CN116075929A - 高频模块和通信装置 - Google Patents

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Abstract

实现散热性的提高。高频模块(100)具备安装基板(130)、第一发送滤波器(11、12)、第二发送滤波器(13、14)、树脂层(15)以及屏蔽层(16)。第二发送滤波器(13、14)的功率等级比第一发送滤波器(11、12)的功率等级高。树脂层(15)覆盖第一发送滤波器(11、12)的外周面(103)的至少一部分，且覆盖第二发送滤波器(13、14)的外周面(103)的至少一部分。在从安装基板(130)的厚度方向(D1)俯视时，屏蔽层(16)与第二发送滤波器(13、14)的至少一部分重叠。第二发送滤波器(13、14)的与安装基板(130)侧相反的一侧的主面(102)的至少一部分与屏蔽层(16)接触。

Description

高频模块和通信装置
技术领域
本发明一般涉及一种高频模块和通信装置，更详细地说，涉及一种具备发送滤波器的高频模块以及具备高频模块的通信装置。
背景技术
在专利文献1中公开了一种高频模块，该高频模块具备：安装基板，其具有彼此相向的第一主面及第二主面；发送滤波器，其安装于安装基板的第一主面；树脂构件(树脂层)，其覆盖发送滤波器；以及屏蔽电极层(屏蔽层)。
在专利文献1所公开的高频模块中，屏蔽电极层形成为覆盖树脂构件的顶面及侧面。
另外，专利文献1中公开了具备高频模块的通信装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2019/181590号
发明内容
发明要解决的问题
在高频模块中，有时为了抑制发送滤波器的温度上升而要求提高散热性。
本发明的目的在于提供一种能够实现散热性的提高的高频模块和通信装置。
用于解决问题的方案
本发明的一个方式所涉及的高频模块具备安装基板、第一发送滤波器、第二发送滤波器、树脂层以及屏蔽层。所述安装基板具有彼此相向的第一主面及第二主面。所述第一发送滤波器安装于所述安装基板的所述第一主面。所述第二发送滤波器安装于所述安装基板的所述第一主面，所述第二发送滤波器的功率等级比所述第一发送滤波器的功率等级高。所述树脂层配置于所述安装基板的所述第一主面。所述屏蔽层覆盖所述树脂层的至少一部分。所述树脂层覆盖所述第一发送滤波器的外周面的至少一部分，且覆盖所述第二发送滤波器的外周面的至少一部分。在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述屏蔽层与所述第二发送滤波器的至少一部分重叠。所述第二发送滤波器的与所述安装基板侧相反的一侧的主面的至少一部分与所述屏蔽层接触。
本发明的一个方式所涉及的高频模块具备安装基板、第一发送滤波器、第二发送滤波器、金属构件、树脂层以及屏蔽层。所述安装基板具有彼此相向的第一主面及第二主面。所述第一发送滤波器安装于所述安装基板的所述第一主面。所述第二发送滤波器安装于所述安装基板的所述第一主面，所述第二发送滤波器的功率等级比所述第一发送滤波器的功率等级高。所述金属构件配置于所述第二发送滤波器的与所述安装基板侧相反的一侧的主面。所述树脂层配置于所述安装基板的所述第一主面。所述屏蔽层覆盖所述树脂层的至少一部分。所述树脂层覆盖所述第一发送滤波器的外周面的至少一部分，且覆盖所述第二发送滤波器的外周面的至少一部分，且覆盖所述金属构件的外周面的至少一部分。在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述屏蔽层与所述金属构件的至少一部分重叠。所述金属构件的与所述安装基板侧相反的一侧的主面的至少一部分与所述屏蔽层接触。
本发明的一个方式所涉及的高频模块具备安装基板、发送滤波器、树脂层以及屏蔽层。所述安装基板具有彼此相向的第一主面及第二主面。所述发送滤波器是安装于所述安装基板的所述第一主面的、功率等级1的发送滤波器和功率等级2的发送滤波器中的至少一方的发送滤波器。所述树脂层配置于所述安装基板的所述第一主面。所述屏蔽层覆盖所述树脂层的至少一部分。所述树脂层覆盖所述至少一方的发送滤波器的外周面的至少一部分。在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述屏蔽层与所述至少一方的发送滤波器的至少一部分重叠。所述至少一方的发送滤波器的与所述安装基板侧相反的一侧的主面的至少一部分与所述屏蔽层接触。
本发明的一个方式所涉及的高频模块具备安装基板、发送滤波器、金属构件、树脂层以及屏蔽层。所述安装基板具有彼此相向的第一主面及第二主面。所述发送滤波器是安装于所述安装基板的所述第一主面的、功率等级1的发送滤波器和功率等级2的发送滤波器中的至少一方的发送滤波器。所述金属构件配置于所述至少一方的发送滤波器的与所述安装基板侧相反的一侧的主面。所述树脂层配置于所述安装基板的所述第一主面。所述屏蔽层覆盖所述树脂层的至少一部分。所述树脂层覆盖所述至少一方的发送滤波器的外周面的至少一部分，且覆盖所述金属构件的外周面的至少一部分。在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述屏蔽层与所述金属构件的至少一部分重叠。所述金属构件的与所述安装基板侧相反的一侧的主面的至少一部分与所述屏蔽层接触。
本发明的一个方式所涉及的通信装置具备所述高频模块和信号处理电路。所述信号处理电路与所述高频模块连接。
发明的效果
本发明的一个方式所涉及的高频模块和通信装置能够实现散热性的提高。
附图说明
图1与实施方式1所涉及的高频模块有关，是省略了屏蔽层和树脂层的俯视图。
图2与上述的高频模块有关，是从安装基板的第一主面侧透视安装基板的第二主面以及配置于安装基板的第二主面的电路部件及多个外部连接端子的俯视图。
图3与上述的高频模块有关，是图1的X-X线截面图。
图4与上述的高频模块有关，是图1的Y-Y线截面图。
图5是具备上述的高频模块的通信装置的电路结构图。
图6是上述的高频模块的功率放大器及输出匹配电路的一部分的电路图。
图7是实施方式1的变形例1所涉及的高频模块的截面图。
图8是实施方式1的变形例2所涉及的高频模块的截面图。
图9是实施方式1的变形例3所涉及的高频模块的截面图。
图10是实施方式2所涉及的高频模块的截面图。
图11是实施方式2的变形例1所涉及的高频模块的截面图。
图12是实施方式2的变形例2所涉及的高频模块的截面图。
具体实施方式
在下面的实施方式1、2等中参照的图1～图4、图7～图12均为示意性的图，图中的各构成要素的大小之比、厚度之比未必反映实际的尺寸比。
(实施方式1)
如图1～图4所示，实施方式1所涉及的高频模块100具备安装基板130、第一发送滤波器11、12、第二发送滤波器13、14、树脂层15以及屏蔽层16。安装基板130具有彼此相向的第一主面131及第二主面132。第一发送滤波器11、12安装于安装基板130的第一主面131。第二发送滤波器13、14安装于安装基板130的第一主面131，第二发送滤波器13、14的功率等级比第一发送滤波器11、12的功率等级高。第一发送滤波器11、12例如是功率等级3的发送滤波器。第二发送滤波器13、14例如是功率等级2的发送滤波器。树脂层15配置于安装基板130的第一主面131，覆盖第一发送滤波器11、12的外周面103的至少一部分，且覆盖第二发送滤波器13、14的外周面103的至少一部分。在实施方式1中，树脂层15覆盖第一发送滤波器11、12的外周面103的全部，且覆盖第二发送滤波器13、14的外周面103的全部。屏蔽层16覆盖树脂层15的至少一部分。另外，在从安装基板130的厚度方向D1俯视时，屏蔽层16与第二发送滤波器13、14的至少一部分重叠。在实施方式1中，在从安装基板130的厚度方向D1俯视时，屏蔽层16与第二发送滤波器13、14的全部重叠。第二发送滤波器13、14的与安装基板130侧相反的一侧的主面102至少一部分与屏蔽层16接触。换言之，第二发送滤波器13、14的与安装基板130侧相反的一侧的主面102中的被屏蔽层16覆盖的部分的至少一部分与屏蔽层16接触。在实施方式1中，第二发送滤波器13、14的与安装基板130侧相反的一侧的主面102的全部与屏蔽层16接触。由此，实施方式1所涉及的高频模块100能够实现散热性的提高。
在此，“功率等级”是指由3GPP决定的Power class(功率等级)，最大发送功率越大的发送滤波器，功率等级越高。具体地说，功率等级按功率等级1的发送滤波器、功率等级2的发送滤波器、功率等级3的发送滤波器的顺序依次变低。功率等级1的发送滤波器的最大发送功率是29dBm。功率等级2的发送滤波器的最大发送功率是26dBm。功率等级3的发送滤波器的最大发送功率是23dBm。另外，在5G NR中，也与3GPP同样地决定Power class。
下面，参照图1～图9来说明实施方式1所涉及的高频模块100和通信装置300。
(1)高频模块和通信装置
(1.1)高频模块和通信装置的电路结构
首先，参照图5及图6来说明实施方式1所涉及的高频模块100和通信装置300的电路结构。
实施方式1所涉及的高频模块100例如用于支持多模式/多频带的通信装置300。通信装置300例如是便携式电话(例如智能手机)，但不限于此，例如也可以是可穿戴终端(例如智能手表)。高频模块100例如是能够支持4G(第四代移动通信)标准、5G(第五代移动通信)标准的模块。4G标准例如是3GPP LTE标准(LTE：Long Term Evolution：长期演进)。5G标准例如是5G NR(New Radio：新空口)。高频模块100例如是能够支持载波聚合及双连接的模块。在此，载波聚合及双连接是指同时使用多个频带的电波的通信。
