KR102438875B1 - 고주파 모듈 및 통신 장치 - Google Patents

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타카노리 우에지마
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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

고주파 모듈(1A)은 통신 밴드 A의 고주파 수신 신호를 증폭하는 수신 저잡음 증폭기(21)와, 통신 밴드 C의 고주파 수신 신호를 증폭하는 수신 저잡음 증폭기(22)와, 서로 대향하는 주면(91a 및 91b)을 갖고, 수신 저잡음 증폭기(21)와 수신 저잡음 증폭기(22)를 실장하는 모듈 기판(91)을 구비하고, 수신 저잡음 증폭기(21)는 주면(91a)에 배치되고, 수신 저잡음 증폭기(22)는 주면(91b)에 배치되어 있다.

Description

고주파 모듈 및 통신 장치
본 발명은 고주파 모듈 및 통신 장치에 관한 것이다.
휴대전화 등의 이동체 통신 기기에서는, 특히 멀티밴드화의 진전에 따라 고주파 프런트엔드 회로를 구성하는 회로 소자의 배치 구성이 복잡화되어 있다.
특허문헌 1에는 복수의 통신 밴드(주파수 대역)에 의한 캐리어 어그리게이션(CA)을 실행하기 위해, 복수의 송신기(송신 경로) 및 복수의 수신기(수신 경로)와, 상기 복수의 송신기 및 복수의 수신기와 안테나 사이에 배치된 스위치 플렉서를 구비한 트랜시버(송수신 회로)의 회로 구성이 개시되어 있다. 상기 복수의 송신기의 각각은 송신 회로, PA(송신 전력 증폭기), 및 출력 회로를 갖고, 상기 복수의 수신기의 각각은 수신 회로, LNA(수신 저잡음 증폭기), 및 입력 회로를 갖고 있다. 출력 회로는 송신 필터, 임피던스 정합 회로, 및 듀플렉서 등을 포함하고, 입력 회로는 수신 필터, 임피던스 정합 회로, 및 듀플렉서 등을 포함한다. 상기 구성에 의하면, 스위치 플렉서의 스위칭 동작에 의해 CA를 실행할 수 있다.
일본 특허 공표 2014-522216호 공보
그러나, 특허문헌 1에 개시된 트랜시버(송수신 회로)를 이동체 통신 기기의 콤팩트한 프런트엔드 회로로서 1개의 모듈로 구성하는 경우, 다른 통신 밴드의 고주파 수신 신호를 전파하는 2개의 수신기(수신 경로)가 근접하고, 상기 2개의 수신기의 각각이 갖는 LNA끼리가 근접하는 것이 상정된다. 이 경우, 근접하는 2개의 LNA 사이에서 고주파 수신 신호의 상호 간섭 및 점핑 등이 발생해서 상기 2개의 수신기 사이의 아이솔레이션이 악화되어버린다. 이것에 의해, 상기 2개의 수신기 중 하나의 수신기를 전파하는 고주파 수신 신호에, 상기 2개의 수신기 중 다른 수신기를 전파하는 고주파 수신 신호가 중첩되어버려, 상기 하나의 수신기의 수신 감도가 저하된다고 하는 문제가 발생한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것이며, 수신 감도의 열화가 억제된 고주파 모듈 및 통신 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 형태에 의한 고주파 모듈은 제 1 통신 밴드의 고주파 수신 신호를 증폭하는 제 1 수신 저잡음 증폭기와, 상기 제 1 통신 밴드와 다른 제 2 통신 밴드의 고주파 수신 신호를 증폭하는 제 2 수신 저잡음 증폭기와, 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖고, 상기 제 1 수신 저잡음 증폭기와 상기 제 2 수신 저잡음 증폭기를 실장하는 모듈 기판을 구비하고, 상기 제 1 수신 저잡음 증폭기는 상기 제 1 주면에 배치되고, 상기 제 2 수신 저잡음 증폭기는 상기 제 2 주면에 배치되어 있다.
본 발명에 의하면, 수신 감도의 열화가 억제된 고주파 모듈 및 통신 장치를 제공하는 것이 가능해진다.
도 1은 실시형태에 의한 고주파 모듈의 회로 구성도이다.
도 2a는 실시예에 의한 고주파 모듈의 평면 구성 개략도이다.
도 2b는 실시예에 의한 고주파 모듈의 단면 구성 개략도이다.
도 3은 실시예에 의한 제 1 인덕턴스 소자 및 제 3 인덕턴스 소자의 이간 배치를 설명하는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시형태 및 그 변형예에 대해서, 도면을 사용해서 상세하게 설명한다. 또한, 이하에서 설명하는 실시형태 및 그 변형예는 모두 포괄적 또는 구체적인 예를 나타내는 것이다. 이하의 실시형태 및 그 변형예에서 나타내어지는 수치, 형상, 재료, 구성요소, 구성요소의 배치 및 접속 형태 등은 일례이며, 본 발명을 한정하는 주지는 아니다. 이하의 실시형태 및 그 변형예에 있어서의 구성요소 중, 독립 청구항에 기재되어 있지 않는 구성요소에 대해서는 임의의 구성요소로서 설명된다. 또한, 도면에 나타내어지는 구성요소의 크기 또는 크기의 비는 반드시 엄밀하지는 않다.
또한, 이하의 실시형태에 있어서, 기판 상에 실장된 A, B 및 C에 있어서, 「상기 기판(또는 상기 기판의 주면)을 평면으로 본 경우에, A와 B 사이에 C가 배치되어 있다」란 상기 기판을 평면으로 본 경우에 투영되는 A의 영역 내의 임의의 점과, 상기 기판을 평면으로 본 경우에 투영되는 B의 영역 내의 임의의 점을 연결하는 선에, 상기 기판을 평면으로 본 경우에 투영되는 C의 영역의 적어도 일부가 중복되어 있는 것을 가리키는 것으로 정의된다.
(실시형태)
[1.1 고주파 모듈(1) 및 통신 장치(5)의 회로 구성]
도 1은 실시형태에 의한 고주파 모듈(1)의 회로 구성도이다. 동 도면에 나타내는 바와 같이, 통신 장치(5)는 고주파 모듈(1)과, 안테나 소자(2)와, RF 신호 처리 회로(RFIC)(3)와, 베이스밴드 신호 처리 회로(BBIC)(4)를 구비한다.
RFIC(3)는 안테나 소자(2)로 송수신되는 고주파 신호를 처리하는 RF 신호 처리 회로이다. 구체적으로는, RFIC(3)는 고주파 모듈(1)의 수신 신호 경로를 통해서 입력된 고주파 수신 신호를 다운 컨버트 등에 의해 신호 처리하고, 상기 신호 처리해서 생성된 수신 신호를 BBIC(4)로 출력한다. 또한, RFIC(3)는 BBIC(4)로부터 입력된 송신 신호를 업 컨버트 등에 의해 신호 처리하고, 상기 신호 처리해서 생성된 고주파 송신 신호를 고주파 모듈(1)의 송신 신호 경로에 출력한다.
BBIC(4)는 고주파 모듈(1)을 전파하는 고주파 신호보다 저주파의 중간 주파수 대역을 사용해서 신호 처리하는 회로이다. BBIC(4)로 처리된 신호는, 예를 들면 화상 표시를 위한 화상 신호로서 사용되거나, 또는 스피커를 통한 통화를 위해 음성 신호로서 사용된다.
