CN116157879A - 高频模块以及通信装置 - Google Patents

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相川清志
山田隆司
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Abstract

增大电子部件中包括的电路元件的元件值。在高频模块(100)中，导电层(6)覆盖树脂层(5)中的与安装基板(9)侧为相反侧的主面(51)和电子部件(1)中的与安装基板(9)侧为相反侧的主面(11)。电子部件(1)具有电子部件主体(2)和多个外部电极(3)。电子部件主体(2)包括电绝缘体部(21)和设置在电绝缘体部(21)内并且构成电子部件(1)的电路元件(15)的至少一部分的导体部(14)。电子部件主体(2)具有相互对置的第3主面(23)及第4主面(24)和外周面(25)。第3主面(23)构成了电子部件(1)的主面(11)，且与导电层(6)相接。多个外部电极(3)分别设置在电子部件主体(2)的第4主面(24)，且未到达第3主面(23)。

Description

高频模块以及通信装置
技术领域
本发明一般涉及高频模块以及通信装置，更详细而言，涉及具备电子部件的高频模块、以及具备该高频模块的通信装置。
背景技术
在专利文献1中公开了一种具备模块基板(安装基板)、片式线圈(电子部件)、树脂层和金属膜(导电层)的模块(高频模块)。
在专利文献1所公开的模块中，片式线圈安装于在模块基板的安装面上设置的电极。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2014/013831号
发明内容
发明要解决的问题
在专利文献1所公开的模块那样的高频模块中，为了防止片式线圈这样的电子部件的两个外部电极与金属膜的短路，需要在模块基板的厚度方向上使树脂层的一部分介于电子部件与金属膜之间。因此，在专利文献1所公开的高频模块中，难以增大电子部件中包括的电路元件(例如，电感器或电容器)的元件值(例如，电感或电容)。
本发明的目的在于提供一种能够增大电子部件中包括的电路元件的元件值的高频模块以及通信装置。
用于解决问题的手段
本发明的一方式所涉及的高频模块具备安装基板、电子部件、树脂层和导电层。所述安装基板具有相互对置的第1主面以及第2主面。所述电子部件安装在所述安装基板的所述第1主面。所述树脂层配置在所述安装基板的所述第1主面，并且覆盖所述电子部件的外周面的至少一部分。所述导电层覆盖所述树脂层中的与所述安装基板侧为相反侧的主面的至少一部分和所述电子部件中的与所述安装基板侧为相反侧的主面的至少一部分。所述电子部件具有电子部件主体和多个外部电极。所述电子部件主体包括电绝缘体部和导体部，所述导体部设置在所述电绝缘体部内，并且构成所述电子部件的电路元件的至少一部分。所述电子部件主体具有相互对置的第3主面及第4主面和外周面。在所述电子部件中，所述电子部件主体的所述第3主面构成了所述电子部件的所述主面，并且与所述导电层相接。所述多个外部电极分别设置在所述电子部件主体的所述第4主面，并且未到达所述第3主面。
本发明的一方式所涉及的通信装置具备上述高频模块和信号处理电路。所述信号处理电路与所述高频模块连接。
发明效果
本发明的上述方式所涉及的高频模块以及通信装置能够增大电子部件中包括的电路元件的元件值。
附图说明
图1是实施方式1所涉及的高频模块的俯视图。
图2示出同上的高频模块，是图1的X-X线剖视图。
图3示出同上的高频模块，是图1的Y-Y线剖视图。
图4是同上的高频模块的局部放大剖视图。
图5是具备同上的高频模块的通信装置的电路结构图。
图6是实施方式1的变形例1所涉及的高频模块的剖视图。
图7是实施方式1的变形例2所涉及的高频模块的局部放大剖视图。
图8是实施方式1的变形例3所涉及的高频模块的电路图。
图9是同上的高频模块的局部断裂的俯视图。
图10示出同上的高频模块，是图9的X-X线剖视图。
图11示出同上的高频模块，是图9的Y-Y线剖视图。
图12是实施方式2所涉及的高频模块的剖视图。
图13是同上的高频模块的局部放大剖视图。
图14是从示出第1电子部件的另一例的LC滤波器的下表面侧观察的立体图。
具体实施方式
在以下的实施方式等中参照的图1～4、6、7、9～14都是示意性的图，图中的各结构要素的大小、厚度各自的比未必反映了实际的尺寸比。
(实施方式1)
例如，如图1以及2所示，实施方式1所涉及的高频模块100具备安装基板9、电子部件1、树脂层5(参照图2)和导电层6(参照图2)。如图2所示，安装基板9具有相互对置的第1主面91以及第2主面92。电子部件1安装在安装基板9的第1主面91。树脂层5配置在安装基板9的第1主面91，覆盖电子部件1的外周面13。导电层6覆盖树脂层5中的与安装基板9侧为相反侧的主面51、和电子部件1中的与安装基板9侧为相反侧的主面11。如图3所示，电子部件1具有电子部件主体2和多个外部电极3。电子部件1是SMD(Surface Mount Device，表面贴装器件)。
此外，如图1以及2所示，实施方式1所涉及的高频模块100还具备与电子部件1(以下也称为第1电子部件1)不同的安装在安装基板9的第1主面91的第2电子部件4。如图2所示，树脂层5覆盖第2电子部件4的外周面43。导电层6覆盖第2电子部件4中的与安装基板9侧为相反侧的主面41。
此外，如图1以及2所示，高频模块100还具备第3电子部件7。第3电子部件7安装在安装基板9的第1主面91。如图2所示，第3电子部件7比第1电子部件1以及第2电子部件4矮。树脂层5覆盖第3电子部件7的外周面73。此外，树脂层5还覆盖第3电子部件7中的与安装基板9侧为相反侧的主面71。
此外，如图1以及2所示，高频模块100还具备第4电子部件10。第4电子部件10安装在安装基板9的第1主面91。如图2所示，树脂层5覆盖第4电子部件10的外周面103。导电层6覆盖第4电子部件10中的与安装基板9侧为相反侧的主面101。
以下，参照图1～5来更详细地说明实施方式1所涉及的高频模块100以及通信装置300。
(1)高频模块以及通信装置
(1.1)高频模块以及通信装置的电路结构
参照图5来说明实施方式1所涉及的高频模块100以及通信装置300的电路结构。
高频模块100例如用于通信装置300。通信装置300例如是便携式电话(例如，智能手机)，但不限于此，例如，也可以是可穿戴终端(例如，智能手表)等。高频模块100例如是能够对应4G(第四代移动通信)标准、5G(第五代移动通信)标准等的模块。4G标准例如是3GPP(Third Generation Partnership Project，第三代伙伴计划)LTE(Long Term Evolution，长期演进)标准。5G标准例如是5G NR(New Radio，新空口)。高频模块100例如是能够对应载波聚合以及双连接的模块。
高频模块100例如构成为能够将从信号处理电路301输入的发送信号放大后输出到天线310。此外，高频模块100构成为能够将从天线310输入的接收信号放大后输出到信号处理电路301。信号处理电路301不是高频模块100的结构要素，而是具备高频模块100的通信装置300的结构要素。实施方式1所涉及的高频模块100例如由通信装置300具备的信号处理电路301控制。通信装置300具备高频模块100和信号处理电路301。通信装置300还具备天线310。通信装置300还具备安装有高频模块100的电路基板。电路基板例如是印刷布线板。电路基板具有被给予接地电位的接地电极。
信号处理电路301例如包括RF信号处理电路302和基带信号处理电路303。RF信号处理电路302例如是RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit，射频集成电路)，进行对高频信号的信号处理。RF信号处理电路302例如对从基带信号处理电路303输出的高频信号(发送信号)进行上变频等的信号处理，并且输出进行了信号处理的高频信号。此外，RF信号处理电路302例如对从高频模块100输出的高频信号(接收信号)进行下变频等的信号处理，并且向基带信号处理电路303输出进行了信号处理的高频信号。基带信号处理电路303例如是BBIC(Baseband IntegratedCircuit，基带集成电路)。基带信号处理电路303从基带信号生成I相信号以及Q相信号。基带信号例如是从外部输入的声音信号、图像信号等。基带信号处理电路303通过将I相信号和Q相信号合成从而进行IQ调制处理，输出发送信号。此时，作为将规定频率的载波信号以比该载波信号的周期长的周期进行振幅调制而得到的调制信号(IQ信号)，生成发送信号。由基带信号处理电路303处理过的接收信号，例如作为图像信号而用于图像显示，或者作为声音信号而用于通信装置300的用户的通话。高频模块100在天线310与信号处理电路301的RF信号处理电路302之间传递高频信号(接收信号、发送信号)。
高频模块100具备多个(例如，三个)发送滤波器131、132、133。此外，高频模块100具备功率放大器111和输出匹配电路113。此外，高频模块100具备多个(例如，三个)接收滤波器171、172、173。此外，高频模块100具备低噪声放大器121和输入匹配电路123。输入匹配电路123例如包括一个电感器。此外，高频模块100还具备控制器115。此外，高频模块100具备第1开关104、第2开关105和第3开关106。在高频模块100中，输入匹配电路123中包括的电感器构成了第1电子部件1。此外，在高频模块100中，发送滤波器131构成了上述第2电子部件4。此外，在高频模块100中，功率放大器111构成了上述第3电子部件7。此外，在高频模块100中，接收滤波器171构成了上述第4电子部件10。
此外，高频模块100具备多个外部连接端子8。多个外部连接端子8包括天线端子81、信号输入端子82、信号输出端子83、控制端子84和多个接地端子85(参照图2)。多个接地端子85是与通信装置300具备的上述电路基板的接地电极电连接而被给予接地电位的端子。
以下，基于图5来更详细地说明高频模块100的电路结构。
多个发送滤波器131、132、133是将互不相同的频带作为通带的发送滤波器。以下，在区分三个发送滤波器131、132、133来进行说明的情况下，也有时将三个发送滤波器131、132、133分别称为第1发送滤波器131、第2发送滤波器132、第3发送滤波器133。
第1发送滤波器131例如是将第1通信频带的发送频带作为通带的滤波器。第2发送滤波器132例如是将第2通信频带的发送频带作为通带的滤波器。第3发送滤波器133例如是将第3通信频带的发送频带作为通带的滤波器。第1通信频带对应于通过第1发送滤波器131的发送信号。第2通信频带对应于通过第2发送滤波器132的发送信号。第3通信频带对应于通过第3发送滤波器133的发送信号。第1通信频带～第3通信频带例如分别是3GPP LTE标准的通信频带或者5G NR标准的通信频带。
功率放大器111具有输入端子以及输出端子。功率放大器111将输入到输入端子的发送信号放大后从输出端子输出。功率放大器111的输入端子与信号输入端子82连接。功率放大器111的输入端子经由信号输入端子82与信号处理电路301连接。信号输入端子82是用于将来自外部电路(例如，信号处理电路301)的高频信号(发送信号)输入到高频模块100的端子。在高频模块100中，功率放大器111的输出端子和第1～第3发送滤波器131～133能够经由输出匹配电路113以及第2开关105而连接。第2开关105具有共同端子150和多个(例如，三个)选择端子151～153。在高频模块100中，功率放大器111的输出端子经由输出匹配电路113与第2开关105的共同端子150连接，第2开关105的三个选择端子151、152、153与三个发送滤波器131、132、133一对一地连接。功率放大器111被控制器115控制。