高频模块100例如构成为能够将从信号处理电路301输入的第一频带(例如1710MHz-1980MHz)的发送信号(高频信号)放大后输出到天线A1(下面也称为第一天线A1)。另外，高频模块100例如构成为能够将从信号处理电路301输入的第二频带(例如2300MHz-2690MHz)的发送信号(高频信号)放大后输出到天线A2(下面也称为第二天线A2)。另外，高频模块100构成为能够将从第一天线A1输入的第一频带的接收信号(高频信号)放大后输出到信号处理电路301。另外，高频模块100构成为能够将从第二天线A2输入的第二频带的接收信号(高频信号)放大后输出到信号处理电路301。另外，高频模块100构成为能够将从天线A3(下面也称为第三天线A3)输入的第三频带(例如1880MHz-2025MHz)的接收信号(高频信号)放大后输出到信号处理电路301。
信号处理电路301不是高频模块100的构成要素，而是具备高频模块100的通信装置300的构成要素。高频模块100例如由通信装置300所具备的信号处理电路301控制。通信装置300具备高频模块100和信号处理电路301。通信装置300还具备第一天线A1、第二天线A2以及第三天线A3。通信装置300还具备安装有高频模块100的电路基板。电路基板例如是印刷电路板。电路基板具有被施加地电位的地电极。
信号处理电路301例如包括RF信号处理电路302和基带信号处理电路303。RF信号处理电路302例如是RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit：射频集成电路)，其进行针对高频信号的信号处理。RF信号处理电路302例如对从基带信号处理电路303输出的高频信号(发送信号)进行上变频等信号处理，向高频模块100输出进行信号处理后的高频信号。另外，RF信号处理电路302例如对从高频模块100输出的高频信号(接收信号)进行下变频等信号处理，向基带信号处理电路303输出进行信号处理后的高频信号。
基带信号处理电路303例如是BBIC(Baseband Integrated Circuit：基带集成电路)。基带信号处理电路303根据基带信号生成I相信号及Q相信号。基带信号例如是从外部输入的声音信号、图像信号等。基带信号处理电路303通过将I相信号与Q相信号合成来进行IQ调制处理，并输出发送信号。此时，发送信号被生成为将规定频率的载波信号以比该载波信号的周期长的周期进行振幅调制所得到的调制信号(IQ信号)。在基带信号处理电路303中进行处理后的接收信号例如作为图像信号被用于图像显示、或者作为声音信号被用于通话。高频模块100在第一天线A1、第二天线A2及第三天线A3与信号处理电路301的RF信号处理电路302之间传递高频信号(接收信号、发送信号)。
高频模块100具备多个(在图示例中为4个)发送滤波器1。另外，高频模块100具备功率放大器3和输出匹配电路4。另外，高频模块100具备多个(在图示例中为6个)接收滤波器2。另外，高频模块100具备低噪声放大器18和多个(在图示例中为6个)输入匹配电路17。另外，高频模块100具备第一开关5和第二开关7。另外，高频模块100具备控制器19。另外，高频模块100具备连接于第二开关7与多个发送滤波器1之间的多个(在图示例中为4个)匹配电路6。另外，高频模块100具备连接于第二开关7与多个(在图示例中为3个)天线端子91A、91B、91C之间的多个(在图示例中为3个)匹配电路8。
多个发送滤波器1具有互不相同的通带。下面，在区别说明4个发送滤波器1的情况下，也有时将4个发送滤波器1分别称为发送滤波器11、发送滤波器12、发送滤波器13、发送滤波器14。另外，多个接收滤波器2具有互不相同的通带。下面，在区别说明6个接收滤波器2的情况下，也有时将6个接收滤波器2分别称为接收滤波器21、接收滤波器22、接收滤波器23、接收滤波器24、接收滤波器25、接收滤波器26。
另外，高频模块100具备多个外部连接端子9。多个外部连接端子9包括多个(在图示例中为3个)天线端子91A、91B、91C、信号输入端子92、信号输出端子93、控制端子94以及多个地端子95(参照图2～图4)。多个地端子95是与通信装置300所具备的上述的电路基板的地电极电连接从而被施加地电位的端子。
发送滤波器11例如是以第一通信频段的发送带为通带的滤波器。发送滤波器12例如是以第二通信频段的发送带为通带的滤波器。发送滤波器13例如是以第三通信频段的发送带为通带的滤波器。发送滤波器14例如是以第四通信频段的发送带为通带的滤波器。第一通信频段与通过发送滤波器11的发送信号对应，例如是5G NR标准的n3。第二通信频段与通过发送滤波器12的发送信号对应，例如是5G NR标准的n1。第三通信频段与通过发送滤波器13的发送信号对应，例如是5G NR标准的n40。第四通信频段与通过发送滤波器14的发送信号对应，例如是5G NR标准的n41。在实施方式1所涉及的高频模块100中，发送滤波器11、12是功率等级3的发送滤波器，发送滤波器13、14是功率等级2的发送滤波器。换言之，发送滤波器11、12是功率等级相对低的第一发送滤波器，发送滤波器13、14是功率等级相对高的第二发送滤波器。
功率放大器3具有输入端子和输出端子。功率放大器3将输入到输入端子的第一频带及第二频带的发送信号放大后从输出端子输出。在此，第一频带例如包含第一通信频段和第二通信频段。第二频带例如包含第三通信频段和第四通信频段。功率放大器3的输入端子与信号输入端子92连接。功率放大器3的输入端子经由信号输入端子92来与信号处理电路301连接。信号输入端子92是用于将来自外部电路(例如信号处理电路301)的高频信号(发送信号)输入到高频模块100的端子。功率放大器3的输出端子经由输出匹配电路4来与第一开关5的公共端子50连接。
如图6所示，功率放大器3例如具备驱动级放大器31、2个最终级放大器32A、32B以及具有第一变压器T1的不平衡-平衡变换电路33(下面称为第一平衡-不平衡变换器33)。驱动级放大器31、最终级放大器32A以及最终级放大器32B中的各放大器包括放大用晶体管。第一变换器T1包括初级侧电感器L10和次级侧电感器L11。初级侧电感器L10连接于不平衡端子331与地之间。第一平衡-不平衡变换器33具有不平衡端子331和一对平衡端子332A、332B。在功率放大器3中，驱动级放大器31的输入端子与信号输入端子92连接，驱动级放大器31的输出端子与不平衡端子331连接。另外，在功率放大器3中，最终级放大器32A的输入端子与平衡端子332A连接，最终级放大器32B的输入端子与平衡端子332B连接。在功率放大器3中，驱动级放大器31的输入端子构成功率放大器3的输入端子，2个最终级放大器32A、32B各自的输出端子构成功率放大器3的输出端子。功率放大器3构成差动放大电路。此外，驱动级放大器31的输出端子被施加电压Vcc1。
输出匹配电路4设置于功率放大器3的输出端子与第一开关5的公共端子50之间的信号路径。输出匹配电路4是用于取得功率放大器3与多个发送滤波器1的阻抗匹配的电路。输出匹配电路4例如具备具有第二变压器T2的平衡-不平衡变换电路41(下面称为第二平衡-不平衡变换器41)以及多个电路元件42(参照图1)。第二平衡-不平衡变换器41具有一对平衡端子411A、411B以及不平衡端子412。在输出匹配电路4中，平衡端子411A与最终级放大器32A的输出端子连接，平衡端子411B与最终级放大器32B的输出端子连接，不平衡端子412与第一开关5的公共端子50连接。作为一例，第二变压器T2具有4个电感器要素L1、L2、L3、L4。在第二变压器T2中，利用电感器要素L3与电感器要素L4的串联电路构成初级侧电感器，利用电感器要素L1与电感器要素L2的串联电路构成次级侧电感器。在第二变压器T2中，初级侧电感器连接于平衡端子411A与平衡端子411B之间。
高频模块100还具备连接于布线W1与布线W2之间的串联电路，该布线W1将最终级放大器32A的输出端子与平衡端子411A连接，该布线W2将最终级放大器32B的输出端子与平衡端子411B连接。该串联电路包括电感器Lc1、电容器C1以及电感器Lc2，且没有接地。该串联电路是用于使向功率放大器3输入的高频信号(发送信号)的奇数次谐波(例如3次谐波)衰减的LC谐振电路。LC谐振电路的谐振频率包含于第一频带和第二频带中的相对低频侧的频带的下限的3倍的频率与第一频带和第二频带中的相对高频侧的频带的上限的3倍的频率之间的频带。另外，高频模块100还具备连接于最终级放大器32A的输出端子与平衡端子411A之间的电感器La1以及连接于最终级放大器32B的输出端子与平衡端子411B之间的电感器La2。
接收滤波器21例如是以第一通信频段的接收带为通带的滤波器。接收滤波器22例如是以第二通信频段的接收带为通带的滤波器。接收滤波器23例如是以第三通信频段的接收带为通带的滤波器。接收滤波器24例如是以第四通信频段的接收带为通带的滤波器。接收滤波器25例如是以第五通信频段的接收带为通带的滤波器。接收滤波器26例如是以第六通信频段的接收带为通带的滤波器。第一通信频段与通过接收滤波器21的接收信号对应，例如是5GNR标准的n3。第二通信频段与通过接收滤波器22的接收信号对应，例如是5G NR标准的n1。第三通信频段与通过接收滤波器23的接收信号对应，例如是5G NR标准的n40。第四通信频段与通过接收滤波器24的接收信号对应，例如是5G NR标准的n41。第五通信频段与通过接收滤波器25的接收信号对应，例如是3GPP LTE标准的Band34。第六通信频段与通过接收滤波器26的接收信号对应，例如是3GPP LTE标准的Band39。
低噪声放大器18将所输入的第一频带、第二频带以及第三频带的接收信号放大后输出。第一频带包含第一通信频段和第二通信频段。第二频带包含第三通信频段和第四通信频段。第三频带例如包含第五通信频段和第六通信频段。
低噪声放大器18具备多个(例如6个)放大用晶体管。多个放大用晶体管中的各放大用晶体管具有输入端子和输出端子。低噪声放大器18将输入到多个放大用晶体管中的任一个放大用晶体管的输入端子的接收信号放大后从输出端子输出。低噪声放大器18的多个放大用晶体管的输入端子经由多个输入匹配电路17中的对应的输入匹配电路17来与多个接收滤波器2中的对应的接收滤波器2连接。低噪声放大器18的输出端子与信号输出端子93连接。低噪声放大器18的输出端子例如经由信号输出端子93来与信号处理电路301连接。信号输出端子93是用于将来自低噪声放大器18的高频信号(接收信号)输出到外部电路(例如信号处理电路301)的端子。
