WO2022215404A1 - 高周波モジュール及び通信装置 - Google Patents

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秀享 高橋
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention generally relates to radio frequency modules and communication devices, and more particularly to radio frequency modules comprising a plurality of power amplifier circuits and communication devices comprising the radio frequency modules.
  • Patent Document 1 describes an amplifier.
  • the amplifier described in Patent Document 1 includes an amplifier, a first output transformer, and a first phase conversion element.
  • the amplifier amplifies a first signal divided from the input signal in a region where the power level of the input signal is equal to or higher than the first level, and outputs a second signal.
  • the first output transformer includes a first input winding to which the second signal is input, and a first output winding electromagnetically coupled to the first input winding.
  • the first phase conversion element is connected in parallel to the first output winding and outputs a fifth signal whose phase is approximately ⁇ degrees ahead of the signal output from the first output winding.
  • signal jumps may occur between the multiple transformers, degrading the characteristics.
  • the present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to provide a high-frequency module and a communication device capable of reducing deterioration of characteristics.
  • a high-frequency module includes a first power amplifier circuit, a second power amplifier circuit, and a substrate.
  • the first power amplifier circuit amplifies the first transmission signal in the transmission band of the first communication band.
  • the second power amplifier circuit amplifies the second transmission signal in the transmission band of the second communication band.
  • the substrate has one main surface.
  • the first power amplification circuit includes a first amplification component and a first transformer.
  • the first amplification component has a first amplification element and a second amplification element.
  • the first transformer has a first coil and a second coil. A first end of the first coil is connected to an output terminal of the first amplifying element. A second end of the first coil is connected to an output terminal of the second amplifying element.
  • the second coil is connected to the output terminal of the first power amplifier circuit.
  • the second power amplification circuit includes a second amplification component and a second transformer.
  • the second amplification component has a third amplification element and a fourth amplification element.
  • the second transformer has a third coil and a fourth coil.
  • a first end of the third coil is connected to an output terminal of the third amplifying element.
  • a second end of the third coil is connected to an output terminal of the fourth amplifying element.
  • the fourth coil is connected to the output terminal of the second power amplifier circuit.
  • the high frequency module further includes elongated bumps.
  • the long bumps are arranged on the one main surface of the substrate.
  • the first amplifying component is arranged on the one main surface of the substrate via the long bump.
  • the long bump is located between the first transformer and the second transformer in plan view from the thickness direction of the substrate.
  • a communication device includes the high-frequency module and a signal processing circuit.
  • the signal processing circuit processes the signal of the high frequency module.
  • FIG. 1 is a plan view of a high frequency module according to Embodiment 1.
  • FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line X1-X1 of FIG. 1 in the same high-frequency module.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line X2-X2 of FIG. 1 in the same high-frequency module.
  • FIG. 4 is a circuit diagram of a main part of the high frequency module of the same.
  • FIG. 5 is a schematic diagram of a communication device according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a plan view of a high frequency module according to Embodiment 2.
  • FIG. FIG. 7 is a circuit diagram of a main part of the high frequency module of the same.
  • FIG. 8 is a plan view of a high frequency module according to Embodiment 3.
  • FIG. 9 is a plan view of a high frequency module according to Embodiment 4.
  • FIG. 10 is a plan view of a high frequency module according to Embodiment 5.
  • FIG. 11 is a plan view of a high frequency module according to Embodiment 6.
  • FIG. 12 is a plan view of a high frequency module according to Embodiment 7.
  • the high-frequency module 1 includes a first power amplifier circuit 2, a second power amplifier circuit 3, a first transmission filter 41, a second transmission filter 42, and a plurality of antennas.
  • a terminal 5 and a switch 6 are provided.
  • the high-frequency module 1 is used, for example, in a multimode/multiband communication device 9 .
  • the communication device 9 is, for example, a mobile phone (eg, smart phone), but is not limited to the mobile phone, and may be, for example, a wearable terminal (eg, smart watch).
  • the high-frequency module 1 is a module compatible with, for example, the 4G (fourth generation mobile communication) standard, the 5G (fifth generation mobile communication) standard, and the like.
  • the 4G standard is, for example, the 3GPP (3rd Generation Partner Project) LTE standard (LTE: Long Term Evolution).
  • the 5G standard is, for example, 5G NR (New Radio).
  • the high-frequency module 1 is a module capable of supporting carrier aggregation and dual connectivity.
  • carrier aggregation and dual connectivity refer to communication that simultaneously uses radio waves of a plurality of frequency bands.
  • the high-frequency module 1 performs signal communication in a frequency band (communication band) specified by the 4G standard and signal communication in another frequency band (communication band) specified by the 4G standard. It is possible to do both at the same time.
  • the high-frequency module 1 can simultaneously perform signal communication in the frequency band (communication band) specified by the 4G standard and signal communication in the frequency band (communication band) specified by the 5G standard. .
  • the high-frequency module 1 can simultaneously perform signal communication in a frequency band (communication band) specified by the 5G standard and signal communication in another frequency band (communication band) specified by the 5G standard. is.
  • communication by carrier aggregation or dual connectivity is also referred to as simultaneous communication.
  • the first transmission filter 41 shown in FIG. 5 is, for example, a mid-band filter.
  • the first transmission filter 41 passes the first transmission signal in the first frequency band included in the midband.
  • the first transmission filter 41 passes the first transmission signal of the first communication band defined by the 4G standard as the first transmission signal of the first frequency band.
  • the first communication band is, for example, Band 4 (transmission band 1710 MHz-1755 MHz, reception band 2110 MHz-2155 MHz) defined by the 4G standard. That is, the first transmission signal is a signal in a frequency band with a transmission band of 1710 MHz-1755 MHz.
  • the second transmission filter 42 shown in FIG. 5 is, for example, a mid-band filter.
  • the second transmission filter 42 passes a second transmission signal in a second frequency band included in the midband.
  • the second transmission filter 42 passes the second transmission signal in the second communication band defined by the 4G standard as the second transmission signal in the second frequency band.
  • the second communication band is, for example, Band 1 (transmission band 1920 MHz-1980 MHz, reception band 2110 MHz-2170 MHz) defined by the 4G standard. That is, the second transmission signal is a signal in a frequency band with a transmission band of 1920 MHz-1980 MHz.
  • the plurality of antenna terminals 5 includes a first antenna terminal 51 and a second antenna terminal 52, as shown in FIG.
  • the first antenna terminal 51 is electrically connected to a first antenna 911 which will be described later.
  • the second antenna terminal 52 is electrically connected to a second antenna 912 which will be described later.
  • the switch 6 is a switch that switches connection destinations to each of the plurality of antenna terminals 5 (that is, each of the plurality of antennas 91).
  • the switch 6 has a plurality of (two in the illustrated example) common terminals 61 and 62 and a plurality of (two in the illustrated example) selection terminals 63 and 64 .
  • the common terminal 61 is electrically connected to the first antenna terminal 51 . In other words, the common terminal 61 is electrically connected to the first antenna 911 via the first antenna terminal 51 . A filter, coupler, or the like (not shown) may be provided between the common terminal 61 and the first antenna 911 .
  • the common terminal 62 is electrically connected to the second antenna terminal 52 . That is, the common terminal 62 is electrically connected to the second antenna 912 via the second antenna terminal 52 .
  • a filter, coupler, or the like may be provided between the common terminal 62 and the second antenna 912 .
  • the selection terminal 63 is electrically connected to the first transmission filter 41 .
  • the selection terminal 64 is electrically connected to the second transmission filter 42 .
  • the switch 6 selects at least one of the multiple selection terminals 63 and 64 as the connection destination of the common terminal 61 . That is, the switch 6 selectively connects the first transmission filter 41 and the second transmission filter 42 to the first antenna 911 . Also, the switch 6 selects at least one of the plurality of selection terminals 63 and 64 as a connection destination of the common terminal 62 . That is, the switch 6 selectively connects the first transmission filter 41 and the second transmission filter 42 to the second antenna 912 . Furthermore, the switch 6 can connect one antenna terminal 5 (the first antenna terminal 51 or the second antenna terminal 52) and the first transmission filter 41 and the second transmission filter 42 at the same time. That is, the switch 6 can connect one antenna 91 (first antenna 911 or second antenna 912) and the first transmission filter 41 and the second transmission filter 42 at the same time.
  • the first power amplifier circuit 2 includes a first amplifier component 21 and a first output transformer 22, as shown in FIG.
  • the first power amplifier circuit 2 amplifies the first transmission signal in the transmission band of the first communication band.
  • the first power amplifier circuit 2 amplifies the first transmission signal output from the signal processing circuit 92 (see FIG. 5) and outputs the amplified first transmission signal to the first transmission filter 41 (see FIG. 5). .
  • the first amplification component 21 has a first amplification element 23 and a second amplification element 24 .
  • the first amplification component 21 amplifies the first transmission signal.
  • the first amplification component 21 amplifies the first transmission signal output from the signal processing circuit 92 (see FIG. 5) and outputs the amplified signal to the first output transformer 22 .
  • the first amplification element 23 amplifies the first transmission signal. More specifically, the first amplification element 23 amplifies the non-inverted input signal of the first transmission signal.
  • the first amplifying element 23 has an input terminal 231 and an output terminal 232 .
  • a non-inverted input signal of the first transmission signal is input to the input terminal 231 of the first amplification element 23 .
  • the output terminal 232 of the first amplifying element 23 is electrically connected to the first coil 25 of the first output transformer 22 .
  • the output terminal 232 of the first amplifying element 23 is electrically connected to the first end 251 of the first coil 25 .
  • the second amplification element 24 amplifies the first transmission signal. More specifically, the second amplifying element 24 amplifies the opposite phase signal of the first transmission signal, that is, the inverted input signal.
  • the second amplifying element 24 has an input terminal 241 and an output terminal 242 .
  • An input terminal 241 of the second amplifying element 24 receives an inverted input signal of the first transmission signal.
  • the output terminal 242 of the second amplifying element 24 is electrically connected to the first coil 25 of the first output transformer 22 . Specifically, the output terminal 242 of the second amplifying element 24 is electrically connected to the second end 252 of the first coil 25 .
  • the first output transformer 22 has a first coil 25 and a second coil 26 .
  • the first coil 25 and the second coil 26 are electromagnetically coupled.
  • a first end 251 of the first coil 25 is electrically connected to the output terminal 232 of the first amplifying element 23, and a second end 252 of the first coil 25 is connected to the output terminal 242 of the second amplifying element 24. electrically connected.
  • a bias voltage is supplied to the midpoint of the first coil 25 in the first output transformer 22 .
  • a first end 261 of the second coil 26 is electrically connected to the output terminal 27 of the first power amplifier circuit 2, and a second end 262 of the second coil 26 is grounded.
  • the first output transformer 22 , the output terminal 232 of the first amplifying element 23 and the output terminal 242 of the second amplifying element 24 are electrically connected to the output terminal 27 .
  • the non-inverted input signal amplified by the first amplifying element 23 and the inverted input signal amplified by the second amplifying element 24 are impedance-converted by the first output transformer 22 while maintaining the opposite phase.
  • the second power amplifier circuit 3 includes a second amplifier component 31 and a second output transformer 32, as shown in FIG.
  • the second power amplifier circuit 3 amplifies the second transmission signal in the transmission band of the second communication band.
  • the second power amplifier circuit 3 amplifies the second transmission signal output from the signal processing circuit 92 (see FIG. 5) and outputs the amplified second transmission signal to the second transmission filter 42 (see FIG. 5). .
  • the second amplification component 31 has a third amplification element 33 and a fourth amplification element 34 .
  • the second amplification component 31 amplifies the second transmission signal.
  • the second amplification component 31 amplifies the second transmission signal output from the signal processing circuit 92 (see FIG. 5) and outputs the amplified signal to the second output transformer 32 .
  • the third amplifying element 33 amplifies the second transmission signal. More specifically, the third amplifying element 33 amplifies the non-inverted input signal of the second transmission signal.
  • the third amplifying element 33 has an input terminal 331 and an output terminal 332 .
  • a non-inverted input signal of the second transmission signal is input to the input terminal 331 of the third amplifying element 33 .
  • the output terminal 332 of the third amplifying element 33 is electrically connected to the third coil 35 of the second output transformer 32 .
  • the output terminal 332 of the third amplifying element 33 is electrically connected to the first end 351 of the third coil 35 .
  • the fourth amplification element 34 amplifies the second transmission signal. More specifically, the fourth amplifying element 34 amplifies the opposite phase signal of the second transmission signal, that is, the inverted input signal.
  • the fourth amplifying element 34 has an input terminal 341 and an output terminal 342 .
  • An input terminal 341 of the fourth amplifying element 34 receives an inverted input signal of the second transmission signal.
  • the output terminal 342 of the fourth amplifying element 34 is electrically connected to the third coil 35 of the second output transformer 32 . Specifically, the output terminal 342 of the fourth amplifying element 34 is electrically connected to the second end 352 of the third coil 35 .
  • the second output transformer 32 has a third coil 35 and a fourth coil 36.
  • the third coil 35 and the fourth coil 36 are electromagnetically coupled.
  • a first end 351 of the third coil 35 is electrically connected to the output terminal 332 of the third amplifying element 33, and a second end 352 of the third coil 35 is connected to the output terminal 342 of the fourth amplifying element 34. electrically connected.
  • a bias voltage is supplied to the middle point of the third coil 35 in the second output transformer 32 .
  • a first end 361 of the fourth coil 36 is electrically connected to the output terminal 37 of the second power amplifier circuit 3, and a second end 362 of the fourth coil 36 is grounded.
  • the second output transformer 32 , the output terminal 332 of the third amplifying element 33 and the output terminal 342 of the fourth amplifying element 34 are electrically connected to the output terminal 37 .
  • the non-inverted input signal amplified by the third amplifying element 33 and the inverted input signal amplified by the fourth amplifying element 34 are impedance-converted by the second output transformer 32 while maintaining the opposite phase.
