CN116825764A - 射频模组及通信装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种射频模组和通信装置，其中射频模组包括基板、壁体、多个电子器件和密封结构。基板具有第一表面和第二表面；壁体由金属形成，配置在基板的第一表面上，并将基板分隔为多个区域。多个电子器件分别安装于基板的第一表面的多个区域。密封结构包覆多个电子器件的侧面，并覆盖基板的第一表面的裸露部分。壁体的高度与密封结构的高度相等。通过以上涉及，实现了将电子器件之间采用金属壁体间隔开，避免多个电子器件自身产生噪声而相互干扰，提高射频模组性能。

Description

射频模组及通信装置

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种射频模组。

背景技术

5G通讯的出现和发展，对射频模组响应的频率要求越来越宽，对射频模组的散热性能也提出了更高的要求。

射频模组由安装于基板上的电子元件构成，电子元件被树脂结构包覆。现有技术中，射频模组一般针对外部噪声设置模组屏蔽层，但在多个电子元件均安装在基板的情况中，多个电子元件自身产生的噪声会相互干扰，从而影响射频模组的性能，影响射频模组的工作可靠性，缩短射频模组的使用寿命。

发明内容

本申请的主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种屏蔽性能良好的射频模组。

为实现上述目的，本申请采用如下技术方案：

根据本申请的一个方面，提供了一种射频模组，包括基板、多个电子器件、密封结构和壁体。基板具有第一表面和第二表面。壁体由金属形成，配置在所述基板的第一表面上，并将所述基板分隔为多个区域。多个电子器件分别安装于所述基板的第一表面的所述多个区域。密封结构包覆所述多个电子器件的侧面，并覆盖所述基板的第一表面的裸露部分。所述壁体的高度等于所述密封结构的高度。

根据本申请的一实施方式，所述壁体包括多个闭合结构，所述多个闭合结构将所述基板分隔为多个相互独立的封闭区域。

根据本申请的一实施方式，所述多个闭合结构中的至少两个具有公用壁。

根据本申请的一实施方式，所述壁体包括多个非封闭结构，由所述多个非封闭结构将所述基板分隔形成的多个区域中，至少部分区域相互连通。

根据本申请的一实施方式，所述非封闭结构包括第一壁结构，所述第一壁结构在所述第一表面的投影的至少一端具有弯曲部。

根据本申请的一实施方式，所述第一壁结构在所述第一表面的投影的一端具有第一弯曲部，另一端具有第二弯曲部，所述第一弯曲部和所述第二弯曲部呈轴对称设置。

根据本申请的一实施方式，在所述壁体的垂直于所述第一表面的横截面上，所述壁体具有靠近所述基板的第一表面的第一边和远离所述基板的第一表面的第二边，所述第二边的长度大于等于所述第一边的长度。

根据本申请的一实施方式，所述射频模组还包括第一散热结构，所述第一散热结构覆盖所述密封结构远离所述基板的表面，所述第一散热部件与所述壁体连接。

根据本申请的一实施方式，所述电子器件包括第一电子器件，所述第一电子器件是所述射频模组的多个电子器件中最高的一个，所述第一电子器件具有远离所述基板的第一相反面，所述第一散热结构直接接触并覆盖所述第一相反面。

根据本申请的一实施方式，所述第一相反面具有形成于整个第一相反面的凹凸结构。

根据本申请的一实施方式，所述第一相反面的算术平均粗糙度Ra小于1μm。

根据本申请的一实施方式，所述第一散热结构为选自Cu、Fe、Ti、Ag、Sn、Ni、Mn、Al、Mg中的一种或几种的金属或合金。

根据本申请的一实施方式，所述第一散热结构的厚度小于所述第一边的长度。

根据本申请的一实施方式，所述第一散热结构的厚度与所述第一边的长度的比值为0.08-0.58。

根据本申请的一实施方式，所述电子器件至少包括具有一个裸芯片的声波滤波器，所述声波滤波器为声表面波滤波器、体声波滤波器、薄膜腔声谐振滤波器、晶体体声波器中的一种或几种。

