WO2019049647A1

WO2019049647A1 - 高周波モジュール

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Publication number: WO2019049647A1
Application number: PCT/JP2018/030701
Authority: WO
Inventors: 直也松本
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2017-09-07
Filing date: 2018-08-20
Publication date: 2019-03-14
Also published as: US10972069B2; US20200204144A1

Abstract

通信性能の向上を図る。基板（２）は、定電位を与えられる導体部（２３）を有する。第１通信部（３）は、第１周波数帯域における第１信号を送信する。第２通信部（４）は、第１周波数帯域よりも周波数が高く第１信号の高調波の少なくとも一部が重複する第２周波数帯域における第２信号の送信と第２周波数帯域における第３信号の受信との少なくとも一方を行う。導電性ワイヤ（５）の第１端（５１）及び第２端（５２）が導体部（２３）に接続されている。第２通信部（４）は、第２信号を通過させる送信フィルタ、第３信号を通過させる受信フィルタ、及び、第３信号を増幅するローノイズアンプの少なくとも１つを有する。導電性ワイヤ（５）は、第１通信部（３）におけるパワーアンプと、第２通信部（４）における送信フィルタ、受信フィルタ及びローノイズアンプの少なくとも１つと、の間に位置している。

Description

高周波モジュール

　本発明は、一般に高周波モジュールに関し、より詳細には、複数の周波数帯域での通信に用いられる高周波モジュールに関する。

　従来、高周波モジュールとして、マルチモード／マルチバンド対応又はキャリアアグリゲーション（Carrier Aggregation）対応の携帯電話等のフロントエンド部に配置され、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）等から入力された送信信号を増幅してアンテナ等に出力するモジュールが提案されている（特許文献１）。

　特許文献１に記載された高周波モジュールは、多層基板と、パワーアンプと、バイアス回路と、整合回路と、を備えている。パワーアンプは、ＲＦＩＣから入力端子に入力された所定の帯域（例えば、７００～８００ＭＨｚ帯）の高周波信号を増幅して、整合回路を介して出力端子から外部のアンテナに出力する。バイアス回路は、インダクタ及びコンデンサを含みパワーアンプにバイアス電圧を供給する回路である。整合回路は、パワーアンプの出力端子とパワーアンプの後段の回路（出力端子）との間に配置され、パワーアンプの出力インピーダンスと当該後段の回路とのインピーダンス整合を図る回路である。

特開２０１７－８４８９８号公報

　マルチモード／マルチバンド、キャリアアグリゲーション等に対応するために複数の通信部を備えた高周波モジュールでは、例えばローバンド対応の通信部のパワーアンプの高調波が、この高調波と少なくとも一部が重複する周波数帯域における送信と受信との少なくとも一方を行うミッドバンド対応の通信部へ回り込み（漏洩し）、通信性能が低下してしまうことがあり、通信性能の更なる向上が望まれている。

　本発明の目的は、通信性能の向上を図ることが可能な高周波モジュールを提供することにある。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、基板と、第１通信部と、第２通信部と、少なくとも１つの導電性ワイヤと、を備える。前記基板は、定電位を与えられる導体部を有する。前記第１通信部は、前記基板に設けられる。前記第１通信部は、第１周波数帯域における第１信号を送信する。前記第２通信部は、前記基板に設けられる。前記第２通信部は、前記第１周波数帯域よりも周波数が高く前記第１信号の高調波と少なくとも一部が重複する第２周波数帯域における第２信号の送信と前記第２周波数帯域における第３信号の受信との少なくとも一方を行う。前記少なくとも１つの導電性ワイヤは、第１端及び第２端を有する。前記少なくとも１つの導電性ワイヤの前記第１端及び前記第２端は、前記導体部に接続されている。前記第１通信部は、前記第１周波数帯域における高周波信号を増幅し、増幅された高周波信号を前記第１信号として出力するパワーアンプを有する。前記第２通信部は、前記第２信号を通過させる送信フィルタ、前記第３信号を通過させる受信フィルタ、及び、前記第３信号を増幅するローノイズアンプの少なくとも１つを有する。前記少なくとも１つの導電性ワイヤは、前記第１通信部及び前記第２通信部から離れている。前記少なくとも１つの導電性ワイヤは、前記第１通信部における前記パワーアンプと、前記第２通信部における前記送信フィルタ、前記受信フィルタ及び前記ローノイズアンプの少なくとも１つと、の間に位置している。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、通信性能の向上を図ることが可能となる。

図１は、本発明の一実施形態に係る高周波モジュールのレイアウト説明図である。図２は、同上の高周波モジュールを示し、図１のＸ－Ｘ線断面図である。図３は、同上の高周波モジュールの概略回路図である。図４Ａは、同上の高周波モジュールに関し、第１パワーアンプ及び第１整合回路を含む一部の概略回路図である。図４Ｂは、同上の高周波モジュールに関し、第２パワーアンプ及び第２整合回路を含む一部の概略回路図である。図５は、本発明の一実施形態の変形例１に係る高周波モジュールのレイアウト説明図である。図６は、本発明の一実施形態の変形例２に係る高周波モジュールのレイアウト説明図である。図７は、本発明の一実施形態の変形例３に係る高周波モジュールのレイアウト説明図である。図８は、本発明の一実施形態の変形例４に係る高周波モジュールのレイアウト説明図である。図９は、本発明の一実施形態の変形例５に係る高周波モジュールの回路図である。図１０は、同上の高周波モジュールを備える通信装置の回路図である。図１１は、同上の高周波モジュールのレイアウト説明図である。

　以下、一実施形態に係る高周波モジュールについて、図面を参照して説明する。

　以下の実施形態等において参照する図１、２、５～８及び１１は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

　（実施形態）
　（１）高周波モジュールの全体構成
　以下、実施形態に係る高周波モジュール１について、図面を参照して説明する。

　実施形態に係る高周波モジュール１は、図１に示すように、基板２と、第１通信部３と、第２通信部４と、を備える。第１通信部３及び第２通信部４は、基板２に設けられている。第１通信部３は、第１周波数帯域における第１信号を送信する。第１信号は、例えば、４Ｇ（Fourth Generation）の通信用（第４世代移動通信システム）の送信信号である。第２通信部４は、第１周波数帯域よりも高い第２周波数帯域における第２信号の送信を行う。第２信号は、例えば、２Ｇ（Second Generation）の通信用（第２世代移動通信システム）の送信信号である。第１周波数帯域と第２周波数帯域とは重複しない。

　基板２は、定電位（例えば、グラウンド電位）を与えられる導体部２３を有する。ここにおいて、「定電位」とは、一定の電位であり、例えば、グラウンド電位である。定電位は、例えば、０Ｖであるが、これに限らず、０Ｖ以外の電位であってもよい。基板２の導体部２３は、基板２の厚さ方向から見て、導体部２３が第１通信部３と第２通信部４との間で第１通信部３及び第２通信部４から離れている。高周波モジュール１は、導体部２３に電気的に接続されている複数（図示例では６つ）の導電性ワイヤ５を備える。複数の導電性ワイヤ５は、基板２上において第１通信部３と第２通信部４との間で第１通信部３及び第２通信部４から離れている。複数の導電性ワイヤ５は、第１端５１及び第２端５２を有する。複数の導電性ワイヤ５は、第１端５１及び第２端５２が導体部２３に接続されている。

　また、高周波モジュール１は、図３に示すように、第１入力端子１０１と、第２入力端子１０２と、アンテナ端子１０３と、出力端子１０４と、制御端子１０５と、を更に備える。第１入力端子１０１及び第２入力端子１０２は、例えば、外部のＲＦ信号処理回路４０１に接続され、ＲＦ信号処理回路４０１からの高周波信号（送信信号）を受け取るための端子である。ＲＦ信号処理回路４０１は、例えばＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波信号に対する信号処理を行う。ＲＦ信号処理回路４０１は、例えば、ベースバンド信号処理回路４０２から出力された高周波信号（送信信号）に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を第１入力端子１０１へ出力する。ベースバンド信号処理回路４０２は、例えばＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）であり、外部からの送信信号に対する所定の信号処理を行う。アンテナ端子１０３は、外部のアンテナ４０３に接続される端子である。出力端子１０４は、外部装置（例えば、アンテナ４０３とは別のアンテナ）に接続され、第２通信部４からの第２信号を外部装置に出力するための端子である。制御端子１０５は、例えば、ベースバンド信号処理回路４０２に接続され、ベースバンド信号処理回路から制御信号を受け取るための端子である。上述のＲＦ信号処理回路４０１、ベースバンド信号処理回路４０２及びアンテナ４０３は、高周波モジュール１の構成要素ではない。

　また、高周波モジュール１では、第１通信部３が、第１パワーアンプ３１と、第１整合回路６と、を含む。また、高周波モジュール１では、第２通信部４が、第２パワーアンプ４１と、送信フィルタを兼ねる第２整合回路７と、を含む。高周波モジュール１は、複数（例えば３つ）のフィルタ８と、第１スイッチ回路９と、第２スイッチ回路１０と、第１バイアス回路１２（図４Ａ参照）と、第２バイアス回路１３（図４Ｂ参照）と、制御回路１１と、を更に備える。

　第１整合回路６は、第１通信部３における第１パワーアンプ３１とアンテナ端子１０３との間に設けられているインピーダンスマッチング回路であって、第１パワーアンプ３１と第２スイッチ回路１０との間に設けられている。

　第２整合回路７は、第２通信部４における第２パワーアンプ４１と出力端子１０４との間に設けられているインピーダンスマッチング回路である。第２整合回路７は、第２信号を通過させる送信フィルタを兼ねている。

　複数のフィルタ８の各々は、第１通信部３とアンテナ端子１０３との間において、第１通信部３に接続された第２スイッチ回路１０とアンテナ端子１０３に接続された第１スイッチ回路９との間に設けられている。

　第１スイッチ回路９は、複数のフィルタ８のうちアンテナ端子１０３に接続するフィルタ８を切り替えるためのスイッチ回路である。

　第２スイッチ回路１０は、複数のフィルタ８のうち第１整合回路６に接続するフィルタ８を切り替えるためのスイッチ回路である。

　第１バイアス回路１２（図４Ａ参照）は、制御回路１１から第１通信部３へ第１通信部３における第１パワーアンプ３１の動作電圧Ｖcc1（第１バイアス電圧）を供給するための回路である。

　第２バイアス回路１３（図４Ｂ参照）は、制御回路１１から第２通信部４へ第２通信部４における第２パワーアンプ４１の動作電圧Ｖcc2（第２バイアス電圧）を供給するための回路である。

　制御回路１１は、図３に示すように制御端子１０５に接続されており、制御端子１０５から入力された制御信号に基づいて、第１通信部３、第２通信部４、第１スイッチ回路９及び第２スイッチ回路１０を制御する。制御回路１１は、例えば、第１バイアス回路１２を介して第１通信部３における第１パワーアンプ３１へ供給する動作電圧Ｖcc1の電圧値を変えることにより第１通信部３を制御する。また、制御回路１１は、例えば、第２バイアス回路１３を介して第２通信部４における第２パワーアンプ４１へ供給する動作電圧Ｖcc2の電圧値を変えることにより第２通信部４を制御する。

　また、高周波モジュール１は、基板２の第１主面２１側において、基板２の第１主面２１に実装されている複数の電子部品及び複数の導電性ワイヤ５等を覆うカバー層１４（図２参照）を更に備えている。ここにおいて、複数の電子部品は、上述の第１通信部３、第２通信部４、複数のフィルタ８、第１スイッチ回路９、第２スイッチ回路１０、制御回路１１、第１バイアス回路１２及び第２バイアス回路１３等の構成部品を含む。

　以上説明した高周波モジュール１は、第１通信部３がアンテナ端子１０３に接続され、第２通信部４が出力端子１０４に接続されているので、第１通信部３から第１周波数帯域における第１信号を第１伝送路３０１を介して送信するときに、第２通信部４から第２周波数帯域における第２信号を第２伝送路３０２を介して送信することができる。図１では、第１伝送路３０１及び第２伝送路３０２それぞれの一部のみ図示してある。

