WO2022137892A1

WO2022137892A1 - 高周波モジュールおよび通信装置

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Publication number: WO2022137892A1
Application number: PCT/JP2021/042038
Authority: WO
Inventors: 幸哉山口; 祥吾 ▲柳▼瀬; 勇人青木; 孝紀上嶋
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2020-12-24
Filing date: 2021-11-16
Publication date: 2022-06-30
Also published as: US20230283302A1; CN116547808A

Abstract

高周波モジュール（１Ａ）は、互いに対向する主面（９１ａおよび９１ｂ）を有するモジュール基板（９１）と、互いに対向する底面（６３ａ）および天面（６３ｂ）を有し、高周波信号を通過させる送信フィルタ（６３Ｔ）と、主面（９１ｂ）に配置された外部接続端子（１５０）と、を備え、底面（６３ａ）は、主面（９１ａ）と対向し天面（６３ｂ）よりも主面（９１ｂ）に近く配置されている。高周波モジュール（１Ａ）は、さらに、天面（６３ｂ）と接合された金属電極（６５）を備える。

Description

高周波モジュールおよび通信装置

　本発明は、高周波モジュールおよび通信装置に関する。

　携帯電話などの移動体通信機器では、特に、マルチバンド化の進展に伴い、高周波フロントエンド回路を構成する回路素子の配置構成が複雑化されている。

　特許文献１には、回路部品を両面実装することが可能な実装基板と、実装基板の対向する主面のうちの外部接続端子が配置された主面に配置された弾性波フィルタと、を備える高周波モジュールが開示されている。

特開２０２０－１０２６９３号公報

　しかしながら、特許文献１に開示された高周波モジュールにおいて、外部接続端子が配置された主面に配置された弾性波フィルタは、主として実装基板と接続された端子を介して放熱されるため、放熱性が十分でない。このため、弾性波フィルタにおける、温度変化による周波数シフトによりフィルタ特性が劣化する場合がある。

　本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、弾性波フィルタの放熱性が向上した高周波モジュールおよび通信装置を提供することを目的とする。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、互いに対向する第１主面および第２主面を有するモジュール基板と、互いに対向する第１底面および第１天面を有し、高周波信号を通過させる第１弾性波フィルタと、第２主面に配置された外部接続端子と、を備え、第１底面は、第２主面と対向し、第１天面よりも第２主面に近く配置されており、さらに、第１天面と接合された第１金属電極を備える。

　本発明によれば、弾性波フィルタの放熱性が向上した高周波モジュールおよび通信装置を提供することが可能となる。

図１は、実施の形態に係る高周波モジュールおよび通信装置の回路構成図である。図２Ａは、実施例１に係る高周波モジュールの平面図である。図２Ｂは、実施例１に係る高周波モジュールの断面図である。図２Ｃは、変形例１に係る高周波モジュールの平面図である。図３Ａは、実施例２に係る高周波モジュールの平面図である。図３Ｂは、実施例２に係る高周波モジュールの断面図である。図３Ｃは、変形例２に係る高周波モジュールの断面図である。図４Ａは、実施例３に係る高周波モジュールの平面図である。図４Ｂは、実施例３に係る高周波モジュールの断面図である。図５Ａは、金属シールド板の第１例を示す外観斜視図である。図５Ｂは、金属シールド板の第２例を示す外観斜視図である。図５Ｃは、金属シールド板の第３例を示す外観斜視図である。図６は、変形例３に係る高周波モジュールの平面図である。図７Ａは、実施例４に係る高周波モジュールの平面図である。図７Ｂは、実施例４に係る高周波モジュールの断面図である。図８は、実施例５に係る高周波モジュールの平面図である。図９は、実施例６に係る高周波モジュールの断面図である。図１０Ａは、実施例６に係る送信フィルタの第１例を示す断面構成図である。図１０Ｂは、実施例６に係る送信フィルタの第２例を示す断面構成図である。図１１は、実施例７に係る高周波モジュールの断面図である。図１２は、実施例８に係る高周波モジュールの平面図である。

　以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態等は、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施例および変形例における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略または簡略化する場合がある。

　また、以下において、平行および垂直等の要素間の関係性を示す用語、矩形状等の要素の形状を示す用語、ならびに、数値範囲は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する。

　また、以下の実施の形態において、「Ａが基板の第１主面に配置されている」とは、Ａが第１主面上に直接実装されているだけでなく、基板で隔された第１主面側の空間および第２主面側の空間のうち、Ａが第１主面側の空間に配置されていることを意味する。つまり、Ａが第１主面上に、その他の回路素子や電極などを介して実装されていることを含む。

　また、以下の実施の形態において、「ＡとＢとが接続されている」とは、ＡとＢとが接触していることを指すだけでなく、ＡとＢとが導体電極、導体端子、配線、または他の回路部品などを介して電気的に接続されていることを含むものと定義される。また、「ＡおよびＢの間に接続される」とは、ＡおよびＢの間でＡおよびＢの両方に接続されることを意味する。

　また、以下の実施の形態において、「ＡとＢとが接合されている」とは、ＡとＢとが機械的（物理的）に接着されている状態であり、特に、Ａが有する一面とＢが有する一面とが接着されていることを含むものと定義される。

　以下の各図において、ｘ軸およびｙ軸は、モジュール基板の主面と平行な平面上で互いに直交する軸である。また、ｚ軸は、モジュール基板の主面に垂直な軸であり、その正方向は上方向を示し、その負方向は下方向を示す。

　また、本開示のモジュール構成において、「平面視」とは、ｚ軸正側からｘｙ平面に物体を正投影して見ることを意味する。「部品が基板の主面に配置される」とは、部品が基板の主面と接触した状態で主面上に配置されることに加えて、部品が主面と接触せずに主面の上方に配置されること、および、部品の一部が主面側から基板内に埋め込まれて配置されることを含む。

　また、以下において、基板に実装されたＡ、ＢおよびＣにおいて、「基板（または基板の主面）の平面視において、ＡとＢとの間にＣが配置されている」とは、基板の平面視においてＡ内の任意の点とＢ内の任意の点とを結ぶ複数の線分の少なくとも１つがＣの領域を通ることを意味する。また、基板の平面視とは、基板および基板に実装された回路素子を基板の主面に平行な平面に正投影して見ることを意味する。

　また、以下において、「送信経路」とは、高周波送信信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。また、「受信経路」とは、高周波受信信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。

　（実施の形態）
　［１．高周波モジュール１および通信装置５の回路構成］
　図１は、実施の形態に係る高周波モジュール１および通信装置５の回路構成図である。同図に示すように、通信装置５は、高周波モジュール１と、アンテナ２と、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）３と、ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）４と、を備える。

　ＲＦＩＣ３は、アンテナ２で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１の受信信号経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ４から入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号を、高周波モジュール１の送信信号経路に出力する。

　ＢＢＩＣ４は、高周波モジュール１を伝搬する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理する回路である。ＢＢＩＣ４で処理された信号は、例えば、画像表示のための画像信号として使用され、または、スピーカを介した通話のために音声信号として使用される。

　また、ＲＦＩＣ３は、使用される通信バンド（周波数帯域）に基づいて、高周波モジュール１が有するスイッチ５１、５２および５３の接続を制御する制御部としての機能も有する。具体的には、ＲＦＩＣ３は、制御信号（図示せず）により高周波モジュール１が有するスイッチ５１～５３の接続を切り替える。具体的には、ＲＦＩＣ３は、スイッチ５１～５３を制御するためのディジタル制御信号をＰＡ制御回路１３に出力する。高周波モジュール１のＰＡ制御回路１３は、ＲＦＩＣ３から入力されたディジタル制御信号によって、スイッチ５１～５３にディジタル制御信号を出力することで、スイッチ５１～５３の接続および非接続を制御する。

　また、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１が有する電力増幅器１１および１２の利得、電力増幅器１１および１２に供給される電源電圧Ｖｃｃおよびバイアス電圧Ｖｂｉａｓを制御する制御部としての機能も有する。具体的には、ＲＦＩＣ３は、ディジタル制御信号を高周波モジュール１の制御信号端子１３０に出力する。ＰＡ制御回路１３は、制御信号端子１３０を介して入力されたディジタル制御信号によって、電力増幅器１１および１２に制御信号、電源電圧Ｖｃｃまたはバイアス電圧Ｖｂｉａｓを出力することで、電力増幅器１１および１２の利得を調整する。なお、制御部は、ＲＦＩＣ３の外部に設けられていてもよく、例えば、ＢＢＩＣ４に設けられていてもよい。

　アンテナ２は、高周波モジュール１のアンテナ接続端子１００に接続され、高周波モジュール１から出力された高周波信号を放射し、また、外部からの高周波信号を受信して高周波モジュール１へ出力する。

　なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ２およびＢＢＩＣ４は、必須の構成要素ではない。

　次に、高周波モジュール１の詳細な構成について説明する。

　図１に示すように、高周波モジュール１は、電力増幅器１１および１２と、低雑音増幅器２１と、ＰＡ制御回路１３と、送信フィルタ６１Ｔ、６２Ｔおよび６３Ｔと、受信フィルタ６１Ｒ、６２Ｒおよび６３Ｒと、整合回路４１、４２、４３、４４、４５、４６および４７と、スイッチ５１、５２および５３と、アンテナ接続端子１００と、送信入力端子１１１および１１２と、受信出力端子１２０と、制御信号端子１３０と、を備える。

　アンテナ接続端子１００は、アンテナ２に接続される。送信入力端子１１１および１１２は、送信信号を高周波モジュール１の外部（ＲＦＩＣ３）から受けるための端子である。受信出力端子１２０は、受信信号を高周波モジュール１の外部（ＲＦＩＣ３）に供給するための端子である。