根据本申请的一实施方式，所述声波滤波器包括第一衬底，所述第一衬底的材质为单晶铌酸锂或钽酸锂。

根据本申请的一实施方式，所述声波滤波器包括第二衬底，所述第二衬底直接或间接设置于所述第一衬底的远离所述基板的表面，所述第二衬底响应的声速大于所述第一衬底响应的声速。

根据本申请的一实施方式，所述声波滤波器包括第二衬底、凸块和密封子结构，所述密封子结构包覆所述第一衬底并与所述第二衬底相连接，所述第二衬底通过所述凸块与所述第一衬底连接，所述第二衬底、凸块和所述第一衬底围成中空空间，所述第二衬底与所述基板之间填充所述密封结构。

根据本申请的一实施方式，所述声波滤波器包括第二衬底、凸块、第一金属凸起和密封子结构，所述密封子结构包覆所述第一衬底并与所述第二衬底相连接，所述第二衬底通过所述凸块连接于所述第一衬底，并通过所述第一金属凸起连接于所述基板，所述第二衬底、凸块和所述第一衬底围成第一中空空间，所述第二衬底、所述第一金属凸起与所述基板之间围成第二中空空间。

根据本申请的一实施方式，所述声波滤波器还包括盖构件、多个第二金属凸起；所述盖构件盖设于所述第一衬底，且与所述第一衬底的表面形成有第三中空空间，所述多个第二金属凸起贯穿设置于所述盖构件。

根据本申请的一实施方式，所述电子器件至少包括功率放大器、低噪声放大器、开关、电容、电感中的一种或几种。

根据本申请的一实施方式，所述射频模组还包括第二散热结构，所述第二散热结构围绕所述密封结构的四周外侧面。

根据本申请的一实施方式，所述射频模组还包括埋入所述基板的内部第二电子器件和/或第三电子器件，所述第二电子器件的表面与所述基板的第二表面平齐，所述第三电子器件的表面不从所述基板的第二表面露出。

根据本申请的一实施方式，所述壁体为选自Cu、Fe、Ti、Ag、Sn、Ni、Mn、Al、Mg中的一种或几种的金属或合金。

根据本申请的一实施方式，在所述第一散热结构的表面与所述壁体和所述电子器件均不重合的区域上，形成有构成识别文字或者识别标志的凹部。

根据本申请的一实施方式，所述射频模组还包括至少一金属端子，所述金属端子配置在所述基板的所述第二表面，并与所述壁体通过金属结构连接。

根据本申请的一实施方式，至少一个所述金属端子为接地端子。

根据本申请的另一个方面，本申请提供一种通信装置，包括上述的射频模组和信号处理电路，其中所述信号处理电路与所述射频模组电连接，对射频信号进行信号处理。

由上述技术方案可知，本申请提出的射频模组的优点和积极效果在于：

本申请提出的射频模组，包括基板、多个电子器件、密封结构和壁体。基板具有第一表面和第二表面。壁体由金属形成，配置在所述基板的第一表面上，并将所述基板分隔为多个区域。多个电子器件分别安装于所述基板的第一表面的所述多个区域。密封结构包覆所述多个电子器件的侧面，并覆盖所述基板的第一表面的裸露部分。采用设置在密封结构内部的由金属形成的壁体，将基板分隔为多个区域，多个电子器件分别设置在不同的多个区域，并且壁体的高度与密封结构的高度相同。能够避免射频模组的多个电子器件自身之间的噪声干扰，改善射频模组的性能，提高射频模组的工作可靠性，延长射频模组的使用寿命。