  • the communication device 9 includes a high frequency module 1, a plurality of (two in the illustrated example) antennas 91, and a signal processing circuit 92.
  • the signal processing circuit 92 performs signal processing on signals passing through the high frequency module 1 .
  • the signal processing circuit 92 includes a baseband signal processing circuit 93 and an RF signal processing circuit 94 .
  • the baseband signal processing circuit 93 is, for example, a BBIC (Baseband Integrated Circuit), and is electrically connected to the RF signal processing circuit 94, as shown in FIG.
  • a baseband signal processing circuit 93 generates an I-phase signal and a Q-phase signal from the baseband signal.
  • the baseband signal processing circuit 93 performs IQ modulation processing by combining the I-phase signal and the Q-phase signal, and outputs a transmission signal.
  • the transmission signal is generated as a modulated signal obtained by amplitude-modulating a carrier signal of a predetermined frequency with a period longer than the period of the carrier signal.
  • the RF signal processing circuit 94 is, for example, an RFIC (Radio Frequency Integrated Circuit), and is provided between the high frequency module 1 and the baseband signal processing circuit 93, as shown in FIG.
  • the RF signal processing circuit 94 has a function of performing signal processing on the transmission signal from the baseband signal processing circuit 93 and a function of performing signal processing on the reception signal received by the antenna 91 .
  • the RF signal processing circuit 94 is a multiband processing circuit capable of generating and amplifying transmission signals of a plurality of communication bands.
  • the baseband signal processing circuit 93 is not an essential component.
  • the high frequency module 1 includes a first power amplifier circuit 2, a second power amplifier circuit 3, a substrate 7, and a plurality of (two in the illustrated example) elongated bumps 8. Prepare.
  • the substrate 7 has a first main surface (one main surface) 71 and a second main surface 72, as shown in FIGS.
  • the first main surface 71 and the second main surface 72 face each other in the thickness direction D1 of the substrate 7 .
  • the plurality of elongated bumps 8 include first elongated bumps 8A and second elongated bumps 8B, as shown in FIGS.
  • a plurality of long bumps 8 are arranged on the first main surface 71 of the substrate 7 .
  • the first long bump 8A includes a plurality of (two in the illustrated example) bumps 81A and 82A.
  • the multiple bumps 81A and 82A are arranged along the second direction D22.
  • Each of the plurality of bumps 81A and 82A is elongated and arranged such that its longitudinal direction is along the second direction D22.
  • the first long bump 8A has a gap 80A.
  • the gap 80A is positioned between the bump 81A and the bump 82A in the second direction D22.
  • the second long bump 8B includes a plurality of (two in the illustrated example) bumps 81B and 82B.
  • the multiple bumps 81B and 82B are arranged along the second direction D22.
  • Each of the plurality of bumps 81B and 82B is elongated and arranged such that its longitudinal direction is along the second direction D22.
  • the second long bump 8B has a gap 80B. The gap 80B is located between the bump 81B and the bump 82B in the second direction D22.
  • the arrangement of the first power amplifier circuit 2 will be described. As shown in FIGS. 1 to 3, the first amplification component 21 and the first output transformer 22 are arranged on the substrate 7. FIG. 1
  • the first amplifying component 21 is arranged on the first main surface 71 of the substrate 7 via the long bumps 8 .
  • the first amplifying element 23 and the second amplifying element 24 shown in FIG. 4 are integrated into one chip as the first amplifying component 21 . That is, the first amplification component 21 includes a first amplification element 23 and a second amplification element 24 (see FIG. 4).
  • the first amplifying element 23 and the second amplifying element 24 are arranged inside the first amplifying component 21 .
  • the first coil 25 of the first output transformer 22 is formed inside the substrate 7 as shown in FIG. As shown in FIGS. 1 and 2, the second coil 26 of the first output transformer 22 is partly formed inside the substrate 7 and the rest is formed on the first main surface 71 of the substrate 7. .
  • the second coil 26 is wound counterclockwise starting from the first end of the second coil 26 that is closer to the output terminal 27 (see FIG. 4).
  • the second coil 26 is arranged so as to overlap the first coil 25 in plan view from the thickness direction D1 of the substrate 7 .
  • the second amplifying component 31 and the second output transformer 32 are arranged on the substrate 7 .
  • the second amplifying component 31 is arranged on the first main surface 71 of the substrate 7 via the long bumps 8 .
  • the third amplifying element 33 and the fourth amplifying element 34 shown in FIG. 4 are integrated into one chip as the second amplifying component 31 . That is, the second amplification component 31 includes a third amplification element 33 and a fourth amplification element 34 (see FIG. 4).
  • the third amplifying element 33 and the fourth amplifying element 34 are arranged inside the second amplifying component 31 .
  • the third coil 35 of the second output transformer 32 is formed inside the substrate 7, as shown in FIG. As shown in FIGS. 1 and 2, the fourth coil 36 of the second output transformer 32 is partly formed inside the substrate 7 and the rest is formed on the first main surface 71 of the substrate 7. .
  • the fourth coil 36 is wound clockwise starting from the first end of the fourth coil 36 that is closer to the output terminal 37 (see FIG. 4).
  • the fourth coil 36 is arranged so as to overlap the third coil 35 in plan view from the thickness direction D1 of the substrate 7 .
  • the second coil 26 of the first output transformer 22 and the fourth coil 36 of the second output transformer 32 are arranged so that the directions of the magnetic fluxes generated by current flow are different from each other.
  • the second coil 26 of the first output transformer 22 is arranged on the substrate 7 so that the magnetic flux ⁇ 1 generated in the center is oriented from the first main surface 71 side to the second main surface 72 side.
  • the fourth coil 36 of the second output transformer 32 is arranged on the substrate 7 so that the magnetic flux ⁇ 2 generated in the center is oriented from the second main surface 72 side to the first main surface 71 side.
  • the direction of magnetic flux ⁇ 1 generated by current flowing through the second coil 26 of the first output transformer 22 is counterclockwise, and is generated by current flowing through the fourth coil 36 of the second output transformer 32.
  • the direction of the magnetic flux ⁇ 2 is clockwise.
  • the first transmission signal is input to the first output transformer 22, that is, when the current is input to the first output transformer 22, the first output transformer 22 changes from the first main surface 71 side to the second main surface 72 side.
  • a magnetic flux ⁇ 1 is generated at .
  • the second transmission signal is input to the second output transformer 32, that is, when the current is input to the second output transformer 32, the second output transformer 32 moves from the second main surface 72 side to the first main surface 71 side.
  • a magnetic flux ⁇ 2 is generated at . That is, the first output transformer 22 and the second output transformer 32 are configured such that the directions of the magnetic fluxes generated by the input of the transmission signals (the first transmission signal and the second transmission signal) are different from each other.
  • the plurality of long bumps 8 are positioned between the first output transformer 22 and the second output transformer 32 in plan view from the thickness direction D1 of the substrate 7, as shown in FIG. More specifically, the first long bump 8A and the second long bump 8B are arranged between the first output transformer 22 and the second output transformer 32 in the first direction D21 orthogonal to the thickness direction D1 of the substrate 7. located in Specifically, in the first direction D21, the first long bump 8A is positioned between the first output transformer 22 and the second long bump 8B, and the second long bump 8B is positioned between the second long bump 8B and the second long bump 8B. It is located between the output transformer 32 and the first long bump 8A.
  • the elongated bump 8 refers to an elongated bump.
  • a long shape is a shape that is long in one direction, and the long direction refers to the one direction. More specifically, the elongate shape is a shape in which the length in one direction is longer than the length in the other direction that intersects with the one direction.
  • the long bump 8 can reduce the magnetic flux ⁇ 2 from the second output transformer 32 going around to the first output transformer 22 side. As a result, deterioration of characteristics can be reduced.
  • the width W21 of the first long bump 8A is wider than the width W11 of the second coil 26 of the first output transformer 22.
  • the length of the first long bump 8A is longer than the length of the second coil 26 of the first output transformer 22 in the second direction D22.
  • the width W22 of the second long bump 8B is wider than the width W12 of the fourth coil 36 of the second output transformer 32.
  • the length of the second long bump 8B is longer than the length of the fourth coil 36 of the second output transformer 32 in the second direction D22.
  • the substrate 7 also includes a plurality of (two in the illustrated example) thermal vias 73, as shown in FIG.
  • the multiple thermal vias 73 include first thermal vias 73A and second thermal vias 73B.
  • the first thermal via 73A is electrically connected to the first amplification component 21, and is arranged so as to overlap the first amplification component 21 in plan view from the thickness direction D1 of the substrate 7.
  • the second thermal via 73B is electrically connected to the second amplification component 31, and is arranged so as to overlap the second amplification component 31 in plan view from the thickness direction D1 of the substrate 7.
  • the width of the first thermal via 73A is wider than the width W11 of the second coil 26 of the first output transformer 22 in the second direction D22.
  • the length of the first thermal via 73A is longer than the length of the second coil 26 of the first output transformer 22 in the second direction D22.
  • the width of the second thermal via 73B is wider than the width W12 of the fourth coil 36 of the second output transformer 32 in the second direction D22.
  • the length of the second thermal via 73B is longer than the length of the fourth coil 36 of the second output transformer 32 in the second direction D22.
  • the first output transformer 22 and the second output transformer 32 have different winding directions in plan view from the thickness direction D1 of the substrate 7 .
  • the influence of the magnetic flux ⁇ 1 from the first output transformer 22 on the second output transformer 32 can be reduced.
  • the influence of the magnetic flux ⁇ 2 from the second output transformer 32 on the first output transformer 22 can be reduced.
  • the first output transformer 22, the first amplifying component 21, the second amplifying component 31, and the second output transformer 32 are arranged in a plan view from the thickness direction D1 of the substrate 7. They are lined up in this order. More specifically, in a first direction D21 orthogonal to the thickness direction D1 of the substrate 7, the first output transformer 22, the first amplification component 21, the second amplification component 31, and the second output transformer 32 are arranged in this order.
  • the first output transformer 22 and the second output transformer 32 can be separated, so that the influence of the magnetic flux ⁇ 1 from the first output transformer 22 on the second output transformer 32 can be further reduced. Similarly, the influence of the magnetic flux ⁇ 2 from the second output transformer 32 on the first output transformer 22 can be further reduced.
  • the elongated bump 8 (first elongated bump 8A) does not overlap the central portion of the first output transformer 22 in plan view from the thickness direction D1 of the substrate 7 .
  • the elongated bumps 8 (second elongated bumps 8B) do not overlap the central portion of the second output transformer 32 in plan view from the thickness direction D1 of the substrate 7 .
  • the first long bump 8A does not overlap the center of the first amplifying component 21 when viewed from the thickness direction D1 of the substrate 7 in plan view.
  • the second long bump 8B does not overlap the center of the second amplifying component 31 in plan view from the thickness direction D1 of the substrate 7 .
  • the switch 6 When simultaneous communication is performed, the switch 6 connects the first antenna terminal 51 and the first transmission filter 41 and connects the second antenna terminal 52 and the second transmission filter 42 . That is, the switch 6 selects the selection terminal 63 as the connection destination of the common terminal 61 and selects the selection terminal 64 as the connection destination of the common terminal 62 .
  • the first transmission signal output from the signal processing circuit 92 is transmitted from the first antenna 911 via the first power amplifier circuit 2 and the first transmission filter 41 .
  • the second transmission signal output from the signal processing circuit 92 is transmitted from the second antenna 912 via the second power amplifier circuit 3 and the second transmission filter 42 .
  • the long bumps 8 are positioned between the first output transformer 22 and the second output transformer 32 in plan view from the thickness direction D1 of the substrate 7.
  • the width W21 of the long bump 8 (first long bump 8A) is wider than the width W11 of the second coil 26 of the first output transformer 22.
  • the width W22 of the long bump 8 (second long bump 8B) is wider than the width W12 of the fourth coil 36 of the second output transformer 32 .
  • the width of the thermal via 73 (first thermal via 73A) of the substrate 7 is wider than the width W11 of the second coil 26 of the first output transformer 22.
  • the thermal via 73 (second thermal via 73B) of the substrate 7 is wider than the width W12 of the fourth coil 36 of the second output transformer 32 .
  • the winding directions of the first output transformer 22 and the second output transformer 32 are different from each other in plan view from the thickness direction D1 of the substrate 7 .
  • the influence of the magnetic flux ⁇ 1 from the first output transformer 22 on the second output transformer 32 can be reduced.
  • the influence of the magnetic flux ⁇ 2 from the second output transformer 32 on the first output transformer 22 can be reduced.
  • the first output transformer 22, the first amplification component 21, the second amplification component 31, and the second output transformer 32 are arranged in this order in plan view from the thickness direction D1 of the substrate 7. I'm in.
  • the first output transformer 22 and the second output transformer 32 can be separated, so that the influence of the magnetic flux ⁇ 1 from the first output transformer 22 on the second output transformer 32 can be further reduced.
  • the influence of the magnetic flux ⁇ 2 from the second output transformer 32 on the first output transformer 22 can be further reduced.
  • the first output transformer 22 and the second output transformer 32 may have the same winding direction in plan view in the thickness direction D1 of the substrate 7 .
  • the winding directions of the first output transformer 22 and the second output transformer 32 are the same in plan view in the thickness direction D1 of the substrate 7 .
  • the long bump 8 is more effective in reducing the magnetic flux (magnetic flux ⁇ 1 from the first output transformer 22 and magnetic flux ⁇ 2 from the second output transformer 32).
  • the high-frequency module 1 according to the above modified example also has the same effects as the high-frequency module 1 according to the first embodiment.
  • the high frequency module 1 according to the second embodiment differs from the high frequency module 1 according to the first embodiment (see FIG. 4) in that the second power amplifier circuit 3 is a Doherty amplifier circuit.
  • a high-frequency module 1 according to the second embodiment includes a first power amplifier circuit 2 and a second power amplifier circuit 3, as shown in FIGS.
