CN215646782U - 高频模块和通信装置 - Google Patents

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CN215646782U CN202121299674.8U CN202121299674U CN215646782U CN 215646782 U CN215646782 U CN 215646782U CN 202121299674 U CN202121299674 U CN 202121299674U CN 215646782 U CN215646782 U CN 215646782U
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赤木秀守
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

提供一种高频模块和通信装置，实现低噪声放大器的噪声系数的降低。高频模块(1)具备安装基板(9)、天线端子(81)及地端子(85)、低噪声放大器(21)、第一电感器(L1)及第二电感器(L2)。安装基板(9)具有彼此相向的第一主面(91)和第二主面(92)。低噪声放大器(21)包括放大用的晶体管(Tr)。第一电感器(L1)配置于安装基板(9)的第一主面(91)和第二主面(92)中的一方的主面。第一电感器(L1)与天线端子(81)连接。第二电感器(L2)配置于安装基板(9)的第一主面(91)和第二主面(92)中的与一方的主面不同的另一方的主面。第二电感器(L2)连接于晶体管与地端子(85)之间。

Description

高频模块和通信装置
技术领域
本实用新型一般地说涉及一种高频模块和通信装置，更详细地说，涉及一种具备安装基板的高频模块以及具备该高频模块的通信装置。
背景技术
在专利文献1中，公开了一种具备天线、多掷开关以及低噪声放大器的前端系统。
低噪声放大器包括阻抗变换电路和放大电路。阻抗变换电路包括第一电感器和第二电感器。放大电路包括场效应晶体管。低噪声放大器的输入经由多掷开关来与天线电连接。
放大电路构成为经由串联电感器和第一电感器来接收RF(Radio Frequency：射频)信号。第二电感器与第一电感器磁耦合。第二电感器连接于场效应晶体管的端子与地之间。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利申请公开第2019/181809号说明书
实用新型内容
实用新型要解决的问题
在高频模块中，存在以下期望：在例如具备与天线端子连接的阻抗匹配用的电感器的情况下，使低噪声放大器的噪声系数(NF)小。
本实用新型的目的在于提供一种能够实现低噪声放大器的噪声系数的降低的高频模块和通信装置。
用于解决问题的方案
本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备安装基板、天线端子及地端子、低噪声放大器、第一电感器以及第二电感器。所述安装基板具有彼此相向的第一主面和第二主面。所述天线端子和所述地端子配置于所述安装基板。所述低噪声放大器配置于所述安装基板。所述低噪声放大器包括放大用的晶体管。所述第一电感器配置于所述安装基板的所述第一主面和所述第二主面中的一方的主面。所述第一电感器与所述天线端子连接。所述第二电感器配置于所述安装基板的所述第一主面和所述第二主面中的与所述一方的主面不同的另一方的主面。所述第二电感器连接于所述晶体管与地端子之间。
优选地，所述天线端子和所述地端子配置于所述安装基板的所述第二主面，所述第一电感器配置于所述安装基板的所述第一主面，所述第二电感器配置于所述安装基板的所述第二主面。
优选地，在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述第一电感器与所述第二电感器不重叠。
优选地，所述高频模块还具备：接收滤波器，其经由包括所述第一电感器的匹配电路来与所述天线端子连接；以及输入匹配电路，其连接于所述接收滤波器与所述低噪声放大器的输入端子之间，所述输入匹配电路包括：第三电感器，其与所述低噪声放大器串联连接；以及第四电感器，其连接于所述接收滤波器同所述第三电感器之间的信号路径上的节点与地之间，所述第三电感器和所述第四电感器配置于所述安装基板的所述第一主面，在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述第三电感器的至少一部分与所述第二电感器重叠。
优选地，在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述第三电感器与所述第四电感器相邻。
优选地，所述高频模块还具备收纳有所述第三电感器和所述第四电感器的封装。
优选地，所述高频模块还具备包括所述低噪声放大器和所述第二电感器的集成电路芯片。
优选地，所述高频模块还具备功率放大器，该功率放大器配置于所述安装基板的所述第一主面，在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述功率放大器与所述低噪声放大器不重叠。
本实用新型的一个方式所涉及的通信装置具备上述高频模块和信号处理电路。所述信号处理电路与所述高频模块连接，对高频信号进行信号处理。
实用新型的效果
本实用新型的上述方式所涉及的高频模块和通信装置能够实现低噪声放大器的噪声系数的降低。
附图说明
图1是实施方式1所涉及的高频模块的俯视图。
图2是同上的高频模块的仰视图。
图3示出同上的高频模块，是图1的A-A线截面图。
图4是具备同上的高频模块的通信装置的电路结构图。
图5是同上的高频模块的局部的电路图。
图6是实施方式1的变形例1所涉及的高频模块的截面图。
图7是实施方式1的变形例2所涉及的高频模块的俯视图。
图8是实施方式1的变形例3所涉及的高频模块的俯视图。
图9是同上的高频模块的仰视图。
图10是实施方式2所涉及的高频模块的俯视图。
图11是同上的高频模块的仰视图。
图12涉及到同上的高频模块，是图10的A-A线截面图。
图13是具备图10的高频模块的通信装置的电路结构图。
附图标记说明
1、1a、1b、1c、1d：高频模块；3：匹配电路；4：开关(天线开关)；40：公共端子；41、42、43：选择端子；5：开关(频段选择用开关)；50：公共端子；51、52：选择端子；6：开关(频段选择用开关)；65A：开关元件；65B：开关元件；65C：开关元件；6d：开关(频段选择用开关)；60：公共端子；61、62：选择端子；7：输入侧开关；70：公共端子；71、72：选择端子；8：外部连接端子；81：天线端子；82：信号输入端子；83：信号输出端子；85：地端子；9：安装基板；91：第一主面；92：第二主面；93：外周面；10：IC芯片；11：功率放大器；12、12A、12B：发送滤波器；13：输出匹配电路；15：控制器；16：第一树脂层；161：主面；163：外周面；17：第二树脂层；173：外周面；18：屏蔽层；19：开关(频段选择用开关)；190：公共端子；191、192、193：选择端子；21、21A、21B、21C：低噪声放大器；22、22A、22B、22C：接收滤波器；23、23A、23B、23C：输入匹配电路；32、32A、32B：双工器；300：通信装置；301：信号处理电路；302：RF信号处理电路；303：基带信号处理电路；310：天线；D1：厚度方向；L1：第一电感器；L2、L2A、L2B、L2C：第二电感器；L3、L3A、L3B、L3C：第三电感器；L4、L4A、L4B、L4C：第四电感器；N1：节点；P1、P1A、P1B、P1C：封装；RS1：信号路径。
具体实施方式
以下的实施方式等中参照的图1～3、6～12均为示意性的图，图中的各结构要素的大小之比、厚度之比未必反映了实际的尺寸比。
(实施方式1)
