WO2022145127A1

WO2022145127A1 - 高周波モジュールおよび通信装置

Info

Publication number: WO2022145127A1
Application number: PCT/JP2021/039861
Authority: WO
Inventors: 正也三浦; 清志相川; 啓之永森; 孝紀上嶋; 佑二竹松; 貴弘山下; 遼若林; 嘉弘吉村; 岳廣瀬
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2020-12-28
Filing date: 2021-10-28
Publication date: 2022-07-07
Also published as: CN116615868A; US20230344460A1

Abstract

高周波モジュール（１Ａ）は、バンドＡの送信信号とバンドＣの送信との２アップリンクが可能であり、モジュール基板（９１）と、主面（９１ａ）に配置された金属シールド板（８６）と、電力増幅器（５１および５２）と、バンドＡの送信フィルタ（３１Ｔ）と、バンドＣの送信フィルタ（４３Ｔ）と、を備え、モジュール基板（９１）を平面視した場合、金属シールド板（８６）は、第１送信部品と第２送信部品との間に配置され、第１送信部品は、電力増幅器（５１）、送信フィルタ（３１Ｔ）、スイッチ回路（２１）、第１送信経路に配置された第１インダクタおよび第１キャパシタのいずれかであり、第２送信部品は、電力増幅器（５２）、送信フィルタ（４３Ｔ）、スイッチ回路（２２）、第２送信経路に配置された第２インダクタおよび第２キャパシタ、のいずれかである。

Description

高周波モジュールおよび通信装置

　本発明は、高周波モジュールおよび通信装置に関する。

　特許文献１には、第１マルチプレクサおよび第２マルチプレクサと、プライマリアンテナおよびセカンダリアンテナと第１マルチプレクサおよび第２マルチプレクサとの間に配置された第１スイッチ回路と、第１マルチプレクサに接続された第１増幅器と、第２マルチプレクサに接続された第２増幅器４２と、を備えた高周波フロントエンドモジュールが開示されている。第１スイッチ回路は、プライマリアンテナと第１マルチプレクサとの接続およびプライマリアンテナと第２マルチプレクサとの接続を排他的に切り替え、セカンダリアンテナと第１マルチプレクサとの接続およびセカンダリアンテナと第２マルチプレクサとの接続を排他的に切り替える。これによれば、フィルタの個数を削減しつつ２アップリンク２ダウンリンクが可能となる。

国際公開第２０１９／１５１５２８号

　しかしながら、特許文献１に開示された高周波フロントエンドモジュールを構成する回路部品をモジュール基板に実装する場合、第１増幅器と第１マルチプレクサとを結ぶ第１送信経路に配置された第１送信部品と、第２増幅器と第２マルチプレクサとを結ぶ第２送信経路に配置された第２送信部品とが、２アップリンク時に相互干渉し、第１送信経路と第２送信経路との間のアイソレーションが不十分となる場合がある。

　そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、２アップリンク時の２つの送信経路間のアイソレーションが向上した高周波モジュールおよび通信装置を提供することを目的とする。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、第１周波数帯域に含まれる第１送信帯域の信号と、第１周波数帯域と異なる第２周波数帯域に含まれる第２送信帯域の信号とを同時送信する２アップリンクを実行可能な高周波モジュールであって、互いに対向する第１主面および第２主面を有するモジュール基板と、第１主面に配置された第１グランド金属部材と、第１電力増幅器および第２電力増幅器と、第１電力増幅器に接続され、第１送信帯域を通過帯域に含む第１送信フィルタと、第２電力増幅器に接続され、第２送信帯域を通過帯域に含む第２送信フィルタと、を備え、モジュール基板を平面視した場合、第１グランド金属部材は、第１主面に配置された第１送信部品と、第１主面に配置された第２送信部品との間に配置されており、第１送信部品は、（１）第１電力増幅器、（２）第１送信フィルタ、（３）第１電力増幅器と第１送信フィルタとの接続および非接続を切り替える第１スイッチ、（４）第１電力増幅器、第１送信フィルタおよび第１スイッチのいずれかに接続された第１インダクタ、および、（５）第１電力増幅器、第１送信フィルタおよび第１スイッチのいずれかに接続された第１キャパシタ、のいずれかであり、第２送信部品は、（１）第２電力増幅器、（２）第２送信フィルタ、（３）第２電力増幅器と第２送信フィルタとの接続および非接続を切り替える第２スイッチ、（４）第２電力増幅器、第２送信フィルタおよび第２スイッチのいずれかに接続された第２インダクタ、および、（５）第２電力増幅器、第２送信フィルタおよび第２スイッチのいずれかに接続された第２キャパシタ、のいずれかである。

　本発明によれば、２アップリンク時の２つの送信経路間のアイソレーションが向上した高周波モジュールおよび通信装置を提供することが可能となる。

図１は、実施の形態に係る高周波モジュールおよび通信装置の回路構成図である。図２Ａは、実施例１に係る高周波モジュールの平面図である。図２Ｂは、実施例１に係る高周波モジュールの断面図である。図３Ａは、金属シールド板の第１例を示す外観斜視図である。図３Ｂは、金属シールド板の第２例を示す外観斜視図である。図３Ｃは、金属シールド板の第３例を示す外観斜視図である。図４は、変形例に係る高周波モジュールの平面図である。図５Ａは、実施例２に係る高周波モジュールの平面図である。図５Ｂは、実施例２に係る高周波モジュールの断面図である。図６Ａは、実施例３に係る高周波モジュールの平面図である。図６Ｂは、実施例３に係る高周波モジュールの断面図である。

　以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態等は、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施例および変形例における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略または簡略化する場合がある。

　また、以下において、平行および垂直等の要素間の関係性を示す用語、矩形状等の要素の形状を示す用語、ならびに、数値範囲は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する。

　また、以下の実施の形態において、「Ａが基板の第１主面に配置されている」とは、Ａが第１主面上に直接実装されているだけでなく、基板で隔された第１主面側の空間および第２主面側の空間のうち、Ａが第１主面側の空間に配置されていることを意味する。つまり、Ａが第１主面上に、その他の回路素子や電極などを介して実装されていることを含む。

　また、以下の実施の形態において、「ＡとＢとが接続されている」とは、ＡとＢとが接触していることを指すだけでなく、ＡとＢとが導体電極、導体端子、配線、または他の回路部品などを介して電気的に接続されていることを含むものと定義される。また、「ＡおよびＢの間に接続される」とは、ＡおよびＢの間でＡおよびＢの両方に接続されることを意味する。

　また、以下の実施の形態において、「ＡとＢとが接合されている」とは、ＡとＢとが機械的（物理的）に接着されている状態であり、特に、Ａが有する一面とＢが有する一面とが接着されていることを含むものと定義される。

　以下の各図において、ｘ軸およびｙ軸は、モジュール基板の主面と平行な平面上で互いに直交する軸である。また、ｚ軸は、モジュール基板の主面に垂直な軸であり、その正方向は上方向を示し、その負方向は下方向を示す。

　また、本開示のモジュール構成において、「平面視」とは、ｚ軸正側からｘｙ平面に物体を正投影して見ることを意味する。「部品が基板の主面に配置される」とは、部品が基板の主面と接触した状態で主面上に配置されることに加えて、部品が主面と接触せずに主面の上方に配置されること、および、部品の一部が主面側から基板内に埋め込まれて配置されることを含む。

　また、以下において、基板に実装されたＡ、ＢおよびＣにおいて、「基板（または基板の主面）の平面視において、ＡとＢとの間にＣが配置されている」とは、基板の平面視においてＡ内の任意の点とＢ内の任意の点とを結ぶ複数の線分の少なくとも１つがＣの領域を通ることを意味する。また、基板の平面視とは、基板および基板に実装された回路素子を基板の主面に平行な平面に正投影して見ることを意味する。

　また、以下において、「送信経路」とは、高周波送信信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。また、「受信経路」とは、高周波受信信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。

　（実施の形態）
　［１．高周波モジュール１および通信装置５の構成］
　図１は、実施の形態に係る高周波モジュール１および通信装置５の回路構成図である。同図に示すように、通信装置５は、高周波モジュール１と、アンテナ２Ａおよび２Ｂと、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）３と、ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）４と、を備える。

　アンテナ２Ａは、例えばプライマリアンテナであり、アンテナ性能などの点でアンテナ２Ｂよりも優先使用されるアンテナであり、バンドＡ、ＢおよびＣの信号を送信および受信できるアンテナ素子である。また、アンテナ２Ｂは、例えばセカンダリアンテナであり、バンドＡ、ＢおよびＣの信号を送信および受信できるアンテナ素子である。

