WO2019240097A1 - 高周波モジュールおよび通信装置 - Google Patents

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WO2019240097A1
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孝紀 上嶋
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to a high frequency module and a communication device.
  • a plurality of transmitters (transmission paths) and a plurality of receivers (reception paths), a plurality of transmitters, and a plurality of transmitters are provided to perform carrier aggregation (CA) using a plurality of communication bands (frequency bands).
  • a circuit configuration of a transceiver (transmission / reception circuit) including a switchplexer disposed between a plurality of receivers and an antenna is disclosed.
  • Each of the plurality of transmitters includes a transmission circuit, a PA (transmission power amplifier), and an output circuit.
  • Each of the plurality of receivers includes a reception circuit, an LNA (reception low noise amplifier), and an input circuit. Have.
  • the output circuit includes a transmission filter, an impedance matching circuit, a duplexer, and the like
  • the input circuit includes a reception filter, an impedance matching circuit, a duplexer, and the like. According to the above configuration, CA can be executed by the switching operation of the switchplexer.
  • the transceiver (transmission / reception circuit) disclosed in Patent Document 1 is configured as a single module as a compact front-end circuit of a mobile communication device, two receivers that propagate high-frequency reception signals in different communication bands ( It is assumed that the reception paths are close to each other and the LNAs of the two receivers are close to each other. In this case, mutual interference and jumping of high-frequency reception signals occur between two adjacent LNAs, and isolation between the two receivers deteriorates. As a result, the high-frequency reception signal propagating through one of the two receivers is superimposed on the high-frequency reception signal propagating through the other receiver among the two receivers. There arises a problem that the receiving sensitivity of the receiver is lowered.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a high-frequency module and a communication device in which deterioration of reception sensitivity is suppressed.
  • a high-frequency module includes a first reception low-noise amplifier that amplifies a high-frequency reception signal in a first communication band, and a second communication band that is different from the first communication band.
  • a second reception low noise amplifier for amplifying a high frequency reception signal a module having a first main surface and a second main surface facing each other, and mounting the first reception low noise amplifier and the second reception low noise amplifier A first reception low noise amplifier disposed on the first main surface, and the second reception low noise amplifier disposed on the second main surface.
  • the present invention it is possible to provide a high-frequency module and a communication device in which deterioration of reception sensitivity is suppressed.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of the high-frequency module according to the first embodiment.
  • FIG. 2A is a schematic diagram of a planar configuration of the high frequency module according to the embodiment.
  • FIG. 2B is a schematic cross-sectional configuration diagram of the high-frequency module according to the embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating the disposition of the first inductance element and the third inductance element according to the embodiment.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a high-frequency module 1 according to an embodiment.
  • the communication device 5 includes a high-frequency module 1, an antenna element 2, an RF signal processing circuit (RFIC) 3, and a baseband signal processing circuit (BBIC) 4.
  • RFIC RF signal processing circuit
  • BBIC baseband signal processing circuit
  • RFIC 3 is an RF signal processing circuit that processes high-frequency signals transmitted and received by the antenna element 2. Specifically, the RFIC 3 performs signal processing on the high-frequency reception signal input via the reception signal path of the high-frequency module 1 by down-conversion or the like, and outputs the reception signal generated by the signal processing to the BBIC 4. The RFIC 3 performs signal processing on the transmission signal input from the BBIC 4 by up-conversion or the like, and outputs the high-frequency transmission signal generated by the signal processing to the transmission signal path of the high-frequency module 1.
  • the BBIC 4 is a circuit that performs signal processing using an intermediate frequency band that is lower in frequency than the high-frequency signal that propagates through the high-frequency module 1.
  • the signal processed by the BBIC 4 is used, for example, as an image signal for displaying an image, or used as an audio signal for a call through a speaker.
  • the RFIC 3 also has a function as a control unit that controls connection of the switches 51, 52, 53, 54, 55, and 56 included in the high-frequency module 1 based on a communication band (frequency band) to be used. Specifically, the RFIC 3 switches the connection of the switches 51 to 56 included in the high frequency module 1 by a control signal (not shown).
  • the control unit may be provided outside the RFIC 3, for example, may be provided in the high-frequency module 1 or the BBIC 4.
  • the antenna element 2 is connected to the common terminal 100 of the high frequency module 1 and radiates a high frequency signal output from the high frequency module 1, and receives an external high frequency signal and outputs it to the high frequency module 1.
  • the antenna element 2 and the BBIC 4 are not essential components.
  • the high frequency module 1 includes a common terminal 100, transmission power amplifiers 11 and 12, reception low noise amplifiers 21 and 22, transmission filters 61T, 62T, 63T, and 64T, and reception filters 61R, 62R. 63R and 64R, transmission output matching circuit 30, reception input matching circuit 40, matching circuits 71, 72, 73 and 74, switches 51, 52, 53, 54, 55 and 56, coupler 80, and coupler Output terminal 180.
  • the common terminal 100 is connected to the antenna element 2.
  • the transmission power amplifier 11 is a first transmission power amplifier that amplifies high frequency signals of the communication band A (first communication band) and the communication band B belonging to the first frequency band group.
  • the transmission power amplifier 12 is a second transmission power amplifier that amplifies high frequency signals in the communication band C (second communication band) and the communication band D belonging to the second frequency band group on the higher frequency side than the first frequency band group. is there.
  • the reception low noise amplifier 21 is a first reception low noise amplifier that amplifies high frequency signals of the communication band A (first communication band) and the communication band B with low noise.
  • the reception low noise amplifier 22 is a second reception low noise amplifier that amplifies a high frequency signal of a communication band C (second communication band) and a communication band D different from the communication bands A and B with low noise.
  • the transmission filter 61T is arranged in a transmission path AT (first transmission path) connecting the transmission power amplifier 11 and the common terminal 100, and among the high-frequency transmission signals amplified by the transmission power amplifier 11, the transmission filter 61T has a transmission band of the communication band A. It is the 1st transmission filter which lets a high frequency transmission signal pass.
  • the transmission filter 62T is disposed in the transmission path BT connecting the transmission power amplifier 11 and the common terminal 100, and among the high-frequency transmission signals amplified by the transmission power amplifier 11, the transmission filter 62T transmits a high-frequency transmission signal in the transmission band of the communication band B. Let it pass.
  • the transmission filter 63T is arranged on a transmission path CT (second transmission path) connecting the transmission power amplifier 12 and the common terminal 100, and among the high-frequency transmission signals amplified by the transmission power amplifier 12, the transmission filter 63T transmits the communication band C. It is the 2nd transmission filter which passes the high frequency transmission signal of a zone.
  • the transmission filter 64T is disposed in the transmission path DT connecting the transmission power amplifier 12 and the common terminal 100, and among the high-frequency transmission signals amplified by the transmission power amplifier 12, the transmission filter 64T transmits a high-frequency transmission signal in the transmission band of the communication band D. Let it pass.
  • the reception filter 61R is a first reception filter arranged in a reception path AR (first reception path) including the reception low noise amplifier 21. More specifically, the reception filter 61R is arranged in the reception path AR connecting the reception low noise amplifier 21 and the common terminal 100, and among the high frequency reception signals input from the common terminal 100, the reception filter 61R has a reception band of the communication band A. Pass high-frequency received signal.
  • the reception filter 62R is disposed in the reception path BR connecting the reception low noise amplifier 21 and the common terminal 100, and among the high frequency reception signals input from the common terminal 100, the reception filter 62R receives a high frequency reception signal in the reception band of the communication band B. Let it pass.
  • the reception filter 63R is a second reception filter arranged in a reception path CR (second reception path) including the reception low noise amplifier 22. More specifically, the reception filter 63R is arranged in the reception path CR connecting the reception low noise amplifier 22 and the common terminal 100, and the reception band of the communication band C among the high-frequency reception signals input from the common terminal 100. Pass high-frequency received signal.
  • the reception filter 64R is disposed in the reception path DR connecting the reception low noise amplifier 22 and the common terminal 100, and among the high frequency reception signals input from the common terminal 100, the high frequency reception signal in the reception band of the communication band D is received. Let it pass.
  • the transmission filters 61T to 64T and the reception filters 61R to 64R are any of a surface acoustic wave filter, an elastic wave filter using a BAW (Bulk Acoustic Wave), an LC resonance filter, and a dielectric filter, for example. Furthermore, it is not limited to these.
  • the transmission filter 61T and the reception filter 61R constitute a duplexer 61 having the communication band A as a pass band. Further, the transmission filter 62T and the reception filter 62R constitute a duplexer 62 having the communication band B as a pass band. Further, the transmission filter 63T and the reception filter 63R constitute a duplexer 63 having the communication band C as a pass band. Further, the transmission filter 64T and the reception filter 64R constitute a duplexer 64 having the communication band D as a pass band.
  • the transmission output matching circuit 30 has matching circuits 31 and 32.
  • the matching circuit 31 is a first transmission output matching circuit connected to the output terminal of the transmission power amplifier 11. More specifically, the matching circuit 31 is arranged on a transmission path connecting the transmission power amplifier 11 and the transmission filters 61T and 62T, and achieves impedance matching between the transmission power amplifier 11 and the transmission filters 61T and 62T.
  • the matching circuit 32 is a second transmission output matching circuit connected to the output terminal of the transmission power amplifier 12. More specifically, the matching circuit 32 is arranged in a transmission path connecting the transmission power amplifier 12 and the transmission filters 63T and 64T, and performs impedance matching between the transmission power amplifier 12 and the transmission filters 63T and 64T.
  • the reception input matching circuit 40 has matching circuits 41 and 42.
  • the matching circuit 41 is a first reception input matching circuit connected to the input terminal of the reception low noise amplifier 21. More specifically, the matching circuit 41 is disposed in a reception path connecting the reception low noise amplifier 21 and the reception filters 61R and 62R, and performs impedance matching between the reception low noise amplifier 21 and the reception filters 61R and 62R.
