CN113381780A - 高频模块以及通信装置 - Google Patents

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Abstract

高频模块(10)具备：滤波部(20)，具有多个滤波器；开关部(30)，与滤波部(20)连接，具有切换多个滤波器中的使高频信号通过的滤波器的开关；放大部(50)，对通过滤波部(20)的高频信号进行放大；匹配部(40)，连接在滤波部(20)与放大部(50)之间，进行放大部(50)的阻抗匹配；以及多层基板(100)，设置有滤波部(20)、开关部(30)、放大部(50)以及匹配部(40)，匹配部(40)设置于多层基板(100)的一个主面(101)，放大部(50)设置于多层基板(100)的另一个主面(102)或者内层，开关部(30)设置于与设置有放大部(50)的另一个主面(102)或者内层不同的一个主面(101)或者内层。

Description

高频模块以及通信装置
本申请是申请号为201880017985.5、申请日为2018年3月1日、发明名称为“高频模块以及通信装置”的申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及高频模块以及通信装置。
背景技术
以往，作为搭载于移动体通信器等的高频模块，例如，公开有在基板的一个主面安装有匹配元件等芯片部件，并在基板的另一个主面安装有半导体芯片部件的模块，在该半导体芯片部件设置有由多个开关构成的开关部以及由多个放大器构成的放大部等(例如，参照专利文献1)。
专利文献1:日本专利第5773082号公报
然而，在上述专利文献1中，在半导体芯片部件中根据设置有开关部以及放大部的位置，存在开关部和放大部的隔离特性劣化的情况。例如，在来自开关部的输出被输入至放大部并被放大的情况下，开关部与放大部的隔离特性劣化，从而有放大部的输出返回至开关部的输出，而信号振荡的情况。
发明内容
因此，本发明是为了解决上述课题而完成的，目的在于提供一种能够改善隔离特性的高频模块以及通信装置。
为了实现上述目的，本发明的一个方式的高频模块具备：滤波部，具有多个滤波器；开关部，与上述滤波部连接，具有切换上述多个滤波器中的使高频信号通过的滤波器的开关；放大部，对通过上述滤波部的高频信号进行放大；匹配部，连接在上述滤波部与上述放大部之间，进行上述放大部的阻抗匹配；以及多层基板，设置有上述滤波部、上述开关部、上述放大部以及上述匹配部，上述匹配部设置于上述多层基板的一个主面，上述放大部设置于上述多层基板的另一个主面或者内层，上述开关部设置于与设置有上述放大部的上述另一个主面或者内层不同的上述一个主面或者内层。
由此，由于开关部和放大部分别设置于多层基板中的不同层或者不同主面，相应地开关部与放大部的距离远离地设置，所以能够改善开关部与放大部的隔离特性。
另外，也可以在俯视上述多层基板时，上述开关部的至少一部分与上述放大部的至少一部分重叠。
由此，多层基板的俯视形状变小，而能够使高频模块小型化。
另外，上述开关部也可以具有连接在上述滤波部与上述匹配部之间的第一开关。
由此，能够以可切换的方式连接通过滤波部的多个路径和连接于匹配部的一个路径。
另外，也可以上述高频模块还具备在上述多层基板中与上述开关部分立地设置的第二开关，上述滤波部具有将第一频带组所包含的频带设为通带的多个第一滤波器、以及将作为与上述第一频带组不同的频带组的第二频带组所包含的频带设为通带的多个第二滤波器，上述放大部具有对通过上述多个第一滤波器的高频信号进行放大的第一放大器、以及对通过上述多个第二滤波器的高频信号进行放大的第二放大器，上述匹配部具有连接在上述第一开关与上述第一放大器之间的第一匹配元件、以及连接在上述第二开关与上述第二放大器之间的第二匹配元件，上述第一开关连接在上述多个第一滤波器与上述第一匹配元件之间，上述第二开关连接在上述多个第二滤波器与上述第二匹配元件之间。
由此，第一频带组所包含的频带的高频信号通过由第一滤波器、第一开关、第一匹配元件以及第一放大器依次连接而成的第一路径，第二频带组所包含的频带的高频信号通过由第二滤波器、第二开关、第二匹配元件以及第二放大器依次连接而成的第二路径。此时，由于第一开关和第二开关分立设置，所以能够改善第一路径与第二路径的隔离特性。
