CN101401206B - 电路组件和无线通信设备、以及电路组件的制造方法 - Google Patents

电路组件和无线通信设备、以及电路组件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101401206B
CN101401206B CN2007800086848A CN200780008684A CN101401206B CN 101401206 B CN101401206 B CN 101401206B CN 2007800086848 A CN2007800086848 A CN 2007800086848A CN 200780008684 A CN200780008684 A CN 200780008684A CN 101401206 B CN101401206 B CN 101401206B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electronic unit
reference potential
circuit unit
insulative resin
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2007800086848A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101401206A (zh
Inventor
畠中英文
松尾香
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2006148931A external-priority patent/JP2007294829A/ja
Priority claimed from JP2006148930A external-priority patent/JP4986507B2/ja
Priority claimed from JP2006232018A external-priority patent/JP2008034778A/ja
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of CN101401206A publication Critical patent/CN101401206A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101401206B publication Critical patent/CN101401206B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/165—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0542—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a lateral arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
    • H03H9/1021—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16235—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a via metallisation of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/10329—Gallium arsenide [GaAs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H01L2924/15192—Resurf arrangement of the internal vias
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19042—Component type being an inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09972—Partitioned, e.g. portions of a PCB dedicated to different functions; Boundary lines therefore; Portions of a PCB being processed separately or differently
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431—Details of mounted components
    • H05K2201/10439—Position of a single component
    • H05K2201/10492—Electrically connected to another device
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49133—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with component orienting
    • Y10T29/49137—Different components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明提供一种电路组件，在布线基板(2)的上搭载其上面被保持为基准电位的带屏蔽功能电子部件(3)、电子部件(13)、半导体部件(4)，用绝缘性树脂部(5)覆盖这些部件，并且，在绝缘性树脂部(5)的上面形成导电层(6)。通过将导电层(6)与从绝缘性树脂部(5)露出的带屏蔽功能电子部件(3)的保持在基准电位的部分连接，从而使该导电层(6)保持在基准电位。由此，能够提供电磁屏蔽功能优良的小型的电路组件。