  • the matching circuit 42 is a second reception input matching circuit connected to the input terminal of the reception low noise amplifier 22. More specifically, the matching circuit 42 is disposed in a reception path connecting the reception low noise amplifier 22 and the reception filters 63R and 64R, and performs impedance matching between the reception low noise amplifier 22 and the reception filters 63R and 64R.
  • the switch 51 is a second switch arranged on a transmission path connecting the matching circuit 31 and the transmission filters 61T and 62T.
  • the switch 51 is connected to the transmission power amplifier 11 and the transmission filter 61T, and the transmission power amplifier 11 and the transmission filter 62T. And connection.
  • the switch 51 is, for example, a SPDT (Single Pole Double Throw) type in which a common terminal is connected to the matching circuit 31, one selection terminal is connected to the transmission filter 61T, and the other selection terminal is connected to the transmission filter 62T. Consists of a switch circuit.
  • the switch 52 is a second switch arranged on a transmission path connecting the matching circuit 32 and the transmission filters 63T and 64T, and connects the transmission power amplifier 12 and the transmission filter 63T, and transmits the transmission power amplifier 12 and the transmission filter 64T. And connection.
  • the switch 52 includes an SPDT type switch circuit in which a common terminal is connected to the matching circuit 32, one selection terminal is connected to the transmission filter 63T, and the other selection terminal is connected to the transmission filter 64T.
  • the switch 53 is a third switch arranged on the reception path connecting the matching circuit 41 and the reception filters 61R and 62R. The switch 53 is connected to the reception low noise amplifier 21 and the reception filter 61R and is connected to the reception low noise amplifier 21 and reception.
  • the connection with the filter 62R is switched.
  • the switch 53 is constituted by, for example, an SPDT type switch circuit in which a common terminal is connected to the matching circuit 41, one selection terminal is connected to the reception filter 61R, and the other selection terminal is connected to the reception filter 62R.
  • the switch 54 is a third switch arranged in the reception path connecting the matching circuit 42 and the reception filters 63R and 64R.
  • the switch 54 is connected to the reception low noise amplifier 22 and the reception filter 63R, and the reception low noise amplifier 22 and reception.
  • the connection with the filter 64R is switched.
  • the switch 54 is configured by an SPDT type switch circuit in which a common terminal is connected to the matching circuit 42, one selection terminal is connected to the reception filter 63R, and the other selection terminal is connected to the reception filter 64R.
  • the switch 55 is a first switch arranged in a signal path connecting the common terminal 100 to the transmission filters 61T to 64T and the reception filters 61R to 64R.
  • the common terminal 100 is connected to the transmission filter 61T and the reception filter 61R. Connection, (2) connection between the common terminal 100 and the transmission filter 62T and the reception filter 62R, (3) connection between the common terminal 100 and the transmission filter 63T and the reception filter 63R, and (4) common terminal 100 and the transmission filter 64T. And the connection with the reception filter 64R.
  • the switch 55 is formed of a multi-connection type switch circuit that can simultaneously connect two or more of the above (1) to (4).
  • the matching circuit 71 is disposed in a path connecting the switch 55 to the transmission filter 61T and the reception filter 61R, and performs impedance matching between the antenna element 2 and the switch 55, and the transmission filter 61T and the reception filter 61R.
  • the matching circuit 72 is disposed in a path connecting the switch 55 to the transmission filter 62T and the reception filter 62R, and performs impedance matching between the antenna element 2 and the switch 55, and the transmission filter 62T and the reception filter 62R.
  • the matching circuit 73 is disposed in a path connecting the switch 55 with the transmission filter 63T and the reception filter 63R, and performs impedance matching between the antenna element 2 and the switch 55, and the transmission filter 63T and the reception filter 63R.
  • Matching circuit 74 is disposed in a path connecting switch 55 to transmission filter 64T and reception filter 64R, and performs impedance matching between antenna element 2 and switch 55, transmission filter 64T, and reception filter 64R.
  • the coupler 80 and the switch 56 are circuits for monitoring the power intensity of the high-frequency signal transmitted between the common terminal 100 and the switch 55, and output the monitored power intensity to the RFIC 3 or the like via the coupler output terminal 180.
  • the matching circuits 71 to 74, the coupler 80, the switch 56, and the coupler output terminal 180 are not essential components for the high-frequency module according to the present invention.
  • the transmission power amplifier 11, the matching circuit 31, the switch 51, and the transmission filters 61 T and 62 T output the high frequency transmission signals of the communication band A and the communication band B toward the common terminal 100.
  • One transmission circuit is configured.
  • the transmission power amplifier 12, the matching circuit 32, the switch 52, and the transmission filters 63T and 64T constitute a second transmission circuit that outputs high-frequency transmission signals of the communication band C and the communication band D toward the common terminal 100.
  • the first transmission circuit and the second transmission circuit constitute a transmission circuit that outputs high-frequency transmission signals of communication bands A to D toward the common terminal 100.
  • the reception low noise amplifier 21, the matching circuit 41, the switch 53, and the reception filters 61 R and 62 R receive the first reception signal of the communication band A and the communication band B from the antenna element 2 through the common terminal 100.
  • a receiving circuit is configured.
  • the reception low noise amplifier 22, the matching circuit 42, the switch 54, and the reception filters 63 ⁇ / b> R and 64 ⁇ / b> R receive the second high-frequency reception signals of the communication band C and the communication band D from the antenna element 2 through the common terminal 100.
  • a receiving circuit is configured.
  • the first receiving circuit and the second receiving circuit constitute a receiving circuit that inputs high frequency received signals of communication bands A to D from the common terminal 100.
  • the high-frequency module 1 includes a high-frequency signal in one of the communication bands A and B and a communication band in either the communication band C or the communication band D. It is possible to execute at least one of simultaneous transmission, simultaneous reception, and simultaneous transmission / reception of the high-frequency signal.
  • the transmission circuit and the reception circuit may not be connected to the common terminal 100 via the switch 55, and the transmission circuit and the reception circuit may be connected to the antenna element 2 via different terminals. It may be connected to.
  • at least the reception low noise amplifiers 21 and 22 may be provided as a circuit configuration of the high frequency module according to the present invention.
  • the transmission power amplifiers 11 and 12, the transmission output matching circuit 30, the reception input The matching circuit 40, the switches 51 to 56, the transmission filters 61T to 64T, and the reception filters 61R to 64R may be omitted.
  • each circuit element configuring the high-frequency module 1 is configured as a single module as a compact front-end circuit, for example, the reception path AR of the communication band A and the reception path CR of the communication band C are close to each other.
  • the reception low noise amplifier 21 connected to the reception path AR and the reception low noise amplifier 22 connected to the reception path CR are close to each other.
  • mutual interference and jumping of high-frequency reception signals occur between the two adjacent reception low-noise amplifiers 21 and 22, and isolation between the reception paths AR and CR deteriorates.
  • the high-frequency reception signal of the communication band C propagating through the reception path CR is superimposed on the high-frequency reception signal of the communication band A propagating through the reception path AR, and the reception sensitivity of the reception path AR decreases. Will occur.
  • the reception sensitivity is similarly lowered for the other reception paths BR, CR, and DR.
  • the high frequency module 1 has a configuration in which the mutual interference between the reception path AR and the reception path CR is suppressed and the isolation is improved.
  • the structure which suppresses the said mutual interference in the high frequency module 1 which concerns on this Embodiment, and improves isolation is demonstrated.
  • FIG. 2A is a schematic plan configuration diagram of the high-frequency module 1A according to the embodiment.
  • FIG. 2B is a schematic cross-sectional view of the high-frequency module 1A according to the embodiment, specifically, a cross-sectional view taken along the line IIB-IIB in FIG. 2A.
  • 2A shows a layout of circuit elements when the main surface 91a is viewed from the positive side of the y-axis among the main surfaces 91a and 91b of the module substrate 91 facing each other.
  • (b) of FIG. 2A shows a perspective view of the arrangement of circuit elements when the main surface 91b is viewed from the positive y-axis direction.
  • the high-frequency module 1A includes a module substrate 91, resin members 92 and 93, metal chips 95a and 95a in addition to the circuit configuration shown in FIG. 95b.
  • the module substrate 91 has a main surface 91a (first main surface) and a main surface 91b (second main surface) facing each other, and is a substrate on which the reception low noise amplifiers 21 and 22 are mounted.
  • a low temperature co-fired ceramics (LTCC) substrate having a laminated structure of a plurality of dielectric layers, a printed circuit board, or the like is used.
  • the transmission power amplifier 11, the reception low noise amplifier 21, the duplexers 61 and 62, the matching circuits 31 and 41, the switch 55, and the metal chip 95a are mounted on the main surface 91 a of the module substrate 91.
  • the transmission power amplifier 12, the reception low noise amplifier 22, the duplexers 63 and 64, the matching circuits 32 and 42, the switches 51 and 52, and the metal chip 95b are surface-mounted on the main surface 91b of the module substrate 91.
  • the switches 53, 54 and 56, the matching circuits 71 to 74, and the coupler 80 are not shown in FIGS. 2A and 2B, but are mounted on either of the main surfaces 91a and 91b of the module substrate 91. Alternatively, it may be built in the module substrate 91.
  • a first receiving circuit including a BR is mounted on the main surface 91a.
  • the second transmission circuit including the transmission path CT of the communication band C and the transmission path DT of the communication band D, and the second reception circuit including the reception path CR of the communication band C and the reception path DR of the communication band D are mainly used. It is mounted on the surface 91b.
  • the resin member 92 is disposed on the main surface 91a of the module substrate 91, covers the first transmission circuit, the first reception circuit, and the main surface 91a of the module substrate 91, and constitutes the first transmission circuit and the first reception circuit.
  • the circuit element has a function of ensuring reliability such as mechanical strength and moisture resistance.
  • the resin member 92 is not an essential component for the high-frequency module according to the present invention.
  • the resin member 93 is disposed on the main surface 91b of the module substrate 91, covers the second transmission circuit, the second reception circuit, and the main surface 91b of the module substrate 91, and constitutes the second transmission circuit and the second reception circuit.
  • the circuit element has a function of ensuring reliability such as mechanical strength and moisture resistance.
  • the resin member 93 is not an essential component for the high-frequency module according to the present invention.