多个(例如6个)输入匹配电路17设置于低噪声放大器18的多个放大用晶体管的输入端子与多个接收滤波器2之间的多个信号路径。下面，在区别说明6个输入匹配电路17的情况下，也有时将6个输入匹配电路17分别称为输入匹配电路171、输入匹配电路172、输入匹配电路173、输入匹配电路174、输入匹配电路175、输入匹配电路176。
输入匹配电路171是用于取得低噪声放大器18与接收滤波器21的阻抗匹配的电路。输入匹配电路172是用于取得低噪声放大器18与接收滤波器22的阻抗匹配的电路。输入匹配电路173是用于取得低噪声放大器18与接收滤波器23的阻抗匹配的电路。输入匹配电路174是用于取得低噪声放大器18与接收滤波器24的阻抗匹配的电路。输入匹配电路175是用于取得低噪声放大器18与接收滤波器25的阻抗匹配的电路。输入匹配电路176是用于取得低噪声放大器18与接收滤波器26的阻抗匹配的电路。多个输入匹配电路17中的各输入匹配电路例如由1个电感器构成，但不限于此，例如也有时包括多个电感器和多个电容器。
多个(例如6个)输入匹配电路17设置于低噪声放大器18的多个放大用晶体管的输入端子与多个接收滤波器2之间的多个信号路径。下面，在区别说明6个输入匹配电路17的情况下，也有时将6个输入匹配电路17分别称为输入匹配电路171、输入匹配电路172、输入匹配电路173、输入匹配电路174、输入匹配电路175、输入匹配电路176。
输入匹配电路171是用于取得低噪声放大器18与接收滤波器21的阻抗匹配的电路。输入匹配电路172是用于取得低噪声放大器18与接收滤波器22的阻抗匹配的电路。输入匹配电路173是用于取得低噪声放大器18与接收滤波器23的阻抗匹配的电路。输入匹配电路174是用于取得低噪声放大器18与接收滤波器24的阻抗匹配的电路。输入匹配电路175是用于取得低噪声放大器18与接收滤波器25的阻抗匹配的电路。输入匹配电路176是用于取得低噪声放大器18与接收滤波器26的阻抗匹配的电路。多个输入匹配电路17中的各输入匹配电路例如由1个电感器构成，但不限于此，例如也有时包括多个电感器和多个电容器。
第一开关5具有公共端子50和多个(在图示例中为4个)选择端子51。下面，在区别说明4个选择端子51的情况下，也有时将4个选择端子51分别称为选择端子511、选择端子512、选择端子513、选择端子514。
公共端子50经由输出匹配电路4来与功率放大器3的输出端子连接。选择端子511与发送滤波器11的输入端子连接。选择端子512与发送滤波器12的输入端子连接。选择端子513与发送滤波器13的输入端子连接。选择端子514与发送滤波器14的输入端子连接。第一开关5例如是能够将多个选择端子51中的至少1个以上的端子与公共端子50连接的开关。在此，第一开关5例如是能够进行一对一连接及一对多连接的开关。
第一开关5例如是开关IC(Integrated Circuit：集成电路)。第一开关5例如由信号处理电路301控制。第一开关5按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号，切换公共端子50与多个选择端子51的连接状态。第一开关5也可以不由信号处理电路301控制而取而代之地由控制器19控制。
第二开关7具有多个(在图示例中为3个)公共端子70和多个(在图示例中为6个)选择端子71。下面，在区别说明3个公共端子70的情况下，也有时将3个公共端子70分别称为公共端子70A、公共端子70B、公共端子70C。另外，下面，在区别说明6个选择端子71的情况下，也有时将6个选择端子71分别称为选择端子711、选择端子712、选择端子713、选择端子714、选择端子715、选择端子716。
公共端子70A与天线端子91A连接。第一天线A1与天线端子91A连接。公共端子70B与天线端子91B连接。第二天线A2与天线端子91B连接。公共端子70C与天线端子91C连接。第三天线A3与天线端子91C连接。选择端子711连接于发送滤波器11的输出端子与接收滤波器21的输入端子的连接点。选择端子712连接于发送滤波器12的输出端子与接收滤波器22的输入端子的连接点。选择端子713连接于发送滤波器13的输出端子与接收滤波器23的输入端子的连接点。选择端子714连接于发送滤波器14的输出端子与接收滤波器24的输入端子的连接点。选择端子715与接收滤波器25的输入端子连接。选择端子716与接收滤波器26的输入端子连接。第二开关7例如能够将多个选择端子711、712中的至少1个以上的选择端子与公共端子70A连接。另外，第二开关7能够将多个选择端子713、714中的至少1个以上的选择端子与公共端子70B连接。另外，第二开关7能够将多个选择端子715、716中的至少1个以上的选择端子与公共端子70C连接。在此，第二开关7例如是能够进行一对一连接以及一对多连接的开关。
第二开关7例如是开关IC。第二开关7例如由信号处理电路301控制。第二开关7按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号，切换多个公共端子70与多个选择端子71的连接状态。第二开关7也可以不由信号处理电路301控制而取而代之地由控制器19控制。
下面，在区别说明4个匹配电路6的情况下，也有时将4个匹配电路6分别称为匹配电路61、匹配电路62、匹配电路63、匹配电路64。
匹配电路61连接于发送滤波器11的输出端子与接收滤波器21的输入端子的连接点同第二开关7的选择端子711之间。匹配电路62连接于发送滤波器12的输出端子与接收滤波器22的输入端子的连接点同第二开关7的选择端子712之间。匹配电路63连接于发送滤波器13的输出端子与接收滤波器23的输入端子的连接点同第二开关7的选择端子713之间。匹配电路64连接于发送滤波器14的输出端子与接收滤波器24的输入端子的连接点同第二开关7的选择端子714之间。多个匹配电路6中的各匹配电路例如由1个电感器构成，但不限于此，例如也有时包括多个电感器和多个电容器。
下面，在区别说明3个匹配电路8的情况下，也有时将3个匹配电路8分别称为匹配电路81、匹配电路82、匹配电路83。
匹配电路81连接于第二开关7的公共端子70A与天线端子91A之间。匹配电路82连接于第二开关7的公共端子70B与天线端子91B之间。匹配电路83连接于第二开关7的公共端子70C与天线端子91C之间。多个匹配电路8中的各匹配电路例如由1个电感器构成，但不限于此，例如也有时包括多个电感器和多个电容器。
控制器19与控制端子94连接。控制端子94例如与信号处理电路301连接。控制器19基于来自信号处理电路301的控制信号来控制功率放大器3。
(1.2)高频模块的构造
接着，参照图1～图4来说明实施方式1所涉及的高频模块100的构造。
如图1～图4所示，高频模块100具备安装基板130和4个发送滤波器1。另外，高频模块100具备功率放大器3和输出匹配电路4。另外，高频模块100具备6个接收滤波器2、低噪声放大器18、6个输入匹配电路17、第一开关5、第二开关7以及控制器19。另外，高频模块100具备4个匹配电路6(下面也称为第一匹配电路6)和3个匹配电路8(下面也称为第二匹配电路8)。另外，高频模块100具备多个外部连接端子9。并且，高频模块100具备第一树脂层(树脂层)15、第二树脂层20以及屏蔽层16。
安装基板130具有在安装基板130的厚度方向D1上彼此相向的第一主面131及第二主面132。安装基板130例如是包括多个电介质层及多个导电层的多层基板。多个电介质层及多个导电层在安装基板130的厚度方向D1上层叠。多个导电层形成为按层决定的规定图案。多个导电层的各层在与安装基板130的厚度方向D1正交的一个平面内包括1个或多个导体部。各导电层的材料例如是铜。多个导电层包括地层。在高频模块100中，多个地端子95(参照图3及图4)与地层经由安装基板130所具有的通路导体等来进行电连接。安装基板130例如是LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics：低温共烧陶瓷)基板。安装基板130不限于LTCC基板，例如也可以是印刷电路板、HTCC(High Temperature Co-fired Ceramics：高温共烧陶瓷基板)、或者树脂多层基板。
另外，安装基板130不限于LTCC基板，例如也可以是布线构造体。布线构造体例如是多层构造体。多层构造体包括至少1个绝缘层以及至少1个导电层。绝缘层形成为规定图案。在绝缘层为多个的情况下，多个绝缘层形成为按层决定的规定图案。导电层形成为与绝缘层的规定图案不同的规定图案。在导电层为多个的情况下，多个导电层形成为按层决定的规定图案。导电层也可以包括1个或多个重新布线部。在布线构造体中，在多层构造体的厚度方向上彼此相向的2个面中的第一面是安装基板130的第一主面131，第二面是安装基板130的第二主面132。布线构造体例如可以是内插板(interposer)。内插板既可以是使用硅基板的内插板，也可以是由多层构成的基板。
安装基板130的第一主面131及第二主面132在安装基板130的厚度方向D1上分离，且与安装基板130的厚度方向D1交叉。安装基板130中的第一主面131例如与安装基板130的厚度方向D1正交，但也可以例如包括导体部的侧面等来作为不与厚度方向D1正交的面。另外，安装基板130中的第二主面132例如与安装基板130的厚度方向D1正交，但也可以例如包括导体部的侧面等来作为不与厚度方向D1正交的面。另外，安装基板130的第一主面131及第二主面132也可以形成有微小的凹凸、凹部或者凸部。例如，当在安装基板130的第一主面131形成有凹部的情况下，凹部的内表面包含于第一主面131。在从安装基板130的厚度方向D1俯视时，安装基板130是长方形形状，但不限于此，例如也可以是正方形形状。
