CN116097425A - 高频模块以及通信装置 - Google Patents

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CN116097425A CN202180054257.3A CN202180054257A CN116097425A CN 116097425 A CN116097425 A CN 116097425A CN 202180054257 A CN202180054257 A CN 202180054257A CN 116097425 A CN116097425 A CN 116097425A
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上岛孝纪
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Abstract

高频模块(1A)具备模块基板(91)、配置在模块基板(91)的内部的第1电路部件以及第2电路部件、和被设定为接地电位的金属屏蔽板(80)，模块基板(91)具有包含第1电介质材料的电介质部(71)、和包含相对介电常数与第1电介质材料不同的第2电介质材料且形成在电介质部(71)的内部的电介质部(70)，金属屏蔽板(80)配置于第1电路部件与第2电路部件之间的电介质部(70)。

Description

高频模块以及通信装置
技术领域
本发明涉及高频模块以及通信装置。
背景技术
在便携式电话等移动体通信设备中，特别是，伴随多频段化的进展，构成高频前端电路的电路元件的配置结构复杂化。
在专利文献1公开了一种收发机(收发电路)的电路结构，其具备多个发送机(发送路径)以及多个接收机(接收路径)、和配置在该多个发送机以及多个接收机与天线之间的开关式共用器(switchplexer)(天线开关)。上述多个发送机分别具有发送电路、PA(发送功率放大器)、以及输出电路，上述多个接收机分别具有接收电路、LNA(接收低噪声放大器)、以及输入电路。输出电路包含发送滤波器、阻抗匹配电路、以及双工器等，输入电路包含接收滤波器、阻抗匹配电路、以及双工器等。根据上述结构，通过开关式共用器的切换动作，能够执行同时发送、同时接收、或者同时收发。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：JP特表2014-522216号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在由搭载于移动体通信设备的高频模块来构成专利文献1公开的收发机(收发电路)的情况下，可设想分别配置于发送路径、接收路径、以及包含天线开关的收发路径的电路部件的至少2个电磁场耦合。在该情况下，有时由PA(发送功率放大器)放大后的高输出的发送信号的谐波成分重叠于发送信号，发送信号的品质下降。此外，有时收发间的隔离度由于上述电磁场耦合而下降，上述谐波、或者发送信号与其他高频信号的互调失真等的无用波流入接收路径从而接收灵敏度劣化。此外，有时2个接收信号由于上述电磁场耦合而相互干扰，接收灵敏度劣化。
本发明为了解决上述问题而作，目的在于提供一种抑制了发送信号或接收信号的品质劣化的高频模块以及通信装置。
用于解决问题的技术方案
本发明的一个方式涉及的高频模块具备模块基板、配置在模块基板的内部的第1电路部件以及第2电路部件、和被设定为接地电位的金属屏蔽板，模块基板具有包含第1电介质材料的第1电介质部、和包含相对介电常数与第1电介质材料不同的第2电介质材料且形成在第1电介质部的内部的第2电介质部，金属屏蔽板配置于第1电路部件与第2电路部件之间的第2电介质部。
发明效果
根据本发明，能够提供一种抑制了发送信号或接收信号的品质劣化的高频模块以及通信装置。
附图说明
图1是实施方式涉及的高频模块以及通信装置的电路结构图。
图2是实施例涉及的高频模块的俯视图。
图3是实施例涉及的高频模块的剖视图。
图4A是示出金属屏蔽板的第1例的外观立体图。
图4B是示出金属屏蔽板的第2例的外观立体图。
图4C是示出金属屏蔽板的第3例的外观立体图。
图4D是示出金属屏蔽板的第4例的外观立体图。
图4E是示出金属屏蔽板的第5例的外观立体图。
图4F是示出金属屏蔽板的第6例的外观立体图。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式详细地进行说明。另外，以下说明的实施方式示出总括性或者具体的例子。此外，以下的实施方式、实施例以及变形例中示出的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等为一个例子，其主旨并不是限定本发明。此外，关于以下的实施例以及变形例中的构成要素之中未记载于独立权利要求的构成要素，作为任意的构成要素进行说明。此外，附图所示的构成要素的大小或者大小之比未必严谨。在各图中，对于实质上相同的结构标注相同的附图标记，有时省略或者简化重复的说明。
此外，以下，平行以及垂直等表示要素间的关系性的术语、和矩形形状等表示要素的形状的术语、以及数值范围并非仅表示严格的意思，而意味着实质上等同的范围、例如还包含几％程度的差异。
