JP2021158628A - 振動デバイス、および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】小型化を図ることができる振動デバイス、および振動デバイスを備える電子機器を提供すること。【解決手段】振動デバイスは、振動片と、前記振動片が収容される容器と、前記容器に配置され、平面視で前記振動片と重なる回路部と、前記容器に配置され、平面視で前記振動片と重ならず、前記回路部と電気的に接続されるインダクターと、を含む。前記容器は、少なくとも第１部材と第２部材と、前記第１部材と前記第２部材とを接合するための接合領域と、を含み、前記インダクターは前記接合領域に配置されることが好ましい。【選択図】図３

Description

本発明は、振動デバイス、および電子機器に関する。

振動子を発振させて所望の周波数の信号を出力する発振器等の振動デバイスが知られている。

特許文献１には、振動子と、インダクターを含む集積回路素子とを備える発振器が開示される。振動子は、振動片と、振動片に設けられた電極と、振動片および電極を収容する容器とを有する。また、特許文献１に記載の発振器では、インダクターのＱ値の悪化を低減するため、金属で構成される電極が、平面視でインダクターと重なっていない。

特開２０１９−０９７１４９号公報

特許文献１に記載の発振器では、インダクターは、振動子と別体に設けられた集積回路素子に内蔵されている。しかし、インダクターが集積回路素子内に内蔵されていると、集積回路素子内のクロストークを考慮しながら、平面視でのインダクターと電極との重なりを避けるためには、インダクターを配置できる場所が制限されてしまう。このため、集積回路素子の更なる小型化を図ることが難しい。この結果、発振器の更なる小型化を図ることが難しいという課題がある。

本発明の振動デバイスの一態様は、振動片と、前記振動片が収容される容器と、前記容器に配置され、平面視で前記振動片と重なる回路部と、前記容器に配置され、平面視で前記振動片と重ならず、前記回路部と電気的に接続されるインダクターと、を含む。

本発明の電子機器の一態様は、当該振動デバイスと、前記振動デバイスからの出力信号により動作する演算回路と、を含む。

第１実施形態の振動デバイスを模式的に示す分解斜視図である。 図１に示す振動デバイスの回路構成を示すブロック図である。 図１に示す振動デバイスの断面図である。 図１に示す基体の平面図である。 図３に示す蓋体の平面図である。 図３に示すインダクター、第１シールド部および第２シールド部を示す平面図である。 第１実施形態の振動デバイスの製造方法の流れを示す図である。 基体形成工程を説明するための断面図である。 配線形成工程を説明するための断面図である。 振動片接続工程を説明するための断面図である。 インダクター形成工程を説明するための断面図である。 接合工程を説明するための断面図である。 第２実施形態の振動デバイスの一部を拡大した断面図である。 第２実施形態の振動デバイスの他の例の一部を拡大した断面図である。 第３実施形態の振動デバイスの断面図である。 第４実施形態の振動デバイスの一部を拡大した断面図である。 配線形成工程および接合工程を説明するための断面図である。 第５実施形態の振動デバイスの一部を拡大した断面図である。 変形例の２つのインダクターを示す図である。 他の変形例の蓋体を示す平面図である。 他の変形例の２つのインダクターを示す平面図である。 他の変形例の振動デバイスの一部を拡大した断面図である。 他の変形例の振動デバイスを示す図である。 他の変形例の振動デバイスを示す図である。 電子機器の一例であるパーソナルコンピューターの斜視図である。

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法または縮尺は実際と適宜に異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。

１．振動デバイス
１Ａ．第１実施形態
図１は、第１実施形態に係る振動デバイス１００を模式的に示す分解斜視図である。以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、任意の地点からＸ軸に沿う一方向をＸ１方向と表記し、Ｘ１方向の反対の方向をＸ２方向と表記する。同様に、任意の地点からＹ軸に沿う一方向をＹ１方向と表記し、Ｙ１方向の反対の方向をＹ２方向と表記し、任意の地点からＺ軸に沿う一方向をＺ１方向と表記し、Ｚ１方向の反対の方向をＺ２方向と表記する。また、Ｚ１方向またはＺ２方向にみることを「平面視」という。また、Ｚ１方向を「上」とし、Ｚ２方向を「下」とする。

１Ａ−１．振動デバイス１００の全体構成
図１に示す振動デバイス１００は、例えば発振器である。図１に示すように、振動デバイス１００は、振動片１０と回路部２０と容器３０とを有する。容器３０は、振動片１０を収容する。容器３０は、第１部材としての基体３１と、第２部材としての蓋体３２とを有する。また、基体３１は、半導体基板で形成されており、基体３１と回路部２０とはＩＣ（Integrated Circuit）基板を構成する。

振動片１０は、例えば、振動基板と、当該振動基板の表面に配置された電極とを有する。当該振動基板は、例えば、厚みすべり振動モードで振動するＡＴカット水晶基板から形成される。また、振動基板が水晶基板から形成されることで、他の圧電材料で形成される場合に比べ、優れた温度特性を有する振動片１０を得ることができる。

なお、当該振動基板は、ＡＴカット水晶基板から形成されたものに限定されず、ＡＴカット水晶基板以外の水晶基板、例えば、Ｘカット水晶基板、Ｙカット水晶基板、Ｚカット水晶基板、ＢＴカット水晶基板、ＳＣカット水晶基板、ＳＴカット水晶基板等から形成されていてもよい。さらに、振動片１０は、圧電駆動型の振動素子に限らず、静電気力を用いた静電駆動型の振動素子であってもよい。

また、振動基板の材料は水晶に限定されず、例えば、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、四ホウ酸リチウム、ランガサイト、ニオブ酸カリウム、リン酸ガリウム等の圧電単結晶体により構成されていてもよいし、これら以外の圧電単結晶体により構成されていてもよい。また、振動片１０は、例えば、シリコン基板等の基板に圧電膜および電極を配置した、いわゆるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）振動素子であってもよい。圧電膜は、例えば、窒化アルミニウムである。電極は、モリブデン、チタン、金、ニッケル、アルミニウム、窒化チタン等であってもよい。

また、振動片１０としては、厚みすべり振動モードで振動するものに限定されず、例えば、複数の振動腕が面内方向に屈曲振動する音叉型振動素子、複数の振動腕が面外方向に屈曲振動する音叉型振動素子、駆動振動する駆動腕および検出振動する検出腕を備え、角速度を検出するジャイロセンサー素子、または加速度を検出する検出部を備えた加速度センサー素子であってもよい。

したがって、振動デバイス１００の例としては、水晶発振器、電圧制御水晶発振器、温度補償水晶発振器、恒温槽付水晶発振器、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）発振器、ＭＥＭＳ発振器等の各種発振器の他、加速度センサー、角速度センサーのような慣性センサー、傾斜センサーのような力センサー等が挙げられる。

１Ａ−２．回路構成
図２は、図１に示す振動デバイス１００の回路構成を示すブロック図である。図２に示すように、振動デバイス１００は、電源回路２０１と制御回路２０２と発振用回路２０３とＰＬＬ（Phase Locked Loop）回路２０４と出力回路２０５とを含む。また、振動デバイス１００は、ＶＤＤ端子６９１とＶＳＳ端子６９２と制御端子６９３と出力端子６９４とを有する。

