WO2016104011A1 - 高周波モジュール - Google Patents

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WO2016104011A1
WO2016104011A1 PCT/JP2015/082824 JP2015082824W WO2016104011A1 WO 2016104011 A1 WO2016104011 A1 WO 2016104011A1 JP 2015082824 W JP2015082824 W JP 2015082824W WO 2016104011 A1 WO2016104011 A1 WO 2016104011A1
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terminal
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band
frequency module
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小暮武
小野農史
永森啓之
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株式会社村田製作所
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    • H04B2001/045—Circuits with power amplifiers with means for improving efficiency

Definitions

  • the present invention relates to a high-frequency module that transmits and receives signals in different bands simultaneously and wirelessly.
  • carrier aggregation is known as a communication method for simultaneously transmitting and receiving signals in different bands by radio.
  • a high-frequency module that supports carrier aggregation, an antenna, a receiving circuit, an amplifier circuit that amplifies a transmission signal, and a demultiplexing circuit are required for each band.
  • the isolation characteristics of each band decrease. Specifically, when the high-frequency module is downsized, the harmonics of the transmission signal amplified by the low-frequency amplifier circuit easily leak to the high-frequency receiver circuit.
  • the high-frequency module described in Patent Document 1 does not connect the matching circuit included in the low-frequency amplifier circuit to the ground pattern inside the substrate, but connects it to the ground terminal on the back surface of the substrate.
  • the harmonics of the transmission signal are prevented from leaking to the high frequency receiving circuit via the pattern.
  • the high-frequency module described in Patent Document 1 is effective only for leakage through the ground pattern and cannot suppress leakage through other paths.
  • electromagnetic coupling and electrostatic coupling (hereinafter simply referred to as coupling) may occur between elements and between transmission lines.
  • coupling electromagnetic coupling and electrostatic coupling
  • the high-frequency module is downsized, coupling is likely to occur between elements and between transmission lines, and a path due to the coupling is likely to be formed.
  • the high-frequency module described in Patent Document 1 cannot suppress leakage through a path due to the coupling.
  • an object of the present invention is to provide a high-frequency module that transmits and receives signals in different bands simultaneously and wirelessly and has improved isolation characteristics in each band.
  • the high-frequency module transmits and receives a signal in a first transmission / reception unit configured to transmit and receive a signal in a first band (for example, a band including 900 MHz) and a second band (a band including 1,800 MHz) higher than the first band.
  • the second transmitter / receiver configured to do this is arranged on the substrate.
  • the first transmission / reception unit includes a first antenna terminal connected to the first antenna, a first reception terminal connected to the reception circuit, and a first amplification circuit configured to amplify the transmission signal.
  • a transmission signal in the first band amplified by the first amplifier circuit is passed to the first antenna terminal, and a reception signal in the first band from the first antenna terminal is passed through the first reception terminal.
  • a first branching circuit configured to pass through the first branching circuit.
  • the second transmitting / receiving unit includes a second antenna terminal connected to the second antenna, a second receiving terminal connected to the receiving circuit, a second amplifying circuit configured to amplify a transmission signal, and the second A transmission signal in the second band amplified by an amplifier circuit is passed to the second antenna terminal, and a reception signal in the second band from the second antenna terminal is passed to the second reception terminal. And a configured second branching circuit.
  • first transmission / reception unit and the second transmission / reception unit may each include a matching circuit for impedance matching between the antenna side and the transmission / reception circuit side.
  • the first branching circuit outputs a transmission signal having a center frequency of 900 MHz to the first antenna terminal, and outputs a reception signal from the first antenna terminal having a center frequency of 940 MHz to the first reception terminal. It is composed of SAW (Surface Acoustic Filter) filters. Similarly, the second demultiplexing circuit is also composed of a plurality of SAW filters so as to demultiplex a signal in a band including 1,800 MHz.
  • SAW Surface Acoustic Filter
  • the position of the first branching circuit is between the position of the first amplifier circuit and the position of the second branching circuit on the substrate.
  • the space includes not only a space outside the substrate (for example, the substrate surface) but also a space inside the substrate.
  • the high frequency module of the present invention Since the coupling between the path from the first amplifier circuit to the first demultiplexing circuit and the path from the second antenna terminal to the second receiving terminal via the second demultiplexing circuit is less likely to occur, Leakage of the second harmonic to the second receiving terminal can be suppressed, and the isolation characteristics of the first band and the second band can be improved.
  • connection between any one of the plurality of first branching circuits and the first antenna terminal, and a second one of the plurality of second branching circuits.
  • a switch configured to switch between a branching circuit and a connection between the second antenna terminal and the switch disposed on the substrate, wherein the switch includes: The position may be between the position of the first amplifier circuit and the position of the switch.
  • the position of the first amplifier circuit is on one end side of the diagonal line of the substrate, and the position of the second branch circuit in the substrate is on the other end side of the diagonal line. Good.
  • the above-described coupling can be further suppressed by increasing the distance between the first amplifier circuit and the second branch circuit on the substrate.
  • the substrate includes a first main surface having a substrate mounting electrode to be mounted on another substrate, and a second main surface facing the first main surface, and the second receiving terminal includes: The region of the second demultiplexing circuit and the region of the second receiving terminal may overlap with each other in the plan view of the substrate that is disposed on the first main surface.
  • the RX terminal connected to the second receiving terminal of the second branching circuit and the second receiving terminal connected to the receiving circuit are arranged to face each other.
  • the wiring between the RX terminal and the second receiving terminal of the second branching circuit becomes shorter, it is possible to further suppress the above-described coupling.
  • the substrate may further include a via conductor disposed between the position of the first amplifier circuit and the position of the second branch circuit in the substrate.
  • the second demultiplexing circuit includes a transmission side terminal connected to the second amplification circuit and a reception side terminal connected to the second reception terminal.
  • the position may be closer to the first amplifier circuit than the position of the receiving terminal.
  • each position of each transmission side terminal may be closer to the first amplifier circuit than each position of each reception side terminal.
  • the receiving side terminal connected to the second receiving terminal is arranged to be away from the first amplifier circuit.
  • the high-frequency module according to the present invention can improve the isolation characteristics of each band even if signals of different bands are simultaneously transmitted and received wirelessly.
  • FIG. 3 is a top view (element mounting surface) of the high-frequency module according to Embodiment 1.
  • FIG. It is a lower surface (board mounting surface) figure of the high frequency module concerning Embodiment 1.
  • (A) is a top view (element mounting surface) of a high-frequency module according to a modification of the high-frequency module according to Embodiment 1
  • (B) is an AA cross-sectional view.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a circuit on a high frequency side of a high-frequency module according to Embodiment 2.
  • FIG. FIG. 10 is a top view (element mounting surface) of the high-frequency module according to Embodiment 2.
  • the high frequency module 100 transmits / receives a signal (for example, 700 MHz-2700 MHz signal) by LTE (Long Term Evolution) standard.
  • the high-frequency module 100 performs amplification of the transmission signal, demultiplexing of the transmission signal and the reception signal by frequency division, and switching of the communication band for signal transmission / reception.
  • the high frequency module 100 realizes carrier aggregation. That is, the high-frequency module 100 transmits and receives a plurality of band signals simultaneously and wirelessly.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating a circuit example of the high-frequency module 100.
  • the high-frequency module 100 includes a low-frequency transmission / reception unit 10 and a high-frequency transmission / reception unit 20.
  • the low-frequency transmitting / receiving unit 10 includes an input terminal P10 and a first antenna terminal P17. A low-frequency transmission signal is input to the input terminal P10. The first antenna terminal P17 is connected to the low band antenna ANT1.
  • the high frequency transmitting / receiving unit 20 includes an input terminal P20 and a second antenna terminal P27. A high-frequency transmission signal is input to the input terminal P20. The second antenna terminal P27 is connected to the high frequency antenna ANT2.
  • the band of the first band signal transmitted / received by the low frequency transmitting / receiving unit 10 is 600 MHz to 1,000 MHz
  • the band of the second band signal transmitted / received by the high frequency transmitting / receiving unit 20 is 1,600 MHz. It will be described as ⁇ 2,700 MHz.
  • the low-frequency transmitting / receiving unit 10 includes an amplifier circuit 11, a matching circuit 12, a sub switch 13, a plurality of duplexers 14 and a duplexer 15, and a main switch 16.
  • the amplifying circuit 11 amplifies a low-frequency (600 MHz to 1,000 MHz) transmission signal input to the input terminal P10 and outputs the amplified transmission signal to the matching circuit 12.
  • the matching circuit 12 includes, for example, an inductor and a capacitor, and matches impedance between the first antenna ANT1 side and the amplifier circuit 11 side.
  • the sub switch 13 includes a common terminal P13 and a plurality of individual terminals P134 and P135.
  • the common terminal P13 is connected to the matching circuit 12.
  • the individual terminal P134 is connected to the duplexer 14.
  • the individual terminal P135 is connected to the duplexer 15.
  • the main switch 16 in combination with the sub switch 13, selects the duplexer used for the path between the matching circuit 12 and the first antenna ANT 1 from the duplexer 14 and the duplexer 15.
  • the connection and the connection between the duplexer and the first antenna terminal P17 are switched. However, the switching is based on a control signal output from the control IC 221 (see FIG. 2).
  • the duplexer 14 demultiplexes the transmission signal and the reception signal by frequency division in the band 19 (800 MHz band) of the LTE standard.
  • the duplexer 14 includes one common terminal and two individual terminals.
  • the duplexer 14 includes a transmission filter St14 and a reception filter Sr14 that are integrally formed in a single housing.
  • the reception filter Sr14 has a balanced-unbalanced conversion function.
  • the common terminal of the duplexer 14 is connected to the individual terminal P164 of the main switch 16.
  • a transmission-side filter St14 and an individual terminal P134 of the sub switch 13 are connected to one individual terminal of the duplexer 14.
  • a reception-side filter Sr14 and a reception terminal P14 are connected to the other individual terminal of the duplexer 14.
  • the receiving terminal P14 is connected to a receiving circuit (not shown) on the main board other than the board on which the high-frequency module 100 is realized.
  • the transmission side filter St14 is a SAW (Surface Acoustic Wave) filter, for example, and is a filter having a pass band of 830 MHz to 845 MHz and an attenuation band of other bands.
  • the reception-side filter Sr14 is, for example, a SAW filter, and is a filter having a pass band of 875 MHz to 890 MHz and an attenuation band of the other band.
  • a BAW (Bulk Acoustic Wave) filter can be used.
  • the duplexer 15 demultiplexes the transmission signal and the reception signal by frequency division in the LTE standard band 17 (band of 700 MHz).