在以下的各图中，x轴以及y轴是在与模块基板的主面平行的平面上相互正交的轴。此外，z轴是与模块基板的主面垂直的轴，其正方向表示上方向，其负方向表示下方向。
此外，在本公开的电路结构中，所谓“连接”，不仅包含通过连接端子以及/或者布线导体而直接连接的情况，还包含经由其他电路部件而电连接的情况。此外，所谓“连接在A与B之间”，意味着在A与B之间与A以及B双方连接。
此外，在本公开的模块结构中，所谓“俯视”，意味着从z轴正侧向xy平面对物体进行正投影来观察。所谓“部件配置于基板的主面”，除了部件以与基板的主面接触的状态配置在主面上之外，还包含部件不与主面接触地配置在主面的上方、以及部件的一部分从主面侧嵌入基板内而配置。所谓“A配置在B与C之间”，意味着将B内的任意的点和C内的任意的点连结的多个线段之中的至少1个通过A。此外，“平行”以及“垂直”等表示要素间的关系性的术语、以及“矩形”等表示要素的形状的术语并非仅表示严格的意思，而意味着实质上等同的范围、例如还包含几％程度的误差。
此外，以下，所谓“发送路径”，意味着由传输高频发送信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或者该电极直接连接的端子等构成的传输线路。此外，所谓“接收路径”，意味着由传输高频接收信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或者该电极直接连接的端子等构成的传输线路。此外，所谓“收发路径”，意味着由传输高频发送信号以及高频接收信号双方的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或者该电极直接连接的端子等构成的传输线路。
(实施方式)
[1.高频模块1以及通信装置5的电路结构]
图1是实施方式涉及的高频模块1以及通信装置5的电路结构图。如该图所示，通信装置5具备高频模块1、天线2、RF信号处理电路(RFIC)3、和基带信号处理电路(BBIC)4。
RFIC3是对由天线2收发的高频信号进行处理的RF信号处理电路。具体地，RFIC3通过下变频等对经由高频模块1的接收信号路径而输入的高频接收信号进行信号处理，并将该进行信号处理而生成的接收信号向BBIC4输出。此外，RFIC3通过上变频等对从BBIC4输入的发送信号进行信号处理，并将该进行信号处理而生成的高频发送信号输出到高频模块1的发送信号路径。
BBIC4是利用比在高频模块1传播的高频信号低频的中间频带来进行信号处理的电路。由BBIC4处理后的信号，例如，作为用于图像显示的图像信号被使用，或者，为了经由扬声器的通话而作为声音信号被使用。
此外，RFIC3还具有作为基于被使用的通信频段(频带)对高频模块1所具有的开关40、41以及42的连接进行控制的控制部的功能。具体地，RFIC3根据控制信号(未图示)对高频模块1所具有的开关40～42的连接进行切换。另外，控制部也可以设置在RFIC3的外部，例如，也可以设置于高频模块1或者BBIC4。
天线2与高频模块1的天线连接端子100连接，辐射从高频模块1输出的高频信号，此外，接收来自外部的高频信号并向高频模块1输出。
另外，在本实施方式涉及的通信装置5中，天线2以及BBIC4并非必须的构成要素。
接着，对高频模块1的详细的结构进行说明。
如图1所示，高频模块1具备功率放大器10、低噪声放大器20、发送滤波器31以及33、接收滤波器32以及34、匹配电路51以及52、开关40、41以及42、天线连接端子100、发送输入端子110、和接收输出端子120。
天线连接端子100与天线2连接。发送输入端子110是用于从高频模块1的外部(RFIC3)接受发送信号的端子。接收输出端子120是用于将接收信号供给到高频模块1的外部(RFIC3)的端子。
功率放大器10是对通信频段A以及通信频段B的发送信号进行放大的发送放大器。功率放大器10的输入端子与发送输入端子110连接，功率放大器10的输出端子与匹配电路51连接。
低噪声放大器20是以低噪声对通信频段A以及通信频段B的接收信号进行放大的接收放大器。低噪声放大器20的输入端子与匹配电路52连接，低噪声放大器20的输出端子与接收输出端子120连接。
发送滤波器31配置于将功率放大器10和开关40连结的发送路径AT，使由功率放大器10放大后的发送信号之中的通信频段A的发送频带的发送信号通过。此外，发送滤波器33配置于将功率放大器10和开关40连结的发送路径BT，使由功率放大器10放大后的发送信号之中的通信频段B的发送频带的发送信号通过。
接收滤波器32配置于将低噪声放大器20和开关40连结的接收路径AR，使从天线连接端子100输入的接收信号之中的通信频段A的接收频带的接收信号通过。此外，接收滤波器34配置于将低噪声放大器20和开关40连结的接收路径BR，使从天线连接端子100输入的接收信号之中的通信频段B的接收频带的接收信号通过。
另外，上述的发送滤波器31以及33、和接收滤波器32以及34例如也可以是声表面波滤波器、使用了BAW(Bulk Acoustic Wave，体声波)的弹性波滤波器、LC谐振滤波器、以及电介质滤波器的任一者，进而，并不限定于这些。