功率放大器111例如是包括驱动器级放大器和最终级放大器的多级放大器。在功率放大器111中，驱动器级放大器的输入端子与信号输入端子82连接，驱动器级放大器的输出端子与最终级放大器的输入端子连接，最终级放大器的输出端子与输出匹配电路113连接。功率放大器111不限于多级放大器，例如，也可以是同相合成放大器、差动合成放大器或者多赫蒂(Doherty)放大器。
控制器115例如按照来自信号处理电路301的控制信号来控制功率放大器111。控制器115例如与功率放大器111的驱动器级放大器以及输出级放大器连接。控制器115经由多个(例如，四个)控制端子84而与信号处理电路301连接。控制端子84是用于将来自外部电路(例如，信号处理电路301)的控制信号输入到控制器115的端子。控制器115基于从控制端子84取得的控制信号来控制功率放大器111。控制器115从控制端子84取得的控制信号是数字信号。控制端子84的数量例如是四个，但在图5中仅图示了一个。控制器115基于来自信号处理电路301的控制信号，例如，向驱动器级放大器供给第1偏置电流，向输出级放大器供给第2偏置电流。
输出匹配电路113设置在功率放大器111的输出端子与第2开关105的共同端子150之间的信号路径上。输出匹配电路113是用于取得功率放大器111与三个发送滤波器131、132、133的阻抗匹配的电路。输出匹配电路113例如包括连接在功率放大器111的输出端子与第2开关105的共同端子150之间的第1电感器L1(参照图1)。输出匹配电路113例如也可以包括多个电感器以及多个电容器。
此外，多个接收滤波器171、172、173是将互不相同的频带作为通带的接收滤波器。以下，在区分三个接收滤波器171、172、173来进行说明的情况下，也有时将三个接收滤波器171、172、173分别称为第1接收滤波器171、第2接收滤波器172、第3接收滤波器173。
第1接收滤波器171例如是将第1通信频带的接收频带作为通带的滤波器。第2接收滤波器172例如是将第2通信频带的接收频带作为通带的滤波器。第3接收滤波器173例如是将第3通信频带的接收频带作为通带的滤波器。第1通信频带对应于通过第1接收滤波器171的接收信号。第2通信频带对应于通过第2接收滤波器172的接收信号。第3通信频带对应于通过第3接收滤波器173的接收信号。第1通信频带～第3通信频带例如分别是3GPP LTE标准的通信频带或者5G NR标准的通信频带。另外，在高频模块100中，由第1发送滤波器131和第1接收滤波器171构成了第1双工器。此外，在高频模块100中，由第2发送滤波器132和第2接收滤波器172构成了第2双工器。此外，在高频模块100中，由第3发送滤波器133和接收滤波器173构成了第3双工器。
低噪声放大器121具有输入端子以及输出端子。低噪声放大器121将输入到输入端子的接收信号放大后从输出端子输出。低噪声放大器121的输入端子经由输入匹配电路123与第3开关106的共同端子160连接。低噪声放大器121的输出端子与信号输出端子83连接。低噪声放大器121的输出端子例如经由信号输出端子83与信号处理电路301连接。信号输出端子83是用于将来自低噪声放大器121的高频信号(接收信号)向外部电路(例如，信号处理电路301)输出的端子。在高频模块100中，低噪声放大器121的输入端子和第1～第3接收滤波器171～173能够经由输入匹配电路123以及第3开关106而连接。第3开关106具有共同端子160和多个(例如，三个)选择端子161～163。在高频模块100中，低噪声放大器121的输入端子经由输入匹配电路123与第3开关106的共同端子160连接，第3开关106的三个选择端子161、162、163与三个接收滤波器171、172、173一对一地连接。
输入匹配电路123是用于取得低噪声放大器121与三个接收滤波器171、172、173的阻抗匹配的电路。输入匹配电路123例如包括连接在低噪声放大器121的输入端子与第3开关106的共同端子160之间的第2电感器L2(参照图1)。输入匹配电路123例如也可以包括多个电感器以及多个电容器。此外，高频模块100也可以具备多个(三个)输入匹配电路123，在该情况下，三个输入匹配电路123可以在低噪声放大器121与三个接收滤波器171、172、173各自之间各设置一个。
第1开关104具有共同端子140和多个(例如，三个)选择端子141～143。在第1开关104中，共同端子140与天线端子81连接。高频模块100不限于共同端子140和天线端子81不经由其他电路元件而连接的情况，例如，也可以经由低通滤波器以及耦合器而连接。选择端子141连接于第1发送滤波器131的输出端子与第1接收滤波器171的输入端子之间的连接点。选择端子142连接于第2发送滤波器132的输出端子与第2接收滤波器172的输入端子之间的连接点。选择端子143连接于第3发送滤波器133的输出端子与第3接收滤波器173的输入端子之间的连接点。第1开关104例如是能够将三个选择端子141～143中的至少一个以上与共同端子140连接的开关。这里，第1开关104例如是能够进行一对一以及一对多的连接的开关。
第1开关104例如由信号处理电路301控制。第1开关104按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号，切换共同端子140与三个选择端子141～143的连接状态。第1开关104例如是开关IC(Integrated Circuit，集成电路)。
第2开关105具有共同端子150和多个(例如，三个)选择端子151、152、153。在第2开关105中，共同端子150经由输出匹配电路113与功率放大器111的输出端子连接。选择端子151与第1发送滤波器131的输入端子连接。选择端子152与第2发送滤波器132的输入端子连接。选择端子153与第3发送滤波器133的输入端子连接。第2开关105例如是能够将三个选择端子151～153中的至少一个以上与共同端子150连接的开关。这里，第2开关105例如是能够进行一对一以及一对多的连接的开关。
第2开关105例如由信号处理电路301控制。第2开关105按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号，切换共同端子150与三个选择端子151～153的连接状态。第2开关105例如是开关IC。
第3开关106具有共同端子160和多个(例如，三个)选择端子161、162、163。在第3开关106中，共同端子160经由输入匹配电路123与低噪声放大器121的输入端子。选择端子161与第1接收滤波器171的输出端子连接。选择端子162与第2接收滤波器172的输出端子连接。选择端子163与第3接收滤波器173的输出端子连接。第3开关106例如是能够将三个选择端子161～163中的至少一个以上与共同端子160连接的开关。这里，第3开关106例如是能够进行一对一以及一对多的连接的开关。
第3开关106例如由信号处理电路301控制。第3开关106按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号，切换共同端子160与三个选择端子161～163的连接状态。第3开关106例如是开关IC。
(1.2)高频模块的构造
如图1所示，高频模块100具备安装基板9和三个发送滤波器131、132、133。此外，高频模块100具备功率放大器111、输出匹配电路113(参照图5)和控制器115(参照图2)。此外，高频模块100具备三个接收滤波器171、172、173、低噪声放大器121、输入匹配电路123(参照图5)、第1开关104(参照图5)、第2开关105(参照图5)和第3开关106(参照图5)。此外，高频模块100具备多个外部连接端子8(参照图2)。
如图2所示，安装基板9具有在安装基板9的厚度方向D1上相互对置的第1主面91以及第2主面92。安装基板9例如是包括多个电介质层以及多个导电层的多层基板。多个电介质层以及多个导电层在安装基板9的厚度方向D1上层叠。多个导电层形成为按每层决定的规定图案。多个导电层分别在与安装基板9的厚度方向D1正交的一个平面内包括一个或多个导体部。各导电层的材料例如是铜。多个导体图案层包括接地层。在高频模块100中，多个接地端子85与接地层经由安装基板9具有的过孔导体等而电连接。安装基板9例如是LTCC(Low Temperature Co-firedCeramics，低温共烧陶瓷)基板。安装基板9不限于LTCC基板，例如，也可以是印刷布线板、HTCC(High Temperature Co-fired Ceramics，高温共烧陶瓷)基板、树脂多层基板。
此外，安装基板9不限于LTCC基板，例如，也可以是布线构造体。布线构造体例如是多层构造体。多层构造体包括至少一个绝缘层和至少一个导电层。绝缘层形成为规定图案。在绝缘层为多个的情况下，多个绝缘层形成为按每层决定的规定图案。导电层形成为与绝缘层的规定图案不同的规定图案。在导电层为多个的情况下，多个导电层形成为按每层决定的规定图案。导电层也可以包括一个或多个再布线部。在布线构造体中，在多层构造体的厚度方向上相互对置的两个面中的第1面是安装基板9的第1主面91，第2面是安装基板9的第2主面92。布线构造体例如也可以是插入件(interposer)。插入件可以是使用了硅基板的插入件，也可以是由多层构成的基板。
安装基板9的第1主面91以及第2主面92在安装基板9的厚度方向D1上分离，与安装基板9的厚度方向D1交叉。安装基板9中的第1主面91例如与安装基板9的厚度方向D1正交，但是例如作为不与厚度方向D1正交的面，也可以包括导体部的侧面等。此外，安装基板9中的第2主面92例如与安装基板9的厚度方向D1正交，但是例如作为不与厚度方向D1正交的面，也可以包括导体部的侧面等。此外，安装基板9的第1主面91以及第2主面92也可以形成有细微的凹凸、凹部或者凸部。例如，在安装基板9的第1主面91形成有凹部的情况下，第1主面91包括凹部的内表面。
在实施方式1所涉及的高频模块100中，第1组电路部件安装在安装基板9的第1主面91。如图1所示，第1组电路部件包括三个发送滤波器131、132、133、功率放大器111、输出匹配电路113的第1电感器L1、三个接收滤波器171、172、173和输入匹配电路123的第2电感器L2。所谓“电路部件安装在安装基板9的第1主面91”，包括电路部件配置在安装基板9的第1主面91的情况(机械连接的情况)、和电路部件与安装基板9(的适当的导体部)电连接的情况。在高频模块100中，多个电路部件中的第2组电路部件安装在安装基板9的第2主面92。第2组电路部件包括控制器115、低噪声放大器121、第1开关104、第2开关105和第3开关106。所谓“电路部件安装在安装基板9的第2主面92”，包括电路部件配置在安装基板9的第2主面92的情况(机械连接的情况)、和电路部件与安装基板9(的适当的导体部)电连接的情况。在实施方式1所涉及的高频模块100中，如上所述，第2电感器L2、发送滤波器131、功率放大器111以及接收滤波器171分别构成了第1电子部件1、第2电子部件4、第3电子部件7以及第4电子部件10。