Description

电路组件和无线通信设备、以及电路组件的制造方法 
技术领域
本发明主要涉及在无线通信设备中使用的电路组件。 
背景技术
近年来，在布线基板上搭载包括半导体部件以及无源元件的多个电子部件而构成的电路组件正迅速地普及。这些电路组件例如使用于移动电话机等无线通信设备中，具有处理高频信号的功能。 
这样，为了处理高频信号，在电路组件中形成有具有电磁屏蔽功能的屏蔽层，抑制来自外部的电磁波的影响，且防止不必要的电磁波泄露到外部。以往相关的电路组件中，多使用金属罩作为屏蔽层。 
但是，为了电路组件的薄型化，通过绝缘性树脂材料覆盖电子部件技术更具优势。但是，绝缘性树脂材料由于不具备电磁屏蔽功能，所以需要重新赋予该功能。 
因此，提出了用绝缘性树脂材料来密封搭载在布线基板上的电子部件，再通过导电性树脂覆盖该绝缘性树脂材料而形成屏蔽层的电路组件(例如，参照下述专利文献1)。通过将该导电性树脂与设置在布线基板上的接地电极连接，可以使电路组件稳定地工作。 
另外，随着近年来的高频化，不仅与外部之间需要电磁屏蔽，而且在布线基板上所搭载的电子部件之间也存在遮蔽电磁波的必要性。 
例如，在布线基板上搭载了包含有高频功率放大器的电子部件的情况下，由该功率放大器产生的不必要的电磁波有时会对布线基板上的其他电子部件带来不良影响。因此，为了屏蔽由功率放大器生成的电磁波，提出了在包含功率放大器的电子部件与其他电子部件之间配置屏蔽板的构造(例如，下述专利文献2)。 
在图30中，表示了配置了上述屏蔽板的以往的电路组件的剖视图。在以往相关的高频组件中，在布线基板101上排列配置有包含功率放大器的半导体部件102a以及其他的电子部件102b，并用金属罩将其覆盖。在半导体部件102a与其他电子部件102b之间形成有金属制的屏蔽板105以使二者隔开。该屏蔽板105其上端与金属罩103的顶面连接，下端与设置在布线基板上的接地电极连接，由此可以有效地屏蔽来自半导体部件102a的不必要的电磁波。 
专利文献1：特开2004-172176号公报 
专利文献2：特开2002-185338号 
但是，以往的电路组件是通过用绝缘树脂材料密封搭载在上述布线基板上的电子部件，再用导电性树脂覆盖该绝缘性树脂材料，由此形成屏蔽层，现在要求比该以往的电路组件实现更薄型化的电路组件。 
另外，在使用了上述金属罩103的电路组件中，必需在布线基板101上设置用于载置、固定金属罩103的空间，成为妨碍电路组件的小型化的构造。 
发明内容
本发明的主要目的在于，提供一种可以使电磁屏蔽功能优良、小型化、低高度且生产率优良的电路组件以及其制造方法。 
本发明的电路组件具备：布线基板；搭载在布线基板上的多个电子部件；设置在多个电子部件中的至少一个电子部件的上面的基准电位部；除了基准电位部之外覆盖多个电子部件的绝缘性树脂部；和与基准电位部连接且覆盖绝缘性树脂部的上面的导电层；设置了基准电位部的至少一个电子部件包括容器体和在该容器体的下面形成的接地端子，基准电位部经由容器体的布线与接地端子连接。 
根据该构成的电路组件，通过与搭载在布线基板上的设置了基准电位部的至少一个电子部件(以下称为“具有基准电位部的电子部件”)的基准电位部连接的导电层，覆盖多个电子部件，可以屏蔽来自外部的不必要的电磁波，使电路组件稳定地工作。并且，不必在布线基板的上面另外形成用于将导电层保持在基准电位的规定的电极，可以将布线基板相应程度地小型化，进一步有助于电路组件的小型化。 
另外，如果使具有基准电位部的电子部件的上面的高度位置比其他的 电子部件的上面的高度位置高，则可以将导电层简单地连接到基准电位部。 
另外，通过使绝缘性树脂部的上面的高度和具有基准电位部的电子部件的高度相等，从而处于从绝缘性树脂部露出具有基准电位部的电子部件的整个上面的状态，由于该露出部被导电层覆盖，所以导电层更可靠地保持在基准电位。除此之外，通过使绝缘性树脂部的上面与具有比其他电子部件高的基准电位部的电子部件的上面对齐，在导电层的上面不会形成大的凹凸或阶梯差，在吸引电子部件进行搬送时，能够可靠地进行吸引。另外，还具有能在导电层的上面以良好的状态进行标记的优点。 
另外，若具有基准电位部的电子部件构成为包括：容器体、固定在该容器体上面的金属板、收纳在该容器体的内部的压电振动元件、以及在该容器体的外表面形成的接地端子，则通过金属板经由容器体的布线与接地端子连接而被保持在基准电位的金属板，可以屏蔽周围的电磁波，使压电振动元件的电特性稳定。另外，与此同时，不必将导电层引到布线基板，使用保持在基准电位的金属板可以简单地导通到基准电位。 
另外，也可以是导电层覆盖在金属板的侧面，导电层的上面的高度与具有基准电位部的电子部件的高度相等的关系。这样，通过使导电层的上面的高度位置与具有基准电位部的电子部件的上面的高度位置相等，可以将从布线基板的最上层到导电层的上面的厚度实质上成为具有基准电位部的电子部件的厚度，可以使电子组件进一步低高度低且小型化。 
另外，本发明的电路组件包括：布线基板；搭载在布线基板上的多个电子部件；设置在多个电子部件中的至少一个电子部件的上面的基准电位部；除了基准电位部之外覆盖多个电子部件的绝缘性树脂部；和与基准电位部连接且覆盖绝缘性树脂部的上面的导电层；在具有基准电位部的电子部件是包括半导体基板、在厚度方向上贯通该半导体基板的贯通导体、以及形成在半导体基板的下面侧且与贯通导体电连接的基准电位用的电极焊盘而构成的半导体部件的情况下，通过将贯通导体向半导体基板上面的导出部设为基准电位部，不必在布线基板上面另外形成用于使导电层保持在基准电位的接地电极，可以使布线基板相应程度地小型化，可以进一步使电路组件的整体构造小型化。 
这里，如果使半导体部件的上面的高度位置比其他的电子部件的上面的高度位置高，则可以使导电层向基准电位的覆盖简化。 
进一步，通过预先使绝缘性树脂部的上面的高度位置与半导体部件的上面的高度位置相等，绝缘性树脂部的上面与高度最高的半导体部件的上面对齐，这与绝缘性树脂部的上面的高度位置比半导体部件的上面的高度位置设定得低的情况下相比，在绝缘性树脂部的上面所形成的导电层中不会形成大凹凸或阶梯差。由此在吸引电路组件进行搬运的时候，可以可靠地进行吸引，有助于电路组件生产率的提高。 
另外，根据本发明的电路组件，也可以是多个电子部件包括第一半导体部件和第二半导体部件，在位于第一半导体部件和第二半导体部件之间的绝缘性树脂部中，设置有用于分隔两个半导体部件的槽部，在槽部内埋设有由导体材料构成的屏蔽部件，屏蔽部件与导体层电连接的结构。根据该构造的电路组件，由于可以在电子部件间形成隔开二者的屏蔽部件而不必使用金属罩，所以可以屏蔽进入到第一半导体部件和第二半导体部件之间的不必要的电磁波，使电路组件的工作稳定，而且在布线基板的内部不必设置复杂的散热构造，可以将发热性电子部件所产生的热量通过导电层释放到外部，因此可以简化布线基板的内部构造，而且能够提高内部布线的设计自由度。由此，可以使布线基板小型化，进而可以使电路组件的整体构造小型化。 
再者，着眼于该导电层的散热功能，在本说明书中有时将导电层称为“散热体”。 
如果上述的第一半导体部件是RFIC，上述的第二半导体部件是基带IC，则由于自RFIC发生的热量从屏蔽部件通过导电层释放到外部，所以难以传入基带IC。因而可以确保基带IC的工作稳定性。 
再者，由屏蔽部件划分的两个区域中的配置RFIC一侧的区域中，配置有RF用电子部件，则可以抑制在包括RFIC的RF系统的电子部件和包括基带IC的控制系统的电子部件之间的信号干扰，使电路组件更稳定地工作。 
另外，如果槽部的底面位于布线基板内，则通过屏蔽部件可以减少布线基板内的RF系统的部件和控制系统的部件之间的信号的干扰，使电路 组件的工作稳定。 
另外，本发明的电路组件具备：布线基板；安装在布线基板上的多个电子部件；多个电子部件中的至少一个发热性电子部件；除了发热性电子部件的至少一部分之外覆盖多个电子部件的绝缘性树脂部；和由导体材料构成的散热体，其用于覆盖发热性电子部件的未被绝缘性树脂部覆盖的一部分、和绝缘性树脂部的上面；散热体与发热性电子部件的基准电位用导体电连接，至少一个发热性电子部件包括容器体和在该容器体的下面形成的接地端子，基准电位用导体经由容器体的布线与接地端子连接。 
根据该结构的电路组件，从发热性电子部件发生的热量的多数从发热性电子部件传入散热体，释放到外部。 
另外，如果散热体与基准电位用导体电连接，则还可以得到通过散热体对电路组件整体进行电磁屏蔽的效果。 
发热性电子部件的上部如果是埋设于散热体的内部的构造，则发热性电子部件和散热体之间的接触面积增加，使发热性电子部件发生的热量更有效地释放到外部。 
如果是在散热体上设置有多个槽的构造，则可以增加散热体的表面积，提高对外部的散热性。 
另外，本发明的无线通信设备包括上述本发明的电路组件、与该电路组件连接的天线以及收发电路，在小型和生产率上优良。 
另外，根据本发明的电路组件的制造方法，包括：准备主基板的工序A，该主基板具有排列成矩阵状的多个基板区域；将多个电子部件安装到主基板的基板区域的工序B，该多个电子部件包括在上面具有基准电位部、且该基准电位部经由电子部件的容器体的布线与在该容器体的下面形成的接地端子连接的电子部件；形成绝缘性树脂部的工序C，该绝缘性树脂部按照覆盖基板区域的上面且使基准电位部露出的方式覆盖具有基准电位部的电子部件的一部分或全部；和按照与基准电位部的露出的部分连接的方式形成覆盖绝缘性树脂部的上面的导电层的工序D，由此可以在主基板的整面上一并地形成绝缘性树脂、导电层，与在各个区域设置金属罩的以往的电路组件的制造方法相比，生产率可实现飞跃性的提高。 
本发明的上述或进一步的其他优点、特征以及效果，参照附图根据接下来说明的实施方式将会更加明确。 
附图说明
图1是本发明实施方式的电路组件的外观立体图。 
图2是图1所示的电路组件的剖视图。 
图3是图1所示的电路组件中所搭载的温度补偿型晶体振荡器的剖视图。 
图4是本发明其他实施方式的电路组件的立体图。 
图5是图4所示的电路组件的剖视图。 
图6是本发明另一实施方式的电路组件的剖视图。 
图7是本发明的再另一实施方式的电路组件的剖视图。 
图8是图7所示的电路组件中所使用的半导体部件的剖视图。 
图9是本发明再另一实施方式的电路组件的剖视图。 
图10是图9所示的电路组件的俯视图。 
图11是图9所示的电路组件的俯视图，改变了通路的配置。 
图12是图9所示的电路组件的俯视图，改变了通路的配置和形状。 
图13是本发明的再另一实施方式的电路组件的剖视图。 
图14是本发明的再另一实施方式的电路组件的剖视图。 
图15是本发明的再另一实施方式的电路组件的剖视图。 
图16是本发明的再另一实施方式的电路组件的剖视图。 
图17是本发明的再另一实施方式的电路组件的剖视图。 
图18是本发明的再另一实施方式的电路组件的外观立体图。 
图19是图18所示的电路组件的剖视图。 
图20是图18所示的电路组件的俯视图。 
图21是本发明的再另一实施方式的电路组件的剖视图。 