在实施方式1所涉及的高频模块100中，第一组的电路部件安装于安装基板130的第一主面131。如图1所示，第一组的电路部件包括4个发送滤波器1、6个接收滤波器2、功率放大器3、输出匹配电路4的5个电路元件42、6个输入匹配电路17、4个第一匹配电路6以及3个第二匹配电路8。在此，“电路部件安装于安装基板130的第一主面131”包括：电路部件配置于安装基板130第一主面131(机械连接)、以及电路部件与安装基板130(的适当的导体部)电连接。另外，在高频模块100中，第二组的电路部件安装于安装基板130的第二主面132。第二组的电路部件包括第一开关5、第二开关7、控制器19以及低噪声放大器18。在此，“电路部件安装于安装基板130的第二主面132”包括：电路部件配置于安装基板130的第二主面132(机械连接)、以及电路部件与安装基板130(的适当的导体部)电连接。输出匹配电路4的第二平衡-不平衡变换器41设置于安装基板130。
多个发送滤波器1及多个接收滤波器2中的各滤波器例如是梯型滤波器。多个发送滤波器1及多个接收滤波器2中的各滤波器具有多个(例如4个)串联臂谐振器和多个(例如3个)并联臂谐振器。
多个发送滤波器1及多个接收滤波器2中的各滤波器例如是弹性波滤波器。关于弹性波滤波器，多个串联臂谐振器及多个并联臂谐振器中的各谐振器由弹性波谐振器构成。弹性波滤波器例如是利用声表面波的表面声波滤波器。
在表面声波滤波器中，多个串联臂谐振器及多个并联臂谐振器中的各谐振器例如是SAW(Surface Acoustic Wave：声表面波)谐振器。
表面声波滤波器例如具有压电性基板、形成于压电性基板上且与多个串联臂谐振器一一对应的多个IDT(Interdigital Transducer：叉指换能器)电极以及形成于压电性基板上且与多个并联臂谐振器一一对应的多个IDT电极。压电性基板例如是压电基板。压电基板例如是铌酸锂基板、钽酸锂基板或者石英基板。压电性基板不限于压电基板，例如也可以是包括硅基板、硅基板上的高声速膜、高声速膜上的低声速膜以及低声速膜上的压电体层的层叠型基板。在层叠型基板中，压电体层的材料例如是铌酸锂或者钽酸锂。低声速膜是在低声速膜中传播的体波的声速比在压电体层中传播的体波的声速低的膜。低声速膜的材料例如是氧化硅。高声速膜是在高声速膜中传播的体波的声速比在压电体层中传播的弹性波的声速高的膜。高声速膜的材料例如是氮化硅。
在从安装基板130的厚度方向D1俯视时，多个发送滤波器1及多个接收滤波器2中的各滤波器的外周形状是四边形形状。
功率放大器3是包括具有驱动级放大器31、2个最终级放大器32A、32B以及第一平衡-不平衡变换器33的电路部的功率放大用IC芯片。功率放大器3以倒装芯片安装的方式安装于安装基板130的第一主面131。在从安装基板130的厚度方向D1俯视时，功率放大器3的外周形状是四边形形状。驱动级放大器31、最终级放大器32A以及最终级放大器32B中的各放大器包括放大用晶体管。放大用晶体管例如是HBT(Heterojunction BipolarTransistor：异质结双极晶体管)。在该情况下，构成功率放大器3的功率放大用IC芯片例如是GaAs类IC芯片。放大用晶体管不限于HBT等双极晶体管，例如也可以是FET(Field EffectTransistor：场效应晶体管)。FET例如是MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffect Transistor：金属-氧化物-半导体场效应晶体管)。构成功率放大器3的功率放大用IC芯片不限于GaAs类IC芯片，例如也可以是Si类IC芯片、SiGe类IC芯片或者GaN类IC芯片。
输出匹配电路4的第二平衡-不平衡变换器41设置于安装基板130。如上所述，第二平衡-不平衡变换器41具有多个电感器要素L1～L4。电感器要素L3、L4设置于安装基板130内，电感器要素L1以在从安装基板130的厚度方向D1俯视时与电感器要素L3、L4重叠的方式设置于安装基板130的第一主面131，电感器要素L2以在从安装基板130的厚度方向D1俯视时与电感器要素L3、L4重叠的方式设置于安装基板130内。在安装基板130的厚度方向D1上，从电感器要素L3、L4来看，电感器要素L2位于与电感器要素L1相反的一侧。
输出匹配电路4的5个电路元件42是电感器或电容器。在从安装基板130的厚度方向D1俯视时，配置于2个发送滤波器1(发送滤波器11、12)之间的电路元件42例如是电感器。
此外，在图1中，省略了LC谐振电路的图示，但LC谐振电路的电容器C1安装于安装基板130的第一主面131。另外，LC谐振电路的电感器Lc1、Lc2设置于安装基板130。
如图2所示，低噪声放大器18安装于安装基板130的第二主面132。在实施方式1所涉及的高频模块100中，包括低噪声放大器18和第二开关7的IC芯片180(下面也称为第一IC芯片180)安装于安装基板130的第二主面132。在此，第一IC芯片180以倒装芯片安装的方式安装于安装基板130的第二主面132。在从安装基板130的厚度方向D1俯视时，第一IC芯片180的外周形状是四边形形状。低噪声放大器18所具有的6个放大晶体管是场效应晶体管，但不限于此，例如也可以是双极晶体管。第一IC芯片180是Si类IC芯片，但不限于此。
6个输入匹配电路17中的各输入匹配电路的电路部件(电感器)例如是片式电感器。6个输入匹配电路17中的各输入匹配电路的电路部件例如安装于安装基板130的第一主面131。在从安装基板130的厚度方向D1俯视时，6个输入匹配电路17的电路部件的外周形状是四边形形状。6个输入匹配电路17中的各输入匹配电路也可以包括设置于安装基板130内的内层电感器。
如图2所示，第一开关5安装于安装基板130的第二主面132。在实施方式1所涉及的高频模块100中，包括第一开关5和控制器19的IC芯片55(下面也称为第二IC芯片55)安装于安装基板130的第二主面132。在此，第二IC芯片55以倒装芯片安装的方式安装于安装基板130的第二主面132。在从安装基板130的厚度方向D1俯视时，第二IC芯片55的外周形状是四边形形状。第二IC芯片55是Si类IC芯片，但不限于此。
4个第一匹配电路6中的各第一匹配电路的电路部件(电感器)例如是片式电感器。4个第一匹配电路6中的各第一匹配电路的电路部件例如安装于安装基板130的第一主面131。在从安装基板130的厚度方向D1俯视时，4个第一匹配电路6中的各第一匹配电路的电路部件的外周形状是四边形形状。4个第一匹配电路6中的各第一匹配电路也可以包括设置于安装基板130内的内层电感器。
3个第二匹配电路8中的各第二匹配电路的电路部件(电感器)例如是片式电感器。3个第二匹配电路8中的各第二匹配电路电路部件例如安装于安装基板130的第一主面131。在从安装基板130的厚度方向D1俯视时，3个第二匹配电路8中的各第二匹配电路的电路部件的外周形状是四边形形状。3个第二匹配电路8中的各第二匹配电路也可以包括设置于安装基板130内的内层电感器。
多个外部连接端子9配置于安装基板130的第二主面132。在此，“外部连接端子9配置于安装基板130的第二主面132”包括：外部连接端子9与安装基板130的第二主面132机械连接、以及外部连接端子9与安装基板130(的适当的导体部)电连接。多个外部连接端子9的材料例如是金属(例如铜、铜合金等)。多个外部连接端子9中的各外部连接端子是柱状电极。柱状电极例如是圆柱状的电极。多个外部连接端子9例如利用焊料来与安装基板130的导体部接合，但不限于此，例如，也可以使用导电性粘接剂(例如导电性糊剂)来进行接合，还可以直接接合。
如上所述，多个外部连接端子9包括3个天线端子91A、91B、91C、信号输入端子92、信号输出端子93、控制端子94以及多个地端子95。多个地端子95与安装基板130的地层电连接。地层是高频模块100的电路地，高频模块100的多个电路部件包括与地层电连接的电路部件。
第一树脂层15在安装基板130的第一主面131侧覆盖安装于安装基板130的第一主面131的第一组的电路部件中的各电路部件。第一树脂层15包含树脂(例如环氧树脂)。第一树脂层15也可以除了包含树脂以外还包含填料。
第二树脂层20在安装基板130的第二主面132侧覆盖安装于安装基板130的第二主面132的第二组的电路部件中的各电路部件以及多个外部连接端子9中的各外部连接端子的外周面。第二树脂层20包含树脂(例如环氧树脂)。第二树脂层20也可以除了包含树脂以外还包含填料。第二树脂层20的材料既可以是与第一树脂层15的材料相同的材料，也可以是不同的材料。
屏蔽层16覆盖第一树脂层15和4个发送滤波器1。如图4所示，4个发送滤波器1中的2个发送滤波器13、14各自的与安装基板130侧相反的一侧的主面102与屏蔽层16接触。屏蔽层16具有导电性。屏蔽层16具有层叠多个金属层而成的多层构造，但不限于此，也可以是1个金属层。金属层包括1种或多种金属。屏蔽层16覆盖第一树脂层15的与安装基板130侧相反的一侧的主面151、第一树脂层15的外周面153以及安装基板130的外周面133。另外，屏蔽层16还覆盖第二树脂层20的外周面203。屏蔽层16与安装基板130所具有的地层的外周面的至少一部分接触。由此，能够使屏蔽层16的电位与地层的电位相同。
(1.3)高频模块中的电路部件的布局
接着，参照图1～图4来说明实施方式1所涉及的高频模块100中的电路部件的布局。
在高频模块100中，在从安装基板130的厚度方向D1俯视时，在与输出匹配电路4及功率放大器3所排列的方向平行的方向(图1的上下方向)上，多个发送滤波器1从输出匹配电路4侧(上侧)起按发送滤波器11、发送滤波器12、发送滤波器13以及发送滤波器14的顺序排列。
在高频模块100中，在从安装基板130的厚度方向D1俯视时，4个发送滤波器1位于输出匹配电路4与6个输入匹配电路17之间。
