CN213937872U - 高频模块和通信装置 - Google Patents

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Abstract

高频模块(1)具备：模块基板(91)；发送功率放大器(11)；电感器(31L)，其安装于主面(91a)，与发送功率放大器(11)的输出端子连接；接收低噪声放大器(21)；以及电感器(41L)，其安装于主面(91a)，与接收低噪声放大器(21)的输入端子连接，其中，在俯视模块基板(91)的情况下，在电感器(31L)与电感器(41L)之间配置有安装于主面(91a)的导电构件。本申请还公开了一种通信装置。

Description

高频模块和通信装置
技术领域
本实用新型涉及一种高频模块和通信装置。
背景技术
在便携式电话等移动通信设备中，特别是，随着多频段化的进展，构成高频前端电路的电路元件的配置结构变得复杂。
在专利文献1中公开了一种收发器(发送接收电路)的电路结构，该收发器具备多个发送器(发送路径)和多个接收器(接收路径)、以及配置于该多个发送器及多个接收器与天线之间的开关复用器(switch-plexer)，以执行基于多个通信频段(频带)的载波聚合(CA)。上述多个发送器中的各发送器具有发送电路、PA(发送功率放大器)以及输出电路，上述多个接收器中的各接收器具有接收电路、LNA(接收低噪声放大器)以及输入电路。输出电路包括发送滤波器、阻抗匹配电路以及双工器等，输入电路包括接收滤波器、阻抗匹配电路以及双工器等。根据上述结构，能够通过开关复用器的切换动作来执行CA。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2014-522216号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
然而，在将专利文献1所公开的收发器(发送接收电路)用1个模块构成为移动通信设备的紧凑的前端电路的情况下，可以设想到以下情况：一个发送器与一个接收器(接收路径)接近，该一个发送器(发送路径)的输出电路的电感成分与该一个接收器(接收路径)的输入电路的电感成分发生电磁场耦合。在该情况下，产生以下问题：被PA(发送功率放大器)放大后的高输出的高频发送信号的谐波成分或者该高频发送信号与其它高频信号的互调失真成分借助上述电磁场耦合而流入到上述一个接收器(接收路径)，该一个接收器(接收路径)的接收灵敏度劣化。
本实用新型是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种使接收灵敏度的劣化得以抑制的高频模块和通信装置。
用于解决问题的方案
为了实现上述目的，本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；第一发送功率放大器，其放大高频发送信号；发送输出匹配电路，其与所述第一发送功率放大器的输出端子连接；第一接收低噪声放大器，其放大高频接收信号；以及接收输入匹配电路，其与所述第一接收低噪声放大器的输入端子连接，其中，所述发送输出匹配电路包括安装于所述第一主面的第一电感元件，所述接收输入匹配电路包括安装于所述第一主面的第二电感元件，在俯视所述模块基板的情况下，在所述第一电感元件与所述第二电感元件之间配置有安装于所述第一主面的导电构件。
优选地，所述高频模块还具备：公共端子；第一发送滤波器，其配置于将所述第一发送功率放大器与所述公共端子连结的发送路径，使被所述第一发送功率放大器放大后的高频发送信号中的规定的发送带的高频发送信号通过；以及第一接收滤波器，其配置于将所述第一接收低噪声放大器与所述公共端子连结的接收路径，使从所述公共端子输入的高频接收信号中的规定的接收带的高频接收信号通过，其中，所述发送输出匹配电路配置于所述第一发送功率放大器与所述第一发送滤波器之间的所述发送路径，取得所述第一发送功率放大器与所述第一发送滤波器的阻抗匹配，所述接收输入匹配电路配置于所述第一接收低噪声放大器与所述第一接收滤波器之间的所述接收路径，取得所述第一接收低噪声放大器与所述第一接收滤波器的阻抗匹配。
优选地，所述导电构件是以下中的任一个：(1)第一开关，其对所述发送路径及所述接收路径与所述公共端子的导通和非导通进行切换；(2)第二开关，其对所述发送路径与所述第一发送功率放大器的导通和非导通进行切换；(3) 第三开关，其对所述接收路径与所述第一接收低噪声放大器的导通和非导通进行切换；(4)所述第一发送滤波器；(5)所述第一接收滤波器；(6)多工器，其配置于所述公共端子与所述第一发送滤波器及所述第一接收滤波器之间； (7)金属芯片；(8)芯片电容器；(9)控制电路，其生成用于对所述第一发送功率放大器及所述第一接收低噪声放大器的增益进行调整的控制信号以及用于对所述第一开关、所述第二开关及所述第三开关的切换进行控制的控制信号中的至少一个控制信号。
优选地，所述规定的发送带是第一通信频段的发送带，所述规定的接收带是所述第一通信频段的接收带，所述第一发送功率放大器优先放大所述第一通信频段的发送带的高频发送信号，所述第一接收低噪声放大器优先放大所述第一通信频段的接收带的高频接收信号，所述第一发送滤波器和所述第一接收滤波器构成支持所述第一通信频段的双工器，所述导电构件是所述第一发送滤波器和所述第一接收滤波器中的至少任一个。
优选地，所述规定的发送带是第一通信频段的发送带，所述规定的接收带是与所述第一通信频段不同的第二通信频段的接收带，所述第一发送功率放大器优先放大所述第一通信频段的发送带的高频发送信号，所述第一接收低噪声放大器优先放大所述第二通信频段的接收带的高频接收信号，所述高频模块还具备：第二发送功率放大器，其优先放大所述第二通信频段的发送带的高频发送信号；第二发送滤波器，其配置于将所述第二发送功率放大器与所述公共端子连结的发送路径，使被所述第二发送功率放大器放大后的高频发送信号中的所述第二通信频段的发送带的高频发送信号通过；第二接收低噪声放大器，其优先放大所述第一通信频段的接收带的高频接收信号；以及第二接收滤波器，其配置于将所述第二接收低噪声放大器与所述公共端子连结的接收路径，使从所述公共端子输入的高频接收信号中的所述第一通信频段的接收带的高频接收信号通过，所述导电构件是所述第一发送滤波器、所述第二发送滤波器、所述第一接收滤波器以及所述第二接收滤波器中的至少任一个。
优选地，将所述第一通信频段的高频发送信号的发送与所述第二通信频段的高频接收信号的接收同时执行。
优选地，被所述第一发送功率放大器放大后的高频发送信号的谐波的频率或者该高频发送信号与其它高频信号的互调失真的频率重叠于所述规定的接收带的至少一部分。
优选地，所述导电构件包括经由所述第一主面来接地的电极。
优选地，在俯视所述模块基板的情况下，通过该俯视投影后的所述导电构件的区域的至少一部分重叠于将通过该俯视投影后的所述第一电感元件的区域内的任意的点与通过该俯视投影后的所述第二电感元件的区域内的任意的点连结的线上。
本实用新型的另一个方式所涉及的高频模块具备：模块基板，其具有彼此相向的矩形形状的第一主面和第二主面；第一发送功率放大器，其放大高频发送信号；第一发送滤波器，其配置于包括所述第一发送功率放大器的发送路径，使被所述第一发送功率放大器放大后的高频发送信号中的规定的发送带的高频发送信号通过；发送输出匹配电路，其配置于所述第一发送功率放大器与所述第一发送滤波器之间的所述发送路径，取得所述第一发送功率放大器与所述第一发送滤波器的阻抗匹配；第一接收低噪声放大器，其放大高频接收信号；第一接收滤波器，其配置于包括所述第一接收低噪声放大器的接收路径，使高频接收信号中的规定的接收带的高频接收信号通过；以及接收输入匹配电路，其配置于所述第一接收低噪声放大器与所述第一接收滤波器之间的所述接收路径，取得所述第一接收低噪声放大器与所述第一接收滤波器的阻抗匹配，其中，所述发送输出匹配电路包括安装于所述第一主面的第一电感元件，所述接收输入匹配电路包括安装于所述第一主面的第二电感元件，在俯视所述第一主面的情况下，所述第一主面由中央区域和除了该中央区域以外的4个外边区域构成，所述中央区域包含所述第一发送滤波器和所述第一接收滤波器中的至少一方，所述4个外边区域分别包含所述第一主面的4个外边，在俯视所述第一主面的情况下，所述第一电感元件和所述第二电感元件分别配置于隔着所述中央区域相向的2个外边区域。
