WO2022123840A1 - 高周波モジュール及び通信装置 - Google Patents

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孝紀 上嶋
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Definitions

  • FIG. 1 is a circuit diagram of a high frequency module and a communication device according to an embodiment.
  • FIG. 2A is a plan view showing the component arrangement of the high frequency module according to the embodiment.
  • FIG. 2B is a plan view showing the component arrangement of the high frequency module according to the embodiment.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the high frequency module according to the embodiment.
  • FIG. 4 is a plan view showing the arrangement of the engraved portion of the high frequency module according to the embodiment.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining the visibility of the engraved portion provided on the top surface of the resin member containing the filler.
  • FIG. 6 is a plan view showing the arrangement of the engraved portion of the high frequency module according to the first modification of the embodiment.
  • FIG. 7 is a plan view showing the arrangement of the engraved portion of the high frequency module according to the second modification of the embodiment.
  • each figure is a schematic diagram and is not necessarily exactly illustrated. Therefore, for example, the scales and the like do not always match in each figure. Further, in each figure, substantially the same configuration is designated by the same reference numeral, and duplicate description will be omitted or simplified.
  • connection includes not only the case of being directly connected by a connection terminal and / or a wiring conductor, but also the case of being electrically connected via another circuit element.
  • connected between A and B means that both A and B are connected between A and B.
  • the antenna 2 is connected to the antenna connection terminal 100 of the high frequency module 1, transmits a high frequency signal (transmitted signal) output from the high frequency module 1, and receives a high frequency signal (received signal) from the outside to receive the high frequency signal (received signal). Output to.
  • RFIC 3 is an example of a signal processing circuit that processes high frequency signals transmitted and received by the antenna 2. Specifically, the RFIC 3 processes the high frequency reception signal input via the reception path of the high frequency module 1 by down-conversion or the like, and outputs the reception signal generated by the signal processing to the BBIC 4. Further, the RFIC 3 processes the transmission signal input from the BBIC 4 by up-conversion or the like, and outputs the high frequency transmission signal generated by the signal processing to the transmission path of the high frequency module 1. Further, the RFIC 3 has a control unit for controlling a switch, an amplifier and the like included in the high frequency module 1. A part or all of the function of the RFIC3 as a control unit may be mounted outside the RFIC3, or may be mounted on, for example, the BBIC4 or the high frequency module 1.
  • the antenna 2 and the BBIC 4 are not essential components.
  • the high frequency output terminal 120 is a terminal for providing a high frequency reception signal to the outside of the high frequency module 1.
  • the high frequency output terminal 120 is a terminal for providing the received signals of the communication bands A and B to the RFIC 3.
  • the transmission filter 61T has a pass band including an uplink operating band of the communication band A.
  • One end of the transmission filter 61T is connected to the antenna connection terminal 100 via the switch 51.
  • the other end of the transmission filter 61T is connected to the output terminal of the power amplifier 10 via the matching circuit 31 and the switch 52.
  • the reception filter 61R has a pass band including the downlink operating band of the communication band A.
  • One end of the reception filter 61R is connected to the antenna connection terminal 100 via the switch 51.
  • the other end of the receive filter 61R is connected to the input terminal of the low noise amplifier 20 via the matching circuit 41 and the switch 53.
  • the switch 52 is connected between each of the duplexers 61 and 62 and the power amplifier 10.
  • the switch 52 switches between the connection of the power amplifier 10 and the transmission filter 61T and the connection of the power amplifier 10 and the transmission filter 62T, for example, based on the control signal from the RFIC 3.
  • the switch 52 is, for example, a SPDT type switch circuit.
  • the matching circuit 31 is connected between the transmission filter 61T and the output terminal of the power amplifier 10. Specifically, the matching circuit 31 is connected to the power amplifier 10 via the switch 52. The matching circuit 31 performs impedance matching between the transmission filter 61T and the power amplifier 10.
  • the plurality of external connection terminals 150 include the antenna connection terminal 100, the control input terminal 111, the high frequency input terminal 110, and the high frequency output terminal 120 shown in FIG. Further, the plurality of external connection terminals 150 include a ground terminal. Each of the plurality of external connection terminals 150 is connected to an input / output terminal and / or a ground terminal on the mother board arranged on the negative side of the z-axis of the high frequency module 1.
  • the plurality of external connection terminals 150 are post electrodes that penetrate the resin member 93 that covers the main surface 91b.
  • the top surface 10a of the power amplifier 10 After that, after forming the engraved portion 80 on the top surface 10a of the power amplifier 10, the top surface 10a of the power amplifier 10, the top surface 61Ta of the transmission filter 61T, the top surface 62Ta of the transmission filter 62T, and the top of the resin member 92.
  • a metal film is formed by sputtering so as to cover the surface 92a and the side surface. As a result, the metal shield layer 95 is formed.
  • the engraved portion 80 may include a two-dimensional code.
  • the two-dimensional code is, for example, a QR code (registered trademark).
  • the two-dimensional code represents, for example, a URL (Uniform Resource Locator) indicating a Web page that presents information about the high frequency module 1.
  • the engraved portion 80 is provided on the top surface of one or more circuit components arranged on the main surface 91a. In the present embodiment, as shown in FIG. 4, the engraved portion 80 is provided only on the top surface 10a of the power amplifier 10.
  • the engraved portion 80 is formed by a groove and / or a recess provided on the top surface 10a of the power amplifier 10.
  • the engraved portion 80 is a plurality of grooves formed along a line of characters.
  • the engraved portion 80 is formed, for example, by irradiating the top surface 10a of the power amplifier 10 with a laser beam and scraping a part of the substrate of the power amplifier 10.
  • the engraved portion 80 may be a character (convex portion) raised by scraping a portion other than the character line.
  • the surface area of the top surface 10a of the power amplifier 10 becomes large.
  • the contact area with the metal shield layer 95 in contact with the top surface 10a becomes large.
  • the heat generated by the power amplifier 10 is easily transferred to the metal shield layer 95, and the heat dissipation is enhanced.
  • the adhesion between the metal shield layer 95 and the power amplifier 10 is enhanced by the anchor effect due to the unevenness of the engraved portion 80. As a result, peeling of the metal shield layer 95 is suppressed, and a high-frequency module 1 with high reliability and durability is realized.
  • the second portion 82 of the engraved portion 80 provided on the top surface 92a of the resin member 92 may be in contact with a circuit component whose top surface is covered with the resin member 92. That is, the bottom of the groove and / or the recess of the second portion 82 may be the top surface of the circuit component.
