CN115413401A - 高频模块以及通信装置 - Google Patents
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Abstract
本发明使散热性提高。高频模块(100)具备安装基板(9)、第1电子部件(1)及第2电子部件(2)、树脂层(5)和屏蔽层(6)。树脂层(5)覆盖第1电子部件(1)的外周面(13)及第2电子部件2的外周面(23)。第1电子部件(1)包含：第1基板(10)，具有相互对置的第1主面(11)及第2主面(12)；和第1电路部(14)，形成在第1基板(10)的第1主面(11)侧。第2电子部件(2)包含：第2基板(20)，具有相互对置的第1主面(21)及第2主面(22)；和第2电路部(24)，形成在第2基板(20)的第1主面(21)侧。第1基板(10)的材料和第2基板(20)的材料相同。屏蔽层(6)与第1基板(10)的第2主面(12)及第2基板(20)的第2主面(22)相接。
Description
技术领域
本发明总体上涉及高频模块以及通信装置，更详细地，涉及具备安装基板的高频模块以及具备该高频模块的通信装置。
背景技术
在专利文献1公开了如下的高频模块，即，具备：安装基板，具有相互对置的第1主面以及第2主面；发送功率放大器，安装在安装基板的第1主面；发送滤波器以及接收滤波器，安装在安装基板的第1主面；树脂构件(树脂层)，覆盖发送功率放大器、发送滤波器以及接收滤波器；以及屏蔽电极层(屏蔽层)。
在专利文献1公开的高频模块中，屏蔽电极层形成为覆盖树脂构件的顶面以及侧面。
此外，在专利文献1公开了具备高频模块的通信装置。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2019/181590号
发明内容
发明要解决的问题
在高频模块中，有时为了抑制电子部件的温度上升而要求提高散热性。
本发明的目的在于，提供一种能够谋求散热性的提高的高频模块以及通信装置。
用于解决问题的技术方案
本发明的一个方式涉及的高频模块具备安装基板、第1电子部件以及第2电子部件、树脂层、以及屏蔽层。所述安装基板具有相互对置的第1主面以及第2主面。所述第1电子部件以及所述第2电子部件配置在所述安装基板的所述第1主面。所述树脂层配置在所述安装基板的所述第1主面，覆盖所述第1电子部件的外周面以及所述第2电子部件的外周面。所述屏蔽层覆盖所述树脂层和所述第1电子部件以及所述第2电子部件。所述第1电子部件包含：第1基板，具有相互对置的第1主面以及第2主面；以及第1电路部，形成在所述第1基板的所述第1主面侧。所述第2电子部件包含：第2基板，具有相互对置的第1主面以及第2主面；以及第2电路部，形成在所述第2基板的所述第1主面侧。所述第1基板的材料和所述第2基板的材料相同。所述屏蔽层与所述第1基板的所述第2主面以及所述第2基板的所述第2主面相接。
本发明的一个方式涉及的通信装置具备上述高频模块和信号处理电路。所述信号处理电路与所述高频模块连接，对高频信号进行信号处理。
发明效果
本发明的上述方式涉及的高频模块以及通信装置能够谋求散热性的提高。
附图说明
图1是实施方式1涉及的高频模块的剖视图。
图2是将同上的高频模块的一部分放大了的剖视图。
图3是同上的高频模块的俯视图。
图4是具备同上的高频模块的通信装置的电路结构图。
图5是将实施方式1的变形例1涉及的高频模块的一部分放大了的剖视图。
图6是将实施方式1的变形例2涉及的高频模块的一部分放大了的剖视图。
图7是将实施方式1的变形例3涉及的高频模块的一部分放大了的剖视图。
图8是将实施方式1的变形例4涉及的高频模块的一部分放大了的剖视图。
图9是实施方式2涉及的高频模块的剖视图。
图10是将同上的高频模块的一部分放大了的剖视图。
图11是将实施方式2的变形例涉及的高频模块的一部分放大了的剖视图。
图12是实施方式3涉及的高频模块的剖视图。
图13是实施方式4涉及的高频模块的剖视图。
图14是实施方式5涉及的高频模块的剖视图。
图15是实施方式6涉及的高频模块的剖视图。
图16是将同上的高频模块的一部分放大了的剖视图。
图17是实施方式6的变形例1涉及的高频模块的剖视图。
图18是将同上的高频模块的一部分放大了的剖视图。
图19是将实施方式6的变形例2涉及的高频模块放大了一部分的剖视图。
具体实施方式
在以下的实施方式等中参照的图1～图3、图5～图19均为示意性的图，图中的各构成要素的大小、厚度各自之比未必一定反映了实际的尺寸比。
(实施方式1)
例如，如图1～3所示，实施方式1涉及的高频模块100具备安装基板9、第1电子部件1以及第2电子部件2、树脂层5、以及屏蔽层6。安装基板9具有相互对置的第1主面91以及第2主面92。第1电子部件1以及第2电子部件2配置在安装基板9的第1主面91。树脂层5配置在安装基板9的第1主面91，覆盖第1电子部件1的外周面13(参照图2)以及第2电子部件2的外周面23(参照图2)。屏蔽层6覆盖树脂层5和第1电子部件1以及第2电子部件2。第1电子部件1包含：第1基板10，具有相互对置的第1主面11以及第2主面12；以及第1电路部14，形成在第1基板10的第1主面11侧。第2电子部件2包含：第2基板20，具有相互对置的第1主面21以及第2主面22；以及第2电路部24，形成在第2基板20的第1主面21侧。第1基板10的材料和第2基板20的材料相同。屏蔽层6与第1基板10的第2主面12以及第2基板20的第2主面22相接。实施方式1涉及的高频模块100能够谋求散热性的提高。
以下，参照图4对实施方式1涉及的高频模块100以及通信装置300进行更详细的说明。
(1)高频模块以及通信装置
(1.1)高频模块以及通信装置的电路结构
高频模块100例如用于通信装置300。通信装置300例如为便携式电话(例如，智能电话)，但是并不限于此，例如，也可以是可穿戴终端(例如，智能手表)等。高频模块100例如是能够应对4G(第4世代移动通信)标准、5G(第5世代移动通信)标准等的模块。4G标准例如是3GPP(Third Generation Partnership Project，第三代合作伙伴计划)LTE(Long TermEvolution，长期演进)标准。5G标准例如是5GNR(New Radio，新空口)。高频模块100例如是能够应对载波聚合以及双连接的模块。
高频模块100例如构成为能够将从信号处理电路301输入的发送信号(高频信号)放大并输出到天线310。此外，高频模块100构成为能够将从天线310输入的接收信号(高频信号)放大并输出到信号处理电路301。信号处理电路301不是高频模块100的构成要素，而是具备高频模块100的通信装置300的构成要素。高频模块100例如通过通信装置300具备的信号处理电路301进行控制。通信装置300具备高频模块100和信号处理电路301。通信装置300还具备天线310。通信装置300还具备安装了高频模块100的电路基板。电路基板例如为印刷布线板。电路基板具有被提供接地电位的接地电极。
信号处理电路301例如包含RF信号处理电路302和基带信号处理电路303。RF信号处理电路302例如为RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit，射频集成电路)，进行对高频信号的信号处理。RF信号处理电路302例如对从基带信号处理电路303输出的高频信号(发送信号)进行上变频等信号处理，并将进行了信号处理的高频信号输出。此外，RF信号处理电路302例如对从高频模块100输出的高频信号(接收信号)进行下变频等信号处理，并向基带信号处理电路303输出进行了信号处理的高频信号。基带信号处理电路303例如为BBIC(Baseband Integrated Circuit，基带集成电路)。基带信号处理电路303从基带信号生成I相信号以及Q相信号。基带信号例如是从外部输入的声音信号、图像信号等。基带信号处理电路303通过将I相信号和Q相信号合成而进行IQ调制处理，并输出发送信号。此时，发送信号作为将给定频率的载波信号以比该载波信号的周期长的周期进行了振幅调制的调制信号(IQ信号)而生成。由基带信号处理电路303处理的接收信号例如作为图像信号而使用于图像显示，或者作为声音信号而使用于通话。高频模块100在天线310与信号处理电路301的RF信号处理电路302之间传递高频信号(接收信号、发送信号)。
高频模块100具备功率放大器111和低噪声放大器121。此外，高频模块100具备多个(例如，两个)发送滤波器112A、112B和多个(例如，两个)接收滤波器122A、122B。此外，高频模块100具备输出匹配电路113和输入匹配电路123。此外，高频模块100具备第1开关104、第2开关105、以及第3开关106。此外，高频模块100还具备控制器115。在实施方式1涉及的高频模块100中，发送滤波器112B构成了上述的第1电子部件1(参照图2)。此外，在实施方式1涉及的高频模块100中，接收滤波器122B构成上述的第2电子部件2。
此外，高频模块100具备多个外部连接端子80。多个外部连接端子80包含天线端子81、信号输入端子82、信号输出端子83、控制端子84、以及多个接地端子85(参照图1)。多个接地端子85是与通信装置300具备的上述的电路基板的接地电极电连接而被提供接地电位的端子。
功率放大器111具有输入端子以及输出端子。功率放大器111将输入到输入端子的第1频带的发送信号放大并从输出端子输出。在此，第1频带例如包含第1通信频段和第2通信频段。第1通信频段与通过发送滤波器112A的发送信号对应，例如为3GPPLTE标准的Band11。第2通信频段与通过发送滤波器112B的发送信号对应，例如为3GPPLTE标准的Band22。功率放大器111的输入端子与信号输入端子82连接。功率放大器111的输入端子经由信号输入端子82与信号处理电路301连接。信号输入端子82是用于将来自外部电路(例如，信号处理电路301)的高频信号(发送信号)输入到高频模块100的端子。功率放大器111的输出端子经由输出匹配电路113与第2开关105的公共端子150连接。
低噪声放大器121具有输入端子以及输出端子。低噪声放大器121将输入到输入端子的第2频带的接收信号放大并从输出端子输出。第2频带例如与第1频带相同，包含第1通信频段和第2通信频段。低噪声放大器121的输入端子经由输入匹配电路123与第3开关106的公共端子160连接。低噪声放大器121的输出端子与信号输出端子83连接。低噪声放大器121的输出端子例如经由信号输出端子83与信号处理电路301连接。信号输出端子83是用于向外部电路(例如，信号处理电路301)输出来自低噪声放大器121的高频信号(接收信号)的端子。
发送滤波器112A例如是将第1通信频段的发送带作为通带的滤波器。发送滤波器112B例如是将第2通信频段的发送带作为通带的滤波器。接收滤波器122A例如是将第1通信频段的接收带作为通带的滤波器。接收滤波器122B例如是将第2通信频段的接收带作为通带的滤波器。在实施方式1涉及的高频模块100中，由发送滤波器112A和接收滤波器122A构成双工器132A。此外，在实施方式1涉及的高频模块100中，由发送滤波器112B和接收滤波器122B构成双工器132B。