　電力増幅器１１は、第１バンド、第２バンドおよび第３バンドの送信信号の少なくとも１つを増幅可能な送信増幅器である。電力増幅器１１の入力端子は送信入力端子１１１に接続され、電力増幅器１１の出力端子は、整合回路４５を介してスイッチ５２に接続される。

　電力増幅器１２は、第１バンド、第２バンドおよび第３バンドの送信信号の少なくとも１つを増幅可能な送信増幅器である。電力増幅器１２の入力端子は送信入力端子１１２に接続され、電力増幅器１２の出力端子は、整合回路４６を介してスイッチ５２に接続される。

　低雑音増幅器２１は、第１バンド、第２バンドおよび第３バンドの受信信号を低雑音で増幅可能な受信増幅器である。低雑音増幅器２１の入力端子は、整合回路４７を介してスイッチ５３に接続され、低雑音増幅器２１の出力端子は、受信出力端子１２０に接続される。

　ＰＡ制御回路１３は、制御信号端子１３０を介して入力されたディジタル制御信号などによって、電力増幅器１１および１２の利得を調整する。なお、ＰＡ制御回路１３は、半導体ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）で形成されていてもよい。半導体ＩＣは、例えば、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ　Ｍｅｔａｌ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）で構成されている。具体的には、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）プロセスにより形成されている。これにより、半導体ＩＣを安価に製造することが可能となる。なお、半導体ＩＣは、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅおよびＧａＮの少なくともいずれかで構成されていてもよい。これにより、高品質な増幅性能および雑音性能を有する高周波信号を出力することが可能となる。

　送信フィルタ６１Ｔは、電力増幅器１１および１２とスイッチ５１とを結ぶ送信経路に配置され、電力増幅器１１または１２で増幅された送信信号のうち、第３バンドの送信帯域の送信信号を通過させる。また、送信フィルタ６２Ｔは、第１弾性波フィルタおよび第２弾性波フィルタの一例であり、電力増幅器１１および１２とスイッチ５１とを結ぶ送信経路に配置され、電力増幅器１１または１２で増幅された送信信号のうち、第２バンドの送信帯域の送信信号を通過させる。また、送信フィルタ６３Ｔは、第１弾性波フィルタおよび第２弾性波フィルタの一例であり、電力増幅器１１および１２とスイッチ５１とを結ぶ送信経路に配置され、電力増幅器１１または１２で増幅された送信信号のうち、第１バンドの送信帯域の送信信号を通過させる。

　受信フィルタ６１Ｒは、低雑音増幅器２１とスイッチ５１とを結ぶ受信経路に配置され、アンテナ接続端子１００から入力された受信信号のうち、第３バンドの受信帯域の受信信号を通過させる。また、受信フィルタ６２Ｒは、低雑音増幅器２１とスイッチ５１とを結ぶ受信経路に配置され、アンテナ接続端子１００から入力された受信信号のうち、第２バンドの受信帯域の受信信号を通過させる。また、受信フィルタ６３Ｒは、低雑音増幅器２１とスイッチ５１とを結ぶ受信経路に配置され、アンテナ接続端子１００から入力された受信信号のうち、第１バンドの受信帯域の受信信号を通過させる。

　なお、上記の送信フィルタ６２Ｔおよび６３Ｔは、例えば、弾性表面波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）またはバルク弾性波（ＢＡＷ：Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）を用いた弾性波フィルタである。また、送信フィルタ６１Ｔ、受信フィルタ６１Ｒ、６２Ｒおよび６３Ｒは、例えば、ＳＡＷフィルタ、ＢＡＷフィルタ、ＬＣ共振フィルタ、および誘電体フィルタのいずれであってもよく、さらには、これらには限定されない。

　送信フィルタ６１Ｔおよび受信フィルタ６１Ｒは、第３バンドを通過帯域とするデュプレクサ６１を構成している。また、送信フィルタ６２Ｔおよび受信フィルタ６２Ｒは、第１バンドと異なる第２バンドを通過帯域とするデュプレクサ６２を構成している。また、送信フィルタ６３Ｔおよび受信フィルタ６３Ｒは、第１バンドを通過帯域とするデュプレクサ６３を構成している。

　なお、デュプレクサ６１～６３のそれぞれは、時分割複信（ＴＤＤ：Ｔｉｍｅ　Ｄｉｖｉｓｉｏｎ　Ｄｕｐｌｅｘ）方式で伝送する１つのフィルタであってもよい。この場合には、上記１つのフィルタの前段および後段の少なくとも一方に、送信および受信を切り替えるスイッチが配置される。

　整合回路４１は、アンテナ接続端子１００とスイッチ５１とを結ぶ送受信経路に配置され、アンテナ２と、スイッチ５１とのインピーダンス整合をとる。なお、整合回路４１は、少なくとも１つのインダクタを有していてもよい。また、整合回路４１は、上記送受信経路に直列配置されていてもよいし、当該送受信経路とグランドとの間に接続されていてもよい。

　整合回路４２は、スイッチ５１とデュプレクサ６１とを結ぶ送受信経路に配置され、スイッチ５１とデュプレクサ６１とのインピーダンス整合をとる。なお、整合回路４２は、少なくとも１つのインダクタを有していてもよい。なお、整合回路４２は、上記送受信経路に直列配置されていてもよいし、当該送受信経路とグランドとの間に接続されていてもよい。整合回路４３は、スイッチ５１とデュプレクサ６２とを結ぶ送受信経路に配置され、スイッチ５１とデュプレクサ６２とのインピーダンス整合をとる。なお、整合回路４３は、少なくとも１つのインダクタを有していてもよい。なお、整合回路４３は、上記送受信経路に直列配置されていてもよいし、当該送受信経路とグランドとの間に接続されていてもよい。整合回路４４は、スイッチ５１とデュプレクサ６３とを結ぶ送受信経路に配置され、スイッチ５１とデュプレクサ６３とのインピーダンス整合をとる。なお、整合回路４４は、少なくとも１つのインダクタを有していてもよい。なお、整合回路４４は、上記送受信経路に直列配置されていてもよいし、当該送受信経路とグランドとの間に接続されていてもよい。

　整合回路４５は、電力増幅器１１とスイッチ５２とを結ぶ送信経路に配置され、電力増幅器１１とスイッチ５２とのインピーダンス整合をとる。なお、整合回路４５は、少なくとも１つのインダクタを有している。また、整合回路４５は、上記送信経路に直列配置されていてもよいし、当該送信経路とグランドとの間に接続されていてもよい。整合回路４６は、電力増幅器１２とスイッチ５２とを結ぶ送信経路に配置され、電力増幅器１２とスイッチ５２とのインピーダンス整合をとる。なお、整合回路４６は、少なくとも１つのインダクタを有している。また、整合回路４６は、上記送信経路に直列配置されていてもよいし、当該送信経路とグランドとの間に接続されていてもよい。整合回路４７は、低雑音増幅器２１とスイッチ５３とを結ぶ受信経路に配置され、低雑音増幅器２１とスイッチ５３とのインピーダンス整合をとる。なお、整合回路４７は、少なくとも１つのインダクタを有している。また、整合回路４７は、上記受信経路に直列配置されていてもよいし、当該受信経路とグランドとの間に接続されていてもよい。

　なお、整合回路４１から４７のそれぞれは、なくてもよい。また、送信フィルタ６１Ｔとスイッチ５２との間、送信フィルタ６２Ｔとスイッチ５２との間、送信フィルタ６３Ｔとスイッチ５２との間、受信フィルタ６１Ｒとスイッチ５３との間、受信フィルタ６２Ｒとスイッチ５３との間、および受信フィルタ６３Ｒとスイッチ５３との間、の少なくともいずれかに整合回路が配置されていてもよい。

　スイッチ５１は、共通端子、第１選択端子および第２選択端子を有し、共通端子が整合回路４１を介してアンテナ接続端子１００に接続され、第１選択端子が整合回路４２を介してデュプレクサ６１に接続され、および、整合回路４３を介してデュプレクサ６２に接続され、第２選択端子が整合回路４４を介してデュプレクサ６３に接続されている。つまり、スイッチ５１は、アンテナ接続端子１００とデュプレクサ６１～６３との間に配置されたアンテナスイッチであり、（１）アンテナ接続端子１００とデュプレクサ６１および６２との接続および非接続を切り替え、（２）アンテナ接続端子１００とデュプレクサ６３との接続および非接続を切り替える。なお、スイッチ５１は、上記（１）および（２）の接続を同時に行うことが可能なマルチ接続型のスイッチ回路で構成される。

　スイッチ５２は、第１スイッチの一例であり、第１共通端子、第２共通端子、第１選択端子、第２選択端子、および第３選択端子を有し、電力増幅器１１および１２と、送信フィルタ６１Ｔ、６２Ｔおよび６３Ｔとの間に配置されている。第１共通端子は整合回路４５を介して電力増幅器１１の出力端子に接続され、第２共通端子は整合回路４６を介して電力増幅器１２の出力端子に接続され、第１選択端子は送信フィルタ６１Ｔに接続され、第２選択端子は送信フィルタ６２Ｔに接続され、第３選択端子は送信フィルタ６３Ｔに接続されている。上記接続構成により、スイッチ５２は、電力増幅器１１と送信フィルタ６１Ｔ、６２Ｔおよび６３Ｔのいずれかとの接続を切り替え、また、電力増幅器１２と送信フィルタ６１Ｔ、６２Ｔおよび６３Ｔのいずれかとの接続を切り替える。スイッチ５２は、例えば、ＤＰ３Ｔ（Ｄｏｕｂｌｅ　Ｐｏｌｅ　３　Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチ回路で構成される。なお、スイッチ５２は、例えば、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ　Ｐｏｌｅ　Ｄｏｕｂｌｅ　Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチおよびＳＰ３Ｔ（Ｓｉｎｇｌｅ　Ｐｏｌｅ　３　Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチの少なくともいずれかを含む複数のスイッチ回路で構成されていてもよい。