本实用新型的一个方式所涉及的通信装置具备：射频信号处理电路，其对利用天线元件发送接收的高频信号进行处理；上述的高频模块，其在所述天线元件与所述射频信号处理电路之间传播所述高频信号。
实用新型的效果
根据本实用新型，能够提供使接收灵敏度的劣化得以抑制的高频模块和通信装置。
附图说明
图1是实施方式1所涉及的高频模块的电路结构图。
图2A是实施方式1所涉及的高频模块的平面结构概要图。
图2B是实施方式1所涉及的高频模块的截面结构概要图。
图3A是实施方式1的变形例所涉及的高频模块的平面结构概要图。
图3B是实施方式1的变形例所涉及的高频模块的截面结构概要图。
图4是说明实施方式1所涉及的第一电感元件与第二电感元件的分离配置的图。
图5A是实施方式2所涉及的高频模块的平面结构概要图。
图5B是实施方式2所涉及的高频模块的截面结构概要图。
图6是实施方式2的变形例1所涉及的高频模块的截面结构概要图。
图7A是实施方式2的变形例2所涉及的高频模块的平面结构概要图。
图7B是实施方式2的变形例2所涉及的高频模块的截面结构概要图。
具体实施方式
下面，使用附图来详细说明本实用新型的实施方式及其变形例。此外，下面说明的实施方式及其变形例均示出总括性或具体性的例子。下面的实施方式及其变形例所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置以及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本实用新型。将下面的实施方式及其变形例的结构要素中的未记载于独立权利要求的结构要素作为任意的结构要素来进行说明。另外，附图所示的结构要素的大小或者大小之比未必是严格的。
此外，在下面的实施方式中，在安装于基板上的A、B及C中，“在俯视该基板(或该基板的主面)的情况下，C配置于A与B之间”被定义为：在俯视该基板的情况下投影后的C的区域的至少一部分重叠于将在俯视该基板的情况下投影后的A的区域内的任意的点与在俯视该基板的情况下投影后的B的区域内的任意的点连结的线上。
(实施方式1)
[1.1高频模块1和通信装置5的电路结构]
图1是实施方式1所涉及的高频模块1的电路结构图。如该图所示，通信装置5具备高频模块1、天线元件2、RF(Radio Frequency：射频)信号处理电路 (RFIC)3以及基带信号处理电路(BBIC)4。
RFIC 3是对利用天线元件2发送接收的高频信号进行处理的RF信号处理电路。具体地说，RFIC 3对经由高频模块1的接收信号路径输入的高频接收信号通过下变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的接收信号输出到 BBIC 4。另外，RFIC 3对从BBIC 4输入的发送信号通过上变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的高频发送信号输出到高频模块1的发送信号路径。
BBIC 4是使用频率比在高频模块1中传播的高频信号的频率低的中间频带来进行信号处理的电路。由BBIC 4处理后的信号例如被用作图像信号以显示图像，或者被用作声音信号以借助扬声器进行通话。
另外，RFIC 3还具有基于所使用的通信频段(频带)来控制高频模块1所具有的开关51、52、53、54、55及56的连接的作为控制部的功能。具体地说， RFIC 3通过控制信号(未图示)来切换高频模块1所具有的开关51～56的连接。此外，控制部也可以设置于RFIC 3的外部，例如也可以设置于高频模块1或 BBIC 4。
天线元件2与高频模块1的公共端子100连接，辐射从高频模块1输出的高频信号，另外，接收来自外部的高频信号后输出到高频模块1。
此外，在本实施方式所涉及的通信装置5中，天线元件2和BBIC 4不是必需的结构要素。
接着，说明高频模块1的详细结构。
如图1所示，高频模块1具备公共端子100、发送功率放大器11及12、接收低噪声放大器21及22、发送滤波器61T、62T、63T及64T、接收滤波器61R、 62R、63R及64R、发送输出匹配电路30、接收输入匹配电路40、匹配电路71、 72、73及74、开关51、52、53、54、55及56、耦合器80、以及耦合器输出端子180。
公共端子100与天线元件2连接。
发送功率放大器11是对属于第一频带组的通信频段A(第一通信频段)和通信频段B的高频信号进行放大的第一发送功率放大器。另外，发送功率放大器12是对属于第二频带组的通信频段C(第二通信频段)和通信频段D的高频信号进行放大的第二发送功率放大器，该第二频带组比第一频带组靠高频侧。
接收低噪声放大器21是将通信频段A和通信频段B的高频信号以低噪声进行放大的第一接收低噪声放大器。另外，接收低噪声放大器22是将通信频段C和通信频段D的高频信号以低噪声进行放大的第二接收低噪声放大器。
发送滤波器61T配置于将发送功率放大器11与公共端子100连结的发送路径AT，使被发送功率放大器11放大后的高频发送信号中的通信频段A的发送带的高频发送信号通过。另外，发送滤波器62T配置于将发送功率放大器 11与公共端子100连结的发送路径BT，使被发送功率放大器11放大后的高频发送信号中的通信频段B的发送带的高频发送信号通过。另外，发送滤波器 63T配置于将发送功率放大器12与公共端子100连结的发送路径CT，使被发送功率放大器12放大后的高频发送信号中的通信频段C的发送带的高频发送信号通过。另外，发送滤波器64T配置于将发送功率放大器12与公共端子100 连结的发送路径DT，使被发送功率放大器12放大后的高频发送信号中的通信频段D的发送带的高频发送信号通过。
接收滤波器61R配置于将接收低噪声放大器21与公共端子100连结的接收路径AR，使从公共端子100输入的高频接收信号中的通信频段A的接收带的高频接收信号通过。另外，接收滤波器62R配置于将接收低噪声放大器21 与公共端子100连结的接收路径BR，使从公共端子100输入的高频接收信号中的通信频段B的接收带的高频接收信号通过。另外，接收滤波器63R配置于将接收低噪声放大器22与公共端子100连结的接收路径CR，使从公共端子 100输入的高频接收信号中的通信频段C的接收带的高频接收信号通过。另外，接收滤波器64R配置于将接收低噪声放大器22与公共端子100连结的接收路径DR，使从公共端子100输入的高频接收信号中的通信频段D的接收带的高频接收信号通过。
此外，上述的发送滤波器61T～64T和接收滤波器61R～64R例如可以是声表面波滤波器、使用了BAW(Bulk Acoustic Wave：体声波)的弹性波滤波器、 LC谐振滤波器、以及电介质滤波器中的任一个，而且不限定于它们。
发送滤波器61T和接收滤波器61R构成了以通信频段A为通带的双工器 61。另外，发送滤波器62T和接收滤波器62R构成了以通信频段B为通带的双工器62。另外，发送滤波器63T和接收滤波器63R构成了以通信频段C为通带的双工器63。另外，发送滤波器64T和接收滤波器64R构成了以通信频段D为通带的双工器64。