  • the resin member 92 may be ground by laser processing to form the engraved portion 80 so as to expose the top surface of the circuit component.
  • At least one of the power amplifier 10, the transmission filters 61T and 62T may be covered with the resin member 92. That is, the type of circuit component in contact with the metal shield layer 95 is not particularly limited.

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Abstract

高周波モジュール（１）は、主面（９１ａ）を有するモジュール基板（９１）と、主面（９１ａ）に配置された１以上の回路部品と、主面（９１ａ）に配置され、１以上の回路部品の側面を覆う樹脂部材（９２）と、樹脂部材（９２）の天面（９２ａ）及び１以上の回路部品の天面に接触する金属シールド層（９５）と、１以上の回路部品の天面に設けられた刻印部（８０）と、を備える。

Description

高周波モジュール及び通信装置
　本発明は、高周波モジュール及び通信装置に関する。
　特許文献１には、モジュール基板と、モジュール基板の実装面に実装された電子部品と、電子部品の側面を覆う樹脂層と、を備えるモジュールが開示されている。電子部品の上面は、金属膜に接触しており、電子部品で発生した熱が金属膜を介して放熱される。
国際公開第２０１４／０１３８３１号
　高周波モジュールでは、さらなる放熱性の向上が求められている。
　本発明は、放熱性に優れた高周波モジュール及び通信装置を提供することを目的とする。
　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、主面を有するモジュール基板と、主面に配置された１以上の回路部品と、主面に配置され、１以上の回路部品の側面を覆う樹脂部材と、樹脂部材の天面及び１以上の回路部品の天面に接触する金属層と、１以上の回路部品の天面に設けられた刻印部と、を備える。
　本発明の一態様に係る通信装置は、アンテナで送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、アンテナとＲＦ信号処理回路との間で高周波信号を伝送する、上記一態様に係る高周波モジュールと、を備える。
　本発明によれば、放熱性に優れた高周波モジュール及び通信装置を提供することができる。
図１は、実施の形態に係る高周波モジュール及び通信装置の回路図である。 図２Ａは、実施の形態に係る高周波モジュールの部品配置を示す平面図である。 図２Ｂは、実施の形態に係る高周波モジュールの部品配置を示す平面図である。 図３は、実施の形態に係る高周波モジュールの断面図である。 図４は、実施の形態に係る高周波モジュールの刻印部の配置を示す平面図である。 図５は、フィラーを含む樹脂部材の天面に設けられた刻印部の視認性を説明するための図である。 図６は、実施の形態の変形例１に係る高周波モジュールの刻印部の配置を示す平面図である。 図７は、実施の形態の変形例２に係る高周波モジュールの刻印部の配置を示す平面図である。
　以下では、本発明の実施の形態に係る高周波モジュール及び通信装置について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本発明の一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態、ステップ、ステップの順序などは、一例であり、本発明を限定する趣旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
　また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、例えば、各図において縮尺などは必ずしも一致しない。また、各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。
　また、本明細書において、平行又は直交などの要素間の関係性を示す用語、及び、矩形などの要素の形状を示す用語、並びに、数値範囲は、厳格な意味のみを表す表現ではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する表現である。
　また、本明細書において、「上方」及び「下方」という用語は、絶対的な空間認識における上方向（鉛直上方）及び下方向（鉛直下方）を指すものではなく、積層構成における積層順を基に相対的な位置関係により規定される用語として用いる。このため、例えば、部品又は部材の「上面」は、実際の使用態様において、鉛直上方側の面だけでなく、鉛直下方側の面、又は、水平方向に対して直交する面などの様々な面になりうる。
　また、本明細書及び図面において、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、三次元直交座標系の三軸を示している。ｘ軸及びｙ軸はそれぞれ、モジュール基板の平面視形状が矩形である場合に、当該矩形の第１辺、及び、当該第１辺に直交する第２辺に平行な方向である。ｚ軸は、モジュール基板の厚み方向である。なお、本明細書において、モジュール基板の「厚み方向」とは、モジュール基板の主面に垂直な方向のことをいう。
　また、本明細書において、「接続される」とは、接続端子及び／又は配線導体で直接接続される場合だけでなく、他の回路素子を介して電気的に接続される場合も含む。また、「ＡとＢとの間に接続される」とは、ＡとＢとの間でＡ及びＢの両方に接続されることを意味する。
　また、本発明の部品配置において、「モジュール基板の平面視」とは、ｚ軸正側からｘｙ平面に物体を正投影して見ることを意味する。また、「部品が基板に配置される」とは、部品が基板と接触した状態で基板上に配置されることに加えて、基板と接触せずに基板の上方に配置されること（例えば、部品が、基板上に配置された他の部品上に積層されること）、及び、部品の一部又は全部が基板内に埋め込まれて配置されることを含む。また、「部品が基板の主面に配置される」とは、部品が基板の主面と接触した状態で主面上に配置されることに加えて、部品が主面と接触せずに主面の上方に配置されること、及び、部品の一部が主面側から基板内に埋め込まれて配置されることを含む。
　また、本明細書において、「第１」、「第２」などの序数詞は、特に断りの無い限り、構成要素の数又は順序を意味するものではなく、同種の構成要素の混同を避け、区別する目的で用いられている。
　（実施の形態）
　［１．高周波モジュール及び通信装置の回路構成］
