１又は第２の弾性表面波フィルタ素子の少なくとも一
部とを、熱伝導部材により接合することで、前記弾性表
面波フィルタ素子において発生する熱を放出する外部へ
の熱伝導経路を確保可能となる。例えば、弾性表面波フ
ィルタ素子のフェースダウン接続構成においては、前記
付加基板の回路配線の一部を熱伝導経路として用いるこ
とができ、弾性表面波フィルタ素子上面（弾性表面波電
極パターンの裏面）との間に熱伝導部材を挟み込むだけ
でよい。更には、前記付加基板のベース基板への対向面
に搭載された集中定数回路素子の端子電極を熱伝導経路
として使用できるので、弾性表面波フィルタ素子上面と
集中定数回路素子の端子電極との間に熱伝導部材を挟み
込むこともできる。この構成を取ることにより、各素子
の配置の自由度が増す。
基板の前記ベース基板への対向面側に設けられた回路配
線又は前記集中定数回路素子の少なくとも一部と、前記
第１又は第２の弾性表面波フィルタ素子の少なくとも一
部とを、熱伝導部材により接合することで、前記弾性表
面波フィルタ素子において発生する熱を放出する外部へ
の熱伝導経路を確保可能となる。例えば、弾性表面波フ
ィルタ素子のフェースダウン接続構成においては、前記
付加基板の回路配線の一部を熱伝導経路として用いるこ
とができ、弾性表面波フィルタ素子上面（弾性表面波電
極パターンの裏面）との間に熱伝導部材を挟み込むだけ
でよい。更には、前記付加基板のベース基板への対向面
に搭載された集中定数回路素子の端子電極を熱伝導経路
として使用できるので、弾性表面波フィルタ素子上面と
集中定数回路素子の端子電極との間に熱伝導部材を挟み
込むこともできる。この構成を取ることにより、各素子
の配置の自由度が増す。
【００３３】本願請求項５の発明に係る弾性表面波分波
器は、請求項１，２，３又は４において、前記ベース基
板、前記付加基板、前記中間基板、それら基板を相互に
接続する部材のうち少なくとも２つ以上の部材は、同一
の基材により構成されていることを特徴としている。
器は、請求項１，２，３又は４において、前記ベース基
板、前記付加基板、前記中間基板、それら基板を相互に
接続する部材のうち少なくとも２つ以上の部材は、同一
の基材により構成されていることを特徴としている。
【００３４】前記ベース基板、前記付加基板、前記中間
基板、それら基板を相互に接続する部材はそれぞれ熱膨
張係数を持っており、組立時の加熱や外部回路基板への
ハンダ付け搭載時の加熱、又は使用状態等において相互
に応力を発生する可能性があるが、請求項５によれば、
前記ベース基板、前記付加基板、前記中間基板、それら
基板を相互に接続する部材のうち少なくとも２つを、好
ましくは全ての部材を同一の基材にすることにより応力
を緩和できる。
基板、それら基板を相互に接続する部材はそれぞれ熱膨
張係数を持っており、組立時の加熱や外部回路基板への
ハンダ付け搭載時の加熱、又は使用状態等において相互
に応力を発生する可能性があるが、請求項５によれば、
前記ベース基板、前記付加基板、前記中間基板、それら
基板を相互に接続する部材のうち少なくとも２つを、好
ましくは全ての部材を同一の基材にすることにより応力
を緩和できる。
【００３５】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る弾性表面波分
波器の実施の形態を図面に従って説明する。
波器の実施の形態を図面に従って説明する。
【００３６】図１は、本発明に係る弾性表面波分波器の
第１の実施の形態の正断面図、図２は平面図であり、図
１は図２のI−I断面である。その構成は、第１の弾性表
面波フィルタ素子１と第２の弾性表面波フィルタ素子
２、接続バンプ３、弾性表面波フィルタ素子を搭載した
ベース基板１０、第１接合部材１１、中間基板１２、第
２接合部材１３、集中定数回路素子１５を搭載した付加
基板としての上部基板２０よりなる。
第１の実施の形態の正断面図、図２は平面図であり、図
１は図２のI−I断面である。その構成は、第１の弾性表
面波フィルタ素子１と第２の弾性表面波フィルタ素子
２、接続バンプ３、弾性表面波フィルタ素子を搭載した
ベース基板１０、第１接合部材１１、中間基板１２、第
２接合部材１３、集中定数回路素子１５を搭載した付加
基板としての上部基板２０よりなる。
【００３７】第１の弾性表面波フィルタ素子１は、送信
周波数を通過帯域とし受信周波数を阻止帯域とする送信
フィルタ、第２の弾性表面波フィルタ素子２は、前記受
信周波数を通過帯域とし前記送信周波数を阻止帯域とす
る受信フィルタである。
周波数を通過帯域とし受信周波数を阻止帯域とする送信
フィルタ、第２の弾性表面波フィルタ素子２は、前記受
信周波数を通過帯域とし前記送信周波数を阻止帯域とす
る受信フィルタである。
【００３８】ベース基板１０及び上部基板２０はその表
裏面に導電性の回路配線パターン１６，２１を有してい
る。また、ベース基板１０、中間基板１２及び上部基板
２０の側面には、外部端子２２がそれぞれ設けられる。
図２に示すように、１つの側面の外部端子２２はアンテ
ナ側信号ポート５を、別の側面の外部端子２２は送信側
信号ポート６を、さらに別の側面の外部端子２２は受信
側信号ポート７を例えば構成するようになっている。ベ
ース基板１０の底面には外部回路との接続に用いられる
外部端子２２と接続する面装着のための底面電極２３が
形成されている。
裏面に導電性の回路配線パターン１６，２１を有してい
る。また、ベース基板１０、中間基板１２及び上部基板
２０の側面には、外部端子２２がそれぞれ設けられる。
図２に示すように、１つの側面の外部端子２２はアンテ
ナ側信号ポート５を、別の側面の外部端子２２は送信側
信号ポート６を、さらに別の側面の外部端子２２は受信
側信号ポート７を例えば構成するようになっている。ベ
ース基板１０の底面には外部回路との接続に用いられる
外部端子２２と接続する面装着のための底面電極２３が
形成されている。
【００３９】前記ベース基板１０及び上部基板２０は回
路配線パターンと共に別々に作製しておき、ベース基板
１０への部品の搭載、及び上部基板２０への部品の搭載
はそれぞれ別の工程で行われる。
路配線パターンと共に別々に作製しておき、ベース基板
１０への部品の搭載、及び上部基板２０への部品の搭載
はそれぞれ別の工程で行われる。
【００４０】前記ベース基板１０への弾性表面波フィル
タ素子１，２の取り付けは次のようにして行う。弾性表
面波フィルタ素子１，２は、その一面に弾性表面波活性
部と配線と素子外部との接続用パッドが構成されてお
り、図１では下面にあたる。この接続用パッドに予めボ
ール状の接続バンプ３を形成しておくが、金細線を用い
た超音波熱圧着による形成や、ハンダボールの搭載等が
バンプ形成に利用できる。このバンプ３を搭載した弾性
表面波フィルタ素子１，２を下面に向けてベース基板１
０上の回路配線パターン１６に対して超音波熱圧着、熱