　ＲＦＩＣ３は、アンテナ２Ａおよび２Ｂで送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１を介して入力された受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ４から入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された送信信号を、高周波モジュール１の送信経路に出力する。

　ＢＢＩＣ４は、高周波モジュール１を伝搬する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理する回路である。ＢＢＩＣ４で処理された信号は、例えば、画像表示のための画像信号として使用され、または、スピーカを介した通話のために音声信号として使用される。

　また、ＲＦＩＣ３は、使用されるバンド（周波数帯域）に基づいて、高周波モジュール１が有するスイッチ回路（後述する）の接続を制御する制御部としての機能も有する。具体的には、ＲＦＩＣ３は、制御信号（図示せず）によって、高周波モジュール１が有するスイッチ回路の接続を切り替える。なお、制御部は、ＲＦＩＣ３の外部に設けられていてもよく、例えば、高周波モジュール１またはＢＢＩＣ４に設けられていてもよい。

　次に、高周波モジュール１の詳細な回路構成について説明する。

　図１に示すように、高周波モジュール１は、スイッチ回路２０、２１、２２、２３および２４と、送信フィルタ３１Ｔ、３２Ｔ、４２Ｔおよび４３Ｔと、受信フィルタ３１Ｒ、３２Ｒ、３３Ｒ、４１Ｒ、４２Ｒおよび４３Ｒと、電力増幅器５１および５２と、低雑音増幅器６３および６４と、整合回路７１、７２、７３、７４、７５、７６、７７および７８と、を備える。

　上記構成により、高周波モジュール１は、第１周波数帯域（バンドＡ）に含まれる第１送信帯域（Ａ－Ｔｘ）の信号、第１周波数帯域と異なる第２周波数帯域（バンドＣ）に含まれる第２送信帯域（Ｃ－Ｔｘ）の信号、および第１周波数帯域および第２周波数帯域と異なる第３周波数帯域（バンドＢ）に含まれる第３送信帯域（Ｂ－Ｔｘ）の信号、のうちの２つの信号を同時送信する２アップリンク、および、第１周波数帯域（バンドＡ）に含まれる第１受信帯域（Ａ－Ｒｘ）の信号、第２周波数帯域（バンドＣ）に含まれる第２受信帯域（Ｃ－Ｒｘ）の信号、および第１周波数帯域および第２周波数帯域と異なる第３周波数帯域（バンドＢ）に含まれる第３受信帯域（Ｂ－Ｒｘ）の信号、のうちの２つの信号を同時受信する２ダウンリンクを実行することが可能である。

　送信フィルタ３１Ｔは、Ａ－Ｔｘを通過帯域とする第１送信フィルタの一例であり、入力端子が選択端子２１ｃに接続され、出力端子が整合回路７１を介してスイッチ回路２０に接続されている。

　送信フィルタ３２Ｔは、Ｂ－Ｔｘを通過帯域とする第５送信フィルタの一例であり、入力端子が選択端子２１ｄに接続され、出力端子が整合回路７１を介してスイッチ回路２０に接続されている。

　受信フィルタ３１Ｒは、Ａ－Ｒｘを通過帯域とする第１受信フィルタの一例であり、入力端子が整合回路７１を介してスイッチ回路２０に接続され、出力端子がスイッチ回路２３に接続されている。

　受信フィルタ３２Ｒは、Ｂ－Ｒｘを通過帯域とする第５受信フィルタの一例であり、入力端子が整合回路７１を介してスイッチ回路２０に接続され、出力端子がスイッチ回路２３に接続されている。

　受信フィルタ３３Ｒは、Ｃ－Ｒｘを通過帯域とする第４受信フィルタの一例であり、入力端子が整合回路７１を介してスイッチ回路２０に接続され、出力端子がスイッチ回路２３に接続されている。

　送信フィルタ４２Ｔは、Ｂ－Ｔｘを通過帯域とする第６送信フィルタの一例であり、入力端子が選択端子２２ｃに接続され、出力端子が整合回路７２を介してスイッチ回路２０に接続されている。

　送信フィルタ４３Ｔは、Ｃ－Ｔｘを通過帯域とする第２送信フィルタの一例であり、入力端子が選択端子２２ｄに接続され、出力端子が整合回路７２を介してスイッチ回路２０に接続されている。

　受信フィルタ４１Ｒは、Ａ－Ｒｘを通過帯域とする第３受信フィルタの一例であり、入力端子が整合回路７２を介してスイッチ回路２０に接続され、出力端子がスイッチ回路２４に接続されている。

　受信フィルタ４２Ｒは、Ｂ－Ｒｘを通過帯域とする第６受信フィルタの一例であり、入力端子が整合回路７２を介してスイッチ回路２０に接続され、出力端子がスイッチ回路２４に接続されている。

　受信フィルタ４３Ｒは、Ｃ－Ｒｘを通過帯域とする第２受信フィルタの一例であり、入力端子が整合回路７２を介してスイッチ回路２０に接続され、出力端子がスイッチ回路２４に接続されている。

　送信フィルタ３１Ｔ、３２Ｔ、受信フィルタ３１Ｒ、３２Ｒおよび３３Ｒは、バンドＡおよびＢの高周波信号を選択的に送信し、バンドＡ、ＢおよびＣの高周波信号を受信することが可能な第１マルチプレクサを構成する。なお、第１マルチプレクサは、Ｃ－Ｔｘを通過帯域とする送信フィルタを有していない。

　送信フィルタ４２Ｔ、４３Ｔ、受信フィルタ４１Ｒ、４２Ｒおよび４３Ｒは、バンドＢおよびＣの高周波信号を選択的に送信し、バンドＡ、ＢおよびＣの高周波信号を受信することが可能な第２マルチプレクサを構成する。なお、第２マルチプレクサは、Ａ－Ｔｘを通過帯域とする送信フィルタを有していない。

　電力増幅器５１は、第１電力増幅器の一例であり、入力端子が整合回路７７を介して送信入力端子１１０に接続され、出力端子が整合回路７３を介してスイッチ回路２１に接続されている。電力増幅器５２は、第２電力増幅器の一例であり、入力端子が整合回路７８を介して送信入力端子１３０に接続され、出力端子が整合回路７５を介してスイッチ回路２２に接続されている。電力増幅器５１および５２は、例えば、トランジスタ等によって構成されたパワーアンプである。

　スイッチ回路２０は、第３スイッチの一例であり、端子２０ａ（第１端子）、端子２０ｂ（第２端子）、端子２０ｃ（第１アンテナ接続端子）、および端子２０ｄ（第２アンテナ接続端子）を有する。

　端子２０ｃは送受信端子１０１を介してアンテナ２Ａと接続されており、端子２０ｄは送受信端子１０２を介してアンテナ２Ｂと接続されている。また、端子２０ａは、整合回路７１を介して第１マルチプレクサの共通端子に接続されており、端子２０ｂは、整合回路７２を介して第２マルチプレクサの共通端子に接続されている。

　スイッチ回路２０において、端子２０ａと端子２０ｃとの導通、および、端子２０ａと端子２０ｄとの導通が排他的に選択され、端子２０ｂと端子２０ｃとの導通、および、端子２０ｂと端子２０ｄとの導通が排他的に選択される。

　スイッチ回路２０は、例えば、端子２０ａ、２０ｂ、２０ｃおよび２０ｄを有するＤＰＤＴ（Ｄｏｕｂｌｅ　Ｐｏｌｅ　Ｄｏｕｂｌｅ　Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチ回路である。なお、スイッチ回路２０は、ＤＰ３Ｔ（Ｄｏｕｂｌｅ　Ｐｏｌｅ　３　Ｔｈｒｏｗ）型およびＤＰ４Ｔ（Ｄｏｕｂｌｅ　Ｐｏｌｅ　４　Ｔｈｒｏｗ）型などのスイッチ回路であってもよく、この場合には、使用されるバンド数に応じて必要な端子を使用すればよい。

　スイッチ回路２１は、電力増幅器５１と送信フィルタ３１Ｔとの接続および非接続を切り替える第１スイッチの一例である。スイッチ回路２１は、共通端子２１ａと、選択端子２１ｃおよび２１ｄとを有するＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ　Ｐｏｌｅ　Ｄｏｕｂｌｅ　Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチ回路である。共通端子２１ａは、整合回路７３を介して電力増幅器５１の出力端子に接続されている。スイッチ回路２２は、電力増幅器５２と送信フィルタ４３Ｔとの接続および非接続を切り替える第２スイッチの一例である。スイッチ回路２２は、共通端子２２ａと、選択端子２２ｃおよび２２ｄとを有するＳＰＤＴ型のスイッチ回路である。共通端子２２ａは、整合回路７５を介して電力増幅器５２の出力端子に接続されている。

