WO2022091954A1 - 高周波モジュール及び通信装置 - Google Patents

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Abstract

電子部品に含まれる回路素子の素子値を大きくする。高周波モジュール（１００）では、導電層（６）は、樹脂層（５）における実装基板（９）側とは反対側の主面（５１）と、電子部品（１）における実装基板（９）側とは反対側の主面（１１）と、を覆っている。電子部品（１）は、電子部品本体（２）と、複数の外部電極（３）と、を有する。電子部品本体（２）は、電気絶縁体部（２１）と、電気絶縁体部（２１）内に設けられており電子部品（１）の回路素子（１５）の少なくとも一部を構成する導体部（１４）と、を含む。電子部品本体（２）は、互いに対向する第３主面（２３）及び第４主面（２４）と、外周面（２５）と、を有する。第３主面（２３）が、電子部品（１）の主面（１１）を構成し、かつ導電層（６）に接している。複数の外部電極（３）の各々は、電子部品本体（２）の第４主面（２４）に設けられており、第３主面（２３）には至っていない。

Description

高周波モジュール及び通信装置
　本発明は、一般に高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には、電子部品を備える高周波モジュール、及び、それを備える通信装置に関する。
　特許文献１には、モジュール基板（実装基板）と、チップコイル（電子部品）と、樹脂層と、金属膜（導電層）と、を備えるモジュール（高周波モジュール）が開示されている。
　特許文献１に開示されたモジュールでは、チップコイルは、モジュール基板の実装面上に設けられた電極に実装されている。
国際公開第２０１４／０１３８３１号
　特許文献１に開示されたモジュールのような高周波モジュールでは、チップコイルのような電子部品の２つの外部電極と金属膜との短絡を防ぐためにモジュール基板の厚さ方向において電子部品と金属膜との間に樹脂層の一部を介在させる必要がある。このため、特許文献１に開示された高周波モジュールでは、電子部品に含まれる回路素子（例えば、インダクタ又はキャパシタ）の素子値（例えば、インダクタンス又はキャパシタンス）を大きくするのが難しかった。
　本発明の目的は、電子部品に含まれる回路素子の素子値を大きくすることが可能な高周波モジュール及び通信装置を提供することにある。
　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、電子部品と、樹脂層と、導電層と、を備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。前記電子部品は、前記実装基板の前記第１主面に実装されている。前記樹脂層は、前記実装基板の前記第１主面に配置されており、前記電子部品の外周面の少なくとも一部を覆っている。前記導電層は、前記樹脂層における前記実装基板側とは反対側の主面の少なくとも一部と、前記電子部品における前記実装基板側とは反対側の主面の少なくとも一部と、を覆っている。前記電子部品は、電子部品本体と、複数の外部電極と、を有する。前記電子部品本体は、電気絶縁体部と、前記電気絶縁体部内に設けられており前記電子部品の回路素子の少なくとも一部を構成する導体部と、を含む。前記電子部品本体は、互いに対向する第３主面及び第４主面と、外周面と、を有する。前記電子部品では、前記電子部品本体の前記第３主面が、前記電子部品の前記主面を構成し、かつ前記導電層に接している。前記複数の外部電極の各々は、前記電子部品本体の前記第４主面に設けられており、前記第３主面には至っていない。
　本発明の一態様に係る通信装置は、上記高周波モジュールと、信号処理回路と、を備える。前記信号処理回路は、前記高周波モジュールに接続されている。
　本発明の上記態様に係る高周波モジュール及び通信装置は、電子部品に含まれる回路素子の素子値を大きくすることが可能となる。
図１は、実施形態１に係る高周波モジュールの平面図である。 図２は、同上の高周波モジュールを示し、図１のＸ－Ｘ線断面図である。 図３は、同上の高周波モジュールを示し、図１のＹ－Ｙ線断面図である。 図４は、同上の高周波モジュールの一部拡大断面図である。 図５は、同上の高周波モジュールを備える通信装置の回路構成図である。 図６は、実施形態１の変形例１に係る高周波モジュールの断面図である。 図７は、実施形態１の変形例２に係る高周波モジュールの一部拡大断面図である。 図８は、実施形態１の変形例３に係る高周波モジュールの回路図である。 図９は、同上の高周波モジュールの一部破断した平面図である。 図１０は、同上の高周波モジュールを示し、図９のＸ－Ｘ線断面図である。 図１１は、同上の高周波モジュールを示し、図９のＹ－Ｙ線断面図である。 図１２は、実施形態２に係る高周波モジュールの断面図である。 図１３は、同上の高周波モジュールの一部拡大断面図である。 図１４は、第１電子部品の別の例を示すＬＣフィルタの下面側から見た斜視図である。
　以下の実施形態等において参照する図１～４、６、７、９～１４は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
　（実施形態１）
　実施形態１に係る高周波モジュール１００は、例えば、図１及び２に示すように、実装基板９と、電子部品１と、樹脂層５（図２参照）と、導電層６（図２参照）と、を備える。図２に示すように、実装基板９は、互いに対向する第１主面９１及び第２主面９２を有する。電子部品１は、実装基板９の第１主面９１に実装されている。樹脂層５は、実装基板９の第１主面９１に配置されており、電子部品１の外周面１３を覆っている。導電層６は、樹脂層５における実装基板９側とは反対側の主面５１と、電子部品１における実装基板９側とは反対側の主面１１と、を覆っている。電子部品１は、図３に示すように、電子部品本体２と、複数の外部電極３と、を有する。電子部品１は、ＳＭＤ（Surface Mount Device）である。
　また、実施形態１に係る高周波モジュール１００は、図１及び２に示すように、電子部品１（以下、第１電子部品１ともいう）とは別に実装基板９の第１主面９１に実装されている第２電子部品４を更に備える。図２に示すように、樹脂層５は、第２電子部品４の外周面４３を覆っている。導電層６は、第２電子部品４における実装基板９側とは反対側の主面４１を覆っている。
　また、高周波モジュール１００は、図１及び２に示すように、第３電子部品７を更に備える。第３電子部品７は、実装基板９の第１主面９１に実装されている。図２に示すように、第３電子部品７は、第１電子部品１及び第２電子部品４よりも背が低い。樹脂層５は、第３電子部品７の外周面７３を覆っている。また、樹脂層５は、第３電子部品７における実装基板９側とは反対側の主面７１も覆っている。
　また、高周波モジュール１００は、図１及び２に示すように、第４電子部品１０を更に備える。第４電子部品１０は、実装基板９の第１主面９１に実装されている。図２に示すように、樹脂層５は、第４電子部品１０の外周面１０３を覆っている。導電層６は、第４電子部品１０における実装基板９側とは反対側の主面１０１を覆っている。
　以下、実施形態１に係る高周波モジュール１００及び通信装置３００について、図１～５を参照して、より詳細に説明する。
　（１）高周波モジュール及び通信装置
　（１．１）高周波モジュール及び通信装置の回路構成
　実施形態１に係る高周波モジュール１００及び通信装置３００の回路構成について、図５を参照して説明する。
　高周波モジュール１００は、例えば、通信装置３００に用いられる。通信装置３００は、例えば、携帯電話（例えば、スマートフォン）であるが、これに限らず、例えば、ウェアラブル端末（例えば、スマートウォッチ）等であってもよい。高周波モジュール１００は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格等に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ（Third Generation Partnership Project）　ＬＴＥ（Long Term Evolution）規格である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ　ＮＲ（New Radio）である。高周波モジュール１００は、例えば、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティに対応可能なモジュールである。
　高周波モジュール１００は、例えば、信号処理回路３０１から入力された送信信号を増幅してアンテナ３１０に出力できるように構成されている。また、高周波モジュール１００は、アンテナ３１０から入力された受信信号を増幅して信号処理回路３０１に出力できるように構成されている。信号処理回路３０１は、高周波モジュール１００の構成要素ではなく、高周波モジュール１００を備える通信装置３００の構成要素である。実施形態１に係る高周波モジュール１００は、例えば、通信装置３００の備える信号処理回路３０１によって制御される。通信装置３００は、高周波モジュール１００と、信号処理回路３０１と、を備える。通信装置３００は、アンテナ３１０を更に備える。通信装置３００は、高周波モジュール１００が実装された回路基板を更に備える。回路基板は、例えば、プリント配線板である。回路基板は、グランド電位が与えられるグランド電極を有する。
　信号処理回路３０１は、例えば、ＲＦ信号処理回路３０２と、ベースバンド信号処理回路３０３と、を含む。ＲＦ信号処理回路３０２は、例えばＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波信号に対する信号処理を行う。ＲＦ信号処理回路３０２は、例えば、ベースバンド信号処理回路３０３から出力された高周波信号（送信信号）に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を出力する。また、ＲＦ信号処理回路３０２は、例えば、高周波モジュール１００から出力された高周波信号（受信信号）に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号をベースバンド信号処理回路３０３へ出力する。ベースバンド信号処理回路３０３は、例えばＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）である。ベースバンド信号処理回路３０３は、ベースバンド信号からＩ相信号及びＱ相信号を生成する。ベースバンド信号は、例えば、外部から入力される音声信号、画像信号等である。ベースバンド信号処理回路３０３は、Ｉ相信号とＱ相信号とを合成することでＩＱ変調処理を行って、送信信号を出力する。この際、送信信号は、所定周波数の搬送波信号を、当該搬送波信号の周期よりも長い周期で振幅変調した変調信号（ＩＱ信号）として生成される。ベースバンド信号処理回路３０３で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のために、又は、音声信号として通信装置３００のユーザの通話のために使用される。高周波モジュール１００は、アンテナ３１０と信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２との間で高周波信号（受信信号、送信信号）を伝達する。
　高周波モジュール１００は、複数（例えば、３つ）の送信フィルタ１３１、１３２、１３３を備える。また、高周波モジュール１００は、パワーアンプ１１１と、出力整合回路１１３と、を備える。また、高周波モジュール１００は、複数（例えば、３つ）の受信フィルタ１７１、１７２、１７３を備える。また、高周波モジュール１００は、ローノイズアンプ１２１と、入力整合回路１２３と、を備える。入力整合回路１２３は、例えば、１つのインダクタを含む。また、高周波モジュール１００は、コントローラ１１５を更に備える。また、高周波モジュール１００は、第１スイッチ１０４と、第２スイッチ１０５と、第３スイッチ１０６と、を備える。高周波モジュール１００では、入力整合回路１２３に含まれるインダクタが第１電子部品１を構成している。また、高周波モジュール１００では、送信フィルタ１３１が、上述の第２電子部品４を構成している。また、高周波モジュール１００では、パワーアンプ１１１が、上述の第３電子部品７を構成している。また、高周波モジュール１００では、受信フィルタ１７１が、上述の第４電子部品１０を構成している。
　また、高周波モジュール１００は、複数の外部接続端子８を備えている。複数の外部接続端子８は、アンテナ端子８１と、信号入力端子８２と、信号出力端子８３と、制御端子８４と、複数のグランド端子８５（図２参照）と、を含む。複数のグランド端子８５は、通信装置３００の備える上述の回路基板のグランド電極と電気的に接続されてグランド電位が与えられる端子である。
　以下、高周波モジュール１００の回路構成について、図５に基づいて、より詳細に説明する。
　複数の送信フィルタ１３１、１３２、１３３は、互いに異なる周波数帯域を通過帯域とする送信フィルタである。以下では、３つの送信フィルタ１３１、１３２、１３３を区別して説明する場合に、３つの送信フィルタ１３１、１３２、１３３をそれぞれ、第１送信フィルタ１３１、第２送信フィルタ１３２、第３送信フィルタ１３３と称することもある。
　第１送信フィルタ１３１は、例えば、第１通信バンドの送信帯域を通過帯域とするフィルタである。第２送信フィルタ１３２は、例えば、第２通信バンドの送信帯域を通過帯域とするフィルタである。第３送信フィルタ１３３は、例えば、第３通信バンドの送信帯域を通過帯域とするフィルタである。第１通信バンドは、第１送信フィルタ１３１を通る送信信号に対応する。第２通信バンドは、第２送信フィルタ１３２を通る送信信号に対応する。第３通信バンドは、第３送信フィルタ１３３を通る送信信号に対応する。第１通信バンド～第３通信バンドの各々は、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格の通信バンド又は５Ｇ　ＮＲ規格の通信バンドである。
　パワーアンプ１１１は、入力端子及び出力端子を有する。パワーアンプ１１１は、入力端子に入力された送信信号を増幅して出力端子から出力する。パワーアンプ１１１の入力端子は、信号入力端子８２に接続されている。パワーアンプ１１１の入力端子は、信号入力端子８２を介して信号処理回路３０１に接続される。信号入力端子８２は、外部回路（例えば、信号処理回路３０１）からの高周波信号（送信信号）を高周波モジュール１００に入力するための端子である。高周波モジュール１００では、パワーアンプ１１１の出力端子と第１～第３送信フィルタ１３１～１３３とが出力整合回路１１３及び第２スイッチ１０５を介して接続可能となっている。第２スイッチ１０５は、共通端子１５０と、複数（例えば、３つ）の選択端子１５１～１５３と、を有している。高周波モジュール１００では、パワーアンプ１１１の出力端子が、出力整合回路１１３を介して第２スイッチ１０５の共通端子１５０に接続され、第２スイッチ１０５の３つの選択端子１５１、１５２、１５３が３つの送信フィルタ１３１、１３２、１３３と一対一に接続されている。パワーアンプ１１１は、コントローラ１１５によって制御される。