　（２）高周波モジュールの各構成要素
　次に、高周波モジュール１の各構成要素について、図面を参照して説明する。

　（２．１）第１通信部の第１パワーアンプ及び第２通信部のパワーアンプ
　第１通信部３は、４Ｇの通信用のパワーアンプである第１パワーアンプ３１（図４Ａ参照）を含む。４Ｇの規格は、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格（ＬＴＥ：Long Term Evolution）である。第１通信部３から送信される第１信号の周波数帯域は、ＬＴＥ規格のローバンド（６９８ＭＨｚ－９６０ＭＨｚ）に含まれている。第２通信部４は、２Ｇの通信用の第２パワーアンプ４１を含む。２Ｇの規格は、例えば、ＧＳＭ（登録商標）規格（ＧＳＭ：Global System for Mobile Communications）である。第２通信部４から送信される第２信号の周波数帯域は、ＧＳＭ（登録商標）規格の１８００ＭＨｚ帯であるＢａｎｄ３（１７１０ＭＨｚ－１７８５ＭＨｚ）に含まれている。

　図３に示すように、第１パワーアンプ３１の入力端は、第１入力端子１０１に電気的に接続されている。また、第１パワーアンプ３１の出力端３１１（図１参照）は、アンテナ端子１０３に電気的に接続されている。より詳細には、第１パワーアンプ３１の出力端３１１は、第１整合回路６、第２スイッチ回路１０、３つのフィルタ８のうちの１つのフィルタ８及び第１スイッチ回路９等を介してアンテナ端子１０３に接続されている。第１パワーアンプ３１は、例えば、ＲＦ信号処理回路４０１から第１入力端子１０１を介して入力端に入力された高周波信号（送信信号）を増幅し、増幅された高周波信号からなる第１信号を出力端３１１から出力する。第１パワーアンプ３１は、第１周波数帯域に含まれ互いに帯域の異なる複数（例えば、３つ）の通信バンドの高周波信号を増幅することができるマルチバンドパワーアンプである。以下では、３つの通信バンドを区別する場合、３つの通信バンドを、それぞれ、第１通信バンド、第２通信バンド及び第３通信バンドと称する。第１通信バンドは、例えば、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ８（８８０ＭＨｚ－９１５ＭＨｚ）である。第２通信バンドは、例えば、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ２０（８３２ＭＨｚ－８６２ＭＨｚ）、である。第３通信バンドは、例えば、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ５（８２４ＭＨｚ－８４９ＭＨｚ）である。第１パワーアンプ３１は、第１通信バンド、第２通信バンド及び第３通信バンドのいずれかの高周波信号を増幅し、増幅された高周波信号からなる第１信号を出力端３１１から出力する。

　第１パワーアンプ３１は、図４Ａに示すように、ｎｐｎ型のトランジスタ３１０を含む。第１パワーアンプ３１では、トランジスタ３１０のベースが第１入力端子１０１に接続され、コレクタが第１伝送路３０１に接続されるとともに第１バイアス回路１２を介して制御回路１１に接続され、エミッタが接地されている。第１パワーアンプ３１では、トランジスタ３１０のコレクタが、第１パワーアンプ３１の出力端３１１（図１参照）を構成している。トランジスタ３１０は、ベースに入力された高周波信号を、制御回路１１から第１バイアス回路１２を介して供給される第１動作電圧Ｖcc1に応じた増幅率で増幅し、増幅された高周波信号からなる第１信号を第１伝送路３０１へ出力する。

　図３に示すように、第２パワーアンプ４１の入力端は、第２入力端子１０２に接続されている。また、第２パワーアンプ４１の出力端４１１（図１参照）は、出力端子１０４に接続されている。より詳細には、第２パワーアンプ４１の出力端４１１は、第２整合回路７を介して出力端子１０４に接続されている。第２パワーアンプ４１は、例えば、ＲＦ信号処理回路４０１から第２入力端子１０２を介して入力端に入力された高周波信号（送信信号）を増幅し、増幅された高周波信号からなる第２信号を出力端４１１から出力する。

　第２パワーアンプ４１は、図４Ｂに示すように、ｎｐｎ型のトランジスタ４１０を含む。第２パワーアンプ４１では、トランジスタ４１０のベースが第２入力端子１０２に接続され、コレクタが第２伝送路３０２に接続されるとともに第２バイアス回路１３を介して制御回路１１に接続され、エミッタが接地されている。第２パワーアンプ４１では、トランジスタ４１０のコレクタが、第２パワーアンプ４１の出力端４１１（図１参照）を構成している。トランジスタ４１０は、ベースに入力された高周波信号を、制御回路１１から第２バイアス回路１３を介して供給される第２動作電圧Ｖcc2に応じた増幅率で増幅し、増幅された高周波信号からなる第２信号を第２伝送路３０２へ出力する。

　（２．２）第１通信部の第１整合回路及び第２通信部の第２整合回路
　第１整合回路６は、第１整合回路６の前段に設けられた第１パワーアンプ３１の出力インピーダンスと第１整合回路６の後段に設けられる回路の入力インピーダンスとを整合させるためのインピーダンスマッチング回路である。より詳細には、第１整合回路６は、第１パワーアンプ３１と第２スイッチ回路１０との間に設けられており、第１パワーアンプ３１から見たアンテナ端子１０３側の第１周波数帯域でのインピーダンスを例えば５０Ωに調整する。第１整合回路６は、その構成要素として、例えば、インダクタ及びコンデンサを含む。第１整合回路６のインダクタは、例えば、チップインダクタである。第１整合回路６のコンデンサは、例えば、チップコンデンサである。

　第２整合回路７は、第２整合回路７の前段に設けられた第２パワーアンプ４１の出力インピーダンスと第２整合回路７の後段に設けられる回路の入力インピーダンスとを整合させるための回路である。より詳細には、第２整合回路７は、第２パワーアンプ４１と出力端子１０４との間に設けられており、第２パワーアンプ４１から見た出力端子１０４側の第２周波数帯域でのインピーダンスを例えば５０Ωに調整する。第２整合回路は、例えば、インダクタ及びコンデンサを含む。第２整合回路７のインダクタは、例えば、チップインダクタである。第２整合回路７のコンデンサは、例えば、チップコンデンサである。第２整合回路７は、第２パワーアンプ４１から出力される第２信号を通過する送信フィルタを兼ねている。

　（２．３）フィルタ
　複数（例えば、３つ）のフィルタ８の各々は、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタである。以下では、３つのフィルタ８を区別する場合、３つのフィルタ８を、それぞれ、第１フィルタ８１、第２フィルタ８２及び第３フィルタ８３と称する。第１フィルタ８１は、上述の第１バンドを少なくとも含む通過帯域を有し、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。第２フィルタ８２は、上述の第２バンドを少なくとも含む通過帯域を有し、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。第３フィルタ８３は、上述の第３バンドを少なくとも含む通過帯域を有し、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。要するに、複数のフィルタ８は、互いに異なる通過帯域を有している。複数のフィルタ８は、入力端子及び出力端子を有している。フィルタ８の入力端子は、第２スイッチ回路１０に接続されている。フィルタ８の出力端子は、第１スイッチ回路９に接続されている。

　高周波モジュール１では、制御回路１１が第１スイッチ回路９を制御することによって、複数のフィルタ８のいずれか１つのフィルタ８の出力端子をアンテナ端子１０３に接続する。また、高周波モジュール１では、制御回路１１が第２スイッチ回路１０を制御することによって複数のフィルタ８のいずれか１つのフィルタ８の入力端子を第１整合回路６に接続する。

　（２．４）第１スイッチ回路及び第２スイッチ回路
　第１スイッチ回路９は、複数のフィルタ８（の出力端子）に一対一に接続される複数の被選択端子と、アンテナ端子１０３に接続される１つの共通端子と、を有する。第２スイッチ回路１０は、第１整合回路６に接続される共通端子と、複数のフィルタ８（の入力端子）に一対一に接続される複数の被選択端子と、を有する。

　第１スイッチ回路９及び第２スイッチ回路１０の各々は、例えば、スイッチＩＣ（Integrated Circuit）である。スイッチＩＣは、複数（例えば、３つ）の半導体スイッチを備えている。より詳細には、スイッチＩＣは、共通端子と３つの被選択端子それぞれとの間に１つずつ接続された３つの半導体スイッチを備えている。各半導体スイッチは、例えば、ＦＥＴ（Field Effect Transistor）である。複数の半導体スイッチは、制御回路１１によって制御される。

　第１スイッチ回路９は、３つのフィルタ８のうちの１つのフィルタ８とアンテナ端子１０３とを接続するように、第１スイッチ回路９の３つの半導体スイッチが制御回路１１によって制御される。第２スイッチ回路１０は、３つのフィルタ８のうちの１つのフィルタ８と第１整合回路６とを接続するように、第２スイッチ回路１０の３つの半導体スイッチが制御回路１１によって制御される。第１スイッチ回路９は、ローバンド用アンテナスイッチである。第２スイッチ回路１０は、ローバンド用バンド切替スイッチである。

　（２．５）第１バイアス回路及び第２バイアス回路
　第１バイアス回路１２（図４Ａ参照）は、制御回路１１（図１及び３参照）から第１パワーアンプ３１に第１動作電圧Ｖcc1を供給するための回路である。第１バイアス回路１２は、第１チョークコイルＬ１及び第１コンデンサＣ１を含む。第１チョークコイルＬ１は、例えば、基板２内に設けられている薄膜インダクタである。第１チョークコイルＬ１の一端は、制御回路１１に電気的に接続されている。第１チョークコイルＬ１の他端は、第１パワーアンプ３１の出力端３１１（図１参照）に電気的に接続されている。より詳細には、第１チョークコイルＬ１の他端は、基板２のビア導体、基板２の第１導電層２４（２４１）及びボンディングワイヤ３１６等を介して第１パワーアンプ３１の出力端３１１と接続されている。第１チョークコイルＬ１の一端は、第１コンデンサＣ１を介して接地されている。

　第２バイアス回路１３（図４Ｂ参照）は、制御回路１１から第２パワーアンプ４１に第２動作電圧Ｖcc2を供給するための回路である。第２バイアス回路１３は、第２チョークコイルＬ２及び第２コンデンサＣ２を含む。第２チョークコイルＬ２は、例えば、基板２内に設けられている薄膜インダクタである。第２チョークコイルＬ２の一端は、制御回路１１に電気的に接続されている。第２チョークコイルＬ２の他端は、第２パワーアンプ４１の出力端４１１（図１参照）に電気的に接続されている。より詳細には、第２チョークコイルＬ２の他端は、基板２のビア導体、基板２の第１導電層２４（２４３）及びボンディングワイヤ４１６等を介して第２パワーアンプ４１の出力端４１１と接続されている。第２チョークコイルＬ２の一端は、第２コンデンサＣ２を介して接地されている。

　（２．６）制御回路
　制御回路１１は、図３に示すように、制御端子１０５を介して外部装置（例えば、ベースバンド信号処理回路４０２）から制御信号を受け取り、制御信号に基づいて第１通信部３、第２通信部４、第１スイッチ回路９及び第２スイッチ回路１０のそれぞれを制御する。例えば、制御回路１１は、第１パワーアンプ３１を制御することにより、第１入力端子１０１から第１パワーアンプ３１に入力される高周波信号（第１周波数帯域に含まれる複数の通信バンドのうちの１つの通信バンドの高周波信号）を第１パワーアンプ３１に増幅させる。また、制御回路１１は、第１スイッチ回路９及び第２スイッチ回路１０のそれぞれを制御することにより、アンテナ端子１０３及び第１パワーアンプ３１を、複数のフィルタ８のうちの特定のフィルタ８に接続させる。制御回路１１は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）である。

　（２．７）基板
　基板２は、第１通信部３、第２通信部４、複数のフィルタ８、第１スイッチ回路９、第２スイッチ回路１０、制御回路１１、第１バイアス回路１２及び第２バイアス回路１３等の構成部品を実装するための基板である。

　基板２は、例えば、積層基板である。積層基板は、例えば、プリント配線板である。基板２は、図２に示すように、高周波モジュール１の所定方向（以下、第１方向Ｄ１ともいう）において互いに反対側にある第１主面２１及び第２主面２２を有する。より詳細には、基板２は、板状に形成されており、その厚さ方向において互いに反対側にある第１主面２１及び第２主面２２を有する。第１主面２１及び第２主面２２は、互いに背向する。図１に示すように、基板２の平面視形状（基板２をその厚さ方向から見たときの外周形状）は、例えば、長方形状である。基板２の平面サイズは、例えば、６ｍｍ×８ｍｍである。この場合、基板２では、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２に沿った短辺の長さが６ｍｍ、第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２とに直交する第３方向Ｄ３に沿った長辺の長さが８ｍｍである。