发送滤波器31以及接收滤波器32构成了以通信频段A为通带的双工器30。此外，发送滤波器33以及接收滤波器34构成了以通信频段B为通带的双工器35。
另外，双工器30以及35分别也可以是以时分双工(TDD：Time Division Duplex)方式进行传输的1个滤波器。在该情况下，在上述1个滤波器的前级以及后级的至少一者配置对发送以及接收进行切换的开关。
匹配电路51连接在功率放大器10与开关41之间，取得功率放大器10与发送滤波器31的阻抗匹配。匹配电路51具有至少1个电感器。另外，匹配电路51既可以串联配置于发送路径AT，也可以连接在发送路径AT与接地之间。
匹配电路52连接在低噪声放大器20与开关42之间，取得低噪声放大器20与接收滤波器32的阻抗匹配。匹配电路52具有至少1个电感器。另外，匹配电路52既可以串联配置于接收路径AR，也可以连接在接收路径AR与接地之间。
另外，也可以取代匹配电路51，而在发送滤波器31与开关41之间的发送路径AT、以及发送滤波器33与开关41之间的发送路径BT分别配置有匹配电路。
此外，也可以取代匹配电路52，而在接收滤波器32与开关42之间的接收路径AR、以及接收滤波器34与开关42之间的接收路径BR分别配置有匹配电路。
此外，也可以在天线连接端子100与开关40之间配置有匹配电路。
开关40具有公共端子40a、选择端子40b以及40c，公共端子40a与天线连接端子100连接，选择端子40b与双工器30连接，选择端子40c与双工器35连接。即，开关40是配置在天线连接端子100与双工器30以及35之间的天线开关，对(1)天线连接端子100和双工器30的连接以及非连接进行切换，并对(2)天线连接端子100和双工器35的连接以及非连接进行切换。另外，开关40由能够同时进行上述(1)以及(2)的连接的多连接型的开关电路构成。
开关41具有公共端子41a、选择端子41b以及41c，配置于将功率放大器10和发送滤波器31以及33连结的发送路径，对功率放大器10和发送滤波器31的连接、以及功率放大器10和发送滤波器33的连接进行切换。开关41例如由公共端子41a经由匹配电路51而与功率放大器10的输出端子连接、选择端子41b与发送滤波器31连接且选择端子41c与发送滤波器33连接的、SPDT(Single Pole Double Throw，单刀双掷)型的开关电路构成。
开关42具有公共端子42a、选择端子42b以及42c，配置于将低噪声放大器20和接收滤波器32以及34连结的接收路径，对低噪声放大器20和接收滤波器32的连接、以及低噪声放大器20和接收滤波器34的连接进行切换。开关42例如由公共端子42a经由匹配电路52而与低噪声放大器20的输入端子连接、选择端子42b与接收滤波器32连接且选择端子42c与接收滤波器34连接的、SPDT型的开关电路构成。
另外，发送路径AT是对通信频段A的发送信号进行传输，并将发送输入端子110和公共端子40a连结的信号路径。此外，发送路径BT是对通信频段B的发送信号进行传输，并将发送输入端子110和公共端子40a连结的信号路径。此外，接收路径AR是对通信频段A的接收信号进行传输，并将接收输出端子120和公共端子40a连结的信号路径。此外，接收路径BR是对通信频段B的接收信号进行传输，并将接收输出端子120和公共端子40a连结的信号路径。此外，收发路径CTR是对通信频段A的发送信号以及接收信号、和通信频段B的发送信号以及接收信号进行传输，并将天线连接端子100和公共端子40a连结的信号路径。
在具有上述电路结构的高频模块1中，功率放大器10、匹配电路51、开关41以及发送滤波器31构成朝向天线连接端子100输出通信频段A的发送信号的第1发送电路。此外，功率放大器10、匹配电路51、开关41以及发送滤波器33构成朝向天线连接端子100输出通信频段B的发送信号的第2发送电路。
此外，低噪声放大器20、匹配电路52、开关42以及接收滤波器32构成从天线2经由天线连接端子100输入通信频段A的接收信号的第1接收电路。此外，低噪声放大器20、匹配电路52、开关42以及接收滤波器34构成从天线2经由天线连接端子100输入通信频段B的接收信号的第2接收电路。
根据上述电路结构，本实施方式涉及的高频模块1能够执行(1)通信频段A的高频信号的收发、(2)通信频段B的高频信号的收发、以及(3)通信频段A的高频信号和通信频段B的高频信号的同时发送、同时接收、或者同时收发的至少任一者。
另外，在本发明涉及的高频模块中，发送电路以及接收电路也可以不经由开关40与天线连接端子100连接，上述发送电路以及上述接收电路也可以经由不同的端子与天线2连接。此外，作为本发明涉及的高频模块的电路结构，只要具有发送路径、接收路径、以及收发路径之中的至少2个路径、和分别配置于该2个路径的1个以上的电路部件即可。此外，只要具有第1发送电路以及第2发送电路之中的任一个即可。此外，只要具有第1接收电路以及第2接收电路之中的任一个即可。
在此，在具有上述电路结构的高频模块1中，若分别配置于发送路径、接收路径、以及收发路径的电路部件的至少2个电磁场耦合，则有时由功率放大器放大后的高输出的发送信号的谐波成分重叠于发送信号，发送信号的品质下降。此外，有时收发间的隔离度由于上述电磁场耦合而下降，上述谐波、或者发送信号和其他高频信号的互调失真等的无用波流入接收路径从而接收灵敏度劣化。此外，有时2个接收信号由于上述电磁场耦合而相互干扰，接收灵敏度劣化。