附图说明

通过参照附图详细描述其示例实施方式，本申请的上述和其它特征及优点将变得更加明显。

图1是本申请的射频模组的结构示意图。

图2是图1的A-A向剖视图。

图3是本申请的射频模组的第二实施例的结构示意图。

图4是本申请的射频模组的第三实施例的结构示意图。

图5是本申请的射频模组的第四实施例的结构示意图。

图6是本申请的射频模组的第五实施例的结构示意图。

图7是本申请的射频模组的第六实施例的结构示意图。

图8是本申请的射频模组剖视结构示意图。

图9是本申请的射频模组的第七实施例的结构示意图。

图10是本申请的射频模组的第八实施例的结构示意图。

图11是本申请的射频模组的第九实施例的结构示意图。

图12是本申请的射频模组的第十实施例的结构示意图。

图13是本申请的射频模组的第十一实施例的结构示意图。

图14是本申请的射频模组的第十二实施例的结构示意图。

图15是本申请的射频模组的第十三实施例的结构示意图。

图16是本申请的射频模组的第十四实施例的结构示意图。

图17是本申请的射频模组的第十五实施例的结构示意图。

图18是本申请的射频模组的第十六实施例的结构示意图。

图19是本申请的射频模组的第十七实施例的结构示意图。

图20是本申请的射频模组的标识的示意图。

图21是本申请的射频模组设置金属端子的示意图。

其中，附图标记说明如下：

100-射频模组；

101-基板；

1011-第一表面；

1012-第二表面；

102-电子器件；

1021-第一电子器件；

1022-第二电子器件；

1023-第三电子器件；

103-密封结构；

104-壁体；

1041-第一边；

1042-第二边；

301-闭合结构；

401-公用壁；

501-非封闭结构；

502-相互连通的区域；

601-第一壁结构；

602-弯曲部；

701-第一弯曲部；

702-第二弯曲部；

703-对称轴；

901-第一散热结构；1001-第一相反面；1101-凹凸结构；

1200-声波滤波器；1201-第一衬底；

1202-第一相对面；1203-空腔结构；

1204-第一金属凸起；1301-第二衬底；

1302-凸块；

1303-密封子结构；1304-中空空间；

1401-第一中空空间；1402-第二中空空间；1501-盖构件；

1502-第三中空空间；1503-第二金属凸起；1601-第二散热结构；1901-识别文字；

1902-识别标志；

2001-金属端子；

h-壁体和密封结构的高度；

L1-第一边的长度；

L2-第二边的长度；t-第一散热结构的厚度。

具体实施方式

体现本申请特征与优点的典型实施例将在以下的说明中详细叙述。应理解的是本申请能够在不同的实施例上具有各种的变化，其皆不脱离本申请的范围，且其中的说明及附图在本质上是作说明之用，而非用以限制本申请。

在对本申请的不同示例性实施例的下面描述中，参照附图进行，所述附图形成本申请的一部分，并且其中以示例方式显示了可实现本申请的多个方面的不同示例性结构、系统和步骤。应理解的是，可以使用部件、结构、示例性装置、系统和步骤的其他特定方案，并且可在不偏离本申请范围的情况下进行结构和功能性修改。而且，虽然本说明书中可使用术语“上”、“中间”、“内”等来描述本申请的不同示例性特征和元件，但是这些术语用于本文中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。本说明书中的任何内容都不应理解为需要结构的特定三维方向才落入本申请的范围内。

为使本申请的上述目的、特征和优点能够明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施例作详细的说明。

如图1至图2所示，本申请的射频模组100，包括基板101、多个电子器件102、密封结构103和壁体104。基板101具有第一表面1011和第二表面1012。壁体104由金属形成，配置在基板101的第一表面1011上，并将基板101分隔为多个区域。多个电子器件102分别安装于基板101的第一表面1011的多个区域。密封结构103包覆多个电子器件102的侧面，并覆盖基板101的第一表面1011的裸露部分。壁体104的高度等于密封结构103的高度。