　パワーアンプ１１１は、例えば、ドライバ段増幅器と、最終段増幅器と、を含む多段増幅器である。パワーアンプ１１１では、ドライバ段増幅器の入力端子が信号入力端子８２に接続され、ドライバ段増幅器の出力端子が最終段増幅器の入力端子に接続され、最終段増幅器の出力端子が出力整合回路１１３に接続される。パワーアンプ１１１は、多段増幅器に限らず、例えば、同相合成増幅器、差動合成増幅器又はドハティ増幅器であってもよい。
　コントローラ１１５は、例えば、信号処理回路３０１からの制御信号にしたがってパワーアンプ１１１を制御する。コントローラ１１５は、例えば、パワーアンプ１１１のドライバ段増幅器及び出力段増幅器と接続されている。コントローラ１１５は、複数（例えば、４つ）の制御端子８４を介して信号処理回路３０１に接続される。制御端子８４は、外部回路（例えば、信号処理回路３０１）からの制御信号をコントローラ１１５に入力するための端子である。コントローラ１１５は、制御端子８４から取得した制御信号に基づいてパワーアンプ１１１を制御する。制御端子８４からコントローラ１１５が取得する制御信号は、デジタル信号である。制御端子８４の数は、例えば、４つであるが、図５には１つのみ図示してある。コントローラ１１５は、信号処理回路３０１からの制御信号に基づいて、例えば、ドライバ段増幅器に第１のバイアス電流を供給し、出力段増幅器に第２のバイアス電流を供給する。
　出力整合回路１１３は、パワーアンプ１１１の出力端子と第２スイッチ１０５の共通端子１５０との間の信号経路に設けられている。出力整合回路１１３は、パワーアンプ１１１と３つ送信フィルタ１３１、１３２、１３３とのインピーダンス整合をとるための回路である。出力整合回路１１３は、例えば、パワーアンプ１１１の出力端子と第２スイッチ１０５の共通端子１５０との間に接続された第１インダクタＬ１（図１参照）を含む。出力整合回路１１３は、例えば、複数のインダクタ及び複数のキャパシタを含んでもよい。
　また、複数の受信フィルタ１７１、１７２、１７３は、互いに異なる周波数帯域を通過帯域とする受信フィルタである。以下では、３つの受信フィルタ１７１、１７２、１７３を区別して説明する場合に、３つの受信フィルタ１７１、１７２、１７３をそれぞれ、第１受信フィルタ１７１、第２受信フィルタ１７２、第３受信フィルタ１７３と称することもある。
　第１受信フィルタ１７１は、例えば、第１通信バンドの受信帯域を通過帯域とするフィルタである。第２受信フィルタ１７２は、例えば、第２通信バンドの受信帯域を通過帯域とするフィルタである。第３受信フィルタ１７３は、例えば、第３通信バンドの受信帯域を通過帯域とするフィルタである。第１通信バンドは、第１受信フィルタ１７１を通る受信信号に対応する。第２通信バンドは、第２受信フィルタ１７２を通る受信信号に対応する。第３通信バンドは、第３受信フィルタ１７３を通る受信信号に対応する。第１通信バンド～第３通信バンドの各々は、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格の通信バンド又は５Ｇ　ＮＲ規格の通信バンドである。なお、高周波モジュール１００では、第１送信フィルタ１３１と第１受信フィルタ１７１とで第１デュプレクサを構成している。また、高周波モジュール１００では、第２送信フィルタ１３２と第２受信フィルタ１７２とで第２デュプレクサを構成している。また、高周波モジュール１００では、第３送信フィルタ１３３と受信フィルタ１７３とで第３デュプレクサを構成している。
　ローノイズアンプ１２１は、入力端子及び出力端子を有する。ローノイズアンプ１２１は、入力端子に入力された受信信号を増幅して出力端子から出力する。ローノイズアンプ１２１の入力端子は、入力整合回路１２３を介して第３スイッチ１０６の共通端子１６０に接続されている。ローノイズアンプ１２１の出力端子は、信号出力端子８３に接続されている。ローノイズアンプ１２１の出力端子は、例えば、信号出力端子８３を介して信号処理回路３０１に接続される。信号出力端子８３は、ローノイズアンプ１２１からの高周波信号（受信信号）を外部回路（例えば、信号処理回路３０１）へ出力するための端子である。高周波モジュール１００では、ローノイズアンプ１２１の入力端子と第１～第３受信フィルタ１７１～１７３とが入力整合回路１２３及び第３スイッチ１０６を介して接続可能となっている。第３スイッチ１０６は、共通端子１６０と、複数（例えば、３つ）の選択端子１６１～１６３と、を有している。高周波モジュール１００では、ローノイズアンプ１２１の入力端子が、入力整合回路１２３を介して第３スイッチ１０６の共通端子１６０に接続され、第３スイッチ１０６の３つの選択端子１６１、１６２、１６３が３つの受信フィルタ１７１、１７２、１７３と一対一に接続されている。
　入力整合回路１２３は、ローノイズアンプ１２１と３つ受信フィルタ１７１、１７２、１７３とのインピーダンス整合をとるための回路である。入力整合回路１２３は、例えば、ローノイズアンプ１２１の入力端子と第３スイッチ１０６の共通端子１６０との間に接続されている第２インダクタＬ２（図１参照）を含む。入力整合回路１２３は、例えば、複数のインダクタ及び複数のキャパシタを含んでもよい。また、高周波モジュール１００は、入力整合回路１２３を複数（３つ）備えていてもよく、この場合、３つの入力整合回路１２３が、ローノイズアンプ１２１と３つの受信フィルタ１７１、１７２、１７３それぞれとの間に１つずつ設けられていてもよい。
　第１スイッチ１０４は、共通端子１４０と、複数（例えば、３つ）の選択端子１４１～１４３と、を有する。第１スイッチ１０４では、共通端子１４０が、アンテナ端子８１に接続されている。高周波モジュール１００は、共通端子１４０とアンテナ端子８１とが他の回路素子を介さずに接続される場合に限らず、例えば、ローパスフィルタ及びカプラを介して接続されてもよい。選択端子１４１は、第１送信フィルタ１３１の出力端子と第１受信フィルタ１７１の入力端子との接続点に接続されている。選択端子１４２は、第２送信フィルタ１３２の出力端子と第２受信フィルタ１７２の入力端子との接続点に接続されている。選択端子１４３は、第３送信フィルタ１３３の出力端子と第３受信フィルタ１７３の入力端子との接続点に接続されている。第１スイッチ１０４は、例えば、共通端子１４０に３つの選択端子１４１～１４３のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第１スイッチ１０４は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。
　第１スイッチ１０４は、例えば、信号処理回路３０１によって制御される。第１スイッチ１０４は、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号にしたがって、共通端子１４０と３つの選択端子１４１～１４３との接続状態を切り替える。第１スイッチ１０４は、例えば、スイッチＩＣ（Integrated Circuit）である。
　第２スイッチ１０５は、共通端子１５０と、複数（例えば、３つ）の選択端子１５１、１５２、１５３と、を有する。第２スイッチ１０５では、共通端子１５０が、出力整合回路１１３を介してパワーアンプ１１１の出力端子に接続されている。選択端子１５１は、第１送信フィルタ１３１の入力端子に接続されている。選択端子１５２は、第２送信フィルタ１３２の入力端子に接続されている。選択端子１５３は、第３送信フィルタ１３３の入力端子に接続されている。第２スイッチ１０５は、例えば、共通端子１５０に３つの選択端子１５１～１５３のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第２スイッチ１０５は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。
　第２スイッチ１０５は、例えば、信号処理回路３０１によって制御される。第２スイッチ１０５は、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号にしたがって、共通端子１５０と３つの選択端子１５１～１５３との接続状態を切り替える。第２スイッチ１０５は、例えば、スイッチＩＣである。
　第３スイッチ１０６は、共通端子１６０と、複数（例えば、３つ）の選択端子１６１、１６２、１６３と、を有する。第３スイッチ１０６では、共通端子１６０が、入力整合回路１２３を介してローノイズアンプ１２１の入力端子に接続されている。選択端子１６１は、第１受信フィルタ１７１の出力端子に接続されている。選択端子１６２は、第２受信フィルタ１７２の出力端子に接続されている。選択端子１６３は、第３受信フィルタ１７３の出力端子に接続されている。第３スイッチ１０６は、例えば、共通端子１６０に３つの選択端子１６１～１６３のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第３スイッチ１０６は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。
　第３スイッチ１０６は、例えば、信号処理回路３０１によって制御される。第３スイッチ１０６は、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号にしたがって、共通端子１６０と３つの選択端子１６１～１６３との接続状態を切り替える。第３スイッチ１０６は、例えば、スイッチＩＣである。
　（１．２）高周波モジュールの構造
　高周波モジュール１００は、図１に示すように、実装基板９と、３つの送信フィルタ１３１、１３２、１３３と、を備える。また、高周波モジュール１００は、パワーアンプ１１１と、出力整合回路１１３（図５参照）と、コントローラ１１５（図２参照）と、を備える。また、高周波モジュール１００は、３つの受信フィルタ１７１、１７２、１７３と、ローノイズアンプ１２１と、入力整合回路１２３（図５参照）と、第１スイッチ１０４（図５参照）と、第２スイッチ１０５（図５参照）と、第３スイッチ１０６（図５参照）と、を備える。また、高周波モジュール１００は、複数の外部接続端子８（図２参照）を備える。
　実装基板９は、図２に示すように、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において互いに対向する第１主面９１及び第２主面９２を有する。実装基板９は、例えば、複数の誘電体層及び複数の導電層を含む多層基板である。複数の誘電体層及び複数の導電層は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において積層されている。複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。複数の導電層の各々は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導電層の材料は、例えば、銅である。複数の導体パターン層は、グランド層を含む。高周波モジュール１００では、複数のグランド端子８５とグランド層とが、実装基板９の有するビア導体等を介して電気的に接続されている。実装基板９は、例えば、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板である。実装基板９は、ＬＴＣＣ基板に限らず、例えば、プリント配線板、ＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）基板、樹脂多層基板であってもよい。
　また、実装基板９は、ＬＴＣＣ基板に限らず、例えば、配線構造体であってもよい。配線構造体は、例えば、多層構造体である。多層構造体は、少なくとも１つの絶縁層と、少なくとも１つの導電層とを含む。絶縁層は、所定パターンに形成されている。絶縁層が複数の場合は、複数の絶縁層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、絶縁層の所定パターンとは異なる所定パターンに形成されている。導電層が複数の場合は、複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、１つ又は複数の再配線部を含んでもよい。配線構造体では、多層構造体の厚さ方向において互いに対向する２つの面のうち第１面が実装基板９の第１主面９１であり、第２面が実装基板９の第２主面９２である。配線構造体は、例えば、インタポーザであってもよい。インタポーザは、シリコン基板を用いたインタポーザであってもよいし、多層で構成された基板であってもよい。
　実装基板９の第１主面９１及び第２主面９２は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において離れており、実装基板９の厚さ方向Ｄ１に交差する。実装基板９における第１主面９１は、例えば、実装基板９の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板９における第２主面９２は、例えば、実装基板９の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として、導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板９の第１主面９１及び第２主面９２は、微細な凹凸又は凹部又は凸部が形成されていてもよい。例えば、実装基板９の第１主面９１に凹部が形成されている場合、凹部の内面は、第１主面９１に含まれる。
　実施形態１に係る高周波モジュール１００では、第１群の回路部品が実装基板９の第１主面９１に実装されている。第１群の回路部品は、図１に示すように、３つの送信フィルタ１３１、１３２、１３３と、パワーアンプ１１１と、出力整合回路１１３の第１インダクタＬ１と、３つの受信フィルタ１７１、１７２、１７３と、入力整合回路１２３の第２インダクタＬ２と、を含む。「回路部品が実装基板９の第１主面９１に実装されている」とは、回路部品が実装基板９の第１主面９１に配置されていること（機械的に接続されていること）と、回路部品が実装基板９（の適宜の導体部）と電気的に接続されていることと、を含む。高周波モジュール１００では、複数の回路部品のうち第２群の回路部品が実装基板９の第２主面９２に実装されている。第２群の回路部品は、コントローラ１１５と、ローノイズアンプ１２１と、第１スイッチ１０４と、第２スイッチ１０５と、第３スイッチ１０６と、を含む。「回路部品が実装基板９の第２主面９２に実装されている」とは、回路部品が実装基板９の第２主面９２に配置されていること（機械的に接続されていること）と、回路部品が実装基板９（の適宜の導体部）と電気的に接続されていることと、を含む。実施形態１に係る高周波モジュール１００では、上述のように、第２インダクタＬ２、送信フィルタ１３１、パワーアンプ１１１、及び受信フィルタ１７１が、それぞれ、第１電子部品１、第２電子部品４、第３電子部品７、及び第４電子部品１０を構成している。