  • a plurality of columnar electrodes 150 are arranged on the main surface 91b side of the module substrate 91.
  • the high-frequency module 1 ⁇ / b> A exchanges electric signals via the mounting substrate disposed on the negative z-axis direction side of the high-frequency module 1 ⁇ / b> A and the plurality of columnar electrodes 150. Some of the plurality of columnar electrodes 150 are set to the ground potential of the mounting substrate.
  • the reception low noise amplifier 21 that amplifies the high frequency reception signal of the first frequency band group is mounted on the main surface 91a, and the reception that amplifies the high frequency reception signal of the second frequency band group is performed.
  • the low noise amplifier 22 is mounted on the main surface 91b.
  • the reception low noise amplifier 21 that amplifies the high frequency reception signal of the first frequency band group and the reception low noise amplifier 22 that amplifies the high frequency reception signal of the second frequency band group are mounted with the module substrate 91 interposed therebetween. ing.
  • reception low noise amplifier 21 and the reception low noise amplifier 22 overlap in the plan view, it is possible to secure a large distance between the reception low noise amplifier 21 and the reception low noise amplifier 22.
  • Mutual interference between the route AR and the reception route CR can be further suppressed, and the isolation can be further improved.
  • Matching circuits 31 and 41 are mounted on the main surface 91 a of the module substrate 91.
  • the matching circuits 32 and 42 are preferably mounted on the main surface 91b of the module substrate 91.
  • the matching circuit 31 includes an inductor 31L and a capacitor 31C.
  • Matching circuit 32 includes an inductor 32L and a capacitor 32C.
  • Matching circuit 41 includes an inductor 41L and a capacitor 41C.
  • Matching circuit 42 includes an inductor 42L and a capacitor 42C.
  • the inductor 41L is a first inductance element included in the reception input matching circuit 40 and mounted on the main surface 91a.
  • the inductor 41L includes a chip-shaped inductor or a wiring pattern formed on the main surface 91a.
  • the inductor 42L is a second inductance element included in the reception input matching circuit 40 and mounted on the main surface 91b.
  • the inductor 42L is configured by a chip-shaped inductor or a wiring pattern formed on the main surface 91b. Yes.
  • the inductor 31L is a third inductance element included in the transmission output matching circuit 30, and is configured by, for example, a chip-shaped inductor or a wiring pattern formed on the main surface 91a.
  • the inductor 32L is a fourth inductance element included in the transmission output matching circuit 30, and is configured by, for example, a chip-shaped inductor or a wiring pattern formed on the main surface 91b.
  • the inductor 41L and the inductor 42L are mounted with the module substrate 91 interposed therebetween, the electromagnetic coupling between the inductor 41L and the inductor 42L can be suppressed. Therefore, it is possible to further suppress the mutual interference between the reception route AR and the reception route CR and further improve the isolation.
  • the duplexers 61 and 62 are mounted on the main surface 91a of the module substrate 91, and the duplexers 63 and 64 are mounted on the main surface 91b of the module substrate 91. That is, the reception filters 61R and 62R are mounted on the main surface 91a of the module substrate 91, and the reception filters 63R and 64R are mounted on the main surface 91b of the module substrate 91.
  • the transmission filters 61T and 62T are mounted on the main surface 91a of the module substrate 91, and the reception filters 63T and 64T are mounted on the main surface 91b of the module substrate 91.
  • the reception filter 61R and the reception filter 63R are mounted with the module substrate 91 interposed therebetween, so that the reception path AR in which the reception filter 61R is disposed and the reception path CR in which the reception filter 63R is disposed. Therefore, the mutual interference between the reception route AR and the reception route CR can be further suppressed, and the isolation can be further improved.
  • the transmission power amplifier 11 that amplifies the high frequency transmission signal of the first frequency band group is mounted on the main surface 91a, and a high frequency transmission signal of the second frequency band group is amplified. It is desirable that the transmission power amplifier 12 is mounted on the main surface 91b. In other words, the transmission power amplifier 11 that amplifies the high-frequency transmission signal in the first frequency band group and the transmission power amplifier 12 that amplifies the high-frequency transmission signal in the second frequency band group are mounted with the module substrate 91 interposed therebetween. .
  • the harmonic component of the high frequency transmission signal amplified by the other of the transmission power amplifiers 11 and 12 is superimposed on the high frequency transmission signal amplified by one of the transmission power amplifiers 11 and 12, or the transmission power amplifier It can suppress that the intermodulation distortion component of two high frequency transmission signals amplified by 11 and 12 is superimposed. Therefore, it is possible to avoid degradation of the signal quality of the high-frequency transmission signal amplified by the transmission power amplifiers 11 and 12. Moreover, it can suppress that the said harmonic component and the said intermodulation distortion component flow into a receiving circuit, and degrade a receiving sensitivity.
  • the inductor 31L and the inductor 32L are mounted with the module substrate 91 interposed therebetween, so that the electromagnetic coupling between the inductor 31L and the inductor 32L can be suppressed. . Therefore, it is possible to suppress the mutual interference between the transmission path AT and the transmission path CT and improve the isolation between the transmission path AT and the transmission path CT.
  • the transmission filter 61T and the transmission filter 63T are mounted with the module substrate 91 interposed therebetween, so that the transmission path AT in which the transmission filter 61T is disposed Since a large distance from the transmission path CT on which the transmission filter 63T is disposed can be secured, the mutual interference between the transmission path AT and the transmission path CT is further suppressed, and the isolation between the transmission path AT and the transmission path CT is further improved. be able to.
  • the module substrate 91 when the module substrate 91 is viewed in plan (when viewed from the z-axis direction), it is mounted on the main surface 91a between the inductors 31L and 32L and the inductors 41L and 42L.
  • Conductive members are arranged.
  • the conductive member is an electronic member having a conductive member such as a signal extraction electrode.
  • the conductive member is a passive element such as a resistive element, a capacitive element, an inductive element, a filter, a switch, a signal wiring, and a signal terminal. And / or active elements such as amplifiers and control circuits.
  • the conductive member is at least one of the duplexers 61 to 64.
  • the conductive member may be at least one of a transmission filter and a reception filter that constitute each of the duplexers 61 to 64.
  • Each of the transmission filters and the reception filters constituting each of the duplexers 61 to 64 has a plurality of conductive members such as signal extraction electrodes.
  • the plurality of signal extraction electrodes is as shown in FIG. 2B.
  • the ground pattern 93G1 or 93G2 disposed on the module substrate 91 is connected.
  • the matching circuits 31 and 41 are arranged on the main surface 91a of the module substrate 91, but the duplexers 61 to 64 mounted on the main surface 91a between the inductor 31L and the inductor 41L. At least one of is arranged. Further, the matching circuits 32 and 42 are arranged on the main surface 91b of the module substrate 91. At least one of the duplexers 61 to 64 mounted on the main surface 91b is provided between the inductor 32L and the inductor 42L. Has been placed.
  • the electromagnetic fields generated from the inductors 31L and 32L and the inductors 41L and 42L can be shielded by at least one of the duplexers 61 to 64, so that the electromagnetic coupling between the inductors 31L and 32L and the inductors 41L and 42L can be suppressed. . Therefore, it is possible to reduce the inflow amount of the harmonic component of the high-output high-frequency transmission signal amplified by the transmission power amplifiers 11 and 12 or the intermodulation distortion component between the high-frequency transmission signal and another high-frequency signal into the reception circuit. Therefore, it is possible to suppress the deterioration of the reception sensitivity of the high frequency module 1A.
  • the conductive member mounted on the main surface 91a is disposed between the inductor 31L and the inductor 41L. At least a part of the region of the conductive member projected by the planar view is connected to a line connecting an arbitrary point within the region of the inductor 31L and the arbitrary point within the region of the inductor 41L projected by the planar view. It is only necessary to be established though it overlaps.
  • the conductive member mounted on the main surface 91b is disposed between the inductor 32L and the inductor 42L.
  • At least a part of the region of the conductive member projected in a plan view is connected to a line connecting an arbitrary point in the region of the inductor 32L and a given point in the region of the inductor 42L projected in the plan view. It is only necessary to be established though it overlaps. This reduces the inflow amount of high-frequency high-frequency transmission signals that are transmitted through one transmission path or intermodulation distortion components between the high-frequency transmission signal and other high-frequency signals into one reception path. Therefore, it is possible to suppress the deterioration of the reception sensitivity in the reception path. Therefore, it is possible to suppress the deterioration of the reception sensitivity of the high frequency module 1A.
  • the metal chip 95a mounted on the main surface 91a is interposed between the inductor 31L and the inductor 41L. Is disposed, and a metal chip 95b mounted on the main surface 91b is disposed between the inductor 32L and the inductor 42L.
  • each of the plurality of metal chips 95a is connected to the ground pattern 93G1 disposed on the module substrate 91, and each of the plurality of metal chips 95b is connected to the ground pattern 93G2 disposed on the module substrate 91. It is connected.
  • the electromagnetic field generated from the inductor 31L and the inductor 41L can be shielded by the metal chip 95a, and the electromagnetic field generated from the inductor 32L and the inductor 42L can be shielded by the metal chip 95b.
  • the electromagnetic field coupling between the inductor 32L and the inductor 42L can be suppressed. Therefore, it is possible to reduce the inflow amount of the harmonic component of the high-output high-frequency transmission signal amplified by the transmission power amplifiers 11 and 12 or the intermodulation distortion component between the high-frequency transmission signal and another high-frequency signal into the reception circuit. Therefore, it is possible to suppress the deterioration of the reception sensitivity of the high frequency module 1A.
  • duplexers 61 and 62 are disposed between the inductor 31L and the inductor 41L in addition to the metal chip 95a mounted on the main surface 91a.
  • the duplexer 61 is disposed.
  • And 62 may not be arranged between the inductor 31L and the inductor 41L.
  • the duplexers 63 and 64 are disposed between the inductor 32L and the inductor 42L.
