CN115485980A - 高频模块以及通信装置 - Google Patents

Abstract

本发明谋求弹性波滤波器的散热性的提高。高频模块(100)具备安装基板(9)、弹性波滤波器(1)、树脂层(5)以及屏蔽层(6)。安装基板(9)具有相互对置的第1主面(91)以及第2主面(92)。弹性波滤波器(1)配置在安装基板(9)的第1主面(91)侧。树脂层(5)配置在安装基板(9)的第1主面(91)，且覆盖弹性波滤波器(1)的外周面(803)。屏蔽层(6)覆盖树脂层(5)以及弹性波滤波器(1)。屏蔽层(6)与弹性波滤波器(1)中的与安装基板(9)相反侧的第2主面(802)相接。

Description

高频模块以及通信装置

技术领域

本发明普遍地涉及高频模块以及通信装置，更详细地，涉及具备弹性波滤波器的高频模块、以及具备高频模块的通信装置。

背景技术

在专利文献1中公开了如下的高频模块，即，具备：安装基板，具有相互对置的第1主面以及第2主面；发送功率放大器，安装在安装基板的第1主面；树脂构件，覆盖发送功率放大器；以及屏蔽电极层。

在专利文献1公开的高频模块中，屏蔽电极层形成为覆盖树脂构件的顶面以及侧面。

此外，在专利文献1中公开了具备高频模块的通信装置。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2019/181590号

发明内容

发明要解决的问题

在高频模块中，有时为了抑制电子部件(弹性波滤波器)的温度上升而要求散热性的提高。

本发明的目的在于，提供一种能够谋求弹性波滤波器的散热性的提高的高频模块以及通信装置。

用于解决问题的技术方案

本发明的一个方式涉及的高频模块具备安装基板、弹性波滤波器、树脂层以及屏蔽层。所述安装基板具有相互对置的第1主面以及第2主面。所述弹性波滤波器配置在所述安装基板的所述第1主面侧。所述树脂层配置在所述安装基板的所述第1主面，且覆盖所述弹性波滤波器的外周面。所述屏蔽层覆盖所述树脂层以及所述弹性波滤波器。所述屏蔽层与所述弹性波滤波器中的与所述安装基板相反侧的主面相接。

本发明的一个方式涉及的通信装置具备所述高频模块和信号处理电路。所述信号处理电路与所述高频模块连接，且对高频信号进行信号处理。

发明效果

本发明的一个方式涉及的高频模块以及通信装置能够谋求弹性波滤波器的散热性的提高。

附图说明

图1是具备实施方式1涉及的高频模块的通信装置的电路结构图。

图2是同上的高频模块的剖视图。

图3是将同上的高频模块的一部分放大了的剖视图。

图4是同上的高频模块的俯视图。

图5是将实施方式1的变形例1涉及的高频模块的一部分放大了的剖视图。

图6是将实施方式1的变形例2涉及的高频模块的一部分放大了的剖视图。

图7是将实施方式1的变形例3涉及的高频模块的一部分放大了的剖视图。

图8是将实施方式1的变形例4涉及的高频模块的一部分放大了的剖视图。

图9是将实施方式1的变形例5涉及的高频模块的一部分放大了的剖视图。

图10是实施方式2涉及的高频模块的剖视图。

图11是实施方式3涉及的高频模块的剖视图。

图12是实施方式4涉及的高频模块的剖视图。

图13是实施方式5涉及的高频模块的剖视图。

图14是实施方式6涉及的高频模块的剖视图。

图15是实施方式7涉及的高频模块的剖视图。

图16是实施方式8涉及的高频模块的剖视图。

图17是同上的高频模块的俯视图。

图18是实施方式9涉及的高频模块的剖视图。

图19是实施方式10涉及的高频模块的剖视图。

图20是同上的高频模块的俯视图。

图21是实施方式10的变形例涉及的高频模块的剖视图。

图22是具备实施方式11涉及的高频模块的通信装置的电路结构图。

图23是同上的高频模块的剖视图。

图24是实施方式12涉及的高频模块的剖视图。

具体实施方式

在以下的实施方式等中参照的图2～图21、图23以及图24均为示意性的图，图中的各构成要素的大小、厚度各自之比未必一定反映了实际的尺寸比。

(实施方式1)

如图2所示，实施方式1涉及的高频模块100具备安装基板9、弹性波滤波器1、树脂层5以及屏蔽层6。安装基板9具有相互对置的第1主面91以及第2主面92。弹性波滤波器1配置在安装基板9的第1主面91侧。树脂层5配置在安装基板9的第1主面91，且覆盖弹性波滤波器1的外周面803。屏蔽层6覆盖树脂层5以及弹性波滤波器1。屏蔽层6与弹性波滤波器1中的与安装基板9相反侧的主面(第2主面802)相接。由此，实施方式1涉及的高频模块100能够谋求弹性波滤波器1的散热性的提高。在本说明书等中，所谓“配置在第1主面侧”，包含弹性波滤波器1配置在安装基板9的第1主面91的情况、和弹性波滤波器1配置(层叠)在配置于安装基板9的第1主面91的其它电子部件中的与安装基板9相反侧的主面的情况。

以下，参照图1～图9对实施方式1涉及的高频模块100以及通信装置300进行说明。

(1)高频模块以及通信装置

(1.1)高频模块以及通信装置的电路结构

首先，参照图1对实施方式1涉及的高频模块100以及通信装置300的电路结构进行说明。

实施方式1涉及的高频模块100例如被用于通信装置300。通信装置300例如为便携式电话(例如，智能电话)，但是并不限于此，例如，也可以是可穿戴终端(例如，智能手表)。高频模块100例如为能够应对4G(第4代移动通信)标准、5G(第5代移动通信)标准的模块。4G标准例如为3GPP(Third Generation Partnership Project，第三代合作伙伴计划)LTE(Long Term Evolution，长期演进)标准。5G标准例如为5G NR(New Radio，新空口)。高频模块100是能够应对载波聚合以及双连接的模块。

高频模块100例如构成为能够将从信号处理电路301输入的发送信号(高频信号)放大并输出到天线310。此外，高频模块100构成为能够将从天线310输入的接收信号(高频信号)放大并输出到信号处理电路301。信号处理电路301不是高频模块100的构成要素，而是具备高频模块100的通信装置300的构成要素。高频模块100例如由通信装置300所具备的信号处理电路301进行控制。通信装置300具备高频模块100和信号处理电路301。通信装置300还具备天线310。通信装置300还具备安装了高频模块100的电路基板。电路基板例如为印刷布线板。电路基板具有提供接地电位的接地电极。

信号处理电路301例如包含RF信号处理电路302和基带信号处理电路303。RF信号处理电路302例如为RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit，射频集成电路)，进行对高频信号的信号处理。RF信号处理电路302例如对从基带信号处理电路303输出的高频信号(发送信号)进行上变频等信号处理，并输出进行了信号处理的高频信号。此外，RF信号处理电路302例如对从高频模块100输出的高频信号(接收信号)进行下变频等信号处理，并向基带信号处理电路303输出进行了信号处理的高频信号。基带信号处理电路303例如为BBIC(Baseband Integrated Circuit，基带集成电路)。基带信号处理电路303从基带信号生成I相信号以及Q相信号。基带信号例如是从外部输入的声音信号、图像信号等。基带信号处理电路303通过将I相信号和Q相信号合成从而进行IQ调制处理，并输出发送信号。此时，发送信号被生成为调制信号(IQ信号)，该调制信号(IQ信号)是将给定频率的载波信号以比该载波信号的周期长的周期进行了振幅调制而获得的。由基带信号处理电路303处理后的接收信号例如作为图像信号而用于图像显示，或者作为声音信号而用于通话。高频模块100在天线310与信号处理电路301的RF信号处理电路302之间传递高频信号(接收信号、发送信号)。

高频模块100具备功率放大器111和低噪声放大器121。此外，高频模块100具备多个(在图示例中为两个)发送滤波器112A、112B和多个(在图示例中为两个)接收滤波器122A、122B。此外，高频模块100具备输出匹配电路113和输入匹配电路123。此外，高频模块100具备第1开关104、第2开关105以及第3开关106。此外，高频模块100具备控制器115。在实施方式1涉及的高频模块100中，发送滤波器112A构成了上述的弹性波滤波器1。换言之，弹性波滤波器1是设置在发送信号用的信号路径T1的发送滤波器112A。

此外，高频模块100具备多个外部连接端子80。多个外部连接端子80包含天线端子81、信号输入端子82、信号输出端子83以及多个接地端子85(参照图2)。多个接地端子85是与通信装置300所具备的上述的电路基板的接地电极电连接从而提供接地电位的端子。

功率放大器111设置在发送信号用的信号路径T1。功率放大器111具有输入端子以及输出端子。功率放大器111将输入到输入端子的第1频带的发送信号放大并输出到输出端子。第1频带例如包含第1通信频段和第2通信频段。第1通信频段对应于通过发送滤波器112A的发送信号，例如为3GPP LTE标准的Band11。第2通信频段对应于通过发送滤波器112B的发送信号，例如为3GPP LTE标准的Band22。

功率放大器111的输入端子与信号输入端子82连接。功率放大器111的输入端子经由信号输入端子82而与信号处理电路301连接。信号输入端子82是用于将来自外部电路(例如，信号处理电路301)的高频信号(发送信号)输入到高频模块100的端子。功率放大器111的输出端子经由输出匹配电路113而与第2开关105的公共端子150连接。功率放大器111由控制器115进行控制。

低噪声放大器121设置在接收信号用的信号路径R1。低噪声放大器121具有输入端子以及输出端子。低噪声放大器121将输入到输入端子的第2频带的接收信号放大并从输出端子输出。第2频带例如与第1频带相同，包含第1通信频段和第2通信频段。

低噪声放大器121的输入端子经由输入匹配电路123而与第3开关106的公共端子160连接。低噪声放大器121的输出端子与信号输出端子83连接。低噪声放大器121的输出端子例如经由信号输出端子83而与信号处理电路301连接。信号输出端子83是用于向外部电路(例如，信号处理电路301)输出来自低噪声放大器121的高频信号(接收信号)的端子。

发送滤波器112A例如是将第1通信频段的发送带作为通带的滤波器。发送滤波器112B例如是将第2通信频段的发送带作为通带的滤波器。

接收滤波器122A例如是将第1通信频段的接收带作为通带的滤波器。接收滤波器122B例如是将第2通信频段的接收带作为通带的滤波器。

第1开关104具有公共端子140和多个(在图示例中为两个)选择端子141、142。公共端子140与天线端子81连接。在天线端子81连接天线310。选择端子141与发送滤波器112A的输出端子和接收滤波器122A的输入端子的连接点连接。选择端子142与发送滤波器112B的输出端子和接收滤波器122B的输入端子的连接点连接。第1开关104例如是能够将多个选择端子141、142中的至少一个连接于公共端子140的开关。在此，第1开关104例如是能够进行一对一以及一对多的连接的开关。

