JPH06151960A - 画像素子アレイ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＬＥＤアレイの切断時の損傷や、コレットで
の搬送時の損傷を防止すると共に、ＬＥＤアレイの端部
位置の認識を容易にし、かつＬＥＤアレイの静電破壊を
防止する。 【構成】 ＬＥＤアレイ２の短辺方向の端部に沿って、
拡散マスク層６を設けない基板露出部１６を設け、端部
から所定の隙間を置いて、基板露出部１６と拡散マスク
層６を被覆するようにガイド電極１４を設ける。ガイド
電極１４は、ＬＥＤアレイ２の短辺方向の端部に沿って
形成する。ガイド電極１４で、アレイ切断時のダイアモ
ンドカッターの進行方向を規制し切断精度を向上させ、
同時に基板４や拡散マスク層６の補強する。ガイド電極
１４はアレイ２の端部認識マークとなり、静電シールド
ともなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の利用分野】この発明は、ＬＥＤアレイやＥＬア
レイ、液晶シャッタアレイ、ＰＬＺＴアレイ、ＣＣＤア
レイ等の画像素子アレイに関し、光プリンタやファクシ
ミリ，ディスプレイ、イメージセンサ等への応用に適し
たものである。

【０００２】

【従来技術】ＬＥＤアレイ等の画像素子アレイは、光プ
リンタ用のプリントヘッドやファクシミリ、ディスプレ
イ、イメージセンサ等に用いられている。このような画
像素子アレイは、２．５〜３インチ（ＬＥＤアレイの場
合）等のウェハーから、ダイアモンドカッター等で切り
出して製造する。画像素子アレイは一般に長尺状で、例
えば幅が３００〜４００μｍ、長さが５ｍｍ程度であ
る。そして画像素子アレイは、プリントヘッドやイメー
ジセンサ等で多数直線状に配列して用いるため、アレイ
の両端のすぐそばまで受発光体を設けている。アレイが
長尺状であるため、ウェハーからアレイを切断する際
に、アレイの両端付近に損傷が生じ易く、かつこのよう
な損傷は両端付近の受発光体の出力変動や損傷の原因と
なる。

【０００３】関連する先行技術を示すと、特開平３−８
１１６４号公報等は、ＬＥＤアレイの両端付近で発光体
の出力が低下し易いことを示している。そしてこの公報
は、アレイの両端付近の発光体の発光面積を他の発光体
よりも大きくすることを示している。しかしながら、ウ
ェハーから画像素子アレイを切り出す際の損傷につい
て、言及している先行技術は見あたらなかった。

【０００４】

【発明の課題】この発明の課題は、画像素子アレイを切
り出す際や、画像素子アレイにボンディングする際に、
画像素子アレイが損傷することを防止すると共に、画像
素子アレイの受発光体への静電シールド機能を高め、か
つ画像素子アレイの端部認識を容易にすることにある
（請求項１）。この発明の副次的課題は、画像素子アレ
イを切り出す際に、所定の切断ラインに沿って切り出す
ことを容易にし、画像素子アレイの形状精度を高めると
共に、端部付近の受発光体に損傷が生じるのを防止する
ことにある（請求項２）。この発明の他の課題は、画像
素子アレイとして半導体基板上に拡散マスク層を設けた
アレイを用いた際に、アレイの切断時やアレイのボンデ
ィング時の、拡散マスク層の損傷を防止することにある
（請求項３）。この発明の更に他の課題は、アレイをコ
レット等で搬送する際に、アレイが損傷するのを防止す
ることにある（請求項４）。