　スイッチ回路２３は、共通端子と、３つの選択端子とを有する、ＳＰ３Ｔ（Ｓｉｎｇｌｅ　Ｐｏｌｅ　３　Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチ回路である。スイッチ回路２３の共通端子は、整合回路７４を介して低雑音増幅器６３の入力端子に接続されている。スイッチ回路２４は、共通端子と、３つの選択端子とを有する、ＳＰ３Ｔ型のスイッチ回路である。スイッチ回路２４の共通端子は、整合回路７６を介して低雑音増幅器６４の入力端子に接続されている。

　整合回路７１は、スイッチ回路２０と第１マルチプレクサとを結ぶ経路に配置され、スイッチ回路２０と第１マルチプレクサとのインピーダンス整合をとる。整合回路７２は、スイッチ回路２０と第２マルチプレクサとを結ぶ経路に配置され、スイッチ回路２０と第２マルチプレクサとのインピーダンス整合をとる。整合回路７３は、スイッチ回路２１と電力増幅器５１とを結ぶ経路に配置され、スイッチ回路２１と電力増幅器５１とのインピーダンス整合をとる。整合回路７４は、スイッチ回路２３と低雑音増幅器６３とを結ぶ経路に配置され、スイッチ回路２３と低雑音増幅器６３とのインピーダンス整合をとる。整合回路７５は、スイッチ回路２２と電力増幅器５２とを結ぶ経路に配置され、スイッチ回路２２と電力増幅器５２とのインピーダンス整合をとる。整合回路７６は、スイッチ回路２４と低雑音増幅器６４とを結ぶ経路に配置され、スイッチ回路２４と低雑音増幅器６４とのインピーダンス整合をとる。整合回路７７は、送信入力端子１１０と電力増幅器５１とを結ぶ経路に配置され、ＲＦＩＣ３と電力増幅器５１とのインピーダンス整合をとる。整合回路７８は、送信入力端子１３０と電力増幅器５２とを結ぶ経路に配置され、ＲＦＩＣ３と電力増幅器５２とのインピーダンス整合をとる。なお、整合回路７１～７８のそれぞれは、少なくとも１つのインダクタまたは少なくとも１つのキャパシタを有していてもよい。

　高周波モジュール１は、スイッチ回路２０～２４、第１マルチプレクサおよび第２マルチプレクサを備えることにより、スイッチ回路２０～２４の接続状態を切り替えることで、バンドＡ、ＢおよびＣの高周波信号を、アンテナ２Ａおよび２Ｂに任意に振り分け、２アップリンクの同時伝送、および、２アップリンク２ダウンリンクの同時伝送を実行できる。ここで、第１マルチプレクサにおいて、バンドＣの送信フィルタを削減でき、第２マルチプレクサにおいて、バンドＡの送信フィルタを削減できる。よって、２アップリンクの同時伝送および２ダウンリンクの同時伝送が可能な小型の高周波モジュール１を提供できる。

　なお、本明細書において、第１マルチプレクサおよび第２マルチプレクサは、本実施の形態のような、送信フィルタの出力端子と受信フィルタの入力端子とがスイッチ回路２０で共通接続されたデュプレクサを含むものと定義される。

　また、高周波モジュール１は、上記構成により、バンドＡ、ＢおよびＣの高周波信号のいずれかのみを送信し、バンドＡ、ＢおよびＣの高周波信号を同時受信する、いわゆる１アップリンク２ダウンリンクの同時伝送を実行することも可能である。

　なお、本発明に係る高周波モジュールは、図１に示された回路部品のうち、電力増幅器５１および５２、ならびに、送信フィルタ３１Ｔおよび４３Ｔを少なくとも有していればよい。

　例えば、高周波モジュール１は、第１マルチプレクサおよび第２マルチプレクサとして、以下のような構成を有していてもよい。すなわち、第１マルチプレクサは、送信フィルタ３１Ｔおよび受信フィルタ３１Ｒを有し、送信フィルタ３２Ｔ、受信フィルタ３２Ｒおよび３３Ｒ、ならびにＣ－Ｔｘを通過帯域とする送信フィルタを有していなくてもよい。また、第２マルチプレクサは、送信フィルタ４３Ｔおよび受信フィルタ４３Ｒを有し、送信フィルタ４２Ｔ、受信フィルタ４１Ｒおよび４２Ｒ、ならびにＡ－Ｔｘを通過帯域とする送信フィルタを有していなくてもよい。

　これによれば、スイッチ回路２０、第１マルチプレクサ、および第２マルチプレクサを備えることにより、スイッチ回路２０の接続状態を切り替えることで、バンドＡおよびＣの高周波信号を、アンテナ２Ａおよび２Ｂに任意に振り分け、２アップリンクの同時伝送、および、２アップリンク２ダウンリンクの同時伝送を実行できる。ここで、第１マルチプレクサはバンドＣの送信フィルタおよび受信フィルタを有しておらず、第２マルチプレクサはバンドＡの送信フィルタおよび受信フィルタを有していないので、２アップリンク２ダウンリンクの同時伝送が可能な小型の高周波モジュール１を提供できる。

　また、例えば、高周波モジュール１は、第１マルチプレクサおよび第２マルチプレクサとして、以下のような構成を有していてもよい。すなわち、第１マルチプレクサは、送信フィルタ３１Ｔ、受信フィルタ３１Ｒおよび３３Ｒを有し、送信フィルタ３２Ｔ、受信フィルタ３３Ｒ、およびＣ－Ｔｘを通過帯域とする送信フィルタを有していなくてもよい。また、第２マルチプレクサは、送信フィルタ４３Ｔ、受信フィルタ４１Ｒおよび４３Ｒを有し、送信フィルタ４２Ｔ、受信フィルタ４２Ｒ、およびＡ－Ｔｘを通過帯域とする送信フィルタを有していなくてもよい。

　これによれば、スイッチ回路２０、第１マルチプレクサ、および第２マルチプレクサを備えることにより、スイッチ回路２０の接続状態を切り替えることで、バンドＡおよびＣの高周波信号を、アンテナ２Ａおよび２Ｂに任意に振り分け、２アップリンクの同時伝送、および、２アップリンク２ダウンリンクの同時伝送を実行できる。ここで、第１マルチプレクサはバンドＣの送信フィルタを有しておらず、第２マルチプレクサはバンドＡの送信フィルタを有していないので、２アップリンク２ダウンリンクの同時伝送が可能な小型の高周波モジュール１を提供できる。

　なお、送信入力端子１１０、整合回路７７、電力増幅器５１、整合回路７３、スイッチ回路２１、送信フィルタ３１Ｔ、および整合回路７１を結ぶ経路は、バンドＡの送信信号を伝送する第１送信経路と定義される。また、送信入力端子１３０、整合回路７８、電力増幅器５２、整合回路７５、スイッチ回路２２、送信フィルタ４３Ｔ、および整合回路７２を結ぶ経路は、バンドＣの送信信号を伝送する第２送信経路と定義される。

　ここで、図１に示された高周波モジュール１を構成する回路部品をモジュール基板に実装する場合、例えば、第１送信経路に配置された第１送信部品と第２送信経路に配置された第２送信部品とが、バンドＡの送信信号とバンドＣの送信信号との２アップリンク時に相互干渉し、第１送信経路と第２送信経路との間のアイソレーションが不十分となる場合がある。

　以下では、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、第１送信部品と第２送信部品とが２アップリンク時に相互干渉することを抑制する構成について説明する。

　［２．実施例１に係る高周波モジュール１Ａの回路部品配置構成］
　図２Ａは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａの平面図である。また、図２Ｂは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａの断面図であり、具体的には、図２ＡのＩＩＢ－ＩＩＢ線における断面図である。なお、図２Ａの（ａ）には、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置図が示されている。一方、図２Ａの（ｂ）には、主面９１ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置を透視した図が示されている。また、図２Ａでは、各回路部品の配置関係が容易に理解されるよう各回路部品にはその機能を表すマークが付されているが、実際の高周波モジュール１Ａには、当該マークは付されていない。

　実施例１に係る高周波モジュール１Ａは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。

　図２Ａおよび図２Ｂに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ａは、図１に示された回路構成に加えて、さらに、モジュール基板９１と、樹脂部材９２および９３と、外部接続端子１５０と、金属シールド層８５と、金属シールド板８６と、を有している。

　モジュール基板９１は、互いに対向する主面９１ａおよび主面９１ｂを有し、高周波モジュール１Ａを構成する回路部品を実装する基板である。モジュール基板９１としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ　Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）基板、高温同時焼成セラミックス（Ｈｉｇｈ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ　Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＨＴＣＣ）基板、部品内蔵基板、再配線層（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ　Ｌａｙｅｒ：ＲＤＬ）を有する基板、または、プリント基板等が用いられる。