在本申请中，采用设置在密封结构内部的由金属形成的壁体，将基板分隔为多个区域，多个电子器件分别设置在不同的多个区域，并且壁体的高度与密封结构的高度相同。能够避免射频模组的多个电子器件自身之间的噪声干扰。同时金属壁体降低了内部屏蔽的电阻，能够根据设计需要灵活选择接地或信号导通作用，增强了射频模组的设计灵活性。

如图3所示，本申请的射频模组100的第二实施方式，其中壁体104包括多个闭合结构301，多个闭合结构301将基板101分隔为多个相互独立的封闭区域。多个闭合结构能够灵活设计射频模组中多个电子器件的内部屏蔽区，提高电子器件之间的隔离度，减少电磁干扰和串扰，同时能够提高射频模组的集成度，提高射频模组的系统可靠性。

如图4所示，本申请的射频模组100的第三实施方式，多个闭合结构301中的至少两个具有公用壁401。闭合环形结构具有公用的壁结构，能够减少不同电子器件之间的相互干扰问题，射频模组实现小型化。

如图5所示，本申请的射频模组100的第四实施方式，壁体104包括多个非封闭结构501，由多个非封闭结构501将基板101分隔形成的多个区域中，至少部分区域502相互连通。采用非封闭结构能够实现在提高屏蔽效果的同时，方便后期的维护，当需要更换某一电子器件时，只需要拆下相应的非封闭结构，而无需破坏整个闭合环形结构。

如图6所示，本申请的射频模组100的第五实施方式，非封闭结构501包括第一壁结构601，第一壁结构601在第一表面1011的投影的至少一端具有弯曲部602。弯曲部的设计能够有效提高壁体在制造过程中的结构稳定性，减少后续封装过程中壁体的倾斜或坍塌引起的射频模组良率降低。

如图7所示，本申请的射频模组100的第六实施方式，第一壁结构601在第一表面1011的投影的一端具有第一弯曲部701，另一端具有第二弯曲部702，第一弯曲部701和第二弯曲部702关于对称轴703呈轴对称设置。轴对称的弯曲部设计能够进一步提高壁结构的结构稳定性。

如图8所示，本申请的射频模组100的剖视结构示意，在壁体104的垂直于第一表面1011的横截面上，壁体104具有靠近基板101的第一表面1011的第一边1041和远离基板101的第一表面1011的第二边1042，第二边1042的长度大于等于第一边1041的长度，即横截面为倒梯形或矩形。倒梯形或矩形能够实现屏蔽性能良好的前提下尽可能地节省材料，可以减少成本，提高生产效率。

如图9所示，本申请的射频模组100的第七实施方式，射频模组100还包括第一散热结构901，第一散热结构901覆盖密封结构103远离基板101的表面，第一散热部件与壁体104连接。第一散热结构的设置能够对电子器件起到良好的散热作用，并且可以结合壁体，实现壁体在起到射频模组内部屏蔽作用的同时，还可作为射频模组内部散热通路的一部分，增强射频模组中电子器件的侧面散热能力。

如图10所示，本申请的射频模组100的第八实施方式，电子器件102包括第一电子器件1021，第一电子器件1021是射频模组100的多个电子器件102中最高的一个，第一电子器件1021具有远离基板101的第一相反面1001，第一散热结构901直接接触并覆盖第一相反面1001。第一电子器件通过磨削减薄工艺实现薄型化处理，第一电子器件的磨削减薄面为第一相反面。由此，第一电子器件背面产生的热量能够通过第一散热结构而非密封结构直接散热，提高了射频模组的散热效率，尤其适用于高频高功率的射频模组。

如图11所示，本申请的射频模组100的第九实施方式，第一相反面1001具有形成于整个第一相反面1001的凹凸结构1101。磨削减薄形成凹凸结构，可以增加第一电子器件与第一散热结构的接触面积，提高散热效率。

