WO2021100259A1 - 高周波回路、高周波フロントエンド回路及び通信装置 - Google Patents

高周波回路、高周波フロントエンド回路及び通信装置 Download PDF

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WO2021100259A1
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band
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terminal
high frequency
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将和 谷
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株式会社村田製作所
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    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38—Impedance-matching networks
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission

Definitions

  • the present invention generally relates to a high frequency circuit, a high frequency front end circuit and a communication device, and more specifically, a high frequency circuit including a plurality of filters connected to an antenna terminal, a high frequency front end circuit including the high frequency circuit, and a high frequency thereof.
  • the present invention relates to a communication device including a front-end circuit.
  • Patent Document 1 a high-frequency circuit arranged at the front end of a multi-mode / multi-band compatible mobile phone and a communication device including the high-frequency circuit are known (Patent Document 1).
  • the high-frequency circuit disclosed in Patent Document 1 has a plurality of high-frequency paths through which a plurality of high-frequency signals having different frequency bands are transmitted.
  • the high-frequency circuit described in Patent Document 1 includes a first switch unit, a first matching circuit unit, and a filter unit.
  • a first switch section an input terminal (antenna terminal) is connected to the antenna element.
  • the output terminal of the first switch unit and the input terminal of the filter unit are connected via the first matching circuit unit.
  • the first switch unit has three switches that divide the high-frequency signal received by the antenna element into high-frequency paths for each of a plurality of filters constituting the filter unit.
  • the first matching circuit unit has a plurality of inductors. One end of the plurality of inductors is connected to one of the plurality of paths connecting the first switch unit and the plurality of filters, and the other end is connected to the ground.
  • An object of the present invention is to provide a high-frequency circuit, a high-frequency front-end circuit, and a communication device capable of suppressing impedance variation in communication bands of a plurality of filters viewed from an antenna terminal.
  • the high frequency circuit includes an antenna terminal, a first switch, a second switch, a first filter, and a second filter.
  • the first switch is connected to the antenna terminal.
  • the second switch is connected to the first switch, and is connected to the antenna terminal via the first switch.
  • the first filter is an elastic wave filter connected to the first switch without going through the second switch, and passes a high frequency signal of the first communication band.
  • the second filter is an elastic wave filter connected to the first switch via the second switch, and passes a high frequency signal of a second communication band having a frequency higher than that of the first communication band.
  • the high frequency circuit further includes an inductor. The inductor is not connected in series with the first filter, but is connected in series with the first switch and the second switch between the first switch and the second switch.
  • the high-frequency front-end circuit includes the high-frequency circuit, a first low-noise amplifier, and a second low-noise amplifier.
  • the first low noise amplifier is connected to the first filter of the high frequency circuit.
  • the second low noise amplifier is connected to the second filter of the high frequency circuit.
  • the communication device includes the high frequency front end circuit and a signal processing circuit.
  • the signal processing circuit processes the high frequency signal of the first communication band and the high frequency signal of the second communication band.
  • the high-frequency circuit, high-frequency front-end circuit, and communication device can suppress the variation in impedance in the communication band of a plurality of filters viewed from the antenna terminal.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a high frequency circuit according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a circuit diagram of a high-frequency front-end circuit and a communication device including the same high-frequency circuit.
  • FIG. 3A is a Smith chart of the filter corresponding to Band 3 in the same high frequency circuit.
  • FIG. 3B is a Smith chart of the filter corresponding to Band 1 in the high frequency circuit of the same.
  • FIG. 3C is a Smith chart of the filter corresponding to Band 40 in the same high frequency circuit.
  • FIG. 3D is a Smith chart of the filter corresponding to Band 7 in the same high frequency circuit.
  • FIG. 4 is a circuit diagram of a high frequency circuit according to Comparative Example 1.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a high frequency circuit according to Comparative Example 1.
  • FIG. 5A is a Smith chart of the filter corresponding to Band 3 in the same high frequency circuit.
  • FIG. 5B is a Smith chart of the filter corresponding to Band 1 in the high frequency circuit of the same.
  • FIG. 5C is a Smith chart of the filter corresponding to Band 40 in the same high frequency circuit.
  • FIG. 5D is a Smith chart of the filter corresponding to Band 7 in the same high frequency circuit.
  • FIG. 6 is a circuit diagram of a high frequency circuit according to Reference Example 1.
  • FIG. 7A is a Smith chart of each filter viewed from a point on line A11 in the same high frequency circuit.
  • FIG. 7B is a Smith chart of each filter viewed from a point on line A12 in the same high frequency circuit.
  • FIG. 7C is a Smith chart of each filter viewed from a point on line A13 in the same high frequency circuit.
  • FIG. 8 is a circuit diagram of a high frequency circuit according to Reference Example 2.
  • FIG. 9A is a Smith chart of the first filter viewed from a point on line A31 in the same high frequency circuit.
  • FIG. 9B is a Smith chart of the second filter viewed from a point on line A32 in the same high frequency circuit.
  • FIG. 9C is a Smith chart of the second filter viewed from a point on line A33 in the same high frequency circuit.
  • FIG. 10 is a circuit diagram of a high frequency circuit according to the second embodiment.
  • FIG. 11 is a circuit diagram of a high-frequency front-end circuit and a communication device including the same high-frequency circuit.
  • FIG. 12A is a Smith chart of the filter corresponding to Band 3 in the same high frequency circuit.
  • FIG. 12B is a Smith chart of the filter corresponding to Band 1 in the same high frequency circuit.
  • FIG. 12C is a Smith chart of the filter corresponding to Band 40 in the same high frequency circuit.
  • FIG. 12D is a Smith chart of the filter corresponding to Band 7 in the same high frequency circuit.
  • FIG. 13A is a Smith chart of the filter corresponding to Band 3 in the high frequency circuit according to Comparative Example 2.
  • FIG. 13B is a Smith chart of the filter corresponding to Band 1 in the high frequency circuit of the same.
  • FIG. 13C is a Smith chart of the filter corresponding to Band 40 in the same high frequency circuit.
  • FIG. 13D is a Smith chart of the filter corresponding to Band 7 in the high frequency circuit of the same.
  • the high-frequency circuit 1 is used, for example, in the high-frequency front-end circuit 200 of the communication device 300 (see FIG. 2).
  • the communication device 300 is, for example, a mobile phone (for example, a smartphone), but is not limited to this, and may be, for example, a wearable terminal (for example, a smart watch).
  • the high frequency circuit 1 is used, for example, in a high frequency module capable of supporting 4G (4th generation mobile communication) standard and 5G (5th generation mobile communication) standard.
  • the 4G standard is, for example, a 3GPP LTE (Long Term Evolution) standard.
  • the 5G standard is, for example, 5G NR (New Radio).
  • the high frequency circuit 1 is, for example, a circuit capable of supporting carrier aggregation and dual connectivity.
  • the high-frequency circuit 1 includes an antenna terminal 2, a first switch 4, a second switch 5, a plurality of (here, two) first filters 6, and a plurality (here, two).
  • the second filter 7 and the inductor 8 are provided.
  • the first switch 4 is connected to the antenna terminal 2.
  • the second switch 5 is connected to the first switch 4 and is connected to the antenna terminal 2 via the first switch 4.
  • the plurality of second filters 7 are connected to the antenna terminal 2 via the second switch 5 and the first switch 4.
  • the inductor 8 is not connected in series to the plurality of first filters 6, but is connected in series to the first switch 4 and the second switch 5 between the first switch 4 and the second switch 5.
  • the high frequency circuit 1 according to the first embodiment further includes a third switch 3.
  • the third switch 3 is connected to the first switch 4 and is connected to the antenna terminal 2 via the first switch 4.
  • the plurality of first filters 6 are connected to the first switch 4 via the third switch 3.
  • one of the first filters 6 of the two first filters 6 may be referred to as a first filter 61, and the other first filter 6 may be referred to as a first filter 62.
  • one of the two second filters 7 may be referred to as a second filter 71, and the other second filter 7 may be referred to as a second filter 72.
  • the high frequency circuit 1 according to the first embodiment further includes an inductor 9 for impedance matching connected between the antenna terminal 2 and the first switch 4. Further, the high frequency circuit 1 according to the first embodiment includes two shunt inductors 131 and 132 for impedance matching the third switch 3 and the two first filters 6. Further, the high frequency circuit 1 according to the first embodiment includes two shunt inductors 133 and 134 for impedance matching the second switch 5 and the two second filters 7.
  • the antenna terminal 2 is a terminal connected to an external antenna 310 (see FIG. 2) of the high frequency circuit 1.
  • the first switch 4 has a common terminal 40 and a plurality of (here, two) selection terminals (first selection terminal 41 and second selection terminal 42).
  • the first switch 4 switches the connection state between the common terminal 40 and the first selection terminal 41 and the second selection terminal 42.
  • the first switch 4 has a first state for connecting the common terminal 40 and the first selection terminal 41, a second state for connecting the common terminal 40 and the second selection terminal 42, and a common terminal 40 and the first selection terminal. It is a switch that switches between a third state in which the 41 and the second selection terminal 42 are connected and a fourth state in which the common terminal 40 and the first selection terminal 41 and the second selection terminal 42 are not connected.
  • the first switch 4 is a switch capable of connecting at least one or more of a plurality of selection terminals (first selection terminal 41 and second selection terminal 42) to the common terminal 40.
  • the first switch 4 is, for example, a switch capable of one-to-one and one-to-many connections.
  • the first switch 4 is a switch IC (Integrated Circuit).
  • the switch IC is, for example, a switch function unit including a substrate having a first main surface and a second main surface facing each other in the thickness direction and an FET (Field Effect Transistor) formed on the first main surface side of the substrate. It is a one-chip IC chip including.
  • the substrate is, for example, a silicon substrate.
  • the switch function unit is a function unit having a function of switching the connection state.
  • the first switch 4 is controlled by, for example, a signal processing circuit 301 (see FIG. 2).
  • the first switch 4 switches the connection state between the common terminal 40 and the first selection terminal 41 and the second selection terminal 42 according to the control signal from the RF signal processing circuit 302 of the signal processing circuit 301.
  • the common terminal 40 of the first switch 4 is connected to the antenna terminal 2 via an inductor 9 for impedance matching.
  • the first switch 4 is an antenna switch connected to the antenna terminal 2.
  • the first selection terminal 41 of the first switch 4 is connected to the third switch 3 and the second switch 5.
  • the inductor 8 is connected in series with the first switch 4 and the second switch 5 between the first selection terminal 41 of the first switch 4 and the second switch 5.
  • the second switch 5 has a common terminal 50 and a plurality of (here, two) selection terminals (first selection terminal 51 and second selection terminal 52).
  • the second switch 5 switches the connection state between the common terminal 50 and the first selection terminal 51 and the second selection terminal 52.
  • the second switch 5 has a first state for connecting the common terminal 50 and the first selection terminal 51, a second state for connecting the common terminal 50 and the second selection terminal 52, and a common terminal 50 and the first selection terminal. It is a switch that switches between a third state in which the 51 and the second selection terminal 52 are connected and a fourth state in which the common terminal 50 and the first selection terminal 51 and the second selection terminal 52 are not connected.
  • the second switch 5 is a switch capable of connecting at least one or more of a plurality of selection terminals (first selection terminal 51 and second selection terminal 52) to the common terminal 50.
  • the second switch 5 is, for example, a switch capable of one-to-one and one-to-many connections.
  • the second switch 5 is a switch IC.
  • the second switch 5 is controlled by, for example, a signal processing circuit 301 (see FIG. 2).
  • the second switch 5 switches the connection state between the common terminal 50 and the first selection terminal 51 and the second selection terminal 52 according to the control signal from the RF signal processing circuit 302 of the signal processing circuit 301.
  • the common terminal 50 of the second switch 5 is connected to the common terminal 40 of the first switch 4 via the inductor 8.
  • the first selection terminal 51 of the second switch 5 is connected to the second filter 71.
  • the second selection terminal 52 of the second switch 5 is connected to the second filter 72.
  • the second switch 5 is a band select switch for switching signal paths of second communication bands that are different from each other.
  • the third switch 3 has a common terminal 30 and a plurality of (here, two) selection terminals (first selection terminal 31 and second selection terminal 32).
  • the third switch 3 switches the connection state between the common terminal 30, the first selection terminal 31, and the second selection terminal 32.
  • the third switch 3 has a first state for connecting the common terminal 30 and the first selection terminal 31, a second state for connecting the common terminal 30 and the second selection terminal 32, and the common terminal 30 and the first selection terminal. It is a switch that switches between a third state in which the 31 and the second selection terminal 32 are connected and a fourth state in which the common terminal 30, the first selection terminal 31 and the second selection terminal 32 are not connected. That is, the first selection terminal 31 and the second selection terminal 32 can be simultaneously connected to the common terminal 30.
  • the third switch 3 is a switch capable of connecting at least one or more of a plurality of selection terminals (first selection terminal 31 and second selection terminal 32) to the common terminal 30.
  • the third switch 3 is, for example, a switch capable of one-to-one and one-to-many connections.
  • the third switch 3 is a switch IC.
  • the third switch 3 is controlled by, for example, the signal processing circuit 301 (see FIG. 2).
  • the third switch 3 switches the connection state between the common terminal 30, the first selection terminal 31, and the second selection terminal 32 according to the control signal from the RF signal processing circuit 302 of the signal processing circuit 301.
  • the common terminal 30 of the third switch 3 is connected to the common terminal 40 of the first switch 4 without passing through the inductor 8.
  • the first selection terminal 31 is connected to the first filter 61.
  • the second selection terminal 32 is connected to the first filter 62.
  • the third switch 3 is a band select switch for switching signal paths of different first communication bands.
  • the plurality of first filters 6 pass high frequency signals of the first communication band.
  • the plurality of first filters 6 include two first filters 61 and 62 having different first communication bands from each other.
  • the corresponding first communication band of the high frequency signal passed through the first filter 61 is Band 3 of the 3GPP LTE standard.
  • the first communication band corresponding to the high frequency signal passed through the first filter 62 is Band 1 of the 3GPP LTE standard.
  • the pass band of the first filter 61 includes the downlink frequency band (1805 MHz-1880 MHz) of Band 3.
  • the pass band of the first filter 62 includes the downlink frequency band of Band 1 (2110 MHz-2170 MHz).
  • the pass bands of the plurality of first filters 6 do not overlap each other.
  • Band 1 is a communication band having a higher frequency than Band 3.
  • B3 on the left side of the graphic symbol of the first filter 61 is shown for easy understanding that the first filter 61 corresponds to Band 3.
  • B1 on the left side of the graphic symbol of the first filter 62 is written for easy understanding that the first filter 62 corresponds to Band1.
  • the plurality of second filters 7 pass high frequency signals in the second communication band.
  • the plurality of second filters 7 include two second filters 71 and 72 having different second communication bands from each other.
  • the corresponding second communication band of the high frequency signal passed through the second filter 71 is Band 40 of the 3GPP LTE standard.
  • the corresponding second communication band of the high frequency signal passed through the second filter 72 is Band 7 of the 3GPP LTE standard.
  • the pass band of the second filter 71 includes the downlink frequency band (2300 MHz-2400 MHz) of the Band 40.
  • the pass band of the second filter 72 includes the downlink frequency band (2620 MHz-2690 MHz) of Band 7.
  • the pass bands of the plurality of second filters 7 do not overlap each other.
  • Band 7 is a communication band having a higher frequency than Band 40. In FIG.
  • Each of the first filter 61, the first filter 62, the second filter 71, and the second filter 72 is an elastic wave filter.
  • the surface acoustic wave filter is, for example, a SAW (Surface Acoustic Wave) filter that utilizes surface acoustic waves.
  • the first filter 61 is connected to the first selection terminal 31 of the third switch 3 via the wiring 101.
  • the first filter 62 is connected to the second selection terminal 32 of the third switch 3 via the wiring 102.
  • the second filter 71 is connected to the first selection terminal 51 of the second switch 5 via the wiring 103.
  • the second filter 72 is connected to the second selection terminal 52 of the second switch 5 via the wiring 104.
  • the inductor 8 is connected in series to the second switch 5 and the first switch 4 between the common terminal 50 of the second switch 5 and the first selection terminal 41 of the first switch 4.
  • the inductance of the inductor 8 is 1 nH or more, for example, 1.5 nH.
  • the shunt inductor 131 is a component of a matching circuit for impedance matching the third switch 3 and the first filter 61.
  • the shunt inductor 131 is connected between the node N11 on the wiring 101 and the ground.
  • the shunt inductor 132 is a component of a matching circuit for impedance matching the third switch 3 and the first filter 62.
  • the shunt inductor 132 is connected between the node N12 on the wiring 102 and the ground.
  • the shunt inductor 133 is a component of a matching circuit for impedance matching the second switch 5 and the second filter 71.
  • the shunt inductor 133 is connected between the node N13 on the wiring 103 and the ground.
  • the shunt inductor 134 is a component of a matching circuit for impedance matching the second switch 5 and the second filter 72.
  • the shunt inductor 134 is connected between the node N14 on the wiring 104 and the ground.
  • the first selection terminal 41 is connected to the common terminal 40 in the first switch 4, and the first selection terminal is connected in the third switch 3. 31 and the second selection terminal 32 are simultaneously connected to the common terminal 30, and the first selection terminal 51 is connected to the common terminal 50 in the second switch 5.
  • the first selection terminal 41 is connected to the common terminal 40 in the first switch 4, and the first selection terminal 31 and the second selection terminal 31 and the second in the third switch 3.
  • the selection terminal 32 is simultaneously connected to the common terminal 30.
  • the first selection terminal 41 when corresponding to simultaneous communication between Band 40 and Band 7, is connected to the common terminal 40 in the first switch 4, and the first selection terminal 51 and the second selection terminal in the second switch 5. 52 is simultaneously connected to the common terminal 50.
  • the first selection terminal 41 is connected to the common terminal 40 in the first switch 4, and the first selection terminal 51 is connected to the common terminal 50 in the second switch 5.
  • the first selection terminal 41 is connected to the common terminal 40 in the first switch 4
  • the second selection terminal 52 is connected to the common terminal 50 in the second switch 5.
  • High-frequency module including a high-frequency circuit includes the above-mentioned antenna terminal 2, the first switch 4, the second switch 5, and two first filters 6.
  • the high frequency module is mounted on which the first switch 4, the second switch 5, the two first filters 6, the two second filters 7, the inductor 8, the inductor 9, the four shunt inductors 131 to 134, and the like are mounted. It has a substrate.
  • the mounting board has a first main surface and a second main surface facing each other in the thickness direction of the mounting board.
  • the mounting substrate is, for example, a printed wiring board, an LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics) substrate, an HTCC (High Temperature Co-fired Ceramics) substrate, and a resin multilayer substrate.
  • the mounting substrate is, for example, a multilayer substrate including a plurality of dielectric layers and a plurality of conductive layers. The plurality of dielectric layers and the plurality of conductive layers are laminated in the thickness direction of the mounting substrate. The plurality of conductive layers are formed in a predetermined pattern determined for each layer.
  • Each of the plurality of conductive layers includes one or more conductor portions in one plane orthogonal to the thickness direction of the mounting substrate.
  • the material of each conductive layer is, for example, copper.
  • the plurality of conductive layers include a ground layer. In the high frequency module, a plurality of ground terminals and a ground layer are electrically connected via a via conductor or the like included in the mounting substrate.
  • the mounting board is not limited to the printed wiring board and the LTCC board, but may be a wiring structure.
  • the wiring structure is, for example, a multi-layer structure.
  • the multilayer structure includes at least one insulating layer and at least one conductive layer.
  • the insulating layer is formed in a predetermined pattern. When there are a plurality of insulating layers, the plurality of insulating layers are formed in a predetermined pattern determined for each layer.
  • the conductive layer is formed in a predetermined pattern different from the predetermined pattern of the insulating layer. When there are a plurality of conductive layers, the plurality of conductive layers are formed in a predetermined pattern determined for each layer.
  • the conductive layer may include one or more rewiring sections.
  • the first surface of the two surfaces facing each other in the thickness direction of the multilayer structure is the first main surface of the mounting board, and the second surface is the second main surface of the mounting board.
  • the wiring structure may be, for example, an interposer.
  • the interposer may be an interposer using a silicon substrate, or may be a substrate composed of multiple layers.
  • the elastic wave filter includes a piezoelectric substrate and a plurality of IDT (Interdigital Transducer) electrodes.
  • the plurality of IDT electrodes are formed on a piezoelectric substrate.
  • Each of the plurality of IDT electrodes has a first electrode and a second electrode.
  • the first electrode has a plurality of first electrode fingers and a first bus bar to which the plurality of first electrode fingers are connected.
  • the second electrode has a plurality of second electrode fingers and a second bus bar to which the plurality of second electrode fingers are connected.
  • the characteristics of the elastic wave filter can be changed, for example, by appropriately changing the electrode finger pitch of the IDT electrode, the cross width of the IDT electrode, the material of the piezoelectric substrate, and the like.
  • the electrode finger pitch of the IDT electrode is the distance between the center lines of two adjacent first electrode fingers among the plurality of first electrode fingers, or the distance between the center lines of two adjacent second electrode fingers among the plurality of second electrode fingers. It is defined by the distance between the center lines.
  • the surface acoustic wave filter is, for example, a ladder type filter including a plurality of surface acoustic wave resonators (a plurality of series arm resonators and a plurality of parallel arm resonators). Each of the plurality of surface acoustic wave resonators includes an IDT electrode and a part of a piezoelectric substrate.
  • the piezoelectric substrate is a piezoelectric substrate.
  • the material of the piezoelectric substrate is, for example, lithium tantalate (LiTaO 3 ) or lithium niobate (LiNbO 3 ).