第1开关104具有公共端子140和多个(例如，两个)选择端子141、142。公共端子140与天线端子81连接。在天线端子81连接天线310。选择端子141与发送滤波器112A的输出端子和接收滤波器122A的输入端子的连接点连接。选择端子142与发送滤波器112B的输出端子和接收滤波器122B的输入端子的连接点连接。第1开关104例如是能够将多个选择端子141、142中的至少一个以上与公共端子140连接的开关。在此，第1开关104例如是能够进行一对一以及一对多的连接的开关。
第1开关104例如通过信号处理电路301进行控制。第1开关104按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号对公共端子140和多个选择端子141、142的连接状态进行切换。第1开关104例如是开关IC(Integrated Circuit，集成电路)。
第2开关105具有公共端子150和多个(例如，两个)选择端子151、152。公共端子150经由输出匹配电路113与功率放大器111的输出端子连接。选择端子151与发送滤波器112A的输入端子连接。选择端子152与发送滤波器112B的输入端子连接。第2开关105例如是能够将多个选择端子151、152中的至少一个以上与公共端子150连接的开关。在此，第2开关105例如是能够进行一对一以及一对多的连接的开关。
第2开关105例如通过信号处理电路301进行控制。第2开关105按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号对公共端子150和多个选择端子151、152的连接状态进行切换。第2开关105例如是开关IC。
第3开关106具有公共端子160和多个(例如，两个)选择端子161、162。公共端子160经由输入匹配电路123与低噪声放大器121的输入端子连接。选择端子161与接收滤波器122A的输出端子连接。选择端子162与接收滤波器122B的输出端子连接。第3开关106例如是能够将多个选择端子161、162中的至少一个以上与公共端子160连接的开关。在此，第3开关106例如是能够进行一对一以及一对多的连接的开关。
第3开关106例如通过信号处理电路301进行控制。第3开关106按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号对公共端子160和多个选择端子161、162的连接状态进行切换。第3开关106例如是开关IC。
输出匹配电路113设置在功率放大器111的输出端子与第2开关105的公共端子150之间的信号路径。输出匹配电路113是用于获得功率放大器111和发送滤波器112A、112B的阻抗匹配的电路。输出匹配电路113例如由一个电感器构成，但是并不限于此，例如，也存在包含多个电感器以及多个电容器的情况。
输入匹配电路123设置在低噪声放大器121的输入端子与第3开关106的公共端子160之间的信号路径。输入匹配电路123是用于获得低噪声放大器121和接收滤波器122A、122B的阻抗匹配的电路。输入匹配电路123例如由一个电感器构成，但是并不限于此，例如，也存在包含多个电感器以及多个电容器的情况。
控制器115与控制端子84连接。控制器115经由控制端子84与信号处理电路301连接。控制端子84是用于将来自外部电路(例如，信号处理电路301)的控制信号输入到高频模块100的端子。控制器115与功率放大器111连接，基于来自信号处理电路301的控制信号对功率放大器111进行控制。
(1.2)高频模块的构造
如图2所示，高频模块100具备安装基板9、多个电子部件8、以及多个外部连接端子80。多个电子部件8包含上述的功率放大器111、低噪声放大器121、两个发送滤波器112A、112B、两个接收滤波器122A、122B、输出匹配电路113的电感器以及输入匹配电路123的电感器。也就是说，多个电子部件8包含作为上述的第1电子部件1的发送滤波器112B和作为上述的第2电子部件2的接收滤波器122B。在此，第1电子部件1是多个双工器132A、132B之中发送带和接收带的间隔最窄的双工器132B的发送滤波器112B。此外，第2电子部件2是多个双工器132A、132B之中发送带和接收带的间隔最窄的双工器132B的接收滤波器122B。此外，多个电子部件8还包含上述的第1开关104、第2开关105以及第3开关106。
安装基板9具有在安装基板9的厚度方向D1上相互对置的第1主面91以及第2主面92。安装基板9例如是包含多个电介质层以及多个导电层的多层基板。多个电介质层以及多个导电层在安装基板9的厚度方向D1上层叠。多个导电层按每个层形成为规定的给定图案。多个导电层各自在与安装基板9的厚度方向D1正交的一个平面内包含一个或多个导体部。各导电层的材料例如为铜。多个导电层包含接地层。在高频模块100中，多个接地端子85和接地层经由安装基板9具有的过孔导体等电连接。安装基板9例如为LTCC(LowTemperatureCo-firedCeramics，低温共烧陶瓷)基板。安装基板9并不限于LTCC基板，例如也可以是印刷布线板、HTCC(HighTemperatureCo-firedCeramics，高温共烧陶瓷)基板、树脂多层基板。
此外，安装基板9并不限于LTCC基板，例如也可以是布线构造体。布线构造体例如为多层构造体。多层构造体包含至少一个绝缘层和至少一个导电层。绝缘层形成为给定图案。在绝缘层为多个的情况下，多个绝缘层按每个层形成为规定的给定图案。导电层形成为与绝缘层的给定图案不同的给定图案。在导电层为多个的情况下，多个导电层按每个层形成为规定的给定图案。导电层也可以包含一个或多个再布线部。在布线构造体中，在多层构造体的厚度方向上相互对置的两个面中的第1面为安装基板9的第1主面91，第2面为安装基板9的第2主面92。布线构造体例如也可以是内插器。内插器可以是使用了硅基板的内插器，也可以是由多层构成的基板。
安装基板9的第1主面91以及第2主面92在安装基板9的厚度方向D1上分离，并与安装基板9的厚度方向D1交叉。安装基板9中的第1主面91例如与安装基板9的厚度方向D1正交，但是例如也可以作为不与厚度方向D1正交的面而包含导体部的侧面等。此外，安装基板9中的第2主面92例如与安装基板9的厚度方向D1正交，但是例如也可以作为不与厚度方向D1正交的面而包含导体部的侧面等。此外，安装基板9的第1主面91以及第2主面92也可以形成有细微的凹凸或凹部或凸部。
实施方式1涉及的高频模块100的多个电子部件8安装在安装基板9的第1主面91。在此，所谓“安装”，包含电子部件8配置在安装基板9的第1主面91的情况(机械地连接的情况)、和电子部件8与安装基板9(的适当的导体部)电连接的情况。因此，在高频模块100中，多个电子部件8配置在安装基板9的第1主面91。多个电子部件8各自具有相互对置的第1主面801以及第2主面802，配置在安装基板9的第1主面91，使得在安装基板9的厚度方向D1上电子部件8的第1主面801成为安装基板9的第1主面91侧。因此，电子部件8的第2主面802构成在安装基板9的厚度方向D1上位于与安装基板9侧相反侧的主面。此外，多个电子部件8各自具有将第1主面801和第2主面802相连的外周面803。电子部件8的外周面803包含在电子部件8中将第1主面801和第2主面802相连的4个侧面，不包含第1主面801以及第2主面802。高频模块100并不仅限于安装在安装基板9的多个电子部件8，也可以包含设置在安装基板9内的电路元件。
在高频模块100中，功率放大器111是包含基板和电路部(IC部)的IC芯片，该基板具有相互对置的第1主面以及第2主面，该电路部(IC部)形成在该基板的第1主面侧并具有晶体管。基板例如为砷化镓基板。电路部具有将输入到功率放大器111的输入端子的发送信号放大的功能。晶体管例如为HBT(Heterojunction Bipolar Transistor，异质结双极晶体管)。功率放大器111例如也可以包含直流阻隔用的电容器。包含功率放大器111的IC芯片被倒装芯片安装于安装基板9的第1主面91，使得基板的第1主面以及第2主面中的第1主面成为安装基板9的第1主面91侧。在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，包含功率放大器111的IC芯片的外周形状为四边形。包含功率放大器111的IC芯片中的基板并不限于砷化镓基板，也可以是硅基板、硅锗基板、氮化镓基板等。此外，晶体管并不限于HBT等双极晶体管，例如也可以是FET(Field Effect Transistor，场效应晶体管)。FET例如为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)。
低噪声放大器121例如为包含基板和电路部(IC部)的IC芯片，该基板具有相互对置的第1主面以及第2主面，该电路部(IC部)形成在该基板的第1主面侧。基板例如为硅基板。电路部具有将输入到低噪声放大器121的输入端子的接收信号放大的功能。低噪声放大器121被倒装芯片安装于安装基板9的第1主面91，使得基板的第1主面以及第2主面中的第1主面成为安装基板9的第1主面91侧。在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，低噪声放大器121的外周形状为四边形。
两个发送滤波器112A、112B以及两个接收滤波器122A、122B各自例如为梯型滤波器，具有多个(例如，4个)串联臂谐振器和多个(例如，3个)并联臂谐振器。两个发送滤波器112A、112B以及两个接收滤波器122A、122B各自例如为弹性波滤波器。在弹性波滤波器中，多个串联臂谐振器以及多个并联臂谐振器各自由弹性波谐振器构成。弹性波滤波器例如是利用了声表面波的声表面波滤波器。
在声表面波滤波器中，多个串联臂谐振器以及多个并联臂谐振器各自例如为SAW(Surface Acoustic Wave，声表面波)谐振器。
声表面波滤波器例如包含具有相互对置的第1主面以及第2主面的基板和形成在该基板的第1主面侧的电路部。基板是压电基板。压电基板例如为铌酸锂基板。电路部具有与多个串联臂谐振器一对一地对应的多个IDT(Interdigital Transducer，叉指换能器)电极和与多个并联臂谐振器一对一地对应的多个IDT电极。
两个发送滤波器112A、112B、以及两个接收滤波器122A、122B各自例如为裸芯片的弹性波滤波器。在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，两个发送滤波器112A、112B、以及两个接收滤波器122A、122B各自的外周形状为四边形。
两个发送滤波器112A、112B、以及两个接收滤波器122A、122B各自被倒装芯片安装于安装基板9的第1主面91，使得基板的第1主面和第2主面中的第1主面成为安装基板9侧。
第1开关104、第2开关105以及第3开关106各自为开关IC。更详细地，第1开关104、第2开关105以及第3开关106各自例如为包含基板和电路部(IC部)的IC芯片，该基板具有相互对置的第1主面以及第2主面，该电路部(IC部)形成在该基板的第1主面侧并具有FET(FieldEffect Transistor，场效应晶体管)。基板例如为硅基板。电路部是具有对公共端子和多个选择端子的连接状态进行切换的功能的功能部。第1开关104、第2开关105以及第3开关106各自被倒装芯片安装于安装基板9的第1主面91，使得基板的第1主面以及第2主面中的第1主面成为安装基板9的第1主面91侧。在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，构成第1开关104、第2开关105以及第3开关106各自的IC芯片的外周形状为四边形。