　基板２は、図２に示すように、複数（図２では、２つ）の電気絶縁層２０を有する。複数の電気絶縁層２０は、第１方向Ｄ１において積層されている。複数の電気絶縁層２０の材料は、例えば、樹脂である。以下では、２つの電気絶縁層２０のう基板２の第１主面２１側の電気絶縁層２０を第１電気絶縁層２０１、第２主面２２側の電気絶縁層２０を第２電気絶縁層２０２ということもある。

　基板２は、第１電気絶縁層２０１における第２電気絶縁層２０２側とは反対の表面２０１１に、複数の第１導電層２４が形成されている。基板２では、複数の第１導電層２４のうち第１電気絶縁層２０１に接しないで露出している面と、第１電気絶縁層２０１の表面２０１１のうち複数の第１導電層２４により覆われずに露出している部位と、で基板２の第１主面２１を構成する。各第１導電層２４の材料は、例えば、Ｃｕである。要するに、各第１導電層２４は、Ｃｕ層である。図２では、複数の第１導電層２４のうち、上述の定電位（例えば、グラウンド電位）を与えられる導体部２３を構成する第１導電層２４（２４０）、第１バイアス回路１２の第１チョークコイルＬ１と第１通信部３の出力端とを接続する第１配線層を構成する第１導電層２４（２４１）、第１通信部３における第１パワーアンプ３１の出力端と第１整合回路６とを接続し第１伝送路３０１の一部を構成する第１導電層２４（２４２）、第２バイアス回路１３の第２チョークコイルＬ２と第２整合回路７とを接続する第２配線層を構成する第１導電層２４（２４３）、第２通信部４における第２パワーアンプ４１の出力端と第２整合回路７とを接続し第２伝送路３０２の一部を構成する第１導電層２４（２４４）のみを図示してある。

　また、基板２は、第２電気絶縁層２０２における第１電気絶縁層２０１側とは反対の表面２０２１に、第２導電層２５が形成されている。第２導電層２５の材料は、例えば、Ｃｕである。要するに、第２導電層２５は、Ｃｕ層である。基板２では、第２電気絶縁層２０２のうち露出している部位が、基板２の第２主面２２の一部を構成する。

　また、基板２は、第１電気絶縁層２０１と第２電気絶縁層２０２との間に配置された第３導電層２６を有する。第３導電層２６の材料は、Ｃｕである。要するに、第３導電層２６は、Ｃｕ層である。基板２は、第１電気絶縁層２０１を貫通し導体部２３と第３導電層２６との間に介在する複数（例えば２つ）の第１ビア導体２７と、第２電気絶縁層２０２を貫通し第３導電層２６と第２導電層２５との間に介在する複数（図示例では３つ）の第２ビア導体２８と、を有する。これにより、基板２では、導体部２３が第２導電層２５に電気的に接続されている。高周波モジュール１は、例えば、回路基板に実装して用いる場合に、第２導電層２５が回路基板のグラウンドと電気的に接続されることにより、導体部２３の電位がグラウンド電位となる。つまり、高周波モジュール１は、第２導電層２５がグラウンド電極として利用されることにより、導体部２３の電位がグラウンド電位となる。

　導体部２３は、図１に示すように、基板２の厚さ方向から見て直線状であり、第１方向Ｄ１（図２参照）と直交する第２方向Ｄ２の中央において、第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２とに直交する第３方向Ｄ３に沿って配置されている。第３方向Ｄ３における導体部２３の長さは、例えば、基板２の第３方向Ｄ３の長さの略半分である。第２方向Ｄ２における導体部２３の幅は、第１通信部３と第２通信部４との間隔よりも短く、かつ、導電性ワイヤ５の線径よりも長い（導電性ワイヤ５における導体部２３との接合部よりも長い）。

　（２．８）導体性ワイヤ
　導電性ワイヤ５は、例えばワイヤボンディング技術で利用される金属線である。したがって、導電性ワイヤ５は、各ボンディングワイヤ３１６、４１６と同じ金属線を採用することができ、ワイヤボンディング装置を利用して導体部２３に接続することができる。導電性ワイヤ５としては、例えば、Ａｕワイヤ、Ａｌワイヤ、Ｃｕワイヤ、ＰｄコートのＣｕワイヤ等を採用することができる。高周波モジュール１では、図１及び２に示すように、第１方向Ｄ１と直交する第２方向Ｄ２において、第１通信部３と第２通信部４との間で基板２の導体部２３上に複数（図示例では６つ）の導電性ワイヤ５が配置されている。したがって、高周波モジュール１では、導電性ワイヤ５が、第１通信部３における第１パワーアンプ３１（パワーアンプ）と、第２通信部４における第２整合回路７（送信フィルタ）と、の間に位置している。第２方向Ｄ２において、複数の導電性ワイヤ５は、第１通信部３及び第２通信部４から離れている。各導電性ワイヤ５は、その両端（第１端５１及び第２端５２）が基板２の導体部２３に直接接続されている。これにより、各導電性ワイヤ５は、導体部２３に電気的に接続されている。複数の導電性ワイヤ５は、第３方向Ｄ３において略等間隔で配置されている。ここでいう「略等間隔」とは、厳密に同じ間隔でなくてもよく、所定の範囲内の間隔であればよい。複数の導電性ワイヤ５が全体として、第３方向Ｄ３において導体部２３の第１端２３１から第２端２３２に亘って配置されている。

　導電性ワイヤ５は、アーチ状に形成されており、第３方向Ｄ３に沿った方向において互いに離れている第１端５１及び第２端５２と、第１端５１と第２端５２との間の一部であって第１方向Ｄ１において基板２の第１主面２１から離れている頂部５３と、を有する。高周波モジュール１では、第１方向Ｄ１における基板２の第１主面２１と導電性ワイヤ５の頂部５３との距離が、第１方向Ｄ１における基板２の第１主面２１と第１通信部３を構成する第１パワーアンプ３１の表面（基板２側とは反対の表面）との距離よりも長い。

　（２．９）カバー層
　カバー層１４は、図２に示すように、基板２の第１主面２１側に形成されている。図１では、カバー層１４の図示を省略してある。カバー層１４は、電気絶縁性を有する。カバー層１４は、複数の電子部品及び複数の導電性ワイヤ５を封止している。複数の電子部品は、第１通信部３、第２通信部４、複数のフィルタ８、第１スイッチ回路９、第２スイッチ回路１０、制御回路１１、第１バイアス回路１２及び第２バイアス回路１３等の構成部品を含む。カバー層１４の材料は、例えば、電気絶縁性の樹脂（例えば、エポキシ樹脂）である。

　（３）レイアウト
　高周波モジュール１では、基板２の第１主面２１上に、第１パワーアンプ３１、第２パワーアンプ４１、第１整合回路６の構成部品、第２整合回路７の構成部品、複数のフィルタ８、第１スイッチ回路９、第２スイッチ回路１０及び制御回路１１が図１に例示しているレイアウトで配置されている。図１では、第１バイアス回路１２（図４Ａ参照）については、基板２に内蔵されている第１チョークコイルＬ１のみが破線で図示されている。また、第２バイアス回路１３（図４Ｂ参照）については、基板２に内蔵されている第２チョークコイルＬ２のみが破線で図示されている。

　高周波モジュール１では、第２方向Ｄ２において、第１通信部３と第２通信部４とが互いに離れている。また、高周波モジュール１では、第２方向Ｄ２において第１チョークコイルＬ１と第２チョークコイルＬ２とが互いに離れている。また、高周波モジュール１では、第１伝送路３０１の一部を構成する第１導電層２４（２４２）と第２伝送路３０２の一部を構成する第１導電層２４（２４４）とが互いに離れている。また、高周波モジュール１では、第２方向Ｄ２において第１整合回路６と第２整合回路７とが互いに離れてている。

　高周波モジュール１では、第３方向Ｄ３において、第１チョークコイルＬ１、第１導電層２４（２４１）、第１導電層２４（２４２）及び第１整合回路６が、この順に沿って並んでいる。ここで、第１整合回路６は、第３方向Ｄ３において第１通信部３から離れている。

　また、高周波モジュール１では、第３方向Ｄ３において、第２チョークコイルＬ２、第１導電層２４（２４３）、第１導電層２４（２４４）及び第２整合回路７が、この順に沿って並んでいる。ここで、第２整合回路７は、第３方向Ｄ３において第２通信部４から離れている。

　高周波モジュール１では、導体部２３は、第１通信部３（における第１パワーアンプ３１）と第２通信部４（における送信フィルタ）との間において第１パワーアンプ３１よりも広い範囲にわたって配置されている。ここで、導体部２３は、第１チョークコイルＬ１、第１通信部３、第１導電層２４（２４２）及び第１整合回路６を含む第１群と、第２チョークコイルＬ２、第２通信部４、第１導電層２４（２４４）及び第２整合回路７を含む第２群と、の間に位置している。

　複数のフィルタ８、第１スイッチ回路９、第２スイッチ回路１０及び制御回路１１は、第３方向Ｄ３において導体部２３から離れている。

　高周波モジュール１では、複数の導電性ワイヤ５が第３方向Ｄ３において並んでいる。ここで、各導電性ワイヤ５は、第１端５１と第２端５２とが第３方向Ｄ３において並んでいる。

　（４）効果
　実施形態に係る高周波モジュール１は、基板２と、第１通信部３と、第２通信部４と、導電性ワイヤ５と、を備える。基板２は、定電位を与えられる導体部２３を有する。ここにおいて、「定電位」とは、一定の電位であり、例えば、グラウンド電位である。定電位は、例えば、０Ｖであるが、これに限らず、０Ｖ以外の電位であってもよい。第１通信部３は、基板２に設けられる。第１通信部３は、第１周波数帯域における第１信号を送信する。第２通信部４は、基板２に設けられる。第２通信部４は、第１周波数帯域よりも高く第１信号の高調波と少なくとも一部が重複する第２周波数帯域における第２信号の送信を行う。導電性ワイヤ５は、第１端５１及び第２端５２を有する。導電性ワイヤ５の第１端５１及び第２端５２は、導体部２３に接続されている。第１通信部３は、第１周波数帯域における高周波信号を増幅し、増幅された高周波信号を第１信号として出力するパワーアンプ（第１パワーアンプ３１）を有する。第２通信部４は、第２信号を通過させる送信フィルタ（第２整合回路７）を有する。導電性ワイヤ５は、第１通信部３及び第２通信部４から離れている。導電性ワイヤ５は、第１通信部３におけるパワーアンプと、第２通信部４における送信フィルタと、の間に位置している。これにより、実施形態に係る高周波モジュール１では、第１通信部３から第１信号を送信するときに第１通信部３から第２通信部４側へ放射される第１信号の高調波を導電性ワイヤ５により減衰させることが可能となる。したがって、本実施形態に係る高周波モジュール１は、例えば第１通信部３による第１信号の送信を行うときに、第１信号の高調波が第２通信部４の第２整合回路７（送信フィルタ）を通過して出力端子１０４に接続されている外部装置（アンテナ４０３とは別のアンテナ）から不要輻射が出てしまうことを抑制でき、通信性能の向上を図ることが可能となる。この点について更に説明すると、実施形態に係る高周波モジュール１では、第１通信部３から放射される第１信号の高調波が第２通信部４に接続された第２伝送路３０２（のうち第２通信部４と第２整合回路７との間の部分）に回り込む（漏洩する）のを抑制することが可能となり、通信性能の向上を図ることが可能となる。また、実施形態に係る高周波モジュール１では、第１信号の高調波を減衰させる導電性ワイヤ５に関し、導電性ワイヤ５の第１端５１及び第２端５２のみを導体部２３に接続すればよいので、導電性ワイヤ５の形状の自由度が高い。