第1开关104设置在发送信号用的信号路径T1(T11、T12)和接收信号用的信号路径R1(R11、R12)的双方。更详细地，第1开关104设置在设置有功率放大器111、输出匹配电路113、第2开关105以及发送滤波器112A的发送信号用的信号路径T11。此外，第1开关104设置在设置有功率放大器111、输出匹配电路113、第2开关105以及发送滤波器112B的发送信号用的信号路径T12。此外，第1开关104设置在设置有接收滤波器122A、第3开关106、输入匹配电路123以及低噪声放大器121的接收信号用的信号路径R11。此外，第1开关104设置在设置有接收滤波器122B、第3开关106、输入匹配电路123以及低噪声放大器121的接收信号用的信号路径R12。

第1开关104例如由信号处理电路301进行控制。第1开关104按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号对公共端子140和多个选择端子141、142的连接状态进行切换。第1开关104例如为开关IC(Integrated Circuit，集成电路)。

第2开关105具有公共端子150和多个(在图示例中为两个)选择端子151、152。公共端子150经由输出匹配电路113而与功率放大器111的输出端子连接。选择端子151与发送滤波器112A的输入端子连接。选择端子152与发送滤波器112B的输入端子连接。第2开关105例如是能够将多个选择端子151、152中的至少一个连接于公共端子150的开关。在此，第2开关105例如是能够进行一对一以及一对多的连接的开关。第2开关105是具有对通信频段相互不同的多个发送信号用的信号路径T11、T12进行切换的功能的开关。

第2开关105例如由信号处理电路301进行控制。第2开关105按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号对公共端子150和多个选择端子151、152的连接状态进行切换。第2开关105例如为开关IC。

第3开关106具有公共端子160和多个(在图示例中为两个)选择端子161、162。公共端子160经由输入匹配电路123而与低噪声放大器121的输入端子连接。选择端子161与接收滤波器122A的输出端子连接。选择端子162与接收滤波器122B的输出端子连接。第3开关106例如是能够将多个选择端子161、162中的至少一个连接于公共端子160的开关。在此，第3开关106例如是能够进行一对一以及一对多的连接的开关。第3开关106是具有对通信频段相互不同的多个接收信号用的信号路径R11、R12进行切换的功能的开关。

第3开关106例如由信号处理电路301进行控制。第3开关106按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号对公共端子160和多个选择端子161、162的连接状态进行切换。第3开关106例如为开关IC。

输出匹配电路113设置在功率放大器111的输出端子与第2开关105的公共端子150之间的信号路径。输出匹配电路113是用于获得功率放大器111和发送滤波器112A、112B的阻抗匹配的电路。输出匹配电路113例如包含一个电感器，但是并不限于此，例如，也有时包含多个电感器以及多个电容器。

输入匹配电路123设置在低噪声放大器121的输入端子与第3开关106的公共端子160之间的信号路径。输入匹配电路123是用于获得低噪声放大器121和接收滤波器122A、122B的阻抗匹配的电路。输入匹配电路123例如包含一个电感器，但是并不限于此，例如，也有时包含多个电感器以及多个电容器。

控制器115与功率放大器111连接。控制器115按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号对功率放大器111进行控制。

(1.2)高频模块的构造

接着，参照图2～图4对实施方式1涉及的高频模块100的构造进行说明。

如图2所示，实施方式1涉及的高频模块100具备安装基板9、多个电子部件8以及多个外部连接端子80。多个电子部件8包含上述的功率放大器111、低噪声放大器121、多个发送滤波器112A、112B、多个接收滤波器122A、122B、输出匹配电路113以及输入匹配电路123。此外，多个电子部件8还包含上述的第1开关104、第2开关105以及第3开关106。即，多个电子部件8包含第1电子部件1和第2电子部件2。第1电子部件1例如为发送滤波器112A。第2电子部件2例如为接收滤波器122A。

安装基板9具有在安装基板9的厚度方向D1上相互对置的第1主面91以及第2主面92。安装基板9例如为包含多个电介质层以及多个导电层的多层基板。多个电介质层以及多个导电层在安装基板9的厚度方向D1上层叠。多个导电层形成为按每个层规定的给定图案。多个导电层各自在与安装基板9的厚度方向D1正交的一个平面内包含一个或多个导体部。各导电层的材料例如为铜。多个导电层包含接地层。在高频模块100中，多个接地端子85和接地层经由安装基板9所具有的过孔导体等电连接。安装基板9例如为LTCC(LowTemperature Co-fired Ceramics，低温共烧陶瓷)基板。安装基板9并不限于LTCC基板，例如，也可以是印刷布线板、HTCC(High Temperature Co-fired Ceramics，高温共烧陶瓷)基板、或树脂多层基板。

此外，安装基板9并不限于LTCC基板，例如，也可以是布线构造体。布线构造体例如为多层构造体。多层构造体包含至少一个绝缘层和至少一个导电层。绝缘层形成为给定图案。在绝缘层为多个的情况下，多个绝缘层形成为按每个层规定的给定图案。导电层形成为与绝缘层的给定图案不同的给定图案。在导电层为多个的情况下，多个导电层形成为按每个层规定的给定图案。导电层也可以包含一个或多个再布线部。在布线构造体中，在多层构造体的厚度方向上相互对置的两个面中，第1面为安装基板9的第1主面91，第2面为安装基板9的第2主面92。布线构造体例如也可以为内插器。内插器既可以是使用了硅基板的内插器，也可以是由多层构成的基板。

安装基板9的第1主面91以及第2主面92在安装基板9的厚度方向D1上分离，并与安装基板9的厚度方向D1交叉。安装基板9中的第1主面91例如与安装基板9的厚度方向D1正交，但是例如也可以包含导体部的侧面等作为不与厚度方向D1正交的面。此外，安装基板9中的第2主面92例如与安装基板9的厚度方向D1正交，但是例如也可以包含导体部的侧面等作为不与厚度方向D1正交的面。此外，安装基板9的第1主面91以及第2主面92也可以形成有微小的凹凸、凹部或凸部。在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，安装基板9为长方形，但是并不限于此，例如，也可以为正方形。

在实施方式1涉及的高频模块100中，多个电子部件8安装在安装基板9的第1主面91。在本说明书等中，所谓“安装”，包含电子部件8配置在安装基板9的第1主面91的情况(机械连接的情况)、和电子部件8与安装基板9(的适当的导体部)电连接的情况。因此，在高频模块100中，多个电子部件8配置在安装基板9的第1主面91。多个电子部件8各自具有相互对置的第1主面801以及第2主面802。而且，多个电子部件8各自配置在安装基板9的第1主面91，使得在安装基板9的厚度方向D1上第1主面801成为安装基板9的第1主面91侧。因此，电子部件8的第2主面802构成了在安装基板9的厚度方向D1上位于与安装基板9相反侧的主面。此外，多个电子部件8各自具有将第1主面801和第2主面802相连的外周面803。另外，高频模块100并不限于仅包含安装在安装基板9的多个电子部件8，还可以包含设置在安装基板9内的电路元件。

功率放大器111例如为IC芯片，该IC芯片包含：具有相互对置的第1主面以及第2主面的基板、和形成在该基板的第1主面侧的具有晶体管的电路部(IC部)。基板例如为砷化镓基板。电路部具有将输入到功率放大器111的输入端子的发送信号放大的功能。晶体管例如为HBT(Heterojunction Bipolar Transistor，异质结双极晶体管)。功率放大器111例如也可以包含直流阻隔用的电容器。包含功率放大器111的IC芯片被倒装芯片安装于安装基板9的第1主面91，使得基板的第1主面以及第2主面中的第1主面成为安装基板9的第1主面91侧。在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，包含功率放大器111的IC芯片的外周形状为四边形。包含功率放大器111的IC芯片中的基板并不限于砷化镓基板，也可以是硅基板、硅锗基板、或氮化镓基板等。此外，晶体管并不限于HBT等双极晶体管，例如，也可以是FET(FieldEffect Transistor，场效应晶体管)。FET例如为MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)。

低噪声放大器121例如为IC芯片，该IC芯片包含：具有相互对置的第1主面以及第2主面的基板、和形成在该基板的第1主面侧的电路部(IC部)。基板例如为硅基板。电路部具有将输入到低噪声放大器121的输入端子的接收信号放大的功能。低噪声放大器121被倒装芯片安装于安装基板9的第1主面91，使得基板的第1主面以及第2主面中的第1主面成为安装基板9的第1主面91侧。在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，低噪声放大器121的外周形状为四边形。

多个发送滤波器112A、112B以及多个接收滤波器122A、122B各自例如为梯型滤波器，具有多个(例如，4个)串联臂谐振器和多个(例如，3个)并联臂谐振器。多个发送滤波器112A、112B以及多个接收滤波器122A、122B各自例如为弹性波滤波器。在弹性波滤波器中，多个串联臂谐振器以及多个并联臂谐振器各自由弹性波谐振器构成。弹性波滤波器例如是利用声表面波的声表面波滤波器。即，在实施方式1涉及的高频模块100中，作为第1电子部件1的发送滤波器112A是弹性波滤波器(以下，也称为“弹性波滤波器1”)。

在声表面波滤波器中，多个串联臂谐振器以及多个并联臂谐振器各自例如为SAW(Surface Acoustic Wave，声表面波)谐振器。

声表面波滤波器例如包含：具有相互对置的第1主面以及第2主面的基板、和形成在该基板的第1主面侧的电路部。基板为压电基板。压电基板例如为铌酸锂基板。电路部具有与多个串联臂谐振器一对一地对应的多个IDT(Interdigital Transducer，叉指换能器)电极和与多个并联臂谐振器一对一地对应的多个IDT电极。

多个发送滤波器112A、112B以及多个接收滤波器122A、122B各自例如为裸芯片的弹性波滤波器。在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，多个发送滤波器112A、112B以及多个接收滤波器122A、122B各自的外周形状为四边形。多个发送滤波器112A、112B以及多个接收滤波器122A、122B各自被倒装芯片安装于安装基板9的第1主面91，使得基板的第1主面和第2主面中的第1主面成为安装基板9侧。

第1开关104、第2开关105以及第3开关106各自为开关IC。更详细地，第1开关104、第2开关105以及第3开关106各自例如为IC芯片，该IC芯片包含：具有相互对置的第1主面以及第2主面的基板、和形成在该基板的第1主面侧的具有FET(Field Effect Transistor，场效应晶体管)的电路部(IC部)。基板例如为硅基板。电路部是具有对公共端子和多个选择端子的连接状态进行切换的功能的功能部。在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，构成第1开关104、第2开关105以及第3开关106各自的IC芯片的外周形状为四边形。第1开关104、第2开关105以及第3开关106各自被倒装芯片安装于安装基板9的第1主面91，使得基板的第1主面以及第2主面中的第1主面成为安装基板9的第1主面91侧。

输出匹配电路113中的电感器例如为片式电感器。输出匹配电路113中的电感器例如安装在安装基板9的第1主面91，但是并不限于此。在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，电感器的外周形状为四边形。

输入匹配电路123中的电感器例如为片式电感器。输入匹配电路123中的电感器例如安装在安装基板9的第1主面91，但是并不限于此。在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，电感器的外周形状为四边形。