　なお、本実施例では、主面９１ａは第１主面に相当し、主面９１ｂは第２主面に相当する。

　なお、図２Ａの（ｂ）に示すように、主面９１ｂ上に、送受信端子１０１および１０２、送信入力端子１１０および１３０、ならびに受信出力端子１２０および１４０が形成されていてもよい。

　樹脂部材９２は、主面９１ａに配置され、高周波モジュール１Ａを構成する回路部品の一部および主面９１ａを覆っている。樹脂部材９３は、主面９１ｂに配置され、高周波モジュール１Ａを構成する回路部品の一部および主面９１ｂを覆っている。樹脂部材９２および９３は、高周波モジュール１Ａを構成する回路部品の機械強度および耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。なお、樹脂部材９２および９３は、本実施の形態に係る高周波モジュール１に必須の構成要素ではない。

　金属シールド層８５は、樹脂部材９２の表面に形成され、グランド電位に設定されている。金属シールド層８５は、例えば、スパッタ法により形成された金属薄膜であり、銅、銅を含む合金、または、銅を含む積層体である。なお、金属シールド層８５は、本実施の形態に係る高周波モジュール１に必須の構成要素ではない。

　図２Ａおよび図２Ｂに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、電力増幅器５１および５２、第１マルチプレクサ、第２マルチプレクサ、スイッチ回路２１および２２、ならびに整合回路７１～７８は、主面９１ａに配置されている。一方、低雑音増幅器６３および６４、ならびにスイッチ回路２０は、主面９１ｂに配置されている。

　なお、本実施例において、整合回路７１～７８のそれぞれは、少なくとも１つのインダクタ、または、少なくとも１つのキャパシタを含む。

　また、図２Ａには図示していないが、図１に示された、各回路部品を接続する配線は、モジュール基板９１の内部、主面９１ａおよび９１ｂに形成されている。また、上記配線は、両端が主面９１ａ、９１ｂおよび高周波モジュール１Ａを構成する回路部品のいずれかに接合されたボンディングワイヤであってもよく、また、高周波モジュール１Ａを構成する回路部品の表面に形成された端子、電極または配線であってもよい。

　外部接続端子１５０は、モジュール基板９１の主面９１ｂに配置されている。高周波モジュール１Ａは、高周波モジュール１Ａのｚ軸負方向側に配置される外部基板と、複数の外部接続端子１５０を経由して、電気信号のやりとりを行う。また、複数の外部接続端子１５０のいくつかは、外部基板のグランド電位に設定される。主面９１ａおよび９１ｂのうち、外部基板と対向する主面９１ｂには、低背化が困難な回路部品が配置されず、低背化が容易な低雑音増幅器６３および６４ならびにスイッチ回路２０が配置されている。

　なお、外部接続端子１５０は、図２Ａおよび図２Ｂに示すように、樹脂部材９３をｚ軸方向に貫通する柱状電極であってもよいし、また、外部接続端子１５０は、主面９１ｂ上に形成されたバンプ電極であってもよい。この場合には、主面９１ｂ上の樹脂部材９３はなくてもよい。

　また、電力増幅器５１および５２と低雑音増幅器６３および６４とが、モジュール基板９１を挟んで両面に振り分けられているので、送受信間のアイソレーションを向上できる。

　また、低雑音増幅器６３および６４は、１つの半導体ＩＣ８０に含まれていてもよい。これにより、高周波モジュール１Ａを小型化かつ低背化できる。さらに、半導体ＩＣ８０は、スイッチ回路２０を含んでもよい。

　金属シールド板８６は、第１グランド金属部材の一例であり、主面９１ａから樹脂部材９２のｚ軸正方向側の天面に向けて立設された金属壁体である。金属シールド板８６は、主面９１ａのグランド電極および金属シールド層８５に接合されている。つまり、金属シールド板８６は、その上方および下方の少なくとも２か所でグランドに接続されているので、電磁界遮蔽機能が強化されている。なお、金属シールド板８６は、金属シールド層８５を構成するシールド面のうち樹脂部材９２の天面に接するシールド面と接していてもよく、また、金属シールド層８５を構成するシールド面のうち樹脂部材９２の側面に接するシールド面と接していてもよい。また、金属シールド板８６は、モジュール基板９１に形成されたグランド電極層９５Ｇに接続されていてもよい。金属シールド板８６の詳細な構造については図３Ａ～図３Ｃを用いて後述する。

　図２Ａの（ａ）に示すように、モジュール基板９１を平面視した場合、金属シールド板８６は、電力増幅器５１、送信フィルタ３１Ｔ、スイッチ回路２１、整合回路７１、７３および７７と、電力増幅器５２、送信フィルタ４３Ｔ、スイッチ回路２２、整合回路７２、７５および７８との間に配置されている。

　ここで、電力増幅器５１、送信フィルタ３１Ｔ、スイッチ回路２１、整合回路７１、７３および７７のそれぞれは、バンドＡの送信信号を伝送する第１送信経路に配置された第１送信部品である。また、電力増幅器５２、送信フィルタ４３Ｔ、スイッチ回路２２、整合回路７２、７５および７８のそれぞれは、バンドＣの送信信号を伝送する第２送信経路に配置された第２送信部品である。

　上記構成によれば、金属シールド板８６による電磁界遮蔽機能の強化により、第１送信部品と第２送信部品とが、バンドＡの送信信号とバンドＣの送信信号との２アップリンク時に相互干渉することを抑制できる。よって、第１送信経路と第２送信経路との間のアイソレーションが向上した高周波モジュール１Ａを提供できる。

　なお、本実施例に係る高周波モジュール１Ａにおいて、金属シールド板８６は、上記平面視において、電力増幅器５１、送信フィルタ３１Ｔ、スイッチ回路２１、ならびに整合回路７１、７３および７７の少なくとも１つと、電力増幅器５２、送信フィルタ４３Ｔ、スイッチ回路２２、ならびに整合回路７２、７５および７８の少なくとも１つとの間に配置されていればよい。

　言い換えると、第１送信部品は、（１）電力増幅器５１、（２）送信フィルタ３１Ｔ、（３）スイッチ回路２１、（４）第１送信経路に接続された第１インダクタ、および、（５）第１送信経路に接続された第１キャパシタのいずれかであればよい。また、第２送信部品は、（１）電力増幅器５２、（２）送信フィルタ４３Ｔ、（３）スイッチ回路２２、（４）第２送信経路に接続された第２インダクタ、および、（５）第２送信経路に接続された第２キャパシタのいずれかであればよい。つまり、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、モジュール基板９１を平面視した場合、金属シールド板８６は、少なくとも１つの第１送信部品と、少なくとも１つの第２送信部品との間に配置されていればよい。

　これによれば、金属シールド板８６が配置されていない高周波モジュールと比較して、第１送信経路と第２送信経路との間のアイソレーションが向上した高周波モジュール１Ａを提供できる。

　なお、第１送信部品は、電力増幅器５１および第１インダクタのいずれかであり、第２送信部品は、電力増幅器５２および第２インダクタのいずれかであることが望ましい。

　電力増幅器５１および５２は、大電力の送信信号を出力するので、２つの送信信号が２アップリンク時に相互干渉し易い。また、第１インダクタおよび第２インダクタは磁界結合するので、当該磁界結合により２つの送信信号が２アップリンク時に相互干渉し易い。これによれば、第１送信経路と第２送信経路との間のアイソレーションを効果的に向上できる。

　次に、金属シールド板８６の詳細な構造については図３Ａ～図３Ｃを用いて説明する。

　図３Ａは、金属シールド板８６Ａの外観斜視図である。同図に示された金属シールド板８６Ａは、実施例１に係る金属シールド板８６の一例である。金属シールド板８６Ａは、主面９１ａ（図示せず）からｚ軸正方向に立設されている。金属シールド板８６Ａと主面９１ａとの間には、金属シールド板８６Ａの法線方向（ｙ軸方向）に貫通する穴８６ｚが形成されている。

　また、金属シールド板８６Ａは、主面９１ａからｚ軸正方向に立設された本体部８６ｘと、主面９１ａ側であって主面９１ａと平行に延設され、主面９１ａ上のグランド電極（図示せず）と接合された接合部８６ｙと、を有している。

　金属シールド板８６Ａの構造によれば、本体部８６ｘと主面９１ａとの間に穴８６ｚが形成されているので、樹脂部材９２を主面９１ａ上に形成する工程において、金属シールド板８６Ａの近傍における液状樹脂の良好な流動性を確保できる。よって、金属シールド板８６Ａの近傍において樹脂部材９２が形成されていない空隙などの発生を抑制できる。