对此，在本实施方式涉及的高频模块1中，具有抑制上述电磁场耦合的结构。以下，对本实施方式涉及的高频模块1的抑制上述电磁场耦合的结构进行说明。
[2.实施例涉及的高频模块1A的电路部件配置结构]
图2是实施例涉及的高频模块1A的俯视结构概略图。此外，图3是实施例涉及的高频模块1A的剖视结构概略图，具体地，是图2的III-III线处的剖视图。另外，在图2的(a)中，示出了从z轴正方向侧观察穿过图3的IIa-IIa线且与主面91a平行的剖切面的情况下的电路元件的配置图。另一方面，在图2的(b)中，示出了从z轴正方向侧观察穿过图3的IIb-IIb线且与主面91a平行的剖切面的情况下的电路元件的配置图。
实施例涉及的高频模块1A具体地示出了构成实施方式涉及的高频模块1的各电路部件的配置结构。
如图2所示，本实施例涉及的高频模块1A除了图1所示的电路结构以外，还具有模块基板91、金属屏蔽板80、金属屏蔽层95、树脂构件92、外部连接端子150、和过孔导体96。
模块基板91是能够在主面91a以及91b安装第1以及第2发送电路、和第1以及第2接收电路的基板。作为模块基板91，例如，可使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramics：LTCC)基板、高温共烧陶瓷(High TemperatureCo-fired Ceramics：HTCC)基板、部件内置基板、具有重布线层(Redistribution Layer：RDL)的基板、或者印刷基板等。另外，在模块基板91上也可以形成有天线连接端子100、发送输入端子110以及接收输出端子120。
如图2以及图3所示，模块基板91具有：电介质部71(第1电介质部)，包含第1电介质材料；和电介质部70，包含相对介电常数与第1电介质材料不同的第2电介质材料，形成在电介质部71的内部。
另外，电介质部71以第1电介质材料为主成分，电介质部70以第2电介质材料为主成分。此外，所谓“A以B为主成分”，是构成A的成分之中B占50重量％以上。
金属屏蔽板80是配置于电介质部70并沿着z轴方向竖立设置的金属壁体。金属屏蔽板80被设定为接地电位。具体地，金属屏蔽板80的上端以及下端与形成于电介质部71的过孔导体96连接。与金属屏蔽板80的下端连接的过孔导体96和接地端子150g连接。此外，与金属屏蔽板80的上端连接的过孔导体96和配置于主面91a的接地电极97连接。关于金属屏蔽板80的详细的构造，使用图4A～图4F在后面叙述。
匹配电路51是第1电路部件的一个例子，配置在模块基板91的内部。匹配电路52是第2电路部件的一个例子，配置在模块基板91的内部。匹配电路51包含与功率放大器10的输出端子连接的第l电感器，匹配电路52包含与低噪声放大器20的输入端子连接的第2电感器。
在此，金属屏蔽板80配置于第1电路部件与第2电路部件之间的电介质部70。
由此，金属屏蔽板80在模块基板91内与接地电位连接，因此可强化模块基板91的内部的电磁场遮蔽功能。此外，难以在形成模块基板91的同时将板状的金属屏蔽板80配置在模块基板91的内部。对此，配置金属屏蔽板80的电介质部70由相对介电常数与配置在其外侧的电介质部71不同的电介质材料形成。即，将金属屏蔽板80配置于电介质部70的工序能够设为与形成包含电介质部71的模块基板91的工序不同的工序。因此，能够容易地将金属屏蔽板80配置在模块基板91的内部。此外，金属屏蔽板80配置在配置于模块基板91的内部的第1电路部件与第2电路部件之间，因此能够抑制第1电路部件和第2电路部件的电磁场耦合。因此，能够抑制模块基板91的内部的发送信号间、发送信号和接收信号之间、以及接收信号间的强信号干扰，因而能够抑制发送信号以及接收信号的品质劣化。
另外，优选构成电介质部70的第2电介质材料的相对介电常数比构成电介质部71的第1电介质材料的相对介电常数低。
由此，与电介质部71中的高频信号的干扰相比，能够抑制电介质部70中的高频信号的干扰。
进而，电介质部70优选为空洞。
由此，能够使电介质部70中的高频信号的干扰变得最小，并且能够简化形成电介质部70的工序。
此外，配置在模块基板91的内部的第1电路部件以及第2电路部件也可以由形成于电介质部71的导体图案构成。
由此，能够将高频模块1A小型化。
此外，配置在模块基板91的内部的第1电路部件以及第2电路部件的至少一者也可以为表面安装型的电子部件或者半导体IC。
由此，具有高Q值的电子部件、或者具有高功能的半导体IC配置在模块基板内部，因此能够在提高高频模块1A的高频性能的同时进行小型化。
此外，第1电路部件以及第2电路部件也可以配置于电介质部70。
由此，能够将在电介质部70配置第1电路部件、第2电路部件以及金属屏蔽板80的工序设为与形成模块基板91的工序不同的工序。因此，能够容易地将表面安装型的电子部件以及半导体IC连同金属屏蔽板80一起配置在模块基板91的内部。
树脂构件92配置于模块基板91的主面91a，覆盖构成第1以及第2发送电路和第1以及第2接收电路的电路部件的至少一部分、和模块基板91的主面91a，具有确保上述电路部件的机械强度以及耐湿性等可靠性的功能。另外，树脂构件92并非本发明涉及的高频模块所必须的构成要素。