另外，也可以上述开关部具有第三开关，该第三开关与和连接有上述匹配部的上述滤波部中的一个输入输出端不同的另一个输入输出端连接。
由此，例如，能够以可切换的方式连接连接于天线元件等的一个路径和通过滤波部的多个路径。
另外，也可以上述高频模块还具备：第四开关，在上述多层基板中与上述开关部分立设置，切换发送路径和接收路径；以及输入输出端子，设置于上述另一个主面，并与上述第四开关连接，上述第四开关设置于构成上述多层基板的多个层中的上述另一个主面侧的层。
由此，由于第四开关设置于设置有输入输出端子的另一个主面侧，所以能够缩短连接第四开关和输入输出端子的布线的布线长度，而能够抑制传输损失。
另外，也可以上述滤波部设置于上述一个主面，上述开关部设置于构成上述多层基板的多个层中的上述一个主面侧的层。
由此，由于开关部设置于设置有滤波部的一个主面侧，所以能够缩短连接开关部与滤波部的布线的布线长度，而能够抑制传输损失。
另外，本发明的一个方式的高频模块具备：滤波部，具有多个滤波器；开关部，与上述滤波部连接，具有切换上述多个滤波器中的使高频信号通过的滤波器的开关；放大部，对通过上述滤波部的高频信号进行放大；匹配部，连接在上述滤波部与上述放大部之间，进行上述放大部的阻抗匹配；以及多层基板，设置有上述滤波部、上述开关部、上述放大部以及上述匹配部，上述开关部和上述放大部由一个半导体芯片部件形成，上述一个半导体芯片部具有通过地线分隔出的第一区域和第二区域，上述放大部设置于上述第一区域，上述开关部设置于上述第二区域，上述匹配部设置于上述多层基板的一个主面，上述一个半导体芯片部件设置于上述多层基板的另一个主面或者内层。
由此，由于开关部和放大部分别设置于被地线分隔开的区域，所以能够改善开关部与放大部的隔离特性。
另外，也可以上述放大部与上述匹配部的距离比上述放大部与上述开关部的距离大。
由此，由于放大部和匹配部比放大部与开关部的距离远离地设置(换言之，放大部与匹配部的距离远离)，所以能够改善放大部与匹配部的隔离特性。
另外，本发明的一个方式的通信装置具备：RF信号处理电路，对通过天线元件收发的高频信号进行处理；以及上述的高频模块，在上述天线元件与上述RF信号处理电路之间传递上述高频信号。
由此，能够提供一种能够改善隔离特性的通信装置。
根据本发明的高频模块以及通信装置，能够改善隔离特性。
附图说明
图1是表示实施方式1的高频模块的一个例子的电路结构图。
图2是表示实施方式1的高频模块的一个例子的剖视图。
图3是表示实施方式2的高频模块的一个例子的剖视图。
图4是表示实施方式3的高频模块的一个例子的剖视图。
图5是表示实施方式4的高频模块的一个例子的剖视图。
图6是表示实施方式5的高频模块的一个例子的剖视图。
图7是表示实施方式6的高频模块的一个例子的剖视图。
图8是表示实施方式7的高频模块的一个例子的剖视图。
图9A是表示实施方式7的半导体芯片部件的一个例子的顶视图。
图9B是表示实施方式7的半导体芯片部件的一个例子的剖视图。
图10是表示实施方式8的通信装置的一个例子的结构图。
具体实施方式
以下，使用实施例以及附图对本发明的实施方式进行详细说明。此外，以下说明的实施方式均表示概括性或者具体的例子。在以下的实施方式中示出的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等是一个例子，不旨限定本发明。对于以下的实施方式中的构成要素中的未记载于独立权利要求的构成要素，作为任意的构成要素来说明。另外，附图中示出的构成要素的大小未必是严格的。另外，在各图中，有对于实质相同的结构标注相同的附图标记，并省略或者简化重复的说明的情况。
(实施方式1)
[1.高频模块的电路结构]
图1是表示实施方式1的高频模块10的一个例子的电路结构图。在图1中，除了高频模块10以外，还示有天线元件ANT1以及ANT2。天线元件ANT1以及ANT2是收发高频信号的例如依据LTE(Long Term Evolution：长期演进)等通信标准的多频段兼容的天线。
高频模块10例如是配置于多模/多频段兼容的移动电话的前端部的模块。高频模块10例如内置于依据LTE等通信标准的多频段兼容的移动电话。