　図３Ｂは、金属シールド板８６Ｂの外観斜視図である。同図に示された金属シールド板８６Ｂは、実施例１に係る金属シールド板８６の一例である。金属シールド板８６Ｂは、主面９１ａ（図示せず）からｚ軸正方向に立設されている。金属シールド板８６Ｂと金属シールド層８５との間には、金属シールド板８６Ｂの法線方向（ｙ軸方向）に貫通する穴８６ｚが形成されている。

　また、金属シールド板８６Ｂは、主面９１ａからｚ軸正方向に立設された本体部８６ｘと、主面９１ａ側であって主面９１ａと平行に延設され、主面９１ａ上のグランド電極（図示せず）と接合された接合部８６ｙと、を有している。

　金属シールド板８６Ｂの構造によれば、本体部８６ｘと金属シールド層８５との間に穴８６ｚが形成されているので、樹脂部材９２を主面９１ａ上に形成する工程において、金属シールド板８６Ｂの近傍における液状樹脂の良好な流動性を確保できる。よって、金属シールド板８６Ｂの近傍において樹脂部材９２が形成されていない空隙などの発生を抑制できる。さらに、主面９１ａと接する領域（本体部８６ｘの下方領域）には、穴８６ｚが形成されていないので、金属シールド板８６Ｂを介して主面９１ａ上に配置された回路部品間のアイソレーションが向上する。

　図３Ｃは、金属シールド板８６Ｃの外観斜視図である。同図に示された金属シールド板８６Ｃは、実施例１に係る金属シールド板８６の一例である。金属シールド板８６Ｃは、主面９１ａ（図示せず）からｚ軸正方向に立設されている。主面９１ａと金属シールド層８５との間には、金属シールド板８６Ｃの法線方向（ｙ軸方向）に貫通する穴８６ｚが形成されている。

　また、金属シールド板８６Ｃは、主面９１ａからｚ軸正方向に立設された本体部８６ｘと、主面９１ａ側であって主面９１ａと平行に延設され、主面９１ａ上のグランド電極（図示せず）と接合された接合部８６ｙと、を有している。金属シールド板８６Ｃでは、複数の本体部８６ｘが穴８６ｚを介して離散的に配置されており、また、複数の接合部８６ｙが穴８６ｚを介して離散的に配置されている。

　金属シールド板８６Ｃの構造によれば、主面９１ａと金属シールド層８５との間に穴８６ｚが形成されているので、樹脂部材９２を主面９１ａ上に形成する工程において、金属シールド板８６Ｃの近傍における液状樹脂の良好な流動性を確保できる。よって、金属シールド板８６Ｃの近傍において樹脂部材９２が形成されていない空隙などの発生を抑制できる。

　なお、金属シールド板８６の構造例は、上記の金属シールド板８６Ａ～８６Ｃに限られるものではない。例えば、穴８６ｚは、主面９１ａから金属シールド層８５に向けて複数配置されていてもよい。また、接合部８６ｙが延設される方向は、図３Ａ～図３Ｃに示されるようなｙ軸負方向に限られず、ｙ軸正方向であってもよく、さらには、金属シールド板８６は、ｙ軸負方向に延設される接合部８６ｙおよびｙ軸正方向に延設される接合部８６ｙの双方を有していてもよい。

　［３．変形例に係る高周波モジュール１Ｂの回路部品配置構成］
　図４は、変形例に係る高周波モジュール１Ｂの平面図である。なお、図４には、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置図が示されている。また、図４では、各回路部品の配置関係が容易に理解されるよう各回路部品にはその機能を表すマークが付されているが、実際の高周波モジュール１Ｂには、当該マークは付されていない。

　変形例に係る高周波モジュール１Ｂは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。

　本変形例に係る高周波モジュール１Ｂは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、金属シールド板８６の代わりにボンディングワイヤ８７が配置されている点が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｂについて、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。

　ボンディングワイヤ８７は、第１グランド金属部材の一例であり、主面９１ａのグランド電極に接合されている。なお、ボンディングワイヤ８７は、さらに金属シールド層８５に接合されていてもよいし、モジュール基板９１に形成されたグランド電極層９５Ｇに接続されていてもよい。ボンディングワイヤ８７は、グランドに接続されているので、電磁界遮蔽機能が強化されている。また、図４に示すように、複数のボンディングワイヤ８７が、離散的に配置されていることが望ましい。

　図４に示すように、モジュール基板９１を平面視した場合、複数のボンディングワイヤ８７は、電力増幅器５１、送信フィルタ３１Ｔ、スイッチ回路２１、整合回路７１、７３および７７と、電力増幅器５２、送信フィルタ４３Ｔ、スイッチ回路２２、整合回路７２、７５および７８との間に配置されている。

　上記構成によれば、ボンディングワイヤ８７による電磁界遮蔽機能の強化により、第１送信部品と第２送信部品とが、バンドＡの送信信号とバンドＣの送信信号との２アップリンク時に相互干渉することを抑制できる。よって、第１送信経路と第２送信経路との間のアイソレーションが向上した高周波モジュール１Ｂを提供できる。

　なお、本変形例に係る高周波モジュール１Ｂにおいて、ボンディングワイヤ８７は、上記平面視において、電力増幅器５１、送信フィルタ３１Ｔ、スイッチ回路２１、ならびに整合回路７１、７３および７７の少なくとも１つと、電力増幅器５２、送信フィルタ４３Ｔ、スイッチ回路２２、ならびに整合回路７２、７５および７８の少なくとも１つとの間に配置されていればよい。

　［４．実施例２に係る高周波モジュール１Ｃの回路部品配置構成］
　図５Ａは、実施例２に係る高周波モジュール１Ｃの平面図である。また、図５Ｂは、実施例２に係る高周波モジュール１Ｃの断面図であり、具体的には、図５ＡのＶＢ－ＶＢ線における断面図である。なお、図５Ａの（ａ）には、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置図が示されている。一方、図５Ａの（ｂ）には、主面９１ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置を透視した図が示されている。また、図５Ａでは、各回路部品の配置関係が容易に理解されるよう各回路部品にはその機能を表すマークが付されているが、実際の高周波モジュール１Ｃには、当該マークは付されていない。

　実施例２に係る高周波モジュール１Ｃは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。

　本実施例に係る高周波モジュール１Ｃは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、スイッチ回路２１および２２が主面９１ｂに配置されている点が異なる。以下、本実施例に係る高周波モジュール１Ｃについて、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。

　図５Ａおよび図５Ｂに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ｃでは、電力増幅器５１および５２、第１マルチプレクサ、第２マルチプレクサ、ならびに整合回路７１～７８は、主面９１ａに配置されている。一方、スイッチ回路２１および２２、低雑音増幅器６３および６４、ならびにスイッチ回路２０は、主面９１ｂに配置されている。

　外部接続端子１５０は、モジュール基板９１の主面９１ｂに配置されている。高周波モジュール１Ｃは、高周波モジュール１Ｃのｚ軸負方向側に配置される外部基板と、複数の外部接続端子１５０を経由して、電気信号のやりとりを行う。また、複数の外部接続端子１５０のいくつかは、外部基板のグランド電位に設定される。主面９１ａおよび９１ｂのうち、外部基板と対向する主面９１ｂには、低背化が困難な回路部品が配置されず、低背化が容易なスイッチ回路２０、２１および２２、ならびに低雑音増幅器６３および６４が配置されている。

　金属シールド板８６は、第１グランド金属部材の一例であり、主面９１ａから樹脂部材９２のｚ軸正方向側の天面に向けて立設された金属壁体である。金属シールド板８６は、主面９１ａのグランド電極および金属シールド層８５に接合されている。つまり、金属シールド板８６は、その上方および下方の少なくとも２か所でグランドに接続されているので、電磁界遮蔽機能が強化されている。

　図５Ａの（ａ）に示すように、モジュール基板９１を平面視した場合、金属シールド板８６は、電力増幅器５１、送信フィルタ３１Ｔ、整合回路７１、７３および７７と、電力増幅器５２、送信フィルタ４３Ｔ、整合回路７２、７５および７８との間に配置されている。

　また、モジュール基板９１を平面視した場合、主面９１ｂにおいて、スイッチ回路２１とスイッチ回路２２との間には、ビア導体８１ｖが配置されている。

　ビア導体８１ｖは、第２グランド金属部材の一例であり、主面９１ｂから樹脂部材９３のｚ軸負方向側の天面に向けて立設されている。ビア導体８１ｖは、主面９１ｂのグランド電極に接合されている。つまり、ビア導体８１ｖは、グランドに接続されているので、電磁界遮蔽機能が強化されている。

