JP2021072583A - 高周波モジュール及び通信装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ローノイズアンプのＮＦを小さくする。【解決手段】高周波モジュール１は、実装基板５と、ローノイズアンプ２２と、受信用フィルタ３２と、入力整合回路４２とを備える。ローノイズアンプ２２は、実装基板５に実装されている。受信用フィルタ３２は、ローノイズアンプ２２に接続されている。入力整合回路４２は、受信用フィルタ３２とローノイズアンプ２２との間の信号経路に設けられている。入力整合回路４２は、少なくとも１つのインダクタＬ１を含む。受信用フィルタ３２は、ローノイズアンプ２２上に配置されている。入力整合回路４２のインダクタＬ１は、ローノイズアンプ２２に隣接している。【選択図】図２

Description

本発明は、一般に高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には、受信用フィルタ及びローノイズアンプを備える高周波モジュール、及び、高周波モジュールを備える通信装置に関する。

従来、受信用フィルタ及びローノイズアンプを備える高周波モジュールが知られている（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１に記載された高周波モジュールは、ＳＡＷフィルタ（受信用フィルタ）と、ローノイズアンプと、インダクタのような表面実装部品とを備える。特許文献１に記載された高周波モジュールでは、ＳＡＷフィルタが実装基板上に配置されており、ローノイズアンプがＳＡＷフィルタ上に配置されている。表面実装部品は、実装基板上に配置されている。特許文献１に記載された高周波モジュールでは、ワイヤボンディングを用いて、インダクタのような表面実装部品が、ＳＡＷフィルタ上に配置されているローノイズアンプと電気的に接続されている。

米国特許出願公開第２０１９／０１１５３０９号明細書

特許文献１に記載された従来の高周波モジュールでは、上述したように、実装基板上に配置されているインダクタが、受信用フィルタ上に配置されているローノイズアンプと電気的に接続されている。

このため、インダクタとローノイズアンプとの間の配線長が長くなり、インダクタとローノイズアンプとの間に寄生容量が発生しやすい。上記寄生容量が発生することにより、従来の高周波モジュールでは、ローノイズアンプのＮＦ（Noise Factor：雑音指数）が大きくなることがある。

本発明は上記の点に鑑みてなされた発明であり、本発明の目的は、ローノイズアンプのＮＦを小さくすることができる高周波モジュール及び通信装置を提供することにある。

本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、ローノイズアンプと、受信用フィルタと、入力整合回路とを備える。前記ローノイズアンプは、前記実装基板に実装されている。前記受信用フィルタは、前記ローノイズアンプに接続されている。前記入力整合回路は、前記受信用フィルタと前記ローノイズアンプとの間の信号経路に設けられており、少なくとも１つのインダクタを含む。前記受信用フィルタは、前記ローノイズアンプ上に配置されている。前記入力整合回路の前記インダクタは、前記ローノイズアンプに隣接している。

本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波モジュールと、信号処理回路とを備える。前記信号処理回路は、前記高周波モジュールからの受信信号を処理する。

本発明の上記態様に係る高周波モジュール及び通信装置によれば、ローノイズアンプのＮＦを小さくすることができる。

図１は、実施形態１に係る高周波モジュールの平面図である。 図２は、同上の高周波モジュールにおける図１のＸ１−Ｘ１線断面図である。 図３は、実施形態１に係る通信装置の概略図である。 図４Ａは、実施形態１に係る高周波モジュールの入力整合回路の概略図である。図４Ｂは、実施形態１の変形例１に係る高周波モジュールの入力整合回路の概略図である。図４Ｃは、実施形態１の変形例２に係る高周波モジュールの入力整合回路の概略図である。 図５は、実施形態２に係る高周波モジュールの断面図である。 図６は、実施形態３に係る高周波モジュールの断面図である。 図７は、実施形態４に係る高周波モジュールの断面図である。 図８は、実施形態４に係る通信装置の概略図である。 図９は、実施形態５に係る通信装置の概略図である。 図１０は、実施形態６に係る高周波モジュールの断面図である。

以下、実施形態１〜６に係る高周波モジュール及び通信装置について、図面を参照して説明する。下記の実施形態等において参照する図１、図２、図５〜図７及び図１０は、模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比は、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

（実施形態１）
（１）高周波モジュール
実施形態１に係る高周波モジュール１の構成について、図面を参照して説明する。

実施形態１に係る高周波モジュール１は、図３に示すように、パワーアンプ２１と、ローノイズアンプ２２と、送信用フィルタ３１と、受信用フィルタ３２とを備える。また、高周波モジュール１は、出力整合回路４１と、入力整合回路４２とを備える。

高周波モジュール１は、図１及び図２に示すように、実装基板５と、複数の外部接続端子６と、第１樹脂部材７１とを更に備える。

高周波モジュール１は、図３に示すように、例えば、通信装置８に用いられる。通信装置８は、例えばスマートフォンのような携帯電話である。なお、通信装置８は、携帯電話であることに限定されず、例えば、スマートウォッチのようなウェアラブル端末等であってもよい。高周波モジュール１は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格等に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ ＬＴＥ規格（ＬＴＥ：Long Term Evolution）である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ ＮＲ（New Radio）である。高周波モジュール１は、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティに対応可能なモジュールである。

高周波モジュール１は、第１通信バンドの通信を行う。より詳細には、高周波モジュール１は、第１通信バンドの送信信号を送信し、かつ、第１通信バンドの受信信号を受信する。

送信信号及び受信信号は、例えば、ＦＤＤ（Frequency Division Duplex）の信号である。ＦＤＤは、無線通信における送信と受信とに異なる周波数帯域を割り当てて、送信及び受信を行う無線通信技術である。なお、送信信号及び受信信号は、ＦＤＤの信号に限定されず、ＴＤＤ（Time Division Duplex）の信号であってもよい。ＴＤＤは、無線通信における送信と受信とに同一の周波数帯域を割り当てて、送信と受信とを時間ごとに切り替えて行う無線通信技術である。

（２）高周波モジュールの回路構成
以下、実施形態１に係る高周波モジュール１の回路構成について、図面を参照して説明する。ここでは、送信信号及び受信信号がＦＤＤの信号である場合について説明する。

（２．１）パワーアンプ
図３に示すパワーアンプ２１は、送信信号の振幅を増幅する増幅器である。パワーアンプ２１は、アンテナ端子６１と入力端子６２とを結ぶ送信経路Ｔ１のうち入力端子６２と出力整合回路４１との間に設けられている。パワーアンプ２１は、入力端子２１１及び出力端子２１２を有する。パワーアンプ２１の入力端子２１１は、入力端子６２を介して外部回路（例えば信号処理回路８２）に接続されている。入力端子６２は、外部回路からの高周波信号（送信信号）が高周波モジュール１に入力される端子である。パワーアンプ２１の出力端子２１２は、出力整合回路４１に接続されている。

（２．２）ローノイズアンプ
図３に示すローノイズアンプ２２は、受信信号の振幅を低雑音で増幅させる増幅器である。ローノイズアンプ２２は、受信経路Ｔ２のうち入力整合回路４２と出力端子６３との間に設けられている。ローノイズアンプ２２は、入力端子２２１及び出力端子２２２を有する。ローノイズアンプ２２の入力端子２２１は、入力整合回路４２に接続されており、ローノイズアンプ２２の出力端子２２２は、出力端子６３を介して外部回路（例えば信号処理回路８２）に接続される。出力端子６３は、ローノイズアンプ２２からの高周波信号（受信信号）が外部回路へ出力される端子である。

（２．３）送信用フィルタ
図３に示す送信用フィルタ３１は、送信信号を通過させる通信バンドの送信用フィルタである。より詳細には、送信用フィルタ３１は、送信経路Ｔ１のうち出力整合回路４１とアンテナ端子６１との間に設けられている。送信用フィルタ３１は、パワーアンプ２１で増幅された高周波信号のうち、上記通信バンドの送信帯域の送信信号を通過させる。