如图1～图4所示，实施方式1所涉及的高频模块1具备安装基板9、天线端子81及地端子85、多个(例如，3个)低噪声放大器21、第一电感器L1以及多个(例如，3个)第二电感器L2。安装基板9具有在安装基板9的厚度方向D1上彼此相向的第一主面91和第二主面92。天线端子81及地端子85配置于安装基板9。多个低噪声放大器21、第一电感器L1以及多个第二电感器L2配置于安装基板9。多个低噪声放大器21中的各低噪声放大器21包括放大用的晶体管Tr(参照图5)。晶体管Tr将所输入的高频信号(接收信号)进行放大后输出。晶体管Tr例如是场效应晶体管，具有栅极端子、漏极端子以及源极端子。晶体管Tr将输入到栅极端子的高频信号放大后从漏极端子输出。第一电感器L1与天线端子81连接。第一电感器L1例如包括在设置于天线端子81与多个接收滤波器22之间的匹配电路3中(参照图4和图5)。在实施方式1所涉及的高频模块1中，匹配电路3由连接于天线端子81同开关4之间的信号路径与地端子85之间的第一电感器L1构成。第二电感器L2连接于晶体管Tr的源极端子与地端子85之间。在实施方式1所涉及的高频模块1中，第一电感器L1配置于安装基板9的第一主面91，另一方面，多个第二电感器L2配置于安装基板9的第二主面92。由此，实施方式1所涉及的高频模块1能够实现多个低噪声放大器21各自的噪声系数的降低。
下面，参照图1～图5来更详细地说明实施方式1所涉及的高频模块1和通信装置300。
(1)高频模块和通信装置
(1.1)高频模块和通信装置的电路结构
实施方式1所涉及的高频模块1例如使用于支持多模式/多频段的通信装置300(参照图4)。通信装置300例如是便携式电话(例如，智能手机)，但是不限于此，例如，也可以是可穿戴终端(例如，智能手表)等。高频模块1例如是能够支持4G(第四代移动通信)标准、5G(第五代移动通信)标准等的模块。4G标准例如是3GPP LTE(Long Term Evolution：长期演进)标准。5G标准例如是5G NR(New Radio：新空口)。高频模块1是能够支持载波聚合和双连接的电路。
高频模块1例如构成为能够将从天线310输入的接收信号(高频信号)放大后输出到信号处理电路301。信号处理电路301不是高频模块1的结构要素，而是具备高频模块1的通信装置300的结构要素。高频模块1例如由通信装置300所具备的信号处理电路301来控制。通信装置300具备高频模块1和信号处理电路301。通信装置300还具备天线310。通信装置300还具备安装有高频模块1的电路基板。电路基板例如是印刷电路板。电路基板具有被提供地电位的地电极。
信号处理电路301例如包括RF信号处理电路302和基带信号处理电路303。RF信号处理电路302例如是RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit：射频集成电路)，对高频信号进行信号处理。RF信号处理电路302例如对从基带信号处理电路303输出的高频信号(发送信号)进行上变频等信号处理，并输出进行了信号处理后的高频信号。另外，RF信号处理电路302例如对从高频模块1输出的高频信号(接收信号)进行下变频等信号处理，并将进行了信号处理后的高频信号输出到基带信号处理电路303。基带信号处理电路303例如是BBIC(Baseband Integrated Circuit：基带集成电路)。基带信号处理电路303根据基带信号来生成I相信号和Q相信号。基带信号例如是从外部输入的声音信号、图像信号等。基带信号处理电路303通过将I相信号与Q相信号合成来进行IQ调制处理，并输出发送信号。此时，发送信号被生成为以下的调制信号(IQ信号)：该调制信号(IQ信号)是将规定频率的载波信号以比该载波信号的周期长的周期进行振幅调制而得到的。由基带信号处理电路303处理后的接收信号例如被用作图像信号以显示图像，或者被用作声音信号以进行通话。实施方式1所涉及的高频模块1在天线310与信号处理电路301的RF信号处理电路302之间传递高频信号(接收信号)。
高频模块1具备多个(例如，3个)低噪声放大器21。另外，高频模块1具备与多个低噪声放大器21一对一地连接的多个输入匹配电路23。另外，高频模块1还具备与多个低噪声放大器21一对一地连接的多个接收滤波器22。另外，高频模块1还具备连接于天线端子81与多个接收滤波器22之间的开关4(以下也称为天线开关4)、连接于多个接收滤波器22与多个低噪声放大器21的输入端子之间的开关6(以下也称为频段选择用开关6)、以及连接于多个低噪声放大器21的输出端子与信号输出端子83之间的开关19(以下也称为频段选择用开关19)。
另外，高频模块1具备多个外部连接端子8。多个外部连接端子8包括天线端子81、信号输出端子83以及多个地端子85(参照图1～图3)。多个地端子85是与通信装置300所具备的上述的电路基板的地电极电连接而被提供地电位的端子。
多个低噪声放大器21中的各低噪声放大器21具有输入端子和输出端子。多个低噪声放大器21中的各低噪声放大器21将输入到输入端子的规定频带的接收信号进行放大后从输出端子输出。多个低噪声放大器21中的各低噪声放大器21的输入端子经由多个输入匹配电路23中的对应的输入匹配电路23来与频段选择用开关6连接。多个低噪声放大器21的输出端子经由频段选择用开关19来与1个信号输出端子83连接。多个低噪声放大器21的输出端子例如经由频段选择用开关19和信号输出端子83来与信号处理电路301连接。信号输出端子83是用于将来自多个低噪声放大器21的高频信号(接收信号)输出到外部电路(例如，信号处理电路301)的端子。
多个接收滤波器22是以互不相同的通信频段为通带的滤波器。在下面，在将3个接收滤波器22区分地进行说明的情况下，例如，也有时将以第一通信频段的接收带为通带的滤波器称为接收滤波器22A，将以第二通信频段的接收带为通带的滤波器称为接收滤波器22B，将以第三通信频段的接收带为通带的滤波器称为接收滤波器22C。另外，在将多个低噪声放大器21区分地进行说明的情况下，也有时将与接收滤波器22A连接的低噪声放大器21称为低噪声放大器21A，将与接收滤波器22B连接的低噪声放大器21称为低噪声放大器21B，将与接收滤波器22C连接的低噪声放大器21称为低噪声放大器21C。另外，在将多个输入匹配电路23区分地进行说明的情况下，也有时将与低噪声放大器21A连接的输入匹配电路23称为输入匹配电路23A，将与低噪声放大器21B连接的输入匹配电路23称为输入匹配电路23B，将与低噪声放大器21C连接的输入匹配电路23称为输入匹配电路23C。
天线开关4具有公共端子40和多个(例如，3个)选择端子41～43。公共端子40与天线端子81连接。天线端子81与天线310连接。在天线开关4中，选择端子41与接收滤波器22A的输入端子连接。另外，选择端子42与接收滤波器22B的输入端子连接。另外，选择端子43与接收滤波器22C的输入端子连接。天线开关4例如是能够将多个选择端子41～43中的至少1个以上与公共端子40连接的开关。天线开关4例如是能够进行一对一和一对多的连接的开关。
天线开关4例如由信号处理电路301来控制。天线开关4按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号，来对公共端子40与多个选择端子41～43的连接状态进行切换。天线开关4例如是开关IC(Integrated Circuit：集成电路)。
频段选择用开关6具有多个(例如，3个)开关元件65(65A、65B、65C)。在频段选择用开关6中，开关元件65A连接于接收滤波器22A与输入匹配电路23A之间。另外，开关元件65B连接于接收滤波器22B与输入匹配电路23B之间。另外，开关元件65C连接于接收滤波器22C与输入匹配电路23C之间。
频段选择用开关6例如由信号处理电路301来控制。频段选择用开关6按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号，来对多个开关元件65A～65C各自的状态进行切换。频段选择用开关6例如是开关IC。
频段选择用开关19具有公共端子190和多个(例如，3个)选择端子191～193。公共端子190与信号输出端子83连接。选择端子191与低噪声放大器21A的输出端子连接。另外，选择端子192与低噪声放大器21B的输出端子连接。另外，选择端子193与低噪声放大器21C的输出端子连接。频段选择用开关19例如是能够将多个选择端子191～193中的至少1个以上与公共端子190连接的开关。在此，频段选择用开关19例如是能够进行一对一和一对多的连接的开关。
