CN116438647A - 高频模块以及通信装置 - Google Patents

Abstract

高频模块(1)具备：模块基板(91)，具有主面(91a)；一个以上的电路部件，配置于主面(91a)；树脂构件(92)，配置于主面(91a)，对一个以上的电路部件的侧面进行覆盖；金属屏蔽层(95)，与树脂构件(92)的顶面(92a)以及一个以上的电路部件的顶面接触；以及刻印部(80)，设置于一个以上的电路部件的顶面。

Description

高频模块以及通信装置

技术领域

本发明涉及高频模块以及通信装置。

背景技术

在专利文献1中公开了一种模块，该模块具备模块基板、安装于模块基板的安装面的电子部件、以及对电子部件的侧面进行覆盖的树脂层。电子部件的上表面与金属膜接触，在电子部件产生的热经由金属膜而被散热。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2014/013831号

发明内容

发明要解决的问题

在高频模块中，希望进一步提高散热性。

本发明的目的在于提供散热性优异的高频模块以及通信装置。

用于解决问题的手段

本发明的一个方式所涉及的高频模块具备：模块基板，具有主面；一个以上的电路部件，配置于主面；树脂构件，配置于主面，对一个以上的电路部件的侧面进行覆盖；金属层，与树脂构件的顶面以及一个以上的电路部件的顶面接触；以及刻印部，设置于一个以上的电路部件的顶面。

本发明的一个方式所涉及的通信装置具备：RF信号处理电路，处理由天线收发的高频信号；以及上述一个方式所涉及的高频模块，在天线与RF信号处理电路之间传输高频信号。

发明效果

根据本发明，能够提供散热性优异的高频模块以及通信装置。

附图说明

图1是实施方式所涉及的高频模块以及通信装置的电路图。

图2A是示出实施方式所涉及的高频模块的部件配置的俯视图。

图2B是示出实施方式所涉及的高频模块的部件配置的俯视图。

图3是实施方式所涉及的高频模块的剖视图。

图4是示出实施方式所涉及的高频模块的刻印部的配置的俯视图。

图5是用于说明设置于包括填料的树脂构件的顶面的刻印部的可见性的图。

图6是示出实施方式的变形例1所涉及的高频模块的刻印部的配置的俯视图。

图7是示出实施方式的变形例2所涉及的高频模块的刻印部的配置的俯视图。

具体实施方式

以下，针对本发明的实施方式所涉及的高频模块以及通信装置，使用附图来详细进行说明。另外，以下说明的实施方式均示出本发明的一个具体例子。因此，以下的实施方式所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式、步骤、步骤的顺序等是一例，并非意在限定本发明。因此，关于以下的实施方式中的构成要素之中未记载在独立权利要求的构成要素，作为任意的构成要素来进行说明。

此外，各图是示意图，未必严谨地进行了图示。因此，例如，在各图中比例尺等未必一致。此外，在各图中，针对实质上相同的结构标注相同的附图标记，省略或简化重复的说明。

此外，在本说明书中，平行或者正交等表示要素间的关系性的用语、矩形等表示要素的形状的用语、以及数值范围不是仅表示严格的意义的表述，而是意味着还包括实质上等同的范围、例如百分之几左右的差异的表述。

此外，在本说明书中，用语“上方”以及“下方”，不是指绝对的空间认知中的上方向(铅垂上方)以及下方向(铅垂下方)，而是作为根据层叠结构中的层叠顺序由相对的位置关系所规定的用语来使用。因此，例如，部件或者构件的“上表面”，在实际的使用方式中，不仅可以是铅垂上方侧的面，还可以是铅垂下方侧的面、或者与水平方向正交的面等的各种面。

此外，在本说明书以及附图中，x轴、y轴以及z轴表示三维正交坐标系的三轴。在模块基板的俯视形状为矩形的情况下，x轴以及y轴分别是与该矩形的第1边以及与该第1边正交的第2边平行的方向。z轴是模块基板的厚度方向。另外，在本说明书中，模块基板的“厚度方向”，是指与模块基板的主面垂直的方向。

此外，在本说明书中，“连接”不仅包括利用连接端子以及/或者布线导体直接连接的情况，还包括经由其他电路元件而电连接的情况。此外，“连接在A与B之间”，是指在A与B之间连接于A以及B双方。

此外，在本发明的部件配置中，“模块基板的俯视”，是指将物体从z轴正侧正投影到xy平面来观察。此外，“部件配置于基板”，除了部件以与基板接触的状态配置于基板上的情况之外，还包括不与基板接触而配置于基板的上方的情况(例如，部件层叠在配置于基板上的其他部件上)、以及部件的一部分或全部埋入基板内而配置的情况。此外，“部件配置于基板的主面”，除了部件以与基板的主面接触的状态配置于主面上的情况之外，还包括部件不与主面接触而配置于主面的上方的情况、以及部件的一部分从主面侧埋入基板内而配置的情况。