　３つの送信フィルタ１３１、１３２、１３３の各々は、例えば、ラダー型フィルタであり、複数（例えば、４つ）の直列腕共振子と、複数（例えば、３つ）の並列腕共振子と、を有する。３つの送信フィルタ１３１、１３２、１３３の各々は、例えば、弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用する表面弾性波フィルタである。表面弾性波フィルタでは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々は、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子である。
　３つの送信フィルタ１３１、１３２、１３３は、図１に示すように、実装基板９の第１主面９１に実装されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、３つの送信フィルタ１３１、１３２、１３３の各々の外周形状は、四角形状である。第２電子部品４を構成している送信フィルタ１３１は、例えば、図４に示すように、基板４０１と、回路部４１４と、を備える。基板４０１は、基板４０１の厚さ方向において対向する第１主面４１１及び第２主面４１２を有する。回路部４１４は、基板４０１の第１主面４１１上に形成されている複数のＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極４１５を含む。また、送信フィルタ１３１は、パッケージ構造の構成要素として、スペーサ層４１７と、カバー部材４１８と、複数の外部電極４５と、を含む。送信フィルタ１３１は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、長方形状であるが、これに限らず、例えば、正方形状であってもよい。送信フィルタ１３１では、基板４０１は、圧電基板であり、例えば、リチウムタンタレート基板又はリチウムニオベイト基板である。
　スペーサ層４１７は、基板４０１の第１主面４１１側に設けられている。スペーサ層４１７は、基板４０１の厚さ方向からの平面視で、複数のＩＤＴ電極４１５を囲んでいる。基板４０１の厚さ方向からの平面視で、スペーサ層４１７は、矩形枠状である。スペーサ層４１７は、電気絶縁性を有する。スペーサ層４１７の材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド等である。カバー部材４１８は、平板状である。カバー部材４１８は、基板４０１の厚さ方向において基板４０１に対向するようにスペーサ層４１７上に配置されている。カバー部材４１８は、基板４０１の厚さ方向において複数のＩＤＴ電極４１５と重複し、かつ、基板４０１の厚さ方向において複数のＩＤＴ電極４１５から離れている。カバー部材４１８は、電気絶縁性を有する。カバー部材４１８の材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド等である。送信フィルタ１３１は、基板４０１とスペーサ層４１７とカバー部材４１８とで囲まれた空間Ｓ１を有する。空間Ｓ１には、気体が入っている。気体は、空気、不活性ガス（例えば、窒素ガス）等である。複数の外部電極４５は、カバー部材４１８から露出している。
　第２送信フィルタ１３２及び第３送信フィルタ１３３の構造は、第１送信フィルタ１３１の構造と同様である。
　パワーアンプ１１１は、電力増幅用ＩＣチップである。パワーアンプ１１１は、図１及び２に示すように、実装基板９の第１主面９１に実装されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、パワーアンプ１１１の外周形状は、四角形状である。パワーアンプ１１１は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する基板と、この基板の第１主面側に形成された回路部と、を含むＩＣチップである。基板は、例えば、ガリウム砒素基板である。回路部は、パワーアンプ１１１の入力端子に接続されたドライバ段増幅器と、ドライバ段増幅器の出力端に接続された最終段増幅器と、を含む。ドライバ段増幅器及び最終段増幅器の各々は、増幅用トランジスタを含む、増幅用トランジスタは、例えば、ＨＢＴ（Heterojunction Bipolar Transistor）である。パワーアンプ１１１は、例えば、直流カット用のキャパシタを含んでいてもよい。パワーアンプ１１１は、基板の第１主面及び第２主面のうち第１主面が実装基板９の第１主面９１側となるように実装基板９の第１主面９１にフリップチップ実装されている。したがって、パワーアンプ１１１により構成される第３電子部品７では、パワーアンプ１１１の有する基板（ガリウム砒素基板）の第２主面が、第３電子部品７における実装基板９側とは反対側の主面７１を構成している。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、パワーアンプ１１１を含むＩＣチップの外周形状は、四角形状である。パワーアンプ１１１における基板は、ガリウム砒素基板に限らず、例えば、シリコン基板、シリコンゲルマニウム基板又は窒化ガリウム基板であってもよい。また、増幅用トランジスタは、ＨＢＴに限らず、例えば、バイポーラトランジスタ又はＦＥＴ（Field Effect Transistor）であってもよい。ＦＥＴは、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）である。
　出力整合回路１１３に含まれる第１インダクタＬ１は、実装基板９の第１主面９１に実装されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１インダクタＬ１の外周形状は、四角形状である。第１インダクタＬ１は、チップインダクタである。出力整合回路１１３は、第１インダクタＬ１のみを含む場合に限らず、インダクタとキャパシタとを含んでもよい。また、パワーアンプ１１１が差動合成増幅器の場合、出力整合回路１１３は、トランスを含んでもよい。
　コントローラ１１５は、図２に示すように、実装基板９の第２主面９２に実装されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、コントローラ１１５の外周形状は、四角形状である。コントローラ１１５は、例えば、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する基板と、この基板の第１主面側に形成された回路部と、を含むＩＣチップである。基板は、例えば、シリコン基板である。回路部は、信号処理回路３０１からの制御信号に応じてパワーアンプ１１１を制御する制御回路を含む。
　３つの受信フィルタ１７１、１７２、１７３の各々は、例えば、ラダー型フィルタであり、複数（例えば、４つ）の直列腕共振子と、複数（例えば、３つ）の並列腕共振子と、を有する。３つの受信フィルタ１７１、１７２、１７３の各々は、例えば、弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用する表面弾性波フィルタである。表面弾性波フィルタでは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々は、例えば、ＳＡＷ共振子である。
　３つの受信フィルタ１７１、１７２、１７３は、図１に示すように、実装基板９の第１主面９１に実装されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、３つの受信フィルタ１７１、１７２、１７３の各々の外周形状は、四角形状である。第４電子部品１０を構成している受信フィルタ１７１は、例えば、図４に示すように、基板１００１と、回路部１０１４と、を備える。基板１００１は、基板１００１の厚さ方向において対向する第１主面１０１１及び第２主面１０１２を有する。回路部１０１４は、基板１００１の第１主面１０１１上に形成されている複数のＩＤＴ電極１０１５を含む。また、受信フィルタ１７１は、パッケージ構造の構成要素として、スペーサ層１０１７と、カバー部材１０１８と、複数の外部電極１０４５と、を含む。受信フィルタ１７１は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、長方形状であるが、これに限らず、例えば、正方形状であってもよい。受信フィルタ１７１では、基板１００１は、圧電基板であり、例えば、リチウムタンタレート基板又はリチウムニオベイト基板である。
　スペーサ層１０１７は、基板１００１の第１主面１０１１側に設けられている。スペーサ層１０１７は、基板１００１の厚さ方向からの平面視で、複数のＩＤＴ電極１０１５を囲んでいる。基板１００１の厚さ方向からの平面視で、スペーサ層１０１７は、矩形枠状である。スペーサ層１０１７は、電気絶縁性を有する。スペーサ層１０１７の材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド等である。カバー部材１０１８は、平板状である。カバー部材１０１８は、基板１００１の厚さ方向において基板１００１に対向するようにスペーサ層１０１７上に配置されている。カバー部材１０１８は、基板１００１の厚さ方向において複数のＩＤＴ電極１０１５と重複し、かつ、基板１００１の厚さ方向において複数のＩＤＴ電極１０１５から離れている。カバー部材１０１８は、電気絶縁性を有する。カバー部材１０１８の材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド等である。受信フィルタ１７１は、基板１００１とスペーサ層１０１７とカバー部材１０１８とで囲まれた空間Ｓ２を有する。空間Ｓ２には、気体が入っている。気体は、空気、不活性ガス（例えば、窒素ガス）等である。複数の外部電極１０４５は、カバー部材１０１８から露出している。
　第２受信フィルタ１７２及び第３受信フィルタ１７３の構造は、第１受信フィルタ１７１の構造と同様である。
　ローノイズアンプ１２１は、図２に示すように、実装基板９の第２主面９２に実装されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、ローノイズアンプ１２１の外周形状は、四角形状である。ローノイズアンプ１２１は、例えば、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する基板と、この基板の第１主面側に形成された回路部と、を含むＩＣチップである。基板は、例えば、シリコン基板である。回路部は、ローノイズアンプ１２１の入力端子に入力された受信信号を増幅する増幅用トランジスタとしてＦＥＴを含んでいる。増幅用トランジスタは、ＦＥＴに限らず、例えば、バイポーラトランジスタであってもよい。ローノイズアンプ１２１は、基板の第１主面及び第２主面のうち第１主面が実装基板９の第２主面９２側となるように実装基板９の第２主面９２にフリップチップ実装されている。
　入力整合回路１２３（図５参照）に含まれる第２インダクタＬ２は、図１及び２に示すように、実装基板９の第１主面９１に実装されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第２インダクタＬ２の外周形状は、四角形状である。第２インダクタＬ２は、チップインダクタである。入力整合回路１２３は、第２インダクタＬ２のみを含む場合に限らず、インダクタとキャパシタとを含んでもよい。
　図５に示した第１スイッチ１０４、第２スイッチ１０５及び第３スイッチ１０６は、実装基板９の第２主面９２に実装されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１スイッチ１０４、第２スイッチ１０５及び第３スイッチ１０６の各々の外周形状は、四角形状である。第１スイッチ１０４、第２スイッチ１０５及び第３スイッチ１０６の各々は、例えば、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する基板と、この基板の第１主面側に形成された回路部と、を含むＩＣチップである。基板は、例えば、シリコン基板である。回路部は、複数のスイッチング素子として複数のＦＥＴを含んでいる。複数のスイッチング素子の各々は、ＦＥＴに限らず、例えば、バイポーラトランジスタであってもよい。第１スイッチ１０４、第２スイッチ１０５及び第３スイッチ１０６の各々は、基板の第１主面及び第２主面のうち第１主面が実装基板９の第２主面９２側となるように実装基板９の第２主面９２にフリップチップ実装されている。高周波モジュール１００では、第１スイッチ１０４と、第２スイッチ１０５と、第３スイッチ１０６とのうち２つ又は３つが１つのＩＣチップに含まれていてもよい。
　複数の外部接続端子８は、図２に示すように、実装基板９の第２主面９２に配置されている。「外部接続端子８が実装基板９の第２主面９２に配置されている」とは、外部接続端子８が実装基板９の第２主面９２に機械的に接続されていることと、外部接続端子８が実装基板９（の適宜の導体部）と電気的に接続されていることと、を含む。複数の外部接続端子８の材料は、例えば、金属（例えば、銅、銅合金等）である。複数の外部接続端子８の各々は、柱状電極である。柱状電極は、例えば、円柱状の電極である。複数の外部接続端子８は、実装基板９の導体部に対して、例えば、はんだにより接合されているが、これに限らず、例えば、導電性接着剤（例えば、導電性ペースト）を用いて接合されていてもよいし、直接接合されていてもよい。
　複数の外部接続端子８は、図２及び５に示すように、アンテナ端子８１と、信号入力端子８２と、信号出力端子８３と、複数（図５では１つのみ図示）の制御端子８４と、複数のグランド端子８５と、を含んでいる。複数のグランド端子８５は、実装基板９のグランド層と電気的に接続されている。グランド層は高周波モジュール１００の回路グランドであり、高周波モジュール１００の複数の回路部品は、グランド層と電気的に接続されている回路部品を含む。
　樹脂層５（以下、第１樹脂層５とも称する）は、図２に示すように、実装基板９の第１主面９１に配置されている。第１樹脂層５は、複数の回路部品のうち実装基板９の第１主面９１に実装されている第１群の回路部品それぞれの外周面を覆っている。ここで、第１樹脂層５は、第１電子部品１（第２インダクタＬ２）の外周面１３と、第２電子部品４（送信フィルタ１３１）の外周面４３と、第３電子部品７（パワーアンプ１１１）の外周面７３と、第４電子部品１０（受信フィルタ１７１）の外周面１０３と、を覆っている。第１樹脂層５は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。第１樹脂層５は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。