  • the duplexer 15 includes one common terminal and two individual terminals.
  • the duplexer 15 includes a transmission filter St15 and a reception filter Sr15 that are integrally formed in a single housing.
  • the reception side filter Sr15 has a balanced-unbalanced conversion function.
  • the common terminal of the duplexer 15 is connected to the individual terminal P165 of the main switch 16.
  • One individual terminal of the duplexer 15 is connected to the transmission-side filter St15 and the individual terminal P135 of the sub switch 13.
  • a reception-side filter Sr15 and a reception terminal P15 are connected to the other individual terminal of the duplexer 15.
  • the receiving terminal P15 is connected to a receiving circuit (not shown) on the main board other than the board on which the high-frequency module 100 is realized.
  • the transmission side filter St15 is, for example, a SAW filter, and is a filter having a pass band of 704 MHz to 716 MHz and an attenuation band of the other band.
  • the reception-side filter Sr15 is, for example, a SAW filter, and is a filter having a pass band of 734 MHz to 746 MHz and an attenuation band of the other band.
  • the common terminal P16 of the main switch 16 is connected to the first antenna terminal P17.
  • the first antenna ANT1 has a shape suitable for transmission / reception of low-frequency signals.
  • the high frequency transmission / reception unit 20 has the same configuration as that of the low frequency transmission / reception unit 10, and the bands of signals to be transmitted and received are different from each other.
  • the high frequency transmission / reception unit 20 includes an amplifier circuit 21, a matching circuit 22, a sub switch 23, a plurality of duplexers 24 and a duplexer 25, and a main switch 26.
  • the amplifying circuit 21 amplifies a high-frequency (1,600 MHz to 2,700 MHz) transmission signal input to the input terminal P20, and outputs the amplified transmission signal to the matching circuit 22.
  • the matching circuit 22 includes, for example, an inductor and a capacitor, and matches impedance between the second antenna ANT2 side and the amplifier circuit 21 side.
  • the sub switch 23 includes a common terminal P23 and a plurality of individual terminals P234 and P235.
  • the common terminal P23 is connected to the matching circuit 22.
  • the individual terminal P234 is connected to the duplexer 24.
  • the individual terminal P235 is connected to the duplexer 25.
  • the duplexer 24 demultiplexes a transmission signal and a reception signal by frequency division in band 1 (2,100 MHz band) of the LTE standard.
  • the duplexer 24 includes one common terminal and two individual terminals.
  • the duplexer 24 includes a transmission filter St24 and a reception filter Sr24 that are integrally formed in a single housing.
  • the reception filter Sr24 has a balanced-unbalanced conversion function.
  • the common terminal of the duplexer 24 is connected to the individual terminal P264 of the main switch 26.
  • a transmission side filter St24 and an individual terminal P234 of the sub switch 23 are connected to one individual terminal of the duplexer 24.
  • a reception-side filter Sr24 and a reception terminal P24 are connected to the other individual terminal of the duplexer 24.
  • the receiving terminal P24 is connected to a receiving circuit (not shown) on the main board other than the board on which the high-frequency module 100 is realized.
  • the transmission side filter St24 is, for example, a SAW filter, and is a filter having a pass band of 1,920 MHz to 1,980 MHz and an attenuation band of the other band.
  • the reception-side filter Sr24 is, for example, a SAW filter, and is a filter having a pass band of 2,110 MHz to 2,170 MHz and an attenuation band of the other band.
  • the duplexer 25 demultiplexes a transmission signal and a reception signal by frequency division in LTE standard band 7 (band of 2,600 MHz).
  • the duplexer 25 includes one common terminal and two individual terminals.
  • the duplexer 25 includes a transmission filter St25 and a reception filter Sr25 that are integrally formed in a single housing.
  • the reception side filter Sr25 has a balanced-unbalanced conversion function.
  • the common terminal of the duplexer 25 is connected to the individual terminal P265 of the main switch 26.
  • One individual terminal of the duplexer 25 is connected to the transmission-side filter St25 and the individual terminal P235 of the sub switch 23.
  • a reception-side filter Sr25 and a reception terminal P25 are connected to the other individual terminal of the duplexer 25.
  • the receiving terminal P25 is connected to a receiving circuit (not shown) on the main board other than the board on which the high-frequency module 100 is realized.
  • the transmission-side filter St25 is, for example, a SAW filter, and a filter having a pass band of 2500 MHz to 2,570 MHz and an attenuation band of other bands.
  • the reception-side filter Sr25 is, for example, a SAW filter, and is a filter having a pass band of 2,620 MHz to 2,690 MHz and an attenuation band of the other band.
  • the common terminal P26 of the main switch 26 is connected to the second antenna terminal P27.
  • the second antenna ANT2 is formed in a shape suitable for high-frequency signal transmission / reception.
  • the control IC 221 When transmitting / receiving in the band 19 of the LTE standard, the control IC 221 performs control to switch the connection between the sub switch 13 and the main switch 16 in order to output a transmission signal to the first antenna ANT1 through the duplexer 14. Specifically, the control IC 221 connects the common terminal P13 and the individual terminal P134, and outputs a control signal for connecting the common terminal P16 and the individual terminal P164 to the sub switch 13 and the main switch 16.
  • the transmission signal input to the input terminal P10 is amplified by the amplifier circuit 11, and then sequentially passes through the matching circuit 12, the sub switch 13, and the transmission filter St14 of the duplexer 14, so that frequency components of 704 MHz to 716 MHz are generated. Filtered to be the main frequency component. Thereafter, the transmission signal sequentially passes through the main switch 16 and the first antenna terminal P17, and is output to the first antenna ANT1.
  • the reception signal received by the first antenna ANT1 passes through the first antenna terminal P17 and the main switch 16 in order, and is input to the duplexer 14.
  • the frequency component of 875 MHz to 890 MHz is output to the reception terminal P14 by the reception side filter Sr14.
  • the high-frequency module 100 simultaneously transmits and receives signals wirelessly even in bands other than the LTE standard band 19 in order to realize carrier aggregation.
  • the band that transmits and receives signals simultaneously with the band 19 of the LTE standard will be described as band1.
  • the control IC 221 performs control to switch the connection between the sub switch 23 and the main switch 26 in order to output a transmission signal to the second antenna ANT2 via the duplexer 24.
  • the control IC 221 connects the common terminal P23 and the individual terminal P234, and outputs a control signal for connecting the common terminal P26 and the individual terminal P264 to the sub switch 23 and the main switch 26.
  • the transmission signal input to the input terminal P20 is amplified by the amplifier circuit 21, and then sequentially passes through the matching circuit 22, the sub switch 23, and the transmission side filter St24 of the duplexer 24, so that 1,920 MHz to 1,980 MHz. Are filtered so that their frequency components become the main frequency components. Thereafter, the transmission signal sequentially passes through the individual terminal P264, the common terminal P26, and the second antenna terminal P27 of the main switch 26, and is output to the second antenna ANT2.
  • a reception signal received by the second antenna ANT2 passes through the second antenna terminal P27 and the main switch 26 in this order, and is input to the duplexer 24.
  • the frequency component of 2,110 MHz to 2,170 MHz is output to the receiving terminal P24 by the receiving side filter Sr24.
  • the high-frequency module 100 transmits and receives signals wirelessly simultaneously in band 19 (low band) and band 1 (high band) of the LTE standard. Similarly, the high-frequency module 100 wirelessly transmits and receives signals simultaneously in the LTE standard band 17 and band 7.
  • the high-frequency module 100 may include a transmission / reception unit that transmits / receives a signal according to a standard other than the LTE standard (for example, W-CDMA standard).
  • the high-frequency module 100 has a characteristic structure shown below, and the harmonics of the low-frequency transmission signal output from the amplifier circuit 11 are transmitted to the reception terminals P24 and P25 of the high-frequency transmission / reception unit 20. Suppresses leakage.
  • FIG. 2 is a top view (element mounting surface) of the high-frequency module 100. In FIG. 2, dotted lines are virtual lines for indicating each region of the substrate 200.
  • the high-frequency module 100 is configured by disposing each element that realizes the circuit example of FIG. Each element is arranged for each region of the substrate 200.
  • the substrate 200 includes a region 201, a region 203, a region 205, a region 207, and a region 209.
  • the elements for realizing the amplifier circuit 11, the matching circuit 12, and the sub switch 13 shown in the circuit example of FIG. an amplifier element 211, a plurality of chip elements (for example, any one of a resistor, a capacitor, and an inductor) 212, and a switch IC 213 are arranged.
  • the amplifier element 211 and the switch IC 213 are respectively disposed across the region 203.
  • the amplifier circuit 11 is realized by an amplifier element 211 and a plurality of chip elements 212 in the region 201.
  • the matching circuit 12 is realized by the chip element 212 in the region 201.
  • the sub switch 13 is realized by the switch IC 213 in the region 201.
  • the amplifier circuit 21 is realized by an amplifier element 211 and a plurality of chip elements 212 in the region 203.
  • the matching circuit 22 is realized by the chip element 212 in the region 203.
  • the sub switch 23 is realized by the switch IC 213 in the region 203.
  • the region 201 is arranged at the corner of the substrate 200 on the ⁇ X side and the + Y side in the top view of the substrate 200.
  • the region 203 is disposed on the ⁇ Y side of the region 201 in the substrate 200.
  • the region 207 is arranged at the corner of the substrate 200 on the + X side and the ⁇ Y side. That is, in a plan view of the substrate 200, the position of the region 207 is one end side of the diagonal line of the substrate 200, and the position of the region 201 is the other end side of the diagonal line.
  • the region 207 is long in the Y direction and extends to near the corner of the substrate 200 on the + X side and the + Y side.
  • the region 209 is disposed on the ⁇ X side of the region 207 and along the ⁇ Y side edge of the substrate 200 in the substrate 200. The length of the region 209 in the Y direction is shorter than the length of the region 207 in the Y direction.
  • the position of the region 205 is between the position of the region 201 and the position of the region 207.
  • the region 205 includes a region 2051 extending from the + Y side boundary of the region 209 to the + Y side edge of the substrate 200, and a corner region of the + X side and + Y side substrate 200. 2052. That is, in the substrate 200, the position of the region 2051 is between the position of the region 207 and the position of the region 201.
  • each position of the duplexer (including the duplexers 14 and 15) disposed in the region 2051 is equal to each position of the duplexer 24 and the duplexer 25 disposed in the region 207, and the amplifier disposed in the region 201.
  • the path L from the amplifier circuit 11 to the sub switch 13 and the path H1 from the common terminal P26 to the reception terminal P24 of the main switch 26 via the duplexer 24 are a low-frequency duplexer arranged in the area 2051. Through the space.