　また、実施形態に係る高周波モジュール１では、平面視において、導体部２３は、第１通信部３の第１パワーアンプ３１と第２通信部４の第２整合回路７（送信フィルタ）との間において第１パワーアンプ３１よりも広い範囲にわたって配置されている。ここでは、導体部２３は、第１通信部３の第１パワーアンプ３１と第２通信部４の第２整合回路７（送信フィルタ）との並んでいる方向に交差する方向において第１パワーアンプ３１よりも広い範囲にわたって配置されている。これにより、実施形態に係る高周波モジュール１では、第１通信部３から第１信号を送信するときの第１信号の高調波が第２通信部４の第２整合回路７（送信フィルタ）の入力側へ到達しにくくなって、結果的に第１信号の高調波が送信フィルタを通過しにくくなるから、通信性能の更なる向上を図ることが可能となる。

　また、実施形態に係る高周波モジュール１は、導電性ワイヤ５を複数備える。これにより、実施形態に係る高周波モジュール１では、第１通信部３から第２通信部４側へ放射される第１信号の高調波を、より減衰させることが可能となる。また、本実施形態に係る高周波モジュール１は、導電性ワイヤ５が１本である場合に比べて、基板２の厚さ方向における基板２と導電性ワイヤ５の頂部５３との距離をより短くすることが可能となり、基板２の厚さ方向に沿った方向における高周波モジュール１の低背化を図れるという利点もある。

　また、実施形態に係る高周波モジュール１では、複数の導電性ワイヤ５は、第１通信部３と第２通信部４との並んでいる方向（第２方向Ｄ２）に交差する方向（第３方向Ｄ３）に沿って配置されている。ここにおいて、複数の導電性ワイヤ５は、第１通信部３の第１パワーアンプ３１と第２通信部４における送信フィルタ（第２整合回路７）との並んでいる方向に交差する方向に沿って配置されている。これにより、実施形態に係る高周波モジュール１は、第１通信部３から第２通信部４側へ放射される第１信号の高調波が第２通信部４側（例えば、第２通信部４に接続されている第２伝送路３０２のうち第２通信部４と送信フィルタを兼ねる第２整合回路７とを接続している部分）へ回り込む（漏洩する）のをより抑制することが可能となる。

　また、実施形態に係る高周波モジュール１では、第１通信部３は、入力された第１周波数帯域の高周波信号を増幅し、増幅された高周波信号を第１信号として出力する第１パワーアンプ３１を含む。また、高周波モジュール１は、第１パワーアンプ３１に第１パワーアンプ３１の動作電圧Ｖcc1を供給する第１バイアス回路１２を更に備える。第１バイアス回路１２は、第１パワーアンプ３１の出力端３１１に接続される第１チョークコイルＬ１を含む。導電性ワイヤ５は、第１チョークコイルＬ１、第１通信部３における第１パワーアンプ３１及び第１整合回路６を含む第１群と、第２通信部４における第２パワーアンプ４１及び第２整合回路７（送信フィルタ）を含む第２群と、の間に配置されている。導電性ワイヤ５は、第１群と第２群の間に、第１チョークコイルＬ１に隣接するように配置されてもよい。実施形態に係る高周波モジュール１は、第１パワーアンプ３１の出力端３１１付近から放射される不要輻射が第２通信部４における送信フィルタ（第２整合回路７）側へ回り込む（漏洩する）のをより効果的に抑制することが可能となる。第１群では、基板２の第１主面２１上に第１パワーアンプ３１が実装される一方で第１チョークコイルＬ１が基板２に内蔵されている場合のように、基板２の厚さ方向において第１パワーアンプ３１と第１チョークコイルＬ１とが互いに異なる面内にあってもよい。

　本実施形態に係る高周波モジュール１では、第２周波数帯域は、第１信号の周波数の逓倍の周波数を含む。これにより、高周波モジュール１では、第１通信部３が第１信号を送信するときに発生する不要輻射（第１信号の周波数の逓倍の周波数を有する輻射）が第２通信部４の第２信号の送信に影響を与えるのをより効果的に抑制することが可能となる。　　　

　本実施形態に係る高周波モジュール１では、第１通信部３は、入力された第１周波数帯域の高周波信号（第１高周波信号）を増幅し、増幅された高周波信号（第１高周波信号）を第１信号として出力する第１パワーアンプ３１を含む。第２通信部４は、入力された第２周波数帯域の高周波信号（第２高周波信号）を増幅し、増幅された高周波信号（第２高周波信号）を第２信号として出力する第２パワーアンプ４１を含む。これにより、高周波モジュール１では、第１信号及び第２信号それぞれの信号強度を高めることが可能となる。　

　（５）変形例
　（５．１）変形例１
　実施形態の変形例１に係る高周波モジュール１ａは、図５に示すように、基板２に導体部２３を複数（例えば２つ）設けてある点で、実施形態に係る高周波モジュール１と相違する。変形例１に係る高周波モジュール１ａに関し、実施形態に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

　変形例１に係る高周波モジュール１ａでは、第３方向Ｄ３における導体部２３の長さが、実施形態に係る高周波モジュール１（図１参照）の導体部２３の長さの略半分である。２つの導体部２３は、第２導電層２５（図２参照）と電気的に接続されている。したがって、２つの導体部２３は、同電位となる。

　変形例１に係る高周波モジュール１ａでは、２つの導体部２３が、第３方向Ｄ３において並んでいる。変形例１に係る高周波モジュール１ａでは、２つの導体部２３の長さが同じであり、２つの導体部２３の各々に３つの導電性ワイヤ５の第１端５１及び第２端５２が接続されている。

　（５．２）変形例２
　実施形態の変形例２に係る高周波モジュール１ｂは、図６に示すように、２つの導体部２３の長さを異ならせてある点で、変形例１の高周波モジュール１ａと相違する。変形例２に係る高周波モジュール１ｂに関し、実施形態に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

　変形例２に係る高周波モジュール１ｂでは、第３方向Ｄ３に並んでいる複数の導電性ワイヤ５のうち１つの導電性ワイヤ５（図６では、左から３番目の導電性ワイヤ５）が、２つの導体部２３に跨って配置されている。

　（５．３）変形例３
　実施形態の変形例３に係る高周波モジュール１ｃは、図７に示すように、第２方向Ｄ２における導体部２３の幅が、実施形態に係る高周波モジュール１（図１参照）における導体部２３の幅よりも大きい点で、実施形態に係る高周波モジュール１と相違する。変形例３に係る高周波モジュール１ｃに関し、実施形態に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

　変形例３に係る高周波モジュール１ｃでは、複数（１１個）の導電性ワイヤ５が第３方向Ｄ３を列方向として２列に並んで配置されている。変形例３に係る高周波モジュール１ｃでは、一方の列（図７では、下の列）の複数（６個）の導電性ワイヤ５のうち隣り合う２つの導電性ワイヤ５に跨るように他方の列（図７では、上の列）の複数（５個）の導電性ワイヤ５のうちの１つの導電性ワイヤ５が配置されている。

　（５．４）変形例４
　実施形態に係る高周波モジュール１では、第２通信部４は、第１周波数帯域よりも高く第１信号の高調波と少なくとも一部が重複する第２周波数帯域における第２信号の送信を行うように構成されている。これに対して、実施形態の変形例４に係る高周波モジュール１ｅでは、図８に示すように、第２通信部４ｅが、受信フィルタ４２と、ローノイズアンプ４３と、を含み、第２周波数帯域における第３信号の受信を行うように構成されていている。変形例４に係る高周波モジュール１ｅに関し、実施形態に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

　受信フィルタ４２は、第３信号を通過する。ローノイズアンプ４３は、入力端子及び出力端子を有する。第２通信部４ｅでは、ローノイズアンプ４３の入力端子に受信フィルタ４２が接続されている。ローノイズアンプ４３は、入力端子に入力された第２周波数帯域における第３信号を増幅し、増幅された第３信号を出力する。また、変形例４に係る高周波モジュール１ｅでは、第２通信部４ｅが第２パワーアンプ４１及び第２整合回路７（送信フィルタ）も含んでおり、第２信号の送信と第３信号の受信との両方を行うように構成されている。ここにおいて、変形例４に係る高周波モジュール１ｅは、例えば、キャリアアグリゲーション対応の携帯電話等のフロントエンド部に配置される。

　変形例４に係る高周波モジュール１ｅは、基板２と、第１通信部３と、第２通信部４と、導電性ワイヤ５と、を備える。基板２は、定電位を与えられる導体部２３を有する。第１通信部３は、基板２に設けられる。第１通信部３は、第１周波数帯域における第１信号を送信する。第２通信部４は、基板２に設けられる。第２通信部４は、第１周波数帯域よりも高く第１信号の高調波と少なくとも一部が重複する第２周波数帯域における第２信号の送信と第２周波数帯域における第３信号の受信とを行う。導電性ワイヤ５は、第１端５１及び第２端５２を有する。導電性ワイヤ５の第１端５１及び第２端５２が導体部２３に接続されている。第１通信部３は、第１周波数帯域における高周波信号を増幅し、増幅された高周波信号を前記第１信号として出力するパワーアンプ（第１パワーアンプ３１）を有する。第２通信部４は、第２信号を通過させる送信フィルタ（第２整合回路７）、第３信号を通過させる受信フィルタ４２、及び、第３信号を増幅するローノイズアンプ４３の少なくとも１つを有する。導電性ワイヤ５は、第１通信部３及び第２通信部４から離れている。導電性ワイヤ５は、第１通信部３における第１パワーアンプ３１と、第２通信部４における送信フィルタ（第２整合回路７）、受信フィルタ４２及びローノイズアンプ４３と、の間に位置している。

　変形例４に係る高周波モジュール１ｅでは、キャリアアグリゲーション動作で第１通信部３による第１信号の送信を行うときに、第１信号の高調波が、第２通信部４ｅの受信フィルタ４２を通過してローノイズアンプ４３に回り込む、或いは、第１信号の高調波が受信フィルタ４２を介さずに直接、ローノイズアンプ４３に回り込む、等によって受信感度が低下してしまうことを抑制でき、通信性能の向上を図ることが可能となる。

　変形例４に係る高周波モジュール１ｅでは、導電性ワイヤ５は、第１通信部３における第１パワーアンプ３１と、第２通信部４における送信フィルタ（第２整合回路７）、受信フィルタ４２及びローノイズアンプ４３と、の間に位置しているが、これに限らない。例えば、導電性ワイヤ５は、第１通信部３における第１パワーアンプ３１と、第２通信部４における送信フィルタ（第２整合回路７）、受信フィルタ４２及びローノイズアンプ４３の少なくとも１つと、の間に位置していればよい。

　また、変形例４に係る高周波モジュール１ｅは、第２信号の送信と第３信号の受信との両方を行うように構成されているが、第２信号の送信を行わないように構成されていてもよい。この場合は、変形例４に係る高周波モジュール１ｅにおける第２パワーアンプ４１及び第２整合回路７（送信フィルタ）は不要となる。

　（５．５）変形例５
　変形例５に係る高周波モジュール１ｆ及びそれを備える通信装置４００の回路構成について、図９～１１を参照して説明する。変形例５に係る高周波モジュール１ｆに関し、実施形態に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

　変形例５に係る高周波モジュール１ｆは、例えば、マルチバンド対応及びキャリアアグリゲーション対応の移動体通信機（例えば、携帯電話等）の高周波フロントエンド回路２５０を構成する。高周波モジュール１ｆは、２Ｇ規格のミッドバンドと、４Ｇ規格のローバンドと、に対応可能なモジュールである。

　高周波モジュール１ｆを備える通信装置４００は、ダウンリンク（Downlink）で複数（変形例５では２つ）の周波数帯域を同時に用いるキャリアアグリゲーション（ダウンリンク・キャリアアグリゲーション）に対応可能である。また、高周波モジュール１ｆを備える通信装置４００は、アップリンク（Uplink）で複数（変形例５では２つ）の周波数帯域を同時に用いるキャリアアグリゲーション（アップリンク・キャリアアグリゲーション）に対応可能である。