三个发送滤波器131、132、133例如分别是梯形滤波器，具有多个(例如，四个)串联臂谐振器和多个(例如，三个)并联臂谐振器。三个发送滤波器131、132、133例如分别是弹性波滤波器。弹性波滤波器的多个串联臂谐振器以及多个并联臂谐振器分别由弹性波谐振器构成。弹性波滤波器例如是利用声表面波的声表面波滤波器。在声表面波滤波器中，多个串联臂谐振器以及多个并联臂谐振器例如分别是SAW(Surface Acoustic Wave，声表面波)谐振器。
如图1所示，三个发送滤波器131、132、133安装在安装基板9的第1主面91。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，三个发送滤波器131、132、133各自的外周形状是四边形状。如图4所示，构成了第2电子部件4的发送滤波器131例如具备基板401和电路部414。基板401具有在基板401的厚度方向上对置的第1主面411以及第2主面412。电路部414包括形成在基板401的第1主面411上的多个IDT(Interdigital Transducer，叉指换能器)电极415。此外，发送滤波器131包括间隔层417、盖构件418和多个外部电极45，作为封装构造的结构要素。发送滤波器131在从安装基板9的厚度方向D1俯视时为长方形状，但是不限于此，例如，也可以是正方形状。在发送滤波器131中，基板401是压电基板，例如，是钽酸锂基板或者铌酸锂基板。
间隔层417设置在基板401的第1主面411侧。间隔层417在从基板401的厚度方向俯视时包围多个IDT电极415。在从基板401的厚度方向俯视时，间隔层417是矩形框状。间隔层417具有电绝缘性。间隔层417的材料是环氧树脂、聚酰亚胺等。盖构件418是平板状。盖构件418配置在间隔层417上，使得在基板401的厚度方向上与基板401对置。盖构件418在基板401的厚度方向上与多个IDT电极415重叠，并且在基板401的厚度方向上从多个IDT电极415分离。盖构件418具有电绝缘性。盖构件418的材料是环氧树脂、聚酰亚胺等。发送滤波器131具有由基板401、间隔层417和盖构件418包围的空间S1。在空间S1中有气体。气体是空气、惰性气体(例如，氮气)等。多个外部电极45从盖构件418露出。
第2发送滤波器132以及第3发送滤波器133的构造与第1发送滤波器131的构造同样。
功率放大器111是功率放大用IC芯片。如图1以及2所示，功率放大器111安装在安装基板9的第1主面91。从安装基板9的厚度方向D1俯视时，功率放大器111的外周形状是四边形状。功率放大器111是包括基板和电路部的IC芯片，该基板具有相互对置的第1主面以及第2主面，该电路部形成在该基板的第1主面侧。基板例如是砷化镓基板。电路部包括与功率放大器111的输入端子连接的驱动器级放大器、和与驱动器级放大器的输出端连接的最终级放大器。驱动器级放大器以及最终级放大器分别包括放大用晶体管。放大用晶体管例如是HBT(Heterojunction Bipolar Transistor，异质结双极晶体管)。功率放大器111例如也可以包括直流切断用的电容器。功率放大器111倒装芯片安装在安装基板9的第1主面91，使得基板的第1主面及第2主面中的第1主面成为安装基板9的第1主面91侧。因此，在由功率放大器111构成的第3电子部件7中，功率放大器111具有的基板(砷化镓基板)的第2主面构成了第3电子部件7中的与安装基板9侧为相反侧的主面71。从安装基板9的厚度方向D1俯视时，包括功率放大器111的IC芯片的外周形状是四边形状。功率放大器111中的基板不限于砷化镓基板，例如，也可以是硅基板、硅锗基板或者氮化镓基板。此外，放大用晶体管不限于HBT，例如，也可以是双极晶体管或者FET(Field Effect Transistor，场效应晶体管)。FET例如是MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)。
输出匹配电路113中包括的第1电感器L1安装在安装基板9的第1主面91。从安装基板9的厚度方向D1俯视时，第1电感器L1的外周形状是四边形状。第1电感器L1是片式电感器。输出匹配电路113不限于仅包括第1电感器L1的情况，也可以包括电感器和电容器。此外，在功率放大器111为差动合成放大器的情况下，输出匹配电路113也可以包括变压器。
如图2所示，控制器115安装在安装基板9的第2主面92。从安装基板9的厚度方向D1俯视时，控制器115的外周形状是四边形状。控制器115例如是包括基板和电路部的IC芯片，该基板具有相互对置的第1主面以及第2主面，该电路部形成在该基板的第1主面侧。基板例如是硅基板。电路部包括根据来自信号处理电路301的控制信号而控制功率放大器111的控制电路。
三个接收滤波器171、172、173例如分别是梯形滤波器，具有多个(例如，四个)串联臂谐振器和多个(例如，三个)并联臂谐振器。三个接收滤波器171、172、173例如分别是弹性波滤波器。弹性波滤波器的多个串联臂谐振器以及多个并联臂谐振器分别由弹性波谐振器构成。弹性波滤波器例如是利用声表面波的声表面波滤波器。在声表面波滤波器中，多个串联臂谐振器以及多个并联臂谐振器例如分别是SAW谐振器。
如图1所示，三个接收滤波器171、172、173安装在安装基板9的第1主面91。从安装基板9的厚度方向D1俯视时，三个接收滤波器171、172、173各自的外周形状是四边形状。如图4所示，构成了第4电子部件10的接收滤波器171例如具备基板1001和电路部1014。基板1001具有在基板1001的厚度方向上对置的第1主面1011以及第2主面1012。电路部1014包括形成在基板1001的第1主面1011上的多个IDT电极1015。此外，接收滤波器171包括间隔层1017、盖构件1018和多个外部电极1045，作为封装构造的结构要素。接收滤波器171在从安装基板9的厚度方向D1俯视时为长方形状，但是不限于此，例如，也可以是正方形状。在接收滤波器171中，基板1001是压电基板，例如，是钽酸锂基板或者铌酸锂基板。
间隔层1017设置在基板1001的第1主面1011侧。间隔层1017在从基板1001的厚度方向俯视时包围多个IDT电极1015。在从基板1001的厚度方向俯视时，间隔层1017是矩形框状。间隔层1017具有电绝缘性。间隔层1017的材料是环氧树脂、聚酰亚胺等。盖构件1018是平板状。盖构件1018配置在间隔层1017上，使得在基板1001的厚度方向上与基板1001对置。盖构件1018在基板1001的厚度方向上与多个IDT电极1015重叠，并且在基板1001的厚度方向上从多个IDT电极1015分离。盖构件1018具有电绝缘性。盖构件1018的材料是环氧树脂、聚酰亚胺等。接收滤波器171具有由基板1001、间隔层1017和盖构件1018包围的空间S2。气体进入空间S2。气体是空气、惰性气体(例如，氮气)等。多个外部电极1045从盖构件1018露出。
第2接收滤波器172以及第3接收滤波器173的构造与第1接收滤波器171的构造同样。
如图2所示，低噪声放大器121安装在安装基板9的第2主面92。从安装基板9的厚度方向D1俯视时，低噪声放大器121的外周形状是四边形状。低噪声放大器121例如是包括基板和电路部的IC芯片，该基板具有相互对置的第1主面以及第2主面，该电路部形成在该基板的第1主面侧。基板例如是硅基板。电路部包括FET，作为将输入到低噪声放大器121的输入端子的接收信号放大的放大用晶体管。放大用晶体管不限于FET，例如，也可以是双极晶体管。低噪声放大器121倒装芯片安装在安装基板9的第2主面92，使得基板的第1主面及第2主面中的第1主面成为安装基板9的第2主面92侧。
如图1以及2所示，输入匹配电路123(参照图5)中包括的第2电感器L2安装在安装基板9的第1主面91。从安装基板9的厚度方向D1俯视时，第2电感器L2的外周形状是四边形状。第2电感器L2是片式电感器。输入匹配电路123不限于仅包括第2电感器L2的情况，也可以包括电感器和电容器。
图5所示的第1开关104、第2开关105以及第3开关106安装在安装基板9的第2主面92。从安装基板9的厚度方向D1俯视时，第1开关104、第2开关105以及第3开关106各自的外周形状是四边形状。第1开关104、第2开关105以及第3开关106例如分别是包括基板和电路部的IC芯片，该基板具有相互对置的第1主面以及第2主面，该电路部形成在该基板的第1主面侧。基板例如是硅基板。电路部包括多个FET，作为多个开关元件。多个开关元件分别不限于FET，例如，也可以是双极晶体管。第1开关104、第2开关105以及第3开关106分别倒装芯片安装在安装基板9的第2主面92，使得基板的第1主面及第2主面中的第1主面成为安装基板9的第2主面92侧。在高频模块100中，也可以是第1开关104、第2开关105和第3开关106中的两个或三个包括在一个IC芯片中。
如图2所示，多个外部连接端子8配置在安装基板9的第2主面92。所谓“外部连接端子8配置在安装基板9的第2主面92”，包括外部连接端子8与安装基板9的第2主面92机械连接的情况、和外部连接端子8与安装基板9(的适当的导体部)电连接的情况。多个外部连接端子8的材料例如是金属(例如，铜、铜合金等)。多个外部连接端子8分别是柱状电极。柱状电极例如是圆柱状的电极。多个外部连接端子8例如通过焊锡而与安装基板9的导体部接合，但是不限于此，例如，也可以使用导电性粘接剂(例如，导电性糊剂)进行接合，也可以直接接合。
如图2以及5所示，多个外部连接端子8包括天线端子81、信号输入端子82、信号输出端子83、多个(图5中仅图示一个)控制端子84和多个接地端子85。多个接地端子85与安装基板9的接地层电连接。接地层是高频模块100的电路接地，高频模块100的多个电路部件包括与接地层电连接的电路部件。
如图2所示，树脂层5(以下，也称为第1树脂层5)配置在安装基板9的第1主面91。第1树脂层5覆盖多个电路部件中的安装在安装基板9的第1主面91的第1组电路部件各自的外周面。这里，第1树脂层5覆盖第1电子部件1(第2电感器L2)的外周面13、第2电子部件4(发送滤波器131)的外周面43、第3电子部件7(功率放大器111)的外周面73和第4电子部件10(接收滤波器171)的外周面103。第1树脂层5包括树脂(例如，环氧树脂)。除了树脂之外，第1树脂层5也可以包括填料。
此外，高频模块100还具备配置在安装基板9的第2主面92的第2树脂层19。第2树脂层19覆盖安装在安装基板9的第2主面92的第2组电路部件、和多个外部连接端子8各自的外周面。第2树脂层19包括树脂(例如，环氧树脂)。除了树脂之外，第2树脂层19也可以包括填料。第2树脂层19的材料可以是与第1树脂层5的材料相同的材料，也可以是不同的材料。
导电层6覆盖第1树脂层5。导电层6具有导电性。在高频模块100中，导电层6是以高频模块100的内外的电磁屏蔽为目的而设置的。导电层6具有层叠了多个金属层的多层构造，但是不限于此，也可以是一个金属层。金属层包括一种或多种金属。导电层6覆盖第1树脂层5中的与安装基板9侧为相反侧的主面51、第1树脂层5的外周面53和安装基板9的外周面93。此外，导电层6还覆盖第2树脂层19的外周面193。导电层6与安装基板9具有的接地层的外周面的至少一部分接触。据此，能够使导电层6的电位与接地层的电位相同。