图22是本发明的再另一实施方式的电路组件的剖视图。 
图23是本发明的再另一实施方式的电路组件的剖视图。 
图24是图23所示的电路组件的俯视图。 
图25是本发明的再另一实施方式的电路组件的剖视图。 
图26是本发明的再另一实施方式的电路组件的剖视图。 
图27是表示安装了本发明的电路组件的无线通信设备的框图。 
图28是说明本发明的实施方式的电路组件的制造工序的图。
图29是说明本发明的另一实施方式的电路组件的制造工序的图。 
图30是以往的电路模块的剖视图。 
图中：1—电路组件，2—布线基板，3—带屏蔽功能电子部件，4—半导体部件，5—绝缘性树脂，6—导电层(散热体)，13—各种电子部件，41—第一半导体部件，42—第二半导体部件，44—贯通导体，51—通路，53—槽部，54—屏蔽部件，61—槽。 
具体实施方式
<电路组件> 
图1是本发明实施方式的电路组件的外观立体图，图2是图1所示的电路组件的剖视图。 
该电路组件1具备布线基板2、在布线基板2上排列搭载的多个电子部件、覆盖该多个电子部件的绝缘性树脂部5以及覆盖绝缘性树脂部5的导电层6。上述的多个电子部件包括带屏蔽功能电子部件3和半导体部件4。另外，在本发明中的“带屏蔽功能电子部件”是指具备从电磁方面屏蔽配置在内部的元件的功能的电子部件。 
布线基板2例如为7mm×5mm×厚度0.4mm大致长方体状的基板，是通过层叠多个以玻璃陶瓷、氧化铝、莫来石等陶瓷材料为主要成分的绝缘体层而形成的。 
特别是，在将该电路组件1使用于高频用设备中的情况下，优选在布线基板2上使用玻璃陶瓷材料。通过使用玻璃陶瓷材料可以方便使用低电阻导体的Cu或Ag作为布线。 
该布线基板2通过如下方法而制成，在陶瓷材料粉末中添加、混合适当的有机溶剂而得到的陶瓷生片的表面，通过丝网印刷法等涂布构成电路布线或连接焊盘的导体膏，且将其多层层叠挤压成型后，在高温下烘培。 
在这样的布线基板2的内部，形成有配置在绝缘体层间的内部布线7或贯通绝缘体层的过孔导体8等，而且在下面形成有外部端子9。另外，还在上面形成有用于安装各种电子部件的电极焊盘10。 
上述的内部布线7、外部端子9、电极焊盘10，由以Ag、Cu、W、Mo等金属为主要成分的材料形成。其形成方法例如在成为构成布线基 板2的各个绝缘层的陶瓷生片上，通过丝网印刷等涂布含有Ag系粉末、硼硅酸系低熔点玻璃材料(glass frit)、乙基纤维素等有机粘合剂、有机溶剂而形成的导体膏，并通过烘培而形成。 
在该布线基板2上，搭载有带屏蔽功能电子部件3、半导体部件4、以及电容器、电阻、电感、SAW(Surface Acoustic Wave)滤波器等各种电子部件13。 
作为带屏蔽功能电子部件3，可以例示晶体振荡元件、SAW滤波器或温度补偿型晶体振荡器。 
在本实施方式中，使用温度补偿型晶体振荡器。 
图3表示作为温度补偿型晶体振荡器的带屏蔽功能电子部件3的剖视图。如图所示，带屏蔽功能电子部件3包括用于搭载晶体振荡元件17以及IC芯片18的容器体20、固定在容器体20上面的金属环16以及金属板14、以及在容器体20的下面形成的接地端子15而构成。另外，金属板14通过金属环16固定在布线基板2上，金属板14以及金属环16构成被保持在基准电位的“基准电位部”。另外，在本发明中的“基准电位”实质上是接地点位，但是并不局限于0伏。 
另外，在容器体20的上面搭载作为压电振动元件的晶体振荡元件17，在容器体20的下面设置空腔，且在空腔内搭载基于晶体振荡元件17的振动来控制振荡输出的IC芯片18。另外，在IC芯片18内存储温度补偿数据，根据该温度补偿数据进行上述振荡输出的温度特性的修正。 
该带屏蔽功能电子部件3的金属板14，通过设置在容器体20上的布线19与接地端子15连接，由此，晶体振荡元件17处于由保持在基准电位的金属板14以及金属环16包围的状态，屏蔽掉周围的不必要的电磁波，可以使晶体振荡元件17的电特性稳定化。 
再者，设置在容器体20的下面的接地端子15，如图2所示，通过设置在布线基板2上的内部布线7和过孔导体8与设置在布线基板2的下面的接地用的外部端子9连接。 
在布线基板2上搭载有半导体部件4，其与上述带屏蔽功能电子部件3相邻。半导体部件4是具有在Si或GsAs等的半导体基板的表面 上形成了Al等的电路布线的构造的倒装芯片型的IC芯片。以形成有半导体部件4的电路布线的面为下面，通过使用焊锡等导电性粘接剂连接设置在该下面的Au等焊盘12和设置在布线基板上的电极焊盘10，由此半导体部件4在电气上和机械上与布线基板3连接。 
再者，半导体部件4例如是具备RF接收电路和RF发送电路的RFIC，该RF接收电路对用天线(ANT)接收到的信号进行放大、频率变换，然后对基带IC输出解调信号，该RF发送电路对来自基带IC的信号进行频率变换，然后输出到天线。 
在布线基板2上，除了上述带屏蔽功能电子部件3或半导体部件4以外，还在上面搭载电容器、电阻、电感、SAW滤波器等各种电子部件13，而且在布线基板2的内部，形成滤波器元件等无源部件21，这些部件通过互相电连接而构成规定的电路。 
在该实施方式中，搭载在布线基板2的上面的带屏蔽功能电子部件3、半导体部件4以及各种电子部件13中，设定带屏蔽功能电子部件3的上面的高度位置以使其为最高位置。由此，在用后述的绝缘性树脂部5覆盖半导体部件4或各种电子部件13时，可以露出带屏蔽功能电子部件3的上面侧。因而，导电层6对带屏蔽功能电子部件3的被保持在基准电位的部分的覆盖可以简单地进行。 
另外，在布线基板12上形成有绝缘性树脂部5，该绝缘性树脂部5按照使带屏蔽功能电子部件3的上面露出的方式，覆盖在半导体部件4、各种电子部件13以及布线基板3的上面。 
绝缘性树脂部5由酚醛树脂或环氧树脂等绝缘性树脂材料形成，通过覆盖半导体部件4、各种电子部件13来对其进行保护，而且具有提高电路组件1本身的机械强度的功能。 
另外，使用了该绝缘性树脂部5的电路组件1，与仅用金属罩覆盖的以往的电路组件相比，可以使从半导体部件4等发生的焦耳热高效率地散热到外部。即，在用金属罩覆盖半导体部件4等的情况下，在半导体部件4的周围为导热率低的空气层，因此在半导体部件4产生的热量几乎仅传递到布线基板侧，但是如本发明那样用导热率比空气高的绝缘性树脂部5进行覆盖时，热量也释放到绝缘性树脂部5，可以防止在半 导体部件4中蓄积过多的热量。 
该绝缘性树脂部5通过丝网印刷法等，以覆盖带屏蔽功能电子部件3、半导体部件4、各种电子部件13、以及布线基板3的上面的方式涂布在布线基板12的上面。 
此时，使带屏蔽功能电子部件3其至少保持在基准电位的部分即金属环16或金属板14的一部分不被绝缘性树脂部5覆盖，这是由于要使导电层6覆盖在保持在上述基准电位的部分的缘故。 
涂布的绝缘性树脂部5，例如通过在150℃下加热30分钟左右使其固化。 
这里，如果预先使绝缘性树脂部5的上面的高度位置和带屏蔽功能电子部件3的上面的高度位置相等，则处于带屏蔽功能电子部件3的整个上面从绝缘性树脂部5中露出的状态，由于该露出部被导电层6所覆盖，所以可以将导电层6更可靠地保持在基准电位。 
除此之外，通过使绝缘性树脂部5的上面与高度最高的带屏蔽功能电子部件3的上面对齐，绝缘性树脂部5的上面被平坦化。即，在绝缘性树脂部5的上面比高度最高的带屏蔽功能电子部件3的上面低的情况下，按照覆盖绝缘性树脂部5的上面的方式形成导电层6时，导电层6与带屏蔽功能电子部件3对应的部分突出，处于形成阶梯差的状态。对此，如果预先使绝缘性树脂部5的上面的高度位置与带屏蔽功能电子部件3的上面的高度位置相等，则在绝缘性树脂部5上所形成的导电层6也不能形成大的阶梯差。由此，例如，在吸引电子组件1进行搬送时，可以可靠地吸引，可以提高生产率。另外，还存在能在导电层6的上面以良好的状态进行标记的优点。 
覆盖绝缘性树脂部5的上面的导电层6，可以例示导电性树脂材料、金属膜等，但是从生产率的角度优选仅由Ag等烧结金属粒子构成的金属烧结层而形成。在将电路组件1安装在处理800NHz以上的无线频率的移动电话等当中时，金属烧结层尤为有效。 
这里，金属烧结层优选几乎不含有粘合剂等树脂成分，是将金属的微粒子彼此烧结而形成的。该金属烧结层通过将平均粒径1nm～100nm、更优选平均粒径10nm～50nm的金属纳米粒子分散在甲苯、松 油醇、二甲苯、十四烷等有机类的分散溶剂中，做成膏状之后，在绝缘性树脂部5的上面进行涂布，并将其在130～300℃下进行加热处理而形成。这样，通过使用上述的纳米数量级的金属粒子，可以形成致密的金属层，有效地屏蔽来自外部的电磁噪声。另外，纳米数量级的金属粒子由于在130～300℃的比较低的低温下进行烧结，所以对绝缘性树脂部5以及半导体部件4等不产生高温加热所带来的恶化，能够形成导电层6。上面对使用Ag所形成物质制成金属烧结层进行了说明，也可以是用Ag以外的金属，例如Cu或Ni。另外，金属烧结层所形成的导电层6的厚度例如设定在5～10μm。 
根据上述的电路组件1，通过在布线基板上所搭载的带屏蔽功能电子部件3的保持在基准电位的部分所覆盖的导电层6，覆盖了半导体部件4、各种电子部件13、以及布线基板2的上面，由此可以屏蔽来自外部的不必要的电磁波，使电路组件1稳定地工作。且不必在布线基板2上另外设置用于使导电层6保持在基准电位的接地电极，可以相应程度地使布线基板2小型化，进一步有助于电路组件1的小型化。另外，由于做成带屏蔽功能电子部件3的保持在基准电位的部分(金属板14)覆盖导电层6的构造，所以不必将导电层6引到布线基板2，可以简单地使其与基准电位部导通。 
图4是表示电路组件1的另一实施方式的立体图。图5是图4所示的电路组件1的剖视图。 
该电路组件1的特征在于，导电层6的上面的高度位置和带屏蔽功能电子部件3的上面的高度位置相等。因此，处于图4所示的带屏蔽功能电子部件3的上面露出在外部的状态。 
导电层6如图5所示，通过覆盖金属板14的侧面以及金属环16而保持在基准电位。通过做成这样的构造，可以使从布线基板2的最上层到导电层6的上面的厚度实质上与带屏蔽功能电子部件3的厚度相等，可以使电路组件1进一步高度低、小型化。另外，在导电层6上不会形成大的凹凸，例如在吸引电路组件1进行搬送时，可以可靠地进行吸引，有助于提高生产率。另外，还存在导电层6可以以良好的状态进行标记的优点。
在上述的实施方式中，以带屏蔽功能电子部件3的上面高度比半导体部件4的上面的高度位置高的电路组件1为例进行了说明，但是带屏蔽功能电子部件3的上面的高度，比半导体部件4的上面高度低的情况下本发明也可以应用。此时，为了将导电层6覆盖在带屏蔽功能电子部件3的保持在基准电位的部分，如图6所示，设置用于将导电层6和带屏蔽功能电子部件3的金属板14连接起来的导电路径26即可。该导电路径26由与导电层6相同的材料形成。 
图7是表示本发明的电路组件1的另一实施方式的剖视图。再者，与上述实施方式(图1～图5、图6)同样的构成要素使用相同的符号省略其重复说明。 