【０００５】

【発明の構成】この発明の画像素子アレイは、長手方向
に沿って多数の受発光体を配列した、ほぼ長方形状の画
像素子アレイにおいて、画像素子アレイの一主面上で、
少なくともその短辺方向の端部付近の表面に沿って、金
属膜を形成したことを特徴とする。ここで好ましくは、
金属膜と画像素子アレイの端部との間に、隙間を設ける
ようにする。また好ましくは、画像素子アレイを、半導
体基板を拡散マスク層で被覆し、拡散マスク層を設けな
い部分に受発光体を形成したアレイとして、金属膜をこ
の拡散マスク層上に形成すると共に、金属膜の底部の一
部に拡散マスク層を設けない領域を形成して、金属膜の
底面を半導体基板表面と拡散マスク層表面との双方に密
着させる。更に好ましくは、金属膜を、前記画像素子ア
レイの短辺方向の端部付近と、前記画像素子アレイの角
部付近とに設ける。画像素子アレイには、実施例に示す
ＬＥＤアレイの他に、ＥＬアレイ、液晶シャッタアレ
イ、ＰＬＺＴアレイ、ＣＣＤアレイ等を用いる。

【０００６】

【発明の作用】この発明では、ほぼ長方形状の画像素子
アレイの短辺方向の端部付近に沿って、金属膜を形成す
る。形成した金属膜は、ＧａＡｓ等のアレイの脆い材質
を補強し、切断時の応力によってアレイが損傷すること
を防止する。画像素子アレイでは、その両端のすぐ近傍
まで受発光体を設けるため、切断時の衝撃によって両端
付近の受発光体が損傷し易いので、金属膜は少なくとも
アレイの短辺方向の端部に沿って設ける。発明者は、ア
レイの短辺方向の端部に沿って金属膜を設けることで、
切断時の損傷を防止し得ることを見い出した。金属膜は
単に切断時の損傷を防止するだけでなく、アレイの個別
の受発光体へのボンディング時の損傷も防止する。ボン
ディング時の衝撃はアレイの損傷の原因となり、特に脆
弱な両端部付近で損傷が著しい。ここでアレイの両端を
金属膜で補強すれば、ボンディング時の衝撃でアレイの
両端の受発光体やそれに接続した電極が損傷するのを防
止できる。アレイの長手方向の両端に設けた金属膜は、
静電シールドとして作用する。これはプリンタやファク
シミリ等で、高圧で感光体を帯電させる環境下で画像素
子アレイを用いる際に、帯電器からの放電でアレイが損
傷するのを防止する意味がある。また金属膜は、アレイ
を基板に搭載してプリントヘッド等を組み立てる際に、
アレイの端部認識マークとして用い得る。画像素子アレ
イは一般に多数直線状に配列して用い、アレイとアレイ
とを極く短い間隔で正確に搭載することが重要なため、
端部に位置認識マークがあると、搭載精度が向上する。

【０００７】請求項２の発明に付いて作用を示すと、発
明者は、ダイアモンドカッター等でウェハーから画像素
子アレイを切り出す際に、カッターの刃（ブレード）が
前記の金属膜を避けるように進むことを見い出した。こ
れは脆く切断し易いウェハーの露出面（ここでは金属面
を設けていない部分を意味する）を選んでブレードが進
むことを意味し、展延性に富みブレードとの摩擦が大き
い金属膜を、ブレードが避けようとするために生じるも
のであろう。そこで画像素子アレイの端部との間に隙間
を設けて金属膜を設ければ、ブレードは金属膜と金属膜
の間を進み、所定の切断ラインに沿ってアレイが切断さ
れることになる。アレイの切断精度が増せば、アレイの
搭載精度が高まると共に、端部付近の受発光体の損傷を
防止し得ることになる。またアレイの搭載精度を高める
と、プリントヘッド等への応用時に、アレイとアレイの
変わり目での受発光体の間隔が一定になり、画像品位が
向上する。

【０００８】請求項３の発明に付いて、作用を示す。Ｌ
ＥＤアレイ等の画像素子アレイは、基板上に拡散マスク
層を設けている。拡散マスク層はＧａＡｓ等の基板との
密着性が低く、切断時やボンディング時等に損傷し易
い。ここで金属膜の底面を拡散マスク層表面と基板表面
の双方に密着させれば、拡散マスク層の端部を金属膜で
押え込み、拡散マスク層と基板との間に隙間が生じた
り、拡散マスク層が剥離したり、あるいは拡散マスク層
にクラックが生じたりするのを防止できる。特に、画像
素子アレイの短辺方向の端部で、基板の端部と拡散マス
ク層の端部との間に隙間を設け、アレイの端部では金属
膜も拡散マスク層も設けず基板を露出させ、次いで基板
を金属膜で被覆し、この内側で拡散マスク層を金属膜で
被覆するようにすれば、切断時の衝撃が拡散マスク層に
加わることを防止し、かつ拡散マスク層を金属膜で押え
込み基板に密着させることができる。