  • the same components as those of the high-frequency module 1 according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the second power amplifier circuit 3 of Embodiment 2 is a Doherty amplifier circuit.
  • the second power amplifier circuit 3 includes a second amplifier component 31 and a plurality of (two in the illustrated example) second output transformers 32a and 32b.
  • the second amplification component 31 has a plurality of third amplification elements 33a, 33b and a plurality of fourth amplification elements 34a, 34b.
  • the second output transformer 32a has a third coil 35a and a fourth coil 36a.
  • the second output transformer 32b has a third coil 35b and a fourth coil 36b.
  • the fourth amplification element 34b when the power level of the second transmission signal input to the fourth amplification element 34b becomes equal to or higher than the reference power level, the fourth amplification element 34b amplifies and outputs the second transmission signal.
  • the third amplification element 33a amplifies and outputs the second transmission signal regardless of the power level of the second transmission signal (non-inverted input signal) input to the third amplification element 33a.
  • the fourth amplifying element 34a amplifies and outputs the second transmitting signal regardless of the power level of the second transmitting signal (inverted input signal) input to the fourth amplifying element 34a.
  • phase of the second transmission signal (non-inverted input signal) output from the third amplification element 33b and the phase of the second transmission signal (inverted input signal) output from the fourth amplification element 34b are opposite phases. is. Further, the phase of the second transmission signal (non-inverted input signal) output from the third amplification element 33a and the phase of the second transmission signal (inverted input signal) output from the fourth amplification element 34a are in opposite phases. be. Therefore, the primary voltage applied to the third coil 35a of the second output transformer 32a and the primary voltage applied to the third coil 35b of the second output transformer 32b are double the voltage of the second transmission signal.
  • the secondary voltage applied to the fourth coil 36a of the second output transformer 32a is the product of the primary voltage applied to the third coil 35a and the turns ratio of the second output transformer 32a.
  • the secondary voltage applied to the fourth coil 36b of the second output transformer 32b is the product of the primary voltage applied to the third coil 35b and the turns ratio of the second output transformer 32b.
  • the third amplifying element 33b is disconnected from the signal path.
  • the fourth amplifying element 34b is disconnected from the signal path because the impedance of the fourth amplifying element 34b is always large.
  • the primary voltage applied to the third coil 35a of the second output transformer 32a is twice the voltage of the second transmission signal.
  • the secondary voltage applied to the fourth coil 36a of the second output transformer 32a is the product of the primary voltage applied to the third coil 35a and the turns ratio of the second output transformer 32a.
  • the impedance of the third amplifying element 33a during the second operation is twice the impedance of the third amplifying element 33a during the first operation.
  • the impedance of the fourth amplifying element 34a during the second operation is twice the impedance of the fourth amplifying element 34b during the first operation. Therefore, during the second operation, the amplification efficiency of the high-frequency module 1 can be improved as compared with that during the first operation. That is, according to the high-frequency module 1 according to the second embodiment, it is possible to suppress a decrease in amplification efficiency.
  • the second power amplifier circuit 3 is a Doherty amplifier circuit. As a result, it is possible to reduce deterioration of characteristics even in the Doherty amplifier circuit.
  • the high frequency module 1 according to the third embodiment is similar to the high frequency module 1 according to the second embodiment (see FIG. 8) in that both the first power amplifier circuit 2 and the second power amplifier circuit 3 are Doherty circuits. 6).
  • a high-frequency module 1 according to the third embodiment includes a first power amplifier circuit 2 and a second power amplifier circuit 3, as shown in FIG.
  • the same components as those of the high-frequency module 1 according to the second embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the first power amplifier circuit 2 of Embodiment 3 is a Doherty amplifier circuit.
  • the first power amplifier circuit 2 includes a first amplifier component 21 and a plurality of (two in the illustrated example) first output transformers 22a and 22b.
  • the first amplification component 21 has a plurality of first amplification elements 23 and a plurality of second amplification elements 24 (see FIG. 7).
  • the first output transformer 22a has a first coil 25 (see FIG. 2) and a second coil 26a.
  • the first output transformer 22b has a first coil 25 (see FIG. 2) and a second coil 26b.
  • the first power amplifier circuit 2 and the second power amplifier circuit 3 are Doherty amplifier circuits. As a result, it is possible to reduce deterioration of characteristics even in the Doherty amplifier circuit.
  • the radio frequency module 1 according to Embodiment 4 differs from the radio frequency module 1 according to Embodiment 1 (see FIG. 1) in that each of the plurality of long bumps 8 is one bump. .
  • the high-frequency module 1 according to the fourth embodiment includes a first power amplifier circuit 2, a second power amplifier circuit 3, a substrate 7, and a plurality of (two in the illustrated example) and a long bump 8 .
  • the same components as those of the high-frequency module 1 according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • Each of the plurality of long bumps 8 of the fourth embodiment is composed of one bump.
  • descriptions of the same configurations and functions as those of the long bumps 8 of the first embodiment (see FIG. 1) will be omitted.
  • the long bumps 8 are the first output transformer 22 and the second output transformer 32, respectively. is located between As a result, the long bump 8 can reduce the wraparound of the magnetic flux from the first output transformer 22, thereby reducing the deterioration of the characteristics. Similarly, the long bumps 8 can reduce the wraparound of the magnetic flux from the second output transformer 32, so that deterioration of the characteristics can be reduced.
  • the high-frequency module 1 according to the fifth embodiment is similar to the high-frequency module 1 according to the first embodiment in that the gap 80A between the first long bumps 8A and the gap 80B between the second long bumps 8B are deviated from each other. It differs from module 1 (see FIG. 1).
  • the high-frequency module 1 according to the fifth embodiment includes a first power amplifier circuit 2, a second power amplifier circuit 3, a substrate 7, and a plurality of (two in the illustrated example) and a long bump 8 .
  • the same components as those of the high-frequency module 1 according to Embodiment 1 are denoted by the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.
  • the gap 80A between the first long bumps 8A and the gap 80B between the second long bumps 8B are misaligned. In other words, the gap 80A between the first long bumps 8A and the gap 80B between the second long bumps 8B are not aligned in the first direction D21.
  • the long bumps 8 of the fifth embodiment descriptions of the same configurations and functions as those of the long bumps 8 of the first embodiment (see FIG. 1) will be omitted.
  • the center of the first output transformer 22 and the center of the second output transformer 32 are not aligned in the first direction D21.
  • the same configurations and functions as those of the first power amplifier circuit 2 and the second power amplifier circuit 3 of the first embodiment (see FIG. 1) are described. omit the explanation.
  • the long bumps 8 are the first output transformer 22 and the second output transformer 32, respectively. is located between As a result, the long bump 8 can reduce the wraparound of the magnetic flux from the first output transformer 22, thereby reducing the deterioration of the characteristics. Similarly, the long bumps 8 can reduce the wraparound of the magnetic flux from the second output transformer 32, so that deterioration of the characteristics can be reduced.
  • the input terminal 28 of the first amplifying component 21 and the input terminal 38 of the second amplifying component 31 are connected to the first long bump 8A and the second long bump 8B. , and is different from the high-frequency module according to the first embodiment (see FIG. 1).
  • the high-frequency module 1 according to the sixth embodiment includes a first power amplifier circuit 2, a second power amplifier circuit 3, a substrate 7, and a plurality of (two in the illustrated example) and a long bump 8 .
  • the same components as those of the high-frequency module 1 according to Embodiment 1 are denoted by the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.
  • the first power amplifier circuit 2 has a first amplification component 21 and a first output transformer 22 .
  • the input terminal 28 of the first amplifying component 21 is located on the opposite side of the first output transformer 22 across the first long bump 8A in the first direction D21.
  • the first long bump 8A is positioned between the input terminal 28 of the first amplifying component 21 and the first output transformer 22 in plan view from the thickness direction D1 of the substrate 7 .
  • descriptions of the same configurations and functions as those of the first power amplifier circuit 2 of the first embodiment (see FIG. 1) will be omitted.
  • the second power amplifier circuit 3 has a second amplifier component 31 and a second output transformer 32 .
  • the input terminal 38 of the second amplifying component 31 is located on the opposite side of the second output transformer 32 across the second long bump 8B in the first direction D21.
  • the second long bump 8B is positioned between the input terminal 38 of the second amplifying component 31 and the second output transformer 32 in plan view from the thickness direction D1 of the substrate 7 .
  • descriptions of the same configurations and functions as those of the second power amplifier circuit 3 of the first embodiment will be omitted.
  • the long bumps 8 when viewed from the thickness direction D1 of the substrate 7, the long bumps 8 (first long bumps 8A) are connected to the input terminals 28 of the first amplification component 21. It is located between the first output transformer 22 . Thereby, the influence of the first transmission signal at the input terminal 28 of the first amplification component 21 can be reduced.
  • the long bump 8 in plan view from the thickness direction D1 of the substrate 7, the long bump 8 (second long bump 8B) is positioned between the input terminal 38 of the second amplifying component 31 and the second output transformer 32. ing. Thereby, the influence of the second transmission signal at the input terminal 38 of the second amplification component 31 can be reduced.
  • the radio frequency module 1 according to Embodiment 7 differs from the radio frequency module 1 according to Embodiment 6 (see FIG. 11) in that it includes a plurality of long bumps 8 as shown in FIG.
  • a high-frequency module 1 according to the seventh embodiment includes a first power amplifier circuit 2, a second power amplifier circuit 3, a substrate 7, and a plurality of (two in the illustrated example) and a long bump 8 .
  • the same components as those of the high-frequency module 1 according to the sixth embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the multiple long bumps 8 include a first long bump 8A and a second long bump 8B.
  • descriptions of the same configurations and functions as those of the long bumps 8 of the sixth embodiment (see FIG. 11) will be omitted.
  • the first long bump 8A includes four bumps 81A-84A.
  • the two bumps 81A, 82A are arranged along the second direction D22.
  • Each of the two bumps 81A and 82A is arranged such that its longitudinal direction is along the second direction D22.
  • Each of the two bumps 83A, 84A is arranged such that its longitudinal direction is along the first direction D21.
  • the first long bump 8A has gaps 80A, 85A and 86A.
  • the gap 80A is positioned between the bump 81A and the bump 82A in the second direction D22.
  • the gap 85A is located between the bump 81A and the bump 83A in the first direction D21.
  • the gap 86A is located between the bump 82A and the bump 84A in the first direction D21.
  • the second long bump 8B includes four bumps 81B-84B.
  • the two bumps 81B and 82B are arranged along the second direction D22.
  • Each of the two bumps 81B and 82B is arranged such that its longitudinal direction is along the second direction D22.
  • Each of the two bumps 83B, 84B is arranged such that its longitudinal direction is along the first direction D21.
  • the second long bump 8B has gaps 80B, 85B and 86B.
  • the gap 80B is located between the bump 81B and the bump 82B in the second direction D22.
  • the gap 85B is positioned between the bump 81B and the bump 83B in the first direction D21.
  • the gap 86B is located between the bump 82B and the bump 84B in the first direction D21.
  • the input terminal 28 of the first amplifying component 21 is surrounded on three sides by four bumps 81A to 84A. More specifically, bumps 81A and 82A are arranged between the input terminal 28 of the first amplifying component 21 and the first output transformer 22 in the first direction D21. Also, the input terminal 28 of the first amplifying component 21 is arranged between the bump 83A and the bump 84A in the second direction D22.
  • the input terminal 38 of the second amplification component 31 is surrounded on three sides by four bumps 81B to 84B. More specifically, bumps 81B and 82B are arranged between the input terminal 38 of the second amplifying component 31 and the second output transformer 32 in the first direction D21. Also, the input terminal 38 of the second amplifying component 31 is arranged between the bump 83B and the bump 84B in the second direction D22.
  • the long bumps 8 when viewed from the thickness direction D1 of the substrate 7, the long bumps 8 (first long bumps 8A) perform the first amplification. It is located between the input terminal 28 of the component 21 and the first output transformer 22 . Thereby, the influence of the first transmission signal at the input terminal 28 of the first amplification component 21 can be reduced.
  • the long bump 8 in plan view from the thickness direction D1 of the substrate 7, the long bump 8 (second long bump 8B) is connected to the input terminal 38 of the second amplifying component 31 and the second output transformer 32. is located between Thereby, the influence of the second transmission signal at the input terminal 38 of the second amplification component 31 can be reduced.
  • the element is arranged on the first major surface of the substrate means not only when the element is mounted directly on the first major surface of the substrate, but also when the element is mounted on the first major surface separated by the substrate. This includes the case where the element is arranged in the space on the first main surface side, out of the space on the main surface side and the space on the second main surface side.
  • the element is arranged on the first main surface of the substrate includes the case where the element is mounted on the first main surface of the substrate via other circuit elements, electrodes, or the like.
  • Elements are, for example, the first amplification component 21 and the second amplification component 31 , but are not limited to the first amplification component 21 and the second amplification component 31 .
  • the first element overlaps with the second element in plan view from the thickness direction of the substrate means that the first element is entirely covered in plan view from the thickness direction of the substrate.
  • the second element overlaps When all of the second element overlaps, When all of the first element overlaps with part of the second element, When part of the first element overlaps with all of the second element, A portion of the first element overlaps a portion of the second element.
  • the first element overlaps the second element in plan view from the thickness direction of the substrate means “at least a portion of the first element overlaps at least a portion of the second element”. ”.
  • the third element is arranged between the first element and the second element in plan view from the thickness direction of the substrate
  • in plan view from the thickness direction of the substrate It means that at least one of a plurality of line segments connecting an arbitrary point within the first element and an arbitrary point within the second element passes through the area of the third element.
  • a plan view from the thickness direction of the board means that the board and electronic components mounted on the board are orthographically projected onto a plane parallel to the main surface of the board.
  • a high-frequency module (1) includes a first power amplifier circuit (2), a second power amplifier circuit (3), and a substrate (7).
  • a first power amplifier circuit (2) amplifies a first transmission signal in the transmission band of the first communication band.