（２．４）受信用フィルタ
図３に示す受信用フィルタ３２は、受信信号を通過させる通信バンドの受信用フィルタである。より詳細には、受信用フィルタ３２は、アンテナ端子６１と出力端子６３とを結ぶ受信経路Ｔ２のうちアンテナ端子６１と入力整合回路４２との間に設けられている。受信用フィルタ３２は、受信経路Ｔ２によって、ローノイズアンプ２２と接続されている。受信用フィルタ３２は、アンテナ端子６１から入力された高周波信号のうち、上記通信バンドの受信帯域の受信信号を通過させる。

（２．５）出力整合回路
出力整合回路４１は、図３に示すように、パワーアンプ２１と送信用フィルタ３１との間の信号経路に設けられている。出力整合回路４１は、送信経路Ｔ１のうちパワーアンプ２１の出力端子２１２と送信用フィルタ３１との間に設けられている。出力整合回路４１は、パワーアンプ２１と送信用フィルタ３１との間のインピーダンス整合をとるための回路である。

出力整合回路４１は、複数のインダクタ（図示せず）及び複数のキャパシタ（図示せず）で構成されている。なお、出力整合回路４１は、複数のインダクタ及び複数のキャパシタで構成されていることに限定されず、例えば、複数のインダクタのみで構成されていてもよいし、複数のキャパシタのみで構成されていてもよい。あるいは、出力整合回路４１は、１つのインダクタのみで構成されていてもよいし、１つのキャパシタのみで構成されていてもよい。

（２．６）入力整合回路
入力整合回路４２は、図３に示すように、受信用フィルタ３２とローノイズアンプ２２との間の信号経路に設けられている。入力整合回路４２は、受信経路Ｔ２のうち受信用フィルタ３２とローノイズアンプ２２の入力端子２２１との間に設けられている。入力整合回路４２は、受信用フィルタ３２とローノイズアンプ２２とのインピーダンス整合をとるための回路である。

入力整合回路４２は、図４Ａに示すように、１つのインダクタＬ１で構成されている。なお、入力整合回路４２は、１つのインダクタＬ１で構成されていることに限定されず、例えば、図４Ｂ及び図４Ｃに示すように、複数のインダクタＬ１，Ｌ２で構成されていてもよいし、複数のインダクタ及び複数のキャパシタで構成されていてもよい。要するに、入力整合回路４２は、少なくとも１つのインダクタＬ１を含む。

（３）高周波モジュールの構造
以下、実施形態１に係る高周波モジュール１の構造について、図面を参照して説明する。

高周波モジュール１は、図１及び図２に示すように、実装基板５と、複数の回路素子と、複数（図示例では６つ）の外部接続端子６と、第１樹脂部材７１と、シールド層７３とを備える。高周波モジュール１は、複数の回路素子として、パワーアンプ２１と、ローノイズアンプ２２と、送信用フィルタ３１と、受信用フィルタ３２と、出力整合回路４１と、入力整合回路４２とを備える。図１及び図２では、複数の回路素子のうち、ローノイズアンプ２２、受信用フィルタ３２及び入力整合回路４２のインダクタＬ１以外の回路素子の図示が省略されている。

高周波モジュール１は、外部基板（図示せず）に電気的に接続可能である。外部基板は、例えば、携帯電話及び通信機器等のマザー基板に相当する。なお、高周波モジュール１が外部基板に電気的に接続可能であるとは、高周波モジュール１が外部基板上に直接的に実装される場合だけでなく、高周波モジュール１が外部基板上に間接的に実装される場合も含む。なお、高周波モジュール１が外部基板上に間接的に実装される場合とは、高周波モジュール１が、外部基板上に実装された他の高周波モジュール上に実装される場合等である。

（３．１）実装基板
実装基板５は、図１及び図２に示すように、第１主面５１及び第２主面５２を有する。第１主面５１及び第２主面５２は、実装基板５の厚さ方向Ｄ１において互いに対向する。第２主面５２は、高周波モジュール１が外部基板（図示せず）に設けられたときに外部基板と対向する。

実装基板５は、複数の誘電体層が積層された多層基板である。実装基板５は、複数の導体パターン部５３と、複数の柱状電極５４とを有する。複数の導体パターン部５３は、グランド電位に設定された導体パターン部を含む。複数の柱状電極５４は、第１主面５１に実装されている回路素子と実装基板５の導体パターン部５３との電気的接続に用いられる。また、複数の柱状電極５４は、第１主面５１に実装されている回路素子及び実装基板５の導体パターン部５３と外部接続端子６との電気的接続に用いられる。

（３．２）パワーアンプ
図１及び図２に示されていないが、パワーアンプ２１は、実装基板５の第１主面５１に配置されている。より詳細には、パワーアンプ２１は、実装基板５の第１主面５１に実装されている。なお、パワーアンプ２１の一部が実装基板５の第１主面５１に実装されており、パワーアンプ２１の残りが実装基板５に内装されていてもよい。要するに、パワーアンプ２１は、実装基板５において第２主面５２よりも第１主面５１側に配置されている。

（３．３）出力整合回路
図１及び図２に示されていないが、出力整合回路４１は、実装基板５に配置されている。出力整合回路４１は、上述したように、インダクタ（図示せず）を含む。出力整合回路４１のインダクタは、例えば、実装基板５の第１主面５１に実装されているチップ状の素子（チップインダクタ）、又は、実装基板５に設けられている導体パターン部（配線インダクタ）である。出力整合回路４１におけるインダクタがチップインダクタである場合、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、インダクタの外周形状は、四角形状である。

（３．４）送信用フィルタ
図１及び図２に示されていないが、送信用フィルタ３１は、実装基板５の第１主面５１に配置されている。より詳細には、送信用フィルタ３１は、実装基板５の第１主面５１に実装されている。なお、送信用フィルタ３１の一部が実装基板５の第１主面５１に実装されており、送信用フィルタ３１の残りが実装基板５に内装されていてもよい。要するに、送信用フィルタ３１は、実装基板５において第２主面５２よりも第１主面５１側に配置されている。

送信用フィルタ３１は、例えば、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を含む弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用するＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタである。さらに、送信用フィルタ３１は、複数の直列腕共振子のいずれかと直列又は並列に接続されるインダクタ及びキャパシタの少なくとも一方を含んでもよいし、複数の並列腕共振子のいずれかと直列又は並列に接続されるインダクタ又はキャパシタを含んでもよい。

（３．５）受信用フィルタ
受信用フィルタ３２は、送信用フィルタ３１と同様、例えば、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を含む弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用するＳＡＷフィルタである。さらに、受信用フィルタ３２は、複数の直列腕共振子のいずれかと直列又は並列に接続されるインダクタ及びキャパシタの少なくとも一方を含んでもよいし、複数の並列腕共振子のいずれかと直列又は並列に接続されるインダクタ又はキャパシタを含んでもよい。

（３．６）入力整合回路
入力整合回路４２は、図１及び図２に示すように、実装基板５の第１主面５１に配置されている。入力整合回路４２は、上述したように、インダクタＬ１を含む。入力整合回路４２のインダクタＬ１は、表面実装部品又は集積受動デバイスの少なくとも一部である。インダクタＬ１は、例えば、実装基板５の第１主面５１に実装されているチップ状の素子（チップインダクタ）、又は、実装基板５に設けられている導体パターン部（配線インダクタ）である。図１及び図２の例では、入力整合回路４２のインダクタＬ１は、実装基板５の第１主面５１に実装されている。要するに、入力整合回路４２は、実装基板５において第２主面５２よりも第１主面５１側に配置されている。入力整合回路４２におけるインダクタＬ１がチップインダクタである場合、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、インダクタＬ１の外周形状は、四角形状である。

（３．７）ローノイズアンプ
ローノイズアンプ２２は、図１及び図２に示すように、実装基板５の第１主面５１に配置されている。なお、ローノイズアンプ２２の一部が実装基板５の第１主面５１に実装されており、ローノイズアンプ２２の残りが実装基板５に内装されていてもよい。要するに、ローノイズアンプ２２は、実装基板５において第１主面５１側に配置されており、かつ、第１主面５１に実装されている部分を少なくとも有する。