多个外部连接端子80配置在安装基板9的第2主面92。多个外部连接端子80的材料例如为金属(例如，铜、铜合金等)。

多个外部连接端子80除了上述的天线端子81、信号输入端子82以及信号输出端子83以外，还包含多个接地端子85。如上所述，多个接地端子85与安装基板9的接地层电连接。接地层是高频模块100的电路接地。多个电子部件8包含与接地层电连接的电子部件8。

树脂层5在安装基板9的第1主面91侧覆盖配置在安装基板9的第1主面91的多个电子部件8各自的至少一部分。树脂层5包含树脂。树脂层5也可以除树脂以外还包含填料。树脂层5覆盖多个电子部件8各自的外周面803。此外，树脂层5还覆盖多个电子部件8中的一部分的电子部件8的第2主面802。

屏蔽层6覆盖树脂层5中的与安装基板9相反侧的主面51、树脂层5的外周面53以及安装基板9的外周面93。屏蔽层6的材料例如包含一种或多种金属。屏蔽层6的材料例如包含银。屏蔽层6与安装基板9所具有的接地层接触。由此，能够使屏蔽层6的电位变得与接地层的电位相同。

在实施方式1涉及的高频模块100中，如图3所示，第1电子部件1具有第1基板10、第1电路部14以及多个第1焊盘电极16。第1电路部14包含多个IDT电极15。多个第1焊盘电极16形成在第1基板10的第1主面11侧，并与第1电路部14连接。高频模块100还具备与多个第1焊盘电极16和安装基板9接合的多个第1凸块101。在高频模块100中，构成第1电子部件1的裸芯片的弹性波滤波器的多个IDT电极15配置在第1空间SP1内，该第1空间SP1是通过多个第1焊盘电极16、多个第1凸块101、第1基板10、安装基板9以及树脂层5而形成在第1基板10与安装基板9之间的空间。

在实施方式1涉及的高频模块100中，构成第1电子部件1的基板的厚度和构成第2电子部件2的基板的厚度不同。具体地，在实施方式1涉及的高频模块100中，构成第1电子部件1的基板的厚度比构成第2电子部件2的基板的厚度厚。

关于第1电子部件1，在使第1基板10的第2主面12粗糙的情况下，与不使其粗糙的情况相比，能够使与屏蔽层6的密接性提高，因此从使与屏蔽层6的密接性提高的观点出发，优选预先使第1基板10的第2主面12粗糙。在实施方式1涉及的高频模块100中，第1基板10的第2主面12与配置在安装基板9的第1主面91且被树脂层5覆盖的电子部件8中的与安装基板9相反侧的主面(第2主面802)相比为粗糙面(表面粗糙度大)。在此，第1基板10的第2主面12的最大高度粗糙度(Rz)大于第2主面802被树脂层5覆盖的电子部件8的第2主面802的最大高度粗糙度。关于表面粗糙度，最大高度粗糙度是从通过STEM(Scanning TransmissionElectron Microscope，扫描透射电子显微镜)对高频模块100的剖面进行了观察时的STEM像测定出的值。最大高度粗糙度是在STEM像中第1基板10的第2主面12以及电子部件8的第2主面802各自中的峰高度的最大值与谷深度的最大值之和。也就是说，最大高度粗糙度是在第1基板10的第2主面12以及电子部件8的第2主面802各自中凹凸的峰谷(Peak to Valley)的值。第1基板10的第2主面12的表面粗糙度例如能够根据在制造时通过磨削等对第1基板10的第2主面12进行粗糙面化的处理的条件而改变。在讨论表面粗糙度的相对的大小关系时，并不限于STEM，表面粗糙度例如也可以是从SEM(Scanning Electron Microscope，扫描电子显微镜)像求出的值。

此外，在实施方式1涉及的高频模块100中，如图4所示，屏蔽层6具有识别标记600。识别标记600包含第1部分601。第1部分601是屏蔽层6之中在安装基板9的厚度方向D1上与弹性波滤波器1重叠的部分。以下，将屏蔽层6之中在安装基板9的厚度方向D1上不与弹性波滤波器1重叠的部分称为第2部分602。在实施方式1涉及的高频模块100中，例如，从外部入射的光在第1部分601和第2部分602的反射情况不同。由此，在实施方式1涉及的高频模块100中，在人看来，第1部分601的颜色与第2部分602的颜色不同。另外，图4为高频模块100的俯视图，但是为了使第1部分601和第2部分602容易判别而在第1部分601附上了点状的影线。第1部分601中的与第1基板10侧相反侧的主面也可以具有反映了第1基板10的第2主面12的凹凸的凹凸。

(2)高频模块的制造方法

接着，对实施方式1涉及的高频模块100的制造方法进行简单地说明。

高频模块100的制造方法例如具备第1工序、第2工序、第3工序以及第4工序。第1工序是在安装基板9的第1主面91上配置包含第1电子部件(弹性波滤波器)1的多个电子部件8的工序。第2工序是在安装基板9的第1主面91侧形成覆盖多个电子部件8且成为树脂层5的基础的树脂材料层的工序。第3工序是如下的工序，即，从树脂材料层中的与安装基板9相反侧的主面对树脂材料层进行磨削而使第1电子部件1的第1基板10露出之后，对树脂材料层和第1基板10进行磨削，由此形成树脂层5并且使第1基板10变薄。第4工序是例如通过溅射法、蒸镀法、或印刷法来形成与树脂层5的主面51和第1基板10的第2主面12相接的屏蔽层6的工序。

(3)总结

(3.1)高频模块

实施方式1涉及的高频模块100具备安装基板9、弹性波滤波器1、树脂层5以及屏蔽层6。安装基板9具有相互对置的第1主面91以及第2主面92。弹性波滤波器1配置在安装基板9的第1主面91侧。树脂层5配置在安装基板9的第1主面91，且覆盖弹性波滤波器1的外周面803。屏蔽层6覆盖树脂层5以及弹性波滤波器1。屏蔽层6与弹性波滤波器1中的与安装基板9相反侧的第2主面802相接。

在实施方式1涉及的高频模块100中，如上所述，弹性波滤波器1的第2主面802与屏蔽层6相接，因此能够将在弹性波滤波器1中产生的热传递到屏蔽层6。其结果是，能够谋求弹性波滤波器1的散热性的提高。在此，在实施方式1涉及的高频模块100中，从谋求散热性的提高的观点出发，优选屏蔽层6遍及第1基板10的第2主面12的整个区域而相接。但是，屏蔽层6遍及第1基板10的第2主面12的整个区域而相接并不是必须的。

此外，在实施方式1涉及的高频模块100中，能够使在弹性波滤波器1中产生的热通过第1基板10的第2主面12以及屏蔽层6进行散热。由此，在实施方式1涉及的高频模块100中，能够抑制构成第1基板10的铌酸锂基板的温度上升。其结果是，在实施方式1涉及的高频模块100中，能够谋求弹性波滤波器1的温度特性的稳定化，能够谋求高频模块100的特性的稳定化。

此外，在实施方式1涉及的高频模块100中，第1基板10的第2主面12与被树脂层5覆盖的电子部件8中的与安装基板9相反侧的主面(第2主面802)相比为粗糙面。由此，在实施方式1涉及的高频模块100中，能够使第1电子部件1和屏蔽层6的密接性提高。

此外，在实施方式1涉及的高频模块100中，能够使在沿着构成第1基板10的铌酸锂基板的厚度方向的方向上传播的无用波(例如，无用的体波(bulk wave))在第1基板10和屏蔽层6的界面散射，能够谋求弹性波滤波器1的滤波器特性的提高。作为滤波器特性的提高，例如，可列举谐波失真的抑制等。

此外，在实施方式1涉及的高频模块100中，屏蔽层6具有识别标记600。由此，在实施方式1涉及的高频模块100中，例如，人能够对识别标记600进行视觉确认。

(3.2)通信装置

实施方式1涉及的通信装置300具备上述的高频模块100和信号处理电路301。信号处理电路301与高频模块100连接，且对高频信号进行信号处理。

实施方式1涉及的通信装置300具备高频模块100，因此能够谋求弹性波滤波器1的散热性的提高。

关于构成信号处理电路301的多个电子部件，例如，既可以安装在上述的电路基板，也可以安装在与安装了高频模块100的电路基板(第1电路基板)不同的电路基板(第2电路基板)。

在实施方式1涉及的高频模块100中，构成弹性波滤波器1的第1基板10为铌酸锂基板，但是并不限于此，例如，第1基板10也可以为钽酸锂基板。在第1基板10为钽酸锂基板的情况下，与铌酸锂基板相比，温度特性差，弹性波滤波器1的温度特性有可能劣化，但是通过使第1基板10的第2主面12与屏蔽层6接触，从而能够抑制第1基板10的温度上升，能够谋求弹性波滤波器1的温度特性的稳定化。

此外，在实施方式1涉及的高频模块100中，第2电子部件2为接收滤波器122A，但是也可以为功率放大器111等其它电路元件。

(4)变形例

以下，列举实施方式1的变形例。以下说明的变形例能够适当地组合而进行应用。

(4.1)变形例1

参照图5对实施方式1的变形例1涉及的高频模块100a进行说明。关于变形例1涉及的高频模块100a，对于与实施方式1涉及的高频模块100同样的构成要素，标注相同的附图标记并省略说明。

变形例1涉及的高频模块100a与实施方式1涉及的高频模块100的不同点在于，构成弹性波滤波器1的第1电子部件1作为第1封装构造的构成要素而具有第1间隔层17、第1覆盖构件18以及多个第1端子19。

第1间隔层17设置在第1基板10的第1主面11侧。在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，第1间隔层17包围多个IDT电极15。在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，第1间隔层17为矩形框状。第1间隔层17具有电绝缘性。第1间隔层17的材料为环氧树脂、聚酰亚胺等。

第1覆盖构件18设置在第1基板10的第1主面11侧。第1覆盖构件18为平板状。第1覆盖构件18配置在第1间隔层17上，使得在安装基板9的厚度方向D1上与第1基板10对置。第1覆盖构件18在安装基板9的厚度方向D1上与多个IDT电极15重复，并且，在安装基板9的厚度方向D1上与多个IDT电极15分离。第1覆盖构件18具有电绝缘性。第1覆盖构件18的材料为环氧树脂、聚酰亚胺等。

第1电子部件1具有被第1基板10、第1间隔层17以及第1覆盖构件18包围的第1空间S1。在第1空间S1中进入了空气、惰性气体(例如，氮气)等气体。

多个第1端子19从第1覆盖构件18露出。多个第1端子19各自例如为凸块。各凸块例如为焊料凸块。各凸块并不限于焊料凸块，例如，也可以为金凸块。

在变形例1涉及的高频模块100a中，与实施方式1涉及的高频模块100同样地，屏蔽层6与第1基板10的第2主面12相接。换言之，在变形例1涉及的高频模块100a中，屏蔽层6与弹性波滤波器1中的与安装基板9相反侧的主面(第2主面802)相接。由此，在变形例1涉及的高频模块100a中，与实施方式1涉及的高频模块100同样地，能够谋求弹性波滤波器1的散热性的提高。

(4.2)变形例2

参照图6对实施方式1的变形例2涉及的高频模块100b进行说明。关于变形例2涉及的高频模块100b，对于与实施方式1涉及的高频模块100同样的构成要素，标注相同的附图标记并省略说明。