高频模块10具备：滤波部20，具有多个滤波器；开关部30，与滤波部20连接；放大部50，对通过滤波部20的高频信号进行放大；以及匹配部40，连接在滤波部20与放大部50之间，进行放大部50的阻抗匹配。另外，高频模块10具备第四开关70、以及第二开关60。此外，对于详细内容后述，高频模块10具备多层基板100，且第四开关70、开关部30、滤波部20、第二开关60、匹配部40以及放大部50设置于多层基板100(参照图2等)。
滤波部20具有由表面声波(SAW：Surface Acoustic Wave)谐振器、体声波(BAW：Bulk Acoustic Wave)谐振器或者FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator)等构成的多个滤波器。滤波部20作为多个滤波器，具有多个第一滤波器21a和21b以及多个第二滤波器22a～22c。此外，第一滤波器21a和21b、以及第二滤波器22a～22c也可以由LC谐振电路等构成。第一滤波器21a和21b、以及第二滤波器22a～22c在为由SAW谐振器构成的SAW滤波器的情况下，具备基板和IDT(InterDigital Transducer：叉指)电极。基板是至少在表面具有压电性的基板。基板例如也可以在表面具备压电薄膜，并由声速与该压电薄膜不同的膜、以及支承基板等的层叠体构成。该基板例如也可以是包含高声速支承基板、形成在高声速支承基板上的压电薄膜的层叠体；包含高声速支承基板、形成在高声速支承基板上的低声速膜以及形成在低声速膜上的压电薄膜的层叠体；或者包含支承基板、形成在支承基板上的高声速膜、形成在高声速膜上的低声速膜、以及形成在低声速膜上的压电薄膜的层叠体。另外，基板也可以在基板整体具有压电性。在这里，第一滤波器21a和21b、以及第二滤波器22a～22c由表面声波谐振器构成。由此，由于能够利用形成在至少在表面具有压电性的基板上的IDT电极来构成第一滤波器21a和21b、以及第二滤波器22a～22c，所以能够实现具有陡峭度较高的通过特性的小型并且薄型的滤波部20。
第一滤波器21a以及21b是将第一频带组所包含的频带设为通带的滤波器，第二滤波器22a～22c是将作为与第一频带组不同的频带组的第二频带组所包含的频带设为通带的滤波器。第一频带组以及第二频带组例如是LB(Low Band：低频段)、MB(Middle Band：中频段)以及HB(High Band：高频段)等。例如，若着眼于LB进行说明，则LB所包含的频带为LTE的Band8、12、13、26等频带。例如，在第一频带组为LB的情况下，第一滤波器21a是将Band8、12、13、26等中的任意一个设为通带的滤波器，第一滤波器21b是将Band8、12、13、26等中的其它的任意一个设为通带的滤波器。
开关部30具有与滤波部20连接，切换多个滤波器中的使高频信号通过的滤波器的开关。开关部30作为该开关具有第一开关31以及第三开关32。第一开关31连接在滤波部20与匹配部40(后述的第一匹配元件41)之间，以能够切换的方式连接通过滤波部20的多个路径(通过第一滤波器21a以及21b的路径)中的一个路径和连接于匹配部40的一个路径。第三开关32与和连接有匹配部40的滤波部20中的一个输入输出端不同的另一个输入输出端连接。第三开关32以能够切换的方式连接经由第四开关70与天线元件ANT1或者ANT2等连接的一个路径、和通过滤波部20的多个路径(通过第一滤波器21a和21b、以及第二滤波器22a～22c的路径)中的一个。
第二开关60连接在滤波部20与匹配部40(后述的第二匹配元件42)之间，以能够切换的方式连接通过滤波部20的多个路径(通过第二滤波器22a～22c的路径)和连接于匹配部40的一个路径。
第四开关70是切换发送路径和接收路径的开关，与高频模块10的输入输出端子(例如后述的图6所示的输入输出端子120)连接。在本实施方式中，将通过高频模块10的路径设为接收路径。该输入输出端子例如与天线元件ANT1、ANT2以及发送(Tx)路径等连接。例如，天线元件ANT1是发送以及接收共享的天线，天线元件ANT2是接收用的天线。通过第四开关70，接收路径(高频模块10)与天线元件ANT1或者天线元件ANT2连接、或发送路径与天线元件ANT1连接。