圧着、又は導電性接着剤による接着等の手段により接続
する。両フィルタ１，２とも同一方法で接続可能であ
り、同時接続も可能である。弾性表面波フィルタ素子は
送信フィルタと受信フィルタを同一素子上に形成しても
よく、この場合は接続は１回で済む。
タ素子１，２の取り付けは次のようにして行う。弾性表
面波フィルタ素子１，２は、その一面に弾性表面波活性
部と配線と素子外部との接続用パッドが構成されてお
り、図１では下面にあたる。この接続用パッドに予めボ
ール状の接続バンプ３を形成しておくが、金細線を用い
た超音波熱圧着による形成や、ハンダボールの搭載等が
バンプ形成に利用できる。このバンプ３を搭載した弾性
表面波フィルタ素子１，２を下面に向けてベース基板１
０上の回路配線パターン１６に対して超音波熱圧着、熱
圧着、又は導電性接着剤による接着等の手段により接続
する。両フィルタ１，２とも同一方法で接続可能であ
り、同時接続も可能である。弾性表面波フィルタ素子は
送信フィルタと受信フィルタを同一素子上に形成しても
よく、この場合は接続は１回で済む。
【００４１】上部基板２０に対して搭載する集中定数回
路素子１５は、弾性表面波分波器を外部回路と接続する
際のリフロー加熱に対して再溶融しない高温ハンダ又は
導電ペースト等を選択して、基板２０の回路配線パター
ン２１に接続固着する。集中定数回路素子１５をリフロ
ーハンダ付けする場合、後洗浄を行う。また、弾性表面
波フィルタ素子１，２に用いたバンプ接続の手法をこの
集中定数回路素子１５に適用すると、ハンダフィレット
がないので小面積化に有効である。また、集中定数回路
素子１５の配置は枠体である中間基板の内部あるいは外
部で容易に変えられる。
路素子１５は、弾性表面波分波器を外部回路と接続する
際のリフロー加熱に対して再溶融しない高温ハンダ又は
導電ペースト等を選択して、基板２０の回路配線パター
ン２１に接続固着する。集中定数回路素子１５をリフロ
ーハンダ付けする場合、後洗浄を行う。また、弾性表面
波フィルタ素子１，２に用いたバンプ接続の手法をこの
集中定数回路素子１５に適用すると、ハンダフィレット
がないので小面積化に有効である。また、集中定数回路
素子１５の配置は枠体である中間基板の内部あるいは外
部で容易に変えられる。
【００４２】集中定数回路素子１５は一般的市販品だけ
でも１．６×０．８×０．８mm、１．０×０．５×０．
５mm、０．６×０．３×０．３mm等のチップ形状があ
り、分波器に必要な電力耐性を持ったものを選択する。
集中定数回路素子の高さが問題となる場合には、サイズ
の小さい集中定数回路素子を複数用いることで低背化と
電力耐性を両立可能である。
でも１．６×０．８×０．８mm、１．０×０．５×０．
５mm、０．６×０．３×０．３mm等のチップ形状があ
り、分波器に必要な電力耐性を持ったものを選択する。
集中定数回路素子の高さが問題となる場合には、サイズ
の小さい集中定数回路素子を複数用いることで低背化と
電力耐性を両立可能である。
【００４３】なお、集中定数回路素子１５は集中定数型
のインダクタンス素子、キャパシタ、インピーダンス素
子等であり、所要の回路配線パターン２１を持つ上部基
板２０上に搭載することで、フィルタ、整合回路、サー
ジ電流抑圧回路の少なくともいずれかの機能を持つ周辺
回路を構成するものである（図８のブロック図参照）。
のインダクタンス素子、キャパシタ、インピーダンス素
子等であり、所要の回路配線パターン２１を持つ上部基
板２０上に搭載することで、フィルタ、整合回路、サー
ジ電流抑圧回路の少なくともいずれかの機能を持つ周辺
回路を構成するものである（図８のブロック図参照）。
【００４４】上述したように、ベース基板１０及び上部
基板２０への部品の搭載を別々に行った後、ベース基板
１０、第１接合部材１１、中間基板１２、第２接合部材
１３、上部基板２０の順に積み重ね、熱硬化等の手段で
気密パッケージを形成する。また、予めベース基板１
０、第１接合部材１１、中間基板１２を先に接合してお
いても効果は同様であるし、中間基板１２、第２接合部
材１３、上部基板２０を先に接合しても同様である。
基板２０への部品の搭載を別々に行った後、ベース基板
１０、第１接合部材１１、中間基板１２、第２接合部材
１３、上部基板２０の順に積み重ね、熱硬化等の手段で
気密パッケージを形成する。また、予めベース基板１
０、第１接合部材１１、中間基板１２を先に接合してお
いても効果は同様であるし、中間基板１２、第２接合部
材１３、上部基板２０を先に接合しても同様である。
【００４５】第１接合部材１１、第２接合部材１３は中
間基板１２と略同形状（枠形）に打ち抜かれたシート状
の接着剤を用いることができる。これらのベース基板１
０、第１接合部材１１、中間基板１２、第２接合部材１
３、上部基板２０は単品でも作製可能であるが、マトリ
クス状に配置して大板状態のまま接着してもよく、製造
の効率化が図れる。その場合は、各弾性表面波フィルタ
素子、集中定数回路素子等の取付部品を接合後、大板状
態から個別の基板に、あるいは個別の弾性表面波分波器
に切断すればよい。
間基板１２と略同形状（枠形）に打ち抜かれたシート状
の接着剤を用いることができる。これらのベース基板１
０、第１接合部材１１、中間基板１２、第２接合部材１
３、上部基板２０は単品でも作製可能であるが、マトリ
クス状に配置して大板状態のまま接着してもよく、製造
の効率化が図れる。その場合は、各弾性表面波フィルタ
素子、集中定数回路素子等の取付部品を接合後、大板状
態から個別の基板に、あるいは個別の弾性表面波分波器
に切断すればよい。
【００４６】上部基板２０とベース基板１０の電気的接
合は、中間基板内部での立体的な接続も可能であるし、
各基板層上下の配線電極を外部に露出させて導電ペース
ト等で接合してもよい。
合は、中間基板内部での立体的な接続も可能であるし、
各基板層上下の配線電極を外部に露出させて導電ペース
ト等で接合してもよい。
【００４７】なお、ベース基板１０、第１接合部材１
１、中間基板１２、第２接合部材１３、上部基板２０
は、いくつかの一般的回路基板用の基材を用いて作るこ
とができる。例えば、部材１０，１２，２０にアルミナ
セラミックを用いた場合、接合部材１１，１３にはセラ
ミック粉末を主材とした無機接着材が使用可能である。
また、高耐熱エポキシ系プリント基板を部材１０，１
２，２０に用いた場合、接合部材１１，１３には同材質
でかつ中間基板１２とほぼ同形状に内部を除去した樹脂
フィルムを使用すればよい。いずれもベース基板１０、
第１接合部材１１、中間基板１２、第２接合部材１３、
上部基板２０の各部材を重ねて後に熱圧着等の手段で接
着して、パッケージ化が可能である。
１、中間基板１２、第２接合部材１３、上部基板２０
は、いくつかの一般的回路基板用の基材を用いて作るこ
とができる。例えば、部材１０，１２，２０にアルミナ
セラミックを用いた場合、接合部材１１，１３にはセラ