在本实施例中，第一相反面1001的算术平均粗糙度Ra小于1μm。增强了第一相反面与第一散热结构之间的结合强度，能够抑制第一散热结构的裂缝、翘曲现象。

在其他一些实施例中，电子器件102至少包括具有一个裸芯片的声波滤波器1200，声波滤波器1200为声表面波滤波器、体声波滤波器、薄膜腔声谐振滤波器、晶体体声波器中的一种或几种。滤波器采用裸芯片结构，能够减少滤波器的单独封装结构，由此能够降低射频模组的高度，简化工艺，提高射频模组设计的灵活性。

如图12所示，本申请的射频模组100的第十实施方式，声波滤波器1200包括第一衬底1201，第一衬底的材质为单晶铌酸锂或钽酸锂。能够实现滤波器件正常工作过程中散热良好，并且射频模组的结构简单。

在本实施例中，第一衬底1201具有靠近第一表面1011的第一相对面1202，第一相对面1202、密封结构103与第一表面1011围成空腔结构1203。

如图13所示，本申请的射频模组100的第十一实施方式，声波滤波器1200在包括第一衬底1201的基础上还包括第二衬底1301，第二衬底1301直接或间接设置于第一衬底1201的远离基板101的表面，第二衬底1301响应的声速大于第一衬底1201响应的声速。能够减少射频信号向第二衬底中的泄露，减少插入损耗，提高射频模组的品质因数。其中第二衬底可以为单晶硅基板、蓝宝石基板、石英基板中的一种或几种。

如图14所示，本申请的射频模组100的第十二实施方式，声波滤波器1200包括第二衬底1301、凸块1302和密封子结构1303，密封子结构1303包覆第一衬底1201并与第二衬底1301相连接，第二衬底1301通过凸块1302与第一衬底1201连接，第二衬底1301、凸块1302和第一衬底1201围成中空空间1304，第二衬底1301与基板101之间填充密封结构103。采用以上结构，可实现射频模组强度较高，避免破裂或者碎裂，可延长射频模组的使用寿命。

如图15所示，本申请的射频模组100的第十三实施方式，声波滤波器1200包括第二衬底1301、凸块1302、第一金属凸起1204和密封子结构1303，密封子结构1303包覆第一衬底1201并与第二衬底1301相连接，第二衬底1301通过凸块1302连接于第一衬底1201，并通过第一金属凸起1204连接于基板101，第二衬底1301、凸块1302和第一衬底1201围成第一中空空间1401，第二衬底1301、第一金属凸起1204与基板101之间围成第二中空空间1402。采用以上结构，可实现射频模组插损较少，可提高射频模组的使用性能。

如图16所示，本申请的射频模组100的第十四实施方式，声波滤波器1200还包括盖构件1501、多个第二金属凸起1503；盖构件1501盖设于第一衬底1201，且与第一衬底1201的表面形成有第三中空空间1502，多个第二金属凸起1503贯穿设置于盖构件1501。盖构件由无机材料形成，金属凸起贯穿设置在盖构件，能够实现射频模组的小型化，减少密封结构向中空空间的侵入，同时提高滤波器件的密封性，提高射频模组的可靠性。

在以上的实施方式中，电子器件102至少包括功率放大器、低噪声放大器、开关、电容、电感中的一种或几种。选择多种类型的非滤波器件能够扩大屏蔽良好的射频模组的应用范围，有利于提高多种射频模组的抗干扰性能。

如图17所示，本申请的射频模组100的第十五实施方式，射频模组100还包括第二散热结构1601，第二散热结构1601围绕密封结构103的四周外侧面。第二散热结构的设置，将射频模组的内部热量经由背面散热结构和侧面散热结构共同引出，将射频模组的散热结构与屏蔽结构整合为一个共同的金属结构，提高射频模组散热性的同时能够满足减少电磁串扰的影响。能够进一步增强射频模组侧面的散热能力，提供整体的散热性能，保证器件的可靠性并提高射频模组的使用寿命。