  • the duplexers 63 and 64 are the inductors. It may not be arranged between 32L and inductor 42L. This is because the metal chip 95a has a function of shielding the electromagnetic field generated from the inductors 31L and 41L, and the metal chip 95b has a function of shielding the electromagnetic field generated from the inductors 32L and 42L. .
  • a duplexer and a metal chip are exemplified as the conductive member disposed between the inductors 31L and 32L and the inductors 41L and 42L.
  • the conductive member includes (1) a chip capacitor.
  • One of a control circuit that generates at least one of a control signal for adjusting the gains of the transmission power amplifiers 11 and 12, the reception low noise amplifiers 21 and 22, and a control signal for controlling switching of the switches 51 to 56. May be.
  • the control circuit (6) may be a switch IC including at least one of the switches 51 to 56.
  • the circuit elements (1) to (6) preferably have an electrode set to a ground potential or a fixed potential.
  • the circuit elements (1) to (6) are modules. It is desirable to be connected to a ground pattern formed in the substrate 91. As a result, the electromagnetic field shielding function of the circuit elements (1) to (6) is improved.
  • the electromagnetic fields generated from the inductors 31L and 32L and the inductors 41L and 42L can be shielded, the electromagnetic coupling between the inductors 31L and 32L and the inductors 41L and 42L can be suppressed. Therefore, it is possible to reduce the inflow amount of the harmonic component of the high-output high-frequency transmission signal amplified by the transmission power amplifiers 11 and 12 or the intermodulation distortion component between the high-frequency transmission signal and another high-frequency signal into the reception circuit. Therefore, it is possible to suppress the deterioration of the reception sensitivity of the high frequency module.
  • the high-frequency module has the conductive member mounted on the module substrate 91 between the inductors 31L and 32L and the inductors 41L and 42L. You may have the structure.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating the disposition of the inductors 31L and 41L according to the embodiment.
  • the inductor of the matching circuit 31 is shown. Only 31L and the inductor 41L of the matching circuit 41 are shown.
  • the main surface 91a When the main surface 91a is viewed in plan, the main surface 91a has a rectangular shape, and the main surface 91a includes a central region C including at least one of the transmission filters 61T to 62T and the reception filters 61R to 62R, and the center It consists of an outer edge region P excluding the region C. Further, the outer edge area P includes four outer edge areas PU (not shown in FIG. 3) and PD (not shown in FIG. 3) each including the four outer edges U, D, L, and R of the main surface 91a. , PL, and PR.
  • the inductor 31L and the inductor 41L are respectively disposed in two outer side regions PL and PR facing each other with the central region C interposed therebetween, or the central region C is The two outer side regions PU and PD that are opposed to each other are disposed respectively.
  • the arrangement relationship between the inductor 32L and the inductor 42L mounted on the main surface 91b is similar to the arrangement relationship between the inductor 31L and the inductor 41L.
  • the inductor 31L and the inductor 41L are distributed on the main surface 91a of the module substrate 91 in the outer region facing each other with the central region C including at least one of the transmission filter and the reception filter interposed therebetween. Has been. For this reason, even though the inductor 31L and the inductor 41L are disposed on the main surface 91a of the module substrate 91, they are spaced apart from each other, so that the amount of electromagnetic field generated from the inductor 31L reaches the inductor 41L is suppressed. it can.
  • the inductors 32L and the inductors 42L are distributed on the main surface 91b of the module substrate 91 in the outer peripheral regions facing each other across the central region C including at least one of the transmission filter and the reception filter. For this reason, even though the inductor 32L and the inductor 42L are disposed on the main surface 91b of the module substrate 91, they are spaced apart from each other, so that the amount of electromagnetic field generated from the inductor 32L reaches the inductor 42L is suppressed. it can.
  • the present invention can be widely used in communication equipment such as a mobile phone as a high-frequency module disposed in a multiband-compatible front end unit.

Abstract

高周波モジュール（１Ａ）は、通信バンドＡの高周波受信信号を増幅する受信低雑音増幅器（２１）と、通信バンドＣの高周波受信信号を増幅する受信低雑音増幅器（２２）と、互いに対向する主面（９１ａおよび９１ｂ）を有し、受信低雑音増幅器（２１）と受信低雑音増幅器（２２）とを実装するモジュール基板（９１）とを備え、受信低雑音増幅器（２１）は主面（９１ａ）に配置され、受信低雑音増幅器（２２）は主面（９１ｂ）に配置されている。

Description

高周波モジュールおよび通信装置
　本発明は、高周波モジュールおよび通信装置に関する。
　携帯電話などの移動体通信機器では、特に、マルチバンド化の進展に伴い、高周波フロントエンド回路を構成する回路素子の配置構成が複雑化されている。