ミック粉末を主材とした無機接着材が使用可能である。
また、高耐熱エポキシ系プリント基板を部材１０，１
２，２０に用いた場合、接合部材１１，１３には同材質
でかつ中間基板１２とほぼ同形状に内部を除去した樹脂
フィルムを使用すればよい。いずれもベース基板１０、
第１接合部材１１、中間基板１２、第２接合部材１３、
上部基板２０の各部材を重ねて後に熱圧着等の手段で接
着して、パッケージ化が可能である。
【００４８】この第１の実施の形態によれば、次の通り
の効果を得ることができる。
の効果を得ることができる。
【００４９】(1) 送信周波数を通過帯域とし受信周波
数を阻止帯域とする第１の弾性表面波フィルタ素子１
と、前記受信周波数を通過帯域とし前記送信周波数を阻
止帯域とする第２の弾性表面波フィルタ素子２とを、ベ
ース基板１０にフェースダウン接続し、フェースダウン
接続する部品以外の部品、つまり集中定数回路素子１５
は別の付加基板としての上部基板２０に搭載する構造で
あり、従って、前記ベース基板１０での弾性表面波フィ
ルタ素子１，２の取付工程と、前記上部基板２０での集
中定数回路素子１５の取付工程が互いに影響を及ぼすこ
とはなく、従来技術において問題となるような、同一基
板に弾性表面波フィルタ素子と集中定数回路素子を搭載
することによる問題点を解決できる。
数を阻止帯域とする第１の弾性表面波フィルタ素子１
と、前記受信周波数を通過帯域とし前記送信周波数を阻
止帯域とする第２の弾性表面波フィルタ素子２とを、ベ
ース基板１０にフェースダウン接続し、フェースダウン
接続する部品以外の部品、つまり集中定数回路素子１５
は別の付加基板としての上部基板２０に搭載する構造で
あり、従って、前記ベース基板１０での弾性表面波フィ
ルタ素子１，２の取付工程と、前記上部基板２０での集
中定数回路素子１５の取付工程が互いに影響を及ぼすこ
とはなく、従来技術において問題となるような、同一基
板に弾性表面波フィルタ素子と集中定数回路素子を搭載
することによる問題点を解決できる。
【００５０】(2) ベース基板２０に弾性表面波フィル
タ素子１，２をフェースダウン接続した構成であり、小
型低背化が可能である。つまり、前記弾性表面波フィル
タ素子１，２をフェースダウン接続したことで、弾性表
面波フィルタ素子の上端までの高さは、弾性表面波フィ
ルタ素子の素子厚と接合後の金属バンプの高さしかな
く、かつワイヤボンドを使わないので上部にワイヤルー
プを形成するための空間も必要ない。弾性表面波フィル
タ素子の電極パターンは素子下面にあるのみであるか
ら、上部基板２０及びそこに搭載された集中定数回路素
子１５が弾性表面波フィルタ素子１，２にぎりぎりまで
近づいても問題はなく、前記ベース基板１０に上部基板
２０を中間基板１２を介して重ねた多段構造であっても
最大限の低背化が可能となる。
タ素子１，２をフェースダウン接続した構成であり、小
型低背化が可能である。つまり、前記弾性表面波フィル
タ素子１，２をフェースダウン接続したことで、弾性表
面波フィルタ素子の上端までの高さは、弾性表面波フィ
ルタ素子の素子厚と接合後の金属バンプの高さしかな
く、かつワイヤボンドを使わないので上部にワイヤルー
プを形成するための空間も必要ない。弾性表面波フィル
タ素子の電極パターンは素子下面にあるのみであるか
ら、上部基板２０及びそこに搭載された集中定数回路素
子１５が弾性表面波フィルタ素子１，２にぎりぎりまで
近づいても問題はなく、前記ベース基板１０に上部基板
２０を中間基板１２を介して重ねた多段構造であっても
最大限の低背化が可能となる。
【００５１】(3) ベース基板１０、上部基板２０、中
間基板１２、それら基板を相互に接続する第１及び第２
接合部材１１，１３のうち少なくとも２つ以上の部材
を、同一の基材により構成することにより、組立時や、
外部回路へのハンダ付け時の応力を緩和できる。つま
り、ベース基板１０、第１接合部材１１、中間基板１
２、第２接合部材１３、上部基板２０はそれぞれ固有の
熱膨張係数を持っており、組立時の加熱や外部回路基板
へのハンダ付け搭載時の加熱、又は使用状態等において
相互に応力を発生する可能性があるが、この問題を解消
できる。
間基板１２、それら基板を相互に接続する第１及び第２
接合部材１１，１３のうち少なくとも２つ以上の部材
を、同一の基材により構成することにより、組立時や、
外部回路へのハンダ付け時の応力を緩和できる。つま
り、ベース基板１０、第１接合部材１１、中間基板１
２、第２接合部材１３、上部基板２０はそれぞれ固有の
熱膨張係数を持っており、組立時の加熱や外部回路基板
へのハンダ付け搭載時の加熱、又は使用状態等において
相互に応力を発生する可能性があるが、この問題を解消
できる。
【００５２】図３は本発明の第２の実施の形態を示す。
この場合、ベース基板１０、中間基板１２、上部基板２
０の周縁（側面）には、各基板の外周部上に中心を持つ
スルーホールを形成した後、その内面に電極を形成し、
切断により半円状に形成した外部端子２２がそれぞれ予
め形成されている。そして、これらの外部端子２２同士
を接続することにより上部基板２０の回路配線パターン
とベース基板１０の回路配線パターンとの導通を取って
いる。ここで、ベース基板１０の外部端子を外部回路と
の接続端子として用いるのは一般的であるが、ベース基
板１０、中間基板１２、上部基板２０の共通の位置に外
部端子２２を設けて、これらを電気的に接続することに
より、回路接続が最小限の面積で可能となる。また、外
部回路との接続には用いない外部端子を利用することに
より、上部基板２０とベース基板１０の中間的接続に用
いることもできる。つまり、ベース基板１０の外部端子
２２を外部回路との接続に使用する場合は、上部基板２
０の端子２２も自動的に外部回路に接続できるが、ベー
ス基板の外部端子を外部回路に接続しなければ上部基板
とベース基板同士の内部接続線に使用できる。
この場合、ベース基板１０、中間基板１２、上部基板２
０の周縁（側面）には、各基板の外周部上に中心を持つ
スルーホールを形成した後、その内面に電極を形成し、
切断により半円状に形成した外部端子２２がそれぞれ予
め形成されている。そして、これらの外部端子２２同士
を接続することにより上部基板２０の回路配線パターン
とベース基板１０の回路配線パターンとの導通を取って
いる。ここで、ベース基板１０の外部端子を外部回路と
の接続端子として用いるのは一般的であるが、ベース基
板１０、中間基板１２、上部基板２０の共通の位置に外
部端子２２を設けて、これらを電気的に接続することに
より、回路接続が最小限の面積で可能となる。また、外
部回路との接続には用いない外部端子を利用することに
より、上部基板２０とベース基板１０の中間的接続に用
いることもできる。つまり、ベース基板１０の外部端子
２２を外部回路との接続に使用する場合は、上部基板２
０の端子２２も自動的に外部回路に接続できるが、ベー