外部连接端子150配置于模块基板91的主面91b。高频模块1A经由多个外部连接端子150而与配置在高频模块1A的z轴负方向侧的外部基板进行电信号的交换。此外，多个外部连接端子150之中的接地端子150g被设定为外部基板的接地电位。另外，外部连接端子150既可以如图2所示为形成于主面91b的平面电极，此外，也可以为形成在主面91b上的凸块电极。
金属屏蔽层95覆盖树脂构件92的表面，被设定为接地电位。金属屏蔽层95例如为通过溅射法而形成的金属薄膜。
另外，金属屏蔽板80也可以经由过孔导体96以及形成于电介质部71的接地导体而与金属屏蔽层95连接。由此，可进一步强化金属屏蔽板80的电磁场遮蔽功能。
此外，在本实施例涉及的高频模块1A中，功率放大器10、开关40以及41、和双工器30以及35配置于主面91a。另一方面，匹配电路51以及52、低噪声放大器20、和开关42配置在模块基板91的内部。配置于主面91a的电路部件经由过孔导体96而与配置在模块基板的内部的第1电路部件以及第2电路部件连接，此外，经由过孔导体96而与配置于主面91b的外部连接端子150连接。
另外，虽然在图2中未图示，但构成图1所示的发送路径AT以及BT和接收路径AR以及BR的布线形成于模块基板91的内部、主面91a以及91b。此外，上述布线既可以是两端与主面91a、91b以及构成高频模块1A的电路部件的任意者接合的接合引线，此外，也可以是形成在构成高频模块1A的电路部件的表面上的端子、电极或者布线。
此外，低噪声放大器20连同开关42一起包含于半导体IC60(第1半导体IC)。由此，能够将高频模块1A低高度化，能够减小模块基板91内部的部件安装面积。另外，半导体IC60也可以不包含开关42。此外，半导体IC60也可以包含开关40以及41的至少1个。
在上述配置结构中，低噪声放大器20为第2电路部件的一个例子，配置在模块基板91的内部。在此，金属屏蔽板80配置在匹配电路51的第1电感器与半导体IC60之间。
由此，金属屏蔽板80能够抑制在第1电感器传输的发送信号和在低噪声放大器20传输的接收信号的电磁场耦合。因此，能够抑制模块基板91的内部的发送信号与接收信号之间的强信号干扰，因而能够抑制接收灵敏度的下降。
另外，配置在模块基板91的内部的第1电路部件以及第2电路部件也可以为构成高频模块1A的功率放大器10、开关40～42、双工器30以及35、匹配电路51以及52、和低噪声放大器20的任一者。配置在模块基板91的内部的第1电路部件以及第2电路部件分别也可以是配置于发送路径AT以及接收路径AR的部件。由此，能够抑制模块基板91的内部的发送信号与接收信号之间的强信号干扰，因而能够抑制接收灵敏度的下降。
此外，配置在模块基板91的内部的第1电路部件以及第2电路部件分别也可以是配置于发送路径AT以及收发路径的部件。在假设配置于发送路径AT的第1电路部件和配置于收发路径的第2电路部件进行了电磁场耦合的情况下，有时由功率放大器10放大后的谐波成分未被滤波器等除去而从天线2被发送，发送信号的品质下降。通过金属屏蔽板80对电磁场耦合进行抑制，由此能够抑制发送信号的品质的下降。
此外，配置在模块基板91的内部的第1电路部件以及第2电路部件分别也可以是配置于接收路径AR以及收发路径的部件。在假设配置于接收路径AR的第1电路部件和配置于收发路径的第2电路部件进行了电磁场耦合的情况下，有时由功率放大器10放大后的高输出的发送信号及其谐波成分流入接收路径AR从而接收灵敏度劣化。通过金属屏蔽板80对电磁场耦合进行抑制，由此能够提高收发间的隔离度，能够抑制接收灵敏度的劣化。
[3.金属屏蔽板的构造]
接着，对本实施例涉及的高频模块1A所具有的金属屏蔽板80的构造进行说明。
图4A是金属屏蔽板80A的外观立体图。该图所示的金属屏蔽板80A是实施例涉及的金属屏蔽板80的一个例子。金属屏蔽板80A配置于电介质部70，沿着z轴方向而竖立设置。在金属屏蔽板80A与电介质部71之间，形成有在金属屏蔽板80A的法线方向(x轴方向)上贯通的孔82。
此外，金属屏蔽板80A具有：主体部81，配置于电介质部70，沿着z轴方向而竖立设置；和接合部83，与主面91a平行地延伸设置，并与配置于电介质部71的过孔导体96接合。
根据金属屏蔽板80A的构造，在主体部81与电介质部71之间形成有孔82，因此在形成电介质部70的工序中，能够确保金属屏蔽板80A的附近处的液状的第2电介质材料的良好的流动性。因此，在金属屏蔽板80A的附近能够抑制未形成第2电介质材料的空隙等的产生。此外，金属屏蔽板80A和过孔导体96通过接合部83被接合，因此金属屏蔽板80A的配置精度、以及金属屏蔽板80A和过孔导体96的接合强度提高。
图4B是金属屏蔽板80B的外观立体图。该图所示的金属屏蔽板80B是实施例涉及的金属屏蔽板80的一个例子。金属屏蔽板80B配置于电介质部70，沿着z轴方向而竖立设置。在金属屏蔽板80B与电介质部71之间，形成有在金属屏蔽板80B的法线方向(x轴方向)上贯通的孔82。