  • the piezoelectric substrate is not limited to the piezoelectric substrate, and is, for example, a laminated substrate having a support substrate, a low sound velocity film provided on the support substrate, and a piezoelectric layer provided on the low sound velocity film. May be good.
  • the bass velocity film is a film in which the sound velocity of the bulk wave propagating in the bass velocity film is lower than the sound velocity of the bulk wave propagating in the piezoelectric layer.
  • the material of the bass velocity film is, for example, silicon oxide.
  • the material of the bass velocity film is not limited to silicon oxide.
  • the material of the bass velocity film may be, for example, silicon oxide, glass, silicon nitride, tantalum oxide, a compound obtained by adding fluorine, carbon, or boron to silicon oxide, or a material containing each of the above materials as a main component. Good.
  • the speed of sound of the bulk wave propagating in the support substrate is higher than the speed of sound of the elastic wave propagating in the piezoelectric layer.
  • the bulk wave propagating on the support substrate is the lowest sound velocity bulk wave among the plurality of bulk waves propagating on the support substrate.
  • Support substrate materials include silicon, aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, quartz, alumina, zirconia, cozilite, mulite, steatite, forsterite, magnesia, and It may contain at least one material selected from the group consisting of diamonds.
  • the laminated substrate constituting the piezoelectric substrate may further have a hypersonic film provided between the support substrate and the hypersonic film.
  • the hypersonic film is a film in which the sound velocity of a bulk wave propagating in a hypersonic film is higher than the sound velocity of an elastic wave propagating in a piezoelectric layer.
  • Materials for high-pitched membranes include, for example, diamond-like carbon, aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, silicon, sapphire, piezoelectric materials (lithium tantalate, lithium niobate, or quartz), alumina, zirconia, and cozilite.
  • the material of the hypersonic film may be a material containing any of the above-mentioned materials as a main component, or a material containing a mixture containing any of the above-mentioned materials as a main component.
  • the inductor 8 is, for example, a chip inductor, but is not limited to this, and may be, for example, an inductor formed on a multilayer substrate and including a conductor pattern.
  • the inductance of the inductor 8 is 1 nH or more as described above, and it is preferable that the inductor including the conductor pattern is wound at least twice around the winding axis along the thickness direction of the multilayer substrate, for example.
  • the inductor including the conductor pattern may be an inner layer inductor provided entirely in the multilayer substrate, or a part thereof may be formed on the main surface of the multilayer substrate.
  • the high-frequency circuit 1r according to the reference example 1 (see FIG. 6) and the high-frequency circuit 1s according to the reference example 2 (see FIG. 8).
  • the same components as those of the high-frequency circuit 1 according to the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted as appropriate.
  • the high frequency circuit 1r according to Reference Example 1 includes a multiplexer 60 including two first filters 61 and 62, a switch 400, and a shunt inductor 800.
  • the multiplexer 60 has a connection point 601 in which terminals on the input side (terminals on the antenna terminal side) of the two first filters 61 and 62 are bundled.
  • the connection point 601 of the multiplexer 60 is connected to the antenna terminal via the switch 400.
  • the shunt inductor 800 is connected between the node N20 on the wiring 900 connecting the connection point 601 and the switch 400 and the ground.
  • the pass band of the first filter 61 includes the downlink frequency band of Band 3.
  • the pass band of the first filter 62 includes the downlink frequency band of Band 1.
  • a switch is used rather than a configuration in which the first filter 61 corresponding to Band 3 and the first filter 62 corresponding to Band 1 are bundled via a switch 400. It is preferable to adopt the configuration of the multiplexer 60 that bundles without passing through 400 from the viewpoint of improving the characteristics of the first filters 61 and 62, respectively.
  • FIG. 7A shows the first filters 61, when the first filters 61 and 62 are viewed from the point (point on the line A11) between the connection point 601 of the multiplexer 60 and the node N20 in the high frequency circuit 1r. It is a Smith chart which shows the impedance of 62.
  • FIG. 7B shows the first filters 61 and 62 when the first filters 61 and 62 are viewed from the point between the node N20 and the switch 400 (the point on the line A12) in the high-frequency circuit 1r. It is a Smith chart which shows impedance. Further, FIG.
  • FIG. 7C shows a point (on line A13) between the switch 400 and the antenna terminal when the high-frequency circuit 1r supports simultaneous communication between Band 3 and Band 1 (in this case, the switch 400 is in the ON state). It is a Smith chart which shows the impedance of each 1st filter 61, 62 when the 1st filter 61, 62 side is seen from the point (point).
  • the straight line passing through the center of the chart to the left and right is the axis (resistance axis) representing the resistance component of impedance.
  • the scale on the resistance axis is normalized, with 0 ⁇ at the left end, 50 ⁇ at the center of the chart, and infinity (open) at the right end.
  • the lower side of the resistance shaft is capacitive and the upper side of the resistance shaft is inductive.
  • the impedance of the first filter 61 in Band 3 is capacitive as shown in FIG. 7A in the first filter 61 alone, and is as shown in FIG. 7B due to the influence of the shunt inductor 800. Shift to inductive. Further, as can be seen from FIGS. 7A and 7B, the impedance of the first filter 62 in Band 1 is capacitive as shown in FIG. 7A in the first filter 62 alone, and is shown in FIG. 7B due to the influence of the shunt inductor 800. To shift to inductive. The shift amount is 1 / ⁇ L, where L is the inductance of the shunt inductor 800 and ⁇ is the angular frequency. Therefore, the impedance shift amount of the first filter 61 corresponding to the low frequency Band 3 of Band 3 and Band 1 is larger than the impedance shift amount of the first filter 62 corresponding to the high frequency Band 1.
  • the impedance of the first filter 61 at Band 3 shifts due to the influence of the shunt capacitor of the wiring 901 and the shunt capacitor of the switch 400. Further, as can be seen from FIGS. 7B and 7C, the impedance of the first filter 62 at Band 1 is shifted by the influence of the shunt capacitor of the wiring 901 and the shunt capacitor of the switch 400.
  • the shift amount is ⁇ C, where C is the capacitance of the shunt capacitor and ⁇ is the angular frequency.
  • the impedance shift amount of the first filter 62 corresponding to Band 1 having a higher frequency among Band 3 and Band 1 is larger than the impedance shift amount of the first filter 61 corresponding to Band 3.
  • the impedance of the first filter 61 at Band 3 deviates from 50 ⁇ to the inductive region
  • the impedance of the first filter 62 at Band 1 deviates from 50 ⁇ to capacitive. Therefore, when an inductor is connected between the switch 400 and the antenna terminal, the impedance of the first filter 61 including Band 3 on the low frequency side in the pass band tends to shift to at least one of high impedance and inductive.
  • the impedance of the first filter 62 including Band 1 on the high frequency side in the pass band tends to shift to at least one of low impedance and capacitance.
  • (2.2) Reference example 2 As shown in FIG. 8, in the high frequency circuit 1s according to the reference example 2, in addition to the configuration of the high frequency circuit 1r according to the reference example 1, two second filters 71 and 72 and two shunt inductors 803 and 804 are included. To be equipped. Further, the high frequency circuit 1s according to the reference example 2 includes a switch 401 instead of the switch 400 of the high frequency circuit 1r according to the reference example 1.
  • the pass band of the first filter 61 includes the downlink frequency band of Band 3.
  • the pass band of the first filter 62 includes the downlink frequency band of Band 1.
  • the pass band of the second filter 71 includes the downlink frequency band of Band 40.
  • the second filter 72 includes the downlink frequency band of Band 7.
  • the switch 401 has a common terminal 410 and three selection terminals 411, 421 and 413 that can be simultaneously connected to the common terminal 410.
  • the switch 401 is a switch capable of one-to-one and one-to-many connections.
  • the common terminal 410 is connected to the antenna terminal via the wiring 905 and the inductor for impedance matching.
  • the selection terminal 411 is connected to the connection point 601 of the multiplexer 60 via the wiring 901. Therefore, the selection terminal 411 is connected to the first filter 61 and the first filter 62.
  • the selection terminal 412 is connected to the second filter 71 via the wiring 903.
  • the selection terminal 413 is connected to the second filter 72 via the wiring 904.
  • the shunt inductor 800 is connected between the node N22 on the wiring 901 between the connection point 601 of the multiplexer 60 and the selection terminal 411 of the switch 401 and the ground.
  • the shunt inductor 803 is connected between the node N23 on the wiring 903 between the second filter 71 and the selection terminal 412 of the switch 401 and the ground.
  • the shunt inductor 804 is connected between the node N24 on the wiring 904 between the second filter 72 and the selection terminal 413 of the switch 401 and the ground.
  • the high frequency circuit 1s for example, when supporting simultaneous communication between Band 3 and Band 1 and Band 40, two selection terminals 411 and 412 are simultaneously connected to the common terminal 410. Further, in the high frequency circuit 1s, when the simultaneous communication of Band 3 and Band 1 and Band 40 and Band 7 is supported, three selection terminals 411 to 413 are simultaneously connected to the common terminal 410. Further, in the high frequency circuit 1s, when the communication of only the Band 40 is supported, one of the three selection terminals 411 to 413, the selection terminal 412, is connected to the common terminal 410.
  • FIG. 9A is a Smith chart showing the impedances of the first filter 61 and the first filter 62 when the multiplexer 60 side is viewed from the point on the common terminal 410 side (point on the line A31) of the switch 401 in the high frequency circuit 1s. is there.
  • B3, B1, B40 and B7 are shown to show that they are the impedances of the first filter 61 and the first filter 62 in the Band3, Band1, Band40 and Band7 frequency bands, respectively.
  • FIG. 9B is a Smith chart showing the impedance of the second filter 71 when the second filter 71 side is viewed from the point on the common terminal 410 side (point on the line A32) of the switch 401 in the high frequency circuit 1s. ..
  • FIG. 9B B3, B1, B40 and B7 are shown to show that they are the impedances of the second filter 71 in the Band3, Band1, Band40 and Band7 frequency bands, respectively.
  • FIG. 9C is a Smith chart showing the impedance of the second filter 72 when the second filter 72 side is viewed from the point on the common terminal 410 side (point on the line A33) of the switch 401 in the high frequency circuit 1s. ..
  • B3, B1, B40 and B7 are shown to show that they are the impedances of the second filter 72 in the Band3, Band1, Band40 and Band7 frequency bands, respectively.
  • the impedance of the first filter 62 that passes the high frequency signal of Band 1 is close to 50 ⁇ . Further, in the Smith chart of FIG. 9A, the impedance of the first filter 62 is capacitive in the frequency band of Band 40, and is smaller in reactance in the frequency band of Band 7 than in the frequency band of Band 40. Therefore, the impedance of the first filter 62 is affected by the shunt capacitor in the Band 1 frequency band. Therefore, when the simultaneous communication between Band 3 and Band 1 and Band 40 and Band 7 is supported, the first filter 62 that passes the high frequency signal of Band 1 has the capacitance component in the Band 1 frequency band of the second filter 71 in the first filter 62.
  • the impedance of the first filter 62 deviates from the impedance of the first filter 62 alone to at least one of low impedance and capacitance as shown by the broken line arrow in FIG. 9A.
  • the impedance of the first filter 61 that passes the high frequency signal of Band 3 is close to 50 ⁇ . Further, in the Smith chart of FIG. 9A, the impedance of the first filter 61 is near open in the frequency band of Band 40 and the frequency band of Band 7. From the above, when the simultaneous communication between Band 3 and Band 1 and Band 40 and Band 7 is supported, the impedance of the first filter 61 that passes the high frequency signal of Band 3 is the first filter 62 corresponding to each of the other Band 1, Band 40 and Band 7. The phase is hardly affected by the second filter 71 and the second filter 72.
  • the impedance of the first filter 61 that passes the high frequency signal of Band 3 is the impedance of the first filter 61 even if the first filter 61, the first filter 62, the second filter 71, and the second filter 72 are bundled. There is almost no deviation.
  • the impedance of the first filter 61 through which the high frequency signal of Band 3 is passed may shift to at least one of high impedance and inductive due to the influence of the inductor connected between the common terminal 410 of the switch 401 and the antenna terminal.
  • the impedance of the second filter 71 that passes the high frequency signal of the Band 40 is close to 50 ⁇ . Further, in the Smith chart of FIG. 9B, it can be seen that the impedance of the second filter 71 is inductive near the open in the frequency band of Band 3. Further, in the Smith chart of FIG. 9B, the impedance of the second filter 71 is capacitive in the frequency band of Band 7. From the above, when the simultaneous communication between Band 3 and Band 1 and Band 40 and Band 7 is supported, the impedance of the second filter 71 that passes the high frequency signal of Band 40 is the shunt capacitor (the shunt capacitor component of the wiring 905 and the shunt capacitor component of the switch 401). ), As shown by the shunt arrow in FIG. 9B, there is a shift between low impedance and capacitance.
  • the impedance of the second filter 72 that passes the high frequency signal of Band 7 is close to 50 ⁇ . Further, in the Smith chart of FIG. 9C, the impedance of the second filter 72 is capacitive in any of the Band 3 frequency band, the Band 1 frequency band, and the Band 40 frequency band. From the above, when the simultaneous communication between Band 3 and Band 1 and Band 40 and Band 7 is supported, the impedance of the second filter 72 that passes the high frequency signal of Band 7 is the shunt capacitor (the shunt capacitor component of the wiring 905 and the shunt capacitor component of the switch 401). ), As shown by the shunt arrow in FIG. 9C, it tends to shift to at least one of low impedance and capacitance.
  • the impedance of the first filter 61 of the communication band corresponding to a relatively low frequency band is 50 ⁇ .
  • the impedance of the first filter 62, the second filter 71, and the second filter 72 of the communication band corresponding to the relatively high frequency band which deviates from to at least one of high impedance and inductive, is from 50 ⁇ to low impedance and capacitance. It tends to shift to at least one of them.
  • the second filter 72 that passes the high-frequency signal of Band7 corresponding to the highest frequency band is most likely to shift from 50 ⁇ to at least one of low impedance and capacitance.
  • the high-frequency circuit 1r according to Reference Example 1 and the high-frequency circuit 1s according to Reference Example 2 for example, when supporting simultaneous communication such as carrier aggregation, the low-frequency band of the plurality of filters viewed from the antenna terminal
  • the impedance of the filter tends to shift to at least one of high impedance and inductive
  • the impedance of the filter in the high frequency band tends to shift to at least one of low impedance and capacitance. Therefore, in the high-frequency circuit 1r according to Reference Example 1 and the high-frequency circuit 1s according to Reference Example 2, when supporting simultaneous communication such as carrier aggregation, the impedance variation in the communication bands of a plurality of filters becomes large. There are challenges.
  • a second switch which is a band select switch for switching a plurality of (here, two) second communication bands (Band 40, Band 7) on the high frequency side.
  • An inductor 8 is connected in series between 5 and the first switch 4, which is an antenna switch.
  • the high frequency circuit 1q according to Comparative Example 1 is different from the high frequency circuit 1 according to the first embodiment in that the inductor 8 is not provided.
  • FIG. 5A is a Smith chart showing the impedance of the first filter 61 through which the high frequency signal of Band 3 is passed.
  • ZA1 is a band 3 when the first filter 61 side is viewed from a point (point on the line A1) on the first wiring 111 connected to the common terminal 30 of the third switch 3 in FIG. The impedance of the first filter 61 in the frequency band is shown.
  • ZA3 shows the impedance of the first filter 61 in the frequency band of Band 3 when the first filter 61 side is viewed from the point on the third wiring 113 (point on the line A3) in FIG. ..
  • the third wiring 113 includes a connection point T1 between the first wiring 111 connected to the common terminal 30 and the second wiring 112 connected to the common terminal 50, the first selection terminal 41 of the first switch 4, and the first selection terminal 41. It is the wiring that connects.
  • ZA4 is the first filter 61 in the frequency band of Band 3 when the first filter 61 side is viewed from the point on the common terminal 40 side (point on the line A4) of the first switch 4 in FIG. Indicates the impedance of.
  • the ZA5 is a first filter 61 in the band 3 frequency band when the first filter 61 side is viewed from a point (a point on the line A5) between the inductor 9 and the antenna terminal 2 in FIG.
  • ZA5 is the impedance of the first filter 61 when the first filter 61 is viewed from the antenna terminal 2.
  • the reason why ZA3 deviates inductively from ZA1 is that the impedance of the second filter 72 that passes the high frequency signal of Band 40 is inductive in the frequency band of Band 3.
  • FIG. 5B is a Smith chart showing the impedance of the first filter 62 through which the high frequency signal of Band 1 is passed.
  • ZA1 is a band 1 when the first filter 62 side is viewed from a point (point on the line A1) on the first wiring 111 connected to the common terminal 30 of the third switch 3 in FIG. The impedance of the first filter 62 in the frequency band is shown.
  • ZA3 shows the impedance of the first filter 62 in the frequency band of Band 1 when the first filter 62 side is viewed from the point on the third wiring 113 (point on the line A3) in FIG. ..
  • FIG. 1 shows the impedance of the first filter 62 in the frequency band of Band 1 when the first filter 62 side is viewed from the point on the third wiring 113 (point on the line A3) in FIG. ..
  • the ZA4 is the first filter 62 in the frequency band of Band 1 when the first filter 62 side is viewed from the point on the common terminal 40 side (point on the line A4) of the first switch 4 in FIG. Indicates the impedance of.
  • the ZA5 is the first filter 62 in the frequency band of Band 1 when the first filter 62 side is viewed from the point (point on the line A5) between the inductor 9 and the antenna terminal 2 in FIG. Indicates the impedance of. That is, in FIG. 5B, ZA5 is the impedance of the first filter 62 when the first filter 62 is viewed from the antenna terminal 2 in FIG.
  • FIG. 5C is a Smith chart showing the impedance of the second filter 71 through which the high frequency signal of the Band 40 is passed.
  • ZA1 is a band 40 when the second filter 71 side is viewed from a point (point on the line A1) on the first wiring 111 connected to the common terminal 30 of the third switch 3 in FIG. The impedance of the second filter 71 in the frequency band is shown.
  • ZA3 shows the impedance of the second filter 71 in the frequency band of Band 40 when the second filter 71 side is viewed from the point on the third wiring 113 (point on the line A3) in FIG. ..
  • FIG. 1 is a band 40 when the second filter 71 side is viewed from a point (point on the line A1) on the first wiring 111 connected to the common terminal 30 of the third switch 3 in FIG.
  • ZA3 shows the impedance of the second filter 71 in the frequency band of Band 40 when the second filter 71 side is viewed from the point on the third wiring 113 (point on the line
  • the ZA4 is the second filter 71 in the band 40 frequency band when the second filter 71 side is viewed from the point on the common terminal 40 side (point on the line A4) of the first switch 4 in FIG. Indicates the impedance of.
  • the ZA5 is a second filter 71 in the band 40 frequency band when the second filter 71 side is viewed from the point (point on the line A5) between the inductor 9 and the antenna terminal 2 in FIG. Indicates the impedance of. That is, in FIG. 5C, ZA5 is the impedance of the second filter 71 when the second filter 71 is viewed from the antenna terminal 2 in FIG.
  • FIG. 5D is a Smith chart showing the impedance of the second filter 72 through which the high frequency signal of Band 7 is passed.
  • ZA1 is a band 7 when the second filter 72 side is viewed from a point (point on the line A1) on the first wiring 111 connected to the common terminal 30 of the third switch 3 in FIG. The impedance of the second filter 72 in the frequency band is shown.
  • ZA3 shows the impedance of the second filter 72 in the frequency band of Band 7 when the second filter 72 side is viewed from the point on the third wiring 113 (point on the line A3) in FIG. ..
  • FIG. 5D shows the impedance of the second filter 72 in the frequency band of Band 7 when the second filter 72 side is viewed from the point on the third wiring 113 (point on the line A3) in FIG. ..
  • the ZA4 is a second filter 72 in the band 7 frequency band when the second filter 72 side is viewed from the point on the common terminal 40 side (point on the line A4) of the first switch 4 in FIG. Indicates the impedance of.
  • the ZA5 is a second filter 72 in the band 7 frequency band when the second filter 72 side is viewed from the point (point on the line A5) between the inductor 9 and the antenna terminal 2 in FIG. Indicates the impedance of. That is, in FIG. 5D, ZA5 is the impedance of the second filter 72 when the second filter 72 is viewed from the antenna terminal 2 in FIG. In FIG.
  • the reason why ZA3 deviates from ZA1 in capacitance is that the impedance of the first filter 61 that passes the high frequency signal of Band 3 is capacitive in the frequency band of Band 7, and also passes the high frequency signal of Band 1. This is because the impedance of the first filter 62 is capacitive in the frequency band of Band 7. Further, in FIG. 5D, the reason why ZA4 deviates from ZA3 in terms of capacitance is due to the capacitive component of the first switch 4.
  • FIG. 3A is a Smith chart showing the impedance of the first filter 61 through which the high frequency signal of Band 3 is passed.
  • ZA1 is a band 3 when the first filter 61 side is viewed from a point (point on the line A1) on the first wiring 111 connected to the common terminal 30 of the third switch 3 in FIG. The impedance of the first filter 61 in the frequency band is shown.
  • ZA3 shows the impedance of the first filter 61 in the frequency band of Band 3 when the first filter 61 side is viewed from the point on the third wiring 113 (point on the line A3) in FIG. ..
  • the third wiring 113 includes a connection point T1 between the first wiring 111 connected to the common terminal 30 and the second wiring 112 connected to the common terminal 50, the first selection terminal 41 of the first switch 4, and the first selection terminal 41. It is the wiring that connects.