频段选择用开关19例如由信号处理电路301来控制。频段选择用开关19按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号，来对公共端子190与多个选择端子191～193的连接状态进行切换。频段选择用开关19例如是开关IC。
输入匹配电路23A设置于低噪声放大器21A的输入端子与频段选择用开关6的开关元件65A之间的信号路径。输入匹配电路23B设置于低噪声放大器21B的输入端子与频段选择用开关6的开关元件65B之间的信号路径。输入匹配电路23C设置于低噪声放大器21C的输入端子与频段选择用开关6的开关元件65C之间的信号路径。
多个输入匹配电路23中的各输入匹配电路23是用于取得对应的低噪声放大器21与接收滤波器22的阻抗匹配的电路。如图5所示，多个输入匹配电路23中的各输入匹配电路23包括第三电感器L3和第四电感器L4。在图5中，省略了频段选择用开关6的图示。另外，在图5中，用开关的图形符号来示意性地示出了天线开关4的3个选择端子41～43中的1个与公共端子40连接着的状态。第三电感器L3与低噪声放大器21串联连接。更详细地说，第三电感器L3连接于低噪声放大器21的输入端子(晶体管Tr的栅极端子)与接收滤波器22之间。第四电感器L4连接于第三电感器L3同接收滤波器22之间的信号路径RS1与地之间。在图5中，朝向第二电感器L2和第三电感器L3这两方的箭头示意性地示出了第二电感器L2与第三电感器L3处于磁耦合状态。另外，在图5中，朝向第三电感器L3和第四电感器L4这两方的箭头示意性地示出了第三电感器L3与第四电感器L4处于磁耦合状态。
(1.2)高频模块的构造
下面，参照图1～图3来说明高频模块1的构造。
高频模块1具备安装基板9、多个外部连接端子8、多个(例如，3个)低噪声放大器21、第一电感器L1、以及多个(例如，3个)第二电感器L2。多个外部连接端子8包括天线端子81、多个地端子85、以及信号输出端子83。另外，高频模块1还具备多个(例如，3个)接收滤波器22、以及多个(例如，3个)输入匹配电路23。另外，高频模块1还具备天线开关4、频段选择用开关6以及频段选择用开关19。在高频模块1中，多个低噪声放大器21、天线开关4、频段选择用开关6以及频段选择用开关19包括在1个IC芯片10中。
安装基板9具有在安装基板9的厚度方向D1上彼此相向的第一主面91和第二主面92。安装基板9例如是包括多个电介质层和多个导电层的多层基板。多个电介质层和多个导电层在安装基板9的厚度方向D1上层叠。多个导电层被形成为按每层决定的规定图案。多个导电层中的各导电层在与安装基板9的厚度方向D1正交的一个平面内包括1个或者多个导体部。各导电层的材料例如是铜。多个导电层包括地层。在高频模块1中，多个地端子85与地层经由安装基板9所具有的通路导体等来电连接。安装基板9例如是LTCC(Low TemperatureCo-fired Ceramics：低温共烧陶瓷)基板。安装基板9不限于LTCC基板，例如也可以是印刷电路板、HTCC(High Temperature Co-fired Ceramics：高温共烧陶瓷)基板、树脂多层基板。
另外，安装基板9不限于LTCC基板，例如也可以是布线构造体。布线构造体例如是多层构造体。多层构造体包括至少1个绝缘层和至少1个导电层。绝缘层被形成为规定图案。在绝缘层为多个的情况下，多个绝缘层被形成为按每层决定的规定图案。导电层被形成为与绝缘层的规定图案不同的规定图案。在导电层为多个的情况下，多个导电层被形成为按每层决定的规定图案。导电层也可以包括1个或者多个重新布线部。多层构造体(布线构造体)的、在多层构造体的厚度方向上彼此相向的2个面(第一面和第二面)中的第一面是安装基板9的第一主面91，第二面是安装基板9的第二主面92。
安装基板9的第一主面91与第二主面92在安装基板9的厚度方向D1上分离，并与安装基板9的厚度方向D1交叉。安装基板9中的第一主面91例如与安装基板9的厚度方向D1正交，但是第一主面91例如也可以包括作为不与厚度方向D1正交的面的导体部的侧面等。另外，安装基板9中的第二主面92例如与安装基板9的厚度方向D1正交，但是第二主面92例如也可以包括作为不与厚度方向D1正交的面的导体部的侧面等。另外，安装基板9的第一主面91和第二主面92也可以形成有细微的凹凸、凹部或者凸部。
多个外部连接端子8配置于安装基板9的第二主面92。多个外部连接端子8的材料例如是金属(例如，铜、铜合金等)。
多个外部连接端子8包括上述的天线端子81、信号输出端子83以及多个地端子85。多个地端子85经由通路导体等来与安装基板9的地层连接。地层是高频模块1的电路地。
另外，多个外部连接端子8中的各外部连接端子8是柱状电极。在此，柱状电极例如是圆柱状的电极。
在实施方式1所涉及的高频模块1中，IC芯片10包括多个低噪声放大器21、天线开关4、频段选择用开关6以及频段选择用开关19。多个低噪声放大器21中的各低噪声放大器21包括晶体管Tr来作为放大元件。晶体管Tr是场效应晶体管。天线开关4例如包括多个场效应晶体管。另外，频段选择用开关6例如包括多个场效应晶体管。另外，频段选择用开关19例如包括多个场效应晶体管。IC芯片10例如是Si系IC芯片。
IC芯片10安装于安装基板9的第二主面92。在此，“安装”包括IC芯片10配置于安装基板9的第二主面92(与安装基板9的第二主面92机械连接)、以及IC芯片10与安装基板9(的适当的导体部)电连接。因而，在高频模块1中，IC芯片10配置于安装基板9的第二主面92。由此，在高频模块1中，多个低噪声放大器21、天线开关4、频段选择用开关6以及频段选择用开关19配置于安装基板9的第二主面92。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，IC芯片10的外周形状为四边形。
第一电感器L1例如是表面安装型电感器。第一电感器L1安装于安装基板9的第一主面91。因而，第一电感器L1配置于安装基板9的第一主面91。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，第一电感器L1的外周形状为四边形。
多个第二电感器L2例如是表面安装型电感器。第二电感器L2安装于安装基板9的第二主面92。因而，第二电感器L2配置于安装基板9的第二主面92。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，多个第二电感器L2各自的外周形状为四边形。
多个接收滤波器22中的各接收滤波器22例如是弹性波滤波器。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，多个接收滤波器22各自的外周形状为四边形。弹性波滤波器例如是梯型滤波器，具有多个(例如，4个)串联臂谐振器和多个(例如，3个)并联臂谐振器。弹性波滤波器的多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器分别由弹性波谐振器构成。弹性波滤波器例如是利用声表面波的声表面波滤波器。在声表面波滤波器中，多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器中的各谐振器例如是包括IDT电极的SAW谐振器。多个接收滤波器22中的各接收滤波器22安装于安装基板9的第一主面91。因而，多个接收滤波器22配置于安装基板9的第一主面91。多个接收滤波器22中的各接收滤波器22既可以是裸芯片的弹性波滤波器，也可以是具有封装构造的弹性波滤波器。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，多个接收滤波器22各自的外周形状为四边形。
多个输入匹配电路23中的各输入匹配电路23包括第三电感器L3和第四电感器L4。以下为了便于说明，也有时将输入匹配电路23A的第三电感器L3和第四电感器L4称为第三电感器L3A和第四电感器L4A，将输入匹配电路23B的第三电感器L3和第四电感器L4称为第三电感器L3B和第四电感器L4B，将输入匹配电路23C的第三电感器L3和第四电感器L4称为第三电感器L3C和第四电感器L4C。