导电层6覆盖第1电子部件1中的安装基板9侧的主面11、第2电子部件4中的安装基板9侧的主面41和第4电子部件10中的安装基板9侧的主面101。导电层6与第1电子部件1中的安装基板9侧的主面11、第2电子部件4中的安装基板9侧的主面41以及第4电子部件10中的安装基板9侧的主面101相接。
(1.3)高频模块的详细构造
如图3所示，第1电子部件1具有电子部件主体2和多个(例如，两个)外部电极3。电子部件主体2具有在安装基板9的厚度方向D1(参照图2)上相互对置的第3主面23及第4主面24、和外周面25。电子部件主体2在第3主面23、第4主面24以及外周面25具有电绝缘性。在第1电子部件1中，电子部件主体2的第3主面23构成了第1电子部件1的主面11，并且与导电层6相接。多个外部电极3分别设置在电子部件主体2的第4主面24，并且未到达第3主面23。所谓多个外部电极3分别未到达第3主面23，是指多个外部电极3分别未设置在电子部件主体2的第3主面23。据此，在第1电子部件1中，多个外部电极3未与导电层6相接。多个外部电极3分别设置为跨电子部件主体2的第4主面24和电子部件主体2的外周面25。换言之，多个外部电极3分别包括设置在电子部件主体2的第4主面24的第1部分、和设置在电子部件主体2的外周面25并且与第1部分相连的第2部分。多个外部电极3分别也未到达电子部件主体2的第3主面23与外周面25之间的棱线。第1电子部件1是SMD，多个外部电极3通过由与多个外部电极3一对一地对应的接合部39接合于安装基板9，从而表面安装于安装基板9。接合部39的材料例如是焊锡。
电子部件主体2的材料包括陶瓷。电子部件主体2的第3主面23是电子部件主体2中由陶瓷形成的部分的一部分。构成第1电子部件1的电感器(第2电感器L2)是层叠陶瓷电感器。电子部件主体2具有多层陶瓷构造20。第2电感器L2具有连接在两个外部电极3之间的绕组部26。绕组部26设置在多层陶瓷构造20的内部。绕组部26包括多个导体层27和将安装基板9的厚度方向D1上相邻的两个导体层27彼此相连的过孔导体。多个导体层27在从安装基板9的厚度方向D1观察时例如是C字状。在第1电子部件1中，多层陶瓷构造20构成了电子部件主体2中的电绝缘体部21，由绕组部26和两个外部电极3构成了第1电子部件1中包括的电路元件15，绕组部26构成了在电子部件主体2中设置在电绝缘体部21内并且构成电路元件15的一部分的导体部14。第2电感器L2的卷绕轴是绕组部26的卷绕轴。第2电感器L2的卷绕轴沿着安装基板9的厚度方向D1(参照图2)。第2电感器L2的卷绕轴和安装基板9的厚度方向D1平行，但是不限于严格平行的情况，只要是大致平行即可。所谓大致平行，是指卷绕轴和厚度方向D1所成的角度为10度以下。第2电感器L2的卷绕轴不限于沿着安装基板9的厚度方向D1的方向，也可以是沿着与厚度方向D1正交的一个方向的方向。在实施方式1所涉及的高频模块100中的电子部件1中，“电子部件主体2”是电子部件1的多个外部电极3以外的部分，是包括电绝缘体部21和绕组部26的构造体，电绝缘体部21具有构成电子部件1的主面11的第3主面23以及构成电子部件1的外周面13的一部分的外周面25，绕组部26设置在电绝缘体部21内。电子部件主体2的大小与电子部件1的大小大致相同。电绝缘体部21的形状例如是长方体状。电绝缘体部21由被层叠的多个电介质层(陶瓷层)构成。
以下，为了便于说明，如图2所示，将与安装基板9的厚度方向D1正交并且包括安装基板9的第1主面91的至少一部分的平面规定为基准面RP1。在高频模块100中，第1电子部件1安装在安装基板9的第1主面91，使得第1电子部件1的厚度方向与安装基板9的厚度方向D1一致。第2电子部件4安装在安装基板9的第1主面91，使得第2电子部件4的厚度方向与安装基板9的厚度方向D1一致。第1电子部件1的主面11以及第2电子部件4的主面41分别与基准面RP1大致平行。在高频模块100中，安装基板9的厚度方向D1上的基准面RP1与第1电子部件1的主面11之间的第1距离H1，与安装基板9的厚度方向D1上的基准面RP1与第2电子部件4的主面41之间的第2距离H2相同。第1距离H1与第2距离H2相同，不仅限于严格相同的情况，只要第2距离H2在第1距离H1士15％的范围内即可，更优选在第1距离H1±10％的范围内，进一步优选在第1距离H1士5％的范围内。
在高频模块100中，第1电子部件1的主面11以及第2电子部件4的主面41分别是粗糙面。换言之，在高频模块100中，在第1电子部件1的主面11以及第2电子部件4的主面41分别形成有细微的凹凸。第1电子部件1的主面11也可以是比第1电子部件1的外周面13粗糙的状态。第2电子部件4的主面41也可以是比第2电子部件4的外周面43粗糙的状态。
在高频模块100中，第1电子部件1、第2电子部件4以及第3电子部件7安装在安装基板9的第1主面91，第3电子部件7比第1电子部件1以及第2电子部件4矮。换言之，安装基板9的厚度方向D1上的基准面RP1与第3电子部件7的主面71之间的第3距离H3比第1距离H1以及第2距离H2都短。树脂层5覆盖第3电子部件7的主面71。在高频模块100中，第1电子部件1的主面11以及第2电子部件4的主面41各自的最大高度粗糙度(Rz)大于第3电子部件7的主面71的最大高度粗糙度。第1电子部件1的主面11、第2电子部件4的主面41以及第3电子部件7的主面71各自的最大高度粗糙度是根据通过STEM(Scanning Transmission ElectronMicroscope，扫描透射电子显微镜)观察高频模块100的剖面时的STEM像而测量到的值。在电子部件1的主面11、第2电子部件4的主面41以及第3电子部件7的主面71的各个面中，最大高度粗糙度是STEM像中峰高度的最大值与谷深度的最大值之和。也就是说，最大高度粗糙度在电子部件1的主面11、第2电子部件4的主面41以及第3电子部件7的主面71的各个面中是凹凸的峰到谷(Peak to Valley)的值。电子部件1的主面11以及第2电子部件4的主面41各自的表面粗糙度，例如能够根据在制造高频模块100时通过磨削等使第1电子部件1以及第2电子部件4粗糙化的处理的条件而改变。在讨论最大高度粗糙度的相对大小关系时，最大高度粗糙度不限于根据STEM像而求出的值，例如，也可以是根据SEM(Scanning ElectronMicroscope，扫描电子显微镜)像而求出的值。
此外，在高频模块100中，安装基板9的厚度方向D1上的基准面RP1与第4电子部件10的主面101之间的第4距离H4和第1距离H1相同。第4距离H4和第1距离H1相同，不仪限于严格相同的情况，只要是第4距离H4在第1距离H1±15％的范围内即可，更优选在第1距离H1±10％的范围内，进一步优选在第1距离H1±5％的范围内。
此外，在高频模块100中，安装基板9的厚度方向D1上的基准面RP1与树脂层5的主面51之间的第5距离H5和第1距离H1相同。第5距离H5和第1距离H1相同，不仅限于严格相同的情况，只要是第5距离H5在第1距离H1±15％的范围内即可，更优选在第1距离H1±10％的范围内，进一步优选在第1距离H1±5％的范围内。
在高频模块100中，第1电子部件1的主面11和第2电子部件4的主面41和第4电子部件10的主面101和树脂层5的主面51大致齐平。
在高频模块100中，第1电子部件1和第2电子部件4的与导电层6相接的部分的材料互不相同。第1电子部件1中与导电层6相接的部分的材料是陶瓷，第2电子部件4中与导电层6相接的部分的材料是钽酸锂或者铌酸锂。在实施方式1所涉及的高频模块100中，第4电子部件10中与导电层6相接的部分的材料和第2电子部件4中与导电层6相接的部分的材料相同，但是也可以不同。
在实施方式1所涉及的高频模块100中，从实现散热性的提高的观点出发，优选导电层6遍及多个发送滤波器131、132、133各自的与安装基板9侧为相反侧的主面的整个区域相接。
(1.4)高频模块中的电路部件的布局
在高频模块100中，从安装基板9的厚度方向D1(参照图2)俯视时，如图1所示，在与功率放大器111和输出匹配电路113(参照图5)的第1电感器L1排列的方向平行的方向上，第1发送滤波器131、第2发送滤波器132以及第3发送滤波器133在从功率放大器111朝向第1电感器L1的方向上按照第1发送滤波器131、第2发送滤波器132以及第3发送滤波器133的顺序排列。
此外，在高频模块100中，从安装基板9的厚度方向D1俯视时，如图1所示，在与第1发送滤波器131、第2发送滤波器132以及第3发送滤波器133排列的方向平行的方向上，第1接收滤波器171、第2接收滤波器172以及第3接收滤波器173在从第1发送滤波器131朝向第3发送滤波器133的方向上按照第1接收滤波器171、第2接收滤波器172以及第3接收滤波器173的顺序排列。
从安装基板9的厚度方向D1俯视时，输入匹配电路123(参照图5)的第2电感器L2与接收滤波器171相邻(参照图1)。所谓“第2电感器L42与接收滤波器171相邻”，是指在从安装基板9的厚度方向D1俯视时在第2电感器L2与接收滤波器171之间没有安装在安装基板9的第1主面91的其他电路部件，第2电感器L2与接收滤波器171挨着。
在高频模块100中，从安装基板9的厚度方向D1俯视时，接收滤波器171与低噪声放大器121重叠(参照图2)。从安装基板9的厚度方向D1俯视时，接收滤波器171的一部分与低噪声放大器121的一部分重叠，但是不限于此，也可以接收滤波器171的全部与低噪声放大器121的全部重叠。此外，也可以接收滤波器171的全部与低噪声放大器121的一部分重叠，也可以低噪声放大器121的全部与接收滤波器171的一部分重叠。
在高频模块100中，从安装基板9的厚度方向D1俯视时，功率放大器111不与低噪声放大器121重叠(参照图2)。
(1.5)高频模块的制造方法
作为高频模块100的制造方法，例如，能够采用包括第1工序、第2工序、第3工序、第4工序和第5工序的制造方法。第1工序，是在安装基板9安装多个电路部件并且配置多个外部连接端子8的工序。第2工序，是在安装基板9的第1主面91侧形成覆盖第1组电路部件等并且成为第1树脂层5的基础的第1树脂材料层，并且在安装基板9的第2主面92侧形成成为第2树脂层19的基础的第2树脂材料层的工序。第3工序，是从第1树脂材料层中的与安装基板9侧为相反侧的主面磨削第1树脂材料层，进而磨削第1树脂材料层和第1电子部件1、第2电子部件4以及第4电子部件10，由此形成第1树脂层5并且分别使第1电子部件1、第2电子部件4以及第4电子部件10变薄的工序。第3工序中，通过磨削第1电子部件1、第2电子部件4以及第4电子部件10，从而使第1电子部件1的主面11、第2电子部件4的主面41以及第4电子部件10的主面101粗糙化(粗糙)。第4工序，是从第2树脂材料层中的与安装基板9侧为相反侧的主面磨削第2树脂材料层并且使多个外部连接端子8的顶端露出后，磨削第2树脂材料层和各外部连接端子8，由此形成第2树脂层19的工序。第5工序，是例如通过溅射法、蒸镀法或者印刷法，形成导电层6的工序，导电层6与第1树脂层5的主面51和第1电子部件1、第2电子部件4以及第4电子部件10各自的与安装基板9侧为相反侧的主面11、41以及101相接。