  • ZA4 is the first filter 61 in the frequency band of Band 3 when the first filter 61 side is viewed from the point on the common terminal 40 side (point on the line A4) of the first switch 4 in FIG. Indicates the impedance of.
  • the ZA5 is a first filter 61 in the band 3 frequency band when the first filter 61 side is viewed from a point (a point on the line A5) between the inductor 9 and the antenna terminal 2 in FIG. Indicates the impedance of. That is, in FIG. 3A, ZA5 is the impedance of the first filter 61 when the first filter 61 is viewed from the antenna terminal 2 in FIG.
  • FIG. 3B is a Smith chart showing the impedance of the first filter 62 through which the high frequency signal of Band 1 is passed.
  • ZA1 is a band 1 when the first filter 62 side is viewed from a point (point on the line A1) on the first wiring 111 connected to the common terminal 30 of the third switch 3 in FIG. The impedance of the first filter 62 in the frequency band is shown.
  • ZA3 shows the impedance of the first filter 62 in the frequency band of Band 1 when the first filter 62 side is viewed from the point on the third wiring 113 (point on the line A3) in FIG. ..
  • FIG. 3B shows the impedance of the first filter 62 in the frequency band of Band 1 when the first filter 62 side is viewed from the point on the third wiring 113 (point on the line A3) in FIG. ..
  • the ZA4 is the first filter 62 in the frequency band of Band 1 when the first filter 62 side is viewed from the point on the common terminal 40 side (point on the line A4) of the first switch 4 in FIG. Indicates the impedance of.
  • the ZA5 is the first filter 62 in the band 1 frequency band when the first filter 62 side is viewed from the point (point on the line A5) between the inductor 9 and the antenna terminal 2 in FIG. Indicates the impedance of. That is, in FIG. 3B, ZA5 is the impedance of the first filter 62 when the first filter 62 is viewed from the antenna terminal 2 in FIG.
  • FIG. 3C is a Smith chart showing the impedance of the second filter 71 through which the high frequency signal of the Band 40 is passed.
  • ZA1 is a band 40 when the second filter 71 side is viewed from a point (point on the line A1) on the second wiring 112 connected to the common terminal 50 of the second switch 5 in FIG.
  • the impedance of the second filter 71 in the frequency band is shown.
  • the ZA2 is the frequency band of the Band 40 when the second filter 71 side is viewed from the point on the second wiring 112 (point on the line A2) between the inductor 8 and the connection point T1 in FIG.
  • the impedance of the second filter 71 in the above is shown.
  • FIG. 3C is a Smith chart showing the impedance of the second filter 71 through which the high frequency signal of the Band 40 is passed.
  • ZA1 is a band 40 when the second filter 71 side is viewed from a point (point on the line A1) on the second wiring 112 connected to the common terminal 50
  • ZA3 shows the impedance of the second filter 71 in the frequency band of Band 40 when the second filter 71 side is viewed from the point on the third wiring 113 (point on the line A3) in FIG. ..
  • the ZA4 is the second filter 71 in the band 40 frequency band when the second filter 71 side is viewed from the point on the common terminal 40 side (point on the line A4) of the first switch 4 in FIG. Indicates the impedance of.
  • the ZA5 is a second filter 71 in the band 40 frequency band when the second filter 71 side is viewed from the point (point on the line A5) between the inductor 9 and the antenna terminal 2 in FIG. Indicates the impedance of.
  • ZA5 is the impedance of the second filter 71 when the second filter 71 is viewed from the antenna terminal 2 in FIG. In FIG. 3C, it is the effect of the inductor 8 that ZA2 deviates inductively from ZA1.
  • FIG. 3D is a Smith chart showing the impedance of the second filter 72 through which the high frequency signal of Band 7 is passed.
  • ZA1 is a band 7 when the second filter 72 side is viewed from a point (point on the line A1) on the second wiring 112 connected to the common terminal 50 of the second switch 5 in FIG. The impedance of the second filter 72 in the frequency band is shown.
  • ZA2 is the frequency band of Band 7 when the second filter 72 side is viewed from the point on the second wiring 112 (point on the line A2) between the inductor 8 and the connection point T1 in FIG. The impedance of the second filter 72 in the above is shown.
  • FIG. 3D is a Smith chart showing the impedance of the second filter 72 through which the high frequency signal of Band 7 is passed.
  • ZA1 is a band 7 when the second filter 72 side is viewed from a point (point on the line A1) on the second wiring 112 connected to the common terminal 50 of the second switch 5 in FIG.
  • ZA3 shows the impedance of the second filter 72 in the frequency band of Band 7 when the second filter 72 side is viewed from the point on the third wiring 113 (point on the line A3) in FIG. ..
  • the ZA4 is a second filter 72 in the band 7 frequency band when the second filter 72 side is viewed from the point on the common terminal 40 side (point on the line A4) of the first switch 4 in FIG. Indicates the impedance of.
  • the ZA5 is a second filter 72 in the band 7 frequency band when the second filter 72 side is viewed from the point (point on the line A5) between the inductor 9 and the antenna terminal 2 in FIG. Indicates the impedance of. That is, in FIG. 3D, ZA5 is the impedance of the second filter 72 when the second filter 72 is viewed from the antenna terminal 2 in FIG. In FIG. 3D, it is the effect of the inductor 8 that ZA2 deviates inductively from ZA1.
  • the impedance of the first filter 61 that passes the high frequency signal of Band 3 in the lowest frequency band is about 60 ⁇
  • the impedance of the second filter 72 that passes the high frequency signal of Band 7 in the highest frequency band is about 30 ⁇ . is there.
  • the second filter 71 and the second filter corresponding to Band 40 and Band 7 are compared with the high frequency circuit 1q according to Comparative Example 1. It can be seen that the impedance when viewed from the antenna terminal 2 of 72 is low impedance from 50 ⁇ and is less likely to shift to capacitance.
  • the high frequency front end circuit 200 includes a high frequency circuit 1, a first low noise amplifier 16, and a second low noise amplifier 18.
  • the first low noise amplifier 16 is connected to a plurality of first filters 6 of the high frequency circuit 1.
  • the second low noise amplifier 18 is connected to a plurality of second filters 7 of the high frequency circuit 1. Further, the high frequency front end circuit 200 further includes two signal output terminals 21 and 22.
  • the first low noise amplifier 16 has an input terminal and an output terminal.
  • the input terminal of the first low noise amplifier 16 is connected to the third switch 3. Further, the output terminal of the first low noise amplifier 16 is connected to the signal output terminal 21.
  • the first low noise amplifier 16 amplifies the high frequency signal input to the input terminal and outputs it from the output terminal.
  • the second low noise amplifier 18 has an input terminal and an output terminal.
  • the input terminal of the second low noise amplifier 18 is connected to the second switch 5. Further, the output terminal of the second low noise amplifier 18 is connected to the signal output terminal 22.
  • the second low noise amplifier 18 amplifies the high frequency signal input to the input terminal and outputs it from the output terminal.
  • the signal output terminal 21 is a terminal for outputting a high frequency signal (received signal) from the first low noise amplifier 16 to an external circuit (for example, a signal processing circuit 301).
  • the signal output terminal 22 is a terminal for outputting a high frequency signal (received signal) from the second low noise amplifier 18 to an external circuit (for example, a signal processing circuit 301).
  • the high frequency front end circuit 200 further includes a fourth switch 14, a fifth switch 15, a first input matching circuit 17, and a second input matching circuit 19.
  • the fourth switch 14 has a common terminal 140 and a plurality of selection terminals (first selection terminal 141 and second selection terminal 142).
  • the fourth switch 14 switches the connection state between the common terminal 140 and the first selection terminal 141 and the second selection terminal 142.
  • the fourth switch 14 has a first state for connecting the common terminal 140 and the first selection terminal 141, a second state for connecting the common terminal 140 and the second selection terminal 142, and the common terminal 140 and the first selection terminal. It is a switch that switches between a third state in which 141 and the second selection terminal 142 are connected and a fourth state in which the common terminal 140 and the first selection terminal 141 and the second selection terminal 142 are not connected. That is, the first selection terminal 141 and the second selection terminal 142 can be simultaneously connected to the common terminal 140.
  • the fourth switch 14 is a switch capable of connecting at least one or more of a plurality of selection terminals (first selection terminal 141 and second selection terminal 142) to the common terminal 140.
  • the fourth switch 14 is, for example, a switch capable of one-to-one and one-to-many connections.
  • the fourth switch 14 is a switch IC.
  • the fourth switch 14 is controlled by, for example, the signal processing circuit 301.
  • the fourth switch 14 switches the connection state between the common terminal 140 and the first selection terminal 141 and the second selection terminal 142 according to the control signal from the RF signal processing circuit 302 of the signal processing circuit 301.
  • the common terminal 140 of the fourth switch 14 is connected to the input terminal of the first low noise amplifier 16 via the first input matching circuit 17.
  • the first selection terminal 141 of the fourth switch 14 is connected to the first filter 61 through which the high frequency signal of Band 3 is passed.
  • the second selection terminal 142 of the fourth switch 14 is connected to the first filter 62 through which the high frequency signal of Band 1 is passed.
  • the fifth switch 15 has a common terminal 150 and a plurality of (here, two) selection terminals (first selection terminal 151 and second selection terminal 152).
  • the fifth switch 15 switches the connection state between the common terminal 150 and the first selection terminal 151 and the second selection terminal 152.
  • the fifth switch 15 has a first state for connecting the common terminal 150 and the first selection terminal 151, a second state for connecting the common terminal 150 and the second selection terminal 152, and the common terminal 150 and the first selection terminal. It is a switch that switches between a third state in which 151 and the second selection terminal 152 are connected and a fourth state in which the common terminal 150 and the first selection terminal 151 and the second selection terminal 152 are not connected.
  • the fifth switch 15 is a switch capable of connecting at least one or more of a plurality of selection terminals (first selection terminal 151 and second selection terminal 152) to the common terminal 150.
  • the fifth switch 15 is, for example, a switch capable of one-to-one and one-to-many connections.
  • the fifth switch 15 is a switch IC.
  • the fifth switch 15 is controlled by, for example, a signal processing circuit 301 (see FIG. 2).
  • the fifth switch 15 switches the connection state between the common terminal 150 and the first selection terminal 151 and the second selection terminal 152 according to the control signal from the RF signal processing circuit 302 of the signal processing circuit 301.
  • the common terminal 150 of the fifth switch 15 is connected to the input terminal of the second low noise amplifier 18 via the second input matching circuit 19.
  • the first selection terminal 151 of the fifth switch 15 is connected to the second filter 71 through which the high frequency signal of the Band 40 is passed.
  • the second selection terminal 152 of the fifth switch 15 is connected to the second filter 72 through which the high frequency signal of the Band 7 is passed.
  • the first input matching circuit 17 is provided in the signal path between the input terminal of the first low noise amplifier 16 and the common terminal 140 of the fourth switch 14.
  • the first input matching circuit 17 is a circuit for impedance matching between the first low noise amplifier 16 and the plurality of first filters 61 and 62.
  • the first input matching circuit 17 is composed of, for example, one inductor, but is not limited to this, and may include, for example, a plurality of inductors and a plurality of capacitors.
  • the second input matching circuit 19 is provided in the signal path between the input terminal of the second low noise amplifier 18 and the common terminal 150 of the fifth switch 15.
  • the second input matching circuit 19 is a circuit for impedance matching between the second low noise amplifier 18 and the plurality of second filters 71 and 72.
  • the second input matching circuit 19 is composed of, for example, one inductor, but is not limited to this, and may include, for example, a plurality of inductors and a plurality of capacitors.
  • the high-frequency front-end circuit 200 is configured to amplify the high-frequency signal (received signal) input from the antenna 310 to the antenna terminal 2 and output it to the signal processing circuit 301.
  • the signal processing circuit 301 is not a component of the high-frequency front-end circuit 200, but a component of the communication device 300 including the high-frequency front-end circuit 200.
  • the high-frequency front-end circuit 200 according to the first embodiment is controlled by, for example, a signal processing circuit 301 included in the communication device 300.
  • the first switch 4 for example, when the simultaneous communication of Band3, Band1, Band40 and Band7 is supported, the first switch 4, the third switch 3, the second switch 5, the fourth switch 14 and the fifth switch 15 are used.
  • the connection status is as follows.
  • the first selection terminal 41 is connected to the common terminal 40.
  • the first selection terminal 31 and the second selection terminal 32 are simultaneously connected to the common terminal 30.
  • the first selection terminal 51 and the second selection terminal 52 are simultaneously connected to the common terminal 50.
  • the first selection terminal 141 and the second selection terminal 142 are simultaneously connected to the common terminal 140.
  • the first selection terminal 151 and the second selection terminal 152 are simultaneously connected.
  • the high-frequency module including the high-frequency front-end circuit 200 is configured by, for example, mounting a plurality of circuit elements other than the high-frequency circuit 1 in the high-frequency front-end circuit 200 on a mounting board of the high-frequency module including the high-frequency circuit 1.
  • the plurality of circuit elements include a first low noise amplifier 16, a second low noise amplifier 18, a fourth switch 14, a fifth switch 15, a first input matching circuit 17, and a second input matching circuit 19.
  • the communication device 300 includes a high-frequency front-end circuit 200 and a signal processing circuit 301.
  • the communication device 300 further includes an antenna 310.
  • the signal processing circuit 301 includes, for example, an RF signal processing circuit 302 and a baseband signal processing circuit 303.
  • the RF signal processing circuit 302 is, for example, an RFIC (Radio Frequency Integrated Circuit), and performs signal processing on a high frequency signal.
  • the RF signal processing circuit 302 performs signal processing such as down-conversion on the high-frequency signal (received signal) output from the high-frequency front-end circuit 200, and uses the processed high-frequency signal as a baseband signal processing circuit. Output to 303.
  • the baseband signal processing circuit 303 is, for example, a BBIC (Baseband Integrated Circuit).
  • the received signal processed by the baseband signal processing circuit 303 is used, for example, for displaying an image as an image signal or for a telephone call as an audio signal.
  • the high frequency front end circuit 200 transmits a high frequency signal (received signal) between the antenna 310 and the RF signal processing circuit 302 of the signal processing circuit 301.
  • the baseband signal processing circuit 303 is not an essential component.
  • the high frequency circuit 1 includes an antenna terminal 2, a first switch 4, a second switch 5, and a plurality of (here, two) first filters. 6 (first filter 61, first filter 62) and a plurality of (here, two) second filters 7 (second filter 71, second filter 72) are provided.
  • the first switch 4 is connected to the antenna terminal 2.
  • the second switch 5 is connected to the first switch 4 and is connected to the antenna terminal 2 via the first switch 4.
  • the plurality of second filters 7 are connected to the antenna terminal 2 via the second switch 5 and the first switch 4.
  • the high frequency circuit 1 further includes an inductor 8.
  • the inductor 8 is not connected in series with the plurality of first filters 6 between the first switch 4 and the plurality of first filters 6, and the first switch 4 and the second switch 5 are connected between the first switch 4 and the second switch 5. 2 It is connected in series to the switch 5.
  • the impedance variation in the communication band of the plurality of filters is suppressed. It becomes possible to do.
  • the impedance in the communication band is the impedance in the own band when viewed from the antenna terminal 2 in each of the plurality of filters.
  • the impedance of the second filter 7 is on the opposite side of the second switch 5 from the second filter 7 side (a point on the line A1 and the common terminal 50 of the second switch 5). Seen from substantially the same point), it is capacitive in the frequency band of the second communication band on the Smith chart.
  • the high frequency circuit 1 according to the first embodiment only by adding the inductor 8, a plurality of operation modes (for example, communication using one filter among the plurality of filters, and any two or more filters among the plurality of filters) It is possible to obtain good characteristics in simultaneous communication such as carrier aggregation using the above. As a result, the high-frequency circuit 1 according to the first embodiment can be downsized as compared with the case where the circuit for adjusting the impedance for each of a plurality of filters is provided.
  • the inductance of the inductor 8 is 1 nH or more as described above.
  • the inductance of the inductor 8 is too small, the effect of providing the inductor 8 is small, and if the inductance is too large, the characteristics deteriorate.
  • the high frequency front end circuit 200 includes a high frequency circuit 1, a first low noise amplifier 16, and a second low noise amplifier 18.
  • the first low noise amplifier 16 is connected to a plurality of first filters 6 of the high frequency circuit 1.
  • the second low noise amplifier 18 is connected to a plurality of second filters 7 of the high frequency circuit 1.
  • the high-frequency front-end circuit 200 there is a variation in impedance in the communication band of a plurality of filters (first filter 61, first filter 62, second filter 71, and second filter 72) viewed from the antenna terminal 2. Can be suppressed.
  • the communication device 300 according to the first embodiment includes a high-frequency front-end circuit 200 and a signal processing circuit 301.
  • the signal processing circuit 301 processes the high frequency signal of the first communication band and the high frequency signal of the second communication band.
  • the communication device 300 according to the first embodiment further includes an antenna 310.
  • the impedance variation in the communication band of the plurality of filters (first filter 61, first filter 62, second filter 71, and second filter 72) seen from the antenna terminal 2 is suppressed. It becomes possible to do.
  • the high frequency circuit 1 has a circuit for the first communication band and a circuit for the second communication band.
  • the circuit for the first communication band includes a first filter 61, a first filter 62, a third switch 3, and two shunt inductors 131 and 132.
  • the circuit for the second communication band includes a second filter 71, a second filter 72, a second switch 5, two shunt inductors 133, 134, and an inductor 8.
  • the high frequency circuit 1a according to the second embodiment is a multiplexer 60 in which the first filter 61 and the first filter 62 are bundled instead of the circuit for the first communication band in the high frequency circuit 1 according to the first embodiment. It is different from the high frequency circuit 1 according to the first embodiment in that it includes a circuit for the first communication band including the shunt inductor 130. Further, in the high frequency circuit 1a according to the second embodiment, the inductor 8 is connected in series with the second switch 5 and the first switch 4 between the common terminal 50 of the second switch 5 and the second selection terminal 42 of the first switch 4. It is connected. The inductance of the inductor 8 is, for example, 1.5 nH.
  • the multiplexer 60 has a connection point 601 in which the input side terminals (antenna terminal side terminals) of the two first filters 61 and 62 are bundled.
  • the connection point 601 of the multiplexer 60 is connected to the antenna terminal 2 via the first switch 4.
  • the shunt inductor 130 is connected between the node N10 on the wiring 100 connecting the connection point 601 and the first selection terminal 41 of the first switch 4 and the ground.
  • the high frequency circuit 1a according to the second embodiment is used, for example, in the high frequency front end circuit 200a of the communication device 300a (see FIG. 11).
  • the first selection terminal 41 and the second selection terminal 42 are simultaneously connected to the common terminal 40 in the first switch 4, and the first switch 4 is used.
  • the first selection terminal 51 and the second selection terminal 52 are simultaneously connected to the common terminal 50.
  • the first selection terminal 41 and the second selection terminal 42 are simultaneously connected to the common terminal 40 in the first switch 4, and the second selection terminal 42 is connected to the common terminal 40 at the same time.
  • the first selection terminal 51 of the switch 5 is connected to the common terminal 50.
  • the first selection terminal 41 is connected to the common terminal 40 in the first switch 4.
  • the second selection terminal 42 is connected to the common terminal 40 in the first switch 4, and the first selection terminal 51 and the second selection terminal in the second switch 5. 52 is simultaneously connected to the common terminal 50.
  • the second selection terminal 42 is connected to the common terminal 40 in the first switch 4, and the first selection terminal 51 is connected to the common terminal 50 in the second switch 5.
  • the second selection terminal 42 is connected to the common terminal 40 in the first switch 4, and the second selection terminal 52 is connected to the common terminal 50 in the second switch 5.
  • FIGS. 13A to 13D are Smith charts showing the impedance of each filter (first filter 61, first filter 62, second filter 71, second filter 72) in the high frequency circuit 1a according to the second embodiment.
  • FIGS. 13A to 13D are Smith charts showing the impedance of each filter in the high frequency circuit according to Comparative Example 2.
  • the high-frequency circuit according to Comparative Example 2 is substantially the same as the high-frequency circuit 1a according to the second embodiment, and is only different from the high-frequency circuit 1a according to the second embodiment in that the inductor 8 is not provided. The explanation is omitted.
  • FIG. 12A is a Smith chart showing the impedance of the first filter 61 through which the high frequency signal of Band 3 is passed.
  • FIG. 12A shows the impedance in the frequency band (that is, its own band) of Band 3 of the first filter 61 when the first filter 61 is viewed from the antenna terminal 2 in FIG.
  • FIG. 12B is a Smith chart showing the impedance of the first filter 62 through which the high frequency signal of Band 1 is passed.
  • FIG. 12B shows the impedance in the Band 1 frequency band of the first filter 62 when the first filter 62 is viewed from the antenna terminal 2 in FIG.
  • FIG. 12C is a Smith chart showing the impedance of the second filter 71 through which the high frequency signal of the Band 40 is passed.
  • FIG. 12C shows the impedance in the band 40 frequency band of the second filter 71 when the second filter 71 is viewed from the antenna terminal 2 in FIG.
  • FIG. 12D is a Smith chart showing the impedance of the second filter 72 through which the high frequency signal of Band 7 is passed.
  • FIG. 12D shows the impedance in the band 7 frequency band of the second filter 72 when the second filter 72 is viewed from the antenna terminal 2 in FIG.
  • FIG. 13A is a Smith chart showing the impedance of the first filter 61 through which the high frequency signal of Band 3 is passed.
  • FIG. 13A shows the impedance in the frequency band (that is, its own band) of Band 3 of the first filter 61 when the first filter 61 is viewed from the antenna terminal 2.