多个第三电感器L3中的各第三电感器L3例如是表面安装型电感器。多个第三电感器L3安装于安装基板9的第一主面91。因而，多个第三电感器L3配置于安装基板9的第一主面91。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，多个第三电感器L3各自的外周形状为四边形。
多个第四电感器L4中的各第四电感器L4例如是表面安装型电感器。多个第四电感器L4安装于安装基板9的第一主面91。因而，多个第四电感器L4配置于安装基板9的第一主面91。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，多个第四电感器L4各自的外周形状为四边形。
另外，高频模块1还具备第一树脂层16(参照图3)。第一树脂层16在安装基板9的第一主面91侧覆盖着配置于安装基板9的第一主面91的多个电子部件(多个接收滤波器22、第一电感器L1、多个第三电感器L3、多个第四电感器L4等)各自的至少一部分。第一树脂层16包含树脂(例如，环氧树脂)。第一树脂层16也可以除了包含树脂以外还包含填料。
另外，高频模块1还具备第二树脂层17(参照图3)。第二树脂层17在安装基板9的第二主面92侧覆盖着配置于安装基板9的第二主面92的多个电子部件(IC芯片10、多个第二电感器L2等)各自的至少一部分。第二树脂层17包含树脂(例如，环氧树脂)。第二树脂层17也可以除了包含树脂以外还包含填料。第二树脂层17的材料与第一树脂层16既可以相同也可以不同。
另外，高频模块1还具备屏蔽层18(参照图3)。屏蔽层18的材料例如包括1种或多种金属。屏蔽层18的材料例如包括银。屏蔽层18覆盖着第一树脂层16的与安装基板9侧相反的一侧的主面161、第一树脂层16的外周面163、安装基板9的外周面93、以及第二树脂层17的外周面173。屏蔽层18与安装基板9所具有的地层的外周面的至少一部分接触。由此，能够使屏蔽层18的电位与地层的电位相同。
(1.3)高频模块的布局
在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，第一电感器L1配置于四边形的安装基板9的第一主面91的4个角部中的1个角部的近处。另外，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，天线端子81配置于四边形的安装基板9的第二主面92的4个角部中的1个角部的近处。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，第一电感器L1的一部分与天线端子81重叠。
在实施方式1所涉及的高频模块1中，与天线端子81连接的第一电感器L1配置于安装基板9的第一主面91。另外，在高频模块1中，与多个低噪声放大器21中的各低噪声放大器21的晶体管Tr(参照图5)的源极端子连接的第二电感器L2配置于安装基板9的第二主面92。在高频模块1中，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，第一电感器L1与多个第二电感器L2不重叠。
在实施方式1所涉及的高频模块1中，在多个输入匹配电路23中的各输入匹配电路23中，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，第三电感器L3与第四电感器L4相邻。第三电感器L3与第四电感器L4相邻是指：在安装基板9的第一主面91上的将第三电感器L3与第四电感器L4连接的直线上不配置其它电路元件，第三电感器L3与第四电感器L4彼此相邻。接收滤波器22例如位于从第三电感器L3来看的与第四电感器L4相反的一侧。关于多个输入匹配电路23中的各输入匹配电路23，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，第三电感器L3与第一电感器L1不相邻。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，在安装基板9的第一主面91上的第三电感器L3与第一电感器L1之间配置有至少1个接收滤波器22。关于多个输入匹配电路23中的各输入匹配电路23，第三电感器L3与第一电感器L1的距离比第三电感器L3与第四电感器L4的距离长。
在实施方式1所涉及的高频模块1中，与低噪声放大器21A对应的第二电感器L2A的至少一部分同与低噪声放大器21A对应的第三电感器L3A在从安装基板9的厚度方向D1俯视时重叠。与低噪声放大器21A对应的第二电感器L2A同与其它低噪声放大器21B、21C分别对应的第三电感器L3B、L3C在从安装基板9的厚度方向D1俯视时不重叠。与低噪声放大器21A对应的第二电感器L2A同与其它低噪声放大器21B、21C分别对应的第四电感器L4B、L4C在从安装基板9的厚度方向D1俯视时不重叠。
另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，与低噪声放大器21B对应的第二电感器L2B的至少一部分同与低噪声放大器21B对应的第三电感器L3B在从安装基板9的厚度方向D1俯视时重叠。与低噪声放大器21B对应的第二电感器L2B同与其它低噪声放大器21A、21C分别对应的第三电感器L3A、L3C在从安装基板9的厚度方向D1俯视时不重叠。与低噪声放大器21B对应的第二电感器L2B同与其它低噪声放大器21A、21C分别对应的第四电感器L4A、L4C在从安装基板9的厚度方向D1俯视时不重叠。
另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，与低噪声放大器21C对应的第二电感器L2C的至少一部分同与低噪声放大器21C对应的第三电感器L3C在从安装基板9的厚度方向D1俯视时重叠。与低噪声放大器21C对应的第二电感器L2C同与其它低噪声放大器21A、21B分别对应的第三电感器L3A、L3B在从安装基板9的厚度方向D1俯视时不重叠。与低噪声放大器21C对应的第二电感器L2C同与其它低噪声放大器21A、21B分别对应的第四电感器L4A、L4B在从安装基板9的厚度方向D1俯视时不重叠。
(1.4)总结
(1.4.1)高频模块
实施方式1所涉及的高频模块1具备安装基板9、天线端子81及地端子85、多个低噪声放大器21、第一电感器L1、以及多个第二电感器L2。安装基板9具有彼此相向的第一主面91和第二主面92。天线端子81及地端子85配置于安装基板9。多个低噪声放大器21配置于安装基板9。多个低噪声放大器21中的各低噪声放大器21包括放大用的晶体管Tr。第一电感器L1配置于安装基板9的第一主面91和第二主面92中的一方的主面。第一电感器L1与天线端子81连接。多个第二电感器L2配置于安装基板9的第一主面91和第二主面92中的与一方的主面不同的另一方的主面。多个第二电感器L2中的各第二电感器L2连接于晶体管Tr与地端子85之间。
实施方式1所涉及的高频模块1能够实现多个低噪声放大器21各自的噪声系数的降低。在实施方式1所涉及的高频模块1中，第一电感器L1与多个第二电感器L2配置于安装基板9的互不相同的主面(第一主面91、第二主面92)，因此能够使得第一电感器L1与多个第二电感器L2中的各第二电感器L2不易磁耦合，能够实现多个低噪声放大器21各自的噪声系数的降低。
另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，第一电感器L1与多个第二电感器L2均不重叠。由此，在实施方式1所涉及的高频模块1中，更加易于抑制第一电感器L1与多个第二电感器L2中的各第二电感器L2的磁耦合，能够实现多个低噪声放大器21各自的噪声系数的降低。