　スイッチ５３は、共通端子、第１選択端子、第２選択端子、および第３選択端子を有し、低雑音増幅器２１と、受信フィルタ６１Ｒ、６２Ｒおよび６３Ｒとの間に配置されている。共通端子は整合回路４７を介して低雑音増幅器２１の入力端子に接続され、第１選択端子は受信フィルタ６１Ｒに接続され、第２選択端子は受信フィルタ６２Ｒに接続され、第３選択端子は受信フィルタ６３Ｒに接続されている。上記接続構成により、スイッチ５３は、低雑音増幅器２１と受信フィルタ６１Ｒ、６２Ｒおよび６３Ｒのいずれかとの接続を切り替える。スイッチ５３は、例えば、ＳＰ３Ｔ型のスイッチ回路で構成される。なお、スイッチ５３は、例えば、ＳＰＤＴ型のスイッチを含む複数のスイッチ回路で構成されていてもよい。

　なお、本発明に係る高周波モジュールでは、図１に示された回路部品のうち、送信フィルタ６３Ｔを少なくとも有していればよい。

　ここで、上記回路構成を有する高周波モジュール１において、送信フィルタ６３Ｔは、高出力の送信信号を通過させるため発熱し易くなり放熱性が不十分となりフィルタ特性が劣化する場合がある。以下では、本実施の形態に係る高周波モジュール１の放熱性を向上させる構成について説明する。

　［２．実施例１に係る高周波モジュール１Ａの回路部品配置構成］
　図２Ａは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａの平面図である。また、図２Ｂは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａの断面図であり、具体的には、図２ＡのＩＩＢ－ＩＩＢ線における断面図である。なお、図２Ａの（ａ）には、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置図が示されている。一方、図２Ａの（ｂ）には、主面９１ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置を透視した図が示されている。また、図２Ａでは、各回路部品の配置関係が容易に理解されるよう各回路部品にはその機能を表すマークが付されているが、実際の高周波モジュール１Ａには、当該マークは付されていない。

　実施例１に係る高周波モジュール１Ａは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。

　図２Ａおよび図２Ｂに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ａは、図１に示された回路構成に加えて、さらに、モジュール基板９１と、樹脂部材９２および９３と、外部接続端子１５０と、金属シールド層８５と、金属電極６５と、を有している。

　モジュール基板９１は、互いに対向する主面９１ａおよび主面９１ｂを有し、高周波モジュール１Ａを構成する回路部品を実装する基板である。モジュール基板９１としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ　Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）基板、高温同時焼成セラミックス（Ｈｉｇｈ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ　Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＨＴＣＣ）基板、部品内蔵基板、再配線層（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ　Ｌａｙｅｒ：ＲＤＬ）を有する基板、または、プリント基板等が用いられる。

　なお、本実施例では、主面９１ａは第１主面に相当し、主面９１ｂは第２主面に相当する。

　なお、図示されていないが、主面９１ｂ上に、アンテナ接続端子１００、送信入力端子１１１、１１２、受信出力端子１２０、および制御信号端子１３０が形成されていてもよい。

　樹脂部材９２は、主面９１ａに配置され、高周波モジュール１Ａを構成する回路部品の一部および主面９１ａを覆っている。樹脂部材９３は、主面９１ｂに配置され、高周波モジュール１Ａを構成する回路部品の一部および主面９１ｂを覆っている。樹脂部材９２および９３は、高周波モジュール１Ａを構成する回路部品の機械強度および耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。なお、樹脂部材９２および９３は、本実施の形態に係る高周波モジュール１に必須の構成要素ではない。

　金属シールド層８５は、樹脂部材９２の表面に形成され、グランド電位に設定されている。金属シールド層８５は、例えば、スパッタ法により形成された金属薄膜であり、銅、銅を含む合金、または、銅を含む積層体である。なお、金属シールド層８５は、本実施の形態に係る高周波モジュール１に必須の構成要素ではない。

　図２Ａおよび図２Ｂに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、電力増幅器１１および１２、受信フィルタ６１Ｒ、６２Ｒおよび６３Ｒ、ならびに、整合回路４１、４２、４３、４４、４５、４６および４７は、主面９１ａに配置されている。一方、低雑音増幅器２１、送信フィルタ６１Ｔ、６２Ｔ、６３Ｔ、ＰＡ制御回路１３、スイッチ５１、５２、および５３は、主面９１ｂに配置されている。

　なお、図２Ａには図示していないが、図１に示された、各回路部品を接続する配線は、モジュール基板９１の内部、主面９１ａおよび９１ｂに形成されている。また、上記配線は、両端が主面９１ａ、９１ｂおよび高周波モジュール１Ａを構成する回路部品のいずれかに接合されたボンディングワイヤであってもよく、また、高周波モジュール１Ａを構成する回路部品の表面に形成された端子、電極または配線であってもよい。

　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、主面９１ｂに複数の外部接続端子１５０が配置されている。高周波モジュール１Ａは、高周波モジュール１Ａのｚ軸負方向側に配置される外部基板と、複数の外部接続端子１５０を経由して、電気信号のやりとりを行う。また、複数の外部接続端子１５０のいくつかは、外部基板のグランド電位に設定される。主面９１ａおよび９１ｂのうち、外部基板と対向する主面９１ｂには、低背化が困難な回路部品が配置されず、低背化が容易な低雑音増幅器２１、スイッチ５１～５３、ＰＡ制御回路１３、および送信フィルタ６１Ｔ～６３Ｔが配置されている。

　なお、外部接続端子１５０は、図２Ａおよび図２Ｂに示すように、樹脂部材９３をｚ軸方向に貫通する柱状電極であってもよいし、また、外部接続端子１５０は、主面９１ｂ上に形成されたバンプ電極であってもよい。この場合には、主面９１ｂ上の樹脂部材９３はなくてもよい。

　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａにおいて、送信フィルタ６３Ｔが主面９１ｂに配置されていることは必須であり、その他の回路部品は、主面９１ａおよび９１ｂのいずれに配置されていてもよい。

　送信フィルタ６３Ｔは、第１弾性波フィルタの一例であり、互いに対向する底面６３ａ（第１底面）および天面６３ｂ（第１天面）を有する。図２Ｂに示すように、底面６３ａは主面９１ｂと対向し、天面６３ｂよりも主面９１ｂに近く配置されている。

　金属電極６５は、第１金属電極の一例であり、天面６３ｂと接合されている。

　送信フィルタ６３Ｔは、電力増幅器１１または１２で増幅された送信信号を通過させる回路部品であるため、高周波モジュール１Ａが有する回路部品のなかで発熱量が大きい部品である。高周波モジュール１Ａの放熱性を向上させるには、送信フィルタ６３Ｔの発熱を、小さな熱抵抗を有する放熱経路で外部基板に放熱することが重要である。仮に、金属電極６５が配置されていない場合、送信フィルタ６３Ｔの放熱経路としては、主面９１ｂ上の（ｘｙ平面方向に沿う）平面配線パターンのみを経由した放熱経路を含むこととなる。上記平面配線パターンは、金属薄膜で形成されるため熱抵抗が大きい。このため、送信フィルタ６３Ｔを主面９１ｂ上に配置した場合には、放熱性が低下してしまう。

　これに対して、本実施例に係る高周波モジュール１Ａは、図２Ｂに示すように、送信フィルタ６３Ｔの天面６３ｂに金属電極６５が接合されているので、送信フィルタ６３Ｔの発熱を、金属電極６５を経由して外部基板側へ放熱できる。つまり、送信フィルタ６３Ｔの放熱経路として、モジュール基板９１を経由した放熱経路だけでなく、モジュール基板９１を経由せずに送信フィルタ６３Ｔの天面６３ｂから放熱できる。よって、弾性波フィルタである送信フィルタ６３Ｔの放熱性が向上した高周波モジュール１Ａを提供することが可能となる。

　また、図２Ａに示すように、金属電極６５は、さらに、送信フィルタ６３ＴおよびＰＡ制御回路１３と接合されていてもよい。

　これによれば、高周波モジュール１Ａの放熱性がさらに向上する。

　また、高周波モジュール１Ａは、さらに、モジュール基板９１内に形成され、主面９１ａおよび９１ｂを繋ぐビア導体９１Ｖ（第１ビア導体）を備えている。ビア導体９１Ｖの一端は、主面９１ａにおいて電力増幅器１１または１２のグランド電極と接続され、ビア導体９１Ｖの他端は、主面９１ｂにおいて複数の外部接続端子１５０と接続されている。

　電力増幅器１１および１２は、高周波モジュール１Ａが有する回路部品のなかで発熱量が大きい部品である。高周波モジュール１Ａの放熱性を向上させるには、電力増幅器１１および１２の発熱を、小さな熱抵抗を有する放熱経路で外部基板に放熱することが重要である。仮に、電力増幅器１１および１２を主面９１ｂに実装した場合、電力増幅器１１および１２に接続される電極配線は主面９１ｂ上に配置される。このため、放熱経路としては、主面９１ｂ上の（ｘｙ平面方向に沿う）平面配線パターンのみを経由した放熱経路を含むこととなる。上記平面配線パターンは、金属薄膜で形成されるため熱抵抗が大きい。このため、電力増幅器１１および１２を主面９１ｂ上に配置した場合には、放熱性が低下してしまう。