此外，金属屏蔽板80B具有：主体部81，配置于电介质部70，沿着z轴方向而竖立设置；和接合部83，与主面91a平行地延伸设置，并与配置于电介质部71的过孔导体96接合。
根据金属屏蔽板80B的构造，在主体部81与电介质部71之间形成有孔82，因此在形成电介质部70的工序中，能够确保金属屏蔽板80B的附近处的液状的第2电介质材料的良好的流动性。因此，在金属屏蔽板80B的附近能够抑制未形成第2电介质材料的空隙等的产生。此外，金属屏蔽板80B和过孔导体96通过接合部83被接合，因此金属屏蔽板80B的配置精度、以及金属屏蔽板80B和过孔导体96的接合强度提高。
图4C是金属屏蔽板80C的外观立体图。该图所示的金属屏蔽板80C是实施例涉及的金属屏蔽板80的一个例子。金属屏蔽板80C配置于电介质部70，沿着z轴方向而竖立设置。在电介质部70的上表面与下表面之间，形成有在金属屏蔽板80C的法线方向(x轴方向)上贯通的孔82。
此外，金属屏蔽板80C具有：主体部81，配置于电介质部70，沿着z轴方向而竖立设置；和接合部83，与主面91a平行地延伸设置，并与配置于电介质部71的过孔导体96接合。在金属屏蔽板80C中，多个主体部81隔着孔82而离散地配置，此外，多个接合部83隔着孔82而离散地配置。
根据金属屏蔽板80C的构造，在多个主体部81之间形成有孔82，因此在形成电介质部70的工序中，能够确保金属屏蔽板80C的附近处的液状的第2电介质材料的良好的流动性。因此，在金属屏蔽板80C的附近能够抑制未形成第2电介质材料的空隙等的产生。此外，金属屏蔽板80C和过孔导体96通过接合部83被接合，因此金属屏蔽板80C的配置精度、以及金属屏蔽板80C和过孔导体96的接合强度提高。
图4D是金属屏蔽板80D的外观立体图。该图所示的金属屏蔽板80D是实施例涉及的金属屏蔽板80的一个例子。金属屏蔽板80D配置于电介质部70，沿着z轴方向而竖立设置。在电介质部70的上表面与下表面之间，形成有在金属屏蔽板80D的法线方向(x轴方向)上贯通的孔82。
此外，金属屏蔽板80D具有：主体部81，配置于电介质部70，沿着z轴方向而竖立设置；和平板状的主体端部87，配置在主体部81的位于与主面91a平行的方向上的端部，从电介质部70的上表面朝向下表面(在z轴方向上)竖立设置。在此，主体部81和主体端部87不平行。
根据金属屏蔽板80D的构造，在多个主体部81之间形成有孔82，因此在形成电介质部70的工序中，能够确保金属屏蔽板80D的附近处的液状的第2电介质材料的良好的流动性。因此，在金属屏蔽板80D的附近能够抑制未形成第2电介质材料的空隙等的产生。此外，主体部81和主体端部87不平行，因此能够确保金属屏蔽板80D的自立性。此外，不存在金属屏蔽板80A～80C所具有的接合部83，因此能够减少金属屏蔽板80D的配置空间。
图4E是金属屏蔽板80E的外观立体图。该图所示的金属屏蔽板80E是实施例涉及的金属屏蔽板80的一个例子。金属屏蔽板80E配置于电介质部70，沿着z轴方向而竖立设置。在电介质部70的上表面与下表面之间，形成有在金属屏蔽板80E的法线方向(x轴方向)上贯通的孔82。
此外，金属屏蔽板80E具有：主体部81，配置于电介质部70，沿着z轴方向而竖立设置；和平板状的主体端部87，配置在主体部81的位于与主面91a平行的方向上的端部，从电介质部70的上表面朝向下表面(在z轴方向上)竖立设置。在此，主体部81和主体端部87不平行。
根据金属屏蔽板80E的构造，在多个主体部81之间形成有孔82，因此在形成电介质部70的工序中，能够确保金属屏蔽板80E的附近处的液状的第2电介质材料的良好的流动性。因此，在金属屏蔽板80E的附近能够抑制未形成第2电介质材料的空隙等的产生。此外，主体部81和主体端部87不平行，因此能够确保金属屏蔽板80E的自立性。此外，不存在金属屏蔽板80A～80C所具有的接合部83，因此能够减少金属屏蔽板80E的配置空间。
图4F是金属屏蔽板80F的外观立体图。该图所示的金属屏蔽板80F是实施例涉及的金属屏蔽板80的一个例子。金属屏蔽板80F配置于电介质部70，沿着z轴方向而竖立设置。在电介质部70的上表面与下表面之间，形成有在金属屏蔽板80F的法线方向(x轴方向)上贯通的孔82。
此外，金属屏蔽板80F具有：主体部81，配置于电介质部70，沿着z轴方向而竖立设置；和平板状的主体端部87，配置在主体部81的位于与主面91a平行的方向上的端部，从电介质部70的上表面朝向下表面(在z轴方向上)竖立设置。在此，主体部81和主体端部87不平行。
根据金属屏蔽板80F的构造，在多个主体部81之间形成有孔82，因此在形成电介质部70的工序中，能够确保金属屏蔽板80F的附近处的液状的第2电介质材料的良好的流动性。因此，在金属屏蔽板80F的附近能够抑制未形成第2电介质材料的空隙等的产生。此外，主体部81和主体端部87不平行，因此能够确保金属屏蔽板80F的自立性。此外，不存在金属屏蔽板80A～80C所具有的接合部83，因此能够减少金属屏蔽板80F的配置空间。
另外，金属屏蔽板80的构造例不限于上述的金属屏蔽板80A～80F。例如，孔82也可以从电介质部70的下表面朝向上表面配置有多个。此外，接合部83被延伸设置的方向不限于如图4A～图4F所示的x轴负方向，也可以为x轴正方向，进而，金属屏蔽板80也可以具有在x轴负方向上延伸设置的接合部83以及在x轴正方向上延伸设置的接合部83这两者。