在由包括上述第3工序的制造方法制造的高频模块100中，第1树脂层5的主面51和第1电子部件1、第2电子部件4以及第4电子部件10各自的与安装基板9侧为相反侧的主面11、41以及101为粗糙面，有时具有磨削痕。在高频模块100的制造方法中，使磨削前的电子部件主体2中的多层陶瓷构造20的厚度较厚，使得在第1电子部件1中构成电路元件15的部分在第3工序中不被磨削。多层陶瓷构造20的厚度方向是沿着安装基板9的厚度方向D1的方向。在磨削前的第1电子部件1中，构成电路元件15的部分(绕组部26以及多个外部电极3)在多层陶瓷构造20的厚度方向上位于安装基板9侧。换言之，多层陶瓷构造20的厚度方向上的多层陶瓷构造20的与安装基板9侧为相反侧的面与绕组部26之间的最短距离，比多层陶瓷构造20的厚度方向上的多层陶瓷构造20的安装基板9侧的面与绕组部26之间的最短距离长。此外，多层陶瓷构造20的厚度方向上的多层陶瓷构造20的与安装基板9侧为相反侧的面与多个外部电极3之间的最短距离，比多层陶瓷构造20的厚度方向上的多层陶瓷构造20的安装基板9侧的面与多个外部电极3之间的最短距离长。
(2)效果
(2.1)高频模块
实施方式1所涉及的高频模块100具备安装基板9、电子部件1、树脂层5和导电层6。安装基板9具有相互对置的第1主面91以及第2主面92。电子部件1安装在安装基板9的第1主面91。树脂层5配置在安装基板9的第1主面91，覆盖电子部件1的外周面13。导电层6覆盖树脂层5中的与安装基板9侧为相反侧的主面51、和电子部件1中的与安装基板9侧为相反侧的主面11。电子部件1具有电子部件主体2和多个外部电极3。电子部件主体2包括电绝缘体部21和设置在电绝缘体部21内并且构成电子部件1的电路元件15的至少一部分的导体部14。电子部件主体2具有相互对置的第3主面23及第4主面24和外周面25。多个外部电极3设置在电子部件主体2。在电子部件1中，电子部件主体2的第3主面23构成了电子部件1的主面11，并且与导电层6相接。多个外部电极3分别设置在电子部件主体2的第4主面24，并且未到达第3主面23。
实施方式1所涉及的高频模块100能够增大电子部件1中包括的电路元件15的元件值。在电子部件的多个外部电极到达电子部件主体的第3主面的情况下，多个外部电极与导电层相接，与导电层相接的多个外部电极经由导电层而被短路。此外，在采用了上述那样的高频模块的制造方法的情况下，在第3工序中的磨削时需要磨削多个外部电极各自的一部分，磨削变得困难。实施方式1所涉及的高频模块100，因为即使电子部件1中的与安装基板9侧为相反侧的主面11和导电层6相接，多个外部电极3也不会与导电层6相接，所以能够实现安装基板9的厚度方向D1上的高频模块100的薄型化，能够增大电子部件1中包括的电路元件15的元件值。在实施方式1所涉及的高频模块100中，电子部件1中包括的电路元件15的元件值是电感。在实施方式1所涉及的高频模块100中，电子部件主体2的第3主面23构成了电子部件1的主面11，并且与导电层6相接，所以与电子部件1不与导电层6相接的情况相比，能够使电绝缘体部21的厚度变厚。据此，实施方式1所涉及的高频模块100能够增多构成电路元件15的一部分的导体部14即绕组部26的卷绕数(能够增加绕组部26中包括的导体层27以及过孔导体的数量)，能够增大电路元件15的电感。
(2.2)通信装置
实施方式1所涉及的通信装置300具备信号处理电路301和高频模块100。信号处理电路301与高频模块100连接。
实施方式1所涉及的通信装置300具备高频模块100，所以能够增大电子部件1中包括的电路元件15的元件值。
构成信号处理电路301的多个电子部件例如可以安装在上述电路基板，也可以安装在与安装有高频模块100的电路基板(第1电路基板)不同的电路基板(第2电路基板)。
(3)高频模块的变形例
(3.1)变形例1
参照图6来说明实施方式1的变形例1所涉及的高频模块100a。关于变形例1所涉及的高频模块100a，针对与实施方式1所涉及的高频模块100同样的结构要素，标注同一标记并且省略说明。
变形例1所涉及的高频模块100a在多个外部连接端子8为球凸起这方面与实施方式1所涉及的高频模块100不同。此外，变形例1所涉及的高频模块100a在不具备实施方式1所涉及的高频模块100的第2树脂层19(参照图2)这方面与实施方式1所涉及的高频模块100不同。变形例1所涉及的高频模块100a也可以具备底部填充部，该底部填充部设置于在安装基板9的第2主面92安装的第2组电路部件(例如，控制器115、低噪声放大器121)与安装基板9的第2主面92之间的间隙。
构成多个外部连接端子8的各个外部连接端子8的球凸起的材料例如是金、铜、焊锡等。
多个外部连接端子8也可以混合存在由球凸起构成的外部连接端子8和由柱状电极构成的外部连接端子8。
(3.2)变形例2
参照图7来说明实施方式1的变形例2所涉及的高频模块100b。关于变形例2所涉及的高频模块100b，针对与实施方式1所涉及的高频模块100同样的结构要素，标注同一标记并且省略说明。
变形例2所涉及的高频模块100b在控制器115安装在安装基板9的第1主面91这方面与实施方式1所涉及的高频模块100不同。
在变形例2所涉及的高频模块100b中，控制器115构成了第4电子部件10。树脂层5覆盖第4电子部件10的外周面103。导电层6覆盖第4电子部件10中的与安装基板9侧为相反侧的主面101。在第4电子部件10中，第4电子部件10的主面101与导电层6相接。
控制器115是包括基板1150和电路部1154的IC芯片。基板1150具有相互对置的第1主面1151以及第2主面1152。电路部1154形成在基板1150的第1主面1151侧。基板1150例如是硅基板。电路部1154包括按照来自信号处理电路301的控制信号控制功率放大器111的控制电路。
在变形例2所涉及的高频模块100b中，第1电子部件1(参照图2)、第2电子部件4(参照图2)和第4电子部件10的与导电层6相接的部分的材料互不相同。第1电子部件1中与导电层6相接的部分的材料是陶瓷。第2电子部件4中与导电层6相接的部分的材料是压电材料(钽酸锂或者铌酸锂)。第4电子部件10中与导电层6相接的部分的材料是硅。
(3.3)变形例3
参照图8～11来说明实施方式1的变形例3所涉及的高频模块100c。关于变形例3所涉及的高频模块100c，针对与实施方式1所涉及的高频模块100同样的结构要素，标注同一标记并且省略说明。
如图8所示，变形例3所涉及的高频模块100c在具备连接在发送滤波器131的输出端子和接收滤波器171的输入端子的连接点与第1开关104之间的匹配电路114这方面与实施方式1所涉及的高频模块100不同。
匹配电路114是用于取得发送滤波器131及接收滤波器171与第1开关104之间的阻抗匹配的电路。匹配电路114包括设置在连接点T1与第1开关104之间的信号路径r1上的电容器C3和连接在信号路径r1与接地之间的第3电感器L3，该连接点T1是发送滤波器131的输出端子与接收滤波器171的输入端子之间的连接点。
在变形例3所涉及的高频模块100c中，如图9以及10所示，输出匹配电路113的第1电感器L1安装在安装基板9的第2主面92。此外，在高频模块100c中，输入匹配电路123的第2电感器L2安装在安装基板9的第1主面91。此外，在高频模块100c中，匹配电路114的电容器C3安装在安装基板9的第1主面91。此外，在高频模块100c中，匹配电路114的第3电感器L3安装在安装基板9的第2主面92。从安装基板9的厚度方向D1俯视时，电容器C3位于发送滤波器131与接收滤波器171之间。在变形例3所涉及的高频模块100c中，第1电感器L1以及第3电感器L3各自的与安装基板9侧为相反侧的主面SL1以及SL3从第2树脂层19中的与安装基板9侧为相反侧的主面191露出。
在变形例3所涉及的高频模块100c中，电容器C3构成了第1电子部件1。如图11所示，第1电子部件1具有电子部件主体2和多个(例如，两个)外部电极3。电子部件主体2具有在安装基板9的厚度方向D1上相互对置的第3主面23及第4主面24、和外周面25。电子部件主体2在第3主面23、第4主面24以及外周面25具有电绝缘性。在第1电子部件1中，电子部件主体2的第3主面23构成了第1电子部件1的主面11，并且与导电层6相接。多个外部电极3分别设置在电子部件主体2的第4主面24，并且未到达第3主面23。据此，在第1电子部件1中，多个外部电极3不与导电层6相接。多个外部电极3分别设置为跨电子部件主体2的第4主面24和电子部件主体2的外周面25。多个外部电极3分别也未到达电子部件主体2的第3主面23与外周面25之间的棱线。
电子部件主体2的材料包括陶瓷。电子部件主体2的第3主面23是电子部件主体2中由陶瓷形成的部分的一部分。构成第1电子部件1的电容器C3是层叠陶瓷电容器。电子部件主体2具有多层陶瓷构造20、多个第1内部电极28和多个第2内部电极29。在电容器C3中，多个第1内部电极28与两个外部电极3中的一个外部电极3连接，多个第2内部电极29与两个外部电极3中的另一个外部电极3连接。对于电容器C3，多个第1内部电极28和多个第2内部电极29在安装基板9的厚度方向D1上各一个交替地相互分离地排列。在第1电子部件1中，多层陶瓷构造20构成了电子部件主体2中的电绝缘体部21，由多个第1内部电极28及多个第2内部电极29和两个外部电极3构成了第1电子部件1中包括的电路元件15。电路元件15的元件值是电容。在第1电子部件1中，多层陶瓷构造20构成了电子部件主体2中的电绝缘体部21，由多个第1内部电极28及多个第2内部电极29和两个外部电极3构成了第1电子部件1中包括的电路元件15，多个第1内部电极28以及多个第2内部电极29构成了在电子部件主体2中设置在电绝缘体部21内并且构成电路元件15的一部分的导体部14。在变形例3所涉及的高频模块100c中的电子部件1中，“电子部件主体2”是电子部件1的多个外部电极3以外的部分，是包括电绝缘体部21和多个第1内部电极28及多个第2内部电极29的构造体，电绝缘体部21具有构成电子部件1的主面11的第3主面23以及构成电子部件1的外周面13的一部分的外周面25，多个第1内部电极28及多个第2内部电极29设置在电绝缘体部21内。电子部件主体2的大小与电子部件1的大小大致相同。电绝缘体部21的形状例如是长方体状。电绝缘体部21由被层叠的多个电介质层(陶瓷层)构成。
此外，变形例3所涉及的高频模块100c具备IC芯片108，该IC芯片108包括低噪声放大器121和第1开关104(参照图9以及图10)。如图10所示，IC芯片108安装在安装基板9的第2主面92。此外，虽然未图示，但是在安装基板9的第2主面92安装有在向低噪声放大器121等供给电源的路径上配置的具有旁路电容器的功能的电容器。在图10所记载的变形例3的结构中，安装在安装基板9的第2主面92的第1电感器L1、第3电感器L3以及旁路电容器等，换言之，安装在安装基板9的第2主面92的SMD中的与安装基板9侧为相反侧的主面，被配置为与第2树脂层19中的与安装基板9侧为相反侧的主面191处于同一面，SMD中的与安装基板9侧为相反侧的主面从第2树脂层19的主面191露出。通过这种结构，能够使高频模块100c薄型化。此外，在制造高频模块100c时，通过对第2树脂层19、配置在安装基板9的第2主面92的SMD以及多个外部连接端子8分别从安装基板9侧的相反侧进行磨削，能够进一步使高频模块100c薄型化。