此外，在本说明书中，“第1”、“第2”等序数词，在没有特别说明的情况下，不是指构成要素的数量或顺序，而是为了避免同种构成要素的混淆、进行区别而使用的。

(实施方式)

[1.高频模块以及通信装置的电路结构]

首先，针对实施方式所涉及的高频模块以及通信装置的电路结构，使用图1来进行说明。图1是实施方式所涉及的高频模块1以及通信装置5的电路图。

[1-1.通信装置的电路结构]

通信装置5是在通信系统使用的装置，例如是智能手机以及平板电脑等便携式终端。如图1所示，通信装置5具备高频模块1、天线2、RF信号处理电路(RFIC)3和基带信号处理电路(BBIC)4。

高频模块1在天线2与RFIC3之间传输高频信号。针对高频模块1的内部结构，后面进行说明。

天线2与高频模块1的天线连接端子100连接，发送从高频模块1输出的高频信号(发送信号)，此外，从外部接收高频信号(接收信号)向高频模块1输出。

RFIC3是处理由天线2收发的高频信号的信号处理电路的一例。具体而言，RFIC3对经由高频模块1的接收路径而输入的高频接收信号通过下变频等进行信号处理，向BBIC4输出进行该信号处理而生成的接收信号。此外，RFIC3对从BBIC4输入的发送信号通过上变频等进行信号处理，将进行该信号处理而生成的高频发送信号输出到高频模块1的发送路径。此外，RFIC3具有对高频模块1具有的开关以及放大器等进行控制的控制部。另外，作为RFIC3的控制部的功能的一部分或者全部，也可以安装在RFIC3的外部，例如，也可以安装在BBIC4或者高频模块1。

BBIC4是使用比高频模块1传输的高频信号低频的中间频带进行信号处理的基带信号处理电路。由BBIC4处理过的信号，例如，被用作用于图像显示的图像信号、以及/或者、用于经由扬声器的通话的声音信号。

另外，在本实施方式所涉及的通信装置5中，天线2以及BBIC4不是必须的构成要素。

[1-2.高频模块的电路结构]

接下来，说明高频模块1的电路结构。如图1所示，高频模块1具备功率放大器10、PA控制电路11、低噪声放大器20、匹配电路31、32、41及42、开关51～53和双工器61及62。此外，高频模块1具备天线连接端子100、控制输入端子111、高频输入端子110和高频输出端子120。

天线连接端子100连接于天线2。

控制输入端子111是用于接受用于控制功率放大器10的增益、以及向功率放大器10供给的电源电压及偏置电压的数字信号的端子。例如，控制输入端子111是MIPI(MobileIndustry Processor Interface，移动行业处理器接口)端子，从RFIC3接受数字信号。

高频输入端子110是用于从高频模块1的外部接受高频发送信号的端子。在本实施方式中，高频输入端子110是用于从RFIC3接受通信频段A及B的发送信号的端子。

高频输出端子120是用于向高频模块1的外部提供高频接收信号的端子。在本实施方式中，高频输出端子120是用于向RFIC3提供通信频段A及B的接收信号的端子。

另外，通信频段是指由标准化团体等(例如3GPP(3rd Generation PartnershipProject，第三代合作伙伴计划)以及IEEE(Institute ofElectrical and ElectronicsEngineers，电气与电子工程师协会)等)为通信系统预先定义的频段。这里，通信系统是指使用无线接入技术(RAT：Radio Access Technology)构筑的通信系统。作为通信系统，例如能够使用5GNR(5thGeneration New Radio，第五代新空口)系统、LTE(Long TermEvolution，长期演进)系统以及WLAN(Wireless Local Area Network，无线局域网)系统等，但是不限于此。

通信频段A及B是相互不同的通信频段。在本实施方式中，作为通信频段A及B，分别使用了频分双工(FDD：Frequency Division Duplex)用的通信频段。另外，作为通信频段A及B的至少一方，也可以使用时分双工(TDD：Time Division Duplex)用的通信频段。

功率放大器10能够放大通信频段A及B的发送信号。这里，功率放大器10的输入端子与高频输入端子110连接，功率放大器10的输出端子与开关52连接。

功率放大器10的结构没有特别限定。例如，功率放大器10可以是单级结构，也可以是多级结构。例如，功率放大器10也可以具有级联连接的多个放大元件。此外，功率放大器10也可以将高频信号变换为平衡信号而进行放大。这种功率放大器10有时被称为差动放大器。另外，平衡信号是指具有彼此相反的相位的信号的组。平衡信号也有时被称为差动信号。