電源回路２０１は、ＶＤＤ端子６９１を介して外部から供給される電源電圧と、ＶＳＳ端子６９２を介して供給されるグランド電圧とに基づき、所定の電圧を生成する。当該電圧は、振動デバイス１００が有する各回路の電源電圧となる。

制御回路２０２は、制御端子６９３を介して外部から供給される信号に基づき、制御信号ＣＮＴ１および制御信号ＣＮＴ２を生成する。

発振用回路２０３は、ＸＧ端子Ｔ１を介して振動片１０の一端に接続され、ＸＤ端子Ｔ２を介して振動片１０の他端に接続される。発振用回路２０３は、振動片１０を発振させる回路である。発振用回路２０３および振動片１０で構成される発振回路は、例えば、インバーター発振回路、ピアース発振回路、コルピッツ発振回路、およびハートレー発振回路である。

ＰＬＬ回路２０４は、発振用回路２０３から供給される信号に位相同期され、当該発振信号の周波数を逓倍して分周した発振信号を生成し、当該発振信号を出力する。ＰＬＬ回路２０４は、例えばフラクショナルＮ−ＰＬＬ回路である。逓倍数および分周比は、制御回路２０２から出力される制御信号ＣＮＴ１によって設定される。

出力回路２０５は、ＰＬＬ回路２０４から出力された発振信号に基づく信号を生成し、当該信号を出力する。当該信号は、出力端子６９４を介して外部に出力される。当該信号を出力するか否かは、制御回路２０２から出力される制御信号ＣＮＴ２によって設定される。

１Ａ−３．振動デバイス１００の各要素の構成
図３は、図１に示す振動デバイス１００の断面図である。図４は、図１に示す基体３１の平面図である。なお、図３は、図４中のＡ−Ａ線断面に対応する。

図３に示すように、振動デバイス１００は、振動片１０、回路部２０、および容器３０に加え、インダクター４０と第１シールド部５１と第２シールド部５２とを有する。第１シールド部５１は、シールド部の例示である。また、図３および図４に示すように、振動デバイス１００は、２つの第１配線６０と２つの第１接続端子６１と２つの第２接続端子６２と２つの導電性バンプ６３と２つの第２配線７０と２つの第１端子７１と２つの第２端子７２とを有する。以下、振動デバイス１００の各要素について説明する。

図３に示すように、回路部２０は、容器３０に配置される。具体的には、回路部２０は、基体３１のＺ２方向に積層される。また、回路部２０は、平面視で振動片１０と重なる。

回路部２０は、例えば、拡散層と再配線層とを有する。当該拡散層は、基体３１よりも高濃度のドーパントが添加された層である。当該再配線層は、拡散層と電気的に接続されている配線等の複数の導電部と、複数の導電部間に配置される絶縁膜とを有する。これらの拡散層および再配線層によりトランジスター、ダイオード、抵抗、コンデンサー等の回路要素が形成されている。これらの回路要素の組み合わせにより、回路部２０には前述の各種回路が形成される。

回路部２０のＺ２方向には、パッシベーション膜２１が配置される。パッシベーション膜２１は、回路部２０を覆っており、回路部２０を保護する。パッシベーション膜２１は、例えば、窒化シリコン層である。なお、パッシベーション膜２１のＺ２方向に外部端子等を再配置し、再配置した層に重ねて有機材料等による第２のパッシベーション膜を配置してもよい。

図３および図４に示すように、回路部２０の基体３１と反対の面には、前述のＶＤＤ端子６９１、ＶＳＳ端子６９２、制御端子６９３および出力端子６９４が配置される。これら端子の各材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）およびタングステン（Ｗ）等の金属、並びに合金が挙げられる。ＶＤＤ端子６９１、ＶＳＳ端子６９２、制御端子６９３および出力端子６９４は、回路部２０に電気的に接続される。

なお、図４に示す例では、ＶＤＤ端子６９１とＶＳＳ端子６９２と制御端子６９３と出力端子６９４は、平面視で容器３０の４つの角に対応する位置に配置されるが、これら端子の各配置は、図４に示す配置に限定されず任意である。

図３に示すように、回路部２０のＺ１方向には容器３０が配置される。容器３０は、振動片１０を収容する部材である。また、容器３０の内部は、例えば気密空間である。容器３０の内部には、窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスが充填されている。容器３０の内部は、大気圧よりも低い圧力であってもよい。気密空間であることで、振動片１０の振動特性の安定化が図られる。なお、容器３０の内部は、気密空間でなくてもよい。また、図１に示すように、容器３０の平面視での形状は四角形であるが、これに限定されず、例えば他の多角形でもよい。

図３に示すように、基体３１は、第１基板３１１と第１酸化膜３１２とを有する。第１基板３１１は、シリコン基板等の半導体基板で構成される。具体的には、第１基板３１１は、高純度の単結晶シリコンで構成される。また、第１基板３１１にはドーパントが添加されており、第１基板３１１は導電性を有する。また、第１基板３１１のＺ１方向には、第１酸化膜３１２が配置される。第１酸化膜３１２は、第１基板３１１に接触する。第１酸化膜３１２は、酸化シリコンで形成される膜である。なお、第１酸化膜３１２は第１基板３１１の一部として捉えてもよい。

基体３１は、第１面３１３と第２面３１４とを有する。第１面３１３は、蓋体３２に対向する面である。第１面３１３には、後述の第１接続端子６１および導電性バンプ６３を介して振動片１０が配置される。一方、第２面３１４は、第１面３１３と反対の面である。第２面３１４には回路部２０が配置される。

図３および図４に示すように、基体３１は、２つの第１貫通孔３１５と２つの第２貫通孔３１６とを有する。各第１貫通孔３１５は、第１面３１３および第２面３１４に開口する。同様に、各第２貫通孔３１６は、第１面３１３および第２面３１４に開口する。図示の例では、各第１貫通孔３１５は、基体３１とともに回路部２０を貫通している。同様に、各第２貫通孔３１６は、基体３１とともに回路部２０を貫通している。

なお、第１貫通孔３１５は、第１基板３１１に形成された孔の内壁面に第１酸化膜３１２が成膜されることにより形成される。同様に、第２貫通孔３１６は、第１基板３１１に形成された孔の内壁面に第１酸化膜３１２が成膜されることにより形成される。よって、第１酸化膜３１２は、第１基板３１１の上面に加え、第１貫通孔３１５内および第２貫通孔３１６内に存在している。

また、図示はしないが、第１貫通孔３１５および第２貫通孔３１６において、第１酸化膜３１２と第１基板３１１との間に、樹脂で構成される膜が配置されてもよい。

図３および図４に示すように、２つの第１貫通孔３１５には、２つの第１配線６０が１対１で配置される。第１配線６０は、振動片１０と回路部２０とを電気的に接続する貫通電極である。各第１配線６０は、第１酸化膜３１２によって第１基板３１１と絶縁される。