　上記構成によれば、金属シールド板８６およびビア導体８１ｖによる電磁界遮蔽機能の強化により、第１送信部品と第２送信部品とが、バンドＡの送信信号とバンドＣの送信信号との２アップリンク時に相互干渉することを抑制できる。よって、第１送信経路と第２送信経路との間のアイソレーションが向上した高周波モジュール１Ｃを提供できる。

　なお、図５Ａの（ｂ）に示すように、スイッチ回路２１および２２は、１つの半導体ＩＣ８１に含まれていてもよい。このとき、ビア導体８１ｖは、半導体ＩＣ８１に形成されている。

　これによれば、第１送信経路と第２送信経路との間のアイソレーションが向上した小型の高周波モジュール１Ｃを提供できる。

　なお、主面９１ｂにおいてスイッチ回路２１とスイッチ回路２２との間に配置される第２グランド金属部材は、グランド接続された外部接続端子１５０であってもよいし、また、主面９１ｂのグランド電極に接合されたボンディングワイヤであってもよい。

　［５．実施例３に係る高周波モジュール１Ｄの回路部品配置構成］
　図６Ａは、実施例３に係る高周波モジュール１Ｄの平面図である。また、図６Ｂは、実施例３に係る高周波モジュール１Ｄの断面図であり、具体的には、図６ＡのＶＩＢ－ＶＩＢ線における断面図である。なお、図６Ａの（ａ）には、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置図が示されている。一方、図６Ａの（ｂ）には、主面９１ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置を透視した図が示されている。また、図６Ａでは、各回路部品の配置関係が容易に理解されるよう各回路部品にはその機能を表すマークが付されているが、実際の高周波モジュール１Ｄには、当該マークは付されていない。

　実施例３に係る高周波モジュール１Ｄは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。

　本実施例に係る高周波モジュール１Ｄは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、電力増幅器５２およびスイッチ回路２２が主面９１ｂに配置されている点が異なる。以下、本実施例に係る高周波モジュール１Ｄについて、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。

　図６Ａおよび図６Ｂに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ｄでは、電力増幅器５１、第１マルチプレクサ、第２マルチプレクサ、スイッチ回路２１ならびに整合回路７１～７８は、主面９１ａに配置されている。一方、電力増幅器５２、スイッチ回路２０および２２、ならびに低雑音増幅器６３および６４は、主面９１ｂに配置されている。

　これによれば、電力増幅器５１と電力増幅器５２とがモジュール基板９１を挟んで振り分けて配置されているので、バンドＡの送信信号とバンドＣの送信信号との２アップリンク時に相互干渉することを抑制できる。よって、第１送信経路と第２送信経路との間のアイソレーションが向上した高周波モジュール１Ｄを提供できる。また、上記２アップリンク時に電力増幅器５１および５２の双方から発生する熱により電力増幅器５１および５２の増幅特性が劣化することを抑制できる。さらに、電力増幅器５１および５２の双方から発生する熱を分散できるので、高周波モジュール１Ｄの温度上昇を抑制できる。

　また、モジュール基板９１を平面視した場合、電力増幅器５１と電力増幅器５２とは重なっていない。

　これによれば、第１送信経路と第２送信経路との距離を大きく確保できるので、バンドＡの送信信号とバンドＣの送信信号との２アップリンク時に相互干渉することを、より抑制できる。

　また、スイッチ回路２１は主面９１ａに配置され、スイッチ回路２２は主面９１ｂに配置されている。

　これによれば、第１送信経路にあるスイッチ回路２１と第２送信経路にあるスイッチ回路２２とがモジュール基板９１を挟んで振り分けて配置されているので、バンドＡの送信信号とバンドＣの送信信号との２アップリンク時に相互干渉することを、より一層抑制できる。

　なお、本実施例において、電力増幅器５２およびスイッチ回路２２に加えて、第２送信経路にある第２マルチプレクサ、整合回路７２、７５および７８の少なくとも１つが、主面９１ｂに配置されていてもよい。

　これによれば、第１送信経路と第２送信経路とのアイソレーションを強化できる。

　また、電力増幅器５１は、互いに対向する底面（第１面）および天面（第２面）を有し、底面は主面９１ａと対面しており、天面は金属シールド層８５と接している。

　これによれば、電力増幅器５１の放熱特性が向上するので、電力増幅器５１の増幅特性の劣化を抑制できる。

　また、電力増幅器５１は、モジュール基板９１を貫通する放熱ビア導体９１ｖを介して外部接続導体１５０と接続されている。

　なお、電力増幅器５１の最大出力電力は、電力増幅器５２の最大出力電力よりも大きくてもよい。この場合であっても、電力増幅器５１が金属シールド層８５と接しているので、電力増幅器５１の温度上昇を抑制できる。

　また、電力増幅器５２の最大出力電力は、電力増幅器５１の最大出力電力よりも大きくてもよい。この場合には、電力増幅器５２の底面および天面のうち、電力増幅器５２の天面を、外部基板に設けられた放熱電極と接触させる構成をとってもよい。これによれば、電力増幅器５２が放熱電極と接するので、電力増幅器５２の温度上昇を抑制できる。

　ここで、電力増幅器５１、送信フィルタ３１Ｔ、スイッチ回路２１、整合回路７１、７３および７７のそれぞれは、バンドＡの送信信号を伝送する第１送信経路に配置された第１送信部品である。また、送信フィルタ４３Ｔ、整合回路７２、７５および７８のそれぞれは、バンドＣの送信信号を伝送する第２送信経路に配置された第２送信部品である。

　上記構成によれば、金属シールド板８６による電磁界遮蔽機能の強化により、第１送信部品と第２送信部品とが、バンドＡの送信信号とバンドＣの送信信号との２アップリンク時に相互干渉することを抑制できる。よって、第１送信経路と第２送信経路との間のアイソレーションが向上した高周波モジュール１Ｄを提供できる。

　［６．効果など］
　以上、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａは、バンドＡの送信帯域の信号と、バンドＣの送信帯域の信号とを同時送信する２アップリンクを実行可能であり、互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂを有するモジュール基板９１と、主面９１ａに配置された金属シールド板８６と、電力増幅器５１および５２と、バンドＡの送信帯域を通過帯域に含む送信フィルタ３１Ｔと、バンドＣの送信帯域を通過帯域に含む送信フィルタ４３Ｔと、を備える。モジュール基板９１を平面視した場合、金属シールド板８６は、主面９１ａに配置された第１送信部品と、主面９１ａに配置された第２送信部品との間に配置されている。ここで、第１送信部品は、（１）電力増幅器５１、（２）送信フィルタ３１Ｔ、（３）スイッチ回路２１、（４）電力増幅器５１、送信フィルタ３１Ｔおよびスイッチ回路２１のいずれかに接続された第１インダクタ、および、電力増幅器５１、送信フィルタ３１Ｔおよびスイッチ回路２１のいずれかに接続された第１キャパシタ、のいずれかであり、第２送信部品は、（１）電力増幅器５２、（２）送信フィルタ４３Ｔ、（３）スイッチ回路２２、（４）電力増幅器５２、送信フィルタ４３Ｔおよびスイッチ回路２２のいずれかに接続された第２インダクタ、および、（５）電力増幅器５２、送信フィルタ４３Ｔおよびスイッチ回路２２のいずれかに接続された第２キャパシタ、のいずれかである。

　これによれば、金属シールド板８６による電磁界遮蔽機能の強化により、第１送信部品と第２送信部品とが、バンドＡの送信信号とバンドＣの送信信号との２アップリンク時に相互干渉することを抑制できる。よって、第１送信経路と第２送信経路との間のアイソレーションが向上した高周波モジュール１Ａを提供できる。

　また、高周波モジュール１Ａにおいて、第１送信部品は、電力増幅器５１および第１インダクタのいずれかであり、第２送信部品は、電力増幅器５２および第２インダクタのいずれかであってもよい。

　また、高周波モジュール１Ａにおいて、電力増幅器５１および５２、送信フィルタ３１Ｔおよび４３Ｔ、スイッチ回路２１および２２、第１インダクタおよび第２インダクタは、主面９１ａに配置されていてもよい。

　また、高周波モジュール１Ｃにおいて、電力増幅器５１および５２、送信フィルタ３１Ｔおよび４３Ｔ、第１インダクタおよび第２インダクタは、主面９１ａに配置されており、スイッチ回路２１および２２は、主面９１ｂに配置されており、モジュール基板９１を平面視した場合、スイッチ回路２１とスイッチ回路２２との間には、ビア導体８１ｖが配置されていてもよい。