PA控制电路11是对功率放大器10进行控制的控制电路的一例。PA控制电路11基于经由控制输入端子111而输入的数字信号，控制功率放大器10的增益。

PA控制电路11例如是一个半导体集成电路。半导体集成电路例如包括CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)，具体而言，通过SOI(Silicon on Insulator，绝缘体上硅)工艺而构成。据此，能够便宜地制造半导体集成电路。另外，半导体集成电路也可以包括GaAs、SiGe及GaN中的至少一个。

低噪声放大器20能够放大在天线连接端子100接受的通信频段A及B的接收信号。这里，低噪声放大器20的输入端子与开关53连接，低噪声放大器20的输出端子与高频输出端子120连接。

低噪声放大器20的结构没有特别限定。例如，低噪声放大器20可以是单级结构，也可以是多级结构。

另外，功率放大器10以及低噪声放大器20例如包括Si系的CMOS、或者、以GaAs为材料的场效应晶体管(FET)或异质结双极晶体管(HBT)等。

双工器61是具有包括通信频段A的通带的滤波器的一例。双工器61使通信频段A的高频信号通过。双工器61以FDD方式传输通信频段A的发送信号和接收信号。双工器61包括发送滤波器61T以及接收滤波器61R。

发送滤波器61T具有包括通信频段A的上行链路工作频段(uplink operatingband)的通带。发送滤波器61T的一端经由开关51而与天线连接端子100连接。发送滤波器61T的另一端经由匹配电路31以及开关52而与功率放大器10的输出端子连接。

上行链路工作频段是指被指定为上行链路用的通信频段的一部分。在高频模块1中，上行链路工作频段是指发送频带。

接收滤波器61R具有包括通信频段A的下行链路工作频段(downlink operatingband)的通带。接收滤波器61R的一端经由开关51而与天线连接端子100连接。接收滤波器61R的另一端经由匹配电路41以及开关53而与低噪声放大器20的输入端子连接。

下行链路工作频段是指被指定为下行链路用的通信频段的一部分。在高频模块1中，下行链路工作频段是指接收频带。

双工器62是具有包括通信频段B的通带的滤波器的一例。双工器62使通信频段B的高频信号通过。双工器62以FDD方式传输通信频段B的发送信号和接收信号。双工器62包括发送滤波器62T以及接收滤波器62R。

发送滤波器62T是具有包括通信频段B的上行链路工作频段的通带。发送滤波器62T的一端经由开关51而与天线连接端子100连接。发送滤波器62T的另一端经由匹配电路32以及开关52而与功率放大器10的输出端子连接。

接收滤波器62R具有包括通信频段B的下行链路工作频段的通带。接收滤波器62R的一端经由开关51而与天线连接端子100连接。接收滤波器62R的另一端经由匹配电路42以及开关53而与低噪声放大器20的输入端子连接。

发送滤波器61T及62T、以及接收滤波器61R及62R例如是使用了SAW(SurfaceAcoustic Wave，声表面波)的弹性波滤波器、使用了BAW(Bulk Acoustic Wave，体声波)的弹性波滤波器、LC谐振滤波器以及电介质滤波器的任一种，但是不限于此。

开关51连接在天线连接端子100与双工器61及62各自之间。开关51也被称为天线开关。开关51例如基于来自RFIC3的控制信号，切换(a)天线连接端子100与发送滤波器61T及接收滤波器61R的连接、以及(b)天线连接端子100与发送滤波器62T及接收滤波器62R的连接。开关51例如是SPDT(Single Pole Double Throw，单刀双掷)型的开关电路。另外，开关51也可以是能够同时执行上述(a)以及(b)的连接的多连接型的开关电路。

开关52连接在双工器61及62各自与功率放大器10之间。开关52例如基于来自RFIC3的控制信号，切换功率放大器10及发送滤波器61T的连接和功率放大器10及发送滤波器62T的连接。开关52例如是SPDT型的开关电路。

开关53连接在双工器61及62各自与低噪声放大器20之间。开关53例如基于来自RFIC3的控制信号，切换低噪声放大器20及接收滤波器61R的连接和低噪声放大器20及接收滤波器62R的连接。开关53例如是SPDT型的开关电路。

匹配电路31连接在发送滤波器61T与功率放大器10的输出端子之间。具体而言，匹配电路31经由开关52而与功率放大器10连接。匹配电路31取得发送滤波器61T与功率放大器10的阻抗匹配。

匹配电路32连接在发送滤波器62T与功率放大器10的输出端子之间。具体而言，匹配电路32经由开关52而与功率放大器10连接。匹配电路32取得发送滤波器62T与功率放大器10的阻抗匹配。