　これに対して、本実施例に係る高周波モジュール１Ａは、図２Ｂに示すように、主面９１ａにて電力増幅器１１または１２のグランド電極に接続され、主面９１ａから主面９１ｂに到る放熱用のビア導体９１Ｖをさらに備える。また、ビア導体９１Ｖは、主面９１ｂにてグランド電位に設定された外部接続端子１５０と接続されている。

　これによれば、放熱用のビア導体９１Ｖを介して、電力増幅器１１または１２と外部接続端子１５０とを接続できる。よって、電力増幅器１１または１２の放熱経路として、モジュール基板９１内の配線のうち熱抵抗の大きいｘｙ平面方向に沿う平面配線パターンのみを経由した放熱経路を排除できる。よって、電力増幅器１１または１２から外部基板への放熱性が向上した小型の高周波モジュール１Ａを提供することが可能となる。

　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａにおいて、低雑音増幅器２１およびスイッチ５３は、半導体ＩＣ７１に含まれている。これによれば、高周波モジュール１Ａを小型化できる。

　また、電力増幅器１１および１２と低雑音増幅器２１とがモジュール基板９１を挟んで両面に振り分けられているので、送受信間のアイソレーションを向上できる。

　図２Ｃは、変形例１に係る高周波モジュール１Ｂの平面図である。同図に示された高周波モジュール１Ｂは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、金属電極６５Ｂの配置構成のみが異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｂについて、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。

　本変形例では、送信フィルタ６２Ｔは第１弾性波フィルタの一例であり、互いに対向する底面６２ａおよび天面６２ｂを有している。底面６２ａは主面９１ｂと対向し、天面６２ｂよりも主面９１ｂに近く配置されている。送信フィルタ６３Ｔは第２フィルタの一例である。送信フィルタ６２Ｔには、底面６２ａ上に入出力端子６２１が形成されている。入出力端子６２１は、第１入出力端子の一例であり、スイッチ５２の第２選択端子と接続されている。

　金属電極６５Ｂは、第１金属電極の一例であり、天面６２ｂと接合されている。

　ここで、天面６２ｂを平面視した場合、入出力端子６２１と金属電極６５Ｂとは、重なっている。

　これによれば、送信フィルタ６２Ｔのなかでも最も発熱量が多く高温となり易い入出力端子６２１と金属電極６５Ｂとが、上記平面視において重なっているので、弾性波フィルタである送信フィルタ６２Ｔの放熱性をより効果的に向上することが可能となる。

　［３．実施例２に係る高周波モジュール１Ｃの回路部品配置構成］
　図３Ａは、実施例２に係る高周波モジュール１Ｃの平面図である。また、図３Ｂは、実施例２に係る高周波モジュール１Ｃの断面図であり、具体的には、図３ＡのＩＩＩＢ－ＩＩＩＢ線における断面図である。なお、図３Ａには、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置を透視した図が示されている。また、図３Ａでは、各回路部品の配置関係が容易に理解されるよう各回路部品にはその機能を表すマークが付されているが、実際の高周波モジュール１Ｃには、当該マークは付されていない。

　実施例２に係る高周波モジュール１Ｃは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。

　図３Ａおよび図３Ｂに示された高周波モジュール１Ｃは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、金属電極６５Ｃの配置構成のみが異なる。以下、本実施例に係る高周波モジュール１Ｃについて、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。

　金属電極６５Ｃは、第１金属電極の一例であり、図３Ｂに示すように、天面６３ｂと接合されている。また、天面６３ｂを含む平面上で、グランド電位に設定される外部接続端子１５０と接合されている。

　上記構成によれば、金属電極６５Ｃがグランド電極となるので、送信フィルタ６３Ｔから放射される送信信号および高調波を抑制でき、また、送信フィルタ６３Ｔへの外来ノイズの侵入を抑制できる。よって、高周波モジュール１Ｃの放熱性を向上しつつ、信号間のアイソレーションを向上できる。

　なお、本実施例に係る高周波モジュール１Ｃにおいて、金属電極６５Ｃと主面９１ｂとは外部接続端子１５０を介して接続されているが、金属電極６５Ｃと主面９１ｂに形成されたグランド電極とが、ボンディングワイヤを介して接続されていてもよい。

　図３Ｃは、変形例２に係る高周波モジュール１Ｄの断面図である。同図に示された高周波モジュール１Ｄは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、さらにビア導体６３Ｖおよび１３Ｖを有する点のみが異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｄについて、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。

　送信フィルタ６３Ｔには、底面６３ａと天面６３ｂとを繋ぐビア導体６３Ｖ（第２ビア導体）が形成されている。ビア導体６３Ｖの一端は主面９１ｂに形成されたグランド電極と接続されており、ビア導体６３Ｖの他端は金属電極６５と接続されている。

　上記構成によれば、金属電極６５がグランド電極となるので、送信フィルタ６３Ｔから放射される送信信号および高調波を抑制でき、また、送信フィルタ６３Ｔへの外来ノイズの侵入を抑制できる。よって、高周波モジュール１Ｄの放熱性を向上しつつ、信号間のアイソレーションを向上できる。

　また、ＰＡ制御回路１３は、互いに対向する主面１３ａおよび１３ｂを有する。図３Ｃに示すように、主面１３ａは主面９１ｂと対向し、主面１３ｂよりも主面９１ｂに近く配置されている。

　ＰＡ制御回路１３には、主面１３ａと主面１３ｂとを繋ぐビア導体１３Ｖが形成されている。ビア導体１３Ｖの一端は主面９１ｂに形成されたグランド電極と接続されており、ビア導体１３Ｖの他端は金属電極６５と接続されている。

　上記構成によれば、金属電極６５がグランド電極となるので、ＰＡ制御回路１３から放射されるディジタルノイズを抑制でき、また、ＰＡ制御回路１３への外来ノイズの侵入を抑制できる。

　［４．実施例３に係る高周波モジュール１Ｅの回路部品配置構成］
　図４Ａは、実施例３に係る高周波モジュール１Ｅの平面図である。また、図４Ｂは、実施例３に係る高周波モジュール１Ｅの断面図であり、具体的には、図４ＡのＩＶＢ－ＩＶＢ線における断面図である。なお、図４Ａには、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置を透視した図が示されている。また、図４Ａでは、各回路部品の配置関係が容易に理解されるよう各回路部品にはその機能を表すマークが付されているが、実際の高周波モジュール１Ｅには、当該マークは付されていない。

　実施例３に係る高周波モジュール１Ｅは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。

　図４Ａおよび図４Ｂに示された高周波モジュール１Ｅは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、金属シールド板８６および８７が配置されている点が異なる。以下、本実施例に係る高周波モジュール１Ｅについて、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。

　高周波モジュール１Ｅは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、さらに、金属シールド板８６および８７を備える。

　金属シールド板８６は、主面９１ｂ上に立設され、モジュール基板９１を平面視した場合に送信フィルタ６３Ｔと低雑音増幅器２１との間に配置されており、主面９１ｂに形成されたグランド電極および金属電極６５と接合されている。なお、金属シールド板８６は、モジュール基板９１に形成されたグランド電極層９５Ｇに接続されていてもよい。金属シールド板８６は、その上方および下方の両端でグランド電極および金属電極６５に接合されており、送信フィルタ６３Ｔと低雑音増幅器２１との間に配置されているので、送信フィルタ６３Ｔと低雑音増幅器２１との間の電磁界遮蔽機能を強化できる。よって、高周波モジュール１Ｅの送受信間のアイソレーションをさらに向上できる。

　また、金属シールド板８７は、主面９１ｂ上に立設され、主面９１ｂに形成されたグランド電極および金属電極６５と接合されている。

　これによれば、金属電極６５がグランド電極となるので、送信フィルタ６３Ｔから放射される送信信号および高調波を抑制でき、また、送信フィルタ６３Ｔへの外来ノイズの侵入を抑制できる。よって、高周波モジュール１Ｅの放熱性を向上しつつ、信号間のアイソレーションを向上できる。

　金属シールド板８６および８７の詳細な構造については図５Ａ～図５Ｃを用いて説明する。

　図５Ａは、金属シールド板８６Ａの外観斜視図である。同図に示された金属シールド板８６Ａは、実施例３に係る金属シールド板８６および８７の一例である。金属シールド板８６Ａは、主面９１ｂ（図示せず）からｚ軸負方向に立設されている。金属シールド板８６Ａと主面９１ｂとの間には、金属シールド板８６Ａの法線方向（ｘ軸方向）に貫通する穴８６ｚが形成されている。

　また、金属シールド板８６Ａは、主面９１ｂからｚ軸負方向に立設された本体部８６ｘと、主面９１ｂ側であって主面９１ｂと平行に延設され、主面９１ｂ上のグランド電極（図示せず）と接合された接合部８６ｙと、を有している。

　金属シールド板８６Ａの構造によれば、本体部８６ｘと主面９１ｂとの間に穴８６ｚが形成されているので、樹脂部材９３を主面９１ｂ上に形成する工程において、金属シールド板８６Ａの近傍における液状樹脂の良好な流動性を確保できる。よって、金属シールド板８６Ａの近傍において樹脂部材９３が形成されていない空隙などの発生を抑制できる。