ス基板の外部端子を外部回路に接続しなければ上部基板
とベース基板同士の内部接続線に使用できる。
【００５３】また、前記外部端子２２を熱伝導用端子と
して放熱に利用しても良く、放熱専用の熱伝導用端子を
前記基板１０，１２，２０のいずれかの面に形成しても
よい。さらに、図示はしないが弾性表面波フィルタ素子
１，２裏面より上部基板２０へ熱伝導経路を形成する
際、その熱伝導経路の延長として電気伝導には積極的に
関与しない外部端子を設けて熱放散性を良くすることも
できる。したがって、弾性表面波分波器の特性を更に高
めてかつ配線の自由度を増すことが可能である。
して放熱に利用しても良く、放熱専用の熱伝導用端子を
前記基板１０，１２，２０のいずれかの面に形成しても
よい。さらに、図示はしないが弾性表面波フィルタ素子
１，２裏面より上部基板２０へ熱伝導経路を形成する
際、その熱伝導経路の延長として電気伝導には積極的に
関与しない外部端子を設けて熱放散性を良くすることも
できる。したがって、弾性表面波分波器の特性を更に高
めてかつ配線の自由度を増すことが可能である。
【００５４】さらにまた、本実施の形態ではベース基板
１０と上部基板２０とを挟むように熱伝導又は熱放散を
主目的とした外部端子２４を設けている。この外部端子
２４はコ字状に折り曲げられた金属帯、金属線等であ
り、熱伝導又は熱放散を主目的とするが、電気接続を同
時に行う構成であっても良い。
１０と上部基板２０とを挟むように熱伝導又は熱放散を
主目的とした外部端子２４を設けている。この外部端子
２４はコ字状に折り曲げられた金属帯、金属線等であ
り、熱伝導又は熱放散を主目的とするが、電気接続を同
時に行う構成であっても良い。
【００５５】なお、その他の構成は前述した第１の実施
の形態と同様であり、同一又は相当部分に同一符号を付
して説明を省略する。
の形態と同様であり、同一又は相当部分に同一符号を付
して説明を省略する。
【００５６】この第２の実施の形態の構成をとることに
より、発明者らはＧＳＭシステム用弾性表面波分波器を
５×５×２mmの形状で作製することができた（構成例
１）。この構成例１としては上部基板２０、ベース基板
１０が０．３mm厚、中間基板１２が１．２５mm厚、上部
基板の下面に搭載した集中定数回路素子１５は１．６×
０．８×０．８mmの比較的大き目のチップ部品を５個使
用した。また弾性表面波フィルタ素子１，２は１．５×
２×０．３５mmのものを使用した。量産可能な形状とし
ては、飛躍的に小型化が可能となった。
より、発明者らはＧＳＭシステム用弾性表面波分波器を
５×５×２mmの形状で作製することができた（構成例
１）。この構成例１としては上部基板２０、ベース基板
１０が０．３mm厚、中間基板１２が１．２５mm厚、上部
基板の下面に搭載した集中定数回路素子１５は１．６×
０．８×０．８mmの比較的大き目のチップ部品を５個使
用した。また弾性表面波フィルタ素子１，２は１．５×
２×０．３５mmのものを使用した。量産可能な形状とし
ては、飛躍的に小型化が可能となった。
【００５７】この第２の実施の形態によれば、外部端子
２２は各基板の外周部上に中心を持つスルーホールを形
成したのち、その内面に電極を形成し、切断により半円
状に形成でき、外部端子２２を外部回路との接続端子と
して用いることができ、さらに上部基板２０、中間基板
１２、ベース基板１０の共通の位置に外部端子２２を設
けて、これらを電気的に接続することにより、回路接続
が最小限の面積で可能となる。また外部回路と接続には
用いない外部端子を利用することにより、上部基板２０
とベース基板１０の中間的接続に用いることもできる。
これにより、弾性表面波分波器の特性を更に高めてかつ
配線の自由度を増すことが可能である。
２２は各基板の外周部上に中心を持つスルーホールを形
成したのち、その内面に電極を形成し、切断により半円
状に形成でき、外部端子２２を外部回路との接続端子と
して用いることができ、さらに上部基板２０、中間基板
１２、ベース基板１０の共通の位置に外部端子２２を設
けて、これらを電気的に接続することにより、回路接続
が最小限の面積で可能となる。また外部回路と接続には
用いない外部端子を利用することにより、上部基板２０
とベース基板１０の中間的接続に用いることもできる。
これにより、弾性表面波分波器の特性を更に高めてかつ
配線の自由度を増すことが可能である。
【００５８】その上、熱伝導又は熱放散を主目的とした
外部端子２４を設けることで、発熱対策をいっそう向上
させることができる。なお、その他の作用効果は前述の
第１の実施の形態と同様である。
外部端子２４を設けることで、発熱対策をいっそう向上
させることができる。なお、その他の作用効果は前述の
第１の実施の形態と同様である。
【００５９】図４は、本発明の第３の実施の形態の正断
面図、図５は平面図であり、図４は図５のIV−IV断面で
ある。この場合、ベース基板１０の厚み方向において、
弾性表面波フィルタ素子１，２と集中定数回路素子１５
とが重なっておらず、上部基板２０のベース基板に対向
する面（下面）に接続された集中定数回路素子１５の最
下端は、弾性表面波フィルタ素子１，２の最上端よりも
下に位置している。つまり、前記第１及び第２の弾性表
面波フィルタ素子１，２と前記集中定数回路素子１５と
は互いに間挿された位置関係となっている。
面図、図５は平面図であり、図４は図５のIV−IV断面で
ある。この場合、ベース基板１０の厚み方向において、
弾性表面波フィルタ素子１，２と集中定数回路素子１５
とが重なっておらず、上部基板２０のベース基板に対向
する面（下面）に接続された集中定数回路素子１５の最
下端は、弾性表面波フィルタ素子１，２の最上端よりも
下に位置している。つまり、前記第１及び第２の弾性表
面波フィルタ素子１，２と前記集中定数回路素子１５と
は互いに間挿された位置関係となっている。
【００６０】この第３の実施の形態の配置をとることに
より中間基板１２の厚みは、パッケージ内部の素子のう
ち最も高いものとほぼ同等（僅かに大きく設定）にでき
る。従って、弾性表面波分波器の低背化が可能である。
より中間基板１２の厚みは、パッケージ内部の素子のう
ち最も高いものとほぼ同等（僅かに大きく設定）にでき
る。従って、弾性表面波分波器の低背化が可能である。
【００６１】本実施の形態の構成をとることにより発明
者らは、ＧＳＭシステム用弾性表面波分波器を５×７×
１．５mmの形状で作製することができた（構成例２）。
これは第２の実施の形態で述べた構成例１よりも面積が
大きいものの、高さが０．５mm低くなり、携帯型通信機
器の小型薄型化に大きく貢献するものである。但し、構
成例２は構成例１と同一形状の集中定数回路素子と弾性
表面波フィルタ素子を使用した。
者らは、ＧＳＭシステム用弾性表面波分波器を５×７×
１．５mmの形状で作製することができた（構成例２）。
これは第２の実施の形態で述べた構成例１よりも面積が