  • spatially passing does not only mean that the path L and the path H1 pass through a low-frequency duplexer only outside the substrate 200 (for example, a space in the Y direction from the upper surface of the substrate 200). Even inside, the route L and the route H1 include passing through a route including a low-frequency duplexer.
  • the path L and the path H1 spatially pass through a low-frequency duplexer, so that the electromagnetic field coupling and the space between the path L and the path H1 Electrostatic coupling (hereinafter simply referred to as coupling) is less likely to occur.
  • coupling Electrostatic coupling
  • the elements and the transmission lines included in the path L and the path H1 are less likely to be coupled between these elements and between the transmission lines.
  • coupling is less likely to occur in the space between the amplifier element 211 included in the path L and the duplexer 24 included in the path H1.
  • harmonics of the LTE standard band 19 transmission signal (830 MHz to 845 MHz signal) are output from the amplifier circuit 11, and the harmonics are passed through the reception side filter Sr 24 of the duplexer 24 (2,110 MHz to 2,170 MHz).
  • the high-frequency module 100 can suppress leakage of the harmonics to the reception terminal P24 through the coupling of the path L and the path H1, and the LTE standard.
  • the isolation characteristics between the band 1 and the band 19 can be improved.
  • the path L and the path H 2 from the common terminal P 16 to the receiving terminal P 25 via the duplexer 25 are space-saving duplexers. Therefore, it is difficult for coupling to occur in the space between them.
  • the high-frequency module 100 is configured such that the region 2052 is arranged on the + Y side of the region 207, thereby suppressing the coupling between the route L and the routes H1 and H2 and occurring in the space on the + Y side of the region 207. Can do.
  • the position of the area 2051 of the area 205 is closer to the area 201 than the position of the area 209. That is, each position of the duplexer 14 and the duplexer 15 arranged in the region 2051 is closer to the amplifier element 211 arranged in the region 201 than the position of the switch IC 214 arranged in the region 209.
  • the high frequency module 100 can improve the isolation characteristic of each band of LTE standard.
  • the high-frequency module 100 can further improve the isolation characteristics of each band of the LTE standard by adjusting the direction of the duplexer 25 as follows.
  • the duplexer 25 includes an RX terminal 251 connected to the reception terminal P25 and a TX terminal 252 connected to the amplifier circuit 21 through the sub switch 23 and the matching circuit 22 in order.
  • the RX terminal 251 is arranged on the X side in the duplexer 25.
  • the TX terminal 252 is arranged on the ⁇ X side in the duplexer 25. That is, the RX terminal 251 is disposed so as to be away from the amplifier circuit 11 realized in the region 201.
  • the RX terminal 251 is arranged so as to be away from the amplifier circuit 11 realized in the region 201, so that coupling occurs in the space between the path L and the path from the duplexer 25 to the reception terminal P25. It becomes difficult.
  • duplexer 25 not only the duplexer 25 but also all the duplexers arranged in the area 207 may be arranged so that the RX terminal is located on the side opposite to the area 201.
  • the substrate 200 includes a plurality of electrodes 261 for mounting on a main substrate (not shown) and a plurality of ground electrodes 262. .
  • the region of the electrode 261 ⁇ / b> A overlaps with the region of the RX terminal 251 of the duplexer 25.
  • the electrode 261A implements the receiving terminal P25 and is connected to the receiving circuit on the main board. If the RX terminal 251 and the electrode 261A are arranged so as to overlap each other, the path between the RX terminal 251 and the reception terminal P25 becomes shorter.
  • the duplexer 25 disposed on the upper surface of the substrate 200 is indicated by a dotted line.
  • the RX terminal 251 and the electrode 261A are not limited to overlap with each other, and the duplexer 25 and the electrode 261A overlap each other.
  • the path to the terminal P25 is shortened.
  • each duplexer may be arranged so that the region of each RX terminal and the region of one of the electrodes 261 on the lower surface of the substrate 200 overlap each other in plan view of the substrate 200. Good.
  • the high-frequency module 100 that transmits and receives signals simultaneously in two bands, the low band and the high band, has been described.
  • a low frequency duplexer is provided on the substrate 200. The isolation characteristics of each band can be improved by disposing them between the amplifier circuit for use and the duplexer for the middle range.
  • FIG. 4A is a top view of the high-frequency module 100A.
  • FIG. 4B is a cross-sectional view along the line AA.
  • the one-dot broken line is a virtual line for indicating a position where the via conductor is arranged.
  • the high-frequency module 100A is different from the high-frequency module 100 shown in FIGS. 2 and 3 in that via conductors are provided on the substrate 200, which is a multilayer substrate, so as to partition the region 205. Description of other overlapping configurations is omitted.
  • the virtual line 900 is set so as to partition the area 201 and the area 201 from the area 2051 and the area 209.
  • the virtual line 901 is set so as to divide the area 207 and the area composed of the area 205 and the area 209.
  • a plurality of via conductors and a plurality of internal wirings are arranged inside the substrate 200, respectively.
  • the via conductor 271 is formed to extend in the Z direction inside the substrate 200.
  • the via conductor 271 is one via conductor among a plurality of via conductors arranged along the virtual line 900.
  • the via conductor 271 is connected to the ground electrode 262A on the lower surface of the substrate 200 via the internal wiring 272 and other via conductors.
  • the via conductor 273 is formed to extend in the Z direction inside the substrate 200 as shown in FIG.
  • the via conductor 273 is one via conductor among a plurality of via conductors arranged along the virtual line 901.
  • the via conductor 273 is connected to the ground electrode 262A on the lower surface of the substrate 200 via the internal wiring 274 and other via conductors.
  • the via conductors 271 and the via conductors 273 are for suppressing coupling generated between elements and between transmission lines.
  • Each via conductor 271 and each via conductor 273 are electrically separated from each component of the low-frequency transmitting / receiving unit 10 and the high-frequency transmitting / receiving unit 20. Therefore, each via conductor 271 and each via conductor 273 do not affect signal transmission / reception by the high-frequency module 100A.
  • the internal wirings 272 and the internal wirings 274 for connecting the via conductors 271 and the via conductors 273 to the ground electrode 262A are electrically connected to the configurations of the low-frequency transmitting / receiving unit 10 and the high-frequency transmitting / receiving unit 20, respectively. It is separated and does not affect signal transmission / reception by the high-frequency module 100A.
  • the control IC 221 and the duplexer DUP are mounted on the substrate 200 by connecting each terminal to each mounting electrode on the upper surface of the substrate 200.
  • each mounting electrode is connected to the ground electrode 262B or the electrode 261 through a via conductor 275 and an internal wiring 276.
  • the ground electrode 262B is not connected to the ground electrode 262A in the substrate 200. That is, the ground pattern of elements necessary for signal transmission / reception such as the duplexer DUP is the ground of the via conductor 271 and the via conductor 273 that does not affect signal transmission / reception on the substrate 200 via the ground electrode 262A and the ground electrode 262B. Not connected to the pattern.
  • the region 201 where the amplifier circuit 11 is realized and the region 207 where the duplexers 24 and 25 are disposed are via a plurality of via conductors 271 and a plurality of via conductors 273, the sub-switch from the amplifier circuit 11 is provided. 13 is further suppressed from coupling in the space between the path L to 13 and the paths H1 and H2 from the main switch 26 to the receiving terminals P24 and P25 via the duplexers 24 and 25.
  • the harmonics of the transmission signal output from the amplifier circuit 11 are a via conductor 271 and a via conductor 273 in which the ground pattern of an element necessary for signal transmission / reception such as a duplexer DUP does not affect signal transmission / reception in the substrate 200. Therefore, it is difficult to leak to the receiving terminals P24 and P25 through the ground pattern including the via conductor 271 and the via conductor 273.
  • each via conductor 271 and each via conductor 273 may be directly connected to the ground electrode 262A without going through the internal wirings 272 and 274, respectively. Thereby, the above-mentioned coupling is further suppressed.
  • the high-frequency module 100A may be configured such that a plurality of via conductors are arranged along only one of the virtual line 900 and the virtual line 901.
  • the plurality of via conductors 271 and the plurality of via conductors 273 suppress the above-described coupling, but the above-described coupling can be suppressed even in a configuration other than the via conductor.
  • a plurality of via conductors 281 extending in the Z direction inside the substrate 200 and two via conductors 281 adjacent in the X direction are connected to each other.
  • Wire bonding 282 is formed.
  • a plurality of U-shaped conductors 283 having openings on the lower surface side of the substrate 200 are formed.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating a circuit example of the high-frequency module 100C.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating a circuit example of the high-frequency module 100D.
  • FIG. 7 is a top view (element mounting surface) when the high-frequency modules 100C and 100D are mounted on the substrate 200.
  • FIG. 5 is a circuit example for transmitting and receiving a low-frequency signal
  • FIG. 6 is a circuit example for transmitting and receiving a high-frequency signal.
  • the high frequency module 100 ⁇ / b> C includes a low frequency transmission / reception unit 30 and a low frequency transmission / reception unit 410 that transmit / receive signals to / from the high frequency module 100 according to the GSM (Global System for Mobile Communications. Registered trademark) standard.
  • the high frequency module 100D includes a high frequency transmission / reception unit 20 and a high frequency transmission / reception unit 40 that transmit / receive signals to / from the high frequency module 100 according to the GSM (registered trademark) standard.
  • the circuit configuration of the GSM standard low-frequency transmission / reception unit 30 on the substrate 200, the position of the amplifier circuit 11 of the LTE standard low-frequency transmission / reception unit 10, and the LTE standard high-frequency transmission / reception unit 20 By disposing it between the position of the amplifier circuit 21, leakage of harmonics of the transmission signal output from the amplifier circuit 11 to the amplifier circuit 21 is suppressed.
  • the description of the same configuration as that of the high frequency module 100 is omitted.
  • the high-frequency module 100E is a real phase body of the high-frequency module 100C and the high-frequency module 100E, and includes a low-frequency transceiver unit 10 for LTE standards, a high-frequency transceiver unit 20 for LTE standards, and a low-frequency transceiver unit 30 for GSM standards. And a GSM standard high-frequency transmission / reception unit 40.
  • the low-frequency transmission / reception unit 30 transmits / receives signals according to the GSM900 standard (900 MHz band). Specifically, as shown in FIG. 5, the low-frequency transmission / reception unit 30 includes an input terminal P30, an amplifier circuit 31, a matching circuit 32, a transmission filter 33, and a SAW filter 34.
  • the amplification circuit 31 amplifies the signal input to the input terminal P30.
  • the signal amplified by the amplifier circuit 31 is input to the transmission filter 33 via the matching circuit 32.