　特許文献１には、複数の通信バンド（周波数帯域）によるキャリアアグリゲーション（ＣＡ）を実行すべく、複数の送信機（送信経路）および複数の受信機（受信経路）と、当該複数の送信機および複数の受信機とアンテナとの間に配置されたスイッチプレクサと、を備えたトランシーバ（送受信回路）の回路構成が開示されている。上記複数の送信機のそれぞれは、送信回路、ＰＡ（送信電力増幅器）、および出力回路を有し、上記複数の受信機のそれぞれは、受信回路、ＬＮＡ（受信低雑音増幅器）、および入力回路を有している。出力回路は、送信フィルタ、インピーダンス整合回路、およびデュプレクサなどを含み、入力回路は、受信フィルタ、インピーダンス整合回路、およびデュプレクサなどを含む。上記構成によれば、スイッチプレクサの切り替え動作により、ＣＡを実行できる。
特表２０１４－５２２２１６号公報
　しかしながら、特許文献１に開示されたトランシーバ（送受信回路）を、移動体通信機器のコンパクトなフロントエンド回路として１つのモジュールで構成する場合、異なる通信バンドの高周波受信信号を伝搬する２つの受信機（受信経路）が近接し、当該２つの受信機のそれぞれが有するＬＮＡ同士が近接することが想定される。この場合、近接する２つのＬＮＡの間で高周波受信信号の相互干渉および飛び移りなどが発生して上記２つの受信機間のアイソレーションが悪化してしまう。これにより、上記２つの受信機のうちの一の受信機を伝搬する高周波受信信号に、上記２つの受信機のうちの他の受信機を伝搬する高周波受信信号が重畳されてしまい、当該一の受信機の受信感度が低下するという問題が発生する。
　本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、受信感度の劣化が抑制された高周波モジュールおよび通信装置を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波モジュールは、第１通信バンドの高周波受信信号を増幅する第１受信低雑音増幅器と、前記第１通信バンドと異なる第２通信バンドの高周波受信信号を増幅する第２受信低雑音増幅器と、互いに対向する第１主面および第２主面を有し、前記第１受信低雑音増幅器と前記第２受信低雑音増幅器とを実装するモジュール基板と、を備え、前記第１受信低雑音増幅器は、前記第１主面に配置され、前記第２受信低雑音増幅器は、前記第２主面に配置されている。
　本発明によれば、受信感度の劣化が抑制された高周波モジュールおよび通信装置を提供することが可能となる。
図１は、実施の形態１に係る高周波モジュールの回路構成図である。 図２Ａは、実施例に係る高周波モジュールの平面構成概略図である。 図２Ｂは、実施例に係る高周波モジュールの断面構成概略図である。 図３は、実施例に係る第１インダクタンス素子および第３インダクタンス素子の離間配置を説明する図である。
　以下、本発明の実施の形態およびその変形例について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態およびその変形例は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態およびその変形例で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態およびその変形例における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。
　なお、以下の実施の形態において、基板上に実装されたＡ、ＢおよびＣにおいて、「当該基板（または当該基板の主面）を平面視した場合に、ＡとＢとの間にＣが配置されている」とは、当該基板を平面視した場合に投影されるＡの領域内の任意の点と、当該基板を平面視した場合に投影されるＢの領域内の任意の点とを結ぶ線に、当該基板を平面視した場合に投影されるＣの領域の少なくとも一部が重複していることを指すものと定義される。
　（実施の形態）
　［１．１　高周波モジュール１および通信装置５の回路構成］
　図１は、実施の形態に係る高周波モジュール１の回路構成図である。同図に示すように、通信装置５は、高周波モジュール１と、アンテナ素子２と、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）３と、ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）４と、を備える。
　ＲＦＩＣ３は、アンテナ素子２で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１の受信信号経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ４から入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号を、高周波モジュール１の送信信号経路に出力する。
　ＢＢＩＣ４は、高周波モジュール１を伝搬する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理する回路である。ＢＢＩＣ４で処理された信号は、例えば、画像表示のための画像信号として使用され、または、スピーカを介した通話のために音声信号として使用される。
　また、ＲＦＩＣ３は、使用される通信バンド（周波数帯域）に基づいて、高周波モジュール１が有するスイッチ５１、５２、５３、５４、５５および５６の接続を制御する制御部としての機能も有する。具体的には、ＲＦＩＣ３は、制御信号（図示せず）によって、高周波モジュール１が有するスイッチ５１～５６の接続を切り替える。なお、制御部は、ＲＦＩＣ３の外部に設けられていてもよく、例えば、高周波モジュール１またはＢＢＩＣ４に設けられていてもよい。
　アンテナ素子２は、高周波モジュール１の共通端子１００に接続され高周波モジュール１から出力された高周波信号を放射し、また、外部からの高周波信号を受信して高周波モジュール１へ出力する。
　なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ素子２およびＢＢＩＣ４は、必須の構成要素ではない。
　次に、高周波モジュール１の詳細な構成について説明する。
　図１に示すように、高周波モジュール１は、共通端子１００と、送信電力増幅器１１および１２と、受信低雑音増幅器２１および２２と、送信フィルタ６１Ｔ、６２Ｔ、６３Ｔおよび６４Ｔと、受信フィルタ６１Ｒ、６２Ｒ、６３Ｒおよび６４Ｒと、送信出力整合回路３０と、受信入力整合回路４０と、整合回路７１、７２、７３および７４と、スイッチ５１、５２、５３、５４、５５および５６と、カプラ８０と、カプラ出力端子１８０と、を備える。
　共通端子１００は、アンテナ素子２に接続される。
　送信電力増幅器１１は、第１周波数帯域群に属する通信バンドＡ（第１通信バンド）および通信バンドＢの高周波信号を増幅する第１送信電力増幅器である。また、送信電力増幅器１２は、第１周波数帯域群よりも高周波側の第２周波数帯域群に属する通信バンドＣ（第２通信バンド）および通信バンドＤの高周波信号を増幅する第２送信電力増幅器である。
　受信低雑音増幅器２１は、通信バンドＡ（第１通信バンド）および通信バンドＢの高周波信号を低雑音で増幅する第１受信低雑音増幅器である。また、受信低雑音増幅器２２は、通信バンドＡおよび通信バンドＢと異なる通信バンドＣ（第２通信バンド）および通信バンドＤの高周波信号を低雑音で増幅する第２受信低雑音増幅器である。
　送信フィルタ６１Ｔは、送信電力増幅器１１と共通端子１００とを結ぶ送信経路ＡＴ（第１送信経路）に配置され、送信電力増幅器１１で増幅された高周波送信信号のうち、通信バンドＡの送信帯域の高周波送信信号を通過させる第１送信フィルタである。また、送信フィルタ６２Ｔは、送信電力増幅器１１と共通端子１００とを結ぶ送信経路ＢＴに配置され、送信電力増幅器１１で増幅された高周波送信信号のうち、通信バンドＢの送信帯域の高周波送信信号を通過させる。また、送信フィルタ６３Ｔは、送信電力増幅器１２と共通端子１００とを結ぶ送信経路ＣＴ（第２送信経路）に配置され、送信電力増幅器１２で増幅された高周波送信信号のうち、通信バンドＣの送信帯域の高周波送信信号を通過させる第２送信フィルタである。また、送信フィルタ６４Ｔは、送信電力増幅器１２と共通端子１００とを結ぶ送信経路ＤＴに配置され、送信電力増幅器１２で増幅された高周波送信信号のうち、通信バンドＤの送信帯域の高周波送信信号を通過させる。
　受信フィルタ６１Ｒは、受信低雑音増幅器２１を含む受信経路ＡＲ（第１受信経路）に配置された第１受信フィルタである。より具体的には、受信フィルタ６１Ｒは、受信低雑音増幅器２１と共通端子１００とを結ぶ受信経路ＡＲに配置され、共通端子１００から入力された高周波受信信号のうち、通信バンドＡの受信帯域の高周波受信信号を通過させる。また、受信フィルタ６２Ｒは、受信低雑音増幅器２１と共通端子１００とを結ぶ受信経路ＢＲに配置され、共通端子１００から入力された高周波受信信号のうち、通信バンドＢの受信帯域の高周波受信信号を通過させる。また、受信フィルタ６３Ｒは、受信低雑音増幅器２２を含む受信経路ＣＲ（第２受信経路）に配置された第２受信フィルタである。より具体的には、受信フィルタ６３Ｒは、受信低雑音増幅器２２と共通端子１００とを結ぶ受信経路ＣＲに配置され、共通端子１００から入力された高周波受信信号のうち、通信バンドＣの受信帯域の高周波受信信号を通過させる。また、受信フィルタ６４Ｒは、受信低雑音増幅器２２と共通端子１００とを結ぶ受信経路ＤＲに配置され、共通端子１００から入力された高周波受信信号のうち、通信バンドＤの受信帯域の高周波受信信号を通過させる。
　なお、上記の送信フィルタ６１Ｔ～６４Ｔおよび受信フィルタ６１Ｒ～６４Ｒは、例えば、弾性表面波フィルタ、ＢＡＷ（Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）を用いた弾性波フィルタ、ＬＣ共振フィルタ、および誘電体フィルタのいずれであってもよく、さらには、これらには限定されない。
　送信フィルタ６１Ｔおよび受信フィルタ６１Ｒは、通信バンドＡを通過帯域とするデュプレクサ６１を構成している。また、送信フィルタ６２Ｔおよび受信フィルタ６２Ｒは、通信バンドＢを通過帯域とするデュプレクサ６２を構成している。また、送信フィルタ６３Ｔおよび受信フィルタ６３Ｒは、通信バンドＣを通過帯域とするデュプレクサ６３を構成している。また、送信フィルタ６４Ｔおよび受信フィルタ６４Ｒは、通信バンドＤを通過帯域とするデュプレクサ６４を構成している。
　送信出力整合回路３０は、整合回路３１および３２を有する。整合回路３１は、送信電力増幅器１１の出力端子に接続された第１送信出力整合回路である。より具体的には、整合回路３１は、送信電力増幅器１１と送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔとを結ぶ送信経路に配置され、送信電力増幅器１１と送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔとのインピーダンス整合をとる。整合回路３２は、送信電力増幅器１２の出力端子に接続された第２送信出力整合回路である。より具体的には、整合回路３２は、送信電力増幅器１２と送信フィルタ６３Ｔおよび６４Ｔとを結ぶ送信経路に配置され、送信電力増幅器１２と送信フィルタ６３Ｔおよび６４Ｔとのインピーダンス整合をとる。
　受信入力整合回路４０は、整合回路４１および４２を有する。整合回路４１は、受信低雑音増幅器２１の入力端子に接続された第１受信入力整合回路である。より具体的には、整合回路４１は、受信低雑音増幅器２１と受信フィルタ６１Ｒおよび６２Ｒとを結ぶ受信経路に配置され、受信低雑音増幅器２１と受信フィルタ６１Ｒおよび６２Ｒとのインピーダンス整合をとる。整合回路４２は、受信低雑音増幅器２２の入力端子に接続された第２受信入力整合回路である。より具体的には、整合回路４２は、受信低雑音増幅器２２と受信フィルタ６３Ｒおよび６４Ｒとを結ぶ受信経路に配置され、受信低雑音増幅器２２と受信フィルタ６３Ｒおよび６４Ｒとのインピーダンス整合をとる。