放大部50具有对通过第一滤波器21a以及21b的高频信号进行放大的第一放大器51、以及对通过第二滤波器22a～22c的高频信号进行放大的第二放大器52。换句话说，第一放大器51对第一频带组所包含的频带的高频信号进行放大，第二放大器52对第二频带组所包含的频带的高频信号进行放大。在本实施方式中，第一放大器51以及第二放大器52是对高频接收信号进行放大的低噪声放大器。此外，第一放大器51以及第二放大器52并不局限于低噪声放大器，例如，也可以是对高频发送信号进行放大的功率放大器。
匹配部40具有连接在第一开关31与第一放大器51之间的第一匹配元件41、以及连接在第二开关60与第二放大器52之间的第二匹配元件42。第一匹配元件41进行第一开关31与第一放大器51的阻抗匹配，第二匹配元件42进行第二开关60与第二放大器52的阻抗匹配。第一匹配元件41以及第二匹配元件42例如也可以是电感器或者电容器等电子部件，另外，也可以通过布线等形成。
此外，通过高频模块10所具备的控制部(未图示)或者RF信号处理电路(RFIC)，切换第一开关31、第二开关60、第三开关32以及第四开关70的每一个的连接。第一开关31、第二开关60、第三开关32以及第四开关70例如是由GaAs或CMOS(Complementary Metal OxideSemiconductor：互补金属氧化物半导体)构成的FET(Field Effect Transistor：场效应晶体管)开关、或者二极管开关。
此外，在本实施方式中，高频模块10也可以不具备第二开关60以及第四开关70。在高频模块10不具备第二开关60的情况下，滤波部20也可以不具备第二滤波器22a～22c，匹配部40也可以不具备第二匹配元件42，放大部50也可以不具备第二放大器52。
[2.高频模块的构造]
接下来，使用图2对高频模块10的构造进行说明。
图2是表示实施方式1的高频模块10的一个例子的剖视图。此外，在图2中，省略第二开关60以及第四开关70的图示。
高频模块10具备多层基板100，开关部30、滤波部20、匹配部40以及放大部50设置于多层基板100。多层基板100例如是印刷电路基板或者LTCC(Low Temperature Co－firedCeramics：低温共烧陶瓷)基板等。多层基板100具有一个主面101以及另一个主面102，从一个主面101侧朝向另一个主面102侧由内层103～105构成。换句话说，构成多层基板100的多个层中的一个主面101侧的层例如是内层103，另一个主面102侧的层例如是内层105。此外，构成多层基板100的层数并不局限于内层103～105的3层，也可以是2层或者4层以上。
匹配部40设置于多层基板100的一个主面101。匹配部40也可以作为电子部件安装于多层基板100的一个主面101，也可以作为布线形成于一个主面101。滤波部20例如设置于一个主面101。设置于多层基板100的一个主面101的滤波部20以及匹配部40用树脂110(环氧树脂等)树脂密封。滤波部20以及匹配部40用树脂110树脂密封从而被保护，而能够提高滤波部20以及匹配部40的可靠性。此外，在图2中，多层基板100的一个主面101整体被树脂110覆盖，但例如也可以用底部填充剂等树脂仅树脂密封滤波部20或者匹配部40。进一步，也可以在树脂110上形成屏蔽电极。由此，能够抑制外部噪声向高频模块10的侵入、或抑制从高频模块10放射的噪声的扩散。
放大部50设置于多层基板100的另一个主面102或者内层。在本实施方式中，放大部50设置于内层105。放大部50例如由芯片部件构成。
开关部30设置于与设置有放大部50的另一个主面102或者内层不同的一个主面101或者内层。在放大部50设置于另一个主面102的情况下，开关部30设置于一个主面101或者多层基板100的内层的任意一个。在放大部50设置于内层的情况下，开关部30设置于与设置有一个主面101或者放大部50的层不同的层。在本实施方式中，开关部30设置于作为与设置有放大部50的内层105不同的层的内层104。开关部30例如由芯片部件构成。
像这样，在本实施方式中，开关部30和放大部50分别由不同的芯片部件构成，并设置于多层基板100中的不同的层。
另外，在本实施方式中，如图2所示的那样，在多层基板100中将放大部50和匹配部40设置为放大部50与匹配部40的距离t1大于放大部50与开关部30的距离t2。具体而言，匹配部40设置于多层基板100中的一个主面101，放大部50设置于比设置有开关部30的内层104靠另一个主面102侧的层(内层105)。理由是因为如图1所示，匹配部40与开关部30相比，连接在放大部50侧，与开关部30相比从放大部50朝向匹配部40的信号的反馈量可能增多。