第１配線６０の材料は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）およびタングステン（Ｗ）等の金属、並びに合金である。なお、第１配線６０は、単一材料で形成されてもよいし、複数の材料で形成されてもよい。また、第１配線６０は、複数種の金属膜で形成された積層体であってもよい。また、図３に示す例では、第１配線６０は、対応する第１貫通孔３１５を埋める棒状の部材であるが、第１配線６０は、第１貫通孔３１５を形成する基体３１の内壁面に沿って形成された膜であってもよい。第１配線６０が当該膜である場合、第１配線６０の内側に空間が存在してもよい。

２つの第１配線６０には、２つの第１接続端子６１が１対１で配置される。各第１接続端子６１は、第１面３１３に配置され、対応する第１配線６０の一端に接続される。また、２つの第１接続端子６１には、２つの導電性バンプ６３が１対１で配置される。２つの導電性バンプ６３の一方は、図２に示すＸＧ端子Ｔ１に接続され、他方は、ＸＤ端子Ｔ２に接続される。

２つの第１配線６０には、２つの第２接続端子６２が１対１で配置される。各第２接続端子６２は、回路部２０の表面に配置され、対応する第１配線６０の他端に接続される。また、各第２接続端子６２は、回路部２０に電気的に接続される。したがって、振動片１０と回路部２０とは、第１接続端子６１、第２接続端子６２、導電性バンプ６３および第１配線６０を介して電気的に接続される。

第１接続端子６１および第２接続端子６２の各材料は、例えば、アルミニウム、銅およびタングステン等の金属、並びに合金である。導電性バンプ６３の材料は、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）および銅等の金属、並びに合金である。

各第２貫通孔３１６には、２つの第２配線７０が１対１で配置される。第２配線７０は、後述のインダクター４０と回路部２０とを電気的に接続する貫通電極である。各第２配線７０は、第１酸化膜３１２によって第１基板３１１と絶縁される。

第２配線７０の材料は、アルミニウム、銅およびタングステン等の金属、並びに合金が挙げられる。なお、第２配線７０は、単一材料で形成されてもよいし、複数の材料で形成されてもよい。また、第２配線７０は、複数種の金属膜で形成された積層体であってもよい。また、図３に示す例では、第２配線７０は、対応する第２貫通孔３１６を埋める棒状の部材であるが、第２配線７０は、第２貫通孔３１６を形成する基体３１の内壁面に沿って形成された膜であってもよい。第２配線７０が当該膜である場合、第２配線７０の内側に空間が存在してもよい。

２つの第２配線７０には、後述の２つの第１端子７１が１対１で配置される。各第１端子７１は、後述のインダクター４０に電気的に接続される。また、２つの第２配線７０には、２つの第２端子７２が１対１で配置される。各第２端子７２は、回路部２０の表面に配置され、対応する第２配線７０に接続される。また、各第２端子７２は、回路部２０に電気的に接続される。したがって、インダクター４０と回路部２０とは、第１端子７１、第２端子７２および第２配線７０を介して電気的に接続される。

各第２端子７２の材料は、例えば、アルミニウム、銅およびタングステン等の金属、並びに合金である。

図３に示すように、蓋体３２は、基体３１に対してＺ１方向に位置する。蓋体３２は、第１凹部３２０を有する平板状の部材である。第１凹部３２０は、蓋体３２の表面に形成された窪みである。第１凹部３２０には、振動片１０が収容される。なお、蓋体３２と振動片１０とは離間する。

蓋体３２は、第２基板３２１と第２酸化膜３２２とを有する。第２基板３２１は、例えばシリコン基板等の半導体基板で構成される。また、第２基板３２１のＺ１方向には、第２酸化膜３２２が配置される。第２酸化膜３２２は、第２基板３２１に接触する。第２酸化膜３２２は、酸化シリコンで形成される膜である。なお、第２酸化膜３２２は第２基板３２１の一部として捉えてもよい。

蓋体３２は、接合面３２５を有する。接合面３２５は、基体３１に対向する面であり、蓋体３２のＺ２方向の面のうち第１凹部３２０を除く部分である。接合面３２５は、基体３１と蓋体３２との接合に用いられる。

図５は、図３に示す蓋体３２の平面図であって、蓋体３２をＺ１方向にみた図である。なお、図５では、蓋体３２および振動片１０の配置の理解を容易にするため、振動片１０が破線で示される。

図５に示すように、接合面３２５は、平面視で振動片１０を囲む枠状である。接合面３２５の幅は、特に限定されないが、例えば５０μｍ以上である。当該範囲であると、基体３１と蓋体３２との接合強度を充分に高くすることができる。よって、容器３０の内部の気密性を充分に確保することができる。

図３に示すように、容器３０は、基体３１と蓋体３２とを接合するための接合領域Ｓ１を有する。接合領域Ｓ１は、第１面３１３および第２面３１４の、基体３１と蓋体３２との接合に寄与する部分を含む。接合領域Ｓ１における基体３１と蓋体３２と距離は、容器３０の振動片１０が配置されている領域における基体３１と蓋体３２との距離よりも近い。より具体的には、接合領域Ｓ１は、第１面３１３の接合面３２５に対向する部分と接合面３２５とを含む。また、第１面３１３と接合面３２５との間の空間を含んでもよく、接合されていない部分を含んでいてもよい。接合領域Ｓ１には、基体３１と蓋体３２とを接合するための接合部材が配置される。後述の第１シールド部５１および第２シールド部５２が、当該接合部材に相当する。

図５に示すように、接合面３２５の平面視での形状は、振動片１０を囲む枠状である。このため、接合領域Ｓ１は、平面視で振動片１０を囲む枠状の領域である。別の言い方をすれば、接合領域Ｓ１は、平面視で、振動片１０の外側に位置する。なお、図５では、接合領域Ｓ１の平面視での形状の理解を容易にするよう、接合領域Ｓ１にドットパターンが付されている。

図６は、図３に示すインダクター４０、第１シールド部５１および第２シールド部５２を示す平面図である。図６に示すように、接合領域Ｓ１には、インダクター４０、２つの第１端子７１、第１シールド部５１および第２シールド部５２が配置される。

インダクター４０は、回路部２０に電気的に接続されており、前述の回路の一部を構成する。例えば、インダクター４０は、図２に示すＰＬＬ回路２０４に設けられる。図５に示すように、インダクター４０の形状は、平面視で渦巻き状である。具体的には、インダクター４０は、平面視で、振動片１０の周りを２重に巻回している。よって、インダクター４０は、平面視で振動片１０を囲んでいる。したがって、インダクター４０は、平面視で振動片１０と重ならない。

また、図３および図６に示すように、インダクター４０は、接合面３２５に配置される。より具体的には、図３に示すように、インダクター４０は、蓋体３２に接触するが、基体３１には接触しない。したがって、インダクター４０と基体３１との間には隙間が存在する。また、インダクター４０は回路部２０と離間している。

図６に示すように、２つの第１端子７１のうちの一方は、インダクター４０の一端に接続され、２つの第１端子７１のうち他方は、インダクター４０の他端に接続される。例えば、２つの第１端子７１のうちの一方は入力側であり、他方は出力側である。また、図３に示すように、各第１端子７１は、基体３１および蓋体３２に接触する。