从安装基板9的厚度方向D1俯视时，如图9所示，接收滤波器171与IC芯片108重叠。从安装基板9的厚度方向D1俯视时，接收滤波器171的全部与IC芯片108的一部分重叠，但是不限于此，也可以接收滤波器171的全部与IC芯片108的全部重叠。此外，也可以接收滤波器171的一部分与IC芯片108的全部重叠，也可以接收滤波器171的一部分与IC芯片108的一部分重叠。此外，在变形例3所涉及的高频模块100c中，也可以三个接收滤波器171、172、173与IC芯片108重叠。
在高频模块100c中，从安装基板9的厚度方向D1俯视时，如图9所示，发送滤波器131不与IC芯片108重叠。
在变形例3所涉及的高频模块100c中，与实施方式1所涉及的高频模块100同样地，电子部件1中的电子部件主体2的第3主面23构成了电子部件1的主面11，并且与导电层6相接。此外，多个外部电极3分别设置在电子部件主体2的第4主面24，未到达第3主面23。据此，变形例3所涉及的高频模块100c能够增大电子部件1中包括的电路元件15的元件值(电容)。在变形例3所涉及的高频模块100c中，与实施方式1所涉及的高频模块100同样地，电子部件主体2的第3主面23构成了电子部件1的主面11，并且与导电层6相接，所以与电子部件1不与导电层6相接的情况相比，能够使电绝缘体部21的厚度变厚。据此，变形例3所涉及的高频模块100c能够增加构成电路元件15的一部分的导体部14中包括的第1内部电极28以及第2内部电极29的数量(能够增加第1内部电极28和第2内部电极29的对数)，能够增大电路元件15的电容。
(实施方式2)
参照图12以及13来说明实施方式2所涉及的高频模块100d。关于实施方式2所涉及的高频模块100d，针对与实施方式1所涉及的高频模块100同样的结构要素，标注同一标记并且省略说明。另外，实施方式2所涉及的高频模块100d，与实施方式1的变形例3所涉及的高频模块100c同样地，具备包括低噪声放大器121和第1开关104的IC芯片108。如图12所示，IC芯片108安装在安装基板9的第2主面92。
在实施方式2所涉及的高频模块100d中，第2电子部件4的多个外部电极45中的一部分外部电极45与导电层6相接。与导电层6相接的外部电极45在第2电子部件4的厚度方向上贯穿。
在实施方式2所涉及的高频模块100d中，如图13所示，发送滤波器131以及接收滤波器171的构造与实施方式1所涉及的高频模块100中的发送滤波器131以及接收滤波器171的构造不同。
在实施方式2所涉及的高频模块100d中的发送滤波器131中，基板401是硅基板，包括设置在基板401的第1主面411上的低声速膜420、和设置在低声速膜420上的压电体层430。在发送滤波器131中，由基板401、低声速膜420和压电体层430构成了压电性基板。在发送滤波器131中，在压电体层430上形成有包括多个IDT电极415的电路部414。
低声速膜420在从基板401的厚度方向俯视时位于从基板401的外周分离的位置。发送滤波器131还包括覆盖基板401的第1主面411中的未被低声速膜420覆盖的区域的绝缘层450。绝缘层450具有电绝缘性。绝缘层450沿着基板401的外缘形成在基板401的第1主面411上。绝缘层450包围多个IDT电极415。从基板401的厚度方向俯视时，绝缘层450是框形状(例如，矩形框状)。绝缘层450的一部分在基板401的厚度方向上与压电体层430的外周部重叠。压电体层430的外周面以及低声速膜420的外周面被绝缘层450覆盖。绝缘层450的材料是环氧树脂、聚酰亚胺等。
压电体层430的材料例如是铌酸锂或者钽酸锂。低声速膜420是在低声速膜420传播的体波的声速比在压电体层430传播的体波的声速低的膜。低声速膜420的材料例如是氧化硅，但是不限于氧化硅。在基板401中，在基板401传播的体波的声速比在压电体层430传播的弹性波的声速高。这里，在基板401传播的体波，是在基板401传播的多个体波中的声速最低的体波。
发送滤波器131也可以还具有设置在基板401与低声速膜420之间的高声速膜。高声速膜是在高声速膜传播的体波的声速比在压电体层430传播的弹性波的声速高的膜。高声速膜的材料例如是氮化硅，但是不限于氮化硅，也可以包括从由类金刚石碳、氮化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石、氧化镁以及金刚石构成的组中选择的至少一种材料。
在将由IDT电极415的电极指周期决定的弹性波的波长设为λ时，压电体层430的厚度例如为3.5λ以下。低声速膜420的厚度例如为2.0λ以下。
发送滤波器131也可以包括例如介于低声速膜420与压电体层430之间的紧贴层。紧贴层例如包括树脂(环氧树脂、聚酰亚胺树脂)。此外，发送滤波器131也可以在低声速膜420与压电体层430之间、压电体层430上或者低声速膜420下的任意处具备电介质膜。
与导电层6相接的外部电极45贯穿基板401、绝缘层450、间隔层417和盖构件418。与导电层6相接的外部电极45中的贯穿基板401的部分例如是TSV(through-silicon via，硅通孔)。
在实施方式2所涉及的高频模块100d中的接收滤波器171中，基板1001是硅基板，包括设置在基板1001的第1主面1011上的低声速膜1020、和设置在低声速膜1020上的压电体层1030。在接收滤波器171中，由基板1001、低声速膜1020和压电体层1030构成了压电性基板。在接收滤波器171中，在压电体层1030上形成有包括多个IDT电极1015的电路部1014。
低声速膜1020在从基板1001的厚度方向俯视时位于从基板1001的外周分离的位置。接收滤波器171还包括覆盖基板1001的第1主面1011中的未被低声速膜1020覆盖的区域的绝缘层1050。绝缘层1050具有电绝缘性。绝缘层1050沿着基板1001的外缘形成在基板1001的第1主面1011上。绝缘层1050包围多个IDT电极1015。从基板1001的厚度方向俯视时，绝缘层1050是框形状(例如，矩形框状)。绝缘层1050的一部分在基板1001的厚度方向上与压电体层1030的外周部重叠。压电体层1030的外周面以及低声速膜1020的外周面被绝缘层1050覆盖。绝缘层1050的材料是环氧树脂、聚酰亚胺等。
压电体层1030的材料例如是铌酸锂或者钽酸锂。低声速膜1020是在低声速膜1020传播的体波的声速比在压电体层1030传播的体波的声速低的膜。低声速膜1020的材料例如是氧化硅，但是不限于氧化硅，也可以包括从由氧化钽以及在氧化硅加入了氟、碳或硼而得到的化合物构成的组中选择的至少一种材料。
接收滤波器171也可以还具有设置在基板1001与低声速膜1020之间的高声速膜。
实施方式2所涉及的高频模块100d，与实施方式1所涉及的高频模块100同样地，电子部件1中的电子部件主体2的第3主面23(参照图3)构成了电子部件1的主面11，并且与导电层6相接。此外，多个外部电极3分别设置在电子部件主体2的第4主面24，并且未到达第3主面23(参照图3)。据此，实施方式2所涉及的高频模块100d能够增大电子部件1中包括的电路元件15(参照图3)的元件值(电感)。
此外，实施方式2所涉及的高频模块100d因为与导电层6相接的外部电极45在第2电子部件4的厚度方向上贯穿，所以能够增强构成第2电子部件4的发送滤波器131的接地。
(其他变形例)
上述实施方式1～2等只不过是本发明的各种实施方式之一。上述实施方式1～2等，只要能够实现本发明的目的，则能够根据设计等进行各种变更，也可以适当组合互不相同的实施方式的互不相同的结构要素。
例如，在第1电子部件1中，多个外部电极3分别不限于设置为跨电子部件主体2的第4主面24和外周面25的情况，只要设置于第4主面24和外周面25中的第4主面24即可。
此外，第1电子部件1不限于电感器或者电容器，例如，也可以是图14所示那样的LC滤波器。由图14所示的LC滤波器构成的第1电子部件1具有四个设置为跨电子部件主体2的第4主面24和外周面25的外部电极3。四个外部电极3包括相当于LC滤波器的输入端子的外部电极3、相当于LC滤波器的输出端子的外部电极3、和相当于LC滤波器的两个接地端子的两个外部电极3。在第1电子部件1是LC滤波器的情况下，第1电子部件1中包括的电路元件是电感器以及电容器。LC滤波器例如是低通滤波器或者高通滤波器。在LC滤波器例如是低通滤波器的情况下，LC滤波器设置在天线端子81(参照图5)与第1开关104(参照图5)之间的信号路径上。
在高频模块100a、100b、100c、100d中，树脂层5不仅限于覆盖第1电子部件1的外周面13的全部的情况，只要覆盖外周面13的至少一部分即可。此外，树脂层5不仅限于覆盖第2电子部件4的外周面43的全部的情况，只要覆盖外周面43的至少一部分即可。此外，树脂层5不仅限于覆盖第3电子部件7的外周面73的全部的情况，只要覆盖外周面73的至少一部分即可。此外，树脂层5不仅限于覆盖第3电子部件7的主面71的全部的情况，只要覆盖主面71的至少一部分即可。此外，树脂层5不仅限于覆盖第4电子部件10的外周面103的全部的情况，只要覆盖至少一部分即可。
此外，在高频模块100a、100b、100c、100d中，导电层6不仅限于覆盖树脂层5的主面51的全部的情况，只要覆盖树脂层5的主面51的至少一部分即可。此外，导电层6不仅限于覆盖第1电子部件1的主面11的全部的情况，只要覆盖第1电子部件1的主面11的至少一部分即可。此外，导电层6不仅限于覆盖第2电子部件4的主面41的全部的情况，只要覆盖第2电子部件4的主面41的至少一部分即可。此外，导电层6不仅限于覆盖第4电子部件10的主面101的全部的情况，只要覆盖第4电子部件10的主面101的至少一部分即可。
此外，在高频模块100中，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，第1电子部件1也可以位于输出匹配电路113中包括的第1电感器L1与输入匹配电路123中包括的第2电感器L2之间。在该情况下，在高频模块100中，能够抑制输出匹配电路113中包括的第1电感器L1与输入匹配电路123中包括的第2电感器L2的电磁耦合。
此外，在高频模块100a、100b、100c、100d中，安装在安装基板9的第2主面92的第2组电路部件也可以安装在第1主面91，而非安装基板9的第2主面92。在该情况下，在高频模块100a、100b、100c、100d中，在安装基板9的第2主面92一个电路部件都没有安装。
此外，在高频模块100、100b、100d中，与高频模块100c同样地，安装在安装基板9的第2主面92的电路部件(第2主面侧电子部件)中的与安装基板9侧为相反侧的主面，也可以从第2树脂层19中的与安装基板9侧为相反侧的主面191露出。据此，高频模块100、100b、100d能够实现薄型化。安装在安装基板9的第2主面92并且与安装基板9侧为相反侧的主面露出的电路部件，例如是电容器、电感器、LC滤波器、弹性波滤波器或者IC芯片中的任意一种。此外，安装在安装基板9的第2主面92并且与安装基板9侧为相反侧的主面露出的电路部件，是层叠陶瓷电容器、或者形成在硅基板上的电容器。
此外，多个发送滤波器131～133以及多个接收滤波器171～173分别不限于声表面波滤波器，例如，也可以是BAW(Bulk Acoustic Wave，体声波)滤波器。BAW滤波器中的谐振器例如是FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator，薄膜体声波谐振器)或者SMR(SolidlyMounted Resonator，固体装配型谐振器)。BAW滤波器具有基板。基板例如是硅基板。