　まず、実施の形態に係る高周波モジュール及び通信装置の回路構成について、図１を用いて説明する。図１は、実施の形態に係る高周波モジュール１及び通信装置５の回路図である。
　［１－１．通信装置の回路構成］
　通信装置５は、通信システムで用いられる装置であり、例えばスマートフォン及びタブレットコンピュータなどの携帯端末である。図１に示されるように、通信装置５は、高周波モジュール１と、アンテナ２と、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）３と、ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）４と、を備える。
　高周波モジュール１は、アンテナ２とＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送する。高周波モジュール１の内部構成については後で説明する。
　アンテナ２は、高周波モジュール１のアンテナ接続端子１００に接続され、高周波モジュール１から出力された高周波信号（送信信号）を送信し、また、外部から高周波信号（受信信号）を受信して高周波モジュール１へ出力する。
　ＲＦＩＣ３は、アンテナ２で送受信される高周波信号を処理する信号処理回路の一例である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１の受信経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ４から入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号を、高周波モジュール１の送信経路に出力する。また、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１が有するスイッチ及び増幅器などを制御する制御部を有する。なお、ＲＦＩＣ３の制御部としての機能の一部又は全部は、ＲＦＩＣ３の外部に実装されてもよく、例えば、ＢＢＩＣ４又は高周波モジュール１に実装されてもよい。
　ＢＢＩＣ４は、高周波モジュール１が伝送する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理するベースバンド信号処理回路である。ＢＢＩＣ４で処理された信号は、例えば、画像表示のための画像信号、及び／又は、スピーカを介した通話のために音声信号が使用される。
　なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ２及びＢＢＩＣ４は、必須の構成要素ではない。
　［１－２．高周波モジュールの回路構成］
　次に、高周波モジュール１の回路構成について説明する。図１に示されるように、高周波モジュール１は、電力増幅器１０と、ＰＡ制御回路１１と、低雑音増幅器２０と、整合回路３１、３２、４１及び４２と、スイッチ５１～５３と、デュプレクサ６１及び６２と、を備える。また、高周波モジュール１は、アンテナ接続端子１００と、制御入力端子１１１と、高周波入力端子１１０と、高周波出力端子１２０と、を備える。
　アンテナ接続端子１００は、アンテナ２に接続される。
　制御入力端子１１１は、電力増幅器１０の利得、並びに、電力増幅器１０に供給される電源電圧及びバイアス電圧を制御するためのデジタル信号を受けるための端子である。例えば、制御入力端子１１１は、ＭＩＰＩ（Mobile Industry Processor Interface）端子であり、ＲＦＩＣ３からデジタル信号を受ける。
　高周波入力端子１１０は、高周波モジュール１の外部から高周波送信信号を受けるための端子である。本実施の形態では、高周波入力端子１１０は、ＲＦＩＣ３から、通信バンドＡ及びＢの送信信号を受けるための端子である。
　高周波出力端子１２０は、高周波モジュール１の外部に高周波受信信号を提供するための端子である。本実施の形態では、高周波出力端子１２０は、ＲＦＩＣ３に通信バンドＡ及びＢの受信信号を提供するための端子である。
　なお、通信バンドとは、通信システムのために標準化団体など（例えば３ＧＰＰ（3rd Generation Partnership Project）及びＩＥＥＥ（Institute of Electrical and Electronics Engineers）など）によって予め定義された周波数バンドを意味する。ここでは、通信システムとは、無線アクセス技術（ＲＡＴ：Radio Access Technology）を用いて構築される通信システムを意味する。通信システムとしては、例えば５ＧＮＲ（5th Generation New Radio）システム、ＬＴＥ（Long Term Evolution）システム及びＷＬＡＮ（Wireless Local Area Network）システムなどを用いることができるが、これに限定されない。
　通信バンドＡ及びＢは、互いに異なる通信バンドである。本実施の形態では、通信バンドＡ及びＢとしてそれぞれ、周波数分割複信（ＦＤＤ：Frequency Division Duplex）用の通信バンドが用いられている。なお、通信バンドＡ及びＢの少なくとも一方として、時分割複信（ＴＤＤ：Time Division Duplex）用の通信バンドが用いられてもよい。
　電力増幅器１０は、通信バンドＡ及びＢの送信信号を増幅することができる。ここでは、電力増幅器１０の入力端子は、高周波入力端子１１０に接続され、電力増幅器１０の出力端子は、スイッチ５２に接続される。
　電力増幅器１０の構成は特に限定されない。例えば、電力増幅器１０は、単段構成であってもよく、多段構成であってもよい。例えば、電力増幅器１０は、カスケード接続された複数の増幅素子を有してもよい。また、電力増幅器１０は、高周波信号を平衡信号に変換して増幅してもよい。このような電力増幅器１０は、差動増幅器と呼ばれる場合がある。なお、平衡信号とは、互いに逆の位相を有する信号の組を意味する。平衡信号は、差動信号と呼ばれる場合もある。
　ＰＡ制御回路１１は、電力増幅器１０を制御する制御回路の一例である。ＰＡ制御回路１１は、制御入力端子１１１を介して入力されたデジタル信号に基づいて、電力増幅器１０の利得を制御する。
　ＰＡ制御回路１１は、例えば、１つの半導体集積回路である。半導体集積回路は、例えば、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）で構成され、具体的には、ＳＯＩ（Silicon on Insulator）プロセスにより構成されている。これにより、半導体集積回路を安価に製造することが可能になる。なお、半導体集積回路は、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅ及びＧａＮのうち少なくとも１つで構成されてもよい。
　低雑音増幅器２０は、アンテナ接続端子１００で受けた通信バンドＡ及びＢの受信信号を増幅することができる。ここでは、低雑音増幅器２０の入力端子は、スイッチ５３に接続され、低雑音増幅器２０の出力端子は、高周波出力端子１２０に接続されている。