　スイッチ５１は、整合回路３１と送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔとを結ぶ送信経路に配置された第２スイッチであり、送信電力増幅器１１と送信フィルタ６１Ｔとの接続、および、送信電力増幅器１１と送信フィルタ６２Ｔとの接続、を切り替える。スイッチ５１は、例えば、共通端子が整合回路３１に接続され、一方の選択端子が送信フィルタ６１Ｔに接続され、他方の選択端子が送信フィルタ６２Ｔに接続された、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ　Ｐｏｌｅ　Ｄｏｕｂｌｅ　Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチ回路で構成される。スイッチ５２は、整合回路３２と送信フィルタ６３Ｔおよび６４Ｔとを結ぶ送信経路に配置された第２スイッチであり、送信電力増幅器１２と送信フィルタ６３Ｔとの接続、および、送信電力増幅器１２と送信フィルタ６４Ｔとの接続、を切り替える。スイッチ５２は、例えば、共通端子が整合回路３２に接続され、一方の選択端子が送信フィルタ６３Ｔに接続され、他方の選択端子が送信フィルタ６４Ｔに接続されたＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。スイッチ５３は、整合回路４１と受信フィルタ６１Ｒおよび６２Ｒとを結ぶ受信経路に配置された第３スイッチであり、受信低雑音増幅器２１と受信フィルタ６１Ｒとの接続、および、受信低雑音増幅器２１と受信フィルタ６２Ｒとの接続、を切り替える。スイッチ５３は、例えば、共通端子が整合回路４１に接続され、一方の選択端子が受信フィルタ６１Ｒに接続され、他方の選択端子が受信フィルタ６２Ｒに接続されたＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。スイッチ５４は、整合回路４２と受信フィルタ６３Ｒおよび６４Ｒとを結ぶ受信経路に配置された第３スイッチであり、受信低雑音増幅器２２と受信フィルタ６３Ｒとの接続、および、受信低雑音増幅器２２と受信フィルタ６４Ｒとの接続、を切り替える。スイッチ５４は、例えば、共通端子が整合回路４２に接続され、一方の選択端子が受信フィルタ６３Ｒに接続され、他方の選択端子が受信フィルタ６４Ｒに接続されたＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。
　スイッチ５５は、共通端子１００と送信フィルタ６１Ｔ～６４Ｔおよび受信フィルタ６１Ｒ～６４Ｒとを結ぶ信号経路に配置された第１スイッチであり、（１）共通端子１００と送信フィルタ６１Ｔおよび受信フィルタ６１Ｒとの接続、（２）共通端子１００と送信フィルタ６２Ｔおよび受信フィルタ６２Ｒとの接続、（３）共通端子１００と送信フィルタ６３Ｔおよび受信フィルタ６３Ｒとの接続、ならびに、（４）共通端子１００と送信フィルタ６４Ｔおよび受信フィルタ６４Ｒとの接続、を切り替える。なお、スイッチ５５は、上記（１）～（４）のうちの２以上の接続を同時に行うことが可能なマルチ接続型のスイッチ回路で構成される。
　整合回路７１は、スイッチ５５と送信フィルタ６１Ｔおよび受信フィルタ６１Ｒとを結ぶ経路に配置され、アンテナ素子２およびスイッチ５５と、送信フィルタ６１Ｔおよび受信フィルタ６１Ｒとのインピーダンス整合をとる。整合回路７２は、スイッチ５５と送信フィルタ６２Ｔおよび受信フィルタ６２Ｒとを結ぶ経路に配置され、アンテナ素子２およびスイッチ５５と、送信フィルタ６２Ｔおよび受信フィルタ６２Ｒとのインピーダンス整合をとる。整合回路７３は、スイッチ５５と送信フィルタ６３Ｔおよび受信フィルタ６３Ｒとを結ぶ経路に配置され、アンテナ素子２およびスイッチ５５と、送信フィルタ６３Ｔおよび受信フィルタ６３Ｒとのインピーダンス整合をとる。整合回路７４は、スイッチ５５と送信フィルタ６４Ｔおよび受信フィルタ６４Ｒとを結ぶ経路に配置され、アンテナ素子２およびスイッチ５５と、送信フィルタ６４Ｔおよび受信フィルタ６４Ｒとのインピーダンス整合をとる。
　カプラ８０およびスイッチ５６は、共通端子１００とスイッチ５５との間を伝送する高周波信号の電力強度をモニタする回路であり、モニタした電力強度を、カプラ出力端子１８０を介してＲＦＩＣ３などに出力する。
　なお、整合回路７１～７４、カプラ８０、スイッチ５６、およびカプラ出力端子１８０は、本発明に係る高周波モジュールに必須の構成要素ではない。
　上記高周波モジュール１の構成において、送信電力増幅器１１、整合回路３１、スイッチ５１、ならびに、送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔは、共通端子１００に向けて通信バンドＡおよび通信バンドＢの高周波送信信号を出力する第１送信回路を構成する。また、送信電力増幅器１２、整合回路３２、スイッチ５２、ならびに、送信フィルタ６３Ｔおよび６４Ｔは、共通端子１００に向けて通信バンドＣおよび通信バンドＤの高周波送信信号を出力する第２送信回路を構成する。第１送信回路および第２送信回路は、共通端子１００に向けて通信バンドＡ～Ｄの高周波送信信号を出力する送信回路を構成する。
　また、受信低雑音増幅器２１、整合回路４１、スイッチ５３、ならびに、受信フィルタ６１Ｒおよび６２Ｒは、アンテナ素子２から共通端子１００を介して通信バンドＡおよび通信バンドＢの高周波受信信号を入力する第１受信回路を構成する。また、受信低雑音増幅器２２、整合回路４２、スイッチ５４、ならびに、受信フィルタ６３Ｒおよび６４Ｒは、アンテナ素子２から共通端子１００を介して通信バンドＣおよび通信バンドＤの高周波受信信号を入力する第２受信回路を構成する。第１受信回路および第２受信回路は、共通端子１００から通信バンドＡ～Ｄの高周波受信信号を入力する受信回路を構成する。
　上記回路構成によれば、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、通信バンドＡおよび通信バンドＢのいずれかの通信バンドの高周波信号と、通信バンドＣおよび通信バンドＤのいずれかの通信バンドの高周波信号とを、同時送信、同時受信、および同時送受信の少なくともいずれかを実行することが可能である。
　なお、本発明に係る高周波モジュールでは、送信回路および受信回路がスイッチ５５を介して共通端子１００に接続されていなくてもよく、上記送信回路および上記受信回路が、異なる端子を介してアンテナ素子２に接続されていてもよい。また、本発明に係る高周波モジュールの回路構成として、受信低雑音増幅器２１および２２を、少なくとも有していればよく、この場合には、送信電力増幅器１１、１２、送信出力整合回路３０、受信入力整合回路４０、スイッチ５１～５６、送信フィルタ６１Ｔ～６４Ｔ、および受信フィルタ６１Ｒ～６４Ｒは、なくてもよい。
　ここで、上記高周波モジュール１を構成する各回路素子を、コンパクトなフロントエンド回路として１つのモジュールで構成する場合、例えば、通信バンドＡの受信経路ＡＲと通信バンドＣの受信経路ＣＲとが近接することで、受信経路ＡＲに接続された受信低雑音増幅器２１と受信経路ＣＲに接続された受信低雑音増幅器２２とが近接してしまうことが想定される。この場合、近接する２つの受信低雑音増幅器２１および２２の間で高周波受信信号の相互干渉および飛び移りなどが発生して受信経路ＡＲおよびＣＲ間のアイソレーションが悪化してしまう。これにより、例えば、受信経路ＡＲを伝搬する通信バンドＡの高周波受信信号に、受信経路ＣＲを伝搬する通信バンドＣの高周波受信信号が重畳されてしまい、受信経路ＡＲの受信感度が低下するという問題が発生する。また、他の受信経路ＢＲ、ＣＲ、およびＤＲについても、同様に受信感度の低下が発生することが予想される。
　これに対して、本実施の形態に係る高周波モジュール１では、受信経路ＡＲと受信経路ＣＲとの相互干渉を抑制し、アイソレーションを向上させる構成を有している。以下では、本実施の形態に係る高周波モジュール１における上記相互干渉を抑制し、アイソレーションを向上させる構成について説明する。
　［１．２　高周波モジュール１Ａの回路素子配置構成］
　図２Ａは、実施例に係る高周波モジュール１Ａの平面構成概略図である。また、図２Ｂは、実施例に係る高周波モジュール１Ａの断面構成概略図であり、具体的には、図２ＡのＩＩＢ－ＩＩＢ線における断面図である。なお、図２Ａの（ａ）には、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ａをｙ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置図が示されている。一方、図２Ａの（ｂ）には、主面９１ｂをｙ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置を透視した図が示されている。
　図２Ａおよび図２Ｂに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ａは、図１に示された回路構成に加えて、さらに、モジュール基板９１と、樹脂部材９２および９３と、金属チップ９５ａおよび９５ｂと、を有している。
　モジュール基板９１は、互いに対向する主面９１ａ（第１主面）および主面９１ｂ（第２主面）を有し、受信低雑音増幅器２１および２２を実装する基板である。モジュール基板９１としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ　Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）基板、または、プリント基板等が用いられる。
　図２Ａおよび図２Ｂに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、送信電力増幅器１１、受信低雑音増幅器２１、デュプレクサ６１および６２、整合回路３１および４１、スイッチ５５、ならびに、金属チップ９５ａは、モジュール基板９１の主面９１ａに表面実装されている。一方、送信電力増幅器１２、受信低雑音増幅器２２、デュプレクサ６３および６４、整合回路３２および４２、スイッチ５１および５２、ならびに、金属チップ９５ｂは、モジュール基板９１の主面９１ｂに表面実装されている。なお、スイッチ５３、５４および５６、整合回路７１～７４、ならびに、カプラ８０は、図２Ａおよび図２Ｂには図示されていないが、モジュール基板９１の主面９１ａおよび９１ｂのいずれに表面実装されていてもよいし、またモジュール基板９１に内蔵されていてもよい。
　つまり、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、通信バンドＡの送信経路ＡＴおよび通信バンドＢの送信経路ＢＴを含む第１送信回路、および、通信バンドＡの受信経路ＡＲおよび通信バンドＢの受信経路ＢＲを含む第１受信回路が、主面９１ａに実装されている。一方、通信バンドＣの送信経路ＣＴおよび通信バンドＤの送信経路ＤＴを含む第２送信回路、および、通信バンドＣの受信経路ＣＲおよび通信バンドＤの受信経路ＤＲを含む第２受信回路が、主面９１ｂに実装されている。
　樹脂部材９２は、モジュール基板９１の主面９１ａに配置され、第１送信回路、第１受信回路、およびモジュール基板９１の主面９１ａを覆っており、第１送信回路および第１受信回路を構成する回路素子の機械強度および耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。なお、樹脂部材９２は、本発明に係る高周波モジュールに必須の構成要素ではない。