[4.效果等]
以上，本实施方式涉及的高频模块1A具备模块基板91、配置在模块基板91的内部的第1电路部件以及第2电路部件、和被设定为接地电位的金属屏蔽板80，模块基板91具有包含第1电介质材料的电介质部71、和包含相对介电常数与第1电介质材料不同的第2电介质材料并形成在电介质部71的内部的电介质部70，金属屏蔽板80配置于第1电路部件与第2电路部件之间的电介质部70。
由此，将金属屏蔽板80配置于电介质部70的工序能够设为与形成包含电介质部71的模块基板91的工序不同的工序。因此，能够容易地将金属屏蔽板80配置在模块基板91的内部。此外，金属屏蔽板80配置在配置于模块基板91的内部的第1电路部件与第2电路部件之间，因此能够抑制第1电路部件和第2电路部件的电磁场耦合。因此，能够抑制模块基板91的内部的发送信号间、发送信号和接收信号之间、以及接收信号间的强信号干扰，因而能够抑制发送信号以及接收信号的品质劣化。
此外，在高频模块1A中，第2电介质材料的相对介电常数也可以比第1电介质材料的相对介电常数低。
由此，与电介质部71中的高频信号的干扰相比，能够抑制电介质部70中的高频信号的干扰。
此外，在高频模块1A中，电介质部70也可以为空洞。
由此，能够使电介质部70中的高频信号的干扰变得最小，并且能够简化形成电介质部70的工序。
此外，在高频模块1A中，第1电路部件以及第2电路部件的至少一者也可以为表面安装型的电子部件或者半导体IC。
由此，具有高Q值的电子部件、或者具有高功能的半导体IC配置在模块基板的内部，因此能够在提高高频模块1A的高频性能的同时进行小型化。
此外，在高频模块1A中，第1电路部件以及第2电路部件也可以配置于电介质部70。
由此，能够将在电介质部70配置第1电路部件、第2电路部件以及金属屏蔽板80的工序设为与形成模块基板91的工序不同的工序。因此，能够容易地将表面安装型的电子部件以及半导体IC连同金属屏蔽板80一起配置在模块基板91的内部。
此外，也可以是，高频模块1A还具备功率放大器10、和低噪声放大器20，第1电路部件为与功率放大器10的输出端子连接的第1电感器，第2电路部件为与低噪声放大器20的输入端子连接的第2电感器。
由此，金属屏蔽板80能够抑制在第1电感器传输的发送信号和在第2电感器传输的接收信号的电磁场耦合。因此，能够抑制模块基板91的内部的发送信号与接收信号之间的强信号干扰，因而能够抑制接收灵敏度的下降。
此外，也可以是，高频模块1A还具备功率放大器10，第1电路部件为与功率放大器10的输出端子连接的第1电感器，第2电路部件为低噪声放大器20，低噪声放大器20包含于半导体IC60，金属屏蔽板80配置在第1电感器与半导体IC60之间。
由此，金属屏蔽板80能够抑制在第1电感器传输的发送信号和在低噪声放大器20传输的接收信号的电磁场耦合。因此，能够抑制模块基板91的内部的发送信号与接收信号之间的强信号干扰，因而能够抑制接收灵敏度的下降。
此外，在高频模块1A中，也可以是，第1电路部件配置于传输发送信号的发送路径、传输接收信号的接收路径、和传输发送信号以及接收信号的收发路径的任意者，第2电路部件配置于发送路径、接收路径以及收发路径之中的除了配置第1电路部件的路径以外的路径的任意者。
由此，能够抑制模块基板91的内部的发送信号与接收信号之间的强信号干扰，因此能够抑制发送信号的品质的下降，以及能够抑制接收灵敏度的下降。
此外，在高频模块1A中，金属屏蔽板80也可以具有：主体部81，沿着与模块基板91的主面91a垂直的方向而竖立设置；和接合部83，与主面91a平行地延伸设置。
由此，金属屏蔽板80和过孔导体96通过接合部83被接合，因此金属屏蔽板80的配置精度、以及金属屏蔽板80和过孔导体96的接合强度提高。
此外，在高频模块1A中，也可以是，金属屏蔽板80具有：主体部81，沿着与模块基板91的主面91a垂直的方向而竖立设置；和平板状的主体端部87，配置在主体部81的、位于与主面91a平行的方向上的端部，主体部81和主体端部87不平行。
由此，主体部81和主体端部87不平行，因此能够确保金属屏蔽板80的自立性。此外，不存在接合部83，因此能够减少金属屏蔽板80的配置空间。
此外，在高频模块1A中，也可以在金属屏蔽板80的端部与电介质部71之间，形成有在金属屏蔽板80的法线方向上贯通的孔82。
由此，在形成电介质部70的工序中，能够确保金属屏蔽板80的附近处的液状的第2电介质材料的良好的流动性。因此，在金属屏蔽板80的附近能够抑制未形成第2电介质材料的空隙等的产生。
此外，通信装置5具备：RFIC3，对由天线2收发的高频信号进行处理；和高频模块1，在天线2与RFIC3之间传输高频信号。
由此，能够提供抑制了发送信号或者接收信号的品质劣化的通信装置5。
(其他的实施方式等)
以上，列举实施方式、实施例以及变形例对本发明涉及的高频模块以及通信装置进行了说明，但本发明涉及的高频模块以及通信装置并不限定于上述实施方式、实施例以及变形例。将上述实施方式、实施例以及变形例中的任意的构成要素组合而实现的其他的实施方式、在不脱离本发明的主旨的范围内对上述实施方式、实施例以及变形例实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的变形例、内置了上述高频模块以及通信装置的各种设备也包含于本发明。