  • a second power amplifier circuit (3) amplifies the second transmission signal in the transmission band of the second communication band.
  • the substrate (7) has one main surface (first main surface 71).
  • the first power amplifier circuit (2) includes a first amplifier component (21) and a first transformer (first output transformers 22; 22a, 22b).
  • the first amplification component (21) has a first amplification element (23) and a second amplification element (24).
  • the first transformer has a first coil (25) and a second coil (26; 26a, 26b).
  • the first end (251) of the first coil (25) is connected to the output terminal (232) of the first amplifying element (23).
  • the second end (252) of the first coil (25) is connected to the output terminal (242) of the second amplifying element (24).
  • the second coils (26; 26a, 26b) are connected to the output terminal (27) of the first power amplifier circuit (2).
  • the second power amplifier circuit (3) includes a second amplifier component (31) and a second transformer (second output transformers 32; 32a, 32b).
  • the second amplification component (31) has third amplification elements (33; 33a, 33b) and fourth amplification elements (34; 34a, 34b).
  • the second transformer has third coils (35; 35a, 35b) and fourth coils (36; 36a, 36b).
  • a first end (351) of the third coil (35; 35a, 35b) is connected to an output terminal (332) of the third amplifying element (33; 33a, 33b).
  • the second end (352) of the third coil (35; 35a, 35b) is connected to the output terminal (342) of the fourth amplifying element (34; 34a, 34b).
  • the fourth coil (36; 36a, 36b) is connected to the output terminal (37) of the second power amplifier circuit (3).
  • the high frequency module (1) further comprises long bumps (8) arranged on one main surface of the substrate (7).
  • a first amplifying component (21) is arranged on one main surface of the substrate (7) via a long bump (8).
  • the long bump (8) is positioned between the first transformer and the second transformer in plan view from the thickness direction (D1) of the substrate (7).
  • the magnetic flux ( ⁇ 1) from the first transformer (first output transformer 22; 22a, 22b) is transferred to the second transformer (second output transformer) by the long bump (8) Since it is possible to reduce the wraparound to the transformer 32; 32a, 32b) side, it is possible to reduce the deterioration of the characteristics.
  • the width (W21) of the long bump (8) is set to the second coil of the first transformer (first output transformer 22; 22a, 22b). It is wider than the width (W11) of (26; 26a, 26b).
  • the magnetic flux ( ⁇ 1) from the second coils (26; 26a, 26b) of the first transformer (first output transformer 22; 22a, 22b) is further cut off. Therefore, deterioration of characteristics can be further reduced.
  • the substrate (7) includes thermal vias (73).
  • the width of the thermal via (73) is wider than the width (W11) of the second coils (26; 26a, 26b) of the first transformer (first output transformer 22; 22a, 22b).
  • the magnetic flux ( ⁇ 1) from the first transformer (first output transformer 22; 22a, 22b) is generated by the thermal via (73). Since it is possible to reduce the wraparound to the second transformer (second output transformer 32; 32a, 32b) side, deterioration of characteristics can be further reduced.
  • the first transformer (first output transformer 22; 22a; 22b) and the second transformer (second output transformer 32 32a; 32b) have different winding directions from each other in a plan view from the thickness direction (D1) of the substrate (7).
  • the influence of the magnetic flux ( ⁇ 1) from the first transformer (first output transformer 22; 22a; 22b) in the second transformer (second output transformer 32a; 32b) can be made smaller.
  • the first transformer (first output transformer 22a; 22b) and the second transformer (second output transformer 32b; 32a) ) have the same winding direction in plan view in the thickness direction (D1) of the substrate (7).
  • the long bump (8) further enhances the effect of reducing the wraparound of the magnetic flux ( ⁇ 1).
  • the long bumps (8) include a plurality of bumps (81A, 82A).
  • the long bumps (8) are arranged in the first transformer (first It does not overlap with the center of the output transformer 22).
  • the first amplification component (21) has an input terminal (28).
  • the long bump (8) is connected to the input terminal (28) of the first amplifying component (21) and the first transformer (first output transformer 22) in plan view from the thickness direction (D1) of the substrate (7). is located between
  • the influence on at least one of the first transmission signal and the second transmission signal at the input terminal (28) of the first amplification component (21) can be reduced. .
  • the second power amplifier circuit (3) is a Doherty amplifier circuit.
  • the high-frequency module (1) according to the ninth aspect deterioration of characteristics can be reduced even in the Doherty amplifier circuit.
  • the first transformer (first output transformer 22; 22a; 22b), the first amplification component (21), the The second amplifying component (31) and the second transformer (second output transformer 32; 32a; 32b) are arranged in this order in plan view from the thickness direction (D1) of the substrate (7).
  • the first transformer (first output transformer 22; 22a; 22b) and the second transformer (second output transformer 32; 32a; 32b) can be separated. Therefore, the influence of the magnetic flux ( ⁇ 1) from the first transformer on the second transformer can be further reduced.
  • transmission in the first communication band and transmission in the second communication band can be used simultaneously.
  • a communication device (9) comprises a high-frequency module (1) according to any one of the first to eleventh aspects and a signal processing circuit (92).
  • a signal processing circuit (92) processes the signal of the high frequency module (1).
  • the magnetic flux ( ⁇ 1) from the first transformer (first output transformer 22; 22a, 22b) is caused by the long bump (8). Since it is possible to reduce the wraparound to the second transformer (second output transformer 32; 32a, 32b) side, deterioration of characteristics can be reduced.
  • first power amplifier circuit 21 first amplification component 22, 22a, 22b first output transformer (first transformer) 23 first amplifying element 231 input terminal 232 output terminal 24 second amplifying element 241 input terminal 242 output terminal 25 first coil 251 first end 252 second end 26, 26a, 26b second coil 261 first end 262 second end 27 output terminal 28 input terminal 3 second power amplifier circuit 31 second amplification components 32, 32a, 32b second output transformer (second transformer) 33, 33a, 33b Third amplification element 331 Input terminal 332 Output terminal 34, 34a, 34b Fourth amplification element 341 Input terminal 342 Output terminal 35, 35a, 35b Third coil 351 First end 352 Second end 36, 36a, 36b fourth coil 361 first end 362 second end 37 output terminal 38 input terminal 41 first transmission filter 42 second transmission filter 5 antenna terminal 51 first antenna terminal 52 second antenna terminal 6 switches 61, 62 common terminal 63, 64 selection terminal 7 substrate 71 first main surface (one main surface) 72 second main surface 73 thermal via 73