  • the transmission filter 33 is a filter having a GSM900 transmission signal as a pass band and the other bands as attenuation bands.
  • the output side of the transmission filter 33 is connected to the individual terminal P161 of the main switch 16C.
  • the SAW filter 34 has a balance-unbalance conversion function.
  • the SAW filter 34 has one end connected to the individual terminal P162 of the main switch 16C and the other end being a balanced terminal connected to the receiving terminal P34.
  • the receiving terminal P34 is connected to a receiving circuit (not shown) on the main board other than the board on which the high-frequency module 100C is realized.
  • the high frequency transmission / reception unit 40 transmits and receives signals in accordance with the GSM1800 (1,800 MHz band) standard and the GSM1900 standard (1,900 MHz band). Specifically, as shown in FIG. 6, the high frequency transmission / reception unit 40 includes an input terminal P40, an amplifier circuit 41, a matching circuit 42, a transmission filter 43, and a diplexer 44.
  • the amplification circuit 41 amplifies the signal input to the input terminal P40.
  • the signal amplified by the amplifier circuit 41 is input to the transmission filter 43 via the matching circuit 42.
  • the transmission filter 43 is a filter having a band of transmission signals of the GSM1800 standard and GSM1900 standard as a pass band and another band as an attenuation band.
  • the output side of the transmission filter 43 is connected to the individual terminal P261 of the main switch 26C.
  • the diplexer 44 includes a SAW filter Sr441 and a SAW filter Sr442.
  • the SAW filter Sr441 is a filter in which the band of the received signal of the GSM1800 standard is a pass band and the other band is an attenuation band.
  • the SAW filter Sr441 has one end connected to the individual terminal P262 of the main switch 26C and the other end connected to the reception terminal P441.
  • the receiving terminal P441 is connected to a receiving circuit (not shown) on the main board other than the board on which the high-frequency module 100D is realized.
  • the SAW filter Sr442 is a filter in which the band of the received signal of the GSM1900 standard is a pass band and the other band is an attenuation band.
  • the SAW filter Sr442 has one end connected to the individual terminal P263 of the main switch 26C and the other end connected to the reception terminal P442.
  • the receiving terminal P442 is connected to a receiving circuit (not shown) on the main board other than the board on which the high-frequency module 100E is realized.
  • the substrate 200 of the high-frequency module 100E has a region 201, a region 203A, a region 205, a region 207, a region 209, a region 206, and a region 208.
  • the region 203A is different from the region 203 in that each element for realizing the GSM standard low-frequency amplifier circuit 31 shown in the circuit example of FIG. Specifically, the amplifier circuit 31 is realized by an amplifier element 211 and a plurality of chip elements 212 that straddle the region 201.
  • the region 208 is arranged at the corner of the substrate 200 on the ⁇ X side and the ⁇ Y side.
  • the region 206 is disposed on the + Y side of the region 208 in the substrate 200.
  • elements for realizing the GSM (registered trademark) high-frequency amplifier circuit 41 shown in the circuit example of FIG. 6 are arranged. Specifically, in the region 206, an amplifier element 291 and a plurality of chip elements 212 are arranged. The amplifier element 291 is arranged across the region 208. The amplifier circuit 41 is realized by an amplifier element 291 and a plurality of chip elements 212 in the region 206.
  • GSM registered trademark
  • Each element that realizes the high-frequency amplifier circuit 21 of the LTE standard is arranged in the region 208. Specifically, an amplifier element 291 and a plurality of chip elements 212 straddling the region 206 are arranged.
  • the amplifier circuit 11 and the sub switch 13 are connected to each other. Coupling hardly occurs between the path L to the common terminal P13 and the path H5 from the amplifier circuit 21 to the common terminal P23 of the sub switch 23. Therefore, the harmonics of the transmission signal output from the amplifier circuit 11 are less likely to leak to the receiving terminals P24 and P25 through the coupling of the path L and the path H5, the sub switch 23, and the duplexers 24 and 25 in order.
  • GSM registered trademark

Abstract

　前記第１分波回路は、前記第１増幅回路と前記第２分波回路との間に配置される。このような回路の配置では、第１増幅回路と第２分波回路とが空間的に第１分波回路を介すので、第１増幅回路から第１分波回路への経路と、第２分波回路を介した第２アンテナ端子から第２受信端子への経路との間の空間に結合（電磁界結合及び静電結合）が生じにくくなる。その結果、第１送受信部の送信信号の２倍高調波であって、第２分波回路の通過帯域に含まれる２倍高調波が発生しても、高周波モジュールは、当該空間に結合が生じにくくなるので、当該２倍高調波の第２受信端子への漏洩を抑制でき、第１帯域及び第２帯域のアイソレーション特性を向上させることができる。

Description

高周波モジュール
　本発明は、異なる帯域の信号を同時に無線で送受信する高周波モジュールに関する。
　近年、異なる帯域の信号を同時に無線で送受信する通信方法として、例えばキャリアアグリゲーションが知られている。キャリアアグリゲーションに対応する高周波モジュールとしては、アンテナと、受信回路と、送信信号を増幅する増幅回路と、分波回路とを帯域毎に必要とする。
　キャリアアグリゲーションを実現する高周波モジュールを小型化すると、各帯域のアイソレーション特性が低下する。具体的には、高周波モジュールを小型化すると、低域用の増幅回路で増幅された送信信号の高調波が高域用の受信回路へ漏洩しやすくなる。
　そこで、特許文献１に記載された高周波モジュールは、低域用の増幅回路に含まれる整合回路を基板内部のグランドパターンに接続せず、基板裏面のグランド端子に接続することにより、基板内部のグランドパターンを介して送信信号の高調波が高域用の受信回路へ漏洩することを抑制している。