如图18所示，本申请的射频模组100的第十六实施方式，射频模组100还包括埋入基板101内部的第二电子器件1022，第二电子器件1022的表面与基板101的第二表面1012平齐。电子器件安装于基板的内部能够减少射频模组的尺寸，实现射频模组小型化。

如图19所示，本申请的射频模组100的第十七实施方式，射频模组100还包括埋入基板101的内部的第三电子器件1023，第三电子器件1023的表面不从基板101的第二表面1012露出。电子器件安装于基板的内部能够减少射频模组的尺寸，实现射频模组小型化。

在以上的实施例中，第一散热结构901为选自Cu、Fe、Ti、Ag、Sn、Ni、Mn、Al、Mg中的一种或几种的金属或合金。这些材料能够有效提高第一散热结构的导热性能、耐热性能、耐腐蚀性能和密封性能，可以保证第一散热结构能够有效地将热量传递到外部环境中，同时提供良好的射频模组密封性能。

在以上的实施例中，第一散热结构901的厚度t小于第一边1041的长度L1。能够增强第一散热结构的机械强度，易于加工。

在以上的实施例中，第一散热结构901的厚度t与第一边1041的长度L1的比值为0.08-0.58。选择第一散热结构的厚度t与第一边的长度L1的比值为0.08-0.58，能够进一步增强第一散热结构的机械强度，易于加工。

在以上的实施例中，壁体104为选自Cu、Fe、Ti、Ag、Sn、Ni、Mn、Al、Mg中的一种或几种的金属或合金。能够实现壁体提供屏蔽作用的同时还能够具有一定的导热性能、耐热性能和耐腐蚀性能，可以保证壁体防止多个电子器件之间的噪声干扰，且能够有效地将热量传递到外部环境中。

进一步的，第一散热结构与壁体的组分相同，能够提高第一散热结构与壁体的金属接合性能，能够减少第一散热结构脱落、翘曲，提高射频模组的屏蔽性能。

如图20所示，在第一散热结构901的表面与壁体104和电子器件102均不重合的区域上，形成有构成识别文字1901或者识别标志1902的凹部。识别标志或识别文字避电子器件与壁体设置，而设置在第一散热部件与第一密封树脂结构接触的相反面上，能够减少第一散热部件在附加识别标志或识别文字时的破损现状。

如图21所示，射频模组100还包括：至少一金属端子2001，金属端子2001配置在基板101的第二表面1012，并与壁体104通过金属结构连接。其中，至少一个金属端子2001为接地端子。能够增强射频模组内部各电子器件之间的屏蔽效果，提高射频模组的性能。

本申请提供一种通信装置，包括上述的射频模组100和信号处理电路，其中信号处理电路与射频模组100电连接，对射频信号进行信号处理。包括有上述射频模组的通信装置，射频模组内部的多个电子器件之间不会产生相互干扰，并且散热性能良好，使用可靠，寿命长。

综上，本申请提出的射频模组，包括基板、多个电子器件、密封结构和壁体。基板具有第一表面和第二表面。壁体由金属形成，配置在所述基板的第一表面上，并将所述基板分隔为多个区域。多个电子器件分别安装于所述基板的第一表面的所述多个区域。密封结构包覆所述多个电子器件的侧面，并覆盖所述基板的第一表面的裸露部分。采用设置在密封结构内部的由金属形成的壁体，将基板分隔为多个区域，多个电子器件分别设置在不同的多个区域，并且壁体的高度与密封结构的高度相同。能够避免射频模组的多个电子器件自身之间的噪声干扰，改善射频模组的性能，提高射频模组的工作可靠性，延长射频模组的使用寿命。

本申请的射频模组，采用设置在密封结构内部的由金属形成的壁体，将基板分隔为多个区域，多个电子器件分别设置在不同的多个区域，并且壁体的高度与密封结构的高度相同。能够避免射频模组的多个电子器件自身之间的噪声干扰。同时金属壁体降低了内部屏蔽的电阻，能够根据设计需要灵活选择接地或信号导通作用，增强了射频模组的设计灵活性。还能够改善射频模组的散热性能，提高生产效率和生产能力，满足市场对高品质电子器件的需求。