在本实施方式中，使用高度比较低的晶体振子作为带屏蔽功能电子部件3。在本实施方式中，其特征在于基准电位部设置在半导体部件4上。 
图8是图7所示的电路组件1中所使用的半导体部件4的剖视图，半导体部件4是包括半导体基板43、贯通导体44、以及半导体部件4的安装面所形成的基准电位用的电极焊盘24(以下，称为接地电极焊盘24)而构成的。 
半导体基板43由Si或GaAs等半导体材料构成。再者，在半导体基板43的安装面侧也可以适当地形成用于引出布线的再布线层。 
贯通导体44按照在厚度方向贯通半导体基板43的方式形成，其上端导出到与半导体基板43的安装面的相反侧的面(上面)，该导出部44a为基准电位部。另一方面，贯通导体44的下端，导出到半导体基板43的安装面，且与接地电极焊盘24直接连接或通过布线25连接。 
接地电极焊盘24通过焊盘12，与设置在布线基板2的下面的接地用的外部端子9电连接，由此贯通导体44保持在接地电位。 
贯通导体44通过对半导体基板43实施蚀刻处理等形成贯通孔之后，通过在该贯通孔中填充Cu等金属材料、或在贯通孔的内面镀敷Cu等金属材料而形成。 
在将金属材料填充到贯通孔中时，优选使用以纳米数量级的金属粒子为主要成分的膏材料。具体地说，将平均粒径1nm～100nm，优选平 均粒径10nm～50nm的金属纳米粒子分散在甲苯、松油醇、二甲苯、十四烷等有机类的分散溶剂中，将做成膏状的材料填充在贯通孔中，并将其在130～300℃下进行加热处理而形成。这样，由于以金属纳米粒子为主要成分的膏，与一般的导电性膏相比粘性低，所以能够更可靠地填充到设置在半导体基板43中的细小的贯通孔、例如10μm～45μm的贯通孔中。 
另外，贯通孔也可以通过激光加工形成。 
在导出到与半导体基板43的安装面相反侧的面(上面)的贯通导体44的导出部44a上覆盖如图7所示的导电层6，由此将导电层6保持在接地电位，屏蔽来自外部的不必要的电磁波，可以使电路组件1稳定地工作。 
这样，在半导体部件4中形成基准电位部的情况下，优选使半导体部件4的上面的高度位置高于搭载在布线基板2的上面的其他电子部件的上面的位置。由此，导电层6对基准电位部的覆盖可以非常简单地进行。这里，如果预先使绝缘性树脂部5的上面的高度位置和半导体部件4的上面的高度位置相等，则可以使在绝缘性树脂部5的上面所形成的导电层6平坦化。即，在绝缘性树脂部5的上面比高度最高的半导体部件4的上面低的情况下，若按照覆盖绝缘性树脂部5的上面的方式形成导电层6，则导电层6处于与半导体部件4对应的部分突出，而成为形成阶梯差的状态。相对于此，如果预先使绝缘性树脂部5的上面的高度位置与半导体部件4的上面的高度位置相等，则形成在绝缘性树脂部5上的导电层6也不会形成大的阶梯差。由此，例如在吸引电路组件1进行搬送时，可以可靠地进行吸引，有助于生产率的提高。另外，还存在能在导电层6的上面以良好的状态进行标记的优点。因此，优选预先使绝缘性树脂部5的上面的高度位置与半导体部件4的上面的高度位置相等。 
另外，在上述的实施方式中，使导电层6与设置在带屏蔽功能电子部件3、半导体部件4中的一方的基准电位部连接，但是，也可以使导电层6与设置在带屏蔽功能电子部件3和半导体部件4二者上的基准电位部连接。
接着，对本发明其他的实施方式进行说明。另外，与上述同样的实施方式(图1～图8)同样的构成要素使用同一符号，省略其详细说明。 
搭载在布线基板上的多个电子部件中，包括在电路组件1的使用时发生热量的发热性电子部件。在从该发热性电子部件发生的热量不能释放到外部的情况下，由于过多的热量蓄积在发热性电子部件本身中，发热性电子部件的电特性变动很大，电路组件1的工作将不稳定。 
因此，为了将发热性电子部件发生的热量释放到电路组件1的外部，在以往使用在布线基板上设置多个散热孔导体的散热构造。具体地说，在布线基板的发热性电子部件的正下方区域，设置贯通布线基板的多个散热孔导体，该散热孔导体与在布线基板下面设置的散热凸块连接。在发热性电子部件发生的热量通过散热孔导体传导至散热凸块，可以释放到电路组件1的外部(参照上述专利文献1)。 
但是，在构成电路组件1的布线基板的内部，设置有多条内部布线。但是，如上述以往的电路组件，在除了内部布线之外还将多个散热孔导体等构成的散热构造设置在布线基板中时，布线基板的内部构造将非常复杂。另外，散热孔导体和内部布线之间必需形成为不接触，对散热孔导体或内部布线的形成位置产生制约。因此，在搭载了发热性电子部件的以往电子组件中，布线基板难以大型化，电路组件的整体构造难以小型化。 
本发明的实施方式提供一种小型且散热性优良的电路组件1。 
图9是该实施方式的电路组件1的剖视图。图10是从导体层(在本实施方式中，着眼于其散热功能而将其称为“散热体”)6的上面观察该电路组件1的俯视图。 
该实施方式的电路组件1的布线基板2上，搭载有半导体部件(本实施方式中称为“发热性电子部件”)4、带屏蔽功能电子部件(以下简单地称为“电子部件”)3、各种电子部件13。在图10中，用虚线表示这些的部件3、4、13。 
发热性电子部件4是消耗电力比较大且易发热的电子部件，在本实施方式中使用了内置有功率放大器的半导体部件。 
该发热性电子部件4如图10所示，在电路组件1的俯视图中位于 散热体6的大致中央而配置。通过这样配置发热性电子部件4，热扩散性提高，可以使来自发热性电子部件4的热量有效地散热。 
另外，电子部件3、13以及发热性电子部件4，除了发热性电子部件4的至少一部分之外，由绝缘性树脂部5覆盖。 
该绝缘性树脂部5通过丝网印刷法等，涂布在布线基板2的上面侧，覆盖电子部件3、13以及布线基板2的上面。涂布的绝缘性树脂部5例如在150℃下加热30分钟左右来固化。 
此时，发热性电子部件4的一部分不用绝缘性树脂部5覆盖。这是由于要将散热体6与发热性电子部件4连接的缘故。 
在本实施方式中，在发热性电子部件4上设置多个通路51，进行图案化形成绝缘性树脂部5。即发热性电子部件4的上面的多个位置在通路51处于露出的状态。 
再者，作为设置通路51的方法，也可以在以覆盖发热性电子部件4整体的方式形成绝缘性树脂部5之后，使用激光等形成从绝缘性树脂部5的上面开始到达发热性电子部件4的上面的孔或槽，由此形成通路51。 
发热性电子部件4的上面侧形成的通路51，例如如图10所示，形成为平面形状为圆状，在发热性电子部件4的上面整体均等地配置。 
通路51的形状、配置等可以适当地变更。例如在发热性电子部件4存在发热温度分布偏差的情况下，也可以仅在发热温度容易上升的部分形成通路51。温度容易上升的部分位于发热性电子部件4的中央区域的情况下，也可以如图11所示，在发热性电子部件4的中央区域密集地形成通路51，也可以如图12所示，按照位于发热性电子部件4的中央的通路51的平面形状大的方式而形成。这样，通过在发热性电子部件4的上面侧设置散热构造，可以按照发生的热量有效地散热的方式与发热性电子部件4的发热温度分布相应地来变更通路51的形成密度或形成尺寸等。由此，可以将电路组件1的电性能以及可靠性性能进一步提高。另外，通路51的平面形状也可以形成多边形或条状等任意形状。 
该绝缘性树脂部5的上面由散热体6覆盖。由散热体6覆盖时，对 通路51填充构成散热体6的材料。由此，在通路51的底面所露出的发热性电子部件4的上面与散热体6成为导热连接。 
作为散热体6的材料，与上述的实施方式同样，可以例示导电性树脂、蒸镀或镀敷所形成的金属膜等。这些材料的导热率高。尤其从生产率的角度看，优选仅由Ag等的烧结金属粒子构成的金属烧结体形成。另外，在将电路组件1安装到处理800MHz以上的无线频率的移动电话等中时，从电磁屏蔽的角度看金属烧结体尤为有效。 
金属烧结体几乎不包括粘合剂等树脂成分，是烧结金属微粒子彼此而形成的。该金属烧结体通过将平均粒径1nm～100nm、更优选平均粒径10nm～50nm的金属纳米粒子分散在甲苯、松油醇、二甲苯、十四烷等有机类的分散溶剂中，做成膏状之后，在绝缘性树脂部5的上面进行涂布，并将其在130～300℃下进行加热处理而形成。这样，通过使用上述的纳米数量级的金属粒子，可以形成致密的金属层，可以形成导热性、散热性非常优良的层，从发热性电子部件4发出的热量可以有效地释放到外部。另外，纳米数量级的金属粒子由于在130～300℃比较低的温度下进行烧结，所以不会对绝缘性树脂部5以及电子部件3、13等产生高温加热所引起的劣化，可形成散热体6。 
再者，作为金属烧结体的材料，除Ag以外可以使用Cu或Ni等。另外，由金属烧结体所形成的散热体6的厚度，例如设定为5～10μm。 
根据上述的本发明的电路组件1，从发热性电子部件4所产生的热量多通过填充在通路51中的上述材料释放到外部。即，不必在布线基板2中设置由散热孔导体等构成的复杂的散热机构，可以方便地将发热性电子部件4的热量释放到外部，因此可以简化布线基板2的内部构造，而且可以提高其内部布线的设计自由度。由此，可以使布线基板2小型化，进而有助于电路组件1的整体构造的小型化。 
图13是表示该实施方式的变形例的剖视图。该图所示的电路组件1的特征在于，在绝缘性树脂部5上形成有从其上面贯通到布线基板2的通路52。而且，形成在绝缘性树脂部5的上面的散热体6，通过填充在通路52中的导电性材料与布线基板2上设置的基准电位用导体11(以下成为接地导体11)电连接。接地导体11在电路组件1使用时， 是保持在接地电位的导体，通过内部布线与接地电位用的外部端子9连接。 
通过使散热体6与该接地导体11电连接，可以提高散热体6的电磁屏蔽功能。由此，搭载在布线基板2上的发热性电子部件4、电子部件3、13处于被屏蔽的状态，可以防止来自外部的不必要的电磁波所引起的误动作、电特性的变动等，可以使电路组件1更稳定的工作。 
再者，也可以代替通过贯通绝缘性树脂部5而形成通路52，而在绝缘性树脂部5的侧面形成导体图案，通过连接该导体图案和散热体6，并使该导体图案与接地导体11(或外部端子9)连接，将散热体6降低到接地电位这样的结构。 
在上述实施方式中，使用多个电子部件3、4、13中的散热性电子部件4的上面的高度位置为最高的电路组件1为例进行了说明，但是在发热性电子部件4的上面的高度位置比其他的电子部件3、13的上面的高度位置低的情况下也可以应用本发明。此时，如图14所示，形成通路51，其高度相当于散热体6和发热体电子部件4之间的间隔大小，在该通路51内填充散热体6的材料即可。 
图15是本发明的电路组件1的另一实施方式的剖视图。再者，与上述实施方式同样的构成要素使用相同的符号省略其重复说明。 
在本实施方式中其特征在于，发热性电子部件4的上部埋设在散热体6中。这样，通过将发热性电子部件4的上部埋设散热体6中，可以增加发热性电子部件4和散热体6之间的接触面积，将发热性电子部件4所发生的热量更有效地释放到外部。再者，所谓发热性电子部件4的上部为发热性电子部件3b的本身中的上半部分的区域。 
图16是表示本发明的电路组件1的另一实施方式的剖视图。 
在本实施方式中其特征在于，发热性电子部件4的上面的高度位置比其他的电子部件3、13的上面的高度位置高，且绝缘性树脂部5的上面的高度位置与发热性电子部件4的上面的高度位置相等。 