　また、高周波モジュール１００は、実装基板９の第２主面９２に配置されている第２樹脂層１９を更に備える。第２樹脂層１９は、実装基板９の第２主面９２に実装されている第２群の回路部品と、複数の外部接続端子８それぞれの外周面と、を覆っている。第２樹脂層１９は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。第２樹脂層１９は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。第２樹脂層１９の材料は、第１樹脂層５の材料と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。
　導電層６は、第１樹脂層５を覆っている。導電層６は、導電性を有する。高周波モジュール１００では、導電層６は、高周波モジュール１００の内外の電磁シールドを目的として設けられている。導電層６は、複数の金属層を積層した多層構造を有しているが、これに限らず、１つの金属層であってもよい。金属層は、１又は複数種の金属を含む。導電層６は、第１樹脂層５における実装基板９側とは反対側の主面５１と、第１樹脂層５の外周面５３と、実装基板９の外周面９３と、を覆っている。また、導電層６は、第２樹脂層１９の外周面１９３も覆っている。導電層６は、実装基板９の有するグランド層の外周面の少なくとも一部と接触している。これにより、導電層６の電位をグランド層の電位と同じにすることができる。
　導電層６は、第１電子部品１における実装基板９側の主面１１と、第２電子部品４における実装基板９側の主面４１と、第４電子部品１０における実装基板９側の主面１０１と、を覆っている。導電層６は、第１電子部品１における実装基板９側の主面１１と、第２電子部品４における実装基板９側の主面４１と、第４電子部品１０における実装基板９側の主面１０１と、に接している。
　（１．３）高周波モジュールの詳細構造
　第１電子部品１は、図３に示すように、電子部品本体２と、複数（例えば、２つ）の外部電極３と、を有する。電子部品本体２は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１（図２参照）において互いに対向する第３主面２３及び第４主面２４と、外周面２５と、を有する。電子部品本体２は、第３主面２３、第４主面２４及び外周面２５において電気絶縁性を有する。第１電子部品１では、電子部品本体２の第３主面２３が、第１電子部品１の主面１１を構成し、かつ導電層６に接している。複数の外部電極３の各々は、電子部品本体２の第４主面２４に設けられており、第３主面２３には至っていない。複数の外部電極３の各々が第３主面２３に至っていないとは、複数の外部電極３の各々が電子部品本体２の第３主面２３には設けられていないことを意味する。これにより、第１電子部品１では、複数の外部電極３は、導電層６とは接していない。複数の外部電極３の各々は、電子部品本体２の第４主面２４と電子部品本体２の外周面２５とに跨って設けられている。言い換えれば、複数の外部電極３の各々は、電子部品本体２の第４主面２４に設けられている第１部分と、電子部品本体２の外周面２５に設けられており、第１部分につながっている第２部分と、を含む。複数の外部電極３の各々は、電子部品本体２の第３主面２３と外周面２５との稜線にも至っていない。第１電子部品１は、ＳＭＤであり、複数の外部電極３が実装基板９に対して複数の外部電極３に一対一に対応する接合部３９により接合されることで、実装基板９に表面実装されている。接合部３９の材料は、例えば、はんだである。
　電子部品本体２の材料は、セラミックを含む。電子部品本体２の第３主面２３は、電子部品本体２においてセラミックにより形成された部分の一部である。第１電子部品１を構成するインダクタ（第２インダクタＬ２）は、積層セラミックインダクタである。電子部品本体２は、多層セラミック構造２０を有する。第２インダクタＬ２は、２つの外部電極３の間に接続されている巻線部２６を有する。巻線部２６は、多層セラミック構造２０の内部に設けられている。巻線部２６は、複数の導体層２７と、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において隣接する２つの導体層２７同士をつないでいるビア導体と、を含む。複数の導体層２７は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１から見て、例えばＣ字状である。第１電子部品１では、多層セラミック構造２０が電子部品本体２における電気絶縁体部２１を構成し、巻線部２６と２つの外部電極３とで、第１電子部品１に含まれる回路素子１５を構成し、巻線部２６が、電子部品本体２において電気絶縁体部２１内に設けられており回路素子１５の一部を構成する導体部１４を構成している。第２インダクタＬ２の巻回軸は、巻線部２６の巻回軸である。第２インダクタＬ２の巻回軸は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１（図２参照）に沿っている。第２インダクタＬ２の巻回軸と実装基板９の厚さ方向Ｄ１とは、平行であるが、厳密に平行である場合に限らず、略平行であればよい。略平行とは、巻回軸と厚さ方向Ｄ１とのなす角度が１０度以下であることを意味する。第２インダクタＬ２の巻回軸は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１に沿った方向に限らず、厚さ方向Ｄ１に直交する一方向に沿った方向であってもよい。実施形態１に係る高周波モジュール１００における電子部品１では、「電子部品本体２」とは、電子部品１の複数の外部電極３以外の部分であり、電子部品１の主面１１を構成する第３主面２３及び電子部品１の外周面１３の一部を構成する外周面２５を有する電気絶縁体部２１と、電気絶縁体部２１内に設けられている巻線部２６と、を含む構造体である。電子部品本体２の大きさは、電子部品１の大きさと略同じである。電気絶縁体部２１の形状は、例えば、直方体状である。電気絶縁体部２１は、積層された複数の誘電体層（セラミック層）により構成されている。
　以下では、説明の便宜上、図２に示すように、実装基板９の厚さ方向Ｄ１に直交し実装基板９の第１主面９１の少なくとも一部を含む平面を基準面ＲＰ１と規定する。高周波モジュール１００では、第１電子部品１は、その厚さ方向が実装基板９の厚さ方向Ｄ１と揃うように実装基板９の第１主面９１に実装されている。第２電子部品４は、その厚さ方向が実装基板９の厚さ方向Ｄ１と揃うように実装基板９の第１主面９１に実装されている。第１電子部品１の主面１１及び第２電子部品４の主面４１の各々は、基準面ＲＰ１と略平行である。高周波モジュール１００では、実装基板９の厚さ方向Ｄ１における基準面ＲＰ１と第１電子部品１の主面１１との第１距離Ｈ１と、実装基板９の厚さ方向Ｄ１における基準面ＲＰ１と第２電子部品４の主面４１との第２距離Ｈ２と、が同じである。第１距離Ｈ１と第２距離Ｈ２とが同じであるとは、厳密に同じである場合だけに限らず、第２距離Ｈ２が第１距離Ｈ１±１５％の範囲内であればよく、第１距離Ｈ１±１０％の範囲内であるのがより好ましく、第１距離Ｈ１±５％の範囲内であるのが更に好ましい。
　高周波モジュール１００では、第１電子部品１の主面１１及び第２電子部品４の主面４１の各々は、粗面である。言い換えれば、高周波モジュール１００では、第１電子部品１の主面１１及び第２電子部品４の主面４１の各々に、微細な凹凸が形成されている。第１電子部品１の主面１１は、第１電子部品１の外周面１３よりも粗い状態であってもよい。第２電子部品４の主面４１は、第２電子部品４の外周面４３よりも粗い状態であってもよい。
　高周波モジュール１００では、第１電子部品１、第２電子部品４及び第３電子部品７が実装基板９の第１主面９１に実装されており、第３電子部品７は、第１電子部品１及び第２電子部品４よりも背が低い。言い換えれば、実装基板９の厚さ方向Ｄ１における基準面ＲＰ１と第３電子部品７の主面７１との第３距離Ｈ３は、第１距離Ｈ１及び第２距離Ｈ２のいずれよりも短い。樹脂層５は、第３電子部品７の主面７１を覆っている。高周波モジュール１００では、第１電子部品１の主面１１及び第２電子部品４の主面４１の各々の最大高さ粗さ（Ｒｚ）が、第３電子部品７の主面７１の最大高さ粗さよりも大きい。第１電子部品１の主面１１、第２電子部品４の主面４１及び第３電子部品７の主面７１の各々の最大高さ粗さは、高周波モジュール１００の断面をＳＴＥＭ（Scanning Transmission Electron Microscope）により観察したときのＳＴＥＭ像から測定した値である。最大高さ粗さは、ＳＴＥＭ像において、電子部品１の主面１１、第２電子部品４の主面４１及び第３電子部品７の主面７１の各々において、山高さの最大値と谷深さの最大値との和である。つまり、最大高さ粗さは、電子部品１の主面１１、第２電子部品４の主面４１及び第３電子部品７の主面７１の各々において、凹凸のPeak to Valleyの値である。電子部品１の主面１１及び第２電子部品４の主面４１の各々の表面粗さは、例えば、高周波モジュール１００の製造時に第１電子部品１及び第２電子部品４を研削等によって粗面化する処理の条件によって変えることができる。最大高さ粗さの相対的な大小関係を議論する上では、最大高さ粗さは、ＳＴＥＭ像から求めた値に限らず、例えば、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）像から求めた値でもよい。
　また、高周波モジュール１００では、実装基板９の厚さ方向Ｄ１における基準面ＲＰ１と第４電子部品１０の主面１０１との第４距離Ｈ４と、第１距離Ｈ１と、が同じである。第４距離Ｈ４と第１距離Ｈ１とが同じであるとは、厳密に同じである場合だけに限らず、第４距離Ｈ４が第１距離Ｈ１±１５％の範囲内であればよく、第１距離Ｈ１±１０％の範囲内であるのがより好ましく、第１距離Ｈ１±５％の範囲内であるのが更に好ましい。
　また、高周波モジュール１００では、実装基板９の厚さ方向Ｄ１における基準面ＲＰ１と樹脂層５の主面５１との第５距離Ｈ５と、第１距離Ｈ１と、が同じである。第５距離Ｈ５と第１距離Ｈ１とが同じであるとは、厳密に同じである場合だけに限らず、第５距離Ｈ５が第１距離Ｈ１±１５％の範囲内であればよく、第１距離Ｈ１±１０％の範囲内であるのがより好ましく、第１距離Ｈ１±５％の範囲内であるのが更に好ましい。
　高周波モジュール１００では、第１電子部品１の主面１１と第２電子部品４の主面４１と第４電子部品１０の主面１０１と樹脂層５の主面５１とが略面一である。
　高周波モジュール１００では、第１電子部品１と第２電子部品４とは、導電層６に接している部分の材料が互いに異なる。第１電子部品１において導電層６に接している部分の材料は、セラミックであり、第２電子部品４において導電層６に接している部分の材料は、リチウムタンタレート又はリチウムニオベイトである。実施形態１に係る高周波モジュール１００では、第４電子部品１０において導電層６に接している部分の材料は、第２電子部品４において導電層６に接している部分の材料と同じであるが、異なっていてもよい。
　実施形態１に係る高周波モジュール１００では、放熱性の向上を図る観点から、導電層６が複数の送信フィルタ１３１、１３２、１３３の各々における実装基板９側とは反対側の主面の全域にわたって接しているのが好ましい。
　（１．４）高周波モジュールにおける回路部品のレイアウト
　高周波モジュール１００では、実装基板９の厚さ方向Ｄ１（図２参照）からの平面視で、図１に示すように、パワーアンプ１１１と出力整合回路１１３（図５参照）の第１インダクタＬ１とが並んでいる方向と平行な方向において、第１送信フィルタ１３１、第２送信フィルタ１３２及び第３送信フィルタ１３３が、パワーアンプ１１１から第１インダクタＬ１に向かう方向において、第１送信フィルタ１３１、第２送信フィルタ１３２及び第３送信フィルタ１３３の順に並んでいる。
　また、高周波モジュール１００では、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、図１に示すように、第１送信フィルタ１３１、第２送信フィルタ１３２及び第３送信フィルタ１３３が並んでいる方向と平行な方向において、第１受信フィルタ１７１、第２受信フィルタ１７２及び第３受信フィルタ１７３が、第１送信フィルタ１３１から第３送信フィルタ１３３に向かう方向において、第１受信フィルタ１７１、第２受信フィルタ１７２及び第３受信フィルタ１７３の順に並んでいる。
　実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、入力整合回路１２３（図５参照）の第２インダクタＬ２は、受信フィルタ１７１に隣接している（図１参照）。「第２インダクタＬ４２は、受信フィルタ１７１に隣接している」とは、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で第２インダクタＬ２と受信フィルタ１７１との間に実装基板９の第１主面９１に実装されている他の回路部品がなく、第２インダクタＬ２と受信フィルタ１７１とが隣り合っていることを意味する。
　高周波モジュール１００では、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、受信フィルタ１７１とローノイズアンプ１２１とが重なる（図２参照）。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、受信フィルタ１７１の一部がローノイズアンプ１２１の一部に重なっているが、これに限らず、受信フィルタ１７１の全部がローノイズアンプ１２１の全部に重なっていてもよい。また、受信フィルタ１７１の全部がローノイズアンプ１２１の一部に重なっていてもよいし、ローノイズアンプ１２１の全部が受信フィルタ１７１の一部に重なっていてもよい。
　高周波モジュール１００では、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、パワーアンプ１１１がローノイズアンプ１２１に重ならない（図２参照）。
　（１．５）高周波モジュールの製造方法