匹配电路41连接在接收滤波器61R与低噪声放大器20的输入端子之间。具体而言，匹配电路41经由开关53而与低噪声放大器20连接。匹配电路41取得接收滤波器61R与低噪声放大器20的阻抗匹配。

匹配电路42连接在接收滤波器62R与低噪声放大器20的输入端子之间。具体而言，匹配电路42经由开关53而与低噪声放大器20连接。匹配电路42取得接收滤波器62R与低噪声放大器20的阻抗匹配。

此外，匹配电路31、32、41及42分别使用电感器、电容器以及电阻中的至少一个而形成。例如，匹配电路31、32、41及42分别包括片状的电感器。

另外，也可以代替匹配电路31及32、或者除了匹配电路31及32之外，在开关52与功率放大器10的输出端子之间设置有匹配电路。此外，也可以代替匹配电路41及42、或者除了匹配电路41及42之外，在开关53与低噪声放大器20的输入端子之间设置有匹配电路。此外，也可以在开关51与双工器61或62之间设置有匹配电路。

在具有上述电路结构的高频模块1中，功率放大器10、开关52、匹配电路31以及发送滤波器61T构成向天线连接端子100输出通信频段A的发送信号的第1发送电路。此外，功率放大器10、开关52、匹配电路32以及发送滤波器62T构成向天线连接端子100输出通信频段B的发送信号的第2发送电路。

此外，低噪声放大器20、开关53、匹配电路41以及接收滤波器61R构成从天线2经由天线连接端子100输入通信频段A的接收信号的第1接收电路。此外，低噪声放大器20、开关53、匹配电路42以及接收滤波器62R构成从天线2经由天线连接端子100输入通信频段B的接收信号的第2接收电路。

根据上述电路结构，本实施方式所涉及的高频模块1能够执行如下动作的至少任一个：(1)通信频段A的高频信号的收发；(2)通信频段B的高频信号的收发；以及(3)通信频段A的高频信号和通信频段B的高频信号的同时发送、同时接收或者同时收发。

另外，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以发送电路以及接收电路不经由开关51而与天线连接端子100连接，上述发送电路以及上述接收电路也可以经由不同的端子而与天线2连接。

此外，图1所示的电路元件中的一些也可以不包括于高频模块1。例如，高频模块1也可以仅包括传输发送信号的发送电路，在该情况下，也可以不具备低噪声放大器20、匹配电路41及42、开关53、以及接收滤波器61R及62R。此外，高频模块1也可以仅包括传输接收信号的接收电路，在该情况下，也可以不具备功率放大器10、匹配电路31及32、开关52、以及发送滤波器61T及62T。此外，高频模块1也可以仅传输一个通信频段的高频信号，在该情况下，也可以不具备开关51、匹配电路32及42、以及双工器62。

[2.高频模块的部件配置]

接下来，使用图2A、图2B以及图3来说明高频模块1的部件配置的例子。

图2A以及图2B分别是表示本实施方式所涉及的高频模块1的部件配置的俯视图。图2A表示从z轴的正侧观察模块基板91的主面91a时的配置于主面91a的部件以及构件的配置。图2B表示从z轴的正侧观察模块基板91的主面91b时的配置于主面91b的部件以及构件的配置。另外，因为主面91b面向z轴的负侧，所以图2B是对位于模块基板91的主面91a侧的部件及构件、以及模块基板91进行透视而观察到的俯视图。

图3是本实施方式所涉及的高频模块1的剖视图。图3表示图2A以及图2B的III-III线处的截面。另外，在图3中，考虑图的易观察性，在模块基板91没有标注表示截面的阴影。

如图2A、图2B以及图3所示，除了图1所示的电路结构之外，高频模块1还具备刻印部80(参照图4)、模块基板91、树脂构件92及93、金属屏蔽层95和外部连接端子150。

模块基板91具有主面91a和主面91a的相反侧的主面91b。模块基板91在俯视时具有矩形状，但是模块基板91的形状不限于此。作为模块基板91，例如能够使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(LTCC：Low Temperature Co-fired Ceramics)基板、高温共烧陶瓷(HTCC：High Temperature Co-fired Ceramics)基板、部件内置基板、具有重布线层(RDL：Redistribution Layer)的基板、或者印刷基板等，但是不限于此。

主面91a有时被称为上表面或表面。在主面91a，配置有一个以上的电路部件。一个以上的电路部件分别是表面安装部件(SMD：SurfaceMount Device)。具体而言，电路部件是集成电路(IC：Integrated Circuit)、集成无源器件(IPD：Integrated Passive Device)、或者片式电感器或片式电容器等单个无源部件等。在本实施方式中，如图2A所示，配置于主面91a的多个电路部件分别是功率放大器10、匹配电路31、32、41及42、开关51、发送滤波器61T及62T和接收滤波器61R。另外，匹配电路31、32、41及42例如是片式电感器。