输出匹配电路113中的电感器例如是片式电感器。输出匹配电路113中的电感器例如安装在安装基板9的第1主面91，但是并不限于此。在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，电感器的外周形状为四边形。
输入匹配电路123中的电感器例如是片式电感器。输入匹配电路123中的电感器例如安装在安装基板9的第1主面91，但是并不限于此。在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，电感器的外周形状为四边形。
多个外部连接端子80配置在安装基板9的第2主面92。多个外部连接端子80的材料例如为金属(例如，铜、铜合金等)。
多个外部连接端子80除了上述的天线端子81、信号输入端子82、信号输出端子83以及控制端子84以外还包含多个接地端子85。多个接地端子85像上述的那样与安装基板9的接地层电连接。接地层是高频模块100的电路接地，高频模块100的多个电子部件8包含与接地层电连接的电子部件8。
树脂层5在安装基板9的第1主面91侧覆盖配置在安装基板9的第1主面91的多个电子部件8各自的至少一部分。树脂层5包含树脂(例如，环氧树脂)。树脂层5也可以除了树脂以外还包含填料。树脂层5覆盖多个电子部件8各自的外周面803，还覆盖多个电子部件8中的一部分的电子部件8的第2主面802。
屏蔽层6的材料例如包含一种或多种金属。屏蔽层6的材料例如包含银。屏蔽层6覆盖树脂层5中的与安装基板9侧相反侧的主面51、树脂层5的外周面53、以及安装基板9的外周面93。屏蔽层6与安装基板9具有的接地层的外周面的至少一部分接触。由此，能够使屏蔽层6的电位与接地层的电位相同。
在实施方式1涉及的高频模块100中，构成发送滤波器112A的声表面波滤波器的基板、该基板的第1主面以及第2主面、和电路部相当于第1电子部件1的第1基板10、第1基板10的第1主面11以及第2主面12、和第1电路部14。此外，构成接收滤波器122A的声表面波滤波器的基板、该基板的第1主面以及第2主面、和电路部相当于第2电子部件2的第2基板20、第2基板20的第1主面21以及第2主面22、和第2电路部24。因此，在实施方式1涉及的高频模块100中，第1基板10的材料以及第2基板20的材料为铌酸锂。在实施方式1涉及的高频模块100中，如上所述，第1基板10的材料和第2基板20的材料相同。所谓“第1基板10的材料和第2基板20的材料相同”，意味着第1基板10的主成分和第2基板20的主成分相同。主成分不包含杂质。例如，在第1基板10以及第2基板20各自为铌酸锂基板的情况下，第1基板10以及第2基板20的主成分为锂、铌以及氧，即使在铌酸锂中添加了杂质的情况下，主成分也不包含杂质。第1基板10的材料以及第2基板20的材料只要是彼此相同的材料即可，并不限于铌酸锂，例如，也可以是钽酸锂或石英。在第1基板10以及第2基板20各自为钽酸锂基板的情况下，第1基板10以及第2基板20各自的主成分为锂、钽以及氧，即使在钽酸锂中添加了杂质的情况下，主成分也不包含杂质。在第1基板10以及第2基板20各自为石英基板的情况下，第1基板10以及第2基板20的主成分为硅以及氧，即使在石英中添加了杂质的情况下，主成分也不包含杂质。
在实施方式1涉及的高频模块100中，第1电子部件1包含多个第1焊盘电极16，该多个第1焊盘电极16形成在第1基板10的第1主面11侧，并与第1电路部14连接。第1电路部14包含多个IDT电极15。高频模块100还具备与多个第1焊盘电极16和安装基板9接合的多个第1凸块101。在高频模块100中，构成第1电子部件1的裸芯片的弹性波滤波器的多个IDT电极15配置在第1空间SP1内，该第1空间SP1由多个第1焊盘电极16、多个第1凸块101、第1基板10、安装基板9以及树脂层5在第1基板10与安装基板9之间形成。
在实施方式1涉及的高频模块100中，第2电子部件2包含多个第2焊盘电极26，该多个第2焊盘电极26形成在第2基板20的第1主面21侧，并与第2电路部24连接。第2电路部24包含多个IDT电极25。高频模块100还具备与多个第2焊盘电极26和安装基板9接合的多个第2凸块102。在高频模块100中，构成第2电子部件2的裸芯片的弹性波滤波器的多个IDT电极25配置在第2空间SP2内，该第2空间SP2由多个第2焊盘电极26、多个第2凸块102、第2基板20、安装基板9以及树脂层5在第2基板20与安装基板9之间形成。
关于第1电子部件1以及第2电子部件2，在使第1基板10的第2主面12以及第2基板20的第2主面22各自粗糙化的情况下，与未粗糙化的情况相比，能够使与屏蔽层6的密接性提高，因此从使与屏蔽层6的密接性提高的观点出发，优选使第1基板10的第2主面12以及第2基板20的第2主面22各自粗糙化。在实施方式1涉及的高频模块100中，第1基板10的第2主面12以及第2基板20的第2主面22各自与电子部件8中的与安装基板9侧相反侧的主面(第2主面802)相比为粗糙面(表面粗糙度大)，该电子部件8配置在安装基板9的第1主面91，并被树脂层5覆盖。在此，第1基板10的第2主面12以及第2基板20的第2主面22各自的最大高度粗糙度(Rz)比第2主面802被树脂层5覆盖的电子部件8的第2主面802的最大高度粗糙度大。关于表面粗糙度，最大高度粗糙度是从通过STEM(ScanningTransmissionElectronMicroscope，扫描透射电子显微镜)对高频模块100的剖面进行了观察时的STEM像测定的值。在STEM像中，在第1基板10的第2主面12、第2基板20的第2主面22以及电子部件8的第2主面802各自中，最大高度粗糙度是峰高的最大值和谷深的最大值之和。也就是说，在第1基板10的第2主面12、第2基板20的第2主面22以及电子部件8的第2主面802各自中，最大高度粗糙度是凹凸的峰到谷的值。第1基板10的第2主面12以及第2基板20的第2主面22的表面粗糙度例如能够通过如下处理的条件来改变，该处理是在制造时通过磨削等对第1基板10以及第2基板20进行粗糙面化的处理。在讨论表面粗糙度的相对的大小关系时，关于表面粗糙度，并不限于STEM，例如，也可以是从SEM(ScanningElectronMicroscope，扫描电子显微镜)像求出的值。
在实施方式1涉及的高频模块100中，屏蔽层6具有识别标记60。识别标记60包含第1部分61和第2部分62。第1部分61是屏蔽层6之中在安装基板9的厚度方向D1上与第1基板10的第2主面12重叠的部分。第2部分62是屏蔽层6之中在安装基板9的厚度方向D1上与第2基板20的第2主面22重叠的部分。以下，为了便于说明，也将屏蔽层6之中在安装基板9的厚度方向D1上与第1基板10的第2主面12以及第2基板20的第2主面22中的任一者都不重叠的部分称为第3部分63。在实施方式1涉及的高频模块100中，例如，在第1部分61以及第2部分62和第3部分63中，从外部入射的光的反射情况不同。由此，在实施方式1涉及的高频模块100中，在人看来，第1部分61以及第2部分62的颜色和第3部分63的颜色不同。另外，图3是高频模块100的俯视图，但为了使第1部分61以及第2部分62和第3部分63容易判别，在第1部分61以及第2部分62附上了点状的影线。第1部分61中的与第1基板10侧相反侧的主面也可以具有反映了第1基板10的第2主面12的凹凸的凹凸。此外，第2部分62中的与第2基板20侧相反侧的主面也可以具有反映了第2基板20的第2主面22的凹凸的凹凸。
此外，在实施方式1涉及的高频模块100中，第1电子部件1中的第1基板10的第2主面12、第2电子部件2中的第2基板20的第2主面22、以及树脂层5的主面51大致平齐，但是并不限于此。
(2)总结
(2.1)高频模块
实施方式涉及的高频模块100具备安装基板9、第1电子部件1以及第2电子部件2、树脂层5、以及屏蔽层6。安装基板9具有相互对置的第1主面91以及第2主面92。第1电子部件1以及第2电子部件2配置在安装基板9的第1主面91。树脂层5配置在安装基板9的第1主面91，覆盖第1电子部件1的外周面13以及第2电子部件2的外周面23。屏蔽层6覆盖树脂层5和第1电子部件1以及第2电子部件2。第1电子部件1包含：第1基板10，具有相互对置的第1主面11以及第2主面12；以及第1电路部14，形成在第1基板10的第1主面11侧。第2电子部件2包含：第2基板20，具有相互对置的第1主面21以及第2主面22；以及第2电路部24，形成在第2基板20的第1主面21侧。第1基板10的材料和第2基板20的材料相同。屏蔽层6与第1基板10的第2主面12以及第2基板20的第2主面22相接。
实施方式1涉及的高频模块100能够谋求散热性的提高。在实施方式1涉及的高频模块100中，从谋求散热性的提高的观点出发，优选屏蔽层6遍及第1基板10的第2主面12以及第2基板20的第2主面22的整个区域相接。不过，屏蔽层6并非必须与第1基板10的第2主面12以及第2基板20的第2主面22各自的整个面相接。
实施方式1涉及的高频模块100能够使在第1电子部件1中产生的热通过第1基板10的第2主面12以及屏蔽层6进行散热。由此，实施方式1涉及的高频模块100能够抑制构成第1基板10的铌酸锂基板或钽酸锂基板的温度上升。因而，实施方式1涉及的高频模块100能够谋求构成第1电子部件1的弹性波滤波器的温度特性的稳定化，能够谋求高频模块100的特性的稳定化。
此外，实施方式1涉及的高频模块100能够使在第2电子部件2中产生的热通过第2基板20的第2主面22以及屏蔽层6进行散热。由此，在实施方式1涉及的高频模块100中，能够抑制构成第2基板20的铌酸锂基板或钽酸锂基板的温度上升。因而，实施方式1涉及的高频模块100能够谋求构成第2电子部件2的弹性波滤波器的温度特性的稳定化，能够谋求高频模块100的特性的稳定化。
此外，在实施方式1涉及的高频模块100中，第1基板10的材料和第2基板20的材料相同，因此，还具有如下的优点，即，例如在制造时，在从与安装基板9侧相反侧对第1基板10以及第2基板20进行磨削的情况下，容易磨削。作为高频模块100的制造方法，例如，能够采用具备第1工序、第2工序、第3工序、以及第4工序的制造方法。第1工序是如下的工序，即，在安装基板9的第1主面91上配置包含第1电子部件1以及第2电子部件2的多个电子部件8。第2工序是如下的工序，即，在安装基板9的第1主面91侧形成覆盖多个电子部件8并成为树脂层5的基础的树脂材料层。第3工序是如下的工序，即，从树脂材料层中的与安装基板9侧相反侧的主面对树脂材料层进行磨削而使第1电子部件1的第1基板10以及第2电子部件2的第2基板20露出，然后，对树脂材料层和第1基板10以及第2基板20进行磨削，由此形成树脂层5，并且使第1基板10以及第2基板20变薄。第4工序是如下的工序，即，例如通过溅射法、蒸镀法、或印刷法来形成与树脂层5的主面51、第1基板10的第2主面12以及第2基板20的第2主面22相接的屏蔽层6。
此外，在实施方式1涉及的高频模块100中，第1基板10的第2主面12以及第2基板20的第2主面22各自与被树脂层5覆盖的电子部件8中的与安装基板9侧相反侧的主面(第2主面802)相比为粗糙面。由此，在实施方式1涉及的高频模块100中，能够使第1电子部件1以及第2电子部件2和屏蔽层6的密接性提高。此外，在实施方式1涉及的高频模块100中，能够使在沿着构成第1基板10的铌酸锂基板或钽酸锂基板的厚度方向的方向上传播的无用波(例如，无用的体波)在第1基板10和屏蔽层6的界面处散射，能够谋求构成第1电子部件1的弹性波滤波器的滤波器特性的提高。此外，在实施方式1涉及的高频模块100中，能够使在沿着构成第2基板20的铌酸锂基板或钽酸锂基板的厚度方向的方向上传播的无用波(例如，无用的体波)在第2基板20和屏蔽层6的界面处散射，能够谋求构成第2电子部件2的弹性波滤波器的滤波器特性的提高。作为滤波器特性的提高，例如，可列举谐波失真的抑制等。