또한, RFIC(3)는 사용되는 통신 밴드(주파수 대역)에 의거해서 고주파 모듈(1)이 갖는 스위치(51, 52, 53, 54, 55 및 56)의 접속을 제어하는 제어부로서의 기능도 갖는다. 구체적으로는, RFIC(3)는 제어 신호(도시하지 않음)에 의해 고주파 모듈(1)이 갖는 스위치(51∼56)의 접속을 스위칭한다. 또한, 제어부는 RFIC(3)의 외부에 설치되어 있어도 좋고, 예를 들면 고주파 모듈(1) 또는 BBIC(4)에 설치되어 있어도 좋다.
안테나 소자(2)는 고주파 모듈(1)의 공통 단자(100)에 접속되어 고주파 모듈(1)로부터 출력된 고주파 신호를 방사하고, 또한 외부로부터의 고주파 신호를 수신해서 고주파 모듈(1)로 출력한다.
또한, 본 실시형태에 의한 통신 장치(5)에 있어서, 안테나 소자(2) 및 BBIC(4)는 필수의 구성요소가 아니다.
이어서, 고주파 모듈(1)의 상세한 구성에 대해서 설명한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 고주파 모듈(1)은 공통 단자(100)와, 송신 전력 증폭기(11 및 12)와, 수신 저잡음 증폭기(21 및 22)와, 송신 필터(61T, 62T, 63T 및 64T)와, 수신 필터(61R, 62R, 63R 및 64R)와, 송신 출력 정합 회로(30)와, 수신 입력 정합 회로(40)와, 정합 회로(71, 72, 73 및 74)와, 스위치(51, 52, 53, 54, 55 및 56)와, 커플러(80)와, 커플러 출력 단자(180)를 구비한다.
공통 단자(100)는 안테나 소자(2)에 접속된다.
송신 전력 증폭기(11)는 제 1 주파수 대역군에 속하는 통신 밴드 A(제 1 통신 밴드) 및 통신 밴드 B의 고주파 신호를 증폭하는 제 1 송신 전력 증폭기이다. 또한, 송신 전력 증폭기(12)는 제 1 주파수 대역군보다 고주파측의 제 2 주파수 대역군에 속하는 통신 밴드 C(제 2 통신 밴드) 및 통신 밴드 D의 고주파 신호를 증폭하는 제 2 송신 전력 증폭기이다.
수신 저잡음 증폭기(21)는 통신 밴드 A(제 1 통신 밴드) 및 통신 밴드 B의 고주파 신호를 저잡음으로 증폭하는 제 1 수신 저잡음 증폭기이다. 또한, 수신 저잡음 증폭기(22)는 통신 밴드 A 및 통신 밴드 B와 다른 통신 밴드 C(제 2 통신 밴드) 및 통신 밴드 D의 고주파 신호를 저잡음으로 증폭하는 제 2 수신 저잡음 증폭기이다.
송신 필터(61T)는 송신 전력 증폭기(11)와 공통 단자(100)를 연결하는 송신 경로(AT)(제 1 송신 경로)에 배치되고, 송신 전력 증폭기(11)에서 증폭된 고주파 송신 신호 중, 통신 밴드 A의 송신 대역의 고주파 송신 신호를 통과시키는 제 1 송신 필터이다. 또한, 송신 필터(62T)는 송신 전력 증폭기(11)와 공통 단자(100)를 연결하는 송신 경로(BT)에 배치되고, 송신 전력 증폭기(11)에서 증폭된 고주파 송신 신호 중, 통신 밴드 B의 송신 대역의 고주파 송신 신호를 통과시킨다. 또한, 송신 필터(63T)는 송신 전력 증폭기(12)와 공통 단자(100)를 연결하는 송신 경로(CT)(제 2 송신 경로)에 배치되고, 송신 전력 증폭기(12)에서 증폭된 고주파 송신 신호 중, 통신 밴드 C의 송신 대역의 고주파 송신 신호를 통과시키는 제 2 송신 필터이다. 또한, 송신 필터(64T)는 송신 전력 증폭기(12)와 공통 단자(100)를 연결하는 송신 경로(DT)에 배치되고, 송신 전력 증폭기(12)에서 증폭된 고주파 송신 신호 중, 통신 밴드 D의 송신 대역의 고주파 송신 신호를 통과시킨다.
수신 필터(61R)는 수신 저잡음 증폭기(21)를 포함하는 수신 경로(AR)(제 1 수신 경로)에 배치된 제 1 수신 필터이다. 보다 구체적으로는, 수신 필터(61R)는 수신 저잡음 증폭기(21)와 공통 단자(100)를 연결하는 수신 경로(AR)에 배치되고, 공통 단자(100)로부터 입력된 고주파 수신 신호 중, 통신 밴드 A의 수신 대역의 고주파 수신 신호를 통과시킨다. 또한, 수신 필터(62R)는 수신 저잡음 증폭기(21)와 공통 단자(100)를 연결하는 수신 경로(BR)에 배치되고, 공통 단자(100)로부터 입력된 고주파 수신 신호 중, 통신 밴드 B의 수신 대역의 고주파 수신 신호를 통과시킨다. 또한, 수신 필터(63R)는 수신 저잡음 증폭기(22)를 포함하는 수신 경로(CR)(제 2 수신 경로)에 배치된 제 2 수신 필터이다. 보다 구체적으로는, 수신 필터(63R)는 수신 저잡음 증폭기(22)와 공통 단자(100)를 연결하는 수신 경로(CR)에 배치되고, 공통 단자(100)로부터 입력된 고주파 수신 신호 중, 통신 밴드 C의 수신 대역의 고주파 수신 신호를 통과시킨다. 또한, 수신 필터(64R)는 수신 저잡음 증폭기(22)와 공통 단자(100)를 연결하는 수신 경로(DR)에 배치되고, 공통 단자(100)로부터 입력된 고주파 수신 신호 중, 통신 밴드 D의 수신 대역의 고주파 수신 신호를 통과시킨다.
또한, 상기 송신 필터(61T∼64T) 및 수신 필터(61R∼64R)는, 예를 들면 탄성표면파 필터, BAW(Bulk Acoustic Wave)를 사용한 탄성파 필터, LC 공진 필터, 및 유전체 필터 중 어느 것이어도 좋고, 또한 이들에는 한정되지 않는다.
송신 필터(61T) 및 수신 필터(61R)는 통신 밴드 A를 통과 대역으로 하는 듀플렉서(61)를 구성하고 있다. 또한, 송신 필터(62T) 및 수신 필터(62R)는 통신 밴드 B를 통과 대역으로 하는 듀플렉서(62)를 구성하고 있다. 또한, 송신 필터(63T) 및 수신 필터(63R)는 통신 밴드 C를 통과 대역으로 하는 듀플렉서(63)를 구성하고 있다. 또한, 송신 필터(64T) 및 수신 필터(64R)는 통신 밴드 D를 통과 대역으로 하는 듀플렉서(64)를 구성하고 있다.