变形例2涉及的高频模块100b与实施方式1涉及的高频模块100的不同点在于，构成弹性波滤波器1的第1电子部件1除了包含第1基板10、第1电路部14以及多个第1焊盘电极16的第1滤波器芯片171以外，还具有第1封装基板173、多个凸块174以及第1密封树脂部175作为第1封装构造的构成要素。

第1封装基板173具备第1支承体1730、多个电极1733以及多个外部连接电极1734。第1支承体1730为平板状，具有相互对置的第1主面1731以及第2主面1732。多个电极1733配置在第1支承体1730的第1主面1731。此外，多个外部连接电极1734配置在第1支承体1730的第2主面1732。

第1封装基板173还具备将多个电极1733和多个外部连接电极1734一对一地电连接的多个贯通电极1735。第1支承体1730具有电绝缘性。第1支承体1730例如为陶瓷基板(例如，矾土基板)。第1封装基板173的外周形状为长方形，但是并不限于此，例如，也可以为正方形。

多个凸块174将第1滤波器芯片171的多个第1焊盘电极16和第1封装基板173的多个电极1733接合。

第1密封树脂部175配置在第1封装基板173上，且覆盖第1滤波器芯片171的外周面。在第1电子部件1形成有被第1滤波器芯片171、第1封装基板173以及第1密封树脂部175包围的第1空间S1。

第1电子部件1为CSP(Chip Size Package，芯片尺寸封装)型的弹性波滤波器，第1滤波器芯片171被倒装芯片安装于第1封装基板173，且在第1封装基板173上第1滤波器芯片171的外周面被第1密封树脂部175覆盖。从第1滤波器芯片171的厚度方向观察，第1封装基板173以及第1密封树脂部175的尺寸比第1滤波器芯片171的芯片尺寸稍大。

高频模块100b还具备与弹性波滤波器1的多个外部连接电极1734和安装基板9接合的多个第1凸块191。

在变形例2涉及的高频模块100b中，与实施方式1涉及的高频模块100同样地，屏蔽层6与第1基板10的第2主面12相接。换言之，在变形例2涉及的高频模块100b中，屏蔽层6与弹性波滤波器1中的与安装基板9相反侧的主面(第2主面802)相接。由此，在变形例2涉及的高频模块100b中，与实施方式1涉及的高频模块100同样地，能够谋求弹性波滤波器1的散热性的提高。

(4.3)变形例3

参照图7对实施方式1的变形例3涉及的高频模块100c进行说明。关于变形例3涉及的高频模块100c，对于与实施方式1的变形例1涉及的高频模块100a同样的构成要素，标注相同的附图标记并省略说明。

在变形例3涉及的高频模块100c中，与变形例1涉及的高频模块100a的不同点在于，构成弹性波滤波器1的第1电子部件1为BAW滤波器。在变形例3涉及的高频模块100c中，第1电子部件1中的第1基板10为硅基板，多个弹性波谐振器各自为第1BAW(Bulk AcousticWave，体声波)谐振器180。即，在变形例3涉及的高频模块100c中，第1基板10是由硅基板构成的支承基板。

第1BAW谐振器180包含第1电极181、压电体膜182以及第2电极183。压电体膜182形成在第1电极181上。第2电极183形成在压电体膜182上。

第1BAW谐振器180还包含形成在第1基板10的第1主面11上的电绝缘膜185。电绝缘膜185的材料例如为氧化硅。压电体膜182的材料例如为A1N、ScAlN或PZT。

第1BAW谐振器180在第1电极181中的与压电体膜182相反侧具有空洞184。第1BAW谐振器180通过增大第1电极181与第1电极181正下方的介质的声阻抗比从而能够抑制弹性波能量向第1基板10侧的传播，与不具有空洞184的情况相比，能够提高机电耦合系数。第1BAW谐振器180为FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator，薄膜体声波谐振器)。

在变形例3涉及的高频模块100c中，与变形例1涉及的高频模块100a同样地，屏蔽层6与第1基板10的第2主面12相接。换言之，在变形例3涉及的高频模块100c中，屏蔽层6与弹性波滤波器1中的与安装基板9相反侧的主面(第2主面802)相接。由此，在变形例3涉及的高频模块100c中，与变形例1涉及的高频模块100a同样地，能够谋求弹性波滤波器1的散热性的提高。

(4.4)变形例4

参照图8对实施方式1的变形例4涉及的高频模块100d进行说明。关于变形例4涉及的高频模块100d，对于与实施方式1的变形例3涉及的高频模块100c同样的构成要素，标注相同的附图标记并省略说明。

变形例4涉及的高频模块100d与变形例3涉及的高频模块100c的不同点在于，第1BAW谐振器180具有介于第1基板10与多个第1BAW谐振器180的第1电极181之间的声反射层A1。在变形例4涉及的高频模块100d中，第1基板10是由硅基板构成的支承基板。

声反射层A1设置在第1基板10的第1主面11上。多个第1电极181设置在声反射层A1上。声反射层A1具有至少一个(在图示例中为3个)低声阻抗层A11和至少一个(在图示例中为两个)高声阻抗层A12。低声阻抗层A11的声阻抗比高声阻抗层A12的声阻抗低。

在变形例4涉及的高频模块100d中，第1BAW谐振器180为SMR(Solidly MountedResonator，固体安装谐振器)。多个高声阻抗层A12的材料例如为铂。此外，多个低声阻抗层A11的材料例如为氧化硅。多个高声阻抗层A12的材料并不限于铂，例如，也可以是钨、钽等金属。此外，多个高声阻抗层A12的材料并不限于金属，例如，也可以是绝缘体。此外，关于多个高声阻抗层A12，并不限于彼此为相同的材料的情况，例如，也可以是，彼此为不同的材料。此外，关于多个低声阻抗层A11，并不限于彼此为相同的材料的情况，例如，也可以是，彼此为不同的材料。此外，关于高声阻抗层A12的数量和低声阻抗层A11的数量，并不限于不同的情况，也可以为相同。

在变形例4涉及的高频模块100d中，与变形例3涉及的高频模块100c同样地，屏蔽层6与第1基板10的第2主面12相接。换言之，在变形例4涉及的高频模块100d中，屏蔽层6与弹性波滤波器1中的与安装基板9相反侧的主面(第2主面802)相接。由此，在变形例4涉及的高频模块100d中，与变形例3涉及的高频模块100c同样地，能够谋求弹性波滤波器1的散热性的提高。

(4.5)变形例5

参照图9对实施方式1的变形例5涉及的高频模块100e进行说明。关于变形例5涉及的高频模块100e，对于与实施方式1涉及的高频模块100同样的构成要素，标注相同的附图标记并省略说明。

构成弹性波滤波器1的第1电子部件1是裸芯片的弹性波滤波器。如图9所示，第1电子部件1具有第1基板10、低声速膜193、压电体层194、多个IDT电极15以及多个第1焊盘电极16。低声速膜193设置在第1基板10的第1主面11上。压电体层194设置在低声速膜193上。多个IDT电极15设置在压电体层194上。多个第1焊盘电极16设置在第1基板10的第1主面11上。第1电子部件1在从其厚度方向的俯视下为长方形，但是并不限于此，例如，也可以为正方形。

在从弹性波滤波器1的厚度方向的俯视下，低声速膜193位于与第1基板10的外周分离的位置。弹性波滤波器1还具有绝缘层195。绝缘层195覆盖第1基板10的第1主面11之中未被低声速膜193覆盖的区域。绝缘层195具有电绝缘性。绝缘层195在第1基板10的第1主面11上沿着第1基板10的外周形成。绝缘层195包围多个IDT电极15。在从弹性波滤波器1的厚度方向的俯视下，绝缘层195为框形状(例如，矩形框状)。绝缘层195的一部分在弹性波滤波器1的厚度方向上与压电体层194的外周部重叠。压电体层194的外周面以及低声速膜193的外周面被绝缘层195覆盖。绝缘层195的材料为环氧树脂、聚酰亚胺等。

多个第1焊盘电极16隔着绝缘层195设置在第1基板10的第1主面11上。

压电体层194的材料例如为铌酸锂或钽酸锂。低声速膜193的材料例如为氧化硅。在低声速膜193中，与在压电体层194传播的体波的声速相比，在低声速膜193传播的体波的声速为低速。低声速膜193的材料并不限定于氧化硅，例如，也可以是氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、氧化硅中添加了氟、碳或硼的化合物、或以上述各材料为主成分的材料。

第1基板10例如为硅基板。在第1基板10中，与在压电体层194传播的弹性波的声速相比，在第1基板10传播的体波的声速为高速。在此，在第1基板10传播的体波是在第1基板10传播的多个体波之中声速最低的体波。在变形例5涉及的高频模块100e中，由第1基板10和设置在第1基板10上的低声速膜193构成了高声速构件。此外，在变形例5涉及的高频模块100e中，第1基板10是由硅基板构成的支承基板。

在将由IDT电极15的电极指周期决定的弹性波的波长设为λ时，压电体层194的厚度例如为3.5λ以下。低声速膜193的厚度例如为2.0λ以下。

弹性波滤波器1也可以还具有设置在第1基板10与低声速膜193之间的高声速膜。在高声速膜中，与在压电体层194传播的弹性波的声速相比，在高声速膜传播的体波的声速为高速。高声速膜的材料例如为从包含类金刚石碳、氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、硅、蓝宝石、压电体(钽酸锂、铌酸锂、或石英)、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石、氧化镁、以及金刚石的组之中选择的至少一种材料。高声速膜的材料也可以是以上述的任意材料为主成分的材料、或者以包含上述的任意材料的混合物为主成分的材料。

弹性波滤波器1例如也可以包含介于低声速膜193与压电体层194之间的密接层。密接层例如包含树脂(环氧树脂、聚酰亚胺树脂)。此外，弹性波滤波器1也可以在低声速膜193与压电体层194之间、压电体层194上、或低声速膜193下中的任意者具备电介质膜。

在变形例5涉及的高频模块100e中，与实施方式1涉及的高频模块100同样地，屏蔽层6与第1基板10的第2主面12相接。换言之，在变形例5涉及的高频模块100e中，屏蔽层6与弹性波滤波器1中的与安装基板9相反侧的主面(第2主面802)相接。由此，在变形例5涉及的高频模块100e中，与实施方式1涉及的高频模块100同样地，能够谋求弹性波滤波器1的散热性的提高。

(实施方式2)

参照图10对实施方式2涉及的高频模块100f进行说明。关于实施方式2涉及的高频模块100f，对于与实施方式1涉及的高频模块100同样的构成要素，标注相同的附图标记并省略说明。另外，关于高频模块100f的电路结构，与参照图1说明的实施方式1涉及的高频模块100的电路结构相同。

在实施方式2涉及的高频模块100f中，第1电子部件1是弹性波滤波器(以下，也称为“弹性波滤波器1”)。第1电子部件1是设置在发送信号用的信号路径T1(参照图1)的发送滤波器112A。第2电子部件2是设置在接收信号用的信号路径R1(参照图1)的接收滤波器122A。第1电子部件1中的与安装基板9相反侧的第2主面802比树脂层5中的与安装基板9相反侧的主面51向远离安装基板9的朝向(屏蔽层6侧)突出。其结果是，第1电子部件1的第2主面802与屏蔽层6相接，并且第1电子部件1的外周面803的一部分与屏蔽层6相接。即，在实施方式2涉及的高频模块100f中，屏蔽层6与构成弹性波滤波器1的第1电子部件1的第2主面802以及外周面803的一部分相接。