　低雑音増幅器２０の構成は特に限定されない。例えば、低雑音増幅器２０は、単段構成であってもよく、多段構成であってもよい。
　なお、電力増幅器１０及び低雑音増幅器２０は、例えば、Ｓｉ系のＣＭＯＳ、又は、ＧａＡｓを材料とした、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）若しくはヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）などで構成されている。
　デュプレクサ６１は、通信バンドＡを含む通過帯域を有するフィルタの一例である。デュプレクサ６１は、通信バンドＡの高周波信号を通過させる。デュプレクサ６１は、通信バンドＡの送信信号と受信信号とをＦＤＤ方式で伝送する。デュプレクサ６１は、送信フィルタ６１Ｔ及び受信フィルタ６１Ｒを含む。
　送信フィルタ６１Ｔは、通信バンドＡのアップリンク動作バンド（uplink operating band）を含む通過帯域を有する。送信フィルタ６１Ｔの一端は、スイッチ５１を介してアンテナ接続端子１００に接続される。送信フィルタ６１Ｔの他端は、整合回路３１及びスイッチ５２を介して電力増幅器１０の出力端子に接続される。
　アップリンク動作バンドとは、アップリンク用に指定された、通信バンドの一部を意味する。高周波モジュール１では、アップリンク動作バンドは送信帯域を意味する。
　受信フィルタ６１Ｒは、通信バンドＡのダウンリンク動作バンド（downlink operating band）を含む通過帯域を有する。受信フィルタ６１Ｒの一端は、スイッチ５１を介してアンテナ接続端子１００に接続される。受信フィルタ６１Ｒの他端は、整合回路４１及びスイッチ５３を介して低雑音増幅器２０の入力端子に接続される。
　ダウンリンク動作バンドとは、ダウンリンク用に指定された、通信バンドの一部を意味する。高周波モジュール１では、ダウンリンク動作バンドは受信帯域を意味する。
　デュプレクサ６２は、通信バンドＢを含む通過帯域を有するフィルタの一例である。デュプレクサ６２は、通信バンドＢの高周波信号を通過させる。デュプレクサ６２は、通信バンドＢの送信信号と受信信号とをＦＤＤ方式で伝送する。デュプレクサ６２は、送信フィルタ６２Ｔ及び受信フィルタ６２Ｒを含む。
　送信フィルタ６２Ｔは、通信バンドＢのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。送信フィルタ６２Ｔの一端は、スイッチ５１を介してアンテナ接続端子１００に接続される。送信フィルタ６２Ｔの他端は、整合回路３２及びスイッチ５２を介して電力増幅器１０の出力端子に接続される。
　受信フィルタ６２Ｒは、通信バンドＢのダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。受信フィルタ６２Ｒの一端は、スイッチ５１を介してアンテナ接続端子１００に接続される。受信フィルタ６２Ｒの他端は、整合回路４２及びスイッチ５３を介して低雑音増幅器２０の入力端子に接続される。
　送信フィルタ６１Ｔ及び６２Ｔ、並びに、受信フィルタ６１Ｒ及び６２Ｒは、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）を用いた弾性波フィルタ、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）を用いた弾性波フィルタ、ＬＣ共振フィルタ及び誘電体フィルタのいずれかであるが、これらに限定されない。
　スイッチ５１は、アンテナ接続端子１００とデュプレクサ６１及び６２の各々との間に接続されている。スイッチ５１は、アンテナスイッチとも称される。スイッチ５１は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、（ａ）アンテナ接続端子１００と送信フィルタ６１Ｔ及び受信フィルタ６１Ｒとの接続、並びに、（ｂ）アンテナ接続端子１００と送信フィルタ６２Ｔ及び受信フィルタ６２Ｒとの接続、を切り替える。スイッチ５１は、例えば、ＳＰＤＴ（Single Pole Double Throw）型のスイッチ回路である。なお、スイッチ５１は、上記（ａ）及び（ｂ）の接続を同時に実行可能なマルチ接続型のスイッチ回路であってもよい。
　スイッチ５２は、デュプレクサ６１及び６２の各々と電力増幅器１０との間に接続されている。スイッチ５２は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、電力増幅器１０及び送信フィルタ６１Ｔの接続と、電力増幅器１０及び送信フィルタ６２Ｔの接続と、を切り替える。スイッチ５２は、例えば、ＳＰＤＴ型のスイッチ回路である。
　スイッチ５３は、デュプレクサ６１及び６２の各々と低雑音増幅器２０との間に接続されている。スイッチ５３は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、低雑音増幅器２０及び受信フィルタ６１Ｒの接続と、低雑音増幅器２０及び受信フィルタ６２Ｒの接続と、を切り替える。スイッチ５３は、例えば、ＳＰＤＴ型のスイッチ回路である。
　整合回路３１は、送信フィルタ６１Ｔと電力増幅器１０の出力端子との間に接続されている。具体的には、整合回路３１は、スイッチ５２を介して電力増幅器１０に接続されている。整合回路３１は、送信フィルタ６１Ｔと電力増幅器１０とのインピーダンス整合をとる。
　整合回路３２は、送信フィルタ６２Ｔと電力増幅器１０の出力端子との間に接続されている。具体的には、整合回路３２は、スイッチ５２を介して電力増幅器１０に接続されている。整合回路３２は、送信フィルタ６２Ｔと電力増幅器１０とのインピーダンス整合をとる。
　整合回路４１は、受信フィルタ６１Ｒと低雑音増幅器２０の入力端子との間に接続されている。具体的には、整合回路４１は、スイッチ５３を介して低雑音増幅器２０に接続されている。整合回路４１は、受信フィルタ６１Ｒと低雑音増幅器２０とのインピーダンス整合をとる。
　整合回路４２は、受信フィルタ６２Ｒと低雑音増幅器２０の入力端子との間に接続されている。具体的には、整合回路４２は、スイッチ５３を介して低雑音増幅器２０に接続されている。整合回路４２は、受信フィルタ６２Ｒと低雑音増幅器２０とのインピーダンス整合をとる。
　また、整合回路３１、３２、４１及び４２はそれぞれ、インダクタ、キャパシタ及び抵抗の少なくとも１つを用いて形成されている。例えば、整合回路３１、３２、４１及び４２はそれぞれ、チップ状のインダクタを含んでいる。
　なお、整合回路３１及び３２の代わりに、又は、整合回路３１及び３２に加えて、スイッチ５２と電力増幅器１０の出力端子との間に整合回路が設けられていてもよい。また、整合回路４１及び４２の代わりに、又は、整合回路４１及び４２に加えて、スイッチ５３と低雑音増幅器２０の入力端子との間に整合回路が設けられていてもよい。また、スイッチ５１とデュプレクサ６１又は６２との間に整合回路が設けられていてもよい。