此外，在实施方式1涉及的高频模块100中，屏蔽层6具有识别标记60。由此，在实施方式1涉及的高频模块100中，例如，人能够对识别标记60进行视觉识别。
此外，在实施方式1涉及的高频模块100中，第1电子部件1为构成双工器132B的发送滤波器112B，构成第2电子部件2的弹性波滤波器为构成双工器132B的接收滤波器122B。由此，在实施方式1涉及的高频模块100中，能够抑制由从发送滤波器112B向接收滤波器122B传播的热造成的接收滤波器122B的特性劣化。此外，在实施方式1涉及的高频模块100中，能够抑制发送滤波器112B和接收滤波器122B的隔离度的特性劣化。
(2.2)通信装置
实施方式1涉及的通信装置300具备信号处理电路301和高频模块100。信号处理电路301与高频模块100连接，对高频信号进行信号处理。
实施方式1涉及的通信装置300具备高频模块100，因此能够使散热性提高。
构成信号处理电路301的多个电子部件例如可以安装在上述的电路基板，也可以安装在与安装了高频模块100的电路基板(第1电路基板)不同的电路基板(第2电路基板)。
(3)高频模块的变形例
(3.1)变形例1
参照图5对实施方式1的变形例1涉及的高频模块100进行说明。关于变形例1涉及的高频模块100，对于与实施方式1涉及的高频模块100同样的构成要素，标注同一附图标记并省略说明。
变形例1涉及的高频模块100与实施方式1涉及的高频模块100的不同点在于，第1电子部件1作为第1封装构造的构成要素而具有第1间隔层17、第1覆盖构件18、以及多个第1端子19。
第1间隔层17以及第1覆盖构件18设置在第1基板10的第1主面11侧。第1间隔层17在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下包围多个IDT电极15。在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，第1间隔层17为矩形框状。第1间隔层17具有电绝缘性。第1间隔层17的材料为环氧树脂、聚酰亚胺等。第1覆盖构件18为平板状。第1覆盖构件18配置在第1间隔层17上，使得在安装基板9的厚度方向D1上与第1基板10对置。第1覆盖构件18在安装基板9的厚度方向D1上与多个IDT电极15重复，且在安装基板9的厚度方向D1上从多个IDT电极15分离。第1覆盖构件18具有电绝缘性。第1覆盖构件18的材料为环氧树脂、聚酰亚胺等。第1电子部件1具有被第1基板10、第1间隔层17以及第1覆盖构件18包围的第1空间S1。在第1电子部件1中，气体进入到第1空间S1。气体为空气、惰性气体(例如，氮气)等。多个第1端子19从第1覆盖构件18露出。多个第1端子19各自例如为凸块。各凸块例如为焊料凸块。各凸块并不限于焊料凸块，例如也可以是金凸块。
此外，变形例1涉及的高频模块100与实施方式1涉及的高频模块100的不同点在于，第2电子部件2作为第2封装构造的构成要素而具有第2间隔层27、第2覆盖构件28、以及多个第2端子29。
第2间隔层27以及第2覆盖构件28设置在第2基板20的第1主面21侧。第2间隔层27在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下包围多个IDT电极25。在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，第2间隔层27为矩形框状。第2间隔层27具有电绝缘性。第2间隔层27的材料为环氧树脂、聚酰亚胺等。第2覆盖构件28为平板状。第2覆盖构件28配置在第2间隔层27上，使得在安装基板9的厚度方向D1上与第2基板20对置。第2覆盖构件28在安装基板9的厚度方向D1上与多个IDT电极25重复，且在安装基板9的厚度方向D1上从多个IDT电极25分离。第2覆盖构件28具有电绝缘性。第2覆盖构件28的材料为环氧树脂、聚酰亚胺等。第2电子部件2具有被第2基板20、第2间隔层27以及第2覆盖构件28包围的第2空间S2。在第2电子部件2中，气体进入到第2空间S2。气体为空气、惰性气体(例如，氮气)等。多个第2端子29从第2覆盖构件28露出。多个第2端子29各自例如为凸块。各凸块例如为焊料凸块。各凸块并不限于焊料凸块，例如也可以是金凸块。
在变形例1涉及的高频模块100中，与实施方式1涉及的高频模块100同样地，第1基板10的材料和第2基板20的材料相同。此外，屏蔽层6与第1基板10的第2主面12以及第2基板20的第2主面22相接。因而，变形例1涉及的高频模块100与实施方式1涉及的高频模块100同样地，能够谋求散热性的提高。
(3.2)变形例2
参照图6对实施方式1的变形例2涉及的高频模块100进行说明。关于变形例2涉及的高频模块100，对于与实施方式1涉及的高频模块100同样的构成要素，标注同一附图标记并省略说明。
变形例2涉及的高频模块100与实施方式1涉及的高频模块100的不同点在于，第1电子部件1除了具有包含第1基板10、第1电路部14以及多个第1焊盘电极16的第1滤波器芯片171以外，还作为第1封装构造的构成要素而具有第1封装基板173、多个凸块174、以及第1密封树脂部175。
第1封装基板173具备第1支承体1730、多个电极1733、以及多个外部连接电极1734。第1支承体1730为平板状，具有相互对置的第1主面1731以及第2主面1732。多个电极1733配置在第1支承体1730的第1主面1731。此外，多个外部连接电极1734配置在第1支承体1730的第2主面1732。第1封装基板173还具备将多个电极1733和多个外部连接电极1734一对一地电连接的多个贯通电极1735。第1支承体1730具有电绝缘性。第1支承体1730例如为陶瓷基板(例如，矾土基板)。第1封装基板173的外周形状为长方形，但是并不限于此。
多个凸块174将第1滤波器芯片171的多个第1焊盘电极16和第1封装基板173的多个电极1733接合。第1密封树脂部175配置在第1封装基板173上，覆盖第1滤波器芯片171的外周面。在第1电子部件1形成有被第1滤波器芯片171、第1封装基板173以及第1密封树脂部175包围的第1空间S1。
第1电子部件1是CSP(Chip Size Package，芯片尺寸封装)型的弹性波滤波器，其中，第1滤波器芯片171被倒装芯片安装于第1封装基板173，在第1封装基板173上，第1滤波器芯片171的外周面被第1密封树脂部175覆盖。从第1滤波器芯片171的厚度方向观察，第1封装基板173以及第1密封树脂部175的尺寸比第1滤波器芯片171的芯片尺寸稍大。
高频模块100还具备与第1电子部件1的多个外部连接电极1734和安装基板9接合的多个第1凸块191。
变形例2涉及的高频模块100与实施方式1涉及的高频模块100的不同点在于，第2电子部件2除了具有包含第2基板20、第2电路部24以及多个第2焊盘电极26的第2滤波器芯片271以外，还作为第2封装构造的构成要素而具有第2封装基板273、多个凸块274、以及第2密封树脂部275。
第2封装基板273具备第2支承体2730、多个电极2733、以及多个外部连接电极2734。第2支承体2730为平板状，具有相互对置的第1主面2731以及第2主面2732。多个电极2733配置在第2支承体2730的第1主面2731。此外，多个外部连接电极2734配置在第2支承体2730的第2主面2732。第2封装基板273还具备将多个电极2733和多个外部连接电极2734一对一地电连接的多个贯通电极2735。第2支承体2730具有电绝缘性。第2支承体2730例如为陶瓷基板(例如，矾土基板)。第2封装基板273的外周形状为长方形，但是并不限于此。
多个凸块274将第2滤波器芯片271的多个第2焊盘电极26和第2封装基板273的多个电极2733接合。第2密封树脂部275配置在第2封装基板273上，覆盖第2滤波器芯片271的外周面。在第2电子部件2形成有被第2滤波器芯片271、第2封装基板273以及第2密封树脂部275包围的第2空间S2。
第2电子部件2是CSP型的弹性波滤波器，其中，第2滤波器芯片271被倒装芯片安装于第2封装基板273，在第2封装基板273上，第2滤波器芯片271的外周面被第2密封树脂部275覆盖。从第2滤波器芯片271的厚度方向观察，第2封装基板273以及第2密封树脂部275的尺寸比第2滤波器芯片271的芯片尺寸稍大。
高频模块100还具备与第2电子部件2的多个外部连接电极2734和安装基板9接合的多个第2凸块291。
在变形例2涉及的高频模块100中，与实施方式1涉及的高频模块100同样地，第1基板10的材料和第2基板20的材料相同。此外，屏蔽层6与第1基板10的第2主面12以及第2基板20的第2主面22相接。因而，变形例2涉及的高频模块100与实施方式1涉及的高频模块100同样地，能够谋求散热性的提高。
(3.3)变形例3
参照图7对实施方式1的变形例3涉及的高频模块100进行说明。关于变形例3涉及的高频模块100，对于与实施方式1的变形例1涉及的高频模块100同样的构成要素，标注同一附图标记并省略说明。
在变形例3涉及的高频模块100中，与变形例1涉及的高频模块100的不同点在于，第1电子部件1为BAW(Bulk Acoustic Wave，体声波)滤波器。在变形例3涉及的高频模块100中，第1电子部件1中的第1基板10为硅基板，多个弹性波谐振器各自为第1BAW(BulkAcoustic Wave，体声波)谐振器180。
第1BAW谐振器180包含第1电极181、压电体膜182、以及第2电极183。压电体膜182形成在第1电极181上。第2电极183形成在压电体膜182上。
第1BAW谐振器180包含形成在第1基板10的第1主面11上的电绝缘膜185。电绝缘膜185的材料例如为氧化硅。压电体膜182的材料例如为AlN、ScAlN或PZT。
第1BAW谐振器180在第1电极181中的与压电体膜182侧相反侧具有空洞184。第1BAW谐振器180能够通过增大第1电极181和第1电极181正下方的介质的声阻抗比来抑制弹性波能量向第1基板10侧的传播，与不具有空洞184的情况相比，能够提高机电耦合系数。第1BAW谐振器180为FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator，薄膜体声波谐振器)。
在变形例3涉及的高频模块100中，与变形例1涉及的高频模块100的不同点在于，第2电子部件2为BAW滤波器。在变形例3涉及的高频模块100中，第2电子部件2中的第2基板20为硅基板，多个弹性波谐振器各自为第2BAW谐振器280。
第2BAW谐振器280包含第1电极281、压电体膜282、以及第2电极283。压电体膜282形成在第1电极281上。第2电极283形成在压电体膜282上。
第2BAW谐振器280包含形成在第2基板20的第1主面21上的电绝缘膜285。电绝缘膜285的材料例如为氧化硅。压电体膜282的材料例如为AlN、ScAlN或PZT。
第2BAW谐振器280在第1电极281中的与压电体膜282侧相反侧具有空洞284。第2BAW谐振器280为FBAR。