インダクター４０および第１端子７１の各材料は、例えば、アルミニウム、銅およびタングステン等の金属、並びに合金である。なお、インダクター４０および第１端子７１のそれぞれは、単一材料で形成されてもよいし、複数の材料で形成されてもよい。また、インダクター４０および第１端子７１のそれぞれは、複数種の金属膜で形成された積層体であってもよい。また、インダクター４０および第１端子７１は、例えば、スパッタ法、蒸着法、めっき法、または印刷法で形成される。

図６に示すように、第１シールド部５１および第２シールド部５２のそれぞれは、平面視で、振動片１０の外側に位置する。第１シールド部５１および第２シールド部５２のそれぞれは、平面視で振動片１０を囲むリング状のガードリングである。第１シールド部５１および第２シールド部５２の各電位は、一定の電位、例えばグランド電位である。なお、第１シールド部５１および第２シールド部５２は、インダクター４０と絶縁される。

図３に示すように、第１シールド部５１および第２シールド部５２のそれぞれは、基体３１および蓋体３２に接触する。また、図６に示すように、第１シールド部５１および第２シールド部５２は、互いに離間して配置される。第１シールド部５１と第２シールド部５２との間には、平面視でインダクター４０が配置される。

図６に示すように、第１シールド部５１は、平面視でインダクター４０の内側に位置している。したがって、第１シールド部５１は、平面視で、インダクター４０と振動片１０との間に配置される。かかる第１シールド部５１が存在することで、振動片１０側から第１端子７１に進入するノイズを低減することができる。

また、第２シールド部５２は、平面視でインダクター４０の外側に位置する。このため、インダクター４０が外部の影響を受けることを抑制することができる。具体的には、例えば、インダクター４０が、外部の水分の影響で腐食するおそれを抑制することができる。

第１シールド部５１および第２シールド部５２の各材料は、例えば、酸化し難い材料である。具体的には、第１シールド部５１および第２シールド部５２の各材料は、例えば、金、銅、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）および白金（Ｐｔ）等の金属、並びに合金である。なお、第１シールド部５１および第２シールド部５２のそれぞれは、単一材料で形成されてもよいし、複数の材料で形成されてもよい。また、第１シールド部５１および第２シールド部５２のそれぞれは、複数種の金属膜で形成された積層体であってもよい。積層体である場合、酸化し難い材料の層は、好ましくは最外層に位置する。例えば、当該積層体としては、Ｔｉ／Ａｕの積層体、およびＴｉＷ／Ｃｕ／Ａｕの積層体が挙げられる。

第１シールド部５１および第２シールド部５２は、例えば、スパッタ法、蒸着法、めっき法、または印刷法で形成される。

第１シールド部５１の幅Ｗ５１および第２シールド部５２の幅Ｗ５２のそれぞれは、例えば、インダクター４０の幅Ｗ４よりも大きい。ただし、幅Ｗ５１および幅Ｗ５２は、幅Ｗ４以下であってもよい。また、幅Ｗ５１と幅Ｗ５２とは互いに等しくても、異なっていてもよい。幅Ｗ５１および幅Ｗ５２のそれぞれは、特に限定されないが、例えば１μｍ以上である。

図３に示すように、第１シールド部５１の高さＴ５１および第２シールド部５２の高さＴ５２のそれぞれは、例えば、インダクター４０の高さＴ４よりも大きい。第１シールド部５１の高さＴ５１および第２シールド部５２の高さＴ５２のそれぞれは、特に限定されないが、例えば２μｍ以上である。したがって、基体３１と蓋体３２との間の距離は、特に限定されないが、例えば２μｍ以上である。

また、第１シールド部５１および第２シールド部５２は、基体３１と蓋体３２とを接合する接合部材である。具体的には、第１シールド部５１および第２シールド部５２の原子拡散結合によって、基体３１と蓋体３２とは、第１シールド部５１および第２シールド部５２を介して接続される。

以上説明したインダクター４０は、回路部２０とは別体であり、容器３０に配置される。このため、回路部２０内でのインダクター４０の配置場所を省略することができる。よって、インダクター４０が回路部２０内に組み込まれる場合に比べ、回路部２０を小型にすることができる。また、インダクター４０は、振動片１０を収容するための容器３０に配置される。したがって、インダクター４０を回路部２０と別体にしても、インダクター４０を配置するための配置場所を別途用意しなくて済む。このため、回路部２０の小型化を図ることができるので、振動デバイス１００の小型化を図ることができる。

さらに、インダクター４０が回路部２０と別体であることで、回路部２０内でのクロストークおよび配線の引き回しの問題を回避することができる。このため、回路部２０内でインダクター４０の配置が制限されるという問題が回避される。よって、インダクター４０を回路部２０と別体にすることで、インダクター４０が回路部２０内に組み込まれている場合に比べ、インダクター４０の配置場所の制限が低減される。

また、インダクター４０は、前述のように、平面視で振動片１０と重ならない。このため、インダクター４０に流れる電流によって発生する磁界は、振動片１０が有する電極によって遮られ難い。よって、インダクター４０のＱ値の悪化が低減される。したがって、インダクター４０を平面視で振動片１０と重ならないように容器３０に配置することで、振動デバイス１００の特性の劣化を抑制しつつ、振動デバイス１００の小型化を図ることができる。

本実施形態では、インダクター４０は、前述のように、容器３０が有する接合領域Ｓ１に配置される。インダクター４０を接合領域Ｓ１に配置すれば、平面視でインダクター４０と振動片１０との重なりを確実に回避でき、かつインダクター４０の配置場所を別途設けなくて済む。よって、接合領域Ｓ１にインダクター４０を配置すれば、既存の容器を用いた場合でも、振動デバイス１００の大型化を効果的に抑制することができる。

また、前述のように、容器３０の基体３１には、第１面３１３および第２面３１４のうちの一方から他方に向かって貫通する第２配線７０が配置される。第２配線７０は、インダクター４０と回路部２０とを電気的に接続する。基体３１を貫通する第２配線７０が設けられることで、インダクター４０と回路部２０とを電気的に接続する配線が基体３１の外部に設けられる場合に比べ、振動デバイス１００の小型化を図ることができる。

また、前述のように、振動片１０は基体３１に配置され、蓋体３２は振動片１０が収容される第１凹部３２０を有する。このため、簡単な構成で振動デバイス１００の小型化を図ることができる。

さらに、基体３１の第１基板３１１、および蓋体３２の第２基板３２１のそれぞれは、半導体基板である。このため、基体３１および蓋体３２が例えば水晶である場合に比べ、加工が容易である。よって、小型で高精細な容器３０を形成し易い。また、第１基板３１１が半導体基板であることで、回路部２０を第１基板３１１に接触して配置することができる。別の見方をすると、第１基板３１１が半導体基板であることで、第１基板３１１と回路部２０とでＩＣ基板が構成される。よって、容器３０の一部である基体３１が、ＩＣ基板の一部を構成する。このため、容器３０がＩＣ基板の一部でない場合に比べ、振動デバイス１００の小型化を図ることができる。よって、回路部２０が例えばバンプを介して基体３１に接続される場合に比べ、振動デバイス１００の小型化を図ることができる。