　上記回路構成を有する高周波モジュール１において、電力増幅器１０、スイッチ５２、整合回路３１及び送信フィルタ６１Ｔは、アンテナ接続端子１００に向けて通信バンドＡの送信信号を出力する第１送信回路を構成する。また、電力増幅器１０、スイッチ５２、整合回路３２及び送信フィルタ６２Ｔは、アンテナ接続端子１００に向けて通信バンドＢの送信信号を出力する第２送信回路を構成する。
　また、低雑音増幅器２０、スイッチ５３、整合回路４１及び受信フィルタ６１Ｒは、アンテナ２からアンテナ接続端子１００を介して通信バンドＡの受信信号を入力する第１受信回路を構成する。また、低雑音増幅器２０、スイッチ５３、整合回路４２及び受信フィルタ６２Ｒは、アンテナ２からアンテナ接続端子１００を介して通信バンドＢの受信信号を入力する第２受信回路を構成する。
　上記回路構成によれば、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、（１）通信バンドＡの高周波信号の送受信、（２）通信バンドＢの高周波信号の送受信、及び（３）通信バンドＡの高周波信号と通信バンドＢの高周波信号との同時送信、同時受信、又は同時送受信、の少なくともいずれかを実行することが可能である。
　なお、本実施の形態に係る高周波モジュール１では、送信回路及び受信回路がスイッチ５１を介してアンテナ接続端子１００に接続されていなくてもよく、上記送信回路及び上記受信回路が、異なる端子を介してアンテナ２に接続されていてもよい。
　また、図１に示される回路素子のいくつかは、高周波モジュール１に含まれなくてもよい。例えば、高周波モジュール１は、送信信号を伝送する送信回路のみを含んでもよく、この場合、低雑音増幅器２０、整合回路４１及び４２、スイッチ５３、並びに、受信フィルタ６１Ｒ及び６２Ｒを備えなくてもよい。また、高周波モジュール１は、受信信号を伝送する受信回路のみを含んでもよく、この場合、電力増幅器１０、整合回路３１及び３２、スイッチ５２、並びに、送信フィルタ６１Ｔ及び６２Ｔを備えなくてもよい。また、高周波モジュール１は、１つのみの通信バンドの高周波信号を伝送してもよく、この場合、スイッチ５１、整合回路３２及び４２、並びに、デュプレクサ６２を備えなくてもよい。
　［２．高周波モジュールの部品配置］
　次に、高周波モジュール１の部品配置の例について、図２Ａ、図２Ｂ及び図３を用いて説明する。
　図２Ａ及び図２Ｂはそれぞれ、本実施の形態に係る高周波モジュール１の部品配置を表す平面図である。図２Ａは、モジュール基板９１の主面９１ａをｚ軸の正側から見たときの主面９１ａに配置された部品及び部材の配置を表している。図２Ｂは、モジュール基板９１の主面９１ｂをｚ軸の正側から見たときの主面９１ｂに配置された部品及び部材の配置を表している。なお、主面９１ｂは、ｚ軸の負側に面しているので、図２Ｂは、モジュール基板９１の主面９１ａ側に位置する部品及び部材、並びに、モジュール基板９１を透視して見た平面図である。
　図３は、本実施の形態に係る高周波モジュール１の断面図である。図３は、図２Ａ及び図２ＢのＩＩＩ－ＩＩＩ線における断面を表している。なお、図３では、図の見やすさを考慮してモジュール基板９１には断面を表す網掛けを付していない。
　図２Ａ、図２Ｂ及び図３に示されるように、高周波モジュール１は、図１に示す回路構成に加えて、刻印部８０（図４を参照）と、モジュール基板９１と、樹脂部材９２及び９３と、金属シールド層９５と、外部接続端子１５０と、を備える。
　モジュール基板９１は、主面９１ａと、主面９１ａの反対側の主面９１ｂと、を有する。モジュール基板９１は、平面視において矩形状を有するが、モジュール基板９１の形状はこれに限定されない。モジュール基板９１としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）基板、高温同時焼成セラミックス（ＨＴＣＣ：High Temperature Co-fired Ceramics）基板、部品内蔵基板、再配線層（ＲＤＬ：Redistribution Layer）を有する基板、又は、プリント基板などを用いることができるが、これらに限定されない。
　主面９１ａは、上面又は表面と呼ばれる場合がある。主面９１ａには、１以上の回路部品が配置されている。１以上の回路部品はそれぞれ、表面実装部品（ＳＭＤ：Surface Mount Device）である。具体的には、回路部品は、集積回路（ＩＣ：Integrated Circuit）、集積受動デバイス（ＩＰＤ：Integrated Passive Device）、又は、チップインダクタ若しくはチップコンデンサなどの個別受動部品などである。本実施の形態では、図２Ａに示されるように、主面９１ａに配置された複数の回路部品はそれぞれ、電力増幅器１０と、整合回路３１、３２、４１及び４２と、スイッチ５１と、送信フィルタ６１Ｔ及び６２Ｔと、受信フィルタ６１Ｒと、である。なお、整合回路３１、３２、４１及び４２は、例えばチップインダクタである。
　主面９１ｂは、下面又は裏面と呼ばれる場合がある。主面９１ｂには、１以上の回路部品が配置されている。本実施の形態では、図２Ｂに示されるように、主面９１ｂに配置された複数の回路部品はそれぞれ、ＰＡ制御回路１１と、スイッチ５２と、受信フィルタ６２Ｒと、低雑音増幅器２０及びスイッチ５３を含む半導体集積回路７０と、である。さらに、主面９１ｂには、複数の外部接続端子１５０が配置されている。
　半導体集積回路７０は、半導体チップ（ダイとも呼ばれる）の表面及び内部に形成された電子回路を有する電子部品である。図２Ｂに示される例では、半導体集積回路７０は、低雑音増幅器２０と、スイッチ５３と、を含む。半導体集積回路７０は、例えば、ＣＭＯＳで構成され、具体的にはＳＯＩプロセスにより構成されてもよい。これにより、半導体集積回路７０を安価に製造することが可能になる。なお、半導体集積回路７０は、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅ及びＧａＮのうちの少なくとも１つで構成されてもよい。これにより、高品質な半導体集積回路７０を実現することができる。
　複数の外部接続端子１５０は、図１に示されたアンテナ接続端子１００、制御入力端子１１１、高周波入力端子１１０及び高周波出力端子１２０を含む。また、複数の外部接続端子１５０は、グランド端子を含む。複数の外部接続端子１５０の各々は、高周波モジュール１のｚ軸負側に配置されたマザー基板上の入出力端子及び／又はグランド端子などに接続される。複数の外部接続端子１５０は、主面９１ｂを覆う樹脂部材９３を貫通するポスト電極である。