　図５Ｂは、金属シールド板８６Ｂの外観斜視図である。同図に示された金属シールド板８６Ｂは、実施例３に係る金属シールド板８６および８７の一例である。金属シールド板８６Ｂは、主面９１ｂ（図示せず）からｚ軸負方向に立設されている。金属シールド板８６Ｂと天面６３ｂを含む平面との間には、金属シールド板８６Ｂの法線方向（ｘ軸方向）に貫通する穴８６ｚが形成されている。

　また、金属シールド板８６Ｂは、主面９１ｂからｚ軸負方向に立設された本体部８６ｘと、主面９１ｂ側であって主面９１ｂと平行に延設され、主面９１ｂ上のグランド電極（図示せず）と接合された接合部８６ｙと、を有している。

　金属シールド板８６Ｂの構造によれば、本体部８６ｘと天面６３ｂを含む平面との間に穴８６ｚが形成されているので、樹脂部材９３を主面９１ｂ上に形成する工程において、金属シールド板８６Ｂの近傍における液状樹脂の良好な流動性を確保できる。よって、金属シールド板８６Ｂの近傍において樹脂部材９３が形成されていない空隙などの発生を抑制できる。さらに、主面９１ｂと接する領域（本体部８６ｘの下方領域）には、穴８６ｚが形成されていないので、金属シールド板８６Ｂを介して主面９１ｂ上に配置された回路部品間のアイソレーションが向上する。

　図５Ｃは、金属シールド板８６Ｃの外観斜視図である。同図に示された金属シールド板８６Ｃは、実施例３に係る金属シールド板８６および８７の一例である。金属シールド板８６Ｃは、主面９１ｂ（図示せず）からｚ軸負方向に立設されている。主面９１ｂと天面６３ｂを含む平面との間には、金属シールド板８６Ｃの法線方向（ｘ軸方向）に貫通する穴８６ｚが形成されている。

　また、金属シールド板８６Ｃは、主面９１ｂからｚ軸負方向に立設された本体部８６ｘと、主面９１ｂ側であって主面９１ｂと平行に延設され、主面９１ｂ上のグランド電極（図示せず）と接合された接合部８６ｙと、を有している。金属シールド板８６Ｃでは、複数の本体部８６ｘが穴８６ｚを介して離散的に配置されており、また、複数の接合部８６ｙが穴８６ｚを介して離散的に配置されている。

　金属シールド板８６Ｃの構造によれば、主面９１ｂと天面６３ｂを含む平面との間に穴８６ｚが形成されているので、樹脂部材９３を主面９１ｂ上に形成する工程において、金属シールド板８６Ｃの近傍における液状樹脂の良好な流動性を確保できる。よって、金属シールド板８６Ｃの近傍において樹脂部材９３が形成されていない空隙などの発生を抑制できる。

　なお、金属シールド板８６および８７の構造例は、上記の金属シールド板８６Ａ～８６Ｃに限られるものではない。例えば、穴８６ｚは、主面９１ｂから天面６３ｂを含む平面に向けて複数配置されていてもよい。また、接合部８６ｙが延設される方向は、図５Ａ～図５Ｃに示されるようなｘ軸正方向に限られず、ｘ軸負方向であってもよく、さらには、金属シールド板８６および８７は、ｘ軸正方向に延設される接合部８６ｙおよびｘ軸負方向に延設される接合部８６ｙの双方を有していてもよい。

　図６は、変形例３に係る高周波モジュール１Ｆの平面図である。同図に示された高周波モジュール１Ｆは、実施例３に係る高周波モジュール１Ｅと比較して、金属シールド板８６および８７の代わりに、ボンディングワイヤ８８が配置されている点のみが異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｆについて、実施例３に係る高周波モジュール１Ｅと同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。

　本実施例に係る高周波モジュール１Ｅにおいて、金属シールド板８６に代えて、送信フィルタ６３Ｔと低雑音増幅器２１との間に、複数のボンディングワイヤ８８が配置されている。ボンディングワイヤ８８の一端は主面９１ｂに形成されたグランド電極と接合され、他端は金属電極６５と接合される。

　これによれば、送信フィルタ６３Ｔと低雑音増幅器２１との間の電磁界遮蔽機能を強化できるので、高周波モジュール１Ｆの送受信間のアイソレーションをさらに向上できる。

　また、図示していないが、本実施例に係る高周波モジュール１Ｅにおいて、金属シールド板８６に代えて、送信フィルタ６３Ｔと低雑音増幅器２１との間に、複数のグランド設定された外部接続端子１５０が配置されていてもよい。この場合、外部接続端子１５０の一端は主面９１ｂに形成されたグランド電極と接合され、他端は金属電極６５と接合される。

　これによっても、送信フィルタ６３Ｔと低雑音増幅器２１との間の電磁界遮蔽機能を強化できるので、高周波モジュール１Ｅの送受信間のアイソレーションをさらに向上できる。

　［５．実施例４に係る高周波モジュール１Ｇの回路部品配置構成］
　図７Ａは、実施例４に係る高周波モジュール１Ｇの平面図である。また、図７Ｂは、実施例４に係る高周波モジュール１Ｇの断面図であり、具体的には、図７ＡのＶＩＩＢ－ＶＩＩＢ線における断面図である。なお、図７Ａには、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置を透視した図が示されている。また、図７Ａでは、各回路部品の配置関係が容易に理解されるよう各回路部品にはその機能を表すマークが付されているが、実際の高周波モジュール１Ｇには、当該マークは付されていない。

　実施例４に係る高周波モジュール１Ｇは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。

　図７Ａおよび図７Ｂに示された高周波モジュール１Ｇは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、金属電極６５Ｓおよび６５Ｇの配置構成のみが異なる。以下、本実施例に係る高周波モジュール１Ｇについて、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。

　金属電極６５Ｓは、第１金属電極の一例であり、天面６３ｂと接合されている。金属電極６５Ｓは、送信フィルタ６３Ｔに高周波信号を入力する、または、送信フィルタ６３Ｔから高周波信号を出力させる信号電極（ＨＯＴ電極）である。金属電極６５Ｓは、例えば、送信フィルタ６３Ｔの底面６３ａに配置された入出力端子６３１と、ビア導体を介して接続されていてもよい。

　これによれば、送信フィルタ６３Ｔの天面６３ｂに金属電極６５Ｓが接合されているので、送信フィルタ６３Ｔの発熱を、金属電極６５Ｓを経由して外部基板側へ放熱できる。よって、弾性波フィルタである送信フィルタ６３Ｔの放熱性が向上した高周波モジュール１Ｇを提供することが可能となる。

　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｇにおいて、金属電極６５Ｇは、天面６３ｂと接合されており、グランドに設定されている。これによれば、高周波モジュール１Ｇの放熱性を向上しつつ、信号間のアイソレーションを向上できる。

　なお、本実施例に係る高周波モジュール１Ｇにおいて、金属電極６５Ｇは配置されていなくてもよい。

　［６．実施例５に係る高周波モジュール１Ｈの回路部品配置構成］
　図８は、実施例５に係る高周波モジュール１Ｈの平面図である。なお、図８には、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置を透視した図が示されている。また、図８では、各回路部品の配置関係が容易に理解されるよう各回路部品にはその機能を表すマークが付されているが、実際の高周波モジュール１Ｈには、当該マークは付されていない。

　実施例５に係る高周波モジュール１Ｈは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。

　図８に示された高周波モジュール１Ｈは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、金属電極６５Ｈ、インダクタ４８Ｌおよびキャパシタ４８Ｃが付加されている点、および、金属電極６５Ｈの配置構成が異なる。以下、本実施例に係る高周波モジュール１Ｈについて、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。

　インダクタ４８Ｌは、主面９１ｂに配置された表面実装部品である。また、キャパシタ４８Ｃは、主面９１ｂに配置された表面実装部品である。インダクタ４８Ｌおよびキャパシタ４８Ｃは、例えば、高周波モジュール１Ｈに含まれる整合回路を構成する回路部品であり、また、高周波モジュール１Ｈに含まれるＬＣフィルタを構成する回路部品である。

　金属電極６５Ｈは、第１金属電極の一例であり、送信フィルタ６２Ｔの天面６２ｂ、および、インダクタ４８Ｌおよびキャパシタ４８Ｃの一部と、天面６２ｂを含む平面で接合されている。

　これによれば、送信フィルタ６２Ｔの放熱性だけでなく、高周波モジュール１Ｈを構成する表面実装部品の放熱性も向上できる。よって、高周波モジュール１Ｈの放熱性を、より一層向上できる。

　［７．実施例６に係る高周波モジュール１Ｊの回路部品配置構成］
　図９は、実施例６に係る高周波モジュール１Ｊの断面図である。実施例６に係る高周波モジュール１Ｊは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。

　図９に示された高周波モジュール１Ｊは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、送信フィルタ６３Ｔの構造のみが異なる。以下、本実施例に係る高周波モジュール１Ｊについて、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。

　送信フィルタ６３Ｔの天面６３ｂは金属電極６５と接合されている。送信フィルタ６３Ｔは、天面６３ｂよりも底面６３ａに近い箇所に形成された回路部（図示せず）と、金属電極６５と上記回路部との間に形成されたバリアメタル層６８と、を有する。なお、回路部とは、弾性波を伝搬する媒体に相当する。

　金属電極６５は、例えば、スパッタ法により形成された金属薄膜であり、銅、銅を含む合金、または、銅を含む積層体である。

　バリアメタル層６８は、金属層の一例であり、例えば、チタン、タンタル、コバルトおよびタングステン、またはそれらの少なくとも１つを含む合金である。

　高周波モジュール１Ｊにおいて、金属電極６５と送信フィルタ６３Ｔとが接触しているため、金属電極６５から送信フィルタ６３Ｔの回路部に向けて、金属（例えばＣｕ原子）が拡散する場合がある。この拡散した金属が回路部に不純物として混入すると、当該回路部の構造が変化してフィルタ通過特性が劣化する場合がある。