本申请提出的通信装置，包括上述的射频模组和信号处理电路，其中信号处理电路与射频模组电连接，对射频信号进行信号处理。包括有上述射频模组的通信装置，射频模组内部的多个电子器件之间不会产生相互干扰，散热性能良好，使用可靠，寿命长。

以上详细地描述和/或图示了本申请提出的射频模组以及通信装置的示例性实施例。但本申请的实施例不限于这里所描述的特定实施例，相反，每个实施例的组成部分和/或步骤可与这里所描述的其它组成部分和/或步骤独立和分开使用。一个实施例的每个组成部分和/或每个步骤也可与其它实施例的其它组成部分和/或步骤结合使用。在介绍这里所描述和/或图示的要素/组成部分/等时，用语“一”、“第一”、“第二”和“上述”等用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等。术语“包含”、“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。

本申请的实施例不限于这里所描述的特定实施例，相反，每个实施例的组成部分可与这里所描述的其它组成部分独立和分开使用。一个实施例的每个组成部分也可与其它实施例的其它组成部分结合使用。在本说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“其他实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或特点包含于实施例的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或实例。而且，描述的具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上仅为申请实施例的可选实施例而已，并不用于限制申请实施例，对于本领域的技术人员来说，申请实施例可以有各种更改和变化。凡在申请实施例的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在申请实施例的保护范围之内。

Claims (28)

1.一种射频模组，其特征在于，包括：

基板，具有第一表面和第二表面；

壁体，所述壁体由金属形成，配置在所述基板的第一表面上，并将所述基板分隔为多个区域；

多个电子器件，分别安装于所述基板的第一表面的所述多个区域；

密封结构，包覆所述多个电子器件的侧面，并覆盖所述基板的第一表面的裸露部分；

所述壁体的高度等于所述密封结构的高度。

2.根据权利要求1所述的射频模组，其特征在于，所述壁体包括多个闭合结构，所述多个闭合结构将所述基板分隔为多个相互独立的封闭区域。

3.根据权利要求2所述的射频模组，其特征在于，所述多个闭合结构中的至少两个具有公用壁。

4.根据权利要求1所述的射频模组，其特征在于，所述壁体包括多个非封闭结构，由所述多个非封闭结构将所述基板分隔形成的多个区域中，至少部分区域相互连通。

5.根据权利要求4所述的射频模组，其特征在于，所述非封闭结构包括第一壁结构，所述第一壁结构在所述第一表面的投影的至少一端具有弯曲部。

6.根据权利要求5所述的射频模组，其特征在于，所述第一壁结构在所述第一表面的投影的一端具有第一弯曲部，另一端具有第二弯曲部，所述第一弯曲部和所述第二弯曲部呈轴对称设置。

7.根据权利要求1-6任一所述的射频模组，其特征在于，在所述壁体的垂直于所述第一表面的横截面上，所述壁体具有靠近所述基板的第一表面的第一边和远离所述基板的第一表面的第二边，所述第二边的长度大于等于所述第一边的长度。

8.根据权利要求7所述的射频模组，其特征在于，所述射频模组还包括第一散热结构，所述第一散热结构覆盖所述密封结构远离所述基板的表面，所述第一散热部件与所述壁体连接。

9.根据权利要求8所述的射频模组，其特征在于，所述电子器件包括第一电子器件，所述第一电子器件是所述射频模组的多个电子器件中最高的一个，所述第一电子器件具有远离所述基板的第一相反面，所述第一散热结构直接接触并覆盖所述第一相反面。