　樹脂部材９２は、モジュール基板９１の主面９１ａ上に配置され、主面９１ａと、主面９１ａに配置された１以上の回路部品の側面と、を覆っている。本実施の形態では、樹脂部材９２は、主面９１ａに配置された複数の回路部品のうち１以上の回路部品の天面をさらに覆っている。具体的には、樹脂部材９２は、整合回路３１、３２、４１及び４２、スイッチ５１並びに受信フィルタ６１Ｒの各々の天面を覆っている。電力増幅器１０並びに送信フィルタ６１Ｔ及び６２Ｔの天面は、樹脂部材９２に覆われずに露出している。なお、「面を覆う」とは、面の少なくとも一部を覆うことを意味し、面の全てを覆う場合だけでなく、面の一部のみを覆う場合も意味する。
　なお、天面とは、回路部品が有する複数の主面のうち、モジュール基板９１側の主面とは反対側の主面に相当する。例えば、主面９１ａに配置された回路部品の天面は、当該回路部品の上面（ｚ軸の正側の主面）に相当する。樹脂部材９２の天面についても同様である。
　樹脂部材９３は、モジュール基板９１の主面９１ｂ上に配置され、主面９１ｂと、主面９１ｂに配置された１以上の回路部品の側面と、を覆っている。具体的には、樹脂部材９２は、主面９１ｂに配置された各回路部品の側面及び天面（下面）を覆っている。なお、主面９１ｂに配置された複数の回路部品の少なくとも１つは、樹脂部材９３に覆われていなくてもよい。
　金属シールド層９５は、樹脂部材９２の天面９２ａと、主面９１ａに配置された１以上の回路部品の天面と、に接触している。具体的には、図３に示されるように、金属シールド層９５は、電力増幅器１０の天面１０ａ、送信フィルタ６１Ｔの天面６１Ｔａ、及び、送信フィルタ６２Ｔの天面６２Ｔａ（図４を参照）に接触している。本実施の形態では、金属シールド層９５は、樹脂部材９２の天面９２ａと、電力増幅器１０の天面１０ａ、送信フィルタ６１Ｔの天面６１Ｔａ、及び、送信フィルタ６２Ｔの天面６２Ｔａと、樹脂部材９２、モジュール基板９１及び樹脂部材９３の各々の側面と、を接触して覆っている。
　金属シールド層９５は、例えば、スパッタ法により形成された金属薄膜である。例えば、金属シールド層９５は、モジュール基板９１の側面で、モジュール基板９１の主面９１ａ、内部又は主面９１ｂに設けられたグランド電極パターンと電気的に接続されている。これにより、金属シールド層９５は、グランド電位に設定され、外来ノイズが高周波モジュール１に含まれる回路部品に侵入することを抑制する。
　高周波モジュール１は、例えば、モジュール基板９１の主面９１ａに各回路部品を配置した後、液状樹脂を用いて、回路部品及び主面９１ａの全体をモールドする。このとき、天面を露出させる回路部品（具体的には、電力増幅器１０並びに送信フィルタ６１Ｔ及び６２Ｔ）の天面も液状樹脂で覆ってよい。液状樹脂を硬化させた後、硬化した樹脂を研磨する。このとき、電力増幅器１０並びに送信フィルタ６１Ｔ及び６２Ｔの一部も同時に研磨してもよい。これにより、電力増幅器１０の天面１０ａと、送信フィルタ６１Ｔの天面６１Ｔａと、送信フィルタ６２Ｔの天面６２Ｔａと、樹脂部材９２の天面９２ａと、を面一にすることができる。
　その後、電力増幅器１０の天面１０ａに刻印部８０を形成した後、電力増幅器１０の天面１０ａと、送信フィルタ６１Ｔの天面６１Ｔａと、送信フィルタ６２Ｔの天面６２Ｔａと、樹脂部材９２の天面９２ａ及び側面とを覆うように金属膜をスパッタリングで形成する。これにより、金属シールド層９５が形成される。
　［３．刻印部］
　次に、高周波モジュール１が備える刻印部８０について、図４を用いて説明する。
　図４は、本実施の形態に係る高周波モジュール１の刻印部８０を示す平面図である。具体的には、図４は、金属シールド層９５の天面部分を透視して樹脂部材９２の天面９２ａを表している。電力増幅器１０の天面１０ａ、送信フィルタ６１Ｔの天面６１Ｔａ及び送信フィルタ６２Ｔの天面６２Ｔａは、樹脂部材９２に覆われていない。また、図４では、図２Ａに示される回路部品のうち、天面が樹脂部材９２で覆われた部品を破線で表している。
　刻印部８０は、高周波モジュール１に関する所定の情報を示している。所定の情報は、高周波モジュール１の型番、製造時のロット番号、及び／又は、メーカー名などである。刻印部８０は、文字、図形又は記号を含んでいる。文字は、アルファベット又は数字であるが、平仮名、片仮名又は漢字などであってもよい。図４に示される例では、刻印部８０は、「１２３４」の４文字を含んでいる。
　なお、刻印部８０は、二次元コードを含んでもよい。二次元コードは、例えばＱＲコード（登録商標）である。二次元コードは、例えば、高周波モジュール１に関する情報を提示するＷｅｂページを示すＵＲＬ（Uniform Resource Locator）などを表している。
　刻印部８０は、主面９１ａに配置された１以上の回路部品の天面に設けられている。本実施の形態では、図４に示されるように、刻印部８０は、電力増幅器１０の天面１０ａのみに設けられている。刻印部８０は、電力増幅器１０の天面１０ａに設けられた溝及び／又は凹部によって形成される。例えば、刻印部８０は、文字の線に沿って形成された複数の溝である。刻印部８０は、例えば、電力増幅器１０の天面１０ａにレーザ光を照射し、電力増幅器１０の基板の一部を削ることにより形成される。なお、刻印部８０は、文字の線以外の部分を削ることで浮き上がらせた文字（凸部）であってもよい。
　本実施の形態では、刻印部８０を覆うように金属シールド層９５が設けられている。刻印部８０を形成する溝及び／又は凹部の深さは、金属シールド層９５の厚みよりも長い。刻印部８０の溝及び／又は凹部の深さは、例えば２０μｍ以上３０μｍ以下である。これに対して、金属シールド層９５の厚みは、例えば１０μｍ程度である。金属シールド層９５は、刻印部８０の凹凸形状を追従するように均一な膜厚で形成される。このため、金属シールド層９５の表面（上面）には、刻印部８０と同等の凹凸が形成される。これにより、刻印部８０は、金属シールド層９５で覆われていたとしても、外部から視認することが可能になる。
　刻印部８０が天面１０ａに設けられることにより、電力増幅器１０の天面１０ａの表面積が大きくなる。これにより、天面１０ａに接触する金属シールド層９５との接触面積が大きくなる。接触面積が大きくなることにより、電力増幅器１０で発生した熱が金属シールド層９５に伝わりやすくなり、放熱性が高められる。
　また、刻印部８０の凹凸によるアンカー効果によって金属シールド層９５と電力増幅器１０との密着性が高くなる。これにより、金属シールド層９５の剥離が抑制され、信頼性及び耐久性の高い高周波モジュール１が実現される。
　刻印部８０が設けられた電力増幅器１０は、平面視において、モジュール基板９１の主面９１ａの中心よりも主面９１ａの端の近くに配置されている。具体的には、電力増幅器１０と主面９１ａの端との最短距離は、電力増幅器１０と主面９１ａの中心との最短距離より短い。なお、「ＡとＢとの最短距離」とは、Ａのうち最もＢに近い部位とＢのうち最もＡに近い部位との距離を意味する。また、主面９１ａの端は、平面視における主面９１ａの輪郭上の一点である。電力増幅器１０は、例えば、主面９１ａの中心よりも、主面９１ａの４つの角（頂点）のうちの１つの近くに配置されている。