  • FIG. 13B is a Smith chart showing the impedance of the first filter 62 through which the high frequency signal of Band 1 is passed.
  • FIG. 13B shows the impedance of the first filter 62 in the frequency band of Band 1 when the first filter 62 is viewed from the antenna terminal 2.
  • FIG. 13C is a Smith chart showing the impedance of the second filter 71 through which the high frequency signal of the Band 40 is passed.
  • FIG. 13C shows the impedance of the second filter 71 in the frequency band of the Band 40 when the second filter 71 is viewed from the antenna terminal 2.
  • FIG. 13D is a Smith chart showing the impedance of the second filter 72 through which the high frequency signal of Band 7 is passed.
  • FIG. 13D shows the impedance in the frequency band of Band 7 of the second filter 72 when the second filter 72 is viewed from the antenna terminal 2.
  • the frequency band of the band 40 of the second filter 71 when the second filter 71 is viewed from the antenna terminal 2 is compared with the high frequency circuit according to the second comparative example. It can be seen that the impedance of can be shifted to a high impedance and approached to 50 ⁇ .
  • the high-frequency circuit 1a according to the second embodiment described above includes an inductor 8 to provide a plurality of filters (first filter 61, first filter 62) viewed from the antenna terminal 2. , The variation in impedance in the communication band of the second filter 71 and the second filter 72) can be suppressed.
  • the high-frequency front-end circuit 200a according to the second embodiment includes a high-frequency circuit 1a.
  • the high-frequency front-end circuit 200a according to the second embodiment is similar to the high-frequency front-end circuit 200 according to the first embodiment, and has a plurality of filters (first filter 61, first filter 62, second filter 71, and so on) viewed from the antenna terminal 2. It is possible to suppress the variation in impedance in the communication band of the second filter 72).
  • the communication device 300a according to the second embodiment includes a high frequency front end circuit 200a and a signal processing circuit 301. Similar to the communication device 300 according to the first embodiment, the communication device 300a according to the second embodiment has a plurality of filters (first filter 61, first filter 62, second filter 71, and second filter 72) viewed from the antenna terminal 2. ), It is possible to suppress the variation in impedance in the communication band.
  • the number of selection terminals in each of the first switch 4, the second switch 5, the third switch 3, the fourth switch 14, and the fifth switch 15 may be a plurality, and is not limited to the number illustrated.
  • the first switch 4 only needs to have a common terminal 40 (first terminal) and a first selection terminal 41 (second terminal), and thus is an SPST (Single Pole Single Throw) type. It may be a switch of.
  • the high frequency circuits 1 and 1a may include a circuit element other than the inductor 9 between the antenna terminal 2 and the first switch 4. Further, it is not essential that the high frequency circuits 1 and 1a include an inductor 9 between the antenna terminal 2 and the first switch 4.
  • the high frequency circuits 1 and 1a are not limited to the configuration controlled by the control signal from the RF signal processing circuit 302 of the signal processing circuit 301, and control, for example, the first switch 4, the second switch 5, and the third switch 3. It may include a control circuit to be used.
  • the plurality of first communication bands are, for example, among the group of Band1, Band3, Band25, Band32, Band34, Band39 and Band66. Includes at least two.
  • the plurality of second communication bands include, for example, at least two of the groups of Band30, Band40, Band7 and Band41.
  • the plurality of first communication bands include, for example, at least two of the groups of Band1, Band3, and Band32.
  • the plurality of second communication bands include, for example, at least two of the groups Band 40, Band 7 and Band 41.
  • the plurality of first communication bands when supporting simultaneous communication of four or more communication bands, include, for example, Band 25 and Band 66.
  • the plurality of second communication bands include, for example, at least two of the groups Band 30, Band 7, and Band 41.
  • the number of the first filter 6 and the second filter 7 is not limited to two, and may be one or three or more.
  • the number of the first filters 6 is one and the number of the second filters 7 is one, in the high frequency circuit 1, for example, only one of the two first filters 61 and 62 is connected to the third switch 3. Only one of the two second filters 71 and 72 needs to be connected to the second switch 5.
  • each of the third switch 3 and the second switch 5 may be an SPST type switch.
  • the number of the first filters 6 is one and the number of the second filters 7 is one, in the high frequency circuit 1a, only one of the two first filters 61 and 62 is used instead of the multiplexer 60. It is sufficient to connect to the first selection terminal 41 of the first switch 4 and connect only one of the two second filters 71 and 72 to the first selection terminal 51 of the second switch 5.
  • the second switch 5 may be an SPST type switch.
  • the elastic wave filter is not limited to an elastic wave filter that utilizes an elastic surface wave, and may be, for example, an elastic wave filter that utilizes an elastic boundary wave, a plate wave, or the like.
  • each of the plurality of series arm resonators and the plurality of parallel arm resonators is not limited to the SAW resonator, and may be, for example, a BAW (Bulk Acoustic Wave) resonator.
  • BAW Bulk Acoustic Wave
  • the surface acoustic wave filter is not limited to the ladder type filter, and may be, for example, a vertically coupled resonator type surface acoustic wave filter.
  • the high frequency front end circuit 200 may include a receiving circuit connected to the second selection terminal 42 of the first switch 4.
  • This receiving circuit is, for example, a circuit that receives a high frequency signal of a communication band on the lower frequency side than Band 3.
  • the high frequency front end circuit 200 may include a transmission circuit connected to the second selection terminal 42 of the first switch 4.
  • the transmission circuit is configured so that the transmission signal input from the signal processing circuit 301 can be amplified and output from the antenna terminal 2 to the antenna 310.
  • the transmission circuit includes, for example, a signal input terminal, a power amplifier, and an output matching circuit.
  • the signal input terminal is connected to the signal processing circuit 301.
  • the power amplifier has an input terminal and an output terminal.
  • the input terminal of the power amplifier is connected to the signal input terminal.
  • the output terminal of the power amplifier is connected to the second selection terminal 42 of the first switch 4 via an output matching circuit.
  • the power amplifier amplifies the high frequency signal (transmission signal) input to the input terminal and outputs it from the output terminal.
  • the RF signal processing circuit 302 of the communication device 300 performs signal processing such as up-conversion with respect to the high-frequency signal (transmission signal) output from the baseband signal processing circuit 303, for example. Is performed, and a high-frequency signal with signal processing is output.
  • the baseband signal processing circuit 303 generates an I-phase signal and a Q-phase signal from the baseband signal.
  • the baseband signal is, for example, an audio signal, an image signal, or the like input from the outside.
  • the baseband signal processing circuit 303 performs IQ modulation processing by synthesizing an I-phase signal and a Q-phase signal, and outputs a transmission signal.
  • the transmission signal is generated as a modulated signal (IQ signal) in which a carrier signal having a predetermined frequency is amplitude-modulated with a period longer than the period of the carrier signal.
  • the high frequency circuit (1; 1a) includes an antenna terminal (2), a first switch (4), a second switch (5), a first filter (6), and a second filter ( 7) and.
  • the first switch (4) is connected to the antenna terminal (2).
  • the second switch (5) is connected to the first switch (4) and is connected to the antenna terminal (2) via the first switch (4).
  • the first filter (6) is an elastic filter connected to the first switch (4) without going through the second switch (5), and passes a high frequency signal of the first communication band.
  • the second filter (7) is an elastic wave filter connected to the first switch (4) via the second switch (5), and passes through a high frequency signal of the second communication band having a higher frequency than the first communication band.
  • the high frequency circuit (1; 1a) further includes an inductor (8).
  • the inductor (8) is not connected in series with the first filter (6), but in series with the first switch (4) and the second switch (5) between the first switch (4) and the second switch (5). It is connected.
  • the high frequency circuit (1; 1a) it is possible to suppress the variation in impedance in the communication band of the plurality of filters (first filter 6, second filter 7) seen from the antenna terminal (2). It will be possible.
  • the first switch (4) has a first terminal (common terminal 40) and a second terminal (first selection terminal 41). Have.
  • the first terminal (common terminal 40) is connected to the antenna terminal (2).
  • the second terminal (first selection terminal 41) can be connected to the first terminal (common terminal 40).
  • the connection point (T1) between the first wiring (111) connected to the first filter (6) and the second wiring (112) connected to the second switch (5) via the inductor (8) is the third. It is connected to the second terminal (first selection terminal 41) via the wiring (113).
  • the first switch (4) has a common terminal (40), a first selection terminal (41), and a second selection terminal (42). And have.
  • the common terminal (40) is connected to the antenna terminal (2).
  • the first selection terminal (41) is connected to the first filter (6).
  • the second selection terminal (42) is connected to the second switch (5) via the inductor (8).
  • the first selection terminal (41) and the second selection terminal (42) can be simultaneously connected to the common terminal (40).
  • the first filter (6) is connected to the first switch (4) without an inductance element. Has been done.
  • the insertion loss of the first filter (6) can be reduced.
  • the high frequency circuit (1; 1a) includes a plurality of first filters (6) and a plurality of second filters (7) in any one of the first to fourth aspects.
  • the first communication bands are different from each other.