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Abstract

特性の劣化を低減させる。高周波モジュール（１）は、第１電力増幅回路（２）と、第２電力増幅回路（３）と、基板（７）とを備える。第１電力増幅回路（２）は、第１増幅部品（２１）と、第１トランスとを含む。第２電力増幅回路（３）は、第２増幅部品（３１）と、第２トランスとを含む。高周波モジュール（１）は、基板（７）の一の主面に配置されている長尺バンプ（８）を更に備える。第１増幅部品（２１）は、長尺バンプ（８）を介して基板（７）の一の主面に配置されている。長尺バンプ（８）は、基板（７）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、第１トランスと第２トランスとの間に位置している。

Description

高周波モジュール及び通信装置
　本発明は、一般に高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には、複数の電力増幅回路を備える高周波モジュール、及び、高周波モジュールを備える通信装置に関する。
　特許文献１には、増幅器について記載されている。特許文献１に記載された増幅器は、アンプと、第１出力トランスと、第１位相変換素子とを備える。アンプは、入力信号の電力レベルが第１レベル以上の領域において、入力信号から分配された第１信号を増幅して第２信号を出力する。第１出力トランスは、第２信号が入力される第１入力側巻線と、第１入力側巻線と電磁界結合された第１出力側巻線と、を含む。第１位相変換素子は、第１出力側巻線に並列接続されており、第１出力側巻線から出力される信号より位相が略φ度進んだ第５信号を出力する。
特開２０１８－１３７５６６号公報
　ところで、複数のトランスを備える高周波モジュールでは、複数のトランス間で信号飛びが発生し、特性が劣化する場合がある。
　本発明は、上記の点に鑑みてなされ、特性の劣化を低減させることができる高周波モジュール及び通信装置を提供することを目的とする。
　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、第１電力増幅回路と、第２電力増幅回路と、基板とを備える。前記第１電力増幅回路は、第１通信バンドの送信帯域の第１送信信号を増幅する。前記第２電力増幅回路は、第２通信バンドの送信帯域の第２送信信号を増幅する。前記基板は、一の主面を有する。前記第１電力増幅回路は、第１増幅部品と、第１トランスとを含む。前記第１増幅部品は、第１増幅素子及び第２増幅素子を有する。前記第１トランスは、第１コイル及び第２コイルを有する。前記第１コイルの第１端は、前記第１増幅素子の出力端子に接続されている。前記第１コイルの第２端は、前記第２増幅素子の出力端子に接続されている。前記第２コイルは、前記第１電力増幅回路の出力端子に接続されている。前記第２電力増幅回路は、第２増幅部品と、第２トランスとを含む。前記第２増幅部品は、第３増幅素子及び第４増幅素子を有する。前記第２トランスは、第３コイル及び第４コイルを有する。前記第３コイルの第１端は、前記第３増幅素子の出力端子に接続されている。前記第３コイルの第２端は、前記第４増幅素子の出力端子に接続されている。前記第４コイルは、前記第２電力増幅回路の出力端子に接続されている。前記高周波モジュールは、長尺バンプを更に備える。前記長尺バンプは、前記基板の前記一の主面に配置されている。前記第１増幅部品は、前記長尺バンプを介して前記基板の前記一の主面に配置されている。前記長尺バンプは、前記基板の厚さ方向からの平面視において、前記第１トランスと前記第２トランスとの間に位置している。
　本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波モジュールと、信号処理回路とを備える。前記信号処理回路は、前記高周波モジュールの信号を処理する。
　本発明の上記態様に係る高周波モジュール及び通信装置によれば、特性の劣化を低減させることができる。
図１は、実施形態１に係る高周波モジュールの平面図である。 図２は、同上の高周波モジュールにおける図１のＸ１－Ｘ１線断面図である。 図３は、同上の高周波モジュールにおける図１のＸ２－Ｘ２線断面図である。 図４は、同上の高周波モジュールの要部の回路図である。 図５は、実施形態１に係る通信装置の概略図である。 図６は、実施形態２に係る高周波モジュールの平面図である。 図７は、同上の高周波モジュールの要部の回路図である。 図８は、実施形態３に係る高周波モジュールの平面図である。 図９は、実施形態４に係る高周波モジュールの平面図である。 図１０は、実施形態５に係る高周波モジュールの平面図である。 図１１は、実施形態６に係る高周波モジュールの平面図である。 図１２は、実施形態７に係る高周波モジュールの平面図である。
　以下、実施形態１～７に係る高周波モジュール及び通信装置について、図面を参照して説明する。下記の実施形態等において参照する各図は、模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比は、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
　（実施形態１）
　（１）高周波モジュール
　実施形態１に係る高周波モジュール１の構成について、図面を参照して説明する。
　実施形態１に係る高周波モジュール１は、図５に示すように、第１電力増幅回路２と、第２電力増幅回路３と、第１送信フィルタ４１と、第２送信フィルタ４２と、複数のアンテナ端子５と、スイッチ６とを備える。
　実施形態１に係る高周波モジュール１は、例えば、マルチモード／マルチバンド対応の通信装置９に用いられる。通信装置９は、例えば、携帯電話（例えば、スマートフォン）であるが、携帯電話に限らず、例えば、ウェアラブル端末（例えば、スマートウォッチ）等であってもよい。高周波モジュール１は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格等に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ（3rd Generation Partner Project）　ＬＴＥ規格（ＬＴＥ：Long Term Evolution）である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ　ＮＲ（New Radio）である。高周波モジュール１は、キャリアアグリゲーション（Carrier Aggregation）及びデュアルコネクティビティ（Dualconnectivity）に対応可能なモジュールである。ここで、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティとは、複数の周波数帯域の電波を同時に使用する通信をいう。
　実施形態１に係る高周波モジュール１は、４Ｇ規格で規定されている周波数帯域（通信バンド）の信号の通信と、４Ｇ規格で規定されている別の周波数帯域（通信バンド）の信号の通信とを同時に行うことが可能である。高周波モジュール１は、４Ｇ規格で規定されている周波数帯域（通信バンド）の信号の通信と、５Ｇ規格で規定されている周波数帯域（通信バンド）の信号の通信とを同時に行うことが可能である。高周波モジュール１は、５Ｇ規格で規定されている周波数帯域（通信バンド）の信号の通信と、５Ｇ規格で規定されている別の周波数帯域（通信バンド）の信号の通信とを同時に行うことが可能である。以下、キャリアアグリゲーション又はデュアルコネクティビティによる通信を同時通信ともいう。
　（２）高周波モジュールの各構成要素
　以下、実施形態１に係る高周波モジュール１の各構成要素について、図面を参照して説明する。
　（２．１）第１送信フィルタ
　図５に示す第１送信フィルタ４１は、例えば、ミッドバンド用フィルタである。第１送信フィルタ４１は、ミッドバンドに含まれる第１周波数帯域の第１送信信号を通過させる。実施形態１では、第１送信フィルタ４１は、第１周波数帯域の第１送信信号として、４Ｇ規格で規定されている第１通信バンドの第１送信信号を通過させる。ここで、第１通信バンドは、例えば４Ｇ規格で規定されたＢａｎｄ４（送信帯域１７１０ＭＨｚ－１７５５ＭＨｚ、受信帯域２１１０ＭＨｚ－２１５５ＭＨｚ）である。すなわち、第１送信信号は、送信帯域を１７１０ＭＨｚ－１７５５ＭＨｚとする周波数帯域の信号である。
　（２．２）第２送信フィルタ
　図５に示す第２送信フィルタ４２は、例えば、ミッドバンド用フィルタである。第２送信フィルタ４２は、ミッドバンドに含まれる第２周波数帯域の第２送信信号を通過させる。実施形態１では、第２送信フィルタ４２は、第２周波数帯域の第２送信信号として、４Ｇ規格で規定されている第２通信バンドの第２送信信号を通過させる。ここで、第２通信バンドは、例えば４Ｇ規格で規定されたＢａｎｄ１（送信帯域１９２０ＭＨｚ－１９８０ＭＨｚ、受信帯域２１１０ＭＨｚ－２１７０ＭＨｚ）である。すなわち、第２送信信号は、送信帯域を１９２０ＭＨｚ－１９８０ＭＨｚとする周波数帯域の信号である。
　（２．３）アンテナ端子
　複数のアンテナ端子５は、図５に示すように、第１アンテナ端子５１と、第２アンテナ端子５２とを含む。第１アンテナ端子５１は、後述の第１アンテナ９１１に電気的に接続されている。第２アンテナ端子５２は、後述の第２アンテナ９１２に電気的に接続されている。
　（２．４）スイッチ
　スイッチ６は、図５に示すように、複数のアンテナ端子５の各々（つまり複数のアンテナ９１の各々）との接続先を切り替えるスイッチである。スイッチ６は、複数（図示例では２つ）の共通端子６１，６２と、複数（図示例では２つ）の選択端子６３，６４とを有する。
　共通端子６１は、第１アンテナ端子５１に電気的に接続されている。つまり、共通端子６１は、第１アンテナ端子５１を介して第１アンテナ９１１に電気的に接続されている。なお、共通端子６１と第１アンテナ９１１との間には、図示しないフィルタ又はカプラ等が設けられていてもよい。共通端子６２は、第２アンテナ端子５２に電気的に接続されている。つまり、共通端子６２は、第２アンテナ端子５２を介して第２アンテナ９１２に電気的に接続されている。なお、共通端子６２と第２アンテナ９１２との間には、図示しないフィルタ又はカプラ等が設けられていてもよい。選択端子６３は、第１送信フィルタ４１に電気的に接続されている。選択端子６４は、第２送信フィルタ４２に電気的に接続されている。
　スイッチ６は、複数の選択端子６３，６４の少なくとも１つを共通端子６１の接続先として選択する。つまり、スイッチ６は、第１送信フィルタ４１及び第２送信フィルタ４２と第１アンテナ９１１とを選択的に接続する。また、スイッチ６は、複数の選択端子６３，６４の少なくとも１つを共通端子６２の接続先として選択する。つまり、スイッチ６は、第１送信フィルタ４１及び第２送信フィルタ４２と第２アンテナ９１２とを選択的に接続する。さらに、スイッチ６は、１つのアンテナ端子５（第１アンテナ端子５１又は第２アンテナ端子５２）と、第１送信フィルタ４１及び第２送信フィルタ４２とを同時に接続可能である。すなわち、スイッチ６は、１つのアンテナ９１（第１アンテナ９１１又は第２アンテナ９１２）と、第１送信フィルタ４１及び第２送信フィルタ４２とを同時に接続可能である。
　（２．５）第１電力増幅回路
　第１電力増幅回路２は、図４に示すように、第１増幅部品２１と、第１出力トランス２２とを備える。第１電力増幅回路２は、第１通信バンドの送信帯域の第１送信信号を増幅する。第１電力増幅回路２は、信号処理回路９２（図５参照）から出力された第１送信信号を増幅し、増幅された第１送信信号を第１送信フィルタ４１（図５参照）に出力する。
　第１増幅部品２１は、第１増幅素子２３と、第２増幅素子２４とを有する。第１増幅部品２１は、第１送信信号を増幅する。第１増幅部品２１は、信号処理回路９２（図５参照）から出力された第１送信信号を増幅して第１出力トランス２２に出力する。
　第１増幅素子２３は、第１送信信号を増幅する。より詳細には、第１増幅素子２３は、第１送信信号の非反転入力信号を増幅する。第１増幅素子２３は、入力端子２３１と、出力端子２３２とを有する。第１増幅素子２３の入力端子２３１には、第１送信信号の非反転入力信号が入力される。第１増幅素子２３の出力端子２３２は、第１出力トランス２２の第１コイル２５と電気的に接続されている。具体的には、第１増幅素子２３の出力端子２３２は、第１コイル２５の第１端２５１と電気的に接続されている。
　第２増幅素子２４は、第１送信信号を増幅する。より詳細には、第２増幅素子２４は、第１送信信号の逆位相の信号すなわち反転入力信号を増幅する。第２増幅素子２４は、入力端子２４１と、出力端子２４２とを有する。第２増幅素子２４の入力端子２４１には、第１送信信号の反転入力信号が入力される。第２増幅素子２４の出力端子２４２は、第１出力トランス２２の第１コイル２５と電気的に接続されている。具体的には、第２増幅素子２４の出力端子２４２は、第１コイル２５の第２端２５２と電気的に接続されている。
　第１出力トランス２２は、第１コイル２５と、第２コイル２６とを有する。第１出力トランス２２において、第１コイル２５と第２コイル２６とは電磁気的な結合を有する。
　第１コイル２５の第１端２５１は、第１増幅素子２３の出力端子２３２と電気的に接続されており、第１コイル２５の第２端２５２は、第２増幅素子２４の出力端子２４２と電気的に接続されている。第１出力トランス２２では、第１コイル２５の中点にバイアス電圧が供給される。
　第２コイル２６の第１端２６１は、第１電力増幅回路２の出力端子２７と電気的に接続されており、第２コイル２６の第２端２６２は、グランドに接続されている。言い換えると、第１出力トランス２２、第１増幅素子２３の出力端子２３２及び第２増幅素子２４の出力端子２４２は、出力端子２７と電気的に接続されている。
　第１増幅素子２３で増幅された非反転入力信号と、第２増幅素子２４で増幅された反転入力信号とは、逆位相を維持したまま、第１出力トランス２２にてインピーダンス変換される。
　（２．６）第２電力増幅回路
　第２電力増幅回路３は、図４に示すように、第２増幅部品３１と、第２出力トランス３２とを備える。第２電力増幅回路３は、第２通信バンドの送信帯域の第２送信信号を増幅する。第２電力増幅回路３は、信号処理回路９２（図５参照）から出力された第２送信信号を増幅し、増幅された第２送信信号を第２送信フィルタ４２（図５参照）に出力する。
　第２増幅部品３１は、第３増幅素子３３と、第４増幅素子３４とを有する。第２増幅部品３１は、第２送信信号を増幅する。第２増幅部品３１は、信号処理回路９２（図５参照）から出力された第２送信信号を増幅して第２出力トランス３２に出力する。
　第３増幅素子３３は、第２送信信号を増幅する。より詳細には、第３増幅素子３３は、第２送信信号の非反転入力信号を増幅する。第３増幅素子３３は、入力端子３３１と、出力端子３３２とを有する。第３増幅素子３３の入力端子３３１には、第２送信信号の非反転入力信号が入力される。第３増幅素子３３の出力端子３３２は、第２出力トランス３２の第３コイル３５と電気的に接続されている。具体的には、第３増幅素子３３の出力端子３３２は、第３コイル３５の第１端３５１と電気的に接続されている。
　第４増幅素子３４は、第２送信信号を増幅する。より詳細には、第４増幅素子３４は、第２送信信号の逆位相の信号すなわち反転入力信号を増幅する。第４増幅素子３４は、入力端子３４１と、出力端子３４２とを有する。第４増幅素子３４の入力端子３４１には、第２送信信号の反転入力信号が入力される。第４増幅素子３４の出力端子３４２は、第２出力トランス３２の第３コイル３５と電気的に接続されている。具体的には、第４増幅素子３４の出力端子３４２は、第３コイル３５の第２端３５２と電気的に接続されている。
　第２出力トランス３２は、第３コイル３５と、第４コイル３６とを有する。第２出力トランス３２において、第３コイル３５と第４コイル３６とは電磁気的な結合を有する。
　第３コイル３５の第１端３５１は、第３増幅素子３３の出力端子３３２と電気的に接続されており、第３コイル３５の第２端３５２は、第４増幅素子３４の出力端子３４２と電気的に接続されている。第２出力トランス３２では、第３コイル３５の中点にバイアス電圧が供給される。