发送输出匹配电路30具有匹配电路31及32。匹配电路31配置于将发送功率放大器11与发送滤波器61T及62T连结的发送路径，取得发送功率放大器11 与发送滤波器61T及62T的阻抗匹配。匹配电路32配置于将发送功率放大器12 与发送滤波器63T及64T连结的发送路径，取得发送功率放大器12与发送滤波器63T及64T的阻抗匹配。
接收输入匹配电路40具有匹配电路41及42。匹配电路41配置于将接收低噪声放大器21与接收滤波器61R及62R连结的接收路径，取得接收低噪声放大器21与接收滤波器61R及62R的阻抗匹配。匹配电路42配置于将接收低噪声放大器22与接收滤波器63R及64R连结的接收路径，取得接收低噪声放大器22与接收滤波器63R及64R的阻抗匹配。
开关51是配置于将匹配电路31与发送滤波器61T及62T连结的发送路径的第二开关，在将发送功率放大器11与发送滤波器61T连接以及将发送功率放大器11与发送滤波器62T连接之间进行切换。开关51例如由公共端子与匹配电路31连接、一方的选择端子与发送滤波器61T连接、另一方的选择端子与发送滤波器62T连接的SPDT(Single Pole DoubleThrow：单刀双掷)型的开关电路构成。开关52是配置于将匹配电路32与发送滤波器63T及64T连结的发送路径的第二开关，在将发送功率放大器12与发送滤波器63T连接以及将发送功率放大器12与发送滤波器64T连接之间进行切换。开关52例如由公共端子与匹配电路32连接、一方的选择端子与发送滤波器63T连接、另一方的选择端子与发送滤波器64T连接的SPDT型的开关电路构成。开关53是配置于将匹配电路41与接收滤波器61R及62R连结的接收路径的第三开关，在将接收低噪声放大器21与接收滤波器61R连接以及将接收低噪声放大器21与接收滤波器62R连接之间进行切换。开关53例如由公共端子与匹配电路41连接、一方的选择端子与接收滤波器61R连接、另一方的选择端子与接收滤波器62R 连接的SPDT型的开关电路构成。开关54是配置于将匹配电路42与接收滤波器63R及64R连结的接收路径的第三开关，在将接收低噪声放大器22与接收滤波器63R连接以及将接收低噪声放大器22与接收滤波器64R连接之间进行切换。开关54例如由公共端子与匹配电路42连接、一方的选择端子与接收滤波器63R连接、另一方的选择端子与接收滤波器64R连接的SPDT型的开关电路构成。
开关55是配置于将公共端子100与发送滤波器61T～64T及接收滤波器 61R～64R连结的信号路径的第一开关，对(1)公共端子100与发送滤波器61T 及接收滤波器61R的连接、(2)公共端子100与发送滤波器62T及接收滤波器 62R的连接、(3)公共端子100与发送滤波器63T及接收滤波器63R的连接、以及(4)公共端子100与发送滤波器64T及接收滤波器64R的连接进行切换。此外，开关55由能够同时进行上述(1)～(4)中的2个以上的连接的多连接型的开关电路构成。
匹配电路71配置于将开关55与发送滤波器61T及接收滤波器61R连结的路径，取得天线元件2及开关55与发送滤波器61T及接收滤波器61R的阻抗匹配。匹配电路72配置于将开关55与发送滤波器62T及接收滤波器62R连结的路径，取得天线元件2及开关55与发送滤波器62T及接收滤波器62R的阻抗匹配。匹配电路73配置于将开关55与发送滤波器63T及接收滤波器63R连结的路径，取得天线元件2及开关55与发送滤波器63T及接收滤波器63R的阻抗匹配。匹配电路74配置于将开关55与发送滤波器64T及接收滤波器64R连结的路径，取得天线元件2及开关55与发送滤波器64T及接收滤波器64R的阻抗匹配。
耦合器80和开关56是监视在公共端子100与开关55之间传输的高频信号的功率强度的电路，将监视到的功率强度经由耦合器输出端子180输出到 RFIC 3等。
此外，匹配电路71～74、耦合器80、开关56以及耦合器输出端子180不是本实用新型所涉及的高频模块所必需的结构要素。
在上述高频模块1的结构中，发送功率放大器11、匹配电路31、开关51、以及发送滤波器61T及62T构成向公共端子100输出通信频段A和通信频段B 的高频发送信号的第一发送电路。另外，发送功率放大器12、匹配电路32、开关52、以及发送滤波器63T及64T构成向公共端子100输出通信频段C和通信频段D的高频发送信号的第二发送电路。第一发送电路和第二发送电路构成向公共端子100输出通信频段A～D的高频发送信号的发送电路。
另外，接收低噪声放大器21、匹配电路41、开关53、以及接收滤波器61R 及62R构成从天线元件2经由公共端子100输入通信频段A和通信频段B的高频接收信号的第一接收电路。另外，接收低噪声放大器22、匹配电路42、开关54、以及接收滤波器63R及64R构成从天线元件2经由公共端子100输入通信频段C和通信频段D的高频接收信号的第二接收电路。第一接收电路和第二接收电路构成从公共端子100输入通信频段A～D的高频接收信号的接收电路。
根据上述电路结构，本实施方式所涉及的高频模块1能够执行通信频段A 及通信频段B中的任一个通信频段的高频信号与通信频段C及通信频段D中的任一个通信频段的高频信号的同时发送、同时接收、以及同时发送接收中的至少任一个。
此外，在本实用新型所涉及的高频模块中，发送电路和接收电路也可以不经由开关55来与公共端子100连接，上述发送电路和上述接收电路也可以经由不同的端子来与天线元件2连接。另外，作为本实用新型所涉及的高频模块的电路结构，只要至少具有发送功率放大器11、匹配电路31、接收低噪声放大器21以及匹配电路41即可，在该情况下，也可以没有开关51～56、发送滤波器61T～64T、以及接收滤波器61R～64R。另外，在该情况下，为不进行2个以上的通信频段的高频信号的同时发送、同时接收以及同时发送接收、而发送接收单一通信频段的高频信号的系统。
在此，在将构成上述高频模块1的各电路元件用1个模块构成为紧凑的前端电路的情况下，例如可以设想到以下情况：发送输出匹配电路30的电感成分与接收输入匹配电路40的电感成分发生电磁场耦合。在该情况下，当被发送功率放大器11或12放大后的高输出的高频发送信号的谐波成分或者该高频发送信号与其它高频信号的互调失真成分借助上述电磁场耦合而流入到接收电路时，接收电路的接收灵敏度会劣化。例如，能够列举以下情况：被发送功率放大器11放大后的高频发送信号的谐波的频率与通信频段C的接收带的至少一部分重叠。另外，例如能够列举以下情况：被发送功率放大器11 放大后的高频发送信号与其它高频信号的互调失真的频率重叠于通信频段 A～D的接收带的至少一部分。
对此，在本实施方式所涉及的高频模块1中，具有抑制发送输出匹配电路30的电感成分与接收输入匹配电路40的电感成分发生电磁场耦合的结构。下面，说明本实施方式所涉及的高频模块1的抑制上述电磁场耦合的结构。
[1.2高频模块1的电路元件配置结构]
图2A是实施方式1所涉及的高频模块1的平面结构概要图。另外，图2B 是实施方式1所涉及的高频模块1的截面结构概要图，具体地说，是图2A的 IIB-IIB线处的截面图。
如图2A和图2B所示，本实施方式所涉及的高频模块1除了具有图1中示出的电路结构以外，还具有模块基板91和树脂构件92。
模块基板91具有相互背对的主面91a(第一主面)和主面91b(第二主面)，是安装上述发送电路和上述接收电路的基板。作为模块基板91，例如使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramics：LTCC)基板或者印刷电路板等。
树脂构件92配置于模块基板91的主面91a，覆盖上述发送电路、上述接收电路以及模块基板91的主面91a，具有确保构成上述发送电路和上述接收电路的电路元件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。此外，树脂构件92 不是本实用新型所涉及的高频模块所必需的结构要素。