例如，在实施例涉及的高频模块1A中，构成高频模块1A的各电路部件配置于模块基板91的单个主面91a，但各电路部件也可以分开配置于模块基板91的相互对置的主面91a以及主面91b。即，构成高频模块1A的各电路部件既可以单面安装于模块基板，此外，也可以两面安装于模块基板。
例如，在上述实施方式、实施例以及变形例涉及的高频模块以及通信装置中，也可以在附图公开的将各电路元件以及信号路径连接的路径之间插入其他的电路元件以及布线等。
产业上的可利用性
本发明能够作为配置于应对多频段的前端部的高频模块而广泛利用于便携式电话等通信设备。
附图标记说明
1、1A 高频模块；
2 天线；
3 RF信号处理电路(RFIC)；
4 基带信号处理电路(BBIC)；
5 通信装置；
10 功率放大器；
20 低噪声放大器；
30、35 双工器；
31、33 发送滤波器；
32、34 接收滤波器；
40、41、42 开关；
40a、41a、42a 公共端子；
40b、40c、41b、41c、42b、42c 选择端子；
51、52 匹配电路；
60 半导体IC；
70、71 电介质部；
80、80A、80B、80C、80D、80E、80F 金属屏蔽板；
81 主体部；
82 孔；
83 接合部；
87 主体端部；
91 模块基板；
91a、91b 主面；
92 树脂构件；
95 金属屏蔽层；
96 过孔导体；
97 接地电极；
100 天线连接端子；
110 发送输入端子；
120 接收输出端子；
150 外部连接端子；
150g 接地端子；
AR、BR 接收路径；
AT、BT 发送路径；
CTR 收发路径。

Claims (12)

1.一种高频模块，具备：
模块基板；
第1电路部件以及第2电路部件，配置在所述模块基板的内部；和
金属屏蔽板，被设定为接地电位，
所述模块基板具有：
第1电介质部，包含第1电介质材料；和
第2电介质部，包含相对介电常数与所述第1电介质材料不同的第2电介质材料，形成在所述第1电介质部的内部，
所述金属屏蔽板配置于所述第1电路部件与所述第2电路部件之间的所述第2电介质部。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其中，
所述第2电介质材料的相对介电常数比所述第1电介质材料的相对介电常数低。
3.根据权利要求2所述的高频模块，其中，
所述第2电介质部为空洞。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的高频模块，其中，
所述第1电路部件以及所述第2电路部件的至少一者为表面安装型的电子部件或者半导体IC。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的高频模块，其中，
所述第1电路部件以及所述第2电路部件配置于所述第2电介质部。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的高频模块，其中，
还具备：
功率放大器；和
低噪声放大器，
所述第1电路部件为与所述功率放大器的输出端子连接的第1电感器，
所述第2电路部件为与所述低噪声放大器的输入端子连接的第2电感器。
7.根据权利要求1～5中任一项所述的高频模块，其中，
还具备：功率放大器，
所述第1电路部件为与所述功率放大器的输出端子连接的第1电感器，
所述第2电路部件为低噪声放大器，
所述低噪声放大器包含于第1半导体IC，
所述金属屏蔽板配置在所述第1电感器与所述第1半导体IC之间。
8.根据权利要求1～5中任一项所述的高频模块，其中，
所述第1电路部件配置于传输发送信号的发送路径、传输接收信号的接收路径、和传输发送信号以及接收信号的收发路径的任意者，
所述第2电路部件配置于所述发送路径、所述接收路径以及所述收发路径之中的除了配置所述第1电路部件的路径以外的路径的任意者。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的高频模块，其中，
所述金属屏蔽板具有：
主体部，沿着与所述模块基板的主面垂直的方向而竖立设置；和
接合部，与所述主面平行地延伸设置。
10.根据权利要求1～8中任一项所述的高频模块，其中，
所述金属屏蔽板具有：
主体部，沿着与所述模块基板的主面垂直的方向而竖立设置；和
平板状的主体端部，配置在所述主体部的、位于与所述主面平行的方向上的端部，
所述主体部和所述主体端部不平行。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的高频模块，其中，
在所述金属屏蔽板的端部与所述第1电介质部之间，形成有在所述金属屏蔽板的法线方向上贯通的孔。
12.一种通信装置，具备：
RF信号处理电路，对由天线收发的高频信号进行处理；和
权利要求1～11中任一项所述的高频模块，在所述天线与所述RF信号处理电路之间传播所述高频信号。
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