　第４コイル３６の第１端３６１は、第２電力増幅回路３の出力端子３７と電気的に接続されており、第４コイル３６の第２端３６２は、グランドに接続されている。言い換えると、第２出力トランス３２、第３増幅素子３３の出力端子３３２及び第４増幅素子３４の出力端子３４２は、出力端子３７と電気的に接続されている。
　第３増幅素子３３で増幅された非反転入力信号と、第４増幅素子３４で増幅された反転入力信号とは、逆位相を維持したまま、第２出力トランス３２にてインピーダンス変換される。
　（３）通信装置
　実施形態１に係る通信装置９は、図５に示すように、高周波モジュール１と、複数（図示例では２つ）のアンテナ９１と、信号処理回路９２とを備える。信号処理回路９２は、高周波モジュール１を通る信号の信号処理を行う。信号処理回路９２は、ベースバンド信号処理回路９３と、ＲＦ信号処理回路９４とを備える。
　ベースバンド信号処理回路９３は、図５示すように、例えばＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）であり、ＲＦ信号処理回路９４に電気的に接続されている。ベースバンド信号処理回路９３は、ベースバンド信号からＩ相信号及びＱ相信号を生成する。ベースバンド信号処理回路９３は、Ｉ相信号とＱ相信号とを合成することでＩＱ変調処理を行って、送信信号を出力する。この際、送信信号は、所定周波数の搬送波信号を、当該搬送波信号の周期よりも長い周期で振幅変調した変調信号として生成される。
　ＲＦ信号処理回路９４は、図５に示すように、例えばＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波モジュール１とベースバンド信号処理回路９３との間に設けられている。ＲＦ信号処理回路９４は、ベースバンド信号処理回路９３からの送信信号に対して信号処理を行う機能と、アンテナ９１で受信された受信信号に対して信号処理を行う機能とを有する。ＲＦ信号処理回路９４は、マルチバンド対応の処理回路であり、複数の通信バンドの送信信号を生成して増幅することが可能である。
　なお、通信装置９では、ベースバンド信号処理回路９３は必須の構成要素ではない。
　（４）配置構成
　次に、高周波モジュール１における第１電力増幅回路２及び第２電力増幅回路３の配置構成について、図面を参照して説明する。
　高周波モジュール１は、図１～図３に示すように、第１電力増幅回路２と、第２電力増幅回路３と、基板７と、複数（図示例では２つ）の長尺バンプ８とを備える。
　基板７は、図１～図３に示すように、第１主面（一の主面）７１及び第２主面７２を有する。第１主面７１及び第２主面７２は、基板７の厚さ方向Ｄ１において互いに対向する。
　複数の長尺バンプ８は、図１及び図３に示すように、第１長尺バンプ８Ａと、第２長尺バンプ８Ｂとを含む。複数の長尺バンプ８は、基板７の第１主面７１に配置されている。
　第１長尺バンプ８Ａは、図１及び図２に示すように、複数（図示例では２つ）のバンプ８１Ａ，８２Ａを含む。複数のバンプ８１Ａ，８２Ａは、第２方向Ｄ２２に沿って並んでいる。複数のバンプ８１Ａ，８２Ａの各々は、長尺状であり、長手方向が第２方向Ｄ２２に沿うように配置されている。第１長尺バンプ８Ａは、隙間８０Ａを有する。隙間８０Ａは、第２方向Ｄ２２において、バンプ８１Ａとバンプ８２Ａとの間に位置している。
　第２長尺バンプ８Ｂは、図１及び図２に示すように、複数（図示例では２つ）のバンプ８１Ｂ，８２Ｂを含む。複数のバンプ８１Ｂ，８２Ｂは、第２方向Ｄ２２に沿って並んでいる。複数のバンプ８１Ｂ，８２Ｂの各々は、長尺状であり、長手方向が第２方向Ｄ２２に沿うように配置されている。第２長尺バンプ８Ｂは、隙間８０Ｂを有する。隙間８０Ｂは、第２方向Ｄ２２において、バンプ８１Ｂとバンプ８２Ｂとの間に位置している。
　まず、第１電力増幅回路２の配置について説明する。図１～図３に示すように、第１増幅部品２１及び第１出力トランス２２は、基板７に配置されている。
　第１増幅部品２１は、長尺バンプ８を介して、基板７の第１主面７１に配置されている。図４に示す第１増幅素子２３と第２増幅素子２４とは、第１増幅部品２１として１チップ化されている。すなわち、第１増幅部品２１は、第１増幅素子２３と、第２増幅素子２４とを含む（図４参照）。第１増幅素子２３と第２増幅素子２４とは、第１増幅部品２１の内部に配置されている。
　第１出力トランス２２の第１コイル２５は、図２に示すように、基板７の内部に形成されている。第１出力トランス２２の第２コイル２６は、図１及び図２に示すように、一部が基板７の内部に形成されており、残りが基板７の第１主面７１に形成されている。第２コイル２６は、第２コイル２６の両端のうち出力端子２７（図４参照）に近い第１端を始点として反時計回りに巻回されている。第２コイル２６は、基板７の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１コイル２５に重なるように配置されている。
　次に、第２電力増幅回路３の配置について説明する。図１及び図２に示すように、第２増幅部品３１及び第２出力トランス３２は、基板７に配置されている。
　第２増幅部品３１は、長尺バンプ８を介して、基板７の第１主面７１に配置されている。図４に示す第３増幅素子３３と第４増幅素子３４とは、第２増幅部品３１として１チップ化されている。すなわち、第２増幅部品３１は、第３増幅素子３３と、第４増幅素子３４とを含む（図４参照）。第３増幅素子３３と第４増幅素子３４とは、第２増幅部品３１の内部に配置されている。
　第２出力トランス３２の第３コイル３５は、図２に示すように、基板７の内部に形成されている。第２出力トランス３２の第４コイル３６は、図１及び図２に示すように、一部が基板７の内部に形成されており、残りが基板７の第１主面７１に形成されている。第４コイル３６は、第４コイル３６の両端のうち出力端子３７（図４参照）に近い第１端を始点として時計回りに巻回されている。第４コイル３６は、基板７の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第３コイル３５に重なるように配置されている。
　第１出力トランス２２の第２コイル２６と第２出力トランス３２の第４コイル３６は、電流が流れることで発生する磁束の方向が互いに異なるように配置されている。例えば、第１出力トランス２２の第２コイル２６は、中心に発生する磁束φ１が第１主面７１側から第２主面７２側の向きとなるように、基板７に配置されている。第２出力トランス３２の第４コイル３６は、中心に発生する磁束φ２が第２主面７２側から第１主面７１側の向きとなるように、基板７に配置されている。
　図２において、第１出力トランス２２の第２コイル２６に電流が流れることで発生する磁束φ１の方向は反時計方向となり、第２出力トランス３２の第４コイル３６に電流が流れることで発生する磁束φ２の方向は時計方向となる。第１出力トランス２２に第１送信信号が入力されると、つまり第１出力トランス２２に電流が入力されると、第１出力トランス２２では、第１主面７１側から第２主面７２側に磁束φ１が発生する。第２出力トランス３２に第２送信信号が入力されると、つまり第２出力トランス３２に電流が入力されると、第２出力トランス３２では、第２主面７２側から第１主面７１側に磁束φ２が発生する。すなわち、第１出力トランス２２と第２出力トランス３２とは、送信信号（第１送信信号、第２送信信号）が入力されることで発生する磁束の向きが互いに異なるように構成されている。
　複数の長尺バンプ８は、図１に示すように、基板７の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１出力トランス２２と第２出力トランス３２との間に位置している。より詳細には、基板７の厚さ方向Ｄ１と直交する第１方向Ｄ２１において、第１長尺バンプ８Ａ及び第２長尺バンプ８Ｂは、第１出力トランス２２と第２出力トランス３２との間に位置している。具体的には、第１方向Ｄ２１において、第１長尺バンプ８Ａは、第１出力トランス２２と第２長尺バンプ８Ｂとの間に位置しており、第２長尺バンプ８Ｂは、第２出力トランス３２と第１長尺バンプ８Ａとの間に位置している。
　ここで、長尺バンプ８とは、長尺形状のバンプをいう。長尺形状とは、一方向に長い形状であり、長尺方向とは、当該一方向を指す。より具体的には、長尺形状とは、一方向と交差する他方向の長さよりも当該一方向の長さの方が長い形状である。
　これにより、長尺バンプ８によって第１出力トランス２２からの磁束φ１が第２出力トランス３２側へ回り込むことを低減できる。同様に、長尺バンプ８によって第２出力トランス３２からの磁束φ２が第１出力トランス２２側へ回り込むことを低減できる。その結果、特性の劣化を低減させることができる。
　ところで、第１長尺バンプ８Ａの幅Ｗ２１は、第１出力トランス２２の第２コイル２６の幅Ｗ１１より広い。言い換えると、第２方向Ｄ２２において、第１長尺バンプ８Ａの長さは、第１出力トランス２２の第２コイル２６の長さより長い。これにより、第１出力トランス２２の第２コイル２６からの磁束φ１（図２参照）を更に遮断することができるので、特性の劣化を更に低減させることができる。
　同様に、第２長尺バンプ８Ｂの幅Ｗ２２は、第２出力トランス３２の第４コイル３６の幅Ｗ１２より広い。言い換えると、第２方向Ｄ２２において、第２長尺バンプ８Ｂの長さは、第２出力トランス３２の第４コイル３６の長さより長い。これにより、第２出力トランス３２の第４コイル３６からの磁束φ２（図２参照）を更に遮断することができるので、特性の劣化を更に低減させることができる。
　また、基板７は、図２に示すように、複数（図示例では２つ）のサーマルビア７３を含む。複数のサーマルビア７３は、第１サーマルビア７３Ａと、第２サーマルビア７３Ｂとを含む。第１サーマルビア７３Ａは、第１増幅部品２１と電気的に接続されており、基板７の厚さ方向Ｄ１からの平面視で第１増幅部品２１と重なるように配置されている。第２サーマルビア７３Ｂは、第２増幅部品３１と電気的に接続されており、基板７の厚さ方向Ｄ１からの平面視で第２増幅部品３１と重なるように配置されている。
　第２方向Ｄ２２において、第１サーマルビア７３Ａの幅は、第１出力トランス２２の第２コイル２６の幅Ｗ１１より広い。言い換えると、第２方向Ｄ２２において、第１サーマルビア７３Ａの長さは、第１出力トランス２２の第２コイル２６の長さより長い。これにより、基板７内においても、第１サーマルビア７３Ａによって第１出力トランス２２からの磁束φ１が第２出力トランス３２側へ回り込むことを低減できるので、特性の劣化を更に低減させることができる。
　同様に、第２方向Ｄ２２において、第２サーマルビア７３Ｂの幅は、第２出力トランス３２の第４コイル３６の幅Ｗ１２より広い。言い換えると、第２方向Ｄ２２において、第２サーマルビア７３Ｂの長さは、第２出力トランス３２の第４コイル３６の長さより長い。これにより、基板７内においても、第２サーマルビア７３Ｂによって第２出力トランス３２からの磁束φ２が第１出力トランス２２側へ回り込むことを低減できるので、特性の劣化を更に低減させることができる。
　上述したように、第１出力トランス２２及び第２出力トランス３２は、基板７の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、互いに巻き方向が異なっている。
　これにより、第２出力トランス３２における第１出力トランス２２からの磁束φ１の影響を小さくすることができる。同様に、第１出力トランス２２における第２出力トランス３２からの磁束φ２の影響を小さくすることができる。
　ところで、図１及び図２に示すように、第１出力トランス２２、第１増幅部品２１、第２増幅部品３１、第２出力トランス３２は、基板７の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、この順に並んでいる。より詳細には、基板７の厚さ方向Ｄ１と直交する第１方向Ｄ２１において、第１出力トランス２２、第１増幅部品２１、第２増幅部品３１、第２出力トランス３２は、この順に並んでいる。
　これにより、第１出力トランス２２と第２出力トランス３２とを離すことができるので、第２出力トランス３２における第１出力トランス２２からの磁束φ１の影響を更に低減させることができる。同様に、第１出力トランス２２における第２出力トランス３２からの磁束φ２の影響を更に低減させることができる。
　ところで、長尺バンプ８（第１長尺バンプ８Ａ）は、基板７の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１出力トランス２２の中心部と重ならない。また、長尺バンプ８（第２長尺バンプ８Ｂ）は、基板７の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第２出力トランス３２の中心部と重ならない。さらに、図１の例において、第１長尺バンプ８Ａは、基板７の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１増幅部品２１の中心と重ならない。第２長尺バンプ８Ｂは、基板７の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第２増幅部品３１の中心と重ならない。
　（５）高周波モジュールの動作例
　以下、同時通信が行われる場合の高周波モジュール１の動作について、図５を参照して説明する。
　同時通信が行われる場合、スイッチ６は、第１アンテナ端子５１と第１送信フィルタ４１とを接続状態にし、第２アンテナ端子５２と第２送信フィルタ４２とを接続状態にする。つまり、スイッチ６は、共通端子６１の接続先として選択端子６３を選択し、共通端子６２の接続先として選択端子６４を選択する。
　信号処理回路９２から出力された第１送信信号は、第１電力増幅回路２、第１送信フィルタ４１を介して、第１アンテナ９１１から送信される。信号処理回路９２から出力された第２送信信号は、第２電力増幅回路３、第２送信フィルタ４２を介して、第２アンテナ９１２から送信される。
　（６）効果
　実施形態１に係る高周波モジュール１では、基板７の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、長尺バンプ８が第１出力トランス２２と第２出力トランス３２との間に位置している。これにより、長尺バンプ８によって第１出力トランス２２からの磁束φ１が第２出力トランス３２側へ回り込むことを低減できるので、特性の劣化を低減させることができる。同様に、長尺バンプ８によって第２出力トランス３２からの磁束φ２が第１出力トランス２２側へ回り込むことを低減できるので、特性の劣化を低減させることができる。
　実施形態１に係る高周波モジュール１では、長尺バンプ８（第１長尺バンプ８Ａ）の幅Ｗ２１が第１出力トランス２２の第２コイル２６の幅Ｗ１１より広い。これにより、第１出力トランス２２の第２コイル２６からの磁束φ１が第２出力トランス３２側へ回り込むことを更に低減できるので、特性の劣化を更に低減させることができる。同様に、長尺バンプ８（第２長尺バンプ８Ｂ）の幅Ｗ２２が第２出力トランス３２の第４コイル３６の幅Ｗ１２より広い。これにより、第２出力トランス３２の第４コイル３６からの磁束φ２が第１出力トランス２２側へ回り込むことを更に低減できるので、特性の劣化を更に低減させることができる。
　実施形態１に係る高周波モジュール１では、基板７のサーマルビア７３（第１サーマルビア７３Ａ）の幅が第１出力トランス２２の第２コイル２６の幅Ｗ１１より広い。これにより、基板７内においても、サーマルビア７３によって第１出力トランス２２からの磁束φ１が第２出力トランス３２側へ回り込むことを低減できるので、特性の劣化を更に低減させることができる。同様に、基板７のサーマルビア７３（第２サーマルビア７３Ｂ）の幅が第２出力トランス３２の第４コイル３６の幅Ｗ１２より広い。これにより、基板７内においても、サーマルビア７３によって第２出力トランス３２からの磁束φ２が第１出力トランス２２側へ回り込むことを低減できるので、特性の劣化を更に低減させることができる。
　実施形態１に係る高周波モジュール１では、基板７の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１出力トランス２２及び第２出力トランス３２が互いに巻き方向が異なっている。これにより、第２出力トランス３２における第１出力トランス２２からの磁束φ１の影響を小さくすることができる。同様に、第１出力トランス２２における第２出力トランス３２からの磁束φ２の影響を小さくすることができる。