[3.效果等]
如以上说明的那样，在实施方式1的高频模块10中，开关部30和放大部50分别设置于多层基板100中的不同层或者不同主面，相应地开关部30与放大部50的距离远离地设置，所以能够改善开关部30与放大部50的隔离特性。
另外，匹配部40设置于多层基板100中的一个主面101，放大部50设置于多层基板100中的内层或者另一个主面102，相应地放大部50与匹配部40的距离远离地设置，所以能够进一步改善放大部50与匹配部40的隔离特性，而能够抑制放大部50的输出返回到匹配部40的输出而信号振荡。
(实施方式2)
使用图3对实施方式2进行说明。此外，由于实施方式2的高频模块11的电路结构与实施方式1的高频模块10的电路结构相同，所以省略说明。
图3是表示实施方式2的高频模块11的一个例子的剖视图。此外，在图3中，省略第二开关60以及第四开关70的图示。实施方式2的高频模块11的构造在开关部30的至少一部分与放大部50的至少一部分在多层基板100的俯视时重叠的点，与实施方式1的高频模块10的构造不同。其他的点与实施方式1中的高频模块10相同。此外，在开关部30的俯视形状比放大部50的俯视形状大的情况下，也可以在多层基板100的俯视时放大部50与开关部30完全重叠。另外，在开关部30的俯视形状比放大部50的俯视形状小的情况下，也可以在多层基板100的俯视时开关部30与放大部50完全重叠。
根据本实施方式的结构，多层基板100的俯视形状减小，能够使高频模块11小型化。
此外，优选在内层104与内层105之间，设置有地线层。由此，由于从放大部50泄漏的信号被地线层阻挡而难以到达开关部30，所以能够改善开关部30与放大部50的隔离特性。
(实施方式3)
使用图4对实施方式3进行说明。此外，由于实施方式3的高频模块12的电路结构与实施方式1的高频模块10的电路结构相同，所以省略说明。
图4是表示实施方式3的高频模块12的一个例子的剖视图。此外，在图4中，省略第二开关60以及第四开关70的图示。实施方式3的高频模块12的构造在开关部30被设置于构成多层基板100的多个层中的一个主面101侧的层(例如内层103)的点与实施方式2的高频模块11的构造不同。其他的点与实施方式2中的高频模块11相同。此外，所谓的构成多层基板100的多个层中的一个主面101侧的层，是在多层基板100的厚度方向上的比中央靠一个主面101侧的层。
根据本实施方式的结构，由于开关部30设置于设置有滤波部20的一个主面101侧，所以能够缩短连接开关部30(第一开关31以及第三开关32)和滤波部20(第一滤波器21a和21b、以及第二滤波器22a～22c)的各布线的布线长度，并能够抑制传输损失。
(实施方式4)
使用图5对实施方式4进行说明。此外，由于实施方式4的高频模块13的电路结构与实施方式1的高频模块10的电路结构相同，所以省略说明。
图5是表示实施方式4的高频模块13的一个例子的剖视图。此外，图5省略第四开关70的图示。实施方式4的高频模块13的构造在第二开关60在多层基板100中与开关部30分立设置的点与实施方式3的高频模块12的构造不同。其他的点与实施方式3中的高频模块12相同。例如，第二开关60由与开关部30不同的芯片部件构成。
如图1所示，第一频带组所包含的频带的高频信号通过由第一滤波器21a和21b、第一开关31、第一匹配元件41以及第一放大器51依次连接而成的第一路径，第二频带组所包含的频带的高频信号通过由第二滤波器22a～22c、第二开关60、第二匹配元件42以及第二放大器52依次连接而成的第二路径。此时，由于第一开关31(开关部30)与第二开关60分立设置，所以能够改善第一路径与第二路径的隔离特性。
另外，在本实施方式中，第二开关60设置于构成多层基板100的多个层中的一个主面101侧的层(例如内层103)。由此，由于第二开关60设置于设置有滤波部20的一个主面101侧，所以能够缩短连接第二开关60和滤波部20(第二滤波器22a～22c)的各布线的布线长度，而能够抑制传输损失。
(实施方式5)
使用图6对实施方式5进行说明。此外，由于实施方式5的高频模块14的电路结构与实施方式1的高频模块10的电路结构相同，所以省略说明。