송신 출력 정합 회로(30)는 정합 회로(31 및 32)를 갖는다. 정합 회로(31)는 송신 전력 증폭기(11)의 출력 단자에 접속된 제 1 송신 출력 정합 회로이다. 보다 구체적으로는, 정합 회로(31)는 송신 전력 증폭기(11)와 송신 필터(61T 및 62T)를 연결하는 송신 경로에 배치되어 송신 전력 증폭기(11)와 송신 필터(61T 및 62T)의 임피던스 정합을 취한다. 정합 회로(32)는 송신 전력 증폭기(12)의 출력 단자에 접속된 제 2 송신 출력 정합 회로이다. 보다 구체적으로는, 정합 회로(32)는 송신 전력 증폭기(12)와 송신 필터(63T 및 64T)를 연결하는 송신 경로에 배치되어 송신 전력 증폭기(12)와 송신 필터(63T 및 64T)의 임피던스 정합을 취한다.
수신 입력 정합 회로(40)는 정합 회로(41 및 42)를 갖는다. 정합 회로(41)는 수신 저잡음 증폭기(21)의 입력 단자에 접속된 제 1 수신 입력 정합 회로이다. 보다 구체적으로는, 정합 회로(41)는 수신 저잡음 증폭기(21)와 수신 필터(61R 및 62R)를 연결하는 수신 경로에 배치되어 수신 저잡음 증폭기(21)와 수신 필터(61R 및 62R)의 임피던스 정합을 취한다. 정합 회로(42)는 수신 저잡음 증폭기(22)의 입력 단자에 접속된 제 2 수신 입력 정합 회로이다. 보다 구체적으로는, 정합 회로(42)는 수신 저잡음 증폭기(22)와 수신 필터(63R 및 64R)를 연결하는 수신 경로에 배치되어 수신 저잡음 증폭기(22)와 수신 필터(63R 및 64R)의 임피던스 정합을 취한다.
스위치(51)는 정합 회로(31)와 송신 필터(61T 및 62T)를 연결하는 송신 경로에 배치된 제 2 스위치이며, 송신 전력 증폭기(11)와 송신 필터(61T)의 접속, 및 송신 전력 증폭기(11)와 송신 필터(62T)의 접속을 스위칭한다. 스위치(51)는, 예를 들면 공통 단자가 정합 회로(31)에 접속되고, 일방의 선택 단자가 송신 필터(61T)에 접속되고, 타방의 선택 단자가 송신 필터(62T)에 접속된 SPDT(Single Pole Double Throw)형의 스위치 회로로 구성된다. 스위치(52)는 정합 회로(32)와 송신 필터(63T 및 64T)를 연결하는 송신 경로에 배치된 제 2 스위치이고, 송신 전력 증폭기(12)와 송신 필터(63T)의 접속, 및 송신 전력 증폭기(12)와 송신 필터(64T)의 접속을 스위칭한다. 스위치(52)는, 예를 들면 공통 단자가 정합 회로(32)에 접속되고, 일방의 선택 단자가 송신 필터(63T)에 접속되고, 타방의 선택 단자가 송신 필터(64T)에 접속된 SPDT형의 스위치 회로로 구성된다. 스위치(53)는 정합 회로(41)와 수신 필터(61R 및 62R)를 연결하는 수신 경로에 배치된 제 3 스위치이고, 수신 저잡음 증폭기(21)와 수신 필터(61R)의 접속, 및 수신 저잡음 증폭기(21)와 수신 필터(62R)의 접속을 스위칭한다. 스위치(53)는, 예를 들면 공통 단자가 정합 회로(41)에 접속되고, 일방의 선택 단자가 수신 필터(61R)에 접속되고, 타방의 선택 단자가 수신 필터(62R)에 접속된 SPDT형의 스위치 회로로 구성된다. 스위치(54)는 정합 회로(42)와 수신 필터(63R 및 64R)를 연결하는 수신 경로에 배치된 제 3 스위치이고, 수신 저잡음 증폭기(22)와 수신 필터(63R)의 접속, 및 수신 저잡음 증폭기(22)와 수신 필터(64R)의 접속을 스위칭한다. 스위치(54)는, 예를 들면 공통 단자가 정합 회로(42)에 접속되고, 일방의 선택 단자가 수신 필터(63R)에 접속되고, 타방의 선택 단자가 수신 필터(64R)에 접속된 SPDT형의 스위치 회로로 구성된다.
스위치(55)는 공통 단자(100)와 송신 필터(61T∼64T) 및 수신 필터(61R∼64R)를 연결하는 신호 경로에 배치된 제 1 스위치이며, (1) 공통 단자(100)와 송신 필터(61T) 및 수신 필터(61R)의 접속, (2) 공통 단자(100)와 송신 필터(62T) 및 수신 필터(62R)의 접속, (3) 공통 단자(100)와 송신 필터(63T) 및 수신 필터(63R)의 접속, 및 (4) 공통 단자(100)와 송신 필터(64T) 및 수신 필터(64R)의 접속을 스위칭한다. 또한, 스위치(55)는 상기 (1)∼(4) 중 2개 이상의 접속을 동시에 행하는 것이 가능한 멀티접속형의 스위치 회로로 구성된다.
정합 회로(71)는 스위치(55)와 송신 필터(61T) 및 수신 필터(61R)를 연결하는 경로에 배치되어 안테나 소자(2) 및 스위치(55)와, 송신 필터(61T) 및 수신 필터(61R)의 임피던스 정합을 취한다. 정합 회로(72)는 스위치(55)와 송신 필터(62T) 및 수신 필터(62R)를 연결하는 경로에 배치되어 안테나 소자(2) 및 스위치(55)와, 송신 필터(62T) 및 수신 필터(62R)의 임피던스 정합을 취한다. 정합 회로(73)는 스위치(55)와 송신 필터(63T) 및 수신 필터(63R)를 연결하는 경로에 배치되어 안테나 소자(2) 및 스위치(55)와, 송신 필터(63T) 및 수신 필터(63R)의 임피던스 정합을 취한다. 정합 회로(74)는 스위치(55)와 송신 필터(64T) 및 수신 필터(64R)를 연결하는 경로에 배치되어 안테나 소자(2) 및 스위치(55)와, 송신 필터(64T) 및 수신 필터(64R)의 임피던스 정합을 취한다.
커플러(80) 및 스위치(56)는 공통 단자(100)와 스위치(55) 사이를 전송하는 고주파 신호의 전력 강도를 모니터링하는 회로이고, 모니터링한 전력 강도를 커플러 출력 단자(180)를 통해서 RFIC(3) 등에 출력한다.
또한, 정합 회로(71∼74), 커플러(80), 스위치(56), 및 커플러 출력 단자(180)는 본 발명에 의한 고주파 모듈에 필수적인 구성요소가 아니다.
상기 고주파 모듈(1)의 구성에 있어서, 송신 전력 증폭기(11), 정합 회로(31), 스위치(51), 및 송신 필터(61T 및 62T)는 공통 단자(100)를 향해서 통신 밴드 A 및 통신 밴드 B의 고주파 송신 신호를 출력하는 제 1 송신 회로를 구성한다. 또한, 송신 전력 증폭기(12), 정합 회로(32), 스위치(52), 및 송신 필터(63T 및 64T)는 공통 단자(100)를 향해서 통신 밴드 C 및 통신 밴드 D의 고주파 송신 신호를 출력하는 제 2 송신 회로를 구성한다. 제 1 송신 회로 및 제 2 송신 회로는 공통 단자(100)를 향해서 통신 밴드 A∼D의 고주파 송신 신호를 출력하는 송신 회로를 구성한다.