大きいものの、高さが０．５mm低くなり、携帯型通信機
器の小型薄型化に大きく貢献するものである。但し、構
成例２は構成例１と同一形状の集中定数回路素子と弾性
表面波フィルタ素子を使用した。
【００６２】なお、その他の構成、作用効果は前述した
第１の実施の形態と同様であり、同一又は相当部分に同
一符号を付して説明を省略する。
第１の実施の形態と同様であり、同一又は相当部分に同
一符号を付して説明を省略する。
【００６３】図６は本発明の第４の実施の形態を示す。
この場合、弾性表面波フィルタ素子１又は２の上端と、
上部基板２０下面に搭載された集中定数回路素子１５の
端子電極とが熱伝導性樹脂３０により熱的に接続されて
いる。この集中定数回路素子１５の端子電極は、例えば
接地電位のものを用いれば電気特性に影響はない。図１
のように弾性表面波フィルタ素子の上端から直接上部基
板へ熱伝導経路を接続しにくい場合、この手段は有効で
ある。弾性表面波分波器の外形が変化することもない。
この場合、弾性表面波フィルタ素子１又は２の上端と、
上部基板２０下面に搭載された集中定数回路素子１５の
端子電極とが熱伝導性樹脂３０により熱的に接続されて
いる。この集中定数回路素子１５の端子電極は、例えば
接地電位のものを用いれば電気特性に影響はない。図１
のように弾性表面波フィルタ素子の上端から直接上部基
板へ熱伝導経路を接続しにくい場合、この手段は有効で
ある。弾性表面波分波器の外形が変化することもない。
【００６４】なお、弾性表面波フィルタ素子１又は２の
上端と、上部基板２０下面との間に集中定数回路素子１
５が配置されておらず空間があいていれば、熱伝導性樹
脂３０をそこに設けて、弾性表面波フィルタ素子１又は
２の上端と、上部基板２０下面とを熱伝導性樹脂３０に
より熱的に接続する構成も採用できる。
上端と、上部基板２０下面との間に集中定数回路素子１
５が配置されておらず空間があいていれば、熱伝導性樹
脂３０をそこに設けて、弾性表面波フィルタ素子１又は
２の上端と、上部基板２０下面とを熱伝導性樹脂３０に
より熱的に接続する構成も採用できる。
【００６５】弾性表面波フィルタ素子、特に送信側弾性
表面波フィルタ素子１には数Ｗの高周波電力が通過する
ため、それぞれの素子において発生する熱を放出するた
めにパッケージを通じて外部への熱伝導経路を確保する
のが望ましい。このとき、本実施の形態のフェースダウ
ン接続構成においては、上部基板２０の回路配線パター
ン２１の一部を熱伝導経路として用いることができ、弾
性表面波フィルタ素子上面（弾性表面波電極パターンの
裏面）と上部基板２０との間に熱伝導部材（熱伝導性樹
脂３０等）を挟み込むだけでよい。更には、上部基板下
面に搭載された集中定数回路素子１５の端子電極を熱伝
導経路として使用できるので、弾性表面波フィルタ素子
上面と集中定数回路素子１５の端子電極との間に熱伝導
部材（熱伝導性樹脂３０等）を挟み込むこともできる。
表面波フィルタ素子１には数Ｗの高周波電力が通過する
ため、それぞれの素子において発生する熱を放出するた
めにパッケージを通じて外部への熱伝導経路を確保する
のが望ましい。このとき、本実施の形態のフェースダウ
ン接続構成においては、上部基板２０の回路配線パター
ン２１の一部を熱伝導経路として用いることができ、弾
性表面波フィルタ素子上面（弾性表面波電極パターンの
裏面）と上部基板２０との間に熱伝導部材（熱伝導性樹
脂３０等）を挟み込むだけでよい。更には、上部基板下
面に搭載された集中定数回路素子１５の端子電極を熱伝
導経路として使用できるので、弾性表面波フィルタ素子
上面と集中定数回路素子１５の端子電極との間に熱伝導
部材（熱伝導性樹脂３０等）を挟み込むこともできる。
【００６６】この第４の実施の形態の構成をとることに
より、各素子の配置の自由度が増す。すなわち、図１の
構成をとった場合、弾性表面波フィルタ素子１，２上面
から上部基板２０への熱伝導経路を確保する場合、熱伝
導部材を直接相互に接続することには困難が伴うが、上
部基板下面に搭載された集中定数回路素子１５の端子電
極を熱伝導経路として使用すれば接続は容易である。
より、各素子の配置の自由度が増す。すなわち、図１の
構成をとった場合、弾性表面波フィルタ素子１，２上面
から上部基板２０への熱伝導経路を確保する場合、熱伝
導部材を直接相互に接続することには困難が伴うが、上
部基板下面に搭載された集中定数回路素子１５の端子電
極を熱伝導経路として使用すれば接続は容易である。
【００６７】なお、その他の構成、作用効果は前述の第
１の実施の形態と同様であり、同一又は相当部分に同一
符号を付して説明を省略する。
１の実施の形態と同様であり、同一又は相当部分に同一
符号を付して説明を省略する。
【００６８】図７は本発明の第５の実施の形態を示す。
上部基板２０の外形は必ずしもベース基板１０及び中間
基板１２と等しい必要はない。本例では、ベース基板１
０、中間基板１２よりも上部基板２０の面積を大きくし
ている。これにより、中間基板１２の範囲外に延伸した
上部基板部分の表裏に集中定数回路素子１５を搭載する
ことも可能である。その場合、その部分の直下の外部回
路基板（相手側基板）５０には、他の素子５１を搭載で
きる。
上部基板２０の外形は必ずしもベース基板１０及び中間
基板１２と等しい必要はない。本例では、ベース基板１
０、中間基板１２よりも上部基板２０の面積を大きくし
ている。これにより、中間基板１２の範囲外に延伸した
上部基板部分の表裏に集中定数回路素子１５を搭載する
ことも可能である。その場合、その部分の直下の外部回
路基板（相手側基板）５０には、他の素子５１を搭載で
きる。
【００６９】この第５の実施の形態により、外部回路基
板５０に対し同一実装床面積であっても、上部基板２０
を大きくすることで、集中定数回路素子１５の搭載個数
を増やすことができる。
板５０に対し同一実装床面積であっても、上部基板２０
を大きくすることで、集中定数回路素子１５の搭載個数
を増やすことができる。
【００７０】なお、その他の構成、作用効果は前述した
第１の実施の形態と同様であり、同一又は相当部分に同
一符号を付して説明を省略する。
第１の実施の形態と同様であり、同一又は相当部分に同
一符号を付して説明を省略する。
【００７１】以上本発明の実施の形態について説明して
きたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記
載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当
業者には自明であろう。
きたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記
載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当
業者には自明であろう。
