JP2014160697A - 素子収納用パッケージ、並びに実装構造体 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板から入出力端子に加わる熱応力を分散しやすい構造し、電気特性を良好に維持できる素子収納用パッケージ、並びにその実装構造体を提供する。
【解決手段】素子収納用パッケージは、貫通孔に設けられ、枠体の内外に延在される矩形状の第1誘電体層7と、第1誘電体層7上に設けられた第2誘電体層8と、第2誘電体層8上に第1誘電体層7が延在された延在方向Dに沿って形成された信号線路9と、第2誘電体層8上であって信号線路9の延在方向Dに延びた両端部を露出するように設けられた第3誘電体層10と、を有する入出力端子11と、第2誘電体層8上であって枠体外に位置する信号線路9上に設けられたリード端子12と、を備えている。また、第2誘電体層8は、平面視して第3誘電体層10と重ならない箇所であって、且つ上面のうち延在方向Dに直交する両端のそれぞれに、延在方向Dに沿って連続した溝Cが設けられている。
【選択図】図2
【解決手段】素子収納用パッケージは、貫通孔に設けられ、枠体の内外に延在される矩形状の第1誘電体層7と、第1誘電体層7上に設けられた第2誘電体層8と、第2誘電体層8上に第1誘電体層7が延在された延在方向Dに沿って形成された信号線路9と、第2誘電体層8上であって信号線路9の延在方向Dに延びた両端部を露出するように設けられた第3誘電体層10と、を有する入出力端子11と、第2誘電体層8上であって枠体外に位置する信号線路9上に設けられたリード端子12と、を備えている。また、第2誘電体層8は、平面視して第3誘電体層10と重ならない箇所であって、且つ上面のうち延在方向Dに直交する両端のそれぞれに、延在方向Dに沿って連続した溝Cが設けられている。
【選択図】図2
Description
本発明は、素子収納用パッケージ、並びにその素子収納用パッケージを用いる実装構造体に関する。
従来から、高周波信号で作動する半導体素子を収納するための素子収納用パッケージが知られている(下記、特許文献1、2参照)。素子収納用パッケージは、基板と、基板上に設けられた枠体と、枠体を貫通し枠体の内外を電気的に接続する入出力端子と、枠体外に位置する入出力端子の一部に接続されたリード端子とを備えている。なお、入出力端子には、枠体の内外に延在するように、リード端子と電気的に接続される信号線路が設けられている。
ところで、入出力端子は、基板および枠体と熱膨張係数差があり、素子収納用パッケージ内に実装される半導体素子の発熱量によっては、入出力端子が枠体の貫通孔にはまった状態で基板に反りが発生すると、入出力端子に対して基板から熱応力が加わることがある。そして、基板から加わる熱応力によっては、入出力端子にかけが発生して、信号線路に所望する電気信号が流れない虞が生じる。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、基板から入出力端子に加わる熱応力を分散しやすい構造とすることで、電気特性を良好に維持することが可能な素子収納用パッケージ、並びにその素子収納用パッケージを用いる実装構造体を提供することを目的とする。
本発明の一実施形態に係る素子収納用パッケージは、上面に素子の実装領域を有する基板と、前記基板上であって前記実装領域の外周に沿って設けられ、一部に貫通孔を有する枠体と、前記貫通孔に設けられ、前記枠体の内外に延在される矩形状の第1誘電体層と、前記第1誘電体層上に設けられた第2誘電体層と、前記第2誘電体層上に前記第1誘電体層が延在された延在方向に沿って形成された信号線路と、前記第2誘電体層上であって前記信号線路の前記延在方向に延びた両端部を露出するように設けられた第3誘電体層と、を有する入出力端子と、前記第2誘電体層上であって前記枠体外に位置する前記信号線路上に設けられたリード端子と、を備え、前記第2誘電体層は、平面視して前記第3誘電体層と重ならない箇所であって、且つ上面のうち前記延在方向に直交する両端のそれぞれに、前記延在方向に沿って連続した溝が設けられていることを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る実装構造体は、前記素子収納用パッケージと、前記素子収納用パッケージの前記実装領域に、前記枠体の内側の前記信号線路と電気的に接続された素子と、前記素子収納用パッケージ上に前記素子を覆うように設けられた蓋体と、を備えている。