また、基体３１と蓋体３２とは、第１シールド部５１および第２シールド部５２によって接合される。このため、基体３１と蓋体３２とを接合するための接合部材を別途用意することが省略される。したがって、当該接合部材を配置するスペースを別途用意することが省略される。このため、当該接合部材を備える場合に比べ、振動デバイス１００の小型化を図ることができる。

１Ａ−４．振動デバイス１００の製造方法
図７は、第１実施形態の振動デバイス１００の製造方法の流れを示す図である。図７に示すように、振動デバイス１００の製造方法は、基体形成工程Ｓ１１と配線形成工程Ｓ１２と振動片接続工程Ｓ１３とインダクター形成工程Ｓ１４と接合工程Ｓ１５とを有する。なお、インダクター形成工程Ｓ１４は、接合工程Ｓ１５よりも前であればよく、振動片接続工程Ｓ１３の後でなくてもよい。以下、振動デバイス１００の製造方法を順次説明する。

図８は、基体形成工程Ｓ１１を説明するための断面図である。まず、基体形成工程Ｓ１１では、図８に示すように、回路部２０が積層された基体３１が形成される。具体的には例えば、半導体基板の表面に回路部２０が形成されることにより、ＩＣ基板が形成される。次いで、当該ＩＣ基板に複数の孔が形成される。当該複数の孔は、例えば誘導結合型プラズマを用いたドライエッチング法により形成される。その後、第１基板３１１の回路部２０とは反対の面および当該複数の孔の内部に第１酸化膜３１２が形成される。第１酸化膜３１２は、例えば気相成膜法または熱酸化により形成される。以上により、第１貫通孔３１５および第２貫通孔３１６を有する基体３１が得られる。

図９は、配線形成工程Ｓ１２を説明するための断面図である。配線形成工程Ｓ１２は、第１配線６０および第２配線７０を形成する第１工程と、第２接続端子６２、第２端子７２、ＶＤＤ端子６９１、ＶＳＳ端子６９２、制御端子６９３および出力端子６９４を形成する第２工程と、第１接続端子６１、金属部５１ａ、金属部５２ａおよび２つの端子部７１ａを形成する第３工程と、を有する。なお、以下の説明では、第１工程、第２工程および第３工程がこの順に行われるが、第１工程、第２工程および第３工程の順番はこれに限定されない。また、これら工程は、同時に行われてもよい。また、例えば、第１工程と第３工程とが同時に行われ、その後、第２工程が行われてもよい。

第１工程では、第１配線６０および第２配線７０が形成される。具体的には例えば、第１面３１３、第１貫通孔３１５内および第２貫通孔３１６内に、導電性を有する導電材が配置される。当該導電材は、例えば、気相成長法等の蒸着法、スパッタ法、印刷法またはめっき法により形成される。その後、各種パターニング法により、当該導電材のうち第１面３１３上に設けられる部分が除去される。これにより、第１配線６０および第２配線７０が形成される。

第２工程では、第１工程と同様の方法で、基体３１の第２面３１４に導電性を有する導電膜が形成され、当該導電膜がパターニングされる。これにより、第２接続端子６２、第２端子７２およびＶＳＳ端子６９２が形成される。この際、図９では図示しないが、ＶＤＤ端子６９１、制御端子６９３および出力端子６９４も形成される。また、これら端子が形成された後、パッシベーション膜２１が形成される。

第３工程では、第１工程と同様の方法で、基体３１の第１面３１３に導電性を有する導電膜が形成され、当該導電膜がパターニングされる。これにより、第１接続端子６１、金属部５１ａ、金属部５２ａおよび２つの端子部７１ａが形成される。なお、図９では、２つの端子部７１ａのうちの一方の図示は省略される。また、第１接続端子６１、金属部５１ａ、金属部５２ａおよび端子部７１ａは同時に形成されてもよいし、これらは同時に形成されなくてもよい。例えば、第１接続端子６１が形成された後に、金属部５１ａ、金属部５２ａおよび端子部７１ａが形成されてもよい。

図１０は、振動片接続工程Ｓ１３を説明するための断面図である。振動片接続工程Ｓ１３では、図１０に示すように、導電性バンプ６３を介して第１配線６０に振動片１０を電気的に接続する。導電性バンプ６３は、例えば無電解めっき法により形成される。

図１１は、インダクター形成工程Ｓ１４を説明するための断面図である。インダクター形成工程Ｓ１４では、図１１に示すように、蓋体３２に加え、金属部５１ｂ、金属部５２ｂ、２つの端子部７１ｂおよびインダクター４０が形成される。なお、図１１では２つの端子部７１ｂのうちの一方の図示は省略される。

具体的には、まず、半導体基板に凹部が形成されることにより、第２基板３２１が形成される。当該凹部は、例えば誘導結合型プラズマを用いたドライエッチング法により形成される。次に、第２基板３２１の当該凹部が形成された面に第２酸化膜３２２が形成される。第２酸化膜３２２は、例えば気相成膜法または熱酸化により形成される。これにより、接合面３２５および第１凹部３２０を有する蓋体３２が得られる。

次いで、前述の第３工程と同様の方法で、蓋体３２の接合面３２５に導電性を有する導電膜が形成され、その後、当該導電膜がパターニングされる。これにより、金属部５１ｂ、金属部５２ｂ、端子部７１ｂおよびインダクター４０が形成される。なお、金属部５１ｂ、金属部５２ｂ、端子部７１ｂおよびインダクター４０は同時に形成されてもよいし、同時に形成されなくてもよい。例えば、金属部５１ｂ、金属部５２ｂ、端子部７１ｂおよびインダクター４０のうちのいずれか１つ以上が形成された後に、残りが形成されてもよい。

図１２は、接合工程Ｓ１５を説明するための断面図である。接合工程Ｓ１５では、基体３１と蓋体３２とが接合する。具体的には、第１面３１３と第１凹部３２０とが対向した状態で、蓋体３２が例えば矢印Ｐ１方向に移動することにより、蓋体３２と基体３１とが近づく。その後、金属部５１ａと金属部５１ｂとが接合され、かつ金属部５２ａと金属部５２ｂとが接合されることにより、基体３１と蓋体３２とが接合される。

金属部５１ａと金属部５１ｂとの接合は、好ましくは原子拡散接合である。同様に、金属部５２ａと金属部５２ｂとの接合は、好ましくは原子拡散接合である。原子拡散接合では、金属部５１ａ、金属部５１ｂ、金属部５２ａおよび金属部５２ｂの各表面が、ＦＡＢ（Fast Atom Beam）ガン等によるイオン照射によって活性化される。

原子拡散接合を用いることで、基体３１および蓋体３２を変質させずに基体３１と蓋体３２とを間接的に接合することができる。また、原子拡散接合を用いることで、基体３１および蓋体３２の材質の制限が減る。また、原子拡散接合は、好ましくは常温で行われる。これにより、例えば２００℃程度の高温で行われる場合に比べ、基体３１と蓋体３２との接合を簡単に行うことができ、かつ、基体３１、蓋体３２および回路部２０が有する回路要素の変質を抑制することができる。