【００７２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る弾性
表面波分波器によれば、送信周波数を通過帯域とし受信
周波数を阻止帯域とする第１の弾性表面波フィルタ素子
と、前記受信周波数を通過帯域とし前記送信周波数を阻
止帯域とする第２の弾性表面波フィルタ素子とを、ベー
ス基板にフェースダウン接続し、周辺回路を構成する集
中定数回路素子は別の付加基板に搭載する構造であり、
従って、前記ベース基板での弾性表面波フィルタ素子の
取付工程と、前記付加基板での集中定数回路素子の取付
工程が互いに影響を及ぼすことはなく、従来技術におい
て問題となるような、同一基板に弾性表面波フィルタ素
子と周辺回路を構成する集中定数回路素子を搭載するこ
とによる問題点を解決できる。この結果、製造容易とし
て、量産性の改善を図ることができる。
表面波分波器によれば、送信周波数を通過帯域とし受信
周波数を阻止帯域とする第１の弾性表面波フィルタ素子
と、前記受信周波数を通過帯域とし前記送信周波数を阻
止帯域とする第２の弾性表面波フィルタ素子とを、ベー
ス基板にフェースダウン接続し、周辺回路を構成する集
中定数回路素子は別の付加基板に搭載する構造であり、
従って、前記ベース基板での弾性表面波フィルタ素子の
取付工程と、前記付加基板での集中定数回路素子の取付
工程が互いに影響を及ぼすことはなく、従来技術におい
て問題となるような、同一基板に弾性表面波フィルタ素
子と周辺回路を構成する集中定数回路素子を搭載するこ
とによる問題点を解決できる。この結果、製造容易とし
て、量産性の改善を図ることができる。
【００７３】また、ベース基板に弾性表面波フィルタ素
子をフェースダウン接続した構成であり、小型低背化が
可能で、特性劣化も発生しない。つまり、前記弾性表面
波フィルタ素子をフェースダウン接続したことで、弾性
表面波フィルタ素子の上端までの高さは、弾性表面波フ
ィルタ素子の素子厚と接合後の金属バンプの高さしかな
く、かつワイヤボンドを使わないので上部にワイヤルー
プを形成するための空間も必要ない。弾性表面波フィル
タ素子の電極パターンは素子下面にあるのみであるか
ら、付加基板及びそこに搭載された集中定数回路素子が
弾性表面波フィルタ素子にぎりぎりまで近づいても問題
はなく、前記ベース基板に上部基板を中間基板を介して
重ねた多段構造であっても最大限の低背化、小型化が可
能となる。
子をフェースダウン接続した構成であり、小型低背化が
可能で、特性劣化も発生しない。つまり、前記弾性表面
波フィルタ素子をフェースダウン接続したことで、弾性
表面波フィルタ素子の上端までの高さは、弾性表面波フ
ィルタ素子の素子厚と接合後の金属バンプの高さしかな
く、かつワイヤボンドを使わないので上部にワイヤルー
プを形成するための空間も必要ない。弾性表面波フィル
タ素子の電極パターンは素子下面にあるのみであるか
ら、付加基板及びそこに搭載された集中定数回路素子が
弾性表面波フィルタ素子にぎりぎりまで近づいても問題
はなく、前記ベース基板に上部基板を中間基板を介して
重ねた多段構造であっても最大限の低背化、小型化が可
能となる。
【図１】本発明に係る弾性表面波分波器の第１の実施の
形態を示す正断面図（図２のI−I断面図）である。
形態を示す正断面図（図２のI−I断面図）である。
【図２】同平面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態を示す正断面図であ
る。
る。
【図４】本発明の第３の実施の形態を示す正断面図（図
５のIV−IV断面図）である。
５のIV−IV断面図）である。
【図５】同平面図である。
【図６】本発明の第４の実施の形態を示す正断面図であ
る。
る。
【図７】本発明の第５の実施の形態を示す正断面図であ
る。
る。
【図８】弾性表面波分波器の１例を示すブロック図であ
る。
る。
【図９】弾性表面波分波器の従来技術を示す正断面図で
ある。
ある。
１，２ 弾性表面波フィルタ素子 ３ 接続バンプ ５ アンテナ側信号ポート ６ 送信側信号ポート ７ 受信側信号ポート ８，９ 周辺回路 １０ ベース基板 １１ 第１接合部材 １２ 中間基板 １３ 第２接合部材 １５ 集中定数回路素子 １６，２１ 回路配線パターン ２０ 上部基板 ２２，２４ 外部端子 ２３ 底面電極 ３０ 熱伝導性樹脂
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/14 1/18 Ｆターム(参考） 5E336 AA04 AA09 AA13 AA14 BB02 BB16 BB18 BC15 BC34 BC36 CC32 CC36 CC58 DD01 DD21 EE03 EE05 EE08 GG30 5E344 AA01 AA08 AA21 AA28 BB01 BB06 BB08 BB10 CC11 CD02 CD25 CD40 DD10 EE02 EE12 EE21 5J097 AA13 AA24 AA30 AA31 BB15 HA04 HA09 JJ01 JJ08 JJ09 KK10 LL03 LL07
Claims (5)
- 【請求項１】 送信周波数を通過帯域とし受信周波数を
阻止帯域とする第１の弾性表面波フィルタ素子と、前記
受信周波数を通過帯域とし前記送信周波数を阻止帯域と
する第２の弾性表面波フィルタ素子とを有し、前記第
１、第２の弾性表面波フィルタ素子の少なくとも一方が
金属バンプを介してベース基板にフェースダウン接続さ
れており、前記ベース基板とは異なる付加基板の少なく
とも一方の面に集中定数回路素子が搭載されており、前
記ベース基板と前記付加基板とが中間基板を介して接合
されていることを特徴とする弾性表面波分波器。 - 【請求項２】 前記付加基板と前記ベース基板はそれぞ
れ周縁部に電気接続用又は熱伝導用の外部端子を有し、
前記電気接続用の外部端子を介して、前記付加基板に設
けられた回路配線と前記ベース基板に設けられた回路配
線とが接続されている請求項１記載の弾性表面波分波
器。 - 【請求項３】 前記付加基板の前記ベース基板への対向
面側に設けられた前記集中定数回路素子は、前記ベース
基板の厚み方向において前記第１及び第２の弾性表面波
フィルタ素子とは重ならず、前記第１及び第２の弾性表
面波フィルタ素子と前記集中定数回路素子とは互いに間
挿されている請求項１又は２記載の弾性表面波分波器。 - 【請求項４】 前記付加基板の前記ベース基板への対向
面側に設けられた回路配線又は前記集中定数回路素子の
少なくとも一部と、前記第１又は第２の弾性表面波フィ
ルタ素子の少なくとも一部とが、熱伝導部材により接合
されている請求項１，２又は３記載の弾性表面波分波
器。 - 【請求項５】 前記ベース基板、前記付加基板、前記中
間基板、それら基板を相互に接続する部材のうち少なく
とも２つ以上の部材は、同一の基材により構成されてい