主面91b有时被称为下表面或背面。在主面91b，配置有一个以上的电路部件。在本实施方式中，如图2B所示，配置于主面91b的多个电路部件分别是PA控制电路11、开关52、接收滤波器62R和包括低噪声放大器20及开关53的半导体集成电路70。而且，在主面91b，配置有多个外部连接端子150。

半导体集成电路70是具有在半导体芯片(也被称为裸片)的表面以及内部形成的电子电路的电子部件。在图2B所示的例子中，半导体集成电路70包括低噪声放大器20和开关53。半导体集成电路70例如包括CMOS，具体而言，也可以通过SOI工艺而构成。据此，能够便宜地制造半导体集成电路70。另外，半导体集成电路70也可以包括GaAs、SiGe以及GaN中的至少一个。据此，能够实现高质量的半导体集成电路70。

多个外部连接端子150包括图1所示的天线连接端子100、控制输入端子111、高频输入端子110以及高频输出端子120。此外，多个外部连接端子150包括接地端子。多个外部连接端子150分别与配置于高频模块1的z轴负侧的母基板上的输入输出端子以及/或者接地端子等连接。多个外部连接端子150是将对主面91b进行覆盖的树脂构件93贯穿的柱状电极。

树脂构件92配置于模块基板91的主面91a上，对主面91a和配置于主面91a的一个以上的电路部件的侧面进行覆盖。在本实施方式中，树脂构件92还对配置于主面91a的多个电路部件中的一个以上的电路部件的顶面进行覆盖。具体而言，树脂构件92对匹配电路31、32、41及42、开关51以及接收滤波器61R各自的顶面进行覆盖。功率放大器10以及发送滤波器61T及62T的顶面未被树脂构件92覆盖而露出。另外，“对面进行覆盖”是指对面的至少一部分进行覆盖，不仅是指对面的全部进行覆盖的情况，还指仅对面的一部分进行覆盖的情况。

另外，顶面相当于电路部件具有的多个主面中的与模块基板91侧的主面相反侧的主面。例如，配置于主面91a的电路部件的顶面，相当于该电路部件的上表面(z轴的正侧的主面)。关于树脂构件92的顶面，也是同样的。

树脂构件93配置于模块基板91的主面91b上，对主面91b和配置于主面91b的一个以上的电路部件的侧面进行覆盖。具体而言，树脂构件92对配置于主面91b的各电路部件的侧面以及顶面(下表面)进行覆盖。另外，配置于主面91b的多个电路部件的至少一个，也可以未被树脂构件93覆盖。

金属屏蔽层95与树脂构件92的顶面92a和配置于主面91a的一个以上的电路部件的顶面接触。具体而言，如图3所示，金属屏蔽层95与功率放大器10的顶面10a、发送滤波器61T的顶面61Ta、以及发送滤波器62T的顶面62Ta(参照图4)接触。在本实施方式中，金属屏蔽层95与树脂构件92的顶面92a、功率放大器10的顶面10a、发送滤波器61T的顶面61Ta、发送滤波器62T的顶面62Ta、以及树脂构件92、模块基板91及树脂构件93各自的侧面接触而将它们覆盖。

金属屏蔽层95例如是通过溅射法而形成的金属薄膜。例如，金属屏蔽层95在模块基板91的侧面与设置于模块基板91的主面91a、内部或主面91b的接地电极图案电连接。据此，金属屏蔽层95被设定为接地电位，抑制外来噪声侵入高频模块1所包括的电路部件。

高频模块1例如在模块基板91的主面91a配置了各电路部件后，使用液状树脂对电路部件以及主面91a的整体进行模制。此时，使顶面露出的电路部件(具体而言，功率放大器10以及发送滤波器61T及62T)的顶面也可以被液状树脂覆盖。在使液状树脂固化后，对固化了的树脂进行研磨。此时，也可以对功率放大器10以及发送滤波器61T及62T的一部分也同时进行研磨。据此，能够使功率放大器10的顶面10a、发送滤波器61T的顶面61Ta、发送滤波器62T的顶面62Ta和树脂构件92的顶面92a齐平。

之后，在功率放大器10的顶面10a形成刻印部80后，利用溅射形成金属膜，使得对功率放大器10的顶面10a、发送滤波器61T的顶面61Ta、发送滤波器62T的顶面62Ta和树脂构件92的顶面92a及侧面进行覆盖。据此，形成金属屏蔽层95。

[3.刻印部]