　樹脂部材９３は、モジュール基板９１の主面９１ｂに配置され、第２送信回路、第２受信回路、およびモジュール基板９１の主面９１ｂを覆っており、第２送信回路および第２受信回路を構成する回路素子の機械強度および耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。なお、樹脂部材９３は、本発明に係る高周波モジュールに必須の構成要素ではない。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、モジュール基板９１の主面９１ｂ側に、複数の柱状電極１５０が配置されている。高周波モジュール１Ａは、高周波モジュール１Ａのｚ軸負方向側に配置される実装基板と、複数の柱状電極１５０を経由して、電気信号のやりとりを行う。また、複数の柱状電極１５０のいくつかは、実装基板のグランド電位に設定される。
　本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、第１周波数帯域群の高周波受信信号を増幅する受信低雑音増幅器２１が主面９１ａに実装されており、第２周波数帯域群の高周波受信信号を増幅する受信低雑音増幅器２２が、主面９１ｂに実装されている。言い換えると、第１周波数帯域群の高周波受信信号を増幅する受信低雑音増幅器２１と、第２周波数帯域群の高周波受信信号を増幅する受信低雑音増幅器２２とが、モジュール基板９１を挟んで実装されている。
　これにより、例えば、受信経路ＡＲを伝搬する通信バンドＡの高周波受信信号に、受信経路ＣＲを伝搬する通信バンドＣの高周波受信信号が重畳されることを抑制でき、受信経路ＡＲと受信経路ＣＲとの相互干渉を抑制し、アイソレーションを向上させることができる。よって、受信経路Ａの受信感度が劣化することを抑制できる。また、他の受信経路ＢＲ、ＣＲ、およびＤＲについても、同様に受信感度の劣化を抑制できる。
　また、図２Ａの（ａ）に示すように、モジュール基板９１を平面視した場合、受信低雑音増幅器２１と受信低雑音増幅器２２とは、重なっていないことが望ましい。
　これにより、上記平面視において受信低雑音増幅器２１と受信低雑音増幅器２２とが重なっている場合と比較して、受信低雑音増幅器２１と受信低雑音増幅器２２との距離を大きく確保できるので、受信経路ＡＲと受信経路ＣＲとの相互干渉をより抑制し、アイソレーションをより向上させることができる。
　整合回路３１および４１は、モジュール基板９１の主面９１ａに実装されている。また、整合回路３２および４２は、モジュール基板９１の主面９１ｂに実装されていることが望ましい。
　整合回路３１は、インダクタ３１Ｌおよびキャパシタ３１Ｃを含む。整合回路３２は、インダクタ３２Ｌおよびキャパシタ３２Ｃを含む。整合回路４１は、インダクタ４１Ｌおよびキャパシタ４１Ｃを含む。整合回路４２は、インダクタ４２Ｌおよびキャパシタ４２Ｃを含む。
　インダクタ４１Ｌは、受信入力整合回路４０に含まれ、主面９１ａに実装された第１インダクタンス素子であり、例えば、チップ状のインダクタ、または、主面９１ａ上に形成された配線パターンで構成されている。インダクタ４２Ｌは、受信入力整合回路４０に含まれ、主面９１ｂに実装された第２インダクタンス素子であり、例えば、チップ状のインダクタ、または、主面９１ｂ上に形成された配線パターンで構成されている。
　インダクタ３１Ｌは、送信出力整合回路３０に含まれる第３インダクタンス素子であり、例えば、チップ状のインダクタ、または、主面９１ａ上に形成された配線パターンで構成されている。インダクタ３２Ｌは、送信出力整合回路３０に含まれる第４インダクタンス素子であり、例えば、チップ状のインダクタ、または、主面９１ｂ上に形成された配線パターンで構成されている。
　上記構成によれば、インダクタ４１Ｌとインダクタ４２Ｌとが、モジュール基板９１を挟んで実装されていることにより、インダクタ４１Ｌとインダクタ４２Ｌとの電磁界結合を抑制できる。よって、受信経路ＡＲと受信経路ＣＲとの相互干渉をより抑制し、アイソレーションをより向上させることができる。
　また、図２Ａに示すように、デュプレクサ６１および６２は、モジュール基板９１の主面９１ａに実装され、デュプレクサ６３および６４は、モジュール基板９１の主面９１ｂに実装されていることが望ましい。つまり、受信フィルタ６１Ｒおよび６２Ｒは、モジュール基板９１の主面９１ａに実装され、受信フィルタ６３Ｒおよび６４Ｒは、モジュール基板９１の主面９１ｂに実装されている。また、送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔは、モジュール基板９１の主面９１ａに実装され、受信フィルタ６３Ｔおよび６４Ｔは、モジュール基板９１の主面９１ｂに実装されている。
　上記構成によれば、受信フィルタ６１Ｒと受信フィルタ６３Ｒとが、モジュール基板９１を挟んで実装されていることにより、受信フィルタ６１Ｒが配置された受信経路ＡＲと受信フィルタ６３Ｒが配置された受信経路ＣＲとの距離を大きく確保できるので、受信経路ＡＲと受信経路ＣＲとの相互干渉をより抑制し、アイソレーションをより向上させることができる。
　さらに、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、第１周波数帯域群の高周波送信信号を増幅する送信電力増幅器１１が主面９１ａに実装されており、第２周波数帯域群の高周波送信信号を増幅する送信電力増幅器１２が、主面９１ｂに実装されていることが望ましい。言い換えると、第１周波数帯域群の高周波送信信号を増幅する送信電力増幅器１１と、第２周波数帯域群の高周波送信信号を増幅する送信電力増幅器１２とが、モジュール基板９１を挟んで実装されている。
　これにより、送信電力増幅器１１および１２の一方で増幅された高周波送信信号に、送信電力増幅器１１および１２の他方で増幅された高周波送信信号の高調波成分が重畳されること、または、送信電力増幅器１１および１２で増幅された２つの高周波送信信号の相互変調歪成分が重畳されることを抑制できる。よって、送信電力増幅器１１および１２で増幅された高周波送信信号の信号品質が劣化することを回避できる。また、上記高調波成分および上記相互変調歪成分が、受信回路へ流入して受信感度を劣化させることを抑制できる。
　また、図２Ａの（ａ）に示すように、モジュール基板９１を平面視した場合、送信電力増幅器１１と送信電力増幅器１２とは、重なっていないことが望ましい。
　これにより、上記平面視において送信電力増幅器１１と送信電力増幅器１２とが重なっている場合と比較して、送信電力増幅器１１と送信電力増幅器１２との距離を大きく確保できる。よって、送信電力増幅器１１および１２の一方で増幅された高周波送信信号に、上記高調波成分および上記相互変調歪成分が重畳されることをより抑制できる。また、上記高調波成分および上記相互変調歪成分が、受信回路へ流入して受信感度を劣化させることをより抑制できる。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａの構成によれば、インダクタ３１Ｌとインダクタ３２Ｌとが、モジュール基板９１を挟んで実装されていることにより、インダクタ３１Ｌとインダクタ３２Ｌとの電磁界結合を抑制できる。よって、送信経路ＡＴと送信経路ＣＴとの相互干渉を抑制し、送信経路ＡＴと送信経路ＣＴとのアイソレーションを向上させることができる。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａの構成によれば、送信フィルタ６１Ｔと送信フィルタ６３Ｔとが、モジュール基板９１を挟んで実装されていることにより、送信フィルタ６１Ｔが配置された送信経路ＡＴと送信フィルタ６３Ｔが配置された送信経路ＣＴとの距離を大きく確保できるので、送信経路ＡＴと送信経路ＣＴとの相互干渉をより抑制し、送信経路ＡＴと送信経路ＣＴとのアイソレーションをより向上させることができる。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、モジュール基板９１を平面視した場合（ｚ軸方向から見た場合）、インダクタ３１Ｌおよび３２Ｌと、インダクタ４１Ｌおよび４２Ｌとの間に、主面９１ａに実装された導電部材が配置されている。ここで、上記導電部材とは、信号取り出し電極などの導電部材を有している電子部材であり、例えば、抵抗素子、容量素子、誘導素子、フィルタ、スイッチ、信号配線、および信号端子などの受動素子、ならびに、増幅器および制御回路などの能動素子の少なくともいずれかである。本実施の形態において、上記導電部材とは、デュプレクサ６１～６４の少なくともいずれかである。さらに、上記導電部材とは、デュプレクサ６１～６４のそれぞれを構成する送信フィルタおよび受信フィルタの少なくともいずれかであってもよい。デュプレクサ６１～６４のそれぞれを構成する送信フィルタおよび受信フィルタは、信号取り出し電極などの導電部材を複数有しており、例えば、複数の信号取り出し電極のうちの少なくとも１つは、図２Ｂに示すように、モジュール基板９１に配置されたグランドパターン９３Ｇ１または９３Ｇ２と接続されている。
　上記構成によれば、モジュール基板９１の主面９１ａ上に、整合回路３１および４１が配置されているが、インダクタ３１Ｌと、インダクタ４１Ｌとの間に、主面９１ａに実装されたデュプレクサ６１～６４の少なくとも１つが配置されている。また、モジュール基板９１の主面９１ｂ上に、整合回路３２および４２が配置されているが、インダクタ３２Ｌと、インダクタ４２Ｌとの間に、主面９１ｂに実装されたデュプレクサ６１～６４の少なくとも１つが配置されている。これにより、インダクタ３１Ｌおよび３２Ｌ、ならびに、インダクタ４１Ｌおよび４２Ｌから発生する電磁界をデュプレクサ６１～６４の少なくとも１つで遮蔽できるので、インダクタ３１Ｌおよび３２Ｌとインダクタ４１Ｌおよび４２Ｌとの電磁界結合を抑制できる。よって、送信電力増幅器１１および１２で増幅された高出力の高周波送信信号の高調波成分、または、当該高周波送信信号と他の高周波信号との相互変調歪成分の受信回路への流入量を低減できるので、高周波モジュール１Ａの受信感度の劣化を抑制できる。
　なお、モジュール基板９１を平面視した場合に、インダクタ３１Ｌとインダクタ４１Ｌとの間に、主面９１ａに実装された導電部材が配置されているとは、上記平面視において、上記平面視により投影されるインダクタ３１Ｌの領域内の任意の点と、上記平面視により投影されるインダクタ４１Ｌの領域内の任意の点とを結ぶ線に、上記平面視により投影される導電部材の領域の少なくとも一部が重複しているが成立していればよい。また、モジュール基板９１を平面視した場合に、インダクタ３２Ｌとインダクタ４２Ｌとの間に、主面９１ｂに実装された導電部材が配置されているとは、上記平面視において、上記平面視により投影されるインダクタ３２Ｌの領域内の任意の点と、上記平面視により投影されるインダクタ４２Ｌの領域内の任意の点とを結ぶ線に、上記平面視により投影される導電部材の領域の少なくとも一部が重複しているが成立していればよい。これにより、一の送信経路を伝送する高出力の高周波送信信号の高調波成分、または、当該高周波送信信号と他の高周波信号との相互変調歪成分の、一の受信経路への流入量を低減できるので、当該受信経路における受信感度の劣化を抑制できる。よって、高周波モジュール１Ａの受信感度の劣化を抑制できる。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、モジュール基板９１を平面視した場合（ｚ軸方向から見た場合）、インダクタ３１Ｌとインダクタ４１Ｌとの間に、主面９１ａに実装された金属チップ９５ａが配置され、インダクタ３２Ｌとインダクタ４２Ｌとの間に、主面９１ｂに実装された金属チップ９５ｂが配置されている。
　図２Ｂに示すように、複数の金属チップ９５ａのそれぞれは、モジュール基板９１に配置されたグランドパターン９３Ｇ１と接続され、複数の金属チップ９５ｂのそれぞれは、モジュール基板９１に配置されたグランドパターン９３Ｇ２と接続されている。
　上記構成によれば、インダクタ３１Ｌおよびインダクタ４１Ｌから発生する電磁界を、金属チップ９５ａで遮蔽でき、インダクタ３２Ｌおよびインダクタ４２Ｌから発生する電磁界を、金属チップ９５ｂで遮蔽できるので、インダクタ３１Ｌとインダクタ４１Ｌとの電磁界結合、および、インダクタ３２Ｌとインダクタ４２Ｌとの電磁界結合を抑制できる。よって、送信電力増幅器１１および１２で増幅された高出力の高周波送信信号の高調波成分、または、当該高周波送信信号と他の高周波信号との相互変調歪成分の受信回路への流入量を低減できるので、高周波モジュール１Ａの受信感度の劣化を抑制できる。