　これに対して、高周波モジュール１Ｊの上記構成によれば、金属電極６５と回路部との間にはバリアメタル層６８が配置されている。これによれば、バリアメタル層６８から回路部への金属拡散の度合いを、金属電極６５から回路部への金属拡散の度合いよりも低くできる。つまり、バリアメタル層６８が配置されていない送信フィルタと比較して、金属電極６５から回路部へ金属が拡散することを抑制できる。よって、高周波モジュール１Ｊの放熱性を向上させつつ、送信フィルタ６３Ｔのフィルタ通過特性の劣化を抑制できる。

　なお、ＡからＢへの金属拡散の度合いが低いとは、例えば、Ａを構成する金属材料がＢへ拡散する重量が小さい、または、Ａを構成する金属材料がＢへ拡散する速度が低い、などを意味し、具体的には、Ａを構成する金属材料のＢへの拡散係数が小さいことと定義される。

　つまり、バリアメタル層６８は、バリアメタル層６８を構成する金属材料の回路部への拡散係数が金属電極６５を構成する金属材料の回路部への拡散係数よりも小さい金属層であると定義される。

　図１０Ａは、実施例６に係る送信フィルタ６３Ｔの第１例を示す断面構成図である。

　送信フィルタ６３Ｔは、弾性表面波フィルタである。図１０Ａに示すように、送信フィルタ６３Ｔの天面６３ｂは金属電極６５と接合されている。また、底面６３ａは主面９１ｂと対面し、圧電層７５の表面に形成されたバンプ電極７６を介して主面９１ｂと接続されている。

　送信フィルタ６３Ｔは、圧電層７５と、支持基板７２と、バリアメタル層６８と、高音速層７３と、低音速層７４と、ＩＤＴ電極７７と、を備え、支持基板７２、バリアメタル層６８、高音速層７３、低音速層７４、圧電層７５、およびＩＤＴ電極７７の順で積層されている。

　圧電層７５は、例えば、ＬｉＴａＯ_３圧電単結晶または圧電セラミックスからなる。

　支持基板７２は、高音速層７３、低音速層７４、圧電層７５およびＩＤＴ電極７７を支持する基板であり、例えばシリコンで構成されている。

　高音速層７３は、圧電層７５を伝搬する表面波および境界波などの弾性波よりも、伝搬するバルク波の音速が高速となる層であり、弾性表面波を圧電層７５および低音速層７４が積層されている部分に閉じ込め、高音速層７３より下方に漏れないように機能する。

　低音速層７４は、圧電層７５を伝搬するバルク波音速よりも、伝搬するバルク波音速が低速である層であり、圧電層７５と高音速層７３との間に配置される。この構造と、弾性波が本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中するという性質とにより、弾性表面波エネルギーのＩＤＴ電極７７外への漏れが抑制される。

　なお、支持基板７２と高音速層７３とは、同じ材料で構成されていてもよく、この場合には、高音速支持基板であってもよい。

　上記構成において、ＩＤＴ電極７７を構成する一対の櫛歯状電極間に高周波信号が入力されると、一対の櫛歯状電極間で電位差が生じ、これにより、圧電層７５が歪むことで弾性表面波が発生する。ここで、ＩＤＴ電極７７の波長（電極指間隔の２倍）と、送信フィルタ６３Ｔの通過帯域の波長とを略一致させておくことにより、通過させたい周波数成分を有する高周波信号のみが送信フィルタ６３Ｔを通過する。

　なお、送信フィルタ６３Ｔの上記積層構造によれば、圧電基板を単層で使用している従来の構造と比較して、共振周波数および反共振周波数におけるＱ値を大幅に高めることが可能となる。すなわち、Ｑ値が高い弾性波共振子を構成し得るので、当該弾性波共振子を用いて、挿入損失が小さいフィルタを構成することが可能となる。

　なお、弾性表面波は、圧電層７５の表面、もしくは、複数の材料の界面に弾性波の伝搬を行うことを指し、ＩＤＴ電極７７を用いて構成される様々な種類の弾性波を指す。弾性表面波には、例えば、表面波、ラブ波、リーキー波、レイリー波、境界波、漏れＳＡＷ、疑似ＳＡＷ、板波も含まれる。

　ＩＤＴ電極７７、圧電層７５、および低音速層７４は、送信フィルタ６３Ｔの底面６３ａおよび天面６３ｂのうちの底面６３ａ側に形成され、弾性表面波を伝搬する回路部に相当する。

　これにより、高周波モジュール１Ｊの放熱性を向上させつつ、送信フィルタ６３Ｔのフィルタ通過特性の劣化を抑制できる。

　なお、バリアメタル層６８は、金属電極６５と回路部との間に形成されていればよい。

　また、送信フィルタ６３Ｔは、弾性表面波フィルタのほか、バルク弾性波フィルタであってもよい。

　図１０Ｂは、実施例６に係る送信フィルタ６３Ｔの第２例を示す断面構成図である。

　送信フィルタ６３Ｔは、ＳＭＲ（Ｓｏｌｉｄｌｙ　Ｍｏｕｎｔｅｄ　Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）型のバルク弾性波フィルタである。図１０Ｂに示すように、送信フィルタ６３Ｔの天面６３ｂは金属電極６５と接触している。また、送信フィルタ６３Ｔの底面６３ａ（上部電極８４および下部電極８２）は主面９１ｂと対面し、上部電極８４および下部電極８２の表面に形成されたバンプ電極７６を介して主面９１ｂと接続されている。

　本例に係る送信フィルタ６３Ｔは、支持基板７２と、バリアメタル層６８と、低音響インピーダンス膜８１と、高音響インピーダンス膜８０と、上部電極８４（第２電極）と、下部電極８２（第１電極）と、圧電層８３と、を備える。低音響インピーダンス膜８１および高音響インピーダンス膜８０は、交互に積層されることにより音響多層膜を形成している。送信フィルタ６３Ｔにおいて、支持基板７２、バリアメタル層６８、音響多層膜、下部電極８２、圧電層８３、ならびに上部電極８４の順で積層されている。

　支持基板７２は、音響多層膜、上部電極８４、圧電層８３、および下部電極８２を支持する基板であり、例えばシリコンで構成されている。

　上記構造により、ＳＭＲ型のバルク弾性波共振子は、支持基板７２と、上部電極８４との間に配置された音響多層膜によるブラッグ反射を利用してバルク弾性波を音響多層膜の下方（上部電極８４、圧電層８３および下部電極８２）に閉じ込める。

　上記構成において、上部電極８４と下部電極８２との間に高周波信号が入力されると、両電極間で電位差が生じ、これにより、圧電層８３が歪むことで、上部電極８４、圧電層８３および下部電極８２という積層方向のバルク弾性波が発生する。ここで、圧電層８３の膜厚と、送信フィルタ６３Ｔの通過帯域の波長とを対応させておくことにより、通過させたい周波数成分を有する高周波信号のみが送信フィルタ６３Ｔを通過する。

　上部電極８４、圧電層８３および下部電極８２は、送信フィルタ６３Ｔの底面６３ａおよび天面６３ｂのうちの底面６３ａ側に形成され、バルク弾性波を伝搬する回路部に相当する。

　［８．実施例７に係る高周波モジュール１Ｋの回路部品配置構成］
　図１１は、実施例７に係る高周波モジュール１Ｋの断面図である。実施例７に係る高周波モジュール１Ｋは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。

　図１１に示された高周波モジュール１Ｋは、実施例２に係る高周波モジュール１Ｃと比較して、金属電極６５Ｃに接合されたレジスト層９６が付加されている点が異なる。以下、本実施例に係る高周波モジュール１Ｋについて、実施例２に係る高周波モジュール１Ｃと同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。

　高周波モジュール１Ｋは、金属電極６５Ｃの表面に接合されたバンプ電極１６０を介して、外部基板２００と接続されている。

　ここで、金属電極６５Ｃの表面において、バンプ電極１６０との接合領域を除く領域を覆うようにレジスト層９６が形成されている。レジスト層９６は、絶縁層である。

　これによれば、レジスト層９６により、金属電極６５Ｃと外部基板２００とが不要に短絡することを防止できる。

　［９．実施例８に係る高周波モジュール１Ｌの回路部品配置構成］
　図１２は、実施例８に係る高周波モジュール１Ｌの平面図である。なお、図１２には、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置を透視した図が示されている。また、図１２では、各回路部品の配置関係が容易に理解されるよう各回路部品にはその機能を表すマークが付されているが、実際の高周波モジュール１Ｌには、当該マークは付されていない。

　実施例８に係る高周波モジュール１Ｌは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。

　図１２に示された高周波モジュール１Ｌは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、金属電極６５Ｘおよび６５Ｙの配置構成が異なる。以下、本実施例に係る高周波モジュール１Ｌについて、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。

　送信フィルタ６３Ｔは、第１弾性波フィルタの一例であり、第１バンドの送信帯域の送信信号を通過させる。送信フィルタ６３Ｔは、互いに対向する底面６３ａ（第１底面）および天面６３ｂ（第１天面）を有する。底面６３ａは、主面９１ｂと対向し天面６３ｂよりも主面９１ｂに近く配置されている。