在实施方式2涉及的高频模块100f中，构成第1电子部件1的基板的厚度和构成第2电子部件2的基板的厚度不同。具体地，在实施方式2涉及的高频模块100f中，构成第1电子部件1的基板的厚度比构成第2电子部件2的基板的厚度厚。

此外，在实施方式2涉及的高频模块100f中，屏蔽层6具有识别标记600。如图10所示，识别标记600包含第1部分601。第1部分601是屏蔽层6之中在安装基板9的厚度方向D1上与第1电子部件(弹性波滤波器)1重叠的部分。第1部分601在安装基板9的厚度方向D1上比屏蔽层6之中除第1部分601以外的第2部分602向远离安装基板9的朝向突出。

在实施方式2涉及的高频模块100f中，如上所述，第1电子部件1的第2主面802以及外周面803的一部分与屏蔽层6相接。由此，能够将在第1电子部件1中产生的热经由第1电子部件1的第2主面802以及外周面803传递到屏蔽层6，因此相比于仅第2主面802与屏蔽层6相接的情况，能够谋求第1电子部件(弹性波滤波器)1的散热性的进一步的提高。

此外，在实施方式2涉及的高频模块100f中，如上所述，屏蔽层6的第1部分601在安装基板9的厚度方向D1上比第2部分602向远离安装基板9的朝向突出。由此，能够辨别第1部分601和第2部分602，能够根据第1部分601的位置来识别高频模块100f的朝向。也就是说，屏蔽层6的第1部分601作为高频模块100f的识别标记600发挥功能。

(实施方式3)

参照图11对实施方式3涉及的高频模块100g进行说明。关于实施方式3涉及的高频模块100g，对于与实施方式1涉及的高频模块100同样的构成要素，标注相同的附图标记并省略说明。另外，关于高频模块100g的电路结构，与参照图1说明的实施方式1涉及的高频模块100的电路结构相同。

在实施方式3涉及的高频模块100g中，第1电子部件1是弹性波滤波器(以下，也称为“弹性波滤波器1”)。第1电子部件1是设置在发送信号用的信号路径T1(参照图1)的发送滤波器112A。第2电子部件2是设置在接收信号用的信号路径R1(参照图1)的接收滤波器122A。在实施方式3涉及的高频模块100g中，如图11所示，构成弹性波滤波器1的第1电子部件1的第2主面802以及外周面803与屏蔽层6相接。换言之，如图11所示，屏蔽层6包含第1接触部61和第2接触部62。第1接触部61是与第1电子部件(弹性波滤波器)1的第2主面802相接的部分。第2接触部62是与第1电子部件1的外周面803相接的部分。此外，在实施方式3涉及的高频模块100g中，第1电子部件1的第2主面802和树脂层5中的与安装基板9相反侧的主面51大致平齐。

在实施方式3涉及的高频模块100g中，构成第1电子部件1的基板的厚度和构成第2电子部件2的基板的厚度不同。具体地，在实施方式3涉及的高频模块100g中，构成第1电子部件1的基板的厚度比构成第2电子部件2的基板的厚度厚。

在实施方式3涉及的高频模块100g中，第1电子部件(弹性波滤波器)1的第2主面802以及外周面803与屏蔽层6相接，因此能够将在弹性波滤波器1中产生的热经由第2主面802以及外周面803传递到屏蔽层6。由此，相比于仅第1电子部件1的第2主面802与屏蔽层6相接的情况，能够谋求弹性波滤波器1的散热性的进一步的提高。

在实施方式3涉及的高频模块100g中，第1电子部件1的第2主面802和树脂层5的主面51大致平齐，但是第1电子部件1的第2主面802也可以比树脂层5的主面51向远离安装基板9的朝向突出。

(实施方式4)

参照图12对实施方式4涉及的高频模块100h进行说明。关于实施方式4涉及的高频模块100h，对于与实施方式1涉及的高频模块100同样的构成要素，标注相同的附图标记并省略说明。另外，关于高频模块100h的电路结构，与参照图1说明的实施方式1涉及的高频模块100的电路结构相同。

在实施方式4涉及的高频模块100h中，第1电子部件1是弹性波滤波器(以下，也称为“弹性波滤波器1”)。第1电子部件1是设置在发送信号用的信号路径T1(参照图1)的发送滤波器112A。第2电子部件2是设置在接收信号用的信号路径R1(参照图1)的接收滤波器122A。

在实施方式4涉及的高频模块100h中，第1电子部件(弹性波滤波器)1经由多个第1凸块201安装于安装基板9的第1主面91。此外，包含第2电子部件2的其它电子部件8各自经由多个第2凸块202安装于安装基板9的第1主面91。

在实施方式4涉及的高频模块100h中，如图12所示，多个第1凸块201各自的大小大于多个第2凸块202各自的大小。具体地，各第1凸块201的直径例如为180nm，各第2凸块202的直径例如为80nm。此外，在实施方式4涉及的高频模块100h中，构成第1电子部件1的基板的厚度和构成第2电子部件2的基板的厚度大致相同。

在实施方式4涉及的高频模块100h中，通过使第1凸块201的大小大于第2凸块202的大小，从而能够使第1电子部件1的第2主面802与屏蔽层6接触。

在实施方式4涉及的高频模块100h中，在将第1电子部件1以及第2电子部件2安装于安装基板9的状态下，第1电子部件(弹性波滤波器)1中的安装基板9侧的第1主面801比第2电子部件2中的安装基板9侧的第1主面801远离安装基板9。

在实施方式4涉及的高频模块100h中，通过使第1凸块201的大小大于第2凸块202的大小，从而能够使第1电子部件1的第2主面802与屏蔽层6接触，能够将在第1电子部件1中产生的热经由第2主面802传递到屏蔽层6。由此，能够谋求弹性波滤波器1的散热性的提高。

此外，在实施方式4涉及的高频模块100h中，如上所述，第1电子部件1的第1主面801的位置和第2电子部件2的第1主面801的位置不同。像实施方式4涉及的高频模块100h那样，在第1电子部件1以及第2电子部件2各自为滤波器的情况下，能够在第1电子部件1与第2电子部件2之间降低信号的干扰。在实施方式4涉及的高频模块100h中，第2电子部件2为其它元件。

在实施方式4涉及的高频模块100h中，通过改变第1凸块201的大小，从而改变第1电子部件1相对于安装基板9的位置，但是并不限于此。例如，也可以通过在安装基板9的厚度方向D1上排列与第2凸块202相同的大小的多个凸块，从而改变第1电子部件1相对于安装基板9的位置。

此外，在实施方式4涉及的高频模块100h中，第1电子部件1的第2主面802和树脂层5的主面51大致平齐，但是第1电子部件1的第2主面802也可以比树脂层5的主面51向远离安装基板9的朝向突出。

(实施方式5)

参照图13对实施方式5涉及的高频模块100i进行说明。关于实施方式5涉及的高频模块100i，对于与实施方式1涉及的高频模块100同样的构成要素，标注相同的附图标记并省略说明。另外，关于高频模块100i的电路结构，与参照图1说明的实施方式1涉及的高频模块100的电路结构相同。

在实施方式5涉及的高频模块100i中，第1电子部件1是弹性波滤波器(以下，也称为“弹性波滤波器1”)。第1电子部件1是设置在发送信号用的信号路径T1(参照图1)的发送滤波器112A。第2电子部件2是设置在接收信号用的信号路径R1(参照图1)的接收滤波器122A。

第2电子部件2配置在安装基板9的第1主面91上。第1电子部件1配置在第2电子部件2的第2主面802上。即，在实施方式5涉及的高频模块100i中，在安装基板9的第1主面91，层叠(堆叠)有第1电子部件1和第2电子部件2。此外，在实施方式5涉及的高频模块100i中，构成弹性波滤波器1的第1电子部件1的第2主面802与屏蔽层6相接。此外，在实施方式5涉及的高频模块100i中，第1电子部件1的第2主面802和树脂层5中的与安装基板9相反侧的主面51大致平齐。在实施方式5涉及的高频模块100i中，第2电子部件2为高频元件。

在实施方式5涉及的高频模块100i中，第1电子部件(弹性波滤波器)1的第2主面802与屏蔽层6相接，因此能够将在第1电子部件1中产生的热经由第1电子部件1的第2主面802传递到屏蔽层6。由此，能够谋求弹性波滤波器1的散热性的提高。特别是，通过使由第1电子部件1构成的发送滤波器112A和由第2电子部件2构成的接收滤波器122A之中发热量相对大的发送滤波器112A与屏蔽层6接触，从而能够谋求高频模块100i的温度特性的稳定化。此外，通过将在发送滤波器112A中产生的热经由屏蔽层6进行散热，从而可抑制向其它电子部件8(包含作为接收滤波器122A的第2电子部件2)的热扩散，能够抑制其它电子部件8的特性变动。

此外，在实施方式5涉及的高频模块100i中，通过在第2电子部件2的第2主面802上配置第1电子部件1，从而与将第1电子部件1以及第2电子部件2的双方配置在安装基板9上的情况相比，能够减小安装基板9的第1主面91的面积，能够谋求从安装基板9的厚度方向D1观察的尺寸的小型化。

(实施方式6)

参照图14对实施方式6涉及的高频模块100j进行说明。关于实施方式6涉及的高频模块100j，对于与实施方式5涉及的高频模块100i同样的构成要素，标注相同的附图标记并省略说明。另外，关于高频模块100j的电路结构，与参照图1说明的实施方式1涉及的高频模块100的电路结构相同。

在实施方式6涉及的高频模块100j中，第1电子部件1是弹性波滤波器(以下，也称为“弹性波滤波器1”)。第1电子部件1是设置在发送信号用的信号路径T1(参照图1)的发送滤波器112A。第2电子部件2是设置在接收信号用的信号路径R1(参照图1)的接收滤波器122A。

第2电子部件2配置在安装基板9的第1主面91上。第1电子部件1配置在第2电子部件2的第2主面802上。即，在实施方式6涉及的高频模块100j中，在安装基板9的第1主面91，层叠(堆叠)有第1电子部件1和第2电子部件2。此外，在实施方式6涉及的高频模块100i中，构成弹性波滤波器1的第1电子部件1的第2主面802与屏蔽层6相接。在实施方式6涉及的高频模块100j中，第2电子部件2为高频元件。

此外，在实施方式6涉及的高频模块100j中，第1电子部件1的第2主面802在安装基板9的厚度方向D1上比树脂层5中的与安装基板9相反侧的主面51向远离安装基板9的朝向(屏蔽层6侧)突出。其结果是，第1电子部件1的第2主面802与屏蔽层6相接，并且第1电子部件1的外周面803的一部分与屏蔽层6相接。即，在实施方式6涉及的高频模块100j中，屏蔽层6与构成弹性波滤波器1的第1电子部件1的第2主面802以及外周面803的一部分相接。由此，相比于仅第1电子部件(弹性波滤波器)1的第2主面802与屏蔽层6相接的情况，能够谋求弹性波滤波器1的散热性的进一步的提高。