如图2A及2B所示，在本实施方式所涉及的高频模块1中，发送功率放大器11及12、接收低噪声放大器21及22、双工器61～64、匹配电路31、32、41 及42、以及开关51、52及55安装于模块基板91的主面91a的表面。此外，开关53、54及56、匹配电路71～74、以及耦合器80在图2A和图2B中没有图示，但是可以安装于模块基板91的主面91a及91b中的任一个主面的表面，另外也可以内置于模块基板91。
匹配电路31、32、41及42安装于模块基板91的主面91a。匹配电路31包括电感器31L和电容器31C。匹配电路32包括电感器32L和电容器32C。匹配电路41包括电感器41L和电容器41C。匹配电路42包括电感器42L和电容器 42C。电感器31L及32L分别是包含于发送输出匹配电路30的第一电感元件，例如由芯片状的电感器或形成在主面91a上的布线图案构成。电感器41L及 42L分别是包含于接收输入匹配电路40的第二电感元件，例如由芯片状的电感器或形成在主面91a上的布线图案构成。
在此，在本实施方式所涉及的高频模块1中，在俯视模块基板91的情况下(在从z轴方向观察模块基板91的情况下)，在电感器31L及32L与电感器41L 及42L之间配置有安装于主面91a的导电构件。在此，上述导电构件是指具有信号取出电极等导电构件的电子构件，例如是电阻元件、电容元件、电感元件、滤波器、开关、信号布线及信号端子等无源元件、以及放大器及控制电路等有源元件中的至少任一个。在本实施方式中，上述导电构件是双工器 61～64中的至少任一个。并且，上述导电构件也可以是构成双工器61～64中的各双工器的发送滤波器和接收滤波器中的至少任一个。构成双工器61～64中的各双工器的发送滤波器和接收滤波器具有多个信号取出电极等导电构件，例如，多个信号取出电极中的至少1个信号取出电极与配置于模块基板91的地图案93G连接。
根据上述结构，在模块基板91的主面91a上配置有发送输出匹配电路30 和接收输入匹配电路40，但是在电感器31L及32L与电感器41L及42L之间配置有安装于主面91a的双工器61～64中的至少1个。由此，能够利用双工器 61～64中的至少1个来屏蔽从电感器31L及32L以及电感器41L及42L产生的电磁场，因此能够抑制电感器31L及32L与电感器41L及42L的电磁场耦合。因此，能够减少被发送功率放大器11及12放大后的高输出的高频发送信号的谐波成分或者该高频发送信号与其它高频信号的互调失真成分流入到接收电路的流入量，因此能够抑制高频模块1的接收灵敏度的劣化。
此外，关于在俯视模块基板91的情况下在电感器31L及32L与电感器41L 及42L之间配置有安装于主面91a的导电构件，只要以下情况中的至少任一个成立即可：在上述俯视时，(1)通过上述俯视投影后的导电构件的区域的至少一部分重叠于将通过上述俯视投影后的电感器31L的区域内的任意的点与通过上述俯视投影后的电感器41L的区域内的任意的点连结的线上；(2)通过上述俯视投影后的导电构件的区域的至少一部分重叠于将通过上述俯视投影后的电感器32L的区域内的任意的点与通过上述俯视投影后的电感器41L的区域内的任意的点连结的线上；(3)通过上述俯视投影后的导电构件的区域的至少一部分重叠于将通过上述俯视投影后的电感器31L的区域内的任意的点与通过上述俯视投影后的电感器42L的区域内的任意的点连结的线上；以及 (4)通过上述俯视投影后的导电构件的区域的至少一部分重叠于将通过上述俯视投影后的电感器32L的区域内的任意的点与通过上述俯视投影后的电感器42L的区域内的任意的点连结的线上。
也就是说，在本实施方式所涉及的高频模块1中，设为在电感器31L及32L 与电感器41L及42L之间配置有安装于主面91a的导电构件的结构，但是只要在电感器31L及32L中的至少1个电感器与电感器41L及42L中的至少1个电感器之间配置有安装于主面91a的导电构件即可。由此，能够减少在一个发送路径中传输的高输出的高频发送信号的谐波成分或者该高频发送信号与其它高频信号的互调失真成分流入到一个接收路径的流入量，因此能够抑制该接收路径中的接收灵敏度的劣化。因此，能够抑制高频模块1的接收灵敏度的劣化。
[1.3变形例所涉及的高频模块1A的电路元件配置结构]
图3A是实施方式1的变形例所涉及的高频模块1A的平面结构概要图。另外，图3B是实施方式1的变形例所涉及的高频模块1A的截面结构概要图，具体地说，是图3A的IIIB-IIIB线处的截面图。
本变形例所涉及的高频模块1A与实施方式1所涉及的高频模块1相比，仅在附加配置有金属芯片95这一方面不同。下面，关于本变形例所涉及的高频模块1A，省略其与实施方式1所涉及的高频模块1相同的方面的说明，以不同的方面为中心来进行说明。
在本变形例所涉及的高频模块1A中，在俯视模块基板91的情况下(在从z 轴方向观察模块基板91的情况下)，在电感器31L及32L与电感器41L及42L之间配置有安装于主面91a的多个金属芯片95。也就是说，在本变形例中，作为配置于电感器31L及32L与电感器41L及42L之间的导电构件，配置有金属芯片95。如图3B所示，多个金属芯片中的各金属芯片与配置于模块基板91 的地图案93G连接。
另外，期望的是，在z轴方向上，金属芯片95比电感器31L及41L高。
根据上述结构，能够利用金属芯片95来屏蔽从电感器31L及32L以及电感器41L及42L产生的电磁场，因此能够抑制电感器31L及32L与电感器41L及 42L的电磁场耦合。因此，能够减少被发送功率放大器11及12放大后的高输出的高频发送信号的谐波成分或者该高频发送信号与其它高频信号的互调失真成分流入到接收电路的流入量，因此能够抑制高频模块1A的接收灵敏度的劣化。
此外，在本变形例中，在电感器31L及32L与电感器41L及42L之间，除了配置有安装于主面91a的金属芯片95以外还配置有双工器61～64，但是在本变形例中，也可以是，在电感器31L及32L与电感器41L及42L之间没有配置双工器61～64。这是由于金属芯片95具有对于从电感器31L、32L、41L及42L 产生的电磁场的屏蔽功能。
此外，在本实施方式及其变形例中，作为配置于电感器31L及32L与电感器41L及42L之间的导电构件，例示了发送滤波器、接收滤波器以及金属芯片，但是除了发送滤波器、接收滤波器以及金属芯片以外，该导电构件也可以是以下中的任一个：(1)开关55；(2)开关51或52；(3)开关53或54；(4)配置于公共端子100与发送滤波器及接收滤波器之间的同向双工器(多工器)；(5)芯片电容器；(6)生成用于对发送功率放大器11、12、接收低噪声放大器21、22 的增益进行调整的控制信号以及用于对开关51～56的切换进行控制的控制信号中的至少1个控制信号的控制电路。
此外，上述(6)的控制电路也可以是包括开关51～56中的至少1个开关的开关IC。
此外，期望的是，上述(1)～(6)的电路元件具有被设定为接地电位或固定电位的电极，例如，期望的是，上述(1)～(6)的电路元件与形成于模块基板91 内的地图案连接。由此，上述(1)～(6)的电路元件的电磁场屏蔽功能提高。
根据上述例示的导电构件，能够屏蔽从电感器31L及32L以及电感器41L 及42L产生的电磁场，因此能够抑制电感器31L及32L与电感器41L及42L的电磁场耦合。因此，能够减少被发送功率放大器11及12放大后的高输出的高频发送信号的谐波成分或者该高频发送信号与其它高频信号的互调失真成分流入到接收电路的流入量，因此能够抑制高频模块的接收灵敏度的劣化。