  • the plurality of second filters (7) the second communication bands are different from each other.
  • the plurality of first communication bands include at least two of the groups Band1, Band3, Band25, Band32, Band34, Band39 and Band66.
  • the plurality of second communication bands include at least two of Band 30, Band 40, Band 7 and Band 41.
  • the high frequency circuit (1; 1a) according to the sixth aspect includes a plurality of first filters (6) and a plurality of second filters (7) in any one of the first to fourth aspects.
  • the first communication bands are different from each other.
  • the plurality of second filters (7) the second communication bands are different from each other.
  • the plurality of first communication bands include at least two of the Band1, Band3, and Band32 groups.
  • the plurality of second communication bands include at least two of Band 40, Band 7 and Band 41.
  • the high frequency circuit (1; 1a) according to the seventh aspect includes a plurality of first filters (6) and a plurality of second filters (7) in any one of the first to fourth aspects.
  • the first communication bands are different from each other.
  • the plurality of second filters (7) the second communication bands are different from each other.
  • the plurality of first communication bands include Band 25 and Band 66.
  • the plurality of second communication bands include at least two of Band 30, Band 7, and Band 41.
  • the high-frequency front-end circuit (200; 200a) includes the high-frequency circuit (1; 1a), the first low-noise amplifier (16), and the second low-noise amplifier according to any one of the first to seventh aspects. (18) and.
  • the first low noise amplifier (16) is connected to the first filter (6) of the high frequency circuit (1; 1a).
  • the second low noise amplifier (18) is connected to the second filter (7) of the high frequency circuit (1; 1a).
  • the impedance variation in the communication band of the plurality of filters (first filter 6, second filter 7) seen from the antenna terminal (2) is suppressed. It becomes possible.
  • the communication device (300; 300a) includes the high frequency front-end circuit (200; 200a) of the eighth aspect and the signal processing circuit (301).
  • the signal processing circuit (301) signals a high frequency signal in the first communication band and a high frequency signal in the second communication band.
  • the communication device (300; 300a) according to the ninth aspect it is possible to suppress the variation in impedance in the communication band of the plurality of filters (first filter 6, second filter 7) seen from the antenna terminal (2). It will be possible.

Abstract

アンテナ端子から見た複数のフィルタの通信バンドでのインピーダンスのばらつきを抑制する。高周波回路（１）では、第１スイッチ（４）は、アンテナ端子（２）に接続されている。第２スイッチ（５）は、第１スイッチ（４）に接続されており、第１スイッチ（４）を介してアンテナ端子（２）に接続される。第１フィルタ（６）は、第２スイッチ（５）を介さずに第１スイッチ（４）に接続されており、第１通信バンドの高周波信号を通過させる。第２フィルタ（７）は、第２スイッチ（５）を介して第１スイッチ（４）に接続され、第１通信バンドよりも高周波の第２通信バンドの高周波信号を通過させる。高周波回路（１）は、インダクタ（８）を更に備える。インダクタ（８）は、第１フィルタ（６）に直列接続されず、第１スイッチ（４）と第２スイッチ（５）との間において第１スイッチ（４）及び第２スイッチ（５）に直列接続されている。

Description

高周波回路、高周波フロントエンド回路及び通信装置
　本発明は、一般に高周波回路、高周波フロントエンド回路及び通信装置に関し、より詳細には、アンテナ端子に接続される複数のフィルタを備える高周波回路、その高周波回路を備える高周波フロントエンド回路、及び、その高周波フロントエンド回路を備える通信装置に関する。
　従来、マルチモード／マルチバンド対応の携帯電話のフロントエンド部に配置される高周波回路及びそれを備える通信装置が知られている（特許文献１）。特許文献１に開示された高周波回路は、互いに周波数帯域の異なる複数の高周波信号が伝送される複数の高周波経路を有する。
　特許文献１に記載された高周波回路は、第１スイッチ部と、第１整合回路部と、フィルタ部と、を備える。第１スイッチ部では、入力端子（アンテナ端子）が、アンテナ素子に接続される。第１スイッチ部の出力端子とフィルタ部の入力端子とは、第１整合回路部を介して接続されている。第１スイッチ部は、アンテナ素子で受信された高周波信号を、フィルタ部を構成する複数のフィルタ毎の高周波経路に分ける３つのスイッチを有する。第１整合回路部は、複数のインダクタを有する。複数のインダクタは、第１スイッチ部と複数のフィルタとを接続する複数の経路のうち対応する１つの経路に一端が接続され、他端がグランドに接続されている。
国際公開第２０１９／０６５５６９号
　特許文献１に記載された高周波回路では、例えば、キャリアアグリゲーションのような同時通信の場合、アンテナ端子から見た複数のフィルタの通信バンドでのインピーダンスのばらつきが大きくなることがあった。
　本発明の目的は、アンテナ端子から見た複数のフィルタの通信バンドでのインピーダンスのばらつきを抑制することが可能な高周波回路、高周波フロントエンド回路及び通信装置を提供することにある。
　本発明の一態様に係る高周波回路は、アンテナ端子と、第１スイッチと、第２スイッチと、第１フィルタと、第２フィルタと、を備える。前記第１スイッチは、前記アンテナ端子に接続されている。前記第２スイッチは、前記第１スイッチに接続されており、前記第１スイッチを介して前記アンテナ端子に接続される。前記第１フィルタは、前記第２スイッチを介さずに前記第１スイッチに接続される弾性波フィルタであり、第１通信バンドの高周波信号を通過させる。前記第２フィルタは、前記第２スイッチを介して前記第１スイッチに接続される弾性波フィルタであり、前記第１通信バンドよりも高周波の第２通信バンドの高周波信号を通過させる。前記高周波回路は、インダクタを更に備える。前記インダクタは、前記第１フィルタに直列接続されず、前記第１スイッチと前記第２スイッチとの間において前記第１スイッチ及び前記第２スイッチに直列接続されている。
　本発明の一態様に係る高周波フロントエンド回路は、前記高周波回路と、第１ローノイズアンプと、第２ローノイズアンプと、を備える。前記第１ローノイズアンプは、前記高周波回路の前記第１フィルタに接続される。前記第２ローノイズアンプは、前記高周波回路の前記第２フィルタに接続される。
　本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波フロントエンド回路と、信号処理回路と、を備える。前記信号処理回路は、前記第１通信バンドの前記高周波信号及び前記第２通信バンドの前記高周波信号を信号処理する。
　本発明の上記態様に係る高周波回路、高周波フロントエンド回路及び通信装置は、アンテナ端子から見た複数のフィルタの通信バンドでのインピーダンスのばらつきを抑制することが可能となる。
図１は、実施形態１に係る高周波回路の回路図である。 図２は、同上の高周波回路を備える高周波フロントエンド回路及び通信装置の回路図である。 図３Ａは、同上の高周波回路においてＢａｎｄ３に対応するフィルタのスミスチャートである。図３Ｂは、同上の高周波回路においてＢａｎｄ１に対応するフィルタのスミスチャートである。図３Ｃは、同上の高周波回路においてＢａｎｄ４０に対応するフィルタのスミスチャートである。図３Ｄは、同上の高周波回路においてＢａｎｄ７に対応するフィルタのスミスチャートである。 図４は、比較例１に係る高周波回路の回路図である。 図５Ａは、同上の高周波回路においてＢａｎｄ３に対応するフィルタのスミスチャートである。図５Ｂは、同上の高周波回路においてＢａｎｄ１に対応するフィルタのスミスチャートである。図５Ｃは、同上の高周波回路においてＢａｎｄ４０に対応するフィルタのスミスチャートである。図５Ｄは、同上の高周波回路においてＢａｎｄ７に対応するフィルタのスミスチャートである。 図６は、参考例１に係る高周波回路の回路図である。 図７Ａは、同上の高周波回路においてラインＡ１１上の点から見た各フィルタのスミスチャートである。図７Ｂは、同上の高周波回路においてラインＡ１２上の点から見た各フィルタのスミスチャートである。図７Ｃは、同上の高周波回路においてラインＡ１３上の点から見た各フィルタのスミスチャートである。 図８は、参考例２に係る高周波回路の回路図である。 図９Ａは、同上の高周波回路においてラインＡ３１上の点から見た第１フィルタのスミスチャートである。図９Ｂは、同上の高周波回路においてラインＡ３２上の点から見た第２フィルタのスミスチャートである。図９Ｃは、同上の高周波回路においてラインＡ３３上の点から見た第２フィルタのスミスチャートである。 図１０は、実施形態２に係る高周波回路の回路図である。 図１１は、同上の高周波回路を備える高周波フロントエンド回路及び通信装置の回路図である。 図１２Ａは、同上の高周波回路においてＢａｎｄ３に対応するフィルタのスミスチャートである。図１２Ｂは、同上の高周波回路においてＢａｎｄ１に対応するフィルタのスミスチャートである。図１２Ｃは、同上の高周波回路においてＢａｎｄ４０に対応するフィルタのスミスチャートである。図１２Ｄは、同上の高周波回路においてＢａｎｄ７に対応するフィルタのスミスチャートである。 図１３Ａは、比較例２に係る高周波回路においてＢａｎｄ３に対応するフィルタのスミスチャートである。図１３Ｂは、同上の高周波回路においてＢａｎｄ１に対応するフィルタのスミスチャートである。図１３Ｃは、同上の高周波回路においてＢａｎｄ４０に対応するフィルタのスミスチャートである。図１３Ｄは、同上の高周波回路においてＢａｎｄ７に対応するフィルタのスミスチャートである。
　（実施形態１）
　以下、実施形態１に係る高周波回路１、高周波フロントエンド回路２００及び通信装置３００について、図１及び２を参照して説明する。
　（１）高周波回路
　（１．１）高周波回路の全体構成
　実施形態１に係る高周波回路１について、図１を参照して説明する。
　実施形態１に係る高周波回路１は、例えば、通信装置３００（図２参照）の高周波フロントエンド回路２００に用いられる。通信装置３００は、例えば、携帯電話（例えば、スマートフォン）であるが、これに限らず、例えば、ウェアラブル端末（例えば、スマートウォッチ）であってもよい。高周波回路１は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格に対応可能な高周波モジュールに用いられる。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ（Long Term Evolution）規格である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ　ＮＲ（New Radio）である。高周波回路１は、例えば、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティに対応可能な回路である。
　実施形態１に係る高周波回路１は、アンテナ端子２と、第１スイッチ４と、第２スイッチ５と、複数（ここでは、２つ）の第１フィルタ６と、複数（ここでは、２つ）の第２フィルタ７と、インダクタ８と、を備える。第１スイッチ４は、アンテナ端子２に接続されている。第２スイッチ５は、第１スイッチ４に接続されており、第１スイッチ４を介してアンテナ端子２に接続される。複数の第２フィルタ７は、第２スイッチ５及び第１スイッチ４を介してアンテナ端子２に接続される。インダクタ８は、複数の第１フィルタ６に直列接続されず、第１スイッチ４と第２スイッチ５との間において第１スイッチ４及び第２スイッチ５に直列接続されている。実施形態１に係る高周波回路１は、第３スイッチ３を更に備える。第３スイッチ３は、第１スイッチ４に接続されており、第１スイッチ４を介してアンテナ端子２に接続される。複数の第１フィルタ６は、第３スイッチ３を介して第１スイッチ４に接続される。以下の説明では、２つの第１フィルタ６のうち一方の第１フィルタ６を第１フィルタ６１と称し、他方の第１フィルタ６を第１フィルタ６２と称して説明することもある。同様に、２つの第２フィルタ７のうち一方の第２フィルタ７を第２フィルタ７１と称し、他方の第２フィルタ７を第２フィルタ７２と称して説明することもある。
　また、実施形態１に係る高周波回路１は、アンテナ端子２と第１スイッチ４との間に接続されたインピーダンス整合用のインダクタ９を更に備える。また、実施形態１に係る高周波回路１は、第３スイッチ３と２つの第１フィルタ６とをインピーダンス整合させるための２つのシャントインダクタ１３１，１３２を備える。また、実施形態１に係る高周波回路１は、第２スイッチ５と２つの第２フィルタ７とをインピーダンス整合させるための２つのシャントインダクタ１３３，１３４を備える。
　（１．２）高周波回路の各構成要素
　以下、実施形態１に係る高周波回路１の各構成要素について説明する。
　（１．２．１）アンテナ端子
　アンテナ端子２は、高周波回路１の外部のアンテナ３１０（図２参照）に接続される端子である。
　（１．２．２）第１スイッチ
　第１スイッチ４は、共通端子４０と、複数（ここでは、２つ）の選択端子（第１選択端子４１及び第２選択端子４２）と、を有する。第１スイッチ４は、共通端子４０と第１選択端子４１及び第２選択端子４２との接続状態を切り替える。第１スイッチ４は、共通端子４０と第１選択端子４１とを接続する第１状態と、共通端子４０と第２選択端子４２とを接続する第２状態と、共通端子４０と第１選択端子４１及び第２選択端子４２とを接続する第３状態と、共通端子４０と第１選択端子４１及び第２選択端子４２を非接続とする第４状態と、を切り替えるスイッチである。つまり、第１選択端子４１及び第２選択端子４２は、共通端子４０に同時接続可能である。第１スイッチ４は、共通端子４０に複数の選択端子（第１選択端子４１及び第２選択端子４２）のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第１スイッチ４は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。第１スイッチ４は、スイッチＩＣ（Integrated Circuit）である。スイッチＩＣは、例えば、厚さ方向において互いに対向する第１主面及び第２主面を有する基板と、この基板の第１主面側に形成されたＦＥＴ（Field Effect Transistor）を含むスイッチ機能部と、を備える１チップのＩＣチップである。基板は、例えば、シリコン基板である。スイッチ機能部は、接続状態を切り替える機能を有する機能部である。第１スイッチ４は、例えば、信号処理回路３０１（図２参照）によって制御される。第１スイッチ４は、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号にしたがって、共通端子４０と第１選択端子４１及び第２選択端子４２との接続状態を切り替える。
　第１スイッチ４の共通端子４０は、インピーダンス整合用のインダクタ９を介してアンテナ端子２に接続されている。第１スイッチ４は、アンテナ端子２に接続されているアンテナスイッチである。第１スイッチ４の第１選択端子４１は、第３スイッチ３及び第２スイッチ５に接続されている。高周波回路１では、第１スイッチ４の第１選択端子４１と第２スイッチ５との間でインダクタ８が第１スイッチ４及び第２スイッチ５に直列接続されている。
　（１．２．３）第２スイッチ
　第２スイッチ５は、共通端子５０と、複数（ここでは、２つ）の選択端子（第１選択端子５１及び第２選択端子５２）と、を有する。第２スイッチ５は、共通端子５０と第１選択端子５１及び第２選択端子５２との接続状態を切り替える。第２スイッチ５は、共通端子５０と第１選択端子５１とを接続する第１状態と、共通端子５０と第２選択端子５２とを接続する第２状態と、共通端子５０と第１選択端子５１及び第２選択端子５２とを接続する第３状態と、共通端子５０と第１選択端子５１及び第２選択端子５２を非接続とする第４状態と、を切り替えるスイッチである。つまり、第１選択端子５１及び第２選択端子５２は、共通端子５０に同時接続可能である。第２スイッチ５は、共通端子５０に複数の選択端子（第１選択端子５１及び第２選択端子５２）のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第２スイッチ５は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。第２スイッチ５は、スイッチＩＣである。第２スイッチ５は、例えば、信号処理回路３０１（図２参照）によって制御される。第２スイッチ５は、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号にしたがって、共通端子５０と第１選択端子５１及び第２選択端子５２との間の接続状態を切り替える。
　第２スイッチ５の共通端子５０は、インダクタ８を介して第１スイッチ４の共通端子４０に接続されている。第２スイッチ５の第１選択端子５１は、第２フィルタ７１に接続されている。第２スイッチ５の第２選択端子５２は、第２フィルタ７２に接続されている。第２スイッチ５は、互いに異なる第２通信バンドの信号経路を切り替えるためのバンドセレクトスイッチである。
　（１．２．４）第３スイッチ
　第３スイッチ３は、共通端子３０と、複数（ここでは、２つ）の選択端子（第１選択端子３１及び第２選択端子３２）と、を有する。第３スイッチ３は、共通端子３０と第１選択端子３１及び第２選択端子３２との接続状態を切り替える。第３スイッチ３は、共通端子３０と第１選択端子３１とを接続する第１状態と、共通端子３０と第２選択端子３２とを接続する第２状態と、共通端子３０と第１選択端子３１及び第２選択端子３２とを接続する第３状態と、共通端子３０と第１選択端子３１及び第２選択端子３２を非接続とする第４状態と、を切り替えるスイッチである。つまり、第１選択端子３１及び第２選択端子３２は、共通端子３０に同時接続可能である。第３スイッチ３は、共通端子３０に複数の選択端子（第１選択端子３１及び第２選択端子３２）のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第３スイッチ３は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。第３スイッチ３は、スイッチＩＣである。第３スイッチ３は、例えば、信号処理回路３０１（図２参照）によって制御される。第３スイッチ３は、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号にしたがって、共通端子３０と第１選択端子３１及び第２選択端子３２との間の接続状態を切り替える。
　第３スイッチ３の共通端子３０は、インダクタ８を介さずに第１スイッチ４の共通端子４０に接続されている。第１選択端子３１は、第１フィルタ６１に接続されている。第２選択端子３２は、第１フィルタ６２に接続されている。第３スイッチ３は、互いに異なる第１通信バンドの信号経路を切り替えるためのバンドセレクトスイッチである。
　（１．２．５）第１フィルタ及び第２フィルタ
　複数の第１フィルタ６は、第１通信バンドの高周波信号を通過させる。複数の第１フィルタ６は、第１通信バンドが互いに異なる２つの第１フィルタ６１，６２を含む。第１フィルタ６１において通過させる高周波信号の対応する第１通信バンドは、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３である。第１フィルタ６２において通過させる高周波信号に対応する第１通信バンドは、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１である。第１フィルタ６１の通過帯域は、Ｂａｎｄ３のダウンリンク周波数帯（１８０５ＭＨｚ－１８８０ＭＨｚ）を含む。第１フィルタ６２の通過帯域は、Ｂａｎｄ１のダウンリンク周波数帯域（２１１０ＭＨｚ－２１７０ＭＨｚ）を含む。複数の第１フィルタ６の通過帯域は、互いに重ならない。Ｂａｎｄ１は、Ｂａｎｄ３よりも高周波の通信バンドである。図１において、第１フィルタ６１の図記号の左側の「Ｂ３」は、第１フィルタ６１がＢａｎｄ３に対応していることを分かりやすくするために表記してある。同様に、第１フィルタ６２の図記号の左側の「Ｂ１」は、第１フィルタ６２がＢａｎｄ１に対応していることを分かりやすくするために表記してある。
　複数の第２フィルタ７は、第２通信バンドの高周波信号を通過させる。複数の第２フィルタ７は、第２通信バンドが互いに異なる２つの第２フィルタ７１，７２を含む。第２フィルタ７１において通過させる高周波信号の対応する第２通信バンドは、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４０である。第２フィルタ７２において通過させる高周波信号の対応する第２通信バンドは、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ７である。第２フィルタ７１の通過帯域は、Ｂａｎｄ４０のダウンリンク周波数帯域（２３００ＭＨｚ－２４００ＭＨｚ）を含む。第２フィルタ７２の通過帯域は、Ｂａｎｄ７のダウンリンク周波数帯（２６２０ＭＨｚ－２６９０ＭＨｚ）を含む。複数の第２フィルタ７の通過帯域は、互いに重ならない。Ｂａｎｄ７は、Ｂａｎｄ４０よりも高周波の通信バンドである。図１において、第２フィルタ７１の図記号の左側の「Ｂ４０」は、第２フィルタ７１がＢａｎｄ４０に対応していることを分かりやすくするために表記してある。同様に、第２フィルタ７２の図記号の左側の「Ｂ７」は、第２フィルタ７２がＢａｎｄ７に対応していることを分かりやすくするために表記してある。