特開２００７－１２４２０２号公報
　しかしながら、特許文献１に記載された高周波モジュールは、グランドパターンを介した漏洩のみに有効であり、その他の経路を介した漏洩を抑制することができない。具体的には、高周波モジュールでは、素子間及び伝送線路間に電磁界結合及び静電結合（以下、単に結合と称す。）が生じることがある。高周波モジュールが小型化されると、素子間及び伝送線路間に結合が生じやすくなり、当該結合による経路が形成されやすくなる。特許文献１に記載された高周波モジュールは、当該結合による経路を介した漏洩を抑制することができない。
　そこで、本発明の目的は、異なる帯域の信号を同時に無線で送受信する高周波モジュールであって、各帯域のアイソレーション特性を向上させた高周波モジュールを提供することにある。
　高周波モジュールは、第１帯域（例えば９００ＭＨｚを含む帯域）で信号を送受信するように構成された第１送受信部と、第１帯域より高い第２帯域（１，８００ＭＨｚを含む帯域）で信号を送受信するように構成された第２送受信部とが基板に配置されたものである。
　具体的には、第１送受信部は、第１アンテナに接続される第１アンテナ端子と、受信回路に接続される第１受信端子と、送信信号を増幅するように構成された第１増幅回路と、前記第１増幅回路が増幅した前記第１帯域内の送信信号を前記第１アンテナ端子へ通過させ、かつ前記第１アンテナ端子からの前記第１帯域内の受信信号を前記第１受信端子へ通過させるように構成された第１分波回路とを有す。第２送受信部は、第２アンテナに接続される第２アンテナ端子と、受信回路に接続される第２受信端子と、送信信号を増幅するように構成された第２増幅回路と、前記第２増幅回路が増幅した前記第２帯域内の送信信号を前記第２アンテナ端子へ通過させ、かつ前記第２アンテナ端子からの前記第２帯域内の受信信号を前記第２受信端子へ通過させるように構成された第２分波回路とを有す。
　また、第１送受信部及び第２送受信部は、アンテナ側と送受信回路側とのインピーダンス整合のために、それぞれ整合回路を含んでもよい。
　第１分波回路は、中心周波数が９００ＭＨｚの送信信号を第１アンテナ端子へ出力し、中心周波数が９４０ＭＨｚの第１アンテナ端子からの受信信号を第１受信端子へ出力するように、例えば複数のＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｆｉｌｔｅｒ）フィルタで構成される。同様に、第２分波回路も、１，８００ＭＨｚを含む帯域で信号を分波するように、複数のＳＡＷフィルタで構成される。
　本発明の高周波モジュールでは、前記基板において、前記第１分波回路の位置は、前記第１増幅回路の位置と前記第２分波回路の位置との間である。
　このような回路の配置では、第１増幅回路と第２分波回路とが空間的に第１分波回路を介すので、第１増幅回路から第１分波回路への経路と、第２分波回路を介した第２アンテナ端子から第２受信端子への経路との間の空間に結合（電磁界結合及び静電結合）が生じにくくなる。例えば、この配置では、第１増幅回路を実現するためのアンプ素子と、第２分波回路を実現するための素子との間の空間に結合が生じにくくなる。ただし、当該空間とは、基板外部の空間（例えば基板表面）に限らず、基板内部の空間も含む。
　その結果、例えば、第１送受信部の送信信号（中心周波数が９００ＭＨｚ）の高調波であって、第２分波回路の通過帯域に含まれる高調波が発生しても、本発明の高周波モジュールは、第１増幅回路から第１分波回路への経路と、第２分波回路を介した第２アンテナ端子から第２受信端子への経路との間の空間に結合が生じにくくなるので、当該２倍高調波の第２受信端子への漏洩を抑制でき、第１帯域及び第２帯域のアイソレーション特性を向上させることができる。
　また、複数の前記第１分波回路のうちのいずれか１つの第１分波回路と前記第１アンテナ端子との接続と、複数の前記第２分波回路のうちのいずれか１つの第２分波回路と前記第２アンテナ端子との接続と、を切り替えるように構成されたスイッチであって、前記基板に配置された前記スイッチ、をさらに備え、前記基板において、前記第１分波回路の位置は、前記第１増幅回路の位置と前記スイッチの位置との間であってもよい。
　この構成では、第１増幅回路とスイッチとが空間的に第１分波回路を介すので、第１増幅回路から第１分波回路への経路と、スイッチを介した第２アンテナ端子から第２分波回路への経路との間の空間に結合がさらに生じにくくなる。
　また、前記基板において、前記第１増幅回路の位置は、前記基板の対角線の一方端側であり、前記基板において、前記第２分波回路の位置は、前記対角線の他方端側であってもよい。
　すなわち、この構成は、基板において第１増幅回路と第２分波回路の距離を長くすることで、上述の結合が生じることをさらに抑制できる。
　また、前記基板は、他の基板に実装されるための基板実装用電極を有する第１主面と、前記第１主面に対向する第２主面とを備え、前記第２受信端子は、前記第１主面に配置され、前記基板の平面視において、前記第２分波回路の領域と、前記第２受信端子の領域とは重なってもよい。
　例えば、基板の平面視において、第２分波回路の第２受信端子に接続されるＲＸ端子と、受信回路に接続される第２受信端子とを対向するようにそれぞれ配置する。この構成は、第２分波回路のＲＸ端子と第２受信端子との配線がより短くなるので、上述の結合が生じることをさらに抑制できる。
　また、前記基板において前記第１増幅回路の位置と前記第２分波回路の位置との間に配置されるビア導体をさらに備えてもよい。
　第１増幅回路と第２分波回路とがビア導体を介するので、上述の結合が生じることをさらに抑制できる。
　また、前記第２分波回路は、前記第２増幅回路に接続される送信側端子と、前記第２受信端子に接続される受信側端子とを有し、前記基板において、前記送信側端子の位置は、前記受信側端子の位置より前記第１増幅回路側であってもよい。
　また、全ての第２分波回路において、各送信側端子の各位置は、各受信側端子の各位置より前記第１増幅回路側であってもよい。
　換言すれば、第２受信端子に接続される受信側端子は、第１増幅回路から遠ざけられるように配置される。このように第２分波回路の各端子を配置することにより、上述の結合が生じることさらに抑制できる。
　この発明の高周波モジュールは、異なる帯域の信号を同時に無線で送受信しても、各帯域のアイソレーション特性を向上させることができる。
実施形態１に係る高周波モジュールの回路例を示す図である。 実施形態１に係る高周波モジュールの上面（素子実装面）図である。 実施形態１に係る高周波モジュールの下面（基板実装面）図である。 （Ａ）は、実施形態１に係る高周波モジュールの変形例に係る高周波モジュールの上面（素子実装面）図であり、（Ｂ）は、Ａ－Ａ断面図である。 実施形態２に係る高周波モジュールの低域側の回路例を示す図である。 実施形態２に係る高周波モジュールの高域側の回路例を示す図である。 実施形態２に係る高周波モジュールの上面（素子実装面）図である。
　実施形態１に係る高周波モジュール１００の概要について、高周波モジュール１００は、ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ　Ｔｅｒｍ　Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）規格で信号（例えば７００ＭＨｚ～２，７００ＭＨｚの信号）を送受信するものである。高周波モジュール１００は、信号の送受信のために、送信信号の増幅、周波数分割による送信信号と受信信号との分波、及び通信の帯域切替を行う。高周波モジュール１００は、キャリアアグリゲーションを実現する。すなわち、高周波モジュール１００は、複数の帯域の信号を同時に無線で送受信する。
　次に、高周波モジュール１００の詳細について、図１を用いて説明する。図１は、高周波モジュール１００の回路例を示す図である。
　図１に示すように、高周波モジュール１００は、低域送受信部１０と、高域送受信部２０とを備える。
　低域送受信部１０は、入力端子Ｐ１０と、第１アンテナ端子Ｐ１７とを備える。入力端子Ｐ１０には、低域の送信信号が入力される。第１アンテナ端子Ｐ１７は、低域用のアンテナＡＮＴ１に接続される。高域送受信部２０は、入力端子Ｐ２０と、第２アンテナ端子Ｐ２７とを備える。入力端子Ｐ２０には、高域の送信信号が入力される。第２アンテナ端子Ｐ２７は、高域用のアンテナＡＮＴ２に接続される。
　本実施形態では、一例として、低域送受信部１０が送受信する第１帯域の信号の帯域を６００ＭＨｚ～１，０００ＭＨｚとし、高域送受信部２０が送受信する第２帯域の信号の帯域を１，６００ＭＨｚ～２，７００ＭＨｚとして説明する。
　低域送受信部１０は、増幅回路１１と、整合回路１２と、サブスイッチ１３と、複数のデュプレクサ１４及びデュプレクサ１５と、メインスイッチ１６と、を備える。
　増幅回路１１は、入力端子Ｐ１０に入力された低域（６００ＭＨｚ～１，０００ＭＨｚ）の送信信号を増幅し、増幅後の送信信号を整合回路１２へ出力する。整合回路１２は、例えばインダクタ及びキャパシタを備え、第１アンテナＡＮＴ１側と、増幅回路１１側との間でインピーダンスを整合する。
　サブスイッチ１３は、共通端子Ｐ１３と、複数の個別端子Ｐ１３４，Ｐ１３５とを備える。共通端子Ｐ１３は、整合回路１２に接続される。個別端子Ｐ１３４は、デュプレクサ１４に接続される。個別端子Ｐ１３５は、デュプレクサ１５に接続される。
　メインスイッチ１６は、サブスイッチ１３との組により、整合回路１２と第１アンテナＡＮＴ１との経路に用いられるデュプレクサをデュプレクサ１４及びデュプレクサ１５から選択するために、整合回路１２といずれかのデュプレクサとの接続と、該デュプレクサと第１アンテナ端子Ｐ１７との接続と、を切り替える。ただし、切替は、制御ＩＣ２２１（図２を参照）から出力される制御信号に基づく。
　デュプレクサ１４は、例えば、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１９（８００ＭＨｚの帯域）において、周波数分割により送信信号と受信信号とを分波する。具体的には、デュプレクサ１４は、１つの共通端子と、２つの個別端子とを備える。デュプレクサ１４は、単一の筐体に一体形成される送信側フィルタＳｔ１４と、受信側フィルタＳｒ１４と、を備える。受信側フィルタＳｒ１４は、平衡－不平衡変換機能を有する。
　デュプレクサ１４の共通端子は、メインスイッチ１６の個別端子Ｐ１６４に接続される。デュプレクサ１４の一方の個別端子には、送信側フィルタＳｔ１４と、サブスイッチ１３の個別端子Ｐ１３４とが接続される。デュプレクサ１４の他方の個別端子には、受信側フィルタＳｒ１４と、受信端子Ｐ１４とが接続される。受信端子Ｐ１４は、高周波モジュール１００が実現される基板以外のメイン基板の受信回路（不図示）に接続される。
　送信側フィルタＳｔ１４は、例えばＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）フィルタであり、８３０ＭＨｚ～８４５ＭＨｚを通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。受信側フィルタＳｒ１４は、例えばＳＡＷフィルタであり、８７５ＭＨｚ～８９０ＭＨｚを通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。なお、ＳＡＷフィルタにかえて、ＢＡＷ（Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）フィルタを用いることができる。
　デュプレクサ１５は、例えば、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１７（７００ＭＨｚの帯域）において、周波数分割により送信信号と受信信号とを分波する。具体的には、デュプレクサ１５は、１つの共通端子と、２つの個別端子とを備える。デュプレクサ１５は、単一の筐体に一体形成される送信側フィルタＳｔ１５と、受信側フィルタＳｒ１５と、を備える。受信側フィルタＳｒ１５は、平衡－不平衡変換機能を有する。