　このように、高周波モジュール１の偏った位置に刻印部８０が配置されることにより、高周波モジュール１の向きの判定に刻印部８０を利用することができる。
　なお、刻印部８０は、送信フィルタ６１Ｔの天面６１Ｔａ又は送信フィルタ６２Ｔの天面６２Ｔａに設けられていてもよい。天面６１Ｔａ又は６２Ｔａは、ＳＡＷフィルタの支持基板の表面又はカバー部材の表面である。
　また、刻印部８０が樹脂部材９２に設けられていないことにより、刻印部８０の視認性を高めることができる。図５の（ａ）に示されるように、樹脂部材９２には、フィラー９２ｂが含まれていることがある。
　図５は、フィラー９２ｂを含む樹脂部材９２の天面９２ａに設けられた刻印部８０の視認性を説明するための図である。なお、図５の（ａ）～（ｃ）は、樹脂部材９２の断面を表す断面図であり、（ｄ）は、樹脂部材９２の天面９２ａを表す平面図である。
　フィラー９２ｂは、樹脂部材９２の主成分であるマトリクス材料より硬く、図５の（ｂ）に示されるように、研磨後の樹脂部材９２の天面９２ａに、フィラー９２ｂが研磨されずに露出して残留することがある。露出したフィラー９２ｂは、脱離しやすいので、図５の（ｃ）に示されるように、脱離した部分が凹部９２ｃとして形成される。凹部９２ｃに重なるように、刻印部８０が形成された場合、刻印部８０の文字の一部が潰れて視認性が悪くなる。例えば、図５の（ｄ）に示されるように、刻印部８０が表す「５」の一部に凹部９２ｃが重なることで、「６」と誤認しやすくなる。
　これに対して、電力増幅器１０の天面１０ａは、Ｓｉ又はＧａＡｓなどの半導体基板の表面であるので、レーザ加工によって安定した深さで刻印部８０を形成することができる。フィラー９２ｂによる凹部９２ｃの発生もなく、視認性が高い刻印部８０が形成される。
　［４．効果など］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、主面９１ａを有するモジュール基板９１と、主面９１ａに配置された１以上の回路部品と、主面９１ａに配置され、１以上の回路部品の側面を覆う樹脂部材９２と、樹脂部材９２の天面９２ａ及び１以上の回路部品の天面に接触する金属シールド層９５と、１以上の回路部品の天面に設けられた刻印部８０と、を備える。
　これにより、金属シールド層９５と回路部品との接触面積が大きくなることにより、回路部品で発生した熱が金属シールド層９５に伝わりやすくなる。よって、放熱性に優れた高周波モジュール１が実現される。また、刻印部８０の凹凸によるアンカー効果によって金属シールド層９５の剥離が抑制され、信頼性及び耐久性の高い高周波モジュール１が実現される。
　また、例えば、刻印部８０は、１以上の回路部品の天面のみに設けられている。
　これにより、同一部材の表面に刻印部８０が設けられるので、均一な深さの溝及び／又は凹部を形成しやすくなる。よって、刻印部８０の視認性を高めることができる。仮に、異種部材にまたがって溝及び／又は凹部をレーザで形成する場合、レーザの出力を変更する必要が発生し、レーザ加工の工数が増加するので、刻印部８０の形成に要する時間が短くなる。同一部材の表面に刻印部８０を形成する場合には、レーザの出力を変更しなくてよく、レーザ加工の工数が減るので、短時間で視認性の高い刻印部８０を形成することができる。
　また、例えば、１以上の回路部品は、主面９１ａの平面視において、主面９１ａの中心よりも主面９１ａの端の近くに配置されている。
　これにより、高周波モジュール１の偏った位置に刻印部８０が配置されることにより、高周波モジュール１の向きの判定に刻印部８０を利用することができる。
　また、例えば、１以上の回路部品は、送信信号を増幅する電力増幅器１０を含む。例えば、１以上の回路部品は、高周波帯域に通過帯域を有するフィルタを含んでもよい。
　これにより、発熱しやすい部品の放熱性を高めることができる。
　また、例えば、樹脂部材９２は、フィラーを含む。
　これにより、刻印部８０の視認性を高めることができる。
　また、例えば、１以上の回路部品の天面は、樹脂部材９２の天面と面一である。
　これにより、樹脂部材９２の天面９２ａと回路部品の天面とを金属シールド層９５が段差なく滑らかに覆うことができる。凹凸が減り、均一な膜厚でシールド効果の高い金属シールド層９５を形成することができる。
　また、例えば、刻印部８０は、文字、図形、記号又は二次元コードを含む。
　これにより、文字などによって容易に所定の情報を人に知らせることができる。また、二次元コードを利用することで、より多くの情報を人に知らせることができる。
　また、本実施の形態に係る通信装置５は、アンテナ２で送受信される高周波信号を処理するＲＦＩＣ３と、アンテナ２とＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送する高周波モジュール１と、を備える。
　これにより、放熱性に優れた高周波モジュール１を備える通信装置５を実現することができる。
　［５．変形例］
　ここで、実施の形態の変形例について説明する。以下の説明では、実施の形態との相違点を中心に説明を行い、共通点の説明を省略又は簡略化する。
　［５－１．変形例１］
　実施の形態では、刻印部８０の全体が電力増幅器１０の天面１０ａに設けられている例を示したが、これに限らない。図６に示されるように、変形例１では、刻印部８０の一部が樹脂部材９２の天面９２ａに設けられている。
　図６は、実施の形態の変形例１に係る高周波モジュール１Ａの刻印部８０の配置を示す平面図である。図６に示されるように、刻印部８０は、電力増幅器１０の天面１０ａに設けられた第１部分８１と、樹脂部材９２の天面９２ａに設けられた第２部分８２と、を含んでいる。
　第１部分８１は、「１」の１文字を含んでいる。第２部分８２は、「２３４」の３文字を含んでいる。第１部分８１と第２部分８２とを合わせることで、１つの情報（例えば、型番）を表している。
　なお、第１部分８１及び第２部分８２に含まれる文字数は、同じでなくてもよく、異なっていてもよい。第１部分８１及び第２部分８２の各々は、１文字以上の文字を含んでいる。あるいは、第１部分８１及び第２部分８２の少なくとも一方は、文字ではなく、又は、文字の代わりに、図形、記号若しくは二次元コードを含んでもよい。
　以上のように、本変形例に係る高周波モジュール１Ａでは、刻印部８０は、１以上の回路部品の天面と樹脂部材９２の天面９２ａとに設けられている。
　これにより、刻印部８０の配置の自由度を高めることができる。また、平面視形状が小さい回路部品であっても、刻印部８０の一部を設けることで放熱性を高めることができる。
　なお、刻印部８０のうち、樹脂部材９２の天面９２ａに設けられた第２部分８２は、樹脂部材９２に天面が覆われた回路部品に接していてもよい。つまり、第２部分８２の溝及び／又は凹部の底が、回路部品の天面であってもよい。例えば、レーザ加工によって樹脂部材９２を研削し、回路部品の天面を露出させるように刻印部８０を形成してもよい。