（３．８）外部接続端子
図１及び図２に示す複数の外部接続端子６は、実装基板５と外部基板（図示せず）とを電気的に接続させるための端子である。複数の外部接続端子６は、図３に示すアンテナ端子６１、入力端子６２、出力端子６３及び複数のグランド電極６４を含む。複数のグランド電極６４は、通信装置８の回路基板のグランド電極と電気的に接続されてグランド電位が与えられる端子である。

複数の外部接続端子６は、実装基板５の第２主面５２に配置されている。複数の外部接続端子６の各々は、パッド電極である。パッド電極は、例えば、四角形状の電極である。複数の外部接続端子６の材料は、例えば、金属（例えば、銅、銅合金等）である。

高周波モジュール１では、マザー基板（外部基板）への高周波モジュール１の実装性、高周波モジュール１のグランド電極の数を多くする観点等から、複数の外部接続端子６が設けられている。

（３．９）第１樹脂部材
第１樹脂部材７１は、図２に示すように、実装基板５の第１主面５１に設けられており、第１主面５１に配置されている複数の回路素子及び第１主面５１を覆っている。第１樹脂部材７１は、第１主面５１に配置されている回路素子の機械強度（耐衝撃性）及び耐湿性等の信頼性を確保する機能を有する。つまり、第１樹脂部材７１は、第１主面５１に配置されている回路素子を保護する機能を有する。第１樹脂部材７１は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。

（３．１０）シールド層
シールド層７３は、第１樹脂部材７１の主面７１１及び外周面７１２と、実装基板５の外周面５５とを覆っている。シールド層７３の材料は、例えば、金属である。シールド層７３は、実装基板５のグランド層と接触している。これにより、シールド層７３の電位をグランド層の電位と同じにすることができる。

（３．１１）回路素子の配置関係
実装基板５の第１主面５１には、パワーアンプ２１と、ローノイズアンプ２２と、送信用フィルタ３１と、出力整合回路４１と、入力整合回路４２とが実装されている。

実施形態１に係る高周波モジュール１において、受信用フィルタ３２は、ローノイズアンプ２２上に配置されている。より詳細には、受信用フィルタ３２は、実装基板５の第１主面５１側においてローノイズアンプ２２上に配置されている。

受信用フィルタ３２は、ローノイズアンプ２２に対して複数のバンプ７５により接合されている。受信用フィルタ３２は、ローノイズアンプ２２を介して実装基板５に実装されている。実装基板５の厚さ方向Ｄ１において重なる受信用フィルタ３２とローノイズアンプ２２とは、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、ローノイズアンプ２２の方が大きい。なお、受信用フィルタ３２とローノイズアンプ２２との大きさは、同じ大きさであってもよい。

入力整合回路４２におけるインダクタＬ１は、ローノイズアンプ２２に隣接している。インダクタＬ１は、実装基板５上に配置されている。より詳細には、インダクタＬ１は、実装基板５の第１主面５１に実装されている。要するに、インダクタＬ１は、実装基板５の第１主面５１上において、ローノイズアンプ２２に隣接している。ここで、「インダクタＬ１がローノイズアンプ２２に隣接している」とは、インダクタＬ１とローノイズアンプ２２との間に他の回路素子が存在しない状態で、インダクタＬ１とローノイズアンプ２２とが隣り合っていることをいう。「回路素子」とは、回路において任意の機能を有する素子をいい、実装基板上に配置されているチップ部品だけでなく、実装基板上に配置されている導体パターン部で構成されている素子も含む。

実施形態１に係る高周波モジュール１では、受信用フィルタ３２と入力整合回路４２のインダクタＬ１とが配線部７６等によって電気的に接続されている。配線部７６は、ローノイズアンプ２２の側面に沿って設けられている。

また、入力整合回路４２のインダクタＬ１とローノイズアンプ２２とが導体パターン部５３及び柱状電極５４により電気的に接続されている。導体パターン部５３及び柱状電極５４により、インダクタＬ１とローノイズアンプ２２との間の寄生容量を小さくすることができる。これにより、実施形態１に係る高周波モジュール１によれば、ローノイズアンプ２２のＮＦ（Noise Figure）を小さくすることができる。

ところで、ローノイズアンプ２２は、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板又はＳｉＧｅ基板で形成されている。上記より、ノイズを低減させることができる。

（４）高周波モジュールの各構成要素の詳細構造
（４．１）実装基板
図１及び図２に示す実装基板５は、例えば、プリント配線板、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板等である。ここにおいて、実装基板５は、例えば、複数の誘電体層及び複数の導体パターン部５３を含む多層基板である。複数の誘電体層及び複数の導体パターン部５３は、実装基板５の厚さ方向Ｄ１において積層されている。複数の導体パターン部５３は、それぞれ所定パターンに形成されている。複数の導体パターン部５３の各々は、実装基板５の厚さ方向Ｄ１に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導体パターン部５３の材料は、例えば、銅である。

実装基板５の第１主面５１及び第２主面５２は、実装基板５の厚さ方向Ｄ１において離れており、実装基板５の厚さ方向Ｄ１に交差する。実装基板５における第１主面５１は、例えば、実装基板５の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板５における第２主面５２は、例えば、実装基板５の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として、導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板５の第１主面５１及び第２主面５２は、微細な凹凸又は凹部又は凸部が形成されていてもよい。

（４．２）フィルタ
送信用フィルタ３１及び受信用フィルタ３２の詳細な構造について説明する。以下の説明では、送信用フィルタ３１及び受信用フィルタ３２を区別せずにフィルタとする。

フィルタは、１チップのフィルタである。ここにおいて、フィルタでは、例えば、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。この場合、フィルタは、例えば、基板と、圧電体層と、複数のＩＤＴ電極（Interdigital Transducer）とを備える。基板は、第１面及び第２面を有する。圧電体層は、基板の第１面に設けられている。圧電体層は、低音速膜上に設けられている。複数のＩＤＴ電極は、圧電体層上に設けられている。ここにおいて、低音速膜は、基板上に直接的又は間接的に設けられている。また、圧電体層は、低音速膜上に直接的又は間接的に設けられている。低音速膜では、圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。基板では、圧電体層を伝搬する弾性波の音速より伝搬するバルク波の音速が高速である。圧電体層の材料は、例えば、リチウムタンタレートである。低音速膜の材料は、例えば、酸化ケイ素である。基板は、例えば、シリコン基板である。圧電体層の厚さは、例えば、ＩＤＴ電極の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。低音速膜の厚さは、例えば、２．０λ以下である。

圧電体層は、例えば、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、又は、チタン酸ジルコン酸鉛のいずれかにより形成されていればよい。また、低音速膜は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素又は炭素又はホウ素を加えた化合物からなる群から選択される少なくとも１種の材料を含んでいればよい。また、基板は、シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含んでいればよい。

フィルタは、例えば、スペーサ層と、カバー部材とを更に備える。スペーサ層及びカバー部材は、基板の第１面に設けられている。スペーサ層は、基板の厚さ方向からの平面視で、複数のＩＤＴ電極を囲んでいる。基板の厚さ方向からの平面視で、スペーサ層は枠状（矩形枠状）である。スペーサ層は、電気絶縁性を有する。スペーサ層の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。カバー部材は、平板状である。基板の厚さ方向からの平面視で、カバー部材は、長方形状であるが、これに限らず、例えば、正方形状であってもよい。フィルタでは、基板の厚さ方向からの平面視で、カバー部材の外形サイズと、スペーサ層の外形サイズと、カバー部材の外形サイズと、が略同じである。カバー部材は、基板の厚さ方向において基板に対向するようにスペーサ層に配置されている。カバー部材は、基板の厚さ方向において複数のＩＤＴ電極と重複し、かつ、基板の厚さ方向において複数のＩＤＴ電極から離れている。カバー部材は、電気絶縁性を有する。カバー部材の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。フィルタは、基板とスペーサ層とカバー部材とで囲まれた空間を有する。フィルタでは、空間には、気体が入っている。気体は、例えば、空気、不活性ガス（例えば、窒素ガス）等である。複数の端子は、カバー部材から露出している。複数の端子の各々は、例えば、バンプである。各バンプは、例えば、はんだバンプである。各バンプは、はんだバンプに限らず、例えば金バンプであってもよい。