接下来，使用图4来说明高频模块1具备的刻印部80。

图4是示出本实施方式所涉及的高频模块1的刻印部80的俯视图。具体而言，图4透视了金属屏蔽层95的顶面部分而表示树脂构件92的顶面92a。功率放大器10的顶面10a、发送滤波器61T的顶面61Ta以及发送滤波器62T的顶面62Ta未被树脂构件92覆盖。此外，在图4中，用虚线表示图2A所示的电路部件中的顶面被树脂构件92覆盖的部件。

刻印部80示出关于高频模块1的给定信息。给定信息是高频模块1的型号、制造时的批号、以及/或者、制造商名称等。刻印部80包括文字、图形或者符号。文字是字母或数字，但也可以是平假名、片假名或汉字等。在图4所示的例子中，刻印部80包括“1234”这四个文字。

另外，刻印部80也可以包括二维码。二维码例如是QR码(注册商标)。例如，二维码表示URL(Uniform Resource Locator，统一资源定位符)等，URL示出Web页，Web页提示关于高频模块1的信息。

刻印部80设置在配置于主面91a的一个以上的电路部件的顶面。在本实施方式中，如图4所示，刻印部80仅设置于功率放大器10的顶面10a。刻印部80由设置于功率放大器10的顶面10a的槽以及/或者凹部形成。例如，刻印部80是沿着文字的线而形成的多个槽。刻印部80例如通过对功率放大器10的顶面10a照射激光，削去功率放大器10的基板的一部分而形成。另外，刻印部80也可以是通过削去文字的线以外的部分从而浮起的文字(凸部)。

在本实施方式中，设置有金属屏蔽层95，使得覆盖刻印部80。形成刻印部80的槽以及/或者凹部的深度比金属屏蔽层95的厚度长。刻印部80的槽以及/或者凹部的深度例如为20μm以上且30μm以下。相对于此，金属屏蔽层95的厚度例如是10μm左右。金属屏蔽层95由均匀的膜厚形成，使得追随刻印部80的凹凸形状。因此，在金属屏蔽层95的表面(上表面)，形成与刻印部80同等的凹凸。据此，刻印部80即使被金属屏蔽层95覆盖了，也能够从外部可见。

通过在顶面10a设置刻印部80，从而功率放大器10的顶面10a的表面积变大。据此，与接触于顶面10a的金属屏蔽层95的接触面积变大。通过接触面积变大，从而在功率放大器10产生的热容易传递到金属屏蔽层95，可以提高散热性。

此外，通过基于刻印部80的凹凸的锚固效应，从而金属屏蔽层95与功率放大器10的密接性提高。据此，可以抑制金属屏蔽层95的剥离，可以实现可靠性以及耐久性高的高频模块1。

设置有刻印部80的功率放大器10在俯视时配置在相较于模块基板91的主面91a的中心更靠近主面91a的端缘的位置。具体而言，功率放大器10与主面91a的端缘的最短距离，比功率放大器10与主面91a的中心的最短距离短。另外，“A与B的最短距离”是指A中的最靠近B的部位与B中的最靠近A的部位的距离。此外，主面91a的端缘是俯视时的主面91a的轮廓上的一点。例如，功率放大器10被配置在相较于主面91a的中心更靠近主面91a的四个角(顶点)中的一个角的位置。

如此，通过将刻印部80配置于高频模块1的偏的位置，能够在高频模块1的方向的判定中利用刻印部80。

另外，刻印部80也可以设置于发送滤波器61T的顶面61Ta或者发送滤波器62T的顶面62Ta。顶面61Ta或者62Ta是SAW滤波器的支承基板的表面或者盖构件的表面。

此外，由于刻印部80未被设置于树脂构件92，从而能够提高刻印部80的可见性。如图5的(a)所示，有时树脂构件92包括填料92b。

图5是用于说明设置于包括填料92b的树脂构件92的顶面92a的刻印部80的可见性的图。另外，图5的(a)～(c)是表示树脂构件92的截面的剖视图，(d)是表示树脂构件92的顶面92a的俯视图。

填料92b比树脂构件92的主成分即基质材料硬，如图5的(b)所示，在研磨后的树脂构件92的顶面92a，有时填料92b未被研磨而露出并残留。露出的填料92b容易脱离，所以如图5的(c)所示，脱离了的部分形成为凹部92c。在形成了刻印部80，使得与凹部92c重叠的情况下，刻印部80的文字的一部分坍塌从而可见性变差。例如，如图5的(d)所示，由于凹部92c与刻印部80表示的“5”的一部分重叠，从而变得容易误认为“6”。

相对于此，因为功率放大器10的顶面10a是Si或者GaAs等的半导体基板的表面，所以通过激光加工能够以稳定的深度形成刻印部80。也不会产生由填料92b引起的凹部92c，可以形成可见性高的刻印部80。