通过使绝缘性树脂部5的上面的高度位置与发热性电子部件4的上面的高度位置相等，可以使散热体6的上面平坦且使电路组件1的高度低。即，在绝缘性树脂部5的上面比高度最高的发热性电子部件3的上 面低的情况下，若在覆盖绝缘性树脂部5的上面而形成散热体6，则散热体6的与发热性电子部件4对应的部分处于突出的状态。与此相对，如果使绝缘性树脂部5的上面的高度位置与发热性电子部件4的上面的高度位置相等，则在绝缘性树脂部5上所形成的散热体6中不会形成大的凹凸。由此，例如在吸引电路组件1进行搬送时，可以可靠地进行吸引，有助于生产率的提高。另外，与发热性电子部件4的上面和散热体6之间没有介入绝缘性树脂部5的大小相应地，可以使电路组件1的高度降低。 
图17是表示本发明的电路组件1的再另一个实施方式的剖视图。本实施方式的特征在于，在散热体6中设置有多个槽61。这样，通过在散热体6中设置多个槽61，可以增加散热体6的表面积，提高对外部的散热性。上述多个槽61的平面形状是任意的，例如也可以是直线状也可以是曲线状。 
接着，作为电子部件，对使用两个半导体部件的电路组件1进行说明。作为第一半导体部件使用RFIC，作为第二半导体部件使用基带IC。 
图18是本发明的实施方式的电路组件1的外观立体图，图19是图18所示的电路组件1的剖视图，图20是图18所示的电路组件1的俯视图。 
该电路组件1主要由布线基板2、第一半导体部件41、第二半导体部件42、覆盖第一、第二半导体部件41、42的绝缘性树脂部5以及在第一半导体部件41和第二半导体部件42之间分隔二者的屏蔽部件54构成。 
搭载于布线基板2上的第一半导体部件41是RFIC，具备：对由天线(ANT)接收的信号进行放大、频率变换后将调制信号输出到基带IC的RF接收电路；和将来自基带IC的信号进行频率变换后输出到天线的RF发送电路。该第一半导体部件41内置有功率放大器，作为不必要的电磁波的发生源的半导体部件。第一半导体部件41为倒装片型IC，具有在Si或GaAs等的半导体部件基板的表面上形成有Al等的电路布线的构造，通过由Au等形成的焊盘12与电极焊盘10电气连接以及机械连接。
第二半导体部件42为基带IC，例如具有调制解调声音信号或RF信号的功能。该第二半导体部件42与第一半导体部件41同样，为倒装片型IC，具有在Si或GaAs等的半导体部件基板的表面上形成有Al等的电路布线的构造，通过由Au等形成的焊盘12与电极焊盘10电气连接以及机械连接。 
配置第一半导体部件41一侧的区域称为区域A，配置第二半导体部件42一侧的区域称为区域B。 
在布线基板1的上面，除了第一、第二半导体部件以外搭载有各种电子部件13。这些电子部件13例如为晶体振荡器、SAW滤波器、电容器、电阻、电感等，分为与基带IC电连接的控制系统的电子部件、与RFIC电连接的RF系统的电子部件。这些各种电子部件13为芯片部件，各个外部端子和电极图案通过焊锡等导电性粘接材料电气连接以及机械连接。 
另外，在布线基板1的内部内置有电容器、平衡—不平衡变压器(barlun)、滤波器等无源部件21。这样，通过在布线基板2内置无源部件21可以减小布线基板2，进而有助于电路组件1的整体构造的小型化。 
这些第一、第二半导体部件41、42以及各种电子部件13，由绝缘性树脂部5覆盖。该绝缘性树脂部5由酚醛树脂或环氧树脂等树脂材料构成，通过覆盖第一以及第二半导体部件41、42以及各种电子部件13，保护第一以及第二半导体部件41、42以及各种电子部件13，而且可以提高电路组件1本身的机械强度，确保可靠性性能。 
该绝缘性树脂部5通过丝网印刷法等，按照绝缘性树脂膏覆盖第一、第二半导体部件41、42以及各种电子部件13的方式从布线基板2的上面侧开始涂布，然后，例如在150℃下加热30分钟左右使其固化而形成。此时，第一半导体部件41和第二半导体部件42之间也形成绝缘性树脂部5。 
第一半导体部件41和第二半导体部件42之间所形成的绝缘性树脂部5中，形成用于分隔第一半导体部件41和第二半导体部件42的槽部53。这里，槽部53是通过激光加工等除去已形成的绝缘性树脂部5后 的部分，其剖面形状如图19所示为凹部。凹部的深度也可以到达绝缘性树脂部5的中途，也可以贯通绝缘性树脂部5使其凹部的底面到达布线基板2。 
设置在绝缘性树脂部5上的槽部53中填充导电性部，形成有屏蔽部54。通过该屏蔽部54，构成分隔第一半导体部件41和第二半导体部件42的构造，可以抑制在第一半导体部件41和第二半导体部件42之间的不必要的电磁波的传播。由此，例如第二半导体部件42不会直接被内置在第一半导体部件41中的功率放大器所发生的不必要的电磁波辐射，可以使电路组件1的工作稳定化。 
另外，如图20所示，在第一、第二半导体部件41、42以外的各种电子部件13中，优选将RF用电子部件13a配置在设置了RFIC一侧的区域A中，将控制系统的电子部件13b配置在设置了基带IC一侧的区域B中。由此，可以抑制在包括RFIC的RF系统的电子部件和包括基带IC的控制系统的电子部件之间的信号干扰，可以使电路组件1更稳定地工作。 
另外，屏蔽部件54与布线基板2上的接地导体11连接。接地导体11与设置在布线基板2的下面的接地用的外部端子9连接，在电路部件1使用时被保持在接地电位，与该接地导体11连接的导电性的屏蔽部件54被保持在接地电位。这样，通过设置被保持在接地电位的接地导体11，并预先将屏蔽部件54与接地导体11连接，可以提高第一半导体部件41和第二半导体部件42之间的电磁波的屏蔽效果。 
该屏蔽部件54和接地导体11之间的连接，通过不使用粘接剂或焊锡等而直接粘合，可以不需要用于形成焊脚的多于的空间，实现电路组件1的小型化且可以实现确切可靠地连接。 
屏蔽部件54的材料，可以例示以往公知的导电性树脂材料、蒸镀或镀敷所形成的金属膜等，但从生产率的角度看，优选仅由Ag等的烧结金属粒子构成的金属烧结体形成。 
尤其在将电路组件1安装到处理800MHz以上的频率的无线通信设备等中时，金属烧结体尤为有效。作为金属烧结体，几乎不包括粘合剂等树脂成分，是烧结金属微粒子彼此而形成的。该金属烧结层通过将平 均粒径1nm～100nm、更优选平均粒径10nm～50nm的金属纳米粒子分散在甲苯、松油醇、二甲苯、十四烷等有机类的分散溶剂中，做成膏状之后，填充在第一半导体部件41和第二半导体部件42之间所设置的槽部53中，并将其在130～300℃下优选在150℃～250℃下进行加热处理而形成。此时，分散溶剂被蒸发且通过烧结金属粒子彼此而形成屏蔽部件54。这样，通过使用上述纳米数量级的金属粒子，可以形成致密的金属层，可以有效地屏蔽来自第一半导体体部件41的电磁噪声。另外，纳米数量级的金属粒子，由于在130～300℃的比较低的温度下烧结，所以可抑制发生高温加热对绝缘性树脂部5、以及第一、第二半导体部件41、42等的劣化。作为金属烧结层的主要成分，也可以是Ag以外的金属，也可以是Cu或Ni等。另外，由金属烧结层所形成的屏蔽部件54的厚度，例如可以设定在20μm～100μm，与金属构成的板状的部件相比可以形成得薄，因此有利于电路组件1的小型化。 
另外，将屏蔽部件54按照与布线基板2上的接地导体11接触的方式进行涂布、填充，进行上述的加热处理再将其烧结，在屏蔽材料54和接地导体11的表面之间进行基于直接接触的烧结，其结果，使屏蔽部件54和接地导体11坚固地接合。 
根据上述的电路组件1，在第一半导体部件41和第二半导体部件42之间按照形成用于分隔二者的槽部53的方式填充绝缘性树脂部5，由于做成在槽部53内设置导电性屏蔽部件54的构造，所以不必使用金属罩就可以形成在第一、第二半导体部件间分隔二者的屏蔽部件54，有助于电路组件1的小型化。 
另外，在布线基板上搭载的第一、第二半导体部件41、42或各种电子部件13通过绝缘性树脂部5覆盖，屏蔽部件54成为埋设在绝缘性树脂部5中设置的槽部53中的构造，因此不会导致各电子部件或屏蔽部件54的损坏，可以在良好的状态下形成用于屏蔽第一半导体部件41、第二半导体部件42的屏蔽部件54。 
另外，也不必如以往的金属罩那样，设置用于保持屏蔽板的顶板。进而，通过将用于分隔RF系统的电子部件和控制系统的电子部件的屏蔽部件54设置在纵方向，与在布线基板2的内部设置沿整个横向扩展 的接地图案的情况相比，可以将布线基板2的内部作为布线的引出部或内置部件的形成区域，具有提高设计自由度且降低电路组件1的高度的优点。 
再者，在上述的实施方式中，例示了第一、第二半导体部件41、42均由IC构成的例子，本发明可以应用于在布线基板上排列设置包括可以发生电子噪声的电子部件的多个电子部件的电路组件1中。例如，如图21所示，也可以将屏蔽部件54设置在第一半导体部件41和晶体振荡器、SAW滤波器等特性容易根据温度变化的电子部件13c之间。 
图22是表示本发明的另一实施方式的电路组件1的剖视图。该电路组件1的特征在于在绝缘性树脂部5的上面设置有与屏蔽部件54连接的导电层6。根据这样的构造，绝缘性树脂部5的上面整体处于由保持在接地电位的导电层6覆盖的状态，可以屏蔽来自外部的不必要的电磁波，使电路组件1的工作稳定。另外，可以防止从第一半导体部件41放射的不必要的电磁波向电路组件1的外部泄露。 
另外，导电层6还具有有助于从第一半导体部件41发生的、传递到屏蔽部件54的热量的放射的功能。由此，热量难以蓄积，因此可以防止第二半导体部件42的电特性随热量变动，使电路组件1更稳定地工作。 
导电层6优选由与屏蔽部件54同样的材料形成。具体地说，通过将平均粒径1nm～100nm、更优选平均粒径10nm～50nm的金属纳米粒子分散在甲苯、松油醇、二甲苯、十四烷等有机类的分散溶剂中，做成膏状之后，涂布在绝缘性树脂部5的上面，并将其在130～300℃下优选在150℃～250℃下进行加热处理而形成。 
这样，通过使用与屏蔽部件54同样的材料形成导电层6，可以可靠地进行导电层6与屏蔽部件54之间的连接，而且由于将二者在同一工序中形成所以生产效率非常好。再者，导电层6的厚度例如设定在5～10μm。 
图23是本发明的电路组件1的另一例子的剖视图，图24是其俯视图。 
在本实施方式中其特征在于，代替第二半导体部件42，设置有晶 体振荡器、晶体振荡元件、SAW滤波器等，特性容易随温度变化的电子部件13c(包括带屏蔽功能电子部件3)。 
第一半导体部件41和电子部件13c之间，设置有用于隔开二者的屏蔽部件54。屏蔽部件54与散热体6连接，可以使第一半导体部件41放射的热量传递到散热体6。由此可以抑制热量传递到温度特性变动比较大的电子部件13c，防止电子部件13c的电特性变动，可以使电子组件1更稳定地工作。 
图25是表示本发明的再另一个实施方式的电路组件1的剖视图。 