另外，在高频模块100中，在从安装基板130的厚度方向D1俯视时，4个发送滤波器1位于输出匹配电路4与4个第一匹配电路6之间。
另外，在高频模块100中，在从安装基板130的厚度方向D1俯视时，4个发送滤波器1位于输出匹配电路4与3个第二匹配电路8之间。
在高频模块100中，在从安装基板130的厚度方向D1俯视时，第一IC芯片180与多个发送滤波器1不重叠。
在高频模块100中，在从安装基板130的厚度方向D1俯视时，多个发送滤波器1中的至少1个(在图示例中为2个)与第二IC芯片55重叠。在从安装基板130的厚度方向D1俯视时，发送滤波器12、13各自的一部分与第二IC芯片55的一部分重叠，但不限于此，也可以是发送滤波器12、13各自的全部与第二IC芯片55的一部分重叠。另外，也可以是发送滤波器12、13各自的全部与第二IC芯片55的全部重叠。
在高频模块100中，在从安装基板130的厚度方向D1俯视时，功率放大器3不与低噪声放大器18重叠。
高频模块100的电路结构具有发送发送信号的发送电路以及接收接收信号的接收电路。在高频模块100中，多个电路部件中的仅包括于发送电路的电路部件与除此之外的电路部件(仅包括于接收电路的电路部件、在发送电路和接收电路中共用的电路部件)在安装基板130的厚度方向D1上不重叠。多个电路部件中的仅包括于发送电路的电路部件的组包括4个发送滤波器1、功率放大器3、输出匹配电路4以及第二IC芯片55。多个电路部件中的仅包括于接收电路的电路部件的组包括6个接收滤波器2、6个输入匹配电路17以及低噪声放大器18。在发送电路和接收电路中共用的电路部件的组包括第二开关7、4个第一匹配电路6以及3个第二匹配电路8。
在从安装基板130的厚度方向D1俯视时，高频模块100分为第一区域和第二区域，第一区域配置有多个电路部件中的仅包括于发送电路的电路部件的组，第二区域配置有仅包括于接收电路的电路部件的组以及在发送电路和接收电路中共用的电路部件的组。
(1.4)高频模块的制造方法
接着，说明实施方式1所涉及的高频模块100的制造方法。
作为高频模块100的制造方法，例如能够采用包括第一工序、第二工序、第三工序、第四工序以及第五工序的制造方法。第一工序是以下工序：在安装基板130安装多个电路部件并且配置多个外部连接端子9。第二工序是以下工序：将覆盖多个发送滤波器1等且成为第一树脂层15的基础的第一树脂材料层形成于安装基板130的第一主面131侧，并且将成为第二树脂层20的基础的第二树脂材料层形成于安装基板130的第二主面132侧。第三工序是以下工序：从第一树脂材料层的与安装基板130侧相反的一侧的主面磨削第一树脂材料层，使多个发送滤波器1中的2个发送滤波器13、14的压电性基板露出，之后对第一树脂材料层和各压电性基板进行磨削，由此形成第一树脂层15并且使各压电性基板薄。第四工序是以下工序：从第二树脂材料层的与安装基板130侧相反的一侧的主面磨削第二树脂材料层，使多个外部连接端子9的前端露出，之后对第二树脂材料层和各外部连接端子9磨削，由此形成第二树脂层20。第五工序是以下工序：例如通过溅射法、蒸镀法或者印刷法来形成同第一树脂层15的主面151以及多个发送滤波器1中的2个发送滤波器13、14中的各发送滤波器的与安装基板130侧相反的一侧的主面102相接触的屏蔽层16。
(2)效果
(2.1)高频模块
实施方式1所涉及的高频模块100具备安装基板130、第一发送滤波器11、12、第二发送滤波器13、14、树脂层15以及屏蔽层16。安装基板130具有彼此相向的第一主面131及第二主面132。第一发送滤波器11、12安装于安装基板130的第一主面131。第二发送滤波器13、14安装于安装基板130的第一主面131，第二发送滤波器13、14的功率等级比第一发送滤波器11、12的功率等级高。树脂层15配置于安装基板130的第一主面131。屏蔽层16覆盖树脂层15的至少一部分。树脂层15覆盖第一发送滤波器11、12的外周面103的至少一部分，且覆盖第二发送滤波器13、14的外周面103的至少一部分。在从安装基板130的厚度方向D1俯视时，屏蔽层16与第二发送滤波器13、14的至少一部分重叠。第二发送滤波器13、14的与安装基板130侧相反的一侧的主面102的至少一部分与屏蔽层16接触。换言之，第二发送滤波器13、14的与安装基板130侧相反的一侧的主面102中的被屏蔽层16覆盖的部分的至少一部分与屏蔽层16接触。
另外，实施方式1所涉及的高频模块100具备安装基板130、发送滤波器13、14、树脂层15以及屏蔽层16。安装基板130具有彼此相向的第一主面131及第二主面132。发送滤波器13、14是安装于安装基板130的第一主面131的、功率等级1的发送滤波器和功率等级2的发送滤波器中的至少一方的发送滤波器。树脂层15配置于安装基板130的第一主面131。屏蔽层16覆盖树脂层15的至少一部分。树脂层15覆盖发送滤波器13、14的外周面103的至少一部分。在从安装基板130的厚度方向D1俯视时，屏蔽层16与发送滤波器13、14的至少一部分重叠。发送滤波器13、14的与安装基板130侧相反的一侧的主面102的至少一部分与屏蔽层16接触。换言之，发送滤波器13、14的与安装基板130侧相反的一侧的主面102中的被屏蔽层16覆盖的部分的至少一部分与屏蔽层16接触。
如上所述，实施方式1所涉及的高频模块100的(第二)发送滤波器13、14中的各发送滤波器的与安装基板130侧相反的一侧的主面102的至少一部分与屏蔽层16接触。因此，能够使在(第二)发送滤波器13、14产生的热通过屏蔽层16进行散热。由此，能够实现散热性的提高。而且，实施方式1所涉及的高频模块100能够实现构成(第二)发送滤波器13、14中的各发送滤波器的弹性波滤波器的温度特性的稳定化，能够实现高频模块100的特性的稳定化。
另外，实施方式1所涉及的高频模块100使功率等级相对低的发送滤波器11、12中的各发送滤波器的与安装基板130侧相反的一侧的主面102不与屏蔽层16接触。由此，能够使高频模块100中的打印区域大。并且，通过使发送滤波器11、12的主面102不与屏蔽层16接触，可以使发送滤波器11、12中的各发送滤波器的压电性基板的厚度不厚，能够抑制材料费的上涨。
在实施方式1所涉及的高频模块100中，从实现散热性的提高的观点出发，优选的是，屏蔽层16与多个发送滤波器1中的发送滤波器13、14的各发送滤波器的与安装基板130侧相反的一侧的主面102的整个区域接触。但是，屏蔽层16并不是必须与发送滤波器13、14的主面102的整个面接触。
(2.2)通信装置
实施方式1所涉及的通信装置300具备信号处理电路301和高频模块100。信号处理电路301与高频模块100连接。
实施方式1所涉及的通信装置300具备高频模块100，因此能够实现散热性的提高。
构成信号处理电路301的多个电子部件例如可以安装于上述的电路基板，也可以安装于与高频模块100所安装的电路基板(第一电路基板)不同的电路基板(第二电路基板)。
(3)变形例
(3.1)变形例1
参照图7来说明实施方式1的变形例1所涉及的高频模块100a。关于变形例1所涉及的高频模块100a，对与实施方式1所涉及的高频模块100相同的构成要素标注相同的附图标记并省略说明。此外，高频模块100a的电路结构与参照图5及图6说明的实施方式1所涉及的高频模块100的电路结构相同。
变形例1所涉及的高频模块100a与实施方式1所涉及的高频模块100的不同之处在于，功率等级3的发送滤波器11、12中的各发送滤波器的与安装基板130侧相反的一侧的主面102与屏蔽层16接触。
变形例1所涉及的高频模块100a与实施方式1所涉及的高频模块100同样，功率等级2的发送滤波器13、14中的各发送滤波器的与安装基板130侧相反的一侧的主面102与屏蔽层16接触，因此能够实现散热性的提高。
另外，在变形例1所涉及的高频模块100a中，功率等级3的发送滤波器11、12中的各发送滤波器的与安装基板130侧相反的一侧的主面102也与屏蔽层16接触，因此能够实现进一步的散热性的提高。
(3.2)变形例2
参照图8来说明实施方式1的变形例2所涉及的高频模块100b。关于变形例2所涉及的高频模块100b，对与实施方式1所涉及的高频模块100相同的构成要素标注相同的附图标记并省略说明。此外，高频模块100b的电路结构与参照图5及图6说明的实施方式1所涉及的高频模块100的电路结构相同。
变形例2所涉及的高频模块100b与实施方式1所涉及的高频模块100的不同之处在于，具备配置于功率等级3的发送滤波器11、12中的各发送滤波器的与安装基板130侧相反的一侧的主面102的接触构件140A。
在从安装基板130的厚度方向D1俯视时，多个接触构件140A中的各接触构件是四边形形状，但不限于此。另外，在从安装基板130的厚度方向D1俯视时，多个接触构件140A中的各接触构件的大小与多个发送滤波器1中的该接触构件所接触的发送滤波器1的大小相同，但不限于此，也可以比发送滤波器1大，还可以比发送滤波器1小。多个接触构件140A的材料例如是铜或者铜合金。多个接触构件140A既可以与发送滤波器1的主面102接合，也可以仅接触。多个接触构件140A的材料优选相同，但也可以不同。
变形例2所涉及的高频模块100b与实施方式1所涉及的高频模块100同样，功率等级2的发送滤波器13、14中的各发送滤波器的与安装基板130侧相反的一侧的主面102与屏蔽层16接触，因此能够实现散热性的提高。
另外，在变形例2所涉及的高频模块100b中，功率等级3的发送滤波器11、12中的各发送滤波器的与安装基板130侧相反的一侧的主面102经由接触构件140A来与屏蔽层16接触，因此能够实现进一步的散热性的提高。
(3.3)变形例3
参照图9来说明实施方式1的变形例3所涉及的高频模块100c。关于变形例3所涉及的高频模块100c，对与实施方式1所涉及的高频模块100相同的构成要素标注相同的附图标记并省略说明。此外，高频模块100c的电路结构与参照图5及图6说明的实施方式1所涉及的高频模块100的电路结构相同。