또한, 수신 저잡음 증폭기(21), 정합 회로(41), 스위치(53), 및 수신 필터(61R 및 62R)는 안테나 소자(2)로부터 공통 단자(100)를 통해서 통신 밴드 A 및 통신 밴드 B의 고주파 수신 신호를 입력하는 제 1 수신 회로를 구성한다. 또한, 수신 저잡음 증폭기(22), 정합 회로(42), 스위치(54), 및 수신 필터(63R 및 64R)는 안테나 소자(2)로부터 공통 단자(100)를 통해서 통신 밴드 C 및 통신 밴드 D의 고주파 수신 신호를 입력하는 제 2 수신 회로를 구성한다. 제 1 수신 회로 및 제 2 수신 회로는 공통 단자(100)로부터 통신 밴드 A∼D의 고주파 수신 신호를 입력하는 수신 회로를 구성한다.
상기 회로 구성에 의하면, 본 실시형태에 의한 고주파 모듈(1)은 통신 밴드 A 및 통신 밴드 B 중 어느 하나의 통신 밴드의 고주파 신호와, 통신 밴드 C 및 통신 밴드 D 중 어느 하나의 통신 밴드의 고주파 신호를, 동시 송신, 동시 수신, 및 동시 송수신 중 적어도 어느 하나를 실행하는 것이 가능하다.
또한, 본 발명에 의한 고주파 모듈에서는 송신 회로 및 수신 회로가 스위치(55)를 통해서 공통 단자(100)에 접속되어 있지 않아도 좋고, 상기 송신 회로 및 상기 수신 회로가 다른 단자를 통해서 안테나 소자(2)에 접속되어 있어도 좋다. 또한, 본 발명에 의한 고주파 모듈의 회로 구성으로서, 수신 저잡음 증폭기(21 및 22)를 적어도 갖고 있으면 좋고, 이 경우에는 송신 전력 증폭기(11, 12), 송신 출력 정합 회로(30), 수신 입력 정합 회로(40), 스위치(51∼56), 송신 필터(61T∼64T), 및 수신 필터(61R∼64R)는 없어도 좋다.
여기서, 상기 고주파 모듈(1)을 구성하는 각 회로 소자를 콤팩트한 프런트엔드 회로로서 1개의 모듈로 구성하는 경우, 예를 들면 통신 밴드 A의 수신 경로(AR)와 통신 밴드 C의 수신 경로(CR)가 근접함으로써, 수신 경로(AR)에 접속된 수신 저잡음 증폭기(21)와 수신 경로(CR)에 접속된 수신 저잡음 증폭기(22)가 근접해버리는 것이 상정된다. 이 경우, 근접하는 2개의 수신 저잡음 증폭기(21 및 22) 사이에서 고주파 수신 신호의 상호간섭 및 점핑 등이 발생해서 수신 경로(AR 및 CR) 사이의 아이솔레이션이 악화되어버린다. 이것에 의해, 예를 들면 수신 경로(AR)를 전파하는 통신 밴드 A의 고주파 수신 신호에 수신 경로(CR)를 전파하는 통신 밴드 C의 고주파 수신 신호가 중첩되어버려 수신 경로(AR)의 수신 감도가 저하된다고 하는 문제가 발생한다. 또한, 다른 수신 경로(BR, CR, 및 DR)에 대해서도, 마찬가지로 수신 감도의 저하가 발생하는 것이 예상된다.
이것에 대하여, 본 실시형태에 의한 고주파 모듈(1)에서는 수신 경로(AR)와 수신 경로(CR)의 상호간섭을 억제하여 아이솔레이션을 향상시키는 구성을 갖고 있다. 이하에서는, 본 실시형태에 의한 고주파 모듈(1)에 있어서의 상기 상호간섭을 억제하여 아이솔레이션을 향상시키는 구성에 대해서 설명한다.
[1.2 고주파 모듈(1A)의 회로 소자 배치 구성]
도 2a는 실시예에 의한 고주파 모듈(1A)의 평면 구성 개략도이다. 또한, 도 2b는 실시예에 의한 고주파 모듈(1A)의 단면 구성 개략도이고, 구체적으로는 도 2a의 IIB-IIB선에 있어서의 단면도이다. 또한, 도 2a의 (a)에는 모듈 기판(91)의 서로 대향하는 주면(91a 및 91b) 중, 주면(91a)을 z축 정방향측으로부터 본 경우의 회로 소자의 배치도가 나타내어져 있다. 한편, 도 2a의 (ｂ)에는 주면(91b)을 z축정방향측으로부터 본 경우의 회로 소자의 배치를 투시한 도면이 나타내어져 있다.
도 2a 및 도 2b에 나타내는 바와 같이, 본 실시예에 의한 고주파 모듈(1A)은 도 1에 나타내어진 회로 구성에 추가하여, 모듈 기판(91)과, 수지 부재(92 및 93)와, 금속 칩(95a 및 95b)을 더 갖고 있다.
모듈 기판(91)은 서로 대향하는 주면(91a)(제 1 주면) 및 주면(91b)(제 2 주면)을 갖고, 수신 저잡음 증폭기(21 및 22)를 실장하는 기판이다. 모듈 기판(91)으로서는, 예를 들면 복수의 유전체층의 적층 구조를 갖는 저온 동시 소성 세라믹스(Low Temperature Co-fired Ceramics：LTCC) 기판, 또는 프린트 기판 등이 사용된다.
도 2a 및 도 2b에 나타내는 바와 같이, 본 실시예에 의한 고주파 모듈(1A)에서는 송신 전력 증폭기(11), 수신 저잡음 증폭기(21), 듀플렉서(61 및 62), 정합 회로(31 및 41), 스위치(55), 및 금속 칩(95a)은 모듈 기판(91)의 주면(91a)에 표면 실장되어 있다. 한편, 송신 전력 증폭기(12), 수신 저잡음 증폭기(22), 듀플렉서(63 및 64), 정합 회로(32 및 42), 스위치(51 및 52), 및 금속 칩(95b)은 모듈 기판(91)의 주면(91b)에 표면 실장되어 있다. 또한, 스위치(53, 54, 및 56), 정합 회로(71∼74), 및 커플러(80)는 도 2a 및 도 2b에는 도시되어 있지 않지만, 모듈 기판(91)의 주면(91a 및 91b) 중 어느 것에 표면 실장되어 있어도 좋고, 또한 모듈 기판(91)에 내장되어 있어도 좋다.
즉, 본 실시예에 의한 고주파 모듈(1A)에서는 통신 밴드 A의 송신 경로(AT) 및 통신 밴드 B의 송신 경로(BT)를 포함하는 제 1 송신 회로, 및 통신 밴드 A의 수신 경로(AR) 및 통신 밴드 B의 수신 경로(BR)를 포함하는 제 1 수신 회로가 주면(91a)에 실장되어 있다. 한편, 통신 밴드 C의 송신 경로(CT) 및 통신 밴드 D의 송신 경로(DT)를 포함하는 제 2 송신 회로, 및 통신 밴드 C의 수신 경로(CR) 및 통신 밴드 D의 수신 경로(DR)를 포함하는 제 2 수신 회로가 주면(91b)에 실장되어 있다.