另外，电感器31L及32L所产生的磁通与电感器41L及42L所产生的磁通也可以正交。具体地说，例如只要构成电感器31L及32L的线圈的卷绕轴与构成电感器41L及42L的线圈的卷绕轴正交即可。由此，能够抑制由电感器31L 及32L规定的磁场与由电感器41L及42L规定的磁场的相互作用。因此，能够抑制电感器31L及32L与电感器41L及42L的电磁场耦合，因此能够进一步抑制高频模块的接收灵敏度的下降。
[1.4第一电感元件与第二电感元件的分离配置]
此外，在本实施方式所涉及的高频模块1中，在电感器31L及32L与电感器41L及42L之间具有安装于模块基板91的导电构件，但是也可以取而代之地，本实施方式所涉及的高频模块1具有如以下那样的结构。
图4是说明实施方式1所涉及的电感器31L及41L的分离配置的图。在该图中，仅显示了安装于模块基板91的主面91a的发送功率放大器11及12、接收低噪声放大器21及22、双工器61～64、匹配电路31、32、41及42以及开关51、 52及55中的匹配电路31的电感器31L和匹配电路41的电感器41L。
在俯视主面91a的情况下，主面91a呈矩形形状，主面91a由中央区域C和除该中央区域C以外的外缘区域P构成，该中央区域C包含发送滤波器 61T～64T和接收滤波器61R～64R中的至少1个。并且，外缘区域P由分别包含主面91a的4个外边U、D、L及R的4个外边区域PU(在图4中未图示)、PD(在图 4中未图示)、PL以及PR构成。在此，在俯视主面91a的情况下，电感器31L 及32L中的至少一方以及电感器41L及42L中的至少一方分别配置于隔着中央区域C相向的2个外边区域PL及PR、或者分别配置于隔着中央区域C相向的 2个外边区域PU及PD。
根据上述结构，电感器31L及32L与电感器41L及42L在模块基板91的主面91a上分散配置于隔着中央区域C相向的外边区域，该中央区域C包含发送滤波器和接收滤波器中的至少任一个。因此，电感器31L及32L与电感器41L 及42L虽然配置在模块基板91的主面91a上，但是相互分离配置，因此能够抑制从电感器31L及32L产生的电磁场到达电感器41L及42L的量。因此，能够减少被发送功率放大器11及12放大后的高输出的高频发送信号的谐波成分或者该高频发送信号与其它高频信号的互调失真成分流入到接收电路的流入量，因此能够抑制高频模块1的接收灵敏度的劣化。
[1.5实施方式1的总结]
以上，本实施方式所涉及的高频模块1具备：模块基板91，其具有彼此相向的主面91a和主面91b；发送功率放大器11，其放大高频发送信号；发送输出匹配电路30，其与发送功率放大器11的输出端子连接；接收低噪声放大器21，其放大高频接收信号；以及接收输入匹配电路40，其与接收低噪声放大器21的输入端子连接。发送输出匹配电路30包括安装于主面91a的电感器 31L，接收输入匹配电路40包括安装于主面91a的电感器41L。在此，在俯视模块基板91的情况下(在从z轴方向观察模块基板91的情况下)，在电感器31L 与电感器41L之间配置有安装于主面91a的导电构件。
由此，例如，即使在被发送功率放大器11放大后的通信频段A的高频发送信号与其它高频信号的互调失真的频率同通信频段A的接收带有一部分重叠的情况下，也能够利用该导电构件来屏蔽由电感器31L及41L产生的电磁场。因此，能够抑制电感器31L与电感器41L的电磁场耦合，因此能够抑制上述互调失真绕过发送滤波器61T地流入到通信频段A的接收路径，因此能够抑制高频模块1的接收灵敏度的劣化。
另外，本实施方式所涉及的高频模块1具备：公共端子100；与公共端子 100之间进行属于第一频带组的通信频段A的高频信号的发送接收的第一发送电路和第二接收电路；与公共端子100之间进行属于比第一频带组靠高频侧的第二频带组的通信频段C的高频信号的发送接收的第二发送电路和第一接收电路；以及安装第一发送电路及第二发送电路以及第一接收电路及第二接收电路的模块基板91。第一发送电路具有：发送功率放大器11(第一发送功率放大器)；发送滤波器61T(第一发送滤波器)，其配置于将发送功率放大器 11与公共端子100连结的发送路径AT，以通信频段A的发送带为通带；以及发送输出匹配电路30，其安装于主面91a，配置于发送功率放大器11与发送滤波器61T之间的发送路径AT，取得发送功率放大器11与发送滤波器61T的阻抗匹配。第二接收电路具有：接收低噪声放大器21(第二接收低噪声放大器)；以及接收滤波器61R(第二接收滤波器)，其配置于将接收低噪声放大器 21与公共端子100连结的发送路径AR，以通信频段A的接收带为通带。第二发送电路具有：发送功率放大器12；以及发送滤波器63T(第二发送滤波器)，其配置于将发送功率放大器12与公共端子100连结的发送路径CT，以通信频段C的发送带为通带。第一接收电路具有：接收低噪声放大器22(第一接收低噪声放大器)；接收滤波器63R(第一接收滤波器)，其配置于将接收低噪声放大器22与公共端子100连结的接收路径CR，以通信频段C的接收带为通带；以及接收输入匹配电路40，其安装于主面91a，配置于接收低噪声放大器22 与接收滤波器63R之间的接收路径CR，取得接收低噪声放大器22与接收滤波器63R的阻抗匹配。发送输出匹配电路30包括电感器31L，接收输入匹配电路 40包括电感器42L。在此，也可以是，在俯视模块基板91的情况下，在电感器31L与电感器42L之间配置有安装于主面91a的导电构件。
由此，例如，即使在被发送功率放大器11放大后的通信频段A的高频发送信号的谐波的频率或者该高频发送信号与其它高频信号的互调失真的频率同通信频段C的接收带有一部分重叠的情况下，也能够利用该导电构件来屏蔽由电感器31L及42L产生的电磁场，因此能够抑制电感器31L与电感器 42L的电磁场耦合。因此，能够抑制上述互调失真成分绕过发送滤波器61T 地流入到通信频段C的接收路径，因此能够抑制高频模块1的接收灵敏度的劣化。
另外，本实施方式所涉及的高频模块1具备公共端子100、第一发送电路、第一接收电路以及模块基板91。第一发送电路具有：发送功率放大器11(第一发送功率放大器)；发送滤波器61T(第一发送滤波器)，其配置于将发送功率放大器11与公共端子100连结的发送路径，使通信频段A的发送带的高频发送信号通过；以及发送输出匹配电路30，其安装于主面91a，配置于发送功率放大器11与发送滤波器61T之间的发送路径，取得发送功率放大器11与发送滤波器61T的阻抗匹配。第一接收电路具有：接收低噪声放大器21(第一接收低噪声放大器)；接收滤波器61R(第一接收滤波器)，其配置于将接收低噪声放大器21与公共端子100连结的接收路径，使通信频段A的接收带的高频接收信号通过；以及接收输入匹配电路40，其安装于主面91a，配置于接收低噪声放大器21与接收滤波器61R之间的接收路径，取得接收低噪声放大器21与接收滤波器61R的阻抗匹配。发送输出匹配电路30包括电感器31L，接收输入匹配电路40包括电感器41L。在此，也可以是，在俯视主面91a的情况下，主面91a由中央区域C以及除中央区域C以外的4个外边区域PU、PD、PL及PR 构成，该中央区域C包含发送滤波器和接收滤波器中的至少一方，该4个外边区域PU、PD、PL及PR分别包含矩形形状的主面91a的4个外边，在俯视主面 91a的情况下，电感器31L和电感器41L分别配置于隔着中央区域C相向的2个外边区域。
由此，电感器31L和电感器41L虽然配置在模块基板91的主面91a上，但是相互分离配置，因此能够抑制从电感器31L产生的电磁场到达电感器41L 的量。因此，能够减少被发送功率放大器11放大后的高输出的高频发送信号的谐波成分或者该高频发送信号与其它高频信号的互调失真成分流入到接收电路的流入量，因此能够抑制高频模块1的接收灵敏度的劣化。
(实施方式2)
在实施方式1中，示出了构成高频模块的电路元件安装于模块基板91的主面91a的所谓的单面安装的结构，在本实施方式中，示出安装于模块基板 91的主面91a及91b的所谓的双面安装的结构。此外，本实施方式所涉及的高频模块1B的电路结构与图1中示出的实施方式1所涉及的高频模块1的电路结构相同，因此省略电路结构的说明。