变形例3所涉及的高频模块100c与实施方式1所涉及的高频模块100的不同之处在于，多个外部连接端子9是球凸块。另外，变形例3所涉及的高频模块100c与实施方式1所涉及的高频模块100的不同之处在于，不具备实施方式1所涉及的高频模块100的第二树脂层20。变形例3所涉及的高频模块100c也可以具备在安装于安装基板130的第二主面132的第一IC芯片180及第二IC芯片55与安装基板130的第二主面132之间的间隙设置的底部填充部。
构成多个外部连接端子9中的各外部连接端子的球凸块的材料例如是金、铜、焊料等。
多个外部连接端子9也可以混合存在由球凸块构成的外部连接端子9以及由柱状电极构成的外部连接端子9。
(实施方式2)
参照图10来说明实施方式2所涉及的高频模块100d。关于实施方式2所涉及的高频模块100d，对与实施方式1所涉及的高频模块100相同的构成要素标注相同的附图标记并省略说明。此外，高频模块100d的电路结构与参照图5及图6说明的实施方式1所涉及的高频模块100的电路结构相同。
实施方式2所涉及的高频模块100d与实施方式1所涉及的高频模块100的不同之处在于，具备多个金属构件140。多个金属构件140配置于多个发送滤波器1中的功率等级2的发送滤波器13、14的与安装基板130侧相反的一侧的主面102。
第一树脂层15配置于安装基板130的第一主面131，覆盖多个发送滤波器1的外周面103和多个金属构件140的外周面143。屏蔽层16覆盖第一树脂层15和多个金属构件140。多个金属构件140与屏蔽层16接触。
在从安装基板130的厚度方向D1俯视时，多个金属构件140中的各金属构件是四边形形状，但不限于此。另外，在从安装基板130的厚度方向D1俯视时，多个金属构件140中的各金属构件的大小与多个发送滤波器1中的该金属构件所接触的发送滤波器1的大小相同，但不限于此，也可以比发送滤波器1大，还可以比发送滤波器1小。多个金属构件140的材料例如是铜或者铜合金。多个金属构件140既可以与发送滤波器1的主面102接合，也可以仅接触。多个金属构件140的材料优选相同，但也可以不同。
实施方式2所涉及的高频模块100d具备安装基板130、第一发送滤波器11、12、第二发送滤波器13、14、金属构件140、树脂层15以及屏蔽层16。安装基板130具有彼此相向的第一主面131及第二主面132。第一发送滤波器11、12安装于安装基板130的第一主面131。第二发送滤波器13、14安装于安装基板130的第一主面131，第二发送滤波器13、14的功率等级比第一发送滤波器11、12的功率等级高。金属构件140配置于第二发送滤波器13、14的与安装基板130侧相反的一侧的主面102。树脂层15配置于安装基板130的第一主面131。屏蔽层16覆盖树脂层15的至少一部分。树脂层15覆盖第一发送滤波器11、12的外周面103的至少一部分，且覆盖第二发送滤波器13、14的外周面103的至少一部分，且覆盖金属构件140的外周面143的至少一部分。在从安装基板130的厚度方向D1俯视时，屏蔽层16与金属构件140的至少一部分重叠。金属构件140的与安装基板130侧相反的一侧的主面141的至少一部分与屏蔽层16接触。换言之，金属构件140的与安装基板130侧相反的一侧的主面141中的被屏蔽层16覆盖的部分的至少一部分与屏蔽层16接触。
另外，实施方式2所涉及的高频模块100d具备安装基板130、发送滤波器13、14、金属构件140、树脂层15以及屏蔽层16。安装基板130具有彼此相向的第一主面131及第二主面132。发送滤波器13、14是安装于安装基板130的第一主面131的、功率等级1的发送滤波器和功率等级2的发送滤波器中的至少一方的发送滤波器。金属构件140配置于发送滤波器13、14的与安装基板130侧相反的一侧的主面102。树脂层15配置于安装基板130的第一主面131。屏蔽层16覆盖树脂层15的至少一部分。树脂层15覆盖发送滤波器13、14的外周面103的至少一部分，且覆盖金属构件140的外周面143的至少一部分。在从安装基板130的厚度方向D1俯视时，屏蔽层16与金属构件140的至少一部分重叠。金属构件140的与安装基板130侧相反的一侧的主面141的至少一部分与屏蔽层16接触。换言之，金属构件140的与安装基板130侧相反的一侧的主面141中的被屏蔽层16覆盖的部分的至少一部分与屏蔽层16接触。
在实施方式2所涉及的高频模块100d中，如上所述，(第二)发送滤波器13、14的与安装基板130侧相反的一侧的主面102经由金属构件140来与屏蔽层16接触。因此，能够使在(第二)发送滤波器13、14产生的热通过金属构件140及屏蔽层16进行散热。由此，能够实现散热性的提高。而且，实施方式2所涉及的高频模块100d能够实现构成(第二)发送滤波器13、14中的各发送滤波器的弹性波滤波器的温度特性的稳定化，能够实现高频模块100的特性的稳定化。
(变形例1)
参照图11来说明实施方式2的变形例1所涉及的高频模块100e。关于变形例1所涉及的高频模块100e，对与实施方式2所涉及的高频模块100d相同的构成要素标注相同的附图标记并省略说明。此外，高频模块100e的电路结构与参照图5及图6说明的实施方式1所涉及的高频模块100的电路结构相同。
变形例1所涉及的高频模块100e与实施方式2所涉及的高频模块100d的不同之处在于，还具备配置于功率等级3的发送滤波器11、12中的各发送滤波器的与安装基板130侧相反的一侧的主面102的接触构件140A。
变形例1所涉及的高频模块100e与实施方式2所涉及的高频模块100同样，功率等级2的发送滤波器13、14中的各发送滤波器的与安装基板130侧相反的一侧的主面102经由金属构件140来与屏蔽层16接触，因此能够实现散热性的提高。
另外，在变形例1所涉及的高频模块100e中，功率等级3的发送滤波器11、12中的各发送滤波器的与安装基板130侧相反的一侧的主面102经由接触构件140A来与屏蔽层16接触，因此能够实现进一步的散热性的提高。
(变形例2)
参照图12来说明实施方式2的变形例2所涉及的高频模块100f。关于变形例2所涉及的高频模块100f，对与实施方式2所涉及的高频模块100d相同的构成要素标注相同的附图标记并省略说明。此外，高频模块100f的电路结构与参照图5及图6说明的实施方式1所涉及的高频模块100的电路结构相同。
变形例2所涉及的高频模块100f与实施方式2所涉及的高频模块100d的不同之处在于，功率等级3的发送滤波器11、12中的各发送滤波器的与安装基板130侧相反的一侧的主面102与屏蔽层16接触。
变形例2所涉及的高频模块100f与实施方式2所涉及的高频模块100d同样，功率等级2的发送滤波器13、14中的各发送滤波器的与安装基板130侧相反的一侧的主面102经由金属构件140来与屏蔽层16接触，因此能够实现散热性的提高。
另外，在变形例2所涉及的高频模块100f中，功率等级3的发送滤波器11、12中的各发送滤波器的与安装基板130侧相反的一侧的主面102与屏蔽层16接触，因此能够实现进一步的散热性的提高。
(其它变形例)
上述的实施方式1～2等只不过是本发明的各种实施方式之一。上述的实施方式1～2等只要能够实现本发明的目的即可，能够根据设计等进行各种变更。
例如，发送滤波器1的数量只要是多个即可，不限定于4个。另外，只要多个发送滤波器1中的功率等级相对高的发送滤波器1的与安装基板130侧相反的一侧的主面102与屏蔽层16接触即可，也可以包括主面102被第一树脂层15覆盖的发送滤波器1。
多个发送滤波器1和多个接收滤波器2也可以是构成双工器的滤波器。即，也可以是，发送滤波器11和接收滤波器21构成第一双工器，发送滤波器12和接收滤波器22构成第二双工器，发送滤波器13和接收滤波器23构成第三双工器，发送滤波器14和接收滤波器24构成第四双工器。在该情况下，只要至少第三双工器及第四双工器中的各双工器的与安装基板130侧相反的一侧的主面直接或间接(经由金属构件140)地与屏蔽层16接触即可。
另外，在实施方式1所涉及的高频模块100中，发送滤波器13、14的与安装基板130侧相反的一侧的主面102与树脂层15的主面151大致共面，但不限于此。
例如，多个发送滤波器1及多个接收滤波器2中的各滤波器不限于表面声波滤波器，例如也可以是BAW(Bulk Acoustic Wave：体声波)滤波器。BAW滤波器中的谐振器例如是FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator：薄膜体声波谐振器)或SMR(Solidly MountedResonator：固态装配谐振器)。BAW滤波器具有基板。基板例如是硅基板。
另外，多个发送滤波器1及多个接收滤波器2中的各滤波器不限于梯型滤波器，例如也可以是纵耦合谐振器型声表面波滤波器。
另外，上述的弹性波滤波器是利用表面声波或体声波的弹性波滤波器，但不限于此，例如也可以是利用声界面波、板波等的弹性波滤波器。
另外，功率放大器3不限于差动放大电路，也可以是具有驱动级放大器、输出级放大器以及用于使驱动级放大器与输出级放大器的阻抗匹配的级间匹配电路的结构。在该情况下，级间匹配电路例如是设置于驱动级放大器与输出级放大器之间的电感器，但也可以除了包括电感器以外还包括电容器。另外，功率放大器3中的放大器的级数不限于2级，也可以是1级或3级以上。
另外，输入匹配电路17的数量不限于多个，也可以是1个。
另外，多个电路部件包括经由凸块来与安装基板130电连接的电路部件以及经由焊料来与安装基板130电连接的电路部件，但例如也可以包括经由接合线来与安装基板130电连接的电路部件。
也可以是，高频模块100还具备配置于安装基板130的第二主面132且在安装基板130的厚度方向D1上与功率放大器3重叠的散热用导体部。此外，也可以是，多个外部连接端子9的一部分构成散热用导体部。