　高周波モジュール１００の製造方法としては、例えば、第１工程と、第２工程と、第３工程と、第４工程と、第５工程と、を備える製造方法を採用することができる。第１工程は、実装基板９に複数の回路部品を実装するとともに複数の外部接続端子８を配置する工程である。第２工程は、第１群の回路部品等を覆い、第１樹脂層５の元になる第１樹脂材料層を実装基板９の第１主面９１側に形成するとともに、第２樹脂層１９の元になる第２樹脂材料層を実装基板９の第２主面９２側に形成する工程である。第３工程は、第１樹脂材料層における実装基板９側とは反対側の主面から第１樹脂材料層を研削し更に第１樹脂材料層と第１電子部品１、第２電子部品４及び第４電子部品１０とを研削することで、第１樹脂層５を形成するとともに第１電子部品１、第２電子部品４及び第４電子部品１０それぞれを薄くする工程である。第３工程は、第１電子部品１、第２電子部品４及び第４電子部品１０を研削することで、第１電子部品１の主面１１、第２電子部品４の主面４１及び第４電子部品１０の主面１０１を粗面化している（荒らしている）。第４工程は、第２樹脂材料層における実装基板９側とは反対側の主面から第２樹脂材料層を研削し複数の外部接続端子８の先端を露出させた後、第２樹脂材料層と各外部接続端子８を研削することで、第２樹脂層１９を形成する工程である。第５工程は、第１樹脂層５の主面５１と第１電子部品１、第２電子部品４及び第４電子部品１０それぞれにおける実装基板９側とは反対側の主面１１、４１及び１０１とに接する導電層６を例えばスパッタ法、蒸着法、又は印刷法によって形成する工程である。
　上述の第３工程を含む製造方法で製造された高周波モジュール１００では、第１樹脂層５の主面５１と第１電子部品１、第２電子部品４及び第４電子部品１０それぞれにおける実装基板９側とは反対側の主面１１、４１及び１０１は、粗面であり、研削痕を有することがある。高周波モジュール１００の製造方法では、第３工程において第１電子部品１において回路素子１５を構成する部分が研削されないように、研削前の電子部品本体２における多層セラミック構造２０の厚さを厚くしてある。多層セラミック構造２０の厚さ方向は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１に沿った方向である。研削前の第１電子部品１では、回路素子１５を構成する部分（巻線部２６及び複数の外部電極３）は、多層セラミック構造２０の厚さ方向において、実装基板９側に位置している。言い換えれば、多層セラミック構造２０の厚さ方向における多層セラミック構造２０の実装基板９側とは反対側の面と巻線部２６との最短距離は、多層セラミック構造２０の厚さ方向における多層セラミック構造２０の実装基板９側の面と巻線部２６との最短距離よりも長い。また、多層セラミック構造２０の厚さ方向における多層セラミック構造２０の実装基板９側とは反対側の面と複数の外部電極３との最短距離は、多層セラミック構造２０の厚さ方向における多層セラミック構造２０の実装基板９側の面と複数の外部電極３との最短距離よりも長い。
　（２）効果
　（２．１）高周波モジュール
　実施形態１に係る高周波モジュール１００は、実装基板９と、電子部品１と、樹脂層５と、導電層６と、を備える。実装基板９は、互いに対向する第１主面９１及び第２主面９２を有する。電子部品１は、実装基板９の第１主面９１に実装されている。樹脂層５は、実装基板９の第１主面９１に配置されており、電子部品１の外周面１３を覆っている。導電層６は、樹脂層５における実装基板９側とは反対側の主面５１と、電子部品１における実装基板９側とは反対側の主面１１と、を覆っている。電子部品１は、電子部品本体２と、複数の外部電極３と、を有する。電子部品本体２は、電気絶縁体部２１と、電気絶縁体部２１内に設けられており電子部品１の回路素子１５の少なくとも一部を構成する導体部１４と、を含む。電子部品本体２は、互いに対向する第３主面２３及び第４主面２４と、外周面２５と、を有する。複数の外部電極３は、電子部品本体２に設けられている。電子部品１では、電子部品本体２の第３主面２３が、電子部品１の主面１１を構成し、かつ導電層６に接している。複数の外部電極３の各々は、電子部品本体２の第４主面２４に設けられており、第３主面２３には至っていない。
　実施形態１に係る高周波モジュール１００は、電子部品１に含まれる回路素子１５の素子値を大きくすることが可能となる。電子部品の複数の外部電極が電子部品本体の第３主面まで至っている場合、複数の外部電極が導電層と接し、導電層に接している複数の外部電極が導電層を介して短絡されてしまう。また、上述のような高周波モジュールの製造方法を採用した場合に、第３工程での研削時に複数の外部電極の各々の一部を研削する必要があり、研削が難しくなる。実施形態１に係る高周波モジュール１００は、電子部品１における実装基板９側とは反対側の主面１１と導電層６とが接していても複数の外部電極３が導電層６に接していないので、実装基板９の厚さ方向Ｄ１における高周波モジュール１００の低背化を図りつつ、電子部品１に含まれる回路素子１５の素子値を大きくすることが可能となる。実施形態１に係る高周波モジュール１００では、電子部品１に含まれる回路素子１５の素子値は、インダクタンスである。実施形態１に係る高周波モジュール１００では、電子部品本体２の第３主面２３が、電子部品１の主面１１を構成し、かつ導電層６に接しているので、電子部品１が導電層６に接していない場合と比べて、電気絶縁体部２１の厚さを厚くできる。これにより、実施形態１に係る高周波モジュール１００は、回路素子１５の一部を構成する導体部１４である巻線部２６の巻き数を多くすることが可能となり（巻線部２６に含まれる導体層２７及びビア導体の数を増やすことが可能となり）、回路素子１５のインダクタンスを大きくすることが可能となる。
　（２．２）通信装置
　実施形態１に係る通信装置３００は、信号処理回路３０１と、高周波モジュール１００と、を備える。信号処理回路３０１は、高周波モジュール１００に接続されている。
　実施形態１に係る通信装置３００は、高周波モジュール１００を備えるので、電子部品１に含まれる回路素子１５の素子値を大きくすることが可能となる。
　信号処理回路３０１を構成する複数の電子部品は、例えば、上述の回路基板に実装されていてもよいし、高周波モジュール１００が実装された回路基板（第１回路基板）とは別の回路基板（第２回路基板）に実装されていてもよい。
　（３）高周波モジュールの変形例
　（３．１）変形例１
　実施形態１の変形例１に係る高周波モジュール１００ａについて、図６を参照して説明する。変形例１に係る高周波モジュール１００ａに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１００と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　変形例１に係る高周波モジュール１００ａは、複数の外部接続端子８がボールバンプである点で、実施形態１に係る高周波モジュール１００と相違する。また、変形例１に係る高周波モジュール１００ａは、実施形態１に係る高周波モジュール１００の第２樹脂層１９（図２参照）を備えていない点で、実施形態１に係る高周波モジュール１００と相違する。変形例１に係る高周波モジュール１００ａは、実装基板９の第２主面９２に実装されている第２群の回路部品（例えば、コントローラ１１５、ローノイズアンプ１２１）と実装基板９の第２主面９２との間の隙間に設けられたアンダーフィル部を備えていてもよい。
　複数の外部接続端子８の各々を構成するボールバンプの材料は、例えば、金、銅、はんだ等である。
　複数の外部接続端子８は、ボールバンプにより構成された外部接続端子８と、柱状電極により構成された外部接続端子８と、が混在してもよい。
　（３．２）変形例２
　実施形態１の変形例２に係る高周波モジュール１００ｂについて、図７を参照して説明する。変形例２に係る高周波モジュール１００ｂに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１００と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　変形例２に係る高周波モジュール１００ｂは、コントローラ１１５が実装基板９の第１主面９１に実装されている点で、実施形態１に係る高周波モジュール１００と相違する。
　変形例２に係る高周波モジュール１００ｂでは、コントローラ１１５が第４電子部品１０を構成している。樹脂層５は、第４電子部品１０の外周面１０３を覆っている。導電層６は、第４電子部品１０における実装基板９側とは反対側の主面１０１を覆っている。第４電子部品１０は、第４電子部品１０の主面１０１が導電層６に接している。
　コントローラ１１５は、基板１１５０と、回路部１１５４と、を含むＩＣチップである。基板１１５０は、互いに対向する第１主面１１５１及び第２主面１１５２を有する。回路部１１５４は、基板１１５０の第１主面１１５１側に形成されている。基板１１５０は、例えば、シリコン基板である。回路部１１５４は、信号処理回路３０１からの制御信号に応じてパワーアンプ１１１を制御する制御回路を含む。
　変形例２に係る高周波モジュール１００ｂでは、第１電子部品１（図２参照）と第２電子部品４（図２参照）と第４電子部品１０とは、導電層６に接している部分の材料が互いに異なる。第１電子部品１において導電層６に接している部分の材料は、セラミックである。第２電子部品４において導電層６に接している部分の材料は、圧電材料（リチウムタンタレート又はリチウムニオベイト）である。第４電子部品１０において導電層６に接している部分の材料は、シリコンである。
　（３．３）変形例３
　実施形態１の変形例３に係る高周波モジュール１００ｃについて、図８～１１を参照して説明する。変形例３に係る高周波モジュール１００ｃに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１００と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　変形例３に係る高周波モジュール１００ｃは、図８に示すように、送信フィルタ１３１の出力端子と受信フィルタ１７１の入力端子との接続点と第１スイッチ１０４との間に接続された整合回路１１４を備える点で、実施形態１に係る高周波モジュール１００と相違する。
　整合回路１１４は、送信フィルタ１３１及び受信フィルタ１７１と第１スイッチ１０４との間のインピーダンス整合をとるための回路である。整合回路１１４は、送信フィルタ１３１の出力端子と受信フィルタ１７１の入力端子との接続点Ｔ１と第１スイッチ１０４との間の信号経路ｒ１に設けられたキャパシタＣ３と、信号経路ｒ１とグランドとの間に接続される第３インダクタＬ３と、を含む。
　変形例３に係る高周波モジュール１００ｃでは、図９及び１０に示すように、出力整合回路１１３の第１インダクタＬ１が実装基板９の第２主面９２に実装されている。また、高周波モジュール１００ｃでは、入力整合回路１２３の第２インダクタＬ２が実装基板９の第１主面９１に実装されている。また、高周波モジュール１００ｃでは、整合回路１１４のキャパシタＣ３が、実装基板９の第１主面９１に実装されている。また、高周波モジュール１００ｃでは、整合回路１１４の第３インダクタＬ３が実装基板９の第２主面９２に実装されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、キャパシタＣ３は、送信フィルタ１３１と受信フィルタ１７１との間に位置している。変形例３に係る高周波モジュール１００ｃでは、第１インダクタＬ１及び第３インダクタＬ３それぞれにおける実装基板９側とは反対側の主面ＳＬ１及びＳＬ３が、第２樹脂層１９における実装基板９側とは反対側の主面１９１から露出している。
　変形例３に係る高周波モジュール１００ｃでは、キャパシタＣ３が、第１電子部品１を構成している。第１電子部品１は、図１１に示すように、電子部品本体２と、複数（例えば、２つ）の外部電極３と、を有する。電子部品本体２は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において互いに対向する第３主面２３及び第４主面２４と、外周面２５と、を有する。電子部品本体２は、第３主面２３、第４主面２４及び外周面２５において電気絶縁性を有する。第１電子部品１では、電子部品本体２の第３主面２３が、第１電子部品１の主面１１を構成し、かつ導電層６に接している。複数の外部電極３の各々は、電子部品本体２の第４主面２４に設けられており、第３主面２３には至っていない。これにより、第１電子部品１では、複数の外部電極３は、導電層６とは接していない。複数の外部電極３の各々は、電子部品本体２の第４主面２４と電子部品本体２の外周面２５とに跨って設けられている。複数の外部電極３の各々は、電子部品本体２の第３主面２３と外周面２５との稜線にも至っていない。
　電子部品本体２の材料は、セラミックを含む。電子部品本体２の第３主面２３は、電子部品本体２においてセラミックにより形成された部分の一部である。第１電子部品１を構成するキャパシタＣ３は、積層セラミックキャパシタである。電子部品本体２は、多層セラミック構造２０と、複数の第１内部電極２８と、複数の第２内部電極２９と、を有する。キャパシタＣ３では、複数の第１内部電極２８が２つの外部電極３のうち一方の外部電極３に接続され、複数の第２内部電極２９が２つの外部電極３のうち他方の外部電極３に接続されている。キャパシタＣ３は、複数の第１内部電極２８と複数の第２内部電極２９とが、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において、１つずつ交互に互いに離隔して並んでいる。第１電子部品１では、多層セラミック構造２０が電子部品本体２における電気絶縁体部２１を構成し、複数の第１内部電極２８及び複数の第２内部電極２９と２つの外部電極３とで、第１電子部品１に含まれる回路素子１５を構成している。回路素子１５の素子値は、キャパシタンスである。第１電子部品１では、多層セラミック構造２０が電子部品本体２における電気絶縁体部２１を構成し、複数の第１内部電極２８及び複数の第２内部電極２９と２つの外部電極３とで、第１電子部品１に含まれる回路素子１５を構成し、複数の第１内部電極２８及び複数の第２内部電極２９が、電子部品本体２において電気絶縁体部２１内に設けられており回路素子１５の一部を構成する導体部１４を構成している。変形例３に係る高周波モジュール１００ｃにおける電子部品１では、「電子部品本体２」とは、電子部品１の複数の外部電極３以外の部分であり、電子部品１の主面１１を構成する第３主面２３及び電子部品１の外周面１３の一部を構成する外周面２５を有する電気絶縁体部２１と、電気絶縁体部２１内に設けられている複数の第１内部電極２８及び複数の第２内部電極２９と、を含む構造体である。電子部品本体２の大きさは、電子部品１の大きさと略同じである。電気絶縁体部２１の形状は、例えば、直方体状である。電気絶縁体部２１は、積層された複数の誘電体層（セラミック層）により構成されている。