る請求項１，２，３又は４記載の弾性表面波分波器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30618199A JP2001127588A (ja) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | 弾性表面波分波器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30618199A JP2001127588A (ja) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | 弾性表面波分波器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001127588A true JP2001127588A (ja) | 2001-05-11 |
Family
ID=17954017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30618199A Pending JP2001127588A (ja) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | 弾性表面波分波器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001127588A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004051745A3 (de) * | 2002-12-05 | 2005-02-24 | Epcos Ag | Elektronisches bauelement mit mehreren chips und verfahren zur herstellung |
| WO2005055317A1 (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | パッケージされた電子素子、及び電子素子パッケージの製造方法 |
| JP2006020285A (ja) * | 2004-06-02 | 2006-01-19 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波装置 |
| EP1641119A2 (en) | 2004-09-28 | 2006-03-29 | Fujitsu Media Devices Limited | Duplexer |
| US7102462B2 (en) | 2004-01-08 | 2006-09-05 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device |
| JP2007180124A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路モジュールおよび回路モジュールの製造方法 |
| JP2007318078A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-12-06 | Olympus Corp | 積層実装構造体及び積層実装構造体の製造方法 |
| CN100440490C (zh) * | 2003-12-05 | 2008-12-03 | 松下电器产业株式会社 | 封装的电子元件、及电子元件封装的制造方法 |
| US7498899B2 (en) | 2004-09-28 | 2009-03-03 | Fujitsu Media Devices Limited | Duplexer with filters including film bulk acoustic resonators |
| US7663450B2 (en) | 2004-11-23 | 2010-02-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Monolithic duplexer |
| TWI477210B (zh) * | 2012-02-08 | 2015-03-11 | Apple Inc | 三維被動多組件結構 |
| US9231599B2 (en) | 2012-12-10 | 2016-01-05 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Oscillation apparatus |
| WO2018235522A1 (ja) * | 2017-06-23 | 2018-12-27 | 株式会社村田製作所 | 電子部品装置 |
| WO2020066380A1 (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | 株式会社村田製作所 | 回路モジュール及び通信装置 |
-
1999
- 1999-10-28 JP JP30618199A patent/JP2001127588A/ja active Pending
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004051745A3 (de) * | 2002-12-05 | 2005-02-24 | Epcos Ag | Elektronisches bauelement mit mehreren chips und verfahren zur herstellung |
| WO2005055317A1 (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | パッケージされた電子素子、及び電子素子パッケージの製造方法 |
| CN100440490C (zh) * | 2003-12-05 | 2008-12-03 | 松下电器产业株式会社 | 封装的电子元件、及电子元件封装的制造方法 |
| US7692292B2 (en) | 2003-12-05 | 2010-04-06 | Panasonic Corporation | Packaged electronic element and method of producing electronic element package |
| US7102462B2 (en) | 2004-01-08 | 2006-09-05 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device |
| JP4697528B2 (ja) * | 2004-06-02 | 2011-06-08 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波装置 |
| JP2006020285A (ja) * | 2004-06-02 | 2006-01-19 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波装置 |