また、金属部５１ａ、金属部５１ｂ、金属部５２ａおよび金属部５２ｂの各表面粗さＲａは、特に限定されないが、好ましくは０．５ｎｍ以下、より好ましくは０．０２ｎｍ以下である。表面粗さＲａが小さくなるほど、接合点が多くなる。また、ボイドの発生を低減することができる。よって、接合強度を高めることができる。また、各表面粗さＲａが前述の好ましい範囲以内であると、当該範囲外である場合に比べ、接合強度をより高めることができるので、容器３０の内部の気密性を高めることができる。加えて、金属部５１ａ、金属部５１ｂ、金属部５２ａおよび金属部５２ｂの加工が容易である。

金属部５１ａ、金属部５１ｂ、金属部５２ａおよび金属部５２ｂの各材料は、前述の第１シールド部５１および第２シールド部５２の材料と同じである。金属部５１ａ、金属部５１ｂ、金属部５２ａおよび金属部５２ｂの各材料が、前述の酸化し難い材料で構成されることで、接合強度を高めることができ、かつ常温で簡単に接合することができる。

以上の工程により、図３に示す振動デバイス１００が製造される。なお、複数の振動デバイス１００を製造する場合、接合工程Ｓ１５の後に、個片化工程が含まれる。

１Ｂ．第２実施形態
第２実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図１３は、第２実施形態の振動デバイス１００Ａの一部を拡大した断面図である。図１３は、図６のＢ−Ｂ線断面に対応する。図１３に示すように、振動デバイス１００Ａが有する容器３０Ａは、基体３１と蓋体３２Ａとを有する。本実施形態の容器３０Ａは、蓋体３２Ａが第２凹部３２９を有すること以外、第１実施形態の容器３０と同様である。また、振動デバイス１００Ａは、インダクター４０Ａを有する。インダクター４０Ａは、高さが異なること以外、第１実施形態のインダクター４０と同様である。

第２凹部３２９は、蓋体３２Ａに形成された窪みである。第２凹部３２９を、単に凹部３２９と言っても良い。第２凹部３２９は、蓋体３２Ａの表面の一部である接合面３２５に形成される。第２凹部３２９は、接合領域Ｓ１に向かって開口する。第２凹部３２９には、インダクター４０Ａが配置される。第２凹部３２９の平面視での形状は、図示はしないが、インダクター４０Ａの平面視での形状に対応しており、インダクター４０Ａに沿って形成される。インダクター４０Ａの平面視での形状は、第１実施形態のインダクター４０の平面視での形状と同様である。よって、詳細な図示はしないが、第２凹部３２９は、図６に示すインダクター４０と同様に、平面視で、渦巻き状であり、振動片１０の周りを２重に巻回している。

蓋体３２Ａが第２凹部３２９を有することで、インダクター４０Ａを基体３１に接触させずに、インダクター４０Ａの高さＴ４を第１実施形態のインダクター４０の高さＴ４に比べて大きくすることができる。このため、接合面３２５の平面視での面積を拡大させずに、インダクター４０Ａの断面積を大きくすることができる。よって、振動デバイス１００の小型化を図るとともに、インダクター４０Ａの低抵抗化を図ることができる。

図１４は、第２実施形態の振動デバイス１００Ａの他の例の一部を拡大した断面図である。詳細な図示はしないが、図１３に示す第２凹部３２９は、平面視で渦巻き状であるが、図１４に示す第２凹部３２９ａは、平面視でリング状である。図１４の例では、第２凹部３２９ａに、振動片１０の周りを２重に巻回しているインダクター４０Ａが配置される。図１４に示す第２凹部３２９ａは、図１３に示す第２凹部３２９よりも加工が容易であるという利点がある。

以上の第２実施形態の振動デバイス１００Ａによっても、小型化を図ることができる。

１Ｃ．第３実施形態
第３実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図１５は、第３実施形態の振動デバイス１００Ｂの断面図である。図１５に示すように、振動デバイス１００Ｂは、金属層５３を有すること以外、第１実施形態の振動デバイス１００と同様である。

金属層５３は、第１凹部３２０に沿って配置される。金属層５３は、蓋体３２に接触し、第１凹部３２０の全域に配置される。また、金属層５３と第２基板３２１との間には、第２酸化膜３２２が存在しておらず、金属層５３は、第２基板３２１に接触する。また、金属層５３は、第１シールド部５１に接続される。よって、金属層５３と第１シールド部５１とは一体である。なお、金属層５３は、第１シールド部５１と離間していてもよい。

金属層５３の材料としては、金、銅、タンタル、チタンおよび白金等の金属、並びに合金が挙げられる。なお、金属層５３は、第１シールド部５１と同様に、単一材料で形成されてもよいし、複数の材料で形成されてもよい。また、金属層５３の材料は、製造が容易であることから、好ましくは第１シールド部５１と同様の材料である。

かかる金属層５３が存在することで、金属層５３が存在していない場合に比べ、振動片１０に対するシールド性能を高めることができる。よって、金属層５３が存在していない場合に比べ、振動デバイス１００の特性の劣化を抑制することができる。

以上の第３実施形態の振動デバイス１００Ｂによっても、小型化を図ることができる。

１Ｄ．第４実施形態
第４実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図１６は、第４実施形態の振動デバイス１００Ｃの一部を拡大した断面図である。本実施形態の振動デバイス１００Ｃは、第１シールド部５１と第２シールド部５２とを含むシールド部材５０を有することが第１実施形態の振動デバイス１００と異なる。

図１６に示すように、振動デバイス１００Ｃが有するシールド部材５０は、第１シールド部５１と、第２シールド部５２と、接続部５４とを含む。接続部５４は、第１シールド部５１と第２シールド部５２とを接続する。接続部５４は、基体３１上に配置される。詳細な図示はしないが、接続部５４は、接合領域Ｓ１において、第１面３１３上の第１端子７１が配置される部分を除く箇所に配置される。よって、シールド部材５０は、第１端子７１に接触しない。

振動デバイス１００Ｃがシールド部材５０を有することで、第１実施形態の振動デバイス１００に比べ、インダクター４０および第１端子７１のシールド性を高めることができる。

図１７は、配線形成工程Ｓ１２および接合工程Ｓ１５を説明するための断面図である。配線形成工程Ｓ１２の第３工程では、前述の第３工程と同様の方法で、図１７に示すように、第１面３１３のうち接合領域Ｓ１に対応する部分に、一様な金属部５４ａを形成する。また、接合工程Ｓ１５では、蓋体３２が例えば矢印Ｐ１方向に移動し、金属部５４ａに対して金属部５１ｂおよび金属部５２ｂのそれぞれが接合される。金属部５４ａに対する金属部５１ｂおよび金属部５２ｂの接合は、好ましくは原子拡散接合である。

以上の方法によれば、金属部５４ａに対する金属部５１ｂおよび金属部５２ｂの位置合わせが簡単である。よって、基体３１と蓋体３２とを簡単に接合することができる。

以上の第４実施形態の振動デバイス１００Ｃによっても、小型化を図ることができる。

１Ｅ．第５実施形態
第５実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図１８は、第５実施形態の振動デバイス１００Ｄの一部を拡大した断面図である。図１６に示すように、振動デバイス１００Ｄが有する回路部２０Ｄの配置は、第１実施形態の回路部２０と異なる。