　また、変形例３に係る高周波モジュール１００ｃは、ローノイズアンプ１２１と第１スイッチ１０４とを含むＩＣチップ１０８（図９及び１０参照）を備えている。ＩＣチップ１０８は、図１０に示すように、実装基板９の第２主面９２に実装されている。また、図示はしていないが、ローノイズアンプ１２１等へ電源を供給する経路に配置されるバイパスコンデンサの機能を有するキャパシタが、実装基板９の第２主面９２に実装されている。図１０に記載の変形例３の構成において、実装基板９の第２主面９２に実装されている第１インダクタＬ１、第３インダクタＬ３及びバイパスコンデンサ等、言い換えると、実装基板９の第２主面９２に実装されているＳＭＤにおける実装基板９側とは反対側の主面は、第２樹脂層１９における実装基板９側とは反対側の主面１９１と同一面にあり、ＳＭＤにおける実装基板９側とは反対側の主面が第２樹脂層１９の主面１９１から露出するように配置されている。このような構成にすることにより、高周波モジュール１００ｃを低背化することができる。また、高周波モジュール１００ｃは、その製造時に、第２樹脂層１９、実装基板９の第２主面９２に配置されたＳＭＤ及び複数の外部接続端子８の各々を実装基板９側とは反対側から研削することで、高周波モジュール１００ｃを更に低背化することができる。
　実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、図９に示すように、受信フィルタ１７１は、ＩＣチップ１０８と重なる。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、受信フィルタ１７１の全部がＩＣチップ１０８の一部に重なっているが、これに限らず、受信フィルタ１７１の全部がＩＣチップ１０８の全部に重なっていてもよい。また、受信フィルタ１７１の一部がＩＣチップ１０８の全部に重なっていてもよいし、受信フィルタ１７１の一部がＩＣチップ１０８の一部に重なっていてもよい。また、変形例３に係る高周波モジュール１００ｃでは、３つの受信フィルタ１７１、１７２、１７３がＩＣチップ１０８に重なっていてもよい。
　高周波モジュール１００ｃでは、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、図９に示すように、送信フィルタ１３１がＩＣチップ１０８に重ならない。
　変形例３に係る高周波モジュール１００ｃは、実施形態１に係る高周波モジュール１００と同様、電子部品１における電子部品本体２の第３主面２３が、電子部品１の主面１１を構成し、かつ導電層６に接している。また、複数の外部電極３の各々が、電子部品本体２の第４主面２４に設けられており、第３主面２３には至っていない。これにより、変形例３に係る高周波モジュール１００ｃは、電子部品１に含まれる回路素子１５の素子値（キャパシタンス）を大きくすることが可能となる。変形例３に係る高周波モジュール１００ｃでは、実施形態１に係る高周波モジュール１００と同様、電子部品本体２の第３主面２３が、電子部品１の主面１１を構成し、かつ導電層６に接しているので、電子部品１が導電層６に接していない場合と比べて、電気絶縁体部２１の厚さを厚くできる。これにより、変形例３に係る高周波モジュール１００ｃは、回路素子１５の一部を構成する導体部１４に含まれる第１内部電極２８及び第２内部電極２９の数を増やすことが可能となり（第１内部電極２８と第２内部電極２９とのペア数を増やすことが可能となり）、回路素子１５のキャパシタンスを大きくすることが可能となる。
　（実施形態２）
　実施形態２に係る高周波モジュール１００ｄについて、図１２及び１３を参照して説明する。実施形態２に係る高周波モジュール１００ｄに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１００と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、実施形態２に係る高周波モジュール１００ｄは、実施形態１の変形例３に係る高周波モジュール１００ｃと同様、ローノイズアンプ１２１と第１スイッチ１０４とを含むＩＣチップ１０８を備えている。ＩＣチップ１０８は、図１２に示すように、実装基板９の第２主面９２に実装されている。
　実施形態２に係る高周波モジュール１００ｄでは、第２電子部品４の複数の外部電極４５のうち一部の外部電極４５が導電層６に接している。導電層６に接している外部電極４５は、第２電子部品４の厚さ方向に貫通している。
　実施形態２に係る高周波モジュール１００ｄでは、図１３に示すように、送信フィルタ１３１及び受信フィルタ１７１の構造が、実施形態１に係る高周波モジュール１００における送信フィルタ１３１及び受信フィルタ１７１の構造と相違する。
　実施形態２に係る高周波モジュール１００ｄにおける送信フィルタ１３１は、基板４０１がシリコン基板であり、基板４０１の第１主面４１１上に設けられている低音速膜４２０と、低音速膜４２０上に設けられている圧電体層４３０と、を含む。送信フィルタ１３１は、基板４０１と低音速膜４２０と圧電体層４３０とで圧電性基板を構成している。送信フィルタ１３１では、圧電体層４３０上に複数のＩＤＴ電極４１５を含む回路部４１４が形成されている。
　低音速膜４２０は、基板４０１の厚さ方向からの平面視で、基板４０１の外周から離れて位置している。送信フィルタ１３１は、基板４０１の第１主面４１１のうち低音速膜４２０に覆われていない領域を覆う絶縁層４５０を更に含む。絶縁層４５０は、電気絶縁性を有する。絶縁層４５０は、基板４０１の第１主面４１１上において基板４０１の外縁に沿って形成されている。絶縁層４５０は、複数のＩＤＴ電極４１５を囲んでいる。基板４０１の厚さ方向からの平面視で、絶縁層４５０は、枠形状（例えば、矩形枠状）である。絶縁層４５０の一部は、基板４０１の厚さ方向において圧電体層４３０の外周部に重なっている。圧電体層４３０の外周面及び低音速膜４２０の外周面は、絶縁層４５０により覆われている。絶縁層４５０の材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド等である。
　圧電体層４３０の材料は、例えば、リチウムニオベイト又はリチウムタンタレートである。低音速膜４２０は、圧電体層４３０を伝搬するバルク波の音速よりも、低音速膜４２０を伝搬するバルク波の音速が低速となる膜である。低音速膜４２０の材料は、例えば、酸化ケイ素であるが、酸化ケイ素に限定されない。基板４０１では、圧電体層４３０を伝搬する弾性波の音速よりも、基板４０１を伝搬するバルク波の音速が高速である。ここにおいて、基板４０１を伝搬するバルク波は、基板４０１を伝搬する複数のバルク波のうち最も低音速なバルク波である。
　送信フィルタ１３１は、基板４０１と低音速膜４２０との間に設けられている高音速膜を更に有していてもよい。高音速膜は、圧電体層４３０を伝搬する弾性波の音速よりも、高音速膜を伝搬するバルク波の音速が高速となる膜である。高音速膜の材料は、例えば、窒化ケイ素であるが、窒化ケイ素に限定されず、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、シリコン、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料からなってもよい。
　圧電体層４３０の厚さは、例えば、ＩＤＴ電極４１５の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。低音速膜４２０の厚さは、例えば、２．０λ以下である。
　送信フィルタ１３１は、例えば低音速膜４２０と圧電体層４３０との間に介在する密着層を含んでいてもよい。密着層は、例えば、樹脂（エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂）からなる。また、送信フィルタ１３１は、低音速膜４２０と圧電体層４３０との間、圧電体層４３０上、又は低音速膜４２０下のいずれかに誘電体膜を備えていてもよい。
　導電層６に接している外部電極４５は、基板４０１と絶縁層４５０とスペーサ層４１７とカバー部材４１８とを貫通している。導電層６に接している外部電極４５のうち基板４０１を貫通している部分は、例えば、ＴＳＶ（through-silicon via）である。
　実施形態２に係る高周波モジュール１００ｄにおける受信フィルタ１７１は、基板１００１がシリコン基板であり、基板１００１の第１主面１０１１上に設けられている低音速膜１０２０と、低音速膜１０２０上に設けられている圧電体層１０３０と、を含む。受信フィルタ１７１は、基板１００１と低音速膜１０２０と圧電体層１０３０とで圧電性基板を構成している。受信フィルタ１７１では、圧電体層１０３０上に複数のＩＤＴ電極１０１５を含む回路部１０１４が形成されている。
　低音速膜１０２０は、基板１００１の厚さ方向からの平面視で、基板１００１の外周から離れて位置している。受信フィルタ１７１は、基板１００１の第１主面１０１１のうち低音速膜１０２０に覆われていない領域を覆う絶縁層１０５０を更に含む。絶縁層１０５０は、電気絶縁性を有する。絶縁層１０５０は、基板１００１の第１主面１０１１上において基板１００１の外縁に沿って形成されている。絶縁層１０５０は、複数のＩＤＴ電極１０１５を囲んでいる。基板１００１の厚さ方向からの平面視で、絶縁層１０５０は、枠形状（例えば、矩形枠状）である。絶縁層１０５０の一部は、基板１００１の厚さ方向において圧電体層１０３０の外周部に重なっている。圧電体層１０３０の外周面及び低音速膜１０２０の外周面は、絶縁層１０５０により覆われている。絶縁層１０５０の材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド等である。
　圧電体層１０３０の材料は、例えば、リチウムニオベイト又はリチウムタンタレートである。低音速膜１０２０は、圧電体層１０３０を伝搬するバルク波の音速よりも、低音速膜１０２０を伝搬するバルク波の音速が低速となる膜である。低音速膜１０２０の材料は、例えば、酸化ケイ素であるが、酸化ケイ素に限定されず、酸化タンタル及び酸化ケイ素にフッ素、炭素またはホウ素を加えた化合物からなる群から選択される少なくとも１種の材料からなってもよい。
　受信フィルタ１７１は、基板１００１と低音速膜１０２０との間に設けられている高音速膜を更に有していてもよい。
　実施形態２に係る高周波モジュール１００ｄは、実施形態１に係る高周波モジュール１００と同様、電子部品１における電子部品本体２の第３主面２３（図３参照）が、電子部品１の主面１１を構成し、かつ導電層６に接している。また、複数の外部電極３の各々が、電子部品本体２の第４主面２４に設けられており、第３主面２３には至っていない（図３参照）。これにより、実施形態２に係る高周波モジュール１００ｄは、電子部品１に含まれる回路素子１５（図３参照）の素子値（インダクタンス）を大きくすることが可能となる。
　また、実施形態２に係る高周波モジュール１００ｄは、導電層６に接している外部電極４５は、第２電子部品４の厚さ方向に貫通しているので、第２電子部品４を構成する送信フィルタ１３１のグランドを強くすることが可能となる。
　（その他の変形例）
　上記の実施形態１～２等は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態１～２等は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能であり、互いに異なる実施形態の互いに異なる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
　例えば、第１電子部品１では、複数の外部電極３の各々は、電子部品本体２の第４主面２４と外周面２５とに跨って設けられている場合に限らず、第４主面２４と外周面２５とのうち第４主面２４に設けられていればよい。
　また、第１電子部品１は、インダクタ又はキャパシタに限らず、例えば、図１４に示すようなＬＣフィルタであってもよい。図１４に示したＬＣフィルタにより構成される第１電子部品１は、電子部品本体２の第４主面２４と外周面２５とに跨って設けられる外部電極３を４つ有している。４つの外部電極３は、ＬＣフィルタの入力端子に相当する外部電極３と、ＬＣフィルタの出力端子に相当する外部電極３と、ＬＣフィルタの２つのグランド端子に相当する２つの外部電極３と、を含む。第１電子部品１がＬＣフィルタの場合、第１電子部品１に含まれる回路素子は、インダクタ及びキャパシタである。ＬＣフィルタは、例えば、ローパスフィルタ又はハイパスフィルタである。ＬＣフィルタが例えばローパスフィルタの場合、ＬＣフィルタは、アンテナ端子８１（図５参照）と第１スイッチ１０４（図５参照）との間の信号経路に設けられる。
　高周波モジュール１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄでは、樹脂層５は、第１電子部品１の外周面１３の全部を覆っている場合だけに限らず、外周面１３の少なくとも一部を覆っていればよい。また、樹脂層５は、第２電子部品４の外周面４３の全部を覆っている場合だけに限らず、外周面４３の少なくとも一部を覆っていればよい。また、樹脂層５は、第３電子部品７の外周面７３の全部を覆っている場合だけに限らず、外周面７３の少なくとも一部を覆っていればよい。また、樹脂層５は、第３電子部品７の主面７１の全部を覆っている場合だけに限らず、主面７１の少なくとも一部を覆っていればよい。また、樹脂層５は、第４電子部品１０の外周面１０３の全部を覆っている場合だけに限らず、少なくとも一部を覆っていればよい。
　また、高周波モジュール１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄでは、導電層６は、樹脂層５の主面５１の全部を覆っている場合だけに限らず、樹脂層５の主面５１の少なくとも一部を覆っていればよい。また、導電層６は、第１電子部品１の主面１１の全部を覆っている場合だけに限らず、第１電子部品１の主面１１の少なくとも一部を覆っていればよい。また、導電層６は、第２電子部品４の主面４１の全部を覆っている場合だけに限らず、第２電子部品４の主面４１の少なくとも一部を覆っていればよい。また、導電層６は、第４電子部品１０の主面１０１の全部を覆っている場合だけに限らず、第４電子部品１０の主面１０１の少なくとも一部を覆っていればよい。
　また、高周波モジュール１００では、第１電子部品１は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、出力整合回路１１３に含まれる第１インダクタＬ１と入力整合回路１２３に含まれる第２インダクタＬ２との間に位置していてもよい。この場合、高周波モジュール１００では、出力整合回路１１３に含まれる第１インダクタＬ１と入力整合回路１２３に含まれる第２インダクタＬ２との電磁結合を抑制することが可能となる。
　また、高周波モジュール１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄでは、実装基板９の第２主面９２に実装されている第２群の回路部品が、実装基板９の第２主面９２ではなく第１主面９１に実装されていてもよい。この場合、高周波モジュール１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄでは、実装基板９の第２主面９２には１つも回路部品が実装されないことになる。