图6是表示实施方式5的高频模块14的一个例子的剖视图。实施方式5的高频模块14的构造在第四开关70在多层基板100上与开关部30分立设置，与第四开关70连接的输入输出端子120(例如，电镀或铜膏等的电极或者焊料等)设置于另一个主面102的点与实施方式4的高频模块13的构造不同。其他的点与实施方式4中的高频模块13相同。例如，第四开关70由与开关部30不同的芯片部件构成。第四开关70设置于构成多层基板100的多个层中的另一个主面102侧的层(内层105)。此外，所谓的构成多层基板100的多个层中的另一个主面102侧的层是处于多层基板100的厚度方向上的比中央靠另一个主面102侧的层。由此，由于第四开关70设置于设置有输入输出端子120的另一个主面102侧，所以能够缩短连接第四开关70和输入输出端子120的各布线的布线长度，而能够抑制传输损失。
(实施方式6)
使用图7对实施方式6进行说明。此外，由于实施方式6的高频模块15的电路结构与实施方式1的高频模块10的电路结构相同，所以省略说明。
图7是表示实施方式6的高频模块15的一个例子的剖视图。实施方式6的高频模块15的构造在第四开关70以及放大部50被设置于另一个主面102，并用树脂110树脂密封的点与实施方式5的高频模块14的构造不同。另外，在本实施方式中，输入输出端子120例如是铜销或者铜柱等，并设置于多层基板100的一端侧和另一端侧。在其他的点，与实施方式5中的高频模块14相同。第四开关70以及放大部50用树脂110树脂密封从而被保护，而能够提高第四开关70以及放大部50的可靠性。此外，在图7中，多层基板100的另一个主面102整体被树脂110覆盖，但例如，也可以用底部填充剂等树脂仅树脂密封第四开关70或者放大部50。在树脂密封后，也可以对树脂110、输入输出端子120、第四开关70以及放大部50进行研磨。由此，能够实现高频模块15的进一步的薄型化。进一步，也可以在树脂110上形成屏蔽电极。由此，能够抑制外部噪声向高频模块15的侵入、或抑制从高频模块15放射的噪声的扩散。
(实施方式7)
使用图8～图9B对实施方式7进行说明。此外，由于实施方式7的高频模块16的电路结构与实施方式1的高频模块10的电路结构相同，所以省略说明。
图8是表示实施方式7的高频模块16的一个例子的剖视图。实施方式7的高频模块16的构造在开关部30和放大部50由一个半导体芯片部件130形成的点与实施方式1的高频模块10的构造不同。其他的点与实施方式1中的高频模块10相同。半导体芯片部件130设置于多层基板100的另一个主面102或者内层。在本实施方式中，半导体芯片部件130设置于内层105。
图9A是表示实施方式7的半导体芯片部件130的一个例子的顶视图。图9B是表示实施方式7的半导体芯片部件130的一个例子的剖视图。此外，图9B是图9A中的半导体芯片部件130的IXB－IXB剖视图。
如图9A以及图9B所示，半导体芯片部件130具有由地线140分隔出的第一区域131和第二区域132，放大部50设置于第一区域131，开关部30设置于第二区域132。此外，在图9A以及图9B中，示有用于开关部30以及放大部50的控制等的电源电路以及逻辑电路等电路部件150。电路部件150例如设置于设置有开关部30的第二区域132。
第一区域131和第二区域132被地线140分隔，从设置于第一区域131的放大部50泄漏的信号被地线140阻挡，而难以到达设置于第二区域132的开关部30，所以能够改善开关部30与放大部50的隔离特性。
另外，在本实施方式中，在多层基板100中将放大部50和匹配部40设置为放大部50与匹配部40的距离大于放大部50与开关部30的距离。具体而言，在多层基板100中将半导体芯片部件130和匹配部40设置为设置于半导体芯片部件130的放大部50与设置于一个主面101的匹配部40的距离大于半导体芯片部件130中的放大部50与开关部30的距离。由此，能够进一步改善放大部50与匹配部40的隔离特性，而能够抑制放大部50的输出返回至匹配部40的输出而信号振荡。
(实施方式8)
使用图10对实施方式8进行说明。在上述实施方式中说明的高频模块能够应用于通信装置。
图10是表示实施方式8的通信装置1的一个例子的结构图。在图10中，示有高频模块10、天线元件ANT1和ANT2、以及RF信号处理电路(RFIC)80。高频模块10以及RFIC80构成通信装置1。此外，天线元件ANT1以及ANT2也可以内置于通信装置1。