　送信フィルタ６２Ｔは、第２弾性波フィルタの一例であり、第２バンドの送信帯域の送信信号を通過させる。送信フィルタ６２Ｔは、互いに対向する底面６２ａ（第２底面）および天面６２ｂ（第２天面）を有する。底面６２ａは、主面９１ｂと対向し天面６２ｂよりも主面９１ｂに近く配置されている。

　金属電極６５Ｙは、第１金属電極の一例であり、天面６３ｂと接合されている。

　金属電極６５Ｘは、第２金属電極の一例であり、天面６２ｂと接合されている。

　金属電極６５Ｙと金属電極６５Ｘとは、天面６３ｂを含む平面上、および、天面６２ｂを含む平面上で分離形成されている。

　上記構成によれば、送信フィルタ６３Ｔでの発熱を、モジュール基板９１を経由せずに天面６３ｂから放熱でき、送信フィルタ６２Ｔでの発熱を、モジュール基板９１を経由せずに天面６２ｂから放熱できる。さらに、金属電極６５Ｙと金属電極６５Ｘとが分離形成されているので、異なるバンド（周波数）の送信信号が金属電極６５Ｘおよび６５Ｙを介して干渉することを抑制できる。よって、送信フィルタ６２Ｔおよび６３Ｔの放熱性を向上させつつ、異なるバンド間のアイソレーションを向上できる。

　［１０．効果など］
　以上、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａは、互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂを有するモジュール基板９１と、互いに対向する底面６３ａおよび天面６３ｂを有し、高周波信号を通過させる送信フィルタ６３Ｔと、主面９１ｂに配置された外部接続端子１５０と、を備え、底面６３ａは、主面９１ａと対向し天面６３ｂよりも主面９１ｂに近く配置されている。高周波モジュール１Ａは、さらに、天面６３ｂと接合された金属電極６５を備える。

　これによれば、天面６３ｂに金属電極６５が接合されているので、送信フィルタ６３Ｔの発熱を、金属電極６５を経由して外部基板側へ放熱できる。つまり、送信フィルタ６３Ｔの発熱を、モジュール基板９１を経由せずに天面６３ｂから放熱できる。よって、高周波モジュール１Ａの放熱性を向上できる。

　また、高周波モジュール１Ｂは、さらに、電力増幅器１１と、送信フィルタ６２Ｔと、電力増幅器１１および送信フィルタ６３Ｔの接続、ならびに、電力増幅器１１および送信フィルタ６２Ｔの接続を切り替えるスイッチ５２と、を備える。

　また、高周波モジュール１Ｂにおいて、送信フィルタ６２Ｔは、スイッチ５２と接続された入出力端子６２１を備え、天面６２ｂを平面視した場合、入出力端子６２１と金属電極６５Ｂとは、重なっていてもよい。

　これによれば、送信フィルタ６２Ｔのなかでも最も発熱量が多く高温となり易い入出力端子６２１と金属電極６５Ｂとが、上記平面視において重なっているので、送信フィルタ６２Ｔの放熱性をより効果的に向上することが可能となる。

　また、高周波モジュール１Ｌにおいて、送信フィルタ６３Ｔは第１バンドの送信信号を通過させ、送信フィルタ６２Ｔは第２バンドの送信信号を通過させ、送信フィルタ６２Ｔは互いに対向する底面６２ａおよび天面６２ｂを有し、底面６２ａは、主面９１ｂと対向し天面６２ｂよりも主面９１ｂに近く配置されている。高周波モジュール１Ｌは、天面６３ｂに形成された金属電極６５Ｙを備え、天面６２ｂに形成された金属電極６５Ｘを備え、金属電極６５Ｙと金属電極６５Ｘとは、天面６３ｂを含む平面上、および、天面６２ｂを含む平面上で分離形成されていてもよい。

　これによれば、送信フィルタ６３Ｔでの発熱を、モジュール基板９１を経由せずに天面６３ｂから放熱でき、送信フィルタ６２Ｔでの発熱を、モジュール基板９１を経由せずに天面６２ｂから放熱できる。さらに、金属電極６５Ｙと金属電極６５Ｘとが分離形成されているので、異なるバンド（周波数）の送信信号が金属電極６５Ｘおよび６５Ｙを介して干渉することを抑制できる。よって、送信フィルタ６２Ｔおよび６３Ｔの放熱性を向上させつつ、異なるバンド間のアイソレーションを向上できる。

　また、高周波モジュール１Ａにおいて、電力増幅器１２は主面９１ａに配置されており、高周波モジュール１Ａは、さらに、モジュール基板９１内に形成され、主面９１ａおよび９１ｂを繋ぐビア導体９１Ｖを備え、ビア導体９１Ｖの一端は、主面９１ａにおいて電力増幅器１２のグランド電極と接続され、ビア導体９１Ｖの他端は、主面９１ｂにおいてグランド電位に設定された外部接続端子１５０と接続されていてもよい。

　これによれば、電力増幅器１２の放熱経路として、モジュール基板９１内の配線のうち熱抵抗の大きい平面配線パターンのみを経由した放熱経路を排除できる。よって、電力増幅器１２から外部基板への放熱性を向上できる。

　また、高周波モジュール１Ｈは、さらに、主面９１ｂに配置された表面実装型のインダクタ４８Ｌおよびキャパシタ４８Ｃを備え、金属電極６５Ｈは、送信フィルタ６２Ｔの天面６２ｂと接合されるとともに、インダクタ４８Ｌおよびキャパシタ４８Ｃの主面と接合されていてもよい。

　また、高周波モジュール１Ｃにおいて、金属電極６５Ｃは、グランドに設定されていてもよい。

　これによれば、送信フィルタ６３Ｔから放射される送信信号および高調波を抑制でき、また、送信フィルタ６３Ｔへの外来ノイズの侵入を抑制できる。よって、高周波モジュール１Ｃの放熱性を向上しつつ、信号間のアイソレーションを向上できる。

　また、高周波モジュール１Ｃにおいて、金属電極６５Ｃは、天面６３ｂを含む平面上で外部接続端子１５０と接合されていてもよい。

　また、高周波モジュール１Ｃにおいて、金属電極６５Ｃは、ボンディングワイヤを介して、主面９１ｂに形成されたグランド電極と接続されていてもよい。

　また、高周波モジュール１Ｄにおいて、金属電極６５は、天面６３ｂと天面６３ａとを繋ぐビア導体６３Ｖを介して、主面９１ｂに形成されたグランド電極と接続されていてもよい。

　また、高周波モジュール１Ｇにおいて、金属電極６５Ｓは、送信フィルタ６３Ｔに高周波信号を入力する、または、送信フィルタ６３Ｔから高周波信号を出力させる信号電極であってもよい。

　これによれば、送信フィルタ６３Ｔの発熱を、金属電極６５Ｓを経由して外部基板側へ放熱できる。よって、高周波モジュール１Ｇの放熱性が向上する。

　また、高周波モジュール１Ａは、さらに、主面９１ｂに配置された低雑音増幅器２１を備えてもよい。

　これによれば、電力増幅器１１および１２と低雑音増幅器２１とがモジュール基板９１を挟んで両面に振り分けられているので、送受信間のアイソレーションを向上できる。

　また、高周波モジュール１Ｅは、さらに、主面９１ｂ上であって、モジュール基板９１を平面視した場合に送信フィルタ６３Ｔと低雑音増幅器２１との間に配置された金属シールド板８６を備え、金属シールド板８６は、主面９１ｂに形成されたグランド電極および金属電極６５と接合されていてもよい。

　また、高周波モジュール１Ｅにおいて、外部接続端子１５０は、モジュール基板９１を平面視した場合に、送信フィルタ６３Ｔと低雑音増幅器２１との間に配置されており、グランドに設定されていてもよい。

　また、高周波モジュール１Ｊにおいて、送信フィルタ６３Ｔは、天面６３ｂよりも底面６３ａに近い箇所に形成された回路部と、金属電極６５と回路部との間に形成されたバリアメタル層６８と、を有してもよい。

　また、高周波モジュール１Ｊにおいて、金属電極６５は、銅、銅を含む合金、または、銅を含む積層体であり、バリアメタル層６８は、チタン、タンタル、コバルトおよびタングステン、またはそれらの少なくとも１つを含む合金であってもよい。

　これによれば、バリアメタル層６８から回路部への金属拡散の度合いを、金属電極６５から回路部への金属拡散の度合いよりも低くできる。つまり、バリアメタル層６８が配置されていない送信フィルタと比較して、金属電極６５から回路部へ金属が拡散することを抑制できる。よって、高周波モジュール１Ｊの放熱性を向上させつつ、送信フィルタ６３Ｔのフィルタ通過特性の劣化を抑制できる。

　また、高周波モジュール１Ｊにおいて、送信フィルタ６３Ｔは弾性表面波フィルタであり、圧電層７５と、支持基板７２と、バリアメタル層６８と、高音速層７３と、低音速層７４と、ＩＤＴ電極７７と、を備え、支持基板７２、バリアメタル層６８、高音速層７３、低音速層７４、圧電層７５、およびＩＤＴ電極７７の順で積層されていてもよい。

　また、高周波モジュール１Ｊにおいて、送信フィルタ６３Ｔはバルク弾性波フィルタであり、支持基板７２と、バリアメタル層６８と、低音響インピーダンス膜８１と高音響インピーダンス膜８０とが交互に積層された構造を有する音響多層膜と、下部電極８２および上部電極８４と、圧電層８３と、を備え、支持基板７２、バリアメタル層６８、音響多層膜、下部電極８２、圧電層８３、および上部電極８４の順で積層されていてもよい。

　また、通信装置５は、アンテナ２で送受信される高周波信号を処理するＲＦＩＣ３と、アンテナ２とＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送する高周波モジュール１と、を備える。