수지 부재(92)는 모듈 기판(91)의 주면(91a)에 배치되고, 제 1 송신 회로, 제 1 수신 회로, 및 모듈 기판(91)의 주면(91a)을 덮고 있으며, 제 1 송신 회로 및 제 1 수신 회로를 구성하는 회로 소자의 기계 강도 및 내습성 등의 신뢰성을 확보하는 기능을 갖고 있다. 또한, 수지 부재(92)는 본 발명에 의한 고주파 모듈에 필수적인 구성요소가 아니다.
수지 부재(93)는 모듈 기판(91)의 주면(91b)에 배치되고, 제 2 송신 회로, 제 2 수신 회로, 및 모듈 기판(91)의 주면(91b)을 덮고 있으며, 제 2 송신 회로 및 제 2 수신 회로를 구성하는 회로 소자의 기계 강도 및 내습성 등의 신뢰성을 확보하는 기능을 갖고 있다. 또한, 수지 부재(93)는 본 발명에 의한 고주파 모듈에 필수적인 구성요소가 아니다.
또한, 본 실시예에 의한 고주파 모듈(1A)에서는 모듈 기판(91)의 주면(91b)측에 복수의 기둥 형상 전극(150)이 배치되어 있다. 고주파 모듈(1A)은 고주파 모듈(1A)의 ｚ축 부방향측에 배치되는 실장 기판과, 복수의 기둥 형상 전극(150)을 경유해서 전기 신호의 교환을 행한다. 또한, 복수의 기둥 형상 전극(150) 중 몇 개는 실장 기판의 그라운드 전위로 설정된다.
본 실시예에 의한 고주파 모듈(1A)에서는 제 1 주파수 대역군의 고주파 수신 신호를 증폭하는 수신 저잡음 증폭기(21)가 주면(91a)에 실장되어 있으며, 제 2 주파수 대역군의 고주파 수신 신호를 증폭하는 수신 저잡음 증폭기(22)가 주면(91b)에 실장되어 있다. 환언하면, 제 1 주파수 대역군의 고주파 수신 신호를 증폭하는 수신 저잡음 증폭기(21)와, 제 2 주파수 대역군의 고주파 수신 신호를 증폭하는 수신 저잡음 증폭기(22)가 모듈 기판(91)을 사이에 두고 실장되어 있다.
이것에 의해, 예를 들면 수신 경로(AR)를 전파하는 통신 밴드 A의 고주파 수신 신호에 수신 경로(CR)를 전파하는 통신 밴드 C의 고주파 수신 신호가 중첩되는 것을 억제할 수 있고, 수신 경로(AR)와 수신 경로(CR)의 상호 간섭을 억제하여 아이솔레이션을 향상시킬 수 있다. 따라서, 수신 경로(AR)의 수신 감도가 열화되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 다른 수신 경로(BR, CR, 및 DR)에 대해서도, 마찬가지로 수신 감도의 열화를 억제할 수 있다.
또한, 도 2a의 (a)에 나타내는 바와 같이, 모듈 기판(91)을 평면으로 본 경우, 수신 저잡음 증폭기(21)와 수신 저잡음 증폭기(22)는 겹쳐 있지 않는 것이 바람직하다.
이것에 의해, 상기 평면으로 볼 때에 있어서 수신 저잡음 증폭기(21)와 수신 저잡음 증폭기(22)가 겹쳐 있는 경우와 비교해서 수신 저잡음 증폭기(21)와 수신 저잡음 증폭기(22)의 거리를 크게 확보할 수 있으므로, 수신 경로(AR)와 수신 경로(CR)의 상호간섭을 보다 억제하여 아이솔레이션을 보다 향상시킬 수 있다.
정합 회로(31 및 41)는 모듈 기판(91)의 주면(91a)에 실장되어 있다. 또한, 정합 회로(32 및 42)는 모듈 기판(91)의 주면(91b)에 실장되어 있는 것이 바람직하다.
정합 회로(31)는 인덕터(31L) 및 커패시터(31C)를 포함한다. 정합 회로(32)는 인덕터(32L) 및 커패시터(32C)를 포함한다. 정합 회로(41)는 인덕터(41L) 및 커패시터(41C)를 포함한다. 정합 회로(42)는 인덕터(42L) 및 커패시터(42C)를 포함한다.
인덕터(41L)는 수신 입력 정합 회로(40)에 포함되어 주면(91a)에 실장된 제 1 인덕턴스 소자이며, 예를 들면 칩 형상의 인덕터, 또는 주면(91a) 상에 형성된 배선 패턴으로 구성되어 있다. 인덕터(42L)는 수신 입력 정합 회로(40)에 포함되고, 주면(91b)에 실장된 제 2 인덕턴스 소자이며, 예를 들면 칩 형상의 인덕터, 또는 주면(91b) 상에 형성된 배선 패턴으로 구성되어 있다.
인덕터(31L)는 송신 출력 정합 회로(30)에 포함되는 제 3 인덕턴스 소자이며, 예를 들면 칩 형상의 인덕터, 또는 주면(91a) 상에 형성된 배선 패턴으로 구성되어 있다. 인덕터(32L)는 송신 출력 정합 회로(30)에 포함되는 제 4 인덕턴스 소자이며, 예를 들면 칩 형상의 인덕터, 또는 주면(91b) 상에 형성된 배선 패턴으로 구성되어 있다.
상기 구성에 의하면, 인덕터(41L)와 인덕터(42L)가 모듈 기판(91)을 사이에 두고 실장되어 있음으로써, 인덕터(41L)와 인덕터(42L)의 전자계 결합을 억제할 수 있다. 따라서, 수신 경로(AR)와 수신 경로(CR)의 상호간섭을 보다 억제하여 아이솔레이션을 보다 향상시킬 수 있다.
또한, 도 2a에 나타내는 바와 같이, 듀플렉서(61 및 62)는 모듈 기판(91)의 주면(91a)에 실장되고, 듀플렉서(63 및 64)는 모듈 기판(91)의 주면(91b)에 실장되어 있는 것이 바람직하다. 즉, 수신 필터(61R 및 62R)는 모듈 기판(91)의 주면(91a)에 실장되고, 수신 필터(63R 및 64R)는 모듈 기판(91)의 주면(91b)에 실장되어 있다. 또한, 송신 필터(61T 및 62T)는 모듈 기판(91)의 주면(91a)에 실장되고, 송신 필터(63T 및 64T)는 모듈 기판(91)의 주면(91b)에 실장되어 있다.
상기 구성에 의하면, 수신 필터(61R)와 수신 필터(63R)가 모듈 기판(91)을 사이에 두고 실장되어 있음으로써, 수신 필터(61R)가 배치된 수신 경로(AR)와 수신 필터(63R)가 배치된 수신 경로(CR)의 거리를 크게 확보할 수 있으므로, 수신 경로(AR)와 수신 경로(CR)의 상호간섭을 보다 억제하여 아이솔레이션을 보다 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시예에 의한 고주파 모듈(1A)에서는 제 1 주파수 대역군의 고주파 송신 신호를 증폭하는 송신 전력 증폭기(11)가 주면(91a)에 실장되어 있고, 제 2 주파수 대역군의 고주파 송신 신호를 증폭하는 송신 전력 증폭기(12)가 주면(91b)에 실장되어 있는 것이 바람직하다. 환언하면, 제 1 주파수 대역군의 고주파 송신 신호를 증폭하는 송신 전력 증폭기(11)와, 제 2 주파수 대역군의 고주파 송신 신호를 증폭하는 송신 전력 증폭기(12)가 모듈 기판(91)을 사이에 두고 실장되어 있다.