　第１フィルタ６１、第１フィルタ６２、第２フィルタ７１及び第２フィルタ７２の各々は、弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用するＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタである。
　第１フィルタ６１は、配線１０１を介して第３スイッチ３の第１選択端子３１に接続されている。第１フィルタ６２は、配線１０２を介して第３スイッチ３の第２選択端子３２に接続されている。第２フィルタ７１は、配線１０３を介して第２スイッチ５の第１選択端子５１に接続されている。第２フィルタ７２は、配線１０４を介して第２スイッチ５の第２選択端子５２に接続されている。
　インダクタ８は、第２スイッチ５の共通端子５０と第１スイッチ４の第１選択端子４１との間で第２スイッチ５及び第１スイッチ４に直列接続されている。インダクタ８のインダクタンスは、１ｎＨ以上であり、例えば、１．５ｎＨである。
　（１．２．６）シャントインダクタ
　シャントインダクタ１３１は、第３スイッチ３と第１フィルタ６１とをインピーダンス整合させるための整合回路の構成要素である。シャントインダクタ１３１は、配線１０１上のノードＮ１１とグランドとの間に接続されている。
　シャントインダクタ１３２は、第３スイッチ３と第１フィルタ６２とをインピーダンス整合させるための整合回路の構成要素である。シャントインダクタ１３２は、配線１０２上のノードＮ１２とグランドとの間に接続されている。
　シャントインダクタ１３３は、第２スイッチ５と第２フィルタ７１とをインピーダンス整合させるための整合回路の構成要素である。シャントインダクタ１３３は、配線１０３上のノードＮ１３とグランドとの間に接続されている。
　シャントインダクタ１３４は、第２スイッチ５と第２フィルタ７２とをインピーダンス整合させるための整合回路の構成要素である。シャントインダクタ１３４は、配線１０４上のノードＮ１４とグランドとの間に接続されている。
　（１．３）高周波回路の動作
　高周波回路１では、例えば、Ｂａｎｄ３、Ｂａｎｄ１、Ｂａｎｄ４０及びＢａｎｄ７の同時通信に対応する場合、第１スイッチ４において第１選択端子４１が共通端子４０に接続され、かつ、第３スイッチ３において第１選択端子３１及び第２選択端子３２が共通端子３０に同時接続され、かつ、第２スイッチ５において第１選択端子５１及び第２選択端子５２が共通端子５０に同時接続される。
　高周波回路１では、例えば、Ｂａｎｄ３とＢａｎｄ１とＢａｎｄ４０との同時通信に対応する場合、第１スイッチ４において第１選択端子４１が共通端子４０に接続され、かつ、第３スイッチ３において第１選択端子３１及び第２選択端子３２が共通端子３０に同時接続され、かつ、第２スイッチ５において第１選択端子５１が共通端子５０に接続される。
　高周波回路１では、Ｂａｎｄ３とＢａｎｄ１との同時通信に対応する場合、第１スイッチ４において第１選択端子４１が共通端子４０に接続され、かつ、第３スイッチ３において第１選択端子３１及び第２選択端子３２が共通端子３０に同時接続される。
　高周波回路１では、Ｂａｎｄ４０とＢａｎｄ７との同時通信に対応する場合、第１スイッチ４において第１選択端子４１が共通端子４０に接続され、第２スイッチ５において第１選択端子５１及び第２選択端子５２が共通端子５０に同時接続される。
　高周波回路１では、Ｂａｎｄ４０の通信に対応する場合、第１スイッチ４において第１選択端子４１が共通端子４０に接続され、第２スイッチ５において第１選択端子５１が共通端子５０に接続される。
　高周波回路１では、Ｂａｎｄ７の通信に対応する場合、第１スイッチ４において第１選択端子４１が共通端子４０に接続され、第２スイッチ５において第２選択端子５２が共通端子５０に接続される。
　（１．４）高周波回路を備える高周波モジュール
　実施形態１に係る高周波回路１を備える高周波モジュールは、上述のアンテナ端子２と、第１スイッチ４と、第２スイッチ５と、２つの第１フィルタ６と、２つの第２フィルタ７と、インダクタ８と、インダクタ９と、４つのシャントインダクタ１３１～１３４と、を備える。また、高周波モジュールは、第１スイッチ４、第２スイッチ５、２つの第１フィルタ６、２つの第２フィルタ７、インダクタ８、インダクタ９及び４つのシャントインダクタ１３１～１３４等が実装されている実装基板を備える。
　実装基板は、実装基板の厚さ方向において互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。実装基板は、例えば、プリント配線板、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板、ＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）基板、樹脂多層基板である。ここにおいて、実装基板は、例えば、複数の誘電体層及び複数の導電層を含む多層基板である。複数の誘電体層及び複数の導電層は、実装基板の厚さ方向において積層されている。複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。複数の導電層の各々は、実装基板の厚さ方向に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導電層の材料は、例えば、銅である。複数の導電層は、グランド層を含む。高周波モジュールでは、複数のグランド端子とグランド層とが、実装基板の有するビア導体等を介して電気的に接続されている。
　実装基板は、プリント配線板、ＬＴＣＣ基板に限らず、配線構造体であってもよい。配線構造体は、例えば、多層構造体である。多層構造体は、少なくとも１つの絶縁層と、少なくとも１つの導電層とを含む。絶縁層は、所定パターンに形成されている。絶縁層が複数の場合は、複数の絶縁層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、絶縁層の所定パターンとは異なる所定パターンに形成されている。導電層が複数の場合は、複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、１つ又は複数の再配線部を含んでもよい。配線構造体では、多層構造体の厚さ方向において互いに対向する２つの面のうち第１面が実装基板の第１主面であり、第２面が実装基板の第２主面である。配線構造体は、例えば、インタポーザであってもよい。インタポーザは、シリコン基板を用いたインタポーザであってもよいし、多層で構成された基板であってもよい。
　弾性波フィルタは、圧電性基板と、複数のＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極と、を備える。複数のＩＤＴ電極は、圧電性基板上に形成されている。複数のＩＤＴ電極の各々は、第１電極及び第２電極を有する。第１電極は、複数の第１電極指と、複数の第１電極指が接続されている第１バスバーと、を有する。第２電極は、複数の第２電極指と、複数の第２電極指が接続されている第２バスバーと、を有する。弾性波フィルタの特性は、例えば、ＩＤＴ電極の電極指ピッチ、ＩＤＴ電極の交差幅、圧電性基板の材料等を適宜変えることによって変えることができる。ＩＤＴ電極の電極指ピッチは、複数の第１電極指のうち隣り合う２つの第１電極指の中心線間の距離、又は、複数の第２電極指のうち隣り合う２つの第２電極指の中心線間の距離で定義される。弾性波フィルタは、例えば、複数の弾性表面波共振子（複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子）を含むラダー型フィルタである。複数の弾性表面波共振子の各々が、ＩＤＴ電極と、圧電性基板の一部と、を含んでいる。圧電性基板は、圧電基板である。圧電基板の材料は、例えば、リチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ３）又はリチウムニオベイト（ＬｉＮｂＯ３）である。圧電性基板は、圧電基板に限らず、例えば、支持基板と、支持基板上に設けられた低音速膜と、低音速膜上に設けられた圧電体層と、を有する積層型基板であってもよい。低音速膜は、圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも、低音速膜を伝搬するバルク波の音速が低速となる膜である。低音速膜の材料は、例えば、酸化ケイ素である。低音速膜の材料は、酸化ケイ素に限定されない。低音速膜の材料は、例えば、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素、炭素、若しくはホウ素を加えた化合物、又は、上記各材料を主成分とする材料であってもよい。支持基板では、圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも、支持基板を伝搬するバルク波の音速が高速である。ここにおいて、支持基板を伝搬するバルク波は、支持基板を伝搬する複数のバルク波のうち最も低音速なバルク波である。支持基板の材料は、シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含んでいればよい。
　圧電性基板を構成する積層型基板は、支持基板と低音速膜との間に設けられている高音速膜を更に有していてもよい。高音速膜は、圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも、高音速膜を伝搬するバルク波の音速が高速となる膜である。高音速膜の材料は、例えば、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、圧電体（リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、又は水晶）、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料である。高音速膜の材料は、上述したいずれかの材料を主成分とする材料、又は、上述したいずれかの材料を含む混合物を主成分とする材料であってもよい。
　インダクタ８は、例えば、チップインダクタであるが、これに限らず、例えば、多層基板に形成されており導体パターンを含むインダクタであってもよい。インダクタ８のインダクタンスは上述のように１ｎＨ以上であり、導体パターンを含むインダクタは、例えば、多層基板の厚さ方向に沿った巻回軸の周りで少なくとも２回巻かれているのが好ましい。導体パターンを含むインダクタは、その全部が多層基板中に設けられた内層インダクタであってもよいし、一部が多層基板の主面上に形成されていてもよい。
　（２）参考例
　以下、実施形態１に係る高周波回路１についてより詳細に説明する前に、参考例１に係る高周波回路１ｒ（図６参照）及び参考例２に係る高周波回路１ｓ（図８参照）においてキャリアアグリゲーションのような同時通信に対応する場合の課題について説明する。なお、参考例１に係る高周波回路１ｒ及び参考例２に係る高周波回路１ｓにおいて実施形態１に係る高周波回路１と同様の構成要素には同一の符合を付して説明を適宜省略する。
　（２．１）参考例１
　参考例１に係る高周波回路１ｒは、２つの第１フィルタ６１，６２を含むマルチプレクサ６０と、スイッチ４００と、シャントインダクタ８００と、を備える。マルチプレクサ６０は、２つの第１フィルタ６１，６２の入力側の端子（アンテナ端子側の端子）が束ねられた接続点６０１を有する。参考例１に係る高周波回路１ｒでは、マルチプレクサ６０の接続点６０１がスイッチ４００を介してアンテナ端子に接続される。シャントインダクタ８００は、接続点６０１とスイッチ４００とを接続している配線９００上のノードＮ２０と、グランドと、の間に接続されている。
　第１フィルタ６１の通過帯域は、Ｂａｎｄ３のダウンリンク周波数帯域を含む。第１フィルタ６２の通過帯域は、Ｂａｎｄ１のダウンリンク周波数帯域を含む。Ｂａｎｄ３とＢａｎｄ１との組み合わせがキャリアアグリゲーションでよく使用される組み合わせの場合には、Ｂａｎｄ３に対応する第１フィルタ６１とＢａｎｄ１に対応する第１フィルタ６２とをスイッチ４００を介して束ねる構成よりも、スイッチ４００を介さずに束ねるマルチプレクサ６０の構成を採用したほうが各第１フィルタ６１，６２の特性を向上させる観点で好ましい。
　図７Ａは、高周波回路１ｒにおいて、マルチプレクサ６０の接続点６０１とノードＮ２０との間の点（ラインＡ１１上の点）から各第１フィルタ６１，６２側を見たときの各第１フィルタ６１，６２のインピーダンスを示すスミスチャートである。また、図７Ｂは、高周波回路１ｒにおいて、ノードＮ２０とスイッチ４００との間の点（ラインＡ１２上の点）から各第１フィルタ６１，６２側を見たときの各第１フィルタ６１，６２のインピーダンスを示すスミスチャートである。また、図７Ｃは、高周波回路１ｒにおいて、Ｂａｎｄ３とＢａｎｄ１との同時通信に対応する場合（この場合、スイッチ４００はオン状態である）に、スイッチ４００とアンテナ端子との間の点（ラインＡ１３上の点）から各第１フィルタ６１，６２側を見たときの各第１フィルタ６１，６２のインピーダンスを示すスミスチャートである。
　図７Ａ～７Ｃの各々において、左右にチャートの中心を通る直線が、インピーダンスの抵抗成分を表す軸（抵抗軸）である。抵抗軸上の目盛りに関しては、正規化されており、左端が０Ω、チャートの中心が５０Ω、右端が無限大（オープン）である。また、図７Ａ～７Ｃの各々において、抵抗軸よりも下側が容量性であり、抵抗軸よりも上側が誘導性である。
　図７Ａ及び７Ｂから分るように、第１フィルタ６１のＢａｎｄ３でのインピーダンスは、第１フィルタ６１単体において図７Ａに示すように容量性であり、シャントインダクタ８００の影響で図７Ｂに示すように誘導性にシフトする。また、図７Ａ及び７Ｂから分るように、第１フィルタ６２のＢａｎｄ１でのインピーダンスは、第１フィルタ６２単体において図７Ａに示すように容量性であり、シャントインダクタ８００の影響で図７Ｂに示すように誘導性にシフトする。シフト量は、シャントインダクタ８００のインダクタンスをＬ、角周波数をωとすると、１／ωＬとなる。したがって、Ｂａｎｄ３とＢａｎｄ１とのうち周波数の低いＢａｎｄ３に対応する第１フィルタ６１のインピーダンスのシフト量のほうが、周波数の高いＢａｎｄ１に対応する第１フィルタ６２のインピーダンスのシフト量よりも大きい。
　また、図７Ｂ及び７Ｃから分るように、第１フィルタ６１のＢａｎｄ３でのインピーダンスは、配線９０１のシャントキャパシタ及びスイッチ４００のシャントキャパシタの影響でシフトする。また、図７Ｂ及び７Ｃから分るように、第１フィルタ６２のＢａｎｄ１でのインピーダンスは、配線９０１のシャントキャパシタ及びスイッチ４００のシャントキャパシタの影響でシフトする。シフト量は、シャントキャパシタのキャパシタンスをＣ、角周波数をωとすると、ωＣとなる。したがって、Ｂａｎｄ３とＢａｎｄ１とのうち周波数の高いＢａｎｄ１に対応する第１フィルタ６２のインピーダンスのシフト量のほうが、Ｂａｎｄ３に対応する第１フィルタ６１のインピーダンスのシフト量よりも大きい。図７Ｃから、第１フィルタ６１のＢａｎｄ３でのインピーダンスが５０Ωから誘導性の領域にずれ、第１フィルタ６２のＢａｎｄ１でのインピーダンスが５０Ωから容量性にずれていることが分かる。したがって、スイッチ４００とアンテナ端子との間にインダクタが接続されている場合、低周波側のＢａｎｄ３を通過帯域に含む第１フィルタ６１のインピーダンスは、高インピーダンスと誘導性との少なくとも一方にずれやすく、高周波側のＢａｎｄ１を通過帯域に含む第１フィルタ６２のインピーダンスは、低インピーダンスと容量性との少なくとも一方にずれやすい。
　（２．２）参考例２
　図８に示すように、参考例２に係る高周波回路１ｓは、参考例１に係る高周波回路１ｒの構成に加えて、２つの第２フィルタ７１，７２と、２つのシャントインダクタ８０３，８０４と、を備える。また、参考例２に係る高周波回路１ｓは、参考例１に係る高周波回路１ｒのスイッチ４００の代わりに、スイッチ４０１を備えている。
　第１フィルタ６１の通過帯域は、Ｂａｎｄ３のダウンリンク周波数帯域を含む。第１フィルタ６２の通過帯域は、Ｂａｎｄ１のダウンリンク周波数帯域を含む。第２フィルタ７１の通過帯域は、Ｂａｎｄ４０のダウンリンク周波数帯域を含む。第２フィルタ７２は、Ｂａｎｄ７のダウンリンク周波数帯域を含む。
　スイッチ４０１は、共通端子４１０と、共通端子４１０に同時接続可能な３つの選択端子４１１，４１２，４１３と、を有する。スイッチ４０１は、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。共通端子４１０は、配線９０５及びインピーダンス整合用のインダクタを介してアンテナ端子に接続されている。選択端子４１１は、配線９０１を介してマルチプレクサ６０の接続点６０１に接続されている。したがって、選択端子４１１は、第１フィルタ６１及び第１フィルタ６２に接続されている。選択端子４１２は、配線９０３を介して第２フィルタ７１に接続されている。選択端子４１３は、配線９０４を介して第２フィルタ７２に接続されている。
　高周波回路１ｓでは、シャントインダクタ８００は、マルチプレクサ６０の接続点６０１とスイッチ４０１の選択端子４１１との間の配線９０１上のノードＮ２２と、グランドと、の間に接続されている。シャントインダクタ８０３は、第２フィルタ７１とスイッチ４０１の選択端子４１２との間の配線９０３上のノードＮ２３と、グランドと、の間に接続されている。シャントインダクタ８０４は、第２フィルタ７２とスイッチ４０１の選択端子４１３との間の配線９０４上のノードＮ２４と、グランドと、の間に接続されている。
　高周波回路１ｓでは、例えば、Ｂａｎｄ３とＢａｎｄ１とＢａｎｄ４０との同時通信に対応する場合、２つの選択端子４１１，４１２が共通端子４１０に同時接続される。また、高周波回路１ｓでは、Ｂａｎｄ３とＢａｎｄ１とＢａｎｄ４０とＢａｎｄ７との同時通信に対応する場合、３つの選択端子４１１～４１３が共通端子４１０に同時接続される。また、高周波回路１ｓでは、Ｂａｎｄ４０だけの通信に対応する場合、３つの選択端子４１１～４１３のうち１つの選択端子４１２が共通端子４１０に接続される。
　図９Ａは、高周波回路１ｓにおいて、スイッチ４０１における共通端子４１０側の点（ラインＡ３１上の点）からマルチプレクサ６０側を見たときの第１フィルタ６１及び第１フィルタ６２のインピーダンスを示すスミスチャートである。図９Ａにおいて、Ｂ３、Ｂ１、Ｂ４０及びＢ７は、それぞれ、Ｂａｎｄ３、Ｂａｎｄ１、Ｂａｎｄ４０及びＢａｎｄ７の周波数帯域での第１フィルタ６１及び第１フィルタ６２のインピーダンスであることを示すために記載してある。また、図９Ｂは、高周波回路１ｓにおいて、スイッチ４０１における共通端子４１０側の点（ラインＡ３２上の点）から第２フィルタ７１側を見たときの第２フィルタ７１のインピーダンスを示すスミスチャートである。図９Ｂにおいて、Ｂ３、Ｂ１、Ｂ４０及びＢ７は、それぞれ、Ｂａｎｄ３、Ｂａｎｄ１、Ｂａｎｄ４０及びＢａｎｄ７の周波数帯域での第２フィルタ７１のインピーダンスであることを示すために記載してある。また、図９Ｃは、高周波回路１ｓにおいて、スイッチ４０１における共通端子４１０側の点（ラインＡ３３上の点）から第２フィルタ７２側を見たときの第２フィルタ７２のインピーダンスを示すスミスチャートである。図９Ｃにおいて、Ｂ３、Ｂ１、Ｂ４０及びＢ７は、それぞれ、Ｂａｎｄ３、Ｂａｎｄ１、Ｂａｎｄ４０及びＢａｎｄ７の周波数帯域での第２フィルタ７２のインピーダンスであることを示すために記載してある。
　図９Ａのスミスチャートにおいて、Ｂａｎｄ１の高周波信号を通過させる第１フィルタ６２のインピーダンスは、５０Ωに近い値となっている。また、図９Ａのスミスチャートにおいて、第１フィルタ６２のインピーダンスは、Ｂａｎｄ４０の周波数帯域では容量性であり、Ｂａｎｄ７の周波数帯域ではＢａｎｄ４０の周波数帯域での場合よりもリアクタンス分の小さな容量性である。したがって、第１フィルタ６２のインピーダンスは、Ｂａｎｄ１の周波数帯域では、シャントキャパシタの影響を受ける。したがって、Ｂａｎｄ３とＢａｎｄ１とＢａｎｄ４０とＢａｎｄ７との同時通信に対応する場合、Ｂａｎｄ１の高周波信号を通過させる第１フィルタ６２は、第１フィルタ６２に、第２フィルタ７１のＢａｎｄ１の周波数帯域でのキャパシタンス成分と、第２フィルタ７２のＢａｎｄ１の周波数帯域でのキャパシタンス成分とが、並列接続されたインピーダンスとなる。よって、同時通信に対応する場合、第１フィルタ６２のインピーダンスは、第１フィルタ６２単体のインピーダンスから図９Ａに破線矢印で示すように低インピーダンスと容量性との少なくとも一方にずれる。
　図９Ａのスミスチャートにおいて、Ｂａｎｄ３の高周波信号を通過させる第１フィルタ６１のインピーダンスは、５０Ωに近い値となっている。また、図９Ａのスミスチャートにおいて、第１フィルタ６１のインピーダンスは、Ｂａｎｄ４０の周波数帯域及びＢａｎｄ７の周波数帯域ではオープン付近にある。以上より、Ｂａｎｄ３とＢａｎｄ１とＢａｎｄ４０とＢａｎｄ７との同時通信に対応する場合、Ｂａｎｄ３の高周波信号を通過させる第１フィルタ６１のインピーダンスは、他のＢａｎｄ１、Ｂａｎｄ４０及びＢａｎｄ７それぞれに対応する第１フィルタ６２、第２フィルタ７１及び第２フィルタ７２の影響を位相に関してはほとんど受けない。したがって、Ｂａｎｄ３の高周波信号を通過させる第１フィルタ６１のインピーダンスは、第１フィルタ６１と第１フィルタ６２と第２フィルタ７１と第２フィルタ７２とを束ねても、第１フィルタ６１のインピーダンスは、ほとんどずれない。Ｂａｎｄ３の高周波信号を通過させる第１フィルタ６１のインピーダンスは、スイッチ４０１の共通端子４１０とアンテナ端子との間に接続されたインダクタの影響で高インピーダンスと誘導性との少なくとも一方にずれる場合がある。
　図９Ｂのスミスチャートにおいて、Ｂａｎｄ４０の高周波信号を通過させる第２フィルタ７１のインピーダンスは、５０Ωに近い値となっている。また、図９Ｂのスミスチャートにおいて、第２フィルタ７１のインピーダンスは、Ｂａｎｄ３の周波数帯域ではオープン付近で誘導性であることが分かる。また、図９Ｂのスミスチャートにおいて、第２フィルタ７１のインピーダンスは、Ｂａｎｄ７の周波数帯域では容量性である。以上より、Ｂａｎｄ３とＢａｎｄ１とＢａｎｄ４０とＢａｎｄ７との同時通信に対応する場合、Ｂａｎｄ４０の高周波信号を通過させる第２フィルタ７１のインピーダンスは、シャントキャパシタ（配線９０５のシャントキャパシタ成分、スイッチ４０１のシャントキャパシタ成分）の影響を受け、図９Ｂに破線矢印で示すように低インピーダンスと容量性との少なくとも一方にずれる。
　図９Ｃのスミスチャートにおいて、Ｂａｎｄ７の高周波信号を通過させる第２フィルタ７２のインピーダンスは、５０Ωに近い値となっている。また、図９Ｃのスミスチャートにおいて、第２フィルタ７２のインピーダンスは、Ｂａｎｄ３の周波数帯域、Ｂａｎｄ１の周波数帯域及びＢａｎｄ４０の周波数帯域のいずれにおいても容量性である。以上より、Ｂａｎｄ３とＢａｎｄ１とＢａｎｄ４０とＢａｎｄ７との同時通信に対応する場合、Ｂａｎｄ７の高周波信号を通過させる第２フィルタ７２のインピーダンスは、シャントキャパシタ（配線９０５のシャントキャパシタ成分、スイッチ４０１のシャントキャパシタ成分）の影響を受け、図９Ｃに破線矢印で示すように低インピーダンスと容量性との少なくとも一方にずれやすい。
　図９Ａ～９Ｃから、スイッチ４０１を利用して複数のＢａｎｄ３，Ｂａｎｄ１，Ｂａｎｄ４０，Ｂａｎｄ７の同時通信に対応する場合、相対的に低い周波数帯域に対応した通信バンドの第１フィルタ６１のインピーダンスは、５０Ωから高インピーダンスと誘導性との少なくとも一方にずれ、相対的に高い周波数帯域に対応した通信バンドの第１フィルタ６２、第２フィルタ７１及び第２フィルタ７２のインピーダンスは、５０Ωから低インピーダンスと容量性との少なくとも一方にずれる傾向になりやすい。ここで、Ｂａｎｄ３、Ｂａｎｄ１、Ｂａｎｄ４０及びＢａｎｄ７のうち、最も高い周波数帯域に対応したＢａｎｄ７の高周波信号を通過させる第２フィルタ７２が、最も、５０Ωから低インピーダンスと容量性との少なくとも一方にずれやすい。
　以上から、参考例１に係る高周波回路１ｒ及び参考例２に係る高周波回路１ｓでは、例えば、キャリアアグリゲーションのような同時通信に対応する場合、アンテナ端子から見た複数のフィルタのうち低周波バンドのフィルタのインピーダンスが高インピーダンスと誘導性との少なくとも一方にずれる傾向があり、高周波バンドのフィルタのインピーダンスが低インピーダンスと容量性との少なくとも一方にずれる傾向がある。したがって、参考例１に係る高周波回路１ｒ及び参考例２に係る高周波回路１ｓでは、例えば、キャリアアグリゲーションのような同時通信に対応する場合、複数のフィルタの通信バンドでのインピーダンスのばらつきが大きくなるという課題がある。
　（３）高周波回路の特性
　実施形態１に係る高周波回路１では、高周波側の複数（ここでは、２つ）の第２通信バンド（Ｂａｎｄ４０、Ｂａｎｄ７）を切り替えるためのバンドセレクトスイッチである第２スイッチ５と、アンテナスイッチである第１スイッチ４との間にインダクタ８を直列接続してある。これにより、実施形態１に係る高周波回路１では、例えば、キャリアアグリゲーションのような同時通信に対応する場合の特性が、参考例２に係る高周波回路１ｓにおいてキャリアアグリゲーションのような同時通信に対応する場合の特性とは異なる。