フィルタは、例えば低音速膜と圧電体層との間に介在する密着層を含んでいてもよい。密着層は、例えば、樹脂（エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂）からなる。また、フィルタは、低音速膜と圧電体層との間、圧電体層上、又は低音速膜下のいずれかに誘電体膜を備えていてもよい。

また、フィルタは、例えば、基板と低音速膜との間に介在する高音速膜を備えていてもよい。ここにおいて、高音速膜は、基板上に直接的又は間接的に設けられている。低音速膜は、高音速膜上に直接的又は間接的に設けられている。圧電体層は、低音速膜上に直接的又は間接的に設けられている。高音速膜では、圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。低音速膜では、圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。

高音速膜は、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、マグネシア、ダイヤモンド、又は、上記各材料を主成分とする材料、上記各材料の混合物を主成分とする材料からなる。

高音速膜の厚さに関しては、弾性波を圧電体層及び低音速膜に閉じ込める機能を高音速膜が有するため、高音速膜の厚さは厚いほど望ましい。圧電体基板は、高音速膜、低音速膜及び圧電体層以外の他の膜として密着層、誘電体膜等を有していてもよい。

複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々は、上記の弾性波共振子に限らず、例えば、ＳＡＷ共振子又はＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）共振子であってもよい。ここにおいて、ＳＡＷ共振子は、例えば、圧電体基板と、圧電体基板上に設けられているＩＤＴ電極と、を含む。フィルタは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々をＳＡＷ共振子により構成する場合、１つの圧電体基板上に、複数の直列腕共振子に一対一に対応する複数のＩＤＴ電極と、複数の並列腕共振子に一対一に対応する複数のＩＤＴ電極と、を有している。圧電体基板は、例えば、リチウムタンタレート基板、リチウムニオベイト基板等である。

（４．３）パワーアンプ
図３に示すパワーアンプ２１は、例えば、基板と増幅機能部とを備える１チップのＩＣである。基板は、互いに対向する第１面及び第２面を有する。基板は、例えば、ガリウム砒素基板である。増幅機能部は、基板の第１面に形成された少なくとも１つのトランジスタを含む。増幅機能部は、所定の周波数帯域の送信信号を増幅する機能を有する機能部である。トランジスタは、例えば、ＨＢＴ（Heterojunction Bipolar Transistor）である。パワーアンプ２１では、コントローラ（図示せず）からの電源電圧がＨＢＴのコレクタ−エミッタ間に印加される。パワーアンプ２１は、増幅機能部に加えて、例えば、直流カット用のキャパシタを含んでいてもよい。パワーアンプ２１は、例えば、基板の第１面が実装基板５の第１主面５１側となるように実装基板５の第１主面５１にフリップチップ実装されている。実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、パワーアンプ２１の外周形状は、四角形状である。

（４．４）ローノイズアンプ
図１及び図２に示すローノイズアンプ２２は、例えば、基板と増幅機能部とを備える１つのＩＣチップである。基板は、互いに対向する第１面及び第２面を有する。基板は、例えば、シリコン基板である。増幅機能部は、基板の第１面に形成されている。増幅機能部は、所定の周波数帯域の受信信号を増幅する機能を有する機能部である。ローノイズアンプ２２は、例えば、基板の第１面が実装基板５側となるように実装基板５の第１主面５１にフリップチップ実装されている。実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、ローノイズアンプ２２の外周形状は、四角形状である。

（５）高周波モジュールの製造方法
高周波モジュール１の製造方法では、例えば、実装基板５に複数の回路素子を実装する第１工程を行う。第１工程では、実装基板５の第１主面５１に複数の回路素子を実装するステップを行い、その後、ローノイズアンプ２２上に受信用フィルタ３２を配置するステップを行う。また、第１工程では、実装基板５の第２主面５２に複数の外部接続端子６を配置するステップを行う。第１工程において実装基板５の第１主面５１に複数の回路素子を実装するステップと、実装基板５の第２主面５２に複数の外部接続端子６を配置するステップと、はどちらが先でもよい。

上述の第１工程の後、第２工程を行う。第２工程では、実装基板５の第１主面５１側の複数の回路素子を覆う第１樹脂部材７１を形成するステップを行う。

上述の第２工程の後、第３工程を行う。第３工程では、シールド層７３を形成する。なお、第１工程及び第２工程は、複数の実装基板５を備えて実装基板５の多数個取りが可能な多数個取り基板に対して行ってもよい。この場合には、例えば、第２工程の後に多数個取り基板を個々の実装基板５に分離した後、第３工程を行えばよい。

なお、上記製造方法は高周波モジュール１の製造方法の一例であり、高周波モジュール１は、他の製造方法を用いて製造してもよい。

（６）通信装置
実施形態１に係る通信装置８は、図３に示すように、高周波モジュール１と、アンテナ８１と、信号処理回路８２とを備える。

（６．１）アンテナ
アンテナ８１は、高周波モジュール１のアンテナ端子６１に接続されている。アンテナ８１は、高周波モジュール１から出力された第１送信信号及び第２送信信号を電波にて放射する送信機能と、第１受信信号及び第２受信信号を電波として外部から受信して高周波モジュール１へ出力する受信機能とを有する。

（６．２）信号処理回路
信号処理回路８２は、ＲＦ信号処理回路８３と、ベースバンド信号処理回路８４とを含む。信号処理回路８２は、送信信号及び受信信号を処理する。

（６．２．１）ＲＦ信号処理回路
ＲＦ信号処理回路８３は、例えばＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波信号に対する信号処理を行う。ＲＦ信号処理回路８３は、ベースバンド信号処理回路８４から出力された高周波信号（送信信号）に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を高周波モジュール１に出力する。ＲＦ信号処理回路８３は、高周波モジュール１から出力された高周波信号（受信信号）に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号をベースバンド信号処理回路８４に出力する。

（６．２．２）ベースバンド信号処理回路
ベースバンド信号処理回路８４は、例えばＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）であり、信号処理回路８２の外部からの送信信号に対する所定の信号処理を行う。ベースバンド信号処理回路８４で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のための画像信号として使用され、又は、通話のための音声信号として使用される。

（７）効果
実施形態１に係る高周波モジュール１では、ローノイズアンプ２２が実装基板５に実装されており、受信用フィルタ３２がローノイズアンプ２２上に配置されており、かつ、入力整合回路４２のインダクタＬ１がローノイズアンプ２２に隣接している。これにより、入力整合回路４２のインダクタＬ１とローノイズアンプ２２との間の配線長を短くすることができるので、インダクタＬ１とローノイズアンプ２２との間に寄生容量を発生しにくくすることができる。その結果、ローノイズアンプ２２のＮＦ（Noise Figure：雑音指数）を小さくすることができる。

実施形態１に係る高周波モジュール１では、インダクタＬ１が実装基板５上に配置されている。これにより、比較的背の高いインダクタＬ１をローノイズアンプ２２に隣接させることができる。

実施形態１に係る高周波モジュール１では、受信用フィルタ３２がＳＡＷフィルタ又はＢＡＷフィルタである。これにより、フィルタ特性を向上させることができる。

実施形態１に係る高周波モジュール１では、ローノイズアンプ２２がＳＯＩ基板又はＳｉＧｅ基板で形成されている。これにより、ノイズを低減させることができる。

実施形態１に係る高周波モジュール１は、送信用フィルタ３１を更に備える。これにより、受信機能だけでなく送信機能を含めた構成にすることで小型化を図ることができる。

（８）変形例
以下、実施形態１の変形例について説明する。

実施形態１の変形例１として、高周波モジュール１は、図４Ｂに示すような入力整合回路４２Ａを備えてもよい。図４Ｂに示す入力整合回路４２Ａは、複数のインダクタＬ１，Ｌ２を含む。インダクタＬ１とインダクタＬ２は、受信用フィルタ３２とローノイズアンプ２２との間の信号経路において、直列に設けられている。