　実施形態１に係る高周波モジュール１では、基板７の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１出力トランス２２、第１増幅部品２１、第２増幅部品３１、第２出力トランス３２がこの順に並んでいる。これにより、第１出力トランス２２と第２出力トランス３２とを離すことができるので、第２出力トランス３２における第１出力トランス２２からの磁束φ１の影響を更に低減させることができる。同様に、第１出力トランス２２における第２出力トランス３２からの磁束φ２の影響を更に低減させることができる。
　（７）変形例
　以下、実施形態１の変形例について説明する。
　実施形態１の変形例とし、第１出力トランス２２及び第２出力トランス３２は、基板７の厚さ方向Ｄ１の平面視において、巻き方向が同じであってもよい。
　変形例に係る高周波モジュール１では、基板７の厚さ方向Ｄ１の平面視において、第１出力トランス２２及び第２出力トランス３２の巻き方向が同じである。これにより、長尺バンプ８によって磁束（第１出力トランス２２からの磁束φ１、第２出力トランス３２からの磁束φ２）の回り込みを低減させるという効果がより高まる。
　上記の変形例に係る高周波モジュール１においても、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の効果を奏する。
　（実施形態２）
　実施形態２に係る高周波モジュール１は、図７に示すように、第２電力増幅回路３がドハティ増幅回路である点で、実施形態１に係る高周波モジュール１（図４参照）と相違する。
　（１）構成
　実施形態２に係る高周波モジュール１は、図６及び図７に示すように、第１電力増幅回路２と、第２電力増幅回路３とを備える。なお、実施形態２に係る高周波モジュール１に関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　実施形態２の第２電力増幅回路３は、ドハティ増幅回路である。第２電力増幅回路３は、第２増幅部品３１と、複数（図示例では２つ）の第２出力トランス３２ａ，３２ｂとを備える。
　第２増幅部品３１は、複数の第３増幅素子３３ａ，３３ｂと、複数の第４増幅素子３４ａ，３４ｂとを有する。第２出力トランス３２ａは、第３コイル３５ａと、第４コイル３６ａとを有する。第２出力トランス３２ｂは、第３コイル３５ｂと、第４コイル３６ｂとを有する。
　（２）動作
　次に、実施形態２に係る高周波モジュール１の動作について、図６及び図７を参照して説明する。
　（２．１）第１動作
　高周波モジュール１の第１動作時には、第３増幅素子３３ａ，３３ｂ及び第４増幅素子３４ａ，３４ｂの全てが動作している。このとき、第３増幅素子３３ｂに入力される第２送信信号（非反転入力信号）の電力レベル及び第４増幅素子３４ｂに入力される第２送信信号（反転入力信号）の電力レベルは、基準電力レベル以上になっている。すなわち、第３増幅素子３３ｂは、第３増幅素子３３ｂに入力される第２送信信号の電力レベルが基準電力レベル以上になると、第２送信信号を増幅して出力する。また、第４増幅素子３４ｂは、第４増幅素子３４ｂに入力される第２送信信号の電力レベルが基準電力レベル以上になると、第２送信信号を増幅して出力する。一方、第３増幅素子３３ａは、第３増幅素子３３ａに入力される第２送信信号（非反転入力信号）の電力レベルにかかわらず、第２送信信号を増幅して出力する。また、第４増幅素子３４ａは、第４増幅素子３４ａに入力される第２送信信号（反転入力信号）の電力レベルにかかわらず、第２送信信号を増幅して出力する。
　ここで、第３増幅素子３３ｂから出力される第２送信信号（非反転入力信号）の位相と、第４増幅素子３４ｂから出力される第２送信信号（反転入力信号）の位相とが逆位相である。また、第３増幅素子３３ａから出力される第２送信信号（非反転入力信号）の位相と、第４増幅素子３４ａから出力される第２送信信号（反転入力信号）の位相とが逆位相である。そのため、第２出力トランス３２ａの第３コイル３５ａに印加される一次電圧及び第２出力トランス３２ｂの第３コイル３５ｂに印加される一次電圧は、第２送信信号の電圧の２倍になる。
　したがって、第２出力トランス３２ａの第４コイル３６ａに印加される二次電圧は、第３コイル３５ａに印加される一次電圧と第２出力トランス３２ａの巻数比との積になる。第２出力トランス３２ｂの第４コイル３６ｂに印加される二次電圧は、第３コイル３５ｂに印加される一次電圧と第２出力トランス３２ｂの巻数比との積になる。
　（２．２）第２動作
　高周波モジュール１の第２動作時には、第３増幅素子３３ｂ及び第４増幅素子３４ｂへの入力電力が小さくなり、第３増幅素子３３ｂ及び第４増幅素子３４ｂの出力電力が０に近づく。実施形態２に係る高周波モジュール１では、第３増幅素子３３ｂが接続されている信号経路にはλ／４線路が設けられており、第４増幅素子３４ｂが接続されている信号経路にはλ／４線路が設けられているため、第２出力トランス３２ｂの第３コイル３５ｂの両端はショートになる。このとき、第３増幅素子３３ｂは、第３増幅素子３３ｂのインピーダンスが常に大きくなっているため、信号経路から切り離された状態になる。また、第４増幅素子３４ｂは、第４増幅素子３４ｂのインピーダンスが常に大きくなっているため、信号経路から切り離された状態になる。
　このとき、第２出力トランス３２ａの第３コイル３５ａに印加される一次電圧は、第２送信信号の電圧の２倍になる。
　したがって、第２出力トランス３２ａの第４コイル３６ａに印加される二次電圧は、第３コイル３５ａに印加される一次電圧と第２出力トランス３２ａの巻数比との積になる。
　第２動作時における第３増幅素子３３ａのインピーダンスは、第１動作時における第３増幅素子３３ａのインピーダンスの２倍になる。また、第２動作時における第４増幅素子３４ａのインピーダンスは、第１動作時における第４増幅素子３４ｂのインピーダンスの２倍になる。したがって、第２動作時では、第１動作時に比べて高周波モジュール１の増幅効率を向上させることが可能となる。すなわち、実施形態２に係る高周波モジュール１によれば、増幅効率の低下を抑制することが可能となる。
　（３）効果
　実施形態２に係る高周波モジュール１では、第２電力増幅回路３がドハティ増幅回路である。これにより、ドハティ増幅回路においても、特性の劣化を低減させることができる。
　（実施形態３）
　実施形態３に係る高周波モジュール１は、図８に示すように、第１電力増幅回路２及び第２電力増幅回路３の両方がドハティ回路である点で、実施形態２に係る高周波モジュール１（図６参照）と相違する。
　（１）構成
　実施形態３に係る高周波モジュール１は、図８に示すように、第１電力増幅回路２と、第２電力増幅回路３とを備える。なお、実施形態３に係る高周波モジュール１に関し、実施形態２に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　実施形態３の第１電力増幅回路２は、ドハティ増幅回路である。第１電力増幅回路２は、第１増幅部品２１と、複数（図示例では２つ）の第１出力トランス２２ａ，２２ｂとを備える。
　第１増幅部品２１は、複数の第１増幅素子２３と、複数の第２増幅素子２４とを有する（図７参照）。第１出力トランス２２ａは、第１コイル２５（図２参照）と、第２コイル２６ａとを有する。第１出力トランス２２ｂは、第１コイル２５（図２参照）と、第２コイル２６ｂとを有する。
　（２）効果
　実施形態３に係る高周波モジュール１では、第１電力増幅回路２及び第２電力増幅回路３がドハティ増幅回路である。これにより、ドハティ増幅回路においても、特性の劣化を低減させることができる。
　（実施形態４）
　実施形態４に係る高周波モジュール１は、図９に示すように、複数の長尺バンプ８の各々が１つのバンプである点で、実施形態１に係る高周波モジュール１（図１参照）と相違する。
　（１）構成
　実施形態４に係る高周波モジュール１は、図９に示すように、第１電力増幅回路２と、第２電力増幅回路３と、基板７と、複数（図示例では２つ）の長尺バンプ８とを備える。なお、実施形態４に係る高周波モジュール１に関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　実施形態４の複数の長尺バンプ８の各々は、１つのバンプで構成されている。なお、実施形態４の長尺バンプ８に関し、実施形態１の長尺バンプ８（図１参照）と同様の構成及び機能については説明を省略する。
　（２）効果
　実施形態４に係る高周波モジュール１においても、実施形態１と同様、基板７の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、長尺バンプ８が第１出力トランス２２と第２出力トランス３２との間に位置している。これにより、長尺バンプ８によって第１出力トランス２２からの磁束の回り込みを低減させることができるので、特性の劣化を低減させることができる。同様に、長尺バンプ８によって第２出力トランス３２からの磁束の回り込みを低減させることができるので、特性の劣化を低減させることができる。
　（実施形態５）
　実施形態５に係る高周波モジュール１は、図１０に示すように、第１長尺バンプ８Ａの隙間８０Ａと第２長尺バンプ８Ｂの隙間８０Ｂとがずれている点で、実施形態１に係る高周波モジュール１（図１参照）と相違する。
　（１）構成
　実施形態５に係る高周波モジュール１は、図１０に示すように、第１電力増幅回路２と、第２電力増幅回路３と、基板７と、複数（図示例では２つ）の長尺バンプ８とを備える。なお、実施形態５に係る高周波モジュール１に関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　実施形態５では、第１長尺バンプ８Ａの隙間８０Ａと第２長尺バンプ８Ｂの隙間８０Ｂとがずれている。言い換えると、第１方向Ｄ２１において、第１長尺バンプ８Ａの隙間８０Ａと第２長尺バンプ８Ｂの隙間８０Ｂとが一直線上に並んでいない。なお、実施形態５の長尺バンプ８に関し、実施形態１の長尺バンプ８（図１参照）と同様の構成及び機能については説明を省略する。
　実施形態５では、第１方向Ｄ２１において、第１出力トランス２２の中心と第２出力トランス３２の中心とが一直線上に並んでいない。なお、実施形態５の第１電力増幅回路２及び第２電力増幅回路３に関し、実施形態１の第１電力増幅回路２及び第２電力増幅回路３（図１参照）と同様の構成及び機能については説明を省略する。
　（２）効果
　実施形態５に係る高周波モジュール１においても、実施形態１と同様、基板７の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、長尺バンプ８が第１出力トランス２２と第２出力トランス３２との間に位置している。これにより、長尺バンプ８によって第１出力トランス２２からの磁束の回り込みを低減させることができるので、特性の劣化を低減させることができる。同様に、長尺バンプ８によって第２出力トランス３２からの磁束の回り込みを低減させることができるので、特性の劣化を低減させることができる。
　（実施形態６）
　実施形態６に係る高周波モジュール１は、図１１に示すように、第１増幅部品２１の入力端子２８及び第２増幅部品３１の入力端子３８が第１長尺バンプ８Ａと第２長尺バンプ８Ｂとの間に配置されている点で、実施形態１に係る高周波モジュール（図１参照）と相違する。
　（１）構成
　実施形態６に係る高周波モジュール１は、図１１に示すように、第１電力増幅回路２と、第２電力増幅回路３と、基板７と、複数（図示例では２つ）の長尺バンプ８とを備える。なお、実施形態６に係る高周波モジュール１に関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　第１電力増幅回路２は、第１増幅部品２１と、第１出力トランス２２とを有する。実施形態６では、第１増幅部品２１の入力端子２８は、第１方向Ｄ２１において、第１長尺バンプ８Ａを挟んで第１出力トランス２２の反対側に位置している。言い換えると、第１長尺バンプ８Ａは、基板７の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１増幅部品２１の入力端子２８と第１出力トランス２２との間に位置している。なお、実施形態６の第１電力増幅回路２に関し、実施形態１の第１電力増幅回路２（図１参照）と同様の構成及び機能については説明を省略する。
　第２電力増幅回路３は、第２増幅部品３１と、第２出力トランス３２とを有する。実施形態６では、第２増幅部品３１の入力端子３８は、第１方向Ｄ２１において、第２長尺バンプ８Ｂを挟んで第２出力トランス３２の反対側に位置している。言い換えると、第２長尺バンプ８Ｂは、基板７の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第２増幅部品３１の入力端子３８と第２出力トランス３２との間に位置している。なお、実施形態６の第２電力増幅回路３に関し、実施形態１の第２電力増幅回路３（図１参照）と同様の構成及び機能については説明を省略する。
　（２）効果
　実施形態６に係る高周波モジュール１では、基板７の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、長尺バンプ８（第１長尺バンプ８Ａ）が第１増幅部品２１の入力端子２８と第１出力トランス２２との間に位置している。これにより、第１増幅部品２１の入力端子２８における第１送信信号の影響を低減させることができる。同様に、基板７の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、長尺バンプ８（第２長尺バンプ８Ｂ）が第２増幅部品３１の入力端子３８と第２出力トランス３２との間に位置している。これにより、第２増幅部品３１の入力端子３８における第２送信信号の影響を低減させることができる。
　（実施形態７）
　実施形態７に係る高周波モジュール１は、図１２に示すような複数の長尺バンプ８を備える点で、実施形態６に係る高周波モジュール１（図１１参照）と相違する。
　（１）構成
　実施形態７に係る高周波モジュール１は、図１２に示すように、第１電力増幅回路２と、第２電力増幅回路３と、基板７と、複数（図示例では２つ）の長尺バンプ８とを備える。なお、実施形態７に係る高周波モジュール１に関し、実施形態６に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　複数の長尺バンプ８は、第１長尺バンプ８Ａと、第２長尺バンプ８Ｂとを含む。なお、実施形態７の長尺バンプ８に関し、実施形態６の長尺バンプ８（図１１参照）と同様の構成及び機能については説明を省略する。
　第１長尺バンプ８Ａは、４つのバンプ８１Ａ～８４Ａを含む。２つのバンプ８１Ａ，８２Ａは、第２方向Ｄ２２に沿って並んでいる。２つのバンプ８１Ａ，８２Ａの各々は、長手方向が第２方向Ｄ２２に沿うように配置されている。２つのバンプ８３Ａ，８４Ａの各々は、長手方向が第１方向Ｄ２１に沿うように配置されている。第１長尺バンプ８Ａは、隙間８０Ａ，８５Ａ，８６Ａを有する。隙間８０Ａは、第２方向Ｄ２２において、バンプ８１Ａとバンプ８２Ａとの間に位置している。隙間８５Ａは、第１方向Ｄ２１において、バンプ８１Ａとバンプ８３Ａとの間に位置している。隙間８６Ａは、第１方向Ｄ２１において、バンプ８２Ａとバンプ８４Ａとの間に位置している。
　第２長尺バンプ８Ｂは、４つのバンプ８１Ｂ～８４Ｂを含む。２つのバンプ８１Ｂ，８２Ｂは、第２方向Ｄ２２に沿って並んでいる。２つのバンプ８１Ｂ，８２Ｂの各々は、長手方向が第２方向Ｄ２２に沿うように配置されている。２つのバンプ８３Ｂ，８４Ｂの各々は、長手方向が第１方向Ｄ２１に沿うように配置されている。第２長尺バンプ８Ｂは、隙間８０Ｂ，８５Ｂ，８６Ｂを有する。隙間８０Ｂは、第２方向Ｄ２２において、バンプ８１Ｂとバンプ８２Ｂとの間に位置している。隙間８５Ｂは、第１方向Ｄ２１において、バンプ８１Ｂとバンプ８３Ｂとの間に位置している。隙間８６Ｂは、第１方向Ｄ２１において、バンプ８２Ｂとバンプ８４Ｂとの間に位置している。
　第１増幅部品２１の入力端子２８は、４つのバンプ８１Ａ～８４Ａによって３方が囲まれている。より詳細には、第１方向Ｄ２１において、第１増幅部品２１の入力端子２８と第１出力トランス２２との間に、バンプ８１Ａ，８２Ａが配置されている。また、第２方向Ｄ２２において、バンプ８３Ａとバンプ８４Ａとの間に、第１増幅部品２１の入力端子２８が配置されている。
　第２増幅部品３１の入力端子３８は、４つのバンプ８１Ｂ～８４Ｂによって３方が囲まれている。より詳細には、第１方向Ｄ２１において、第２増幅部品３１の入力端子３８と第２出力トランス３２との間に、バンプ８１Ｂ，８２Ｂが配置されている。また、第２方向Ｄ２２において、バンプ８３Ｂとバンプ８４Ｂとの間に、第２増幅部品３１の入力端子３８が配置されている。
　（２）効果