이것에 의해, 송신 전력 증폭기(11 및 12)의 일방에서 증폭된 고주파 송신 신호에, 송신 전력 증폭기(11 및 12)의 타방에서 증폭된 고주파 송신 신호의 고조파 성분이 중첩되는 것, 또는 송신 전력 증폭기(11 및 12)에서 증폭된 2개의 고주파 송신 신호의 상호변조 왜곡 성분이 중첩되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 송신 전력 증폭기(11 및 12)에서 증폭된 고주파 송신 신호의 신호 품질이 열화하는 것을 회피할 수 있다. 또한, 상기 고조파 성분 및 상기 상호변조 왜곡 성분이 수신 회로에 유입해서 수신 감도를 열화시키는 것을 억제할 수 있다.
또한, 도 2a의 (a)에 나타내는 바와 같이, 모듈 기판(91)을 평면으로 본 경우, 송신 전력 증폭기(11)와 송신 전력 증폭기(12)는 겹쳐 있지 않는 것이 바람직하다.
이것에 의해, 상기 평면으로 볼 때에 있어서 송신 전력 증폭기(11)와 송신 전력 증폭기(12)가 겹쳐 있는 경우와 비교해서 송신 전력 증폭기(11)와 송신 전력 증폭기(12)의 거리를 크게 확보할 수 있다. 따라서, 송신 전력 증폭기(11 및 12)의 일방에서 증폭된 고주파 송신 신호에, 상기 고조파 성분 및 상기 상호변조 왜곡 성분이 중첩되는 것을 보다 억제할 수 있다. 또한, 상기 고조파 성분 및 상기 상호변조 왜곡 성분이 수신 회로로 유입해서 수신 감도를 열화시키는 것을 보다 억제할 수 있다.
또한, 본 실시예에 의한 고주파 모듈(1A)의 구성에 의하면, 인덕터(31L)와 인덕터(32L)가 모듈 기판(91)을 사이에 두고 실장되어 있음으로써, 인덕터(31L)와 인덕터(32L)의 전자계 결합을 억제할 수 있다. 따라서, 송신 경로(AT)와 송신 경로(CT)의 상호간섭을 억제하여 송신 경로(AT)와 송신 경로(CT)의 아이솔레이션을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시예에 의한 고주파 모듈(1A)의 구성에 의하면, 송신 필터(61T)와 송신 필터(63T)가 모듈 기판(91)을 사이에 두고 실장되어 있음으로써, 송신 필터(61T)가 배치된 송신 경로(AT)와 송신 필터(63T)가 배치된 송신 경로(CT)의 거리를 크게 확보할 수 있으므로, 송신 경로(AT)와 송신 경로(CT)의 상호간섭을 보다 억제하여 송신 경로(AT)와 송신 경로(CT)의 아이솔레이션을 보다 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시예에 의한 고주파 모듈(1A)에서는 모듈 기판(91)을 평면으로 본 경우(z축 방향으로부터 본 경우), 인덕터(31L 및 32L)와, 인덕터(41L 및 42L) 사이에 주면(91a)에 실장된 도전 부재가 배치되어 있다. 여기서, 상기 도전 부재란, 신호 인출 전극 등의 도전 부재를 갖고 있는 전자 부재이며, 예를 들면 저항 소자, 용량 소자, 유도 소자, 필터, 스위치, 신호 배선, 및 신호 단자 등의 수동 소자, 및 증폭기 및 제어 회로 등의 능동 소자 중 적어도 어느 하나이다. 본 실시형태에 있어서, 상기 도전 부재란, 듀플렉서(61∼64) 중 적어도 어느 하나이다. 또한, 상기 도전 부재란, 듀플렉서(61∼64)의 각각을 구성하는 송신 필터 및 수신 필터 중 적어도 어느 하나여도 좋다. 듀플렉서(61∼64)의 각각을 구성하는 송신 필터 및 수신 필터는 신호 인출 전극 등의 도전 부재를 복수 갖고 있으며, 예를 들면 복수의 신호 인출 전극 중 적어도 1개는 도 2b에 나타내는 바와 같이, 모듈 기판(91)에 배치된 그라운드 패턴(93G1 또는 93G2)과 접속되어 있다.
상기 구성에 의하면, 모듈 기판(91)의 주면(91a) 상에 정합 회로(31 및 41)가 배치되어 있지만, 인덕터(31L)와 인덕터(41L) 사이에, 주면(91a)에 실장된 듀플렉서(61∼64) 중 적어도 1개가 배치되어 있다. 또한, 모듈 기판(91)의 주면(91b) 상에 정합 회로(32 및 42)가 배치되어 있지만, 인덕터(32L)와 인덕터(42L) 사이에, 주면(91b)에 실장된 듀플렉서(61∼64) 중 적어도 1개가 배치되어 있다. 이것에 의해, 인덕터(31L 및 32L), 및 인덕터(41L 및 42L)로부터 발생하는 전자계를 듀플렉서(61∼64) 중 적어도 1개에 의해 차폐할 수 있으므로, 인덕터(31L 및 32L)와 인덕터(41L 및 42L)의 전자계 결합을 억제할 수 있다. 따라서, 송신 전력 증폭기(11 및 12)에서 증폭된 고출력의 고주파 송신 신호의 고조파 성분, 또는 상기 고주파 송신 신호와 다른 고주파 신호의 상호변조 왜곡 성분의 수신 회로에의 유입량을 저감할 수 있으므로, 고주파 모듈(1A)의 수신 감도의 열화를 억제할 수 있다.
또한, 모듈 기판(91)을 평면으로 본 경우에, 인덕터(31L)와 인덕터(41L) 사이에, 주면(91a)에 실장된 도전 부재가 배치되어 있다란, 상기 평면으로 볼 때에 있어서, 상기 평면으로 봄에 따라 투영되는 인덕터(31L)의 영역 내의 임의의 점과, 상기 평면으로 봄에 따라 투영되는 인덕터(41L)의 영역 내의 임의의 점을 연결하는 선에, 상기 평면으로 봄에 따라 투영되는 도전 부재의 영역의 적어도 일부가 중복되어 있는 것이 성립하고 있으면 좋다. 또한, 모듈 기판(91)을 평면으로 본 경우에, 인덕터(32L)와 인덕터(42L) 사이에, 주면(91b)에 실장된 도전 부재가 배치되어 있다란, 상기 평면으로 볼 때에 있어서 상기 평면으로 봄에 따라 투영되는 인덕터(32L)의 영역 내의 임의의 점과, 상기 평면으로 봄에 따라 투영되는 인덕터(42L)의 영역 내의 임의의 점을 연결하는 선에, 상기 평면으로 봄에 따라 투영되는 도전 부재의 영역 중 적어도 일부가 중복되어 있는 것이 성립하고 있으면 좋다. 이것에 의해, 하나의 송신 경로를 전송하는 고출력의 고주파 송신 신호의 고조파 성분, 또는 상기 고주파 송신 신호와 다른 고주파 신호의 상호변조 왜곡 성분의 하나의 수신 경로로의 유입량을 저감할 수 있으므로, 상기 수신 경로에 있어서의 수신 감도의 열화를 억제할 수 있다. 따라서, 고주파 모듈(1A)의 수신 감도의 열화를 억제할 수 있다.