実施形態１の変形例２として、高周波モジュール１は、図４Ｃに示すような入力整合回路４２Ｂを備えてもよい。図４Ｃに示す入力整合回路４２Ｂは、複数のインダクタＬ１，Ｌ２を含む。インダクタＬ１は、受信用フィルタ３２とローノイズアンプ２２との間の信号経路に設けられている。インダクタＬ２は、受信用フィルタ３２とローノイズアンプ２２との間の信号経路上のノードとグランドとの間の経路に設けられている。より詳細には、インダクタＬ２は、受信用フィルタ３２とインダクタＬ１との間に設けられているノードとグランドとの間の経路に設けられている。

変形例１，２の各々において、複数のインダクタＬ１，Ｌ２のうちローノイズアンプ２２に最も近いインダクタＬ１がローノイズアンプ２２に隣接している。

変形例１，２に係る高周波モジュール１の各々では、複数のインダクタＬ１，Ｌ２のうちローノイズアンプ２２に最も近いインダクタＬ１がローノイズアンプ２２に隣接している。これにより、入力整合回路４２Ａが複数のインダクタＬ１，Ｌ２を備える場合であっても、インダクタＬ１とローノイズアンプ２２との間に寄生容量を発生しにくくすることができる。その結果、ローノイズアンプ２２のＮＦを小さくすることができる。

入力整合回路４２は、インダクタと共にキャパシタ（図示せず）を含んでもよい。キャパシタは、例えば、実装基板５の第１主面５１に実装されているチップ状の素子、又は、実装基板５に内装されており互いに対向する２つの導体パターン部を含む構成である。

高周波モジュール１は、複数の外部接続端子６を備えることに限定されず、１つの外部接続端子６のみを備えてもよい。高周波モジュール１は、少なくとも１つの外部接続端子６を備えていればよい。

実装基板５は、プリント配線板又はＬＴＣＣ基板である場合に限らず、例えば、ＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）基板、部品内蔵基板等であってもよい。

出力整合回路４１は、インダクタと共にキャパシタ（図示せず）を含んでもよい。キャパシタは、例えば、実装基板５の第１主面５１に実装されているチップ状の素子、又は、実装基板５に内装されており互いに対向する２つの導体パターン部を含む構成である。要するに、出力整合回路４１は、実装基板５において第２主面５２よりも第１主面５１側に配置されており、かつ、第１主面５１に実装されている部分を少なくとも有する。出力整合回路４１におけるインダクタは、例えば、実装基板５の第１主面５１に実装されていることに限定されない。

上記の各変形例に係る高周波モジュール１においても、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の効果を奏する。

（実施形態２）
実施形態２に係る高周波モジュール１ａは、図５に示すように、受信用フィルタ３２と入力整合回路４２のインダクタＬ１との間の電気的接続に貫通電極７７が用いられている点で、実施形態１に係る高周波モジュール１（図２参照）と相違する。なお、実施形態２に係る高周波モジュール１ａに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

（１）構成
実施形態２に係る高周波モジュール１ａでは、実施形態１の配線部７６（図２参照）に代えて、図５に示すような貫通電極７７を用いて、受信用フィルタ３２と入力整合回路４２のインダクタＬ１とが電気的に接続されている。上記より、受信用フィルタ３２とインダクタＬ１との間の信号経路を短くすることができるので、受信用フィルタ３２とインダクタＬ１との間に寄生容量を発生しにくくすることができる。

また、高周波モジュール１ａでは、アンテナ端子６１と受信用フィルタ３２との間の電気的接続に、実施形態１の配線部７６（図２参照）に代えて、別の貫通電極７７が用いられている。上記より、アンテナ端子６１と受信用フィルタ３２との間の信号経路を短くすることができるので、アンテナ端子６１と受信用フィルタ３２との間に寄生容量を発生しにくくすることができる。

（２）効果
実施形態２に係る高周波モジュール１ａでは、アンテナ端子６１とローノイズアンプ２２との間の信号経路において、寄生容量を発生しにくくすることができる。

（３）変形例
実施形態２の変形例１として、高周波モジュール１ａは、実施形態１の変形例１と同様、入力整合回路４２Ａ（図４Ｂ参照）を備えてもよい。

実施形態２の変形例２として、高周波モジュール１ａは、実施形態１の変形例２と同様、入力整合回路４２Ｂ（図４Ｃ参照）を備えてもよい。

上記の各変形例に係る高周波モジュール１ａにおいても、実施形態２に係る高周波モジュール１ａと同様の効果を奏する。

（実施形態３）
実施形態３に係る高周波モジュール１ｂは、図６に示すように、入力整合回路４２のインダクタＬ１がローノイズアンプ２２上に配置されている点で、実施形態１に係る高周波モジュール１（図２参照）と相違する。なお、実施形態３に係る高周波モジュール１ｂに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

（１）構成
実施形態３に係る高周波モジュール１ｂにおいて、入力整合回路４２のインダクタＬ１は、ローノイズアンプ２２上に配置されている。より詳細には、インダクタＬ１は、ローノイズアンプ２２上において、受信用フィルタ３２と隣接して配置されている。上記より、インダクタＬ１とローノイズアンプ２２との間の配線長を短くすることができるので、インダクタＬ１とローノイズアンプ２２との間の寄生容量を小さくすることができる。これにより、実施形態３に係る高周波モジュール１ｂによれば、ローノイズアンプ２２のＮＦを小さくすることができる。なお、実施形態３のインダクタＬ１に関し、実施形態１のインダクタＬ１（図２参照）と同様の構成及び機能については説明を省略する。

（２）効果
実施形態３に係る高周波モジュール１ｂでは、入力整合回路４２のインダクタＬ１がローノイズアンプ２２上に配置されている。これにより、インダクタＬ１をローノイズアンプ２２に隣接させつつ、実装基板５上の実装面積を小さくすることができる。

（３）変形例
実施形態３の変形例１として、高周波モジュール１ｂは、実施形態１の変形例１と同様、入力整合回路４２Ａ（図４Ｂ参照）を備えてもよい。

実施形態３の変形例２として、高周波モジュール１ｂは、実施形態１の変形例２と同様、入力整合回路４２Ｂ（図４Ｃ参照）を備えてもよい。

上記の各変形例に係る高周波モジュール１ｂにおいても、実施形態３に係る高周波モジュール１ｂと同様の効果を奏する。

（実施形態４）
実施形態４に係る高周波モジュール１ｃは、図７に示すように、ローノイズアンプ２２がスイッチと１チップで構成されている点で、実施形態１に係る高周波モジュール１（図２参照）と相違する。なお、実施形態４に係る高周波モジュール１ｃに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

（１）高周波モジュールの回路構成
実施形態４に係る高周波モジュール１ｃは、図８に示すように、第１スイッチ９１と、第２スイッチ９２と、スイッチ９４，９５とを備える。

（１．１）第１スイッチ
第１スイッチ９１は、アンテナ８１に接続させるフィルタを切り替えるスイッチである。第１スイッチ９１は、共通端子９１１と、３つの選択端子９１２〜９１４とを有する。共通端子９１１は、アンテナ端子６１に接続されている。アンテナ端子６１には、アンテナ８１が接続される。選択端子９１２は、送信用フィルタ３１Ａの出力端子と受信用フィルタ３２Ａの入力端子との接続点に接続されている。選択端子９１３は、送信用フィルタ３１Ｂの出力端子と受信用フィルタ３２Ｂの入力端子との接続点に接続されている。選択端子９１４は、送受信用フィルタ３３に接続されている。第１スイッチ９１は、例えば、共通端子９１１に３つの選択端子９１２〜９１４のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第１スイッチ９１は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。