　デュプレクサ１５の共通端子は、メインスイッチ１６の個別端子Ｐ１６５に接続される。デュプレクサ１５の一方の個別端子には、送信側フィルタＳｔ１５と、サブスイッチ１３の個別端子Ｐ１３５とが接続される。デュプレクサ１５の他方の個別端子には、受信側フィルタＳｒ１５と、受信端子Ｐ１５とが接続される。受信端子Ｐ１５は、高周波モジュール１００が実現される基板以外のメイン基板の受信回路（不図示）に接続される。
　送信側フィルタＳｔ１５は、例えばＳＡＷフィルタであり、７０４ＭＨｚ～７１６ＭＨｚを通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。受信側フィルタＳｒ１５は、例えばＳＡＷフィルタであり、７３４ＭＨｚ～７４６ＭＨｚを通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。
　メインスイッチ１６の共通端子Ｐ１６は、第１アンテナ端子Ｐ１７に接続される。第１アンテナＡＮＴ１は、低域の信号の送受信に適した形状である。
　高域送受信部２０は、低域送受信部１０と同様の構成を備え、送受信する信号の帯域が互いに異なる。高域送受信部２０は、増幅回路２１と、整合回路２２と、サブスイッチ２３と、複数のデュプレクサ２４及びデュプレクサ２５と、メインスイッチ２６と、を備える。
　増幅回路２１は、入力端子Ｐ２０に入力された高域（１，６００ＭＨｚ～２，７００ＭＨｚ）の送信信号を増幅し、増幅後の送信信号を整合回路２２へ出力する。整合回路２２は、例えばインダクタ及びキャパシタを備え、第２アンテナＡＮＴ２側と、増幅回路２１側との間でインピーダンスを整合する。
　サブスイッチ２３は、共通端子Ｐ２３と、複数の個別端子Ｐ２３４，Ｐ２３５とを備える。共通端子Ｐ２３は、整合回路２２に接続される。個別端子Ｐ２３４は、デュプレクサ２４に接続される。個別端子Ｐ２３５は、デュプレクサ２５に接続される。
　メインスイッチ２６は、サブスイッチ２３との組により、整合回路２２と第２アンテナＡＮＴ２との接続経路に用いられるデュプレクサをデュプレクサ２４及びデュプレクサ２５から選択するために、整合回路２２といずれかのデュプレクサとの接続と、該デュプレクサと第２アンテナ端子Ｐ２７との接続と、を切り替える。ただし、切替は、制御ＩＣ２２１から出力される制御信号に基づく。
　デュプレクサ２４は、例えば、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１（２，１００ＭＨｚの帯域）において、周波数分割により送信信号と受信信号とを分波する。具体的には、デュプレクサ２４は、１つの共通端子と、２つの個別端子とを備える。デュプレクサ２４は、単一の筐体に一体形成される送信側フィルタＳｔ２４と、受信側フィルタＳｒ２４と、を備える。受信側フィルタＳｒ２４は、平衡－不平衡変換機能を有する。
　デュプレクサ２４の共通端子は、メインスイッチ２６の個別端子Ｐ２６４に接続される。デュプレクサ２４の一方の個別端子には、送信側フィルタＳｔ２４と、サブスイッチ２３の個別端子Ｐ２３４とが接続される。デュプレクサ２４の他方の個別端子には、受信側フィルタＳｒ２４と、受信端子Ｐ２４とが接続される。受信端子Ｐ２４は、高周波モジュール１００が実現される基板以外のメイン基板の受信回路（不図示）に接続される。
　送信側フィルタＳｔ２４は、例えばＳＡＷフィルタであり、１，９２０ＭＨｚ～１，９８０ＭＨｚを通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。受信側フィルタＳｒ２４は、例えばＳＡＷフィルタであり、２，１１０ＭＨｚ～２，１７０ＭＨｚを通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。
　デュプレクサ２５は、例えば、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ７（２，６００ＭＨｚの帯域）において、周波数分割により送信信号と受信信号とを分波する。具体的には、デュプレクサ２５は、１つの共通端子と、２つの個別端子とを備える。デュプレクサ２５は、単一の筐体に一体形成される送信側フィルタＳｔ２５と、受信側フィルタＳｒ２５と、を備える。受信側フィルタＳｒ２５は、平衡－不平衡変換機能を有する。
　デュプレクサ２５の共通端子は、メインスイッチ２６の個別端子Ｐ２６５に接続される。デュプレクサ２５の一方の個別端子には、送信側フィルタＳｔ２５と、サブスイッチ２３の個別端子Ｐ２３５とが接続される。デュプレクサ２５の他方の個別端子には、受信側フィルタＳｒ２５と、受信端子Ｐ２５とが接続される。受信端子Ｐ２５は、高周波モジュール１００が実現される基板以外のメイン基板の受信回路（不図示）に接続される。
　送信側フィルタＳｔ２５は、例えばＳＡＷフィルタであり、２，５００ＭＨｚ～２，５７０ＭＨｚを通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。受信側フィルタＳｒ２５は、例えばＳＡＷフィルタであり、２，６２０ＭＨｚ～２，６９０ＭＨｚを通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。
　メインスイッチ２６の共通端子Ｐ２６は、第２アンテナ端子Ｐ２７に接続される。第２アンテナＡＮＴ２は、高域の信号の送受信に適した形状で形成される。
　高周波モジュール１００の動作について、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１９で送受信する例で説明する。ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１９で送受信する場合、制御ＩＣ２２１は、デュプレクサ１４を介して送信信号を第１アンテナＡＮＴ１へ出力するために、サブスイッチ１３及びメインスイッチ１６の接続を切り替える制御を行う。具体的には、制御ＩＣ２２１は、共通端子Ｐ１３と個別端子Ｐ１３４とを接続させ、共通端子Ｐ１６と個別端子Ｐ１６４とを接続させる制御信号を、サブスイッチ１３及びメインスイッチ１６へ出力する。
　入力端子Ｐ１０に入力された送信信号は、増幅回路１１で増幅された後、整合回路１２、サブスイッチ１３、及びデュプレクサ１４の送信側フィルタＳｔ１４を順に通過することで、７０４ＭＨｚ～７１６ＭＨｚの周波数成分が主な周波数成分となるように濾波される。その後、送信信号は、メインスイッチ１６、及び第１アンテナ端子Ｐ１７を順に通過し、第１アンテナＡＮＴ１へ出力される。
　ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１９の受信について、第１アンテナＡＮＴ１が受信した受信信号は、第１アンテナ端子Ｐ１７、及びメインスイッチ１６を順に通過し、デュプレクサ１４に入力される。受信信号は、受信側フィルタＳｒ１４によって、８７５ＭＨｚ～８９０ＭＨｚの周波数成分が受信端子Ｐ１４へ出力される。
　高周波モジュール１００は、キャリアアグリゲーションを実現するため、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１９以外のｂａｎｄでも同時に信号を無線で送受信する。以下、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１９と同時に信号を送受信するｂａｎｄをｂａｎｄ１として説明する。ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１で信号を送受信する場合、制御ＩＣ２２１は、デュプレクサ２４を介して送信信号を第２アンテナＡＮＴ２へ出力するために、サブスイッチ２３及びメインスイッチ２６の接続を切り替える制御を行う。具体的には、制御ＩＣ２２１は、共通端子Ｐ２３と個別端子Ｐ２３４とを接続させ、共通端子Ｐ２６と個別端子Ｐ２６４とを接続させる制御信号を、サブスイッチ２３及びメインスイッチ２６へ出力する。
　入力端子Ｐ２０に入力された送信信号は、増幅回路２１で増幅された後、整合回路２２、サブスイッチ２３、及びデュプレクサ２４の送信側フィルタＳｔ２４を順に通過することで、１，９２０ＭＨｚ～１，９８０ＭＨｚの周波数成分が主な周波数成分となるように濾波される。その後、送信信号は、メインスイッチ２６の個別端子Ｐ２６４、共通端子Ｐ２６、及び第２アンテナ端子Ｐ２７を順に通過し、第２アンテナＡＮＴ２へ出力される。
　ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１の受信について、第２アンテナＡＮＴ２が受信した受信信号は、第２アンテナ端子Ｐ２７、メインスイッチ２６を順に通過し、デュプレクサ２４に入力される。受信信号は、受信側フィルタＳｒ２４によって、２，１１０ＭＨｚ～２，１７０ＭＨｚの周波数成分が受信端子Ｐ２４へ出力される。
　以上のように、高周波モジュール１００は、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１９（低域）とｂａｎｄ１（高域）とにおいて同時に信号を無線で送受信する。同様に、高周波モジュール１００は、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１７とｂａｎｄ７とにおいて同時に信号を無線で送受信する。なお、高周波モジュール１００は、ＬＴＥ規格以外の規格（例えばＷ－ＣＤＭＡ規格）で信号を送受信する送受信部を備えてもよい。
　次に、本実施形態に係る高周波モジュール１００は、以下に示す特徴的な構造により、増幅回路１１から出力された低域の送信信号の高調波が高域送受信部２０の受信端子Ｐ２４，Ｐ２５へ漏洩することを抑制する。図２は、高周波モジュール１００の上面（素子実装面）図である。図２において点線は、基板２００の各領域を示すための仮想の線である。
　高周波モジュール１００は、図２に示すように、図１の回路例を実現する各素子が、基板２００に配置されてなる。各素子は、基板２００の領域毎に配置される。
　具体的には、基板２００は、図２に示すように、領域２０１と、領域２０３と、領域２０５と、領域２０７と、領域２０９とを有す。
　領域２０１には、図１の回路例に示す増幅回路１１、整合回路１２、及びサブスイッチ１３を実現する各素子が配置される。具体的には、領域２０１には、アンプ素子２１１と、複数のチップ素子（例えば抵抗、キャパシタ、及びインダクタ等のいずれか）２１２と、スイッチＩＣ２１３とが配置される。ただし、アンプ素子２１１及びスイッチＩＣ２１３は、それぞれ領域２０３に跨って配置される。
　増幅回路１１は、領域２０１において、アンプ素子２１１と複数のチップ素子２１２とで実現される。整合回路１２は、領域２０１において、チップ素子２１２で実現される。サブスイッチ１３は、領域２０１において、スイッチＩＣ２１３で実現される。
　領域２０３には、図１の回路例に示す増幅回路２１、整合回路２２、及びサブスイッチ２３を実現する各素子が配置される。増幅回路２１は、領域２０３において、アンプ素子２１１と複数のチップ素子２１２とで実現される。整合回路２２は、領域２０３において、チップ素子２１２で実現される。サブスイッチ２３は、領域２０３において、スイッチＩＣ２１３で実現される。
　領域２０５には、図１の回路例に示すデュプレクサ１４及びデュプレクサ１５が配置される。実際の高周波モジュール１００が低域用の３以上のデュプレクサを備えるので、領域２０５には、デュプレクサ１４及びデュプレクサ１５以外のデュプレクサＤＵＰも配置される。
　領域２０７には、図１の回路例に示すデュプレクサ２４及びデュプレクサ２５が配置される。実際の高周波モジュール１００が高域用の３以上のデュプレクサを備えるので、領域２０７には、デュプレクサ２４及びデュプレクサ２５以外のデュプレクサＤＵＰも配置される。