高频模块10是在天线元件ANT1以及ANT2与RFIC80之间传递高频信号的电路。RFIC80是对通过天线元件ANT1以及ANT2收发的高频信号进行处理的RF信号处理电路。具体而言，RFIC80通过降频转换等，对从天线元件ANT1以及ANT2经由高频模块10输入的高频信号进行信号处理，并将通过该信号处理生成的接收信号输出至基带信号处理电路(未图示)。
通信装置1由于具备高频模块10，所以能够提供能够改善隔离特性的通信装置1。
此外，通信装置1具备高频模块10，但也可以具备高频模块11～16的任意一个。
(其他实施方式)
以上，举出上述实施方式对本发明的实施方式的高频模块以及通信装置进行了说明，但本发明并不限于上述实施方式。将上述实施方式中的任意的构成要素组合而实现的其它的实施方式、在不脱离本发明的主旨的范围内对上述实施方式实施本领域技术人员想到的各种变形而获得的变形例也包含于本发明。
例如，在上述实施方式中，开关部30作为与滤波部20连接的开关，具有第一开关31以及第三开关32双方，但也可以仅具有第一开关31以及第三开关32的任意一个。在开关部30不具有第一开关31的情况下，匹配部40以及放大部50也可以为每个第一滤波器21a以及21b具有匹配元件以及放大器。
另外，例如，在上述实施方式中，开关部30设置于多层基板100的内层，但也可以设置于一个主面101。
另外，例如，在实施方式1以及2中，滤波部20也可以设置于多层基板100的内层。
另外，例如，图1所示的构成滤波部20的滤波器的个数、构成匹配部40的匹配元件的个数、以及构成放大部50的放大器的个数是一个例子，并不限于这些个数。
本发明作为能够应用于多频段系统的高频模块以及通信装置，能够广泛利用于移动电话等通信设备。
附图标记说明
1…通信装置；10～16…高频模块；20…滤波部；21a、21b…第一滤波器；22a～22c…第二滤波器；30…开关部；31…第一开关；32…第三开关；40…匹配部；41…第一匹配元件；42…第二匹配元件；50…放大部；51…第一放大器；52…第二放大器；60…第二开关；70…第四开关；80…RF信号处理电路(RFIC)；100…多层基板；101…一个主面；102…另一个主面；103～105…内层；110…树脂；120…输入输出端子；130…半导体芯片部件；131…第一区域；132…第二区域；140…地线；150…电路部件；ANT1、ANT2…天线元件。

Claims (25)

1.一种射频模块，具备：
基板，具有第一主面和与上述第一主面相对的第二主面；
上述基板上的第四开关(70)，上述第四开关具有与第一天线连接的第一端子、与第二天线连接的第二端子以及与上述第一端子或上述第二端子连接的第三端子；
上述基板上的第三开关(32)，上述第三开关具有与上述第三端子连接的第四端子和与上述第四端子连接的第五端子；
上述基板上的第一滤波器，上述第一滤波器与上述第五端子连接；
上述基板上的第一匹配电路元件，上述第一匹配电路元件与上述第一滤波器连接；以及
上述基板上的第一放大器，上述第一放大器与上述匹配电路元件连接，其中，
上述第一匹配电路元件在上述第一主面上，并且
上述第一放大器在上述第二主面上。
2.根据权利要求1所述的射频模块，还具备：
半导体芯片部件，其中，
上述半导体芯片部件具备上述第一放大器，并且
当从垂直于上述基板的上述第一主面的方向观察上述基板时，上述半导体芯片部件至少部分地与上述第一匹配电路元件重叠。
3.根据权利要求2所述的射频模块，其中，当从垂直于上述基板的上述第一主面的方向观察上述基板时，上述半导体芯片部件至少部分地与上述第一滤波器重叠。
4.根据权利要求3所述的射频模块，其中，上述半导体芯片部件还具备上述第三开关。
5.根据权利要求4所述的射频模块，其中，
上述半导体芯片部件还具备接地电极，并且
上述接地电极物理上布置在上述半导体芯片部件中的上述第三开关与上述第一放大器之间。
6.根据权利要求4所述的射频模块，其中，上述第一放大器为低噪声放大器。
7.根据权利要求6所述的射频模块，其中，上述第一匹配电路元件为芯片式电感器。
8.根据权利要求3所述的射频模块，其中，
上述第三开关还具有与上述第三端子连接的第六端子，
上述射频模块还具备：