　まず、実施形態１に係る高周波回路１に関する図３Ａ～３Ｄのスミスチャートについては、図４に示す比較例１に係る高周波回路１ｑに関する図５Ａ～５Ｄのスミスチャートについて説明した後で説明する。比較例１に係る高周波回路１ｑは、インダクタ８を備えていない点で実施形態１に係る高周波回路１と相違する。
　図５Ａは、Ｂａｎｄ３の高周波信号を通過させる第１フィルタ６１のインピーダンスを示すスミスチャートである。図５Ａにおいて、ＺＡ１は、図４における第３スイッチ３の共通端子３０に接続された第１配線１１１上の点（ラインＡ１上の点）から第１フィルタ６１側を見たときの、Ｂａｎｄ３の周波数帯域での第１フィルタ６１のインピーダンスを示す。図５Ａにおいて、ＺＡ３は、図４における第３配線１１３上の点（ラインＡ３上の点）から第１フィルタ６１側を見たときの、Ｂａｎｄ３の周波数帯域での第１フィルタ６１のインピーダンスを示す。第３配線１１３は、共通端子３０に接続されている第１配線１１１と共通端子５０に接続されている第２配線１１２との接続点Ｔ１と、第１スイッチ４の第１選択端子４１と、を接続している配線である。図５Ａにおいて、ＺＡ４は、図４における第１スイッチ４の共通端子４０側の点（ラインＡ４上の点）から第１フィルタ６１側を見たときの、Ｂａｎｄ３の周波数帯域での第１フィルタ６１のインピーダンスを示す。図５Ａにおいて、ＺＡ５は、図４におけるインダクタ９とアンテナ端子２との間の点（ラインＡ５上の点）から第１フィルタ６１側を見たときの、Ｂａｎｄ３の周波数帯域での第１フィルタ６１のインピーダンスを示す。つまり、図５Ａにおいて、ＺＡ５は、アンテナ端子２から第１フィルタ６１を見たときの第１フィルタ６１のインピーダンスである。図５Ａにおいて、ＺＡ３がＺＡ１から誘導性にずれているのは、Ｂａｎｄ４０の高周波信号を通過させる第２フィルタ７２のインピーダンスがＢａｎｄ３の周波数帯域において誘導性であるためである。
　図５Ｂは、Ｂａｎｄ１の高周波信号を通過させる第１フィルタ６２のインピーダンスを示すスミスチャートである。図５Ｂにおいて、ＺＡ１は、図４における第３スイッチ３の共通端子３０に接続された第１配線１１１上の点（ラインＡ１上の点）から第１フィルタ６２側を見たときの、Ｂａｎｄ１の周波数帯域での第１フィルタ６２のインピーダンスを示す。図５Ｂにおいて、ＺＡ３は、図４における第３配線１１３上の点（ラインＡ３上の点）から第１フィルタ６２側を見たときの、Ｂａｎｄ１の周波数帯域での第１フィルタ６２のインピーダンスを示す。図５Ｂにおいて、ＺＡ４は、図４における第１スイッチ４の共通端子４０側の点（ラインＡ４上の点）から第１フィルタ６２側を見たときの、Ｂａｎｄ１の周波数帯域での第１フィルタ６２のインピーダンスを示す。図５Ｂにおいて、ＺＡ５は、図４におけるインダクタ９とアンテナ端子２との間の点（ラインＡ５上の点）から第１フィルタ６２側を見たときの、Ｂａｎｄ１の周波数帯域での第１フィルタ６２のインピーダンスを示す。つまり、図５Ｂにおいて、ＺＡ５は、図４におけるアンテナ端子２から第１フィルタ６２を見たときの第１フィルタ６２のインピーダンスである。
　図５Ｃは、Ｂａｎｄ４０の高周波信号を通過させる第２フィルタ７１のインピーダンスを示すスミスチャートである。図５Ｃにおいて、ＺＡ１は、図４における第３スイッチ３の共通端子３０に接続された第１配線１１１上の点（ラインＡ１上の点）から第２フィルタ７１側を見たときの、Ｂａｎｄ４０の周波数帯域での第２フィルタ７１のインピーダンスを示す。図５Ｃにおいて、ＺＡ３は、図４における第３配線１１３上の点（ラインＡ３上の点）から第２フィルタ７１側を見たときの、Ｂａｎｄ４０の周波数帯域での第２フィルタ７１のインピーダンスを示す。図５Ｃにおいて、ＺＡ４は、図４における第１スイッチ４の共通端子４０側の点（ラインＡ４上の点）から第２フィルタ７１側を見たときの、Ｂａｎｄ４０の周波数帯域での第２フィルタ７１のインピーダンスを示す。図５Ｃにおいて、ＺＡ５は、図４におけるインダクタ９とアンテナ端子２との間の点（ラインＡ５上の点）から第２フィルタ７１側を見たときの、Ｂａｎｄ４０の周波数帯域での第２フィルタ７１のインピーダンスを示す。つまり、図５Ｃにおいて、ＺＡ５は、図４におけるアンテナ端子２から第２フィルタ７１を見たときの第２フィルタ７１のインピーダンスである。
　図５Ｄは、Ｂａｎｄ７の高周波信号を通過させる第２フィルタ７２のインピーダンスを示すスミスチャートである。図５Ｄにおいて、ＺＡ１は、図４における第３スイッチ３の共通端子３０に接続された第１配線１１１上の点（ラインＡ１上の点）から第２フィルタ７２側を見たときの、Ｂａｎｄ７の周波数帯域での第２フィルタ７２のインピーダンスを示す。図５Ｄにおいて、ＺＡ３は、図４における第３配線１１３上の点（ラインＡ３上の点）から第２フィルタ７２側を見たときの、Ｂａｎｄ７の周波数帯域での第２フィルタ７２のインピーダンスを示す。図５Ｄにおいて、ＺＡ４は、図４における第１スイッチ４の共通端子４０側の点（ラインＡ４上の点）から第２フィルタ７２側を見たときの、Ｂａｎｄ７の周波数帯域での第２フィルタ７２のインピーダンスを示す。図５Ｄにおいて、ＺＡ５は、図４におけるインダクタ９とアンテナ端子２との間の点（ラインＡ５上の点）から第２フィルタ７２側を見たときの、Ｂａｎｄ７の周波数帯域での第２フィルタ７２のインピーダンスを示す。つまり、図５Ｄにおいて、ＺＡ５は、図４におけるアンテナ端子２から第２フィルタ７２を見たときの第２フィルタ７２のインピーダンスである。図５Ｄにおいて、ＺＡ３がＺＡ１から容量性にずれているのは、Ｂａｎｄ３の高周波信号を通過させる第１フィルタ６１のインピーダンスがＢａｎｄ７の周波数帯域において容量性であり、また、Ｂａｎｄ１の高周波信号を通過させる第１フィルタ６２のインピーダンスがＢａｎｄ７の周波数帯域において容量性であるためである。また、図５Ｄにおいて、ＺＡ４がＺＡ３から容量性にずれているのは、第１スイッチ４の容量成分のためである。
　図３Ａは、Ｂａｎｄ３の高周波信号を通過させる第１フィルタ６１のインピーダンスを示すスミスチャートである。図３Ａにおいて、ＺＡ１は、図１における第３スイッチ３の共通端子３０に接続された第１配線１１１上の点（ラインＡ１上の点）から第１フィルタ６１側を見たときの、Ｂａｎｄ３の周波数帯域での第１フィルタ６１のインピーダンスを示す。図３Ａにおいて、ＺＡ３は、図１における第３配線１１３上の点（ラインＡ３上の点）から第１フィルタ６１側を見たときの、Ｂａｎｄ３の周波数帯域での第１フィルタ６１のインピーダンスを示す。第３配線１１３は、共通端子３０に接続されている第１配線１１１と共通端子５０に接続されている第２配線１１２との接続点Ｔ１と、第１スイッチ４の第１選択端子４１と、を接続している配線である。図３Ａにおいて、ＺＡ４は、図１における第１スイッチ４の共通端子４０側の点（ラインＡ４上の点）から第１フィルタ６１側を見たときの、Ｂａｎｄ３の周波数帯域での第１フィルタ６１のインピーダンスを示す。図３Ａにおいて、ＺＡ５は、図１におけるインダクタ９とアンテナ端子２との間の点（ラインＡ５上の点）から第１フィルタ６１側を見たときの、Ｂａｎｄ３の周波数帯域での第１フィルタ６１のインピーダンスを示す。つまり、図３Ａにおいて、ＺＡ５は、図１におけるアンテナ端子２から第１フィルタ６１を見たときの第１フィルタ６１のインピーダンスである。
　図３Ｂは、Ｂａｎｄ１の高周波信号を通過させる第１フィルタ６２のインピーダンスを示すスミスチャートである。図３Ｂにおいて、ＺＡ１は、図１における第３スイッチ３の共通端子３０に接続された第１配線１１１上の点（ラインＡ１上の点）から第１フィルタ６２側を見たときの、Ｂａｎｄ１の周波数帯域での第１フィルタ６２のインピーダンスを示す。図３Ｂにおいて、ＺＡ３は、図１における第３配線１１３上の点（ラインＡ３上の点）から第１フィルタ６２側を見たときの、Ｂａｎｄ１の周波数帯域での第１フィルタ６２のインピーダンスを示す。図３Ｂにおいて、ＺＡ４は、図１における第１スイッチ４の共通端子４０側の点（ラインＡ４上の点）から第１フィルタ６２側を見たときの、Ｂａｎｄ１の周波数帯域での第１フィルタ６２のインピーダンスを示す。図３Ｂにおいて、ＺＡ５は、図１におけるインダクタ９とアンテナ端子２との間の点（ラインＡ５上の点）から第１フィルタ６２側を見たときの、Ｂａｎｄ１の周波数帯域での第１フィルタ６２のインピーダンスを示す。つまり、図３Ｂにおいて、ＺＡ５は、図１におけるアンテナ端子２から第１フィルタ６２を見たときの第１フィルタ６２のインピーダンスである。
　図３Ｃは、Ｂａｎｄ４０の高周波信号を通過させる第２フィルタ７１のインピーダンスを示すスミスチャートである。図３Ｃにおいて、ＺＡ１は、図１における第２スイッチ５の共通端子５０に接続された第２配線１１２上の点（ラインＡ１上の点）から第２フィルタ７１側を見たときの、Ｂａｎｄ４０の周波数帯域での第２フィルタ７１のインピーダンスを示す。図３Ｃにおいて、ＺＡ２は、図１におけるインダクタ８と接続点Ｔ１との間で第２配線１１２上の点（ラインＡ２上の点）から第２フィルタ７１側を見たときの、Ｂａｎｄ４０の周波数帯域での第２フィルタ７１のインピーダンスを示す。図３Ｃにおいて、ＺＡ３は、図１における第３配線１１３上の点（ラインＡ３上の点）から第２フィルタ７１側を見たときの、Ｂａｎｄ４０の周波数帯域での第２フィルタ７１のインピーダンスを示す。図３Ｃにおいて、ＺＡ４は、図１における第１スイッチ４の共通端子４０側の点（ラインＡ４上の点）から第２フィルタ７１側を見たときの、Ｂａｎｄ４０の周波数帯域での第２フィルタ７１のインピーダンスを示す。図３Ｃにおいて、ＺＡ５は、図１におけるインダクタ９とアンテナ端子２との間の点（ラインＡ５上の点）から第２フィルタ７１側を見たときの、Ｂａｎｄ４０の周波数帯域での第２フィルタ７１のインピーダンスを示す。つまり、図３Ｃにおいて、ＺＡ５は、図１におけるアンテナ端子２から第２フィルタ７１を見たときの第２フィルタ７１のインピーダンスである。図３Ｃにおいて、ＺＡ２がＺＡ１から誘導性にずれているのは、インダクタ８の効果である。
　図３Ｄは、Ｂａｎｄ７の高周波信号を通過させる第２フィルタ７２のインピーダンスを示すスミスチャートである。図３Ｄにおいて、ＺＡ１は、図１における第２スイッチ５の共通端子５０に接続された第２配線１１２上の点（ラインＡ１上の点）から第２フィルタ７２側を見たときの、Ｂａｎｄ７の周波数帯域での第２フィルタ７２のインピーダンスを示す。図３Ｄにおいて、ＺＡ２は、図１におけるインダクタ８と接続点Ｔ１との間で第２配線１１２上の点（ラインＡ２上の点）から第２フィルタ７２側を見たときの、Ｂａｎｄ７の周波数帯域での第２フィルタ７２のインピーダンスを示す。図３Ｄにおいて、ＺＡ３は、図１における第３配線１１３上の点（ラインＡ３上の点）から第２フィルタ７２側を見たときの、Ｂａｎｄ７の周波数帯域での第２フィルタ７２のインピーダンスを示す。図３Ｄにおいて、ＺＡ４は、図１における第１スイッチ４の共通端子４０側の点（ラインＡ４上の点）から第２フィルタ７２側を見たときの、Ｂａｎｄ７の周波数帯域での第２フィルタ７２のインピーダンスを示す。図３Ｄにおいて、ＺＡ５は、図１におけるインダクタ９とアンテナ端子２との間の点（ラインＡ５上の点）から第２フィルタ７２側を見たときの、Ｂａｎｄ７の周波数帯域での第２フィルタ７２のインピーダンスを示す。つまり、図３Ｄにおいて、ＺＡ５は、図１におけるアンテナ端子２から第２フィルタ７２を見たときの第２フィルタ７２のインピーダンスである。図３Ｄにおいて、ＺＡ２がＺＡ１から誘導性にずれているのは、インダクタ８の効果である。
　上述の図５Ａ～５Ｄのスミスチャートから、比較例１に係る高周波回路１ｑでは、複数のフィルタのフィルタごとに、アンテナ端子２から見たときのインピーダンスが５０Ωからずれることが分かる。また、高周波回路１ｑでは、高周波側のＢａｎｄ４０、Ｂａｎｄ７に対応する第２フィルタ７１、第２フィルタ７２のアンテナ端子２から見たときのインピーダンスが５０Ωから低インピーダンスにずれることが分かる。高周波回路１ｑでは、最も低い周波数帯域のＢａｎｄ３の高周波信号を通過させる第１フィルタ６１のインピーダンスが６０Ω程度あり、最も高い周波数帯域のＢａｎｄ７の高周波信号を通過させる第２フィルタ７２のインピーダンスが３０Ω程度である。
　これに対して、図３Ａ～３Ｄのスミスチャートから、実施形態１に係る高周波回路１では、比較例１に係る高周波回路１ｑと比べて、Ｂａｎｄ４０、Ｂａｎｄ７に対応する第２フィルタ７１、第２フィルタ７２のアンテナ端子２から見たときのインピーダンスが５０Ωから低インピーダンス、容量性にずれにくくなることが分かる。
　（４）高周波フロントエンド回路
　以下、高周波フロントエンド回路２００について図２に基づいて説明する。
　高周波フロントエンド回路２００は、高周波回路１と、第１ローノイズアンプ１６と、第２ローノイズアンプ１８と、を備える。第１ローノイズアンプ１６は、高周波回路１の複数の第１フィルタ６に接続される。第２ローノイズアンプ１８は、高周波回路１の複数の第２フィルタ７に接続される。また、高周波フロントエンド回路２００は、２つの信号出力端子２１，２２を更に備える。
　第１ローノイズアンプ１６は、入力端子及び出力端子を有する。第１ローノイズアンプ１６の入力端子は、第３スイッチ３に接続される。また、第１ローノイズアンプ１６の出力端子は、信号出力端子２１に接続されている。第１ローノイズアンプ１６は、入力端子に入力された高周波信号を増幅して出力端子から出力する。
　第２ローノイズアンプ１８は、入力端子及び出力端子を有する。第２ローノイズアンプ１８の入力端子は、第２スイッチ５に接続される。また、第２ローノイズアンプ１８の出力端子は、信号出力端子２２に接続されている。第２ローノイズアンプ１８は、入力端子に入力された高周波信号を増幅して出力端子から出力する。
　信号出力端子２１は、第１ローノイズアンプ１６からの高周波信号（受信信号）を外部回路（例えば、信号処理回路３０１）へ出力するための端子である。
　信号出力端子２２は、第２ローノイズアンプ１８からの高周波信号（受信信号）を外部回路（例えば、信号処理回路３０１）へ出力するための端子である。
　また、高周波フロントエンド回路２００は、第４スイッチ１４と、第５スイッチ１５と、第１入力整合回路１７と、第２入力整合回路１９と、を更に備える。
　第４スイッチ１４は、共通端子１４０と、複数の選択端子（第１選択端子１４１及び第２選択端子１４２）と、を有する。第４スイッチ１４は、共通端子１４０と第１選択端子１４１及び第２選択端子１４２との接続状態を切り替える。第４スイッチ１４は、共通端子１４０と第１選択端子１４１とを接続する第１状態と、共通端子１４０と第２選択端子１４２とを接続する第２状態と、共通端子１４０と第１選択端子１４１及び第２選択端子１４２とを接続する第３状態と、共通端子１４０と第１選択端子１４１及び第２選択端子１４２を非接続とする第４状態と、を切り替えるスイッチである。つまり、第１選択端子１４１及び第２選択端子１４２は、共通端子１４０に同時接続可能である。第４スイッチ１４は、共通端子１４０に複数の選択端子（第１選択端子１４１及び第２選択端子１４２）のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第４スイッチ１４は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。第４スイッチ１４は、スイッチＩＣである。第４スイッチ１４は、例えば、信号処理回路３０１によって制御される。第４スイッチ１４は、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号にしたがって、共通端子１４０と第１選択端子１４１及び第２選択端子１４２との接続状態を切り替える。
　第４スイッチ１４の共通端子１４０は、第１入力整合回路１７を介して第１ローノイズアンプ１６の入力端子に接続されている。第４スイッチ１４の第１選択端子１４１は、Ｂａｎｄ３の高周波信号を通過させる第１フィルタ６１に接続されている。第４スイッチ１４の第２選択端子１４２は、Ｂａｎｄ１の高周波信号を通過させる第１フィルタ６２に接続されている。
　第５スイッチ１５は、共通端子１５０と、複数（ここでは、２つ）の選択端子（第１選択端子１５１及び第２選択端子１５２）と、を有する。第５スイッチ１５は、共通端子１５０と第１選択端子１５１及び第２選択端子１５２との接続状態を切り替える。第５スイッチ１５は、共通端子１５０と第１選択端子１５１とを接続する第１状態と、共通端子１５０と第２選択端子１５２とを接続する第２状態と、共通端子１５０と第１選択端子１５１及び第２選択端子１５２とを接続する第３状態と、共通端子１５０と第１選択端子１５１及び第２選択端子１５２を非接続とする第４状態と、を切り替えるスイッチである。つまり、第１選択端子１５１及び第２選択端子１５２は、共通端子１５０に同時接続可能である。第５スイッチ１５は、共通端子１５０に複数の選択端子（第１選択端子１５１及び第２選択端子１５２）のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第５スイッチ１５は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。第５スイッチ１５は、スイッチＩＣである。第５スイッチ１５は、例えば、信号処理回路３０１（図２参照）によって制御される。第５スイッチ１５は、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号にしたがって、共通端子１５０と第１選択端子１５１及び第２選択端子１５２との間の接続状態を切り替える。
　第５スイッチ１５の共通端子１５０は、第２入力整合回路１９を介して第２ローノイズアンプ１８の入力端子に接続されている。第５スイッチ１５の第１選択端子１５１は、Ｂａｎｄ４０の高周波信号を通過させる第２フィルタ７１に接続されている。第５スイッチ１５の第２選択端子１５２は、Ｂａｎｄ７の高周波信号を通過させる第２フィルタ７２に接続されている。
　第１入力整合回路１７は、第１ローノイズアンプ１６の入力端子と第４スイッチ１４の共通端子１４０との間の信号経路に設けられている。第１入力整合回路１７は、第１ローノイズアンプ１６と複数の第１フィルタ６１，６２とのインピーダンス整合をとるための回路である。第１入力整合回路１７は、例えば、１つのインダクタで構成されているが、これに限らず、例えば、複数のインダクタ及び複数のキャパシタを含む場合もある。
　第２入力整合回路１９は、第２ローノイズアンプ１８の入力端子と第５スイッチ１５の共通端子１５０との間の信号経路に設けられている。第２入力整合回路１９は、第２ローノイズアンプ１８と複数の第２フィルタ７１，７２とのインピーダンス整合をとるための回路である。第２入力整合回路１９は、例えば、１つのインダクタで構成されているが、これに限らず、例えば、複数のインダクタ及び複数のキャパシタを含む場合もある。
　高周波フロントエンド回路２００は、アンテナ３１０からアンテナ端子２に入力された高周波信号（受信信号）を増幅して信号処理回路３０１に出力できるように構成されている。信号処理回路３０１は、高周波フロントエンド回路２００の構成要素ではなく、高周波フロントエンド回路２００を備える通信装置３００の構成要素である。実施形態１に係る高周波フロントエンド回路２００は、例えば、通信装置３００の備える信号処理回路３０１によって制御される。
　高周波フロントエンド回路２００では、例えば、Ｂａｎｄ３、Ｂａｎｄ１、Ｂａｎｄ４０及びＢａｎｄ７の同時通信に対応する場合、第１スイッチ４、第３スイッチ３、第２スイッチ５、第４スイッチ１４及び第５スイッチ１５は、以下のような接続状態となる。
　第１スイッチ４では、第１選択端子４１が共通端子４０に接続される。第３スイッチ３では、第１選択端子３１及び第２選択端子３２が共通端子３０に同時接続される。第２スイッチ５では、第１選択端子５１及び第２選択端子５２が共通端子５０に同時接続される。第４スイッチ１４では、第１選択端子１４１及び第２選択端子１４２が共通端子１４０に同時接続される。第５スイッチ１５では、第１選択端子１５１及び第２選択端子１５２が同時接続される。
　高周波フロントエンド回路２００を備える高周波モジュールは、例えば、高周波回路１を備える高周波モジュールにおける実装基板に、高周波フロントエンド回路２００における高周波回路１以外の複数の回路素子等を実装して構成される。複数の回路素子は、第１ローノイズアンプ１６、第２ローノイズアンプ１８、第４スイッチ１４、第５スイッチ１５、第１入力整合回路１７及び第２入力整合回路１９を含む。
　（５）通信装置
　通信装置３００は、図２に示すように、高周波フロントエンド回路２００と、信号処理回路３０１と、を備える。通信装置３００は、アンテナ３１０を更に備える。
　信号処理回路３０１は、例えば、ＲＦ信号処理回路３０２と、ベースバンド信号処理回路３０３と、を含む。ＲＦ信号処理回路３０２は、例えばＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波信号に対する信号処理を行う。ＲＦ信号処理回路３０２は、例えば、高周波フロントエンド回路２００から出力された高周波信号（受信信号）に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号をベースバンド信号処理回路３０３へ出力する。ベースバンド信号処理回路３０３は、例えばＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）である。ベースバンド信号処理回路３０３で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のために、又は、音声信号として通話のために使用される。高周波フロントエンド回路２００は、アンテナ３１０と信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２との間で高周波信号（受信信号）を伝達する。通信装置３００では、ベースバンド信号処理回路３０３は、必須の構成要素ではない。
　（６）まとめ
　（６．１）高周波回路
　実施形態１に係る高周波回路１は、アンテナ端子２と、第１スイッチ４と、第２スイッチ５と、複数（ここでは、２つ）の第１フィルタ６（第１フィルタ６１、第１フィルタ６２）と、複数（ここでは、２つ）の第２フィルタ７（第２フィルタ７１、第２フィルタ７２）と、を備える。第１スイッチ４は、アンテナ端子２に接続されている。第２スイッチ５は、第１スイッチ４に接続されており、第１スイッチ４を介してアンテナ端子２に接続される。複数の第２フィルタ７は、第２スイッチ５及び第１スイッチ４を介してアンテナ端子２に接続される。高周波回路１は、インダクタ８を更に備える。インダクタ８は、第１スイッチ４と複数の第１フィルタ６との間で複数の第１フィルタ６に直列接続されず、第１スイッチ４と第２スイッチ５との間において第１スイッチ４及び第２スイッチ５に直列接続されている。
　実施形態１に係る高周波回路１では、アンテナ端子２から見た複数のフィルタ（第１フィルタ６１、第１フィルタ６２、第２フィルタ７１及び第２フィルタ７２）の通信バンドでのインピーダンスのばらつきを抑制することが可能となる。ここにおいて、通信バンドでのインピーダンスは、複数のフィルタの各々において、アンテナ端子２から見たときの自帯域でのインピーダンスである。実施形態１に係る高周波回路１では、第２フィルタ７のインピーダンスは、第２スイッチ５における第２フィルタ７側とは反対側（ラインＡ１上の点であり、第２スイッチ５の共通端子５０と略同じ点）から見て、スミスチャート上で第２通信バンドの周波数帯域において容量性である。
　実施形態１に係る高周波回路１では、インダクタ８を追加するだけで、複数の動作モード（例えば、複数のフィルタのうち１つのフィルタを利用する通信、複数のフィルタのうち任意の２つ以上のフィルタを利用するキャリアアグリゲーションのような同時通信）において良好な特性を得ることが可能となる。これにより、実施形態１に係る高周波回路１では、複数のフィルタごとにインピーダンスを調整する回路を備える場合と比べて、小型化を図ることが可能となる。実施形態１に係る高周波回路１では、上述のようにインダクタ８のインダクタンスが１ｎＨ以上であるのが好ましい。ここにおいて、インダクタ８のインダクタンスが小さすぎると、インダクタ８を備えることによる効果が小さく、インダクタンスが大きすぎると、特性が劣化する。
　（６．２）高周波フロントエンド回路
　実施形態１に係る高周波フロントエンド回路２００は、高周波回路１と、第１ローノイズアンプ１６と、第２ローノイズアンプ１８と、を備える。第１ローノイズアンプ１６は、高周波回路１の複数の第１フィルタ６に接続される。第２ローノイズアンプ１８は、高周波回路１の複数の第２フィルタ７に接続される。
　実施形態１に係る高周波フロントエンド回路２００では、アンテナ端子２から見た複数のフィルタ（第１フィルタ６１、第１フィルタ６２、第２フィルタ７１及び第２フィルタ７２）の通信バンドでのインピーダンスのばらつきを抑制することが可能となる。
　（６．３）通信装置
　実施形態１に係る通信装置３００は、高周波フロントエンド回路２００と、信号処理回路３０１と、を備える。信号処理回路３０１は、第１通信バンドの高周波信号及び第２通信バンドの高周波信号を信号処理する。ここにおいて、実施形態１に係る通信装置３００は、アンテナ３１０を更に備える。