该图所示的电路组件1的特征在于，槽部53的底面位于布线基板内。由此，由屏蔽部件54划分的两个区域A、B分别扩散到布线基板内部。由此，将RF用无源部件21a内置在布线基板中，且配置在区域A，由此RF系统的部件和控制系统的部件之间的信号干扰更小，使电路组件1的整体构造小型化，且可使其工作稳定。另外，分隔RF系统的部件和控制系统的部件的屏蔽部件54设置在纵向(纸面上下方向)，由此与将屏蔽部件水平地设置在布线基板2的内部的情况相比，具有可以有效地将布线基板2的内部用作布线的引出部或内置部件的形成区域，提高设计的自由度的优点。 
图26是本发明再另一个实施方式的电路组件1的俯视图。 
在本实施方式中其特征在于，在第一半导体部件41和第二半导体部件42之间所形成的绝缘性树脂部5中，形成具有规定间隔地用于分隔第一半导体部件41和第二半导体部件42的多个孔部55。孔部55的形成方法有通过激光点在绝缘性树脂部5中开洞的方法。这里多个孔部55的深度可以到绝缘性树脂部5的中间，也可以贯通绝缘性树脂部5使其凹部的底面到达布线基板2。 
绝缘性树脂部5中设置的孔部55中填充有导电性屏蔽部件54。通过该屏蔽部件54，构成在电磁上隔开第一半导体部件41和第二半导体部件42的构造，可以抑制第一半导体部件41和第二半导体部件42之间的不必要的电磁波的传播。由此，例如第二半导体部件42不会直接被内置在第一半导体部件41的功率放大器所发生的不必要的电磁波辐射，可以使电路组件1的工作稳定。
(无线通信设备) 
图27是例示了包括本发明的电路组件1、与该电路组件1连接的双工器94、天线99以及接收电路90的无线通信设备的电路构成的方框图。作为这样的无线通信设备的用途可以例示移动电话机。 
搭载在该无线通信设备中的电路组件1具有：作为第二半导体部件42的基带IC；使从基带IC输出的基带信号通过而除去不必要的信号成分的SAW带通滤波器93(电子部件13的一种)；包括作为第一半导体部件41的高频功率放大器的RFIC；晶体振荡元件或SAW滤波器等带屏蔽功能电子部件3。这些各个部件搭载在布线基板上。 
接收电路90具备：对通过双工器94的信号进行放大的低噪声放大器95；用于除去其不必要信号成分的SAW带通滤波器96；对通过带通SAW带通滤波器96的信号进行放大的放大器97；将由放大器97放大后的信号变换为低频信号的混频器98等。 
在该无线通信设备中，从基带IC输出的基带信号通过SAW带通滤波器93，用RFIC变换为高频电力信号。该高频电力信号通过双工器94从天线99发射出去。另一方面，由天线99接收的信号用低噪声放大器95放大，用SAW带通滤波器96除去不必要信号成分。通过该SAW带通滤波器96的信号，用放大器97再进行放大，由混频器98频率变换为基带信号。 
这样，通过将本发明的小型且生产率优良的电路组件1适用于无线通信设备，可以实现小型、廉价高性能的无线通信设备。 
(制造方法1) 
使用图28对所述实施方式(图1～图8)的电路组件1的制造方法进行说明。 
(工序A) 
首先，如图28(a)所示，准备具有配置为矩阵状的多个基板区域70的主基板71。 
主基板71例如由玻璃陶瓷、氧化铝陶瓷等陶瓷材料构成的生片层叠而构成。各个基板区域70的表面或内部形成有电极焊盘、内部布线、过孔导体、外部端子等。
这样的主基板71例如在由氧化铝陶瓷等形成的陶瓷材料粉末中添加、混合适当的有机溶剂等而得到的陶瓷生片的表面等上，将成为电极焊盘或外部端子的导体膏印刷、涂布为规定图案，且通过将其层叠多层挤压成形之后，在高温下进行烧结而制成。 
(工序B) 
接着，如图28(b)所示，在各个基板区域70的电极焊盘上通过焊锡等导电性粘接材料安装带屏蔽功能电子部件3、半导体部件4、电容器、电阻、电感等各种电子部件13。在此状态下，带屏蔽功能电子部件3的上面比其他半导体部件4或电子部件13的上面高。在本实施方式中，作为带屏蔽功能电子部件3，使用了包括容器体20和固定在容器体20的上面的金属板14而构成的温度补偿型晶体振荡器。 
(工序C) 
接着，如图28(c)所示，按照覆盖安装在所述集成电路基板上的带屏蔽功能电子部件3、半导体部件4、各种电子部件13以及各个基板区域的上面的方式，印刷成为绝缘性树脂部5的树脂膏，并使其固化。 
此时，带屏蔽功能电子部件3的保持在基准电位的部分，即金属板14的上面从绝缘性5露出。该露出的方法通过使用金属掩模的丝网印刷法等印刷环氧树脂等膏状的树脂。此时，在室内配置主基板71，在真空状态下进行树脂的印刷，抑制气泡的发生，可以在良好的状态下填充树脂。然后，例如以150℃通过一个小时的加热，使树脂固化形成绝缘性树脂部5。 
此时，如图2所示，按照绝缘性树脂部5的上面的高度位置与带屏蔽功能电子部件3的上面的高度位置相等的方式形成绝缘性树脂部5。这样，通过形成绝缘性树脂部5，成为从绝缘性树脂部5中露出金属板14的整个上面的状态，由于在该露出部上覆盖在下一工序D中形成的导电层6，可以更可靠地将导电层6保持在基准电位。 
(工序D) 
接着，如图28(d)所示，在绝缘性树脂部5的上面形成导电层6。该导电层6通过烧结金属的微粒子彼此而形成的金属烧结层构成，平均粒径1nm～100nm的Ag粒子分散在甲苯、松油醇、二甲苯、十四烷等 有机类的分散溶剂中，做成膏状之后，在绝缘性树脂部5的上面进行涂布。作为涂布方法也可以用丝网印刷法进行涂布，另外，还可以使用将填充的膏从喷嘴的前端喷出的喷墨法、通过使滴落有膏的主基板71高度地旋转来形成均匀的薄膜的旋涂法、对印刷到橡胶等弹性体上的膏进行转印的转印法、浸渍在槽中的膏内进行涂布的浸渍法等。 
这样，在涂布了膏之后，将其在130～300℃下进行加热处理。上述纳米数量级的Ag粒子在比较低的温度下容易烧结，因此不需要特别的烧结炉等，可以用通常的干燥器或回流炉进行加热处理。另外，对绝缘性树脂部5以及半导体部件4等不会发生由于高温加热所引起的劣化，可以形成致密的金属层。作为金属烧结层的材料除了Ag之外可以使用Cu或Ni等。 
(工序E) 
接着，如图28(e)所示，由切割机73将粘接在切割带72上的主基板71沿着各个基板区域切断。由此，得到分隔为单片的电路组件1。 
根据上述的电路组件的制造方法，在主基板71的整个面上可以分别一并地形成绝缘性树脂部5、导电层6，与设置了金属罩的以往的电路组件的制造方法相比，可以飞跃地提高生产率。即，在安装金属罩时，需要金属罩的定位工序、焊接工序等非常复杂的作业，而且这些作业需要分别对于多个基板区域进行，生产率低。对此，根据本实施方式的制造方法，金属罩的定位工序、焊接工序等复杂的作业均不需要，对于多个基板区域，可以一并地形成绝缘性树脂部5以及导电层6，所以可以提高具有屏蔽效果的电路组件的生产率。 
在上述电路组件的制造方法中，表示了导电层6覆盖在设置于带屏蔽功能电子部件3上的基准电位部的情况，但是在导电层6覆盖于设置在半导体部件4上的基准电位部的情况下(参照图7)，在上述工序A～E中，将带屏蔽功能电子部件3置换为半导体部件4进行同样的工序即可。 
在半导体部件4中形成贯通导体44的情况下，如果用于形成贯通导体44的导电膏和用于形成导电层6的导电膏使用相同材料，则可以同时形成贯通导体44和导电层6。即，在上述工序B中，在布线基板 2上安装形成了贯通孔的状态的半导体部件4，在上述工序D中，涂布构成导电层6的膏而且在贯通孔中也填充膏，可以同时形成贯通导体44和导电层6，提高电路组件的生产效率。 
(制造方法2) 
接着，使用图29对上述的图18～图20的实施方式的电路组件的制造方法进行说明。 
(工序A) 
首先，如图29(a)所示，在具有多个基板区域70的主基板71的各个基板区域排列设置第一、第二半导体部件41、42以及电容器等各种电子部件13。再者，为了方便，用虚线表示相邻的基板区域70的边界。 
主基板71例如通过层叠由玻璃陶瓷、氧化铝陶瓷等陶瓷材料构成的生片而构成，在各个基板区域70的表面或内部形成有电极焊盘、内部布线、过孔导体、外部端子等。 
这样的主基板71例如在由氧化铝陶瓷等形成的陶瓷材料粉末中添加、混合适当的有机溶剂等所得到的陶瓷生片的表面等上，将成为电极焊盘或外部端子的导体膏印刷、涂布为规定图案，且将其多层层叠挤压成型后，在高温下通过烘培而制成。 
各个基板区域70中设置有电极焊盘10，在电极焊盘10上通过焊锡等导电性粘接材料安装有第一、第二半导体部件41、42以及各种电子部件13。另外，在各个基板区域70中除了电极焊盘10之外，还形成有保持在接地电位的接地导体11。 
(工序B) 
接着，如图29(b)所示，形成覆盖第一、第二半导体部件41、42以及各种电子部件13的绝缘性树脂部5。 
绝缘性树脂部5通过使用了金属掩模的丝网印刷法等印刷环氧树脂等膏状的树脂。此时，在室内载置主基板71，在真空状态下进行树脂印刷，则可以抑制气泡的发生，在良好的状态下填充树脂。因此，优选树脂的印刷工序在真空中进行。然后，例如以150℃通过一个小时的加热，使树脂固化形成绝缘性树脂部5。
(工序C) 
接着，如图29(c)所示，在介入第一半导体部件41和第二半导体部件42之间的绝缘性树脂部5中形成用于分隔第一、第二半导体部件41、42的槽部53。 
槽部53可以使用利用了激光的激光刻画等形成，但是通过选择适当的输出、波长的激光，从绝缘性树脂部5的上面刻画到布线基板2的表面，可以使布线基板2的上面上所设置的接地导体11露出。 
在上述工序A中，将基板区域70在X方向、Y方向排列为矩阵状，而且将第一、第二半导体部件41、42沿X方向排列，在该工序C中，如果按照在沿Y方向相邻的基板区域连接的方式形成槽部53，则对于多个基板区域70可以一并地进行后述的屏蔽部件54的形成，能够提高电路组件的生产率。 
(工序D) 
接着，如图29(d)所述，在槽部53中填充导电膏，通过固化形成屏蔽部件54。 
上述导电膏通过将平均粒径1nm～100nm的金属纳米粒子涂布、填充，然后在130℃～300℃的低温通过烧结而形成。更具体地说，将平均粒径1nm～100nm的Ag粒子分散在甲苯、松油醇、二甲苯、十四烷等有机类的分散溶剂中，做成膏状之后，填充在槽部53中。为了将该导电膏填充到槽部53中，可以适用真空印刷法。然后，在干燥器或回流炉中在130℃～250℃的低温下实施加热处理，烧结金属纳米粒子。 
在该工序D中，也可以在将导电膏填充到槽部53内的同时，对绝缘性树脂部5的上面也涂布导电膏，并使其固化。由此，可以使保持在接地电位的屏蔽层简单且可靠。 
然后，如图29(e)所示，将粘贴在分割带72上的主基板71使用分割机73进行切断。此时沿着搭载各个部件的布线基板2间的边界线切断为纵横矩阵状，而得到各个电路组件。 
根据上述的本发明的电路组件的制造方法，在以分隔第一、第二半导体部件41、42的方式设置的槽部53上，仅通过填充导电膏就可以形成屏蔽部件54，能简单且更可靠地在分隔第一、第二半导体部件41、 42的位置形成具有电磁屏蔽功能的屏蔽部件54。 
另外，仅通过露出接地导体11的方式形成使槽部53导通为接地电位的屏蔽部件54，这样生产效率高。 
再者，本发明并不局限于上述的实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内可以进行各种变更、改进。