또한, 본 실시예에 의한 고주파 모듈(1A)에서는 모듈 기판(91)을 평면으로 본 경우(z축 방향으로부터 본 경우), 인덕터(31L)와 인덕터(41L) 사이에, 주면(91a)에 실장된 금속 칩(95a)이 배치되고, 인덕터(32L)와 인덕터(42L) 사이에, 주면(91b)에 실장된 금속 칩(95b)이 배치되어 있다.
도 2b에 나타내는 바와 같이, 복수의 금속 칩(95a)의 각각은 모듈 기판(91)에 배치된 그라운드 패턴(93G1)과 접속되고, 복수의 금속 칩(95b)의 각각은 모듈 기판(91)에 배치된 그라운드 패턴(93G2)과 접속되어 있다.
상기 구성에 의하면, 인덕터(31L) 및 인덕터(41L)로부터 발생하는 전자계를 금속 칩(95a)에 의해 차폐할 수 있고, 인덕터(32L) 및 인덕터(42L)로부터 발생하는 전자계를 금속 칩(95b)으로 차폐할 수 있으므로, 인덕터(31L)와 인덕터(41L)의 전자계 결합, 및 인덕터(32L)와 인덕터(42L)의 전자계 결합을 억제할 수 있다. 따라서, 송신 전력 증폭기(11 및 12)에서 증폭된 고출력의 고주파 송신 신호의 고조파 성분, 또는 상기 고주파 송신 신호와 다른 고주파 신호의 상호변조 왜곡 성분의 수신 회로로의 유입량을 저감할 수 있으므로, 고주파 모듈(1A)의 수신 감도의 열화를 억제할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 인덕터(31L)와 인덕터(41L) 사이에, 주면(91a)에 실장된 금속 칩(95a)에 추가하여, 듀플렉서(61 및 62)가 배치되어 있지만, 본 실시예에 있어서는 듀플렉서(61 및 62)는 인덕터(31L)와 인덕터(41L) 사이에 배치되어 있지 않아도 좋다. 또한, 인덕터(32L)와 인덕터(42L) 사이에, 주면(91b)에 실장된 금속 칩(95b)에 추가하여, 듀플렉서(63 및 64)가 배치되어 있지만, 본 실시예에 있어서는 듀플렉서(63 및 64)는 인덕터(32L)와 인덕터(42L) 사이에 배치되어 있지 않아도 좋다. 이것은 인덕터(31L 및 41L)로부터 발생하는 전자계의 차폐 기능은 금속 칩(95a)이 갖고 있으며, 인덕터(32L 및 42L)로부터 발생하는 전자계의 차폐 기능은 금속 칩(95b)이 갖고 있는 것에 기인한다.
또한, 본 실시예에서는 인덕터(31L 및 32L)와 인덕터(41L 및 42L) 사이에 배치된 도전 부재로서, 듀플렉서 및 금속 칩을 예시했지만, 상기 도전 부재는 이들 이외에, (1) 칩 콘덴서, (2) 스위치(55), (3) 스위치(51 또는 52), (4) 스위치(53 또는 54), (5) 공통 단자(100)와 송신 필터 및 수신 필터 사이에 배치되는 다이플렉서(멀티플렉서), (6) 송신 전력 증폭기(11 및 12), 수신 저잡음 증폭기(21 및 22)의 이득을 조정하는 제어 신호, 및 스위치(51∼56)의 스위칭을 제어하는 제어 신호 중 적어도 1개를 생성하는 제어 회로 중 어느 하나여도 좋다.
또한, 상기 (6)의 제어 회로는 스위치(51∼56) 중 적어도 1개를 포함하는 스위치 IC여도 좋다.
또한, 상기 (1)∼(6)의 회로 소자는 접지 전위 또는 고정 전위로 설정된 전극을 갖고 있는 것이 바람직하고, 예를 들면 상기 (1)∼(6)의 회로 소자는 모듈 기판(91) 내에 형성된 그라운드 패턴과 접속되어 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 상기 (1)∼(6)의 회로 소자의 전자계 차폐 기능이 향상된다.
상기 예시한 도전 부재에 의하면, 인덕터(31L 및 32L), 및 인덕터(41L 및 42L)로부터 발생하는 전자계를 차폐할 수 있으므로, 인덕터(31L 및 32L)와 인덕터(41L 및 42L)의 전자계 결합을 억제할 수 있다. 따라서, 송신 전력 증폭기(11 및 12)에서 증폭된 고출력의 고주파 송신 신호의 고조파 성분, 또는 상기 고주파 송신 신호와 다른 고주파 신호의 상호변조 왜곡 성분의 수신 회로로의 유입량을 저감할 수 있으므로, 고주파 모듈의 수신 감도의 열화를 억제할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 의한 고주파 모듈에서는 인덕터(31L 및 32L)와, 인덕터(41L 및 42L) 사이에, 모듈 기판(91)에 실장된 도전 부재를 갖고 있지만, 이것 대신에 이하와 같은 구성을 갖고 있어도 좋다.
도 3은 실시예에 의한 인덕터(31L 및 41L)의 이간 배치를 설명하는 도면이다. 동 도면에는, 모듈 기판(91)의 주면(91a)에 실장된 송신 전력 증폭기(11), 수신 저잡음 증폭기(21), 듀플렉서(61 및 62), 정합 회로(31 및 41), 및 스위치(55) 중, 정합 회로(31)의 인덕터(31L) 및 정합 회로(41)의 인덕터(41L)만을 표시하고 있다.
주면(91a)을 평면으로 본 경우, 주면(91a)은 직사각형 형상이며, 주면(91a)은 송신 필터(61T∼62T) 및 수신 필터(61R∼62R) 중 적어도 1개를 포함하는 중앙 영역(C)과, 상기 중앙 영역(C)을 제외한 외측 가장자리 영역(P)으로 구성되어 있다. 또한, 외측 가장자리 영역(P)은 주면(91a)의 4개의 외측 변(U, D, L, 및 R)의 각각을 포함하는 4개의 외측 변 영역(PU(도3에 도시하지 않음), PD(도 3에 도시하지 않음), PL, 및 PR로 구성되어 있다. 여기서, 인덕터(31L)와 인덕터(41L)는 주면(91a)을 평면으로 본 경우, 중앙 영역(C)을 사이에 두고 대향하는 2개의 외측 변 영역(PL 및 PR)에 각각 배치되어 있거나, 또는 중앙 영역(C)을 사이에 두고 대향하는 2개의 외측 변 영역(PU 및 PD)에 각각 배치되어 있다. 또한, 주면(91b)에 실장된 인덕터(32L)와 인덕터(42L)의 배치 관계에 대해서도, 인덕터(31L)와 인덕터(41L)의 배치 관계와 마찬가지의 관계에 있다.