在变形例3涉及的高频模块100中，与变形例1涉及的高频模块100同样地，第1基板10的材料和第2基板20的材料相同。此外，屏蔽层6与第1基板10的第2主面12以及第2基板20的第2主面22相接。因而，变形例3涉及的高频模块100与变形例1涉及的高频模块100同样地，能够谋求散热性的提高。所谓“第1基板10的材料和第2基板20的材料相同”，意味着第1基板10的主成分和第2基板20的主成分相同。主成分不包含杂质。例如，在第1基板10以及第2基板20各自为硅基板的情况下，第1基板10以及第2基板20各自的主成分为硅，即使在硅基板添加了杂质的情况下，主成分也不包含杂质。
(3.4)变形例4
参照图8对实施方式1的变形例4涉及的高频模块100进行说明。关于变形例4涉及的高频模块100，对于与实施方式1的变形例3涉及的高频模块100同样的构成要素，标注同一附图标记并省略说明。
变形例4涉及的高频模块100与变形例3涉及的高频模块100的不同点在于，第1BAW谐振器180具有介于第1基板10与多个第1BAW谐振器180的第1电极181之间的声反射层A1。
声反射层A1设置在第1基板10的第1主面11上。多个第1电极181设置在声反射层A1上。声反射层A1具有至少一个(例如，3个)低声阻抗层A11和至少一个(例如，两个)高声阻抗层A12。低声阻抗层A11的声阻抗比高声阻抗层A12低。在变形例4涉及的高频模块100中，第1BAW谐振器180为SMR(Solidly Mounted Resonator，固态安装谐振器)。多个高声阻抗层A12的材料例如为铂。此外，多个低声阻抗层A11的材料例如为氧化硅。多个高声阻抗层A12的材料并不限于铂，例如，也可以是钨、钽等金属。此外，多个高声阻抗层A12的材料并不限于金属，例如，也可以是绝缘体。此外，多个高声阻抗层A12并不限于彼此为相同的材料的情况，例如，也可以是彼此不同的材料。此外，多个低声阻抗层A11并不限于彼此为相同的材料的情况，例如，也可以是彼此不同的材料。此外，高声阻抗层A12的数量和低声阻抗层A11的数量并不限于不同的情况，也可以相同。
变形例4涉及的高频模块100与变形例3涉及的高频模块100的不同点在于，第2BAW谐振器280具备介于第2基板20与多个第2BAW谐振器280的第1电极281之间的声反射层A2。
声反射层A2设置在第2基板20的第1主面21上。多个第1电极281设置在声反射层A2上。声反射层A2具有至少一个(例如，3个)低声阻抗层A21和至少一个(例如，两个)高声阻抗层A22。低声阻抗层A21的声阻抗比高声阻抗层A22低。在变形例4涉及的高频模块100中，第2BAW谐振器280为SMR。多个高声阻抗层A22的材料例如为铂。此外，多个低声阻抗层A21的材料例如为氧化硅。多个高声阻抗层A22的材料并不限于铂，例如，也可以是钨、钽等金属。此外，多个高声阻抗层A22的材料并不限于金属，例如，也可以是绝缘体。此外，多个高声阻抗层A22并不限于彼此为相同的材料的情况，例如，也可以是彼此不同的材料。此外，多个低声阻抗层A21并不限于彼此为相同的材料的情况，例如，也可以是彼此不同的材料。此外，高声阻抗层A22的数量和低声阻抗层A21的数量并不限于不同的情况，也可以相同。
在变形例4涉及的高频模块100中，与变形例3涉及的高频模块100同样地，第1基板10的材料和第2基板20的材料相同。此外，屏蔽层6与第1基板10的第2主面12以及第2基板20的第2主面22相接。因而，变形例4涉及的高频模块100与变形例3涉及的高频模块100同样地，能够谋求散热性的提高。
(实施方式2)
参照图9以及图10对实施方式2涉及的高频模块100a进行说明。关于实施方式2涉及的高频模块100a，对于与实施方式1涉及的高频模块100同样的构成要素，标注同一附图标记并省略说明。另外，关于高频模块100a的电路结构，与参照图4说明的实施方式1涉及的高频模块100的电路结构相同。
在实施方式2涉及的高频模块100a中，在配置于安装基板9的多个电子部件8之中，第1电子部件1为弹性波滤波器，第2电子部件2为IC芯片。在此，第1电子部件1包含的第1基板10为硅基板。此外，第2电子部件2包含的第2基板20为硅基板。第1电子部件1例如为发送滤波器112B(参照图4)，但是并不限于此，例如也可以是发送滤波器112A(参照图4)。
构成第1电子部件1的弹性波滤波器为裸芯片的弹性波滤波器。如图10所示，裸芯片的弹性波滤波器包含设置在第1基板10的第1主面11上的低声速膜193、设置在低声速膜193上的压电体层194、设置在压电体层194上的多个IDT电极15、以及多个第1焊盘电极16。多个第1焊盘电极16设置在第1基板10的第1主面11上。裸芯片的弹性波滤波器在从其厚度方向的俯视下为长方形，但是并不限于此，例如也可以是正方形。
低声速膜193在从裸芯片的弹性波滤波器的厚度方向的俯视下位于从第1基板10的外缘分离的位置。裸芯片的弹性波滤波器还包含覆盖第1基板10的第1主面11之中未被低声速膜193覆盖的区域的绝缘层195。绝缘层195具有电绝缘性。绝缘层195在第1基板10的第1主面11上沿着第1基板10的外缘形成。绝缘层195包围多个IDT电极15。在从裸芯片的弹性波滤波器的厚度方向的俯视下，绝缘层195为框形状(例如，矩形框状)。绝缘层195的一部分在裸芯片的弹性波滤波器的厚度方向上与压电体层194的外周部重叠。压电体层194的外周面以及低声速膜193的外周面被绝缘层195覆盖。绝缘层195的材料为环氧树脂、聚酰亚胺等。
多个第1焊盘电极16经由绝缘层195设置在第1基板10的第1主面11上。
压电体层194的材料例如为铌酸锂或钽酸锂。低声速膜193是如下的膜，即，在低声速膜193传播的体波的声速与在压电体层194传播的体波的声速相比成为低速。低声速膜193的材料例如为氧化硅。低声速膜193的材料并不限定于氧化硅。低声速膜193的材料例如也可以是氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、氧化硅中添加了氟、碳或硼的化合物、或者以上述各材料为主成分的材料。在第1基板10中，在第1基板10传播的体波的声速与在压电体层194传播的弹性波的声速相比为高速。在此，在第1基板10传播的体波是在第1基板10传播的多个体波之中声速最低的体波。
裸芯片的弹性波滤波器也可以还具有设置在第1基板10与低声速膜193之间的高声速膜。高声速膜是如下的膜，即，在高声速膜传播的体波的声速与在压电体层194传播的弹性波的声速相比成为高速。高声速膜的材料例如为从包含类金刚石碳、氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、硅、蓝宝石、压电体(钽酸锂、铌酸锂、或石英)、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石、氧化镁、以及金刚石的组选择的至少一种材料。高声速膜的材料也可以是以上述的任意材料为主成分的材料、或以包含上述的任意材料的混合物为主成分的材料。
例如，在将由IDT电极15的电极指周期决定的弹性波的波长设为λ时，压电体层194的厚度为3.5λ以下。低声速膜193的厚度例如为2.0λ以下。
裸芯片的弹性波滤波器例如也可以包含介于低声速膜193与压电体层194之间的密接层。密接层例如包含树脂(环氧树脂、聚酰亚胺树脂)。此外，裸芯片的弹性波滤波器也可以在低声速膜193与压电体层194之间、压电体层194上、或低声速膜193下中的任一者具备电介质膜。
此外，构成第2电子部件2的IC芯片例如包含功率放大器111(参照图4)。在实施方式2涉及的高频模块100a中，在第2电子部件2中，包含布线层以及钝化膜的多层构造部203设置在第2基板20的第1主面21上。此外，在实施方式2涉及的高频模块100a中，在第2电子部件2中，经由多层构造部203的布线层等与第2电路部24连接的多个第2焊盘电极26从多层构造部203露出。多层构造部203包含构成第2电路部24的晶体管(例如，HBT)的各电极等。
在实施方式2涉及的高频模块100a中，与实施方式1的变形例4涉及的高频模块100同样地，第1基板10的材料和第2基板20的材料相同。此外，屏蔽层6与第1基板10的第2主面12以及第2基板20的第2主面22相接。因而，实施方式2涉及的高频模块100a与实施方式1的变形例4涉及的高频模块100同样地，能够谋求散热性的提高。
所谓“第1基板10的材料和第2基板20的材料相同”，意味着第1基板10的主成分和第2基板20的主成分相同。主成分不包含杂质。例如，在第1基板10以及第2基板20各自为硅基板的情况下，第1基板10以及第2基板20各自的主成分为硅，即使在硅基板添加了杂质的情况下，主成分也不包含杂质。
从使作为高频模块100a整体的散热性提高的观点出发，第1电子部件1优选为比接收滤波器122A、122B容易发热的发送滤波器112B或发送滤波器112A。由此，在高频模块100a中，能够抑制第1电子部件1的特性的变动和多个电子部件8之中与第1电子部件1相邻的电子部件8的特性的变动。
构成第2电子部件2的IC芯片并不限于功率放大器111，例如，也可以是控制功率放大器111的控制器115(参照图4)。
此外，构成第2电子部件2的IC芯片也可以是低噪声放大器121(参照图4)。此外，构成第2电子部件2的IC芯片也可以是包含第1开关104(参照图4)、第2开关105(参照图4)以及第3开关106(参照图4)中的至少一个的IC芯片。
此外，构成第2电子部件2的IC芯片也可以是包含低噪声放大器121和第3开关106的单片的IC芯片。构成第2电子部件2的IC芯片也可以是包含低噪声放大器121、第1开关104、第2开关105以及第3开关106的单片的IC芯片。
此外，构成第2电子部件2的IC芯片也可以是IPD(Integrated PassiveDevice，集成无源器件)。
(实施方式2的变形例)
参照图11对实施方式2的变形例涉及的高频模块100a进行说明。关于实施方式2的变形例涉及的高频模块100a，对于与实施方式2涉及的高频模块100a同样的构成要素，标注同一附图标记并省略说明。
在实施方式2的变形例涉及的高频模块100a中，第2电子部件2具有设置在作为硅基板的第2基板20的第1主面21上的绝缘层201和设置在绝缘层201上的硅层202。在第2电子部件2中，在第2基板20的第1主面21侧，相对于硅层202形成有第2电路部24。在第2电子部件2中，由第2基板20、绝缘层201、以及硅层202构成了SOI(Silicon on Insulator，绝缘体上的硅)基板200。在实施方式2的变形例涉及的高频模块100a中，在第2电子部件2中，包含布线层以及钝化膜的多层构造部203设置在硅层202上。此外，在实施方式2的变形例涉及的高频模块100a中，在第2电子部件2中，经由多层构造部203的布线层等与第2电路部24连接的多个第2焊盘电极26从多层构造部203露出。
在实施方式2的变形例涉及的高频模块100a中，与实施方式2涉及的高频模块100a同样地，屏蔽层6与第1基板10的第2主面12以及第2基板20的第2主面22相接，因此能够使散热性提高。
此外，在实施方式2的变形例涉及的高频模块100a中，第2电子部件2为使用了SOI基板200的IC芯片，因此第2电路部24与屏蔽层6之间的电绝缘分离变得容易。
(实施方式3)