此外，在实施方式6涉及的高频模块100j中，屏蔽层6具有识别标记600。如图14所示，识别标记600包含第1部分601。第1部分601是屏蔽层6之中在安装基板9的厚度方向D1上与第1电子部件(弹性波滤波器)1重叠的部分。第1部分601在安装基板9的厚度方向D1上比屏蔽层6之中除第1部分601以外的第2部分602向远离安装基板9的朝向突出。由此，能够辨别第1部分601和第2部分602，能够根据第1部分601的位置来识别高频模块100f的朝向。也就是说，屏蔽层6的第1部分601作为高频模块100j的识别标记600发挥功能。

(实施方式7)

参照图15对实施方式7涉及的高频模块100k进行说明。关于实施方式7涉及的高频模块100k，对于与实施方式1涉及的高频模块100同样的构成要素，标注相同的附图标记并省略说明。另外，关于高频模块100k的电路结构，与参照图1说明的实施方式1涉及的高频模块100的电路结构相同。

在实施方式7涉及的高频模块100k中，第1电子部件1例如是包含发送滤波器112A和接收滤波器122A的单芯片的电子部件。由此，实施方式7涉及的高频模块100k与实施方式1涉及的高频模块100相比，能够减小安装基板9的第1主面91的面积，能够谋求从安装基板9的厚度方向D1观察的尺寸的小型化。在实施方式7涉及的高频模块100k中，第1电子部件1所包含的发送滤波器112A以及接收滤波器122A中的发送滤波器112A为弹性波滤波器(以下，也称为“弹性波滤波器1”)。

此外，在实施方式7涉及的高频模块100k中，与实施方式1涉及的高频模块100同样地，屏蔽层6与第1基板10(参照图3)的第2主面12相接，因此能够谋求第1电子部件(弹性波滤波器)1的散热性的提高。

在实施方式7涉及的高频模块100k中，第1电子部件1的第2主面802和树脂层5的主面51大致平齐，但是第1电子部件1的第2主面802也可以比树脂层5的主面51向远离安装基板9的朝向突出。

(实施方式8)

参照图16以及图17对实施方式8涉及的高频模块100m进行说明。关于实施方式8涉及的高频模块100m，对于与实施方式1涉及的高频模块100同样的构成要素，标注相同的附图标记并省略说明。另外，关于高频模块100m的电路结构，与参照图1说明的实施方式1涉及的高频模块100的电路结构相同。

在实施方式8涉及的高频模块100m中，第1电子部件1以及第2电子部件2各自为弹性波滤波器(以下，也称为“弹性波滤波器1、2”)。此外，在实施方式8涉及的高频模块100m中，弹性波滤波器1、2各自为声表面波滤波器。此外，在实施方式8涉及的高频模块100m中，弹性波滤波器1是设置在发送信号用的信号路径T1(参照图1)的发送滤波器112A。此外，在实施方式8涉及的高频模块100m中，弹性波滤波器2是设置在接收信号用的信号路径R1(参照图1)的接收滤波器122A。

弹性波滤波器1、2各自例如包含：具有相互对置的第1主面以及第2主面的基板、和形成在该基板的第1主面侧的电路部。基板是压电基板。压电基板例如为钽酸锂基板。电路部具有与多个串联臂谐振器一对一地对应的多个IDT电极、和与多个并联臂谐振器一对一地对应的多个IDT电极。

弹性波滤波器1、2各自被倒装芯片安装于安装基板9的第1主面91，使得基板的第1主面和第2主面中的第1主面成为安装基板9侧。而且，在实施方式8涉及的高频模块100m中，弹性波滤波器1、2各自中的与安装基板9相反侧的第2主面802与屏蔽层6相接。

在实施方式8涉及的高频模块100m中，使弹性波滤波器1、2中的与安装基板9相反侧的第2主面802与屏蔽层6接触。由此，能够将在弹性波滤波器1、2中产生的热经由第2主面802传递到屏蔽层6，因此能够谋求弹性波滤波器1、2的散热性的提高。在实施方式8涉及的高频模块100m中，弹性波滤波器(第2电子部件)2为电子部件。

此外，在实施方式8涉及的高频模块100m中，构成弹性波滤波器1、2的基板是与铌酸锂基板相比温度特性差的钽酸锂基板。因此，通过使弹性波滤波器1、2的基板的第2主面与屏蔽层6接触，从而能够使弹性波滤波器1、2的温度特性提高。

此外，在实施方式8涉及的高频模块100m中，屏蔽层6具有识别标记600。如图17所示，识别标记600包含第1部分601和第3部分603。第1部分601是屏蔽层6之中在安装基板9的厚度方向D1上与第1电子部件(弹性波滤波器)1重叠的部分。第3部分603是屏蔽层6之中在安装基板9的厚度方向D1上与第2电子部件2重叠的部分。在实施方式8涉及的高频模块100m中，例如，从外部入射的光在第1部分601以及第3部分603和第2部分602的反射情况不同。由此，在实施方式8涉及的高频模块100m中，在人看来，第1部分601以及第3部分603的颜色与第2部分602的颜色不同。另外，图17是高频模块100m的俯视图，但是为了使第1部分601以及第3部分603和第2部分602容易判别而在第1部分601以及第3部分603附上了点状的影线。

在实施方式8涉及的高频模块100m中，弹性波滤波器1、2的基板均为钽酸锂基板，但是例如弹性波滤波器1、2中的至少一者的基板也可以为铌酸锂基板。即使在该情况下，通过使弹性波滤波器1、2与屏蔽层6接触，从而也能够使弹性波滤波器1、2的温度特性提高。

(实施方式9)

参照图18对实施方式9涉及的高频模块100n进行说明。关于实施方式9涉及的高频模块100n，对于与实施方式1涉及的高频模块100同样的构成要素，标注相同的附图标记并省略说明。另外，关于高频模块100n的电路结构，与参照图1说明的实施方式1涉及的高频模块100的电路结构相同。

在实施方式9涉及的高频模块100n中，多个电子部件8包含第1电子部件1、第2电子部件2以及第3电子部件3。第1电子部件1以及第2电子部件2配置在安装基板9的第1主面91。第3电子部件3配置在安装基板9的第2主面92。即，多个电子部件8安装在安装基板9的第1主面91以及第2主面92的两面。由此，实施方式9涉及的高频模块100n与实施方式1涉及的高频模块100相比，能够谋求从安装基板9的厚度方向D1观察的尺寸的小型化。在实施方式9涉及的高频模块100n中，第3电子部件3为电路元件。

此外，在实施方式9涉及的高频模块100n中，多个外部连接端子80各自包含柱状电极800。各柱状电极800例如为圆柱状的电极。

此外，实施方式9涉及的高频模块100n还具备树脂层7。树脂层7对配置在安装基板9的第2主面92的第3电子部件3的外周面803、和柱状电极800的外周面进行覆盖。

树脂层7形成为使构成第3电子部件3的电子部件8的第2主面802露出。树脂层7包含树脂(例如，环氧树脂)。树脂层7也可以除树脂以外还包含填料。树脂层7的材料既可以是与树脂层5的材料相同的材料，也可以是与树脂层5的材料不同的材料。在实施方式9涉及的高频模块100n中，屏蔽层6还覆盖树脂层7的外周面73。

此外，在实施方式9涉及的高频模块100n中，构成第3电子部件3的电子部件8的第2主面802和树脂层7中的与安装基板9相反侧的主面71大致平齐。

在实施方式9涉及的高频模块100n中，与实施方式1涉及的高频模块100同样地，屏蔽层6与第1基板10(参照图3)的第2主面12相接，因此能够谋求第1电子部件(弹性波滤波器)1的散热性的提高。

此外，在实施方式9涉及的高频模块100n中，树脂层7形成为使第3电子部件3的第2主面802露出，因此还能够抑制第3电子部件3的温度上升。此外，在实施方式9涉及的高频模块100n中，能够在安装基板9的第2主面92也配置了电子部件8的结构中谋求低高度化。

(实施方式10)

参照图19以及图20对实施方式10涉及的高频模块100p进行说明。关于实施方式10涉及的高频模块100p，对于与实施方式7涉及的高频模块100k同样的构成要素，标注相同的附图标记并省略说明。另外，关于高频模块100p的电路结构，与参照图1说明的实施方式1涉及的高频模块100的电路结构相同。

在实施方式10涉及的高频模块100p中，多个电子部件8包含第1电子部件1和第3电子部件3。第1电子部件1例如是包含发送滤波器112A(参照图1)和接收滤波器122A(参照图1)的单芯片的电子部件。第3电子部件3例如是包含低噪声放大器121(参照图1)的IC芯片。此外，在实施方式10涉及的高频模块100p中，安装基板9包含内层电感器94(参照图20)。内层电感器94例如是接收滤波器122A与第3开关106的选择端子161之间的电感器。在实施方式10涉及的高频模块100p中，第3电子部件3为电路元件。

在实施方式10涉及的高频模块100p中，如图20所示，在安装基板9的厚度方向D1上，第1电子部件1的至少一部分、第3电子部件3的至少一部分以及内层电感器94重叠。由此，能够抑制在内层电感器94与接地层之间产生的寄生电容，其结果是，能够降低功率损耗。

在实施方式10涉及的高频模块100p中，第3电子部件3的第2主面802的整个区域露出，但是也可以仅第2主面802的一部分露出。

(实施方式10的变形例)

参照图21对实施方式10的变形例涉及的高频模块100r进行说明。关于实施方式10的变形例涉及的高频模块100r，对于与实施方式10涉及的高频模块100p同样的构成要素，标注相同的附图标记并省略说明。

实施方式10的变形例涉及的高频模块100r与实施方式10涉及的高频模块100p的不同点在于，多个外部连接端子80为球形凸块。此外，实施方式10的变形例涉及的高频模块100r与实施方式10涉及的高频模块100p的不同点在于，不具备实施方式10涉及的高频模块100p的树脂层7。

构成多个外部连接端子80各自的球形凸块的材料例如为金、铜、焊料。

关于多个外部连接端子80，也可以混合存在由球形凸块构成的外部连接端子80和由柱状电极构成的外部连接端子80。

实施方式10的变形例涉及的高频模块100r与实施方式10涉及的高频模块100p同样地，屏蔽层6与第1基板10(参照图3)的第2主面12相接。由此，在实施方式10的变形例涉及的高频模块100r中，与实施方式10涉及的高频模块100p同样地，能够谋求弹性波滤波器1的散热性的提高。在实施方式10的变形例涉及的高频模块100r中，第3电子部件3为电路元件。

(实施方式11)

参照图22以及图23对实施方式11涉及的高频模块100s以及通信装置300s进行说明。关于实施方式11涉及的高频模块100s以及通信装置300s，对于与实施方式1涉及的高频模块100以及通信装置300同样的构成要素，标注相同的附图标记并省略说明。

实施方式11涉及的高频模块100s与实施方式1涉及的高频模块100的不同点在于，发送滤波器112C以及接收滤波器122C是构成双工器132A的发送滤波器以及接收滤波器，发送滤波器112D以及接收滤波器122D是构成双工器132B的发送滤波器以及接收滤波器。