Claims (31)

1.一种电路组件，具备：
布线基板；
搭载在所述布线基板上的多个电子部件；
设置在所述多个电子部件中的至少一个电子部件的上面的基准电位部；
除了所述基准电位部之外覆盖所述多个电子部件的绝缘性树脂部；和
与所述基准电位部连接且覆盖所述绝缘性树脂部的上面的导电层；
设置了所述基准电位部的至少一个电子部件包括容器体和在该容器体的下面形成的接地端子，所述基准电位部经由所述容器体的布线与所述接地端子连接。
2.根据权利要求1所述的电路组件，其特征在于，
设置了所述基准电位部的至少一个电子部件即具有基准电位部的电子部件的高度比其他电子部件的高度高。
3.根据权利要求2所述的电路组件，其特征在于，
所述绝缘性树脂部的上面的高度与具有所述基准电位部的电子部件的高度相等。
4.根据权利要求1所述的电路组件，其特征在于，
所述导电层覆盖在所述金属板的侧面，所述导电层的上面的高度和具有所述基准电位部的电子部件的高度相等。
5.一种电路组件，具备：
布线基板；
搭载在所述布线基板上的多个电子部件；
设置在所述多个电子部件中的至少一个电子部件的上面的基准电位部；
除了所述基准电位部之外覆盖所述多个电子部件的绝缘性树脂部；和
与所述基准电位部连接且覆盖所述绝缘性树脂部的上面的导电层；
设置了所述基准电位部的至少一个电子部件是包括如下部分而构成的半导体部件：半导体基板、在厚度方向上贯通该半导体基板的贯通导体、以及形成在所述半导体基板的下面侧且与所述贯通导体电连接的基准电位用的电极焊盘，
所述基准电位部是所述贯通导体向所述半导体基板上面的导出部。
6.根据权利要求5所述的电路组件，其特征在于，
所述半导体部件的高度比其他电子部件的高度高。
7.根据权利要求6所述的电路组件，其特征在于，
所述绝缘性树脂部的上面的高度与所述半导体部件的高度相等。
8.根据权利要求1所述的电路组件，其特征在于，
所述导电层由金属烧结层构成，该金属烧结层是通过对包含平均粒径1nm～100nm的金属粒子的有机溶剂进行加热处理而形成的。
9.根据权利要求1所述的电路组件，其特征在于，
所述多个电子部件包括第一半导体部件和第二半导体部件，在位于所述第一半导体部件和所述第二半导体部件之间的所述绝缘性树脂部中，设置有用于分隔两个半导体部件的槽部，在所述槽部内埋设有由导体材料构成的屏蔽部件，所述屏蔽部件与所述导体层电连接。
10.根据权利要求9所述的电路组件，其特征在于，
所述第一半导体部件是RFIC，所述第二半导体部件是基带IC。
11.根据权利要求10所述的电路组件，其特征在于，
还包括与所述RFIC电连接的RF用电子部件，
在由所述屏蔽部件划分的两个区域中的配置所述RFIC一侧的区域中，配置有所述RF用电子部件。
12.根据权利要求10所述电路组件，其特征在于，
所述槽部的底面位于所述布线基板内，并且RF用无源部件内置在所述布线基板中。
13.根据权利要求9所述的电路组件，其特征在于，
所述导电层与所述屏蔽部件由同一材料构成。
14.一种电路组件，具备：
布线基板；
安装在所述布线基板上的多个电子部件；
所述多个电子部件中的至少一个发热性电子部件；
除了所述发热性电子部件的至少一部分之外覆盖所述多个电子部件的绝缘性树脂部；和
由导体材料构成的散热体，其用于覆盖所述发热性电子部件的未被所述绝缘性树脂部覆盖的所述一部分、和所述绝缘性树脂部的上面；
所述散热体与所述发热性电子部件的基准电位用导体电连接，
所述至少一个发热性电子部件包括容器体和在该容器体的下面形成的接地端子，所述基准电位用导体经由所述容器体的布线与所述接地端子连接。
15.根据权利要求14所述的电路组件，其特征在于，
所述散热体由金属烧结体构成，该金属烧结体是通过对包含平均粒径1nm～100nm的金属粒子的有机溶剂进行加热处理而形成的。
16.根据权利要求14所述的电路组件，其特征在于，
所述发热性电子部件的上部埋设于所述散热体的内部。
17.根据权利要求14所述的电路组件，其特征在于，
所述发热性电子部件的高度比其他电子部件高，且所述绝缘性树脂的上面的高度与所述发热性电子部件的高度相等。
18.根据权利要求14所述的电路组件，其特征在于，
所述散热体中设置有多个槽。
19.根据权利要求14所述的电路组件，其特征在于，
所述多个电子部件包括由温度引起的特性变动大的部件，在所述发热性电子部件和所述由温度引起的特性变动大的部件之间设置有对二者进行分隔的由导体材料构成的屏蔽部件，所述屏蔽部件与所述散热体连接。
20.根据权利要求19所述的电子部件，其特征在于，
所述散热体与所述屏蔽部件由同一材料构成。
21.根据权利要求14所述的电子部件，其特征在于，
所述发热性电子部件是内置了功率放大器的半导体部件。
22.根据权利要求14所述的电路组件，其特征在于，
所述由温度引起的特性变动大的部件是SAW滤波器或晶体振荡元件。
23.一种无线通信设备，具备：
权利要求1所述的电路组件；和
与该电路组件连接的天线以及收发电路。
24.一种无线通信设备，具备：
权利要求14所述的电路组件；和
与该电路组件连接的天线以及收发电路。
25.一种电路组件的制造方法，包括：
准备主基板的工序A，该主基板具有排列成矩阵状的多个基板区域；
将多个电子部件安装到所述主基板的基板区域的工序B，该多个电子部件包括在上面具有基准电位部、且该基准电位部经由电子部件的容器体的布线与在该容器体的下面形成的接地端子连接的电子部件；
形成绝缘性树脂部的工序C，该绝缘性树脂部按照覆盖所述基板区域的上面且使所述基准电位部露出的方式覆盖具有所述基准电位部的电子部件的一部分或全部；和
按照与所述基准电位部的露出的部分连接的方式形成覆盖所述绝缘性树脂部的上面的导电层的工序D。
26.根据权利要求25所述的电路组件的制造方法，其特征在于，
还具有在所述工序D之后，沿着各基板区域切断所述主基板的工序E。
27.根据权利要求25所述的电路组件的制造方法，其特征在于，
在所述工序D中，通过将在有机溶剂中分散平均粒径1nm～100nm的金属粒子而构成的导电性膏涂布到所述绝缘性树脂部的上面，并进行加热处理而形成所述导电层。
28.根据权利要求25所述电路组件的制造方法，其特征在于，
在所述工序C中，所述基准电位部的露出是通过在按照覆盖所述基准电位部的方式形成所述绝缘性树脂部之后，向位于所述基准电位部的正上方的绝缘性树脂部照射激光而进行的。
29.根据权利要求25所述电路组件的制造方法，其特征在于，
在所述工序C中，所述基准电位部的露出，是通过将成为所述绝缘性树脂部的绝缘性树脂膏按照使所述基准电位部露出的方式通过丝网印刷进行涂布并使其固化而进行的。
30.根据权利要求25所述的电路组件的制造方法，其特征在于，
所述在上面具有基准电位部的电子部件，具有固定于该电子部件的上面的金属板。
31.一种电路组件的制造方法，包括：
准备主基板的工序A，该主基板具有排列成矩阵状的多个基板区域；
将多个电子部件安装到所述主基板的基板区域的工序B，该多个电子部件包括在上面具有基准电位部的电子部件，该电子部件包括：半导体基板、在厚度方向上贯通该半导体基板的贯通导体、以及形成在所述半导体基板的下面侧且与所述贯通导体电连接的基准电位用的电极焊盘，所述基准电位部是所述贯通导体向所述半导体基板上面的导出部；
形成绝缘性树脂部的工序C，该绝缘性树脂部按照覆盖所述基板区域的上面且使所述基准电位部露出的方式覆盖具有所述基准电位部的电子部件的一部分或全部；和
按照与所述基准电位部的露出的部分连接的方式形成覆盖所述绝缘性树脂部的上面的导电层的工序D。
CN2007800086848A 2006-03-29 2007-03-29 电路组件和无线通信设备、以及电路组件的制造方法 Expired - Fee Related CN101401206B (zh)