　実施形態７に係る高周波モジュール１においても、実施形態６と同様、基板７の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、長尺バンプ８（第１長尺バンプ８Ａ）が第１増幅部品２１の入力端子２８と第１出力トランス２２との間に位置している。これにより、第１増幅部品２１の入力端子２８における第１送信信号の影響を低減させることができる。同様に、実施形態６と同様、基板７の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、長尺バンプ８（第２長尺バンプ８Ｂ）が第２増幅部品３１の入力端子３８と第２出力トランス３２との間に位置している。これにより、第２増幅部品３１の入力端子３８における第２送信信号の影響を低減させることができる。
　以上説明した実施形態及び変形例は、本発明の様々な実施形態及び変形例の一部に過ぎない。また、実施形態及び変形例は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
　本明細書において、「要素は、基板の第１主面に配置されている」は、要素が基板の第１主面上に直接実装されている場合だけでなく、基板で隔された第１主面側の空間及び第２主面側の空間のうち、第１主面側の空間に要素が配置されている場合を含む。つまり、「要素は、基板の第１主面に配置されている」は、要素が基板の第１主面上に、他の回路素子又は電極等を介して実装されている場合を含む。要素は、例えば、第１増幅部品２１及び第２増幅部品３１であるが、第１増幅部品２１及び第２増幅部品３１に限定されない。
　本明細書において、「第１要素は、基板の厚さ方向からの平面視で、第２要素と重なっている」とは、基板の厚さ方向からの平面視で、第１要素の全部が第２要素の全部と重なっている場合と、第１要素の全部が第２要素の一部と重なっている場合と、第１要素の一部が第２要素の全部と重なっている場合と、第１要素の一部が第２要素の一部と重なっている場合とを含む。要するに、「第１要素は、基板の厚さ方向からの平面視で、第２要素と重なっている」とは、「第１要素の少なくとも一部が第２要素の少なくとも一部と重なっている」ことをいう。
　本明細書において、「基板の厚さ方向からの平面視において、第１要素と第２要素との間に第３要素が配置されている」とは、基板の厚さ方向からの平面視において第１要素内の任意の点と第２要素内の任意の点とを結ぶ複数の線分の少なくとも１つが第３要素の領域を通ることを意味する。また、基板の厚さ方向からの平面視とは、基板及び基板に実装された電子部品を基板の主面に平行な平面に正投影して見ることを意味する。
　（態様）
　本明細書には、以下の態様が開示されている。
　第１の態様に係る高周波モジュール（１）は、第１電力増幅回路（２）と、第２電力増幅回路（３）と、基板（７）とを備える。第１電力増幅回路（２）は、第１通信バンドの送信帯域の第１送信信号を増幅する。第２電力増幅回路（３）は、第２通信バンドの送信帯域の第２送信信号を増幅する。基板（７）は、一の主面（第１主面７１）を有する。第１電力増幅回路（２）は、第１増幅部品（２１）と、第１トランス（第１出力トランス２２；２２ａ，２２ｂ）とを含む。第１増幅部品（２１）は、第１増幅素子（２３）及び第２増幅素子（２４）を有する。第１トランスは、第１コイル（２５）及び第２コイル（２６；２６ａ，２６ｂ）を有する。第１コイル（２５）の第１端（２５１）は、第１増幅素子（２３）の出力端子（２３２）に接続されている。第１コイル（２５）の第２端（２５２）は、第２増幅素子（２４）の出力端子（２４２）に接続されている。第２コイル（２６；２６ａ，２６ｂ）は、第１電力増幅回路（２）の出力端子（２７）に接続されている。第２電力増幅回路（３）は、第２増幅部品（３１）と、第２トランス（第２出力トランス３２；３２ａ，３２ｂ）とを含む。第２増幅部品（３１）は、第３増幅素子（３３；３３ａ，３３ｂ）及び第４増幅素子（３４；３４ａ，３４ｂ）を有する。第２トランスは、第３コイル（３５；３５ａ，３５ｂ）及び第４コイル（３６；３６ａ，３６ｂ）を有する。第３コイル（３５；３５ａ，３５ｂ）の第１端（３５１）は、第３増幅素子（３３；３３ａ，３３ｂ）の出力端子（３３２）に接続されている。第３コイル（３５；３５ａ，３５ｂ）の第２端（３５２）は、第４増幅素子（３４；３４ａ，３４ｂ）の出力端子（３４２）に接続されている。第４コイル（３６；３６ａ，３６ｂ）は、第２電力増幅回路（３）の出力端子（３７）に接続されている。高周波モジュール（１）は、基板（７）の一の主面に配置されている長尺バンプ（８）を更に備える。第１増幅部品（２１）は、長尺バンプ（８）を介して基板（７）の一の主面に配置されている。長尺バンプ（８）は、基板（７）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、第１トランスと第２トランスとの間に位置している。
　第１の態様に係る高周波モジュール（１）によれば、長尺バンプ（８）によって第１トランス（第１出力トランス２２；２２ａ，２２ｂ）からの磁束（φ１）が第２トランス（第２出力トランス３２；３２ａ，３２ｂ）側へ回り込むことを低減させることができるので、特性の劣化を低減させることができる。
　第２の態様に係る高周波モジュール（１）では、第１の態様において、長尺バンプ（８）の幅（Ｗ２１）は、第１トランス（第１出力トランス２２；２２ａ，２２ｂ）の第２コイル（２６；２６ａ，２６ｂ）の幅（Ｗ１１）より広い。
　第２の態様に係る高周波モジュール（１）によれば、第１トランス（第１出力トランス２２；２２ａ，２２ｂ）の第２コイル（２６；２６ａ，２６ｂ）からの磁束（φ１）を更に遮断することができるので、特性の劣化を更に低減させることができる。
　第３の態様に係る高周波モジュール（１）は、第１又は２の態様において、基板（７）は、サーマルビア（７３）を含む。サーマルビア（７３）の幅は、第１トランス（第１出力トランス２２；２２ａ，２２ｂ）の第２コイル（２６；２６ａ，２６ｂ）の幅（Ｗ１１）より広い。
　第３の態様に係る高周波モジュール（１）によれば、基板（７）内においても、サーマルビア（７３）によって第１トランス（第１出力トランス２２；２２ａ，２２ｂ）からの磁束（φ１）が第２トランス（第２出力トランス３２；３２ａ，３２ｂ）側へ回り込むことを低減できるので、特性の劣化を更に低減させることができる。
　第４の態様に係る高周波モジュール（１）では、第１～３の態様のいずれか１つにおいて、第１トランス（第１出力トランス２２；２２ａ；２２ｂ）及び第２トランス（第２出力トランス３２；３２ａ；３２ｂ）は、基板（７）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、互いに巻き方向が異なっている。
　第４の態様に係る高周波モジュール（１）によれば、第２トランス（第２出力トランス３２ａ；３２ｂ）における第１トランス（第１出力トランス２２；２２ａ；２２ｂ）からの磁束（φ１）の影響を小さくすることができる。
　第５の態様に係る高周波モジュール（１）では、第１～３の態様のいずれか１つにおいて、第１トランス（第１出力トランス２２ａ；２２ｂ）及び第２トランス（第２出力トランス３２ｂ；３２ａ）は、基板（７）の厚さ方向（Ｄ１）の平面視において、巻き方向が同じである。
　第５の態様に係る高周波モジュール（１）によれば、長尺バンプ（８）によって磁束（φ１）の回り込みを低減させるという効果がより高まる。
　第６の態様に係る高周波モジュール（１）では、第１～５の態様のいずれか１つにおいて、長尺バンプ（８）は、複数のバンプ（８１Ａ、８２Ａ）を含む。
　第７の態様に係る高周波モジュール（１）では、第６の態様において、長尺バンプ（８）は、基板（７）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、第１トランス（第１出力トランス２２）の中心部と重ならない。
　第８の態様に係る高周波モジュール（１）では、第１～７の態様のいずれか１つにおいて、第１増幅部品（２１）は、入力端子（２８）を有する。長尺バンプ（８）は、基板（７）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、第１増幅部品（２１）の入力端子（２８）と第１トランス（第１出力トランス２２）との間に位置している。
　第８の態様に係る高周波モジュール（１）によれば、第１増幅部品（２１）の入力端子（２８）における第１送信信号及び第２送信信号の少なくとも一方への影響を低減させることができる。
　第９の態様に係る高周波モジュール（１）では、第１～８の態様のいずれか１つにおいて、第２電力増幅回路（３）は、ドハティ増幅回路である。
　第９の態様に係る高周波モジュール（１）によれば、ドハティ増幅回路においても、特性の劣化を低減させることができる。
　第１０の態様に係る高周波モジュール（１）では、第１～９の態様のいずれか１つにおいて、第１トランス（第１出力トランス２２；２２ａ；２２ｂ）、第１増幅部品（２１）、第２増幅部品（３１）、第２トランス（第２出力トランス３２；３２ａ；３２ｂ）は、基板（７）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、この順に並んでいる。
　第１０の態様に係る高周波モジュール（１）によれば、第１トランス（第１出力トランス２２；２２ａ；２２ｂ）と第２トランス（第２出力トランス３２；３２ａ；３２ｂ）とを離すことができるので、第２トランスにおける第１トランスからの磁束（φ１）の影響を更に低減させることができる。
　第１１の態様に係る高周波モジュール（１）では、第１～１０の態様のいずれか１つにおいて、第１通信バンドの送信及び第２通信バンドの送信は、同時に利用可能である。
　第１２の態様に係る通信装置（９）は、第１～１１の態様のいずれか１つの高周波モジュール（１）と、信号処理回路（９２）とを備える。信号処理回路（９２）は、高周波モジュール（１）の信号を処理する。
　第１２の態様に係る通信装置（９）によれば、高周波モジュール（１）において、長尺バンプ（８）によって第１トランス（第１出力トランス２２；２２ａ，２２ｂ）からの磁束（φ１）が第２トランス（第２出力トランス３２；３２ａ，３２ｂ）側へ回り込むことを低減させることができるので、特性の劣化を低減させることができる。
　１　高周波モジュール
　２　第１電力増幅回路
　２１　第１増幅部品
　２２，２２ａ，２２ｂ　第１出力トランス（第１トランス）
　２３　第１増幅素子
　２３１　入力端子
　２３２　出力端子
　２４　第２増幅素子
　２４１　入力端子
　２４２　出力端子
　２５　第１コイル
　２５１　第１端
　２５２　第２端
　２６，２６ａ，２６ｂ　第２コイル
　２６１　第１端
　２６２　第２端
　２７　出力端子
　２８　入力端子
　３　第２電力増幅回路
　３１　第２増幅部品
　３２，３２ａ，３２ｂ　第２出力トランス（第２トランス）
　３３，３３ａ，３３ｂ　第３増幅素子
　３３１　入力端子
　３３２　出力端子
　３４，３４ａ，３４ｂ　第４増幅素子
　３４１　入力端子
　３４２　出力端子
　３５，３５ａ，３５ｂ　第３コイル
　３５１　第１端
　３５２　第２端
　３６，３６ａ，３６ｂ　第４コイル
　３６１　第１端
　３６２　第２端
　３７　出力端子
　３８　入力端子
　４１　第１送信フィルタ
　４２　第２送信フィルタ
　５　アンテナ端子
　５１　第１アンテナ端子
　５２　第２アンテナ端子
　６　スイッチ
　６１，６２　共通端子
　６３，６４　選択端子
　７　基板
　７１　第１主面（一の主面）
　７２　第２主面
　７３　サーマルビア
　７３Ａ　第１サーマルビア
　７３Ｂ　第２サーマルビア
　８　長尺バンプ
　８Ａ　第１長尺バンプ
　８Ｂ　第２長尺バンプ
　８０Ａ，８０Ｂ　隙間
　８１Ａ～８４Ａ，８１Ｂ～８４Ｂ　バンプ
　９　通信装置
　９１　アンテナ
　９１１　第１アンテナ
　９１２　第２アンテナ
　９２　信号処理回路
　９３　ベースバンド信号処理回路
　９４　ＲＦ信号処理回路
　Ｗ１１，Ｗ１２　幅
　Ｗ２１，Ｗ２２　幅
　φ１，φ２　磁束
　Ｄ１　厚さ方向
　Ｄ２１　第１方向
　Ｄ２２　第２方向

Claims (12)

  1. 　第１通信バンドの送信帯域の第１送信信号を増幅する第１電力増幅回路と、
    　第２通信バンドの送信帯域の第２送信信号を増幅する第２電力増幅回路と、
    　一の主面を有する基板と、を備え、
    　前記第１電力増幅回路は、
    　　第１増幅素子及び第２増幅素子を有する第１増幅部品と、
    　　第１コイル及び第２コイルを有する第１トランスと、を含み、
    　前記第１コイルの第１端は、前記第１増幅素子の出力端子に接続されており、
    　前記第１コイルの第２端は、前記第２増幅素子の出力端子に接続されており、
    　前記第２コイルは、前記第１電力増幅回路の出力端子に接続されており、
    　前記第２電力増幅回路は、
    　　第３増幅素子及び第４増幅素子を有する第２増幅部品と、
    　　第３コイル及び第４コイルを有する第２トランスと、を含み、
    　前記第３コイルの第１端は、前記第３増幅素子の出力端子に接続されており、
    　前記第３コイルの第２端は、前記第４増幅素子の出力端子に接続されており、
    　前記第４コイルは、前記第２電力増幅回路の出力端子に接続されており、
    　前記基板の前記一の主面に配置されている長尺バンプを更に備え、
    　前記第１増幅部品は、前記長尺バンプを介して前記基板の前記一の主面に配置されており、
    　前記長尺バンプは、前記基板の厚さ方向からの平面視において、前記第１トランスと前記第２トランスとの間に位置している、
    　高周波モジュール。
  2. 　前記長尺バンプの幅は、前記第１トランスの前記第２コイルの幅より広い、
    　請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 　前記基板は、サーマルビアを含み、
    　前記サーマルビアの幅は、前記第１トランスの前記第２コイルの幅より広い、
    　請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
  4. 　前記第１トランス及び前記第２トランスは、前記基板の前記厚さ方向からの平面視において、互いに巻き方向が異なっている、
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  5. 　前記第１トランス及び前記第２トランスは、前記基板の前記厚さ方向の平面視において、巻き方向が同じである、
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  6. 　前記長尺バンプは、複数のバンプを含む、
    　請求項１～５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  7. 　前記長尺バンプは、前記基板の前記厚さ方向からの平面視において、前記第１トランスの中心部と重ならない、
    　請求項６に記載の高周波モジュール。
  8. 　前記第１増幅部品は、入力端子を有し、
    　前記長尺バンプは、前記基板の前記厚さ方向からの平面視において、前記第１増幅部品の前記入力端子と前記第１トランスとの間に位置している、
    　請求項１～７のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  9. 　前記第２電力増幅回路は、ドハティ増幅回路である、
    　請求項１～８のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  10. 　前記第１トランス、前記第１増幅部品、前記第２増幅部品、前記第２トランスは、前記基板の前記厚さ方向からの平面視において、この順に並んでいる、
    　請求項１～９のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  11. 　前記第１通信バンドの送信及び前記第２通信バンドの送信は、同時に利用可能である、
    　請求項１～１０のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  12. 　請求項１～１１のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、
    　前記高周波モジュールの信号を処理する信号処理回路と、を備える、
    　通信装置。
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