另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，第三电感器L3A的至少一部分与第二电感器L2A重叠。由此，在高频模块1中，易于使第三电感器L3A与第二电感器L2A磁耦合，能够实现低噪声放大器21A的噪声系数的降低。另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，第三电感器L3B的至少一部分与第二电感器L2B重叠。由此，在高频模块1中，易于使第三电感器L3B与第二电感器L2B磁耦合，能够实现低噪声放大器21B的噪声系数的降低。另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，第三电感器L3C的至少一部分与第二电感器L2C重叠。由此，在高频模块1中，易于使第三电感器L3C与第二电感器L2C磁耦合，能够实现低噪声放大器21C的噪声系数的降低。
(1.4.2)通信装置
实施方式1所涉及的通信装置300具备信号处理电路301和高频模块1。信号处理电路301与高频模块1连接，对高频信号(接收信号)进行信号处理。
实施方式1所涉及的通信装置300具备高频模块1，因此能够实现多个低噪声放大器21各自的噪声系数的降低。
构成信号处理电路301的多个电子部件例如既可以安装于上述的安装有高频模块1的电路基板，也可以安装于与安装有高频模块1的电路基板不同的电路基板。
(1.5)变形例
(1.5.1)变形例1
参照图6来说明实施方式1的变形例1所涉及的高频模块1a。关于变形例1所涉及的高频模块1a，对与实施方式1所涉及的高频模块1同样的结构要素标注相同的标记并省略说明。
变形例1所涉及的高频模块1a与实施方式1所涉及的高频模块1的不同点在于，多个外部连接端子8是球形凸块。另外，变形例1所涉及的高频模块1a与实施方式1所涉及的高频模块1的不同点在于，不具备实施方式1所涉及的高频模块1的第二树脂层17。
构成多个外部连接端子8中的各外部连接端子8的球形凸块的材料例如是金、铜、焊料等。
多个外部连接端子8也可以包括球形凸块和柱状电极这两方。
(1.5.2)变形例2
参照图7来说明实施方式1的变形例2所涉及的高频模块1b。关于变形例2所涉及的高频模块1b，对与实施方式1所涉及的高频模块1同样的结构要素标注相同的标记并省略说明。
变形例2所涉及的高频模块1b与实施方式1所涉及的高频模块1的不同点在于，针对与多个(例如，3个)低噪声放大器21对应的多个(例如，3个)输入匹配电路23的每个输入匹配电路23，分别具备收纳有第三电感器L3和第四电感器L4的封装P1。因而，变形例2所涉及的高频模块1b与实施方式1所涉及的高频模块1的不同点在于，具备多个(例如，3个)封装P1。
在下面，将收纳有第三电感器L3A和第四电感器L4A的封装P1称为封装P1A，将收纳有第三电感器L3B和第四电感器L4B的封装P1称为封装P1B，将收纳有第三电感器L3C和第四电感器L4C的封装P1称为封装P1C。
在变形例2所涉及的高频模块1b中，封装P1A安装于安装基板9的第一主面91，由此第三电感器L3A和第四电感器L4A配置于安装基板9的第一主面91。另外，在变形例2所涉及的高频模块1b中，封装P1B安装于安装基板9的第一主面91，由此第三电感器L3B和第四电感器L4B配置于安装基板9的第一主面91。另外，在变形例2所涉及的高频模块1b中，封装P1C安装于安装基板9的第一主面91，由此第三电感器L3C和第四电感器L4C配置于安装基板9的第一主面91。
变形例2所涉及的高频模块1b具备收纳有第三电感器L3和第四电感器L4的封装P1，由此能够使第三电感器L3与第四电感器L4的磁耦合度稳定，能够抑制低噪声放大器21的噪声系数的变化。
(1.5.3)变形例3
参照图8和图9来说明实施方式1的变形例3所涉及的高频模块1c。关于变形例3所涉及的高频模块1c，对与实施方式1所涉及的高频模块1同样的结构要素标注相同的标记并省略说明。
变形例3所涉及的高频模块1c与实施方式1所涉及的高频模块1的不同点在于，多个第二电感器L2不是表面安装型电感器，多个第二电感器L2包括在IC芯片10中。由此，变形例3所涉及的高频模块1c能够实现小型化。
(实施方式2)
下面，参照图10～图13来说明实施方式2所涉及的高频模块1d和通信装置300d。此外，关于实施方式2所涉及的高频模块1d，对与实施方式1所涉及的高频模块1同样的结构要素标注相同的标记并适当省略说明。
(2)高频模块和通信装置
(2.1)高频模块和通信装置的电路结构
实施方式2所涉及的高频模块1d例如使用于支持多模式/多频段的通信装置300d(参照图13)。通信装置300d例如是便携式电话(例如，智能手机)，但是不限于此，例如，也可以是可穿戴终端(例如，智能手表)等。高频模块1d例如是能够支持4G标准、5G标准等的模块。高频模块1d是能够支持载波聚合和双连接的电路。
高频模块1d例如构成为能够将从信号处理电路301输入的发送信号(高频信号)进行放大后输出到天线310。另外，高频模块1d构成为能够将从天线310输入的接收信号(高频信号)放大后输出到信号处理电路301。信号处理电路301不是高频模块1d的结构要素，而是具备高频模块1d的通信装置300d的结构要素。高频模块1d例如由通信装置300d所具备的信号处理电路301来控制。通信装置300d具备高频模块1d和信号处理电路301。通信装置300d还具备天线310。通信装置300d还具备安装有高频模块1d的电路基板。电路基板例如是印刷电路板。电路基板具有被提供地电位的地电极。
信号处理电路301例如包括RF信号处理电路302和基带信号处理电路303。RF信号处理电路302例如对从基带信号处理电路303输出的高频信号(发送信号)进行上变频等信号处理，并输出进行了信号处理后的高频信号。另外，RF信号处理电路302例如对从高频模块1d输出的高频信号(接收信号)进行下变频等信号处理，并将进行了信号处理后的高频信号输出到基带信号处理电路303。高频模块1d在天线310与信号处理电路301的RF信号处理电路302之间传输高频信号(接收信号、发送信号)。
高频模块1d具备功率放大器11、低噪声放大器21、以及包括第一电感器L1的匹配电路3。另外，高频模块1d具备与功率放大器11连接的输出匹配电路13以及与低噪声放大器21连接的输入匹配电路23。另外，高频模块1d还具备多个(例如，2个)双工器32。多个双工器32中的各双工器32包括发送滤波器12和接收滤波器22。在下面，为了便于说明，也有时将多个双工器32中的1个双工器32称为双工器32A，将另1个双工器32称为双工器32B。另外，在下面，也有时将双工器32A中的发送滤波器12和接收滤波器22称为发送滤波器12A和接收滤波器22A，将双工器32B中的发送滤波器12和接收滤波器22称为发送滤波器12B和接收滤波器22B。
另外，高频模块1d还具备开关4(天线开关4)、开关5(频段选择用开关5)、以及开关6d(频段选择用开关6d)。另外，高频模块1d还具备与多个(例如，2个)双工器32一对一地对应的多个(例如，2个)匹配电路14。在下面，为了便于说明，也有时将多个匹配电路14中的与双工器32A连接的匹配电路14称为匹配电路14A，将与双工器32B连接的匹配电路14称为匹配电路14B。匹配电路14A连接于天线开关4的选择端子41与双工器32A之间。另外，匹配电路14B连接于天线开关4的选择端子42与双工器32B之间。另外，高频模块1d还具备开关7(输入侧开关7)。另外，高频模块1d还具备控制器15。
另外，高频模块1d具备多个外部连接端子8。多个外部连接端子8包括天线端子81、多个(例如，2个)信号输入端子82、信号输出端子83、控制端子84、以及多个地端子85。多个地端子85是与通信装置300d所具备的上述的电路基板的地电极电连接来被提供地电位的端子。
功率放大器11具有输入端子和输出端子。功率放大器11将输入到输入端子的第一频带的发送信号进行放大后从输出端子输出。在此，第一频带例如包含第一通信频段和第二通信频段。功率放大器11的输入端子与输入侧开关7连接。
输入侧开关7具有公共端子70和多个(例如，2个)选择端子71～72，公共端子70与功率放大器11连接，2个选择端子71～72与2个信号输入端子82连接。输入侧开关7例如由信号处理电路301来控制。输入侧开关7按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号，来对公共端子70与多个选择端子71、72的连接状态进行切换。输入侧开关7例如是开关IC。