[4.效果等]

如上所述，本实施方式所涉及的高频模块1具备：模块基板91，具有主面91a；一个以上的电路部件，配置于主面91a；树脂构件92，配置于主面91a，对一个以上的电路部件的侧面进行覆盖；金属屏蔽层95，与树脂构件92的顶面92a以及一个以上的电路部件的顶面接触；以及刻印部80，设置于一个以上的电路部件的顶面。

据此，通过金属屏蔽层95与电路部件的接触面积变大，从而在电路部件产生的热容易传递到金属屏蔽层95。因此，可以实现散热性优异的高频模块1。此外，通过基于刻印部80的凹凸的锚固效应，可以抑制金属屏蔽层95的剥离，可以实现可靠性以及耐久性高的高频模块1。

此外，例如，刻印部80仅设置于一个以上的电路部件的顶面。

据此，因为在同一构件的表面设置刻印部80，所以容易形成均匀的深度的槽以及/或者凹部。因此，能够提高刻印部80的可见性。假设在利用激光跨异种构件而形成槽以及/或者凹部的情况下，需要变更激光的输出，激光加工的工时增加，所以形成刻印部80所需要的时间变短。在同一构件的表面形成刻印部80的情况下，不用变更激光的输出，激光加工的工时减少，所以能够以短时间形成可见性高的刻印部80。

此外，例如，一个以上的电路部件在主面91a的俯视时配置在相较于主面91a的中心更靠近主面91a的端缘的位置。

据此，通过将刻印部80配置于高频模块1的偏的位置，能够在高频模块1的方向的判定中利用刻印部80。

此外，例如，一个以上的电路部件包括放大发送信号的功率放大器10。例如，一个以上的电路部件也可以包括在高频频带具有通带的滤波器。

据此，能够提高容易发热的部件的散热性。

此外，例如，树脂构件92包括填料。

据此，能够提高刻印部80的可见性。

此外，例如，一个以上的电路部件的顶面与树脂构件92的顶面齐平。

据此，金属屏蔽层95能够无阶差地平滑地对树脂构件92的顶面92a和电路部件的顶面进行覆盖。能够减少凹凸，以均匀的膜厚形成屏蔽效果高的金属屏蔽层95。

此外，例如，刻印部80包括文字、图形、符号或者二维码。

据此，能够通过文字等容易地向人通知给定信息。此外，通过利用二维码，能够向人通知更多的信息。

此外，本实施方式所涉及的通信装置5具备：RFIC3，处理由天线2收发的高频信号；以及高频模块1，在天线2与RFIC3之间传输高频信号。

据此，能够实现具备散热性优异的高频模块1的通信装置5。

[5.变形例]

这里，对实施方式的变形例进行说明。在以下的说明中，以与实施方式的不同点为中心进行说明，省略或简化共同点的说明。

[5-1.变形例1]

在实施方式中，示出了刻印部80的整体被设置于功率放大器10的顶面10a的例子，但是不限于此。如图6所示，在变形例1中，刻印部80的一部分设置于树脂构件92的顶面92a。

图6是示出实施方式的变形例1所涉及的高频模块1A的刻印部80的配置的俯视图。如图6所示，刻印部80包括：第1部分81，设置于功率放大器10的顶面10a；以及第2部分82，设置于树脂构件92的顶面92a。

第1部分81包括“1”这一个文字。第2部分82包括“234”这三个文字。通过将第1部分81和第2部分82合在一起来表示一个信息(例如，型号)。

另外，第1部分81以及第2部分82所包括的文字数也可以不相同，也可以不同。第1部分81以及第2部分82分别包括一个文字以上的文字。或者，第1部分81以及第2部分82的至少一方，也可以不是文字或者代替文字而包括图形、符号或二维码。

如上所述，在本变形例所涉及的高频模块lA中，刻印部80设置于一个以上的电路部件的顶面和树脂构件92的顶面92a。

据此，能够提高刻印部80的配置自由度。此外，即使是俯视形状较小的电路部件，也能够通过设置刻印部80的一部分而提高散热性。

另外，刻印部80中的设置于树脂构件92的顶面92a的第2部分82，也可以与被树脂构件92覆盖了顶面的电路部件相接。也就是说，第2部分82的槽以及/或者凹部的底也可以是电路部件的顶面。例如，也可以通过激光加工而磨削树脂构件92，形成刻印部80，使得电路部件的顶面露出。

在该情况下，金属屏蔽层95经由刻印部80而与电路部件的顶面相接。例如，刻印部80相接的电路部件是匹配电路31、32、41或42。在该电路部件的顶面以及侧面，也可以设置与接地电位连接的金属层。据此，能够加强对于金属屏蔽层95的接地。