实施方式11涉及的通信装置300s代替上述的高频模块100而具备高频模块100s。此外，实施方式11涉及的通信装置300s还具备信号处理装置301和天线310。

在实施方式11涉及的高频模块100s中，第1电子部件1以及第2电子部件2各自为弹性波滤波器(以下，也称为“弹性波滤波器1、2”)。弹性波滤波器1例如是设置在发送信号用的信号路径T1(参照图22)的发送滤波器112C。此外，弹性波滤波器2例如是设置在接收信号用的信号路径R1(参照图22)的接收滤波器122C。即，第1电子部件1是多个双工器132A、132B之中发送带和接收带的间隔最窄的双工器132A的发送滤波器112C。此外，第2电子部件2是多个双工器132A、132B之中发送带和接收带的间隔最窄的双工器132A的接收滤波器122C。

第1电子部件1以及第2电子部件2各自例如包含：具有相互对置的第1主面以及第2主面的基板、和形成在该基板的第1主面侧的电路部。基板是压电基板。压电基板例如为铌酸锂基板。电路部具有与多个串联臂谐振器一对一地对应的多个IDT电极、和与多个并联臂谐振器一对一地对应的多个IDT电极。

第1电子部件1以及第2电子部件2各自被倒装芯片安装于安装基板9的第1主面91，使得基板的第1主面和第2主面中的第1主面成为安装基板9侧。而且，在实施方式11涉及的高频模块100s中，第1电子部件1以及第2电子部件2各自中的与安装基板9相反侧的第2主面802与屏蔽层6相接。由此，能够将在第1电子部件1以及第2电子部件2中产生的热经由第2主面802传递到屏蔽层6。因此，对于从第1电子部件1传播到第2电子部件2的热，也能够经由第2电子部件2的第2主面802传递到屏蔽层6，能够降低由第2电子部件2构成的接收滤波器122C的特性劣化。此外，还能够使第1电子部件1以及第2电子部件2的温度特性提高，因此还能够降低由第1电子部件1构成的发送滤波器112C和由第2电子部件2构成的接收滤波器122C之间的隔离度等的特性的劣化。

在实施方式11涉及的高频模块100s中，构成第1电子部件1以及第2电子部件2的压电基板为铌酸锂基板，但是构成第1电子部件1的压电基板和构成第2电子部件2的压电基板中的至少一个压电基板例如也可以为钽酸锂基板或石英基板。

(实施方式12)

参照图24对实施方式12涉及的高频模块100t进行说明。关于实施方式12涉及的高频模块100t，对于与实施方式11涉及的高频模块100s同样的构成要素，标注相同的附图标记并省略说明。另外，关于高频模块100t的电路结构，与参照图22说明的实施方式11涉及的高频模块100s的电路结构相同。

在实施方式12涉及的高频模块100t中，多个电子部件8包含第1电子部件1、第2电子部件2以及第3电子部件3。第1电子部件1、第2电子部件2以及第3电子部件3各自为弹性波滤波器(以下，也称为“弹性波滤波器1、2、3”)。弹性波滤波器1例如是设置在发送信号用的信号路径T1(参照图22)的发送滤波器112C。此外，弹性波滤波器3例如是设置在接收信号用的信号路径R1(参照图22)的接收滤波器122C。即，第1电子部件1是多个双工器132A、132B之中发送带和接收带的间隔最窄的双工器132A的发送滤波器112C。此外，第3电子部件3是多个双工器132A、132B之中发送带和接收带的间隔最窄的双工器132A的接收滤波器122C。进而，弹性波滤波器2例如是设置在发送信号用的信号路径T1(参照图22)的发送滤波器112D。

第1电子部件1、第2电子部件2以及第3电子部件3各自例如包含：具有相互对置的第1主面以及第2主面的基板、和形成在该基板的第1主面侧的电路部。基板是压电基板。在第1电子部件1以及第2电子部件2中，压电基板例如为钽酸锂基板。在第3电子部件3中，压电基板例如为铌酸锂基板。电路部具有与多个串联臂谐振器一对一地对应的多个IDT电极、和与多个并联臂谐振器一对一地对应的多个IDT电极。

第1电子部件1以及第2电子部件2各自被倒装芯片安装于安装基板9的第1主面91，使得基板的第1主面和第2主面中的第1主面成为安装基板9侧。第3电子部件3被倒装芯片安装于安装基板9的第2主面92，使得基板的第1主面和第2主面中的第1主面成为安装基板9侧。即，第1电子部件1以及第2电子部件2配置在安装基板9的第1主面91，且第3电子部件3配置在安装基板9的第2主面92。在实施方式12涉及的高频模块100t中，多个电子部件8安装在安装基板9的第1主面91以及第2主面92的两面。在实施方式12涉及的高频模块100t中，第3电子部件3为电路元件。

此外，在实施方式12涉及的高频模块100t中，位于安装基板9的第1主面91的第1电子部件1和位于安装基板9的第2主面92的第3电子部件3通过在安装基板9的厚度方向D1上贯通安装基板9的贯通电极95而连接。贯通电极95例如为TSV(through silicon via，穿透硅通孔)。电绝缘部介于贯通电极95与安装基板9之间。电绝缘部的材料例如为氧化硅。贯通电极95例如为圆柱状。

在实施方式12涉及的高频模块100t中，在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，第1电子部件1的一部分、第3电子部件3的一部分以及贯通电极95重叠。

在实施方式12涉及的高频模块100t中，配置在安装基板9的第1主面91的第1电子部件1以及第2电子部件2的第2主面802与屏蔽层6相接。即，在实施方式12涉及的高频模块100t中，使压电基板为钽酸锂基板的第1电子部件1的第2主面802与屏蔽层6接触，因此能够使通过由第1电子部件1构成的发送滤波器112C和由第3电子部件3构成的接收滤波器122C所构成的双工器132A的温度特性提高。此外，通过将构成双工器132A的发送滤波器112C以及接收滤波器122C分别配置在安装基板9的第1主面91以及第2主面92，并且，将发送滤波器112C和接收滤波器122C配置为在安装基板9的厚度方向D1上重叠，从而发送滤波器112C和接收滤波器122C的连接部(贯通电极95)变短，其结果是，能够降低寄生成分。

(其它变形例)

上述的实施方式1～12等只不过是本发明的各种各样的实施方式之一。只要能够达到本发明的目的，上述的实施方式1～12等就能够根据设计等而进行各种变更。

上述的构成第1电子部件1的BAW滤波器具备封装构造的要素，但是并不限于此，也可以是裸芯片的BAW滤波器。此外，在BAW滤波器中，在将第1BAW谐振器180设为FBAR的情况下，并不限于图7的构造。例如，第1BAW谐振器180也可以配置为代替在第1基板10形成空洞184而在电绝缘膜185的一部分与第1基板10的第1主面11之间形成空洞。在该情况下，也可以是如下的构造，即，在电绝缘膜185中的与空洞相反侧形成有第1电极181，在第1电极181上形成有压电体膜182，在压电体膜182上形成有第2电极183。电绝缘膜185的一部分与第1基板10的第1主面11之间的空洞例如能够利用牺牲层蚀刻技术来形成。

此外，发送滤波器112A、112B以及接收滤波器122A、122B等滤波器并不限于梯型滤波器，例如，也可以是纵向耦合谐振器型声表面波滤波器。

此外，上述的弹性波滤波器是利用声表面波或体声波的弹性波滤波器，但是并不限于此，例如，也可以是利用声边界波、板波等的弹性波滤波器。

多个第1凸块101、201以及多个第2凸块202各自例如为焊料凸块，但是并不限于此，例如，也可以为金凸块。

关于多个电子部件8之中第1电子部件1以及第2电子部件2以外的电子部件8，并不限于经由凸块而与安装基板9电连接的情况，例如，也可以经由接合线而与安装基板9电连接。

高频模块100～100t的电路结构并不限于上述的例子。此外，高频模块100～100t作为电路结构，例如，也可以具有应对MIMO(Multi Input Multi Output，多输入多输出)的高频前端电路。

此外，实施方式1涉及的通信装置300也可以代替高频模块100而具备高频模块100a～100r中的任一者。此外，实施方式11涉及的通信装置300s也可以代替高频模块100s而具备高频模块100t。

上述的第1电子部件1是设置在发送信号用的信号路径T1的发送滤波器112A，但是第1电子部件1并不限于发送滤波器112A，例如，也可以是收发滤波器。收发滤波器设置在发送信号用的信号路径T1。此外，收发滤波器设置在接收信号用的信号路径R1。收发滤波器在信号路径T1中经由开关而与功率放大器连接，且使由功率放大器放大后的发送信号通过。此外，收发滤波器在信号路径R1中经由上述开关而与低噪声放大器连接，且将所通过的接收信号输出到低噪声。收发滤波器例如为TDD用的滤波器。

(方式)

在本说明书中公开了以下的方式。

第1方式涉及的高频模块(100；100a～100t)具备安装基板(9)、弹性波滤波器(1)、树脂层(5)以及屏蔽层(6)。安装基板(9)具有相互对置的第1主面(91)以及第2主面(92)。弹性波滤波器(1)配置在安装基板(9)的第1主面(91)侧。树脂层(5)配置在安装基板(9)的第1主面(91)，且覆盖弹性波滤波器(1)的外周面(803)。屏蔽层(6)覆盖树脂层(5)以及弹性波滤波器(1)。屏蔽层(6)与弹性波滤波器(1)中的与安装基板(9)相反侧的主面(802)相接。

根据该方式，能够谋求弹性波滤波器(1)的散热性的提高。

在第2方式涉及的高频模块(100；100a；100b)中，在第1方式中，弹性波滤波器(1)具有压电基板(10)。弹性波滤波器(1)的主面(802)是压电基板(10)中的与安装基板(9)相反侧的主面(12)。

根据该方式，能够抑制弹性波滤波器(1)的温度上升，能够谋求特性的稳定化。

在第3方式涉及的高频模块(100e)中，在第1方式中，弹性波滤波器(1)具备压电体层(194)、IDT电极(15)以及高声速构件(第1基板10以及低声速膜193)。IDT电极(15)配置在压电体层(194)上。高声速构件夹着压电体层(194)配置在与IDT电极(15)相反侧。在高声速构件中，所传播的体波的声速与在压电体层(194)传播的弹性波的声速相比为高速。高声速构件包含由硅基板构成的支承基板(10)。弹性波滤波器(1)的主面(802)是支承基板(10)中的与安装基板(9)相反侧的主面(12)。

根据该方式，能够谋求弹性波滤波器(1)的滤波器性能的提高。

在第4方式涉及的高频模块(100c；100d)中，在第1方式中，弹性波滤波器(1)具有由硅基板构成的支承基板(10)。弹性波滤波器(1)的主面(802)是支承基板(10)中的与安装基板(9)相反侧的主面(12)。

根据该方式，能够谋求弹性波滤波器(1)的滤波器性能的提高。

在第5方式涉及的高频模块(100；100a～100t)中，在第1～第4方式中的任一方式中，弹性波滤波器(1)是设置在发送信号用的信号路径(T1)的发送滤波器(112A)或收发滤波器。