参照图12对实施方式3涉及的高频模块100b进行说明。关于实施方式3涉及的高频模块100b，对于与实施方式2涉及的高频模块100a同样的构成要素，标注同一附图标记并省略说明。另外，关于高频模块100b的电路结构，与参照图4说明的实施方式1涉及的高频模块100的电路结构相同。
在实施方式3涉及的高频模块100b中，构成第2电子部件2的IC芯片具有在第2基板20的厚度方向上贯通第2基板20的贯通电极210。贯通电极210例如为TSV(through siliconvia，硅通孔)。电绝缘部介于贯通电极210与第2基板20之间。电绝缘部的材料例如为氧化硅。贯通电极210例如为具有第1端以及第2端的圆柱状。贯通电极210的第1端与在第2电子部件2中与第2电路部24(参照图10)连接的多个第2焊盘电极26(参照图10)中的连接于安装基板9的接地层的第2焊盘电极26连接。贯通电极210的第2端与屏蔽层6相接。
在实施方式3涉及的高频模块100b中，与实施方式2涉及的高频模块100a同样地，屏蔽层6与第1基板10的第2主面12以及第2基板20的第2主面22相接，因此能够使散热性提高。
此外，在实施方式3涉及的高频模块100b中，第2电子部件2具有贯通电极210，因此能够谋求第2电子部件2的第2电路部24的接地性能的提高。
(实施方式4)
参照图13对实施方式4涉及的高频模块100c进行说明。关于实施方式4涉及的高频模块100c，对于与实施方式1涉及的高频模块100同样的构成要素，标注同一附图标记并省略说明。在图13中，省略了多个外部连接端子80(参照图1)的图示。另外，关于高频模块100c的电路结构，与参照图4说明的实施方式1涉及的高频模块100的电路结构相同。
在实施方式4涉及的高频模块100c中，第1电子部件1例如是包含发送滤波器112A和接收滤波器122A的双工器132A(参照图4)。此外，在高频模块100d中，第2电子部件2是包含发送滤波器112B和接收滤波器122B的双工器132B(参照图4)。由此，实施方式4涉及的高频模块100c与实施方式1涉及的高频模块100相比，能够减小安装基板9的第1主面91的面积，能够谋求从安装基板9的厚度方向D1观察的尺寸的小型化。
在实施方式4涉及的高频模块100c中，与实施方式1涉及的高频模块100同样地，屏蔽层6与第1基板10(参照图2)的第2主面12以及第2基板20(参照图2)的第2主面22相接，因此能够使散热性提高。
(实施方式5)
参照图14对实施方式5涉及的高频模块100d进行说明。关于实施方式5涉及的高频模块100d，对于与实施方式1涉及的高频模块100同样的构成要素，标注同一附图标记并省略说明。另外，关于高频模块100d的电路结构，与参照图4说明的实施方式1涉及的高频模块100的电路结构相同。
在实施方式5涉及的高频模块100d中，与实施方式1涉及的高频模块100的不同点在于，多个电子部件8包含配置在安装基板9的第2主面92的第3电子部件3。由此，实施方式5涉及的高频模块100d与实施方式1涉及的高频模块100相比，能够谋求从安装基板9的厚度方向D1观察的尺寸的小型化。
此外，与实施方式1涉及的高频模块100的不同点在于，多个外部连接端子80各自包含柱状电极800。在此，柱状电极800例如为圆柱状的电极。
此外，高频模块100d还具备树脂层7。树脂层7对配置在安装基板9的第2主面92的第3电子部件3的外周面803和柱状电极800的外周面进行覆盖。
树脂层7形成为使构成第3电子部件3的电子部件8的第2主面802露出。树脂层7包含树脂(例如，环氧树脂)。树脂层7也可以除了树脂以外还包含填料。树脂层7的材料可以是与树脂层5的材料相同的材料，也可以是与树脂层5的材料不同的材料。
在高频模块100d中，屏蔽层6也可以还覆盖树脂层7的外周面73。
此外，在高频模块100d中，配置在安装基板9的第2主面92的电子部件8的第2主面802和树脂层7中的与安装基板9侧相反侧的主面71大致平齐。
在实施方式5涉及的高频模块100d中，与实施方式1涉及的高频模块100同样地，屏蔽层6与第1基板10(参照图2)的第2主面12以及第2基板20(参照图2)的第2主面22相接，因此能够使散热性提高。
此外，在实施方式5涉及的高频模块100d中，使第3电子部件3的第2主面802露出地形成有树脂层7，因此能够抑制第3电子部件3的温度上升。此外，在实施方式5涉及的高频模块100d中，能够在安装基板9的第2主面92也配置了电子部件8的结构中谋求低高度化。
(实施方式6)
参照图15以及图16对实施方式6涉及的高频模块100e进行说明。关于实施方式6涉及的高频模块100e，对于与实施方式5涉及的高频模块100d同样的构成要素，标注同一附图标记并省略说明。另外，关于高频模块100e的电路结构，与参照图4说明的实施方式1涉及的高频模块100的电路结构相同，但是第1开关104的选择端子的数量以及接收滤波器的数量各增加一个。
在实施方式6涉及的高频模块100e中，第1电子部件1例如为包含发送滤波器112A和接收滤波器122A的双工器132A(参照图4)。此外，在高频模块100e中，第2电子部件2为包含发送滤波器112B和接收滤波器122B的双工器132B(参照图4)。由此，实施方式6涉及的高频模块100e与实施方式5涉及的高频模块100d相比，能够减小安装基板9的第1主面91的面积，能够谋求从安装基板9的厚度方向D1观察的尺寸的小型化。
此外，在实施方式6涉及的高频模块100e中，多个电子部件8包含配置在安装基板9的第2主面92的第3电子部件3以及第4电子部件4。
第3电子部件3包含第3基板30和第3电路部34。第3基板30具有相互对置的第1主面31以及第2主面32。第3电路部34形成在第3基板30的第1主面31侧。
第3电子部件3是与接收滤波器122A、122B独立的接收滤波器。在此，第3电子部件3是弹性波滤波器。在构成第3电子部件3的弹性波滤波器中，第3基板30为硅基板。第3电路部34具有多个IDT电极35。在此，构成第3电子部件3的弹性波滤波器包含设置在第3基板30的第1主面31上的低声速膜393、设置在低声速膜393上的压电体层394、以及设置在压电体层394上的多个IDT电极35。因此，第3电路部34具有多个IDT电极35。
压电体层394的材料例如是铌酸锂或钽酸锂。低声速膜393是如下的膜，即，在低声速膜393传播的体波的声速与在压电体层394传播的体波的声速相比成为低速。低声速膜393的材料例如为氧化硅，但是并不限定于此。低声速膜393的材料例如也可以是氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、氧化硅中添加了氟、碳或硼的化合物、或者以上述各材料为主成分的材料。在第3基板30中，在第3基板30传播的体波的声速与在压电体层394传播的弹性波的声速相比为高速。在此，在第3基板30传播的体波是在第3基板30传播的多个体波之中声速最低的体波。
第3电子部件3也可以还具有设置在第3基板30与低声速膜393之间的高声速膜。高声速膜是如下的膜，即，在高声速膜传播的体波的声速与在压电体层394传播的弹性波的声速相比成为高速。高声速膜的材料例如为从包含类金刚石碳、氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、硅、蓝宝石、压电体(钽酸锂、铌酸锂、或石英)、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石、氧化镁、以及金刚石的组选择的至少一种材料。高声速膜的材料也可以是以上述的任意材料为主成分的材料、或以包含上述的任意材料的混合物为主成分的材料。
在从第3基板30的厚度方向的俯视下，低声速膜393位于从第3基板30的外缘分离的位置。第3电子部件3还包含覆盖第3基板30的第1主面31中的未被低声速膜393覆盖的区域的绝缘层395。绝缘层395具有电绝缘性。绝缘层395在第3基板30的第1主面31上沿着第3基板30的外缘形成。绝缘层395包围多个IDT电极35。在从第3基板30的厚度方向的俯视下，绝缘层395为框形状(例如，矩形框状)。绝缘层395的一部分在第3基板30的厚度方向上与压电体层394的外周部重叠。压电体层394的外周面以及低声速膜393的外周面被绝缘层395覆盖。绝缘层395的材料为环氧树脂、聚酰亚胺等。
第3电子部件3作为第3封装构造的构成要素而具有第3间隔层37、第3覆盖构件38、以及多个第3端子39。
第3间隔层37以及第3覆盖构件38设置在第3基板30的第1主面31侧。第3间隔层37在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下包围多个IDT电极35。在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，第3间隔层37为矩形框状。第3间隔层37具有电绝缘性。第3间隔层37的材料为环氧树脂、聚酰亚胺等。第3覆盖构件38为平板状。第3覆盖构件38配置在第3间隔层37上，使得在安装基板9的厚度方向D1上与第3基板30对置。第3覆盖构件38在安装基板9的厚度方向D1上与多个IDT电极35重复，且在安装基板9的厚度方向D1上从多个IDT电极35分离。第3覆盖构件38具有电绝缘性。第3覆盖构件38的材料为环氧树脂、聚酰亚胺等。第3电子部件3具有被第3基板30、绝缘层395、第3间隔层37、以及第3覆盖构件38包围的第3空间S3。在第3电子部件3中，气体进入到第3空间S3。气体为空气、惰性气体(例如，氮气)等。多个第3端子39从第3覆盖构件38露出。多个第3端子39各自例如为凸块。各凸块例如为焊料凸块。各凸块并不限于焊料凸块，例如也可以是金凸块。
第4电子部件4包含第4基板40和第4电路部44。第4基板40具有相互对置的第1主面41以及第2主面42。第4电路部44形成在第4基板40的第1主面41侧。在此，第4基板40例如为硅基板。第4电子部件4是IC芯片。构成第4电子部件4的IC芯片例如为低噪声放大器121(参照图4)，但是并不限于此，例如，也可以是包含第1开关104、第2开关105以及第3开关106中的至少一个的IC芯片。
此外，在实施方式6涉及的高频模块100e中，在第4电子部件4中，包含布线层以及钝化膜的多层构造部403设置在第4基板40的第1主面41上。此外，在实施方式6涉及的高频模块100e中，在第4电子部件4中，经由多层构造部403的布线层等与第4电路部44连接的多个第4焊盘电极46从多层构造部403露出。此外，实施方式6涉及的高频模块100e还具备与多个第4焊盘电极46和安装基板9接合的多个第4凸块144。
此外，在实施方式6涉及的高频模块100e中，多个外部连接端子80各自为柱状电极。在此，柱状电极例如为圆柱状的电极。树脂层7对配置在安装基板9的第2主面92的第3电子部件3的外周面33、配置在安装基板9的第2主面92的第4电子部件4的外周面43、以及配置在安装基板9的第2主面92的多个外部连接端子80的外周面进行覆盖。
树脂层7形成为使第3基板30的第2主面32以及第4基板40的第2主面42露出。
此外，在高频模块100e中，第3基板30的第2主面32以及第4基板40的第2主面42和树脂层7中的与安装基板9侧相反侧的主面71大致干齐。
在实施方式6涉及的高频模块100e中，与实施方式1涉及的高频模块100同样地，屏蔽层6与第1基板10的第2主面12以及第2基板20的第2主面22相接，因此能够使散热性提高。