상기 구성에 의하면, 인덕터(31L)와 인덕터(41L)는 모듈 기판(91)의 주면(91a) 상에 송신 필터 및 수신 필터 중 적어도 어느 하나를 포함하는 중앙 영역(C)을 사이에 두고, 대향하는 외측 변 영역에 분산 배치되어 있다. 이 때문에, 인덕터(31L)와 인덕터(41L)는 모듈 기판(91)의 주면(91a) 상에 배치되어 있어도 서로 이간 배치되어 있으므로, 인덕터(31L)로부터 발생하는 전자계가 인덕터(41L)로 도달하는 양을 억제할 수 있다. 또한, 인덕터(32L)와 인덕터(42L)는 모듈 기판(91)의 주면(91b) 상에 송신 필터 및 수신 필터 중 적어도 어느 하나를 포함하는 중앙 영역(C)을 사이에 두고, 대향하는 외측 변 영역에 분산 배치되어 있다. 이 때문에, 인덕터(32L)와 인덕터(42L)는 모듈 기판(91)의 주면(91b) 상에 배치되어 있어도 서로 이간 배치되어 있으므로, 인덕터(32L)로부터 발생하는 전자계가 인덕터(42L)로 도달하는 양을 억제할 수 있다.
따라서, 송신 전력 증폭기(11 및 12)에서 증폭된 고출력의 고주파 송신 신호의 고조파 성분, 또는 상기 고주파 송신 신호와 다른 고주파 신호의 상호변조 왜곡 성분의 수신 회로로의 유입량을 저감할 수 있으므로, 고주파 모듈(1A)의 수신 감도의 열화를 억제할 수 있다.
(그 밖의 실시형태 등)
이상, 본 발명의 실시형태에 의한 고주파 모듈 및 통신 장치에 대해서, 실시형태 및 실시예를 들어서 설명했지만, 본 발명에 의한 고주파 모듈 및 통신 장치는 상기 실시형태 및 실시예에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태 및 실시예에 있어서의 임의의 구성요소를 조합시켜서 실현되는 다른 실시형태나, 상기 실시형태 및 실시예에 대하여 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에서 당업자가 고안한 각종 변형을 실시해서 얻어지는 변형예나, 상기 고주파 모듈 및 통신 장치를 내장한 각종 기기도 본 발명에 포함된다.
예를 들면, 상기 실시형태 및 실시예에 의한 고주파 모듈 및 통신 장치에 있어서, 도면에 개시된 각 회로 소자 및 신호 경로를 접속하는 경로 사이에, 다른 회로 소자 및 배선 등이 삽입되어 있어도 좋다.
(산업상의 이용 가능성)
본 발명은 멀티밴드 대응의 프런트엔드부에 배치되는 고주파 모듈로서, 휴대전화 등의 통신 기기에 널리 이용할 수 있다.
1, 1A : 고주파 모듈 2 : 안테나 소자
3 : RF 신호 처리 회로(RFIC) 4: 베이스밴드 신호 처리 회로(BBIC)
5 : 통신 장치 11, 12 : 송신 전력 증폭기
21, 22 : 수신 저잡음 증폭기 30 : 송신 출력 정합 회로
31, 32, 41, 42, 71, 72, 73, 74 : 정합 회로
31C, 32C, 41C, 42C : 커패시터 31L, 32L, 41L, 42L : 인덕터
40 : 수신 입력 정합 회로 51, 52, 53, 54, 55, 56 : 스위치
61, 62, 63, 64 : 듀플렉서 61R, 62R, 63R, 64R : 수신 필터
61T, 62T, 63T, 64T : 송신 필터 80 : 커플러
91 : 모듈 기판 91a, 91b : 주면
92, 93 : 수지 부재 93G1, 93G2 : 그라운드 패턴
95a, 95b : 금속 칩 100 : 공통 단자
150 : 기둥 형상 전극 180 : 커플러 출력 단자

Claims (9)

  1. 제 1 통신 밴드의 고주파 수신 신호를 증폭하는 제 1 수신 저잡음 증폭기와,
    상기 제 1 통신 밴드와 다른 제 2 통신 밴드의 고주파 수신 신호를 증폭하는 제 2 수신 저잡음 증폭기와,
    서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖고, 상기 제 1 수신 저잡음 증폭기와 상기 제 2 수신 저잡음 증폭기를 실장하는 모듈 기판을 구비하고,
    상기 제 1 수신 저잡음 증폭기는 상기 제 1 주면에 배치되고,
    상기 제 2 수신 저잡음 증폭기는 상기 제 2 주면에 배치되어 있는 고주파 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 모듈 기판을 평면으로 본 경우, 상기 제 1 수신 저잡음 증폭기와 상기 제 2 수신 저잡음 증폭기는 겹치지 않는 고주파 모듈.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 수신 저잡음 증폭기의 입력 단자에 접속된 제 1 수신 입력 정합 회로와,
    상기 제 2 수신 저잡음 증폭기의 입력 단자에 접속된 제 2 수신 입력 정합 회로를 더 구비하고,
    상기 제 1 수신 입력 정합 회로는 상기 제 1 주면에 실장된 제 1 인덕턴스 소자를 포함하고,
    상기 제 2 수신 입력 정합 회로는 상기 제 2 주면에 실장된 제 2 인덕턴스 소자를 포함하는 고주파 모듈.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 수신 저잡음 증폭기를 포함하는 제 1 수신 경로에 배치되고, 상기 제 1 주면에 실장된 제 1 수신 필터와,
    상기 제 2 수신 저잡음 증폭기를 포함하는 제 2 수신 경로에 배치되고, 상기 제 2 주면에 실장된 제 2 수신 필터를 더 구비하는 고주파 모듈.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 통신 밴드의 고주파 송신 신호를 증폭하는 제 1 송신 전력 증폭기와,
    상기 제 2 통신 밴드의 고주파 송신 신호를 증폭하는 제 2 송신 전력 증폭기를 더 구비하고,
    상기 제 1 송신 전력 증폭기는 상기 제 1 주면에 배치되고,
    상기 제 2 송신 전력 증폭기는 상기 제 2 주면에 배치되어 있는 고주파 모듈.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 모듈 기판을 평면으로 본 경우, 상기 제 1 송신 전력 증폭기와 상기 제 2 송신 전력 증폭기는 겹치지 않는 고주파 모듈.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 송신 전력 증폭기의 출력 단자에 접속된 제 1 송신 출력 정합 회로와,
    상기 제 2 송신 전력 증폭기의 출력 단자에 접속된 제 2 송신 출력 정합 회로를 더 구비하고,
    상기 제 1 송신 출력 정합 회로는 상기 제 1 주면에 실장된 제 3 인덕턴스 소자를 포함하고,
    상기 제 2 송신 출력 정합 회로는 상기 제 2 주면에 실장된 제 4 인덕턴스 소자를 포함하는 고주파 모듈.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 송신 전력 증폭기를 포함하는 제 1 송신 경로에 배치되고, 상기 제 1 주면에 실장된 제 1 송신 필터와,
    상기 제 2 송신 전력 증폭기를 포함하는 제 2 송신 경로에 배치되고, 상기 제 2 주면에 실장된 제 2 송신 필터를 더 구비하는 고주파 모듈.
  9. 안테나 소자에서 송수신되는 고주파 신호를 처리하는 RF 신호 처리 회로와,
    상기 안테나 소자와 상기 RF 신호 처리 회로 사이에서 상기 고주파 신호를 전파하는 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 고주파 모듈을 구비하는 통신 장치.
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