另外，在实施方式1所涉及的高频模块100及实施方式2所涉及的高频模块100d中，多个发送滤波器13、14中的各发送滤波器的与安装基板130侧相反的一侧的主面102直接或间接(经由金属构件140)地与屏蔽层16接触，但不限于此。例如，也可以是，多个发送滤波器13、14中的一个发送滤波器的主面102直接或间接地与屏蔽层16接触。
并且，在实施方式1的变形例1所涉及的高频模块100a、实施方式1的变形例2所涉及的高频模块100b、实施方式2的变形例1所涉及的高频模块100e以及实施方式2的变形例2所涉及的高频模块100f中，多个发送滤波器11、12中的各发送滤波器的与安装基板130侧相反的一侧的主面102直接或间接(经由金属构件140)地与屏蔽层16接触，但不限于此。例如，也可以是，多个发送滤波器11、12中的一个发送滤波器的主面102直接或间接地与屏蔽层16接触。
在高频模块100、100a～100f中，发送滤波器11、12、13、14中的各发送滤波器的外周面103的全部被第一树脂层15覆盖，但也可以是，外周面103的一部分被第一树脂层15覆盖。另外，在高频模块100、100a～100c中，发送滤波器13、14中的各发送滤波器的与安装基板130侧相反的一侧的主面102的全部与屏蔽层16接触，但也可以是，主面102的一部分与屏蔽层16接触。
另外，在高频模块100d～100f中，多个金属构件140中的各金属构件的外周面143的全部被第一树脂层15覆盖，但也可以是，外周面143的一部分被第一树脂层15覆盖。另外，在高频模块100d～100f中，多个金属构件140中的各金属构件的与安装基板130侧相反的一侧的主面142的全部与屏蔽层16接触，但也可以是，主面142的一部分与屏蔽层16接触。
另外，在高频模块100a、100f中，发送滤波器11、12的与安装基板130侧相反的一侧的主面102的全部与屏蔽层16接触，但也可以是，主面102的一部分与屏蔽层16接触。另外，在高频模块100b、100e中，多个接触构件140A中的各接触构件的与安装基板130侧相反的一侧的主面142的全部与屏蔽层16接触，但也可以是，主面142的一部分与屏蔽层16接触。
另外，在高频模块100、100a～100c中，发送滤波器13、14中的各发送滤波器的与安装基板130侧相反的一侧的主面102的全部被屏蔽层16覆盖，但也可以是，主面102的一部分被屏蔽层16覆盖。另外，在高频模块100d～100f中，多个金属构件140中的各金属构件的与安装基板130侧相反的一侧的主面142的全部被屏蔽层16覆盖，但也可以是，主面142的一部分被屏蔽层16覆盖。
另外，高频模块100、100a～100f具备功率等级3的发送滤波器11、12以及功率等级2的发送滤波器13、14，但不限于此。高频模块例如也可以具备功率等级1的发送滤波器、功率等级2的发送滤波器以及功率等级3的发送滤波器。在该情况下，只要至少功率等级1的发送滤波器的与安装基板130侧相反的一侧的主面的至少一部分与屏蔽层16接触即可，关于功率等级2的发送滤波器及功率等级3的发送滤波器中的各发送滤波器，发送滤波器的与安装基板130侧相反的一侧的主面的至少一部分可以与屏蔽层16接触，也可以不接触。
并且，高频模块例如也可以具备功率等级1的发送滤波器和功率等级2的发送滤波器。在该情况下，只要至少功率等级1的发送滤波器的与安装基板130侧相反的一侧的主面的至少一部分与屏蔽层16接触即可，功率等级2的发送滤波器的与安装基板130侧相反的一侧的主面的至少一部分可以与屏蔽层16接触，也可以不接触。
并且，高频模块例如也可以具备功率等级1的发送滤波器和功率等级3的发送滤波器。在该情况下，只要至少功率等级1的发送滤波器的与安装基板130侧相反的一侧的主面的至少一部分与屏蔽层16接触即可，功率等级3的发送滤波器的与安装基板130侧相反的一侧的主面的至少一部分可以与屏蔽层16接触，也可以不接触。
另外，高频模块例如也可以仅具备功率等级1的多个发送滤波器。在该情况下，只要功率等级1的多个发送滤波器中的至少1个发送滤波器的与安装基板130侧相反的一侧的主面的至少一部分与屏蔽层16接触即可。另外，高频模块例如也可以仅具备功率等级2的多个发送滤波器。在该情况下，只要功率等级2的多个发送滤波器中的至少1个发送滤波器的与安装基板130侧相反的一侧的主面的至少一部分与屏蔽层16接触即可。
另外，在高频模块100、100a～100f中，第一通信频段是5G NR标准的n3，，第二通信频段是5G NR标准的n1，但不限于此。第一通信频段及第二通信频段中的各通信频段例如是5G NR标准的n1、n3、n25及n66中的任一方即可。另外，在高频模块100、100a～100f中，第五通信频段是3GPP LTE标准的Band34，第六通信频段是3GPP LTE标准的Band39，但不限于此。第五通信频段及第六通信频段中的各通信频段例如是3GPP LTE标准的Band34、Band39、Band7、Band30、Band11、Band21、Band32中的任一方即可。
高频模块100、100a、100b、100c、100d、100e、100f的电路结构不限于上述的例子。另外，高频模块100、100a、100b、100c、100d、100e、100f例如也可以具有支持MIMO(MultiInput Multi Output：多输入多输出)的高频前端电路来作为电路结构。
另外，实施方式1所涉及的通信装置300也可以不具备高频模块100而取而代之地具备高频模块100a、100b、100c、100d、100e、100f中的任一方。
(方式)
本说明书中公开了以下的方式。
第一方式所涉及的高频模块(100；100a；100b)具备安装基板(130)、第一发送滤波器(11、12)、第二发送滤波器(13、14)、树脂层(15)以及屏蔽层(16)。安装基板(130)具有彼此相向的第一主面(131)及第二主面(132)。第一发送滤波器(11、12)安装于安装基板(130)的第一主面(131)。第二发送滤波器(13、14)安装于安装基板(130)的第一主面(131)，第二发送滤波器(13、14)的功率等级比第一发送滤波器(11、12)的功率等级高。树脂层(15)配置于安装基板(130)的第一主面(131)。屏蔽层(16)覆盖树脂层(15)的至少一部分。树脂层(15)覆盖第一发送滤波器(11、12)的外周面(103)的至少一部分，且覆盖第二发送滤波器(13、14)的外周面(103)的至少一部分。在从安装基板(130)的厚度方向(D1)俯视时，屏蔽层(16)与第二发送滤波器(13、14)的至少一部分重叠。第二发送滤波器(13、14)的与安装基板(130)侧相反的一侧的主面(102)的至少一部分与屏蔽层(16)接触。
根据该方式，第二发送滤波器(13、14)的与安装基板(130)侧相反的一侧的主面(102)的至少一部分与屏蔽层(16)接触，因此能够使在第二发送滤波器(13、14)产生的热通过屏蔽层(16)进行散热，其结果，能够实现散热性的提高。
第二方式所涉及的高频模块(100d；100e；100f)具备安装基板(130)、第一发送滤波器(11、12)、第二发送滤波器(13、14)、金属构件(140)、树脂层(15)以及屏蔽层(16)。安装基板(130)具有彼此相向的第一主面(131)及第二主面(132)。第一发送滤波器(11、12)安装于安装基板(130)的第一主面(131)。第二发送滤波器(13、14)安装于安装基板(130)的第一主面(131)，第二发送滤波器(13、14)的功率等级比第一发送滤波器(11、12)的功率等级高。金属构件(140)配置于第二发送滤波器(13、14)的与安装基板(130)侧相反的一侧的主面(102)。树脂层(15)配置于安装基板(130)的第一主面(131)。屏蔽层(16)覆盖树脂层(15)的至少一部分。树脂层(15)覆盖第一发送滤波器(11、12)的外周面(103)的至少一部分，且覆盖第二发送滤波器(13、14)的外周面(103)的至少一部分，且覆盖金属构件(140)的外周面(143)的至少一部分。在从安装基板(130)的厚度方向(D1)俯视时，屏蔽层(16)与金属构件(140)的至少一部分重叠。金属构件(140)的与安装基板(130)侧相反的一侧的主面(141)的至少一部分与屏蔽层(16)接触。
根据该方式，第二发送滤波器(13、14)的与安装基板(130)侧相反的一侧的主面(102)经由金属构件(140)来与屏蔽层(16)接触，因此能够使在第二发送滤波器(13、14)产生的热通过金属构件(140)及屏蔽层(16)进行散热，其结果，能够实现散热性的提高。
在第三方式所涉及的高频模块(100；100d)中，在第一或第二方式中，第一发送滤波器(11、12)的与安装基板(130)侧相反的一侧的主面(102)在安装基板(130)的厚度方向(D1)上与屏蔽层(16)分离。
根据该方式，能够使打印区域大，并且能够抑制材料费的上涨。
第四方式所涉及的高频模块(100；100a；100b)具备安装基板(130)、发送滤波器(13、14)、树脂层(15)以及屏蔽层(16)。安装基板(130)具有彼此相向的第一主面(131)及第二主面(132)。发送滤波器(13、14)是安装于安装基板(130)的第一主面(131)的、功率等级1的发送滤波器和功率等级2的发送滤波器中的至少一方的发送滤波器。树脂层(15)配置于安装基板(130)的第一主面(131)。屏蔽层(16)覆盖树脂层(15)的至少一部分。树脂层(15)覆盖发送滤波器(13、14)的外周面(103)的至少一部分。在从安装基板(130)的厚度方向(D1)俯视时，屏蔽层(16)与发送滤波器(13、14)的至少一部分重叠。发送滤波器(13、14)的与安装基板(130)侧相反的一侧的主面(102)的至少一部分与屏蔽层(16)接触。
根据该方式，发送滤波器(13、14)的与安装基板(130)侧相反的一侧的主面(102)的至少一部分与屏蔽层(16)接触，因此能够使在发送滤波器(13、14)产生的热通过屏蔽层(16)进行散热，其结果，能够实现散热性的提高。