　これによれば、金属シールド板８６およびビア導体８１ｖによる電磁界遮蔽機能の強化により、第１送信部品と第２送信部品とが、バンドＡの送信信号とバンドＣの送信信号との２アップリンク時に相互干渉することを抑制できる。よって、第１送信経路と第２送信経路との間のアイソレーションが向上した高周波モジュール１Ｃを提供できる。

　また、高周波モジュール１Ｃにおいて、スイッチ回路２１および２２は、１つの半導体ＩＣ８１に含まれていてもよい。

　また、高周波モジュール１Ｄにおいて、電力増幅器５１は主面９１ａに配置されており、電力増幅器５２は主面９１ｂに配置されていてもよい。

　これによれば、バンドＡの送信信号とバンドＣの送信信号との２アップリンク時に相互干渉することを抑制できる。また、上記２アップリンク時に電力増幅器５１および５２の双方から発生する熱により電力増幅器５１および５２の増幅特性が劣化することを抑制できる。

　また、高周波モジュール１Ｄにおいて、電力増幅器５１の最大出力電力は、電力増幅器５２の最大出力電力よりも大きくてもよい。

　また、高周波モジュール１Ｄにおいて、電力増幅器５２の最大出力電力は、電力増幅器５１の最大出力電力よりもおおきくてもよい。

　また、高周波モジュール１Ｄにおいて、モジュール基板９１を平面視した場合、電力増幅器５１と電力増幅器５２とは重なっていなくてもよい。

　また、高周波モジュール１Ａは、さらに、主面９１ｂに配置された低雑音増幅器６３および６４を備えてもよい。

　これによれば、電力増幅器５１および５２と低雑音増幅器６３および６４とが、モジュール基板９１を挟んで両面に振り分けられているので、送受信間のアイソレーションを向上できる。

　また、高周波モジュール１Ａは、さらに、主面９１ａ、第１送信部品および第２送信部品の少なくとも一部を覆う樹脂部材９２と、樹脂部材９２の表面に形成され、グランド電位に設定された金属シールド層８５と、を備え、金属シールド板８６は、主面９１ａから樹脂部材９２の表面に向けて立設されており、主面９１ａのグランド電極および金属シールド層８５に接合されていてもよい。

　また、高周波モジュール１Ｄにおいて、電力増幅器５１の底面は主面９１ａと対面しており、天面は金属シールド層８５と接していてもよい。

　また、高周波モジュール１Ｂにおいて、第１送信部品と第２送信部品との間に配置される第１グランド金属部材は、ボンディングワイヤ８７であり、ボンディングワイヤ８７は、主面９１ａのグランド電極に接合されていてもよい。

　また、高周波モジュール１Ａは、モジュール基板９１と、第１グランド金属部材と、電力増幅器５１および５２と、第１マルチプレクサおよび第２マルチプレクサと、端子２０ａ、２０ｂ、アンテナ２Ａに接続された２０ｃおよびアンテナ２Ｂに接続された２０ｄを有するスイッチ回路２０と、を備える。第１マルチプレクサは、送信フィルタ３１Ｔと、バンドＡの受信帯域を通過帯域とする受信フィルタ３１Ｒと、を有し、バンドＣの送信帯域を通過帯域とする送信フィルタを有さず、第２マルチプレクサは、送信フィルタ４３Ｔと、バンドＣの受信帯域を通過帯域とする受信フィルタ４３Ｒと、を有し、バンドＡの送信帯域を通過帯域とする送信フィルタを有さず、端子２０ａは、送信フィルタ３１Ｔおよび受信フィルタ３１Ｒに接続されており、端子２０ｂは、送信フィルタ４３Ｔおよび受信フィルタ４３Ｒに接続されており、スイッチ回路２０において、端子２０ｃと端子２０ａとの導通、および、端子２０ｃと端子２０ｂとの導通が排他的に選択され、端子２０ｄと端子２０ａとの導通、および、端子２０ｄと端子２０ｂとの導通が排他的に選択されてもよい。

　これによれば、高周波モジュール１Ａが、スイッチ回路２０、第１マルチプレクサ、および第２マルチプレクサを備えることにより、スイッチ回路２０の接続状態を切り替えることで、バンドＡおよびＣの高周波信号を、アンテナ２Ａおよび２Ｂに任意に振り分け、２アップリンクの同時伝送、および、２アップリンク２ダウンリンクの同時伝送を実行できる。ここで、第１マルチプレクサはバンドＣの送信フィルタを有しておらず、第２マルチプレクサはバンドＡの送信フィルタを有していないので、２アップリンク時における第１送信経路と第２送信経路との間のアイソレーションを向上しつつ、２アップリンク２ダウンリンクの同時伝送が可能な小型の高周波モジュール１Ａを提供できる。

　また、高周波モジュール１Ａにおいて、第１マルチプレクサは、さらに、バンドＣの受信帯域を通過帯域とする受信フィルタ３３Ｒを有し、第２マルチプレクサは、さらに、バンドＡの受信帯域を通過帯域とする受信フィルタ４１Ｒを有してもよい。

　また、高周波モジュール１Ａにおいて、バンドＡの送信信号、バンドＣの送信信号、およびバンドＢの送信信号のうちの２つの送信信号を同時送信する２アップリンク、および、バンドＡの受信信号、バンドＣの受信信号、およびバンドＢの受信信号のうちの２つの受信信号を同時受信する２ダウンリンクが実行され、第１マルチプレクサは、さらに、バンドＢの送信帯域を通過帯域とする送信フィルタ３２Ｔと、バンドＢの受信帯域を通過帯域とする受信フィルタ３２Ｒと、を有し、第２マルチプレクサは、さらに、バンドＢの送信帯域を通過帯域とする送信フィルタ４２Ｔと、バンドＢの受信帯域を通過帯域とする受信フィルタ４２Ｒと、を有してもよい。

　これによれば、高周波モジュール１Ａは、バンドＡ、ＢおよびＣの高周波信号を、アンテナ２Ａおよび２Ｂに任意に振り分け、２アップリンクの同時伝送、および、２アップリンク２ダウンリンクの同時伝送を実行できる。ここで、第１マルチプレクサにおいて、バンドＣの送信フィルタを削減でき、第２マルチプレクサにおいて、バンドＡの送信フィルタを削減できる。よって、２アップリンクの同時伝送および２ダウンリンクの同時伝送が可能な小型の高周波モジュール１Ａを提供できる。

　また、通信装置５は、高周波モジュール１と、高周波モジュール１で送受信される高周波信号を処理するＲＦＩＣ３と、を備える。

　これによれば、２アップリンク時の２つの送信経路間のアイソレーションが向上した通信装置５を提供できる。

　（その他の実施の形態）
　以上、実施の形態に係る高周波モジュールおよび通信装置について、実施例および変形例を挙げて説明したが、本発明の高周波モジュールおよび通信装置は、上記実施の形態、実施例および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態、実施例および変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態、実施例および変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本開示の高周波モジュールおよび通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。

　なお、上記実施の形態、実施例および変形例では、第１周波数帯域の高周波信号と第２周波数帯域の高周波信号とを同時使用する２アップリンク２ダウンリンクの構成を例示したが、本発明に係る高周波モジュールおよび通信装置の構成は、３つ以上の異なる周波数帯域を同時使用するアップリンクおよび／またはダウンリンク（例えば３アップリンク３ダウンリンク）の構成にも適用できる。つまり、上記実施の形態、実施例および変形例における２アップリンクとは、３つ以上の異なる周波数帯域を同時使用するマルチアップリンクも含まれ、３つ以上の異なる周波数帯域を同時使用するアップリンクおよび／またはダウンリンクを実行する構成であって、上記実施の形態、実施例および変形例に係る高周波モジュールまたは通信装置の構成を含む高周波モジュールまたは通信装置も、本発明に含まれる。

　例えば、上記実施の形態、実施例および変形例に係る高周波モジュールおよび通信装置において、図面に開示された各回路素子および信号経路を接続する経路の間に別の高周波回路素子および配線などが挿入されていてもよい。

　本発明は、キャリアアグリゲーション方式を採用するマルチバンド／マルチモード対応のフロントエンドモジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。