本発明によれば、電気特性を良好に維持することが可能な素子収納用パッケージ、並びにその素子収納用パッケージを用いる実装構造体を提供することができる。
以下に添付図面を参照して、本発明に係る素子収納用パッケージおよび実装構造体の実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されないものである。
<実装構造体の構成>
図1は、本実施形態に係る実装構造体を示す概観斜視図であって、蓋体を取り外した状態を示している。図2は、図1の素子収納用パッケージの入出力端子の概観斜視図であって、リード端子が接続された状態を示している。図3は、図1の素子収納用パッケージの入出力端子の概観斜視図であって、リード端子が接続されていない状態を示している。図4は、素子収納用パッケージの入出力端子の側面図であって、第2誘電体層の側面を示している。図5は、素子収納用パッケージの入出力端子の正面図であって、リード端子が接続されていない状態である。図6は、素子収納用パッケージの入出力端子の透過概観斜視図であって、信号線路が入出力端子内を通っている状態を示している。図7は、素子収納用パッケージの入出力端子の平面図であって、溝を示している。
図1は、本実施形態に係る実装構造体を示す概観斜視図であって、蓋体を取り外した状態を示している。図2は、図1の素子収納用パッケージの入出力端子の概観斜視図であって、リード端子が接続された状態を示している。図3は、図1の素子収納用パッケージの入出力端子の概観斜視図であって、リード端子が接続されていない状態を示している。図4は、素子収納用パッケージの入出力端子の側面図であって、第2誘電体層の側面を示している。図5は、素子収納用パッケージの入出力端子の正面図であって、リード端子が接続されていない状態である。図6は、素子収納用パッケージの入出力端子の透過概観斜視図であって、信号線路が入出力端子内を通っている状態を示している。図7は、素子収納用パッケージの入出力端子の平面図であって、溝を示している。
実装構造体1は、テレビ等の家電機器、携帯電話またはコンピュータ機器等の電子機器に用いるものである。特に、マイクロ波、ミリ波等の高周波で用いられる電子機器の高周波用電子部品に用いられる。実装構造体1は、素子収納用パッケージ2と、素子収納用パッケージ2の実装領域Rに設けられた素子3と、素子収納用パッケージ2上に素子3を覆うように設けられた蓋体4と、を備えている。素子収納用パッケージ2は、例えば、半導体素子、光半導体素子、トランジスタ、ダイオードまたはサイリスタ等の能動素子、あるいは抵抗器、コンデンサ、太陽電池、圧電素子、水晶振動子またはセラミック発振子等の受動素子からなる素子3を実装するものである。なお、素子3は、能動素子または受動素子のいずれか一つ、あるいはこれらを複数組み合わせたものである。また、素子3は、基板5上に台座等を介して実装したものであってもよい。
素子収納用パッケージ2は、上面に素子3の実装領域Rを有する基板5と、基板5上であって実装領域Rの外周に沿って設けられ、一部に貫通孔Hを有する枠体6と、貫通孔Hに設けられ、枠体6の内外に延在される矩形状の第1誘電体層7と、第1誘電体層7上に設けられた第2誘電体層8と、第2誘電体層8上に第1誘電体層7が延在された延在方向Dに沿って形成された信号線路9と、第2誘電体層8上であって信号線路9の延在方向Dに延びた両端部を露出するように設けられた第3誘電体層10と、を有する入出力端子11と、第2誘電体層8上であって枠体6外に位置する信号線路9上に設けられたリード端子12と、を備えている。また、第2誘電体層8は、平面視して第3誘電体層10と重な
らない箇所であって、且つ上面のうち延在方向Dに直交する両端のそれぞれに、延在方向Dに沿って連続した溝Cが設けられている。なお、溝Cは、第2誘電体層8の上面から第2誘電体層8の側面にかけて切欠いたものも含まれる。
らない箇所であって、且つ上面のうち延在方向Dに直交する両端のそれぞれに、延在方向Dに沿って連続した溝Cが設けられている。なお、溝Cは、第2誘電体層8の上面から第2誘電体層8の側面にかけて切欠いたものも含まれる。
基板5は、平面視したとき四角形状に形成された部材である。基板5は、例えば、銅、鉄、タングステン、モリブデン、ニッケルまたはコバルト等の金属材料、あるいはこれらの金属材料を含有する合金から成る。基板5は、熱伝導率を良好にして、実装領域Rに実装した素子3から発生する熱を効率良く基板5を介して外部に放散させる機能を備えている。なお、基板5の熱伝導率は、例えば、15W/(m・K)以上450W/(m・K)以下に設定されている。基板5の熱膨張係数は、例えば3×10−6/K以上28×10−6/K以下に設定されている。
また、基板5は、溶融した金属材料を型枠に鋳込んで固化させたインゴットに対して、従来周知の圧延加工または打ち抜き加工等の金属加工法を用いることで、所定形状に製作される。なお、基板5の一辺の長さは、例えば、3mm以上50mm以下に設定されている。また、基板5の厚みは、例えば、0.3mm以上5mm以下に設定されている。
また、基板5の表面は、酸化腐食の防止または実装領域Rに素子3を半田付けしやすくするために、電気めっき法または無電解めっき法を用いて、ニッケルまたは金等の鍍金層が形成されている。基板5の実装領域Rは、基板5の上面に枠体6を接続したときに、枠体6と接続されない領域である。なお、本実施形態では、基板5の形状を四角形状としているが、素子3を実装することが可能であれば、四角形状に限られず、多角形状または楕円形状等であってもよい。
枠体6は、基板5の実装領域Rの外周に沿って接続され、実装領域Rに実装する素子3を外部から保護するための部材である。また、枠体6は、側面の一部に入出力端子11を設ける貫通孔Hが形成されている。貫通孔Hは、矩形状であって、入出力端子11を嵌め合わせることが可能な大きさに設定されている。枠体6は、ろう材を介して基板5にろう付けされる。なお、ろう材は、例えば、銀、銅、金、アルミ二ウムまたはマグネシウム等からなり、ニッケル、カドミウムまたは燐等の添加物を含有させてもよい。
また、枠体6は、例えば、銅、鉄、タングステン、モリブデン、ニッケルまたはコバルト等の金属材料、あるいはこれらの金属材料を含有する合金から成る。枠体6は、実装領域Rに素子3が実装されている状態で、素子3から発生する熱を効率良く枠体6の外部に発散させる機能を備えている。なお、枠体6の熱伝導率は、例えば、15W/(m・K)以上450W/(m・K)以下に設定されている。枠体6の熱膨張係数は、例えば3×10−6/K以上28×10−6/K以下に設定されている。
枠体6上には、実装領域Rに素子3が実装された状態で、蓋体4が設けられる。蓋体4は、基板2と枠体6とで囲まれる空間を封止する機能を備えている。蓋体4は、素子収納用パッケージ2上に素子3を覆うように設けられる。蓋体4は、例えばろう材を介して枠体6上にろう付けされたり、シーム溶接等によって接合されたりする。なお、蓋体4は、例えば、銅、鉄、タングステン、モリブデン、ニッケルまたはコバルト等の金属材料、あるいはこれらの金属材料を含有する合金から成る。蓋体4を金属材料から構成することで、枠体6内を電磁シールドすることができるとともに、実装構造体1を気密に封止することができる。なお、枠体6の一部に、光透過性レンズや光ファイバー等を別途設けて、光信号を電気信号に変換可能な構造とし、光通信装置等に用いられる実装構造体1としてもよい。
ここで、入出力端子11について説明する。貫通孔Hに設けられる入出力端子11は、
枠体6の内外に延在される矩形状の第1誘電体層7と、第1誘電体層7上に設けられた第2誘電体層8と、第2誘電体層8上に第1誘電体層7が延在された延在方向Dに沿って形成された信号線路9と、第2誘電体層8上であって信号線路9の延在方向Dに延びた両端部を露出するように設けられた第3誘電体層10と、を有している。また、入出力端子11は、第1誘電体層7の下面、第1誘電体層7の側面、第3誘電体層10と重なる第2誘電体層8の側面、第3誘電体層10の側面、および第3誘電体層10の上面にグランド層13が形成されている。ここでは、信号線路9とグランド層13がペアで、高周波伝送線路として機能する。
枠体6の内外に延在される矩形状の第1誘電体層7と、第1誘電体層7上に設けられた第2誘電体層8と、第2誘電体層8上に第1誘電体層7が延在された延在方向Dに沿って形成された信号線路9と、第2誘電体層8上であって信号線路9の延在方向Dに延びた両端部を露出するように設けられた第3誘電体層10と、を有している。また、入出力端子11は、第1誘電体層7の下面、第1誘電体層7の側面、第3誘電体層10と重なる第2誘電体層8の側面、第3誘電体層10の側面、および第3誘電体層10の上面にグランド層13が形成されている。ここでは、信号線路9とグランド層13がペアで、高周波伝送線路として機能する。
信号線路9は、所定の電気信号を伝達する機能を備えている。信号線路9は、例えば、マイクロストリップ線路またはコプレーナ線路として用いる。信号線路9は、例えば、銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル、モリブデン、タングステン、マンガンまたはクロム等の金属材料からなる。信号線路9の線路幅は、信号線路9に伝わる信号の波長の4分の1以下であって、例えば、0.05mm以上0.5mm以下に設定されている。また、信号線路9の線路長は、例えば1mm以上10mm以下に設定されている。
第1誘電体層7、第2誘電体層8および第3誘電体層10は、絶縁性の基板であって、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムまたは窒化珪素等の無機材料、あるいはエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂またはエチレン樹脂等の有機材料、あるいはアルミナまたはムライト等のセラミック材料、あるいはガラスセラミック材料等から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。なお、第1誘電体層7、第2誘電体層8および第3誘電体層10のそれぞれの厚みは、信号線路9に伝わる信号の波長の2分の1以下であって、例えば、0.1mm以上1.0mm以下に設定されている。また、第1誘電体層7、第2誘電体層8または第3誘電体層10は、矩形状であって、例えば一辺の長さが1mm以上10mm以下に設定されている。第1誘電体層7、第2誘電体層8および第3誘電体層10の熱膨張係数は、例えば4×10−6/K以上10×10−6/K以下に設定されている。
また、第1誘電体層7、第2誘電体層8および第3誘電体層10には、多数のフィラーが含有されていても構わない。第1誘電体層7、第2誘電体層8および第3誘電体層10が有機材料からなる場合、第1誘電体層7、第2誘電体層8および第3誘電体層10にフィラーが含有されていることによって、第1誘電体層7、第2誘電体層8および第3誘電体層10の硬化前の粘度を調整することができ、第1誘電体層7、第2誘電体層8および第3誘電体層10の厚み寸法を所望の値に近づけることができる。フィラーは、球状であって、フィラーの径は、例えば、0.05μm以上6μm以下に設定されており、熱膨張率は、例えば−5ppm/℃以上5ppm/℃以下である。なお、フィラーは、例えば、酸化珪素、炭化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムまたは水酸化アルミニウム等から成る。
また、第1誘電体層7、第2誘電体層8および第3誘電体層10に含有されるフィラーの比誘電率は、第1誘電体層7、第2誘電体層8および第3誘電体層10を構成する材料の比誘電率よりも小さく設定することができる。このように、第1誘電体層7、第2誘電体層8および第3誘電体層10の比誘電率よりも小さい低誘電率のフィラーとすることで、入出力端子11全体を更に低誘電率化することができ、信号線路9に伝送される信号の伝送効率を向上させることができる。
また、フィラーは、絶縁性のフィラーとすることができる。フィラーを絶縁性とすることで、信号線路9に伝わる信号の特性インピーダンスへの影響を低減することができる。
第1誘電体層7は、矩形状の板体であって、基板5上に接続される。そして、第2誘電
体層8は、第1誘電体層7上に設けられる。さらに、第3誘電体層10は、第2誘電体層8上に信号線路9の延在方向に延びた両端部を露出している。そこで、第2誘電体層8は、平面視して第3誘電体層10と重ならない箇所であって、且つ上面のうち延在方向Dに直交する両端のそれぞれに、延在方向Dに沿って連続した溝Cが設けられている。
体層8は、第1誘電体層7上に設けられる。さらに、第3誘電体層10は、第2誘電体層8上に信号線路9の延在方向に延びた両端部を露出している。そこで、第2誘電体層8は、平面視して第3誘電体層10と重ならない箇所であって、且つ上面のうち延在方向Dに直交する両端のそれぞれに、延在方向Dに沿って連続した溝Cが設けられている。
溝Cは、第2誘電体層8の一部を切り欠いたものである。溝Cは、平面視して第3誘電体層10と重ならない箇所であって、延在方向Dに直交する第2誘電体層8の両端のそれぞれに形成されている。溝Cは、第1誘電体層7の四隅上にそれぞれ設けられている。溝Cは、それぞれが矩形状に形成されている。溝Cそれぞれの大きさは、延在方向Dに沿った長さが0.5mm以上9mm以下であって、延在方向Dに直交する方向の長さが0.5mm以上5mm以下に設定されている。また、溝Cの上下方向の大きさは、第2誘電体層8の厚みに相当する。
溝Cは、延在方向Dに沿って、第1誘電体層7の端面から第3誘電体層10の端面にまで連続して形成されている。溝Cの延在方向Dに直交する幅は、延在方向Dに沿って一定となるように形成されている。ここで一定とは、当該幅の誤差が0.15mm以下のものも含まれる。素子収納用パッケージ2の製造工程で加えられる熱や、素子3の発熱量によって基板5が反ろうとして、基板5から入出力端子11に向かって熱応力が加わることになるが、基板5から入出力端子11に加わる熱応力は、基板5と接する箇所であって入出力端子11の端や角に集中しやすい。そこで、第1誘電体層7は、基板5の上面と接する面積が大きいので、第1誘電体層7の下面において基板5との接合強度を確保するとともに熱応力を集中させないために、基板5の上面と接する箇所を少なくせず、その代わりに、第1誘電体層7の上面の四隅上に位置する第2誘電体層8に溝Cを設ける。基板5と第1誘電体層7との接合面積は維持することで、基板5との接合強度を確保することができるとともに熱応力をこれまでどおり分散させることができ、さらに、第2誘電体層8の体積を減らすことで、入出力端子11とその周囲の基板5や枠体6との熱膨張係数差に伴う応力を低減させることができる。また、第2誘電体層8に溝Cが設けられていることで、素子3から基板5、第1誘電体層7、第2誘電体層8を介して、第1誘電体層8と信号線路9とリード端子12との接合部に伝達される熱量を小さくすることができ、第1誘電体層8と信号線路9とリード端子12との熱膨張係数差によって生じる熱応力を小さくすることができる。その結果、第1誘電体層8と信号線路9とリード端子12との接合部にクラックが生じたり、剥がれたり、断線したりする虞を抑制することができる。また、入出力端子11は、上記の作用効果を奏しながら溝Cによって信号線路9と基板5、グランド層13との静電容量やインダクタンスを任意に設定することができ、信号線路9とグランド層13との間で所望の特性インピーダンスとすることができる。
また、グランド層13は、第1誘電体層7の下面に形成されている。そして、グランド層13は、第1誘電体層7の下面から第1誘電体層7の側面を介して第3誘電体層10と重なった箇所にある第2誘電体層8の側面にまで形成されている。さらに、グランド層13は、第2誘電体層8の側面から第3誘電体層10の側面を介して第3誘電体層10の上面にまで形成されている。このように、グランド層13は、図2または図3に示すように、第1誘電体層7、第2誘電体層8および第3誘電体層10の外表面に形成されている。グランド層13は、共通の電位、例えばアース電位にする機能を備えている。グランド層13は、アース電位とした場合、信号線路9の高周波信号に基づいて発生する電界を遮蔽することができる。このように、枠体6や蓋体4に電界遮蔽効果をもたせることで、信号線路9や外部から発生する電界に起因して素子3の電気特性が変化するのを抑制することができる。なお、グランド層13は、例えば、銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル、タングステン、モリブデン、マンガンまたはクロム等の金属材料からなる。グランド層13は、平面視して信号線路9と重なる領域に形成されている。枠体6は、金属材料からなり、グランド層13と枠体6とは電気的に接続されている。
リード端子12は、枠体6外に位置する信号線路9の一端に接続される。リード端子12は、外部の電子機器等と素子3とを電気的に接続するための部材である。リード端子12は、ろう材や半田等の導電性部材を介して、信号線路9と電気的に接続される。なお、リード端子12は、導電材料からなり、例えば、銅、鉄、タングステン、モリブデン、ニッケルまたはコバルト等の金属材料、あるいはこれらの金属材料を含有する合金から成る。
リード端子12は、矩形状であって、一辺の長さが例えば2mm以上20mm以下に設定されている。また、リード端子12は、上下方向の厚みが例えば0.1mm以上1mm以下に設定されている。なお、リード端子12の枠体6から遠ざかる一端は上下に折れ曲がって、外部の基板に接続しやすい形状になっていても構わない。そして、リード端子12を外部の基板に対して、平坦に実装することができる。そして、素子収納用パッケージ2は、外部の基板に対して固定する面積を増やしつつ、外部の基板に対して傾斜しないように接続することができる。その結果、素子収納用パッケージ2は、外部の基板に対して安定して強固に接続することができる。
素子収納用パッケージ2に、素子3を半田等のバンプを介して実装することで、実装構造体1を構成することができる。ICまたはLSI等の半導体素子を実装する場合、半導体素子としては、例えば、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウムまたは炭化珪素等を用いることができる。なお、素子3は、ワイヤを介して枠体6内の信号線路9と電気的に接続されている。
本実施形態に係る実装構造体1および素子収納用パッケージ2は、第2誘電体層8には、平面視して第3誘電体層10と重ならない箇所であって、且つ上面のうち延在方向Dに直交する両端のそれぞれに、延在方向Dに沿って連続した溝Cが設けられていることで、基板5と入出力端子11との接合強度を確保しつつ、入出力端子11に生じる熱応力を低減することができるという作用効果を奏する。その結果、入出力端子11に生じる熱応力を低減できる構造とすることで、気密性や電気特性を良好に維持することが可能な素子収納用パッケージ2、並びにその素子収納用パッケージ2を用いる実装構造体1を提供することができる。
<実装構造体の製造方法>
ここで、図1に示す実装構造体1の製造方法を説明する。まず、基板5、枠体6のそれぞれを準備する。基板5、枠体6のそれぞれは、溶融した金属材料を型枠に鋳込んだ固化させたインゴットに対して、金属加工法を用いることで、所定形状に製作される。
ここで、図1に示す実装構造体1の製造方法を説明する。まず、基板5、枠体6のそれぞれを準備する。基板5、枠体6のそれぞれは、溶融した金属材料を型枠に鋳込んだ固化させたインゴットに対して、金属加工法を用いることで、所定形状に製作される。
次に、入出力端子11を準備する。ここでは、第1誘電体層7、第2誘電体層8および第3誘電体層10の材料が、酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体またはムライト質焼結体等の場合の、入出力端子11の作製方法について説明する。
入出力端子11は、第1誘電体層7、第2誘電体層8および第3誘電体層10に対応するセラミックグリーンシートをそれぞれ準備する。セラミックグリーンシートは、泥漿状となったセラミック材料を所定形状に成型することで作製することができる。次に、セラミックグリーンシートに、例えばスクリーン印刷法を用いて、モリブデンやマンガンを含有した有機溶剤を塗布した金属ペーストからなる信号線路9やグランド層13を形成する。そして、入出力端子11は、複数のセラミックグリーンシートを積層したものを焼成することで作製することができる。さらに、入出力端子11は、基板5や枠体6に対して、接合面となるメタライズパターンにろう材を用いて接続することができる。
そして、準備した枠体6の貫通孔Hに、入出力端子11をろう材を介して嵌めて接続する。このようにして、素子収納用パッケージ2を作製することができる。次に、素子収納用パッケージ2に半田を介して素子3を実装し、枠体6上に蓋体4をシーム溶接で設けることで、実装構造体1を作製することができる。
本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。以下、本実施形態の変形例について説明する。なお、本実施形態の変形例に係る実装構造体および素子収納用パッケージのうち、本実施形態に係る実装構造体1および素子収納用パッケージ2と同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。
<変形例>
図8は、一変形例に係る素子収納用パッケージの入出力端子の概観斜視図である。図8は、図3と比較して、溝Cにまでグランド層13の一部が形成されている点が異なる。図8に示すように、入出力端子11は、グランド層13の一部13aが、第1誘電体層7の側面から溝Cの上面にかけて形成されていても構わない。
図8は、一変形例に係る素子収納用パッケージの入出力端子の概観斜視図である。図8は、図3と比較して、溝Cにまでグランド層13の一部が形成されている点が異なる。図8に示すように、入出力端子11は、グランド層13の一部13aが、第1誘電体層7の側面から溝Cの上面にかけて形成されていても構わない。
グランド層13の一部13aは、溝C上に延在方向Dに沿って連続して形成されている。また、グランド層13の一部13aは、延在方向Dに直交する溝Cの端部から信号線路9に向かって、例えば0.1mm以上5mm以下の幅で形成されている。グランド層13の一部13aが形成されていることで、延在方向Dに直交する方向において信号線路9とグランド層13との間の距離を短くすることができ、信号線路9に流れる電気信号にノイズが乗るのを抑制することができるとともに、延在方向Dに沿った信号線路9の両端部から外部媒体への電界分布を抑制することができる。
また、溝Cの縁にグランド層13の一部13aが形成されていることで、第1誘電体層7の側面にグランド層13を設けるときや、半田などの濡れ性の有る導電材料が第1誘電体層7の側面にかけて漏れ広がるときに、予め、一部13aが形成されていることで、一部13aがメタライズ層としても機能し、グランド層13が意図せずに溝Cまで形成されることによって生じる電気特性の変動を抑制できるとともに、漏れ広がる半田を一部13a上に留めることができる。その結果、溝Cに設けられるメタライズ層を所望の形状に維持することができるととともに、溝Cにおける半田漏れの発生を、事前にどこまで漏れ広がるかを調整しておくことができる。仮に、一部13aが存在しない場合は、第1誘電体層7の側面に設けられるグランド層13から溝Cに延びて設けられるメタライズ層や、漏れ広がる半田によって、延在方向Dに直交する方向における信号線路9とグランド層13との間の距離が変化し、信号線路9の特性インピーダンスをくるわせて、所望する電気特性が得られない虞が生じる。そこで、予め、溝Cにグランド層13の一部13aを形成しておくことで、溝Cに設けられるメタライズ層を所望の形状に維持することができるととともに、半田が漏れ広がるのを一部13a上のみに留めることができ、延在方向Dに直交する方向における信号線路9とグランド層13との間の距離が変化するのを抑制することができる。
1 実装構造体
2 素子収納用パッケージ
3 素子
4 蓋体
5 基板
6 枠体
7 第1誘電体層
8 第2誘電体層
9 信号線路
10 第3誘電体層
11 入出力端子
12 リード端子
13 グランド層
R 実装領域
H 貫通孔
C 溝
D 延在方向
2 素子収納用パッケージ
3 素子
4 蓋体
5 基板
6 枠体
7 第1誘電体層
8 第2誘電体層
9 信号線路
10 第3誘電体層
11 入出力端子
12 リード端子
13 グランド層
R 実装領域
H 貫通孔
C 溝
D 延在方向
Claims (4)
- 上面に素子の実装領域を有する基板と、
前記基板上であって前記実装領域の外周に沿って設けられ、一部に貫通孔を有する枠体と、
前記貫通孔に設けられ、前記枠体の内外に延在される矩形状の第1誘電体層と、前記第1誘電体層上に設けられた第2誘電体層と、前記第2誘電体層上に前記第1誘電体層が延在された延在方向に沿って形成された信号線路と、前記第2誘電体層上であって前記信号線路の前記延在方向に延びた両端部を露出するように設けられた第3誘電体層と、を有する入出力端子と、
前記第2誘電体層上であって前記枠体外に位置する前記信号線路上に設けられたリード端子と、を備え、
前記第2誘電体層は、平面視して前記第3誘電体層と重ならない箇所であって、且つ上面のうち前記延在方向に直交する両端のそれぞれに、前記延在方向に沿って連続した溝が設けられていることを特徴とする素子収納用パッケージ。 - 請求項1に記載の素子収納用パッケージであって、
前記入出力端子は、前記第1誘電体層の下面、前記第1誘電体層の前記延在方向に直交する両側面、前記第2誘電体層の前記第3誘電体層と重なる箇所における前記延在方向に直交する両側面、前記第3誘電体層の前記延在方向に直交する両側面、および前記第3誘電体層の上面に連続したグランド層が形成されていることを特徴とする素子収納用パッケージ。 - 請求項2に記載の素子収納用パッケージであって、
前記グランド層は、前記第1誘電体層の側面から前記溝の上面にかけて形成されていることを特徴とする素子収納用パッケージ。 - 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の素子収納用パッケージと、
前記素子収納用パッケージの前記実装領域に、前記枠体の内側の前記信号線路と電気的に接続された素子と、
前記素子収納用パッケージ上に前記素子を覆うように設けられた蓋体と、を備えたことを特徴とする実装構造体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013029682A JP2014160697A (ja) | 2013-02-19 | 2013-02-19 | 素子収納用パッケージ、並びに実装構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2014160697A true JP2014160697A (ja) | 2014-09-04 |
Family
ID=51612203
Family Applications (1)
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JP2013029682A Pending JP2014160697A (ja) | 2013-02-19 | 2013-02-19 | 素子収納用パッケージ、並びに実装構造体 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2014160697A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017535947A (ja) * | 2014-10-31 | 2017-11-30 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 非磁性パッケージをシールするための蓋および方法 |
-
2013
- 2013-02-19 JP JP2013029682A patent/JP2014160697A/ja active Pending
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JP2017535947A (ja) * | 2014-10-31 | 2017-11-30 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 非磁性パッケージをシールするための蓋および方法 |
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