　これによれば、弾性波フィルタの放熱性が向上した通信装置５を提供できる。

　（その他の実施の形態など）
　以上、本発明に係る高周波モジュールおよび通信装置について、実施の形態、実施例および変形例を挙げて説明したが、本発明に係る高周波モジュールおよび通信装置は、上記実施の形態、実施例および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態、実施例および変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態、実施例および変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波モジュールおよび通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。

　例えば、実施例１～３では、送信フィルタ６３Ｔが主面９１ｂに配置され、金属電極６５が天面６３ｂに接合された構成を示したが、本発明に係る高周波モジュールは、送信フィルタ６３Ｔに代わって、または、送信フィルタ６３Ｔに加えて、受信フィルタ６１Ｒ～６３Ｒの少なくとも１つの受信フィルタが主面９１ｂに配置され、当該受信フィルタの天面が金属電極に接合された構成を有していてもよい。

　これによれば、受信フィルタの天面に金属電極が接合されているので、受信フィルタの発熱を、金属電極を経由して外部基板側へ放熱できる。つまり、受信フィルタの発熱を、モジュール基板９１を経由せずに受信フィルタの天面から放熱できる。よって、高周波モジュールの放熱性を向上できる。

　例えば、上記実施の形態、実施例および変形例に係る高周波モジュールでは、高周波モジュールを構成する各回路部品がモジュール基板９１の両面に配置されているが、各回路部品がモジュール基板の第２主面のみに配置されていてもよい。つまり、上記高周波モジュールを構成する各回路部品は、モジュール基板に片面実装されていてもよく、また、両面実装されていてもよい。

　例えば、上記実施の形態、実施例および変形例に係る高周波モジュールおよび通信装置において、図面に開示された各回路素子および信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子および配線などが挿入されていてもよい。

　本発明は、マルチバンド対応のフロントエンド部に配置される高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。

　１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ、１Ｇ、１Ｈ、１Ｊ、１Ｋ、１Ｌ　　高周波モジュール
　２　　アンテナ
　３　　ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
　４　　ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）
　５　　通信装置
　１１、１２　　電力増幅器
　１３　　ＰＡ制御回路
　１３ａ、１３ｂ、９１ａ、９１ｂ　　主面
　１３Ｖ、６３Ｖ、９１Ｖ　　ビア導体
　２１　　低雑音増幅器
　４１、４２、４３、４４、４５、４６、４７　　整合回路
　４８Ｃ　　キャパシタ
　４８Ｌ　　インダクタ
　５１、５２、５３　　スイッチ
　６１、６２、６３　　デュプレクサ
　６１Ｒ、６２Ｒ、６３Ｒ　　受信フィルタ
　６１Ｔ、６２Ｔ、６３Ｔ　　送信フィルタ
　６２ａ、６３ａ　　底面
　６２ｂ、６３ｂ　　天面
　６５、６５Ｂ、６５Ｃ、６５Ｇ、６５Ｈ、６５Ｓ、６５Ｘ、６５Ｙ　　金属電極
　６８　　バリアメタル層
　７１　　半導体ＩＣ
　７２　　支持基板
　７３　　高音速層
　７４　　低音速層
　７５、８３　　圧電層
　７６、１６０　　バンプ電極
　７７　　ＩＤＴ電極
　８０　　高音響インピーダンス膜
　８１　　低音響インピーダンス膜
　８２　　下部電極
　８４　　上部電極
　８５　　金属シールド層
　８６、８６Ａ、８６Ｂ、８６Ｃ、８７　　金属シールド板
　８６ｘ　　本体部
　８６ｙ　　接合部
　８６ｚ　　穴
　８８　　ボンディングワイヤ
　９１　　モジュール基板
　９２、９３　　樹脂部材
　９５Ｇ　　グランド電極層
　９６　　レジスト層
　１００　　アンテナ接続端子
　１１１、１１２　　送信入力端子
　１２０　　受信出力端子
　１３０　　制御信号端子
　１５０　　外部接続端子
　２００　　外部基板
　６２１、６３１　　入出力端子

Claims

　互いに対向する第１主面および第２主面を有するモジュール基板と、
　互いに対向する第１底面および第１天面を有し、高周波信号を通過させる第１弾性波フィルタと、
　前記第２主面に配置された外部接続端子と、を備え、
　前記第１底面は、前記第２主面と対向し、前記第１天面よりも前記第２主面に近く配置されており、
　さらに、
　前記第１天面と接合された第１金属電極を備える、
　高周波モジュール。
　さらに、
　電力増幅器と、
　第２弾性波フィルタと、
　前記電力増幅器および前記第１弾性波フィルタの接続、ならびに、前記電力増幅器および前記第２弾性波フィルタの接続を切り替える第１スイッチと、を備える、
　請求項１に記載の高周波モジュール。
　前記第１弾性波フィルタは、
　前記第１スイッチと接続された第１入出力端子を備え、
　前記第１天面を平面視した場合、前記第１入出力端子と前記第１金属電極とは、重なっている、
　請求項２に記載の高周波モジュール。
　前記第１弾性波フィルタは、第１バンドの送信信号を通過させ、
　前記第２弾性波フィルタは、前記第１バンドと異なる第２バンドの送信信号を通過させ、
　前記第２弾性波フィルタは、互いに対向する第２底面および第２天面を有し、
　前記第２底面は、前記第２主面と対向し、前記第２天面よりも前記第２主面に近く配置されており、
　さらに、
　前記第２天面に形成された第２金属電極を備え、
　前記第１金属電極と前記第２金属電極とは、前記第１天面を含む平面上、および、前記第２天面を含む平面上で分離形成されている、
　請求項２または３に記載の高周波モジュール。
　前記電力増幅器は、前記第１主面に配置されており、
　さらに、
　前記モジュール基板内に形成され、前記第１主面および前記第２主面を繋ぐ第１ビア導体を備え、
　前記第１ビア導体の一端は、前記第１主面において前記電力増幅器のグランド電極と接続され、前記第１ビア導体の他端は、前記第２主面においてグランド電位に設定された前記外部接続端子と接続されている、
　請求項２～４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　さらに、
　前記第２主面に配置された表面実装部品を備え、
　前記第１金属電極は、前記表面実装部品の主面と接合されている、
　請求項１～５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記第１金属電極は、グランドに設定されている、
　請求項１～６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記第１金属電極は、前記第１天面を含む平面上で前記外部接続端子と接合されている、
　請求項７に記載の高周波モジュール。
　前記第１金属電極は、ボンディングワイヤを介して、前記第２主面に形成されたグランド電極と接続されている、
　請求項７に記載の高周波モジュール。
　前記第１金属電極は、前記第１底面と前記第１天面とを繋ぐ第２ビア導体を介して、前記第２主面に形成されたグランド電極と接続されている、
　請求項７に記載の高周波モジュール。
　前記第１金属電極は、前記第１弾性波フィルタに前記高周波信号を入力する、または、前記第１弾性波フィルタから前記高周波信号を出力させる信号電極である、
　請求項１～６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　さらに、前記第２主面に配置された低雑音増幅器を備える、
　請求項１～１１のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　さらに、
　前記第２主面上であって、前記モジュール基板を平面視した場合に前記第１弾性波フィルタと前記低雑音増幅器との間に配置された金属シールド板を備え、
　前記金属シールド板は、前記第２主面に形成されたグランド電極および前記第１金属電極と接合されている、
　請求項１２に記載の高周波モジュール。
　前記外部接続端子は、前記モジュール基板を平面視した場合に、前記第１弾性波フィルタと前記低雑音増幅器との間に配置されており、グランドに設定されている、
　請求項１２に記載の高周波モジュール。
　前記第１弾性波フィルタは、
　前記第１天面よりも前記第１底面に近い箇所に形成された回路部と、
　前記第１金属電極と前記回路部との間に形成された金属層と、を有し、
　前記金属層は、バリアメタルである、
　請求項１～１４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記第１弾性波フィルタは、
　前記第１天面よりも前記第１底面に近い箇所に形成された回路部と、
　前記第１金属電極と前記回路部との間に形成された金属層と、を有し、
　前記第１金属電極は、銅、銅を含む合金、または、銅を含む積層体であり、
　前記金属層は、チタン、タンタル、コバルトおよびタングステン、またはそれらの少なくとも１つを含む合金である、
　請求項１～１４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記第１弾性波フィルタは、弾性表面波フィルタであり、
　圧電層と、
　支持基板と、
　前記金属層と、
　前記圧電層を伝搬する弾性波よりも、伝搬するバルク波の音速が高速となる高音速層と、
　前記圧電層を伝搬するバルク波音速よりも、伝搬するバルク波音速が低速である低音速層と、
　前記圧電層に形成されたＩＤＴ電極と、を備え、
　前記支持基板、前記金属層、前記高音速層、前記低音速層、前記圧電層、および前記ＩＤＴ電極の順で積層されている、
　請求項１５または１６に記載の高周波モジュール。
　前記第１弾性波フィルタは、バルク弾性波フィルタであり、
　支持基板と、
　前記金属層と、
　低音響インピーダンス膜と高音響インピーダンス膜とが交互に積層された構造を有する音響多層膜と、
　第１電極および第２電極と、
　圧電層と、を備え、
　前記支持基板、前記金属層、前記音響多層膜、前記第１電極、前記圧電層、および前記第２電極の順で積層されている、
　請求項１５または１６に記載の高周波モジュール。
　アンテナで送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、
　前記アンテナと前記ＲＦ信号処理回路との間で高周波信号を伝送する請求項１～１８のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、を備える、
　通信装置。