| EP1641119A2 (en) | 2004-09-28 | 2006-03-29 | Fujitsu Media Devices Limited | Duplexer |
| US7498899B2 (en) | 2004-09-28 | 2009-03-03 | Fujitsu Media Devices Limited | Duplexer with filters including film bulk acoustic resonators |
| US8720023B2 (en) | 2004-11-23 | 2014-05-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing a monolithic duplexer |
| US7663450B2 (en) | 2004-11-23 | 2010-02-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Monolithic duplexer |
| JP2007180124A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路モジュールおよび回路モジュールの製造方法 |
| JP2007318078A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-12-06 | Olympus Corp | 積層実装構造体及び積層実装構造体の製造方法 |
| TWI477210B (zh) * | 2012-02-08 | 2015-03-11 | Apple Inc | 三維被動多組件結構 |
| US9231599B2 (en) | 2012-12-10 | 2016-01-05 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Oscillation apparatus |
| WO2018235522A1 (ja) * | 2017-06-23 | 2018-12-27 | 株式会社村田製作所 | 電子部品装置 |
| CN110785839A (zh) * | 2017-06-23 | 2020-02-11 | 株式会社村田制作所 | 电子部件装置 |
| US11239821B2 (en) | 2017-06-23 | 2022-02-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component device |
| CN110785839B (zh) * | 2017-06-23 | 2024-03-19 | 株式会社村田制作所 | 电子部件装置 |
| WO2020066380A1 (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | 株式会社村田製作所 | 回路モジュール及び通信装置 |
| US11817358B2 (en) | 2018-09-28 | 2023-11-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Circuit module and communication device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3982876B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP2018074566A (ja) | 埋め込みｒｆフィルタパッケージ構造およびその製造方法 | |
| JPH0799420A (ja) | 弾性表面波素子実装回路 | |
| JP2001127588A (ja) | 弾性表面波分波器 | |
| JP4691787B2 (ja) | Ｓａｗデバイス | |
| JP2013251323A (ja) | 電子部品 | |
| JP2005073265A (ja) | 埋め込みｐｃｂ基板を用いたデュプレクサおよびその製造方法 | |
| US7151310B2 (en) | Package substrate, integrated circuit apparatus, substrate unit, surface acoustic wave apparatus, and circuit device | |
| SG182895A1 (en) | Duplexer | |
| US9941461B2 (en) | Electronic component element and composite module including the same | |
| JP3886033B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP4858985B2 (ja) | 弾性表面波フィルタパッケージ | |
| WO2011111425A1 (ja) | 弾性波装置 | |
| JP2006211620A (ja) | フィルタ及びデュプレクサ | |
| JP3659439B2 (ja) | 表面実装型電子部品 | |
| JP3948925B2 (ja) | 高周波モジュール部品 | |
| WO2021033418A1 (ja) | 高周波モジュール | |
| JP3850275B2 (ja) | 電子部品装置 | |
| KR101633643B1 (ko) | 필터 모듈 | |
| JP3797656B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP2003051677A (ja) | 多層基板への電子部品実装方法および多層基板に電子部品が実装された電子部品装置 | |
| JP4232884B2 (ja) | モジュール部品 | |
| JP7465515B1 (ja) | 弾性波デバイス | |
| CN113746448B (zh) | 弹性波装置及复合滤波器装置 | |
| JP4260835B2 (ja) | 高周波モジュール部品 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20050405 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070604 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070606 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20071107 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |