CN110121768B - 前端模块以及通信装置 - Google Patents

前端模块以及通信装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110121768B
CN110121768B CN201780070642.0A CN201780070642A CN110121768B CN 110121768 B CN110121768 B CN 110121768B CN 201780070642 A CN201780070642 A CN 201780070642A CN 110121768 B CN110121768 B CN 110121768B
Authority
CN
China
Prior art keywords
switch
section
amplifying
substrate
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201780070642.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110121768A (zh
Inventor
西川博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN110121768A publication Critical patent/CN110121768A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110121768B publication Critical patent/CN110121768B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/0057—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using diplexing or multiplexing filters for selecting the desired band
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0207—Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
    • H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0064—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with separate antennas for the more than one band
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6644—Packaging aspects of high-frequency amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Transceivers (AREA)

Abstract

开关IC(10)具备第一开关部(11)、第二开关部(12)、第三开关部(13)以及放大部(14)，第一开关部(11)和第三开关部(13)相邻配置，第三开关部(13)和放大部(14)相邻配置，放大部(14)和第二开关部(12)相邻配置，第一开关部(11)、第二开关部(12)、第三开关部(13)以及放大部(14)按照信号在第一开关部(11)、第二开关部(12)、第三开关部(13)以及放大部(14)中通过的顺序配置在直线上。

Description

前端模块以及通信装置
技术领域
本发明涉及开关IC、前端模块以及通信装置。
背景技术
近年来，为了移动通信机等的小型化，正在发展搭载在前端模块的部件的高集成化。例如，公开了将放大电路、控制电路以及开关集成在同一半导体基板上的半导体装置(例如，参照专利文献1)。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平10-79467号公报
发明内容
发明要解决的课题
另外，要求用一个终端应对多个频率以及无线方式(多频段化以及多模式化)。对于应对多频段化以及多模式化的前端模块，要求不使质量劣化地对多个高频信号进行处理。例如，要求传播该多个高频信号的路径间的隔离度特性的改善、路径损耗的抑制。然而，伴随着部件的高集成化，存在如下的问题，即，由于将部件相连的基板内的布线的引绕变得复杂，从而隔离度特性的改善变得困难，此外，由于布线变长，从而路径损耗变大。
因此，本发明是为了解决上述课题而完成的，其目的在于，提供一种能够在改善隔离度特性的同时抑制路径损耗的开关IC、前端模块以及通信装置。
用于解决课题的技术方案
为了达成上述目的，本发明的一个方式涉及的开关IC具备第一开关部、第二开关部以及放大部，所述第一开关部和所述放大部相邻配置，所述放大部和所述第二开关部相邻配置，所述第一开关部、所述第二开关部以及所述放大部按照信号在所述第一开关部、所述第二开关部以及所述放大部中通过的顺序配置在直线上。
例如，为了应对多频段化，在开关IC通过对频带相互不同的多个高频信号进行传播的多个路径(称为高频路径)。该高频信号往返于开关IC和连接于开关IC的其它部件(例如，滤波器部等)。也就是说，按每个高频路径存在高频信号往返于开关IC与该其它部件之间的布线。因此，用一个终端处理的频率越增加，高频路径变得越多，每个高频路径的布线的引绕变得越复杂。例如，由于每个高频路径的布线在基板的俯视下重叠，从而布线间的耦合度会变高(也就是说，隔离度特性会劣化)，此外，由于该布线变长，从而路径损耗会变大。
相对于此，在本方式中，第一开关部、第二开关部以及放大部沿着开关IC中的信号(高频信号)的流动配置在直线上。例如，设信号按照第一开关部、放大部、第二开关部的顺序流动。由此，在第一开关部和放大部经由其它部件连接的情况下，能够缩短经由其它部件连接第一开关部和放大部的布线，能够抑制路径损耗。同样地，在放大部和第二开关部经由其它部件连接的情况下，能够缩短经由其它部件连接放大部和第二开关部的布线，能够抑制路径损耗。此外，通过这些布线变短，从而能够简化布线的引绕，变得容易设计为每个高频路径的布线在基板的俯视下不重叠，因此能够改善隔离度特性。
此外，本发明的一个方式涉及的开关IC具备第一开关部、第二开关部、第三开关部以及放大部，所述第一开关部和所述第三开关部相邻配置，所述第三开关部和所述放大部相邻配置，所述放大部和所述第二开关部相邻配置，所述第一开关部、所述第二开关部、所述第三开关部以及所述放大部按照信号在所述第一开关部、所述第二开关部、所述第三开关部以及所述放大部中通过的顺序配置在直线上。
据此，第一开关部、第二开关部、第三开关部以及放大部沿着开关IC中的信号(高频信号)的流动配置在直线上。例如，设信号按照第一开关部、第三开关部、放大部、第二开关部的顺序流动。由此，在第一开关部和第三开关部经由其它部件连接的情况下，能够缩短经由其它部件连接第一开关部和第三开关部的布线，能够抑制路径损耗。同样地，在第三开关部和放大部经由其它部件连接的情况下，能够缩短经由其它部件连接第三开关部和放大部的布线，能够抑制路径损耗。同样地，在放大部和第二开关部经由其它部件连接的情况下，能够缩短经由其它部件连接放大部和第二开关部的布线，能够抑制路径损耗。此外，通过这些布线变短，从而能够简化布线的引绕，变得容易设计为每个高频路径的布线在基板的俯视下不重叠，因此能够改善隔离度特性。
此外，可以是，所述开关IC还具备基体，在所述基体的顶视下，所述第一开关部、所述第二开关部、所述第三开关部以及所述放大部按照所述第一开关部、所述第三开关部、所述放大部、所述第二开关部的顺序从所述基体的一端朝向中央设置在所述基体。
据此，能够将基体中的第一开关部、第三开关部、放大部以及第二开关部的布局设为高频信号从基体的一端朝向中央流动的那样的布局。
此外，可以是，所述开关IC还具备基体，在所述基体的顶视下，所述第一开关部、所述第二开关部、所述第三开关部以及所述放大部按照所述第一开关部、所述第三开关部、所述放大部、所述第二开关部的顺序从所述基体的中央朝向一端设置在所述基体。
据此，能够将基体中的第一开关部、第三开关部、放大部以及第二开关部的布局设为高频信号从基体的中央朝向一端流动的那样的布局。
此外，可以是，所述开关IC还具备基体，在所述基体的顶视下，所述第一开关部、所述第二开关部、所述第三开关部以及所述放大部按照所述第一开关部、所述第三开关部、所述放大部、所述第二开关部的顺序从所述基体的一端朝向与该一端对置的另一端设置在所述基体。
据此，能够将基体中的第一开关部、第三开关部、放大部以及第二开关部的布局设为高频信号从基体的一端朝向与该一端对置的另一端流动的那样的布局。
此外，本发明的一个方式涉及的前端模块具备基板、设置在所述基板的滤波器部、以及设置在所述基板的上述的开关IC。
据此，能够提供一种能够在改善隔离度特性的同时抑制路径损耗的前端模块。
此外，可以是，所述滤波器部设置在所述基板的一个主面或内部，所述开关IC设置在所述基板的另一个主面或内部，使得在该基板的俯视下与所述滤波器部重叠。例如，可以是，所述滤波器部设置在所述基板的一个主面，所述开关IC设置在所述基板的另一个主面。
据此，开关IC设置为在基板的俯视下与滤波器部重叠，由此变得更容易设计为开关IC以及滤波器部间的每个高频路径的布线在基板的俯视下不重叠，因此能够改善隔离度特性。像这样，能够在改善隔离度特性的同时抑制路径损耗。
此外，可以是，与所述滤波器部的输入端子或输出端子连接的布线和所述前端模块中的该布线以外的布线在所述基板的俯视下不重叠。
据此，能够进一步改善隔离度特性。
此外，本发明的一个方式涉及的通信装置具备：RF信号处理电路，对由天线元件收发的高频信号进行处理；以及上述的前端模块，在所述天线元件与所述RF信号处理电路之间传递所述高频信号。
据此，能够提供一种能够在改善隔离度特性的同时抑制路径损耗的通信装置。
发明效果
根据本发明涉及的开关IC、前端模块以及通信装置，能够在改善隔离度特性的同时抑制路径损耗。
附图说明
图1是实施方式1涉及的前端模块的电路结构图。
图2A是从第一主面侧观察实施方式1涉及的前端模块的俯视图。
图2B是从第二主面侧观察实施方式1涉及的前端模块的俯视图。
图3是实施方式1涉及的前端模块的剖视图。
图4是实施方式1的变形例涉及的前端模块的剖视图。
图5是从第一主面侧观察实施方式2涉及的前端模块的俯视图。
图6是从第一主面侧观察实施方式3涉及的前端模块的俯视图。
图7是从第一主面侧观察实施方式4涉及的前端模块的俯视图。
图8是实施方式5涉及的通信装置的结构图。
具体实施方式
以下，使用实施例以及附图对本发明的实施方式进行详细说明。另外，以下说明的实施方式均示出总括性的或具体的例子。在以下的实施方式中示出的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等是一个例子，其主旨并不是限定本发明。关于以下的实施方式中的构成要素之中未记载于独立权利要求的构成要素，作为任意的构成要素而进行说明。此外，附图所示的构成要素的大小未必严谨。此外，在各图中，对于实质上相同的结构标注相同的附图标记，重复的说明有时会省略或简化。
(实施方式1)
[1.前端模块的电路结构]
图1是实施方式1涉及的前端模块1的电路结构图。
前端模块1例如是配置在应对多模式/多频段的便携式电话的前端部的模块。前端模块1例如内置于遵循LTE(Long Term Evolution，长期演进)等通信标准的应对多频段的便携式电话。前端模块1具有传播频带相互不同的多个高频信号的多个路径(高频路径)。
如图1所示，前端模块1具备第一开关部11、第二开关部12、第三开关部13、放大部14、滤波器部30以及匹配电路(在此为电感器40)。另外，由第一开关部11、第二开关部12、第三开关部13以及放大部14构成开关IC10，这将在后面详细叙述。多个高频路径是通过开关IC10、滤波器部30以及电感器40的路径，高频信号按照第一开关部11、第三开关部13、放大部14、第二开关部12的顺序流动。具体地，多个高频路径按照第一开关部11、滤波器部30、第三开关部13、电感器40、放大部14以及第二开关部12的顺序通过。
第一开关部11的输入端子例如与天线元件连接。此外，第一开关部11的输出端子和滤波器部30的输入端子连接。第一开关部11具有将由天线元件接收的高频信号分到构成滤波器部30的每个滤波器30a～30g的高频路径的开关11a～11c。
滤波器部30具有由声表面波(SAW：Surface Acoustic Wave)谐振器、体弹性波(BAW：Bulk Acoustic Wave，体声波)谐振器或FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator：薄膜体声波谐振器)等构成的滤波器30a～30g。另外，滤波器30a～30g也可以由LC谐振电路等构成。在此，滤波器30a～30g由声表面波谐振器构成。由此，能够由形成在具有压电性的基板上的IDT(InterDigital Transducer，叉指换能器)电极构成滤波器30a～30g，因此能够实现具有陡峭度高的通过特性的小型且低高度的滤波器部30。滤波器部30的输出端子和第二开关部12的输入端子连接。
另外，具有压电性的基板是至少在表面具有压电性的基板。例如，该基板也可以在表面具备压电薄膜，并由声速与该压电薄膜不同的膜以及支承基板等的层叠体构成。该基板例如可以为：包含高声速支承基板和形成在高声速支承基板上的压电薄膜的层叠体；包含高声速支承基板、形成在高声速支承基板上的低声速膜、以及形成在低声速膜上的压电薄膜的层叠体；或者包含支承基板、形成在支承基板上的高声速膜、形成在高声速膜上的低声速膜、以及形成在低声速膜上的压电薄膜的层叠体。此外，该基板也可以在基板整体具有压电性。
滤波器30a例如是三个滤波器的输入端子被公共端子化的三工器。此外，滤波器30d以及30g例如是两个滤波器的输入端子被公共端子化的双工器。
第三开关部13具有汇集每个滤波器30a～30g的高频路径的开关13a～13d。第三开关部13的输出端子和放大部14的输入端子连接。具体地，第三开关部13的输出端子和放大部14的输入端子经由电感器40连接。
电感器40是用于取得第三开关部13和放大部14的匹配的匹配电路，连接在第三开关部13与放大部14之间。另外，匹配电路并不限于电感器40，也可以是电容器或将电感器和电容器进行组合的电路。
放大部14具有对在通过开关13a～13d汇集的高频路径传播的高频信号进行放大的放大电路14a～14d。放大电路14a～14d例如是对高频接收信号进行放大的低噪声放大器。放大部14的输出端子和第二开关部12的输入端子连接。另外，放大电路14a～14d并不限于低噪声放大器，例如，也可以是对高频发送信号进行放大的功率放大器。另外，在放大电路14a～14d为功率放大器的情况下，高频信号按照第二开关部12、放大部14、第三开关部13、第一开关部11的顺序流动。
第二开关部12的输出端子例如与RF信号处理电路(RFIC)连接。第二开关部12具有将由放大部14进行了放大的高频信号分配到RFIC的给定的端子的开关12a～12g。
另外，通过前端模块1具备的控制部(未图示)对构成第一开关部11的开关11a～11c、构成第二开关部12的开关12a～12g、以及构成第三开关部13的开关13a～13d各自的连接进行切换。
开关11a～11c、12a～12g以及13a～13d例如是由GaAs或CMOS(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)构成的FET(Field EffectTransistor，场效应晶体管)开关或二极管开关。
[2.开关IC以及前端模块的构造]
接着，使用图2A对开关IC10的各构成要素的布局以及前端模块1的第一主面侧的结构进行说明。
图2A是从第一主面侧观察实施方式1涉及的前端模块1的俯视图。第一主面例如是前端模块1具备的基板20的背面。在基板20的背面设置有开关IC10以及电极50。另外，电极50可以是铜柱(铜针)、镀敷或铜膏等的电极、或焊料等。基板20例如是印刷基板或LTCC(LowTemperature Co-fired Ceramics，低温共烧陶瓷)基板等。另外，开关IC10进行树脂密封，但是在图2A中，省略了树脂的图示。
在本实施方式中，高频信号按照第一开关部11、第三开关部13、放大部14、第二开关部12的顺序流动，如图2A所示，第一开关部11、第二开关部12、第三开关部13以及放大部14按照信号(高频信号)在第一开关部11、第二开关部12、第三开关部13以及放大部14中通过的顺序配置在直线上。所谓信号在第一开关部11、第二开关部12、第三开关部13以及放大部14中通过的顺序，在本实施方式中，是第一开关部11、第三开关部13、放大部14、第二开关部12的顺序。具体地，第一开关部11和第三开关部13相邻配置，第三开关部13和放大部14相邻配置，放大部14和第二开关部12相邻配置，并分别配置在直线上。更具体地，开关IC10具备基体15，在基体15的顶视下，第一开关部11、第二开关部12、第三开关部13以及放大部14按照第一开关部11、第三开关部13、放大部14、第二开关部12的顺序，从基体15的一端朝向中央设置。基体15例如由硅形成。第一开关部11、第二开关部12、第三开关部13以及放大部14例如内置于基体15，但是也可以配置在基体15的表面。另外，所谓配置在直线上，自然包含在描绘假想直线时配置在该假想直线上的情况，还意图包含配置在该假想直线的附近的情况。另外，也可以是，第一开关部11和第三开关部13经由其它部件等而相邻配置，第二开关部12和放大部14经由其它部件等而相邻配置，放大部14和第三开关部13经由其它部件等而相邻配置。
另外，也可以将如图1所示的第一开关部11、第二开关部12、第三开关部13以及放大部14分成两个配置在基体15。在图2A中，关于第一开关部11、第二开关部12、第三开关部13以及放大部14的两组中的一组，第一开关部11、第二开关部12、第三开关部13以及放大部14按照上述顺序从图2A中的基体15的上端朝向中央设置在直线上，关于另一组，第一开关部11、第二开关部12、第三开关部13以及放大部14按照上述顺序从图2A中的基体15的下端朝向中央设置在直线上。像这样，开关IC10的各构成要素以图2A所示的布局设置在基体15。
接着，使用图2B对前端模块1的第二主面侧的结构进行说明。
图2B是从第二主面侧观察实施方式1涉及的前端模块1的俯视图。第二主面例如是基板20的表面。在基板20的表面设置有滤波器部30以及电感器40。另外，滤波器部30以及电感器40进行树脂密封，但是在图2B中，省略了树脂的图示。此外，在图2B用虚线示出了设置在基板20的背面的开关IC10。
如图2B所示，开关IC10设置为在基板20的俯视下与滤波器部30重叠。此外，开关IC10设置为在基板20的俯视下与电感器40重叠。另外，也可以将如图1所示的滤波器部30如图2B所示地分成两个而配置在基体15。此外，虽然在图1中示出了四个电感器40，但是电感器40也可以根据频段数而如图2B所示地配置八个。
接着，着眼于前端模块1具有的多个高频路径中的一个高频路径，使用图3对高频信号的流动进行说明。
图3是实施方式1涉及的前端模块1的剖视图。另外，图3是图2B中的前端模块1的III-III剖视图。
如图3所示，开关IC1 0在基板20的背面侧被树脂60密封，滤波器部30以及电感器40在基板20的表面侧被树脂60密封。另外，基板20的表面侧的树脂60和背面侧的树脂60既可以是相同种类的树脂，也可以是不同种类的树脂。此外，虽然在图3中，基板20的两面整体被树脂60覆盖，但是例如也可以通过底部填料等树脂仅密封开关IC10，或仅密封滤波器部30，或仅密封电感器40。
前端模块1例如安装在母基板(未图示)，并经由电极50接收来自母基板的高频信号。图3所示的箭头示出了前端模块1中的高频信号的流动。高频信号经由对电极50和第一开关部11的输入端子(凸块)进行连接的布线向第一开关部11流动。接着，通过了第一开关部11的高频信号经由对第一开关部11的输出端子(凸块)和滤波器部30的输入端子(凸块)进行连接的布线向滤波器部30流动。接着，由滤波器部30进行了滤波的高频信号经由对滤波器部30的输出端子(凸块)和第三开关部13的输入端子(凸块)进行连接的布线向第三开关部13流动。接着，通过了第三开关部13的高频信号经由对第三开关部13的输出端子(凸块)和电感器40的输入端子进行连接的布线向电感器40流动。接着，通过了电感器40的高频信号经由对电感器40的输出端子和放大部14的输入端子(凸块)进行连接的布线向放大部14流动。然后，由放大部14进行了放大的高频信号经由对放大部14的输出端子(未图示)和第二开关部12的输入端子(未图示)进行连接的布线(未图示)向第二开关部12流动。
因为高频信号从第一开关部11向滤波器部30流动，并从滤波器部30向第三开关部13流动，所以需要对第一开关部11和滤波器部30进行连接的布线、以及对滤波器部30和第三开关部13进行连接的布线。如图2A以及图3所示，第一开关部11和第三开关部13相邻配置，因此能够在第一开关部11以及第三开关部13的双方的附近配置滤波器部30。由此，能够分别缩短对第一开关部11和滤波器部30进行连接的布线、以及对滤波器部30和第三开关部13进行连接的布线。
同样地，因为高频信号从第三开关部13向电感器40流动，并从电感器40向放大部14流动，所以需要对第三开关部13和电感器40进行连接的布线、以及对电感器40和放大部14进行连接的布线。第三开关部13和放大部14相邻配置，因此能够在第三开关部13以及放大部14的双方的附近配置电感器40。由此，能够分别缩短对第三开关部13和电感器40进行连接的布线、以及对电感器40和放大部14进行连接的布线。
另外，在放大部14和第二开关部12经由其它部件连接的情况下，能够在放大部14以及第二开关部12的双方的附近配置其它部件，能够分别缩短对放大部14和其它部件进行连接的布线、以及对其它部件和第二开关部12进行连接的布线。
此外，如图2B以及图3所示，在一个主面(第二主面：表面)设置有滤波器部30的基板20中，开关IC10设置在基板20的另一个主面(第一主面：背面)，使得在基板20的俯视下与滤波器部30重叠。例如，在开关IC10和滤波器部30设置在同一面的情况下，需要将布线至少从开关IC10的端子引出到滤波器部30的部件外径，但是通过在基板20的厚度方向上设置对开关IC10和滤波器部30进行连接的布线，从而能够将该布线的长度缩短至最小为基板20的厚度(例如，0，2～0.3mm)左右。
此外，例如，在开关IC10和滤波器部30设置在基板20的同一面上的情况下，连接开关IC10和滤波器部30的布线会在与基板20的主面平行的方向上引绕(在平面上引绕)。在该情况下，难以在基板20的同一层引绕对构成开关IC10的各开关(例如，开关11b、11c、13a～13d)和构成滤波器部30的滤波器30a～30g进行连接的各布线，各布线在不同的层分别在平面上进行引绕，因此变得在基板20的俯视下容易重叠。另一方面，在本实施方式中，因为开关IC10设置为在基板20的俯视下与滤波器部30重叠，所以能够将对开关IC10和滤波器部30进行连接的各布线在基板20的厚度方向上立体地连接，使得该各布线在基板20的俯视下不重叠。
在图3中，为了说明高频信号的流动，在同一剖面上示意性地示出了各布线。例如，对电极50和第一开关部11的输入端子进行连接的布线与对第一开关部11的输出端子和滤波器部30的输入端子进行连接的布线在基板20的俯视下重叠。然而，例如，通过将第一开关部11的输入端子和输出端子配置为不位于同一剖面上，从而能够使这些布线在基板20的俯视下不重叠。像这样，能够使与滤波器部30的输入端子或输出端子连接的布线和前端模块1中的该布线以外的布线在基板20的顶视下不重叠。同样地，能够使与电感器40的输入端子或输出端子连接的布线和前端模块1中的该布线以外的布线在基板20的顶视下不重叠。
另外，虽然开关IC10设置在基板20的一个主面(例如，背面)，但是也可以如图4所示地设置在基板20的内部。图4是实施方式1的变形例涉及的前端模块1a的剖视图。
在开关IC10内置于基板20的情况下，基板20可以是容易进行用于内置开关IC10的加工的印刷基板。前端模块1a的功能与前端模块1相同，因此省略说明。
[3.效果等]
以往，为了应对多频段化，在开关IC通过对频带相互不同的多个高频信号进行传播的多个高频路径。该高频信号往返于开关IC和连接于开关IC的其它部件(例如，滤波器部等)。也就是说，按每个高频路径存在高频信号往返于开关IC与该其它部件之间的布线。因此，用一个终端处理的频率越增加，高频路径变得越多，每个高频路径的布线的引绕变得越复杂。例如，由于每个高频路径的布线在基板的俯视下重叠，从而布线间的耦合度会变高(也就是说，隔离度特性会劣化)，由于该布线变长，从而路径损耗会变大。
因此，在实施方式1涉及的开关IC10以及前端模块1中，第一开关部11、第二开关部12、第三开关部13以及放大部14沿着开关IC10中的信号(高频信号)的流动配置在直线上。例如，设信号按照第一开关部11、第三开关部13、放大部14、第二开关部12的顺序流动。由此，在第一开关部11和第三开关部13经由其它部件(滤波器部30)连接的情况下，能够缩短经由滤波器部30连接第一开关部11和第三开关部13的布线，能够抑制路径损耗。同样地，在第三开关部13和放大部14经由其它部件(例如，电感器40)连接的情况下，能够缩短经由其它部件连接第三开关部13和放大部14的布线，能够抑制路径损耗。同样地，在放大部14和第二开关部12经由其它部件连接的情况下，能够缩短经由其它部件连接放大部14和第二开关部12的布线，能够抑制路径损耗。此外，通过这些布线变短，从而能够简化布线的引绕，变得容易设计为每个高频路径的布线在基板20的俯视下不重叠，因此能够改善隔离度特性。
此外，因为开关IC10设置为在基板20的俯视下与滤波器部30重叠，所以变得更容易设计为开关IC10以及滤波器部30间的每个高频路径的布线在基板20的俯视下不重叠，因此能够改善隔离度特性。这是因为，该布线在基板20的厚度方向上立体地设置，各布线变得不易耦合。像这样，能够在改善隔离度特性的同时抑制路径损耗。
此外，能够将基体15中的第一开关部11、第二开关部12、第三开关部13以及放大部14的布局设为高频信号从基体15的一端朝向中央流动的那样的布局。
此外，与滤波器部30的输入端子或输出端子连接的布线和前端模块1中的该布线以外的布线在基板20的顶视下不重叠，由此能够进一步改善隔离度特性。
(实施方式2)
在实施方式2中，在基体15的顶视下，第一开关部11、第二开关部12、第三开关部13以及放大部14按照第一开关部11、第三开关部13、放大部14、第二开关部12的顺序从基体15的中央朝向一端设置在基体15。
图5是从第一主面侧观察实施方式2涉及的前端模块2的俯视图。在此，所谓第一主面，例如是前端模块2具备的基板20的背面。在基板20的背面，设置有开关IC10a以及电极50。
开关IC10a具备基体15，在基体15的顶视下，第一开关部11、第二开关部12、第三开关部13以及放大部14按照第一开关部11、第三开关部13、放大部14、第二开关部12的顺序从基体15的中央朝向一端设置在基体15。也可以将如图1所示的第一开关部11、第二开关部12、第三开关部13以及放大部14分成两个配置在基体15。在图5中，关于第一开关部11、第二开关部12、第三开关部13以及放大部14的两组中的一组，第一开关部11、第三开关部13、放大部14以及第二开关部12按照上述顺序从图5中的基体15的中央朝向上端在直线上设置在基体15，关于另一组，第一开关部11、第三开关部13、放大部14以及第二开关部12按照上述顺序从图5中的基体15的中央朝向下端在直线上设置在基体15。像这样，开关IC10a的各构成要素以图5所示的布局设置在基体15。
由此，能够将基体15中的第一开关部11、第二开关部12、第三开关部13以及放大部14的布局设为高频信号从基体15的中央朝向一端流动的那样的布局。
(实施方式3)
在实施方式3中，在基体15的顶视下，第一开关部11、第二开关部12、第三开关部13以及放大部14按照第一开关部11、第三开关部13、放大部14、第二开关部12的顺序从基体15的一端朝向与该一端对置的另一端设置在基体15。
图6是从第一主面侧观察实施方式3涉及的前端模块3的俯视图。在此，所谓第一主面，例如是前端模块3具备的基板20的背面。在基板20的背面设置有开关IC10b以及电极50。
开关IC10b具备基体15，在基体15的顶视下，第一开关部11、第二开关部12、第三开关部13以及放大部14按照第一开关部11、第三开关部13、放大部14、第二开关部12的顺序从基体15的一端朝向与该一端对置的另一端设置在基体15。如图6所示，第一开关部11、第二开关部12、第三开关部13以及放大部14按照上述顺序从图6中的基体15的右侧的一端朝向左侧的另一端在直线上设置在基体15。像这样，开关IC10b的各构成要素以图6所示的布局设置在基体15。
由此，能够将基体15中的第一开关部11、第二开关部12、第三开关部13以及放大部14的布局设为高频信号从基体15的一端朝向与该一端对置的另一端流动的那样的布局。
(实施方式4)
虽然在上述实施方式中，开关IC10、10a、10b具备第三开关部13，但是也可以不具备。
图7是从第一主面侧观察实施方式4涉及的前端模块4的俯视图。在此，所谓第一主面，例如是前端模块4具备的基板20的背面。在基板20的背面设置有开关IC10c以及电极50。
在本实施方式中，高频信号按照第一开关部11、放大部14、第二开关部12的顺序流动，如图7所示，第一开关部11、第二开关部12以及放大部14按照高频信号在第一开关部11、第二开关部12以及放大部14中通过的顺序配置在直线上。所谓信号在第一开关部11、第二开关部12以及放大部14中通过的顺序，在本实施方式中，是第一开关部11、放大部14、第二开关部12的顺序。具体地，第一开关部11和放大部14相邻配置，放大部14和第二开关部12相邻配置，并分别配置在直线上。更具体地，开关IC10c具备基体15，在基体15的顶视下，第一开关部11、第二开关部12以及放大部14按照第一开关部11、放大部14、第二开关部12的顺序，从基体15的一端朝向中央设置。另外，在基体15的顶视下，第一开关部11、第二开关部12以及放大部14也可以按照第一开关部11、放大部14、第二开关部12的顺序从基体15的中央朝向一端设置，还可以从基体15的一端朝向与该一端对置的另一端设置。此外，也可以是，第一开关部11和放大部14经由其它部件等相邻配置，放大部14和第二开关部12经由其它部件等相邻配置。
由此，在开关IC10c中，第一开关部11、第二开关部12以及放大部14沿着开关IC10c中的信号(高频信号)的流动配置在直线上。例如，设信号按照第一开关部11、放大部14、第二开关部12的顺序流动。由此，在第一开关部11和放大部14经由其它部件(例如，滤波器部30)连接的情况下，能够缩短经由其它部件连接第一开关部11和放大部14的布线，能够抑制路径损耗。同样地，在放大部14和第二开关部12经由其它部件(例如，电感器40)连接的情况下，能够缩短经由其它部件连接放大部14和第二开关部12的布线，能够抑制路径损耗。此外，通过这些布线变短，从而能够简化布线的引绕，变得容易设计为每个高频路径的布线在基板20的俯视下不重叠，因此能够改善隔离度特性。
(实施方式5)
在实施方式1中说明的开关IC10以及前端模块1能够应用于通信装置。
图8是实施方式5涉及的通信装置100的结构图。在图8示出了前端模块1、天线元件ANT以及RF信号处理电路(RFIC)70。前端模块1以及RFIC70构成了通信装置100。天线元件ANT、前端模块1以及RFIC70例如配置在应对多模式/多频段的便携式电话的前端部。
天线元件ANT是收发高频信号的、遵循例如LTE等通信标准的应对多频段的天线。天线元件ANT也可以内置于通信装置100。
前端模块1是在天线元件ANT与RFIC70之间传递高频信号的电路。具体地，前端模块1将由天线元件ANT接收的高频信号经由接收侧信号路径传递到RFIC70。
RFIC70是对由天线元件ANT收发的高频信号进行处理的RF信号处理电路。具体地，RFIC70通过下变频等对从天线元件ANT经由前端模块1的接收侧信号路径输入的高频信号进行信号处理，并向基带信号处理电路(未图示)输出进行该信号处理而生成的接收信号。
因为通信装置100具备前端模块1(开关IC10)，所以能够提供一种能够在改善隔离度特性的同时抑制路径损耗的通信装置100。
另外，虽然通信装置100具备了前端模块1，但是也可以具备前端模块1a、2、3或4。
(其它实施方式)
以上，列举实施方式1～5对本发明的实施方式涉及的开关IC、前端模块以及通信装置进行了说明，但是本发明并不限定于上述实施方式。将上述实施方式中的任意的构成要素进行组合而实现的其它实施方式、在不脱离本发明的主旨的范围内对上述实施方式实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的变形例也包含于本发明。
例如，虽然在上述实施方式中，滤波器部30以及电感器40设置在基板20的第一主面(例如，表面)，但是也可以设置在基板20的内部。
此外，例如，图1所示的分别构成第一开关部11、第二开关部12以及第三开关部13的开关的数量、构成放大部14的放大电路的数量、构成滤波器部30的滤波器的数量、以及电感器40的数量是一个例子，并不限定于这些数量。
此外，例如，虽然在上述实施方式中，前端模块具备电感器40，但是也可以不具备。
产业上的可利用性
本发明作为能够应用于多频段系统的前端模块以及通信装置，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。
附图标记说明
1、1a、2、3、4：前端模块；
10、10a、10b、10c：开关IC；
11：第一开关部；
11a～11c、12a～12g、13a～13d：开关；
12：第二开关部；
13：第三开关部；
14：放大部；
14a～14d：放大电路；
15：基体；
20：基板；
30：滤波器部；
30a～30g：滤波器
40：电感器；
50：电极；
60：树脂；
70：RF信号处理电路(RFIC)；
100：通信装置；
ANT：天线元件。

Claims (8)

1.一种前端模块，具备：
基板，具有一个主面和位于与所述一个主面相反侧的另一个主面；
第一部件，安装在所述一个主面；以及
开关IC，安装在所述另一个主面，
所述开关IC具备：
第一开关部；
第二开关部；以及
放大部，
所述第一开关部和所述放大部相邻配置，
所述放大部和所述第二开关部相邻配置，
所述第一开关部、所述第二开关部以及所述放大部按照信号在所述第一开关部、所述第二开关部以及所述放大部中通过的顺序配置在直线上，
所述第一部件连接在所述第一开关部与所述第二开关部之间，或者，连接在所述第二开关部与所述放大部之间，
在俯视所述基板的情况下，所述第一部件与所述开关IC重叠。
2.一种前端模块，具备：
基板，具有一个主面和位于与所述一个主面相反侧的另一个主面；
第一部件，安装在所述一个主面；以及
开关IC，安装在所述另一个主面，
所述开关IC具备：
第一开关部；
第二开关部；
第三开关部；以及
放大部，
所述第一开关部和所述第三开关部相邻配置，
所述第三开关部和所述放大部相邻配置，
所述放大部和所述第二开关部相邻配置，
所述第一开关部、所述第二开关部、所述第三开关部以及所述放大部按照信号在所述第一开关部、所述第二开关部、所述第三开关部以及所述放大部中通过的顺序配置在直线上，
所述第一部件连接在所述第一开关部与所述第二开关部之间，或者，连接在所述第二开关部与所述第三开关部之间，或者，连接在所述第三开关部与所述放大部之间，
在俯视所述基板的情况下，所述第一部件与所述开关IC重叠。
3.根据权利要求2所述的前端模块，其中，
所述开关IC还具备基体，
在所述基体的顶视下，所述第一开关部、所述第二开关部、所述第三开关部以及所述放大部按照所述第一开关部、所述第三开关部、所述放大部、所述第二开关部的顺序从所述基体的一端朝向中央设置在所述基体。
4.根据权利要求2所述的前端模块，其中，
所述开关IC还具备基体，
在所述基体的顶视下，所述第一开关部、所述第二开关部、所述第三开关部以及所述放大部按照所述第一开关部、所述第三开关部、所述放大部、所述第二开关部的顺序从所述基体的中央朝向一端设置在所述基体。
5.根据权利要求2所述的前端模块，其中，
所述开关IC还具备基体，
在所述基体的顶视下，所述第一开关部、所述第二开关部、所述第三开关部以及所述放大部按照所述第一开关部、所述第三开关部、所述放大部、所述第二开关部的顺序从所述基体的一端朝向与该一端对置的另一端设置在所述基体。
6.根据权利要求1或2所述的前端模块，其中，
所述第一部件是滤波器或电感器。
7.根据权利要求6所述的前端模块，其中，
与所述滤波器部的输入端子或输出端子连接的布线和所述前端模块中的该布线以外的布线在所述基板的俯视下不重叠。
8.一种通信装置，具备：
RF信号处理电路，对由天线元件收发的高频信号进行处理；以及
权利要求7所述的前端模块，在所述天线元件与所述RF信号处理电路之间传递所述高频信号。
CN201780070642.0A 2016-12-14 2017-12-06 前端模块以及通信装置 Active CN110121768B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-242702 2016-12-14
JP2016242702 2016-12-14
PCT/JP2017/043862 WO2018110393A1 (ja) 2016-12-14 2017-12-06 スイッチｉｃ、フロントエンドモジュール及び通信装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110121768A CN110121768A (zh) 2019-08-13
CN110121768B true CN110121768B (zh) 2023-10-31

Family

ID=62558588

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780070642.0A Active CN110121768B (zh) 2016-12-14 2017-12-06 前端模块以及通信装置

Country Status (4)

Country Link
US (3) US11270961B2 (zh)
KR (1) KR102359559B1 (zh)
CN (1) CN110121768B (zh)
WO (1) WO2018110393A1 (zh)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020071021A1 (ja) 2018-10-05 2020-04-09 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
WO2020071020A1 (ja) * 2018-10-05 2020-04-09 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
WO2020261769A1 (ja) 2019-06-25 2020-12-30 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
WO2020261819A1 (ja) 2019-06-26 2020-12-30 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
KR102543342B1 (ko) * 2019-07-02 2023-06-14 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 고주파 모듈 및 통신장치
CN216959846U (zh) 2019-07-03 2022-07-12 株式会社村田制作所 高频模块和通信装置
CN113940008B (zh) 2019-07-03 2023-06-16 株式会社村田制作所 高频模块以及通信装置
KR20240101877A (ko) 2019-07-03 2024-07-02 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 고주파 모듈 및 통신 장치
JP2021048567A (ja) * 2019-09-20 2021-03-25 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2021052378A (ja) * 2019-09-20 2021-04-01 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
US10979087B1 (en) 2019-09-20 2021-04-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio-frequency module and communication device
WO2021100259A1 (ja) * 2019-11-20 2021-05-27 株式会社村田製作所 高周波回路、高周波フロントエンド回路及び通信装置
JP2021100213A (ja) 2019-12-23 2021-07-01 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
JP2021129217A (ja) * 2020-02-13 2021-09-02 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2021145282A (ja) 2020-03-13 2021-09-24 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2021150849A (ja) 2020-03-19 2021-09-27 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
JP2021170750A (ja) 2020-04-17 2021-10-28 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
US11184039B1 (en) * 2020-05-22 2021-11-23 Qualcomm Incorporated Method of combining LTE-UHB+LAA+sub6-5G LNA ports
WO2023176962A1 (ja) * 2022-03-18 2023-09-21 株式会社村田製作所 Ｉｃチップ、高周波モジュール及び通信装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102422543A (zh) * 2009-05-12 2012-04-18 高通股份有限公司 多模式多频带功率放大器模块
CN103391111A (zh) * 2012-05-07 2013-11-13 株式会社村田制作所 高频模块

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08236701A (ja) * 1995-02-24 1996-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路装置
JPH1079467A (ja) 1996-09-04 1998-03-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP3582460B2 (ja) * 2000-06-20 2004-10-27 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP2003168736A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Hitachi Ltd 半導体素子及び高周波電力増幅装置並びに無線通信機
US20040232982A1 (en) * 2002-07-19 2004-11-25 Ikuroh Ichitsubo RF front-end module for wireless communication devices
US6774718B2 (en) * 2002-07-19 2004-08-10 Micro Mobio Inc. Power amplifier module for wireless communication devices
CN1327733C (zh) * 2002-08-08 2007-07-18 松下电器产业株式会社 高频器件
JP4301401B2 (ja) 2002-11-08 2009-07-22 Ｔｄｋ株式会社 フロントエンドモジュール及び通信端末
WO2005076351A1 (ja) * 2004-02-09 2005-08-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. 部品内蔵モジュールおよびその製造方法
US20050205986A1 (en) * 2004-03-18 2005-09-22 Ikuroh Ichitsubo Module with integrated active substrate and passive substrate
US7580687B2 (en) * 2005-01-19 2009-08-25 Micro Mobio Corporation System-in-package wireless communication device comprising prepackaged power amplifier
US7769355B2 (en) * 2005-01-19 2010-08-03 Micro Mobio Corporation System-in-package wireless communication device comprising prepackaged power amplifier
US7548111B2 (en) * 2005-01-19 2009-06-16 Micro Mobio Corporation Miniature dual band power amplifier with reserved pins
CN101160734B (zh) * 2005-04-15 2011-04-13 日立金属株式会社 多频带高频电路、多频带高频电路部件及使用其的多频带通信装置
KR101144379B1 (ko) * 2005-12-21 2012-05-10 엘지이노텍 주식회사 다중대역 안테나 스위치 모듈
KR101189421B1 (ko) * 2005-12-27 2012-10-10 엘지이노텍 주식회사 다중대역 스위칭 프론트앤드모듈
JP2007180643A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Sony Corp スイッチ装置、信号伝送回路装置及びスイッチング方法
JP4618461B2 (ja) * 2006-05-08 2011-01-26 日立金属株式会社 高周波回路、高周波部品及び通信装置
KR20070110957A (ko) * 2006-05-16 2007-11-21 엘지이노텍 주식회사 프론트 앤드 모듈
KR20080044044A (ko) * 2006-11-15 2008-05-20 엘지이노텍 주식회사 스위치 프론트 엔드 모듈
WO2009025138A1 (ja) * 2007-08-21 2009-02-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. 半導体集積回路及び高周波回路モジュール
JP4991637B2 (ja) * 2008-06-12 2012-08-01 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
US7804365B2 (en) * 2008-11-07 2010-09-28 Epcos Ag Multilayer amplifier module
US9077405B2 (en) * 2010-04-20 2015-07-07 Rf Micro Devices, Inc. High efficiency path based power amplifier circuitry
US8542061B2 (en) * 2010-04-20 2013-09-24 Rf Micro Devices, Inc. Charge pump based power amplifier envelope power supply and bias power supply
US9900204B2 (en) * 2010-04-20 2018-02-20 Qorvo Us, Inc. Multiple functional equivalence digital communications interface
JP2012104615A (ja) 2010-11-09 2012-05-31 Panasonic Corp 高周波スイッチおよび高周波モジュール
JP5620812B2 (ja) * 2010-12-27 2014-11-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 高周波モジュールおよび無線通信システム
JP5304811B2 (ja) * 2011-02-14 2013-10-02 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP5241910B2 (ja) * 2011-12-22 2013-07-17 太陽誘電株式会社 回路基板
CN106601421A (zh) * 2012-05-09 2017-04-26 株式会社村田制作所 线圈天线元件以及天线模块
TWI445332B (zh) * 2012-06-18 2014-07-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 多輸入多輸出收發裝置
JP5117632B1 (ja) * 2012-08-21 2013-01-16 太陽誘電株式会社 高周波回路モジュール
JP6119845B2 (ja) * 2013-04-16 2017-04-26 株式会社村田製作所 高周波部品およびこれを備える高周波モジュール
US9337775B1 (en) * 2014-12-05 2016-05-10 Infineon Technologies Ag System and method for a low noise amplifier module
KR20160082285A (ko) * 2014-12-30 2016-07-08 삼성전기주식회사 프론트 엔드 회로
KR20160115003A (ko) * 2015-03-25 2016-10-06 삼성전기주식회사 멀티밴드 통신 모듈 및 고주파 스위치
KR102123600B1 (ko) * 2015-05-29 2020-06-15 삼성전기주식회사 프론트 엔드 회로
JP6597461B2 (ja) * 2015-07-02 2019-10-30 株式会社村田製作所 増幅回路
US9647707B1 (en) * 2016-08-12 2017-05-09 Rafael Microelectronics, Inc. Signal receiver

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102422543A (zh) * 2009-05-12 2012-04-18 高通股份有限公司 多模式多频带功率放大器模块
CN103391111A (zh) * 2012-05-07 2013-11-13 株式会社村田制作所 高频模块

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
朱凤文 等.1.3.2传输损耗.《城轨控制数据传输》.2011, *

Also Published As

Publication number Publication date
US20230387048A1 (en) 2023-11-30
CN110121768A (zh) 2019-08-13
US11764172B2 (en) 2023-09-19
KR20190040041A (ko) 2019-04-16
US20220148986A1 (en) 2022-05-12
US20190214355A1 (en) 2019-07-11
US11270961B2 (en) 2022-03-08
KR102359559B1 (ko) 2022-02-08
WO2018110393A1 (ja) 2018-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110121768B (zh) 前端模块以及通信装置
US12040755B2 (en) High-frequency module and communication device
US11121733B2 (en) Semiconductor device, radio-frequency circuit, and communication apparatus
US10873352B2 (en) Radio-frequency module and communication apparatus
CN111164899B (zh) 高频电路以及通信装置
KR20210006448A (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
US11777534B2 (en) Radio frequency module and communication device
US11716099B2 (en) Radio frequency module and communication device
CN215682277U (zh) 高频模块和通信装置
WO2018110577A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
CN213879810U (zh) 高频模块和通信装置
CN215734260U (zh) 高频模块和通信装置
WO2020262028A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
CN117099306A (zh) 高频模块和通信装置
CN117256100A (zh) 高频模块和通信装置
CN116508153A (zh) 高频模块
CN117941273A (zh) 高频模块
CN117136497A (zh) 高频模块和通信装置
CN117882299A (zh) 高频模块
CN117121373A (zh) 高频模块和通信装置
CN115380472A (zh) 高频电路、高频模块以及通信装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant