CN116615868A - 高频模块和通信装置 - Google Patents

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永森启之
上岛孝纪
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山下贵弘
若林辽
吉村嘉弘
广瀬岳
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Abstract

高频模块(1A)能够执行频段A的发送信号与频段C的发送的双上行链路，具备模块基板(91)、配置于主面(91a)的金属屏蔽板(86)、功率放大器(51及52)、频段A的发送滤波器(31T)以及频段C的发送滤波器(43T)，在俯视模块基板(91)的情况下，金属屏蔽板(86)配置于第一发送部件与第二发送部件之间，第一发送部件是功率放大器(51)、发送滤波器(31T)、开关电路(21)、配置于第一发送路径的第一电感器以及第一电容器中的任意部件，第二发送部件是功率放大器(52)、发送滤波器(43T)、开关电路(22)、配置于第二发送路径的第二电感器以及第二电容器中的任意部件。

Description

高频模块和通信装置
技术领域
本发明涉及一种高频模块和通信装置。
背景技术
专利文献1中公开了一种高频前端模块，该高频前端模块具备：第一多工器及第二多工器；第一开关电路，其配置于主天线及副天线与第一多工器及第二多工器之间；第一放大器，其与第一多工器连接；以及第二放大器42，其与第二多工器连接。第一开关电路对主天线与第一多工器的连接以及主天线与第二多工器的连接排他地进行切换，对副天线与第一多工器的连接以及副天线与第二多工器的连接排他地进行切换。据此，能够在削减滤波器的个数的同时执行双上行链路双下行链路。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2019/151528号
发明内容
发明要解决的问题
然而，在将构成专利文献1中公开的高频前端模块的电路部件安装于模块基板的情况下，存在以下情况：配置在将第一放大器及第一多工器连接的第一发送路径上的第一发送部件与配置在将第二放大器及第二多工器连接的第二发送路径上的第二发送部件在双上行链路时相互干扰，第一发送路径与第二发送路径之间的隔离度变得不充分。
因此，本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种双上行链路时的2个发送路径之间的隔离度提高的高频模块和通信装置。
用于解决问题的方案
本发明的一个方式所涉及的高频模块能够执行双上行链路，在该双上行链路中，同时发送第一频带中包含的第一发送频带的信号以及与第一频带不同的第二频带中包含的第二发送频带的信号，该高频模块具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；第一地金属构件，其配置于第一主面；第一功率放大器及第二功率放大器；第一发送滤波器，其与第一功率放大器连接，该第一发送滤波器的通带中包含第一发送频带；以及第二发送滤波器，其与第二功率放大器连接，该第二发送滤波器的通带中包含第二发送频带，其中，在俯视模块基板的情况下，第一地金属构件配置于在第一主面配置的第一发送部件与在第一主面配置的第二发送部件之间，第一发送部件是以下部件中的任意部件：(1)第一功率放大器；(2)第一发送滤波器；(3)对第一功率放大器与第一发送滤波器的连接及非连接进行切换的第一开关；(4)与第一功率放大器、第一发送滤波器以及第一开关中的任一者连接的第一电感器；以及(5)与第一功率放大器、第一发送滤波器以及第一开关中的任一者连接的第一电容器，第二发送部件是以下部件中的任意部件：(1)第二功率放大器；(2)第二发送滤波器；(3)对第二功率放大器与第二发送滤波器的连接及非连接进行切换的第二开关；(4)与第二功率放大器、第二发送滤波器以及第二开关中的任一者连接的第二电感器；以及(5)与第二功率放大器、第二发送滤波器以及第二开关中的任一者连接的第二电容器。
发明的效果
根据本发明，能够提供双上行链路时的2个发送路径间的隔离度提高的高频模块和通信装置。
附图说明
图1是实施方式所涉及的高频模块和通信装置的电路结构图。
图2A是实施例1所涉及的高频模块的俯视图。
图2B是实施例1所涉及的高频模块的截面图。
图3A是表示金属屏蔽板的第一例的外观立体图。
图3B是表示金属屏蔽板的第二例的外观立体图。
图3C是表示金属屏蔽板的第三例的外观立体图。
图4是变形例所涉及的高频模块的俯视图。
图5A是实施例2所涉及的高频模块的俯视图。
图5B是实施例2所涉及的高频模块的截面图。
图6A是实施例3所涉及的高频模块的俯视图。
图6B是实施例3所涉及的高频模块的截面图。
具体实施方式
下面，详细说明本发明的实施方式。此外，下面说明的实施方式均表示总括性或具体的例子。下面的实施方式所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本发明。将下面的实施例和变形例的结构要素中的未记载于独立权利要求的结构要素作为任意的结构要素来进行说明。另外，附图所示的结构要素的大小或者大小之比未必是严格的。在各图中，对实质上相同的结构标注相同的标记，有时省略或简化重复的说明。
另外，下面，平行和垂直等表示要素之间的关系性的用语、矩形形状等表示要素的形状的用语以及数值范围表示实质上等同的范围，例如还包括百分之几左右的差异，而不是仅表示严格的含义。
另外，在下面的实施方式中，“A配置于基板的第一主面”不仅表示A直接安装在第一主面上，也表示A配置于被基板隔出来的第一主面侧的空间和第二主面侧的空间中的第一主面侧的空间。也就是说，包括以下情况：A借助其它电路元件、电极等安装在第一主面上。
另外，在下面的实施方式中，“A与B连接”被定义为：不仅指A与B接触，还包括A与B经由导体电极、导体端子、布线或其它电路部件等电连接。另外，“连接于A与B之间”表示在A与B之间同A及B这两方连接。
另外，在下面的实施方式中，“A与B接合”被定义为：A与B处于机械地(物理地)粘接的状态，特别是，包括A所具有的一面与B所具有的一面粘接的情况。
在下面的各图中，x轴和y轴是在与模块基板的主面平行的平面上相互正交的轴。另外，z轴是与模块基板的主面垂直的轴，z轴的正方向表示上方向，z轴的负方向表示下方向。
另外，在本公开的模块结构中，“俯视”表示从z轴正侧将物体正投影到xy平面来进行观察。“部件配置于基板的主面”除了包括部件以与基板的主面接触的状态配置在主面上的情况以外，还包括以下情况：部件以不与主面接触的方式配置于主面的上方；以及部件的一部分从主面侧埋入基板内地配置。
另外，下面，在安装于基板的A、B及C中，“在俯视基板(或基板的主面)时，在A与B之间配置有C”表示：在俯视基板时，将A内的任意的点与B内的任意的点连接的多个线段中的至少1个线段经过C的区域。另外，俯视基板表示：将基板和安装于基板的电路元件正投影到与基板的主面平行的平面来进行观察。
另外，下面，“发送路径”表示由传播高频发送信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。另外，“接收路径”表示由传播高频接收信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。
(实施方式)
[1.高频模块1和通信装置5的结构]
图1是实施方式所涉及的高频模块1和通信装置5的电路结构图。如该图所示，通信装置5具备高频模块1、天线2A及2B、RF信号处理电路(RFIC)3以及基带信号处理电路(BBIC)4。
天线2A例如是主天线，是在天线性能等方面相比于天线2B而被优先使用的天线，且是能够发送和接收频段A、B及C的信号的天线元件。另外，天线2B例如是副天线，且是能够发送和接收频段A、B及C的信号的天线元件。
RFIC 3是对利用天线2A及2B发送接收的高频信号进行处理的RF信号处理电路。具体地说，RFIC 3对经由高频模块1输入的接收信号通过下变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的接收信号输出到BBIC 4。另外，RFIC 3对从BBIC 4输入的发送信号通过上变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的发送信号输出到高频模块1的发送路径。
BBIC 4是使用频率比在高频模块1中传播的高频信号的频率低的中间频带来进行信号处理的电路。由BBIC 4处理后的信号例如被用作图像信号以显示图像，或者被用作声音信号以借助扬声器进行通话。
另外，RFIC 3还具有基于所使用的频段(频带)来控制高频模块1所具有的开关电路(后述)的连接的作为控制部的功能。具体地说，RFIC 3通过控制信号(未图示)来切换高频模块1所具有的开关电路的连接。此外，控制部也可以设置于RFIC 3的外部，例如也可以设置于高频模块1或BBIC 4。
接着，说明高频模块1的详细的电路结构。
如图1所示，高频模块1具备开关电路20、21、22、23及24、发送滤波器31T、32T、42T及43T、接收滤波器31R、32R、33R、41R、42R及43R、功率放大器51及52、低噪声放大器63及64、以及匹配电路71、72、73、74、75、76、77及78。
通过上述结构，高频模块1能够执行双上行链路和双下行链路，在该双上行链路中，同时发送第一频带(频段A)中包含的第一发送频带(A-Tx)的信号、与第一频带不同的第二频带(频段C)中包含的第二发送频带(C-Tx)的信号、以及与第一频带和第二频带不同的第三频带(频段B)中包含的第三发送频带(B-Tx)的信号中的2个信号，在该双下行链路中，同时接收第一频带(频段A)中包含的第一接收频带(A-Rx)的信号、第二频带(频段C)中包含的第二接收频带(C-Rx)的信号、以及与第一频带和第二频带不同的第三频带(频段B)中包含的第三接收频带(B-Rx)的信号中的2个信号。
发送滤波器31T是以A-Tx为通带的第一发送滤波器的一例，输入端子与选择端子21c连接，输出端子经由匹配电路71来与开关电路20连接。
发送滤波器32T是以B-Tx为通带的第五发送滤波器的一例，输入端子与选择端子21d连接，输出端子经由匹配电路71来与开关电路20连接。
接收滤波器31R是以A-Rx为通带的第一接收滤波器的一例，输入端子经由匹配电路71来与开关电路20连接，输出端子与开关电路23连接。
接收滤波器32R是以B-Rx为通带的第五接收滤波器的一例，输入端子经由匹配电路71来与开关电路20连接，输出端子与开关电路23连接。
接收滤波器33R是以C-Rx为通带的第四接收滤波器的一例，输入端子经由匹配电路71来与开关电路20连接，输出端子与开关电路23连接。
发送滤波器42T是以B-Tx为通带的第六发送滤波器的一例，输入端子与选择端子22c连接，输出端子经由匹配电路72来与开关电路20连接。
发送滤波器43T是以C-Tx为通带的第二发送滤波器的一例，输入端子与选择端子22d连接，输出端子经由匹配电路72来与开关电路20连接。
接收滤波器41R是以A-Rx为通带的第三接收滤波器的一例，输入端子经由匹配电路72来与开关电路20连接，输出端子与开关电路24连接。
接收滤波器42R是以B-Rx为通带的第六接收滤波器的一例，输入端子经由匹配电路72来与开关电路20连接，输出端子与开关电路24连接。
接收滤波器43R是以C-Rx为通带的第二接收滤波器的一例，输入端子经由匹配电路72来与开关电路20连接，输出端子与开关电路24连接。
发送滤波器31T、32T、接收滤波器31R、32R及33R构成能够选择性地发送频段A及B的高频信号、且接收频段A、B及C的高频信号的第一多工器。此外，第一多工器不具有以C-Tx为通带的发送滤波器。
发送滤波器42T、43T、接收滤波器41R、42R及43R构成能够选择性地发送频段B及C的高频信号、且接收频段A、B及C的高频信号的第二多工器。此外，第二多工器不具有以A-Tx为通带的发送滤波器。
功率放大器51是第一功率放大器的一例，输入端子经由匹配电路77来与发送输入端子110连接，输出端子经由匹配电路73来与开关电路21连接。功率放大器52是第二功率放大器的一例，输入端子经由匹配电路78来与发送输入端子130连接，输出端子经由匹配电路75来与开关电路22连接。功率放大器51及52例如是由晶体管等构成的功率放大器。
开关电路20是第三开关的一例，具有端子20a(第一端子)、端子20b(第二端子)、端子20c(第一天线连接端子)以及端子20d(第二天线连接端子)。
端子20c经由发送接收端子101来与天线2A连接，端子20d经由发送接收端子102来与天线2B连接。另外，端子20a经由匹配电路71来与第一多工器的公共端子连接，端子20b经由匹配电路72来与第二多工器的公共端子连接。
在开关电路20中，对端子20a与端子20c的导通以及端子20a与端子20d的导通排他地进行选择，对端子20b与端子20c的导通以及端子20b与端子20d的导通排他地进行选择。
开关电路20例如是具有端子20a、20b、20c及20d的DPDT(Double Pole DoubleThrow：双刀双掷)型的开关电路。此外，开关电路20也可以是DP3T(Double Pole 3Throw：双刀三掷)型和DP4T(Double Pole 4Throw：双刀四掷)型等的开关电路，在该情况下，根据要使用的频段数来使用所需要的端子即可。
开关电路21是对功率放大器51与发送滤波器31T的连接及非连接进行切换的第一开关的一例。开关电路21是具有公共端子21a以及选择端子21c及21d的SPDT(Single PoleDouble Throw：单刀双掷)型的开关电路。公共端子21a经由匹配电路73来与功率放大器51的输出端子连接。开关电路22是对功率放大器52与发送滤波器43T的连接及非连接进行切换的第二开关的一例。开关电路22是具有公共端子22a以及选择端子22c及22d的SPDT型的开关电路。公共端子22a经由匹配电路75来与功率放大器52的输出端子连接。
开关电路23是具有公共端子和3个选择端子的SP3T(Single Pole 3Throw：单刀三掷)型的开关电路。开关电路23的公共端子经由匹配电路74来与低噪声放大器63的输入端子连接。开关电路24是具有公共端子和3个选择端子的SP3T型的开关电路。开关电路24的公共端子经由匹配电路76来与低噪声放大器64的输入端子连接。
匹配电路71配置于将开关电路20与第一多工器连接的路径，取得开关电路20与第一多工器的阻抗匹配。匹配电路72配置于将开关电路20与第二多工器连接的路径，取得开关电路20与第二多工器的阻抗匹配。匹配电路73配置于将开关电路21与功率放大器51连接的路径，取得开关电路21与功率放大器51的阻抗匹配。匹配电路74配置于将开关电路23与低噪声放大器63连接的路径，取得开关电路23与低噪声放大器63的阻抗匹配。匹配电路75配置于将开关电路22与功率放大器52连接的路径，取得开关电路22与功率放大器52的阻抗匹配。匹配电路76配置于将开关电路24与低噪声放大器64连接的路径，取得开关电路24与低噪声放大器64的阻抗匹配。匹配电路77配置于将发送输入端子110与功率放大器51连接的路径，取得RFIC 3与功率放大器51的阻抗匹配。匹配电路78配置于将发送输入端子130与功率放大器52连接的路径，取得RFIC 3与功率放大器52的阻抗匹配。此外，也可以是，匹配电路71～78中的各匹配电路具有至少1个电感器或至少1个电容器。
高频模块1具备开关电路20～24、第一多工器以及第二多工器，由此通过切换开关电路20～24的连接状态，来将频段A、B及C的高频信号任意地分配到天线2A及2B，从而能够执行双上行链路的同时传输和双上行链路双下行链路的同时传输。在此，在第一多工器中，能够削减频段C的发送滤波器，在第二多工器中，能够削减频段A的发送滤波器。因此，能够提供能够执行双上行链路的同时传输和双下行链路的同时传输的小型的高频模块1。
此外，在本说明书中，第一多工器和第二多工器被定义为如本实施方式那样的包括如下双工器的多工器，在该双工器中，发送滤波器的输出端子与接收滤波器的输入端子由开关电路20共同连接。
另外，通过上述结构，高频模块1也能够执行仅发送频段A、B及C的高频信号中的任一者并同时接收频段A、B及C的高频信号的所谓的单上行链路双下行链路的同时传输。
此外，本发明所涉及的高频模块只要至少具有图1中示出的电路部件中的功率放大器51及52以及发送滤波器31T及43T即可。
例如，高频模块1也可以具有如以下那样的结构来作为第一多工器和第二多工器。即，也可以是，第一多工器具有发送滤波器31T和接收滤波器31R，不具有发送滤波器32T、接收滤波器32R及33R、以及以C-Tx为通带的发送滤波器。另外，也可以是，第二多工器具有发送滤波器43T和接收滤波器43R，不具有发送滤波器42T、接收滤波器41R及42R、以及以A-Tx为通带的发送滤波器。
据此，具备开关电路20、第一多工器以及第二多工器，由此通过切换开关电路20的连接状态，来将频段A及C的高频信号任意地分配到天线2A及2B，从而能够执行双上行链路的同时传输和双上行链路双下行链路的同时传输。在此，第一多工器不具有频段C的发送滤波器和接收滤波器，第二多工器不具有频段A的发送滤波器和接收滤波器，因此能够提供能够执行双上行链路双下行链路的同时传输的小型的高频模块1。
另外，例如，高频模块1也可以具有如以下那样的结构来作为第一多工器和第二多工器。即，也可以是，第一多工器具有发送滤波器31T、接收滤波器31R及33R，不具有发送滤波器32T、接收滤波器33R、以及以C-Tx为通带的发送滤波器。另外，也可以是，第二多工器具有发送滤波器43T、接收滤波器41R及43R，不具有发送滤波器42T、接收滤波器42R、以及以A-Tx为通带的发送滤波器。
据此，具备开关电路20、第一多工器以及第二多工器，由此通过切换开关电路20的连接状态，来将频段A及C的高频信号任意地分配到天线2A及2B，从而能够执行双上行链路的同时传输和双上行链路双下行链路的同时传输。在此，第一多工器不具有频段C的发送滤波器，第二多工器不具有频段A的发送滤波器，因此能够提供能够执行双上行链路双下行链路的同时传输的小型的高频模块1。
此外，将发送输入端子110、匹配电路77、功率放大器51、匹配电路73、开关电路21、发送滤波器31T以及匹配电路71连接的路径被定义为传输频段A的发送信号的第一发送路径。另外，将发送输入端子130、匹配电路78、功率放大器52、匹配电路75、开关电路22、发送滤波器43T以及匹配电路72连接的路径被定义为传输频段C的发送信号的第二发送路径。
在此，在将构成图1中示出的高频模块1的电路部件安装于模块基板的情况下，例如存在以下情况：配置于第一发送路径的第一发送部件与配置于第二发送路径的第二发送部件在频段A的发送信号与频段C的发送信号的双上行链路时相互干扰，第一发送路径与第二发送路径之间的隔离度变得不充分。
下面，说明在本实施方式所涉及的高频模块1中抑制第一发送部件与第二发送部件在双上行链路时相互干扰的结构。
[2.实施例1所涉及的高频模块1A的电路部件配置结构]
图2A是实施例1所涉及的高频模块1A的俯视图。另外，图2B是实施例1所涉及的高频模块1A的截面图，具体地说，是图2A的IIB-IIB线处的截面图。此外，图2A的(a)中示出了从z轴正方向侧观察模块基板91的彼此相向的主面91a及91b中的主面91a的情况下的电路部件的配置图。另一方面，图2A的(b)中示出了透视从z轴正方向侧观察主面91b的情况下的电路部件的配置所得到的图。另外，在图2A中，为了使各电路部件的配置关系容易理解，对各电路部件标注了表示其功能的标记，但是实际的高频模块1A没有标注该标记。
实施例1所涉及的高频模块1A具体地示出了构成实施方式所涉及的高频模块1的各电路元件的配置结构。
如图2A和图2B所示，本实施例所涉及的高频模块1A除了具有图1中示出的电路结构以外，还具有模块基板91、树脂构件92及93、外部连接端子150、金属屏蔽层85以及金属屏蔽板86。
模块基板91具有彼此相向的主面91a和主面91b，是安装构成高频模块1A的电路部件的基板。作为模块基板91，例如使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(LowTemperature Co-fired Ceramics：LTCC)基板、高温共烧陶瓷(High Temperature Co-fired Ceramics：HTCC)基板、部件内置基板、具有重新布线层(Redistribution Layer：RDL)的基板、或者印刷电路板等。
此外，在本实施例中，主面91a相当于第一主面，主面91b相当于第二主面。
此外，也可以是，如图2A的(b)所示，在主面91b上形成有发送接收端子101及102、发送输入端子110及130、以及接收输出端子120及140。
树脂构件92配置于主面91a，覆盖构成高频模块1A的电路部件的一部分和主面91a。树脂构件93配置于主面91b，覆盖构成高频模块1A的电路部件的一部分和主面91b。树脂构件92及93具有确保构成高频模块1A的电路部件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。此外，树脂构件92及93不是本实施方式所涉及的高频模块1所必需的结构要素。
金属屏蔽层85形成于树脂构件92的表面，被设定为地电位。金属屏蔽层85例如是通过溅射法形成的金属薄膜，是铜、包含铜的合金、或者包含铜的层叠体。此外，金属屏蔽层85不是本实施方式所涉及的高频模块1所必需的结构要素。
如图2A和图2B所示，在本实施例所涉及的高频模块1A中，功率放大器51及52、第一多工器、第二多工器、开关电路21及22以及匹配电路71～78配置于主面91a。另一方面，低噪声放大器63及64以及开关电路20配置于主面91b。
此外，在本实施例中，匹配电路71～78中的各匹配电路包括至少1个电感器或至少1个电容器。
另外，虽然在图2A中未图示，但是图1中示出的将各电路部件连接的布线形成于模块基板91的内部、主面91a及91b。另外，上述布线既可以是两端与主面91a、91b及构成高频模块1A的电路部件中的任一者接合的接合线，另外也可以是在构成高频模块1A的电路部件的表面形成的端子、电极或布线。
外部连接端子150配置于模块基板91的主面91b。高频模块1A与配置于高频模块1A的z轴负方向侧的外部基板经由多个外部连接端子150来进行电信号的交换。另外，多个外部连接端子150中的几个被设定为外部基板的地电位。在主面91a及91b中的与外部基板相向的主面91b，不配置难以低矮化的电路部件，而是配置有容易低矮化的低噪声放大器63及64以及开关电路20。
此外，外部连接端子150既可以是如图2A和图2B所示那样沿z轴方向贯通树脂构件93的柱状电极，另外也可以是，外部连接端子150是形成在主面91b上的凸块电极。在该情况下，主面91b上的树脂构件93也可以不存在。
另外，功率放大器51及52与低噪声放大器63及64以夹着模块基板91的方式被分配到两面，因此能够提高发送接收之间的隔离度。
另外，低噪声放大器63及64也可以包括在1个半导体IC 80中。由此，能够使高频模块1A小型化且低矮化。并且，半导体IC 80也可以包括开关电路20。
金属屏蔽板86是第一地金属构件的一例，是从主面91a朝向树脂构件92的z轴正方向侧的顶面竖立设置的金属壁体。金属屏蔽板86与主面91a的地电极及金属屏蔽层85接合。也就是说，金属屏蔽板86在其上方和下方的至少两处与地连接，因此电磁场屏蔽功能被强化。此外，金属屏蔽板86既可以与构成金属屏蔽层85的屏蔽面中的同树脂构件92的顶面相接的屏蔽面相接，另外也可以与构成金属屏蔽层85的屏蔽面中的同树脂构件92的侧面相接的屏蔽面相接。另外，金属屏蔽板86也可以与形成于模块基板91的地电极层95G连接。金属屏蔽板86的详细构造将使用图3A～图3C在后面叙述。
如图2A的(a)所示，在俯视模块基板91的情况下，金属屏蔽板86配置于功率放大器51、发送滤波器31T、开关电路21、匹配电路71、73及77与功率放大器52、发送滤波器43T、开关电路22、匹配电路72、75及78之间。
在此，功率放大器51、发送滤波器31T、开关电路21、匹配电路71、73及77分别是配置在传输频段A的发送信号的第一发送路径上的第一发送部件。另外，功率放大器52、发送滤波器43T、开关电路22、匹配电路72、75及78分别是配置在传输频段C的发送信号的第二发送路径上的第二发送部件。
根据上述结构，通过利用金属屏蔽板86实现的电磁场屏蔽功能的强化，能够抑制第一发送部件与第二发送部件在频段A的发送信号与频段C的发送信号的双上行链路时相互干扰。因此，能够提供第一发送路径与第二发送路径之间的隔离度提高的高频模块1A。
此外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，在上述俯视时，金属屏蔽板86配置于功率放大器51、发送滤波器31T、开关电路21以及匹配电路71、73及77中的至少一者与功率放大器52、发送滤波器43T、开关电路22以及匹配电路72、75及78中的至少一者之间即可。
换言之，第一发送部件是(1)功率放大器51；(2)发送滤波器31T；(3)开关电路21；(4)与第一发送路径连接的第一电感器；以及(5)与第一发送路径连接的第一电容器中的任意部件即可。另外，第二发送部件是(1)功率放大器52；(2)发送滤波器43T；(3)开关电路22；(4)与第二发送路径连接的第二电感器；以及(5)与第二发送路径连接的第二电容器中的任意部件即可。也就是说，在本实施方式所涉及的高频模块1中，在俯视模块基板91的情况下，金属屏蔽板86配置于至少1个第一发送部件与至少1个第二发送部件之间即可。
据此，能够提供与没有配置金属屏蔽板86的高频模块相比第一发送路径与第二发送路径之间的隔离度提高的高频模块1A。
此外，期望的是，第一发送部件是功率放大器51和第一电感器中的任一者，第二发送部件是功率放大器52和第二电感器中的任一者。
功率放大器51及52输出大功率的发送信号，因此2个发送信号在双上行链路时容易相互干扰。另外，第一电感器和第二电感器进行磁场耦合，因此由于该磁场耦合，2个发送信号在双上行链路时容易相互干扰。据此，能够有效提高第一发送路径与第二发送路径之间的隔离度。
接着，使用图3A～图3C来说明金属屏蔽板86的详细构造。
图3A是金属屏蔽板86A的外观立体图。该图中示出的金属屏蔽板86A是实施例1所涉及的金属屏蔽板86的一例。金属屏蔽板86A从主面91a(未图示)向z轴正方向竖立设置。在金属屏蔽板86A与主面91a之间，形成有沿金属屏蔽板86A的法线方向(y轴方向)贯通的孔86z。
另外，金属屏蔽板86A具有主体部86x和接合部86y，该主体部86x从主面91a向z轴正方向竖立设置，该接合部86y在主面91a侧与主面91a平行地延伸设置，且与主面91a上的地电极(未图示)接合。
根据金属屏蔽板86A的构造，在主体部86x与主面91a之间形成有孔86z，因此在将树脂构件92形成在主面91a上的工序中，能够确保金属屏蔽板86A的附近的液状树脂的良好的流动性。因此，能够抑制在金属屏蔽板86A的附近产生没有形成树脂构件92的空隙等。
图3B是金属屏蔽板86B的外观立体图。该图中示出的金属屏蔽板86B是实施例1所涉及的金属屏蔽板86的一例。金属屏蔽板86B从主面91a(未图示)向z轴正方向竖立设置。在金属屏蔽板86B与金属屏蔽层85之间形成有沿金属屏蔽板86B的法线方向(y轴方向)贯通的孔86z。
另外，金属屏蔽板86B具有主体部86x和接合部86y，该主体部86x从主面91a向z轴正方向竖立设置，该接合部86y在主面91a侧与主面91a平行地延伸设置，且与主面91a上的地电极(未图示)接合。
根据金属屏蔽板86B的构造，在主体部86x与金属屏蔽层85之间形成有孔86z，因此在将树脂构件92形成在主面91a上的工序中，能够确保金属屏蔽板86B的附近的液状树脂的良好的流动性。因此，能够抑制在金属屏蔽板86B的附近产生没有形成树脂构件92的空隙等。并且，在与主面91a相接的区域(主体部86x的下方区域)没有形成孔86z，因此隔着金属屏蔽板86B配置在主面91a上的电路部件之间的隔离度提高。
图3C是金属屏蔽板86C的外观立体图。该图中示出的金属屏蔽板86C是实施例1所涉及的金属屏蔽板86的一例。金属屏蔽板86C从主面91a(未图示)向z轴正方向竖立设置。在主面91a与金属屏蔽层85之间形成有沿金属屏蔽板86C的法线方向(y轴方向)贯通的孔86z。
另外，金属屏蔽板86C具有主体部86x和接合部86y，该主体部86x从主面91a向z轴正方向竖立设置，该接合部86y在主面91a侧与主面91a平行地延伸设置，且与主面91a上的地电极(未图示)接合。在金属屏蔽板86C中，多个主体部86x隔着孔86z离散地配置，另外，多个接合部86y隔着孔86z离散地配置。
根据金属屏蔽板86C的构造，在主面91a与金属屏蔽层85之间形成有孔86z，因此在将树脂构件92形成在主面91a上的工序中，能够确保金属屏蔽板86C的附近的液状树脂的良好的流动性。因此，能够抑制在金属屏蔽板86C的附近产生没有形成树脂构件92的空隙等。
此外，金属屏蔽板86的构造例不限于上述的金属屏蔽板86A～86C。例如，也可以是，从主面91a朝向金属屏蔽层85配置有多个孔86z。另外，延伸设置接合部86y的方向不限于如图3A～图3C所示的y轴负方向，也可以是y轴正方向，并且，金属屏蔽板86也可以具有向y轴负方向延伸设置的接合部86y和向y轴正方向延伸设置的接合部86y的双方。
[3.变形例所涉及的高频模块1B的电路部件配置结构]
图4是变形例所涉及的高频模块1B的俯视图。此外，在图4中示出了从z轴正方向侧观察模块基板91的彼此相向的主面91a及91b中的主面91a的情况下的电路部件的配置图。另外，在图4中，为了使各电路部件的配置关系容易理解，对各电路部件标注了表示其功能的标记，但是实际的高频模块1B没有标注该标记。
变形例所涉及的高频模块1B具体地示出了构成实施方式所涉及的高频模块1的各电路元件的配置结构。
本变形例所涉及的高频模块1B与实施例1所涉及的高频模块1A相比在以下方面不同：配置有接合线87来代替金属屏蔽板86。下面，关于本变形例所涉及的高频模块1B，省略与实施例1所涉及的高频模块1A相同的结构的说明，以不同的结构为中心来进行说明。
接合线87是第一地金属构件的一例，与主面91a的地电极接合。此外，接合线87也可以还与金属屏蔽层85接合，也可以还与形成于模块基板91的地电极层95G连接。接合线87与地连接，因此电磁场屏蔽功能被强化。另外，期望的是，如图4所示，多个接合线87离散地配置。
如图4所示，在俯视模块基板91的情况下，多个接合线87配置于功率放大器51、发送滤波器31T、开关电路21、匹配电路71、73及77与功率放大器52、发送滤波器43T、开关电路22、匹配电路72、75及78之间。
在此，功率放大器51、发送滤波器31T、开关电路21、匹配电路71、73及77分别是配置在传输频段A的发送信号的第一发送路径上的第一发送部件。另外，功率放大器52、发送滤波器43T、开关电路22、匹配电路72、75及78分别是配置在传输频段C的发送信号的第二发送路径上的第二发送部件。
根据上述结构，通过利用接合线87实现的电磁场屏蔽功能的强化，能够抑制第一发送部件与第二发送部件在频段A的发送信号与频段C的发送信号的双上行链路时相互干扰。因此，能够提供第一发送路径与第二发送路径之间的隔离度提高的高频模块1B。
此外，在本变形例所涉及的高频模块1B中，在上述俯视时，接合线87配置于功率放大器51、发送滤波器31T、开关电路21以及匹配电路71、73及77中的至少一者与功率放大器52、发送滤波器43T、开关电路22以及匹配电路72、75及78中的至少一者之间即可。
[4.实施例2所涉及的高频模块1C的电路部件配置结构]
图5A是实施例2所涉及的高频模块1C的俯视图。另外，图5B是实施例2所涉及的高频模块1C的截面图，具体地说，是图5A的VB-VB线处的截面图。此外，图5A的(a)中示出了从z轴正方向侧观察模块基板91的彼此相向的主面91a及91b中的主面91a的情况下的电路部件的配置图。另一方面，图5A的(b)中示出了透视从z轴正方向侧观察主面91b的情况下的电路部件的配置所得到的图。另外，在图5A中，为了使各电路部件的配置关系容易理解，对各电路部件标注了表示其功能的标记，但是实际的高频模块1C没有标注该标记。
实施例2所涉及的高频模块1C具体地示出了构成实施方式所涉及的高频模块1的各电路元件的配置结构。
本实施例所涉及的高频模块1C与实施例1所涉及的高频模块1A相比在以下方面不同：开关电路21及22配置于主面91b。下面，关于本实施例所涉及的高频模块1C，省略与实施例1所涉及的高频模块1A相同的结构的说明，以不同的结构为中心来进行说明。
如图5A和图5B所示，在本实施例所涉及的高频模块1C中，功率放大器51及52、第一多工器、第二多工器以及匹配电路71～78配置于主面91a。另一方面，开关电路21及22、低噪声放大器63及64以及开关电路20配置于主面91b。
外部连接端子150配置于模块基板91的主面91b。高频模块1C与配置于高频模块1C的z轴负方向侧的外部基板经由多个外部连接端子150来进行电信号的交换。另外，多个外部连接端子150中的几个被设定为外部基板的地电位。在主面91a及91b中的与外部基板相向的主面91b，不配置难以低矮化的电路部件，而是配置有容易低矮化的开关电路20、21及22以及低噪声放大器63及64。
金属屏蔽板86是第一地金属构件的一例，是从主面91a朝向树脂构件92的z轴正方向侧的顶面竖立设置的金属壁体。金属屏蔽板86与主面91a的地电极及金属屏蔽层85接合。也就是说，金属屏蔽板86在其上方和下方的至少两处与地连接，因此电磁场屏蔽功能被强化。
如图5A的(a)所示，在俯视模块基板91的情况下，金属屏蔽板86配置于功率放大器51、发送滤波器31T、匹配电路71、73及77与功率放大器52、发送滤波器43T、匹配电路72、75及78之间。
另外，在俯视模块基板91的情况下，在主面91b的、开关电路21与开关电路22之间配置有通路导体81v。
通路导体81v是第二地金属构件的一例，从主面91b朝向树脂构件93的z轴负方向侧的顶面竖立设置。通路导体81v与主面91b的地电极接合。也就是说，通路导体81v与地连接，因此电磁场屏蔽功能被强化。
在此，功率放大器51、发送滤波器31T、开关电路21、匹配电路71、73及77分别是配置在传输频段A的发送信号的第一发送路径上的第一发送部件。另外，功率放大器52、发送滤波器43T、开关电路22、匹配电路72、75及78分别是配置在传输频段C的发送信号的第二发送路径上的第二发送部件。
根据上述结构，通过利用金属屏蔽板86和通路导体81v实现的电磁场屏蔽功能的强化，能够抑制第一发送部件与第二发送部件在频段A的发送信号与频段C的发送信号的双上行链路时相互干扰。因此，能够提供第一发送路径与第二发送路径之间的隔离度提高的高频模块1C。
此外，也可以是，如图5A的(b)所示，开关电路21及22包括在1个半导体IC 81中。此时，通路导体81v形成于半导体IC 81。
据此，能够提供第一发送路径与第二发送路径之间的隔离度提高的小型的高频模块1C。
此外，配置于主面91b的、开关电路21与开关电路22之间的第二地金属构件也可以是进行地连接的外部连接端子150，另外也可以是与主面91b的地电极接合的接合线。
[5.实施例3所涉及的高频模块1D的电路部件配置结构]
图6A是实施例3所涉及的高频模块1D的俯视图。另外，图6B是实施例3所涉及的高频模块1D的截面图，具体地说，是图6A的VIB-VIB线处的截面图。此外，图6A的(a)中示出了从z轴正方向侧观察模块基板91的彼此相向的主面91a及91b中的主面91a的情况下的电路部件的配置图。另一方面，图6A的(b)中示出了透视从z轴正方向侧观察主面91b的情况下的电路部件的配置所得到的图。另外，在图6A中，为了使各电路部件的配置关系容易理解，对各电路部件标注了表示其功能的标记，但是实际的高频模块1D没有标注该标记。
实施例3所涉及的高频模块1D具体地示出了构成实施方式所涉及的高频模块1的各电路元件的配置结构。
本实施例所涉及的高频模块1D与实施例1所涉及的高频模块1A相比在以下方面不同：功率放大器52和开关电路22配置于主面91b。下面，关于本实施例所涉及的高频模块1D，省略与实施例1所涉及的高频模块1A相同的结构的说明，以不同的结构为中心来进行说明。
如图6A和图6B所示，在本实施例所涉及的高频模块1D中，功率放大器51、第一多工器、第二多工器、开关电路21以及匹配电路71～78配置于主面91a。另一方面，功率放大器52、开关电路20及22以及低噪声放大器63及64配置于主面91b。
据此，功率放大器51与功率放大器52以夹着模块基板91的方式分配配置，因此能够抑制频段A的发送信号与频段C的发送信号在双上行链路时相互干扰。因此，能够提供第一发送路径与第二发送路径之间的隔离度提高的高频模块1D。另外，能够抑制因在上述双上行链路时从功率放大器51及52的双方产生的热而导致功率放大器51及52的放大特性劣化。并且，能够分散从功率放大器51及52的双方产生的热，因此能够抑制高频模块1D的温度上升。
另外，在俯视模块基板91的情况下，功率放大器51与功率放大器52不重叠。
据此，能够确保大的第一发送路径与第二发送路径的距离，因此能够进一步抑制频段A的发送信号与频段C的发送信号在双上行链路时相互干扰。
另外，开关电路21配置于主面91a，开关电路22配置于主面91b。
据此，位于第一发送路径的开关电路21与位于第二发送路径的开关电路22以夹着模块基板91的方式分配配置，因此能够更进一步抑制频段A的发送信号与频段C的发送信号在双上行链路时相互干扰。
此外，在本实施例中，也可以是，除了功率放大器52和开关电路22以外，位于第二发送路径的第二多工器、匹配电路72、75及78中的至少一者配置于主面91b。
据此，能够强化第一发送路径与第二发送路径的隔离度。
另外，功率放大器51具有彼此相向的底面(第一面)和顶面(第二面)，底面面对主面91a，顶面与金属屏蔽层85相接。
据此，功率放大器51的散热特性提高，因此能够抑制功率放大器51的放大特性的劣化。
另外，功率放大器51经由贯通模块基板91的散热通路导体91v来与外部连接导体150连接。
据此，功率放大器51的散热特性提高，因此能够抑制功率放大器51的放大特性的劣化。
此外，功率放大器51的最大输出功率也可以大于功率放大器52的最大输出功率。即使在该情况下，功率放大器51也与金属屏蔽层85相接，因此能够抑制功率放大器51的温度上升。
另外，功率放大器52的最大输出功率也可以大于功率放大器51的最大输出功率。在该情况下，也可以采取以下结构：使功率放大器52的底面和顶面中的功率放大器52的顶面与设置于外部基板的散热电极接触。据此，功率放大器52与散热电极相接，因此能够抑制功率放大器52的温度上升。
在此，功率放大器51、发送滤波器31T、开关电路21、匹配电路71、73及77分别是配置在传输频段A的发送信号的第一发送路径上的第一发送部件。另外，发送滤波器43T、匹配电路72、75及78分别是配置在传输频段C的发送信号的第二发送路径上的第二发送部件。
根据上述结构，通过利用金属屏蔽板86实现的电磁场屏蔽功能的强化，能够抑制第一发送部件与第二发送部件在频段A的发送信号与频段C的发送信号的双上行链路时相互干扰。因此，能够提供第一发送路径与第二发送路径之间的隔离度提高的高频模块1D。
[6.效果等]
以上，本实施方式所涉及的高频模块1A能够执行同时发送频段A的发送频带的信号和频段C的发送频带的信号的双上行链路，具备：模块基板91，其具有彼此相向的主面91a及91b；金属屏蔽板86，其配置于主面91a；功率放大器51及52；发送滤波器31T，该发送滤波器31T的通带中包含频段A的发送频带；以及发送滤波器43T，该发送滤波器43T的通带中包含频段C的发送频带。在俯视模块基板91的情况下，金属屏蔽板86配置于在主面91a配置的第一发送部件与在主面91a配置的第二发送部件之间。在此，第一发送部件是以下部件中的任意部件：(1)功率放大器51；(2)发送滤波器31T；(3)开关电路21；(4)与功率放大器51；发送滤波器31T以及开关电路21中的任一者连接的第一电感器；以及与功率放大器51、发送滤波器31T以及开关电路21中的任一者连接的第一电容器，第二发送部件是以下部件中的任意部件：(1)功率放大器52；(2)发送滤波器43T；(3)开关电路22；(4)与功率放大器52；发送滤波器43T以及开关电路22中的任一者连接的第二电感器；以及(5)与功率放大器52、发送滤波器43T以及开关电路22中的任一者连接的第二电容器。
据此，通过利用金属屏蔽板86实现的电磁场屏蔽功能的强化，能够抑制第一发送部件与第二发送部件在频段A的发送信号与频段C的发送信号的双上行链路时相互干扰。因此，能够提供第一发送路径与第二发送路径之间的隔离度提高的高频模块1A。
另外，在高频模块1A中，也可以是，第一发送部件是功率放大器51和第一电感器中的任一者，第二发送部件是功率放大器52和第二电感器中的任一者。
功率放大器51及52输出大功率的发送信号，因此2个发送信号在双上行链路时容易相互干扰。另外，第一电感器和第二电感器进行磁场耦合，因此由于该磁场耦合，2个发送信号在双上行链路时容易相互干扰。据此，能够有效提高第一发送路径与第二发送路径之间的隔离度。
另外，在高频模块1A中，也可以是，功率放大器51及52、发送滤波器31T及43T、开关电路21及22、第一电感器以及第二电感器配置于主面91a。
另外，在高频模块1C中，也可以是，功率放大器51及52、发送滤波器31T及43T、第一电感器以及第二电感器配置于主面91a，开关电路21及22配置于主面91b，在俯视模块基板91的情况下，在开关电路21与开关电路22之间配置有通路导体81v。
据此，通过利用金属屏蔽板86和通路导体81v实现的电磁场屏蔽功能的强化，能够抑制第一发送部件与第二发送部件在频段A的发送信号与频段C的发送信号的双上行链路时相互干扰。因此，能够提供第一发送路径与第二发送路径之间的隔离度提高的高频模块1C。
另外，在高频模块1C中，也可以是，开关电路21及22包括在1个半导体IC 81中。
据此，能够提供第一发送路径与第二发送路径之间的隔离度提高的小型的高频模块1C。
另外，在高频模块1D中，也可以是，功率放大器51配置于主面91a，功率放大器52配置于主面91b。
据此，能够抑制频段A的发送信号与频段C的发送信号在双上行链路时相互干扰。另外，能够抑制因在上述双上行链路时从功率放大器51及52的双方产生的热而导致功率放大器51及52的放大特性劣化。
另外，在高频模块1D中，也可以是，功率放大器51的最大输出功率大于功率放大器52的最大输出功率。
另外，在高频模块1D中，也可以是，功率放大器52的最大输出功率大于功率放大器51的最大输出功率。
另外，在高频模块1D中，也可以是，在俯视模块基板91的情况下，功率放大器51与功率放大器52不重叠。
据此，能够确保大的第一发送路径与第二发送路径的距离，因此能够进一步抑制频段A的发送信号与频段C的发送信号在双上行链路时相互干扰。
另外，也可以是，高频模块1A还具备配置于主面91b的低噪声放大器63及64。
据此，功率放大器51及52与低噪声放大器63及64以夹着模块基板91的方式被分配到两面，因此能够提高发送接收之间的隔离度。
另外，也可以是，高频模块1A还具备：树脂构件92，其覆盖主面91a、第一发送部件以及第二发送部件的至少一部分；以及金属屏蔽层85，其形成于树脂构件92的表面，被设定为地电位，金属屏蔽板86从主面91a朝向树脂构件92的表面竖立设置，金属屏蔽板86与主面91a的地电极及金属屏蔽层85接合。
另外，在高频模块1D中，也可以是，功率放大器51的底面面对主面91a，顶面与金属屏蔽层85相接。
据此，功率放大器51的散热特性提高，因此能够抑制功率放大器51的放大特性的劣化。
另外，在高频模块1B中，也可以是，配置于第一发送部件与第二发送部件之间的第一地金属构件是接合线87，接合线87与主面91a的地电极接合。
另外，高频模块1A具备：模块基板91；第一地金属构件；功率放大器51及52；第一多工器及第二多工器；以及开关电路20，其具有端子20a、20b、与天线2A连接的20c以及与天线2B连接的20d。也可以是，第一多工器具有发送滤波器31T以及以频段A的接收频带为通带的接收滤波器31R，不具有以频段C的发送频带为通带的发送滤波器，第二多工器具有发送滤波器43T以及以频段C的接收频带为通带的接收滤波器43R，不具有以频段A的发送频带为通带的发送滤波器，端子20a与发送滤波器31T及接收滤波器31R连接，端子20b与发送滤波器43T及接收滤波器43R连接，在开关电路20中，对端子20c与端子20a的导通以及端子20c与端子20b的导通排他地进行选择，对端子20d与端子20a的导通以及端子20d与端子20b的导通排他地进行选择。
据此，高频模块1A具备开关电路20、第一多工器以及第二多工器，由此通过切换开关电路20的连接状态，来将频段A及C的高频信号任意地分配到天线2A及2B，从而能够执行双上行链路的同时传输和双上行链路双下行链路的同时传输。在此，第一多工器不具有频段C的发送滤波器，第二多工器不具有频段A的发送滤波器，因此能够提供在提高双上行链路时的第一发送路径与第二发送路径之间的隔离度的同时、能够执行双上行链路双下行链路的同时传输的小型的高频模块1A。
另外，在高频模块1A中，也可以是，第一多工器还具有以频段C的接收频带为通带的接收滤波器33R，第二多工器还具有以频段A的接收频带为通带的接收滤波器41R。
另外，在高频模块1A中，也可以是，执行双上行链路和双下行链路，在该双上行链路中，同时发送频段A的发送信号、频段C的发送信号以及频段B的发送信号中的2个发送信号，在该双下行链路中，同时接收频段A的接收信号、频段C的接收信号以及频段B的接收信号中的2个接收信号，第一多工器还具有以频段B的发送频带为通带的发送滤波器32T和以频段B的接收频带为通带的接收滤波器32R，第二多工器还具有以频段B的发送频带为通带的发送滤波器42T和以频段B的接收频带为通带的接收滤波器42R。
据此，高频模块1A将频段A、B及C的高频信号任意地分配到天线2A及2B，从而能够执行双上行链路的同时传输以及双上行链路双下行链路的同时传输。在此，在第一多工器中，能够削减频段C的发送滤波器，在第二多工器中，能够削减频段A的发送滤波器。因此，能够提供能够执行双上行链路的同时传输和双下行链路的同时传输的小型的高频模块1A。
另外，通信装置5具备高频模块1以及对利用高频模块1发送接收的高频信号进行处理的RFIC 3。
据此，能够提供双上行链路时的2个发送路径之间的隔离度提高的通信装置5。
(其它实施方式)
以上，关于实施方式所涉及的高频模块和通信装置，列举实施例和变形例来进行了说明，但是本发明的高频模块和通信装置不限定于上述实施方式、实施例以及变形例。将上述实施方式、实施例以及变形例中的任意的结构要素进行组合来实现的其它实施方式、对上述实施方式、实施例以及变形例实施本领域技术人员在不脱离本发明的宗旨的范围内想到的各种变形来得到的变形例、内置有本公开的高频模块和通信装置的各种设备也包括在本发明中。
此外，在上述实施方式、实施例以及变形例中，例示了同时使用第一频带的高频信号和第二频带的高频信号的双上行链路双下行链路的结构，但是本发明所涉及的高频模块和通信装置的结构也能够应用于同时使用3个以上的不同的频带的上行链路和/或下行链路(例如3上行链路3下行链路)的结构。也就是说，上述实施方式、实施例以及变形例中的双上行链路是也包括同时使用3个以上的不同频带的多上行链路的、执行同时使用3个以上的不同频带的上行链路和/或下行链路的结构，包括上述实施方式、实施例以及变形例所涉及的高频模块或通信装置的结构的高频模块或通信装置也包括在本发明中。
例如，在上述实施方式、实施例以及变形例所涉及的高频模块和通信装置中，也可以在附图中公开的将各电路元件和信号路径连接的路径之间插入其它的高频电路元件和布线等。
产业上的可利用性
本发明作为采用载波聚合方式的支持多频段/多模式的前端模块，能够广泛应用于便携式电话等通信设备。
附图标记说明
1、1A、1B、1C、1D：高频模块；2A、2B：天线；3：RF信号处理电路(RFIC)；4：基带信号处理电路(BBIC)；5：通信装置；20、21、22、23、24：开关电路；20a、20b、20c、20d：端子；21a、22a：公共端子；21c、21d、22c、22d：选择端子；31R、32R、33R、41R、42R、43R：接收滤波器；31T、32T、42T、43T：发送滤波器；51、52：功率放大器；63、64：低噪声放大器；71、72、73、74、75、76、77、78：匹配电路；80、81：半导体IC；81v：通路导体；85：金属屏蔽层；86、86A、86B、86C：金属屏蔽板；86x：主体部；86y：接合部；86z：孔；87：接合线；91：模块基板；91a、91b：主面；91v：散热通路导体；92、93：树脂构件；95G：地电极层；101、102：发送接收端子；110、130：发送输入端子；120、140：接收输出端子；150：外部连接端子。

Claims (17)

1.一种高频模块，能够执行双上行链路，在所述双上行链路中，同时发送第一频带中包含的第一发送频带的信号以及与所述第一频带不同的第二频带中包含的第二发送频带的信号，所述高频模块具备：
模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；
第一地金属构件，其配置于所述第一主面；
第一功率放大器及第二功率放大器；
第一发送滤波器，其与所述第一功率放大器连接，所述第一发送滤波器的通带中包含所述第一发送频带；以及
第二发送滤波器，其与所述第二功率放大器连接，所述第二发送滤波器的通带中包含所述第二发送频带，
其中，在俯视所述模块基板的情况下，所述第一地金属构件配置于在所述第一主面配置的第一发送部件与在所述第一主面配置的第二发送部件之间，
所述第一发送部件是以下部件中的任意部件：
(1)所述第一功率放大器；
(2)所述第一发送滤波器；
(3)对所述第一功率放大器与所述第一发送滤波器的连接及非连接进行切换的第一开关；
(4)与所述第一功率放大器、所述第一发送滤波器以及所述第一开关中的任一者连接的第一电感器；以及
(5)与所述第一功率放大器、所述第一发送滤波器以及所述第一开关中的任一者连接的第一电容器，
所述第二发送部件是以下部件中的任意部件：
(1)所述第二功率放大器；
(2)所述第二发送滤波器；
(3)对所述第二功率放大器与所述第二发送滤波器的连接及非连接进行切换的第二开关；
(4)与所述第二功率放大器、所述第二发送滤波器以及所述第二开关中的任一者连接的第二电感器；以及
(5)与所述第二功率放大器、所述第二发送滤波器以及所述第二开关中的任一者连接的第二电容器。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其中，
所述第一发送部件是所述第一功率放大器和所述第一电感器中的任一者，
所述第二发送部件是所述第二功率放大器和所述第二电感器中的任一者。
3.根据权利要求1或2所述的高频模块，其中，
所述第一功率放大器、所述第二功率放大器、所述第一发送滤波器、所述第二发送滤波器、所述第一开关、所述第二开关、所述第一电感器以及所述第二电感器配置于所述第一主面。
4.根据权利要求1或2所述的高频模块，其中，
所述第一功率放大器、所述第二功率放大器、所述第一发送滤波器、所述第二发送滤波器、所述第一电感器以及所述第二电感器配置于所述第一主面，
所述第一开关和所述第二开关配置于所述第二主面，
在俯视所述模块基板的情况下，在所述第一开关与所述第二开关之间配置有第二地金属构件。
5.根据权利要求4所述的高频模块，其中，
所述第一开关和所述第二开关包括在1个半导体集成电路即半导体IC中，
所述第二地金属构件是形成于所述半导体IC的通路导体。
6.根据权利要求1或2所述的高频模块，其中，
所述第一功率放大器配置于所述第一主面，
所述第二功率放大器配置于所述第二主面。
7.根据权利要求6所述的高频模块，其中，
所述第一功率放大器的最大输出功率大于所述第二功率放大器的最大输出功率。
8.根据权利要求6所述的高频模块，其中，
所述第二功率放大器的最大输出功率大于所述第一功率放大器的最大输出功率。
9.根据权利要求6～8中的任一项所述的高频模块，其中，
在俯视所述模块基板的情况下，所述第一功率放大器与所述第二功率放大器不重叠。
10.根据权利要求1～9中的任一项所述的高频模块，其中，
还具备配置于所述第二主面的低噪声放大器。
11.根据权利要求1～10中的任一项所述的高频模块，其中，还具备：
树脂构件，其覆盖所述第一主面、所述第一发送部件以及所述第二发送部件的至少一部分；以及
金属屏蔽层，其形成于所述树脂构件的表面，被设定为地电位，
所述第一地金属构件是从所述第一主面朝向所述树脂构件的表面竖立设置的金属屏蔽板，
所述金属屏蔽板与所述第一主面的地电极及所述金属屏蔽层接合。
12.根据权利要求11所述的高频模块，其中，
所述第一功率放大器具有彼此相向的第一面和第二面，
所述第一面面对所述第一主面，
所述第二面与所述金属屏蔽层相接。
13.根据权利要求1～10中的任一项所述的高频模块，其中，
所述第一地金属构件是接合线，
所述接合线与所述第一主面的地电极接合。
14.根据权利要求1～11中的任一项所述的高频模块，其中，具备：
所述模块基板；
所述第一地金属构件；
所述第一功率放大器及所述第二功率放大器；
第一多工器及第二多工器；以及
第三开关，其具有第一天线连接端子、第二天线连接端子、第一端子以及第二端子，
其中，所述第一多工器具有：
所述第一发送滤波器；以及
第一接收滤波器，其以所述第一频带中包含的第一接收频带为通带，
所述第一多工器不具有以所述第二发送频带为通带的发送滤波器，
所述第二多工器具有：
所述第二发送滤波器；以及
第二接收滤波器，其以所述第二频带中包含的第二接收频带为通带，
所述第二多工器不具有以所述第一发送频带为通带的发送滤波器，
所述第一端子与所述第一发送滤波器的输出端子及所述第一接收滤波器的输入端子连接，
所述第二端子与所述第二发送滤波器的输出端子及所述第二接收滤波器的输入端子连接，
在所述第三开关中，
对所述第一天线连接端子与所述第一端子的导通以及所述第一天线连接端子与所述第二端子的导通排他地进行选择，对所述第二天线连接端子与所述第一端子的导通以及所述第二天线连接端子与所述第二端子的导通排他地进行选择。
15.根据权利要求14所述的高频模块，其中，
所述第一多工器还具有以所述第二接收频带为通带的第四接收滤波器，
所述第二多工器还具有以所述第一接收频带为通带的第三接收滤波器。
16.根据权利要求15所述的高频模块，其中，
执行双上行链路和双下行链路，在所述双上行链路中，同时发送所述第一发送频带的发送信号、所述第二发送频带的发送信号以及与所述第一频带和所述第二频带不同的第三频带中包含的第三发送频带的发送信号中的2个发送信号，在所述双下行链路中，同时接收所述第一频带中包含的第一接收频带的接收信号、所述第二频带中包含的第二接收频带的接收信号以及所述第三频带中包含的第三接收频带的接收信号中的2个接收信号，
所述第一多工器还具有：
第五发送滤波器，其以所述第三发送频带为通带；以及
第五接收滤波器，其以所述第三接收频带为通带，
所述第二多工器还具有：
第六发送滤波器，其以所述第三发送频带为通带；以及
第六接收滤波器，其以所述第三接收频带为通带。
17.一种通信装置，具备：
根据权利要求1～16中的任一项所述的高频模块；以及
射频信号处理电路即RF信号处理电路，其对利用所述高频模块发送接收的高频信号进行处理。
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