　２Ｇ規格は、例えば、ＧＳＭ（登録商標）規格である。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格である。ＧＳＭ（登録商標）規格のローバンドとしては、例えばＧＳＭ８５０がある。ＧＳＭ規格のミッドバンドとしては、ＧＳＭ１８００、ＧＳＭ１９００がある。ＧＳＭ８５０のアップリンク周波数は８２４．２ＭＨｚ－８４８．８ＭＨｚである。ＧＳＭ８５０のダウンリンク周波数は８６９．２ＭＨｚ－８９３．８ＭＨｚである。ＧＳＭ１９００のアップリンク周波数帯域は１８５０ＭＨｚ－１９１０ＭＨｚである。ＧＳＭのダウンリンク周波数帯域は１９３０ＭＨｚ－１９９０ＭＨｚである。３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のローバンドとしては、例えば、Ｂａｎｄ８がある。Ｂａｎｄ８のダウンリンク周波数帯域は、９２５ＭＨｚ－９６０ＭＨｚである。Ｂａｎｄ８のアップリンク周波数帯域は、８８０ＭＨｚ－９１５ＭＨｚである。３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のミッドバンドとしては、例えば、Ｂａｎｄ３がある。Ｂａｎｄ３のダウンリンク周波数帯域は、１８０５ＭＨｚ－１８８０ＭＨｚである。Ｂａｎｄ３のアップリンク周波数帯域は、１７１０ＭＨｚ－１７８５ＭＨｚである。

　高周波モジュール１ｆは、図９に示すように、第１パワーアンプ３１及び第１整合回路６を含む第１通信部３と、第２パワーアンプ４１及び第２整合回路７を含む第２通信部４と、第３パワーアンプ１５１及び第３整合回路１６を含む第３通信部１５と、を備える。

　高周波モジュール１ｆは、第１入力端子１０１（以下、第１ローバンド用信号入力端子１０１ともいう）と、第２入力端子１０２（以下、ミッドバンド用信号入力端子１０２ともいう）と、第３入力端子１０６（以下、第２ローバンド用信号入力端子１０６ともいう）と、アンテナ端子１０３（以下、ローバンド用アンテナ端子１０３ともいう）と、出力端子１０４ｆ（以下、バイパス端子１０４ｆともいう）と、を備える。また、高周波モジュール１ｆは、複数のローバンド用信号出力端子Ｔ８１、Ｔ８２、Ｔ８３を更に備えている。

　第１パワーアンプ３１は、入力された４Ｇ規格のローバンド（例えば、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ８）の高周波信号を増幅し、増幅された高周波信号を第１信号として出力する。

　第２パワーアンプ４１は、入力された２Ｇ規格のミッドバンド（例えば、ＧＳＭ１８００又はＧＳＭ１９００）の高周波信号を増幅し、増幅された高周波信号を第２信号として出力する。

　第３パワーアンプ１５１は、入力された２Ｇ規格のローバンド（例えば、ＧＳＭ８５０）の高周波信号を増幅し、増幅された高周波信号を出力する。

　ローバンド用アンテナ端子１０３は、アンテナ４０３（図１０参照）に電気的に接続される。

　バイパス端子１０４ｆは、第２整合回路７（送信フィルタ）を介して第２パワーアンプ４１と電気的に接続されている。

　第１スイッチ回路９ｆ（以下、ローバンド用アンテナスイッチ９ｆともいう）、第１パワーアンプ３１及び第３パワーアンプ１５１とローバンド用アンテナ端子１０３との間に設けられている。ローバンド用アンテナスイッチ９ｆは、１つの共通端子９０と、複複（４つ）の被選択端子９１～９４と、を有する。ローバンド用アンテナスイッチ９ｆの共通端子９０は、ローバンド用アンテナ端子１０３と接続されている。

　第１整合回路６は、第１パワーアンプ３１とローバンド用アンテナスイッチ９ｆの被選択端子９１～９３との間に設けられている。ここにおいて、高周波モジュール１ｆは、第１整合回路６とローバンド用アンテナスイッチ９ｆとの間に、第２スイッチ回路１０（以下、ローバンド用バンド切替スイッチ１０ともいう）と、複数（３つ）のローバンド用デュプレクサ８１ｆ、８２ｆ、８３ｆと、を備えている。このため、第１整合回路６は、詳細には、第１パワーアンプ３１とローバンド用バンド切替スイッチ１０との間に設けられている。第１整合回路６は、第１整合回路６の前段に設けられる回路の出力インピーダンスと第１整合回路６の後段に設けられる回路の入力インピーダンスとを整合させるためのインピーダンスマッチング回路である。

　第２整合回路７は、第２パワーアンプ４１とバイパス端子１０４ｆとの間に設けられている。第２整合回路７は、第２整合回路７の前段に設けられる回路の出力インピーダンスと第２整合回路７の後段に設けられる回路の入力インピーダンスとを整合させるためのインピーダンスマッチング回路である。

　第３整合回路１６は、第３パワーアンプ１５１とローバンド用アンテナスイッチ９ｆの被選択端子１９４との間に設けられている。第３整合回路１６は、第３整合回路１６の前段に設けられる回路の出力インピーダンスと第３整合回路１６の後段に設けられる回路の入力インピーダンスとを整合させるためのインピーダンスマッチング回路である。第３整合回路１６は、複数のインダクタと、複数のコンデンサと、を含む。第３整合回路１６は、送信フィルタを兼ねている。

　複数のローバンド用デュプレクサ８１ｆ～８３ｆの各々は、受信側フィルタと、送信側フィルタと、を備える。受信側フィルタは、受信周波数帯域の信号を通過させ、受信周波数帯域以外の信号を減衰させるフィルタである。送信側フィルタは、送信周波数帯域の信号を通過させ、送信周波数帯域以外の信号を減衰させるフィルタである。受信側フィルタ及び送信側フィルタの各々は、例えば、ＳＡＷフィルタであるが、ＳＡＷフィルタに限らず、例えば、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）フィルタ、誘電体フィルタであってもよい。

　複数のローバンド用デュプレクサ８１ｆ～８３ｆは、互いに異なる送信周波数帯域を有し、互いに異なる受信周波数帯域を有している。

　複数のローバンド用デュプレクサ８１ｆ～８３ｆのそれぞれは、アンテナ側端子Ａｘ１、Ａｘ２、Ａｘ３と送信端子Ｔｘ１、Ｔｘ２、Ｔｘ３と受信端子Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３とを有している。複数のローバンド用デュプレクサ８１ｆ～８３ｆのアンテナ側端子Ａｘ１～Ａｘ３は、ローバンド用アンテナスイッチ９ｆと接続されている。複数のローバンド用デュプレクサ８１ｆ～８３ｆでは、受信フィルタの出力端子が受信端子Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３として用いられ、複数のローバンド用信号出力端子Ｔ８１、Ｔ８２、Ｔ８３と接続されている。また、複数のローバンド用デュプレクサ８１ｆ～８３ｆでは、送信フィルタの入力端子が送信端子Ｔｘ１、Ｔｘ２、Ｔｘ３として用いられ、ローバンド用バンド切替スイッチ１０の被選択端子１７１～１７３と接続されている。また、複数のローバンド用デュプレクサ８１ｆ～８３ｆでは、送信フィルタの出力端子と受信フィルタの入力端子とに接続された端子（ＡＮＴ端子）がアンテナ側端子Ａｘ１、Ａｘ２、Ａｘ３として用いられ、ローバンド用アンテナスイッチ９ｆの被選択端子９１～９３と接続されている。

　ローバンド用アンテナスイッチ９ｆは、アンテナ端子１０３と複数（３つ）のローバンド用デュプレクサ８１ｆ～８３ｆとの間に設けられている。ローバンド用アンテナスイッチ９ｆでは、４つの被選択端子９１～９４のうち３つの被選択端子９１～９３が、複数のローバンド用デュプレクサ８１ｆ～８３ｆに一対一に接続されており、残りの１つの被選択端子９４が第３整合回路１６に接続されている。

　ローバンド用バンド切替スイッチ１０は、第１パワーアンプ３１と複数のローバンド用デュプレクサ８１ｆ～８３ｆの送信端子Ｔｘ１～Ｔｘ３との間に設けられている。ローバンド用バンド切替スイッチ１０は、複数のローバンド用デュプレクサ８１ｆ～８３ｆのうち１つのローバンド用デュプレクサを第１パワーアンプ３１に接続する。

　高周波モジュール１ｆは、制御回路１１ｆを更に備えている。制御回路１１ｆは、例えば、ベースバンド信号処理回路４０２ｆ（図１０参照）から制御信号を受け取り、制御信号に基づいて第１パワーアンプ３１、第２パワーアンプ４１、第３パワーアンプ１５１、ローバンド用アンテナスイッチ９ｆ及びローバンド用バンド切替スイッチ１０のそれぞれを制御する。制御回路１１ｆは、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）である。

　通信装置４００は、図１０に示すように、ダイプレクサ５００と、高周波モジュール１ｆ（以下、第１高周波モジュール１ｆともいう）と、第２高周波モジュール１００と、を備える。また、通信装置４００は、ＲＦ信号処理回路４０１ｆと、ベースバンド信号処理回路４０２ｆと、を更に備える。

　ダイプレクサ５００は、ローバンド用フィルタ５０１とミッドバンド用フィルタ５０２とを有し、アンテナ４０３に接続される。ローバンド用フィルタ５０１は、ローパスフィルタである。ミッドバンド用フィルタ５０２は、ハイパスフィルタである。

　第１高周波モジュール１ｆは、ダイプレクサ５００のローバンド用フィルタ５０１と電気的に接続されている。よって、第１高周波モジュール１ｆは、ローバンド用フィルタ５０１を介してアンテナ４０３と電気的に接続される。

　第２高周波モジュール１００は、ダイプレクサ５００のミッドバンド用フィルタ５０２と電気的に接続されている。よって、第２高周波モジュール１００は、ミッドバンド用フィルタ５０２を介してアンテナ４０３と電気的に接続される。

　第１高周波モジュール１ｆでは、ローバンド用アンテナ端子１０３がローバンド用フィルタ５０１と接続されている。

　第１高周波モジュール１ｆの第２ローバンド用信号入力端子１０６、ミッドバンド用信号入力端子１０２、第１ローバンド用信号入力端子１０１及び複数のローバンド用信号出力端子Ｔ８１、Ｔ８２、Ｔ８３は、ＲＦ信号処理回路４０１と接続されている。

　第２高周波モジュール１００は、ミッドバンド用アンテナ端子Ｔ１９と、第４パワーアンプ１８と、ミッドバンド用信号入力端子Ｔ１８と、ミッドバンド用アンテナスイッチ１９と、を備える。また、第２高周波モジュール１００は、ミッドバンド用送信経路ＭＴ１と、複数（３つ）のミッドバンド用デュプレクサ１３１、１３２、１３３と、ミッドバンド用バンド切替スイッチ２１０と、複数（３つ）のミッドバンド用信号出力端子Ｔ３１、Ｔ３２、Ｔ３３と、を備える。また、第２高周波モジュール１００は、ミッドバンド用信号経路ＭＴ１に接続された中継端子Ｔ２５を更に備える。

　ミッドバンド用アンテナ端子Ｔ１９は、ダイプレクサ５００のミッドバンド用フィルタ５０２と接続されている。

　第４パワーアンプ１８は、ミッドバンド用信号入力端子Ｔ１８と接続されており、入力された４Ｇ規格のミッドバンドの高周波信号を増幅し、増幅された高周波信号を出力する。

　ミッドバンド用アンテナスイッチ１９は、第４パワーアンプ１８とミッドバンド用アンテナ端子Ｔ１９との間に設けられている。ミッドバンド用アンテナスイッチ１９は、ミッドバンド用アンテナ端子Ｔ１９と複数（３つ）のミッドバンド用デュプレクサ１３１～１３３との間に設けられている。ミッドバンド用アンテナスイッチ１９は、１つの共通端子１９０と、複複（４つ）の被選択端子１９１～１９４と、を有する。ミッドバンド用アンテナスイッチ１９の共通端子１９０は、ミッドバンド用アンテナ端子Ｔ１９と接続されている。ミッドバンド用アンテナスイッチ１９では、４つの被選択端子１９１～１９４のうち３つの被選択端子１９１～１９３が、複数のミッドバンド用デュプレクサ１３１～１３３に一対一に接続されており、残りの１つの被選択端子１９４がミッドバンド用信号経路ＭＴ１を介して中継端子Ｔ２５に接続されている。ミッドバンド用アンテナスイッチ１９は、例えば、スイッチＩＣ（Integrated Circuit）である。なお、ミッドバンド用アンテナスイッチ１９のアイソレーションは、例えば、２０ｄＢ～３０ｄＢ程度である。