10.根据权利要求9所述的射频模组，其特征在于，所述第一相反面具有形成于整个第一相反面的凹凸结构。

11.根据权利要求10所述的射频模组，其特征在于，所述第一相反面的算术平均粗糙度Ra小于1μm。

12.根据权利要求8所述的射频模组，其特征在于，所述第一散热结构为选自Cu、Fe、Ti、Ag、Sn、Ni、Mn、Al、Mg中的一种或几种的金属或合金。

13.根据权利要求8所述的射频模组，其特征在于，所述第一散热结构的厚度小于所述第一边的长度。

14.根据权利要求8所述的射频模组，其特征在于，所述第一散热结构的厚度与所述第一边的长度的比值为0.08-0.58。

15.根据权利要求8所述的射频模组，其特征在于，所述电子器件至少包括具有一个裸芯片的声波滤波器，所述声波滤波器为声表面波滤波器、体声波滤波器、薄膜腔声谐振滤波器、晶体体声波器中的一种或几种。

16.根据权利要求15所述的射频模组，其特征在于，所述声波滤波器包括第一衬底，所述第一衬底的材质为单晶铌酸锂或钽酸锂。

17.根据权利要求16所述的射频模组，其特征在于，所述声波滤波器包括第二衬底，所述第二衬底直接或间接设置于所述第一衬底的远离所述基板的表面，所述第二衬底响应的声速大于所述第一衬底响应的声速。

18.根据权利要求16所述的射频模组，其特征在于，所述声波滤波器包括第二衬底、凸块和密封子结构，所述密封子结构包覆所述第一衬底并与所述第二衬底相连接，所述第二衬底通过所述凸块与所述第一衬底连接，所述第二衬底、凸块和所述第一衬底围成中空空间，所述第二衬底与所述基板之间填充所述密封结构。

19.根据权利要求16所述的射频模组，其特征在于，所述声波滤波器包括第二衬底、凸块、第一金属凸起和密封子结构，所述密封子结构包覆所述第一衬底并与所述第二衬底相连接，所述第二衬底通过所述凸块连接于所述第一衬底，并通过所述第一金属凸起连接于所述基板，所述第二衬底、凸块和所述第一衬底围成第一中空空间，所述第二衬底、所述第一金属凸起与所述基板之间围成第二中空空间。

20.根据权利要求16所述的射频模组，其特征在于，所述声波滤波器还包括盖构件、多个第二金属凸起；所述盖构件盖设于所述第一衬底，且与所述第一衬底的表面形成有第三中空空间，所述多个第二金属凸起贯穿设置于所述盖构件。

21.根据权利要求16所述的射频模组，其特征在于，所述电子器件至少包括功率放大器、低噪声放大器、开关、电容、电感中的一种或几种。

22.根据权利要求8所述的射频模组，其特征在于，所述射频模组还包括第二散热结构，所述第二散热结构围绕所述密封结构的四周外侧面。

23.根据权利要求1所述的射频模组，其特征在于，所述射频模组还包括埋入所述基板的内部第二电子器件和/或第三电子器件，所述第二电子器件的表面与所述基板的第二表面平齐，所述第三电子器件的表面不从所述基板的第二表面露出。

24.根据权利要求1所述的射频模组，其特征在于，所述壁体为选自Cu、Fe、Ti、Ag、Sn、Ni、Mn、Al、Mg中的一种或几种的金属或合金。

25.根据权利要求8-24任一所述的射频模组，其特征在于，在所述第一散热结构的表面与所述壁体和所述电子器件均不重合的区域上，形成有构成识别文字或者识别标志的凹部。

26.根据权利要求8-24任一所述的射频模组，其特征在于，所述射频模组还包括：至少一金属端子，所述金属端子配置在所述基板的所述第二表面，并与所述壁体通过金属结构连接。

27.根据权利要求26射频模组，其特征在于，至少一个所述金属端子为接地端子。

28.一种通信装置，其特征在于，包括权利要求1-27任一项所述的射频模组和信号处理电路，其中所述信号处理电路与所述射频模组电连接，对射频信号进行信号处理。