回路部２０Ｄは、基体３１Ｄの第１面３１３に配置される。したがって、回路部２０Ｄは、容器３０の内部の空間に存在する。回路部２０Ｄが第２面３１４に配置されることで、第１実施形態の第１配線６０および第２配線７０を省略することができる。本実施形態では、回路部２０Ｄは、第３接続端子６４と導電性バンプ６３を介して振動片１０に接続される。また、パッシベーション膜２１が省略される。第３接続端子６４は、回路部２０Ｄに電気的に接続される。第３接続端子６４の材料は、第１実施形態の第１接続端子６１の材料と同様である。

回路部２０Ｄが第１面３１３に配置されることで、第２面３１４に配置される場合に比べ、振動デバイス１００Ｄの更なる小型化を図ることができる。

したがって、以上の第５実施形態の振動デバイス１００Ｄによっても、小型化を図ることができる。

１Ｆ．変形例
以上に例示した各形態は多様に変形され得る。前述の各形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。また、以下の各変形の態様は、相互に矛盾しない範囲で各実施形態に適宜適用される。よって、例えば、以下の第１実施形態または第２実施形態の変形の態様は、相互に矛盾しない範囲で他の実施形態に適宜適用される。

前述した第１実施形態では、インダクター４０の数は１つであるが、当該数は２個以上であってもよい。また、インダクター４０は、平面視で振動片１０を囲む渦巻き状であるが、振動片１０を囲んでいなくてもよい。

図１９は、変形例のインダクター４３および４４を示す図である。図１９に示すように、インダクター４３は、振動片１０に対してＸ１方向に位置し、インダクター４４は、振動片１０に対してＸ２方向に位置する。インダクター４３および４４のそれぞれは、平面視で振動片１０と重ならない。よって、インダクター４３および４４であっても、インダクター４３および４４のＱ値の悪化が低減される。

前述した第１実施形態では、平面視で、蓋体３２の中心と振動片１０の中心がほぼ一致していたが、これらは平面視で一致していなくてもよい。

図２０は、他の変形例の蓋体３２を示す平面図である。図２０に示すように、平面視で、蓋体３２の中心と振動片１０の中心は一致していなくてもよい。よって、接合面３２５の幅は、一定でなくてもよい。このため、接合領域Ｓ１の幅は、平面視で一定でなくてもよい。

図２１は、他の変形例の２つのインダクター４５および４６を示す平面図である。図２１に示すように、インダクター４５は、振動片１０に対してＸ２方向に位置し、インダクター４６は、振動片１０に対してＹ１方向に位置する。インダクター４５および４６のそれぞれは、平面視で振動片１０と重ならない。よって、インダクター４５および４６であっても、インダクター４５および４６のＱ値の悪化が低減される。

前述の第１実施形態では、インダクター４０が、蓋体３２に接触し、かつ基体３１に接触しないが、インダクター４０は、蓋体３２に接触せず、かつ基体３１に接触してもよい。

図２２は、他の変形例の振動デバイス１００の一部を拡大した断面図である。図２２に示すように、インダクター４０は蓋体３２および基体３１の両方に接触してもよい。

前述の第１実施形態では、高さＴ５１および高さＴ５２のそれぞれは、高さＴ４よりも大きいが、高さＴ４以下であってもよい。また、前述の第１実施形態では、高さＴ５１と高さＴ５２とは互いに等しいが、異なっていてもよい。

前述の第１実施形態では、第１シールド部５１および第２シールド部５２が設けられるが、いずれか一方、例えば第２シールド部５２は省略されてもよい。また、第１シールド部５１の一部は、分断されていてもよい。同様に、第２シールド部５２の一部は、分断されていてもよい。また、基体３１と蓋体３２とは、第１シールド部５１および第２シールド部５２以外の接合部材で接合されてもよい。

前述の第１実施形態では、第１基板３１１および第２基板３２１のそれぞれは、半導体基板であったが、第１基板３１１および第２基板３２１の各材料は半導体材料以外であってもよい。例えば、当該各材料は、セラミック、金属またはガラスであってもよい。

前述の第２実施形態では、蓋体３２が第２凹部３２９を有するが、基体３１が第２凹部を有してもよい。例えば、基体３１にインダクター４０Ａが配置される場合、基体３１に第２凹部が設けられてもよい。また、容器３０の外形は、図１および図２に示す形状に限定されない。

前述の第１実施形態では、インダクター４０は接合領域Ｓ１に配置されたが、インダクター４０は、容器３０のうちの接合領域Ｓ１以外の場所に配置されてもよい。したがって、インダクターは、第１部材の表面に配置されてもよいし、第２部材の表面に配置されてもよい。また、インダクターは、第１部材または第２部材の内部に埋設されてもよい。

図２３は、他の変形例の振動デバイス１００Ｅを示す図である。図２３に示すように、容器３０Ｅは、第１部材としての基体３１Ｅと、第２部材としての蓋体３２Ｅとを有する。

蓋体３２Ｅの形状は、平板状である。また、基体３１Ｅは、凹部３９０を有する。凹部３９０は、凹部３９１と、凹部３９１の底面に設けられた凹部３９２と、凹部３９２の底面に設けられた凹部３９３とを有する。

凹部３９３の底部には、回路部２０を有する回路素子２０Ｅが配置される。凹部３９１の底面には、端子６９および導電性バンプ６３Ｅを介して振動片１０が配置される。また、凹部３９２の底面には、導電性ワイヤー６６を介して回路素子２０Ｅに電気的に接続される複数の端子６８が配置される。複数の端子６８のいずれかは、図示しない貫通電極を介して、複数の外部端子６９５のいずれかに電気的に接続される。また、複数の端子６８のいずれかは、図示しない貫通電極を介して、端子６９に電気的に接続される。なお、複数の外部端子６９５は、前述のＶＤＤ端子６９１とＶＳＳ端子６９２と制御端子６９３と出力端子６９４に相当する。

基体３１Ｅと蓋体３２Ｅとの間の接合領域Ｓ１には、インダクター４０と第１シールド部５１と第２シールド部５２とが配置される。

蓋体３２Ｅの材料は、例えば、金属またはセラミックである。また、基体３１Ｅの材料は、例えばセラミックである。例えば、基体３１Ｅは、開口部を有する複数のセラミック基板を積層して形成される。

なお、例えば、基体３１Ｅ複数のセラミック基板のうちの２つのセラミック基板の間に、インダクター４０と第１シールド部５１と第２シールド部５２とが配置されてもよい。この場合、インダクター４０を挟む２つのセラミック基板のうちの一方が第１部材に相当し、他方が第２部材に相当する。また、インダクター４０は、容器３０Ｅの内部に配置されてもよい。例えば、インダクター４０は、凹部３９２の底面の、平面視で振動片１０と重ならない位置に、容器３０Ｅの内部に露出するよう配置されてもよい。