【０００９】請求項４の発明に付いて、作用を示す。画
像素子アレイの損傷の原因として、上記のもの以外に、
コレット等で搬送する際の損傷がある。これはアレイの
隅の角（長方形のアレイの４頂点）にコレットから力が
集中するためで、金属膜がアレイの角部の付近をカバー
するように設ければ、アレイの隅を補強し、搬送時の損
傷を防止することができる。

【００１０】

【実施例】ＬＥＤアレイを例に、反転現像を用いるもの
として実施例を示すが、これに限るものではない。図１
において、２はＬＥＤアレイで、長方形状をし、短辺が
３００〜４００μｍ、長辺が５ｍｍ程度である。４はＧ
ａＡｓ等の基板、６は窒化珪素やＳｉＯ2等の拡散マス
ク層である。８は発光体で、配列ライン９上に１列にか
つ直線状に配置し、ＬＥＤアレイ２毎に６４個〜１２８
個の発光体８を設ける。図に示したように、好ましくは
配列ライン９がＬＥＤアレイ２の長手方向の中心線と一
致するようにし、ＬＥＤアレイ２をその中心に関して点
対称にする。なお発光体８は２列に配置しても良い。１
０は電極で、発光体８の配列ライン９に平行な方向から
発光体８に接続し、発光体８の配列ライン９から外部へ
引き出す。また１２はワイヤボンディングパッドであ
る。電極１０やワイヤボンディングパッド１２には例え
ば金属アルミニウム等を用い、真空蒸着やスパッタリン
グ等により、拡散マスク層６や発光体８の形成後に設け
る。ワイヤボンディングパッド１２はＬＥＤアレイ２の
左右両端から離して配置し、電極１０の発光体８からの
引き出し方向をＬＥＤアレイ２の中央で向きを変えて、
電極１０やボンディングパッド１２もＬＥＤアレイ２の
中心に関して左右対称に配置する。なお実施例ではボン
ディングパッド１２にワイヤボンディングを行うことと
したが、これに替えて例えばフリップチップボンディン
グを行っても良い。

【００１１】１４は金属膜からなるガイド電極で、電極
１０やボンディングパッド１２と同時に同じ材料で形成
し、１６はＧａＡｓ基板４の露出部である。ガイド電極
１４とＬＥＤアレイ２の端部との隙間は例えば１０〜２
０μｍ程度とし、ガイド電極１４の幅は例えば５０〜２
０μｍ程度とする。基板露出部１６は、一部がガイド電
極１４の底面にもあるようにし、ガイド電極１４が基板
露出部１６と拡散マスク層６の両方の表面に密着するよ
うにする。

【００１２】ＬＥＤアレイ２の両端の発光体８とアレイ
２の両端との間隔は、一般に１０〜２０μｍ程度しかな
い。このため両端の発光体に特に損傷が生じ易い。そこ
で実施例では、両端の発光体の損傷を防止することに重
点を置き、基板露出部１６とガイド電極１４とをＬＥＤ
アレイ２の短辺方向の両端に沿って両端に平行に設け
た。両端の発光体８と基板４の端部との隙間が僅かなた
め、ガイド電極１４や基板露出部１６は配列ライン９の
上下の２つに分離して設け、コレット等でＬＥＤアレイ
２を搬送する際や、ＬＥＤアレイ２の切り出し時等に、
ＬＥＤアレイ２の角（ＬＥＤアレイ２の長方形の４頂
点）に損傷が発生しないように、ＬＥＤアレイ２の角の
付近にもガイド電極１４と基板露出部１６を設けた。

【００１３】ガイド電極１４は、ＬＥＤアレイ２をウェ
ハーからダイアモンドカッター等から切り出す際に、ブ
レードのガイドとして作用する。実施例ではこのため、
ガイド電極１４をＬＥＤアレイ２の短辺方向の端部に平
行に配置したが、ガイド電極１４の形状に変形を加えて
も良い。例えばＬＥＤアレイ２の両端の発光体８の付近
で拡散マスク層６が損傷することを防止するため、図１
に鎖線で示したように、ガイド電極の延長部１７を設け
ても良い。このようにすれば、両端の発光体８の付近の
拡散マスク層６をガイド電極の延長部１７で基板４に密
着させ、ＬＥＤアレイ２の切断時の拡散マスク層６の剥
離等をより有効に防止できる。

【００１４】ＬＥＤアレイ２の解像度を３００ＤＰＩと
すると、発光体８の配列ピッチは８４.６μｍとなる。
実施例では発光体８の配列方向に沿った長さを例えば４
０μｍ、配列方向と垂直な長さも例えば４０μｍとし、
配列ピッチの２乗に対する発光体８の面積の占める割合
を２２％とする。配列ピッチの２乗に対する発光体８の
面積の好ましい範囲は２０〜３５％で、発光体８，８間
の配列ライン方向に沿った間隔は４０〜５０μｍが好ま
しく、最適値は４５μｍとなる。また副走査方向の発光
体間のギャップも好ましくは４０〜５０μｍ、最適には
４５μｍとする。これは現行のレンズアレイを介して感
光体に結像させた場合に、どの程度のギャップがあれば
６０％以上のＭＴＦが得られるかから経験的に求めたも
のである。

【００１５】このように発光体８を小型化すると、低印
画率領域での解像度が向上する。次に高印画率領域で多
数の発光体８が同時に発光すると、電極１０での反射光
が増加する。これに対して低印画率領域では電極１０で
の反射光は弱く、画像形成には寄与しない。高印画率領
域で電極１０での反射光が強まるため、発光体８と発光
体８との間に電極１０からなる仮想的な発光体を配置し
たのと同じことになる。このため高印画率領域では、発
光体８と発光体８との間に面した領域も電極１０からの
光で露光され、ソリッドブラック（反転現像の場合）へ
の表現力が向上する。電極１０での反射光は、発光体８
からの光が主となり、図示しないレンズアレイやプリン
トヘッドのハウジング等で反射した光が再度電極１０で
反射したものもある。ここでレンズアレイは発光体８の
配列ライン９に沿った光を主として結像させるため、発
光体８の配列ライン９から遠く離れたワイヤボンディン
グパッド１２等での反射光は、画像形成にはあまり寄与
せず、ワイヤボンディングパッド１２等に大きな面積を
割いているにもかかわらず、印画濃度のむら等の弊害は
少ない。次に電極１０の引き出し部は発光体８の配列ラ
イン９に対してほぼ対称に配置されている。このため電
極１０やその引き出し部での反射光は発光体８の配列ラ
イン９に対してほぼ対称に生じ、画像品位を低下させる
ことが少ない。

【００１６】ＬＥＤアレイ２の左右両端へのワイヤボン
ディングの問題について説明する。実施例では電極１０
を発光体８と発光体８の間から引き出すため、ワイヤボ
ンディングパッド１２をアレイ２の左右両端から遠ざけ
ることが可能になる。このためアレイ２の左右両端での
ワイヤボンディングを避け、ワイヤボンディング時の衝
撃等によるＬＥＤアレイ２の劣化を防止することができ
る。さらに拡散マスク層６は、ＬＥＤアレイ２の４隅で
ガイド電極１４により押え込まれ、基板４に密着させら
れている。この結果ＬＥＤアレイ２の両端付近での発光
体８の出力低下を防止し、発光出力のばらつきを防止す
ることができる。また同様にＬＥＤアレイ２の左右両端
付近での発光体８の出力低下を防止し、アレイ２，２間
での白筋の発生等を防止できる。またアレイ２の左右両
端でのワイヤボンディングを避けることにより、脆弱な
アレイ２の両端に衝撃を加えることを避け、ＬＥＤアレ
イ２の欠けや割れを防止することができる。

【００１７】次にボンディングパッド１２を発光体８の
配列ライン９の上下に対称に配置すると、ボンディング
パッド１２に大きな面積を取り、ワイヤボンディングを
容易にすることができる。また同時にボンディングパッ
ド１２，１２の間に大きな隙間を取り、ボンディングし
たワイヤ線相互のショート等を防止することができる。

【００１８】配列ライン９をＬＥＤアレイ２の長手方向
の中心線と一致させると、電極１０やボンディングパッ
ド１２をアレイ２の中心に関して点対称に配置したた
め、アレイ２は中心に関して点対称となる。またガイド
電極１４も、ＬＥＤアレイ２の中心に関して４箇所点対
称に配置する。この結果、全ての反射光がアレイ２の中
心に関して対称となり、アレイ２の場所による均質性が
向上する。次にアレイ２を点対称にすると、アレイ２を
１８０度回転させても同じになる。するとアレイ２を左
右逆向きに搭載しても良いことになる。ＬＥＤアレイ２
はＬＥＤヘッド等に用いるが、ヘッドへの搭載前にアレ
イ２の向きを揃えてトレー等に収容し、１個ずつピック
アップして搭載するのが普通である。しかしトレーに収
容した後にアレイ２の不良が発見されると、例えば手差
しでアレイ２を交換することになる。アレイ２は小さ
く、肉眼で向きを見分けるのは難しい。このため逆向き
にアレイ２を搭載することになりかねない。しかし図１
のように、ＬＥＤアレイ２が点対称であれば、左右逆向
きでも問題が無い。

【００１９】図２に、ＬＥＤアレイ２の両端付近の断面
を示す。図において、１８は不純物層で、基板露出部１
６には拡散マスク層６を設けなかったため、発光体８の
形成時に発光体８と同じ不純物が注入されたものであ
る。即ち不純物層１８の組成は発光体８の組成と同じで
ある。２０はＬＥＤアレイ２の共通電極で、発光体８等
と反対側の主面に設け、例えばＡｕやＡｌ等で形成す
る。

【００２０】図３に、変形例１を示す。図において、３
２は新たなＬＥＤアレイである。図１，図２の実施例で
は、ＬＥＤアレイ２の切断時にダイアモンドカッター等
のブレードが、ガイド電極１４を避けて進むことを利用
し、ガイド電極１４でブレードの進行方向を規制した。
このためガイド電極１４とＬＥＤアレイ２の短辺方向の
端部との間には１０〜２０μｍ程度の隙間を設けた。こ
れに対して図３の変形例は、ガイド電極１４をＬＥＤア
レイ３２の端部まで設けたもので、基板４の損傷を防止
する効果が図１，図２の実施例よりもやや大きいが、ガ
イド電極１４でダイアモンドカッター等の進行方向を正
確に規制できないため、図１，図２の実施例よりも劣っ
ている。

【００２１】図４に、実施例のＬＥＤアレイ２の全体配
置を示す。既に述べたように、ＬＥＤアレイ２はその中
心に関して点対称で、長手方向に１８０度反転して搭載
しても問題が無い。またＬＥＤアレイ２の短辺方向の両
端とその周辺の角部の付近を、ガイド電極１４で補強し
ている。

【００２２】実施例の作用を示す。ＬＥＤアレイ２は、
次のように製造する。共通電極２０を設けた基板４に、
不純物濃度の異なるＧａＡｓ層をエピタキシャル成長さ
せ、窒化珪素やシリカ等の拡散マスク層６を形成する。
拡散マスク層６を設けていない部分を窓として、不純物
を注入し発光体８を形成する。基板露出部１６には拡散
マスク層６を設けていないので、この部分にも不純物が
注入され、不純物層１８が発生する。これらの後に、電
極１０やボンディングパッド１２，ガイド電極１４を形
成する。このことから明らかなように、ガイド電極１４
や基板露出部１６を設けても、製造工程が増加すること
は無い。

【００２３】電極１０等を設けた後に、ウェハーをダイ
アモンドカッター等で切断し、ＬＥＤアレイ２を切り出
す。切断は、形状精度が得られるように、発光体８等を
設けた主面の側から行う。またＬＥＤアレイ２の短辺方
向から先に切断し、その後に長辺方向に沿って切断す
る。

【００２４】発明者の実験によると、ダイアモンドカッ
ター等のブレードは、ガイド電極１４を避けるように進
むことが分かった。これは脆いＧａＡｓ基板４や拡散マ
スク層６と、展延性に富むガイド電極１４との材質の違
いによるものと考えられ、展延性に富み摩擦が大きいガ
イド電極１４を避けるようにブレードが進むためと思わ
れる。このためＬＥＤアレイ２の短辺方向の切断ライン
は、ガイド電極１４と平行となり、きわめて高い精度で
ＬＥＤアレイ２を切断できる。この結果ＬＥＤアレイ２
をプリントヘッド等に搭載する場合に、アレイの変わり
目でも発光体８，８間のギャップを一定にし、アレイの
変わり目での白筋（反転現像の場合）の発生等を防止で
きる。

【００２５】ＬＥＤアレイ２の切断時に、基板４や拡散
マスク層６にクラックや割れ、あるいは拡散マスク層６
の基板４からの剥離等が生じることがある。これはＧａ
Ａｓ基板４や拡散マスク層６が脆く、損傷が生じ易いた
めである。このような損傷が生じると、ＬＥＤアレイ２
の両端付近の発光体８の出力に影響が生じる。両端の発
光体８からＬＥＤアレイ２の端部までのギャップが１０
〜２０μｍ程度しかないため、特にＬＥＤアレイ２の短
辺方向の切断時に問題が多い。ガイド電極１４は、切断
時の衝撃に対して基板４や拡散マスク層６を補強し、損
傷を防止する。この補強効果は、ガイド電極１４が基板
４や拡散マスク層６との密着性に富み、一種の接着剤と
して作用するためである。またダイアモンドカッター等
からの振動を、ガイド電極１４と基板４や拡散マスク層
６との界面で吸収し、ダイアモンドカッターからの衝撃
を吸収するためである。

【００２６】実施例では、基板露出部１６を設けて、拡
散マスク層６をＬＥＤアレイ２の左右の両端から遠ざけ
た。このため切断時の衝撃は脆弱な拡散マスク層６に直
接には加わらず、しかもガイド電極１４で拡散マスク層
６を基板４に密着させるため、拡散マスク層６の損傷を
防止することができる。

【００２７】切断が終ったＬＥＤアレイ２はコレット等
で搬送して、プリントヘッド等に組み立てる。この時、
コレットの隅がＬＥＤアレイ２に衝突して、ＬＥＤアレ
イ２の隅に損傷が生じ易い。これを防止するため、ガイ
ド電極１４や基板露出部１６をＬＥＤアレイ２の角の部
分から長手方向に沿って部分的に延長し、コレットとの
接触による損傷を防止した。

【００２８】プリントヘッド等では、多数のＬＥＤアレ
イ２を直線状に配置する。この時アレイの変わり目での
発光体８，８間のギャップも、ＬＥＤアレイ２の内部で
のギャップと正確に同じにしなければならない。このギ
ャップが異なると、白筋や黒筋の原因となる。コレット
でＬＥＤアレイ２を搬送し、プリントヘッドを組み立て
る場合、ガイド電極１４はＬＥＤアレイ２の端部の位置
認識マークとなる。ガイド電極１４は金属で、セラミッ
クの拡散マスク層６や基板４とは反射率が異なり、テレ
ビカメラ等で容易に検出して、ＬＥＤアレイ２を正確に
搭載することができる。

【００２９】プリントヘッドでは、発光体８からの光の
他に、電極１０の引き出し部での反射光が画像形成に関
係する。そしてＬＥＤアレイ２の両端の発光体８の上下
には電極１０の引き出し部がないため、他の部分よりも
反射光が弱くなる。これに対してガイド電極１４は、両
端の発光体８に対して反射光を補い、反射光の強度を一
様にする。

【００３０】ガイド電極１４にはこれ以外に、ＬＥＤア
レイ２に対する静電シールドの効果がある。プリントヘ
ッドは感光体ドラムの周囲等で用いられ、感光体ドラム
へのコロナ放電のため破壊され易い。これに対してガイ
ド電極１４は、ＬＥＤアレイ２の両端付近の発光体８に
対して一種の静電シールドとして作用し、コロナ放電に
伴う電界を吸収して、静電破壊を防止する。

【００３１】ＬＥＤアレイ２の主面に、一部でもアース
された電極があれば、静電シールドとしての作用は飛躍
的に向上する。このためには図５の変形例のように、Ｌ
ＥＤアレイ５２の主面に設けたガイド電極１４にボンデ
ィングパッド５４を接続し、アースすれば良い。そして
ボンディングパッド５４は、共通電極２０との接続用
の、図示しない基板に設けた外部電極に、例えばワイヤ
ボンディングする。

【００３２】静電シールドの機能を高めるためは、図６
の変形例のＬＥＤアレイ６２のように、基板露出部１６
と共通電極２０とを低抵抗層６４で接続しても良い。こ
のためには基板４の製造時に、低抵抗層６４の部分に不
純物を注入し、抵抗値を下げれば良い。

【００３３】図７に、実施例２を示す。図７において、
７２はＬＥＤアレイ、７４は発光体、７６は電極、７８
はボンディングパッドである。この実施例では、ＬＥＤ
アレイ７２の上下左右のほぼ全周に渡って、ガイド電極
１４と基板露出部１６とを設けた。この結果ガイド電極
１４によるＬＥＤアレイ７２の補強効果や静電シールド
効果は増加するが、ＬＥＤアレイ７２の短辺方向の幅が
増加し、基板面積が増加する。またＬＥＤアレイ７２の
長辺方向にもガイド電極１４を設けたので、ボンディン
グパッド７８にボンディングしたワイヤ線とガイド電極
１４とがショートし易い。

【００３４】図８に、第３の実施例を示す。図におい
て、８２はＬＥＤアレイで、８４は基板露出部である。
この実施例では、ボンディングパッド７８をＬＥＤアレ
イ８２の補強に利用する。このため拡散マスク層６と基
板４との密着性を向上させるため、基板露出部８４をボ
ンディングパッド７８の内部に設けて、拡散マスク層６
の剥離やクラック、割れ等を防止した。しかしながら、
基板露出部８４には発光体７４と同じ不純物が注入さ
れ、ボンディングパッド７８から基板露出部８４を経て
共通電極２０へと流れる電流のため、基板露出部８４が
発光する。このため図８の実施例では、基板露出部８４
を完全にボンディングパッド７８で覆い、迷光を抑制し
た。

【００３５】図９，図１０に、コレット９０でのＬＥＤ
アレイ２の搬送を示す。図９において、９０はコレット
で、９２は吸引穴で、ここから真空吸引してＬＥＤアレ
イ２を保持する。９４，９６，９８はコレット９０の内
面に設けた溝で、コレット９０の内面の４つの平面１０
０，１０２，１０４，１０６を分離するためのものであ
る。即ち平面１００，１０２，１０４，１０６を正確に
面出しするため、それらの境界に溝９４，９６，９８を
設けた。

【００３６】このようにすると、図１０の鎖線で示した
部分でコレット９０のエッジ（溝９４等と平面１００等
との間のエッジ）が、ＬＥＤアレイ２に衝突する。コレ
ット９０での搬送は、原則としてＬＥＤアレイ２の発光
体８等を設けた主面の側で行うので、コレット９０の内
面と衝突すると、ＬＥＤアレイ２の角の部分で損傷が生
じ易い。そこで実施例のように、ＬＥＤアレイ２の角の
部分をガイド電極１４で補強すると共に、角の部分にも
基板露出部１６を設けて、コレット９０の内面が脆弱な
拡散マスク層６に衝突するのを防止すると共に、ガイド
電極１４で拡散マスク層６や基板４を補強して、搬送時
の損傷を防止した。

【００３７】ＬＥＤアレイを例に実施例を示したが、こ
の発明はＰＬＺＴアレイやＣＣＤアレイ等の他の画像素
子アレイにも、そのまま適用できる。

【００３８】

【発明の効果】この発明では、画像素子アレイを切り出
す際や、画像素子アレイにボンディングする際の損傷を
防止できる。またこの発明では、画像素子アレイへの静
電シールド機能を高め、かつ画像素子アレイの端部認識
を容易にする（請求項１）。この発明では、以下の副次
的効果が得られる。請求項２の発明では、画像素子アレ
イを切り出す際に、所定の切断ラインに沿って切り出す
ことを容易にし、画像素子アレイの形状精度を高めると
共に、端部付近の受発光体に損傷が生じるのを防止す
る。請求項３の発明では、画像素子アレイとして半導体
基板上に拡散マスク層を設けたアレイを用い、アレイの
切断時やアレイへのボンディング時の、拡散マスク層の
損傷を防止する。請求項４の発明では、アレイをコレッ
ト等で搬送する際に、アレイが損傷するのを防止する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施例のＬＥＤアレイの要部平面図

【図２】 実施例のＬＥＤアレイの要部断面図

【図３】 変形例１のＬＥＤアレイの要部断面図

【図４】 実施例のＬＥＤアレイの部分切り欠き部付
き平面図

【図５】 変形例２のＬＥＤアレイの要部平面図

【図６】 変形例３のＬＥＤアレイの要部断面図

【図７】 第２の実施例のＬＥＤアレイの要部平面図

【図８】 第３の実施例のＬＥＤアレイの要部平面図

【図９】 ＬＥＤアレイの搬送に用いるコレットの底
部平面図

【図１０】 コレットとの接触によるＬＥＤアレイへの
衝撃の加わり方を示す平面図

【符号の説明】

２，３２，５２，６２，７２，８２ ＬＥＤアレイ ４ ＧａＡｓ基板 ６ 拡散マスク層 ８，７４ 発光部 ９ 配列ライン １０，７６ 電極 １２，５４，７８ ボンディングパッド １４ ガイド電極 １６，８４ 基板露出部 １８ 不純物注入層 ２０ 共通電極 ６４ 低抵抗層 ９０ コレット ９２ 吸引穴 ９４，９６，９８ 溝 １００，１０２，１０４，１０６ 平面

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 長手方向に沿って多数の受発光体を配列
   した、ほぼ長方形状の画像素子アレイにおいて、 該画像素子アレイの一主面上で、少なくともその短辺方
   向の端部付近の表面に沿って、金属膜を形成したことを
   特徴とする画像素子アレイ。
2. 【請求項２】 前記金属膜を、前記画像素子アレイの端
   部との間に隙間を設けて形成したことを特徴とする、請
   求項１の画像素子アレイ。
3. 【請求項３】 前記画像素子アレイを、半導体基板を拡
   散マスク層で被覆し、該拡散マスク層を設けない部分に
   受発光体を形成したアレイとして、前記金属膜をこの拡
   散マスク層上に形成すると共に、前記金属膜の底部の一
   部に拡散マスク層を設けない領域を形成して、前記金属
   膜の底面が半導体基板表面と拡散マスク層表面との双方
   に密着するようにしたことを特徴とする、請求項１の画
   像素子アレイ。
4. 【請求項４】 前記金属膜を、前記画像素子アレイの短
   辺方向の端部付近と、前記画像素子アレイの角部付近と
   に設けたことを特徴とする、請求項１の画像素子アレ
   イ。