　実施形態１に係る通信装置３００では、アンテナ端子２から見た複数のフィルタ（第１フィルタ６１、第１フィルタ６２、第２フィルタ７１及び第２フィルタ７２）の通信バンドでのインピーダンスのばらつきを抑制することが可能となる。
　（実施形態２）
　以下、実施形態２に係る高周波回路１ａ、高周波フロントエンド回路２００ａ及び通信装置３００ａについて、図１０及び１１を参照して説明する。実施形態２に係る高周波回路１ａ、高周波フロントエンド回路２００ａ及び通信装置３００ａに関し、実施形態１に係る高周波回路１、高周波フロントエンド回路２００及び通信装置３００と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　ところで、図１に示した実施形態１に係る高周波回路１は、第１通信バンド用の回路と、第２通信バンド用の回路と、を有している。第１通信バンド用の回路は、第１フィルタ６１と、第１フィルタ６２と、第３スイッチ３と、２つのシャントインダクタ１３１，１３２と、を含む。第２通信バンド用の回路は、第２フィルタ７１と、第２フィルタ７２と、第２スイッチ５と、２つのシャントインダクタ１３３，１３４と、インダクタ８と、を含む。
　これに対して、実施形態２に係る高周波回路１ａは、実施形態１に係る高周波回路１における第１通信バンド用の回路の代わりに、第１フィルタ６１と第１フィルタ６２とを束ねたマルチプレクサ６０と、シャントインダクタ１３０と、を含む第１通信バンド用の回路を備える点で、実施形態１に係る高周波回路１と相違する。また、実施形態２に係る高周波回路１ａでは、インダクタ８は、第２スイッチ５の共通端子５０と第１スイッチ４の第２選択端子４２との間で第２スイッチ５及び第１スイッチ４に直列接続されている。インダクタ８のインダクタンスは、例えば、１．５ｎＨである。
　マルチプレクサ６０は、２つの第１フィルタ６１，６２の入力側の端子（アンテナ端子側の端子）が束ねられた接続点６０１を有する。実施形態２に係る高周波回路１ａでは、マルチプレクサ６０の接続点６０１が第１スイッチ４を介してアンテナ端子２に接続される。シャントインダクタ１３０は、接続点６０１と第１スイッチ４の第１選択端子４１とを接続している配線１００上のノードＮ１０と、グランドと、の間に接続されている。
　実施形態２に係る高周波回路１ａは、例えば、通信装置３００ａ（図１１参照）の高周波フロントエンド回路２００ａに用いられる。
　高周波回路１ａでは、例えば、Ｂａｎｄ３、Ｂａｎｄ１、Ｂａｎｄ４０及びＢａｎｄ７の同時通信に対応する場合、第１スイッチ４において第１選択端子４１及び第２選択端子４２が共通端子４０に同時接続され、かつ、第２スイッチ５において第１選択端子５１及び第２選択端子５２が共通端子５０に同時接続される。
　高周波回路１ａでは、例えば、Ｂａｎｄ３とＢａｎｄ１とＢａｎｄ４０との同時通信に対応する場合、第１スイッチ４において第１選択端子４１及び第２選択端子４２が共通端子４０に同時接続され、かつ、第２スイッチ５の第１選択端子５１が共通端子５０に接続される。
　高周波回路１ａでは、Ｂａｎｄ３とＢａｎｄ１との同時通信に対応する場合、第１スイッチ４において第１選択端子４１が共通端子４０に接続される。
　高周波回路１ａでは、Ｂａｎｄ４０とＢａｎｄ７との同時通信に対応する場合、第１スイッチ４において第２選択端子４２が共通端子４０に接続され、第２スイッチ５において第１選択端子５１及び第２選択端子５２が共通端子５０に同時接続される。
　高周波回路１ａでは、Ｂａｎｄ４０の通信に対応する場合、第１スイッチ４において第２選択端子４２が共通端子４０に接続され、第２スイッチ５において第１選択端子５１が共通端子５０に接続される。
　高周波回路１ａでは、Ｂａｎｄ７の通信に対応する場合、第１スイッチ４において第２選択端子４２が共通端子４０に接続され、第２スイッチ５において第２選択端子５２が共通端子５０に接続される。
　図１２Ａ～１２Ｄは、実施形態２に係る高周波回路１ａにおける各フィルタ（第１フィルタ６１、第１フィルタ６２、第２フィルタ７１、第２フィルタ７２）のインピーダンスを示すスミスチャートである。これに対して、図１３Ａ～１３Ｄは、比較例２に係る高周波回路における各フィルタのインピーダンスを示すスミスチャートである。比較例２に係る高周波回路は、実施形態２に係る高周波回路１ａと略同じであり、インダクタ８を備えていない点で、実施形態２に係る高周波回路１ａと相違するだけなので、図示及び詳細な説明を省略する。
　図１２Ａは、Ｂａｎｄ３の高周波信号を通過させる第１フィルタ６１のインピーダンスを示すスミスチャートである。ここにおいて、図１２Ａは、図１０におけるアンテナ端子２から第１フィルタ６１を見たときの第１フィルタ６１のＢａｎｄ３の周波数帯域（つまり、自帯域）でのインピーダンスである。
　図１２Ｂは、Ｂａｎｄ１の高周波信号を通過させる第１フィルタ６２のインピーダンスを示すスミスチャートである。ここにおいて、図１２Ｂは、図１０におけるアンテナ端子２から第１フィルタ６２を見たときの第１フィルタ６２のＢａｎｄ１の周波数帯域でのインピーダンスである。
　図１２Ｃは、Ｂａｎｄ４０の高周波信号を通過させる第２フィルタ７１のインピーダンスを示すスミスチャートである。ここにおいて、図１２Ｃは、図１０におけるアンテナ端子２から第２フィルタ７１を見たときの第２フィルタ７１のＢａｎｄ４０の周波数帯域でのインピーダンスである。
　図１２Ｄは、Ｂａｎｄ７の高周波信号を通過させる第２フィルタ７２のインピーダンスを示すスミスチャートである。ここにおいて、図１２Ｄは、図１０におけるアンテナ端子２から第２フィルタ７２を見たときの第２フィルタ７２のＢａｎｄ７の周波数帯域でのインピーダンスである。
　図１３Ａは、Ｂａｎｄ３の高周波信号を通過させる第１フィルタ６１のインピーダンスを示すスミスチャートである。ここにおいて、図１３Ａは、アンテナ端子２から第１フィルタ６１を見たときの第１フィルタ６１のＢａｎｄ３の周波数帯域（つまり、自帯域）でのインピーダンスである。
　図１３Ｂは、Ｂａｎｄ１の高周波信号を通過させる第１フィルタ６２のインピーダンスを示すスミスチャートである。ここにおいて、図１３Ｂは、アンテナ端子２から第１フィルタ６２を見たときの第１フィルタ６２のＢａｎｄ１の周波数帯域でのインピーダンスである。
　図１３Ｃは、Ｂａｎｄ４０の高周波信号を通過させる第２フィルタ７１のインピーダンスを示すスミスチャートである。ここにおいて、図１３Ｃは、アンテナ端子２から第２フィルタ７１を見たときの第２フィルタ７１のＢａｎｄ４０の周波数帯域でのインピーダンスである。
　図１３Ｄは、Ｂａｎｄ７の高周波信号を通過させる第２フィルタ７２のインピーダンスを示すスミスチャートである。ここにおいて、図１３Ｄは、アンテナ端子２から第２フィルタ７２を見たときの第２フィルタ７２のＢａｎｄ７の周波数帯域でのインピーダンスである。
　図１２Ｃ及び１３Ｃから、実施形態２に係る高周波回路１ａでは、比較例２に係る高周波回路と比べて、アンテナ端子２から第２フィルタ７１を見たときの第２フィルタ７１のＢａｎｄ４０の周波数帯域でのインピーダンスを高インピーダンスにずらし５０Ωに近づけることができることが分かる。
　図１２Ｄ及び１３Ｄから、実施形態２に係る高周波回路１ａでは、比較例２に係る高周波回路と比べて、アンテナ端子２から第２フィルタ７２を見たときの第２フィルタ７２のＢａｎｄ７の周波数帯域でのインピーダンスを高インピーダンスにずらし５０Ωに近づけることができることが分かる。
　以上説明した実施形態２に係る高周波回路１ａは、実施形態１に係る高周波回路１と同様、インダクタ８を備えることにより、アンテナ端子２から見た複数のフィルタ（第１フィルタ６１、第１フィルタ６２、第２フィルタ７１及び第２フィルタ７２）の通信バンドでのインピーダンスのばらつきを抑制することが可能となる。
　また、実施形態２に係る高周波フロントエンド回路２００ａは、高周波回路１ａを備える。実施形態２に係る高周波フロントエンド回路２００ａは、実施形態１に係る高周波フロントエンド回路２００と同様、アンテナ端子２から見た複数のフィルタ（第１フィルタ６１、第１フィルタ６２、第２フィルタ７１及び第２フィルタ７２）の通信バンドでのインピーダンスのばらつきを抑制することが可能となる。
　また、実施形態２に係る通信装置３００ａは、高周波フロントエンド回路２００ａと、信号処理回路３０１と、を備える。実施形態２に係る通信装置３００ａは、実施形態１に係る通信装置３００と同様、アンテナ端子２から見た複数のフィルタ（第１フィルタ６１、第１フィルタ６２、第２フィルタ７１及び第２フィルタ７２）の通信バンドでのインピーダンスのばらつきを抑制することが可能となる。
　上記の実施形態は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
　第１スイッチ４、第２スイッチ５、第３スイッチ３、第４スイッチ１４及び第５スイッチ１５の各々における選択端子の数は、複数であればよく、例示した数に限らない。また、高周波回路１では、第１スイッチ４は、共通端子４０（第１端子）と第１選択端子４１（第２端子）とを有していればよいので、ＳＰＳＴ（Single Pole Single Throw）型のスイッチでもよい。また、高周波回路１，１ａは、アンテナ端子２と第１スイッチ４との間にインダクタ９以外の回路素子を備えていてもよい。また、高周波回路１，１ａは、アンテナ端子２と第１スイッチ４との間にインダクタ９を備えることは必須ではない。
　また、高周波回路１，１ａは、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号によって制御される構成に限らず、例えば、第１スイッチ４、第２スイッチ５及び第３スイッチ３を制御する制御回路を含んでいてもよい。
　また、高周波回路１，１ａでは、４つ以上の通信バンドの同時通信に対応する場合、複数の第１通信バンドは、例えば、Ｂａｎｄ１、Ｂａｎｄ３、Ｂａｎｄ２５、Ｂａｎｄ３２、Ｂａｎｄ３４、Ｂａｎｄ３９及びＢａｎｄ６６の群のうち少なくとも２つを含む。また、複数の第２通信バンドは、例えば、Ｂａｎｄ３０、Ｂａｎｄ４０、Ｂａｎｄ７及びＢａｎｄ４１の群のうち少なくとも２つを含む。
　また、高周波回路１，１ａでは、４つ以上の通信バンドの同時通信に対応する場合、複数の第１通信バンドは、例えば、Ｂａｎｄ１、Ｂａｎｄ３及びＢａｎｄ３２の群のうち少なくとも２つを含む。複数の第２通信バンドは、例えば、Ｂａｎｄ４０、Ｂａｎｄ７及びＢａｎｄ４１の群のうち少なくとも２つを含む。
　また、高周波回路１，１ａでは、４つ以上の通信バンドの同時通信に対応する場合、複数の第１通信バンドは、例えば、Ｂａｎｄ２５及びＢａｎｄ６６を含む。複数の第２通信バンドは、例えば、Ｂａｎｄ３０、Ｂａｎｄ７及びＢａｎｄ４１の群のうち少なくとも２つを含む。
　また、第１フィルタ６及び第２フィルタ７の数は、２つに限らず、１つでもよいし、３つ以上でもよい。第１フィルタ６の数が１つで第２フィルタ７の数が１つの場合、高周波回路１では、例えば、２つの第１フィルタ６１，６２のうちいずれか１つのみを第３スイッチ３に接続してあり、２つの第２フィルタ７１，７２のうちいずれか１つのみを第２スイッチ５に接続してあればよい。この場合、第３スイッチ３及び第２スイッチ５の各々は、ＳＰＳＴ型のスイッチでもよい。また、第１フィルタ６の数が１つで第２フィルタ７の数が１つの場合、高周波回路１ａでは、マルチプレクサ６０の代わりに、２つの第１フィルタ６１，６２のうちいずれか１つのみを第１スイッチ４の第１選択端子４１に接続し、２つの第２フィルタ７１，７２のうちいずれか１つのみを第２スイッチ５の第１選択端子５１に接続してあればよい。この場合、第２スイッチ５は、ＳＰＳＴ型のスイッチでもよい。
　また、弾性波フィルタは、弾性表面波を利用する弾性波フィルタに限らず、例えば、弾性境界波、板波等を利用する弾性波フィルタであってもよい。
　また、弾性波フィルタでは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々は、ＳＡＷ共振子に限らず、例えば、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）共振子であってもよい。
　また、弾性波フィルタは、ラダー型フィルタに限らず、例えば、縦結合共振子型弾性表面波フィルタであってもよい。
　高周波フロントエンド回路２００は、第１スイッチ４の第２選択端子４２に接続される受信回路を備えていてもよい。この受信回路は、例えば、Ｂａｎｄ３よりも更に低周波側の通信バンドの高周波信号を受信する回路である。
　高周波フロントエンド回路２００は、第１スイッチ４の第２選択端子４２に接続される送信回路を備えていてもよい。送信回路は、信号処理回路３０１から入力された送信信号を増幅してアンテナ端子２からアンテナ３１０に出力できるように構成される。送信回路は、例えば、信号入力端子と、パワーアンプと、出力整合回路と、を含む。ここにおいて、信号入力端子は、信号処理回路３０１に接続される。パワーアンプは、入力端子及び出力端子を有する。パワーアンプの入力端子は、信号入力端子に接続される。パワーアンプの出力端子は、出力整合回路を介して第１スイッチ４の第２選択端子４２に接続される。パワーアンプは、入力端子に入力された高周波信号（送信信号）を増幅して出力端子から出力する。高周波フロントエンド回路２００が送信回路を備える場合、通信装置３００のＲＦ信号処理回路３０２は、例えば、ベースバンド信号処理回路３０３から出力された高周波信号（送信信号）に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を出力する。ベースバンド信号処理回路３０３は、ベースバンド信号からＩ相信号及びＱ相信号を生成する。ベースバンド信号は、例えば、外部から入力される音声信号、画像信号等である。ベースバンド信号処理回路３０３は、Ｉ相信号とＱ相信号とを合成することでＩＱ変調処理を行って、送信信号を出力する。この際、送信信号は、所定周波数の搬送波信号を、当該搬送波信号の周期よりも長い周期で振幅変調した変調信号（ＩＱ信号）として生成される。
　（態様）
　本明細書には、以下の態様が開示されている。
　第１の態様に係る高周波回路（１；１ａ）は、アンテナ端子（２）と、第１スイッチ（４）と、第２スイッチ（５）と、第１フィルタ（６）と、第２フィルタ（７）と、を備える。第１スイッチ（４）は、アンテナ端子（２）に接続されている。第２スイッチ（５）は、第１スイッチ（４）に接続されており、第１スイッチ（４）を介してアンテナ端子（２）に接続される。第１フィルタ（６）は、第２スイッチ（５）を介さずに第１スイッチ（４）に接続される弾性フィルタであり、第１通信バンドの高周波信号を通過させる。第２フィルタ（７）は、第２スイッチ（５）を介して第１スイッチ（４）に接続される弾性波フィルタであり、第１通信バンドよりも高周波の第２通信バンドの高周波信号を通過させる。高周波回路（１；１ａ）は、インダクタ（８）を更に備える。インダクタ（８）は、第１フィルタ（６）に直列接続されず、第１スイッチ（４）と第２スイッチ（５）との間において第１スイッチ（４）及び第２スイッチ（５）に直列接続されている。
　第１の態様に係る高周波回路（１；１ａ）では、アンテナ端子（２）から見た複数のフィルタ（第１フィルタ６、第２フィルタ７）の通信バンドでのインピーダンスのばらつきを抑制することが可能となる。
　第２の態様に係る高周波回路（１）では、第１の態様において、第１スイッチ（４）は、第１端子（共通端子４０）と、第２端子（第１選択端子４１）と、を有する。第１端子（共通端子４０）は、アンテナ端子（２）に接続されている。第２端子（第１選択端子４１）は、第１端子（共通端子４０）に接続可能である。第１フィルタ（６）に接続される第１配線（１１１）と第２スイッチ（５）にインダクタ（８）を介して接続された第２配線（１１２）との接続点（Ｔ１）が第３配線（１１３）を介して第２端子（第１選択端子４１）に接続されている。
　第３の態様に係る高周波回路（１ａ）では、第１の態様において、第１スイッチ（４）は、共通端子（４０）と、第１選択端子（４１）と、第２選択端子（４２）と、を有する。共通端子（４０）は、アンテナ端子（２）に接続されている。第１選択端子（４１）は、第１フィルタ（６）に接続されている。第２選択端子（４２）は、インダクタ（８）を介して第２スイッチ（５）に接続されている。第１スイッチ（４）では、第１選択端子（４１）及び第２選択端子（４２）が共通端子（４０）に同時接続可能である。
　第４の態様に係る高周波回路（１；１ａ）では、第１～３の態様のいずれか一つにおいて、第１フィルタ（６）は、インダクタンス素子を介さずに第１スイッチ（４）に接続されている。
　第４の態様に係る高周波回路（１；１ａ）では、第１フィルタ（６）の挿入損失を低減できる。
　第５の態様に係る高周波回路（１；１ａ）は、第１～４の態様のいずれか一つにおいて、第１フィルタ（６）を複数備えるとともに、第２フィルタ（７）を複数備える。複数の第１フィルタ（６）では、第１通信バンドが互いに異なる。複数の第２フィルタ（７）では、第２通信バンドが互いに異なる。複数の第１通信バンドは、Ｂａｎｄ１、Ｂａｎｄ３、Ｂａｎｄ２５、Ｂａｎｄ３２、Ｂａｎｄ３４、Ｂａｎｄ３９及びＢａｎｄ６６の群のうち少なくとも２つを含む。複数の第２通信バンドは、Ｂａｎｄ３０、Ｂａｎｄ４０、Ｂａｎｄ７及びＢａｎｄ４１のうち少なくとも２つを含む。
　第６の態様に係る高周波回路（１；１ａ）は、第１～４の態様のいずれか一つにおいて、第１フィルタ（６）を複数備えるとともに、第２フィルタ（７）を複数備える。複数の第１フィルタ（６）では、第１通信バンドが互いに異なる。複数の第２フィルタ（７）では、第２通信バンドが互いに異なる。複数の第１通信バンドは、Ｂａｎｄ１、Ｂａｎｄ３及びＢａｎｄ３２の群のうち少なくとも２つを含む。複数の第２通信バンドは、Ｂａｎｄ４０、Ｂａｎｄ７及びＢａｎｄ４１のうち少なくとも２つを含む。
　第７の態様に係る高周波回路（１；１ａ）では、第１～４の態様のいずれか一つにおいて、第１フィルタ（６）を複数備えるとともに、第２フィルタ（７）を複数備える。複数の第１フィルタ（６）では、第１通信バンドが互いに異なる。複数の第２フィルタ（７）では、第２通信バンドが互いに異なる。複数の第１通信バンドは、Ｂａｎｄ２５及びＢａｎｄ６６を含む。複数の第２通信バンドは、Ｂａｎｄ３０、Ｂａｎｄ７及びＢａｎｄ４１のうち少なくとも２つを含む。
　第８の態様に係る高周波フロントエンド回路（２００；２００ａ）は、第１～７の態様のいずれか一つの高周波回路（１；１ａ）と、第１ローノイズアンプ（１６）と、第２ローノイズアンプ（１８）と、を備える。第１ローノイズアンプ（１６）は、高周波回路（１；１ａ）の第１フィルタ（６）に接続される。第２ローノイズアンプ（１８）は、高周波回路（１；１ａ）の第２フィルタ（７）に接続される。
　第８の態様に係る高周波フロントエンド回路（２００；２００ａ）では、アンテナ端子（２）から見た複数のフィルタ（第１フィルタ６、第２フィルタ７）の通信バンドでのインピーダンスのばらつきを抑制することが可能となる。
　第９の態様に係る通信装置（３００；３００ａ）は、第８の態様の高周波フロントエンド回路（２００；２００ａ）と、信号処理回路（３０１）と、を備える。信号処理回路（３０１）は、第１通信バンドの高周波信号及び第２通信バンドの高周波信号を信号処理する。
　第９の態様に係る通信装置（３００；３００ａ）では、アンテナ端子（２）から見た複数のフィルタ（第１フィルタ６、第２フィルタ７）の通信バンドでのインピーダンスのばらつきを抑制することが可能となる。
　１、１ａ、１ｑ、１ｒ、１ｓ　高周波回路
　２　アンテナ端子
　３　第３スイッチ
　３０　共通端子
　３１　第１選択端子
　３２　第２選択端子
　４　第１スイッチ
　４０　共通端子（第１端子）
　４１　第１選択端子（第２端子）
　４２　第２選択端子
　５　第２スイッチ
　５０　共通端子
　５１　第１選択端子
　５２　第２選択端子
　６　第１フィルタ
　６１　第１フィルタ
　６２　第１フィルタ
　７　第２フィルタ
　７１　第２フィルタ
　７２　第２フィルタ
　８　インダクタ
　９　インダクタ
　１６　第１ローノイズアンプ
　１７　第１入力整合回路
　１８　第２ローノイズアンプ
　１９　第２入力整合回路
　２１、２２　信号出力端子
　６０　マルチプレクサ
　６０１　接続点
　１００、１０１、１０２、１０３、１０４　配線
　１１１　第１配線
　１１２　第２配線
　１１３　第３配線
　１３０、１３１、１３２、１３３、１３４　シャントインダクタ
　２００、２００ａ　高周波フロントエンド回路
　３００、３００ａ　通信装置
　３０１　信号処理回路
　３０２　ＲＦ信号処理回路
　３０３　ベースバンド信号処理回路
　３１０　アンテナ
　４００　スイッチ
　４０１　スイッチ
　４１０　共通端子
　４１１、４１２、４１３　選択端子
　８００、８０３、８０４　シャントインダクタ
　９００、９０１、９０３、９０４、９０５　配線
　Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３、Ａ３１、Ａ３２、Ａ３３　ライン
　Ｎ１０，Ｎ１１、Ｎ１２、Ｎ１３、Ｎ１４、Ｎ２０、Ｎ２２、Ｎ２３、Ｎ２４　ノード
　Ｔ１　接続点

Claims (9)

  1. 　アンテナ端子と、
    　前記アンテナ端子に接続されている第１スイッチと、
    　前記第１スイッチに接続されており、前記第１スイッチを介して前記アンテナ端子に接続される第２スイッチと、
    　前記第２スイッチを介さずに前記第１スイッチに接続される弾性波フィルタであり、第１通信バンドの高周波信号を通過させる第１フィルタと、
    　前記第２スイッチを介して前記第１スイッチに接続される弾性波フィルタであり、前記第１通信バンドよりも高周波の第２通信バンドの高周波信号を通過させる第２フィルタと、を備え、
    　前記第１フィルタに直列接続されず、前記第１スイッチと前記第２スイッチとの間において前記第１スイッチ及び前記第２スイッチに直列接続されているインダクタを更に備える、
    　高周波回路。
  2. 　前記第１スイッチは、
    　　前記アンテナ端子に接続されている第１端子と、
    　　前記第１端子に接続可能な第２端子と、を有し、
    　前記第１フィルタに接続される第１配線と前記第２スイッチに前記インダクタを介して接続された第２配線との接続点が第３配線を介して前記第２端子に接続されている、
    　請求項１に記載の高周波回路。
  3. 　前記第１スイッチは、
    　　前記アンテナ端子に接続されている共通端子と、
    　　前記第１フィルタに接続されている第１選択端子と、
    　　前記インダクタを介して前記第２スイッチに接続されている第２選択端子と、を有し、
    　前記第１スイッチでは、前記第１選択端子及び前記第２選択端子が前記共通端子に同時接続可能である、
    　請求項１に記載の高周波回路。
  4. 　前記第１フィルタは、インダクタンス素子を介さずに前記第１スイッチに接続されている、
    　請求項１～３のいずれか一項に記載の高周波回路。
  5. 　前記第１フィルタを複数備えるとともに、
    　前記第２フィルタを複数備え、
    　前記複数の第１フィルタでは、前記第１通信バンドが互いに異なり、
    　前記複数の第２フィルタでは、前記第２通信バンドが互いに異なり、
    　前記複数の第１通信バンドは、Ｂａｎｄ１、Ｂａｎｄ３、Ｂａｎｄ２５、Ｂａｎｄ３２、Ｂａｎｄ３４、Ｂａｎｄ３９及びＢａｎｄ６６の群のうち少なくとも２つを含み、
    　前記複数の第２通信バンドは、Ｂａｎｄ３０、Ｂａｎｄ４０、Ｂａｎｄ７及びＢａｎｄ４１のうち少なくとも２つを含む、
    　請求項１～４のいずれか一項に記載の高周波回路。
  6. 　前記第１フィルタを複数備えるとともに、
    　前記第２フィルタを複数備え、
    　前記複数の第１フィルタでは、前記第１通信バンドが互いに異なり、
    　前記複数の第２フィルタでは、前記第２通信バンドが互いに異なり、
    　前記複数の第１通信バンドは、Ｂａｎｄ１、Ｂａｎｄ３及びＢａｎｄ３２のうち少なくとも２つを含み、
    　前記複数の第２通信バンドは、Ｂａｎｄ４０、Ｂａｎｄ７及びＢａｎｄ４１のうち少なくとも２つを含む、
    　請求項１～４のいずれか一項に記載の高周波回路。
  7. 　前記第１フィルタを複数備えるとともに、
    　前記第２フィルタを複数備え、
    　前記複数の第１フィルタでは、前記第１通信バンドが互いに異なり、
    　前記複数の第２フィルタでは、前記第２通信バンドが互いに異なり、
    　前記複数の第１通信バンドは、Ｂａｎｄ２５及びＢａｎｄ６６を含み、
    　前記複数の第２通信バンドは、Ｂａｎｄ３０、Ｂａｎｄ７及びＢａｎｄ４１のうち少なくとも２つを含む、
    　請求項１～４のいずれか一項に記載の高周波回路。
  8. 　請求項１～７のいずれか一項に記載の高周波回路と、
    　前記高周波回路の前記第１フィルタに接続される第１ローノイズアンプと、
    　前記高周波回路の前記第２フィルタに接続される第２ローノイズアンプと、を備える、
    　高周波フロントエンド回路。
  9. 　請求項８に記載の高周波フロントエンド回路と、
    　前記第１通信バンドの前記高周波信号及び前記第２通信バンドの前記高周波信号を信号処理する信号処理回路と、を備える、
    　通信装置。
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