频段选择用开关5具有公共端子50和多个(例如，2个)选择端子51、52，公共端子50与功率放大器11连接。频段选择用开关5的选择端子51与双工器32A的发送滤波器12A连接，选择端子52与双工器32B的发送滤波器12B连接。频段选择用开关5例如是能够将多个选择端子51、52中的至少1个以上与公共端子50连接的开关。频段选择用开关5例如是能够进行一对一和一对多的连接的开关。
频段选择用开关5例如由信号处理电路301来控制。频段选择用开关5按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号，来对公共端子50与多个选择端子51、52的连接状态进行切换。频段选择用开关5例如是开关IC。
天线开关4具有公共端子40和多个(例如，2个)选择端子41、42，选择端子41经由匹配电路14A来与双工器32A连接，选择端子42经由匹配电路14B来与双工器32B连接。在天线开关4的公共端子40与天线端子81之间设置有包括第一电感器L1的匹配电路3。
输出匹配电路13连接于功率放大器11的输出端子与频段选择用开关5的公共端子50之间。
控制器15对功率放大器11进行控制。控制器15与控制端子84连接。控制端子84例如与信号处理电路301连接。控制器15基于来自信号处理电路301的控制信号来对功率放大器11进行控制。
频段选择用开关6d具有公共端子60和多个(例如，2个)选择端子61、62。在频段选择用开关6d中，公共端子60与低噪声放大器21连接，选择端子61与双工器32A的接收滤波器22A连接，选择端子62与双工器32B的接收滤波器22B连接。频段选择用开关6d例如是能够将多个选择端子61、62中的至少1个以上与公共端子60连接的开关。频段选择用开关6d例如是能够进行一对一和一对多的连接的开关。
频段选择用开关6d例如由信号处理电路301来控制。频段选择用开关6d按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号，来对公共端子60与多个选择端子61、62的连接状态进行切换。频段选择用开关6d例如是开关IC。
低噪声放大器21具有输入端子和输出端子。低噪声放大器21将输入到输入端子的第二频带的接收信号进行放大后从输出端子输出。第二频带例如与第一频带相同，包含第一通信频段和第二通信频段。低噪声放大器21的输入端子经由输入匹配电路23来与频段选择用开关6d的公共端子60连接。低噪声放大器21的输出端子与信号输出端子83连接。低噪声放大器21的输出端子例如经由信号输出端子83来与信号处理电路301连接。信号输出端子83是用于将来自低噪声放大器21的高频信号(接收信号)输出到外部电路(例如，信号处理电路301)的端子。
发送滤波器12A例如是以第一通信频段的发送带为通带的滤波器。发送滤波器12B例如是以第二通信频段的发送带为通带的滤波器。接收滤波器22A例如是以第一通信频段的接收带为通带的滤波器。接收滤波器22B例如是以第二通信频段的接收带为通带的滤波器。
匹配电路3设置于天线端子81与天线开关4的公共端子40之间。
(2.2)高频模块的构造
下面，参照图10～图13来说明高频模块1d的构造。
高频模块1d具备安装基板9、功率放大器11、天线端子81及地端子85、低噪声放大器21、第一电感器L1以及第二电感器L2。低噪声放大器21包括放大用的晶体管Tr(参照图5)。晶体管Tr将输入到栅极端子的高频信号(接收信号)进行放大后输出。第二电感器L2连接于晶体管Tr的源极端子与地端子85之间。另外，高频模块1d还具备输出匹配电路13和输入匹配电路23。另外，高频模块1d具备多个外部连接端子8。另外，高频模块1d还包括多个(例如，2个)发送滤波器12A、12B、以及多个(例如，2个)的接收滤波器22A、22B。另外，高频模块1d还包括控制器15。另外，高频模块1d还包括天线开关4、频段选择用开关5、频段选择用开关6以及输入侧开关7。
安装基板9具有在安装基板9的厚度方向D1上彼此相向的第一主面91和第二主面92。安装基板9例如是LTCC基板。安装基板9不限于LTCC基板，例如也可以是印刷电路板、HTCC基板、树脂多层基板、或者布线构造体。
功率放大器11例如是包括作为放大元件的HBT(Heterojunction BipolarTransistor：异质结双极型晶体管)的GaAs系IC芯片，但是不限于此，例如，也可以是Si系IC芯片、SiGe系IC芯片、GaN系IC芯片。例如，在功率放大器11是Si系IC芯片的情况下，放大元件既可以是双极型晶体管，也可以是MOSFET。
功率放大器11安装于安装基板9的第一主面91。因而，功率放大器11配置于安装基板9的第一主面91。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，功率放大器11的外周形状为四边形。
输出匹配电路13(构成输出匹配电路13的电感器)安装于安装基板9的第一主面91。因而，输出匹配电路13配置于安装基板9的第一主面91。
控制器15例如是Si系IC芯片。控制器15安装于安装基板9的第二主面92。因而，控制器15配置于安装基板9的第二主面92。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，控制器15的外周形状为四边形。
多个双工器32A、32B中的各双工器例如既可以是裸芯片的弹性波滤波器，也可以是具有封装构造的弹性波滤波器。发送滤波器12A和接收滤波器22A例如是梯型滤波器，具有多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器。发送滤波器12B和接收滤波器22B例如是梯型滤波器，具有多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器。
低噪声放大器21包括晶体管Tr(参照图5)来作为放大元件。晶体管Tr是场效应晶体管。天线开关4例如包括多个场效应晶体管。另外，频段选择用开关5例如包括多个场效应晶体管。另外，频段选择用开关6d例如包括多个场效应晶体管。另外，输入侧开关7例如包括多个场效应晶体管。在实施方式2所涉及的高频模块1d中，IC芯片10d包括低噪声放大器21、天线开关4、频段选择用开关5、频段选择用开关6d以及输入侧开关7。IC芯片10d例如是Si系IC芯片。
IC芯片10d安装于安装基板9的第二主面92。在实施方式2所涉及的高频模块1d中，IC芯片10d安装于安装基板9的第二主面92，由此IC芯片10d配置于安装基板9的第二主面92。另外，低噪声放大器21、天线开关4、频段选择用开关5、频段选择用开关6d以及输入侧开关7配置于安装基板9的第二主面92。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，IC芯片10d的外周形状为四边形。
输入匹配电路23中包括的第三电感器L3和第四电感器L4安装于安装基板9的第一主面91。因而，第三电感器L3和第四电感器L4配置于安装基板9的第一主面91。
多个外部连接端子8配置于安装基板9的第二主面92。多个外部连接端子8的材料例如是金属(例如，铜、铜合金等)。
多个外部连接端子8包括上述的天线端子81、多个信号输入端子82、信号输出端子83、控制端子84以及多个地端子85。多个地端子85经由通路导体来与安装基板9的地层连接。地层是高频模块1d的电路地。
另外，在实施方式2所涉及的高频模块1d中，多个外部连接端子8中的各外部连接端子8是柱状电极。在此，柱状电极例如是圆柱状的电极。
另外，高频模块1d还具备第一树脂层16。第一树脂层16在安装基板9的第一主面91侧覆盖着配置于安装基板9的第一主面91的多个电子部件(功率放大器11、第一电感器L1、双工器32A、32B、第三电感器L3、第四电感器L4、输出匹配电路13、匹配电路14A、14B等)各自的至少一部分。第一树脂层16包含树脂(例如，环氧树脂)。第一树脂层16也可以除了包含树脂以外还包含填料。
另外，高频模块1d还具备第二树脂层17。第二树脂层17在安装基板9的第二主面92侧覆盖着配置于安装基板9的第二主面92的多个电子部件(IC芯片10d、控制器15等)各自的至少一部分。第二树脂层17包含树脂(例如，环氧树脂)。第二树脂层17也可以除了包含树脂以外还包含填料。第二树脂层17的材料与第一树脂层16既可以相同也可以不同。