根据该方式，能够谋求发送滤波器(112A)或收发滤波器的散热性的提高。

在第6方式涉及的高频模块(100g)中，在第1～第5方式中的任一方式中，屏蔽层(6)包含第1接触部(61)和第2接触部(62)。第1接触部(61)是与弹性波滤波器(1)的主面(802)相接的部分。第2接触部(62)是与沿着安装基板(9)的厚度方向(D1)的弹性波滤波器(1)的外周面(803)相接的部分。

根据该方式，能够谋求弹性波滤波器(1)的散热性的进一步的提高。

第7方式涉及的高频模块(100i；100j)在第1～第6方式中的任一方式中还具备高频元件(2)。高频元件(2)配置在安装基板(9)的第1主面(91)。弹性波滤波器(1)配置在高频元件(2)中的与安装基板(9)相反侧的主面(802)。

根据该方式，能够在减小安装基板(9)的第1主面(91)的面积的同时谋求弹性波滤波器(1)的散热性的提高。

在第8方式涉及的高频模块(100i；100j)中，在第7方式中，弹性波滤波器(1)是设置在发送信号用的信号路径(T1)的发送滤波器(112A)。高频元件(2)是设置在接收信号用的信号路径(R1)的接收滤波器(122A)。

根据该方式，能够在减小安装基板(9)的第1主面(91)的面积的同时谋求弹性波滤波器(1)的散热性的提高。

第9方式涉及的高频模块(100h)在第1～第8方式中的任一方式中还具备其它元件(2)。其它元件(2)配置在安装基板(9)的第1主面(91)。弹性波滤波器(1)中的安装基板(9)侧的主面(801)比其它元件(2)中的安装基板(9)侧的主面(801)远离安装基板(9)。

根据该方式，能够谋求弹性波滤波器(1)的散热性的提高。

第10方式涉及的高频模块(100；100a～100t)在第1～第9方式中的任一方式中还具备其它电子部件(8)。其它电子部件(8)配置在安装基板(9)的第1主面(91)，且被树脂层(5)覆盖。弹性波滤波器(1)的主面(802)的最大高度粗糙度大于被树脂层(5)覆盖的其它电子部件(8)中的与安装基板(9)相反侧的主面(802)的最大高度粗糙度。

根据该方式，能够使弹性波滤波器(1)和屏蔽层(6)的密接性提高。

在第11方式涉及的高频模块(100；100a～100t)中，在第1～第9方式中的任一方式中，屏蔽层(6)具有识别标记(600)。识别标记(600)是屏蔽层(6)之中在安装基板(9)的厚度方向(D1)上与弹性波滤波器(1)重叠的部分。

根据该方式，人能够对识别标记(600)进行视觉确认。

在第12方式涉及的高频模块(100f；100j)中，在第1～第11方式中的任一方式中，弹性波滤波器(1)的主面(802)比树脂层(5)中的与安装基板(9)相反侧的主面(51)向屏蔽(6)侧突出。

根据该方式，能够谋求弹性波滤波器(1)的散热性的进一步的提高。

第13方式涉及的高频模块(100m)在第1～第12方式中的任一方式中还具备电子部件(2)。电子部件(2)配置在安装基板(9)的第1主面(91)。屏蔽层(6)与电子部件(2)中的与安装基板(9)相反侧的主面(802)相接。

根据该方式，能够谋求弹性波滤波器(1)以及电子部件(2)的散热性的提高。

第14方式涉及的高频模块(100s)在第1～第13方式中的任一方式中，作为弹性波滤波器(1)，具备构成双工器(132A)的发送滤波器(112C)以及接收滤波器(122C)。屏蔽层(6)与发送滤波器(112C)以及接收滤波器(122C)各自中的与安装基板(9)相反侧的主面(802)相接。

根据该方式，能够谋求发送滤波器(112C)以及接收滤波器(122C)的散热性的提高。

第15方式涉及的高频模块(100n；100p；100r；100t)在第1～第14方式中的任一方式中还具备电路元件(3)。电路元件(3)配置在安装基板(9)的第2主面(92)。

根据该方式，能够谋求从安装基板(9)的厚度方向(D1)观察的尺寸的小型化。

在第16方式涉及的高频模块(100n；100p；100r)中，在第15方式中，电路元件(3)中的与安装基板(9)相反侧的主面(802)露出。

根据该方式，能够谋求从安装基板(9)的厚度方向(D1)观察的尺寸的小型化。

第17方式涉及的高频模块(100；100a～100t)在第1～第16方式中的任一方式中还具备外部连接端子(80)。外部连接端子(80)配置在安装基板(9)的第2主面(92)。

根据该方式，能够谋求弹性波滤波器(1)的散热性的提高。

第18方式涉及的通信装置(300；300s)具备第1～第17方式中的任一方式的高频模块(100；100a～100t)和信号处理电路(301)。信号处理电路(301)与高频模块(100；100a～100t)连接，且对高频信号进行信号处理。

根据该方式，能够谋求弹性波滤波器(1)的散热性的提高。

附图标记说明

100、100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i、100j、100k、100m、100n、100p、100r、100s、100t：高频模块；

1：第1电子部件(弹性波滤波器)；

10：第1基板(压电基板、支承基板)；

11：第1主面；

12：第2主面；

13：外周面；

14：第1电路部；

15：IDT电极；

16：第1焊盘电极；

17：第1间隔层；

18：第1覆盖构件；

19：第1端子；

193：低声速膜；

194：压电体层；

195：绝缘层；

2：第2电子部件(高频元件、其它元件、电子部件)；

3：第3电子部件(电路元件)；

5：树脂层；

51：主面；

53：外周面；

6：屏蔽层；

61：第1接触部；

62：第2接触部；

600：识别标记；

601：第1部分；

602：第2部分；

603：第3部分；

7：树脂层；

71：主面；

8：电子部件；

801：第1主面；

802：第2主面；

803：外周面；

9：安装基板；

91：第1主面；

92：第2主面；

93：外周面；

80：外部连接端子；

81：天线端子；

82：信号输入端子；

83：信号输出端子；

85：接地端子；

101：第1凸块；

104：第1开关；

140：公共端子；

141、142：选择端子；

105：第2开关；

150：公共端子；

151、152：选择端子；

106：第3开关；

160：公共端子；

161、162：选择端子；

111：功率放大器；

112A、112B、112C、112D：发送滤波器；

113：输出匹配电路；

115：控制器；

121：低噪声放大器；

122A、122B、122C、122D：接收滤波器；

123：输入匹配电路；

132A、132B：双工器；

171：第1滤波器芯片；

173：第1封装基板；

1730：第1支承体；

1731：第1主面；

1732：第2主面；

1733：电极；

1734：外部连接电极；

1735：贯通电极；

174：凸块；

175：第1密封树脂部；

180：第1BAW谐振器；

181：第1电极；

182：压电体膜；

183：第2电极；

184：空洞；

185：电绝缘膜；

201：第1凸块；

202：第2凸块；

300、300s：通信装置；

301：信号处理电路；

302：RF信号处理电路；

303：基带信号处理电路；

310：天线；

A1：声反射层；

A11：低声阻抗层；

A12：高声阻抗层；

D1：厚度方向；

S1：第1空间；

SP1：第1空间。

Claims (18)

1.一种高频模块，具备：

安装基板，具有相互对置的第1主面以及第2主面；

弹性波滤波器，配置在所述安装基板的所述第1主面侧；

树脂层，配置在所述安装基板的所述第1主面，且覆盖所述弹性波滤波器的外周面；以及

屏蔽层，覆盖所述树脂层以及所述弹性波滤波器，

所述屏蔽层与所述弹性波滤波器中的与所述安装基板相反侧的主面相接。

2.根据权利要求1所述的高频模块，其中，

所述弹性波滤波器具有压电基板，

所述弹性波滤波器的所述主面是所述压电基板中的与所述安装基板相反侧的主面。

3.根据权利要求1所述的高频模块，其中，

所述弹性波滤波器具有：

压电体层；

IDT电极，配置在所述压电体层上；以及

高声速构件，夹着所述压电体层配置在与所述IDT电极相反侧，且所传播的体波的声速与在所述压电体层传播的弹性波的声速相比为高速，

所述高声速构件包含由硅基板构成的支承基板，

所述弹性波滤波器的所述主面是所述支承基板中的与所述安装基板相反侧的主面。

4.根据权利要求1所述的高频模块，其中，

所述弹性波滤波器具有由硅基板构成的支承基板，

所述弹性波滤波器的所述主面是所述支承基板中的与所述安装基板相反侧的主面。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的高频模块，其中，

所述弹性波滤波器是设置在发送信号用的信号路径的发送滤波器或收发滤波器。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的高频模块，其中，

所述屏蔽层包含：

第1接触部，与所述弹性波滤波器的所述主面相接；以及

第2接触部，与沿着所述安装基板的厚度方向的所述弹性波滤波器的外周面相接。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的高频模块，其中，

还具备：高频元件，配置在所述安装基板的所述第1主面，

所述弹性波滤波器配置在所述高频元件中的与所述安装基板相反侧的主面。

8.根据权利要求7所述的高频模块，其中，

所述弹性波滤波器是设置在发送信号用的信号路径的发送滤波器，

所述高频元件是设置在接收信号用的信号路径的接收滤波器。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的高频模块，其中，

还具备：其它元件，配置在所述安装基板的所述第1主面，

所述弹性波滤波器中的所述安装基板侧的主面比所述其它元件中的所述安装基板侧的主面远离所述安装基板。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的高频模块，其中，

还具备：其它电子部件，配置在所述安装基板的所述第1主面，且被所述树脂层覆盖，

所述弹性波滤波器的所述主面的最大高度粗糙度大于被所述树脂层覆盖的所述其它电子部件中的与所述安装基板相反侧的主面的最大高度粗糙度。

11.根据权利要求1～9中任一项所述的高频模块，其中，

所述屏蔽层具有：识别标记，在所述屏蔽层之中在所述安装基板的厚度方向上与所述弹性波滤波器重叠。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的高频模块，其中，

所述弹性波滤波器的所述主面比所述树脂层中的与所述安装基板相反侧的主面向所述屏蔽侧突出。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的高频模块，其中，

还具备：电子部件，配置在所述安装基板的所述第1主面，

所述屏蔽层与所述电子部件中的与所述安装基板相反侧的主面相接。

14.根据权利要求1～13中任一项所述的高频模块，其中，

作为所述弹性波滤波器，具备构成双工器的发送滤波器以及接收滤波器，

所述屏蔽层与所述发送滤波器以及所述接收滤波器各自中的与所述安装基板相反侧的主面相接。

15.根据权利要求1～14中任一项所述的高频模块，其中，

还具备：电路元件，配置在所述安装基板的所述第2主面。

16.根据权利要求15所述的高频模块，其中，

所述电路元件中的与所述安装基板相反侧的主面露出。

17.根据权利要求1～16中任一项所述的高频模块，其中，

还具备：外部连接端子，配置在所述安装基板的所述第2主面。

18.一种通信装置，具备：

权利要求1～17中任一项所述的高频模块；以及

信号处理电路，与所述高频模块连接，且对高频信号进行信号处理。

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