[2.1高频模块1B的电路元件配置结构]
图5A是实施方式2所涉及的高频模块1B的平面结构概要图。另外，图5B 是实施方式2所涉及的高频模块1B的截面结构概要图，具体地说，是图5A的 VB-VB线处的截面图。此外，图5A的(a)中示出了从y轴正方向侧观察模块基板91的相互背对的主面91a及91b中的主面91a的情况下的电路元件的配置图。另一方面，图5A的(b)中示出了透视在从y轴正方向侧观察主面91b的情况下的电路元件的配置所得到的图。
如图5A和图5B所示，本实施方式所涉及的高频模块1B除了具有图1中示出的电路结构以外，还具有模块基板91以及树脂构件92及93。本实施方式所涉及的高频模块1B与实施方式1所涉及的高频模块1相比在以下方面不同：构成高频模块1B的电路元件安装于模块基板91的两面。下面，关于本实施方式所涉及的高频模块1B，省略其与实施方式1所涉及的高频模块1相同的方面的说明，以不同的方面为中心来进行说明。
如图5A和图5B所示，在本实施方式所涉及的高频模块1B中，发送功率放大器11及12、双工器61～64以及匹配电路31、32、41及42安装于模块基板 91的主面91a的表面。另一方面，接收低噪声放大器21及22以及开关51、52 及55安装于模块基板91的主面91b的表面。
在此，在本实施方式所涉及的高频模块1B中，在俯视模块基板91的情况下(在从z轴方向观察模块基板91的情况下)，在电感器31L及32L与电感器41L 及42L之间配置有安装于主面91a的导电构件。在本实施方式中，上述导电构件是双工器61～64中的至少任一个。并且，上述导电构件也可以是构成双工器61～64中的各双工器的发送滤波器和接收滤波器中的至少任一个。构成双工器61～64中的各双工器的发送滤波器和接收滤波器具有多个信号取出电极等导电构件，例如，多个信号取出电极中的至少1个信号取出电极与配置于模块基板91的地图案93G连接。
根据上述结构，在模块基板91的主面91a上配置有发送输出匹配电路30 和接收输入匹配电路40，但是在电感器31L及32L与电感器41L及42L之间配置有安装于主面91a的双工器61～64中的至少1个。由此，能够利用双工器61～64中的至少1个来屏蔽从电感器31L及32L以及电感器41L及42L产生的电磁场，因此能够抑制电感器31L及32L与电感器41L及42L的电磁场耦合。因此，能够减少被发送功率放大器11及12放大后的高输出的高频发送信号的谐波成分或者该高频发送信号与其它高频信号的互调失真成分流入到接收电路的流入量，因此能够抑制高频模块1B的接收灵敏度的劣化。
此外，在本实施方式所涉及的高频模块1B中，设为在电感器31L及32L 与电感器41L及42L之间配置有安装于主面91a的导电构件的结构，但是只要在电感器31L及32L中的至少1个电感器与电感器41L及42L中的至少1个电感器之间配置有安装于主面91a的导电构件即可。由此，能够减少在一个发送路径中传输的高输出的高频发送信号的谐波成分或者该高频发送信号与其它高频信号的互调失真成分流入到一个接收路径的流入量，因此能够抑制该一个接收路径中的接收灵敏度的劣化。因此，能够抑制高频模块1B的接收灵敏度的劣化。
另外，在本实施方式中，发送功率放大器11及12安装于主面91a，接收低噪声放大器21及22安装于主面91b。据此，在发送功率放大器11及12与接收低噪声放大器21及22之间插入安装有模块基板91，因此能够抑制从发送功率放大器11及12输出的高频发送信号直接流入到接收低噪声放大器21及22。因此，发送电路与接收电路的隔离度提高。
另外，在本实施方式所涉及的高频模块1B中，在模块基板91的主面91b 侧配置有多个柱状电极150。高频模块1B与配置于高频模块1B的z轴负方向侧的安装基板经由多个柱状电极150来进行电气信号的交换。另外，多个柱状电极150中的几个被设定为安装基板的地电位。在主面91a及91b中的与安装基板相向的主面91b，不配置难以降低高度的发送功率放大器11及12，而是配置有易于降低高度的接收低噪声放大器21及22以及开关51、52及55，因此能够使高频模块1B整体高度降低。另外，在对接收电路的接收灵敏度的影响大的接收低噪声放大器21及22的周围配置多个被应用为地电极的柱状电极 150，因此能够抑制接收电路的接收灵敏度的劣化。
[2.2变形例所涉及的高频模块1C的电路元件配置结构]
图6是实施方式2的变形例1所涉及的高频模块1C的截面结构概要图。
本变形例所涉及的高频模块1C与实施方式2所涉及的高频模块1B相比，仅在附加配置有芯片电容器85、86和屏蔽电极层96这方面不同。下面，关于本变形例所涉及的高频模块1C，省略其与实施方式2所涉及的高频模块1B相同的方面的说明，以不同的方面为中心来进行说明。
在本变形例所涉及的高频模块1C中，在俯视模块基板91的情况下(在从z 轴方向观察模块基板91的情况下)，在电感器31L与电感器41L之间配置有安装于主面91a的导电构件。在本变形例中，上述导电构件是芯片电容器85和双工器61～64。
屏蔽电极层96形成为覆盖树脂构件92的顶面及侧面以及树脂构件93的侧面，通过模块基板91的侧面来与模块基板91内的被设定为地电位的地图案 94G连接。通过配置屏蔽电极层96，能够抑制发送功率放大器11及12的发送信号从高频模块1C直接辐射到外部，另外，能够抑制外来噪声侵入到构成高频模块1C的电路元件。并且，能够借助屏蔽电极层96来对发送功率放大器11 及12的发热进行散热，因此散热性提高。
关于芯片电容器85，也可以是，如图6所示，将2个输入输出电极连结的方向为垂直于主面91a的方向，一方的输入输出电极连接在主面91a上，另一方的输入输出电极连接于屏蔽电极层96。此外，被上述2个输入输出电极夹在中间的芯片电容器85的主体部分也可以被屏蔽用的导电性膜覆盖。另外，芯片电容器85只要是构成高频模块1C的芯片电容器即可，没有特别限定，例如，也可以是构成匹配电路31的电容器31C或者构成匹配电路41的电容器41C。
关于芯片电容器86，如图6所示，将2个输入输出电极连结的方向为平行于主面91a的方向，2个输入输出电极连接于主面91b。此外，被上述2个输入输出电极夹在中间的芯片电容器86的主体部分也可以被屏蔽用的导电性膜覆盖。芯片电容器86只要是构成高频模块1C的芯片电容器即可，没有特别限定，例如，也可以是构成匹配电路32的电容器32C或者构成匹配电路42的电容器42C。
根据上述结构，在模块基板91的主面91a上配置有发送输出匹配电路30 和接收输入匹配电路40，但是在电感器31L与电感器41L之间配置有安装于主面91a的芯片电容器85。由此，能够利用芯片电容器85来屏蔽从电感器31L和电感器41L产生的电磁场，因此能够抑制电感器31L与电感器41L的电磁场耦合。因此，能够减少被发送功率放大器11放大后的高输出的高频发送信号的谐波成分或者该高频发送信号与其它高频信号的互调失真成分流入到接收电路的流入量，因此能够抑制高频模块1C的接收灵敏度的劣化。
此外，也可以是，在俯视模块基板91的情况下，在主面91a上，在电感器32L与电感器42L之间配置有安装于主面91a的芯片电容器。由此，能够利用上述芯片电容器来屏蔽从电感器32L和电感器42L产生的电磁场，因此能够抑制电感器32L与电感器42L的电磁场耦合。因此，能够减少被发送功率放大器12放大后的高输出的高频发送信号的谐波成分或者该高频发送信号与其它高频信号的互调失真成分流入到接收电路的流入量，因此能够抑制高频模块1C的接收灵敏度的劣化。
[2.3高频模块1D的电路元件配置结构]