第１スイッチ９１は、例えば、信号処理回路８２によって制御される。第１スイッチ９１は、信号処理回路８２のＲＦ信号処理回路８３からの制御信号に従って、共通端子９１１と３つ選択端子９１２〜９１４との接続状態を切り替える。第１スイッチ９１は、例えば、スイッチＩＣ（Integrated Circuit）である。

（１．２）第２スイッチ
第２スイッチ９２は、入力整合回路４２に接続させるフィルタを切り替えるスイッチである。第２スイッチ９２は、共通端子９２１と、３つの選択端子９２２〜９２３とを有する。共通端子９２１は、入力整合回路４２を介してローノイズアンプ２２の入力端子２２１に接続されている。選択端子９２２は、受信用フィルタ３２Ａの出力端子に接続されている。選択端子９２３は、受信用フィルタ３２Ｂの出力端子に接続されている。選択端子９２４は、スイッチ９５の選択端子９５３に接続されている。第２スイッチ９２は、例えば、共通端子９２１に３つの選択端子９２２〜９２４のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第２スイッチ９２は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。

第２スイッチ９２は、例えば、信号処理回路８２によって制御される。第２スイッチ９２は、信号処理回路８２のＲＦ信号処理回路８３からの制御信号に従って、共通端子９２１と３つ選択端子９２２〜９２４との接続状態を切り替える。第２スイッチ９２は、例えば、スイッチＩＣである。

（１．３）スイッチ
スイッチ９４は、出力整合回路４１に接続させるフィルタを切り替えるスイッチである。スイッチ９４は、共通端子９４１と、３つの選択端子９４２〜９４４とを有する。共通端子９４１は、出力整合回路４１を介してパワーアンプ２１の出力端子２１２に接続されている。選択端子９４２は、送信用フィルタ３１Ａの入力端子に接続されている。選択端子９４３は、送信用フィルタ３１Ｂの入力端子に接続されている。選択端子９４４は、スイッチ９５の選択端子９５２に接続されている。スイッチ９４は、例えば、共通端子９４１に３つの選択端子９４２〜９４４のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、スイッチ９４は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。

スイッチ９４は、例えば、信号処理回路８２によって制御される。スイッチ９４は、信号処理回路８２のＲＦ信号処理回路８３からの制御信号に従って、共通端子９４１と３つ選択端子９４２〜９４４との接続状態を切り替える。スイッチ９４は、例えば、スイッチＩＣである。

（１．４）スイッチ
スイッチ９５は、共通端子９５１と、２つの選択端子９５２，９５３とを有する。共通端子９５１は、送受信用フィルタ３３の入出力端子に接続されている。選択端子９５２は、スイッチ９４の選択端子９４４に接続されている。選択端子９５３は、第２スイッチ９２の選択端子９２４に接続されている。スイッチ９５では、２つの選択端子９５２，９５３が、共通端子９５１に排他的に接続される。スイッチ９５は、例えば、ＳＰＤＴ（Single Pole Double Throw）型のスイッチにより構成できる。スイッチ９５は、例えば、スイッチＩＣである。

高周波モジュール１は、スイッチ９５を備えるので、例えば、ＴＤＤ（Time Division Duplex）により、所定の周波数帯域の送信信号（送信用の高周波信号）と所定の周波数帯域の受信信号（受信用の高周波信号）との同時送受信を擬似的に実現することができる。ここにおいて、疑似的に実現するとは、送信信号の送信と受信信号の受信とが同時ではないが、同時と見なせる程度の短期間で行われることを意味する。

（２）高周波モジュールの構造
実施形態４に係る高周波モジュール１ｃでは、ローノイズアンプ２２が第１スイッチ９１及び第２スイッチ９２と１チップで構成されている。言い換えると、ローノイズアンプ２２と第１スイッチ９１と第２スイッチ９２とで、１つのＩＣを構成している。

（３）効果
実施形態４に係る高周波モジュール１ｃでは、ローノイズアンプ２２とスイッチ（第１スイッチ９１及び第２スイッチ９２）とが１チップで構成されている。これにより、高周波モジュール１ｃの小型化を図ることができる。

（４）変形例
実施形態４の変形例１として、ローノイズアンプ２２は、第１スイッチ９１又は第２スイッチ９２と１チップで構成されていてもよい。要するに、ローノイズアンプ２２は、第１スイッチ９１及び第２スイッチ９２の少なくとも一方と１チップで構成されていればよい。

実施形態４の変形例２として、高周波モジュール１ｃは、実施形態１の変形例１と同様、入力整合回路４２Ａ（図４Ｂ参照）を備えてもよい。

実施形態４の変形例３として、高周波モジュール１ｃは、実施形態１の変形例２と同様、入力整合回路４２Ｂ（図４Ｃ参照）を備えてもよい。

上記の変形例に係る高周波モジュール１ｃにおいても、実施形態４に係る高周波モジュール１ｃと同様の効果を奏する。

（実施形態５）
実施形態５に係る高周波モジュール１ｄは、図９に示すように、第３スイッチ９３を備える点で、実施形態４に係る高周波モジュール１ｃ（図８参照）と相違する。なお、実施形態５に係る高周波モジュール１ｄに関し、実施形態４に係る高周波モジュール１ｃと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

（１）高周波モジュールの回路構成
実施形態５に係る高周波モジュール１ｄは、図９に示すように、第３スイッチ９３を備える。

第３スイッチ９３は、出力端子６３に接続させるローノイズアンプを切り替えるスイッチである。第３スイッチ９３は、共通端子９３１と、２つの選択端子９３２，９３３とを有する。共通端子９３１は、出力端子６３に接続されている。選択端子９３２は、ローノイズアンプ２２の出力端子２２２に接続されている。選択端子９３３は、ローノイズアンプ２３の出力端子２３２に接続されている。第３スイッチ９３は、例えば、共通端子９３１に２つの選択端子９３２，９３３のいずれかを接続可能なスイッチである。

第３スイッチ９３は、例えば、信号処理回路８２によって制御される。第３スイッチ９３は、信号処理回路８２のＲＦ信号処理回路８３からの制御信号に従って、共通端子９３１と３つ選択端子９３２，９３３との接続状態を切り替える。第３スイッチ９３は、例えば、スイッチＩＣ（Integrated Circuit）である。

（２）高周波モジュールの構造
実施形態５に係る高周波モジュール１ｄでは、ローノイズアンプ２２が第１スイッチ９１、第２スイッチ９２及び第３スイッチ９３と１チップで構成されている。言い換えると、ローノイズアンプ２２と第１スイッチ９１と第２スイッチ９２と第３スイッチ９３とで、１つのＩＣを構成している。

（３）効果
実施形態５に係る高周波モジュール１ｄでは、ローノイズアンプ２２，２３とスイッチ（第１スイッチ９１、第２スイッチ９２ｄ及び第３スイッチ９３）とが１チップで構成されている。これにより、高周波モジュール１ｄの小型化を図ることができる。

（４）変形例
実施形態５の変形例１として、ローノイズアンプ２２は、第１スイッチ９１、第２スイッチ９２と１チップで構成されていてもよい。要するに、ローノイズアンプ２２は、第１スイッチ９１及び第２スイッチ９２の少なくとも一方と１チップで構成されていればよい。

実施形態５の変形例２として、高周波モジュール１ｄは、実施形態１の変形例１と同様、入力整合回路４２Ａ（図４Ｂ参照）を備えてもよい。

実施形態５の変形例３として、高周波モジュール１ｄは、実施形態１の変形例２と同様、入力整合回路４２Ｂ（図４Ｃ参照）を備えてもよい。

上記の各変形例に係る高周波モジュール１ｄにおいても、実施形態５に係る高周波モジュール１ｄと同様の効果を奏する。

（実施形態６）
実施形態６に係る高周波モジュール１ｅは、図１０に示すように、実装基板５の両面に回路素子が配置されている点で、実施形態１に係る高周波モジュール１（図２参照）と相違する。なお、実施形態６に係る高周波モジュール１ｅに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