　また、高周波モジュール１００、１００ｂ、１００ｄでは、高周波モジュール１００ｃと同様、実装基板９の第２主面９２に実装されている回路部品（第２主面側電子部品）における実装基板９側とは反対側の主面が、第２樹脂層１９における実装基板９側とは反対側の主面１９１から露出していてもよい。これにより、高周波モジュール１００、１００ｂ、１００ｄは、低背化を図ることが可能となる。実装基板９の第２主面９２に実装され実装基板９側とは反対側の主面が露出していて回路部品は、例えば、キャパシタ、インダクタ、ＬＣフィルタ、弾性波フィルタ又はＩＣチップのいずれかである。また、実装基板９の第２主面９２に実装され実装基板９側とは反対側の主面が露出していて回路部品は、積層セラミックキャパシタ、又は、シリコン基板上に形成されたキャパシタである。
　また、複数の送信フィルタ１３１～１３３及び複数の受信フィルタ１７１～１７３の各々は、表面弾性波フィルタに限らず、例えば、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）フィルタであってもよい。ＢＡＷフィルタにおける共振子は、例えば、ＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）又はＳＭＲ（Solidly Mounted Resonator）である。ＢＡＷフィルタは、基板を有する。基板は、例えば、シリコン基板である。
　また、複数の送信フィルタ１３１～１３３及び複数の受信フィルタ１７１～１７３の各々は、ラダー型フィルタに限らず、例えば、縦結合共振子型弾性表面波フィルタでもよい。
　また、上述の弾性波フィルタは、表面弾性波又はバルク弾性波を利用する弾性波フィルタであるが、これに限らず、例えば、弾性境界波、板波等を利用する弾性波フィルタであってもよい。
　高周波モジュール１００～１００ｄの回路構成は、上述の例に限らない。また、高周波モジュール１００～１００ｄは、回路構成として、例えば、ＭＩＭＯ（Multi Input Multi Output）対応の高周波フロントエンド回路を有していてもよい。
　また、実施形態１に係る通信装置３００は、高周波モジュール１００の代わりに、高周波モジュール１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄのいずれかを備えてもよい。
　（態様）
　本明細書には、以下の態様が開示されている。
　第１の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）は、実装基板（９）と、電子部品（１）と、樹脂層（５）と、導電層（６）と、を備える。実装基板（９）は、互いに対向する第１主面（９１）及び第２主面（９２）を有する。電子部品（１）は、実装基板（９）の第１主面（９１）に実装されている。樹脂層（５）は、実装基板（９）の第１主面（９１）に配置されており、電子部品（１）の外周面（１３）の少なくとも一部を覆っている。導電層（６）は、樹脂層（５）における実装基板（９）側とは反対側の主面（５１）の少なくとも一部と、電子部品（１）における実装基板（９）側とは反対側の主面（１１）の少なくとも一部と、を覆っている。電子部品（１）は、電子部品本体（２）と、複数の外部電極（３）と、を有する。電子部品本体（２）は、電気絶縁体部（２１）と、電気絶縁体部（２１）内に設けられており電子部品（１）の回路素子（１５）の少なくとも一部を構成する導体部（１４）と、を含む。電子部品本体（２）は、互いに対向する第３主面（２３）及び第４主面（２４）と、外周面（２５）と、を有する。電子部品（１）では、電子部品本体（２）の第３主面（２３）が、電子部品（１）の主面（１１）を構成し、かつ導電層（６）に接している。複数の外部電極（３）の各々は、電子部品本体（２）の第４主面（２４）に設けられており、第３主面（２３）には至っていない。
　第１の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）は、電子部品（１）に含まれる回路素子（１５）の素子値を大きくすることが可能となる。
　第２の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）では、第１の態様において、複数の外部電極（３）の各々は、電子部品本体（２）の第４主面（２４）と電子部品本体（２）の外周面（２５）とに跨って設けられている。
　第２の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）では、実装基板（９）と電子部品（１）との接合強度の向上を図れる。
　第３の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）では、第１又は２の態様において、電子部品（１）は、キャパシタ、インダクタ又はＬＣフィルタのいずれかである。
　第３の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）では、電子部品（１）がキャパシタ（Ｃ３）の場合、キャパシタンスを大きくでき、電子部品（１）がインダクタ（第２インダクタＬ２）の場合、インダクタンスを大きくでき、電子部品（１）がＬＣフィルタの場合、ＬＣフィルタに含まれるインダクタのインダクタンスとＬＣフィルタに含まれるキャパシタのキャパシタンスとの少なくとも一方を大きくすることが可能となる。
　第４の態様に係る高周波モジュールでは、第３の態様において、電気絶縁体部（多層セラミック構造２０）の材料は、セラミックを含む。電子部品本体（２）の第３主面（２３）は、電子部品本体（２）においてセラミックにより形成された部分の一部である。
　第５の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）では、第４の態様において、電子部品（１）は、積層セラミックキャパシタ、積層セラミックインダクタ又は積層セラミックＬＣフィルタである。
　第６の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）は、第１～５の態様のいずれか一つにおいて、電子部品（１）である第１電子部品（１）とは別に実装基板（９）の第１主面（９１）に実装されている第２電子部品（４）を更に備える。樹脂層（５）は、第２電子部品（４）の外周面（４３）の少なくとも一部を覆っている。導電層（６）は、第２電子部品（４）における実装基板（９）側とは反対側の主面（４１）の少なくとも一部とを覆っている。第２電子部品（４）は、第２電子部品（４）の主面（４１）が導電層（６）に接している。
　第６の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）は、高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）の低背化を図ることが可能となる。
　第７の態様に係る高周波モジュール（１００ｄ）では、第６の態様において、第２電子部品（４）は、複数の外部電極（４５）を有する。第２電子部品（４）の複数の外部電極（４５）のうち一部の外部電極（４５）が導電層（６）に接している。
　第７の態様に係る高周波モジュール（１００ｄ）は、第２電子部品（４）の一部の外部電極（４５）を導電層（６）と電気的に接続することができる。
　第８の態様に係る高周波モジュール（１００ｄ）では、第７の態様において、複数の外部電極（４５）のうち一部の外部電極（４５）は、第２電子部品（４）の厚さ方向に貫通している。
　第８の態様に係る高周波モジュール（１００ｄ）は、第２電子部品（４）のグランドを強くすることが可能となる。
　第９の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）では、第６～８の態様のいずれか一つにおいて、第２電子部品（４）は、基板（４０１）と、回路部（４１４）と、を含む。基板（４０１）は、互いに対向する第１主面（４１１）及び第２主面（４１２）を有する。回路部（４１４）は、基板（４０１）の第１主面（４１１）側に形成されている。第２電子部品（４）では、基板（４０１）の第２主面（４１２）が第２電子部品（４）の主面（４１）を構成している。第２電子部品（４）は、弾性波フィルタ又はＩＣチップである。
　第１０の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ）では、第９の態様において、第２電子部品（４）は、弾性波フィルタである。基板（４０１）は、リチウムタンタレート基板又はリチウムニオベイト基板である。
　第１１の態様に係る高周波モジュール（１００ｄ）では、第９の態様において、基板（４０１）は、シリコン基板である。
　第１２の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）では、第６～１１の態様のいずれか一つにおいて、実装基板（９）の厚さ方向（Ｄ１）に直交し第１主面（９１）の少なくとも一部を含む平面を基準面（ＲＰ１）としたときに、基準面（ＲＰ１）と第１電子部品（１）の主面（１１）との第１距離（Ｈ１）と、基準面（ＲＰ１）と第２電子部品（４）の主面（４１）との第２距離（Ｈ２）と、が同じである。
　第１２の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）は、実装基板（９）の厚さ方向（Ｄ１）における低背化を図ることが可能となる。
　第１３の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）では、第６～１２の態様のいずれか一つにおいて、第１電子部品（１）の主面（１１）及び第２電子部品（４）の主面（４１）の各々は、粗面である。
　第１３の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）は、第１電子部品（１）の主面（１１）及び第２電子部品（４）の主面（４１）と導電層（６）との密着性を向上させることが可能となる。
　第１４の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）は、第１３の態様において、第３電子部品（７）を更に備える。第３電子部品（７）は、実装基板（９）の第１主面（９１）に実装されており、第１電子部品（１）及び第２電子部品（４）よりも背が低い。樹脂層（５）は、第３電子部品（７）における実装基板（９）側とは反対側の主面（７１）を覆っている。第１電子部品（１）の主面（１１）及び第２電子部品（４）の主面（４１）の各々の最大高さ粗さが、第３電子部品（７）の主面（７１）の最大高さ粗さよりも大きい。
　第１４の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）は、第１電子部品（１）の主面（１１）及び第２電子部品（４）の主面（４１）と導電層（６）との密着性を向上させることが可能となる。
　第１５の態様に係る高周波モジュール（１００ｂ）は、第１４の態様において、実装基板（９）の第１主面（９１）に実装されている第４電子部品（１０）を更に備える。樹脂層（５）は、第４電子部品（１０）の外周面（１０３）の少なくとも一部を覆っている。導電層（６）は、第４電子部品（１０）における実装基板（９）側とは反対側の主面（１０１）の少なくとも一部とを覆っている。第４電子部品（１０）は、第４電子部品（１０）の主面（１０１）が導電層（６）に接している。第１電子部品（１）と第２電子部品（４）と第４電子部品（１０）とは、導電層（６）に接している部分の材料が互いに異なる。
　第１６の態様に係る高周波モジュール（１００ｃ）は、第６～１４の態様のいずれか一つにおいて、第４電子部品（１０）を更に備える。第４電子部品（１０）は、実装基板（９）の第１主面（９１）に実装されている。第２電子部品（４）は、送信フィルタ（１３１）である。第４電子部品（１０）は、受信フィルタ（１７１）である。第１電子部品（１）は、実装基板（９）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で第２電子部品（４）と第４電子部品（１０）との間に位置している。
　第１６の態様に係る高周波モジュール（１００ｃ）は、第２電子部品（４）を構成する送信フィルタ（１３１）と第４電子部品（１０）を構成する受信フィルタ（１７１）との電磁結合を抑制することが可能となる。また、第１６の態様に係る高周波モジュール（１００ｃ）は、第２電子部品（４）としての送信フィルタ（１３１）が導電層（６）に接しているので、送信フィルタ（１３１）の温度上昇を抑制することが可能となる。これにより、高周波モジュール（１００ｃ）は、送信フィルタ（１３１）の温度特性の安定化を図ることが可能となり、高周波モジュール（１００ｃ）の特性の安定化を図ることが可能となる。
　第１７の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）は、第１～１６の態様のいずれか一つにおいて、パワーアンプ（１１１）と、出力整合回路（１１３）と、ローノイズアンプ（１２１）と、入力整合回路（１２３）と、を更に備える。パワーアンプ（１１１）は、実装基板（９）の第１主面（９１）に実装されている。出力整合回路（１１３）は、パワーアンプ（１１１）の出力端子に接続されている。ローノイズアンプ（１２１）は、実装基板（９）の第２主面（９２）に実装されている。入力整合回路（１２３）は、ローノイズアンプ（１２１）の入力端子に接続されている。出力整合回路（１１３）は、第１インダクタ（Ｌ１）を含む。入力整合回路（１２３）は、第２インダクタ（Ｌ２）を含む。電子部品（１）は、実装基板（９）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、第１インダクタ（Ｌ１）と第２インダクタ（Ｌ２）との間に位置している。
　第１７の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）は、出力整合回路（１１３）に含まれる第１インダクタ（Ｌ１）と入力整合回路（１２３）に含まれる第２インダクタ（Ｌ２）との電磁結合を抑制することが可能となる。
　第１８の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）は、第１～１７の態様のいずれか一つにおいて、複数の外部接続端子（８）を更に備える。複数の外部接続端子（８）は、実装基板（９）の第２主面（９２）に配置されている。複数の外部接続端子（８）は、導電層（６）に接続されているグランド端子（８５）を含む。
　第１８の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）は、導電層（６）の電位をグランド端子（８５）の電位と略同じにすることが可能となる。
　第１９の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）は、第１～１８の態様のいずれか一つにおいて、実装基板（９）の第２主面（９２）に実装されている回路部品（第１インダクタＬ１，第３インダクタＬ３）を更に備える。