　ミッドバンド用信号経路ＭＴ１は、ミッドバンド用アンテナスイッチ１９に接続されており、第１高周波モジュール１ｆのバイパス端子１０４ｆと接続される。より詳細には、ミッドバンド用信号経路ＭＴ１は、中継端子Ｔ２５を介して第１高周波モジュール１ｆのバイパス端子１０４ｆと接続される。

　複数（３つ）のミッドバンド用デュプレクサ１３１、１３２、１３３のそれぞれは、アンテナ側端子Ａｘ４、Ａｘ５、Ａｘ６と送信端子Ｔｘ４、Ｔｘ５、Ｔｘ６と受信端子Ｒｘ４、Ｒｘ５、Ｒｘ６とを有している。複数のミッドバンド用デュプレクサ１３１～１３３のアンテナ側端子Ａｘ４～Ａｘ６は、ミッドバンド用アンテナスイッチ１９と接続されている。複数のミッドバンド用デュプレクサ１３１～１３３では、受信フィルタの出力端子が受信端子Ｒｘ４、Ｒｘ５、Ｒｘ６として用いられ、複数のミッドバンド用信号出力端子Ｔ３１、Ｔ３２、Ｔ３３と接続されている。また、複数のミッドバンド用デュプレクサ１３１～１３３では、送信フィルタの入力端子が送信端子Ｔｘ４、Ｔｘ５、Ｔｘ６として用いられ、ミッドバンド用バンド切替スイッチ２１０の被選択端子２２１～２２３と接続されている。また、複数のミッドバンド用デュプレクサ１３１～１３３では、送信フィルタの出力端子と受信フィルタの入力端子とに接続された端子（ＡＮＴ端子）がアンテナ側端子Ａｘ４、Ａｘ５、Ａｘ６として用いられ、ミッドバンド用アンテナスイッチ１９の被選択端子１９１～１９３と接続されている。

　ミッドバンド用バンド切替スイッチ２１０は、第４パワーアンプ１８と複数のミッドバンド用デュプレクサ１３１、１３２、１３３の送信端子Ｔｘ４、Ｔｘ５、Ｔｘ６との間に設けられている。ミッドバンド用バンド切替スイッチ２１０は、複数のミッドバンド用デュプレクサ１３１～１３３のうち１つのミッドバンド用デュプレクサを第４パワーアンプ１８に接続する。

　複数（３つ）のミッドバンド用信号出力端子Ｔ３１、Ｔ３２、Ｔ３３は、複数（３つ）のミッドバンド用デュプレクサ１３１、１３２、１３３の受信端子Ｒｘ４、Ｒｘ５、Ｒｘ６に一対一に接続されている。

　ＲＦ信号処理回路４０１ｆは、第１高周波モジュール１ｆ及び第２高周波モジュール１００と接続されている。より詳細には、ＲＦ信号処理回路４０１ｆは、第１高周波モジュール１ｆの第２ローバンド用信号入力端子１０６、ミッドバンド用信号入力端子１０２、第１ローバンド用信号入力端子１０１及び複数のローバンド用信号出力端子Ｔ８１、Ｔ８２、Ｔ８３と接続されている。また、ＲＦ信号処理回路４０１ｆは、第２高周波モジュール１００のミッドバンド用信号入力端子Ｔ１８及び複数のミッドバンド用信号出力端子Ｔ３１、Ｔ３２、Ｔ３３と接続されている。

　ＲＦ信号処理回路４０１ｆは、例えばＲＦＩＣであり、複数のローバンド用信号出力端子Ｔ８１、Ｔ８２、Ｔ８３、複数のミッドバンド用信号出力端子Ｔ３１、Ｔ３２、Ｔ３３から出力された高周波信号（受信信号）に対する信号処理を行う。ＲＦ信号処理回路４０１ｆは、アンテナ４０３から第１高周波モジュール１ｆ又は第２高周波モジュール１００を介して入力された高周波信号（受信信号）に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、当該信号処理により生成された受信信号をベースバンド信号処理回路４０２ｆへ出力する。

　ベースバンド信号処理回路４０２ｆは、例えばＢＢＩＣである。ベースバンド信号処理回路４０２ｆで処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のために、又は、音声信号として通話のために使用される。

　また、ＲＦ信号処理回路４０１ｆは、例えば、ベースバンド信号処理回路４０２ｆから出力された送信信号に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた送信信号（高周波信号）を第１高周波モジュール１ｆ又は第２高周波モジュール１００へ出力する。ベースバンド信号処理回路４０２ｆは、例えば、通信装置４００の外部からの送信信号に対する所定の信号処理を行う。

　通信装置４００は、バイパス経路１８０と、制御回路２００と、を更に備える。

　バイパス経路１８０は、バイパス端子１０４ｆとミッドバンド用送信経路ＭＴ１（に接続された中継端子Ｔ２５）とを電気的に接続している。バイパス経路１８０は、例えば、第１高周波モジュール１ｆと第２高周波モジュール１００とが実装されたプリント配線板の配線導体を含む。この場合、通信装置４００は、その構成要素としてプリント配線板を含む。

　制御回路２００は、複数のミッドバンド用デュプレクサ１３１～１３３及びミッドバンド用信号経路ＭＴ１のうち１つがダイプレクサ５００のミッドバンド用フィルタ５０２と接続されるようにミッドバンド用アンテナスイッチ１９を切り替える。

　複数のミッドバンド用デュプレクサ１３１、１３２、１３３のうち１つ（ミッドバンド用デュプレクサ１３１）は、４Ｇ規格に対応したデュプレクサであり、例えば、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３に対応したデュプレクサである。第２高周波モジュール１００では、ミッドバンド用アンテナスイッチ１９とミッドバンド用信号出力端子Ｔ３１との間の信号経路がミッドバンド用受信経路ＭＲ１を構成している。したがって、通信装置４００は、Ｂａｎｄ８とＢａｎｄ３とのダウンリンク・キャリアアグリゲーションに対応することが可能となる。ミッドバンド用デュプレクサ１３２は、４Ｇ規格に対応したデュプレクサであり、例えば、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１２に対応したデュプレクサである。また、ミッドバンド用デュプレクサ１３３は、４Ｇ規格に対応したデュプレクサであり、例えば、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ２０に対応したデュプレクサである。

　変形例５に係る高周波モジュール１ｆは、上述のように、第１パワーアンプ３１と、第２パワーアンプ４１と、第３パワーアンプ１５１と、を備える。また、高周波モジュール１ｆは、ローバンド用アンテナ端子１０３と、バイパス端子１０４ｆと、ローバンド用バンド切替スイッチ１０と、ローバンド用アンテナスイッチ９ｆと、第３整合回路１６と、第２整合回路７と、第１整合回路６と、を備える。また、高周波モジュール１ｆは、基板２を備える。

　高周波モジュール１ｆにおいて、第２パワーアンプ４１と第３パワーアンプ１５１とは１つの半導体チップ１７において集積化されている。また、第１パワーアンプ３１は、半導体チップ１７とは別の半導体チップである。

　高周波モジュール１ｆにおいて、第１パワーアンプ３１、第２パワーアンプ４１、第３パワーアンプ１５１、第１整合回路６、第２整合回路７、第３整合回路１６、ローバンド用デュプレクサ８１ｆ～８３ｆ、ローバンド用アンテナスイッチ９ｆ、ローバンド用バンド切替スイッチ１０及び制御回路１１ｆは、基板２に実装されている。

　変形例５に係る高周波モジュール１ｆは、基板２と、第１通信部３と、第２通信部４と、導電性ワイヤ５と、を備える。基板２は、定電位を与えられる導体部２３を有する。第１通信部３は、基板２に設けられる。第１通信部３は、第１周波数帯域における第１信号を送信する。第２通信部４は、基板２に設けられる。第２通信部４は、第１周波数帯域よりも高く第１信号の高調波と少なくとも一部が重複する第２周波数帯域における第２信号の送信と第２周波数帯域における第３信号の受信との少なくとも一方を行う。導電性ワイヤ５は、第１端５１及び第２端５２を有する。導電性ワイヤ５の第１端５１及び第２端５２が導体部２３に接続されている。第１通信部３は、第１周波数帯域における高周波信号を増幅し、増幅された高周波信号を第１信号として出力するパワーアンプ（第１パワーアンプ３１）を有する。第２通信部４は、第２信号を通過させる送信フィルタ（第２整合回路７）を有する。導電性ワイヤ５は、第１通信部３及び第２通信部４から離れている。導電性ワイヤ５は、第１通信部３におけるパワーアンプ（第１パワーアンプ３１）と、第２通信部４における送信フィルタ（第２整合回路７）と、の間に位置している。

　変形例５に係る高周波モジュール１ｆは、例えば第１通信部３による第１信号の送信を行うときに、第１信号の高調波が第２通信部４の第２整合回路７（送信フィルタ）を通過して出力端子１０４ｆから出てしまうことを抑制でき、通信性能の向上を図ることが可能となる。より詳細には、変形例５に係る高周波モジュール１ｆでは、４Ｇ規格のローバンド用のパワーアンプである第１パワーアンプ３１の出力側の第１信号の高調波が２Ｇ規格のミッドバンド用のパワーアンプである第２パワーアンプ４１の出力側に回り込む（漏洩する）のを抑制可能となり、通信性能の向上を図ることが可能となる。

　また、変形例５に係る高周波モジュール１ｆでは、第２通信部４は、第２信号の送信を行い、第１周波数帯域は、ＬＴＥ規格のローバンドの周波数帯域であり、第２周波数帯域は、２Ｇ規格のミッドバンドの周波数帯域である。これにより、変形例５に係る高周波モジュール１ｆでは、ＬＴＥ規格のローバンドの周波数帯域における第１信号の高調波が２Ｇ規格のミッドバンドの周波数帯域に対応する第２通信部４へ回り込む（漏洩する）のを抑制することが可能となる。

　また、変形例５に係る高周波モジュール１ｆでは、導電性ワイヤ５は、第１通信部３における第１パワーアンプ３１及び第１整合回路６を含む第１群と、第２通信部４における第２パワーアンプ４１及び第２整合回路７（送信フィルタ）を含む第２群と、の間に位置している。これにより、変形例５に係る高周波モジュール１ｆでは、４Ｇ規格のローバンドに対応した第１パワーアンプ３１を使って例えばＢａｎｄ８の第１信号を送信するときに第１整合回路６の少なくとも１つのインダクタから放射される第１信号の高調波が２Ｇ規格のミッドバンドに対応した第２パワーアンプ４１に接続されている第２整合回路７の少なくとも１つのインダクタに回り込む（漏洩する）のを抑制することが可能となる。つまり、高周波モジュール１ｆでは、第１整合回路６の少なくも１つのインダクタと第２整合回路７の少なくとも１つのインダクタとの磁気結合により第１信号の高調波が回り込む（漏洩する）、ことを抑制することが可能となる。

　また、変形例５に係る高周波モジュール１ｆでは、第２通信部４は、第２周波数帯域における高周波信号を増幅し、増幅された高周波信号を第２信号として出力するパワーアンプ（第２パワーアンプ４１）を有する。高周波モジュール１ｆは、さらに、第１通信部３におけるパワーアンプ（第１パワーアンプ３１）から出力された第１信号を出力するローバンド用アンテナ端子１０３と、第２通信部４におけるパワーアンプ（第２パワーアンプ４１）から出力された第２信号を出力するバイパス端子１０４ｆと、を備える。これにより、変形例５に係る高周波モジュール１ｆでは、第２通信部４におけるパワーアンプ（第２パワーアンプ４１）から出力された第２信号をバイパス端子１０４ｆから出力することが可能となる。

　ここにおいて、変形例５に係る高周波モジュール１ｆは、ローバンド用アンテナスイッチ９ｆと、複数のローバンド用デュプレクサ８１ｆ～８３ｆの各々における受信フィルタと、を更に備える。ローバンド用アンテナスイッチ９ｆは、第３パワーアンプ１５１及び第１パワーアンプ３１とローバンド用アンテナ端子１０３との間に設けられている。各受信フィルタは、ローバンド用アンテナスイッチ９ｆと第１整合回路６との間に設けられており、４Ｇ規格のローバンドに対応する。これにより、変形例５に係る高周波モジュール１ｆを備える通信装置４００では、例えば、Ｂａｎｄ８とＢａｎｄ３との２ダウンリンク・キャリアアグリゲーションを行う場合、Ｂａｎｄ８の高調波がバイパス端子１０４ｆを介して第２高周波モジュール１００のミッドバンド用デュプレクサ１３１に流入するのを抑制でき、通信性能の向上を図ることが可能となる。２ダウンリンク・キャリアアグリゲーションを行う場合の２つのバンドの組み合わせは、Ｂａｎｄ８とＢａｎｄ３との組み合わせ以外であってもよい。