　１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ　　高周波モジュール
　２Ａ、２Ｂ　　アンテナ
　３　　ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
　４　　ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）
　５　　通信装置
　２０、２１、２２、２３、２４　　スイッチ回路
　２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ　　端子
　２１ａ、２２ａ　　共通端子
　２１ｃ、２１ｄ、２２ｃ、２２ｄ　　選択端子
　３１Ｒ、３２Ｒ、３３Ｒ、４１Ｒ、４２Ｒ、４３Ｒ　　受信フィルタ
　３１Ｔ、３２Ｔ、４２Ｔ、４３Ｔ　　送信フィルタ
　５１、５２　　電力増幅器
　６３、６４　　低雑音増幅器
　７１、７２、７３、７４、７５、７６、７７、７８　　整合回路
　８０、８１　　半導体ＩＣ
　８１ｖ　　ビア導体
　８５　　金属シールド層
　８６、８６Ａ、８６Ｂ、８６Ｃ　　金属シールド板
　８６ｘ　　本体部
　８６ｙ　　接合部
　８６ｚ　　穴
　８７　　ボンディングワイヤ
　９１　　モジュール基板
　９１ａ、９１ｂ　　主面
　９１ｖ　　放熱ビア導体
　９２、９３　　樹脂部材
　９５Ｇ　　グランド電極層
　１０１、１０２　　送受信端子
　１１０、１３０　　送信入力端子
　１２０、１４０　　受信出力端子
　１５０　　外部接続端子

Claims

　第１周波数帯域に含まれる第１送信帯域の信号と、前記第１周波数帯域と異なる第２周波数帯域に含まれる第２送信帯域の信号とを同時送信する２アップリンクを実行可能な高周波モジュールであって、
　互いに対向する第１主面および第２主面を有するモジュール基板と、
　前記第１主面に配置された第１グランド金属部材と、
　第１電力増幅器および第２電力増幅器と、
　前記第１電力増幅器に接続され、前記第１送信帯域を通過帯域に含む第１送信フィルタと、
　前記第２電力増幅器に接続され、前記第２送信帯域を通過帯域に含む第２送信フィルタと、を備え、
　前記モジュール基板を平面視した場合、前記第１グランド金属部材は、前記第１主面に配置された第１送信部品と、前記第１主面に配置された第２送信部品との間に配置されており、
　前記第１送信部品は、
　（１）前記第１電力増幅器、
　（２）前記第１送信フィルタ、
　（３）前記第１電力増幅器と前記第１送信フィルタとの接続および非接続を切り替える第１スイッチ、
　（４）前記第１電力増幅器、前記第１送信フィルタおよび前記第１スイッチのいずれかに接続された第１インダクタ、および、
　（５）前記第１電力増幅器、前記第１送信フィルタおよび前記第１スイッチのいずれかに接続された第１キャパシタ、
　のいずれかであり、
　前記第２送信部品は、
　（１）前記第２電力増幅器、
　（２）前記第２送信フィルタ、
　（３）前記第２電力増幅器と前記第２送信フィルタとの接続および非接続を切り替える第２スイッチ、
　（４）前記第２電力増幅器、前記第２送信フィルタおよび前記第２スイッチのいずれかに接続された第２インダクタ、および、
　（５）前記第２電力増幅器、前記第２送信フィルタおよび前記第２スイッチのいずれかに接続された第２キャパシタ、
　のいずれかである、
　高周波モジュール。
　前記第１送信部品は、前記第１電力増幅器および前記第１インダクタのいずれかであり、
　前記第２送信部品は、前記第２電力増幅器および前記第２インダクタのいずれかである、
　請求項１に記載の高周波モジュール。
　前記第１電力増幅器、前記第２電力増幅器、前記第１送信フィルタ、前記第２送信フィルタ、前記第１スイッチ、前記第２スイッチ、前記第１インダクタ、および前記第２インダクタは、前記第１主面に配置されている、
　請求項１または２に記載の高周波モジュール。
　前記第１電力増幅器、前記第２電力増幅器、前記第１送信フィルタ、前記第２送信フィルタ、前記第１インダクタ、および前記第２インダクタは、前記第１主面に配置されており、
　前記第１スイッチおよび前記第２スイッチは、前記第２主面に配置されており、
　前記モジュール基板を平面視した場合、前記第１スイッチと前記第２スイッチとの間には、第２グランド金属部材が配置されている、
　請求項１または２に記載の高周波モジュール。
　前記第１スイッチおよび前記第２スイッチは、１つの半導体ＩＣに含まれており、
　前記第２グランド金属部材は、前記半導体ＩＣに形成されたビア導体である、
　請求項４に記載の高周波モジュール。
　前記第１電力増幅器は、前記第１主面に配置されており、
　前記第２電力増幅器は、前記第２主面に配置されている、
　請求項１または２に記載の高周波モジュール。
　前記第１電力増幅器の最大出力電力は、前記第２電力増幅器の最大出力電力よりも大きい、
　請求項６に記載の高周波モジュール。
　前記第２電力増幅器の最大出力電力は、前記第１電力増幅器の最大出力電力よりも大きい、
　請求項６に記載の高周波モジュール。
　前記モジュール基板を平面視した場合、前記第１電力増幅器と前記第２電力増幅器とは重なっていない、
　請求項６～８のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　さらに、
　前記第２主面に配置された低雑音増幅器を備える、
　請求項１～９のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　さらに、
　前記第１主面、前記第１送信部品、および前記第２送信部品の少なくとも一部を覆う樹脂部材と、
　前記樹脂部材の表面に形成され、グランド電位に設定された金属シールド層と、を備え、
　前記第１グランド金属部材は、前記第１主面から前記樹脂部材の表面に向けて立設された金属シールド板であり、
　前記金属シールド板は、前記第１主面のグランド電極および前記金属シールド層に接合されている、
　請求項１～１０のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記第１電力増幅器は、互いに対向する第１面および第２面を有し、
　前記第１面は前記第１主面と対面しており、
　前記第２面は、前記金属シールド層と接している、
　請求項１１に記載の高周波モジュール。
　前記第１グランド金属部材は、ボンディングワイヤであり、
　前記ボンディングワイヤは、前記第１主面のグランド電極に接合されている、
　請求項１～１０のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記モジュール基板と、
　前記第１グランド金属部材と、
　前記第１電力増幅器および前記第２電力増幅器と、
　第１マルチプレクサおよび第２マルチプレクサと、
　第１アンテナ接続端子、第２アンテナ接続端子、第１端子、および第２端子を有する第３スイッチと、を備え、
　前記第１マルチプレクサは、
　前記第１送信フィルタと、
　前記第１周波数帯域に含まれる第１受信帯域を通過帯域とする第１受信フィルタと、を有し、
　前記第２送信帯域を通過帯域とする送信フィルタを有さず、
　前記第２マルチプレクサは、
　前記第２送信フィルタと、
　前記第２周波数帯域に含まれる第２受信帯域を通過帯域とする第２受信フィルタと、を有し、
　前記第１送信帯域を通過帯域とする送信フィルタを有さず、
　前記第１端子は、前記第１送信フィルタの出力端子および前記第１受信フィルタの入力端子に接続されており、
　前記第２端子は、前記第２送信フィルタの出力端子および前記第２受信フィルタの入力端子に接続されており、
　前記第３スイッチにおいて、
　前記第１アンテナ接続端子と前記第１端子との導通、および、前記第１アンテナ接続端子と前記第２端子との導通が排他的に選択され、前記第２アンテナ接続端子と前記第１端子との導通、および、前記第２アンテナ接続端子と前記第２端子との導通が排他的に選択される、
　請求項１～１１のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記第１マルチプレクサは、さらに、前記第２受信帯域を通過帯域とする第４受信フィルタを有し、
　前記第２マルチプレクサは、さらに、前記第１受信帯域を通過帯域とする第３受信フィルタを有する、
　請求項１４に記載の高周波モジュール。
　前記第１送信帯域の送信信号、前記第２送信帯域の送信信号、ならびに前記第１周波数帯域および前記第２周波数帯域と異なる第３周波数帯域に含まれる第３送信帯域の送信信号のうちの２つの送信信号を同時送信する２アップリンク、および、前記第１周波数帯域に含まれる第１受信帯域の受信信号、前記第２周波数帯域に含まれる第２受信帯域の受信信号、ならびに前記第３周波数帯域に含まれる第３受信帯域の受信信号のうちの２つの受信信号を同時受信する２ダウンリンクが実行され、
　前記第１マルチプレクサは、さらに、
　前記第３送信帯域を通過帯域とする第５送信フィルタと、
　前記第３受信帯域を通過帯域とする第５受信フィルタと、を有し、
　前記第２マルチプレクサは、さらに、
　前記第３送信帯域を通過帯域とする第６送信フィルタと、
　前記第３受信帯域を通過帯域とする第６受信フィルタと、を有する、
　請求項１５に記載の高周波モジュール。
　請求項１～１６のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、
　前記高周波モジュールで送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、を備える、
　通信装置。