此外，在实施方式6涉及的高频模块100e中，第3基板30的第2主面32以及第4基板40的第2主面42各自的至少一部分露出。第3基板30的材料和第4基板40的材料相同。所谓“第3基板30的材料和第4基板40的材料相同”，意味着第3基板30的主成分和第4基板40的主成分相同。主成分不包含杂质。例如，在第3基板30以及第4基板40各自为硅基板的情况下，第3基板30以及第4基板40各自的主成分为硅，即使在硅基板添加了杂质的情况下，主成分也不包含杂质。第3基板30为硅基板，但是也可以在第2主面32侧包含厚度为20nm～100nm程度的自然氧化膜(硅氧化膜)。在该情况下，所谓“第3基板30的第2主面32露出”，包含硅氧化膜露出的情况。第4基板40为硅基板，但是也可以在第2主面42侧包含厚度为20nm～100nm程度的自然氧化膜(硅氧化膜)。在该情况下，所谓“第4基板40的第2主面42露出”，包含硅氧化膜露出的情况。
在实施方式6涉及的高频模块100e中，能够抑制第3电子部件3以及第4电子部件4的温度上升。此外，在实施方式6涉及的高频模块100e中，能够在安装基板9的第2主面92也配置了电子部件8的结构中谋求低高度化。
此外，在实施方式6涉及的高频模块100e中，第3基板30的材料和第4基板40的材料相同，因此还具有如下的优点，即，例如在制造时，在从与安装基板9侧相反侧对第3基板30以及第4基板40进行磨削的情况下，容易磨削。不过，对第3基板30以及第4基板40进行磨削并不是必须的。
(实施方式6的变形例1)
参照图17以及图18对实施方式6的变形例1涉及的高频模块100e进行说明。关于实施方式6的变形例1涉及的高频模块100e，对于与实施方式6涉及的高频模块100e同样的构成要素，标注同一附图标记并省略说明。
变形例1涉及的高频模块100e与实施方式6涉及的高频模块100e的不同点在于，第3电子部件3为裸芯片的弹性波滤波器。
变形例1涉及的高频模块100e在第3电子部件3中的绝缘层395上形成有多个第3焊盘电极36。此外，变形例1涉及的高频模块100e还具备与多个第3焊盘电极36和安装基板9接合的多个第3凸块103。在高频模块100e中，构成第3电子部件3的裸芯片的弹性波滤波器的多个IDT电极35配置在第3空间SP3内，该第3空间SP3由多个第3焊盘电极36、多个第3凸块103、第3基板30、安装基板9以及树脂层7在第3基板30与安装基板9之间形成。
变形例1涉及的高频模块100e与实施方式6涉及的高频模块100e相比，可谋求第3电子部件3的低高度化，因此可谋求高频模块100e整体的低高度化。
(实施方式6的变形例2)
参照图19对实施方式6的变形例2涉及的高频模块100e进行说明。关于实施方式6的变形例2涉及的高频模块100e，对于与实施方式6涉及的高频模块100e同样的构成要素，标注同一附图标记并省略说明。
变形例2涉及的高频模块100e与实施方式6涉及的高频模块100e的不同点在于，多个外部连接端子80为球状凸块。此外，变形例2涉及的高频模块100e与实施方式6涉及的高频模块100e的不同点在于，不具备实施方式6涉及的高频模块100e的树脂层7。变形例2涉及的高频模块100e也可以具备设置在第4电子部件4与安装基板9的第2主面92之间的间隙的底部填充部。
构成多个外部连接端子80各自的球状凸块的材料例如为金、铜、焊料等。
在多个外部连接端子80中，混合存在由球状凸块构成的外部连接端子80和由柱状电极构成的外部连接端子80。
在实施方式6的变形例2涉及的高频模块100e中，与实施方式6涉及的高频模块100e同样地，第1基板10的材料和第2基板20的材料相同。此外，屏蔽层6与第1基板10的第2主面12以及第2基板20的第2主面22相接。因而，实施方式6的变形例2涉及的高频模块100e与实施方式6涉及的高频模块100e同样地，能够谋求散热性的提高。
在实施方式6涉及的高频模块100e中，并不限于第3电子部件3中的第3基板30的第2主面32的整个区域、以及第4电子部件4中的第4基板40的第2主面42的整个区域露出的情况，也可以是仅第2主面32的一部分、以及第2主面42的一部分露出。
上述的实施方式1～实施方式6等只不过是本发明的各种各样的实施方式之一。只要能够达到本发明的目的，上述的实施方式1～实施方式6等就能够根据设计等而进行各种变更。
构成上述的第1电子部件1以及第2电子部件2各自的BAW滤波器具备封装构造的要素，但是并不限于此，也可以是裸芯片的BAW滤波器。此外，在BAW滤波器中，在将第1BAW谐振器180以及第2BAW谐振器280各自设为FBAR的情况下，并不限于图7的构造。例如，第1BAW谐振器180也可以配置为，代替在第1基板10形成空洞184，而在电绝缘膜185的一部分与第1基板10的第1主面11之间形成空洞。在该情况下，也可以是如下的构造，即，在电绝缘膜185中的与空洞侧相反侧形成有第1电极181，在第1电极181上形成有压电体膜182，在压电体膜182上形成有第2电极183。电绝缘膜185的一部分与第1基板10的第1主面11之间的空洞例如能够利用牺牲层蚀刻技术来形成。此外，第2BAW谐振器280也可以配置为，代替在第2基板20形成空洞284，而在电绝缘膜285的一部分与第2基板20的第1主面21之间形成空洞。在该情况下，也可以是如下的构造，即，在电绝缘膜285中的与空洞侧相反侧形成有第1电极281，在第1电极281上形成有压电体膜282，在压电体膜282上形成有第2电极283。电绝缘膜285的一部分与第2基板20的第1主面21之间的空洞例如能够利用牺牲层蚀刻技术来形成。
此外，发送滤波器112A、112B以及接收滤波器122A、122B等滤波器并不限于梯型滤波器，例如，也可以是纵向耦合谐振器型声表面波滤波器。
此外，上述的弹性波滤波器是利用声表面波或体声波的弹性波滤波器，但是并不限于此，例如，也可以是利用声边界波、板波等的弹性波滤波器。
多个第1凸块101、多个第2凸块102、多个第3凸块103以及多个第4凸块144各自例如为焊料凸块，但是并不限于此，例如也可以是金凸块。
关于多个电子部件8之中第1电子部件1以及第2电子部件2以外的电子部件8，并不限于经由凸块与安装基板9电连接的情况，例如，也可以经由接合引线与安装基板9电连接。
高频模块100～100e的电路结构并不限于上述的例子。此外，高频模块100～100e也可以作为电路结构而具有例如应对MIMO(Multi InputMulti Output，多输入多输出)的高频前端电路。
此外，实施方式1涉及的通信装置300也可以代替高频模块100而具备高频模块100a、100b、100c、100d、100e中的任意者。
(方式)
在本说明书中，公开了以下的方式。
第1方式涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d；100e)具备安装基板(9)、第1电子部件(1)以及第2电子部件(2)、树脂层(5)、以及屏蔽层(6)。安装基板(9)具有相互对置的第1主面(91)以及第2主面(92)。第1电子部件(1)以及第2电子部件(2)配置在安装基板(9)的第1主面(91)。树脂层(5)配置在安装基板(9)的第1主面(91)，覆盖第1电子部件(1)的外周面(13)以及第2电子部件(2)的外周面(23)。屏蔽层(6)覆盖树脂层(5)和第1电子部件(1)以及第2电子部件(2)。第1电子部件(1)包含：第1基板(10)，具有相互对置的第1主面(11)以及第2主面(12)；以及第1电路部(14)，形成在第1基板(10)的第1主面(11)侧。第2电子部件(2)包含：第2基板(20)，具有相互对置的第1主面(21)以及第2主面(22)；以及第2电路部(24)，形成在第2基板(20)的第1主面(21)侧。第1基板(10)的材料和第2基板(20)的材料相同。屏蔽层(6)与第1基板(10)的第2主面(12)以及第2基板(20)的第2主面(22)相接。
第1方式涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d；100e)能够谋求散热性的提高。
在第2方式涉及的高频模块(100)中，在第1方式中，第1电子部件(1)以及第2电子部件(2)各自为弹性波滤波器。第1基板(10)以及第2基板(20)各自为铌酸锂基板或钽酸锂基板。
在第2方式涉及的高频模块(100)中，能够抑制构成第1电子部件(1)以及第2电子部件(2)各自的弹性波滤波器的温度上升，能够谋求特性的稳定化。
在第3方式涉及的高频模块(100)中，在第1方式中，第1电子部件(1)以及第2电子部件(2)各自为弹性波滤波器。第1基板(10)以及第2基板(20)各自为硅基板。
在第3方式涉及的高频模块(100)中，能够谋求第1电子部件(1)以及第2电子部件(2)各自的滤波器性能的提高。
在第4方式涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d；100e)中，在第1方式中，第1电子部件(1)以及第2电子部件(2)各自为裸芯片的弹性波滤波器。
在第4方式涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d；100e)中，能够谋求第1电子部件(1)以及第2电子部件(2)的低高度化，能够谋求高频模块(100；100a；100b；100c；100d；100e)整体的低高度化。
在第5方式涉及的高频模块(100；100a；100b)中，在第2～第4方式中的任一方式中，构成第1电子部件(1)的弹性波滤波器是构成双工器(132B)的发送滤波器(112B)。构成第2电子部件(2)的弹性波滤波器是构成双工器(132B)的接收滤波器(122B)。
在第5方式涉及的高频模块(100；100a；100b)中，能够抑制由发送滤波器(112B)以及接收滤波器(122B)的温度上升造成的特性下降。
在第6方式涉及的高频模块(100；100a)中，在第1方式中，第1基板(10)以及第2基板(20)各自为硅基板。
在第6方式涉及的高频模块(100；100a)中，第1电子部件(1)以及第2电子部件(2)各自的器件的种类的选项变多。此外，在第6方式涉及的高频模块(100；100a)中，在采用像对第1基板(10)以及第2基板(20)进行磨削那样的制造工艺的情况下，变得容易磨削。
在第7方式涉及的高频模块(100a)中，在第6方式中，第1电子部件(1)是弹性波滤波器。第2电子部件(2)是IC芯片。
在第8方式涉及的高频模块(100a)中，在第7方式中，IC芯片包含功率放大器(111)。
在第8方式涉及的高频模块(100a)中，在功率放大器(111)中产生的热变得容易通过屏蔽层(6)进行散热。
在第9方式涉及的高频模块(100a)中，在第7方式中，IC芯片是控制功率放大器(111)的控制器(115)。
在第9方式涉及的高频模块(100a)中，在控制器(115)中产生的热变得容易通过屏蔽层(6)进行散热。
在第10方式涉及的高频模块(100a；100b)中，在第7方式中，IC芯片包含低噪声放大器(121)。
在第10方式涉及的高频模块(100a；100b)中，在低噪声放大器(121)中产生的热变得容易通过屏蔽层(6)进行散热。
在第11方式涉及的高频模块(100a；100b)中，在第7或第9方式中，IC芯片包含开关(第1开关104；第2开关105；第3开关106)。
在第11方式涉及的高频模块(100a；100b)中，在开关(第1开关104；第2开关105；第3开关106)中产生的热变得容易通过屏蔽层(6)进行散热。
在第12方式涉及的高频模块(100b)中，在第7～第11方式中的任一方式中，IC芯片具有在第2基板(20)的厚度方向上贯通第2基板(20)的贯通电极(210)。