（１）高周波モジュールの回路構成
実施形態６に係る高周波モジュール１ｅにおいて、ローノイズアンプ２２、受信用フィルタ３２及びインダクタＬ１は、実装基板５の第２主面５２側に配置されている。なお、実施形態６のローノイズアンプ２２、受信用フィルタ３２及びインダクタＬ１に関し、実施形態１のローノイズアンプ２２、受信用フィルタ３２及びインダクタＬ１（図２参照）と同様の構成及び機能については説明を省略する。

（２）高周波モジュールの構造
高周波モジュール１ｅは、第２樹脂部材７２を更に備える。

（２．１）第２樹脂部材
第２樹脂部材７２は、図１０に示すように、実装基板５の第２主面５２に設けられており、第２主面５２に配置されている複数の回路素子及び第２主面５２を覆っている。第２樹脂部材７２は、第２主面５２に配置されている回路素子の機械強度（耐衝撃性）及び耐湿性等の信頼性を確保する機能を有する。つまり、第２樹脂部材７２は、第２主面５２に配置されている回路素子を保護する機能を有する。第２樹脂部材７２は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。第２樹脂部材７２の材料は、第１樹脂部材７１の材料と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。

（２．２）配置関係
実施形態６に係る高周波モジュール１ｅにおいて、ローノイズアンプ２２、受信用フィルタ３２及びインダクタＬ１は、実装基板５の第２主面５２側に配置されている。一方、パワーアンプ２１、インダクタＬ３及び送信用フィルタ３１は、実装基板５の第１主面５１側に配置されている。

実施形態６では、送信信号用の信号経路に設けられる送信用フィルタ３１と受信信号用の信号経路に設けられるローノイズアンプ２２とが離れて設けられている。これにより、送信信号用の信号経路に設けられている送信用フィルタ３１と受信信号用の信号経路に設けられているローノイズアンプ２２とのアイソレーションを向上させることが可能となる。

（３）効果
実施形態６に係る高周波モジュール１ｅでは、ローノイズアンプ２２、受信用フィルタ３２及びインダクタＬ１が実装基板５の第２主面５２側に配置されている。これにより、複数の回路素子を実装基板５に効率よく実装することができる。

（４）変形例
実施形態６の変形例１として、複数の外部接続端子６の各々は、柱状電極に限定されず、例えば、バンプ構造の外部接続端子であってもよい。ここにおいて、バンプは、例えば、球状である。この場合、複数の外部接続端子６の各々は、ボールバンプである。ボールバンプの材料は、例えば、金、銅、はんだ等である。

変形例１において、複数の外部接続端子６ｅは、実施形態６と同様、実装基板５の第２主面５２に配置されている。ただし、変形例に係る高周波モジュール１ｅでは、第２樹脂部材７２（図１０参照）を省略することが可能である。

実施形態６の変形例２として、高周波モジュール１ｅは、実施形態１の変形例１と同様、入力整合回路４２Ａ（図４Ｂ参照）を備えてもよい。

実施形態６の変形例３として、高周波モジュール１ｅは、実施形態１の変形例２と同様、入力整合回路４２Ｂ（図４Ｃ参照）を備えてもよい。

上記の各変形例に係る高周波モジュール１ｅにおいても、実施形態６に係る高周波モジュール１ｅと同様の効果を奏する。

（実施形態１〜６の変形例）
実施形態１〜６の変形例として、高周波モジュール１，１ａ〜１ｅにおいて、送信用フィルタ３１及び受信用フィルタ３２は、ＳＡＷフィルタ（弾性表面波フィルタ）であることに限定されず、ＳＡＷフィルタ以外のフィルタであってもよい。送信用フィルタ３１及び受信用フィルタ３２は、例えば、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）を用いた弾性波フィルタ（ＢＡＷフィルタ）であってもよいし、ＬＣ共振フィルタ及び誘電体フィルタのいずれかであってもよい。

変形例に係る高周波モジュール１，〜１ｅによれば、受信用フィルタ３２がＢＡＷフィルタであっても、ＳＡＷフィルタの場合と同様、フィルタ特性を向上させることができる。

また、送信用フィルタ３１及び受信用フィルタ３２は、弾性波フィルタにより構成されている場合、ＬＣフィルタにより構成されている場合よりも、通過帯域付近の減衰特性を向上させることができる。また、送信用フィルタ３１及び受信用フィルタ３２は、弾性波フィルタにより構成されている場合、ＬＣフィルタにより構成されている場合よりも、ミッドバンドでのΓ（反射係数）を大きくすることができる。

高周波モジュール１，１ａ〜１ｅは、信号処理回路８２からの制御信号に基づいてパワーアンプ２１を制御するパワーアンプコントローラを備えていてもよい。パワーアンプコントローラは、例えば、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する基板と、この基板の第１主面側に形成された制御機能部と、を備えるチップ部品（ＩＣチップ）である。ここにおいて、基板は、例えば、シリコン基板である。

また、パワーアンプ２１の基板は、ガリウム砒素基板に限らず、例えば、シリコン基板であってもよい。この場合、パワーアンプ２１の含むトランジスタは、ＨＢＴではなく、バイポーラトランジスタである。

第１スイッチ９１、第２スイッチ９２、第３スイッチ９３、スイッチ９４及びスイッチ９５の各々における選択端子の数は、複数であればよく、例示した数に限らない。

以上説明した実施形態及び変形例は、本発明の様々な実施形態及び変形例の一部に過ぎない。また、実施形態及び変形例は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。

（態様）
本明細書には、以下の態様が開示されている。

第１の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ〜１ｅ）は、実装基板（５）と、ローノイズアンプ（２２；２３）と、受信用フィルタ（３２；３２Ａ，３２Ｂ）と、入力整合回路（４２；４３）とを備える。ローノイズアンプ（２２；２３）は、実装基板（５）に実装されている。受信用フィルタ（３２；３２Ａ；３２Ｂ）は、ローノイズアンプ（２２；２３）に接続されている。入力整合回路（４２；４３）は、受信用フィルタ（３２；３２Ａ，３２Ｂ）とローノイズアンプ（２２；２３）との間の信号経路に設けられている。入力整合回路（４２；４３）は、少なくとも１つのインダクタ（Ｌ１）を含む。受信用フィルタ（３２；３２Ａ，３２Ｂ）は、ローノイズアンプ（２２；２３）上に配置されている。入力整合回路（４２；４３）のインダクタ（Ｌ１）は、ローノイズアンプ（２２；２３）に隣接している。

第１の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ〜１ｅ）によれば、入力整合回路（４２；４３）のインダクタ（Ｌ１）とローノイズアンプ（２２；２３）との間の配線長を短くすることができるので、インダクタ（Ｌ１）とローノイズアンプ（２２；２３）との間に寄生容量を発生しにくくすることができる。その結果、ローノイズアンプ（２２；２３）のＮＦ（Noise Figure：雑音指数）を小さくすることができる。

第２の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ〜１ｅ）では、第１の態様において、入力整合回路（４２；４３）は、インダクタ（Ｌ１，Ｌ２）を複数含む。複数のインダクタ（Ｌ１，Ｌ２）のうちローノイズアンプ（２２；２３）に最も近いインダクタ（Ｌ１）がローノイズアンプ（２２；２３）に隣接している。

第２の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ〜１ｅ）によれば、入力整合回路（４２；４３）が複数のインダクタ（Ｌ１，Ｌ２）を備える場合であっても、インダクタ（Ｌ１）とローノイズアンプ（２２；２３）との間に寄生容量を発生しにくくすることができる。その結果、ローノイズアンプ（２２；２３）のＮＦを小さくすることができる。