[5-2.变形例2]

在实施方式中，示出了刻印部80的整体被设置于一个电路部件(功率放大器10)的顶面的例子，但是不限于此。如图7所示，在变形例2中，跨多个电路部件的顶面而设置有刻印部80。

图7是示出实施方式的变形例2所涉及的高频模块1B的刻印部80的配置的俯视图。如图7所示，刻印部80包括：第1部分81，设置于功率放大器10的顶面10a；以及第2部分82，设置于发送滤波器61T的顶面61Ta。

如上所述，在本变形例所涉及的高频模块1B中，刻印部80设置于多个电路部件各自的顶面。

据此，因为刻印部80未设置于树脂构件92，所以能够不受到填料92b的影响而提高刻印部80的可见性。此外，即使在刻印部80的整体不能形成于一个电路部件的情况下，也能够分开形成于多个电路部件，所以能够提高多个电路部件各自的散热性。

(其他)

以上，针对本发明所涉及的高频模块以及通信装置，基于上述实施方式等进行了说明，但是本发明不限于上述实施方式。

例如，金属屏蔽层95的厚度也可以比刻印部80的深度厚。此外，例如，金属屏蔽层95也可以不覆盖刻印部80的至少一部分。

此外，例如，功率放大器10、发送滤波器61T及62T的至少一个也可以被树脂构件92覆盖。也就是说，与金属屏蔽层95相接的电路部件的种类没有特别限定。

此外，例如，高频模块所包括的多个电路部件的向模块基板91的主面91a及91b的配置的分配没有特别限定。例如，PA控制电路11也可以配置于主面91a，发送滤波器61T或62T也可以配置于主面91b。或者，全部电路部件也可以配置于主面91a，在主面91b也可以不配置电路部件。

此外，例如，高频模块也可以不具备对主面91b进行覆盖的树脂构件93。此外，例如，外部连接端子150可以是凸块电极，也可以是平面电极。

此外，例如，未被树脂构件92覆盖的电路部件的顶面和树脂构件92的顶面92a也可以不齐平。例如，也可以在功率放大器10的顶面10a和树脂构件92的顶面92a设置有阶差。

另外，对各实施方式实施本领域的技术人员想到的各种变形而得到的方式、在不脱离本发明的主旨的范围内将各实施方式中的构成要素以及功能任意组合而实现的方式也包括在本发明中。

产业上的可利用性

本发明作为配置于应对多频段的前端部的高频模块，能够广泛用于便携式电话等通信设备等。

附图标记说明

1、1A、1B高频模块

2天线

3RFIC

4BBIC

5通信装置

10功率放大器

10a、61Ta、62Ta、92a顶面

11PA控制电路

20低噪声放大器

31、32、41、42匹配电路

51、52、53开关

61、62双工器

61R、62R接收滤波器

61T、62T发送滤波器

70半导体集成电路

80刻印部

81第1部分

82第2部分

91模块基板

91 a、91b主面

92、93树脂构件

92b填料

92c凹部

95金属屏蔽层

100天线连接端子

110高频输入端子

111控制输入端子

120高频输出端子

150外部连接端子。

Claims (11)

1.一种高频模块，具备：

模块基板，具有主面；

一个以上的电路部件，配置于所述主面；

树脂构件，配置于所述主面，对所述一个以上的电路部件的侧面进行覆盖；

金属层，与所述树脂构件的顶面以及所述一个以上的电路部件的顶面接触；以及

刻印部，设置于所述一个以上的电路部件的顶面。

2.根据权利要求1所述的高频模块，其中，

所述刻印部仅设置于所述一个以上的电路部件的顶面。

3.根据权利要求1所述的高频模块，其中，

所述刻印部设置于所述一个以上的电路部件的顶面和所述树脂构件的顶面。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的高频模块，其中，

所述一个以上的电路部件是多个电路部件，

所述刻印部设置于所述多个电路部件各自的顶面。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的高频模块，其中，

所述一个以上的电路部件在所述主面的俯视时配置在相较于所述主面的中心更靠近所述主面的端缘的位置。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的高频模块，其中，

所述一个以上的电路部件包括在高频频带具有通带的滤波器。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的高频模块，其中，

所述一个以上的电路部件包括对发送信号进行放大的功率放大器。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的高频模块，其中，

所述树脂构件包括填料。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的高频模块，其中，

所述一个以上的电路部件的顶面与所述树脂构件的顶面齐平。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的高频模块，其中，

所述刻印部包括文字、图形、符号或二维码。

11.一种通信装置，具备：

RF信号处理电路，处理由天线收发的高频信号；以及

权利要求1至10中任一项所述的高频模块，在所述天线与所述RF信号处理电路之间传输所述高频信号。

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