振動デバイス１００Ｅによっても、小型化を図ることができる。

図２４は、他の変形例の振動デバイス１００Ｆを示す図である。図２４に示すように、振動デバイス１００Ｆが有する容器３０Ｆは、基体３１Ｆと蓋体３２Ｆと中間部材３３とを有する。中間部材３３は、基体３１Ｆと蓋体３２Ｆとの間に配置される。基体３１Ｆおよび蓋体３２Ｆの各形状は、平板状である。中間部材３３の形状は枠状であり、中間部材３３の内側に振動片１０が配置される。振動片１０は、複数の連結部３４を介して中間部材３３に接続される。中間部材３３、複数の連結部３４、および振動片１０は、一体で形成される。また、基体３１Ｆ、蓋体３２Ｆ、中間部材３３、複数の連結部３４および振動片１０は、例えば水晶で形成される。

蓋体３２Ｆに対してＺ１方向には、回路部２０を有する回路素子２０Ｆが配置される。回路素子２０Ｆの外表面には、複数の端子６７が配置される。複数の端子６７のうちのいずれかは、図示しない貫通電極等を介して振動片１０に電気的に接続され、残りは、図示しない貫通電極等を介してインダクター４０に電気的に接続される。また、回路素子２０Ｆは、図示しない貫通電極を介して複数の外部端子６９５に接続される。

中間部材３３および蓋体３２Ｆの一方が第１部材の例示であり、他方が第２部材の例示である。中間部材３３と蓋体３２Ｆとの間の接合領域Ｓ１には、インダクター４０と第１シールド部５１と第２シールド部５２が配置される。なお、例えば、中間部材３３と基体３１Ｆとの間にインダクター４０と第１シールド部５１と第２シールド部５２が配置されてもよい。この場合、中間部材３３と基体３１Ｆのうちの一方が第１部材の例示であり、他方が第２部材の例示である。

振動デバイス１００Ｆによっても、第１実施形態と同様に、小型化を図ることができる。

２．電子機器
振動デバイス１００は、各種電子機器に用いることができる。図２５は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューター４００の斜視図である。

図２５に示すように、パーソナルコンピューター４００は、キーボード４０２を備える本体部４０４と、表示部４０５を備える表示ユニット４０６と、を含む。表示ユニット４０６は、本体部４０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持される。

パーソナルコンピューター４００は、さらに、発振器として機能する振動デバイス１００を含む。なお、パーソナルコンピューター４００は、振動デバイス１００の代わりに、振動デバイス１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅまたは１００Ｆを含んでもよい。また、パーソナルコンピューター４００は、キーボード４０２や表示部４０５などの制御に関する演算処理を行う演算回路４１０を含む。演算回路４１０は、振動デバイス１００からの出力信号により動作する。

このように、電子機器としてのパーソナルコンピューター４００は、振動デバイス１００と、振動デバイス１００の出力信号である発振信号に基づいて信号処理を行う演算回路４１０と、を備える。このため、前述した振動デバイス１００の効果を享受できる。

なお、振動デバイス１００を備える電子機器は、前述したパーソナルコンピューター４００の他、例えば、デジタルスチールカメラ、スマートフォン、タブレット端末、スマートウォッチを含む時計、インクジェット式吐出装置、例えばインクジェットプリンター、ＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）等のウェアラブル端末、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、通信機能付も含む電子手帳、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡のような医療機器、魚群探知機、各種測定機器、車両、航空機、船舶のような計器類、携帯端末用の基地局、フライトシミュレーター等であってもよい。

本発明は、前述した各実施形態に限定されるものではなく、さらに種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成を含む。実質的に同一の構成とは、例えば、機能、方法、および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成である。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。以上、好適な各実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は前述の実施形態に限定されない。また、前述の各実施形態は、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合され得る。

１０…振動片、２０…回路部、２１…パッシベーション膜、３０…容器、３１…基体、３２…蓋体、４０…インダクター、５１…第１シールド部、５１ａ…金属部、５１ｂ…金属部、５２…第２シールド部、５２ａ…金属部、５２ｂ…金属部、５３…金属層、５４…接続部、５４ａ…金属部、６０…第１配線、６１…第１接続端子、６２…第２接続端子、６３…導電性バンプ、７０…第２配線、７１…第１端子、７１ａ…端子部、７１ｂ…端子部、７２…第２端子、１００…振動デバイス、２０１…電源回路、２０２…制御回路、２０３…発振用回路、２０４…ＰＬＬ回路、２０５…出力回路、３１１…第１基板、３１２…第１酸化膜、３１３…第１面、３１４…第２面、３１５…第１貫通孔、３１６…第２貫通孔、３２０…第１凹部、３２１…第２基板、３２２…第２酸化膜、３２５…接合面、３２９…第２凹部、４００…パーソナルコンピューター、４０２…キーボード、４０４…本体部、４０５…表示部、４０６…表示ユニット、４１０…演算回路、６９１…ＶＤＤ端子、６９２…ＶＳＳ端子、６９３…制御端子、６９４…出力端子、６９５…外部端子、ＣＮＴ１…制御信号、ＣＮＴ２…制御信号、Ｓ１…接合領域、Ｔ１…ＸＧ端子、Ｔ２…ＸＤ端子、Ｔ４…高さ、Ｔ５１…高さ、Ｔ５２…高さ、Ｗ５１…幅、Ｗ５２…幅、Ｗ４…幅。

Claims (10)

1. 振動片と、
   前記振動片が収容される容器と、
   前記容器に配置され、平面視で前記振動片と重なる回路部と、
   前記容器に配置され、平面視で前記振動片と重ならず、前記回路部と電気的に接続されるインダクターと、を含むことを特徴とする振動デバイス。
2. 前記容器は、
   少なくとも第１部材と第２部材と、
   前記第１部材と前記第２部材とを接合するための接合領域と、を含み、
   前記インダクターは前記接合領域に配置される請求項１に記載の振動デバイス。
3. 前記振動片は、前記第１部材に配置され、
   前記第２部材は、前記振動片が収容される第１凹部を有し、
   前記第１部材および前記第２部材のそれぞれは、半導体基板であり、
   前記回路部は、前記第１部材に接触して配置される請求項２に記載の振動デバイス。
4. 前記第１凹部に配置される金属層をさらに含む請求項３に記載の振動デバイス。
5. 前記接合領域に配置されるシールド部をさらに有し、
   前記シールド部は、平面視で前記インダクターと前記振動片との間に配置される請求項２から４のいずれか１項に記載の振動デバイス。
6. 前記第１部材と前記第２部材とは、前記シールド部によって接合される請求項５に記載の振動デバイス。
7. 前記第１部材または前記第２部材は、前記接合領域に向かって開口する凹部を有し、
   前記インダクターは、前記凹部に配置される請求項２に記載の振動デバイス。
8. 前記第１部材または前記第２部材は、前記接合領域に向かって開口する第２凹部を有し、
   前記インダクターは、前記第２凹部に配置される請求項３または４に記載の振動デバイス。
9. 前記インダクターと前記回路部とを電気的に接続する貫通電極をさらに含み、
   前記第１部材は、第１面と、前記第１面とは反対の第２面とをさらに有し、
   前記振動片は、前記第１面に配置され、
   前記回路部は、前記第２面に配置され、
   前記貫通電極は、前記第１部材の、前記第１面と前記第２面との間を貫通する請求項２から８のいずれか１項に記載の振動デバイス。
10. 請求項１から９のいずれか１項に記載の振動デバイスと、
    前記振動デバイスからの出力信号により動作する演算回路と、を含む電子機器。

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