　なお、本実施例では、インダクタ３１Ｌとインダクタ４１Ｌとの間に、主面９１ａに実装された金属チップ９５ａに加えて、デュプレクサ６１および６２が配置されているが、本実施例においては、デュプレクサ６１および６２は、インダクタ３１Ｌとインダクタ４１Ｌとの間に配置されていなくてもよい。また、インダクタ３２Ｌとインダクタ４２Ｌとの間に、主面９１ｂに実装された金属チップ９５ｂに加えて、デュプレクサ６３および６４が配置されているが、本実施例においては、デュプレクサ６３および６４は、インダクタ３２Ｌとインダクタ４２Ｌとの間に配置されていなくてもよい。これは、インダクタ３１Ｌおよび４１Ｌから発生する電磁界の遮蔽機能は金属チップ９５ａが有しており、インダクタ３２Ｌおよび４２Ｌから発生する電磁界の遮蔽機能は金属チップ９５ｂが有していることに起因する。
　なお、本実施例では、インダクタ３１Ｌおよび３２Ｌとインダクタ４１Ｌおよび４２Ｌとの間に配置された導電部材として、デュプレクサおよび金属チップを例示したが、当該導電部材は、これらのほか、（１）チップコンデンサ、（２）スイッチ５５、（３）スイッチ５１または５２、（４）スイッチ５３または５４、（５）共通端子１００と送信フィルタおよび受信フィルタとの間に配置されるダイプレクサ（マルチプレクサ）、（６）送信電力増幅器１１および１２、受信低雑音増幅器２１および２２の利得を調整する制御信号、ならびに、スイッチ５１～５６の切り替えを制御する制御信号の少なくとも１つを生成する制御回路、のいずれかであってもよい。
　なお、上記（６）の制御回路は、スイッチ５１～５６の少なくとも１つを含むスイッチＩＣであってもよい。
　なお、上記（１）～（６）の回路素子は、接地電位または固定電位に設定された電極を有していることが望ましく、例えば、上記（１）～（６）の回路素子は、モジュール基板９１内に形成されたグランドパターンと接続されていることが望ましい。これにより、上記（１）～（６）の回路素子の電磁界遮蔽機能が向上する。
　上記例示した導電部材によれば、インダクタ３１Ｌおよび３２Ｌ、ならびに、インダクタ４１Ｌおよび４２Ｌから発生する電磁界を遮蔽できるので、インダクタ３１Ｌおよび３２Ｌとインダクタ４１Ｌおよび４２Ｌとの電磁界結合を抑制できる。よって、送信電力増幅器１１および１２で増幅された高出力の高周波送信信号の高調波成分、または、当該高周波送信信号と他の高周波信号との相互変調歪成分の受信回路への流入量を低減できるので、高周波モジュールの受信感度の劣化を抑制できる。
　また、本実施の形態に係る高周波モジュールでは、インダクタ３１Ｌおよび３２Ｌと、インダクタ４１Ｌおよび４２Ｌとの間に、モジュール基板９１に実装された導電部材を有しているが、これに代わり、以下のような構成を有していてもよい。
　図３は、実施例に係るインダクタ３１Ｌおよび４１Ｌの離間配置を説明する図である。同図には、モジュール基板９１の主面９１ａに実装された送信電力増幅器１１、受信低雑音増幅器２１、デュプレクサ６１および６２、整合回路３１および４１、ならびに、スイッチ５５のうち、整合回路３１のインダクタ３１Ｌおよび整合回路４１のインダクタ４１Ｌのみを表示している。
　主面９１ａを平面視した場合、主面９１ａは矩形形状であり、主面９１ａは、送信フィルタ６１Ｔ～６２Ｔおよび受信フィルタ６１Ｒ～６２Ｒのうちの少なくとも１つを包含する中央領域Ｃと、当該中央領域Ｃを除く外縁領域Ｐとで構成されている。さらに、外縁領域Ｐは、主面９１ａの４つの外辺Ｕ、Ｄ、ＬおよびＲのそれぞれを含む４つの外辺領域ＰＵ（図３に図示せず）、ＰＤ（図３に図示せず）、ＰＬ、およびＰＲで構成されている。ここで、インダクタ３１Ｌとインダクタ４１Ｌとは、主面９１ａを平面視した場合、中央領域Ｃを挟んで対向する２つの外辺領域ＰＬおよびＰＲに、それぞれ配置されている、または、中央領域Ｃを挟んで対向する２つの外辺領域ＰＵおよびＰＤに、それぞれ配置されている。なお、主面９１ｂに実装されたインダクタ３２Ｌとインダクタ４２Ｌとの配置関係についても、インダクタ３１Ｌとインダクタ４１Ｌとの配置関係と同様の関係にある。
　上記構成によれば、インダクタ３１Ｌとインダクタ４１Ｌとは、モジュール基板９１の主面９１ａ上に、送信フィルタおよび受信フィルタの少なくともいずれかを含む中央領域Ｃを挟んで、対向する外辺領域に分散配置されている。このため、インダクタ３１Ｌとインダクタ４１Ｌとは、モジュール基板９１の主面９１ａ上に配置されていても、互いに離間配置されているので、インダクタ３１Ｌから発生する電磁界がインダクタ４１Ｌへ到達する量を抑制できる。また、インダクタ３２Ｌとインダクタ４２Ｌとは、モジュール基板９１の主面９１ｂ上に、送信フィルタおよび受信フィルタの少なくともいずれかを含む中央領域Ｃを挟んで、対向する外辺領域に分散配置されている。このため、インダクタ３２Ｌとインダクタ４２Ｌとは、モジュール基板９１の主面９１ｂ上に配置されていても、互いに離間配置されているので、インダクタ３２Ｌから発生する電磁界がインダクタ４２Ｌへ到達する量を抑制できる。
　よって、送信電力増幅器１１および１２で増幅された高出力の高周波送信信号の高調波成分、または、当該高周波送信信号と他の高周波信号との相互変調歪成分の受信回路への流入量を低減できるので、高周波モジュール１Ａの受信感度の劣化を抑制できる。
　（その他の実施の形態など）
　以上、本発明の実施の形態に係る高周波モジュールおよび通信装置について、実施の形態および実施例を挙げて説明したが、本発明に係る高周波モジュールおよび通信装置は、上記実施の形態および実施例に限定されるものではない。上記実施の形態および実施例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態および実施例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波モジュールおよび通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
　例えば、上記実施の形態および実施例に係る高周波モジュールおよび通信装置において、図面に開示された各回路素子および信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子および配線などが挿入されていてもよい。
　本発明は、マルチバンド対応のフロントエンド部に配置される高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
　１、１Ａ　　高周波モジュール
　２　　アンテナ素子
　３　　ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
　４　　ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）
　５　　通信装置
　１１、１２　　送信電力増幅器
　２１、２２　　受信低雑音増幅器
　３０　　送信出力整合回路
　３１、３２、４１、４２、７１、７２、７３、７４　　整合回路
　３１Ｃ、３２Ｃ、４１Ｃ、４２Ｃ　　キャパシタ
　３１Ｌ、３２Ｌ、４１Ｌ、４２Ｌ　　インダクタ
　４０　　受信入力整合回路
　５１、５２、５３、５４、５５、５６　　スイッチ
　６１、６２、６３、６４　　デュプレクサ
　６１Ｒ、６２Ｒ、６３Ｒ、６４Ｒ　　受信フィルタ
　６１Ｔ、６２Ｔ、６３Ｔ、６４Ｔ　　送信フィルタ
　８０　　カプラ
　９１　　モジュール基板
　９１ａ、９１ｂ　　主面
　９２、９３　　樹脂部材
　９３Ｇ１、９３Ｇ２　　グランドパターン
　９５ａ、９５ｂ　　金属チップ
　１００　　共通端子
　１５０　　柱状電極
　１８０　　カプラ出力端子

Claims (9)

  1. 　第１通信バンドの高周波受信信号を増幅する第１受信低雑音増幅器と、
    　前記第１通信バンドと異なる第２通信バンドの高周波受信信号を増幅する第２受信低雑音増幅器と、
    　互いに対向する第１主面および第２主面を有し、前記第１受信低雑音増幅器と前記第２受信低雑音増幅器とを実装するモジュール基板と、を備え、
    　前記第１受信低雑音増幅器は、前記第１主面に配置され、
    　前記第２受信低雑音増幅器は、前記第２主面に配置されている、
    　高周波モジュール。
  2. 　前記モジュール基板を平面視した場合、前記第１受信低雑音増幅器と前記第２受信低雑音増幅器とは、重ならない、
    　請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 　さらに、
    　前記第１受信低雑音増幅器の入力端子に接続された第１受信入力整合回路と、
    　前記第２受信低雑音増幅器の入力端子に接続された第２受信入力整合回路と、を備え、
    　前記第１受信入力整合回路は、前記第１主面に実装された第１インダクタンス素子を含み、
    　前記第２受信入力整合回路は、前記第２主面に実装された第２インダクタンス素子を含む、
    　請求項１または２に記載の高周波モジュール。
  4. 　さらに、
    　前記第１受信低雑音増幅器を含む第１受信経路に配置され、前記第１主面に実装された第１受信フィルタと、
    　前記第２受信低雑音増幅器を含む第２受信経路に配置され、前記第２主面に実装された第２受信フィルタと、を備える、
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  5. 　さらに、
    　前記第１通信バンドの高周波送信信号を増幅する第１送信電力増幅器と、
    　前記第２通信バンドの高周波送信信号を増幅する第２送信電力増幅器と、を備え、
    　前記第１送信電力増幅器は、前記第１主面に配置され、
    　前記第２送信電力増幅器は、前記第２主面に配置されている、
    　請求項１～４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  6. 　前記モジュール基板を平面視した場合、前記第１送信電力増幅器と前記第２送信電力増幅器とは、重ならない、
    　請求項５に記載の高周波モジュール。
  7. 　さらに、
    　前記第１送信電力増幅器の出力端子に接続された第１送信出力整合回路と、
    　前記第２送信電力増幅器の出力端子に接続された第２送信出力整合回路と、を備え、
    　前記第１送信出力整合回路は、前記第１主面に実装された第３インダクタンス素子を含み、
    　前記第２送信出力整合回路は、前記第２主面に実装された第４インダクタンス素子を含む、
    　請求項５または６に記載の高周波モジュール。
  8. 　さらに、
    　前記第１送信電力増幅器を含む第１送信経路に配置され、前記第１主面に実装された第１送信フィルタと、
    　前記第２送信電力増幅器を含む第２送信経路に配置され、前記第２主面に実装された第２送信フィルタと、を備える、
    　請求項５～７のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  9. 　アンテナ素子で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、
    　前記アンテナ素子と前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝搬する請求項１～８のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、を備える、
    　通信装置。
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