第３の態様に係る高周波モジュール（１ｅ）では、第１又は２の態様において、実装基板（５）は、互いに対向する第１主面（５１）及び第２主面（５２）を有する。高周波モジュール（１ｅ）は、外部接続端子（６ｅ）を更に備える。外部接続端子（６ｅ）は、実装基板（５）の第２主面（５２）に設けられている。ローノイズアンプ（２２；２３）、受信用フィルタ（３２；３２Ａ，３２Ｂ）及びインダクタ（Ｌ１）は、実装基板（５）の第２主面（５２）側に配置されている。

第３の態様に係る高周波モジュール（１ｅ）によれば、複数の回路素子を実装基板（５）に効率よく実装することができる。

第４の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｃ〜１ｅ）では、第１〜３の対象のいずれか１つにおいて、インダクタ（Ｌ１）は、実装基板（５）上に配置されている。

第４の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｃ〜１ｅ）によれば、比較的背の高いインダクタ（Ｌ１）をローノイズアンプ（２２；２３）に隣接させることができる。

第５の態様に係る高周波モジュール（１ｂ）では、第１〜３の態様のいずれか１つにおいて、インダクタ（Ｌ１）は、ローノイズアンプ（２２；２３）上に配置されている。

第５の態様に係る高周波モジュール（１ｂ）によれば、インダクタ（Ｌ１）をローノイズアンプ（２２；２３）に隣接させつつ、実装基板（５）上の実装面積を小さくすることができる。

第６の態様に係る高周波モジュール（１ｃ；１ｄ）では、第１〜５の態様のいずれか１つにおいて、第１スイッチ（９１）と、第２スイッチ（９２；９２ｄ）と、第３スイッチ（９３）のうちの少なくとも１つのスイッチを更に備える。第１スイッチ（９１）は、アンテナ（８１）に接続させるフィルタを切り替える。第２スイッチ（９２；９２ｄ）は、入力整合回路（４２；４３）に接続させるフィルタを切り替える。第３スイッチ（９３）は、出力端子（６３）に接続させるローノイズアンプを切り替える。ローノイズアンプ（２２；２３）と上記スイッチとが１チップで構成されている。

第６の態様に係る高周波モジュール（１ｃ；１ｄ）によれば、高周波モジュール（１ｃ；１ｄ）の小型化を図ることができる。

第７の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ〜１ｅ）では、第１〜６の態様のいずれか１つにおいて、受信用フィルタ（３２；３２Ａ，３２Ｂ）は、ＳＡＷフィルタ又はＢＡＷフィルタである。

第７の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ〜１ｅ）によれば、フィルタ特性を向上させることができる。

第８の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ〜１ｅ）では、第１〜７の態様のいずれか１つにおいて、ローノイズアンプ（２２；２３）は、ＳＯＩ基板又はＳｉＧｅ基板で形成されている。

第８の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ〜１ｅ）によれば、ノイズを低減させることができる。

第９の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ〜１ｅ）では、第１〜８の態様のいずれか１つにおいて、インダクタ（Ｌ１）は、表面実装部品又は集積受動デバイスの少なくとも一部である。

第１０の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ〜１ｅ）は、第１〜９の態様のいずれか１つにおいて、送信用フィルタ（３１；３１Ａ，３１Ｂ）を更に備える。

第１０の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ〜１ｅ）によれば、受信機能だけでなく送信機能を含めた構成にすることで小型化を図ることができる。

第１１の態様に係る通信装置（８；８ｃ；８ｄ）は、第１〜１０の態様のいずれか１つの高周波モジュール（１；１ａ〜１ｅ）と、信号処理回路（８２）とを備える。信号処理回路（８２）は、高周波モジュール（１；１ａ〜１ｅ）からの受信信号を処理する。

第１１の態様に係る通信装置（８；８ｃ；８ｄ）によれば、高周波モジュールにおいて、入力整合回路（４２；４３）のインダクタ（Ｌ１）とローノイズアンプ（２２；２３）との間の配線長を短くすることができるので、インダクタ（Ｌ１）とローノイズアンプ（２２；２３）との間に寄生容量を発生しにくくすることができる。その結果、ローノイズアンプ（２２；２３）のＮＦを小さくすることができる。

１；１ａ〜１ｅ 高周波モジュール
２１ パワーアンプ
２１１ 入力端子
２１２ 出力端子
２２ ローノイズアンプ
２２１ 入力端子
２２２ 出力端子
２３ ローノイズアンプ
２３１ 入力端子
２３２ 出力端子
３１，３１Ａ，３１Ｂ 送信用フィルタ
３２，３２Ａ，３２Ｂ 受信用フィルタ
３３ 送受信用フィルタ
４１ 出力整合回路
４２，４２Ａ，４２Ｂ，４３ 入力整合回路
５ 実装基板
５１ 第１主面
５２ 第２主面
５３ 導体パターン部
５４ 柱状電極
５５ 外周面
６，６ｅ 外部接続端子
６１ アンテナ端子
６２ 入力端子
６３ 出力端子
６４ グランド電極
７１ 第１樹脂部材
７１１ 主面
７１２ 外周面
７２ 第２樹脂部材
７３ シールド層
７４，７５ バンプ
７６ 配線部
７７ 貫通電極
８，８ｃ，８ｄ 通信装置
８１ アンテナ
８２ 信号処理回路
８３ ＲＦ信号処理回路
８４ ベースバンド信号処理回路
９１ 第１スイッチ
９１１ 共通端子
９１２〜９１４ 選択端子
９２，９２ｄ 第２スイッチ
９２１ 共通端子
９２２〜９２４ 選択端子
９３ 第３スイッチ
９３１ 共通端子
９３２，９３３ 選択端子
９４ スイッチ
９４１ 共通端子
９４２〜９４４ 選択端子
９５ スイッチ
９５１ 共通端子
９５２，９５３ 選択端子
Ｌ１ インダクタ
Ｌ２ インダクタ
Ｔ１ 送信経路
Ｔ２ 受信経路
Ｄ１ 厚さ方向

Claims (11)

1. 実装基板と、
   前記実装基板に実装されたローノイズアンプと、
   前記ローノイズアンプに接続された受信用フィルタと、
   前記受信用フィルタと前記ローノイズアンプとの間の信号経路に設けられており、少なくとも１つのインダクタを含む入力整合回路と、を備え、
   前記受信用フィルタは、前記ローノイズアンプ上に配置されており、
   前記入力整合回路の前記インダクタは、前記ローノイズアンプに隣接している、
   高周波モジュール。
2. 前記入力整合回路は、前記インダクタを複数含み、
   前記複数のインダクタのうち前記ローノイズアンプに最も近いインダクタが前記ローノイズアンプに隣接している、
   請求項１に記載の高周波モジュール。
3. 前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有し、
   前記実装基板の前記第２主面に設けられている外部接続端子を更に備え、
   前記ローノイズアンプ、前記受信用フィルタ及び前記インダクタは、前記実装基板の前記第２主面側に配置されている、
   請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
4. 前記インダクタは、前記実装基板上に配置されている、
   請求項１〜３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
5. 前記インダクタは、前記ローノイズアンプ上に配置されている、
   請求項１〜３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
6. アンテナに接続させるフィルタを切り替える第１スイッチ、前記入力整合回路に接続させるフィルタを切り替える第２スイッチ、及び、出力端子に接続させるローノイズアンプを切り替える第３スイッチのうちの少なくとも１つのスイッチを更に備え、
   前記ローノイズアンプと前記スイッチとが１チップで構成されている、
   請求項１〜５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
7. 前記受信用フィルタは、ＳＡＷフィルタ又はＢＡＷフィルタである、
   請求項１〜６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
8. 前記ローノイズアンプは、ＳＯＩ基板又はＳｉＧｅ基板で形成されている、
   請求項１〜７のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
9. 前記インダクタは、表面実装部品又は集積受動デバイスの少なくとも一部である、
   請求項１〜８のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
10. 送信用フィルタを更に備える、
    請求項１〜９のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
11. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、
    前記高周波モジュールからの受信信号を処理する信号処理回路と、を備える、
    通信装置。

Images