此外，多个发送滤波器131～133以及多个接收滤波器171～173分别不限于梯形滤波器，例如，也可以是纵耦合谐振器型声表面波滤波器。
此外，上述弹性波滤波器是利用声表面波或者体声波的弹性波滤波器，但是不限于此，例如，也可以是利用声边界波、板波等的弹性波滤波器。
高频模块100～100d的电路结构不限于上述的例子。此外，作为电路结构，高频模块100～100d例如也可以具有对应MIMO(Multi Input Multi Output，多输入多输出)的高频前端电路。
此外，实施方式1所涉及的通信装置300也可以具备高频模块100a、100b、100c、100d的任意一个来代替高频模块100。
(方式)
本说明书中公开了以下的方式。
第1方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)具备安装基板(9)、电子部件(1)、树脂层(5)和导电层(6)。安装基板(9)具有相互对置的第1主面(91)以及第2主面(92)。电子部件(1)安装在安装基板(9)的第1主面(91)。树脂层(5)配置在安装基板(9)的第1主面(91)，并且覆盖电子部件(1)的外周面(13)的至少一部分。导电层(6)覆盖树脂层(5)中的与安装基板(9)侧为相反侧的主面(51)的至少一部分、和电子部件(1)中的与安装基板(9)侧为相反侧的主面(11)的至少一部分。电子部件(1)具有电子部件主体(2)和多个外部电极(3)。电子部件主体(2)包括电绝缘体部(21)和设置在电绝缘体部(21)内并且构成电子部件(1)的电路元件(15)的至少一部分的导体部(14)。电子部件主体(2)具有相互对置的第3主面(23)及第4主面(24)和外周面(25)。在电子部件(1)中，电子部件主体(2)的第3主面(23)构成了电子部件(1)的主面(11)，并且与导电层(6)相接。多个外部电极(3)分别设置在电子部件主体(2)的第4主面(24)，并且未到达第3主面(23)。
第1方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)能够增大电子部件(1)中包括的电路元件(15)的元件值。
在第2方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)中，根据第1方式，多个外部电极(3)分别设置为跨电子部件主体(2)的第4主面(24)和电子部件主体(2)的外周面(25)。
在第2方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)中，能够实现安装基板(9)与电子部件(1)的接合强度的提高。
在第3方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)中，根据第1或2方式，电子部件(1)是电容器、电感器或者LC滤波器的任意一种。
在第3方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)中，在电子部件(1)为电容器(C3)的情况下，能够增大电容，在电子部件(1)为电感器(第2电感器L2)的情况下，能够增大电感，在电子部件(1)为LC滤波器的情况下，能够增大LC滤波器中包括的电感器的电感和LC滤波器中包括的电容器的电容中的至少一个。
在第4方式所涉及的高频模块中，根据第3方式，电绝缘体部(多层陶瓷构造20)的材料包括陶瓷。电子部件主体(2)的第3主面(23)是电子部件主体(2)中由陶瓷形成的部分的一部分。
在第5方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)中，根据第4方式，电子部件(1)是层叠陶瓷电容器、层叠陶瓷电感器或者层叠陶瓷LC滤波器。
第6方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)，根据第1～5方式中的任一个，还具备与作为电子部件(1)的第1电子部件(1)不同的安装在安装基板(9)的第1主面(91)的第2电子部件(4)。树脂层(5)覆盖第2电子部件(4)的外周面(43)的至少一部分。导电层(6)覆盖第2电子部件(4)中的与安装基板(9)侧为相反侧的主面(41)的至少一部分。在第2电子部件(4)中，第2电子部件(4)的主面(41)与导电层(6)相接。
第6方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)能够实现高频模块(100；100a；100b；100c；100d)的薄型化。
在第7方式所涉及的高频模块(100d)中，根据第6方式，第2电子部件(4)具有多个外部电极(45)。第2电子部件(4)的多个外部电极(45)中的一部分外部电极(45)与导电层(6)相接。
第7方式所涉及的高频模块(100d)能够将第2电子部件(4)的一部分外部电极(45)与导电层(6)电连接。
在第8方式所涉及的高频模块(100d)中，根据第7方式，多个外部电极(45)中的一部分外部电极(45)在第2电子部件(4)的厚度方向上贯穿。
第8方式所涉及的高频模块(100d)能够增强第2电子部件(4)的接地。
在第9方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)中，根据第6～8方式的任一个，第2电子部件(4)包括基板(401)和电路部(414)。基板(401)具有相互对置的第1主面(411)以及第2主面(412)。电路部(414)形成在基板(401)的第1主面(411)侧。在第2电子部件(4)中，基板(401)的第2主面(412)构成了第2电子部件(4)的主面(41)。第2电子部件(4)是弹性波滤波器或者IC芯片。
在第10方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c)中，根据第9方式，第2电子部件(4)是弹性波滤波器。基板(401)是钽酸锂基板或者铌酸锂基板。
在第11方式所涉及的高频模块(100d)中，根据第9方式，基板(401)是硅基板。
在第12方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)中，根据第6～11方式的任一个，在将与安装基板(9)的厚度方向(D1)正交并且包括第1主面(91)的至少一部分的平面设为基准面(RP1)时，基准面(RP1)与第1电子部件(1)的主面(11)之间的第1距离(H1)和基准面(RP1)与第2电子部件(4)的主面(41)之间的第2距离(H2)相同。
第12方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)能够实现安装基板(9)的厚度方向(D1)上的薄型化。
在第13方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)中，根据第6～12方式的任一个，第1电子部件(1)的主面(11)以及第2电子部件(4)的主面(41)分别是粗糙面。
第13方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)能够提高第1电子部件(1)的主面(11)及第2电子部件(4)的主面(41)与导电层(6)之间的紧贴性。
第14方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)，根据第13方式，还具备第3电子部件(7)。第3电子部件(7)安装在安装基板(9)的第1主面(91)，并且比第1电子部件(1)以及第2电子部件(4)矮。树脂层(5)覆盖第3电子部件(7)中的与安装基板(9)侧为相反侧的主面(71)。第1电子部件(1)的主面(11)以及第2电子部件(4)的主面(41)各自的最大高度粗糙度大于第3电子部件(7)的主面(71)的最大高度粗糙度。
第14方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)能够提高第1电子部件(1)的主面(11)及第2电子部件(4)的主面(41)与导电层(6)之间的紧贴性。
第15方式所涉及的高频模块(100b)，根据第14方式，还具备安装在安装基板(9)的第1主面(91)的第4电子部件(10)。树脂层(5)覆盖第4电子部件（10)的外周面(103)的至少一部分。导电层(6)覆盖第4电子部件（10)中的与安装基板(9)侧为相反侧的主面(101)的至少一部分。在第4电子部件（10)中，第4电子部件（10)的主面(101)与导电层(6)相接。第1电子部件(1)、第2电子部件(4)和第4电子部件（10)的与导电层(6)相接的部分的材料互不相同。
第16方式所涉及的高频模块(100c)，根据第6～14方式的任一个，还具备第4电子部件（10)。第4电子部件（10)安装在安装基板(9)的第1主面(91)。第2电子部件(4)是发送滤波器(131)。第4电子部件(10)是接收滤波器(171)。第1电子部件(1)在从安装基板(9)的厚度方向(D1)俯视时位于第2电子部件(4)与第4电子部件(10)之间。
第16方式所涉及的高频模块(100c)能够抑制构成第2电子部件(4)的发送滤波器(131)与构成第4电子部件(10)的接收滤波器(171)的电磁耦合。此外，第16方式所涉及的高频模块(100c)因为作为第2电子部件(4)的发送滤波器(131)与导电层(6)相接，所以能够抑制发送滤波器(131)的温度上升。据此，高频模块(100c)能够实现发送滤波器(131)的温度特性的稳定化，能够实现高频模块(100c)的特性的稳定化。
第17方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)，根据第1～16方式的任一个，还具备功率放大器(111)、输出匹配电路(113)、低噪声放大器(121)和输入匹配电路(123)。功率放大器(111)安装在安装基板(9)的第1主面(91)。输出匹配电路(113)与功率放大器(111)的输出端子连接。低噪声放大器(121)安装在安装基板(9)的第2主面(92)。输入匹配电路(123)与低噪声放大器(121)的输入端子连接。输出匹配电路(113)包括第1电感器(L1)。输入匹配电路(123)包括第2电感器(L2)。电子部件(1)在从安装基板(9)的厚度方向(D1)俯视时位于第1电感器(L1)与第2电感器(L2)之间。
第17方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)能够抑制输出匹配电路(113)中包括的第1电感器(L1)与输入匹配电路(123)中包括的第2电感器(L2)的电磁耦合。
第18方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)，根据第1～17方式的任一个，还具备多个外部连接端子(8)。多个外部连接端子(8)配置在安装基板(9)的第2主面(92)。多个外部连接端子(8)包括与导电层(6)连接的接地端子(85)。
第18方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)能够使导电层(6)的电位与接地端子(85)的电位大致相同。
第19方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)，根据第1～18方式的任一个，还具备安装在安装基板(9)的第2主面(92)的电路部件(第1电感器L1、第3电感器L3)。