Applications Claiming Priority (13)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP090338/2006 2006-03-29
JP2006091518 2006-03-29
JP091518/2006 2006-03-29
JP2006090338 2006-03-29
JP148931/2006 2006-05-29
JP148930/2006 2006-05-29
JP2006148931A JP2007294829A (ja) 2006-03-29 2006-05-29 高周波回路モジュール及びその製造方法
JP2006148930A JP4986507B2 (ja) 2006-03-29 2006-05-29 回路モジュール
JP2006179256 2006-06-29
JP179256/2006 2006-06-29
JP232018/2006 2006-08-29
JP2006232018A JP2008034778A (ja) 2006-06-29 2006-08-29 回路モジュール
PCT/JP2007/056815 WO2007114224A1 (ja) 2006-03-29 2007-03-29 回路モジュール及び無線通信機器、並びに回路モジュールの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101401206A CN101401206A (zh) 2009-04-01
CN101401206B true CN101401206B (zh) 2011-04-13

Family

ID=38563492

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007800086848A Expired - Fee Related CN101401206B (zh) 2006-03-29 2007-03-29 电路组件和无线通信设备、以及电路组件的制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8125788B2 (zh)
CN (1) CN101401206B (zh)
WO (1) WO2007114224A1 (zh)

Families Citing this family (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8023269B2 (en) * 2008-08-15 2011-09-20 Siemens Energy, Inc. Wireless telemetry electronic circuit board for high temperature environments
TW201013881A (en) * 2008-09-10 2010-04-01 Renesas Tech Corp Semiconductor device and method for manufacturing same
JP2010225620A (ja) * 2009-03-19 2010-10-07 Panasonic Corp 回路モジュール
JP5285496B2 (ja) * 2009-04-28 2013-09-11 京セラクリスタルデバイス株式会社 通信モジュール
JP5415141B2 (ja) * 2009-04-28 2014-02-12 京セラクリスタルデバイス株式会社 通信モジュール
TWI393239B (zh) 2009-10-16 2013-04-11 Advanced Semiconductor Eng 具有內屏蔽體之封裝結構及其製造方法
CN102054821B (zh) * 2009-10-30 2013-09-11 日月光半导体制造股份有限公司 具有内屏蔽体的封装结构及其制造方法
US8339807B2 (en) * 2010-04-23 2012-12-25 Psion Teklogix Inc. EM shield for internal antenna of handheld terminals
CA2704683A1 (en) * 2010-05-28 2010-08-12 Ibm Canada Limited - Ibm Canada Limitee Grounded lid for micro-electronic assemblies
JP2012019091A (ja) * 2010-07-08 2012-01-26 Sony Corp モジュールおよび携帯端末
WO2012011210A1 (ja) * 2010-07-22 2012-01-26 パナソニック株式会社 半導体装置及びその製造方法
US9007273B2 (en) 2010-09-09 2015-04-14 Advances Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package integrated with conformal shield and antenna
CN102324416B (zh) * 2010-09-16 2015-07-22 日月光半导体制造股份有限公司 整合屏蔽膜及天线的半导体封装件
JP5807220B2 (ja) * 2010-12-30 2015-11-10 株式会社ザイキューブ インターポーザ及びそれを用いた半導体モジュール
JP2012151353A (ja) * 2011-01-20 2012-08-09 Sharp Corp 半導体モジュール
US8619427B2 (en) 2011-03-21 2013-12-31 Eldon Technology Limited Media content device chassis with internal extension members
US8681495B2 (en) * 2011-03-29 2014-03-25 Eldon Technology Limited Media device having a piezoelectric fan
JP5480923B2 (ja) * 2011-05-13 2014-04-23 シャープ株式会社 半導体モジュールの製造方法及び半導体モジュール
TWI434405B (zh) * 2011-06-07 2014-04-11 Univ Nat Chiao Tung 具有積體電路與發光二極體之異質整合結構及其製作方法
JP5668627B2 (ja) * 2011-07-19 2015-02-12 株式会社村田製作所 回路モジュール
JP2013030850A (ja) * 2011-07-26 2013-02-07 Seiko Epson Corp 振動デバイスおよび電子機器
CN102315200A (zh) * 2011-09-02 2012-01-11 华为终端有限公司 一种芯片封装结构、封装方法及电子设备
US9113549B2 (en) * 2011-12-01 2015-08-18 Triquint Semiconductor, Inc. Enclosure for a multi-channel modulator driver
US8786060B2 (en) * 2012-05-04 2014-07-22 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package integrated with conformal shield and antenna
JP5878823B2 (ja) * 2012-05-15 2016-03-08 太陽誘電株式会社 複合電子部品
JP5852929B2 (ja) * 2012-06-29 2016-02-03 株式会社日立製作所 インターポーザ、プリント基板及び半導体装置
WO2014013831A1 (ja) * 2012-07-19 2014-01-23 株式会社村田製作所 モジュールおよびこのモジュールの製造方法
CN103681625B (zh) * 2012-09-24 2016-05-25 环旭电子股份有限公司 电子模块以及其制造方法
JP5510695B1 (ja) * 2012-09-25 2014-06-04 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
US10251269B2 (en) * 2012-12-27 2019-04-02 Kyocera Corporation Wiring board, electronic device, and light emitting apparatus
US9949381B2 (en) 2013-07-15 2018-04-17 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Electronic device with at least one impedance-compensating inductor and related methods
CN105409060B (zh) * 2013-07-29 2018-09-04 株式会社村田制作所 天线一体型无线模块以及该模块的制造方法
JP6315650B2 (ja) * 2013-07-31 2018-04-25 太陽誘電株式会社 電子デバイス
JP2015128276A (ja) * 2013-11-29 2015-07-09 日本電波工業株式会社 表面実装水晶振動子及びその製造方法
EP3119172A4 (en) * 2014-03-14 2017-11-15 Kaneka Corporation Electronic terminal device and method for assembling same
JP6351371B2 (ja) * 2014-05-19 2018-07-04 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
US10624214B2 (en) * 2015-02-11 2020-04-14 Apple Inc. Low-profile space-efficient shielding for SIP module
JP6315145B2 (ja) * 2015-02-27 2018-04-25 株式会社村田製作所 Ｒｆｉｃデバイス及びｒｆｉｃデバイスを含む樹脂成型体の製造方法
US10453804B2 (en) 2015-03-19 2019-10-22 Intel Corporation Radio die package with backside conductive plate
JP2016219508A (ja) * 2015-05-15 2016-12-22 パナソニック株式会社 電子デバイスの製造方法および電子デバイス
US10083923B2 (en) 2015-09-21 2018-09-25 Intel Corporation Platform with thermally stable wireless interconnects
US9825597B2 (en) 2015-12-30 2017-11-21 Skyworks Solutions, Inc. Impedance transformation circuit for amplifier
JP6481777B2 (ja) * 2016-02-01 2019-03-13 株式会社村田製作所 電子部品およびその製造方法
WO2017169546A1 (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 株式会社村田製作所 フロントエンド回路、および、高周波モジュール
US10062670B2 (en) 2016-04-18 2018-08-28 Skyworks Solutions, Inc. Radio frequency system-in-package with stacked clocking crystal
US10320071B2 (en) * 2016-04-19 2019-06-11 Skyworks Solutions, Inc. Methods for selectively shielding radio frequency modules
JP6715672B2 (ja) * 2016-04-25 2020-07-01 株式会社村田製作所 回路モジュール
JP6173611B1 (ja) 2016-04-27 2017-08-02 三菱電機株式会社 高周波回路
WO2018003819A1 (ja) * 2016-06-29 2018-01-04 株式会社村田製作所 弾性波装置
CN109845413B (zh) * 2016-08-19 2022-07-05 奈科斯特金技术私人有限公司 用于制造印刷电路板的方法
US20180123561A1 (en) * 2016-10-31 2018-05-03 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Filter
CN108109974B (zh) * 2016-11-25 2019-09-24 钰桥半导体股份有限公司 具有电磁屏蔽及散热特性的半导体组件及制作方法
JP2018098677A (ja) * 2016-12-14 2018-06-21 株式会社村田製作所 送受信モジュール
TW202329611A (zh) 2016-12-29 2023-07-16 美商天工方案公司 前端系統及相關裝置、積體電路、模組及方法
CN110178214A (zh) * 2017-01-18 2019-08-27 株式会社村田制作所 模块
CN110352486A (zh) 2017-02-28 2019-10-18 株式会社村田制作所 模块
US10515924B2 (en) 2017-03-10 2019-12-24 Skyworks Solutions, Inc. Radio frequency modules
US10574208B2 (en) * 2017-06-20 2020-02-25 Skyworks Solutions, Inc. Acoustic wave filters with thermally conductive sheet
JP6908127B2 (ja) * 2017-11-02 2021-07-21 株式会社村田製作所 回路モジュール
WO2019132925A1 (en) * 2017-12-28 2019-07-04 Intel Corporation Rf front end system with co-integrated acoustic wave resonator
EP3732784A4 (en) * 2017-12-28 2021-08-11 INTEL Corporation FRONT SYSTEM WITH AN ACOUSTIC WAVE RESONATOR (AWR) ON AN INTERMEDIATE SUBSTRATE
CN111771276B (zh) 2018-02-28 2023-12-26 株式会社村田制作所 高频模块
EP3547360A1 (de) * 2018-03-29 2019-10-02 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiterbaugruppe und verfahren zur herstellung der halbleiterbaugruppe
US11662223B2 (en) * 2019-10-24 2023-05-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic device including a shielding cap and methods for operating and fabricating an optoelectronic device
CN111081646B (zh) * 2019-12-25 2021-08-10 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种堆叠封装结构及其制造方法
CN114868335A (zh) 2019-12-27 2022-08-05 株式会社村田制作所 压电振动元件、压电振子以及电子装置
US11503704B2 (en) * 2019-12-30 2022-11-15 General Electric Company Systems and methods for hybrid glass and organic packaging for radio frequency electronics
CN111162755B (zh) * 2020-01-16 2021-09-21 诺思(天津)微系统有限责任公司 一种体声波双工滤波器
TWI735179B (zh) * 2020-03-11 2021-08-01 佳世達科技股份有限公司 電子裝置與其減低漏電流方法
JP2021158628A (ja) * 2020-03-30 2021-10-07 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、および電子機器
JP7484429B2 (ja) * 2020-05-29 2024-05-16 セイコーエプソン株式会社 発振器、電子機器、及び移動体
CN111755424A (zh) * 2020-06-15 2020-10-09 深圳泰研半导体装备有限公司 一种在系统级封装实现选择性电磁屏蔽的工艺
KR20220000087A (ko) * 2020-06-25 2022-01-03 삼성전기주식회사 전자 소자 모듈
WO2022009976A1 (ja) * 2020-07-09 2022-01-13 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
CN114007401A (zh) 2020-07-28 2022-02-01 臻鼎科技股份有限公司 电磁屏蔽膜的制作方法
TWI730857B (zh) * 2020-07-28 2021-06-11 臻鼎科技股份有限公司 電磁屏蔽膜的製作方法
CN114070235A (zh) * 2020-08-06 2022-02-18 联华电子股份有限公司 半导体模块及其制造方法
KR20220018645A (ko) * 2020-08-07 2022-02-15 삼성전기주식회사 전자 소자 모듈
WO2022091954A1 (ja) * 2020-10-29 2022-05-05 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
WO2022102197A1 (ja) * 2020-11-13 2022-05-19 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
CN116457935A (zh) * 2020-12-14 2023-07-18 株式会社村田制作所 高频模块以及通信装置
WO2022137892A1 (ja) * 2020-12-24 2022-06-30 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
CN116615868A (zh) * 2020-12-28 2023-08-18 株式会社村田制作所 高频模块和通信装置
CN112638030B (zh) * 2020-12-30 2022-03-25 株洲菲斯罗克光电科技股份有限公司 模块电路板的制备方法
WO2022153789A1 (ja) * 2021-01-12 2022-07-21 株式会社村田製作所 回路モジュール
WO2022215547A1 (ja) * 2021-04-08 2022-10-13 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
CN113747680B (zh) * 2021-09-09 2023-08-04 安徽华东光电技术研究所有限公司 短波段30sw功率放大器的制作工艺
WO2023074795A1 (ja) * 2021-11-01 2023-05-04 株式会社村田製作所 モジュール
CN117833864B (zh) * 2024-03-06 2024-05-14 成都频岢微电子有限公司 一种改善双工器功率容量的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3233959B2 (ja) * 1991-12-12 2001-12-04 日本ケーブル株式会社 支索と軌条走行併用懸垂輸送設備の索条張架配設方法
CN1151603C (zh) * 1996-08-30 2004-05-26 株式会社大真空 表面安装型压电滤波器
CN1538739A (zh) * 2003-02-05 2004-10-20 ������������ʽ���� 光电探测传感器

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03233959A (ja) 1990-02-08 1991-10-17 Seiko Epson Corp 電子部品
JP3230742B2 (ja) 1994-07-04 2001-11-19 セイコーエプソン株式会社 圧電発振器
WO1996001524A1 (en) 1994-07-04 1996-01-18 Seiko Epson Corporation Piezoelectric oscillator
JPH1155062A (ja) 1997-08-06 1999-02-26 Toyo Commun Equip Co Ltd 圧電デバイスのリードフレーム搭載構造
JP3809993B2 (ja) 2000-12-08 2006-08-16 太陽誘電株式会社 ブルートゥ−スモジュール
JP4662324B2 (ja) 2002-11-18 2011-03-30 太陽誘電株式会社 回路モジュール
US6974724B2 (en) * 2004-04-28 2005-12-13 Nokia Corporation Shielded laminated structure with embedded chips

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3233959B2 (ja) * 1991-12-12 2001-12-04 日本ケーブル株式会社 支索と軌条走行併用懸垂輸送設備の索条張架配設方法
CN1151603C (zh) * 1996-08-30 2004-05-26 株式会社大真空 表面安装型压电滤波器
CN1538739A (zh) * 2003-02-05 2004-10-20 ������������ʽ���� 光电探测传感器

Also Published As

Publication number Publication date
US8125788B2 (en) 2012-02-28
CN101401206A (zh) 2009-04-01
WO2007114224A1 (ja) 2007-10-11
US20090091904A1 (en) 2009-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101401206B (zh) 电路组件和无线通信设备、以及电路组件的制造方法
US7808796B2 (en) Electronic component module and method for manufacturing the same
US7701728B2 (en) Electronic component module and radio comunications equipment
JP4986507B2 (ja) 回路モジュール
US9743519B2 (en) High-frequency component and high-frequency module including the same
US8315060B2 (en) Electronic component module and method of manufacturing the electronic component module
US9691710B1 (en) Semiconductor package with antenna
JP2008034778A (ja) 回路モジュール
JP2007294829A (ja) 高周波回路モジュール及びその製造方法
JP6510350B2 (ja) 方向性結合器および高周波モジュール
US20180145397A1 (en) High-frequency module
JP4822900B2 (ja) 電子部品モジュール
JP2005019900A (ja) 電子装置
US10388628B2 (en) Electronic component package
JP6208618B2 (ja) 素子実装基板および実装構造体
JP3847190B2 (ja) 配線基板
JP4953684B2 (ja) 配線基板およびそれを用いた電子装置
KR20080046049A (ko) 전자파 차폐장치 및 이를 갖는 고주파 모듈과 고주파 모듈제조방법
JPH10215044A (ja) 配線基板及びその製造方法
JP2014160697A (ja) 素子収納用パッケージ、並びに実装構造体
JP2006278448A (ja) 配線基板
JP2010103452A (ja) 配線基板および半導体素子収納用パッケージならびに半導体装置
JP2003303913A (ja) 配線基板
JP2006156527A (ja) 配線基板
JP2006210676A (ja) 配線基板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110413

Termination date: 20200329