另外，高频模块1d还具备屏蔽层18。屏蔽层18的材料例如包括1种或多种金属。屏蔽层18的材料例如包括银。屏蔽层18覆盖着第一树脂层16的与安装基板9侧相反的一侧的主面161、第一树脂层16的外周面163、安装基板9的外周面93、以及第二树脂层17的外周面173。屏蔽层18与安装基板9所具有的地层的外周面的至少一部分接触。由此，能够能够屏蔽层18的电位与地层的电位相同。
(2.3)高频模块的布局
在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，第一电感器L1配置于四边形的安装基板9的第一主面91的4个角部中的1个角部的近处。另外，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，天线端子81配置于四边形的安装基板9的第二主面92的4个角部中的1个角部的近处。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，第一电感器L1的一部分与天线端子81重叠。
在实施方式2所涉及的高频模块1d中，与天线端子81连接的第一电感器L1配置于安装基板9的第一主面91。另外，在高频模块1d中，与低噪声放大器21的晶体管Tr(参照图5)的源极端子连接的第二电感器L2配置于安装基板9的第二主面92。在高频模块1d中，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，第一电感器L1与第二电感器L2不重叠。
在实施方式2所涉及的高频模块1d中，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，第三电感器L3与第四电感器L4相邻。第三电感器L3与第四电感器L4相邻是指：在安装基板9的第一主面91上的将第三电感器L3与第四电感器L4连接的直线上不配置其它电路元件，第三电感器L3与第四电感器L4彼此相邻。其它电子部件(例如，双工器32B)位于从第三电感器L3来看的与第四电感器L4相反的一侧。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，第三电感器L3与第一电感器L1不相邻。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，在安装基板9的第一主面91上的第三电感器L3与第一电感器L1之间配置有至少1个电子部件。第三电感器L3与第一电感器L1的距离比第三电感器L3与第四电感器L4的距离长。
在实施方式2所涉及的高频模块1d中，第二电感器L2的至少一部分与第三电感器L3在从安装基板9的厚度方向D1俯视时重叠。
另外，在实施方式2所涉及的高频模块1d中，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，功率放大器11与IC芯片10d不重叠。另外，在高频模块1d中不存在配置于安装基板9的第二主面92的、在从安装基板9的厚度方向D1俯视时与功率放大器11重叠的电路结构部件。
(2.4)总结
(2.4.1)高频模块
实施方式2所涉及的高频模块1d具备安装基板9、天线端子81及地端子85、低噪声放大器21、第一电感器L1以及第二电感器L2。安装基板9具有彼此相向的第一主面91和第二主面92。天线端子81及地端子85配置于安装基板9。低噪声放大器21配置于安装基板9。低噪声放大器21包括放大用的晶体管Tr。第一电感器L1配置于安装基板9的第一主面91和第二主面92中的一方的主面。第一电感器L1与天线端子81连接。第二电感器L2配置于安装基板9的第一主面91和第二主面92中的与一方的主面不同的另一方的主面。第二电感器L2连接于晶体管Tr与地端子85之间。
实施方式2所涉及的高频模块1d能够实现低噪声放大器21的噪声系数的降低。在实施方式2所涉及的高频模块1d中，第一电感器L1与第二电感器L2配置于安装基板9的互不相同的主面(第一主面91、第二主面92)，因此能够使得第一电感器L1与第二电感器L2不易磁耦合，能够实现低噪声放大器21的噪声系数的降低。
另外，在实施方式2所涉及的高频模块1d中，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，第一电感器L1与第二电感器L2不重叠。由此，在实施方式2所涉及的高频模块1d中，更加易于抑制第一电感器L1与第二电感器L2的磁耦合，能够实现低噪声放大器21的噪声系数的降低。
另外，在实施方式2所涉及的高频模块1d中，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，第三电感器L3的至少一部分与第二电感器L2重叠。由此，在高频模块1d中，易于使第三电感器L3与第二电感器L2磁耦合，能够实现低噪声放大器21的噪声系数的降低。
(2.4.2)通信装置
实施方式2所涉及的通信装置300d具备信号处理电路301和高频模块1d。信号处理电路301与高频模块1d连接，对高频信号(接收信号)进行信号处理。
实施方式2所涉及的通信装置300d具备高频模块1d，因此能够实现低噪声放大器21的噪声系数的降低。
上述的实施方式1、2等不过是本实用新型的各种实施方式之一。上述的实施方式1、2等只要能够实现本实用新型的目的即可，能够根据设计等而进行各种变更。
例如，高频模块1a、1b、1c也可以用来替代实施方式1所涉及的通信装置300中的高频模块1。
低噪声放大器21中包括的晶体管Tr是场效应晶体管，但是不限于此，例如也可以是双极型晶体管。在晶体管Tr是双极型晶体管的情况下，第二电感器L2连接于双极型晶体管的发射极与地端子85之间。
另外，在高频模块1～1d中，也可以将各第二电感器L2例如置换为将电感小的多个电感器串联连接而成的第二电感器L2。
另外，实施方式1所涉及的高频模块1具备多个低噪声放大器21，但是只要具备至少1个低噪声放大器21即可。
另外，在高频模块1～1d中，天线端子81及地端子85配置于安装基板9的第二主面92，但是不限于此，也可以配置于安装基板9的第一主面91。另外，在高频模块1～1d中，第一电感器L1配置于安装基板9的第一主面91，第二电感器L2配置于安装基板9的第二主面92，但是不限于此，也可以是，第一电感器L1配置于安装基板9的第二主面92，第二电感器L2配置于安装基板9的第一主面91。
另外，接收滤波器22A、22B不限于梯型滤波器，例如也可以是纵向耦合谐振器型声表面波滤波器。
另外，上述的弹性波滤波器是利用声表面波或体声波的弹性波滤波器，但是不限于此，例如，也可以是利用弹性边界波、板波等的弹性波滤波器。
另外，在实施方式2所涉及的高频模块1d中，控制器15不限于配置于安装基板9的第二主面92的情况，也可以配置于安装基板9的第一主面91。另外，控制器15也可以包括在IC芯片10d中。
高频模块1～1d的电路结构不限于上述的例子。另外，高频模块1～1d例如也可以具有支持MIMO(Multi Input Multi Output：多输入多输出)的高频前端电路来作为电路结构。
(方式)
在本说明书中公开了以下的方式。
第一方式所涉及的高频模块(1、1a、1b、1c、1d)具备安装基板(9)、天线端子(81)及地端子(85)、低噪声放大器(21)、第一电感器(L1)以及第二电感器(L2)。安装基板(9)具有彼此相向的第一主面(91)和第二主面(92)。天线端子(81)及地端子(85)配置于安装基板(9)。低噪声放大器(21)配置于安装基板(9)。低噪声放大器(21)包括放大用的晶体管(Tr)。第一电感器(L1)配置于安装基板(9)的第一主面(91)和第二主面(92)中的一方的主面。第一电感器(L1)与天线端子(81)连接。第二电感器(L2)配置于安装基板(9)的第一主面(91)和第二主面(92)中的与一方的主面不同的另一方的主面。第二电感器(L2)连接于晶体管(Tr)与地端子(85)之间。
第一方式所涉及的高频模块(1、1a、1b、1c、1d)能够实现低噪声放大器(21)的噪声系数的降低。