第19方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)能够实现从安装基板(9)的厚度方向(D1)俯视时的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)的小型化。
在第20方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)中，根据第19方式，电路部件是电容器、电感器、LC滤波器、弹性波滤波器或者IC芯片。
在第20方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)中，在电路部件为电容器的情况下，能够增大电容，在电路部件为电感器(第1电感器L1、第3电感器L3)的情况下，能够增大电感，在电路部件为LC滤波器的情况下，能够增大LC滤波器中包括的电感器的电感和LC滤波器中包括的电容器的电容中的至少一个。
在第21方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)中，根据第20方式，电路部件是层叠陶瓷电容器或者形成在硅基板上的电容器。
第22方式所涉及的高频模块(100；100b；100c；100d)，根据第19～21方式的任一个，还具备与作为树脂层(5)的第1树脂层(5)不同的第2树脂层(19)。第2树脂层(19)配置在安装基板(9)的第2主面(92)，并且覆盖电路部件的外周面的至少一部分。
第22方式所涉及的高频模块(100；100b；100c；100d)能够通过第2树脂层(19)来保护电路部件。
在第23方式所涉及的高频模块(100；100b；100c；100d)中，根据第22方式，电路部件(第1电感器L1、第3电感器L3)中的与安装基板(9)侧为相反侧的主面(SL1、SL3)从第2树脂层(19)中的与安装基板(9)侧为相反侧的主面(191)露出。
第23方式所涉及的高频模块(100；100b；100c；100d)能够实现薄型化。
第24方式所涉及的通信装置(300)具备第1～23方式的任一个方式的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)和信号处理电路(301)。信号处理电路(301)与高频模块(100；100a；100b；100c；100d)连接。
在第24方式所涉及的通信装置(300)中，能够增大电子部件(1)中包括的电路元件(15)的元件值。
附图标记说明
1 电子部件(第1电子部件)
11 主面(第1主面)
13 外周面
14 导体部
15 电路元件
2 电子部件主体
20 多层陶瓷构造
21 电绝缘体部
23 第3主面
24 第4主面
25 外周面
26 绕组部
27 导体层
28 第1内部电极
29 第2内部电极
3 外部电极
4 第2电子部件
41 主面
43 外周面
45 外部电极
401 基板
411 第1主面
412 第2主面
414 电路部
415 IDT电极
417 间隔层
418 盖构件
420 低声速膜
430 压电体层
5 树脂层(第1树脂层)
51 主面
53 外周面
6 导电层
7 第3电子部件
8 外部连接端子
81 天线端子
82 信号输入端子
83 信号输出端子
84 控制端子
85 接地端子
9 安装基板
91 第1主面
92 第2主面
93 外周面
10 第4电子部件
101 主面
103 外周面
1045 外部电极
1001 基板
1011 第1主面
1012 第2主面
1014 电路部
1015 IDT电极
1017 间隔层
1018 盖构件
19 第2树脂层
191 主面
193 外周面
104 第1开关
140 共同端子
141、142、143 选择端子
105 第2开关
150 共同端子
151、152、153 选择端子
106 第3开关
160 共同端子
161、162、163 选择端子
108 IC芯片
111 功率放大器
113 输出匹配电路
114 匹配电路
115 控制器
1150 基板
1151 第1主面
1152 第2主面
1154 电路部
121 低噪声放大器
123 输入匹配电路
131 发送滤波器(第1发送滤波器)
132 发送滤波器(第2发送滤波器)
133 发送滤波器(第3发送滤波器)
171 接收滤波器(第1接收滤波器)
172 接收滤波器(第2接收滤波器)
173 接收滤波器(第3接收滤波器)
100、100a、100b、100c、100d 高频模块
300 通信装置
301 信号处理电路
302 RF信号处理电路
303 基带信号处理电路
310 天线
C3 电容器
D1 厚度方向
H1 第1距离
H2 第2距离
H3 第3距离
H4 第4距离
H5 第5距离
L1 第1电感器
SL1 主面
L2 第2电感器
L3 第3电感器
SL3 主面
r1 信号路径
T1 连接点。

Claims (24)

1.一种高频模块，具备：
安装基板，其具有相互对置的第1主面以及第2主面；
电子部件，其安装在所述安装基板的所述第1主面；
树脂层，其配置在所述安装基板的所述第1主面，并且覆盖所述电子部件的外周面的至少一部分；以及
导电层，其覆盖所述树脂层中的与所述安装基板侧为相反侧的主面的至少一部分和所述电子部件中的与所述安装基板侧为相反侧的主面的至少一部分，
所述电子部件具有：
电子部件主体，其包括电绝缘体部和设置在所述电绝缘体部内并且构成所述电子部件的电路元件的至少一部分的导体部，并且具有相互对置的第3主面及第4主面和外周面；以及
多个外部电极，
在所述电子部件中，
所述电子部件主体的所述第3主面构成了所述电子部件的所述主面，并且与所述导电层相接，
所述多个外部电极分别设置在所述电子部件主体的所述第4主面，并且未到达所述第3主面。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其中，
所述多个外部电极分别设置为跨所述电子部件主体的所述第4主面和所述电子部件主体的所述外周面。
3.根据权利要求1或2所述的高频模块，其中，
所述电子部件是电容器、电感器或者LC滤波器中的任意一种。
4.根据权利要求3所述的高频模块，其中，
所述电绝缘体部的材料包括陶瓷，
所述电子部件主体的所述第3主面是所述电子部件主体中由陶瓷形成的部分的一部分。
5.根据权利要求4所述的高频模块，其中，
所述电子部件是层叠陶瓷电容器、层叠陶瓷电感器或者层叠陶瓷LC滤波器。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的高频模块，其中，
所述高频模块还具备安装在所述安装基板的所述第1主面的第2电子部件，所述第2电子部件与作为所述电子部件的第1电子部件不同，
所述树脂层覆盖所述第2电子部件的外周面的至少一部分，
所述导电层覆盖所述第2电子部件中的与所述安装基板侧为相反侧的主面的至少一部分，
在所述第2电子部件中，所述第2电子部件的所述主面与所述导电层相接。
7.根据权利要求6所述的高频模块，其中，
所述第2电子部件具有多个外部电极，
所述第2电子部件的所述多个外部电极中的一部分外部电极与所述导电层相接。
8.根据权利要求7所述的高频模块，其中，
所述多个外部电极中的所述一部分外部电极在所述第2电子部件的厚度方向上贯穿。
9.根据权利要求6至8中的任一项所述的高频模块，其中，
所述第2电子部件包括：
基板，其具有相互对置的第1主面以及第2主面；以及
电路部，其形成在所述基板的所述第1主面侧，
在所述第2电子部件中，所述基板的所述第2主面构成了所述第2电子部件的所述主面，
所述第2电子部件是弹性波滤波器或者IC芯片。
10.根据权利要求9所述的高频模块，其中，
所述第2电子部件是弹性波滤波器，
所述基板是钽酸锂基板或者铌酸锂基板。
11.根据权利要求9所述的高频模块，其中，
所述基板是硅基板。
12.根据权利要求6至11中的任一项所述的高频模块，其中，
在将与所述安装基板的厚度方向正交并且包括所述第1主面的至少一部分的平面设为基准面时，
所述基准面与所述第1电子部件的所述主面之间的第1距离和所述基准面与所述第2电子部件的所述主面之间的第2距离相同。
13.根据权利要求6至12中的任一项所述的高频模块，其中，
所述第1电子部件的所述主面以及所述第2电子部件的所述主面分别是粗糙面。
14.根据权利要求13所述的高频模块，其中，
所述高频模块还具备第3电子部件，所述第3电子部件安装在所述安装基板的所述第1主面，并且比所述第1电子部件以及所述第2电子部件矮，
所述树脂层覆盖所述第3电子部件中的与所述安装基板侧为相反侧的主面，
所述第1电子部件的所述主面以及所述第2电子部件的所述主面各自的最大高度粗糙度，大于所述第3电子部件的所述主面的最大高度粗糙度。
15.根据权利要求14所述的高频模块，其中，
所述高频模块还具备安装在所述安装基板的所述第1主面的第4电子部件，
所述树脂层覆盖所述第4电子部件的外周面的至少一部分，
所述导电层覆盖所述第4电子部件中的与所述安装基板侧为相反侧的主面的至少一部分，
在所述第4电子部件中，所述第4电子部件的所述主面与所述导电层相接，
所述第1电子部件、所述第2电子部件和所述第4电子部件的与所述导电层相接的部分的材料互不相同。
16.根据权利要求6至14中的任一项所述的高频模块，其中，
所述高频模块还具备安装在所述安装基板的所述第1主面的第4电子部件，
所述第2电子部件是发送滤波器，
所述第4电子部件是接收滤波器，
所述第1电子部件在从所述安装基板的厚度方向俯视时位于所述第2电子部件与所述第4电子部件之间。
17.根据权利要求1至16中的任一项所述的高频模块，其中，
所述高频模块还具备：
功率放大器，其安装在所述安装基板的所述第1主面；
输出匹配电路，其与所述功率放大器的输出端子连接；
低噪声放大器，其安装在所述安装基板的所述第2主面；以及
输入匹配电路，其与所述低噪声放大器的输入端子连接，
所述输出匹配电路包括第1电感器，
所述输入匹配电路包括第2电感器，
所述电子部件在从所述安装基板的厚度方向俯视时位于所述第1电感器与所述第2电感器之间。
18.根据权利要求1至17中的任一项所述的高频模块，其中，
所述高频模块还具备配置在所述安装基板的所述第2主面的多个外部连接端子，
所述多个外部连接端子包括与所述导电层连接的接地端子。
19.根据权利要求1至18中的任一项所述的高频模块，其中，
所述高频模块还具备安装在所述安装基板的所述第2主面的电路部件。
20.根据权利要求19所述的高频模块，其中，
所述电路部件是电容器、电感器、LC滤波器、弹性波滤波器或者IC芯片。
21.根据权利要求20所述的高频模块，其中，
所述电路部件是层叠陶瓷电容器或者形成在硅基板上的电容器。
22.根据权利要求19至21中的任一项所述的高频模块，其中，
所述高频模块还具备与作为所述树脂层的第1树脂层不同的第2树脂层，
所述第2树脂层配置在所述安装基板的所述第2主面，并且覆盖所述电路部件的外周面的至少一部分。
23.根据权利要求22所述的高频模块，其中，
所述电路部件中的与所述安装基板侧为相反侧的主面，从所述第2树脂层中的与所述安装基板侧为相反侧的主面露出。
24.一种通信装置，具备：
权利要求1至23中的任一项所述的高频模块；以及
与所述高频模块连接的信号处理电路。
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