　第１９の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）は、実装基板（９）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視での高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）の小型化を図ることが可能となる。
　第２０の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）では、第１９の態様において、回路部品は、キャパシタ、インダクタ、ＬＣフィルタ、弾性波フィルタ又はＩＣチップである。
　第２０の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）では、回路部品がキャパシタの場合、キャパシタンスを大きくでき、回路部品がインダクタ（第１インダクタＬ１，第３インダクタＬ３）の場合、インダクタンスを大きくでき、回路部品がＬＣフィルタの場合、ＬＣフィルタに含まれるインダクタのインダクタンスとＬＣフィルタに含まれるキャパシタのキャパシタンスとの少なくとも一方を大きくすることが可能となる。
　第２１の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）では、第２０の態様において、回路部品は、積層セラミックキャパシタ、又は、シリコン基板上に形成したキャパシタである。
　第２２の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）は、第１９～２１の態様のいずれか一つにおいて、樹脂層（５）である第１樹脂層（５）とは別の第２樹脂層（１９）を更に備える。第２樹脂層（１９）は、実装基板（９）の第２主面（９２）に配置されており、回路部品の外周面の少なくとも一部を覆っている。
　第２２の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）は、回路部品を第２樹脂層（１９）によって保護することが可能となる。
　第２３の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）では、第２２の態様において、回路部品（第１インダクタＬ１，第３インダクタＬ３）における実装基板（９）側とは反対側の主面（ＳＬ１，ＳＬ３）が、第２樹脂層（１９）における実装基板（９）側とは反対側の主面（１９１）から露出している。
　第２３の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）は、低背化を図ることが可能となる。
　第２４の態様に係る通信装置（３００）は、第１～２３の態様のいずれか一つの高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）と、信号処理回路（３０１）と、を備える。信号処理回路（３０１）は、高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）に接続されている。
　第２４の態様に係る通信装置（３００）では、電子部品（１）に含まれる回路素子（１５）の素子値を大きくすることが可能となる。
　１　電子部品（第１電子部品）
　１１　主面（第１主面）
　１３　外周面
　１４　導体部
　１５　回路素子
　２　電子部品本体
　２０　多層セラミック構造
　２１　電気絶縁体部
　２３　第３主面
　２４　第４主面
　２５　外周面
　２６　巻線部
　２７　導体層
　２８　第１内部電極
　２９　第２内部電極
　３　外部電極
　４　第２電子部品
　４１　主面
　４３　外周面
　４５　外部電極
　４０１　基板
　４１１　第１主面
　４１２　第２主面
　４１４　回路部
　４１５　ＩＤＴ電極
　４１７　スペーサ層
　４１８　カバー部材
　４２０　低音速膜
　４３０　圧電体層
　５　樹脂層（第１樹脂層）
　５１　主面
　５３　外周面
　６　導電層
　７　第３電子部品
　８　外部接続端子
　８１　アンテナ端子
　８２　信号入力端子
　８３　信号出力端子
　８４　制御端子
　８５　グランド端子
　９　実装基板
　９１　第１主面
　９２　第２主面
　９３　外周面
　１０　第４電子部品
　１０１　主面
　１０３　外周面
　１０４５　外部電極
　１００１　基板
　１０１１　第１主面
　１０１２　第２主面
　１０１４　回路部
　１０１５　ＩＤＴ電極
　１０１７　スペーサ層
　１０１８　カバー部材
　１９　第２樹脂層
　１９１　主面
　１９３　外周面
　１０４　第１スイッチ
　１４０　共通端子
　１４１、１４２、１４３　選択端子
　１０５　第２スイッチ
　１５０　共通端子
　１５１、１５２、１５３　選択端子
　１０６　第３スイッチ
　１６０　共通端子
　１６１、１６２、１６３　選択端子
　１０８　ＩＣチップ
　１１１　パワーアンプ
　１１３　出力整合回路
　１１４　整合回路
　１１５　コントローラ
　１１５０　基板
　１１５１　第１主面
　１１５２　第２主面
　１１５４　回路部
　１２１　ローノイズアンプ
　１２３　入力整合回路
　１３１　送信フィルタ（第１送信フィルタ）
　１３２　送信フィルタ（第２送信フィルタ）
　１３３　送信フィルタ（第３送信フィルタ）
　１７１　受信フィルタ（第１受信フィルタ）
　１７２　受信フィルタ（第２受信フィルタ）
　１７３　受信フィルタ（第３受信フィルタ）
　１００、１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄ　高周波モジュール
　３００　通信装置
　３０１　信号処理回路
　３０２　ＲＦ信号処理回路
　３０３　ベースバンド信号処理回路
　３１０　アンテナ
　Ｃ３　キャパシタ
　Ｄ１　厚さ方向
　Ｈ１　第１距離
　Ｈ２　第２距離
　Ｈ３　第３距離
　Ｈ４　第４距離
　Ｈ５　第５距離
　Ｌ１　第１インダクタ
　ＳＬ１　主面
　Ｌ２　第２インダクタ
　Ｌ３　第３インダクタ
　ＳＬ３　主面
　ｒ１　信号経路
　Ｔ１　接続点

Claims (24)

  1. 　互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板と、
    　前記実装基板の前記第１主面に実装されている電子部品と、
    　前記実装基板の前記第１主面に配置されており、前記電子部品の外周面の少なくとも一部を覆っている樹脂層と、
    　前記樹脂層における前記実装基板側とは反対側の主面の少なくとも一部と前記電子部品における前記実装基板側とは反対側の主面の少なくとも一部とを覆っている導電層と、を備え、
    　前記電子部品は、
    　　電気絶縁体部と前記電気絶縁体部内に設けられており前記電子部品の回路素子の少なくとも一部を構成する導体部とを含み、互いに対向する第３主面及び第４主面と、外周面と、を有する電子部品本体と、
    　　複数の外部電極と、を有し、
    　前記電子部品では、
    　　前記電子部品本体の前記第３主面が、前記電子部品の前記主面を構成し、かつ前記導電層に接しており、
    　前記複数の外部電極の各々は、前記電子部品本体の前記第４主面に設けられており、前記第３主面には至っていない、
    　高周波モジュール。
  2. 　前記複数の外部電極の各々は、前記電子部品本体の前記第４主面と前記電子部品本体の前記外周面とに跨って設けられている、
    　請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 　前記電子部品は、キャパシタ、インダクタ又はＬＣフィルタのいずれかである、
    　請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
  4. 　前記電気絶縁体部の材料は、セラミックを含み、
    　前記電子部品本体の前記第３主面は、前記電子部品本体においてセラミックにより形成された部分の一部である、
    　請求項３に記載の高周波モジュール。
  5. 　前記電子部品は、積層セラミックキャパシタ、積層セラミックインダクタ又は積層セラミックＬＣフィルタである、
    　請求項４に記載の高周波モジュール。
  6. 　前記電子部品である第１電子部品とは別に前記実装基板の前記第１主面に実装されている第２電子部品を更に備え、
    　前記樹脂層は、前記第２電子部品の外周面の少なくとも一部を覆っており、
    　前記導電層は、前記第２電子部品における前記実装基板側とは反対側の主面の少なくとも一部とを覆っており、
    　前記第２電子部品は、前記第２電子部品の前記主面が前記導電層に接している、
    　請求項１～５のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
  7. 　前記第２電子部品は、複数の外部電極を有し、
    　前記第２電子部品の前記複数の外部電極のうち一部の外部電極が前記導電層に接している、
    　請求項６に記載の高周波モジュール。
  8. 　前記複数の外部電極のうち前記一部の外部電極は、前記第２電子部品の厚さ方向に貫通している、
    　請求項７に記載の高周波モジュール。
  9. 　前記第２電子部品は、
    　　互いに対向する第１主面及び第２主面を有する基板と、
    　　前記基板の前記第１主面側に形成されている回路部と、を含み、
    　前記第２電子部品では、前記基板の前記第２主面が前記第２電子部品の前記主面を構成しており、
    　　前記第２電子部品は、弾性波フィルタ又はＩＣチップである、
    　請求項６～８のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
  10. 　前記第２電子部品は、弾性波フィルタであり、
    　前記基板は、リチウムタンタレート基板又はリチウムニオベイト基板である、
    　請求項９に記載の高周波モジュール。
  11. 　前記基板は、シリコン基板である、
    　請求項９に記載の高周波モジュール。
  12. 　前記実装基板の厚さ方向に直交し前記第１主面の少なくとも一部を含む平面を基準面としたときに、
    　　前記基準面と前記第１電子部品の前記主面との第１距離と、前記基準面と前記第２電子部品の前記主面との第２距離と、が同じである、
    　請求項６～１１のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
  13. 　前記第１電子部品の前記主面及び前記第２電子部品の前記主面の各々は、粗面である、
    　請求項６～１２のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
  14. 　前記実装基板の前記第１主面に実装されており、前記第１電子部品及び前記第２電子部品よりも背の低い第３電子部品を更に備え、
    　前記樹脂層は、前記第３電子部品における前記実装基板側とは反対側の主面を覆っており、
    　前記第１電子部品の前記主面及び前記第２電子部品の前記主面の各々の最大高さ粗さが、前記第３電子部品の前記主面の最大高さ粗さよりも大きい、
    　請求項１３に記載の高周波モジュール。
  15. 　前記実装基板の前記第１主面に実装されている第４電子部品を更に備え、
    　前記樹脂層は、前記第４電子部品の外周面の少なくとも一部を覆っており、
    　前記導電層は、前記第４電子部品における前記実装基板側とは反対側の主面の少なくとも一部とを覆っており、
    　前記第４電子部品は、前記第４電子部品の前記主面が前記導電層に接しており、
    　前記第１電子部品と前記第２電子部品と前記第４電子部品とは、前記導電層に接している部分の材料が互いに異なる、
    　請求項１４に記載の高周波モジュール。
  16. 　前記実装基板の前記第１主面に実装されている第４電子部品を更に備え、
    　前記第２電子部品は、送信フィルタであり、
    　前記第４電子部品は、受信フィルタであり、
    　前記第１電子部品は、前記実装基板の厚さ方向からの平面視で前記第２電子部品と前記第４電子部品との間に位置している、
    　請求項６～１４のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
  17. 　前記実装基板の前記第１主面に実装されているパワーアンプと、
    　前記パワーアンプの出力端子に接続されている出力整合回路と、
    　前記実装基板の前記第２主面に実装されているローノイズアンプと、
    　前記ローノイズアンプの入力端子に接続されている入力整合回路と、を更に備え、
    　前記出力整合回路は、第１インダクタを含み、
    　前記入力整合回路は、第２インダクタを含み、
    　前記電子部品は、前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記第１インダクタと前記第２インダクタとの間に位置している、
    　請求項１～１６のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
  18. 　前記実装基板の前記第２主面に配置されている複数の外部接続端子を更に備え、
    　前記複数の外部接続端子は、前記導電層に接続されているグランド端子を含む、
    　請求項１～１７のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
  19. 　前記実装基板の前記第２主面に実装されている回路部品を更に備える、
    　請求項１～１８のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
  20. 　前記回路部品は、キャパシタ、インダクタ、ＬＣフィルタ、弾性波フィルタ又はＩＣチップである、
    　請求項１９に記載の高周波モジュール。
  21. 　前記回路部品は、積層セラミックキャパシタ、又は、シリコン基板上に形成されたキャパシタである、
    　請求項２０に記載の高周波モジュール。
  22. 　前記樹脂層である第１樹脂層とは別の第２樹脂層を更に備え、
    　前記第２樹脂層は、前記実装基板の前記第２主面に配置されており、前記回路部品の外周面の少なくとも一部を覆っている、
    　請求項１９～２１のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
  23. 　前記回路部品における前記実装基板側とは反対側の主面が、前記第２樹脂層における前記実装基板側とは反対側の主面から露出している、
    　請求項２２に記載の高周波モジュール。
  24. 　請求項１～２３のいずれか一項に記載の高周波モジュールと、
    　前記高周波モジュールに接続されている信号処理回路と、を備える、
    　通信装置。
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