第五方式所涉及的高频模块(100d；100e；100f)具备安装基板(130)、发送滤波器(13、14)、金属构件(140)、树脂层(15)以及屏蔽层(16)。安装基板(130)具有彼此相向的第一主面(131)及第二主面(132)。发送滤波器(13、14)是安装于安装基板(130)的第一主面(131)的、功率等级1的发送滤波器及功率等级2的发送滤波器中的至少一方的发送滤波器。金属构件(140)配置于发送滤波器(13、14)的与安装基板(130)侧相反的一侧的主面(102)。树脂层(15)配置于安装基板(130)的第一主面(131)。屏蔽层(16)覆盖树脂层(15)的至少一部分。树脂层(15)覆盖发送滤波器(13、14)的外周面(103)的至少一部分，且覆盖金属构件(140)的外周面(143)的至少一部分。在从安装基板(130)的厚度方向(D1)俯视时，屏蔽层(16)与金属构件(140)的至少一部分重叠。金属构件(140)的与安装基板(130)侧相反的一侧的主面(141)的至少一部分与屏蔽层(16)接触。
根据该方式，发送滤波器(13、14)的与安装基板(130)侧相反的一侧的主面(102)经由金属构件(140)来与屏蔽层(16)接触，因此能够使在发送滤波器(13、14)产生的热通过金属构件(140)及屏蔽层(16)进行散热，其结果，能够实现散热性的提高。
第六方式所涉及的高频模块(100a；100f)在第四或第五方式中，还具备功率等级3的发送滤波器(11、12)。功率等级3的发送滤波器(11、12)与发送滤波器(13、14)分体，功率等级3的发送滤波器(11、12)安装于安装基板(130)的第一主面(131)。功率等级3的发送滤波器(11、12)的与安装基板(130)侧相反的一侧的主面(102)的至少一部分与屏蔽层(16)接触。
根据该方式，功率等级3的发送滤波器(11、12)的与安装基板(130)侧相反的一侧的主面(102)的至少一部分与屏蔽层(16)接触，因此能够使在功率等级3的发送滤波器(11、12)产生的热通过屏蔽层(16)进行散热，其结果，能够实现进一步的散热性的提高。
第七方式所涉及的高频模块(100b；100e)在第四或第五方式中，还具备功率等级3的发送滤波器(11、12)和接触构件(140A)。功率等级3的发送滤波器(11、12)与发送滤波器(13、14)分体，功率等级3的发送滤波器(11、12)安装于安装基板(130)的第一主面(131)。接触构件(140A)由金属材料构成，配置于功率等级3的发送滤波器(11、12)的与安装基板(130)侧相反的一侧的主面(102)。接触构件(140A)的与安装基板(130)侧相反的一侧的主面(141)的至少一部分与屏蔽层(16)接触。
根据该方式，功率等级3的发送滤波器(11、12)的与安装基板(130)侧相反的一侧的主面(102)经由接触构件(140A)来与屏蔽层(16)接触，因此能够使在功率等级3的发送滤波器(11、12)产生的热通过接触构件(140A)及屏蔽层(16)进行散热，其结果，能够实现散热性的提高。
第八方式所涉及的通信装置(300)具备第一方式～第七方式中的任一方式的高频模块(100；100a～100f)和信号处理电路(301)。信号处理电路(301)与高频模块(100；100a～100f)连接。
根据该方式，由于具备高频模块(100；100a～100f)，因此能够提高散热性。
附图标记说明
1：发送滤波器；11、12：发送滤波器(第一发送滤波器、功率等级3的发送滤波器)；13、14：发送滤波器(第二发送滤波器、功率等级2的发送滤波器)；102：主面；103：外周面；2：接收滤波器；21～26：接收滤波器；3：功率放大器；31：驱动级放大器；32A：最终级放大器；32B：最终级放大器；33：不平衡-平衡变换电路(第一平衡-不平衡变换器)；331：不平衡端子；332A：平衡端子；332B：平衡端子；4：输出匹配电路；41：平衡-不平衡变换电路(第二平衡-不平衡变换器)；411A：平衡端子；411B：平衡端子；412：不平衡端子；42：电路元件；15：第一树脂层(树脂层)；151：主面；153：外周面；16：屏蔽层；20：第二树脂层；201：主面；203：外周面；5：第一开关；50：公共端子；51：选择端子；511～514：选择端子；55：第二IC芯片；6：匹配电路(第一匹配电路)；61～64：匹配电路；7：第二开关；70：公共端子；70A～70C：选择端子；71：选择端子；711～716：选择端子；8：匹配电路(第二匹配电路)；9：外部连接端子；91A、91B、91C：天线端子；92：信号输入端子；93：信号输出端子；94：控制端子；95：地端子；17：输入匹配电路；171～176：输入匹配电路；18：低噪声放大器；180：IC芯片(第一IC芯片)；19：控制器；100、100a、100b、100c、100d、100e、100f：高频模块；130：安装基板；131：第一主面；132：第二主面；133：外周面；140：金属构件；140A：接触构件；141：主面；142：主面；143：外周面；300：通信装置；301：信号处理电路；302：RF信号处理电路；303：基带信号处理电路；A1：天线(第一天线)；A2：天线(第二天线)；A3：天线(第三天线)；C1：电容器；D1：厚度方向；L1：电感器要素；L2：电感器要素；
L3：电感器要素；L4：电感器要素；L10：初级侧电感器；L11：次级侧电感器；La1：电感器；La2：电感器；Lc1：电感器；Lc2：电感器；T1：第一变换器；T2：第二变换器；Vcc1：电压；W1：布线；W2：布线。

Claims (8)

1.一种高频模块，具备：
安装基板，其具有彼此相向的第一主面及第二主面；
第一发送滤波器，其安装于所述安装基板的所述第一主面；
第二发送滤波器，其安装于所述安装基板的所述第一主面，所述第二发送滤波器的功率等级比所述第一发送滤波器的功率等级高；
树脂层，其配置于所述安装基板的所述第一主面；以及
屏蔽层，其覆盖所述树脂层的至少一部分，
其中，所述树脂层覆盖所述第一发送滤波器的外周面的至少一部分，且覆盖所述第二发送滤波器的外周面的至少一部分，
在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述屏蔽层与所述第二发送滤波器的至少一部分重叠，
所述第二发送滤波器的与所述安装基板侧相反的一侧的主面的至少一部分与所述屏蔽层接触。
2.一种高频模块，具备：
安装基板，其具有彼此相向的第一主面及第二主面；
第一发送滤波器，其安装于所述安装基板的所述第一主面；
第二发送滤波器，其安装于所述安装基板的所述第一主面，所述第二发送滤波器的功率等级比所述第一发送滤波器的功率等级高；
金属构件，其配置于所述第二发送滤波器的与所述安装基板侧相反的一侧的主面；
树脂层，其配置于所述安装基板的所述第一主面；以及
屏蔽层，其覆盖所述树脂层的至少一部分，
其中，所述树脂层覆盖所述第一发送滤波器的外周面的至少一部分，且覆盖所述第二发送滤波器的外周面的至少一部分，且覆盖所述金属构件的外周面的至少一部分，
在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述屏蔽层与所述金属构件的至少一部分重叠，
所述金属构件的与所述安装基板侧相反的一侧的主面的至少一部分与所述屏蔽层接触。
3.根据权利要求1或2所述的高频模块，其中，
所述第一发送滤波器的与所述安装基板侧相反的一侧的主面在所述安装基板的厚度方向上与所述屏蔽层分离。
4.一种高频模块，具备：
安装基板，其具有彼此相向的第一主面及第二主面；
安装于所述安装基板的所述第一主面的、功率等级1的发送滤波器和功率等级2的发送滤波器中的至少一方的发送滤波器；
树脂层，其配置于所述安装基板的所述第一主面；
屏蔽层，其覆盖所述树脂层的至少一部分，
其中，所述树脂层覆盖所述至少一方的发送滤波器的外周面的至少一部分，
在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述屏蔽层与所述至少一方的发送滤波器的至少一部分重叠，
所述至少一方的发送滤波器的与所述安装基板侧相反的一侧的主面的至少一部分与所述屏蔽层接触。
5.一种高频模块，具备：
安装基板，其具有彼此相向的第一主面及第二主面；
安装于所述安装基板的所述第一主面的、功率等级1的发送滤波器和功率等级2的发送滤波器中的至少一方的发送滤波器；
金属构件，其配置于所述至少一方的发送滤波器的与所述安装基板侧相反的一侧的主面；
树脂层，其配置于所述安装基板的所述第一主面；以及
屏蔽层，其覆盖所述树脂层的至少一部分，
其中，所述树脂层覆盖所述至少一方的发送滤波器的外周面的至少一部分，且覆盖所述金属构件的外周面的至少一部分，
在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述屏蔽层与所述金属构件的至少一部分重叠，
所述金属构件的与所述安装基板侧相反的一侧的主面的至少一部分与所述屏蔽层接触。
6.根据权利要求4或5所述的高频模块，其中，
还具备功率等级3的发送滤波器，所述功率等级3的发送滤波器与所述至少一方的发送滤波器分体，所述功率等级3的发送滤波器安装于所述安装基板的所述第一主面，
所述功率等级3的发送滤波器的与所述安装基板侧相反的一侧的主面的至少一部分与所述屏蔽层接触。
7.根据权利要求4或5所述的高频模块，其中，还具备：
功率等级3的发送滤波器，其与所述至少一方的发送滤波器分体，所述功率等级3的发送滤波器安装于所述安装基板的所述第一主面；以及
接触构件，其由金属材料构成，配置于所述功率等级3的发送滤波器的与所述安装基板侧相反的一侧的主面，
所述接触构件的与所述安装基板侧相反的一侧的主面的至少一部分与所述屏蔽层接触。
8.一种通信装置，具备：
根据权利要求1～7中的任一项所述的高频模块；以及
信号处理电路，其与所述高频模块连接。
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