图7A是实施方式2的变形例2所涉及的高频模块1D的平面结构概要图。另外，图7B是实施方式2的变形例2所涉及的高频模块1D的截面结构概要图，具体地说，是图7A的VIIB-VIIB线处的截面图。此外，图7A的(a)中示出了从 y轴正方向侧观察模块基板91的相互背对的主面91a及91b中的主面91a的情况下的电路元件的配置图。另一方面，图7A的(b)中示出了透视在从y轴正方向侧观察主面91b的情况下的电路元件的配置所得到的图。
如图7A和图7B所示，本变形例所涉及的高频模块1D除了具有图1中示出的电路结构以外，还具有模块基板91、树脂构件92及93、以及金属芯片95a 及95b。本变形例所涉及的高频模块1D与实施方式2所涉及的高频模块1B相比，在附加配置有金属芯片95a及95b这一方面不同，并且对于主面91a及91b 的构成高频模块1D的各电路元件的配置分配不同。下面，关于本变形例所涉及的高频模块1D，省略其与实施方式2所涉及的高频模块1B相同的方面的说明，以不同的方面为中心来进行说明。
如图7A和图7B所示，在本变形例所涉及的高频模块1D中，发送功率放大器11、接收低噪声放大器21、双工器61及62、匹配电路31及41、开关55以及金属芯片95a安装于模块基板91的主面91a的表面。另一方面，发送功率放大器12、接收低噪声放大器22、双工器63及64、匹配电路32及42、开关51及 52、以及金属芯片95b安装于模块基板91的主面91b的表面。
也就是说，在本变形例所涉及的高频模块1D中，包括通信频段A的发送路径AT及通信频段B的发送路径BT的第一发送电路以及包括通信频段A的接收路径AR及通信频段B的接收路径BR的第一接收电路安装于主面91a。另一方面，包括通信频段C的发送路径CT及通信频段D的发送路径DT的第二发送电路以及包括通信频段C的接收路径CR及通信频段D的接收路径DR的第二接收电路安装于主面91b。
在此，在本变形例所涉及的高频模块1D中，在俯视模块基板91的情况下 (在从z轴方向观察模块基板91的情况下)，在电感器31L与电感器41L之间配置有安装于主面91a的导电构件，在电感器32L与电感器42L之间配置有安装于主面91b的导电构件。在本实施方式中，上述导电构件是金属芯片95a及95b。
如图7B所示，多个金属芯片95a中的各金属芯片与配置于模块基板91的地图案93G1连接，多个金属芯片95b中的各金属芯片与配置于模块基板91的地图案93G2连接。
根据上述结构，能够利用金属芯片95a来屏蔽从电感器31L和电感器41L 产生的电磁场，能够利用金属芯片95b来屏蔽从电感器32L和电感器42L产生的电磁场，因此能够抑制电感器31L与电感器41L的电磁场耦合以及电感器 32L与电感器42L的电磁场耦合。因此，能够减少被发送功率放大器11及12 放大后的高输出的高频发送信号的谐波成分或者该高频发送信号与其它高频信号的互调失真成分流入到接收电路的流入量，因此能够抑制高频模块1D 的接收灵敏度的劣化。
此外，在本变形例中，在电感器31L与电感器41L之间，除了配置有安装于主面91a的金属芯片95a以外还配置有双工器61及62，但是在本变形例中，也可以是，在电感器31L与电感器41L之间没有配置双工器61及62。另外，在电感器32L与电感器42L之间，除了配置有安装于主面91b的金属芯片95b以外还配置有双工器63及64，但是在本变形例中，也可以是，在电感器32L与电感器42L之间没有配置双工器63及64。这是由于，金属芯片95a具有对于从电感器31L及41L产生的电磁场的屏蔽功能，金属芯片95b具有对于从电感器 32L及42L产生的电磁场的屏蔽功能。
此外，在本变形例所涉及的高频模块1D中，传播第一频带组的高频信号的第一发送接收电路与传播第二频带组的高频信号的第二发送接收电路以将模块基板91夹在中间的方式安装。据此，在对第一频带组的高频信号和第二频带组的高频信号进行CA的情况下，能够通过模块基板91来抑制该2个高频信号的相互干扰。因此，第一发送接收电路与第二发送接收电路的隔离度提高。
此外，在本实施方式及其变形例中，作为配置于电感器31L及32L与电感器41L及42L之间的导电构件，例示了双工器、芯片电容器以及金属芯片，但是除了它们以外，该导电构件也可以是以下中的任一个：(1)开关55；(2)开关51或52；(3)开关53或54；(4)配置于公共端子100与发送滤波器及接收滤波器之间的同向双工器(多工器)；(5)生成用于对发送功率放大器11及12、接收低噪声放大器21及22的增益进行调整的控制信号以及用于对开关51～56的切换进行控制的控制信号中的至少1个控制信号的控制电路。
此外，上述(5)的控制电路也可以是包括开关51～56中的至少1个开关的开关IC。
此外，期望的是，上述(1)～(5)的电路元件具有被设定为接地电位或固定电位的电极，例如，期望的是，上述(1)～(5)的电路元件与形成于模块基板91 内的地图案连接。由此，上述(1)～(5)的电路元件的电磁场屏蔽功能提高。
根据上述例示的导电构件，能够屏蔽从电感器31L及32L以及电感器41L 及42L产生的电磁场，因此能够抑制电感器31L及32L与电感器41L及42L的电磁场耦合。因此，能够减少被发送功率放大器11及12放大后的高输出的高频发送信号的谐波成分或者该高频发送信号与其它高频信号的互调失真成分流入到接收电路的流入量，因此能够抑制高频模块的接收灵敏度的劣化。
另外，在本实施方式及其变形例所涉及的高频模块中，在电感器31L及 32L与电感器41L及42L之间具有安装于模块基板91的导电构件，但是也可以取而代之地，本实施方式及其变形例所涉及的高频模块具有如以下那样的结构。
也就是说，如实施方式1中示出的图4所示，在俯视模块基板91的情况下，主面91a及91b呈矩形形状，主面91a及91b中的配置有匹配电路31、32、41及 42中的至少1个匹配电路的主面由中央区域C和除该中央区域C以外的外缘区域P构成，该中央区域C包含发送滤波器61T～64T和接收滤波器61R～64R中的至少1个。并且，外缘区域P由分别包含上述主面的4个外边U、D、L及R 的4个外边区域PU、PD、PL以及PR构成。在此，在俯视模块基板91的情况下，电感器31L及32L中的至少一方以及电感器41L及42L中的至少一方分别配置于隔着中央区域C相向的2个外边区域PL及PR、或者分别配置于隔着中央区域C相向的2个外边区域PU及PD。
根据上述结构，电感器31L及32L与电感器41L及42L分散配置于隔着中央区域C相向的外边区域，该中央区域C配置有发送滤波器和接收滤波器中的至少任一个。因此，电感器31L及32L与电感器41L及42L在俯视模块基板 91的情况下相互分离配置，因此能够抑制从电感器31L及32L产生的电磁场到达电感器41L及42L的量。因此，能够减少被发送功率放大器11及12放大后的高输出的高频发送信号的谐波成分或者该高频发送信号与其它高频信号的互调失真成分流入到接收电路的流入量，因此能够抑制本实施方式及其变形例所涉及的高频模块的接收灵敏度的劣化。
(其它实施方式等)
以上，关于本实用新型的实施方式所涉及的高频模块和通信装置，列举实施方式及其变形例来进行了说明，但是本实用新型所涉及的高频模块和通信装置不限定于上述实施方式及其变形例。将上述实施方式及其变形例中的任意的结构要素进行组合来实现的其它实施方式、对上述实施方式及其变形例实施本领域技术人员在不脱离本实用新型的宗旨的范围内想到的各种变形来得到的变形例、内置有上述高频模块和通信装置的各种设备也包含在本实用新型中。
例如，在上述实施方式及其变形例所涉及的高频模块和通信装置中，也可以在附图中公开的对各电路元件以及信号路径进行连接的路径之间插入其它的电路元件和布线等。
产业上的可利用性
本实用新型作为配置于支持多频段的前端部的高频模块，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。