　なお、通信装置４００は、２Ｇ規格のミッドバンドの送信と、４Ｇ規格のミッドバンドの受信と、を同時に行わない。また、高周波モジュール１ｆ及び通信装置４００は、４Ｇ規格に対応している各構成要素が５Ｇ規格に対応していてもよい。

　（５．６）その他の変形例
　実施形態に係る高周波モジュール１では、第１通信部３は、第１周波数帯域における第１信号の送信を行うように構成されているが、これに限らず、第１周波数帯域における第１信号の送信と第１周波数帯域における第４信号の受信との両方を行うように構成されていてもよい。第１通信部３が第４信号を受信する場合、第１通信部３は、例えば、第４信号を増幅するローノイズアンプを含む。

　高周波モジュール１では、第１周波数帯域は、例えば、６００ＭＨｚ－９５０ＭＨｚの周波数範囲にあればよい。高周波モジュール１では、第２周波数帯域がＧＳＭ（登録商標）の１８００ＭＨｚ帯を含んでいるが、これに限らない。第２周波数帯域は、例えば、ＬＴＥ規格のミドルバンド（１４２７ＭＨｚ－２２００ＭＨｚ）を含んでいてもよいし、ＬＴＥ規格のハイバンド（２３００ＭＨｚ－２６９０ＭＨｚ）を含んでいてもよい。

　また、高周波モジュール１において採用する通信規格は、ＬＴＥ規格、ＧＳＭ（登録商標）規格に限らず、例えば、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）規格、Ｗ－ＣＤＭＡ（登録商標）規格等であってもよい。

　高周波モジュール１では、複数の導電性ワイヤ５が第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２とに直交する第３方向Ｄ３において並んでいるが、これに限らない。例えば、複数の導電性ワイヤ５が、第２方向Ｄ２に並んでいてもよい。

　高周波モジュール１は、基板２の第１主面２１において露出している１つの導体部２３に対して、導体部２３に直接接続された複数の導電性ワイヤ５を備えるが、これに限らない。例えば、１つの導体部２３に接続する導電性ワイヤ５の数は、複数に限らず、１つであってもよい。

　第１チョークコイルＬ１及び第２チョークコイルＬ２は、基板２に内蔵されたインダクタに限らず、基板２に実装された表面実装型のインダクタ（例えば、チップインダクタ）でもよい。

　また、第１パワーアンプ３１は、複数（例えば、２つ又は３つ）の増幅用トランジスタが多段に接続され、最終段の増幅用トランジスタとしてトランジスタ３１０を含んだ構成でもよい。

　また、第２パワーアンプ４１は、複数（例えば、２つ又は３つ）の増幅用トランジスタが多段に接続され、最終段の増幅用トランジスタとしてトランジスタ４１０を含んだ構成でもよい。

　基板２の平面視形状は、長方形状に限らず、例えば、長方形以外の多角形でもよいし、円形状であってもよい。

　基板２における各第１導電層２４の材料は、Ｃｕに限らず、例えば、合金であってもよい。各第１導電層２４は、単層構造に限らず、複数の層が積層された積層構造であってもよい。

　また、基板２は、プリント配線板に限らず、例えば、多層セラミック基板等でもよい。

　また、高周波モジュール１の各フィルタ８は、ＳＡＷフィルタに限らず、例えば、ＢＡＷフィルタ、誘電体フィルタであってもよい。

　また、高周波モジュール１では、例えば、アンテナ端子１０３に接続されるアンテナ４０３が受信用アンテナを兼ねる場合、複数のフィルタ８の各々は、デュプレクサであってもよい。各デュプレクサは、送信側フィルタと、受信側フィルタと、を備える。送信側フィルタは、送信周波数帯域（送信用の通信バンドを含む通過帯域）の信号を通過させ、送信周波数帯域以外の信号を減衰させる。受信側フィルタは、受信周波数帯域（第１周波数帯域における受信用の通信バンドを含む通過帯域）の信号を通過させ、受信周波数帯域以外の信号を減衰させる。複数のデュプレクサは、互いに異なる送信周波数帯域及び受信周波数帯域を有している。デュプレクサでは、送信側フィルタの入力端子が送信信号（第１信号）を受け取る送信端子（Ｔｘ端子）として用いられ、第２スイッチ回路１０の被選択端子に接続される。また、デュプレクサでは、受信側フィルタの出力端子が受信信号を出力する受信端子（Ｒｘ端子）として用いられ、基板２に設けた受信端子に接続される。また、デュプレクサでは、送信側フィルタの出力端子と受信側フィルタの入力端子とに接続された端子（ＡＮＴ端子）が、第１スイッチ回路９の被選択端子に接続される。第２スイッチ回路１０は、第１パワーアンプ３１の出力端を、デュプレクサの送信側フィルタの送信端子のいずれかに接続する。複数のフィルタ８の各々をデュプレクサにより構成した場合、高周波モジュール１は、ローノイズアンプと、このローノイズアンプの入力端を、複数のデュプレクサの受信端子のいずれかに接続する第３スイッチ回路を更に備えてもよい。第３スイッチ回路は、制御回路１１によって制御されるようにすればよい。

　第１スイッチ回路９及び第２スイッチ回路１０の各々における半導体スイッチは、ＦＥＴに限らず、例えば、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）スイッチ又はバイポーラトランジスタであってもよい。

　また、高周波モジュール１では、フィルタ８に関しては、複数備えている場合に限らず、１つだけ備えた構成でもよい。この場合、高周波モジュール１は、第１スイッチ回路９及び第２スイッチ回路１０を備えている必要はない。

　以上説明した実施形態等は、本発明の様々な実施形態等の一つに過ぎない。実施形態等は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。

　（まとめ）
　以上説明した実施形態等から以下の態様が開示されていることは明らかである。

　第１の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｅ；１ｆ）は、基板（２）と、第１通信部（３）と、第２通信部（４；４ｅ）と、少なくとも１つの導電性ワイヤ（５）と、を備える。基板（２）は、定電位を与えられる導体部（２３）を有する。第１通信部（３）は、基板（２）に設けられる。第１通信部（３）は、第１周波数帯域における第１信号を送信する。第２通信部（４；４ｅ）は、基板（２）に設けられる。第２通信部（４；４ｅ）は、第１周波数帯域よりも高く第１信号の高調波と少なくとも一部が重複する第２周波数帯域における第２信号の送信と第２周波数帯域における第３信号の受信との少なくとも一方を行う。少なくとも１つの導電性ワイヤ（５）は、第１端（５１）及び第２端（５２）を有する。少なくとも１つの導電性ワイヤ（５）の第１端（５１）及び第２端（５２）が導体部（２３）に接続されている。第１通信部（３）は、第１周波数帯域における高周波信号を増幅し、増幅された高周波信号を前記第１信号として出力するパワーアンプ（第１パワーアンプ３１）を有する。第２通信部（４；４ｅ）は、第２信号を通過させる送信フィルタ（第２整合回路７）、第３信号を通過させる受信フィルタ（４２）、及び、第３信号を増幅するローノイズアンプ（４３）の少なくとも１つを有する。少なくとも１つの導電性ワイヤ（５）は、第１通信部（３）及び第２通信部（４）から離れている。少なくとも１つの導電性ワイヤ（５）は、第１通信部（３）におけるパワーアンプと、第２通信部（４）における送信フィルタ（第２整合回路７）、受信フィルタ（４２）及びローノイズアンプ（４３）の少なくとも１つと、の間に位置している。

　第１の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｅ；１ｆ）では、第１通信部（３）から第１信号を送信するときに第１通信部（３）から第２通信部（４；４ｅ）側へ放射される第１信号の高調波を導電性ワイヤ（５）により減衰させることが可能となる。したがって、第１の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｅ；１ｆ）は、第１通信部（３）から第１信号を送信するときの第１信号の高調波が第２通信部（４；４ｅ）へ与える影響を低減でき、通信性能の向上を図ることが可能となる。

　第２の態様に係る高周波モジュール（１ｅ）では、第１の態様において、第２通信部（４ｅ）が、受信フィルタ（４２）と、ローノイズアンプ（４３）と、を含み、第２通信部（４ｅ）は、第１通信部（３）において第１信号を送信しているときに、第３信号の受信を行う。

　第２の態様に係る高周波モジュール（１ｅ）では、キャリアアグリゲーション動作で第１通信部（３）による第１信号の送信を行うときに、第１信号の高調波が、第２通信部（４ｅ）の受信フィルタ（４２）を通過してローノイズアンプ（４３）に回り込む、或いは、第１信号の高調波が受信フィルタ（４２）を介さずに直接、ローノイズアンプ（４３）に回り込む、等によって受信感度が低下してしまうことを抑制でき、通信性能の向上を図ることが可能となる。

　第３の態様に係る高周波モジュール（１ｆ）では、第１の態様において、第２通信部（４）は、第２信号の送信を行い、第１周波数帯域は、ＬＴＥ規格のローバンドの周波数帯域であり、第２周波数帯域は、２Ｇ規格のミッドバンドの周波数帯域である。

　第３の態様に係る高周波モジュール（１ｆ）では、ＬＴＥ規格のローバンドの周波数帯域における第１信号の高調波が２Ｇ規格のミッドバンドの周波数帯域に対応する第２通信部４へ回り込む（漏洩する）のを抑制することが可能となる。

　第４の態様に係る高周波モジュール（１ｆ）では、第３の態様において、第２通信部（４）は、第２周波数帯域における高周波信号を増幅し、増幅された高周波信号を第２信号として出力するパワーアンプ（第２パワーアンプ４１）を有する。高周波モジュール（１ｆ）は、さらに、第１通信部（３）におけるパワーアンプ（第１パワーアンプ３１）から出力された第１信号を出力するローバンド用アンテナ端子（１０３）と、第２通信部（４）におけるパワーアンプ（第２パワーアンプ４１）から出力された第２信号を出力するバイパス端子（１０４ｆ）と、を備える。

　第４の態様に係る高周波モジュール（１ｆ）では、第２通信部（４）におけるパワーアンプ（第２パワーアンプ４１）から出力された第２信号をバイパス端子（１０４ｆ）から出力することが可能となる。

　第５の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｅ；１ｆ）は、第１～４の態様のいずれか一つにおいて、導体部（２３）は、第１通信部（３）におけるパワーアンプ（第１パワーアンプ３１）と、第２通信部（４；４ｅ）における送信フィルタ（第１整合回路６）、受信フィルタ（４２）及びローノイズアンプ（４３）の少なくとも１つとの間において第１通信部（３）のパワーアンプ（第１パワーアンプ３１）よりも広い範囲にわたって配置されている。

　第５の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｅ；１ｆ）では、第１通信部（３）から第１信号を送信するときの第１信号の高調波が第２通信部（４；４ｅ）へ与える影響をより低減でき、通信性能の更なる向上を図ることが可能となる。

　第６の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｅ；１ｆ）は、第１～５の態様において、少なくとも１つの導電性ワイヤ（５）は、複数の導電性ワイヤ（５）を含む。

　第６の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｅ；１ｆ）では、第１通信部（３）から第２通信部（４；４ｅ）側へ放射される第１信号の高調波を、より減衰させることが可能となる。また、第６の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｅ；１ｆ）では、導電性ワイヤ（５）が１つである場合に比べて、基板（２）の厚さ方向における基板（２）と導電性ワイヤ（５）の頂部（５３）との距離をより短くすることが可能となり、基板（２）の厚さ方向に沿った方向における高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｅ；１ｆ）の低背化を図れるという利点もある。