　領域２０９には、図１の回路例に示すメインスイッチ１６及びメインスイッチ２６を実現するスイッチＩＣ２１４が配置される。
　図２に示すように、領域２０１は、基板２００の上面図において、－Ｘ側かつ＋Ｙ側の基板２００の隅に配置される。領域２０３は、基板２００において領域２０１の－Ｙ側に配置される。領域２０７は、＋Ｘ側かつ－Ｙ側の基板２００の隅に配置される。すなわち、基板２００の平面視において、領域２０７の位置は、基板２００の対角線の一方端側であり、領域２０１の位置は、当該対角線の他方端側である。領域２０７は、Ｙ方向に長く、＋Ｘ側かつ＋Ｙ側の基板２００の隅近くまで延伸する。領域２０９は、基板２００において、領域２０７の－Ｘ側であって、基板２００の－Ｙ側の縁に沿って配置される。領域２０９のＹ方向の長さは、領域２０７のＹ方向の長さより短い。
　ここで、基板２００において、領域２０５の位置は、領域２０１の位置と、領域２０７の位置との間である。具体的には、図２に示すように、領域２０５は、領域２０９の＋Ｙ側の境界から基板２００の＋Ｙ側の縁まで延伸する領域２０５１と、＋Ｘ側かつ＋Ｙ側の基板２００の隅の領域２０５２とを有す。すなわち、基板２００において、領域２０５１の位置は、領域２０７の位置と、領域２０１の位置との間である。これにより、基板２００において、領域２０５１に配置されるデュプレクサ（デュプレクサ１４，１５を含む）の各位置は、領域２０７に配置されるデュプレクサ２４及びデュプレクサ２５の各位置と、領域２０１に配置されるアンプ素子２１１及びスイッチＩＣ２１３の各位置との間になる。これにより、増幅回路１１からサブスイッチ１３への経路Ｌと、デュプレクサ２４を介したメインスイッチ２６の共通端子Ｐ２６から受信端子Ｐ２４への経路Ｈ１とは、領域２０５１に配置される低域用のデュプレクサを空間的に介すようになる。ただし、空間的に介することとは、基板２００の外部（例えば基板２００の上面よりＹ方向の空間）においてのみ経路Ｌと経路Ｈ１とが低域用のデュプレクサを介することだけでなく、基板２００の内部においても経路Ｌと経路Ｈ１とが低域用のデュプレクサを含む経路を介すことを含む。
　ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１９とｂａｎｄ１とで高周波信号を送受信する場合、経路Ｌと経路Ｈ１とが低域用のデュプレクサを空間的に介すので、経路Ｌと経路Ｈ１との間の空間に電磁界結合及び静電結合（以下、単に結合と称す。）が生じにくくなる。すなわち、経路Ｌ及び経路Ｈ１に含まれる素子及び伝送線路について、これら素子間及び伝送線路間に結合が生じにくくなる。例えば、経路Ｌに含まれるアンプ素子２１１と経路Ｈ１に含まれるデュプレクサ２４との間の空間に結合が生じにくくなる。
　その結果、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１９の送信信号（８３０ＭＨｚ～８４５ＭＨｚの信号）の高調波が増幅回路１１から出力され、当該高調波がデュプレクサ２４の受信側フィルタＳｒ２４の通過帯域（２，１１０ＭＨｚ～２，１７０ＭＨｚ）の周波数成分を含む場合であっても、本実施形態に係る高周波モジュール１００は、経路Ｌ及び経路Ｈ１の結合を介して、当該高調波が受信端子Ｐ２４へ漏洩することを抑制でき、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１とｂａｎｄ１９とのアイソレーション特性を向上させることができる。
　同様に、ＬＴＥ規格のｂａｎｄ１７とｂａｎｄ７とで同時に信号を送受信する場合においても、経路Ｌと、デュプレクサ２５を介した共通端子Ｐ１６から受信端子Ｐ２５への経路Ｈ２とは、低域用のデュプレクサを空間的に介すので、間の空間に結合が生じにくくなる。
　また、高周波モジュール１００は、領域２０５２が領域２０７の＋Ｙ側に配置されることで、経路Ｌと経路Ｈ１，Ｈ２との結合であって、領域２０７の＋Ｙ側の空間で生じる結合も抑制することができる。
　また、基板２００において、領域２０５の領域２０５１の位置は、領域２０９の位置から領域２０１側である。すなわち、領域２０５１に配置されるデュプレクサ１４及びデュプレクサ１５の各位置は、領域２０９に配置されるスイッチＩＣ２１４の位置から、領域２０１に配置されるアンプ素子２１１側である。
　これにより、増幅回路１１からサブスイッチ１３への経路Ｌと、メインスイッチ２６を介した第２アンテナ端子Ｐ２７からデュプレクサ２４への経路Ｈ３との間の空間に結合が生じにくくなる。同様に、経路Ｌと、メインスイッチ２６を介した第２アンテナ端子Ｐ２７からデュプレクサ２５への経路Ｈ４との間の空間に結合が生じにくくなる。これにより、高周波モジュール１００は、ＬＴＥ規格の各ｂａｎｄのアイソレーション特性を向上させることができる。
　さらに、本実施形態に係る高周波モジュール１００は、デュプレクサ２５の向きを以下のように調整することで、ＬＴＥ規格の各ｂａｎｄのアイソレーション特性をさらに向上させることができる。
　デュプレクサ２５は、図２に示すように、受信端子Ｐ２５に接続されるＲＸ端子２５１と、サブスイッチ２３及び整合回路２２を順に介して増幅回路２１に接続されるＴＸ端子２５２とを備える。ＲＸ端子２５１は、デュプレクサ２５においてＸ側に配置される。ＴＸ端子２５２は、デュプレクサ２５において－Ｘ側に配置される。すなわち、ＲＸ端子２５１は、領域２０１に実現される増幅回路１１から遠ざけられるように配置される。これにより、デュプレクサ２５において、ＲＸ端子２５１が領域２０１に実現される増幅回路１１から遠ざけるように配置されるので、経路Ｌとデュプレクサ２５から受信端子Ｐ２５への経路との間の空間に結合が生じにくくなる。
　同様に、デュプレクサ２５のみならず、領域２０７に配置される全てのデュプレクサについてもＲＸ端子を領域２０１と反対側に位置するように各デュプレクサを配置してもよい。
　また、図３の基板２００の下面（基板実装面）図に示すように、基板２００は、メイン基板（不図示）に実装されるための複数の電極２６１と、複数のグランド電極２６２とを備える。基板２００の平面視において、電極２６１Ａの領域は、デュプレクサ２５のＲＸ端子２５１の領域と重なる。この電極２６１Ａは、受信端子Ｐ２５を実現するものであり、メイン基板の受信回路に接続される。ＲＸ端子２５１と電極２６１Ａとを重なるように配置すれば、ＲＸ端子２５１と受信端子Ｐ２５との経路はより短くなる。ただし、図３は、基板２００の上面に配置されるデュプレクサ２５を点線に示している。
　ＲＸ端子２５１と受信端子Ｐ２５との経路がより短くなるので、経路Ｌと、ＲＸ端子２５１から受信端子Ｐ２５への経路との間の空間に結合が生じにくくなる。なお、基板２００の平面視において、ＲＸ端子２５１の領域と電極２６１Ａの領域とが重なる配置に限らず、デュプレクサ２５の領域と電極２６１Ａの領域とが重なる配置であっても、ＲＸ端子２５１と受信端子Ｐ２５との経路は短くなる。
　同様に、領域２０７内の他のデュプレクサについても、基板２００の平面視において、各ＲＸ端子の領域と基板２００の下面のいずれかの電極２６１の領域とが重なるように各デュプレクサを配置してもよい。
　なお、本実施形態では、低域と高域との２つの帯域で同時に信号を送受信する高周波モジュール１００について説明したが、本実施形態は、互いに異なる３つ以上の帯域で同時に信号を送受信する高周波モジュールであっても構わない。例えば低域（６００ＭＨｚ～１，０００ＭＨｚ）の送信信号の高調波が中域（１，４００ＭＨｚ～１，６００ＭＨｚ）の周波数成分を含む場合であっても、基板２００において低域用のデュプレクサを低域用の増幅回路と中域用のデュプレクサとの間に配置することにより、各帯域のアイソレーション特性を向上させることができる。
　次に、高周波モジュール１００の変形例１に係る高周波モジュール１００Ａについて、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）を用いて説明する。図４（Ａ）は、高周波モジュール１００Ａの上面図である。図４（Ｂ）は、Ａ－Ａ断面図である。ただし、図４（Ａ）において、一点破線は、ビア導体が配置される位置を示すための仮想の線である。
　高周波モジュール１００Ａは、領域２０５を区画するように、多層基板である基板２００にビア導体が設けられる点について、図２、及び図３に示す高周波モジュール１００と相違する。その他の重複する構成の説明は省略する。
　具体的には、図４（Ａ）に示すように、仮想線９００は、領域２０５１及び領域２０９からなる領域と、領域２０１と、を区画するように設定される。仮想線９０１は、領域２０７と、領域２０５及び領域２０９からなる領域と、を区画するように設定される。
　図４（Ｂ）のＡ－Ａ断面図に示すように、基板２００の内部には、複数のビア導体と、複数の内部配線とがそれぞれ配置される。
　具体的には、ビア導体２７１は、図４（Ｂ）に示すように、基板２００内部においてＺ方向に延伸するように形成される。このビア導体２７１は、仮想線９００に沿って配置される複数のビア導体のうちの１つのビア導体である。ビア導体２７１は、内部配線２７２及び他のビア導体を介して、基板２００の下面のグランド電極２６２Ａに接続される。
　同様に、ビア導体２７３は、図４（Ｂ）に示すように、基板２００内部においてＺ方向に延伸するように形成される。このビア導体２７３は、仮想線９０１に沿って配置される複数のビア導体のうちの１つのビア導体である。ビア導体２７３は、内部配線２７４及び他のビア導体を介して、基板２００の下面のグランド電極２６２Ａに接続される。
　各ビア導体２７１及び各ビア導体２７３は、素子間及び伝送線路間に生じる結合を抑制するためのものである。各ビア導体２７１及び各ビア導体２７３は、低域送受信部１０及び高域送受信部２０の各構成と電気的に分離される。従って、各ビア導体２７１及び各ビア導体２７３は、高周波モジュール１００Ａによる信号の送受信に影響を与えないものである。同様に、各ビア導体２７１及び各ビア導体２７３をグランド電極２６２Ａに接続するための各内部配線２７２及び各内部配線２７４も、低域送受信部１０及び高域送受信部２０の各構成と電気的に分離され、高周波モジュール１００Ａによる信号の送受信に影響を与えないものである。
　制御ＩＣ２２１及びデュプレクサＤＵＰは、各端子が基板２００の上面の各実装電極に接続されることで、基板２００に実装される。各実装電極は、図４（Ｂ）に示すように、ビア導体２７５及び内部配線２７６を介してグランド電極２６２Ｂ又は電極２６１に接続される。グランド電極２６２Ｂは、基板２００では、グランド電極２６２Ａと接続されない。すなわち、デュプレクサＤＵＰ等の信号の送受信に必要な素子のグランドパターンは、基板２００では、グランド電極２６２Ａ及びグランド電極２６２Ｂを介して、信号の送受信に影響を与えないビア導体２７１及びビア導体２７３のグランドパターンに接続されない。
　高周波モジュール１００Ａは、増幅回路１１が実現される領域２０１と、デュプレクサ２４，２５が配置される領域２０７とが複数のビア導体２７１及び複数のビア導体２７３を介すので、増幅回路１１からサブスイッチ１３への経路Ｌと、デュプレクサ２４，２５を介したメインスイッチ２６から受信端子Ｐ２４，Ｐ２５への経路Ｈ１，Ｈ２との間の空間に結合が生じることをさらに抑制する。
　また、増幅回路１１から出力された送信信号の高調波は、デュプレクサＤＵＰ等の信号の送受信に必要な素子のグランドパターンが、基板２００において信号の送受信に影響を与えないビア導体２７１及びビア導体２７３のグランドパターンに接続されないので、ビア導体２７１及びビア導体２７３を含むグランドパターンを介して受信端子Ｐ２４，Ｐ２５へ漏洩しにくくなる。
　また、各ビア導体２７１及び各ビア導体２７３は、それぞれ内部配線２７２，２７４を介さず直接的にグランド電極２６２Ａに接続されてもよい。これにより、上述の結合はさらに抑制される。