关于第二方式，在第一方式所涉及的高频模块(1、1a、1b、1c、1d)中，天线端子(81)及地端子(85)配置于安装基板(9)的第二主面(92)。第一电感器(L1)配置于安装基板(9)的第一主面(91)。第二电感器(L2)配置于安装基板(9)的第二主面(92)。
关于第三方式，在第二方式所涉及的高频模块(1、1a、1b、1c、1d)中，在从安装基板(9)的厚度方向(D1)俯视时，第一电感器(L1)与第二电感器(L2)不重叠。
在第三方式所涉及的高频模块(1、1a、1b、1c、1d)中，能够进一步抑制第一电感器(L1)与第二电感器(L2)的磁耦合，能够实现低噪声放大器(21)的噪声系数的降低。
关于第四方式，在第三方式所涉及的高频模块(1、1a、1b、1c、1d)中，还具备接收滤波器(22)和输入匹配电路(23)。接收滤波器(22)经由包括第一电感器(L1)的匹配电路(3)来与天线端子(81)连接。输入匹配电路(23)连接于接收滤波器(22)与低噪声放大器(21)的输入端子之间。输入匹配电路(23)包括第三电感器(L3)和第四电感器(L4)。第三电感器(L3)与低噪声放大器(21)串联连接。第四电感器(L4)连接于接收滤波器(22)同第三电感器(L3)之间的信号路径(RS1)上的节点(N1)与地之间。第三电感器(L3)和第四电感器(L4)配置于安装基板(9)的第一主面(91)。在从安装基板(9)的厚度方向(D1)俯视时，第三电感器(L3)的至少一部分与第二电感器(L2)重叠。
第四方式所涉及的高频模块(1、1a、1b、1c、1d)易于使第三电感器(L3)与第二电感器(L2)磁耦合，能够实现低噪声放大器(21)的噪声系数的降低。
关于第五方式，在第四方式所涉及的高频模块(1、1a、1b、1c、1d)中，在从安装基板(9)的厚度方向(D1)俯视时，第三电感器(L3)与第四电感器(L4)相邻。
第五方式所涉及的高频模块(1、1a、1b、1c、1d)易于使第三电感器(L3)与第四电感器(L4)磁耦合，能够实现低噪声放大器(21)的噪声系数的降低。
关于第六方式，在第四或第五方式所涉及的高频模块(1b)中，还具备收纳有第三电感器(L3)和第四电感器(L4)的封装(P1)。
第六方式所涉及的高频模块(1b)能够使第三电感器(L3)与第四电感器(L4)的磁耦合度稳定，能够抑制低噪声放大器(21)的噪声系数的变化。
关于第七方式，在第二～第六方式中的任一个方式所涉及的高频模块(1c)中，还具备包括低噪声放大器(21)和第二电感器(L2)的IC芯片(10)。
第七方式所涉及的高频模块(1c)能够实现小型化。
关于第八方式，在第二～第七方式中的任一个方式所涉及的高频模块(1d)中，还具备功率放大器(11)。功率放大器(11)配置于安装基板(9)的第一主面(91)。在从安装基板(9)的厚度方向(D1)俯视时，功率放大器(11)与低噪声放大器(21)不重叠。
第八方式所涉及的高频模块(1d)能够抑制低噪声放大器(21)的噪声系数的变化。
第九方式所涉及的通信装置(300、300d)具备第一～第八方式中的任一个方式中的高频模块(1、1a、1b、1c、1d)和信号处理电路(301)。信号处理电路(301)与高频模块(1、1a、1b、1c、1d)连接，对高频信号进行信号处理。
第九方式所涉及的通信装置(300、300d)能够实现低噪声放大器(21)的噪声系数的降低。

Claims (9)

1.一种高频模块，其特征在于，具备：
安装基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；
配置于所述安装基板的天线端子及地端子；
低噪声放大器，其配置于所述安装基板，包括放大用的晶体管；
第一电感器，其配置于所述安装基板的所述第一主面和所述第二主面中的一方的主面，与所述天线端子连接；以及
第二电感器，其配置于所述安装基板的所述第一主面和所述第二主面中的与所述一方的主面不同的另一方的主面，连接于所述晶体管与地端子之间。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述天线端子和所述地端子配置于所述安装基板的所述第二主面，
所述第一电感器配置于所述安装基板的所述第一主面，
所述第二电感器配置于所述安装基板的所述第二主面。
3.根据权利要求2所述的高频模块，其特征在于，
在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述第一电感器与所述第二电感器不重叠。
4.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，还具备：
接收滤波器，其经由包括所述第一电感器的匹配电路来与所述天线端子连接；以及
输入匹配电路，其连接于所述接收滤波器与所述低噪声放大器的输入端子之间，
所述输入匹配电路包括：
第三电感器，其与所述低噪声放大器串联连接；以及
第四电感器，其连接于所述接收滤波器同所述第三电感器之间的信号路径上的节点与地之间，
所述第三电感器和所述第四电感器配置于所述安装基板的所述第一主面，
在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述第三电感器的至少一部分与所述第二电感器重叠。
5.根据权利要求4所述的高频模块，其特征在于，
在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述第三电感器与所述第四电感器相邻。
6.根据权利要求4或5所述的高频模块，其特征在于，
还具备收纳有所述第三电感器和所述第四电感器的封装。
7.根据权利要求2～5中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
还具备包括所述低噪声放大器和所述第二电感器的集成电路芯片。
8.根据权利要求2～5中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
还具备功率放大器，该功率放大器配置于所述安装基板的所述第一主面，
在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述功率放大器与所述低噪声放大器不重叠。
9.一种通信装置，其特征在于，具备：
根据权利要求1～8中的任一项所述的高频模块；以及
信号处理电路，其与所述高频模块连接，对高频信号进行信号处理。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020090230A1 (ja) * 2018-11-01 2020-05-07 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
US11469725B2 (en) * 2019-06-07 2022-10-11 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for power amplifier output matching

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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US9825597B2 (en) * 2015-12-30 2017-11-21 Skyworks Solutions, Inc. Impedance transformation circuit for amplifier
US10879197B2 (en) * 2017-08-30 2020-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package structure and method of fabricating package structure
JP2021106341A (ja) * 2019-12-26 2021-07-26 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置

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