上述基板上的第二放大器；
上述基板上的第二滤波器，上述第二滤波器连接在上述第三开关的上述第六端子与上述第二放大器之间；以及
上述基板上的第二匹配电路元件，上述第二匹配电路元件连接在上述第二滤波器与上述第二放大器之间，
上述第二滤波器和上述第二匹配电路元件在上述第一主面上，并且
上述半导体芯片部件还具备上述第二放大器。
9.根据权利要求8所述的射频模块，其中，当从垂直于上述基板的上述第一主面的方向观察上述基板时，上述半导体芯片部件至少部分地与上述第二匹配电路元件重叠。
10.根据权利要求9所述的射频模块，其中，当从垂直于上述基板的上述第一主面的方向观察上述基板时，上述半导体芯片部件至少部分地与上述第二滤波器重叠。
11.根据权利要求10所述的射频模块，其中，上述半导体芯片部件还具备上述第三开关。
12.根据权利要求11所述的射频模块，其中，上述第四开关在上述基板的上述第二主面上。
13.根据权利要求12所述的射频模块，其中，上述第一放大器和上述第二放大器为低噪声放大器。
14.根据权利要求13所述的射频模块，其中，上述第一匹配电路元件和上述第二匹配电路元件为芯片式电感器。
15.根据权利要求1所述的射频模块，其中，
上述第一过滤器在上述第一主面上，并且
上述第四开关和上述第三开关在上述第二主面上。
16.根据权利要求15所述的射频模块，其中，
上述第三开关还具有与上述第三端子连接的第六端子，
上述射频模块还具备：
上述基板上的第二放大器；
上述基板上的第二滤波器，上述第二滤波器连接在上述第三开关的上述第六端子与上述第二放大器之间；以及
上述基板上的第二匹配电路元件，上述第二匹配电路元件连接在上述第二滤波器与上述第二放大器之间，
上述第二滤波器和上述第二匹配电路元件在上述第一主面上，并且
上述第二放大器在上述第二主面上。
17.根据权利要求16所述的射频模块，其中，上述第一放大器和上述第二放大器为低噪声放大器。
18.根据权利要求17所述的射频模块，其中，上述第一匹配电路元件和上述第二匹配电路元件为芯片式电感器。
19.一种射频模块，具备：
基板，具有第一主面和与上述第一主面相对的第二主面；
上述基板上的第四开关，上述第四开关具有与第一天线连接的第一端子、与第二天线连接的第二端子以及与上述第一端子或上述第二端子连接的第三端子；
上述基板上的第三开关，上述第三开关具有与上述第三端子连接的第四端子和与上述第四端子连接的第五端子；
上述基板上的第一滤波器，上述第一滤波器与上述第五端子连接；
上述基板上的第一匹配电路元件，上述第一匹配电路元件与上述第一滤波器连接；以及
上述基板上的第一放大器，上述第一放大器与上述匹配电路元件连接，其中，
上述第一匹配电路元件在上述第一主面上，并且
上述第三开关在上述第二主面上。
20.根据权利要求19所述的射频模块，还具备：
半导体芯片部件，其中，
上述半导体芯片部件具备上述第三开关，并且
当从垂直于上述基板的上述第一主面的方向观察上述基板时，上述半导体芯片部件至少部分地与上述第一匹配电路元件重叠。
21.根据权利要求20所述的射频模块，其中，
上述半导体芯片部件还具备接地电极，并且
上述接地电极物理上布置在上述半导体芯片部件中的上述第三开关与上述第一放大器之间。
22.根据权利要求20所述的射频模块，其中，当从垂直于上述基板的上述第一主面的方向观察上述基板时，上述半导体芯片部件至少部分地与上述第一滤波器重叠。
23.根据权利要求22所述的射频模块，其中，上述第四开关在上述基板的上述第一主面上。
24.根据权利要求23所述的射频模块，其中，
上述第一放大器和上述第二放大器为低噪声放大器，并且
上述第一匹配电路元件和上述第二匹配电路元件为芯片式电感器。
25.一种射频模块，具备：
基板，具有第一主面和与上述第一主面相对的第二主面；
上述基板上的第四开关，上述第四开关具有与第一天线连接的第一端子、与第二天线连接的第二端子以及与上述第一端子或上述第二端子连接的第三端子；
上述基板上的第三开关，上述第三开关具有与上述第三端子连接的第四端子和与上述第四端子连接的第五端子；以及
上述基板上的滤波器，上述滤波器与上述第五端子连接，其中，
上述过滤器在上述第一主面上，并且
上述第四开关和上述第三开关在上述第二主面上。
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