　第７の態様に係る高周波モジュール（１ｅ）は、第６の態様において、複数の導電性ワイヤ（５）は、第１通信部（３）におけるパワーアンプ（第１パワーアンプ３１）と第２通信部（４ｅ）における送信フィルタ（第２整合回路７）、受信フィルタ（４２）及びローノイズアンプ（４３）の少なくとも１つとの並んでいる方向に交差する方向に沿って配置されている。

　第７の態様に係る高周波モジュール（１ｅ）では、第１通信部（３）から第２通信部（４ｅ）側へ放射される第１信号の高調波が第２通信部（４）の受信フィルタ（４２）を介してローノイズアンプ（４３）へ回り込む、或いは受信フィルタ（４２）を介さずに直接、ローノイズアンプ（４３）へ回り込む、ことを抑制することが可能となる。

　第８の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｅ；１ｆ）は、第１～７の態様のいずれか一つにおいて、第２通信部（４；４ｅ）は、第２周波数帯域における高周波信号を増幅し、増幅された高周波信号を第２信号として出力するパワーアンプ（第２パワーアンプ４１）を有する。高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｅ；１ｆ）は、第１通信部（３）におけるパワーアンプ（第１パワーアンプ３１）にパワーアンプ（第１パワーアンプ３１）の動作電圧（Ｖcc1）を供給するバイアス回路（第１バイアス回路１２）と、第１通信部（３）におけるパワーアンプ（第１パワーアンプ３１）の出力端（出力端３１１）に接続されている第１整合回路（６）と、第２通信部（４；４ｅ）におけるパワーアンプ（第２パワーアンプ４１）の出力端に接続されている第２整合回路（７）と、を更に備える。第２通信部（４；４ｅ）における送信フィルタが、第２通信部（４）におけるパワーアンプ（第２パワーアンプ４１）の出力端に接続されている第２整合回路（７）により構成されている。バイアス回路は、パワーアンプ（第１パワーアンプ３１）の出力端（出力端３１１）に接続されるチョークコイル（第１チョークコイルＬ１）を含む。導電性ワイヤ（５）は、チョークコイル（第１チョークコイルＬ１）、第１通信部（３）におけるパワーアンプ（第１パワーアンプ３１）及び第１整合回路（６）を含む第１群と、第２通信部（４）におけるパワーアンプ（第２パワーアンプ４１）及び送信フィルタ（第２整合回路７）を含む第２群と、の間に位置している。

　第８の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、パワーアンプ（第１パワーアンプ３１）の出力端（出力端３１１）付近から放射される第１信号の高調波が第２通信部（４）側へ回り込むのをより効果的に抑制することが可能となる。

　第９の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｅ；１ｆ）では、第１～８の態様のいずれか一つにおいて、第１周波数帯域は、６００ＭＨｚ～９５０ＭＨｚの周波数範囲にある。

　第１０の態様に係る高周波モジュール（１ｆ）では、第４の態様において、第１周波数帯域は、４Ｇ規格であるＬＴＥ規格のローバンドを含み、第２周波数帯域は、２Ｇ規格の１８００ＭＨｚ帯を含む。

　第１１の態様に係る高周波モジュール（１ｆ）では、第４の態様において、第１周波数帯域は、４Ｇ規格であるＬＴＥ規格のローバンドを含み、第２周波数帯域は、４Ｇ規格であるＬＴＥ規格のミドルバンドを含む。

　第１２の態様に係る高周波モジュールでは、第４の態様において、第１周波数帯域は、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ８と、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ２０と、の少なくとも一方を含み、第２周波数帯域は、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３と、ＧＳＭ（登録商標）規格のＢａｎｄ１９００ＰＣＳと、の少なくとも一方を含む。

　１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｅ　高周波モジュール
　１ｆ　高周波モジュール（第１高周波モジュール）
　２　基板
　２０　電気絶縁層
　２０１　第１電気絶縁層
　２０１１　表面
　２０２　第２電気絶縁層
　２０２１　表面
　２１　第１主面
　２２　第２主面
　２３　導体部
　２３１　第１端
　２３２　第２端
　２４　第１導電層
　２４０　第１導電層
　２４１　第１導電層
　２４２　第１導電層
　２５　第２導電層
　２６　第３導電層
　２７　第１ビア導体
　２８　第２ビア導体
　３　第１通信部
　３１　第１パワーアンプ（パワーアンプ）
　３１１　出力端
　３１６　ボンディングワイヤ
　３０１　第１伝送路
　３０２　第２伝送路
　４　第２通信部
　４１　第２パワーアンプ
　４１０　トランジスタ
　４１１　出力端
　４１６　ボンディングワイヤ
　４２　受信フィルタ
　４３　ローノイズアンプ
　５　導電性ワイヤ
　５１　第１端
　５２　第２端
　５３　頂部
　６　第１整合回路
　７　第２整合回路（送信フィルタ）
　８　フィルタ
　８１　第１フィルタ
　８１ｆ　ローバンド用デュプレクサ
　８２　第２フィルタ
　８２ｆ　ローバンド用デュプレクサ
　８３　第３フィルタ
　８３ｆ　ローバンド用デュプレクサ
　９、９ｆ　第１スイッチ回路（ローバンド用アンテナスイッチ）
　９０　共通端子
　９１、９２、９３、９４　被選択端子
　１０　第２スイッチ回路（ローバンド用バンド切替スイッチ）
　１１、１１ｆ　制御回路
　１２　第１バイアス回路（バイアス回路）
　１３　第２バイアス回路
　１４　カバー層
　１５　第３通信部
　１５１　第３パワーアンプ
　１６　第３整合回路
　１７　半導体チップ
　１８　第４パワーアンプ
　１９　ミッドバンド用アンテナスイッチ
　１９０　共通端子
　１９１、１９２、１９３　被選択端子
　１００　第２高周波モジュール
　１０１　第１入力端子（第１ローバンド用信号入力端子）
　１０２　第２入力端子（ミッドバンド用信号入力端子）
　１０３　アンテナ端子（ローバンド用アンテナ端子）
　１０４　出力端子
　１０４ｆ　出力端子（バイパス端子）
　１０６　第３入力端子（第２ローバンド用信号入力端子）
　１３１、１３２、１３３　ミッドバンド用デュプレクサ
　１８０　バイパス経路
　２００　制御回路
　２１０　ミッドバンド用バンド切替スイッチ
　２２０　共通端子
　２２１、２２２、２２３　被選択端子
　２５０　高周波フロントエンド回路
　４００　通信装置
　４０１、４０１ｆ　ＲＦ信号処理回路
　４０２、４０２ｆ　ベースバンド信号処理回路
　４０３　アンテナ
　５００　ダイプレクサ
　５０１　ローバンド用フィルタ
　５０２　ミッドバンド用フィルタ
　Ａｘ４、Ａｘ５、Ａｘ６　アンテナ側端子
　Ｃ１　第１コンデンサ
　Ｃ２　第２コンデンサ
　Ｄ１　第１方向
　Ｄ２　第２方向
　Ｄ３　第３方向
　Ｌ１　第１チョークコイル（チョークコイル）
　Ｌ２　第２チョークコイル
　ＭＴ１　ミッドバンド用信号経路
　Ｒｘ４、Ｒｘ５、Ｒｘ６　受信端子
　Ｔ１８　ミッドバンド用信号入力端子
　Ｔ１９　ミッドバンド用アンテナ端子
　Ｔ２５　中継端子
　Ｔ３１、Ｔ３２、Ｔ３３　ミッドバンド用信号出力端子
　Ｔ８１、Ｔ８２、Ｔ８３　ローバンド用信号出力端子
　Ｔｘ４、Ｔｘ５、Ｔｘ６　送信端子
　Ｖcc1　動作電圧
　Ｖcc2　動作電圧

Claims

　定電位を与えられる導体部を有する基板と、
　前記基板に設けられ、第１周波数帯域における第１信号を送信する第１通信部と、
　前記基板に設けられ、前記第１周波数帯域よりも周波数が高く前記第１信号の高調波と少なくとも一部が重複する第２周波数帯域における第２信号の送信と前記第２周波数帯域における第３信号の受信との少なくとも一方を行う第２通信部と、
　第１端及び第２端を有し、前記第１端及び前記第２端が前記導体部に接続されている少なくとも１つの導電性ワイヤと、を備え、
　前記第１通信部は、前記第１周波数帯域における高周波信号を増幅し、増幅された高周波信号を前記第１信号として出力するパワーアンプを有し、
　前記第２通信部は、前記第２信号を通過させる送信フィルタ、前記第３信号を通過させる受信フィルタ、及び、前記第３信号を増幅するローノイズアンプの少なくとも１つを有し、
　前記少なくとも１つの導電性ワイヤは、前記第１通信部及び前記第２通信部から離れており、前記第１通信部における前記パワーアンプと、前記第２通信部における前記送信フィルタ、前記受信フィルタ及び前記ローノイズアンプの前記少なくとも１つと、の間に位置している、
　高周波モジュール。
　前記第２通信部が、前記受信フィルタと、前記ローノイズアンプと、を含み、
　前記第２通信部は、前記第１通信部において前記第１信号を送信しているときに、前記第３信号の受信を行う、
　請求項１に記載の高周波モジュール。
　前記第２通信部は、前記第２信号の送信を行い、
　前記第１周波数帯域は、ＬＴＥ規格のローバンドの周波数帯域であり、
　前記第２周波数帯域は、２Ｇ規格のミッドバンドの周波数帯域である、
　請求項１に記載の高周波モジュール。
　前記第２通信部は、前記第２周波数帯域における高周波信号を増幅し、増幅された高周波信号を前記第２信号として出力するパワーアンプを有し、
　前記高周波モジュールは、さらに、
　　前記第１通信部における前記パワーアンプから出力された前記第１信号を出力するローバンド用アンテナ端子と、
　　前記第２通信部における前記パワーアンプから出力された前記第２信号を出力するバイパス端子と、を備える、
　請求項３に記載の高周波モジュール。
　前記導体部は、前記第１通信部における前記パワーアンプと、前記第２通信部における前記送信フィルタ、前記受信フィルタ及び前記ローノイズアンプの少なくとも１つとの間において前記第１通信部の前記パワーアンプよりも広い範囲にわたって配置されている、
　請求項１～４のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　前記少なくとも１つの導電性ワイヤは複数の導電性ワイヤを含む、
　請求項１～５のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　前記複数の導電性ワイヤは、前記第１通信部における前記パワーアンプと、前記第２通信部における前記送信フィルタ、前記受信フィルタ及び前記ローノイズアンプの少なくとも１つとの並んでいる方向に交差する方向に沿って配置されている、
　請求項６記載の高周波モジュール。
　前記第２通信部は、前記第２周波数帯域における高周波信号を増幅し、増幅された高周波信号を前記第２信号として出力するパワーアンプを有し、
　前記第１通信部における前記パワーアンプに前記パワーアンプの動作電圧を供給するバイアス回路と、
　前記第１通信部における前記パワーアンプの出力端に接続されている第１整合回路と、を更に備え、
　前記第２通信部における前記送信フィルタが、前記第２通信部における前記パワーアンプの出力端に接続されている第２整合回路により構成されており、
　前記バイアス回路は、前記パワーアンプの出力端に接続されるチョークコイルを含み、
　前記導電性ワイヤは、前記チョークコイル、前記第１通信部における前記パワーアンプ及び前記第１整合回路を含む第１群と、前記第２通信部における前記パワーアンプ及び前記送信フィルタを含む第２群と、の間に位置している、
　請求項１～７のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　前記第１周波数帯域は、６００ＭＨｚ以上９５０ＭＨｚ以下の周波数範囲にある、
　請求項１～８のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　前記第１周波数帯域は、４Ｇ規格であるＬＴＥ規格のローバンドを含み、
　前記第２周波数帯域は、２Ｇ規格の１８００ＭＨｚ帯を含む、
　請求項４に記載の高周波モジュール。
　前記第１周波数帯域は、４Ｇ規格であるＬＴＥ規格のローバンドを含み、
　前記第２周波数帯域は、４Ｇ規格であるＬＴＥ規格のミドルバンドを含む、
　請求項４に記載の高周波モジュール。
　前記第１周波数帯域は、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ８と、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ２０と、の少なくとも一方を含み、
　前記第２周波数帯域は、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３と、ＧＳＭ（登録商標）規格のＢａｎｄ１９００ＰＣＳと、の少なくとも一方を含む、
　請求項４に記載の高周波モジュール。