　ただし、高周波モジュール１００Ａは、仮想線９００及び仮想線９０１のいずれか一方の線にのみ沿って複数のビア導体が配置される態様であっても構わない。
　高周波モジュール１００Ａでは、複数のビア導体２７１及び複数のビア導体２７３が上述の結合を抑制したが、ビア導体以外の構成であっても上述の結合を抑制できる。
　例えば、図４（Ｃ）の断面図に示すように、高周波モジュール１００Ｂでは、基板２００内部においてＺ方向に延伸する複数のビア導体２８１と、Ｘ方向に隣り合う２つのビア導体２８１を互いに接続するワイヤボンディング２８２とを形成する。これにより、基板２００の下面側が開口したコの字形状の複数の導体２８３が形成される。
　このように、コの字形状の複数の導体２８３を基板２００に形成することで、基板２００の面方向に平行な方向であって、複数の導体２８３の配列方向（つまり、図４（ｃ）におけるｘ軸方向）と直交する方向が、各軸方向となる複数のインダクタが形成される。これにより、経路間の当該軸方向への結合はさらに生じにくくなる。
　次に、実施形態２に係る高周波モジュール１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅについて、図５～７を用いて説明する。図５は、高周波モジュール１００Ｃの回路例を示す図である。図６は、高周波モジュール１００Ｄの回路例を示す図である。図７は、基板２００に高周波モジュール１００Ｃ、及び１００Ｄを実装した場合の上面（素子実装面）図である。ただし、図５は、低域の信号の送受信を行う回路例であり、図６は、高域の信号の送受信を行う回路例である。
　高周波モジュール１００Ｃは、高周波モジュール１００に対して、ＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ　Ｓｙｓｔｅｍ　ｆｏｒ　Ｍｏｂｉｌｅ　Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ。登録商標。）規格で信号を送受信する低域送受信部３０と、低域送受信部４１０とを備えたものである。高周波モジュール１００Ｄは、高周波モジュール１００に対して、ＧＳＭ（登録商標。）規格で信号を送受信する高域送受信部２０と、高域送受信部４０とを備えたものである。高周波モジュール１００Ｅは、基板２００において、ＧＳＭ規格用の低域送受信部３０の回路構成を、ＬＴＥ規格用の低域送受信部１０の増幅回路１１の位置と、ＬＴＥ規格用の高域送受信部２０の増幅回路２１の位置との間に配置することで、増幅回路１１から出力された送信信号の高調波の増幅回路２１への漏洩を抑制する。高周波モジュール１００と重複する構成の説明は省略する。
　高周波モジュール１００Ｅは、高周波モジュール１００Ｃ及び高周波モジュール１００Ｅの実相体であり、ＬＴＥ規格用の低域送受信部１０と、ＬＴＥ規格用の高域送受信部２０と、ＧＳＭ規格用の低域送受信部３０と、ＧＳＭ規格用の高域送受信部４０とを備える。
　低域送受信部３０は、ＧＳＭ９００規格（９００ＭＨｚの帯域）で信号を送受信する。具体的には、低域送受信部３０は、図５に示すように、入力端子Ｐ３０と、増幅回路３１と、整合回路３２と、送信フィルタ３３と、ＳＡＷフィルタ３４と、を備える。
　増幅回路３１は、入力端子Ｐ３０に入力された信号を増幅する。増幅回路３１が増幅した信号は、整合回路３２を介して送信フィルタ３３に入力される。送信フィルタ３３は、ＧＳＭ９００規格の送信信号を通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。送信フィルタ３３の出力側は、メインスイッチ１６Ｃの個別端子Ｐ１６１に接続される。
　ＳＡＷフィルタ３４は、平衡－不平衡変換機能を有する。ＳＡＷフィルタ３４は、一方端がメインスイッチ１６Ｃの個別端子Ｐ１６２に接続され、平衡端子である他方端が受信端子Ｐ３４に接続される。受信端子Ｐ３４は、高周波モジュール１００Ｃが実現される基板以外のメイン基板の受信回路（不図示）に接続される。
　高域送受信部４０は、ＧＳＭ１８００（１，８００ＭＨｚの帯域）規格及びＧＳＭ１９００規格（１，９００ＭＨｚの帯域）で信号を送受信する。具体的には、高域送受信部４０は、図６に示すように、入力端子Ｐ４０と、増幅回路４１と、整合回路４２と、送信フィルタ４３と、ダイプレクサ４４と、を備える。
　増幅回路４１は、入力端子Ｐ４０に入力された信号を増幅する。増幅回路４１が増幅した信号は、整合回路４２を介して送信フィルタ４３に入力される。送信フィルタ４３は、ＧＳＭ１８００規格及びＧＳＭ１９００規格の送信信号の帯域を通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。送信フィルタ４３の出力側は、メインスイッチ２６Ｃの個別端子Ｐ２６１に接続される。
　ダイプレクサ４４は、ＳＡＷフィルタＳｒ４４１と、ＳＡＷフィルタＳｒ４４２とを備える。ＳＡＷフィルタＳｒ４４１は、ＧＳＭ１８００規格の受信信号の帯域を通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。ＳＡＷフィルタＳｒ４４１は、一方端がメインスイッチ２６Ｃの個別端子Ｐ２６２に接続され、他方端が受信端子Ｐ４４１に接続される。受信端子Ｐ４４１は、高周波モジュール１００Ｄが実現される基板以外のメイン基板の受信回路（不図示）に接続される。ＳＡＷフィルタＳｒ４４２は、ＧＳＭ１９００規格の受信信号の帯域を通過帯域とし、その他の帯域を減衰帯域とするフィルタである。ＳＡＷフィルタＳｒ４４２は、一方端がメインスイッチ２６Ｃの個別端子Ｐ２６３に接続され、他方端が受信端子Ｐ４４２に接続される。受信端子Ｐ４４２は、高周波モジュール１００Ｅが実現される基板以外のメイン基板の受信回路（不図示）に接続される。
　図７に示すように、高周波モジュール１００Ｅの基板２００は、領域２０１と、領域２０３Ａと、領域２０５と、領域２０７と、領域２０９と、領域２０６と、領域２０８と、を有す。
　領域２０３Ａは、図５の回路例に示すＧＳＭ規格の低域用の増幅回路３１を実現する各素子が配置される点において、領域２０３と相違する。具体的には、増幅回路３１は、領域２０１に跨るアンプ素子２１１と複数のチップ素子２１２とで実現される。
　領域２０８は、－Ｘ側かつ－Ｙ側の基板２００の隅に配置される。領域２０６は、基板２００において領域２０８の＋Ｙ側に配置される。
　領域２０６には、図６の回路例に示すＧＳＭ（登録商標）規格の高域用の増幅回路４１を実現する各素子が配置される。具体的には、領域２０６には、アンプ素子２９１と、複数のチップ素子２１２と、が配置される。アンプ素子２９１は、領域２０８に跨って配置される。増幅回路４１は、領域２０６において、アンプ素子２９１と複数のチップ素子２１２とで実現される。
　ＬＴＥ規格の高域用の増幅回路２１を実現する各素子は、領域２０８に配置される。具体的には、領域２０６に跨るアンプ素子２９１と複数のチップ素子２１２とが配置される。
　ＬＴＥ規格の低域用の増幅回路１１と、ＬＴＥ規格の高域用の増幅回路２１とは、ＧＳＭ（登録商標）規格の増幅回路３１，４１を介すので、増幅回路１１からサブスイッチ１３の共通端子Ｐ１３への経路Ｌと、増幅回路２１からサブスイッチ２３の共通端子Ｐ２３への経路Ｈ５との間に結合が生じにくくなる。従って、増幅回路１１から出力された送信信号の高調波は、経路Ｌと経路Ｈ５との結合、サブスイッチ２３、及びデュプレクサ２４，２５を順に介して受信端子Ｐ２４，Ｐ２５へ漏洩しにくくなる。ただし、ＬＴＥ規格の増幅回路１１と増幅回路２１とがＧＳＭ（登録商標）規格の増幅回路３１のみを介すだけであっても経路Ｌと経路Ｈ５との間に結合が生じることを抑制することができる。
１０…低域送受信部
２０…高域送受信部
１１，２１…増幅回路
１２，２２…整合回路
１３，２３…サブスイッチ
１４，１５，２４，２５…デュプレクサ
１６，１６Ｃ，２６，２６Ｃ…メインスイッチ
３０…低域送受信部
４０…高域送受信部
３１，４１…増幅回路
３２，４２…整合回路
３３，４３…送信フィルタ
３４…ＳＡＷフィルタ
４４…ダイプレクサ
１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅ…高周波モジュール
２００…基板
２１１，２９１…アンプ素子
２１２…チップ素子
２１３，２１４…スイッチＩＣ
２２１…制御ＩＣ
２５１…ＲＸ端子
２５２…ＴＸ端子
２６１，２６１Ａ…電極
２６２，２６２Ａ，２６２Ｂ…グランド電極
２７１，２７３…ビア導体
２７２，２７４…内部配線
２７５…ビア導体
２７６…内部配線
２８１…ビア導体
２８２…ワイヤボンディング
２８３…導体

Claims (7)

  1. 　第１帯域内の信号を送受信するように構成された第１送受信部と、
    　前記第１帯域より高い第２帯域内の信号を送受信するように構成された第２送受信部と、
    　が基板に配置された高周波モジュールであって、
    　前記第１送受信部は、第１アンテナに接続される第１アンテナ端子と、受信回路に接続される第１受信端子と、送信信号を増幅するように構成された第１増幅回路と、前記第１増幅回路が増幅した前記第１帯域内の送信信号を前記第１アンテナ端子へ通過させ、かつ前記第１アンテナ端子からの前記第１帯域内の受信信号を前記第１受信端子へ通過させるように構成された第１分波回路とを有し、
    　前記第２送受信部は、第２アンテナに接続される第２アンテナ端子と、受信回路に接続される第２受信端子と、送信信号を増幅するように構成された第２増幅回路と、前記第２増幅回路が増幅した前記第２帯域内の送信信号を前記第２アンテナ端子へ通過させ、かつ前記第２アンテナ端子からの前記第２帯域内の受信信号を前記第２受信端子へ通過させるように構成された第２分波回路とを有し、
    　前記基板において、前記第１分波回路の位置は、前記第１増幅回路の位置と前記第２分波回路の位置との間である、
    　高周波モジュール。
  2. 　複数の前記第１分波回路のうちのいずれか１つの第１分波回路と前記第１アンテナ端子との接続と、複数の前記第２分波回路のうちのいずれか１つの第２分波回路と前記第２アンテナ端子との接続と、を切り替えるように構成され、前記基板に配置されたスイッチ、をさらに備え、
    　前記基板において、前記第１分波回路の位置は、前記第１増幅回路の位置と前記スイッチの位置との間である、
    　請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 　前記基板において、前記第１増幅回路の位置は、前記基板の対角線の一方端側であり、
    　前記基板において、前記第２分波回路の位置は、前記対角線の他方端側である、
    　請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
  4. 　前記基板は、他の基板に実装されるための基板実装用電極を有する第１主面と、前記第１主面に対向する第２主面とを備え、
    　前記第２受信端子は、前記第１主面に配置され、
    　前記基板の平面視において、前記第２分波回路の領域と、前記第２受信端子の領域とは重複する、
    　請求項１～３のいずれかに記載の高周波モジュール。
  5. 　前記基板において前記第１増幅回路の位置と前記第２分波回路の位置との間に配置されるビア導体をさらに備える、
    　請求項１～４のいずれかに記載の高周波モジュール。
  6. 　前記第２分波回路は、前記第２増幅回路に接続される送信側端子と、前記第２受信端子に接続される受信側端子とを有し、
    　前記基板において、前記送信側端子の位置は、前記受信側端子の位置より前記第１増幅回路側である、
    　請求項１～５のいずれかに記載の高周波モジュール。
  7. 　前記基板において、複数の前記第２分波回路の各送信側端子の各位置は、各受信側端子の各位置より前記第１増幅回路側である、
    　請求項６に記載の高周波モジュール。
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