在第12方式涉及的高频模块(100b)中，能够谋求IC芯片的接地性能的提高。
关于第13方式涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d；100e)，在第1～第12方式中的任一方式中，还具备：电子部件(8)，配置在安装基板(9)的第1主面(91)，被树脂层(5)覆盖。第1基板(10)的第2主面(12)以及第2基板(20)的第2主面(22)各自的最大高度粗糙度大于被树脂层(5)覆盖的电子部件(8)中的与安装基板(9)侧相反侧的主面(第2主面802)的最大高度粗糙度。
在第13方式涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d；100e)中，能够使第1电子部件(1)以及第2电子部件(2)和屏蔽层(6)的密接性提高。
在第14方式涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d；100e)中，在第1～第12方式中的任一方式中，屏蔽层(6)具有识别标记(60)。识别标记(60)包含第1部分(61)和第2部分(62)。第1部分(61)是屏蔽层(6)之中在安装基板(9)的厚度方向(D1)上与第1基板(10)的第2主面(12)重叠的部分。第2部分(62)是屏蔽层(6)之中在安装基板(9)的厚度方向(D1)上与第2基板(20)的第2主面(22)重叠的部分。
在第14方式涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d；100e)中，人能够对识别标记(60)进行视觉识别。
关于第15方式涉及的高频模块(100d；100e)，在第1～第14方式中的任一方式中，还具备第3电子部件(3)。第3电子部件(3)配置在安装基板(9)的第2主面(92)。
在第15方式涉及的高频模块(100d；100e)中，能够谋求从安装基板(9)的厚度方向(D1)观察的尺寸的小型化。
关于第16方式涉及的高频模块(100e)，在第15方式中，还具备第4电子部件(4)。第4电子部件(4)配置在安装基板(9)的第2主面(92)。第3电子部件(3)包含：第3基板(30)，具有相互对置的第1主面(31)以及第2主面(32)；以及第3电路部(34)，形成在第3基板(30)的第1主面(31)侧。第4电子部件(4)包含：第4基板(40)，具有相互对置的第1主面(41)以及第2主面(42)；以及第4电路部(44)，形成在第4基板(40)的第1主面(41)侧。第3基板(30)的第2主面(32)以及第4基板(40)的第2主面(42)各自的至少一部分露出。第3基板(30)的材料和第4基板(40)的材料相同。
在第16方式涉及的高频模块(100e)中，能够谋求从安装基板(9)的厚度方向(D1)观察的尺寸的小型化。
关于第17方式涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d；100e)，在第1～第16方式中的任一方式中，还具备外部连接端子(80)。外部连接端子(80)配置在安装基板(9)的第2主面(92)。
在第17方式涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d；100e)中，在第1电子部件(1)以及第2电子部件(2)产生的热变得容易通过屏蔽层(6)进行散热。
第18方式涉及的通信装置(300)具备第1～第17方式中的任一方式的高频模块(100；100a；100b；100c；100d；100e)和信号处理电路(301)。信号处理电路(301)与高频模块(100；100a；100b；100c；100d；100e)连接，对高频信号进行信号处理。
在第18方式涉及的通信装置(300)中，能够谋求散热性的提高。
附图标记说明
100、100a、100b、100c、100d、100e：高频模块；
1：第1电子部件；
10：第1基板；
11：第1主面；
12：第2主面；
13：外周面；
14：第1电路部；
15：IDT电极；
16：第1焊盘电极；
17：第1间隔层；
18：第1覆盖构件；
19：第1端子；
193：低声速膜；
194：压电体层；
195：绝缘层；
2：第2电子部件；
20：第2基板；
21：第1主面；
22：第2主面；
23：外周面；
24：第2电路部；
25：IDT电极；
26：第2焊盘电极；
27：第2间隔层；
28：第2覆盖构件；
29：第2端子；
200：SOI基板；
201：绝缘层；
202：硅层；
203：多层构造部；
3：第3电子部件；
30：第3基板；
31：第1主面；
32：第2主面；
33：外周面；
34：第3电路部；
35：IDT电极；
39：第3端子；
393：低声速膜；
394：压电体层；
395：绝缘层；
4：第4电子部件；
40：第4基板；
41：第1主面；
42：第2主面；
43：外周面；
44：第4电路部；
46：第4焊盘电极；
403：多层构造部；
5：树脂层；
51：主面；
53：外周面；
6：屏蔽层；
60：识别标记；
61：第1部分；
62：第2部分；
63：第3部分；
7：树脂层；
71：主面；
73：外周面；
8：电子部件；
801：第1主面；
802：第2主面；
803：外周面；
9：安装基板；
91：第1主面；
92：第2主面；
93：外周面；
80：外部连接端子；
81：天线端子；
82：信号输入端子；
83：信号输出端子；
84：控制端子；
85：接地端子；
101：第1凸块；
102：第2凸块；
103：第3凸块；
144：第4凸块；
104：第1开关；
140：公共端子；
141、142：选择端子；
105：第2开关；
150：公共端子；
151、152：选择端子；
106：第3开关；
160：公共端子；
161、162：选择端子；
111：功率放大器；
112A、112B：发送滤波器；
113：输出匹配电路；
115：控制器；
121：低噪声放大器；
122A、122B：接收滤波器；
123：输入匹配电路；
132A：双工器；
132B：双工器；
171：第1滤波器芯片；
173：第1封装基板；
1730：第1支承体；
1731：第1主面；
1732：第2主面；
1733：电极；
1734：外部连接电极；
1735：贯通电极；
174：凸块；
175：第1密封树脂部；
180：第1BAW谐振器；
181：第1电极；
182：压电体膜；
183：第2电极；
184：空洞；
185：电绝缘膜；
271：第2滤波器芯片；
273：第2封装基板；
2730：第2支承体；
2731：第1主面；
2732：第2主面；
2733：电极；
2734：外部连接电极；
2735：贯通电极；
274：凸块；
275：第2密封树脂部；
280：第2BAW谐振器；
281：第1电极；
282：压电体膜；
283：第2电极；
284：空洞；
285：电绝缘膜；
300：通信装置；
301：信号处理电路；
302：RF信号处理电路；
303：基带信号处理电路；
310：天线；
A1：声反射层；
A11：低声阻抗层；
A12：高声阻抗层；
A2：声反射层；
A21：低声阻抗层；
A22：高声阻抗层；
D1：厚度方向；
S1：第1空间；
S2：第2空间；
SP1：第1空间；
SP2：第2空间；
SP3：第3空间；
SP4：第4空间。
Claims (18)
1.一种高频模块，具备：
安装基板，具有相互对置的第1主面以及第2主面；
第1电子部件以及第2电子部件，配置在所述安装基板的所述第1主面；
树脂层，配置在所述安装基板的所述第1主面，覆盖所述第1电子部件的外周面以及所述第2电子部件的外周面；以及
屏蔽层，覆盖所述树脂层和所述第1电子部件以及所述第2电子部件，
所述第1电子部件包含：
第1基板，具有相互对置的第1主面以及第2主面；
第1电路部，形成在所述第1基板的所述第1主面侧，
所述第2电子部件包含：
第2基板，具有相互对置的第1主面以及第2主面；以及
第2电路部，形成在所述第2基板的所述第1主面侧，
所述第1基板的材料和所述第2基板的材料相同，
所述屏蔽层与所述第1基板的所述第2主面以及所述第2基板的所述第2主面相接。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其中，
所述第1电子部件以及所述第2电子部件各自为弹性波滤波器，
所述第1基板以及所述第2基板各自为铌酸锂基板或钽酸锂基板。
3.根据权利要求1所述的高频模块，其中，
所述第1电子部件以及所述第2电子部件各自为弹性波滤波器，
所述第1基板以及所述第2基板各自为硅基板。
4.根据权利要求1所述的高频模块，其中，
所述第1电子部件以及所述第2电子部件各自为裸芯片的弹性波滤波器。
5.根据权利要求2～4中的任一项所述的高频模块，其中，
构成所述第1电子部件的所述弹性波滤波器是构成双工器的发送滤波器，
构成所述第2电子部件的所述弹性波滤波器是构成所述双工器的接收滤波器。
6.根据权利要求1所述的高频模块，其中，
所述第1基板以及所述第2基板各自为硅基板。
7.根据权利要求6所述的高频模块，其中，
所述第1电子部件为弹性波滤波器，
所述第2电子部件为IC芯片。
8.根据权利要求7所述的高频模块，其中，
所述IC芯片包含功率放大器。
9.根据权利要求7所述的高频模块，其中，
所述IC芯片是控制功率放大器的控制器。
10.根据权利要求7所述的高频模块，其中，
所述IC芯片包含低噪声放大器。
11.根据权利要求7或9所述的高频模块，其中，
所述IC芯片包含开关。
12.根据权利要求7～11中的任一项所述的高频模块，其中，
所述IC芯片具有在所述第2基板的厚度方向上贯通所述第2基板的贯通电极。
13.根据权利要求1～12中的任一项所述的高频模块，其中，
还具备：电子部件，配置在所述安装基板的所述第1主面并被所述树脂层覆盖，
所述第1基板的所述第2主面以及所述第2基板的所述第2主面各自的最大高度粗糙度大于被所述树脂层覆盖的电子部件中的与所述安装基板侧相反侧的主面的最大高度粗糙度。
14.根据权利要求1～12中的任一项所述的高频模块，其中，
所述屏蔽层具有识别标记，
所述识别标记包含：
第1部分，在所述屏蔽层之中在所述安装基板的厚度方向上与所述第1基板的所述第2主面重叠；以及
第2部分，在所述屏蔽层之中在所述安装基板的所述厚度方向上与所述第2基板的所述第2主面重叠。
15.根据权利要求1～14中的任一项所述的高频模块，其中，
还具备：第3电子部件，配置在所述安装基板的所述第2主面。
16.根据权利要求15所述的高频模块，其中，
还具备：第4电子部件，配置在所述安装基板的所述第2主面，
所述第3电子部件包含：
第3基板，具有相互对置的第1主面以及第2主面；以及
第3电路部，形成在所述第3基板的所述第1主面侧，
所述第4电子部件包含：
第4基板，具有相互对置的第1主面以及第2主面；以及
第4电路部，形成在所述第4基板的所述第1主面侧，
所述第3基板的所述第2主面以及所述第4基板的所述第2主面各自的至少一部分露出，
所述第3基板的材料和所述第4基板的材料相同。
17.根据权利要求1～16中的任一项所述的高频模块，其中，
还具备：外部连接端子，配置在所述安装基板的所述第2主面。
18.一种通信装置，具备：
权利要求1～17中的任一项所述的高频模块；以及
信号处理电路，与所述高频模块连接，对高频信号进行信号处理。
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