附图标记说明
1、1A、1B、1C、1D：高频模块；2：天线元件；3：RF信号处理电路 (RFIC)；4：基带信号处理电路(BBIC)；5：通信装置；11、12：发送功率放大器；21、22：接收低噪声放大器；30：发送输出匹配电路；31、32、41、 42、71、72、73、74：匹配电路；31C、32C、41C、42C：电容器；31L、32L、 41L、42L：电感器；40：接收输入匹配电路；51、52、53、54、55、56：开关；61、62、63、64：双工器；61R、62R、63R、64R：接收滤波器；61T、 62T、63T、64T：发送滤波器；80：耦合器；85、86：芯片电容器；91：模块基板；91a、91b：主面；92、93：树脂构件；93G、93G1、93G2、94G：地图案；95、95a、95b：金属芯片；96：屏蔽电极层；100：公共端子；150：柱状电极；180：耦合器输出端子。

Claims (11)

1.一种高频模块，其特征在于，具备：
模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；
第一发送功率放大器，其放大高频发送信号；
发送输出匹配电路，其与所述第一发送功率放大器的输出端子连接；
第一接收低噪声放大器，其放大高频接收信号；以及
接收输入匹配电路，其与所述第一接收低噪声放大器的输入端子连接，
其中，所述发送输出匹配电路包括安装于所述第一主面的第一电感元件，
所述接收输入匹配电路包括安装于所述第一主面的第二电感元件，
在俯视所述模块基板的情况下，在所述第一电感元件与所述第二电感元件之间配置有安装于所述第一主面的导电构件。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，还具备：
公共端子；
第一发送滤波器，其配置于将所述第一发送功率放大器与所述公共端子连结的发送路径，使被所述第一发送功率放大器放大后的高频发送信号中的规定的发送带的高频发送信号通过；以及
第一接收滤波器，其配置于将所述第一接收低噪声放大器与所述公共端子连结的接收路径，使从所述公共端子输入的高频接收信号中的规定的接收带的高频接收信号通过，
其中，所述发送输出匹配电路配置于所述第一发送功率放大器与所述第一发送滤波器之间的所述发送路径，取得所述第一发送功率放大器与所述第一发送滤波器的阻抗匹配，
所述接收输入匹配电路配置于所述第一接收低噪声放大器与所述第一接收滤波器之间的所述接收路径，取得所述第一接收低噪声放大器与所述第一接收滤波器的阻抗匹配。
3.根据权利要求2所述的高频模块，其特征在于，
所述导电构件是以下中的任一个：
(1)第一开关，其对所述发送路径及所述接收路径与所述公共端子的导通和非导通进行切换；
(2)第二开关，其对所述发送路径与所述第一发送功率放大器的导通和非导通进行切换；
(3)第三开关，其对所述接收路径与所述第一接收低噪声放大器的导通和非导通进行切换；
(4)所述第一发送滤波器；
(5)所述第一接收滤波器；
(6)多工器，其配置于所述公共端子与所述第一发送滤波器及所述第一接收滤波器之间；
(7)金属芯片；
(8)芯片电容器；
(9)控制电路，其生成用于对所述第一发送功率放大器及所述第一接收低噪声放大器的增益进行调整的控制信号以及用于对所述第一开关、所述第二开关及所述第三开关的切换进行控制的控制信号中的至少一个控制信号。
4.根据权利要求2或3所述的高频模块，其特征在于，
所述规定的发送带是第一通信频段的发送带，
所述规定的接收带是所述第一通信频段的接收带，
所述第一发送功率放大器优先放大所述第一通信频段的发送带的高频发送信号，
所述第一接收低噪声放大器优先放大所述第一通信频段的接收带的高频接收信号，
所述第一发送滤波器和所述第一接收滤波器构成支持所述第一通信频段的双工器，
所述导电构件是所述第一发送滤波器和所述第一接收滤波器中的至少任一个。
5.根据权利要求2或3或所述的高频模块，其特征在于，
所述规定的发送带是第一通信频段的发送带，
所述规定的接收带是与所述第一通信频段不同的第二通信频段的接收带，
所述第一发送功率放大器优先放大所述第一通信频段的发送带的高频发送信号，
所述第一接收低噪声放大器优先放大所述第二通信频段的接收带的高频接收信号，
所述高频模块还具备：
第二发送功率放大器，其优先放大所述第二通信频段的发送带的高频发送信号；
第二发送滤波器，其配置于将所述第二发送功率放大器与所述公共端子连结的发送路径，使被所述第二发送功率放大器放大后的高频发送信号中的所述第二通信频段的发送带的高频发送信号通过；
第二接收低噪声放大器，其优先放大所述第一通信频段的接收带的高频接收信号；以及
第二接收滤波器，其配置于将所述第二接收低噪声放大器与所述公共端子连结的接收路径，使从所述公共端子输入的高频接收信号中的所述第一通信频段的接收带的高频接收信号通过，
所述导电构件是所述第一发送滤波器、所述第二发送滤波器、所述第一接收滤波器以及所述第二接收滤波器中的至少任一个。
6.根据权利要求5所述的高频模块，其特征在于，
将所述第一通信频段的高频发送信号的发送与所述第二通信频段的高频接收信号的接收同时执行。
7.根据权利要求2或3所述的高频模块，其特征在于，
被所述第一发送功率放大器放大后的高频发送信号的谐波的频率或者该高频发送信号与其它高频信号的互调失真的频率重叠于所述规定的接收带的至少一部分。
8.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
所述导电构件包括经由所述第一主面来接地的电极。
9.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
在俯视所述模块基板的情况下，通过该俯视投影后的所述导电构件的区域的至少一部分重叠于将通过该俯视投影后的所述第一电感元件的区域内的任意的点与通过该俯视投影后的所述第二电感元件的区域内的任意的点连结的线上。
10.一种高频模块，其特征在于，具备：
模块基板，其具有彼此相向的矩形形状的第一主面和第二主面；
第一发送功率放大器，其放大高频发送信号；
第一发送滤波器，其配置于包括所述第一发送功率放大器的发送路径，使被所述第一发送功率放大器放大后的高频发送信号中的规定的发送带的高频发送信号通过；
发送输出匹配电路，其配置于所述第一发送功率放大器与所述第一发送滤波器之间的所述发送路径，取得所述第一发送功率放大器与所述第一发送滤波器的阻抗匹配；
第一接收低噪声放大器，其放大高频接收信号；
第一接收滤波器，其配置于包括所述第一接收低噪声放大器的接收路径，使高频接收信号中的规定的接收带的高频接收信号通过；以及
接收输入匹配电路，其配置于所述第一接收低噪声放大器与所述第一接收滤波器之间的所述接收路径，取得所述第一接收低噪声放大器与所述第一接收滤波器的阻抗匹配，
其中，所述发送输出匹配电路包括安装于所述第一主面的第一电感元件，
所述接收输入匹配电路包括安装于所述第一主面的第二电感元件，
在俯视所述第一主面的情况下，所述第一主面由中央区域和除了该中央区域以外的4个外边区域构成，所述中央区域包含所述第一发送滤波器和所述第一接收滤波器中的至少一方，所述4个外边区域分别包含所述第一主面的4个外边，
在俯视所述第一主面的情况下，所述第一电感元件和所述第二电感元件分别配置于隔着所述中央区域相向的2个外边区域。
11.一种通信装置，其特征在于，具备：
射频信号处理电路，其对利用天线元件发送接收的高频信号进行处理；
根据权利要求1～10中的任一项所述的高频模块，其在所述天线元件与所述射频信号处理电路之间传播所述高频信号。
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