　この場合、金属シールド層９５は、刻印部８０を介して回路部品の天面に接する。例えば、刻印部８０が接する回路部品は、整合回路３１、３２、４１又は４２である。当該回路部品の天面及び側面には、グランド電位に接続された金属層が設けられていてもよい。これにより、金属シールド層９５に対するグランドを強化することができる。
　［５－２．変形例２］
　実施の形態では、刻印部８０の全体が１つの回路部品（電力増幅器１０）の天面に設けられている例を示したが、これに限らない。図７に示されるように、変形例２では、複数の回路部品の天面にまたがって刻印部８０が設けられている。
　図７は、実施の形態の変形例２に係る高周波モジュール１Ｂの刻印部８０の配置を示す平面図である。図７に示されるように、刻印部８０は、電力増幅器１０の天面１０ａに設けられた第１部分８１と、送信フィルタ６１Ｔの天面６１Ｔａに設けられた第２部分８２と、を含んでいる。
　以上のように、本変形例に係る高周波モジュール１Ｂでは、刻印部８０は、複数の回路部品の各々の天面に設けられている。
　これにより、樹脂部材９２には刻印部８０が設けられないので、フィラー９２ｂの影響を受けずに、刻印部８０の視認性を高めることができる。また、１つの回路部品には刻印部８０の全体が形成できない場合でも、複数の回路部品に分けて形成することができるので、複数の回路部品の各々の放熱性を高めることができる。
　（その他）
　以上、本発明に係る高周波モジュール及び通信装置について、上記の実施の形態などに基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではない。
　例えば、金属シールド層９５の厚みは、刻印部８０の深さよりも厚くてもよい。また、例えば、金属シールド層９５は刻印部８０の少なくとも一部を覆っていなくてもよい。
　また、例えば、電力増幅器１０、送信フィルタ６１Ｔ及び６２Ｔの少なくとも１つは、樹脂部材９２に覆われていてもよい。つまり、金属シールド層９５に接する回路部品の種別は特に限定されない。
　また、例えば、高周波モジュールに含まれる複数の回路部品の、モジュール基板９１の主面９１ａ及び９１ｂへの配置の振り分けは特に限定されない。例えば、ＰＡ制御回路１１は主面９１ａに配置されていてもよく、送信フィルタ６１Ｔ又は６２Ｔが主面９１ｂに配置されていてもよい。あるいは、全ての回路部品が主面９１ａに配置されていてもよく、主面９１ｂには回路部品が配置されていなくてもよい。
　また、例えば、高周波モジュールは、主面９１ｂを覆う樹脂部材９３を備えなくてもよい。また、例えば、外部接続端子１５０は、バンプ電極であってもよく、平面電極であってもよい。
　また、例えば、樹脂部材９２に覆われていない回路部品の天面と、樹脂部材９２の天面９２ａとは面一でなくてもよい。例えば、電力増幅器１０の天面１０ａと樹脂部材９２の天面９２ａとには段差が設けられていてもよい。
　その他、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
　本発明は、マルチバンド対応のフロントエンド部に配置される高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器などに広く利用することができる。
１、１Ａ、１Ｂ　高周波モジュール
２　アンテナ
３　ＲＦＩＣ
４　ＢＢＩＣ
５　通信装置
１０　電力増幅器
１０ａ、６１Ｔａ、６２Ｔａ、９２ａ　天面
１１　ＰＡ制御回路
２０　低雑音増幅器
３１、３２、４１、４２　整合回路
５１、５２、５３　スイッチ
６１、６２　デュプレクサ
６１Ｒ、６２Ｒ　受信フィルタ
６１Ｔ、６２Ｔ　送信フィルタ
７０　半導体集積回路
８０　刻印部
８１　第１部分
８２　第２部分
９１　モジュール基板
９１ａ、９１ｂ　主面
９２、９３　樹脂部材
９２ｂ　フィラー
９２ｃ　凹部
９５　金属シールド層
１００　アンテナ接続端子
１１０　高周波入力端子
１１１　制御入力端子
１２０　高周波出力端子
１５０　外部接続端子

Claims (11)

  1. 　主面を有するモジュール基板と、
    　前記主面に配置された１以上の回路部品と、
    　前記主面に配置され、前記１以上の回路部品の側面を覆う樹脂部材と、
    　前記樹脂部材の天面及び前記１以上の回路部品の天面に接触する金属層と、
    　前記１以上の回路部品の天面に設けられた刻印部と、を備える、
    　高周波モジュール。
  2. 　前記刻印部は、前記１以上の回路部品の天面のみに設けられている、
    　請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 　前記刻印部は、前記１以上の回路部品の天面と前記樹脂部材の天面とに設けられている、
    　請求項１に記載の高周波モジュール。
  4. 　前記１以上の回路部品は、複数の回路部品であり、
    　前記刻印部は、前記複数の回路部品の各々の天面に設けられている、
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  5. 　前記１以上の回路部品は、前記主面の平面視において、前記主面の中心よりも前記主面の端の近くに配置されている、
    　請求項１～４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  6. 　前記１以上の回路部品は、高周波帯域に通過帯域を有するフィルタを含む、
    　請求項１～５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  7. 　前記１以上の回路部品は、送信信号を増幅する電力増幅器を含む、
    　請求項１～６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  8. 　前記樹脂部材は、フィラーを含む、
    　請求項１～７のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  9. 　前記１以上の回路部品の天面は、前記樹脂部材の天面と面一である、
    　請求項１～８のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  10. 　前記刻印部は、文字、図形、記号又は二次元コードを含む、
    　請求項１～９のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  11. 　アンテナで送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、
    　前記アンテナと前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝送する、請求項１～１０のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、を備える、
    　通信装置。
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